JP5573897B2

JP5573897B2 - 接合構造およびこれを用いた実装構造体

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Description

本発明は、半導体装置を基板上に実装する際の接合構造に関し、特に、接合構造に加わる応力を緩和する接合構造およびこれを用いた実装構造体に関する。

大規模集積回路（ＬａｒｇｅＳｃａｌｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ、以下、ＬＳＩ）に代表される半導体装置は、通常、プリント基板などに実装されて使用される。図１Ａは、一般的な半導体装置の実装構造体２００を示す。ＬＳＩチップ１は、図１Ｂに示すように、複数のＬＳＩチップ電極パッド８を有する。また、基板２は、図１Ｃに示すように、複数の基板電極パッド９を有する。

ＬＳＩチップ電極パッド８と基板電極パッド９とは、一般的には円形であり、はんだバンプ７で接合され、接合構造２０を形成する。図２に一般的な接合構造２０の斜視図を示す。はんだバンプ７は、樽状の形状（樽型）を呈するのが一般的である。なお、ＬＳＩチップ１はシリコンからなり、基板２は樹脂やセラミックスからなる。

ここで、実装構造体２００自体が発熱したり、実装構造体２００が組み込まれている装置が発熱したりすると、ＬＳＩチップ１と基板２との線膨張係数の違いによって、はんだバンプ７には応力が加わる。応力は、ＬＳＩチップ電極パッド８とはんだバンプ７との接合部や、基板電極パッド９とはんだバンプ７との接合部の円周上に集中する。また、最も大きな応力は、ＬＳＩチップ１の中心（ＬＳＩチップ中心２１）に向かう直線、特にＬＳＩチップ１の角から中心に向かう対角線に沿って発生する。

この応力を緩和する技術が特許文献１に開示されている。ここでは、はんだバンプの溶融時に、基板に対してＬＳＩチップを引き上げることにより、はんだバンプを引き伸ばして、バンプ形状を樽型ではなく鼓状の形状（鼓型）にする。鼓型のはんだバンプは、樽型のはんだバンプに比べて、ＬＳＩチップや基板の電極パッドとの接合部の接触角が小さいため、接合部の応力を緩和することができるとしている。

また、特許文献２には、熱サイクル動作時の応力の解放を増進させる電極パッドを開示している。ここでは、電極パッド形状がデバイスのエッジに垂直な方向に細長い形状を持つことを特徴とする。

特開平１０−２２３６９３号公報特開平１１−２１９９６８号公報

一般的な樽型のはんだバンプでは、ＬＳＩチップと基板との線膨張係数の差によって、熱サイクル動作時に、ＬＳＩチップや基板の電極パッドとはんだバンプとの接合部に応力が集中し、接続部の信頼性が低下するという課題がある。

この応力を緩和するために、特許文献１では、はんだバンプの溶融時にＬＳＩチップを基板に対して引き上げ、はんだバンプを引き伸ばして鼓型にする方法を開示している。しかしながら、この場合、所望の鼓型のはんだバンプを形成するためには、ＬＳＩチップと基板との間隔を精密に制御する必要がある。そのために、サイズの大きいダミーバンプを設置することや、ＬＳＩチップや基板を精密に保持する機構を有する特別な実装装置が必要となるという課題があった。

また、特許文献２には、電極パッド形状をデバイスのエッジに垂直な方向に細長い形状とすることで、熱サイクル動作時の応力の解放を増進させる方法が開示されている。しかしながら、この方法では、熱サイクル時に最も大きい応力となる、ＬＳＩチップの中心に向かう直線に沿って発生する応力に対しては対策がなされていない。

本発明は、上記の現状を鑑みて成されたものであり、熱サイクル時などでのはんだバンプと電極パッドとの接合部への応力集中を緩和する接合構造であって、特に、最も大きな応力が生じるＬＳＩチップの中心に向かう直線に沿った応力を緩和する、特別な実装装置を必要としない簡便な方法で得られる接合構造、および、これを用いた実装構造体を提供することを目的としている。

