JP5594601B2 - タッチパネルセンサ、当該タッチパネルセンサの製造方法、および当該タッチパネルセンサを備えた入出力装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、タッチパネルセンサ、当該タッチパネルセンサの製造方法、および当該タッチパネルセンサを備えた入出力装置の製造方法に関する。

今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、タッチパネルセンサが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力が可能になっている。タッチパネルセンサのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルセンサのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。

タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ上への接触位置（接近位置）を検出する原理に基づいて、種々の形式に区別される。昨今では、光学的に明るいこと、意匠性があること、構造が容易であること、機能的にも優れていること等の理由から、容量結合方式のタッチパネル装置が注目されている。容量結合方式のタッチパネル装置においては、位置を検知されるべき外部導体（典型的には、指）が誘電体を介してタッチパネルセンサに接触（接近）する際、新たに奇生容量が発生する。この奇生容量に起因する静電容量の変化に基づいて、タッチパネルセンサ上における対象物の位置が検出される。容量結合方式には表面型と投影型とがあるが、マルチタッチの認識（多点認識）への対応に適していることから、投影型が注目を浴びている（例えば、特許文献１）。

投影型容量結合方式のタッチパネルセンサは、誘電体と、誘電体の両側に異なるパターンでそれぞれ形成された第１センサ電極および第２センサ電極と、を有している。典型的には、第１センサ電極および第２センサ電極は、格子状に配列された第１透明導電体および第２透明導電体をそれぞれ有している。この場合、外部導体（典型的には、指）がタッチパネルセンサに接触または接近した際に生じる、電磁的な変化または静電容量の変化に基づき、タッチされた透明導電体の位置が検出される。

また、タッチパネルセンサのアクティブエリアの周縁にある非アクティブエリアには、一般に、タッチパネルセンサを識別するための様々な識別マークが形成されている。例えば、タッチパネルセンサを表示装置や制御基板などに接合する際に用いられるアライメントマークが形成されている（例えば、特許文献２）。特許文献２に記載のタッチパネルセンサにおいて、アライメントマークは、非アクティブエリアに配置されるとともに透明導電体と電気的に接続された金属配線と同時に形成されており、このため、アライメントマークは金属からなっている。金属配線の端部は、表示装置や制御基板などが接続される端子を構成しており、この端子を介して、透明導電体からの信号が表示装置などに伝達される。

特開平９−２９２９５０号公報 特開２００９−５３８９４号公報

ところで、タッチパネルセンサ、表示装置および制御基板などを備えた入出力装置を製造する際、その非アクティブエリアに金属配線が形成されていないタッチパネルセンサが用いられる場合がある。ここで、識別マークが金属からなる場合、識別マークを形成するためだけに金属のパターニング工程が実施されることになり、製造コストの観点上好ましくない。

本発明は、このような課題を効果的に解決し得るタッチパネルセンサ、並びに、タッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体を提供することを目的とする。

本発明によるタッチパネルセンサは、タッチ位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアと、前記アクティブエリアの周縁に位置する非アクティブエリアと、を含むタッチパネルセンサであって、基材と、前記基材の一方の側の面上であって、アクティブエリア内にパターニングされた第１透明導電体と、
前記基材の一方の側の面上であって、非アクティブエリア内にパターニングされた識別マークと、を備え、前記識別マークは、前記第１透明導電体の材料と同一の材料を用いて当該第１透明導電体とともに形成され、前記基材は、透明な本体部と、透明な本体部の前記第１透明導電体側の面上に形成された第１インデックスマッチング層と、を有し、前記非アクティブエリア内に設けられた前記識別マークに対応する領域における前記第１インデックスマッチング層の厚みが、前記アクティブエリアにおける第１インデックスマッチング層の厚みと異なっていることを特徴とするタッチパネルセンサである。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記第１インデックスマッチング層は、前記本体部の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１高屈折率層と、当該第１高屈折率層の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１低屈折率層と、を有していてもよい。この場合、前記第１透明導電体の光屈折率は、前記第１高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ前記第１低屈折率層の光屈折率よりも大きくなっている。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記アクティブエリアにおける前記第１高屈折率層および前記第１低屈折率層の厚みに対する、前記識別マークに対応する領域における前記第１高屈折率層および前記第１低屈折率層の厚みの比率が、６６．７％以下となっていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記アクティブエリアにおける前記第１高屈折率層の厚みに対する、前記識別マークに対応する領域における前記第１高屈折率層の厚みの比率が、４８．３％以下となっていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記アクティブエリアにおける前記第１低屈折率層の厚みに対する、前記識別マークに対応する領域における前記第１低屈折率層の厚みの比率が、５５％以下となっていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、好ましくは、前記第１透明導電体が、１６〜２２ｎｍの範囲内の厚みと１．８〜２．０の範囲内の光屈折率とを有し、前記非アクティブエリア内において、前記第１インデックスマッチング層の第１高屈折率層が、３〜７ｎｍの範囲内の厚みと２．１〜２．４の範囲内の光屈折率とを有し、かつ、前記第１インデックスマッチング層の第１低屈折率層が、５０〜８０ｎｍの範囲内の厚みと１．４〜１．５５の範囲内の光屈折率とを有している。

本発明によるタッチパネルセンサは、前記基材の他方の側の面上であって、アクティブエリア内にパターニングされた第２透明導電体をさらに備えていてもよい。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記基材は、透明な本体部の前記第２透明導電体側の面上に形成された第２インデックスマッチング層をさらに有していてもよい。

本発明による上記記載のタッチパネルセンサを製造する方法は、透明な本体部を準備する工程と、透明な本体部の一方の側の面上に第１インデックスマッチング層を形成する工程と、前記第１インデックスマッチング層上に第１透明導電層を形成する工程と、前記第１透明導電層をパターニングして、アクティブエリア内に位置する第１透明導電体を形成するとともに、非アクティブエリア内に位置する識別マークを形成する工程と、を備え、前記第１インデックスマッチング層の形成工程において、前記識別マークに対応する領域における前記第１インデックスマッチング層の厚みが、前記アクティブエリアにおける第１インデックスマッチング層の厚みと異なるよう、前記第１インデックスマッチング層が形成されることを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法である。

本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記第１インデックスマッチング層は、前記本体部の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１高屈折率層と、当該第１高屈折率層の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１低屈折率層と、を有していてもよい。この場合、前記第１透明導電体の光屈折率は、前記第１高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ前記第１低屈折率層の光屈折率よりも大きくなっている。

本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記第１高屈折率層および第１低屈折率層はそれぞれスパッタリングにより形成されていてもよい。この場合、前記第１高屈折率層をスパッタリングにより形成する工程、または第１低屈折率層をスパッタリングにより形成する工程の少なくとも一方において、前記本体部のうち前記識別マークに対応する領域上に遮蔽板が配置されている。

本発明による入出力装置の製造方法は、表示装置を準備する工程と、上記記載のタッチパネルセンサを前記表示装置に接合する工程と、を備え、前記識別マークは、アライメントマークからなり、前記タッチパネルセンサを前記表示装置に接合する工程において、タッチパネルセンサの前記アライメントマークに基づいて、表示装置に対するタッチパネルセンサの位置合わせが実施されることを特徴とする入出力装置の製造方法である。

本発明のタッチパネルセンサによれば、非アクティブエリア内にパターニングされた識別マークは、アクティブエリア内にパターニングされた第１透明導電体の材料と同一の材料を用いて当該第１透明導電体とともに形成されている。また非アクティブエリア内に設けられた識別マークに対応する領域における第１インデックスマッチング層の厚みが、アクティブエリアにおける第１インデックスマッチング層の厚みと異なっている。このため、識別マークが形成されている領域における光の透過率または反射率と、アライメントマーク周辺の領域における光の透過率または反射率とが異なっている。このため、第１透明導電体の材料と同一の材料からなる識別マークを視認することが可能となる。このことにより、識別マークを安価に形成することができ、これによって、タッチパネルセンサの製造コストを低減することができる。

図１は、本発明による一実施の形態を説明するための図であって、タッチパネル装置を表示装置とともに概略的に示す図である。 図２は、図１のタッチパネル装置のタッチパネルセンサを表示装置ともに示す断面図である。なお、図２に示された断面は、図１のII−II線に沿った断面に概ね対応している。 図３は、タッチパネル装置のタッチパネルセンサを示す平面図である。 図４Ａは、図３のIVＡ−IVＡ線に沿った断面図である。 図４Ａは、図３のIVＢ−IVＢ線に沿った断面図である。 図４Ｃは、図３のIVＣ−IVＣ線に沿った断面図である。 図５（ａ）は、タッチパネルセンサに含まれる基材フィルムの具体例を示す図であり、図５（ｂ）は、基材フィルムのインデックスマッチング層により透過光のスペクトルが各波長域で平坦にされる様子を示す図である。 図６は、タッチパネルセンサのアライメントマーク近傍を拡大して示す平面図である。 図７は、図６のVII−VII線に沿った断面図である。 図８Ａは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図８Ｂは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図８Ｃは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図８Ｄは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図８Ｅは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図８Ｆは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図８Ｇは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図８Ｈは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図８Ｉは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図８Ｊは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図９は、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するためのフローチャートである。 図１０は、複数のタッチパネルセンサが割り付けられたシートを示す平面図である。 図１１Ａは、スパッタリングによって高屈折率層が形成される様子を示す図。 図１１Ｂは、図１１Ａに示すフィルム本体、第１遮蔽板および高屈折率層用ターゲット材の関係、および、形成される高屈折率層の膜厚分布を示す図。 図１１Ｃは、フィルム本体、第１遮蔽板および高屈折率層用ターゲット材の関係の変形例を示す図。 図１２は、本発明によるタッチパネルセンサの高屈折率層および透明導電体において、屈折率の波長依存性の一例を示す図である。 図１３Ａは、比較例１において、アクティブエリアにおける反射スペクトルを示す図である。 図１３Ｂは、比較例１において、アクティブエリアにおける反射率差を示す図である。 図１４Ａは、比較例２において、アライメントマークエリアにおける反射スペクトルを示す図である。 図１４Ｂは、比較例２において、アライメントマークエリアにおける反射率差を示す図である。 図１５Ａは、実施例１において、高屈折率層の厚みと反射によるＹ値との関係を示す図である。 図１５Ｂは、実施例１において、高屈折率層の厚みと反射率比との関係を示す図である。 図１６Ａは、実施例２において、低屈折率層の厚みと反射によるＹ値との関係を示す図である。 図１６Ｂは、実施例２において、低屈折率層の厚みと反射率比との関係を示す図である。 図１７Ａは、実施例３において、インデックスマッチング層の厚みと反射によるＹ値との関係を示す図である。 図１７Ｂは、実施例３において、インデックスマッチング層の厚みと反射率比との関係を示す図である。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。

なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

また、本件において、「シート」、「フィルム」、「板」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。したがって、例えば、「シート」はフィルムや板等とも呼ばれ得るような部材や部分も含む概念である。

タッチパネル装置
はじめに図１および図２を参照して、タッチパネル装置２０全体について説明する。図１および図２に示されたタッチパネル装置２０は、投影型の静電容量結合方式として構成され、タッチパネル装置２０への外部導体（例えば、人間の指）の接触位置を検出可能に構成されている。なお、静電容量結合方式のタッチパネル装置２０の検出感度が優れている場合には、外部導体がタッチパネル装置に接近しただけで当該外部導体がタッチパネル装置のどの領域に接近しているかを検出することができる。このような現象にともなって、ここで用いる「接触位置」とは、実際には接触していないが位置を検出され得る接近位置を含む概念とする。

