JP5639242B2 - 電子部品内蔵基板 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品が内蔵された多層構造の電子部品内蔵基板に関する。

電子部品内蔵基板は、一般的に、電子部品上に形成された絶縁材に該端子と接続するビア部を設けた構造を有しており、絶縁材には絶縁性フィラーを含有した合成樹脂が用いられている。またビア部は、例えば、絶縁材上からのレーザ照射等により形成される。

例えば特許文献１には、部品内蔵樹脂層を、チップ部品の上面よりも低い部分から成る側面層と、チップ部品の上面よりも高い部分から成りビア導体が形成された上面層とから構成された部品内蔵基板が開示されている。該部品内蔵基板は、レーザ照射によるビア導体の孔の形成を容易にすること等を目的として、上面層に含まれる絶縁性フィラー等の無機材の含有量を、側面層に含まれる絶縁性フィラー等の無機材の含有量よりも少なくしている。

特開２０１１−０２９６２３号公報

しかしながら、特許文献１に開示された構造では、端子電極及び端子電極よりも脆弱な部品素体の上面が上面層と接触している。また上面層は、側面層よりも無機材含有量が少なく、熱膨張又は熱収縮が側面層よりも顕著に生じる。これにより、上面層で生じた熱膨張又は熱収縮に伴う応力が、脆弱な部品素体に直接的に伝わって亀裂等のダメージを生じ、該ダメージによって部品の機能に障害を生じる恐れがあった。

本発明の目的は、電子部品の不具合を防止できる電子部品内蔵基板を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る電子部品内蔵基板は、部品収容層と、ビルドアップ層とを具備する。
上記部品収容層は、端子面と本体とを含む電子部品と、上記端子面と同一平面上に形成された第１面を含み上記電子部品の本体を被覆し、かつ第１線膨張係数を有する絶縁性の被覆部と、を有する。
上記ビルドアップ層は、上記端子面と上記第１面とに接して上記部品収容層上に形成され上記第１線膨張係数より大きい第２線膨張係数を有する絶縁層と、上記絶縁層に設けられ上記端子面に接続されたビア部と、を有する。

本発明の一形態に係る電子部品内蔵基板は、部品収容層と、ビルドアップ層とを具備する。
上記部品収容層は、端子面と本体とを含む電子部品と、上記端子面と同一平面上の第１面を含み上記電子部品の本体を被覆し、かつ第１含有率で絶縁性フィラーを含有する第１樹脂材料で形成された絶縁性の被覆部と、を有する。
上記ビルドアップ層は、上記端子面と上記第１面とに接して上記部品収容層上に形成され、上記第１含有率よりも小さい第２含有率で絶縁性フィラーを含有する第２樹脂材料で形成された絶縁層と、上記絶縁層に形成され上記端子面と接続されるビア部とを有する。

また、本発明は、少なくとも１つのキャビティを有するコア層と、
上記キャビティに収納された電子部品と、上記キャビティと上記電子部品との隙間を埋める絶縁部と、上記コア層の厚さ方向一面に設けられた絶縁層と、上記絶縁層に設けられ上記電子部品の端子の被接続面に接続されたビア部とを備えた電子部品内蔵基板であって、
上記絶縁部の線膨張係数と上記絶縁層の線膨張係数は上記絶縁部の線膨張係数＜上記絶縁層の線膨張係数の関係を有しており、上記絶縁部と上記絶縁層との界面、並びに、上記端子の被接続面は上記コア層の厚さ方向一面と同じ平面上に在り、上記電子部品における上記端子の被接続面以外の部位は上記絶縁層と接触していない。

本発明によれば、電子部品の不具合を防止できる電子部品内蔵基板を提供することができる。

本発明の上記目的及び他の目的と、各目的に応じた特徴と効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。

本発明を適用した電子部品内蔵基板（第１実施形態）の要部縦断面図である。 図１に示した電子部品内蔵基板に係る部品埋設工程及びビア部作製工程を示す図である。 本発明を適用した電子部品内蔵基板（第２実施形態）の要部縦断面図である。

本発明の一実施形態に係る電子部品内蔵基板は、部品収容層と、ビルドアップ層とを具備する。
上記部品収容層は、端子面と本体とを含む電子部品と、上記端子面と同一平面上に形成された第１面を含み上記電子部品の本体を被覆し、かつ第１線膨張係数を有する絶縁性の被覆部と、を有する。
上記ビルドアップ層は、上記端子面と上記第１面とに接して上記部品収容層上に形成され上記第１線膨張係数より大きい第２線膨張係数を有する絶縁層と、上記絶縁層に設けられ上記端子面に接続されたビア部と、を有する。

上記構成によれば、被覆部の第１面と電子部品の端子面とが同じ平面上に在り、電子部品の端子面以外の部位は絶縁層と接触していない。これにより、絶縁層に熱膨張又は熱収縮が生じた場合であっても、これに伴う応力が電子部品の本体に伝わることを抑制することができる。したがって、脆弱な電子部品の本体の損傷を防止し、電子部品の不具合を防止することができる。