第１の構造体と第２の構造体とを接合する接合構造であって、前記接合構造が、前記第１の構造体に接合する第１の電極パッドと前記第２の構造体に接合する第２の電極パッドと前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドと接合するバンプとを有し、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが少なくともひとつの直線の辺を有する多辺形であり、前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、各々、前記第１の構造体の中心へ向かう直線に対して所定の角度を有して配置され、前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の中心側にある場合は、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の外周側にあり、前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の外周側にある場合は、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の中心側にある、接合構造である。

また、第１の構造体と第２の構造体と接合構造体とを有し、前記接合構造体が前記第１の構造体に接合する第１の電極パッドと前記第２の構造体に接合する第２の電極パッドと前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドと接合するバンプとを有し、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが少なくともひとつの直線の辺を有する多辺形であり、前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、各々、前記第１の構造体の中心へ向かう直線に対して、所定の角度を有して配置され、前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の中心側にある場合は、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の外周側にあり、前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の外周側にある場合は、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の中心側にある、接合構造体である実装構造体である。

本発明により、熱サイクル時などでの、はんだバンプとＬＳＩチップや基板の電極パッドとの接合部への応力集中を緩和する接合構造であって、特に、最も大きな応力が生じるＬＳＩチップの中心に向かう直線に沿った応力を緩和する、特別な実装装置を必要としない簡便な方法で得られる接合構造、および、これを用いた実装構造体を提供することができる。

既存の実装構造体の断面構成を示す図である。既存の実装構造体のＬＳＩチップ構成を示す図である。既存の実装構造体の基板構成を示す図である。既存の接合構造の構成を示す斜視図である。本発明の実施の形態の実装構造体の断面構成を示す図である。本発明の実施の形態の実装構造体のＬＳＩチップ構成を示す図である。本発明の実施の形態の実装構造体の基板構成を示す図である。本発明の実施の形態の接合構造の構成を示す上面図である。本発明の実施の形態の接合構造の構成を示す斜視図である。応力分布シミュレーションを行う接合構造の配置を示す図である。本発明の実施の形態の接合構造のＬＳＩチップ電極パッドの応力分布シミュレーションの結果を示す図である。本発明の実施の形態の接合構造のＬＳＩチップ電極パッドの応力分布シミュレーションの結果を示す図である。既存の接合構造のＬＳＩチップ電極パッドの応力分布シミュレーションの結果を示す図である。既存の接合構造の基板電極パッドの応力分布シミュレーションの結果を示す図である。本発明の実施の形態の接合構造の構成を示す上面図である。本発明の実施の形態の接合構造の構成を示す上面図である。本発明の実施の形態の接合構造の構成を示す上面図である。本発明の実施の形態の接合構造の構成を示す上面図である。本発明の実施の形態の接合構造の構成を示す上面図である。本発明の実施の形態の接合構造の構成を示す上面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。但し、以下に述べる実施の形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい限定がされているが、発明の範囲を以下に限定するものではない。

図３Ａは、本発明の実施の形態の実装構造体１００を示す。ＬＳＩチップ１は、図３Ｂに示すように、複数のＬＳＩチップ電極パッド３、５を有する。また、基板２は、図３Ｃに示すように、複数の基板電極パッド４、６を有する。ＬＳＩチップ電極パッド３と基板電極パッド４とは本実施の形態では三角形であり、ほぼ正三角形である。また、ＬＳＩチップ電極パッド５と基板電極パッド６とは、一般的な円形であっても良く、或いは、本実施の形態の三角形であっても良い。

ＬＳＩチップ電極パッド３と基板電極パッド４とはバンプ７で接合され、本実施の形態の接合構造１０を形成する。また、ＬＳＩチップ電極パッド５と基板電極パッド６とはバンプ７で接合され、接合構造１１を形成する。図３Ｃには、実装後の基板２におけるＬＳＩチップ１の位置をＬＳＩチップの外周２７として示す。

ＬＳＩチップ電極パッド３、５と基板電極パッド４、６とは、例えば銅などの導電性に優れた金属からなり、その表面にはんだ濡れ性に優れた例えば金やはんだ合金の皮膜が形成されている。バンプ７は例えば一般的なはんだや鉛フリーはんだからなる。また、ＬＳＩチップ１は主にシリコンからなり、基板２は樹脂やセラミックスからなる。