図１および図２に示すように、タッチパネル装置２０は、表示装置（例えば液晶表示装置）１５とともに組み合わせられて用いられ、入出力装置１０を構成している。図示された表示装置１５は、フラットパネルディスプレイとして構成されている。表示装置１５は、表示面１６ａを有した表示パネル１６と、表示パネル１６に接続された表示制御部１７と、を有している。表示パネル１６は、映像を表示することができる表示領域Ａ１と、表示領域Ａ１を取り囲むようにして表示領域Ａ１の外側に配置された非表示領域（額縁領域とも呼ばれる）Ａ２と、を含んでいる。表示制御部１７は、表示されるべき映像に関する情報を処理し、映像情報に基づいて表示パネル１６を駆動する。表示パネル１６は、表示制御部１７の制御信号により、所定の映像を表示面１６ａに表示するようになる。すなわち、表示装置１５は、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置として役割を担っている。

図１に示すように、タッチパネル装置２０は、表示装置１５の表示面１６ａ上に配置されたタッチパネルセンサ３０と、タッチパネルセンサ３０に接続された検出制御用基板（図示せず）を含む検出制御部２５と、を有している。このうちタッチパネルセンサ３０は、図２に示すように、表示装置１５の表示面１６ａ上に接着層１９を介して接着されている。上述したように、タッチパネル装置２０は、投影型容量結合方式のタッチパネル装置として構成されており、情報を入力する入力装置としての役割を担っている。また検出制御部２５の検出制御用基板は、例えば、後述する検出回路が形成されたフレキシブルプリント基板からなっており、このフレキシブルプリント基板は、タッチパネルセンサ３０の後述する第１取出端子部および第２取出端子部に接続されている。

また、図２に示すように、タッチパネル装置２０は、タッチパネルセンサ３０の観察者側、すなわち、表示装置１５とは反対の側に、誘電体として機能する透光性を有した保護カバー１２をさらに有している。保護カバー１２は、タッチパネルセンサ３０上に接着層１４を介して接着されている。この保護カバー１２は、タッチパネル装置２０への入力面（タッチ面、接触面）として機能するようになる。つまり、保護カバー１２に導体、例えば人間の指５を接触させることにより、タッチパネル装置２０に対して外部から情報を入力することができるようになっている。また、保護カバー１２は、入出力装置１０の最観察者側面をなしており、入出力装置１０において、タッチパネル装置２０および表示装置１５を外部から保護するカバーとしも機能する。

なお、上述した接着層１４，１９としては、種々の接着性を有した材料からなる層を用いることができる。また、本明細書において、「接着（層）」は粘着（層）をも含む概念として用いる。

タッチパネル装置２０の検出制御部２５は、上述のようにタッチパネルセンサ３０に接続されており、この検出制御部２５により、保護カバー１２を介して入力された情報が処理される。具体的には、検出制御部２５は、保護カバー１２へ導体（典型的には、人間の指）５が接触している際に、保護カバー１２への導体５の接触位置を特定し得るように構成された回路（検出回路）を含んでいる。また、検出制御部２５が、表示装置１５の表示制御部１７と接続されていてもよい。この場合、検出制御部２５は、処理した入力情報を表示制御部１７へ送信することができる。この際、表示制御部１７は、入力情報に基づいた映像情報を作成し、入力情報に対応した映像を表示パネル１６に表示させることができる。

なお、「容量結合」方式および「投影型」の容量結合方式との用語は、タッチパネルの技術分野で用いられる際の意味と同様の意味を有するものとして、本件において用いられている。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本件では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のタッチパネル装置は導電体層を含んでおり、外部の導体（典型的には人間の指）がタッチパネルに接触することにより、外部の導体とタッチパネル装置の導電体層との間でコンデンサ（静電容量）が形成される。そして、このコンデンサの形成にともなった電気的な状態の変化に基づき、タッチパネル上において外部導体が接触している位置の位置座標が特定される。また、「投影型」の容量結合方式は、タッチパネルの技術分野において「投影式」の容量結合方式等とも呼ばれており、本件では、この「投影式」の容量結合方式等と同義の用語として取り扱う。「投影型」の容量結合方式とは、典型的には、格子状に配列されたセンサ電極を用いて外部導体が接触している位置を検出する方式であり、膜状の電極を用いる「表面型」の容量結合方式と対比され得る。

タッチパネルセンサ
次に図２乃至図４Ｃを参照して、タッチパネルセンサ３０について詳述する。図２に示すように、タッチパネルセンサ３０は、基材フィルム（基材）３２と、基材フィルム３２の一方の側（観察者側）の面３２ａ上に所定のパターンで設けられた第１透明導電体４０と、基材フィルム３２の他方の側（表示装置１５の側）の面３２ｂ上に所定のパターンで設けられた第２透明導電体４５と、を有している。図３においては、第２透明導電体４５などの、基材フィルム３２の他方の側に設けられている構成要素が、便宜上、点線にて示されている。

このうち基材フィルム３２は、タッチパネルセンサ３０において誘電体として機能するものである。図３に示すように、基材フィルム３２は、タッチ位置を検出され得る領域に対応する矩形状のアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１を囲む矩形枠状の非アクティブエリアＡａ２と、を含んでいる。このうちアクティブエリアＡａ１は、図１に示すように、表示装置１５の表示領域Ａ１に対面する領域を占めており、一方、非アクティブエリアＡａ２は、表示装置１５の非表示領域Ａ２に対面する領域に形成されている。

また、図３に示すように、非アクティブエリアＡａ２は、アクティブエリアＡａ１を囲む矩形枠状の額縁配線エリアＡａ３と、額縁配線エリアＡａ３を囲む矩形枠状のアライメントマークエリアＡａ４と、を含んでいる。このうち額縁配線エリアＡａ３は、透明導電体４０，４５からの信号を検出制御部２５に伝達するための取出導電体（後述）および取出端子部（後述）が設けられるエリアであり、一方、アライメントマークエリアＡａ４は、タッチパネルセンサ３０を表示装置１５などと接合する際に用いられるアライメントマーク（後述）が設けられるエリアである。

前述のとおり、基材フィルム３２には第１透明導電体４０および第２透明導電体４５が設けられており、このうち基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１に設けられた第１透明導電体４０および第２透明導電体４５により、外部導体５との間で容量結合を形成し得る第１センサ電極３６ａおよび第２センサ電極３７ａがそれぞれ形成されている（図３参照）。後述するように、基材フィルム３２、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５はそれぞれ透光性を有しており、このため観察者は、これらを介して、表示装置１５に表示された映像を観察することができる。

また、図３に示すように、基材フィルム３２の非アクティブエリアＡａ２の額縁配線エリアＡａ３には、第１センサ電極３６ａに電気的に接続された第１取出配線３６ｂと、第２センサ電極３７ａに電気的に接続された第２取出配線３７ｂと、が形成されている。このうち第１取出配線３６ｂは、図３に示すように、その一端において第１透明導電体４０に電気的に接続されるとともに、図３に示すｙ方向に延びる第１取出導電体４３と、第１取出導電体４３の他端に接続された第１取出端子部４４と、を含んでいる。また、第２取出配線３７ｂは、図３に示すように、その一端において第２透明導電体４５に電気的に接続された第２取出導電体４８と、第２取出導電体４８の他端に接続された第２取出端子部４９と、を含んでいる。

なお後述する図４Ａ乃至図４Ｃにおいて示すように、第１取出導電体４３および第１取出端子部４４と、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａとの間に、透明導電層からなる第１透明取出導電体が介在されていてもよい。第１透明取出導電体は、後述するタッチパネルセンサ３０の製造方法において説明するように、第１透明導電体４０とともに形成される透明な導電体からなっている。同様に、第２取出導電体４８および第２取出端子部４９と、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂとの間に、透明導電層からなる第２透明取出導電体が介在されていてもよい。

次に、タッチパネルセンサ３０を構成する各要素についてさらに詳述する。

センサ電極
はじめに、第１センサ電極３６ａおよび第２センサ電極３７ａについて詳述する。上述のように、第１センサ電極３６ａおよび第２センサ電極３７ａは、アクティブエリアＡａ１に設けられた第１透明導電体４０および第２透明導電体４５によりそれぞれ構成されている。これら第１透明導電体４０および第２透明導電体４５は、導電性を有する透明な材料から形成されている。このうち第１透明導電体４０は、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａ上に設けられるとともに、図３に示すように、ｘ方向に略平行に延びている。また第２透明導電体４５は、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂ上に設けられるとともに、図３に示すように、ｘ方向に直交するｙ方向に略平行に延びている。

図３に示すように、第１透明導電体４０は、直線状に延びるライン部４１ａと、ライン部４１ａから膨出した膨出部４１ｂと、を有している。ここで膨出部４１ｂとは、基材フィルム３２のフィルム面に沿ってライン部４１ａから膨らみ出ている部分のことである。同様に、第２透明導電体４５は、直線状に延びるライン部４６ａと、ライン部４６ａから膨出した膨出部４６ｂと、を有している。

図３に示すように、第１透明導電体４０と第２透明導電体４５とは、互いに異なるパターンで配置されている。具体的には、図３に示すように、第１透明導電体４０の膨出部４１ｂと、第２透明導電体４５の膨出部４６ｂとが、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合に互いに重ならないように配置されている。このようにして、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１のほぼ全域にわたって、第１透明導電体４０または第２透明導電体４５のいずれかが配置されている。

第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の材料としては、透明性および所要の導電性を有するものが用いられる。このような材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物を挙げることができ、また、これらの金属酸化物が２種以上複合されてもよい。第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の形成方法は特には限定されず、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、塗工法、印刷法などを用いることができる。

なおＩＴＯからなる透明導電体４０，４５の光屈折率は、光波長５５０ｎｍ付近において例えば１．９４となっている。光屈折率の算出方法は特には限定されないが、例えばエリプソメーターを用いた測定から算出される。また後述する基材フィルム３２の各層においても、当該各層の光波長５５０ｎｍ付近における光屈折率が例えばエリプソメーターを用いた測定から算出される。

ＩＴＯからなる透明導電体４０，４５の厚みは、好ましくは２０ｎｍ以下となっており、例えば各々１８ｎｍとなっている。膜厚が小さい場合、例えば４０ｎｍ以下の場合、一般に、透明導電体４０，４５の厚みが小さいほど、透明導電体４０、４５とエアとの界面における光の反射率は小さくなり、吸収項の影響が小さいため透過率が高くなる。

ところで、透明導電体４０，４５と基材フィルム３２のフィルム本体（後述）との間にインデックスマッチング層（後述）が介在されていない場合、一般に、透明導電体４０，４５における光の反射率が小さいほど、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５がパターニングされている領域と透明導電体４０，４５がパターニングされていない領域との間における光の反射率の差も小さくなる。このため、透明導電体４０，４５の厚みをより小さくすることにより、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５がパターニングされている領域と透明導電体４０，４５がパターニングされていない領域との間における光の反射率の差を小さくすることができ、これによって、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されるのを防ぐことができる。