上記部品収容層は、上記端子面と上記第１面と同一平面上の第２面を含み上記電子部品と上記被覆部とを収容するキャビティが形成されたコア材をさらに有してもよい。
上記コア材により、電子部品内蔵基板全体の剛性を高めることができる。さらに、コア材を導電体で形成することで、キャビティに収容される電子部品における電磁的な障害を抑制することが可能となる。

上記電子部品は、上記キャビティに収容された複数の電子部品を含んでもよい。
これにより、電子部品内蔵基板上に実装される部品の数を低減させ、基板全体の小型化を図ることができる。

上記電子部品の本体は、上記端子面から陥没し、上記被覆部に被覆された凹部を有してもよい。
これにより、電子部品の本体と絶縁層との接触を防止することができる。また、被覆部と絶縁層との密着する面積を拡大させ、これらの界面における剥離等を防止することができる。

また、上記被覆部は、第１含有率で絶縁性フィラーを含有する第１樹脂材料で形成され、
上記絶縁層は、上記第１含有率よりも小さい第２含有率で絶縁性フィラーを含有する第２樹脂材料で形成されてもよい。
これにより、絶縁性フィラーの含有率に基づいて被覆部及び絶縁層各々の線膨張係数を定めることが可能となり、これらの線膨張係数の調整が容易になる。

この場合に、上記第１樹脂材料と上記第２樹脂材料との絶縁性フィラーは、いずれも球状であってもよい。
これにより、被覆部及び絶縁層を形成する際の絶縁性フィラーの流動性や分散性を高めることができ、均一な特性の被覆部及び絶縁層を形成することができる。

本発明の一実施形態に係る電子部品内蔵基板は、部品収容層と、ビルドアップ層とを具備する。
上記部品収容層は、端子面と本体とを含む電子部品と、上記端子面と同一平面上の第１面を含み上記電子部品の本体を被覆し、かつ第１含有率で絶縁性フィラーを含有する第１樹脂材料で形成された絶縁性の被覆部と、を有する。
上記ビルドアップ層は、上記端子面と上記第１面とに接して上記部品収容層上に形成され、上記第１含有率よりも小さい第２含有率で絶縁性フィラーを含有する第２樹脂材料で形成された絶縁層と、上記絶縁層に形成され上記端子面と接続されるビア部とを有する。

上記構成によれば、被覆部の第１面と電子部品の端子面とが同じ平面上に在り、電子部品の端子面以外の部位は絶縁層と接触していない。また、被覆部の線膨張係数が絶縁層の線膨張係数よりも小さくなるように構成することができる。これにより、絶縁層に熱膨張又は熱収縮が生じた場合であっても、これに伴う応力が電子部品の本体に伝わることを抑制することができる。したがって、脆弱な電子部品の本体の損傷を防止し、電子部品の不具合を防止することができる。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

［第１実施形態（図１及び図２）］
図１は、本実施形態に係る電子部品内蔵基板の縦断面図である。なお、図１〜図３中のＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向は、それぞれ直交する３軸方向を示し、Ｘ軸方向とＹ軸方向とは水平方向、Ｚ軸方向は厚さ方向（上下方向）をそれぞれ示す。

先ず、図１に示した電子部品内蔵基板の基本構造について説明する。この電子部品内蔵基板は、部品収容層１１と、部品収容層１１のＺ軸方向（厚さ方向）に直交する一面（上面）とＺ軸方向（厚さ方向）に直交する他面（下面）にそれぞれ設けられたビルドアップ層１２を備えている。

部品収容層１１は、２つの電子部品Ｐ１及びＰ２と、絶縁性の被覆部１１ｂと、コア材１１ｃとを有する。部品収容層１１は、全体として、コア材１１ｃに形成されたキャビティ１１ａに、電子部品Ｐ１及びＰ２と被覆部１１ｂとが収容された構成を有する。

コア材１１ｃは、後述するビルドアップ層１２の第１絶縁層１３ａに面する第２面１１１ｃを含み、Ｚ軸方向（厚さ方向）に貫通する２つのキャビティ１１ａが形成される。第２面１１１ｃは、コア材１１ｃのＺ軸方向に直交する上面（厚さ方向一面）であり、後述する端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａと被覆部１１ｂの第１の面１１１ｂと同一平面上に形成される。コア材１１ｃは、部品収容層１１と略同一の厚みを有する金属等の導電体で形成され、好ましくは銅、銅合金等の金属が適用される。本実施形態にあっては、各キャビティ１１ａに１つの電子部品Ｐ１と１つの電子部品Ｐ２とが個別に収納されている。

コア材１１ｃにより、電子部品内蔵基板全体の剛性を高めることができる。さらに、コア材１１ｃを導電体で形成することで、キャビティ１１ａに収容される電子部品Ｐ１及びＰ２における電磁的な障害を抑制することが可能となる。

