JP5776373B2 - 電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、ＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリード）パッケージを、基板上にはんだ接続してなる電子装置に関する。

一般に、この種の電子装置としては、たとえば特許文献１に記載のものが提案されている。ここで、ＱＦＮパッケージは、ヒートシンクと、ヒートシンクの外周に設けられた端子電極と、ヒートシンクおよび端子電極を封止するモールド樹脂とを有し、モールド樹脂の一面にてヒートシンクの一面および端子電極の一面がモールド樹脂より露出してなるものである。

一方、基板は回路基板などであるが、このような基板には、一面にソルダーレジスト、ヒートシンク接続ランドおよび端子電極接続ランドが備えられているのが通常である（たとえば、特許文献２参照）。ここで、ヒートシンク接続ランドおよび端子電極接続ランドは、ソルダーレジストに設けられた開口部を介してソルダーレジストより露出している。

そして、パッケージにおけるモールド樹脂の一面を基板の一面に対向させて、ヒートシンクの一面とヒートシンク接続ランドとが対向するとともに、端子電極の一面と端子電極接続ランドとが対向した状態で、モールドパッケージが基板の一面に搭載されている。そして、ヒートシンクの一面とヒートシンク接続ランドとの間、および、端子電極の一面と端子電極接続ランドとの間が、はんだを介して接続されている。

特開２００７−１５００４５号公報 特開２００３−８１９１号公報

ところで、このような電子装置においては、小型化、高密度化の目的で、ＱＦＮパッケージの端子電極の狭ピッチ化が要望されている。しかしながら、それに伴い、端子電極のサイズが小さくなり、基板側の端子電極接続ランドとのはんだを介した接続面積が減少することになり、その影響で、はんだ接続寿命が悪化するなどの問題が生じる。

このような問題に対して、本発明者は、モールドパッケージと基板との間におけるはんだの厚さを厚くすること、すなわち、ヒートシンクとヒートシンク接続ランドとの間のはんだ、および、端子電極の一面と端子電極接続ランドとの間のはんだの厚さを厚くすることで、はんだ接続寿命を向上させることを考えた。

一般に、はんだ厚さを増すと、はんだ層に生じる歪みが低減でき、従って、はんだ接続寿命を向上できるという関係があるためであり、この関係を利用して、電子装置において、はんだ厚さを大きくする構成を採用すればよいと考えた。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ＱＦＮパッケージを、基板上にはんだ接続してなる電子装置において、はんだの厚さを厚く確保するのに適した新規な構成を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、ヒートシンク接続ランド（２１０）における周辺部に、ソルダーレジスト（２３０）がオーバーラップしており、ヒートシンク接続ランド（２１０）におけるソルダーレジスト（２３０）よりも内側の部位に、はんだ（３００）が存在しており、オーバーラップしたソルダーレジスト（２３０）を介して、モールドパッケージ（１００）とヒートシンク接続ランド（２１０）とが接触することで、モールドパッケージ（１００）と基板（２００）との間におけるはんだ（３００）の厚さが規定されており、
さらに、ソルダーレジスト（２３０）の開口部（２３１）内にて、端子電極接続ランド（２２０）は、当該端子電極接続ランド（２２０）における端子電極（１２０）と対向する部位の一部が除去された形状とされており、この端子電極接続ランド（２２０）が除去されている部位においては、はんだ（３００）は、端子電極（１２０）の一面（１２１）と端子電極接続ランド（２２０）との間からはみ出して、端子電極接続ランド（２２０）における厚さ方向の側面（２２１）まで回り込んでいることを特徴とする（図１、図４、図５等参照）。

それによれば、ヒートシンク接続ランド（２１０）における周辺部にて、当該ヒートシンク接続ランド（２１０）とモールドパッケージ（１００）とが、ソルダーレジスト（２３０）を介して接触することで、このソルダーレジスト（２３０）がスペーサの機能を果たし、モールドパッケージ（１００）と基板（２００）との間における、はんだ（３００）の厚さが規定されるため、当該はんだ（３００）の厚さを厚く確保することが可能となる。
さらに、請求項１に記載の発明によれば、端子電極（１２０）と端子電極接続ランド（２２０）とを接続するはんだ（３００）については、端子電極（１２０）の一面（１２１）と端子電極接続ランド（２２０）との間に位置する部分だけでなく、開口部（２３１）内にて端子電極接続ランド（２２０）が除去された部位に回り込んだ分も追加されて、はんだ（３００）の量を多いものにできるから、はんだ（３００）に生じる応力緩和効果が大きくなり、はんだ接続寿命を向上させることができる。

また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の電子装置において、端子電極接続ランド（２２０）における端子電極（１２０）と対向する部位の一部とは、端子電極接続ランド（２２０）における端子電極（１２０）の外側端部（１２４）と対向する部位であって、端子電極接続ランド（２２０）は、端子電極（１２０）の外側端部（１２４）と対向する部位が除去された形状とされたものであることを特徴とする（図４参照）。

それによれば、応力が集中する端子電極（１２０）の外周端部（１２４）の下にて、端子電極接続ランド（２２０）を除去し、はんだ（３００）の量を多くすることで、はんだ接続寿命を向上させることができる。