一方、透明導電体４０，４５と基材フィルム３２のフィルム本体との間にインデックスマッチング層が介在されている場合、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５がパターニングされていない領域における反射率が高くなり、これによって、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５がパターニングされている領域と透明導電体４０，４５がパターニングされていない領域との間における光の反射率の差が小さくなる。ここでインデックスマッチング層とは、後述するように、少なくとも一対の高屈折率層および低屈折率層を含む層のことである。このようなインデックスマッチング層が透明導電体４０，４５とフィルム本体３３との間に介在されている場合、薄膜干渉の効果が生じ、これによって、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５がパターニングされている領域と透明導電体４０，４５がパターニングされていない領域との間における光の反射率および透過率の差を小さくすることができる。本実施の形態においては、後述する第１高屈折率層および第１低屈折率層により第１透明導電体４０とフィルム本体との間のインデックスマッチング層が構成されており、また後述する第２高屈折率層および第２低屈折率層により第２透明導電体４５とフィルム本体との間のインデックスマッチング層が構成されている。

本実施の形態においては、透明導電体４０，４５の厚みをより小さくすること、および、透明導電体４０，４５とフィルム本体との間にインデックスマッチング層を介在させることにより、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５がパターニングされている領域と透明導電体４０，４５がパターニングされていない領域との間における光の反射率および透過率の差を小さくすることが意図されている。

ところで、一般に、透明導電体４０，４５の厚みが小さいほど、透明導電体４０，４５の電気抵抗は大きくなる。透明導電体４０，４５の電気抵抗が大きくなると、透明導電体４０、４５からなるセンサ電極３６ａ，３７ａから検出制御部２５の検出回路に送られる電気信号が阻害されることが考えられる。このため、透明導電体４０，４５の厚みを従来よりも小さくする場合、透明導電体４０，４５の電気抵抗が過大にならないよう、透明導電体４０，４５の材料として従来よりも比抵抗の小さい材料を用いることが好ましい。例えば、透明導電体４０，４５の比抵抗は４×１０^−６Ωｍ（２３℃、５５％ＲＨ）以下であることが好ましい。

取出配線
次に図４Ａ乃至図４Ｃを参照して、第１センサ電極３６ａに電気的に接続された第１取出配線３６ｂと、第２センサ電極３７ａに電気的に接続された第２取出配線３６ｂと、について詳細に説明する。

（第１取出配線）
上述のように、第１取出配線３６ｂは、その一端において第１透明導電体４０に電気的に接続されるとともに、ｙ方向に延びる第１取出導電体４３と、第１取出導電体４３の他端に接続された第１取出端子部４４と、を含んでいる。また図４Ａおよび図４Ｃに示すように、各第１取出導電体４３および第１取出端子部４４と基材フィルム３２の一方の側の面３２ａとの間には、透明導電層からなる第１透明取出導電体４２が介在されている。後述するように、第１取出導電体４３および第１取出端子部４４は、同一の材料から同時に形成される。

第１取出導電体４３および第１取出端子部４４は、上述のように非アクティブエリアＡａ２の額縁配線エリアＡａ３内に配置されている。このため、第１取出導電体４３および第１取出端子部４４が透光性を有する材料から形成される必要はなく、高い導電性を有する材料から形成され得る。本実施の形態においては、第１取出導電体４３および第１取出端子部４４は、第１透明導電体４０を形成する材料よりも高い導電率（電気伝導率）を有する金属材料から形成されている。具体的には、遮光性を有するとともに、ＩＴＯ等の透明導電体よりも格段に高い導電率を有する金属材料、例えばアルミニウム、モリブデン、銀、クロム、銅またはこれらの合金等の金属材料から形成されている。

第１取出導電体４３および第１取出端子部４４を形成する方法が特に限られることはなく、スクリーン印刷法やフォトリソグラフィー法など、周知の方法が適宜用いられる。

（第２取出配線）
次に第２取出配線３７ｂについて説明する。第２取出配線３７ｂは、上述のように、その一端において第２透明導電体４５に電気的に接続された第２取出導電体４８と、第２取出導電体４８の他端に接続された第２取出端子部４９と、を含んでいる。また図４Ｂおよび図４Ｃに示すように、各第２取出導電体４８および第２取出端子部４９と基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂとの間には、透明導電層からなる第２透明取出導電体４７が介在されている。後述するように、第２取出導電体４８および第２取出端子部４９は、同一の材料から同時に形成される。

第２取出導電体４８および第２取出端子部４９は、上述のように非アクティブエリアＡａ２の額縁配線エリアＡａ３内に配置されている。このため、第１取出導電体４３および第１取出端子部４４の場合と同様に、第２取出導電体４８および第２取出端子部４９が透光性を有する材料から形成される必要はなく、高い導電性を有する材料から形成され得る。本実施の形態においては、第２取出導電体４８および第２取出端子部４９は、第２透明導電体４５を形成する材料よりも高い導電率（電気伝導率）を有する金属材料から形成されている。具体的には、遮光性を有するとともに、ＩＴＯ等の透明導電体よりも格段に高い導電率を有する金属材料、例えばアルミニウム、モリブデン、銀、クロム、銅またはこれらの合金等の金属材料から形成されている。

第２取出導電体４８および第２取出端子部４９を形成する方法が特に限られることはなく、スクリーン印刷法やフォトリソグラフィー法など、周知の方法が適宜用いられる。

基材フィルム
次に図５（ａ）（ｂ）を参照して、基材フィルム３２について詳述する。本実施の形態において、基材フィルム３２は、後述するように複数の層から構成されている。ここで、基材フィルム３２の各層は、接着層を介しての接合を用いることなく、スパッタリングなどにより一体に形成されている。

図５（ａ）は、アクティブエリアＡａ１における基材フィルム３２の断面を示す図である。図５（ａ）に示すように、基材フィルム３２は、透明なフィルム本体（本体部）３３と、フィルム本体３３の第１透明導電体４０側（一方の側）の面３３ａ上に設けられた第１アンダーコート層７１と、第１アンダーコート層７１の第１透明導電体４０側（一方の側）の面７１ａ上に設けられた第１高屈折率層７２と、第１高屈折率層７２の第１透明導電体４０側（一方の側）の面７２ａ上に設けられた第１低屈折率層７３と、フィルム本体３３の第２透明導電体４５側（他方の側）の面３３ｂ上に設けられた第２アンダーコート層７６と、第２アンダーコート層７６の第２透明導電体４５側（他方の側）の面７６ｂ上に設けられた第２高屈折率層７７と、第２高屈折率層７７の第２透明導電体４５側（他方の側）の面７７ｂ上に設けられた第２低屈折率層７８と、を有している。
このような基材フィルム３２において、第１高屈折率層７２と第１低屈折率層７３とにより第１インデックスマッチング層７０が構成され、第２高屈折率層７７と第２低屈折率層７８とにより第２インデックスマッチング層７５が構成されている。

以下、基材フィルム３２を構成する各層について詳述する。はじめにフィルム本体３３について詳述する。

（フィルム本体）
フィルム本体３３の材料としては、透明性の高い材料が好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリアミド（ＰＡ）、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、脂肪族環状ポリオレフィン、ノルボルネン系の熱可塑性透明樹脂などの可撓性フィルムを挙げることができる。本実施の形態においては、フィルム本体３３が、１．６６の光屈折率を有するＰＥＴから形成されている。ＰＥＴからなるフィルム本体３３の厚みは特に限定されないが、例えば５０〜２００μｍの範囲内となっている。

（アンダーコート層）
次に第１アンダーコート層７１および第２アンダーコート層７６について詳述する。アンダーコート層７１，７６は、フィルム本体３３中に発生する低分子重合体（オリゴマー）が高屈折率層７２，７７側に入り込むのを防ぐための層であり、例えばアクリル樹脂から形成されている。アクリル樹脂からなるアンダーコート層７１，７６の光屈折率は例えば１．５３となっており、その厚みは例えば３０００ｎｍとなっている。

フィルム本体３３のオリゴマーは、一般に、後述する透明導電体４０、４５の形成工程において基材フィルム３２を加熱する際に発生する。なおフィルム本体３３において、オリゴマーを発生させないための工夫、若しくは発生したオリゴマーを外部に出さないための工夫などがなされている場合、アンダーコート層７１，７６がフィルム本体３３の面３３ａ、３３ｂ上に設けられていなくてもよい。

（インデックスマッチング層）
次に第１インデックスマッチング層７０および第２インデックスマッチング層７５について詳述する。はじめに、第１インデックスマッチング層７０および第２インデックスマッチング層７５を設ける目的について説明する。

（インデックスマッチング層の目的）
上述のように、フィルム本体３３と透明導電体４０，４５との光屈折率には約０．３の差がある。このようにフィルム本体３３と透明導電体４０，４５との光屈折率の差が大きい場合、一般に、基材フィルム３２のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域と設けられていない領域とにおいて、光の反射率、透過率が大きく異なることが考えられる。また、ＩＴＯからなる透明導電体４０，４５は一般に短波長の光を吸収する特性を有するため、基材フィルム３２のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域を透過した光のスペクトルが黄色くなることも考えられる。第１インデックスマッチング層７０および第２インデックスマッチング層７５はこのような課題を解決するために設けられる層である。

（インデックスマッチング層の構成）
次に、第１インデックスマッチング層７０および第２インデックスマッチング層７５の構成について説明する。上述のように、インデックスマッチング層７０，７５は高屈折率層７２，７７と低屈折率層７３，７８とを含んでいる。このうち高屈折率層７２，７７の光屈折率は、透明導電体４０，４５の光屈折率よりも大きくなっている。また低屈折率層７３，７８の光屈折率は、透明導電体４０，４５の光屈折率よりも小さくなっている。このような構成からなるインデックスマッチング層７０，７５をフィルム本体３３と透明導電体４０，４５との間に設けることにより、薄膜干渉の効果を生じさせることができ、これによって、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率（図５（ａ）において矢印（１），（３）で示す領域における光の反射率）と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率（図５（ａ）において矢印（２），（４）で示す領域における光の反射率）と、の差を小さくすることができる。同様に、インデックスマッチング層７０，７５を設けることにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の透過率と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の透過率と、の差を小さくすることもできる。このように、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率および透過率と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率および透過率と、の差を小さくすることにより、アクティブエリアＡａ１内において透明導電体４０，４５のパターンが視認されるのを防ぐことができる。すなわち、透明導電体４０，４５のパターンの不可視化が達成される。

また上述の構成を有するインデックスマッチング層７０，７５を設けることにより、基材フィルム３２のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域を透過した光のスペクトルを、各波長域で平坦なスペクトルとすることができる。図５（ｂ）において左側に示すスペクトルは、インデックスマッチング層７０，７５が設けられていない場合の透過光のスペクトルであり、図５（ｂ）において右側に示すスペクトルは、インデックスマッチング層７０，７５が設けられている場合の透過光のスペクトルである。図５（ｂ）に示すように、フィルム本体３３と透明導電体４０，４５との間にインデックスマッチング層７０，７５を設けることにより、各波長域で均一な透過率を実現することが可能となる。このようにして、透過光において黄色の成分のみが過大となるのを防ぐことができ、この場合、透過光をＬ＊ａ＊ｂ＊表示色で表したときのｂ＊の絶対値は例えば１．５以下となっている。