本実施の形態の製造方法としては、一般的なＬＳＩチップの基板への実装方法が可能である。すなわち、電極パッドの形成においては、電極となる銅膜をめっき法などで形成した後、フォトリソグラフィーとエッチングにより電極パッドを形成する方法が可能である。また、フォトレジストで電極のフレームを形成した後にめっき法などで電極部に銅を埋め込み、フォトレジストをリフトオフする方法も可能である。さらに、電極パッドにはんだバンプを形成した後、ＬＳＩチップと基板とを目合わせし、さらに温度制御をすることで、はんだバンプを介してＬＳＩチップの電極と基板の電極とを接合させることで、ＬＳＩチップを基板へ実装することができる。

本発明の実施の形態の接合構造１０を図４Ａおよび図４Ｂを用いて説明する。図４Ａは、本発明の実施の形態の接合構造の構成を示す上面図である。図４Ｂは、本発明の実施の形態の接合構造の構成を示す斜視図である。

図４Ａと図４Ｂにおいて、ＬＳＩチップ中心方向２５に向かう直線は、例えば、図３Ｂに示す４角形のＬＳＩチップでは、その対角線２６に沿う場合も含まれる。ＬＳＩチップ電極パッド３を形成する三角形の一辺であるＬＳＩチップ電極パッド直線辺２３は、前記ＬＳＩチップ中心方向２５に向かう直線に対して所望の角度を有し、好ましくは略垂直であり、かつ、ＬＳＩチップ電極パッド３を形成する三角形の他の辺に対しては、ＬＳＩチップ中心２１の側に配置される。一方、基板電極パッド４を形成する三角形の一辺である基板電極パッド直線辺２４は、ＬＳＩチップ中心方向２５に向かう直線に対して所望の角度を有し、好ましくは略垂直であり、かつ、基板電極パッド４を形成する三角形の他の辺に対しては、ＬＳＩチップ中心２１の反対側である外周側に配置される。ここで略垂直とは、垂直としたことの効果を得られる範囲であり、例えば、製造上のばらつきの範囲なども含まれる。

ＬＳＩチップ電極パッド３と基板電極パッド４とは、バンプ７で接合され、接合構造１０を形成する。すなわち、ＬＳＩチップ電極パッド直線辺２３と基板電極パッド直線辺２４とは、ＬＳＩチップ電極パッド３と基板電極パッド４の間の空間を埋めるバンプのバンプ中心２２に対して、反対側に位置する、あるいは、略点対称の位置にあるとすることができる。あるいは、ＬＳＩチップ電極パッド３と基板電極パッド４の間の空間の中心に対して、反対側に位置する、あるいは、略点対称の位置にあるとすることもできる。

実装構造体１００自体が発熱したり、実装構造体１００が組み込まれている装置が発熱したりすると、ＬＳＩチップ１と基板２との線膨張係数の違いによって、接合構造１０には応力が加わる。応力は、ＬＳＩチップ電極パッド３とバンプ７との接合部や、基板電極パッド４とバンプ７との接合部に集中する。また、最も大きな応力は、ＬＳＩチップ１の中心に向かう直線、特にＬＳＩチップ１の角から中心に向かう対角線２６に沿って発生する。

この接合部で発生する応力分布を、シミュレーションにより計算した。応力としては、多方向から複合的に荷重が加わるような応力場において、１軸の引張り又は圧縮応力へ投影した応力値を表すミーゼス応力を用いた。図５に、シミュレーションで用いた接合構造１２の配置を示す。接合構造１２は、図４Ｂに示す本実施の形態の接合構造１０、あるいは、図２に示す一般的な接合構造２０であり、ＬＳＩチップと基板に接合している。

接合構造１２の配置は図５に示すとおりであり、１２個×１２個の１４４個とした。配置の対象性を考慮し、図５中に黒塗りした６個×６個の３６個の接合構造１２について応力分布の計算を行った。また、計算を簡便にし、かつ、一般的な接合構造２０に対して本実施の形態の接合構造１０の効果を顕著に確認できることから、図５中の最も大きな応力を生じる破線Ａで囲んだ接合以外は、図２に示す通常の接合構造２０とし、破線Ａで囲んだ接合を、本実施の形態での図４Ｂに示す接合構造１０、あるいは、比較例としての図２に示す接合構造２０とした。