被覆部１１ｂは、端子面Ｔ１ａ及び端子面Ｔ２ａと同一平面上の第１面１１１ｂを含むように構成され、電子部品Ｐ１の本体Ｐ１０及び電子部品Ｐ２の本体Ｐ２０をそれぞれ被覆する。被覆部１１ｂは、各キャビティ１１ａにおいて、各電子部品Ｐ１及びＰ２とコア材１１ｃとの隙間を埋めるように形成される。被覆部１１ｂは絶縁性フィラーを含有する第１樹脂材料で形成される。第１樹脂材料として、好ましくはエポキシ樹脂、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂等（熱硬化性のみならず熱可塑性のものも使用可能）の合成樹脂が用いられ、絶縁性フィラーとして、好ましくはシリカ、アルミナ等が用いられている。絶縁性フィラーの形状は球状、フレーク状、繊維状の別を問わないが、被覆部１１ｂを作製する際の絶縁性フィラーの流動性や分散性を考慮すれば球状が好ましい。

電子部品Ｐ１及びＰ２は周知の電子部品、例えばコンデンサやインダクタやレジスタやフィルタチップやＩＣチップ等から選択されている。また、電子部品Ｐ１の厚みＨｐ１は電子部品Ｐ２の厚みＨｐ２よりも小さい。

図１に示すように、電子部品Ｐ１は、略直方体状の本体Ｐ１０と、２つの端子面Ｔ１ａとを含む。電子部品Ｐ１は、本体Ｐ１０のＸ軸方向に相対する端部にキャップ状の端子Ｔ１をそれぞれ有しており、各端子Ｔ１の後述する第１絶縁層１３ａと向き合う面（上面）が端子面Ｔ１ａとして構成される。端子面Ｔ１ａは、後述するビア部１５ａ及び１６ａを接続するための被接続面として機能する。

また、本体Ｐ１０は、端子面Ｔ１ａからＺ軸方向下方に陥没する凹部Ｐ１ａを有する。凹部Ｐ１ａは、電子部品Ｐ１の後述する第１絶縁層１３ａと向き合う側に、端子Ｔ１の突出高さに準じた凹みとして構成される。すなわち凹部Ｐ１ａは、相対する端子Ｔ１間に在り、被覆部１１ｂに被覆されている。

一方、電子部品Ｐ２も電子部品Ｐ１と同様に、略直方体状の本体Ｐ２０と、端子面Ｔ２ａとを含む。すなわち電子部品Ｐ２は、本体Ｐ２０のＺ軸方向と直交する一面（上面）に２又は３以上の平板状の端子Ｔ２を有しており、各端子Ｔ２の後述する第１絶縁層１３ａと向き合う面（上面）が端子面Ｔ２ａとして構成される。端子面Ｔ２ａは、後述するビア部１４ａ及び１６ａを接続するための被接続面として機能する。

また、本体Ｐ２０は、端子面Ｔ２ａからＺ軸方向下方に陥没する凹部Ｐ２ａを有する。凹部Ｐ２ａは、電子部品Ｐ２の後述する第１絶縁層１３ａと向き合う側に、端子Ｔ２の突出高さに準じた凹みとして構成される。すなわち凹部Ｐ２ａは、相対する端子Ｔ２間及び端子Ｔ２の周囲に在り、被覆部１１ｂに被覆されている。

上記構成により、被覆部１１ｂの第１面１１１ｂとコア材１１ｃの第２面１１１ｃと各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａとが、いずれもビルドアップ層１２に面する同一平面上に形成される。要するに、各電子部品Ｐ１及びＰ２は、各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａ以外の部位がビルドアップ層１２と接触しない構成とすることができる。

各ビルドアップ層１２は、第１絶縁層（絶縁層）１３ａ、第２絶縁層１３ｂ、シグナル配線１４、グランド配線１５、導体ビア１６、導体パッド１７、ビア部１４ａ、１５ａ、１６ａ及び１７ａを有している。

第１絶縁層１３ａは、端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａと第１面１１ｂとに接して部品収容層１１上に形成される。第２絶縁層１３ｂは、第１絶縁層１３ａ上に形成される。第１絶縁層１３ａ及び第２絶縁層１３ｂは、絶縁性フィラーを含有する第２樹脂材料で形成されている。ここでの第２樹脂材料には好ましくはエポキシ樹脂、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂等（熱硬化性のみならず熱可塑性のものも使用可能）の合成樹脂が用いられ、絶縁性フィラーには好ましくはシリカ、アルミナ等が用いられる。また、絶縁性フィラーの形状は、第１樹脂材料と同様に特に限定されないが、作製する際の絶縁性フィラーの流動性や分散性を考慮すれば球状が好ましい。

シグナル配線１４、グランド配線１５及び導体ビア１６は第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂとの間に２次元的にパターニングされ、導体パッド１７は第２絶縁層１３ｂの表面に２次元的にパターニングされている。また、シグナル配線１４、グランド配線１５、導体ビア１６及び導体パッド１７は略円錐台状のビア部１４ａ、１５ａ、１６ａ及び１７ａを一体に有している。シグナル配線１４、グランド配線１５、導体ビア１６及び導体パッド１７は金属から形成されており、ここでの金属には好ましくは銅、銅合金等が用いられている。