（インデックスマッチング層の設計方法）
次に上述の機能を有するインデックスマッチング層７０，７５を設計する方法について説明する。はじめに、タッチパネルセンサ３０における光学特性の目標を決定する。例えば、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１のうち、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率および透過率と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率および透過率と、の差がそれぞれ１％以下であって、基材フィルム３２のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域を透過した光のｂ＊が１．５以下であることを光学特性の目標とする。

次に、基材フィルム３２の各層の厚みおよび光屈折率と、透明導電体４０，４５の厚みおよび光屈折率とに基づいて、シミュレーションにより反射率、透過率およびｂ＊の値を求める。そして、高屈折率層７２，７７および低屈折率層７３，７８の厚みと光屈折率とを可変のパラメータとして、上述の光学特性の目標を達成するパラメータを探索する。これによって、高屈折率層７２，７７および低屈折率層７３，７８の厚みおよび光屈折率の適切な範囲を算出し、このようにして、目標とする光学特性を得ることができるインデックスマッチング層７０，７５を設計する。なおシミュレーション用のツールとしては、例えばサイバネットシステムズ（株）製の薄膜設計ソフトウェア（ＯＰＴＡＳ−ＦＩＬＭ）を用いることができる。

上述の光学特性の目標を達成するパラメータを探索した結果、以下に記載する構成が最適であることが導かれた。すなわち、透明導電体４０，４５が、各々１６〜２２ｎｍの範囲内の厚みと１．８〜２．０の範囲内の光屈折率とを有し、高屈折率層７２，７７が、各々３〜７ｎｍの範囲内の厚みと２．１〜２．４の範囲内の光屈折率とを有し、低屈折率層７３，７８が、各々５０〜８０ｎｍの範囲内の厚みと１．４〜１．５５の範囲内の光屈折率とを有する構成である。このような構成を有する基材フィルム３２および透明導電体４０，４５の一例を以下の表１に示す。

次に高屈折率層７２，７７および低屈折率層７３，７８の材料について詳述する。高屈折率層７２，７７の材料としては、目標とする光学特性を達成することのできる光屈折率を有する材料であれば特に限定されず、例えば２．３０の光屈折率を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）が用いられる。また低屈折率層７３，７８の材料としても、目標とする光学特性を達成することのできる光屈折率を有する材料であれば特に限定されず、例えば１．４６の光屈折率を有する二酸化珪素（ＳｉＯ_２）が用いられる。

アライメントマーク
次に図６および図７を参照して、タッチパネルセンサのアライメントマークエリアＡａ４に設けられたアライメントマークについて詳述する。アライメントマークは、上述のように、タッチパネルセンサ３０を表示装置１５などと接合する際に用いられる、位置合わせ用のマークである。本実施の形態においては、図７に示すように、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａ上に第１アライメントマーク８１が形成され、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂ上に第２アライメントマーク８６が形成されている。

次に、アライメントマーク８１,８６の形状について説明する。なお第１アライメントマーク８１および第２アライメントマーク８６は、設けられている面が異なるのみであるから、ここでは、各アライメントマーク８１,８６のうち第１アライメントマーク８１の形状についてのみ説明する。第２アライメントマーク８６の形状は、第１アライメントマーク８１の形状と略同一である。

図６に示すように、第１アライメントマーク８１は十字形状を有している。ここで、十字の線幅ｔ_１（図６参照）は例えば５０〜１００μｍの範囲内となっており、十字形状の全幅ｔ_２（図６参照）は例えば１０ｍｍとなっている。

なお、アライメントマーク８１,８６の形状が十字形状に限られることはなく、アライメントマークを読み取る読取手段の仕様に応じて適宜選択される。

次に、アライメントマーク８１,８６を構成する材料について説明する。本実施の形態において、各アライメントマーク８１,８６は、後述するように、各透明導電体４０，４５の材料と同一の材料を用いて各透明導電体４０，４５とともに形成される。このため、アライメントマーク８１,８６を形成するためだけに別途パターニング工程が実施される場合に比べて、アライメントマーク８１,８６を安価に形成することができる。

一方、上述のように、アクティブエリアＡａ１において、フィルム本体３３と透明導電体４０，４５との間にはインデックスマッチング層７０，７５が設けられており、これによって、透明導電体４０，４５のパターンの不可視化が達成されている。仮に、アライメントマーク８１,８６が設けられているアライメントマークエリアＡａ４においてもフィルム本体３３と透明導電体４０，４５との間にインデックスマッチング層７０，７５が設けられているとすると、透明導電体４０，４５の材料と同一の材料からなるアライメントマーク８１,８６も不可視化されることになる。アライメントマーク８１,８６が不可視化されると、上述の読取手段によってアライメントマーク８１,８６を読み取ることができなくなる。このような課題に対応するため、本実施の形態においては、アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みが、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みと異なるよう、インデックスマッチング層７０，７５が形成されている。例えば、図７に示すように、アライメントマーク８１,８６が形成されるアライメントマークエリアＡａ４内にまでインデックスマッチング層７０，７５が延びないよう、インデックスマッチング層７０，７５が形成されている。すなわち、アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みがゼロとなっている。

なお、「アライメントマークエリアＡａ４におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みが、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みと異なる」とは、アライメントマークエリアＡａ４におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みと、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みとが、製造工程におけるばらつきの程度を超えて異なっていることを意味している。例えば、製造工程における誤差などに起因して、インデックスマッチング層７０，７５の厚みが場所によって最大で５％ばらつく可能性がある場合、アライメントマークエリアＡａ４におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みと、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みとは、５％を超えて異なっている。

なお本実施の形態において、「アライメントマーク８１,８６に対応する領域」とは、インデックスマッチング層７０，７５のうちインデックスマッチング層７０，７５の法線方向から見てアライメントマーク８１,８６と重なる領域だけでなく、前記重なる領域の周辺領域も含む概念となっている。すなわち、インデックスマッチング層７０，７５のうち、前記重なる領域の周辺領域における厚みも、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みと異なっている。これによって、アライメントマーク８１,８６における光の反射率および透過率と、アライメントマーク８１,８６の周辺領域における光の反射率および透過率と、の差を大きくすることができる。このことにより、上述の読取手段によってアライメントマーク８１,８６を読み取ることが可能となる。

好ましくは、後述する実施例４によって支持されるように、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みの比率は、６６．７％以下となっている。これによって、アライメントマーク８１,８６が設けられている領域における光の反射によるＹ値、およびアライメントマーク８１,８６が設けられていない領域における光の反射によるＹ値に関して、いずれか一方のＹ値に対する他方のＹ値の比を１．２５以上とすることができる。このことにより、上述の読取手段によってアライメントマーク８１,８６を読み取ることが可能となる。

若しくは、インデックスマッチング層７０，７５を構成する複数の層のうちの一層の厚みを、アクティブエリアＡａ１とアライメントマーク８１,８６に対応する領域との間で異ならせてもよい。例えば、後述する実施例２によって支持されるように、高屈折率層７２，７７と低屈折率層７３，７８とからなるインデックスマッチング層７０，７５において、アクティブエリアＡａ１における高屈折率層７２，７７の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における高屈折率層７２，７７の厚みの比率が、４８．３％以下となっていてもよい。または、後述する実施例３によって支持されるように、高屈折率層７２，７７と低屈折率層７３，７８とからなるインデックスマッチング層７０，７５において、アクティブエリアＡａ１における低屈折率層７３，７８の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における低屈折率層７３，７８の厚みの比率が、５５％以下となっていてもよい。これらの構成によって、アライメントマーク８１,８６が設けられている領域における光の反射によるＹ値、およびアライメントマーク８１,８６が設けられていない領域における光の反射によるＹ値に関して、いずれか一方のＹ値に対する他方のＹ値の比を１．２５以上とすることができる。

次に、以上のような構成からなるタッチパネルセンサ３０を図９に示すフローチャートにしたがって製造していく方法について、図８Ａ〜図８Ｊを参照しながら説明する。なお、図８Ａ〜図８Ｊの各図において、（ａ）は、作製中のタッチパネルセンサを、フィルム本体３３の一方の側から見た場合を示す平面図である。（ｂ）は、作製中のタッチパネルセンサを、（ａ）におけるVIII−VIII線に沿った断面において示している。また図８Ａ〜図８Ｊの各図においては、便宜上、透明導電層４０，４５の構造などが、図３に示すタッチパネルセンサ３０に比べて適宜簡略化されている。

積層体の形成工程
はじめに、図８Ａ〜図８Ｄを参照して、タッチパネルセンサ３０を作製するための元材としての積層体（ブランクスとも呼ばれる）５０を形成する工程（図９における工程Ｓ１〜Ｓ４）について説明する。後述するように、この積層体５０に成膜やパターニング等の処理（加工）を行っていくことにより、タッチパネルセンサ３０が得られるようになる。

はじめに、図９および図８Ａ（ａ）（ｂ）に示すように、その一方の側の面３３ａおよび他方の側の面３３ｂにそれぞれ第１アンダーコート層７１および第２アンダーコート層７６が形成されたフィルム本体３３を準備する（工程Ｓ１）。アンダーコート層７１，７６は、例えばコーティングによりフィルム本体３３と一体に形成されている。

次に、図９および図８Ｂ（ａ）（ｂ）に示すように、第１アンダーコート層７１の一方の側の面７１ａ上にスパッタリングによって第１高屈折率層７２を形成するとともに、第２アンダーコート層７６の他方の側の面７６ｂ上にスパッタリングによって第２高屈折率層７７を形成する（工程Ｓ２）。この際、アライメントマーク８１，８６に対応する領域における高屈折率層７２，７７の厚みが、アクティブエリアＡａ１となるべき領域における高屈折率層７２，７７の厚みと異なるよう、高屈折率層７２，７７が形成される。具体的には、図８Ｂ（ａ）（ｂ）に示すように、スパッタリングの際、フィルム本体３３のうちアライメントマークエリアＡａ４となるべき領域上には遮蔽板８２，８７がそれぞれ配置される。これによって、フィルム本体３３のうちアライメントマークエリアＡａ４となるべき領域に高屈折率層７２，７７が形成されるのを防ぐことができる。

図１１Ａおよび図１１Ｂは、スパッタリングによって高屈折率層７２が形成される様子をより詳細に示す図である。このうち図１１Ａは、ロール９６を通って搬送されるフィルム本体３３上に、高屈折率層用ターゲット材９５をスパッタさせる様子を示す図であり、図１１Ｂは、図１１Ａに示されるフィルム本体３３、第１遮蔽板８２および高屈折率層用ターゲット材９５の関係、および、形成される高屈折率層７２の膜厚分布を示す図である。

図１１Ａおよび図１１Ｂに示す例においては、高屈折率層用ターゲット材９５の長さが、アクティブエリアの幅よりも大きくなっている。この場合、アライメントマークエリアＡａ４となるべき領域に形成される高屈折率層７２の厚みと、アクティブエリアＡａ１となるべき領域における高屈折率層７２の厚みとを異ならせるため、フィルム本体３３の幅方向における端部近傍を覆うよう第１遮蔽板８２が配置される。