主な計算条件としては、ＬＳＩチップの線膨張係数は３ｐｐｍ／℃、サイズは２６ｍｍ×２６ｍｍ相当、厚みは１ｍｍ、基板の線膨張係数は３２ｐｐｍ／℃、サイズは５６ｍｍ×５０ｍｍ相当、厚みは１．６ｍｍ、電極パッドは円形の場合で直径は０．５ｍｍ、バンプの高さは０．５ｍｍ、温度条件は２５℃から１５０℃などである。最も大きな応力を生じる、図５の右端の破線Ａで囲んだ接合構造の応力分布を、以下に示す。

本実施の形態の接合構造１０について、図６ＡにＬＳＩチップ電極パッド３の応力分布を、図６Ｂに基板電極パッド４の応力分布を、各々示す。図６Ａ、図６Ｂにおいて、三角形のパッドの角が丸くなっているが、これは実際にパッドを作製する際には、製造プロセスに起因して角が丸くなることに対応させたためである。また、比較例として、一般的な円形の電極パッドを用いた接合構造２０について、図７ＡにＬＳＩチップ電極パッド８の応力分布を、図７Ｂに基板電極パッド９の応力分布を、各々示す。

図６Ａと図６Ｂから、三角形のＬＳＩチップ電極パッド３および電極パッド４の応力分布は、ＬＳＩチップ中心方向２５に向かう直線に沿ったパッドの外周部に最大の応力が生じる分布となることが分かる。最大応力は、ＬＳＩチップ電極パッド３では、ＬＳＩ中心側で１７２０ＭＰａ、ＬＳＩ中心側の反対側（以下、外周側）で１７３３ＭＰａ、基板電極パッド４では、ＬＳＩ中心側で１６８７ＭＰａ、外周側で１９７０ＭＰａであった。

一方、図７Ａと図７Ｂから、円形のＬＳＩチップ電極パッド８および電極パッド８の応力分布においても、三角形の場合と同様に、ＬＳＩチップ中心方向２５に向かう直線に沿ったパッドの外周部に最大の応力が生じる分布となることが分かる。最大応力は、ＬＳＩチップ電極パッド８では、ＬＳＩ中心側で２３００ＭＰａ、外周側で２０４５ＭＰａ、基板電極パッド９では、ＬＳＩ中心側で１７９０ＭＰａ、外周側で２２０８ＭＰａであった。

以上の応力分布のシミュレーション結果から最大応力値で比較すると、三角形パッドは円形パッドに対して、ＬＳＩチップ電極パッドの中心側で２５％減少、外周側で１５％減少、基板電極パッドの中心側で６％の減少、外周側で１１％の減少であった。以上のように、電極パッド構造を円形から三角形とし、かつ、図４Ａや図４Ｂに示す接合構造１０とすることで、接合構造内部の応力を低減できることが明らかになった。

円形パッドに対して三角形パッドの応力分布で最大応力が低減した原因として、最大応力が生じる部分が直線であることで、応力が分散したことが挙げられる。すなわち、ＬＳＩチップの中心方向に沿う方向で最大の応力が発生するが、本実施の形態では、このＬＳＩチップの中心方向に沿う方向と垂直方向に三角形パッドを構成する直線の一辺が配置されているために、応力がこの直線上に分散され、一点に集中することはない。その結果、応力を低減することができる。一方、円形パッドでは、円周の曲線に沿ってＬＳＩチップの中心方向に応力が集中するため、応力が増大する。

三角形のパッドにおいて、直線の一辺をＬＳＩチップの中心側に配置すべきか外周側に配置すべきかは、ＬＳＩチップと基板の厚みや大きさなどに依存する。ＬＳＩチップに比べて基板の厚みが大きい、寸法が大きい、ヤング率が大きいなどで、基板の剛性がＬＳＩチップよりも高い場合、ＬＳＩチップ電極パッド３において、ＬＳＩチップ１中心側の応力が大きくなる。このような場合は、図４Ａや図４Ｂのように、ＬＳＩチップ電極パッド直線辺２３を中心側に、角部を外周側に配置する。

基板電極パッド４では、逆にＬＳＩチップ電極３に対応して外周側の応力が大きくなるため、図４Ａや図４Ｂのように、基板電極パッド直線辺２４を外周側に、角部を中心側に配置する。この構成の接合構造１０とすることで、応力の大きい側では直線の一辺による応力分散が効果的になされ、また、角部では元々の応力が小さいために、図６Ａや図６Ｂに示したように、三角形パッドにより、円形パッドよりも最大応力の小さい応力分布が実現する。