該ビア部１４ａ、１５ａ、１６ａ及び１７ａは、第１絶縁層１３ａに形成され、対応する端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａとそれぞれ接続される。一方ビア部１７ａは、第２絶縁層１３ｂに形成され、導体パッド１７と導体ビア１６との間の層間接続が為されている。図１に示す例では、部品収容層１１のＺ軸方向に直交する一面（上面）に設けられたビルドアップ層１２のシグナル配線１４のビア部１４ａは電子部品Ｐ２の端子面Ｔ２ａに接続され、一方（右側）の導体ビア１６のビア部１６ａは電子部品Ｐ２の他の端子面Ｔ２ａに接続されている。また、グランド配線１５の一方（右側）のビア部１５ａは電子部品Ｐ１の端子面Ｔ１ａに接続され、他方（左側）の導体ビア１６のビア部１６ａは電子部品Ｐ１の他の端子面Ｔ１ａに接続されている。グランド配線１５の他方（左側）のビア部１５ａはコア材１１ｃの第２面１１１ｃに接続され、３つの導体パッド１７のビア部１７ａはシグナル配線１４と２つの導体ビア１６にそれぞれ接続されている。一方、部品収容層１１のＺ軸方向に直交する他面（下面）に設けられたビルドアップ層１２のグランド配線１５のビア部１５ａと導体ビア１６のビア部１６ａはコア材１１ｃのＺ軸方向に直交する他面（第２面１１１ｃの反対側の下面）に接続されている。また、３つの導体パッド１７のビア部１７ａはシグナル配線１４とグランド配線１５と導体ビア１６にそれぞれ接続されている。

また、第１絶縁層１３ａ及び第２絶縁層１３ｂは絶縁性フィラーを含有する第２樹脂材料から形成されており、ここでの第２樹脂材料には好ましくはエポキシ樹脂、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂等（熱硬化性のみならず熱可塑性のものも使用可能）の合成樹脂が用いられ、絶縁性フィラーには好ましくはシリカ、アルミナ等が用いられている。絶縁性フィラーの形状は球状、フレーク状、繊維状の別を問わないが、第１絶縁層１３ａ及び第２絶縁層１３ｂを作製する際の絶縁性フィラーの流動性や分散性を考慮すれば球状が好ましい。

また、コア材１１ｃ、第１絶縁層１３ａ、第２絶縁層１３ｂ、シグナル配線１４、グランド配線１５、導体ビア１６の鍔状部分及び導体パッド１７の厚さの一例を紹介すれば、コア材１１ｃの厚さが１００〜４００μｍの範囲内に在る場合、第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂの厚さは１０〜３０μｍの範囲内に在り、シグナル配線１４とグランド配線１５と導体ビア１６の鍔状部分と導体パッド１７の厚さは５〜２５μｍの範囲内に在る。各電子部品Ｐ１及びＰ２の各凹部Ｐ１ａ及びＰ２ａの深さは５〜１５μｍの範囲内に在る。

次に、被覆部１１ｂと第１絶縁層１３ａ及び第２絶縁層１３ｂの線膨張係数について説明する。

被覆部１１ｂは、第１線膨張係数を有し、第１絶縁層１３ａ及び第２絶縁層１３ｂは、第１線膨張係数よりも大きい第２線膨張係数を有する。すなわち、「被覆部１１ｂの線膨張係数（第１線膨張係数）＜第１絶縁層１３ａ及び第２絶縁層１３ｂの線膨張係数（第２線膨張係数）」の関係を有している。具体的に述べれば、第１線膨張係数は好ましくは１５〜２５ｐｐｍ／℃の範囲内に在り、第２線膨張係数は好ましくは３５〜５０ｐｐｍ／℃の範囲内に在り、上記関係となるように第１線膨張係数と第２線膨張係数が各範囲から選定されている。

また、第１線膨張係数及び第２線膨張係数は、第１樹脂材料及び第２樹脂材料各々の絶縁性フィラー含有率によって定められる。具体的には、被覆部１１ｂの第１樹脂材料が、第１含有率で絶縁性フィラーを含有し、第１絶縁層１３ａ及び第２絶縁層１３ｂの第２樹脂材料が、第１含有率よりも小さい第２含有率で絶縁性フィラーを含有する。すなわち、「被覆部１１ｂの絶縁性フィラー含有率（第１含有率）＞第１絶縁層１３ａ及び第２絶縁層１３ｂの絶縁性フィラー含有率（第２含有率）」の関係を有している。より具体的に述べれば、上記第１含有率は好ましくは６５〜７５ｗｔ％の範囲内に在り、上記第２含有率は好ましくは３０〜４５％の範囲内に在り、上記関係となるように第１含有率と第２含有率が各範囲から選定されている。

上記線膨張係数の範囲、並びに、上記絶縁性フィラー含有率の範囲であれば、被覆部１１ｂ、第１絶縁層１３ａ及び第２絶縁層１３ｂに所期の耐熱性と曲げ強度を確保できる。さらに、被覆部１１ｂの熱膨張又は熱収縮の度合を各電子部品Ｐ１及びＰ１とコア材１１ｃの熱膨張又は熱収縮の度合に近付けることができる。