ところで、上述の図８Ｂ（ｂ）においては、フィルム本体３３のうちアライメントマークエリアＡａ４となるべき領域に高屈折率層７２が全く形成されない例を示したが、実際には、図１１Ｂに示すように、フィルム本体３３のうちアライメントマークエリアＡａ４となるべき領域にも若干の高屈折率層７２が形成されることが考えられる。なぜなら、フィルム本体３３と第１遮蔽板８２との間で、高屈折率層用ターゲット材９５からスパッタされた材料のまわりこみが生じるからである。この場合、アライメントマークエリアＡａ４となるべき領域に形成される高屈折率層７２の膜厚は、図１１Ｂに示すように、フィルム本体３３の端部に向かうにつれて徐々に小さくなる。

なお、図１１Ａおよび図１１Ｂにおいては、高屈折率層用ターゲット材９５の長さが、フィルム本体３３の幅よりも大きくなっている例を示したが、これに限られることはない。例えば図１１Ｃに示すように、高屈折率層用ターゲット材９５の長さが、フィルム本体３３の幅よりも小さくなっていてもよい。この場合、図１１Ｃに示すように、第１遮蔽板８２が配置されていない場合であっても、アライメントマークエリアＡａ４となるべき領域に形成される高屈折率層７２の厚みと、アクティブエリアＡａ１となるべき領域における高屈折率層７２の厚みとを異ならせることができる。

次に、図９および図８Ｃ（ａ）（ｂ）に示すように、第１高屈折率層７２の一方の側の面７２ａ上にスパッタリングによって第１低屈折率層７３を形成するとともに、第２高屈折率層７７の他方の側の面７７ｂ上にスパッタリングによって第２低屈折率層７８を形成する（工程Ｓ３）。この際、アライメントマーク８１，８６に対応する領域における低屈折率層７３，７８の厚みが、アクティブエリアＡａ１となるべき領域における低屈折率層７３，７８の厚みと異なるよう、低屈折率層７３，７８が形成される。具体的には、図８Ｃ（ａ）（ｂ）に示すように、スパッタリングの際、フィルム本体３３のうちアライメントマークエリアＡａ４となるべき領域上には遮蔽板８２，８７がそれぞれ配置される。これによって、フィルム本体３３のうちアライメントマークエリアＡａ４となるべき領域に低屈折率層７３，７８が形成されるのを防ぐことができる。

このようにして、アクティブエリアＡａ１となるべき領域に、所望の厚みを有する高屈折率層７２，７７と低屈折率層７３，７８とからなるインデックスマッチング層７０，７５を形成することができる。このようにして、フィルム本体３３とアンダーコート層７１，７６と高屈折率層７２，７７と低屈折率層７３，７８とからなる基材フィルム３２が得られる。この基材フィルム３２においては、上述のように、アクティブエリアＡａ１となるべき領域に形成されるインデックスマッチング層７０，７５の厚みと、アライメントマークエリアＡａ４となるべき領域に形成されるインデックスマッチング層７０，７５の厚みとが異なっている。

次に、図９および図８Ｄ（ａ）（ｂ）に示すように、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａ上に第１透明導電層５２ａを形成し、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂ上に第２透明導電層５２ｂを形成する（工程Ｓ４）。ここで第１透明導電層５２ａ、第２透明導電層５２ｂはそれぞれ、後述するパターニングを行うことによって、透光性を有する第１透明導電体４０および第２透明導電体４５となる層である。第１透明導電層５２ａ、第２透明導電層５２ｂとしては、透光性および導電性を有する材料が用いられ、例えばＩＴＯが用いられる。ＩＴＯからなる透明導電層５２ａ，５２ｂは、例えばスパッタリングにより基材フィルム３２上に形成される。これによって、基材フィルム３２と透明導電層５２ａ，５２ｂとを含む積層体５０が得られる。

なお、積層体５０の形態が特に限られることはなく、枚葉状の積層体５０が準備されてもよいし、あるいは、細長いウェブ状の積層体５０、例えばロールに巻き取られた積層体５０が準備されてもよい。

積層体のパターニング工程
次に、図８Ｅ〜図８Ｊを参照して、積層体５０をパターニングしてタッチパネルセンサ３０を製造する工程（図９における工程Ｓ５〜Ｓ１０）について説明する。

はじめに、図９および図８Ｅ（ａ）（ｂ）に示すように、積層体５０の一方の側の面５０ａ上に光溶解型の第１感光層５６ａを形成するとともに、積層体５０の他方の側の面５０ｂ上に光溶解型の第２感光層５６ｂを形成する（工程Ｓ５）。第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂは、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。感光層５６ａ，５６ｂは、例えば、積層体５０の表面上にコーターを用いて感光性材料をコーティングすることにより形成される。

次に、図９および図８Ｆ（ａ）（ｂ）に示すように、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを露光する（工程Ｓ６）。具体的には、まず、図８Ｆ（ａ）（ｂ）に示すように、第１感光層５６ａ上に第１マスク５８ａを配置するとともに、第２感光層５６ｂ上に第２マスク５８ｂを配置する。第１マスク５８ａは、形成されるべき第１センサ電極３６ａおよび第１取出配線３６ｂに対応したパターンで露光光を遮光する遮光部５９ａと、形成されるべき第１アライメントマーク８１に対応したパターンで露光光を遮光する遮光部５９ｂと、開口部５９ｃと、を含んでいる。また第２マスク５８ｂは、形成されるべき第２センサ電極３７ａおよび第２取出配線３７ｂに対応したパターンで露光光を遮光する遮光部６０ａと、形成されるべき第２アライメントマーク８６に対応したパターンで露光光を遮光する遮光部６０ｂと、開口部６０ｃと、を含んでいる。

次に、図８Ｆ（ｂ）に示すように、この状態で、露光光を、マスク５８ａ，５８ｂを介して感光層５６ａ，５６ｂに照射する。この結果、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂが互いに異なるパターンで同時に露光される。この場合、露光光として、基材フィルム３２に対し透過性の低い短波長領域の光、例えば遠紫外線が用いられる。このため、積層体５０の一方の側から照射されて第１感光層５６ａを露光する光が、積層体５０を透過して第２感光層５６ｂに到達することはない。同様に、積層体５０の他方の側から照射されて第２感光層５６ｂを露光する光が、積層体５０を透過して第１感光層５６ａに到達することもない。このことにより、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを、それぞれ所望のパターンで精度良く同時に露光することができる。

次に、図９および図８Ｇ（ａ）（ｂ）に示すように、露光された第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを現像する（工程Ｓ７）。具体的には、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂに対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを現像する。これにより、図８Ｇ（ａ）（ｂ）に示すように、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂのうち、露光光を照射された部分が除去される。

その後、図９および図８Ｈ（ａ）（ｂ）に示すように、パターニングされた第１感光層５６ａをマスクとして第１透明導電層５２ａをエッチングするとともに、パターニングされた第２感光層５６ｂをマスクとして第２透明導電層５２ｂをエッチングする（工程Ｓ８）。エッチング液としては、例えば塩化第二鉄を含む溶液が用いられる。このようなエッチングにより、図８Ｈ（ｂ）に示すように、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａ上に、形成されるべき第１センサ電極３６ａ、第１取出配線３６ｂおよび第１アライメントマーク８１に対応したパターンを有する第１透明導電層５２ａが形成される。また、図８Ｈ（ｂ）に示すように、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂ上に、形成されるべき第２センサ電極３７ａ、第２取出配線３７ｂおよび第２アライメントマーク８６に対応したパターンを有する第２透明導電層５２ｂが形成される。

次に、図９および図８Ｉ（ａ）（ｂ）に示すように、透明導電層５２ａ,５２ｂ上の感光層５６ａ,５６ｂを除去する（工程Ｓ９）。これによって、図８Ｉ（ａ）（ｂ）に示すように、アクティブエリアＡａ１となるべき領域に、透明導電体４０，４５からなるセンサ電極３６ａ，３７ａが形成される。また、アライメントマークエリアＡａ４となるべき領域に、透明導電体４０，４５と同一の材料からなるアライメントマーク８１，８６が形成される。

ここで、図８Ｉ（ａ）（ｂ）に示すように、アライメントマーク８１，８６が形成されている領域には、高屈折率層７２，７７と低屈折率層７３，７８とからなるインデックスマッチング層７０，７５が設けられていない。このため、アライメントマーク８１，８６を外部から視認することが可能となっている。

その後、図９および図８Ｊ（ａ）（ｂ）に示すように、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａ上に、その一端が第１透導電体４０と電気的に接続される第１取出導電体４３と、第１取出導電体４３の他端に電気的に接続される第１取出端子部４４と、をスクリーン印刷法により形成する。同様に、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂ上に、その一端が第２透導電体４５と電気的に接続される第２取出導電体４８と、第２取出導電体４８の他端に電気的に接続される第２取出端子部４９と、をスクリーン印刷法により形成する。なお、取出導電体４３，４８と取出端子部４４，４９を形成する工程は、透明導電層５２ａ，５２ｂをパターニングする製造ラインが設けられた工場と同一の工場内において実施されてもよく、別の工場内において実施されてもよい。

スクリーン印刷法の具体的な方法が特に限られることはなく、周知のスクリーン印刷法が用いられる。例えば、はじめに、取出導電体４３，４８および取出端子部４４，４９に対応するパターンでスクリーン版開口部が形成されたスクリーン版（図示せず）を用いて、アルミニウム、モリブデン、銀、クロム、銅またはこれらの合金等の金属材料を含む導電性ペーストを基材フィルム３２の面３２ａ,３２ｂ上に塗布する。次に、１５０度以下の温度、例えば１２０度において１時間の焼成を行う。このようにして、取出導電体４３，４８および取出端子部４４，４９が形成される。このことにより、透明導電層からなる透明取出導電体４２，４７と、透明取出導電体４２，４７上に形成された取出導電体４３，４８および取出端子部４４，４９とからなる取出配線３６ｂ、３７ｂが得られる。なお、スクリーン版と基材フィルム３２との間の位置合わせを行う際に、上述のアライメントマーク８１，８６が利用されてもよい。

このようにして、図８Ｊ（ａ）（ｂ）に示すように、センサ電極３６ａ，３７ａと取出配線３６ｂ、３７ｂとアライメントマーク８１，８６とを備えたタッチパネルセンサ３０が製造される。

入出力装置の製造方法
次に、以上のようにして得られたタッチパネルセンサ３０を用いて、入出力装置１０を製造する。はじめに、タッチパネルセンサ３０を表示装置１５に接着層１９を介して接合する。この場合、タッチパネルセンサ３０のアライメントマーク８１，８６に基づいて、表示装置１５に対するタッチパネルセンサ３０の位置合わせを実施する。その後、保護カバー１２や検出制御部２５の検出制御用基板などを、タッチパネルセンサ３０に対して組み合わせ、これによって、入出力装置１０が得られる。この場合にも、タッチパネルセンサ３０のアライメントマーク８１，８６が、位置合わせのために用いられ得る。なお、タッチパネルセンサ３０と表示装置１５などとの接合が完了した後、アライメントマーク８１，８６が形成されているアライメントマークエリアＡａ４が取り除かれてもよい。

以下、本実施の形態による作用効果について説明する。

本実施の形態によれば、フィルム本体３３と透明導電体４０，４５との間にインデックスマッチング層７０，７５が設けられている。このため、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率および透過率と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率および透過率と、の差を小さくすることができる。またインデックスマッチング層７０，７５により、基材フィルム３２のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域を透過した光のスペクトルを、各波長域で平坦なスペクトルとすることができ、例えば、透過光をＬ＊ａ＊ｂ＊表示色で表したときのｂ＊を１．５以下とすることができる。これによって、透明導電体４０，４５のパターンが外部から視認されるのを防ぐことができ、このことにより、タッチパネルセンサ３０の意匠性を向上させることができる。