本実施の形態の接合構造１０のＬＳＩチップ電極パッド３と基板電極パッド４の配置は、ＬＳＩチップの剛性が基板よりも高い場合、図４Ａおよび図４Ｂに示した配置とは逆に、ＬＳＩチップ電極パッド３を形成する三角形の一辺がＬＳＩチップ中心方向に向かう直線に対して略垂直で、かつ、ＬＳＩチップ外周側に配置され、一方、基板電極パッド４を形成する三角形の一辺がＬＳＩチップ中心方向に向かう直線に対して略垂直で、かつ、ＬＳＩチップ中心側に配置されることもできる。

三角形のＬＳＩチップ電極パッド３と基板電極パッド４とはんだバンプ７からなる接合構造１０は、ＬＳＩチップ１が図３Ｂのように四角形の場合、少なくとも、ＬＳＩチップ１の中心から最も距離が遠い、対角線２６上の最外周に位置する４個の内の少なくとも１個を占め、その他の接合構造は一般的な接合構造２０とすることができる。最も大きな応力はＬＳＩチップ１の角から中心に向かう対角線２６に沿って発生し、その外周ほど応力は大きくなることから、外周部の接合構造を本実施の形態の接合構造１０とすることが、より効果的である。しかしながら、外周部に限らず、接合構造の全てを本実施の形態の接合構造１０とすることも、また、任意の位置での接合構造を本実施の形態の接合構造１０とすることも、効果的である。

また、本実施の形態では、電極パッドを形成する三角形はほぼ正三角形としたが、電極パッドの少なくとも一辺が直線である多辺形であれば、応力分布における最大応力を低減する効果を有する。

よって、図８に示す接合構造１３のように、正三角形をＬＳＩチップの中心方向に沿う方向に引き伸ばした三角形のＬＳＩチップ電極パッド３０と基板電極パッド４０と、バンプ７０とを組み合わせた構造や、図９に示す接合構造１４のように、正三角形をＬＳＩチップの中心方向に沿う方向に押し潰した三角形のＬＳＩチップ電極パッド３１と基板電極パッド４１と、バンプ７１とを組み合わせた構造とすることができる。

また、図１０に示す接合構造１５のように、四角形の形状のＬＳＩチップ電極パッド３２と基板電極パッド４２と、バンプ７２とを組み合わせた構造や、図１１に示す接合構造１６のように、五角形の形状のＬＳＩチップ電極パッド３３と基板電極パッド４３と、バンプ７３とを組み合わせた構造とすることができる。

さらに、電極パッドの形状は、上記の他に六角形や八角形などの任意の多角形が可能である。以上の場合、接合構造内部の応力を低減する目的から、ＬＳＩチップの中心方向に沿う方向と略垂直方向に配置される一辺の長さをできるだけ長くして、応力を分散させやすくすることが望ましい。

また、電極パッドの形状は、多角形である必要はなく、少なくとも一辺が直線である多辺形が可能である。すなわち、図１２に示す接合構造１７のように、一辺が直線で他辺が曲線である多辺形の形状のＬＳＩチップ電極パッド３４と基板電極パッド４４と、バンプ７４とを組み合わせた構造とすることができる。

また、ＬＳＩチップ電極パッドと基板電極パッドとは、必ずしも同じ形状や寸法、同じ多辺形である必要はない。すなわち、図１３に示す接合構造１８のように、ＬＳＩチップ電極パッド３５と基板電極パッド４５との形状が異なり、バンプ７５とを組み合わせた構造とすることができる。

ＬＳＩチップの形状は、本実施の形態では四角形を挙げたが、四角形に限る必要はなく、任意の多角形、円形、楕円形が可能である。このとき、本実施の形態の接合構造の電極の配置としては、電極パッドを形成する直線の一辺が、ＬＳＩチップの中心に向かう直線に対して所望の角度を有すること、好ましくは略垂直方向に配置されることで、接合構造内部の応力の緩和が可能である。