加えて、絶縁性フィラーが球状である場合、該絶縁性フィラーの平均粒径は好ましくは０．５〜１．０μｍの範囲内に在り、より好ましくは０．５μｍ以下である。この範囲であれば、先に例示したような第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂの厚さ（１０〜３０μｍ）と各電子部品Ｐ１及びＰ２の各凹部Ｐ１ａ及びＰ２ａの深さ（５〜１５μｍ）であっても、第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂにおける絶縁性フィラーの流動性及び分散性を良好に得られると共に、各凹部Ｐ１ａ及びＰ２ａに充填された被覆部１１ｂにおける絶縁性フィラーの流動性及び分散性も良好に得られる。

次に、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）を参照して、図１に示す電子部品内蔵基板に係る部品収容層形成工程（部品埋設工程）及びビア部形成工程について説明する。

図２（Ａ）に示すように、コア材１１ｃの各キャビティ１１ａに各電子部品Ｐ１及びＰ２を個別に埋設し、部品収容層１１を形成する。まず、コア材１１ｃの第２面１１１ｃに粘着シートＡＳを貼り付ける。続いてコア材１１ｃの第２面１１１ｃの反対側（下方）から各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａを上方に向けて各電子部品Ｐ１及びＰ２を各キャビティ１１ａに挿入し、各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａを粘着シートＡｓに貼り付ける。そして、コア材１１ｃの第２面１１１ｃの反対側（下方）から各キャビティ１１ａに被覆部１１ｂとなる未硬化材を充填してこれを硬化させ、硬化後に粘着シートＡＳを剥離する。電子部品Ｐ１の凹部Ｐ１ａと電子部品Ｐ２の凹部Ｐ２ａには、被覆部１１ｂとなる未硬化材を充填するときに該未硬化材の一部が隙間無く充填される。これにより、各電子部品Ｐ１及びＰ２の各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａがコア材１１ｃの第２面１１１ｃと同じ平面上に配置される。なお、実際上のこの工程は部品収容層１１を上下反転した状態で行われる。

次に、各ビア部１４ａ、１５ａ及び１６ａを形成する。まず図２（Ｂ）に示すように、コア材１１ｃの第２面１１１ｃ上に第１絶縁層１３ａとなる未硬化材の層を形成しこれを硬化させて第１絶縁層１３ａを形成する。これにより、被覆部１１ｂと第１絶縁層１３ａとの界面もコア材１１ｃの第２面１１１ｃと同じ平面上に位置することとなる。そして、第１絶縁層１３ａのビア部形成箇所にレーザ光を照射して、各電子部品Ｐ１及びＰ２の各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａに至る略円錐台状の孔ＴＨを形成する。

続いて、第１絶縁層１３ａの表面にメッキレジスト（図示省略）をパターニングした後、図２（Ｃ）に示すように、電解メッキによってシグナル配線１４とグランド配線１５と導体ビア１６（孔ＴＨを埋めるように形成されるビア部１４ａ、１５ａ及び１６ａを含む）を形成する。これにより、各ビア部１４ａ、１５ａ及び１６ａが各電子部品Ｐ１及びＰ２の各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａに接続されたシグナル配線１４とグランド配線１５と導体ビア１６が形成される。

次に、図１に示した電子部品内蔵基板によって得られる効果について説明する。

（Ｅ１１）図１に示した電子部品内蔵基板では、被覆部１１ｂの第１線膨張係数よりも、ビルドアップ層１２の第１絶縁層１３ａの第２線膨張係数の方が大きい。すなわち、被覆部１１ｂの絶縁性フィラー含有率（第１含有率）よりも、第１絶縁層１３ａの絶縁性フィラー含有率（第２含有率）の方が小さい。これにより、第１絶縁層１３ａにビア部の孔ＴＨを形成する際、レーザ光の強度を高める必要がなく、孔ＴＨの底に露出した端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａを損傷させる可能性を低減できる。さらに、レーザ加工により形成した孔ＴＨの底に溜まる絶縁性フィラーを低減させ、端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａにおける接続の不具合を抑制することができる。

一方で、従来は、第１絶縁層１３ａに熱膨張又は熱収縮が生じた場合、これに伴う応力が端子Ｔ１及び端子Ｔ２よりも脆弱な本体Ｐ１０及びＰ２０に伝わり、電子部品Ｐ１及びＰ２に不具合が発生する恐れがあった。

そこで本実施形態においては、被覆部１１ｂの第１面１１１ｂと、各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａと、コア材１１ｃの第２面１１１ｃとが同じ平面上に在り、かつこれらが第１絶縁層１３ａと接触している。これにより、各電子部品Ｐ１及びＰ２の各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａ以外の部位が第１絶縁層１３ａと接触しない構成とすることができる。したがって、第１絶縁層１３ａに熱膨張又は熱収縮を生じても、該熱膨張又は熱収縮に伴う応力が各電子部品Ｐ１及びＰ２の各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａ以外の部位に伝わることを抑制できる。またこれにより、本体Ｐ１０及びＰ２０に亀裂等のダメージが生じることを回避でき、電子部品Ｐ１及びＰ２の不具合を抑制できる。しかも、被覆部１１ｂに生じる熱膨張又は熱収縮の度合を各電子部品Ｐ１及びＰ１とコア材１１ｃの熱膨張又は熱収縮の度合に近付けることができるので、被覆部１１ｂ自体に亀裂が生じて封止能が低下することを抑制できる。

