JP5633486B2

JP5633486B2 - 光センサ

Info

Publication number: JP5633486B2
Application number: JP2011180037A
Authority: JP
Inventors: 孝允大倉; 遠藤　昇; 昇遠藤; 純石原
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2011-08-21
Filing date: 2011-08-21
Publication date: 2014-12-03
Anticipated expiration: 2031-08-21
Also published as: JP2013045779A

Description

本発明は、複数の受光部を有する光センサに関するものである。

従来、例えば特許文献１に示されるように、半導体基板にフォトダイオードが複数形成され、その形成面上に透光性を有する透光層が形成され、その透光層に遮光性を有する遮光マスクが形成され、その遮光マスクに光伝播エリアが複数形成された光センサが提案されている。この光センサでは、遮光マスクの光伝播エリアによって、フォトダイオードの受光面に入射する光の範囲が規定されている。

米国特許６８７５９７４号明細書

特許文献１に示される光センサでは、対を成す２つのフォトダイオードが左右方向に並んでおり、これら２つのフォトダイオードそれぞれの受光面に入射する光の範囲が、２つのフォトダイオードの上方に位置する１つの光伝播エリアによって規定されている。したがって、左方から光センサに光が入射した場合、右方のフォトダイオードの出力信号が、左方のフォトダイオードの出力信号よりも大きくなる。これとは反対に、右方から光センサに光が入射した場合、左方のフォトダイオードの出力信号が、右方のフォトダイオードの出力信号よりも大きくなる。したがって、対を成す２つのフォトダイオードの出力信号を比べることで、光が左方から入射しているのか、右方から入射しているのかを検出することが可能となっている。

ところで、上記したように、特許文献１に記載の光センサでは、２つのフォトダイオードが１つの光伝播エリアを共有している。これは、光が左方から入射しているのか、右方から入射しているのかを検出するためであるが、この目的を達成するために、左方のフォトダイオードと光伝播エリアとの距離、及び、右方のフォトダイオードと光伝播エリアとの距離の２つの距離を、半導体基板上で確保しなくてはならない。そのため、半導体基板の体格の増大が懸念され、光センサの体格の増大が懸念される。

光が左方から入射しているのか、右方から入射しているのかを検出することに加えて、光の仰角特性を検出する場合、光の仰角は、フォトダイオードと光伝播エリアとの相対距離に依存するので、相対距離を変動しなくてはならない。より低い仰角を検出したい場合、相対距離が長くなるため、半導体基板の体格が更に増大することが懸念され、光センサの体格が更に増大することが懸念される。

そこで、本発明は上記問題点に鑑み、体格の増大が抑制された光センサを提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、複数の受光部（６０）を有する光センサであって、受光部（６０）は、光を電気信号に変換する受光素子（２０）、及び、透光用の開口部（５０）を有し、受光素子（２０）は、半導体基板（１０）の一面（１０ａ）側に形成され、該半導体基板（１０）における受光素子（２０）の形成面（１０ａ）上に、透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、該遮光膜（４０）に、開口部（５０）が形成されており、受光部（６０）として、受光素子（２０）の形成面（１０ａ）に直交する光によって受光素子（２０）の形成面（１０ａ）に投影した開口部（５１，５２）の投影部位と受光素子（２１，２２）との距離が互いに等しく、投影部位から受光素子（２１，２２）に向かう向きが互いに逆向きの関係にある、対を成す受光部（６１，６２）を有し、対を成す受光部（６１，６２）は、形成面（１０ａ）に沿い、投影部位と受光素子（２１，２２）とを結ぶ方向に直交する方向にて、並んでおり、対を成す前記受光部（６０）を複数有し、対を成す前記受光部（６０）それぞれが有する前記受光素子（２０）と前記開口部（５０）の投影部位との距離が互いに異なることを特徴
とする。

以下においては、説明を簡便とするために、対を成す受光部（６１，６２）の受光素子（２１，２２）と投影部位とが並ぶ方向を左右方向、対を成す受光部（６１，６２）が並ぶ方向を前後方向と示す。