また本実施の形態によれば、非アクティブエリアＡａ２のアライメントマークエリアＡａ４内にパターニングされたアライメントマーク８１，８６は、アクティブエリアＡａ１内にパターニングされた透明導電体４０，４５の材料と同一の材料を用いて透明導電体４０，４５とともに形成されている。また、非アクティブエリアＡａ２のアライメントマークエリアＡａ４内に設けられたアライメントマーク８１，８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みは、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みと異なっている。このため、アライメントマークエリアＡａ４内において、アライメントマーク８１，８６が形成されている領域における光の透過率または反射率と、アライメントマーク８１，８６周辺の領域における光の透過率または反射率とを異ならせることができる。このため、透明導電体４０，４５の材料と同一の材料からなるアライメントマーク８１，８６を、外部から視認することが可能となる。このようにして、タッチパネルセンサ３０を表示装置１５などと組み合わせる際に利用されるアライメントマーク８１，８６を安価に形成することができ、このことにより、タッチパネルセンサ３０の製造コストを低減することができる。

本実施の形態によれば、上述のように、位置合わせ用のアライメントマーク８１，８６のためのパターニングが、センサ電極３６ａ，３７ａのためのパターニングと同時に、マスク５８ａ，５８ｂを用いて実施される。このため、センサ電極用のパターニングとアライメントマーク用のパターニングとが別々の機会に別々のマスクを用いて実施される場合に比べて、センサ電極３６ａ，３７ａに対するアライメントマーク８１，８６の相対位置を精度良く設定することができる。
アライメントマーク８１，８６は、上述のように、タッチパネルセンサ３０と表示装置１５との間の位置合わせのために利用される。タッチパネルセンサ３０と表示装置１５との間の位置合わせにおいて、最も重要なことは、タッチパネルセンサ３０のセンサ電極３６ａ，３７ａの位置を、表示装置１５に対して精度良く合わせることである。ここで本実施の形態によれば、上述のように、センサ電極３６ａ，３７ａに対するアライメントマーク８１，８６の相対位置が精度良く設定されている。従って、このようなアライメントマーク８１，８６を利用することにより、タッチパネルセンサ３０のセンサ電極３６ａ，３７ａの位置を、表示装置１５に対して精度良く合わせることが可能となる。

また本実施の形態によれば上述のように、アライメントマーク８１，８６は、透明導電層５２ａ，５２ｂを、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより形成される。このため、スクリーン印刷法などを用いてアライメントマーク８１，８６を形成する場合に比べて、上述のアライメントマーク８１、８６のためのパターニングが、センサ電極３６ａ、３７ａのためのパターニングと同時に実施される点に加え、スクリーン印刷法に比べてフォトリソグラフィー法にて線幅寸法精度、位置精度ともに優れる点も合わせて、アライメントマーク８１，８６をより精密に形成することができる。

次に、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例について説明する。

本実施の形態において、アライメントマークエリアＡａ４内にインデックスマッチング層７０，７５が設けられていない例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、アライメントマークエリアＡａ４におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みが、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みと異なっていればよい。

また本実施の形態において、アライメントマークエリアＡａ４内に、インデックスマッチング層７０，７５を構成する高屈折率層７２，７７および低屈折率層７３，７８のいずれもが設けられていない例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、アライメントマークエリアＡａ４において、高屈折率層７２，７７または低屈折率層７３，７８のいずれか一方が設けられていなければよい。若しくは、アライメントマークエリアＡａ４における高屈折率層７２，７７または低屈折率層７３，７８のいずれか一方の厚みが、アクティブエリアＡａ１における高屈折率層７２，７７または低屈折率層７３，７８の厚みと異なっていればよい。

また本実施の形態において、高屈折率層７２，７７と低屈折率層７３，７８とによりインデックスマッチング層７０，７５が構成される例を示した。しかしながら、薄膜干渉の効果を適切に生じさせることができる限り、インデックスマッチング層７０，７５の構成が上述の構成に限定されることはない。例えば、さらに多数の高屈折率層および低屈折率層を組み合わせてインデックスマッチング層を構成してもよい。

また本実施の形態において、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａ上に第１アライメントマーク８１が設けられるとともに、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂ上に第２アライメントマーク８６が設けられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、基材フィルム３２の少なくとも一方の面３２ａ上にアライメントマークが設けられていればよい。

また本実施の形態において、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａ上に第１透明導電体４０が設けられるとともに、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂ上に第２透明導電体４５が設けられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、基材フィルム３２の少なくとも一方の面３２ａ上に透明導電体が設けられていればよい。この場合、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａ上に設けられた透明導電体により、ｘ方向に延びる第１センサ電極とｙ方向に延びる第２センサ電極とが構成される。

また本実施の形態において、フィルム本体３３の一方の側の面３３ａ上に第１インデックスマッチング層７０が設けられるとともに、フィルム本体３３の他方の側の面３３ｂ上に第２インデックスマッチング層７５が設けられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、フィルム本体３３の少なくとも一方の側の面３３ａ上にインデックスマッチング層が設けられていればよい。この場合、フィルム本体３３の一方の側の面３３ａ上に設けられたインデックスマッチング層により、透明導電体４０，４５のパターンの不可視化が実現される。

また本実施の形態において、基材フィルム３２の一方の側が観察者側となっている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、基材フィルム３２の一方の側が表示基板側となっていてもよい。

また本実施の形態において、取出導電体４３，４８と取出端子部４４，４９とがスクリーン印刷により形成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、例えば、金属からなる金属導電層を透明導電層５２ａ,５２ｂ上に設け、この金属導電層をフォトリソグラフィー法などによってパターニングすることにより、取出導電体４３，４８と取出端子部４４，４９とを形成してもよい。この場合、上述の積層体５０が予め金属導電層を含んでいてもよい。

また本実施の形態において、透明導電層からなる透明取出導電体４２，４７と、透明取出導電体４２，４７上に形成された取出導電体４３，４８および取出端子部４４，４９とから取出配線３６ｂ、３７ｂが構成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、透明取出導電体４２，４７のみによって取出配線３６ｂ、３７ｂが構成されていてもよい。この場合、透明取出導電体４２，４７が接続部品（図示せず）を介して検出制御部２５の検出制御用基板に接続され、これによって、透明導電体４０，４５からの信号が検出制御部２５に伝達される。

また本実施の形態において、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂが、短波長領域の光によって同時に露光される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを別々に露光してもよい。例えば、はじめに第１感光層５６ａの形成、露光および現像を実施し、その後に、第１感光層５６ａをマスクとして第１透明導電層５２ａをエッチングし、次に第２感光層５６ｂの形成、露光および現像を実施し、その後に、第２感光層５６ｂをマスクとして第２透明導電層５２ｂをエッチングしてもよい。この場合、用いられる露光光が短波長領域の光に限られることはなく、所望の波長域の光を露光光として用いることができる。

また本実施の形態において、タッチパネルセンサ３０が、矩形状のアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１を囲む矩形枠状の非アクティブエリアＡａ２とに区画され、このうち非アクティブエリアＡａ２が、アクティブエリアＡａ１を囲む矩形枠状の額縁配線エリアＡａ３と、額縁配線エリアＡａ３を囲む矩形枠状のアライメントマークエリアＡａ４と、を含んでいる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図１０に示すように、矩形状のアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１を囲む矩形枠状の非アクティブエリアＡａ２とを有する複数のタッチパネルセンサ３０が、一枚のシート９０上に割り付けられていてもよい。この場合、図１０に示すように、シート９０の外周領域、および各タッチパネルセンサ３０間の領域が、多数のアライメントマーク８１が形成されるアライメントマークエリアＡａ４となっている。上述の形態の場合と同様に、図１０に示す形態においても、アライメントマークエリアＡａ４内に設けられたアライメントマーク８１に対応する領域におけるインデックスマッチング層の厚みが、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層の厚みと異なるよう、シート９０の基材フィルムが構成される。このことにより、透明導電体の材料と同一の材料からアライメントマーク８１を形成した場合であっても、アライメントマーク８１を外部から視認することが可能となる。

また本実施の形態において、基材フィルム３２の面上であって、非アクティブエリアＡａ２内に、位置合わせ用のアライメントマーク８１，８６が形成されている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、品名、ロット番号、製造工程で使用した製造器具（マスクなど）の名称など、タッチパネルセンサ３０を識別するための様々な識別マークを、基材フィルム３２の面上であって、非アクティブエリアＡａ２内に形成することができる。この場合も、アライメントマーク８１，８６の場合と同様に、識別マークは、各透明導電体４０，４５の材料と同一の材料を用いて各透明導電体４０，４５とともに形成される。また、識別マークに対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みが、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みと異なるよう、インデックスマッチング層７０，７５が形成される。このことにより、上述の読取手段によって読み取り可能な様々な識別マークを、基材フィルム３２の面上に安価に形成することができる。

また本実施の形態において、取出導電体および取出端子部が設けられる額縁配線エリアＡａ３と、アライメントマークが設けられるアライメントマークエリアＡａ４が別々になっている例を示したが（図３参照）、これに限られることはない。例えば、取出導電体および取出端子部とアライメントマークとがより近接して設けられてもよい。具体的には、図３に示す額縁配線エリアＡａ３内に、取出導電体および取出端子部だけでなくアライメントマークやその他の識別マークが設けられていてもよい。この場合、図３に示すアライメントマークエリアＡａ４は特に存在していなくてもよい。

また本実施の形態において、タッチパネルセンサ３０がフィルム状の基材フィルム３２を有し、基材フィルム３２が透明なフィルム本体３３を有する例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、タッチパネルセンサ３０を、フィルム状の基材フィルムだけでなく、枚葉のガラス基材など、様々な基材から構成することができる。なお、上述のインデックスマッチング層７０，７５の構成は、タッチパネルセンサ３０を構成する基材の屈折率に応じて適宜設定される。

なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

以下、実施例および比較例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。

比較例１
アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みが、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みと同一である点を除いて、本発明の実施の形態によるタッチパネルセンサ３０と同一であるタッチパネルセンサを準備した。次に、このタッチパネルセンサの各層の厚みおよび光屈折率に基づいて、シミュレーションにより、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における光の反射率の値と、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における光の反射率の値との差を求めた。以下、詳細について説明する。
なおアクティブエリアＡａ１においては、「透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域」が「透明導電体４０，４５が設けられている領域」に対応しており、「透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられてない領域」が「透明導電体４０，４５が設けられていない領域」に対応している。
またアライメントマークエリアＡａ４においては、「透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域」が「アライメントマーク８１,８６が設けられている領域」に対応しており、「透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられてない領域」が「アライメントマーク８１,８６が設けられていない領域」に対応している。

（厚みおよび屈折率）
はじめに、フィルム本体３３、熱硬化型アクリル樹脂からなるアンダーコート層７１，７６、五酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）からなる高屈折率層７２，７７、および二酸化珪素（ＳｉＯ_２）からなる低屈折率層７３，７８の光屈折率および厚みを測定した。また、ＩＴＯからなる透明導電層５２ａ，５２ｂの光屈折率（実数部ｎおよび吸収項ｋ）および厚みを測定した。結果を表２に示す。なお、光屈折率の測定は、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内で光波長を５ｎｍ刻みで変化させながら行った。なお、後述するシミュレーションにおいては、大気の光屈折率（実数部ｎおよび吸収項ｋ）をｎ＝１、ｋ＝０として扱った。