（Ｅ１２）図１に示す電子部品内蔵基板では、電子部品Ｐ１が、端子面Ｔ１ａから陥没する凹部Ｐ１ａを有し、電子部品Ｐ２が、端子面Ｔ２ａから陥没する凹部Ｐ２ａを有する。これらの凹部Ｐ１ａ及びＰ２ａには、被覆部１１ｂの一部が充填されている。

つまり、凹部Ｐ１ａ及びＰ２０と第１絶縁層１３ａとの間に被覆部１１ｂが介在することで、本体Ｐ１０及びＰ２０と第１絶縁層１３とが接触することを確実に防止することができる。したがって、上記Ｅ１１の効果を担保することができる。しかも、該被覆部１１ｂと第１絶縁層１３ａとの密着面積を増加できるので、各キャビティ１１ａ内の被覆部１１ｂと第１絶縁層１３ａとの間に層間剥離を生じることを抑制できる。

（Ｅ１３）図１に示した電子部品内蔵基板では、第１絶縁層１３ａの絶縁性フィラー含有率（第２含有率）が、被覆部１１ｂの絶縁性フィラー含有率（第１含有率）よりも小さい。これにより、第１絶縁層１３ａの第２線膨張係数が、被覆部１１ｂの第１線膨張係数よりも大きくなるように定められている。

つまり、被覆部１１ｂと第１絶縁層１３ａとの主体となる合成樹脂の種類が同じ場合や異なる場合でも、被覆部１１ｂ及び第１絶縁層１３ａ各々の線膨張係数の関係を各々の絶縁性フィラー含有率によって簡単に定められる。

（Ｅ１４）図２に示した電子部品内蔵基板の部品収容層形成工程では、コア材１１ｃの第２面１１１ｃに貼り付けた粘着シートＡｓに、電子部品Ｐ１及びＰ２の各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａを個別に貼り付けた後、当該粘着シートＡｓ上に未硬化材を充填することで、被覆部１１ｂを形成する。これにより、電子部品Ｐ１の厚みＨｐ１と電子部品Ｐ２の高さＨｐ２が異なる場合でも、被覆部１１ｂの第１面１１１ｂ、コア材１１ｃの第２面１１１ｃ、端子面Ｔ１ａ及びＴ２ｂを同一平面上に形成することが容易になる。

（Ｅ１５）図１に示した電子部品内蔵基板では、各電子部品Ｐ１及びＰ２の各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａ上に絶縁性フィラー含有率が高い被覆部１１ｂは介在しない。このため、図２（Ｂ）に示すビア部形成工程において、第１絶縁層１３ａ上からビア部形成箇所にレーザ光を照射して各孔ＴＨを形成するときに、該第１絶縁層１３ａに含まれる絶縁性フィラーが各孔ＴＨの底、即ち、各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａに溜まることを抑制することができる。したがって、その後の工程で電解メッキによってシグナル配線１４とグランド配線１５と導体ビア１６（孔ＴＨを埋めるように形成されるビア部１４ａ、１５ａ及び１６ａを含む）を形成しても、各ビア部１４ａ、１５ａ及び１６ａと各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａとの接続を良好に行える。また、レーザ光の強度を高めることなく各孔ＴＨを形成することができるため、各孔ＴＨの底に露出する端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａの損傷を抑制することができる。

［第２実施形態（図３）］
図３に示した電子部品内蔵基板が図１に示した電子部品内蔵基板と構造を異にするところは、部品収容層１１が１つキャビティ１１ａに収容された複数の電子部品を含む点にある。また、被覆部１１ｂは、第１の実施形態と同様に、各電子部品Ｐ１及びＰ２とともにキャビティ１１ａ内に収容され、両電子部品Ｐ１及びＰ２とキャビティ１１ａとの隙間を埋めるように設けられる。なお、この電子部品内蔵基板に係る部品収容層形成工程（部品埋設工程）は、２つの電子部品Ｐ１及びＰ２を１つのキャビティ１１ａに挿入した後に被覆部１１ｂとなる未硬化材を充填する点を除き、先に述べた手順と同じである。

図３に示した電子部品内蔵基板であっても、図１に示した電子部品内蔵基板と同様、下記の効果が得られる。

（Ｅ２１）図３に示した電子部品内蔵基板では、被覆部１１ｂの第１線膨張係数よりも、ビルドアップ層１２の第１絶縁層１３ａの第２線膨張係数の方が大きい。すなわち、被覆部１１ｂの絶縁性フィラー含有率（第１含有率）よりも、第１絶縁層１３ａの絶縁性フィラー含有率（第２含有率）の方が小さい。また、被覆部１１ｂの第１面１１１ｂと、各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａと、コア材１１ｃの第２面１１１ｃとが同じ平面上に在り、かつこれらが第１絶縁層１３ａと接触している。