請求項１に記載の発明によれば、対を成す受光部（６１，６２）それぞれが、独立して受光素子と開口部とを有している。そして、対を成す受光部（６１，６２）では、投影部位と受光素子（２１，２２）との距離が互いに等しく、投影部位から受光素子（２１，２２）に向かう向きが互いに逆向きの関係となっている。したがって、対を成す受光部（６１，６２）の内、一方の受光部の受光素子（２１）に入射し易い光は、他方の受光部の受光素子（２２）に入射し難くなっている。換言すれば、一方の受光素子（２１）には左方からの光が入射し易く、他方の受光素子（２２）には右方からの光が入射し易くなっている。そのため、一方の受光素子（２１）の出力信号を２つの受光素子（２１，２２）の出力信号の総和によって割った値（第１の値）と、他方の受光素子（２２）の出力信号を２つの受光素子（２１，２２）の出力信号の総和によって割った値（第２の値）とが異なることとなる。したがって、２つの値の比をとることで、光が、光センサ（１００）に対して左方からどれくらい入射しているのか、若しくは、右方からどれくらい入射しているのか、を検出することができる。すなわち、光の左右比を検出することができる。

また、請求項１に記載の発明では、対を成す受光部（６１，６２）は、前後方向に並んでいる。これによれば、対を成す受光部（６１，６２）を形成するための左右方向の長さが、１つの開口部を介して、２つの受光素子が左右方向に並んだ構成と比べて、半分になる。また、対を成す受光部（６１，６２）の前後方向の間隔は、光の入射角度に依存しないので、自由に設定することができる。そのため、左右方向に、対を成す受光部が並んだ構成と比べて、半導体基板（１０）の体格の増大が抑制され、光センサ（１００）の体格の増大が抑制される。更に請求項１に記載の発明では、対を成す受光部（６０）を複数有し、対を成す受光部（６０）それぞれが有する受光素子（２０）と開口部（５０）の投影部位との距離が互いに異なる。受光素子に入射する光の仰角は、受光素子と開口部との相対距離に依存する。したがって、本発明の構成において、ある受光素子（２１）と他の受光素子（２３）それぞれの出力信号を比較することで、光センサ（１００）に入射する光の仰角を検出することができる。

請求項２に記載のように、対を成す受光部（６１，６２）の間の透光膜（３０）に、一方の受光部（６１）の開口部（５１）から入射した光が、対応しない、他方の受光部（６２）の受光素子（２２）に入射することを抑制する遮光部（７０）が形成された構成が好ましい。これによれば、対を成す受光部（６１，６２）の間の距離を短くすることができる。そのため、半導体基板（１０）の体格の増大が抑制され、光センサ（１００）の体格の増大が抑制される。

請求項３に記載のように、遮光部（７０）は、遮光膜（４０）と同一材料から成る構成が良い。これによれば、遮光部が、遮光膜とは異なる材料から成る構成と比べて、光センサ（１００）の製造が容易となる。

請求項４に記載のように、受光素子（２０）における、形成面（１０ａ）に沿う平面形状が、開口部（５０）の投影部位から受光素子（２０）に向かう方向に凸となる弧状である構成が良い。これによれば、光の方位角に依らずに、光を受光することができる。

請求項５に記載のように、対を成す受光部（６１，６２）それぞれが有する受光素子（２１，２２）の中心角は、互いに等しい構成が良い。これによれば、対を成す受光部それぞれが有する受光素子の中心角が異なる構成とは違って、一方の受光素子（２１）で検出することの可能な仰角を有する光を、他方の受光素子（２２）にて検出することができなくなる、という不具合が生じることが抑制される。したがって、光の左右比を検出することができなくなる、という不具合が生じることが抑制される。なお、上記した中心角とは、弧の両端と、弧の曲率を決める中心とを結ぶ２つの線の間の角度である。

請求項６に記載のように、対を成す受光部（６１，６２）それぞれが有する受光素子（２１，２２）の受光面積は、互いに等しい構成が良い。これによれば、受光面積が異なる構成とは違って、各受光素子（２１，２２）の出力信号に、受光面積を補正するための補正値を演算しなくともいいので、受光素子（２１，２２）の出力信号の処理が簡素化される。

請求項７に記載のように、対を成す受光部（６１，６２）それぞれが有する受光素子（２１，２２）の中心角の和は、１８０°以上である構成が良い。これによれば、中心角の和が１８０°よりも小さい構成と比べて、斜め前方や斜め後方から入射してきた光を、受光素子（２１，２２）にて受光し易くなる。

第１実施形態に係る光センサの概略構成を示す平面図である。図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。