以上のように、本発明の実施の形態により、熱サイクル時などでのバンプと電極パッドとの接合部への応力集中を緩和する接合構造であって、特に、最も大きな応力が生じるＬＳＩチップの中心に向かう直線に沿った応力を緩和する、特別な実装装置を必要としない簡便な方法で得られる接合構造、および、これを用いた実装構造体を提供することができる。

また、上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。

付記
（付記１）
第１の構造体と第２の構造体とを接合する接合構造であって、
前記接合構造が、前記第１の構造体に接合する第１の電極パッドと、前記第２の構造体に接合する第２の電極パッドと、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドと接合するバンプとを有し、
前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが、少なくともひとつの直線の辺を有する多辺形であり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、各々、前記第１の構造体の中心へ向かう直線に対して、所定の角度を有して配置され、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の中心側にある場合は、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の外周側にあり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の外周側にある場合は、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の中心側にある、接合構造。
（付記２）
第１の構造体と第２の構造体とを接合する接合構造であって、
前記接合構造が、前記第１の構造体に接合する第１の電極パッドと、前記第２の構造体に接合する第２の電極パッドと、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドと接合するバンプとを有し、
前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが、少なくともひとつの直線の辺を有する多辺形であり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、各々、前記第１の構造体の中心へ向かう直線に対して、所定の角度を有して配置され、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、前記バンプの中心点に対して点対称である、接合構造。
（付記３）
第１の構造体と第２の構造体とを接合する接合構造であって、
前記接合構造が、前記第１の構造体に接合する第１の電極パッドと、前記第２の構造体に接合する第２の電極パッドと、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドと接合するバンプとを有し、
前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが、少なくともひとつの直線の辺を有する多辺形であり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、各々、前記第１の構造体の中心へ向かう直線に対して、所定の角度を有して配置され、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドの間の空間の中心点に対して点対称である、接合構造。
（付記４）
前記所定の角度が略垂直である、付記１乃至３の何れか１項記載の接合構造。
（付記５）
前記第１の構造体が半導体チップである、付記１乃至４の何れか１項記載の接合構造。
（付記６）
前記第２の構造体が基板である、付記１乃至５の何れか１項記載の接合構造。
（付記７）
前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが、銅、あるいは、金、あるいは、はんだを含む、付記１乃至６の何れか１項記載の接合構造。
（付記８）
前記バンプがはんだを含む、付記１乃至７の何れか１項記載の接合構造。
（付記９）
前記多辺形が多角形である、付記１乃至８の何れか１項記載の接合構造。
（付記１０）
前記多辺形が三角形である、付記１乃至９の何れか１項記載の接合構造。
（付記１１）
前記多辺形が正三角形である、付記１乃至９の何れか１項記載の接合構造。
（付記１２）
第１の構造体と第２の構造体と接合構造体とを有し、
前記接合構造体が、前記第１の構造体に接合する第１の電極パッドと、前記第２の構造体に接合する第２の電極パッドと、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドと接合するバンプとを有し、
前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが、少なくともひとつの直線の辺を有する多辺形であり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、各々、前記第１の構造体の中心へ向かう直線に対して、所定の角度を有して配置され、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の中心側にある場合は、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の外周側にあり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の外周側にある場合は、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の中心側にある、接合構造体である、実装構造体。
（付記１３）
第１の構造体と第２の構造体と接合構造体とを有し、
前記接合構造体が、前記第１の構造体に接合する第１の電極パッドと、前記第２の構造体に接合する第２の電極パッドと、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドと接合するバンプとを有し、
前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが、少なくともひとつの直線の辺を有する多辺形であり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、各々、前記第１の構造体の中心へ向かう直線に対して、所定の角度を有して配置され、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、前記バンプの中心点に対して点対称である、接合構造体である、実装構造体。
（付記１４）
第１の構造体と第２の構造体と接合構造体とを有し、
前記接合構造体が、前記第１の構造体に接合する第１の電極パッドと、前記第２の構造体に接合する第２の電極パッドと、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドと接合するバンプとを有し、
前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが、少なくともひとつの直線の辺を有する多辺形であり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、各々、前記第１の構造体の中心へ向かう直線に対して、所定の角度を有して配置され、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドの間の空間の中心点に対して点対称である、接合構造体である、実装構造体。
（付記１５）
前記所定の角度が略垂直である、付記１２乃至１４の何れか１項記載の実装構造体。
（付記１６）
前記第１の構造体が半導体チップである、付記１２乃至１５の何れか１項記載の実装構造体。
（付記１７）
前記第２の構造体が基板である、付記１２乃至１６の何れか１項記載の実装構造体。
（付記１８）
前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが、銅、あるいは、金、あるいは、はんだを含む、付記１２乃至１７の何れか１項記載の実装構造体。
（付記１９）
前記バンプがはんだを含む、付記１２乃至１８の何れか１項記載の実装構造体。
（付記２０）
前記多辺形が多角形である、付記１２乃至１９の何れか１項記載の実装構造体。
（付記２１）
前記多辺形が三角形である、付記１２乃至２０の何れか１項記載の実装構造体。
（付記２２）
前記多辺形が正三角形である、付記１２乃至２０の何れか１項記載の実装構造体。
（付記２３）
前記接合構造体がひとつ以上である、付記１２乃至２２の何れか１項記載の実装構造体。
（付記２４）
前記接合構造体が前記第１の構造体の外周部に配置された、付記１２乃至２３の何れか１項記載の実装構造体。
（付記２５）
前記第１の構造体が四角形であって、前記四角形の対角線上の最外周部の少なくとも一箇所に前記接合構造体を配置した、付記１２乃至２４の何れか１項記載の実装構造体。