表２に示すように、光屈折率が高い層、すなわち高屈折率層７２，７７および透明導電層５２ａ，５２ｂにおいては、光波長によって光屈折率が大きく変化していた。光波長に対して、高屈折率層７２，７７および透明導電層５２ａ，５２ｂの光屈折率（実数部ｎ）をプロットした結果を図１２に示す。図１２に示すように、光波長が４００ｎｍから５５０ｎｍになると、透明導電層５２ａ，５２ｂにおいて光屈折率が０．１５だけ小さくなっており、高屈折率層７２，７７において光屈折率が０．１８だけ小さくなっていた。また光波長が５５０ｎｍから７８０ｎｍになると、透明導電層５２ａ，５２ｂにおいて光屈折率が０．１２だけ小さくなっており、高屈折率層７２，７７において光屈折率が０．０７だけ小さくなっていた。すなわち、４００〜５５０ｎｍでは透明導電層５２ａ，５２ｂの屈折率変化より高屈折率層７２，７７の屈折率変化が大きく、５５０〜７８０ｎｍでは高屈折率層７２，７７の屈折率変化より透明導電層５２ａ，５２ｂの屈折率変化が大きかった。

（シミュレーション条件）
次にシミュレーション条件について説明する。
透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域に関しては、以下の層構成を仮定して、フィルム本体とアンダーコート層の界面〜透明導電層と大気の界面の間に存在する各層による反射率を求めるシミュレーションを行った。
フィルム本体（出射側媒質）／アンダーコート層／高屈折率層／低屈折率層／透明導電層／大気（入射側媒質）
なお表２に示すように、フィルム本体３３の厚みは、その他の構成要素の厚みに比べて非常に大きくなっている。従って、本比較例および後述する比較例または実施例においては、フィルム本体３３の厚みを無限大に設定してすべてのシミュレーションが行われている。またすべてのシミュレーションにおいて、光の入射角度を０度（垂直入射）に設定した。

透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域に関しては、以下の層構成を仮定して、フィルム本体とアンダーコート層の界面〜低屈折率層と大気の界面の間に存在する各層による反射率を求めるシミュレーションを行った。
フィルム本体（出射側媒質）／アンダーコート層／高屈折率層／低屈折率層／大気（入射側媒質）

図１３Ａは、シミュレーションにより求められた、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域、および透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における光の反射スペクトルを示している。図１３Ａに示されているように、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内において、光の反射スペクトルの周期的な乱れ（ハンチング）が見られた。このようなハンチングの程度は、主にアンダーコート層７１，７６の厚みに依存していると考えられる。

透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における光の反射スペクトルと、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における光の反射スペクトルとの差（反射率差）を図１３Ｂに示す。ここで、反射率差＝（透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における反射率）−（透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における反射率）となっている（後述する例においても同様である）。図１３Ｂに示すように、反射率差について、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内においてハンチングが見られた。このハンチングは、図１３Ｂに示すように、反射率差が０％となる線（図１３Ｂにおいて符号８１で示す点線）をほぼ中心線として生じていた。このようにハンチングが０％線８１をほぼ中心として生じることは、反射率差が実質的にゼロに近いことを意味している。また、波長が短いほどハンチングの振幅が大きくなるのが確認された。

シミュレーションにより求めた反射スペクトルから、ＸＹＺ表色系（ＪＩＳ Ｚ８７０１参照）における等色関数を用いて、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域および透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域各々について、ＸＹＺ表色系におけるＹ値を求めた（ＪＩＳ Ｚ８７０１参照）。この際、色の表示に用いる標準の光の分光分布として、標準の光Ｃの分光分布を用いた。結果、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における光の反射によるＹ値が５．３７％となっており、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における光の反射によるＹ値が５．４２％となっていた。この場合、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における光の反射によるＹ値（＝５．３７％）を、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における光の反射によるＹ値（＝５．４２％）で割った値（以下、反射率比と称される。後述する例においても同様である。）は０．９９となる。このように、本比較例においては反射率比がほぼ１となっている。このため、アクティブエリアＡａ１およびアライメントマークエリアＡａ４の両方において、透明導電層５２ａ，５２ｂのパターンが視認されないと考えられる。この場合、アクティブエリアＡａ１においては、透明導電層５２ａ，５２ｂのパターン（すなわち、透明導電体４０，４５のパターン）が使用者から視認されず、これによってタッチパネルセンサの意匠性が向上されている。一方、アライメントマークエリアＡａ４においては、透明導電層５２ａ，５２ｂのパターンが外部から視認されず、従って、透明導電層５２ａ，５２ｂのパターンからなるアライメントマーク８１,８６を読み取ることができない。

このように、本比較例のようにアライメントマークエリアＡａ４におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みが、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みと同一になっている場合、透明導電層５２ａ，５２ｂを利用してアライメントマークを安価に形成するという本発明の特長が実現されない。

比較例２
アンダーコート層７１，７６、高屈折率層７２，７７および低屈折率層７３，７８が設けられていない点を除いて、本発明の実施の形態によるタッチパネルセンサ３０と同一であるタッチパネルセンサを準備した。次に、このタッチパネルセンサの各層の厚みおよび光屈折率に基づいて、シミュレーションにより、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における光の反射率の値と、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における光の反射率の値との差を求めた。

（シミュレーション条件）
透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域に関しては、以下の層構成を仮定して、フィルム本体と透明導電層の界面および透明導電層と大気の界面の間に存在する各層による反射率を求めるシミュレーションを行った。
フィルム本体（出射側媒質）／透明導電層／大気（入射側媒質）

透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域に関しては、以下の層構成を仮定して、フィルム本体と大気の界面による反射率を求めるシミュレーションを行った。
フィルム本体（出射側媒質）／大気（入射側媒質）

図１４Ａは、シミュレーションにより求められた、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域、および透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における光の反射スペクトルを示している。また、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における光の反射スペクトルと、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における光の反射スペクトルとの差（反射率差）を図１４Ｂに示す。図１４Ｂに示すように、波長が短いほど反射率差の絶対値が大きくなるのが確認された。

比較例１の場合と同様に、シミュレーションにより求めた反射スペクトルから、ＸＹＺ表色系における等色関数を用いて、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域および透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域各々について、ＸＹＺ表色系におけるＹ値を求めた。結果、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における光の反射によるＹ値が７．６６％となっており、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における光の反射によるＹ値が６．１１％となっていた。この場合、反射率比は１．２５となる。このように、本比較例においては反射率比が１から大きくずれている。このため、比較例１においてはインデックスマッチング層７０，７５の作用により不可視化されていた透明導電層５２ａ，５２ｂのパターンが、本比較例ではインデックスマッチング層７０，７５を設けないことにより可視化されている。この場合、アライメントマークエリアＡａ４においては、透明導電層５２ａ，５２ｂのパターンが外部から視認され、このため、透明導電層５２ａ，５２ｂのパターンからなるアライメントマーク８１,８６を読み取ることが可能となっている。一方、アクティブエリアＡａ１においては、透明導電層５２ａ，５２ｂのパターン（すなわち、透明導電体４０，４５のパターン）が使用者から視認されており、タッチパネルセンサの意匠性の観点からは好ましくない。

このように、本比較例のようにアンダーコート層７１，７６、高屈折率層７２，７７および低屈折率層７３，７８が設けられていない場合、アクティブエリアＡａ１の透明導電体４０，４５のパターンを不可視化することによりタッチパネルセンサの意匠性を向上させるという本発明の特長が実現されない。

（比較例のまとめ）
上述の比較例１，２のいずれにおいても、透明導電層５２ａ，５２ｂを利用してアライメントマークを安価に形成し、かつ、アクティブエリアＡａ１の透明導電体４０，４５のパターンを不可視化するという本発明の特長を実現することができなかった。以下、本発明の技術的思想に基づいて、アライメントマークエリアＡａ４におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みと、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みとを異ならせることにより、本発明の特長を実現した例について説明する。

具体的には、実施例１において、アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の高屈折率層７２，７７の厚みを変化させることにより、外部から視認可能なアライメントマーク８１,８６を実現した例について説明する。
また実施例２において、アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の低屈折率層７３，７８の厚みを変化させることにより、外部から視認可能なアライメントマーク８１,８６を実現した例について説明する。
さらに実施例３において、アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の高屈折率層７２，７７および低屈折率層７３，７８の厚みをともに変化させることにより、外部から視認可能なアライメントマーク８１,８６を実現した例について説明する。

実施例１
アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の高屈折率層７２，７７の厚みを、０，０．９，１．９，２．０，２．９，４．０，４．８，４．９，５．０または６．０ｎｍとしたこと以外は、比較例１と同様にして、シミュレーションにより、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における光の反射によるＹ値と、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における光の反射によるＹ値を求めた。結果を図１５Ａに示す。また、反射率比を算出した結果を図１５Ｂに示す。

なお図１５Ａおよび図１５Ｂにおいては、横軸として、アクティブエリアＡａ１における高屈折率層７２，７７の厚み（＝６ｎｍ）に対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における高屈折率層７２，７７の厚みの比率（％）が用いられている。ここで、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における高屈折率層７２，７７の上記の各厚みを、アクティブエリアＡａ１における高屈折率層７２，７７の厚みに対する比率で表すと、それぞれ０，１５，３１．７，３３．３，４８．３，６６．７，８０，８１．７,８３．３および１００％となる。

図１５Ｂに示すように、アクティブエリアＡａ１における高屈折率層７２，７７の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における高屈折率層７２，７７の厚みの比率が４８．３％以下となっている場合、反射率比が１．２５以上になっていた。また、アクティブエリアＡａ１における高屈折率層７２，７７の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における高屈折率層７２，７７の厚みの比率が１５％以下となっている場合、反射率比が１．５１以上になっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ３０において、好ましくは、アクティブエリアＡａ１における高屈折率層７２，７７の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における高屈折率層７２，７７の厚みの比率が４８．３％以下となっており、より好ましくは１５％以下となっている。このことにより、透明導電層５２ａ，５２ｂからなるアライメントマーク８１,８６を外部から視認可能にすることができる。
なお上述のように、比較例２においてはインデックスマッチング層７０，７５が設けられておらず、このため透明導電層５２ａ，５２ｂのパターンが可視化されていた。そして、この比較例２における反射率比が１．２５となっていた。従って本実施例においては、反射率比が１．２５以上であることが、透明導電層５２ａ，５２ｂのパターンが可視化されることの基準として採用されている。この基準は後述する実施例２および３においても採用されている。
また反射率比が１．５１以上であることは、反射率比１に対して０．５１増加であることを意味している。一方、不可視化の基準である反射率比（＝１．２５）は、反射率比１に対して０．２５増加であることを意味している。すなわち、反射率比１に対する増加率の観点から考えると、反射率比が１．５１以上であることは、不可視化の基準の場合（反射率比＝１．２５）よりも反射率の増加率が２倍以上となっている。