以下、本発明に係る光センサを車両に搭載した場合の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る光センサの概略構成を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図１においては、受光素子２０と開口部５０を実線、遮光部７０を破線で示している。なお、以下においては、後述する形成面１０ａに沿い、車両の前後を貫く方向を前後方向、形成面１０ａに沿い、車両の左右を貫く方向を左右方向、形成面１０ａに直交する方向を高さ方向と示す。

光センサ１００は、車両のフロントパネルに搭載され、主として、太陽の位置を検出するのに使用される。光センサ１００は、図１及び図２に示すように、要部として、半導体基板１０と、受光素子２０と、透光膜３０と、遮光膜４０と、開口部５０と、を有する。半導体基板１０の一面１０ａ（以下、形成面１０ａと示す）側に受光素子２０が形成され、受光素子２０の形成面１０ａ上に透光膜３０が形成され、透光膜３０に遮光膜４０が形成されている。そして、遮光膜４０には、透光用の開口部５０が形成され、この開口部５０を介して、光が受光素子２０に入射するようになっている。図示しないが、光センサ１００は、受光素子２０の出力信号を処理する算出部を有しており、この算出部によって、光センサ１００に入射してくる光の仰角や方位角が概算される。なお、本実施形態に記載の仰角とは、車両から上方の角度、方位角とは、車両周りの角度である。

半導体基板１０は、矩形状を成し、上記した受光素子２０や、算出部を構成する電子素子（図示略）が形成されている。これら電子素子は、半導体基板１０に形成された配線パターン（図示略）を介して電気的に接続されている。

受光素子２０は、光を電気信号に変換するものである。本実施形態に係る受光素子２０は、ＰＮ接合を有するフォトダイオードであり、半導体基板１０の形成面１０ａ側に形成されている。形成面１０ａには、７つの受光素子２１〜２７が形成されており、受光素子２１，２２が対を成し、受光素子２３，２４が対を成している。

透光膜３０は、光透過性と電気絶縁性とを有する材料から成る。このような性質を有する材料としては、例えばＳｉＮ系、ＳｉＯ系の材料がある。図２に示すように、透光膜３０は、形成面１０ａ上に、多層に形成されている。本実施形態では、２層の透光膜３０が形成面１０ａ上に積層されている。

遮光膜４０は、遮光性と導電性を有する材料から成る。このような性質を有する材料としては、例えばアルミニウムがある。図２に示すように、遮光膜４０は、２層の透光膜３０の間に形成されており、遮光膜４０に、開口部５０が形成されている。なお、遮光膜４０は、後述する遮光部７０を介して、半導体基板１０に形成された配線パターンと電気的に接続されており、各電子素子を電気的に接続する配線としての機能も果たすようになっている。

開口部５０は、受光素子２０に入射する光を規定するものである。遮光膜４０に、７つの開口部５１〜５７が形成されており、開口部５１，５２が対を成し、開口部５３，５４が対を成している。

算出部は、受光素子２０の出力信号に基づいて、光センサ１００（車両）に入射する外光の仰角や方位角を概算するものである。別の表現を用いれば、算出部は、太陽の大体の高さと、太陽が車両の左右いずれの方向にどの程度位置しているのか（左右比）を算出するものである。太陽の大体の高さは、対を成さない受光素子２１，２３、若しくは、対を成さない受光素子２２，２４の出力信号を比べることで算出される。左右比は、第１受光素子２１の出力信号を、対を成す受光素子２１，２２の出力信号の総和で割った値（第１の値）と、第２受光素子２２の出力信号を、２つの受光素子２１，２２の出力信号の総和で割った値（第２の値）との比をとることで、算出される。若しくは、左右比は、第３受光素子２３の出力信号を、対を成す受光素子２３，２４の出力信号の総和で割った値（第３の値）と、第４受光素子２４の出力信号を、２つの受光素子２３，２４の出力信号の総和で割った値（第４の値）との比をとることで、算出される。

次に、本実施形態に係る光センサ１００の特徴点を説明する。図１及び図２に示すように、受光素子２０と、受光素子２０に対応する開口部５０とによって、特定の仰角及び方位角の光を検出する受光部６０が構成されている。１つの受光部６０は、１つの受光素子２０と１つの開口部５０とを有しており、受光素子２０に入射する光の仰角及び方位角は、受光素子２０と開口部５０との相対位置、及び、受光素子２０と開口部５０の形状に依存している。