つまり、本実施形態においても、各電子部品Ｐ１及びＰ２の各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａ以外の部位が第１絶縁層１３ａと接触しない構成とすることができる。したがって、第１絶縁層１３ａに熱膨張又は熱収縮を生じても、該熱膨張又は熱収縮に伴う応力が各電子部品Ｐ１及びＰ２の各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａ以外の部位に伝わることを抑制できる。これにより、本体Ｐ１０及びＰ２０に亀裂等のダメージが生じることを回避でき、電子部品Ｐ１及びＰ２の不具合を抑制できる。しかも、被覆部１１ｂに生じる熱膨張又は熱収縮の度合を各電子部品Ｐ１及びＰ１とコア材１１ｃの熱膨張又は熱収縮の度合に近付けることができるので、被覆部１１ｂ自体に亀裂が生じて封止能が低下することを抑制できる。

（Ｅ２２）図３に示す電子部品内蔵基板では、電子部品Ｐ１が、端子面Ｔ１ａから陥没する凹部Ｐ１ａを有し、電子部品Ｐ２が、端子面Ｔ２ａから陥没する凹部Ｐ２ａを有する。これらの凹部Ｐ１ａ及びＰ２ａには、被覆部１１ｂの一部が充填されている。

つまり、凹部Ｐ１ａ及びＰ２０と第１絶縁層１３ａとの間に被覆部１１ｂが介在することで、本体Ｐ１０及びＰ２０と第１絶縁層１３とが接触することを確実に防止することができる。したがって、上記Ｅ２１の効果を担保することができる。しかも、各凹部Ｐ１ａ及びＰ２ａに被覆部１１ｂの一部が充填されることによって該被覆部１１ｂと第１絶縁層１３ａとの密着面積を増加できるので、キャビティ１１ａ内の被覆部１１ｂと第１絶縁層１３ａとの間に層間剥離を生じることを抑制できる。

（Ｅ２３）図３に示した電子部品内蔵基板では、第１絶縁層１３ａの絶縁性フィラー含有率（第２含有率）が、被覆部１１ｂの絶縁性フィラー含有率（第１含有率）よりも小さい。これにより、第１絶縁層１３ａの第２線膨張係数が、被覆部１１ｂの第１線膨張係数よりも大きくなるように定められている。

つまり、被覆部１１ｂと第１絶縁層１３ａの主体となる合成樹脂の種類が同じ場合や異なる場合でも、被覆部１１ｂ及び第１絶縁層１３ａ各々の線膨張係数の関係を各々の絶縁性フィラー含有率によって簡単に定められる。

（Ｅ２４）図３に示した電子部品内蔵基板の部品収容層形成工程では、図２を参照し、コア材１１ｃの第２面１１１ｃに貼り付けた粘着シートＡｓに、電子部品Ｐ１及びＰ２の各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａを個別に貼り付けた後、当該粘着シートＡｓ上に未硬化材を充填することで、被覆部１１ｂを形成する。これにより、電子部品Ｐ１の厚みＨｐ１と電子部品Ｐ２の高さＨｐ２が異なる場合でも、被覆部１１ｂの第１面１１１ｂ、コア材１１ｃの第２面１１１ｃ、端子面Ｔ１ａ及びＴ２ｂを同一平面上に形成することが容易になる。

（Ｅ２５）図３に示した電子部品内蔵基板では、各電子部品Ｐ１及びＰ２の各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａ上に絶縁性フィラー含有率が高い被覆部１１ｂは介在しない。このため、ビア部形成工程で第１絶縁層１３ａ上からのビア部形成箇所にレーザ光を照射して各孔ＴＨを形成するときに、該第１絶縁層１３ａに含まれる絶縁性フィラーが各孔ＴＨの底、即ち、各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａに溜まることを抑制することができる。したがって、その後の工程で電解メッキによってシグナル配線１４とグランド配線１５と導体ビア１６（孔ＴＨを埋めるように形成されるビア部１４ａ、１５ａ及び１６ａを含む）を形成しても、各ビア部１４ａ、１５ａ及び１６ａと各端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａとの接続を良好に行える。また、レーザ光の強度を高めることなく各孔ＴＨを形成することができるため、各孔ＴＨの底に露出する端子面Ｔ１ａ及びＴ２ａの損傷を抑制することができる。

［他の実施形態（図無し）］
（１）図１と図３には金属製のコア材１１ｃを示したが、上記金属以外の導電体であってもよい。また、該コア材１１ｃをセラミックスや合成樹脂等の非金属材で形成した場合でも上記同様の効果を発揮できる。また、コア材１１ｃを有しない構成とすることも可能であり、この場合も上記同様の効果を発揮できる。

（２）図１と図３にはキャップ状の端子Ｔ１を有する電子部品Ｐ１と平板状の端子Ｔ２を有する電子部品Ｐ２を示したが、端子Ｔ１及びＴ２の形状は特に限定されず、他形状の端子を有する電子部品をキャビティ１１ａに埋設した場合でも上記同様の効果を発揮できる。