実施例２
アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の低屈折率層７３，７８の厚みを、０，１６，１７，１８，２０，２７，３３，４０，４２，４８，５０または６０ｎｍとしたこと以外は、比較例１と同様にして、シミュレーションにより、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における光の反射によるＹ値と、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における光の反射によるＹ値を求めた。結果を図１６Ａに示す。また、反射率比を算出した結果を図１６Ｂに示す。

なお図１６Ａおよび図１６Ｂにおいては、横軸として、アクティブエリアＡａ１における低屈折率層７３，７８の厚み（＝６０ｎｍ）に対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における低屈折率層７３，７８の厚みの比率（％）が用いられている。ここで、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における低屈折率層７３，７８の上記の各厚みを、アクティブエリアＡａ１における低屈折率層７３，７８の厚みに対する比率で表すと、それぞれ０，２６．７，２８．３，３０，３３．３，４５，５５,６６．７，７０，８０，８３．３および１００％となる。

図１６Ｂに示すように、アクティブエリアＡａ１における低屈折率層７３，７８の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における低屈折率層７３，７８の厚みの比率が５５％以下となっている場合、反射率比が１．２５以上になっていた。また、アクティブエリアＡａ１における低屈折率層７３，７８の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における低屈折率層７３，７８の厚みの比率が３０％以下となっている場合、反射率比が１．５１以上になっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ３０において、好ましくは、アクティブエリアＡａ１における低屈折率層７３，７８の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における低屈折率層７３，７８の厚みの比率が５５％以下となっており、より好ましくは３０％以下となっている。このことにより、透明導電層５２ａ，５２ｂからなるアライメントマーク８１,８６を外部から視認可能にすることができる。

実施例３
アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みの比率を、０，１６．７，３３．３，５０，６３．３，６６．７，８３．３または１００％としたこと以外は、比較例１と同様にして、シミュレーションにより、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における光の反射によるＹ値と、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における光の反射によるＹ値を求めた。結果を図１７Ａに示す。また、反射率比を算出した結果を図１７Ｂに示す。

なお本実施例において、より具体的には、インデックスマッチング層７０，７５を構成する高屈折率層７２，７７および低屈折率層７３，７８の厚みを、（高屈折率層の厚み，低屈折率層の厚み）＝（０ｎｍ，０ｎｍ），（１ｎｍ，１０ｎｍ），（２ｎｍ，２０ｎｍ），（３ｎｍ，３０ｎｍ），（３．８ｎｍ，３８ｎｍ），（４ｎｍ，４０ｎｍ），（５ｎｍ，５０ｎｍ）または（６ｎｍ，６０ｎｍ）に設定した。これによって、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５を構成する高屈折率層７２，７７（厚み６ｎｍ）および低屈折率層７３，７８（厚み６０ｎｍ）に対する上述の厚みの比率が実現される。

図１７Ｂに示すように、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みの比率が６６．７％以下となっている場合、反射率比が１．２５以上になっていた。また、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みの比率が３３．３％以下となっている場合、反射率比が１．５１以上になっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ３０において、好ましくは、アクティブエリアＡａ１におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みに対する、アライメントマーク８１,８６に対応する領域におけるインデックスマッチング層７０，７５の厚みの比率が６６．７％以下となっており、より好ましくは３３．３％以下となっている。このことにより、透明導電層５２ａ，５２ｂからなるアライメントマーク８１,８６を外部から視認可能にすることができる。

なお実施例１乃至３において、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における反射率比を所定値以上とすることにより、外部から視認可能なアライメントマーク８１,８６が実現される例を示した。すなわち、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における反射によるＹ値と、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における反射によるＹ値とを意図的に異ならせることにより、外部から視認可能なアライメントマーク８１,８６が実現される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられている領域における透過によるＹ値と、透明導電層５２ａ，５２ｂが設けられていない領域における透過によるＹ値とを意図的に異ならせることにより、外部から視認可能なアライメントマーク８１,８６が実現されてもよい。

また実施例１乃至３において、インデックスマッチング層として、高屈折率層７２，７７と低屈折率層７３，７８とからなるインデックスマッチング層７０，７５が用いられる例を示した。しかしながら、インデックスマッチング層の構成が上述の構成に限られることはなく、様々な層構成が適宜選択され得る。例えば、インデックスマッチング層７０，７５が、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）からなる低屈折率層７３，７８のみから構成されていてもよい。この場合であっても、低屈折率層７３，７８の厚みを適切に調整することにより、アクティブエリアＡａ１における反射率比をほぼ１にし、かつ、アライメントマーク８１,８６に対応する領域における反射率比を１からずらすことができる。

１０ 入出力装置
１５ 表示装置
２０ タッチパネル装置
３０ タッチパネルセンサ
３２ 基材フィルム
３２ａ 面（一方の側の面）
３２ｂ 面（他方の側の面）
３３ フィルム本体
３６ａ 第１センサ電極
３６ｂ 第１取出配線
３７ａ 第２センサ電極
３７ｂ 第２取出配線
４０ 第１透明導電体
４１ａ ライン部
４１ｂ 膨出部
４２ 第１透明取出導電体
４３ 第１取出導電体
４４ 第１取出端子部
４５ 第２透明導電体
４６ａ ライン部
４６ｂ 膨出部
４７ 第２透明取出導電体
４８ 第２取出導電体
４９ 第２取出端子部
５０ 積層体（ブランクス）
５２ａ 第１透明導電層
５２ｂ 第２透明導電層
５６ａ 第１感光層
５６ｂ 第２感光層
５８ａ 第１マスク
５８ｂ 第２マスク
５９ａ 第１マスクの遮光部（第１センサ電極および第１取出配線に対応）
５９ｂ 第１マスクの遮光部（第１アライメントマークに対応）
５９ｃ 第１マスクの開口部
６０ａ 第２マスクの遮光部（第２センサ電極および第２取出配線に対応）
６０ｂ 第２マスクの遮光部（第２アライメントマークに対応）
６０ｃ 第２マスクの開口部
７０ 第１インデックスマッチング層
７１ 第１アンダーコート層
７１ａ 面（一方の側の面）
７２ 第１高屈折率層
７２ａ 面（一方の側の面）
７３ 第１低屈折率層
７５ 第２インデックスマッチング層
７６ 第２アンダーコート層
７６ｂ 面（他方の側の面）
７７ 第２高屈折率層
７７ｂ 面（他方の側の面）
７８ 第２低屈折率層
８０ 中間積層体
８１ 第１アライメントマーク
８２ 第１遮蔽板
８６ 第２アライメントマーク
８７ 第２遮蔽板
９０ シート
９５ 高屈折率層用ターゲット材
９６ ロール

Claims (12)

1. タッチ位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアと、前記アクティブエリアの周縁に位置する非アクティブエリアと、を含むタッチパネルセンサにおいて、
   基材と、
   前記基材の一方の側の面上であって、アクティブエリア内にパターニングされた第１透明導電体と、
   前記基材の一方の側の面上であって、非アクティブエリア内にパターニングされた識別マークと、を備え、
   前記識別マークは、前記第１透明導電体の材料と同一の材料を用いて当該第１透明導電体とともに形成され、
   前記基材は、透明な本体部と、透明な本体部の前記第１透明導電体側の面上に形成された第１インデックスマッチング層と、を有し、
   前記非アクティブエリア内に設けられた前記識別マークに対応する領域における前記第１インデックスマッチング層の厚みが、前記アクティブエリアにおける第１インデックスマッチング層の厚みと異なっている
   ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
2. 前記第１インデックスマッチング層は、前記本体部の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１高屈折率層と、当該第１高屈折率層の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１低屈折率層と、を有し、
   前記第１透明導電体の光屈折率は、前記第１高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ前記第１低屈折率層の光屈折率よりも大きい
   ことを特徴とする請求項１に記載のタッチパネルセンサ。
3. 前記アクティブエリアにおける前記第１高屈折率層および前記第１低屈折率層の厚みに対する、前記識別マークに対応する領域における前記第１高屈折率層および前記第１低屈折率層の厚みの比率が、６６．７％以下となっている
   ことを特徴とする請求項２に記載のタッチパネルセンサ。
4. 前記アクティブエリアにおける前記第１高屈折率層の厚みに対する、前記識別マークに対応する領域における前記第１高屈折率層の厚みの比率が、４８．３％以下となっている
   ことを特徴とする請求項２に記載のタッチパネルセンサ。
5. 前記アクティブエリアにおける前記第１低屈折率層の厚みに対する、前記識別マークに対応する領域における前記第１低屈折率層の厚みの比率が、５５％以下となっている
   ことを特徴とする請求項２に記載のタッチパネルセンサ。
6. 前記第１透明導電体が、１６〜２２ｎｍの範囲内の厚みと１．８〜２．０の範囲内の光屈折率とを有し、
   前記非アクティブエリア内において、前記第１インデックスマッチング層の第１高屈折率層が、３〜７ｎｍの範囲内の厚みと２．１〜２．４の範囲内の光屈折率とを有し、かつ、前記第１インデックスマッチング層の第１低屈折率層が、５０〜８０ｎｍの範囲内の厚みと１．４〜１．５５の範囲内の光屈折率とを有する
   ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載のタッチパネルセンサ。
7. 前記基材の他方の側の面上であって、アクティブエリア内にパターニングされた第２透明導電体をさらに備えた
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のタッチパネルセンサ。
8. 前記基材は、透明な本体部の前記第２透明導電体側の面上に形成された第２インデックスマッチング層をさらに有する
   ことを特徴とする請求項７に記載のタッチパネルセンサ。
9. 請求項１に記載のタッチパネルセンサを製造する方法であって、
   透明な本体部を準備する工程と、
   透明な本体部の一方の側の面上に第１インデックスマッチング層を形成する工程と、
   前記第１インデックスマッチング層上に第１透明導電層を形成する工程と、
   前記第１透明導電層をパターニングして、アクティブエリア内に位置する第１透明導電体を形成するとともに、非アクティブエリア内に位置する識別マークを形成する工程と、を備え、
   前記第１インデックスマッチング層の形成工程において、前記識別マークに対応する領域における前記第１インデックスマッチング層の厚みが、前記アクティブエリアにおける第１インデックスマッチング層の厚みと異なるよう、前記第１インデックスマッチング層が形成される
   ことを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法。
10. 前記第１インデックスマッチング層は、前記本体部の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１高屈折率層と、当該第１高屈折率層の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１低屈折率層と、を有し、
    前記第１透明導電体の光屈折率は、前記第１高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ前記第１低屈折率層の光屈折率よりも大きい
    ことを特徴とする請求項９に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
11. 前記第１高屈折率層および第１低屈折率層はそれぞれスパッタリングにより形成され、
    前記第１高屈折率層をスパッタリングにより形成する工程、または第１低屈折率層をスパッタリングにより形成する工程の少なくとも一方において、前記本体部のうち前記識別マークに対応する領域上に遮蔽板が配置されている
    ことを特徴とする請求項１０に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
12. 表示装置を準備する工程と、
    請求項１に記載のタッチパネルセンサを前記表示装置に接合する工程と、を備え、
    前記識別マークは、アライメントマークからなり、
    前記タッチパネルセンサを前記表示装置に接合する工程において、タッチパネルセンサの前記アライメントマークに基づいて、表示装置に対するタッチパネルセンサの位置合わせが実施される
    ことを特徴とする入出力装置の製造方法。

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