本実施形態では、前後方向と左右方向とによって規定される平面の形状が、受光素子２１〜２６では弧状、第７受光素子２７及び開口部５１〜５７では円形となっている。受光素子２１，２３は、右方向に凸となる円弧状を成し、受光素子２２，２４は、左方向に凸となる円弧状を成している。また、受光素子２５，２６は、後ろ方向に凸となる円弧状を成している。そして、受光素子２１，２２の受光面積が相等しく、受光素子２３，２４の受光面積が相等しくなっている。

受光素子２１〜２４それぞれの中心角は相等しく、受光素子２１，２２の中心角の和、及び、受光素子２３，２４の中心角の和、それぞれが１８０°以上となっている。また、受光素子２１，２２，２５それぞれの円弧の成す曲率は同一であり、受光素子２１，２２，２５の中心角の和は２７０°以上となっている。同様にして、受光素子２３，２４，２６それぞれの円弧の成す曲率は同一であり、受光素子２３，２４，２６の中心角の和は２７０°以上となっている。なお、上記した中心角とは、円弧の両端と、円弧の曲率を決める中心とを結ぶ２つの線の間の角度である。すなわち、円弧と２つの線から成る扇の中心角である。

受光部６１，６３は、光センサ１００に左方から入射する光を検出するものであり、受光部６２，６４は、光センサ１００に右方から入射する光を検出するものである。受光部６５，６６は、光センサ１００に前方から入射する光を検出するものであり、第７受光部６７は、光センサ１００に高さ方向から入射する光を検出するものである。図１に示すように、受光部６１，６３では、開口部５１，５３から右方向に受光素子２１，２３が位置し、受光部６２，６４では、開口部５２，５４から左方向に受光素子２２，２４が位置している。また、受光部６５，６６では、開口部５５，５６から後ろ方向に受光素子２５，２６が位置し、第７受光部６７では、第７開口部５７の直下に第７受光素子２７が位置している。そして、受光部６１〜６７は、前後方向に並んでいる。

高さ方向に沿う光によって形成面１０ａに投影した第１開口部５１の投影部位と第１受光素子２１との距離、及び、第２開口部５２の投影部位と第２受光素子２２との距離が互いに等しく、距離Ａだけ離れている。そして、第１開口部５１から第１受光素子２１に向かう方向と、第２開口部５２から第２受光素子５２に向かう方向とが真逆になっている。したがって、第１受光部６１と第２受光部６２とでは、検出する光の仰角は同一であるが、方位角が真逆である、対の関係となっている。

同様にして、高さ方向に沿う光によって形成面１０ａに投影した第３開口部５３の投影部位と第３受光素子２３との距離、及び、第４開口部５４の投影部位と第４受光素子２４との距離が互いに等しく、距離Ａよりも短い距離Ｂだけ離れている。そして、第３開口部５３から第３受光素子２３に向かう方向と、第４開口部５４から第４受光素子２４に向かう方向とが真逆となっている。したがって、第３受光部６３と第４受光部６４とは、検出する光の仰角は同一であるが、方位角が真逆である、対の関係となっている。本実施形態では、距離Ａは、受光部６１，６２に入射する光の仰角が４５°となるように設定され、距離Ｂは、受光部６３，６４に入射する光の仰角が６０°となるように設定されている。

また、本実施形態では、受光部６１〜６７それぞれの間の透光膜３０に、遮光性を有する遮光部７０が形成されている。本実施形態に係る遮光部７０は、遮光膜４０と同一材料から成り、遮光膜４０と形成面１０ａとを連結している。図１及び図２に示すように、受光部６１，６２の間に第１遮光部７１、受光部６２，６３の間に第２遮光部７２、受光部６３，６４の間に第３遮光部７３が形成されている。また、受光部６４，６５の間に第４遮光部７４、受光部６５，６６の間に第５遮光部７５、受光部６６，６７の間に第６遮光部７６が形成されている。これにより、各受光部６１〜６７が、入射光に対して独立した構成となっている。すなわち、任意の開口部から、対応しない受光素子に意図しない光が入射し難い構成となっている。