１ＬＳＩチップ
２基板
３ＬＳＩチップ電極パッド
４基板電極パッド
５ＬＳＩチップ電極パッド
６基板電極パッド
７バンプ
８ＬＳＩチップ電極パッド
９基板電極パッド
１０接合構造
１１接合構造
２０接合構造
２１ＬＳＩチップ中心
２２バンプ中心
２３ＬＳＩチップ電極パッド直線辺
２４基板電極パッド直線辺
２５ＬＳＩチップ中心方向
２６対角線
２７ＬＳＩチップの外周
１００実装構造体
２００実装構造体

Claims

第１の構造体と第２の構造体とを接合する接合構造であって、
前記接合構造が、前記第１の構造体に接合する第１の電極パッドと、前記第２の構造体に接合する第２の電極パッドと、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドと接合するバンプとを有し、
前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが、少なくともひとつの直線の辺を有する多辺形であり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、各々、前記第１の構造体の中心へ向かう直線に対して、所定の角度を有して配置され、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の中心側にある場合は、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の外周側にあり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の外周側にある場合は、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の中心側にある、接合構造。
第１の構造体と第２の構造体とを接合する接合構造であって、
前記接合構造が、前記第１の構造体に接合する第１の電極パッドと、前記第２の構造体に接合する第２の電極パッドと、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドと接合するバンプとを有し、
前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが、少なくともひとつの直線の辺を有する多辺形であり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、各々、前記第１の構造体の中心へ向かう直線に対して、所定の角度を有して配置され、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、前記バンプの中心点に対して点対称である、接合構造。
前記所定の角度が略垂直である、請求項１乃至２の何れか１項記載の接合構造。
前記多辺形が正三角形である、請求項１乃至３の何れか１項記載の接合構造。
第１の構造体と第２の構造体と接合構造体とを有し、
前記接合構造体が、前記第１の構造体に接合する第１の電極パッドと、前記第２の構造体に接合する第２の電極パッドと、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドと接合するバンプとを有し、
前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが、少なくともひとつの直線の辺を有する多辺形であり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺と、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺とが、各々、前記第１の構造体の中心へ向かう直線に対して、所定の角度を有して配置され、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の中心側にある場合は、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の外周側にあり、
前記第１の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の外周側にある場合は、前記第２の電極パッドの前記ひとつの直線の辺が他の辺に対して前記第１の構造体の中心側にある、接合構造体である、実装構造体。
前記所定の角度が略垂直である、請求項５記載の実装構造体。
前記接合構造体がひとつ以上である、請求項５乃至６の何れか１項記載の実装構造体。
前記接合構造体が前記第１の構造体の外周部に配置された、請求項５乃至７の何れか１項記載の実装構造体。
前記第１の構造体が四角形であって、前記四角形の対角線上の最外周部の少なくとも一箇所に前記接合構造体を配置した、請求項５乃至８の何れか１項記載の実装構造体。