（３）図１と図３には厚みが異なる電子部品Ｐ１及びＰ２を示したが、電子部品Ｐ１及びＰ２の厚みが同じ場合でも上記同様の効果を発揮できる。

（４）図３には１つのキャビティに２つの電子部品Ｐ１及びＰ２をともに埋設した電子部品内蔵基板を示したが、１つのキャビティに３つ以上の電子部品をともに埋設した場合でも上記同様の効果を発揮できる。

（５）図１と図３には部品収容層１１の上面と下面のそれぞれにビルドアップ層１２が設けられた電子部品内蔵基板を示したが、部品収容層１１の上面のみにビルドアップ層１２が設けられている場合でも上記同様の効果を発揮できる。また、部品収容層１１の上面に設けられたビルトアップ層１２の配線形態が図１及び図３に示した配線形態と異なる場合でも、第１絶縁層１３ａに相当する絶縁層があれば上記同様の効果を発揮できる。

（６）図１と図３に示す被覆部１１ｂ、第１絶縁層１３ａ及び第２絶縁層１３ｂは、絶縁性フィラーを含有する樹脂材料でそれぞれ形成されると説明したが、これに限定されず、第１絶縁層１３ａ及び第２絶縁層１３ｂの線膨張係数が被覆部１１ｂの線膨張係数よりも大きくなるような絶縁性材料であればよい。

１１…部品収容層、１１ａ…キャビティ、１１ｂ…被覆部、１１１ｂ…第１面、１１ｃ…コア材、１１１ｃ…第２面、Ｐ１，Ｐ２…電子部品、Ｔ１，Ｔ２…端子、Ｔ１ａ，Ｔ２ａ…端子面、Ｐ１０，Ｐ２０…本体、Ｐ１ａ，Ｐ２ａ…凹部、１２…ビルトアップ層、１３ａ…第１絶縁層、１３ｂ…第２絶縁層、１４…シグナル配線、１４ａ…シグナル配線のビア部、１５…グランド配線、１５ａ…グランド配線のビア部、１６…導体ビア、１６ａ…導体ビアのビア部。

Claims (5)

1. 端子面と本体とを含む電子部品と、前記端子面と同一平面上に形成された第１面を含み前記電子部品の本体を被覆し、かつ第１線膨張係数を有する絶縁性の被覆部と、前記端子面と前記第１面と同一平面上の第２面を含み前記電子部品と前記被覆部とを収容するキャビティが形成されたコア材とを有する部品収容層と、
   前記被覆部に隣接して形成され前記第１線膨張係数より大きい第２線膨張係数を有する絶縁層をそれぞれ有し、前記部品収容層を挟んで設けられた２つのビルドアップ層と
   を具備し、
   前記２つのビルドアップ層のうち、一方のビルドアップ層は、前記絶縁層に形成され前記端子面に接続されたビア部を有し、前記一方のビルドアップ層の絶縁層は、前記端子面と前記第１面とに接して形成され、
   前記電子部品の本体は、前記端子面から陥没し、前記被覆部に被覆された凹部を有し、
   前記コア材は、銅または銅合金で形成される
   電子部品内蔵基板。
2. 請求項１に記載の電子部品内蔵基板であって、
   前記電子部品は、前記キャビティに収容された複数の電子部品を含む
   電子部品内蔵基板。
3. 請求項１又は２に記載の電子部品内蔵基板であって、
   前記被覆部は、第１含有率で絶縁性フィラーを含有する第１樹脂材料で形成され、
   前記絶縁層は、前記第１含有率よりも小さい第２含有率で絶縁性フィラーを含有する第２樹脂材料で形成される
   電子部品内蔵基板。
4. 請求項３に記載の電子部品内蔵基板であって、
   前記第１樹脂材料と前記第２樹脂材料との絶縁性フィラーは、いずれも球状である
   電子部品内蔵基板。
5. 端子面と本体とを含む電子部品と、前記端子面と同一平面上の第１面を含み前記電子部品の本体を被覆し、かつ第１含有率で絶縁性フィラーを含有する第１樹脂材料で形成された絶縁性の被覆部と、前記端子面と前記第１面と同一平面上の第２面を含み前記電子部品と前記被覆部とを収容するキャビティが形成されたコア材とを有する部品収容層と、
   前記被覆部に隣接して形成され、前記第１含有率よりも小さい第２含有率で絶縁性フィラーを含有する第２樹脂材料で形成された絶縁層をそれぞれ有し、前記部品収容層を挟んで設けられた２つのビルドアップ層と
   を具備し、
   前記２つのビルドアップ層のうち、一方のビルドアップ層は、前記絶縁層に形成され前記端子面に接続されたビア部を有し、前記一方のビルドアップ層の絶縁層は、前記端子面と前記第１面とに接して形成され、
   前記電子部品の本体は、前記端子面から陥没し、前記被覆部に被覆された凹部を有し、
   前記コア材は、銅または銅合金で形成される
   電子部品内蔵基板。