次に、本実施形態に係る光センサ１００の作用効果を説明する。上記したように、対を成す受光部６１，６２（６３，６４）それぞれが、独立して受光素子２０と開口部５０とを有している。そして、対を成す受光部６１，６２（６３，６４）では、開口部５０の投影部位と受光素子２０との距離が互いに等しく、投影部位から受光素子２０に向かう向きが互いに逆向きの関係となっている。したがって、対を成す受光部６１，６２（６３，６４）の内、一方の受光部６１（６３）の受光素子２１（２３）に入射し易い光は、他方の受光部６２（６４）の受光素子２２（２４）に入射し難くなっている。換言すれば、一方の受光素子２１（２３）には左方からの光が入射し易く、他方の受光素子２２（２４）には右方からの光が入射し易くなっている。そのため、第１の値と第２の値の比、若しくは、第３の値と第４の値の比をとることで、光の左右比を検出することができる。例えば、第１の値と第２の値との比が、２：３であれば、太陽が前方から右方にその値の程度位置しており、７：２であれば、太陽が前方から左方にその値の程度位置していることがわかる。

また、本実施形態では、対を成す受光部６１，６２（６３，６４）は、前後方向に並んでいる。これによれば、対を成す受光部６１，６２（６３，６４）を形成するための左右方向の長さが、１つの開口部を介して、２つの受光素子が左右方向に並んだ構成と比べて、半分になる。また、対を成す受光部６１，６２（６３，６４）の前後方向の間隔は、光の入射角度に依存しないので、自由に設定することができる。そのため、上記した比較構成と比べて、半導体基板１０の体格の増大が抑制され、光センサ１００の体格の増大が抑制される。

受光部６１〜６７それぞれの間に、遮光部７１〜７６が形成されている。これによれば、隣接する開口部５０から、対応しない受光素子２０に意図しない光が入射することが抑制されるので、受光部６１〜６７の間の距離を短くすることができる。そのため、半導体基板１０の体格の増大が抑制され、光センサ１００の体格の増大が抑制される。

遮光部７０は、遮光膜４０と同一材料から成る。これによれば、遮光部が、遮光膜とは異なる材料から成る構成と比べて、光センサ１００の製造が容易となる。

前後方向と左右方向とによって規定される平面の形状が、受光素子２１〜２６では弧状となっている。そして、受光素子２１，２３は、右方向に凸となる円弧状を成し、受光素子２２，２４は、左方向に凸となる円弧状を成し、受光素子２５，２６は、後ろ方向に凸となる円弧状を成している。また、開口部５１，５３から右方向に受光素子２１，２３が位置し、開口部５２，５４から左方向に受光素子２２，２４が位置し、開口部５５，５６から後ろ方向に受光素子２５，２６が位置している。更に、受光素子２１，２２，２５それぞれの円弧の成す曲率は同一であり、受光素子２１，２２，２５の中心角の和は２７０°以上となっている。同様にして、受光素子２３，２４，２６それぞれの円弧の成す曲率は同一であり、受光素子２３，２４，２６の中心角の和は２７０°以上となっている。これによれば、光の方位角に依らずに、車両の前側から入射する光を受光することができる。

対を成す受光素子２１，２２（２３，２４）の中心角が相等しくなっている。これによれば、対を成す受光素子の中心角が異なる構成とは違って、一方の受光素子２１（２３）で検出することの可能な仰角を有する光を、他方の受光素子２２（２４）にて検出することができなくなる、という不具合が生じることが抑制される。したがって、光の左右比を検出することができなくなる、という不具合が生じることが抑制される。

対を成す受光素子２１，２２（２３，２４）の受光面積が相等しくなっている。これによれば、受光面積が異なる構成とは違って、各受光素子２１〜２４の出力信号に、受光面積を補正するための補正値を演算しなくともいいので、受光素子２１〜２４の出力信号の処理が簡素化される。

対を成す受光素子２１，２２の中心角の和、及び、対を成す受光素子２３，２４の中心角の和、それぞれが１８０°以上となっている。これによれば、中心角の和が１８０°よりも小さい構成と比べて、斜め前方や斜め後方から入射してきた光を、受光素子にて受光し易くなる。

対を成す受光部６１，６２と、対を成す受光部６３，６４を有する。そして、対を成す受光部６１，６２に入射する光の仰角が４５°、対を成す受光部６３，６４に入射する光の仰角が６０°となるように、開口部５０の投影部位と受光素子２０との距離が設定されている。これによれば、対を成さない受光素子２１，２３、若しくは、対を成さない受光素子２２，２４の出力信号を比べることで、光センサ１００に入射する光の仰角（太陽の大体の高さ）を検出することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

本実施形態では、光センサ１００が車両に搭載された例を示した。しかしながら、光センサ１００の適用としては、上記例に限定されない。

本実施形態では、遮光膜４０が、遮光性と導電性を有する材料から成る例を示した。しかしながら、遮光膜４０によって、半導体基板１０に形成された各電子素子を電気的に接続しなくとも良い場合、遮光膜４０を、光を吸収する性質を有する材料によって形成しても良い。

本実施形態では、光センサ１００が７つの受光部６１〜６７を有する例を示した。しかしながら、受光部６０の数としては、上記例に限定されず、２つ以上であればよい。

本実施形態では、光センサ１００が２つの対を成す受光部６１〜６４を有する例を示した。しかしながら、対を成す受光部６０の数としては、上記例に限定されず、１つ以上であればよい。

本実施形態では、受光素子２１，２２，２５の中心角の和、及び、受光素子２３，２４，２６の中心角の和、それぞれが２７０°以上となっている例を示した。しかしながら、受光素子２１，２２，２５の中心角の和、及び、受光素子２３，２４，２６の中心角の和、それぞれが１８０°以上であれば、適宜採用することができる。

本実施形態では、開口部５１（５２）の投影部位と受光素子２１（２２）との距離Ａは、受光部６１，６２に入射する光の仰角が４５°となるように設定され、開口部５３（５４）の投影部位と受光素子２３（２４）との距離Ｂは、受光部６３，６４に入射する光の仰角が６０°となるように設定された例を示した。しかしながら、距離Ａ，Ｂとしては、上記例に限定されない。例えば、距離Ａが、受光部６１，６２に入射する光の仰角が３０°となるように設定され、距離Ｂが、受光部６３，６４に入射する光の仰角が５０°となるように設定されても良い。距離Ａ，Ｂによって規定される光の仰角としては、０°より大きく、９０°よりも小さければ良い。

本実施形態では、遮光部７０は、遮光膜４０と同一材料から成る例を示した。しかしながら、遮光部７０の形成材料としては、遮光膜４０と異なっていても良い。

１０・・・半導体基板
２０・・・受光素子
３０・・・透光膜
４０・・・遮光膜
５０・・・開口部
６０・・・受光部
１００・・・光センサ

Claims

複数の受光部（６０）を有する光センサであって、
前記受光部（６０）は、光を電気信号に変換する受光素子（２０）、及び、透光用の開口部（５０）を有し、
前記受光素子（２０）は、半導体基板（１０）の一面（１０ａ）側に形成され、
該半導体基板（１０）における前記受光素子（２０）の形成面（１０ａ）上に、透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、
該遮光膜（４０）に、前記開口部（５０）が形成されており、
前記受光部（６０）として、前記受光素子（２０）の形成面（１０ａ）に直交する光によって前記受光素子（２０）の形成面（１０ａ）に投影した前記開口部（５１，５２）の投影部位と前記受光素子（２１，２２）との距離が互いに等しく、前記投影部位から前記受光素子（２１，２２）に向かう向きが互いに逆向きの関係にある、対を成す受光部（６１，６２）を有し、
対を成す前記受光部（６１，６２）は、前記形成面（１０ａ）に沿い、前記投影部位と前記受光素子（２１，２２）とを結ぶ方向に直交する方向にて、並んでおり、
対を成す前記受光部（６０）を複数有し、
対を成す前記受光部（６０）それぞれが有する前記受光素子（２０）と前記開口部（５０）の投影部位との距離が互いに異なることを特徴とする光センサ。
対を成す前記受光部（６１，６２）の間の透光膜（３０）に、一方の前記受光部（６１）の開口部（５１）から入射した光が、対応しない、他方の前記受光部（６２）の受光素子（２２）に入射することを抑制する遮光部（７０）が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光センサ。
前記遮光部（７０）は、前記遮光膜（４０）と同一材料から成ることを特徴とする請求項２に記載の光センサ。
前記受光素子（２０）における、前記形成面（１０ａ）に沿う平面形状が、前記開口部（５０）の投影部位から前記受光素子（２０）に向かう方向に凸となる弧状であることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の光センサ。
対を成す前記受光部（６１，６２）それぞれが有する受光素子（２１，２２）の中心角は、互いに等しいことを特徴とする請求項４に記載の光センサ。
対を成す前記受光部（６１，６２）それぞれが有する受光素子（２１，２２）の受光面積は、互いに等しいことを特徴とする請求項５に記載の光センサ。
対を成す前記受光部（６１，６２）それぞれが有する受光素子（２１，２２）の中心角の和は、１８０°以上であることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の光センサ。