また、請求項３に記載の発明のように、請求項１または請求項２に記載の電子装置においては、端子電極接続ランド（２２０）における端子電極（１２０）と対向する部位の一部とは、端子電極接続ランド（２２０）における端子電極（１２０）の内側端部（１２５）と対向する部位であって、端子電極接続ランド（２２０）は、端子電極（１２０）の内側端部（１２５）と対向する部位が除去された形状とされたものにできる（図１、図５参照）。

ここで、請求項３に記載の発明においては、端子電極接続ランド（２２０）における端子電極（１２０）と対向する部位の一部、すなわち上記除去されている部位とは、端子電極（１２０）の内側端部（１２５）と対向する部位のみでもよいし、端子電極（１２０）の内側端部（１２５）と対向する部位および外側端部（１２４）と対向する部位の両部位であってもよい。

さらに、請求項４に記載の発明では、請求項３に記載の電子装置において、端子電極接続ランド（２２０）における端子電極（１２０）と対向する部位の一部とは、端子電極接続ランド（２２０）における端子電極（１２０）の内側端部（１２５）と対向する部位であって、端子電極接続ランド（２２０）は、端子電極（１２０）の内側端部（１２５）と対向する部位の一部を除去し、残部を残した形状をなすものであり、
さらに、端子電極接続ランド（２２０）は、端子電極（１２０）の内側端部（１２５）と対向する部位のうち除去されていない残部から、端子電極（１２０）の内側端部（１２５）よりもモールドパッケージ（１００）の内側へ延長された部位（２２３）を有する形状とされており、この延長された部位（２２３）にソルダーレジスト（２３０）がオーバーラップしており、当該オーバーラップしたソルダーレジスト（２３０）を介して、モールドパッケージ（１００）と端子電極接続ランド（２２０）とが接触していることを特徴とする（図７参照）。

それによれば、ヒートシンク接続ランド（２１０）だけでなく、さらに、端子電極接続ランド（２２０）においても、ソルダーレジスト（２３０）によるスペーサ機能が発揮されるため、はんだ（３００）厚さの確保の点で好ましい。

また、請求項５に記載の発明のように、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の電子装置においては、ソルダーレジスト（２３０）の開口部（２３１）内における端子電極接続ランド（２２０）が除去されている部位は、端子電極接続ランド（２２０）に設けられた複数個の孔（２２４）として構成されているものとしてもよい（図１１参照）。

また、請求項６に記載の発明では、請求項１ないし請求項５のいずれか１つに記載の電子装置において、ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）は矩形であり、ヒートシンク接続ランド（２１０）の平面形状は、ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）に対応した矩形であり、ソルダーレジスト（２３０）は、ヒートシンク接続ランド（２１０）の周辺部のうち四隅部（２１１）を除く部位にてオーバーラップしており、四隅部（２１１）とヒートシンク（１１０）の一面（１１１）における四隅部とがはんだ（３００）を介して接続されていることを特徴とする（図９、図１０参照）。

それによれば、応力集中の大きいヒートシンク（１１０）の四隅部がはんだ接続されるので、接続強度の向上が期待できる。
また、請求項７に記載の発明では、ヒートシンク接続ランド（２１０）における周辺部に、ソルダーレジスト（２３０）がオーバーラップしており、ヒートシンク接続ランド（２１０）におけるソルダーレジスト（２３０）よりも内側の部位に、はんだ（３００）が存在しており、オーバーラップしたソルダーレジスト（２３０）を介して、モールドパッケージ（１００）とヒートシンク接続ランド（２１０）とが接触することで、モールドパッケージ（１００）と基板（２００）との間におけるはんだ（３００）の厚さが規定されており、
さらに、ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）は矩形であり、ヒートシンク接続ランド（２１０）の平面形状は、ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）に対応した矩形であり、ソルダーレジスト（２３０）は、ヒートシンク接続ランド（２１０）の周辺部のうち四隅部（２１１）を除く部位にてオーバーラップしており、四隅部（２１１）とヒートシンク（１１０）の一面（１１１）における四隅部とがはんだ（３００）を介して接続されていることを特徴とする。
それによれば、請求項１に記載の発明と同様に、ソルダーレジスト（２３０）がスペーサの機能を果たし、モールドパッケージ（１００）と基板（２００）との間における、はんだ（３００）の厚さが規定されるため、当該はんだ（３００）の厚さを厚く確保することが可能となる。
さらに、請求項７に記載の発明によれば、請求項６に記載の発明と同様に、応力集中の大きいヒートシンク（１１０）の四隅部がはんだ接続されるので、接続強度の向上が期待できる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の第１実施形態に係る電子装置の概略断面図である。 図１中のモールドパッケージにおけるモールド樹脂の一面側の概略平面図である。 図１中の基板の一面側の概略平面図である。 （ａ）は、本発明の第２実施形態に係る電子装置の概略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の端子電極接続ランドの概略平面図である。 （ａ）は、本発明の第３実施形態に係る電子装置の概略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の端子電極接続ランドの概略平面図である。 第３実施形態における他の例としての端子電極接続ランドを示す概略平面図である。 本発明の第４実施形態に係る電子装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は本電子装置中の端子電極接続ランドおよびその近傍を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った本電子装置の全体概略断面図、（ｃ）は（ａ）中の一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った本電子装置の全体概略断面図である。 第４実施形態における他の例としての端子電極接続ランドを示す概略平面図である。 本発明の第５実施形態に係る電子装置の概略断面図である。 図９中の基板の一面側の概略平面図である。 （ａ）は、本発明の第６実施形態に係る電子装置の端子電極接続ランドを示す概略平面図であり、（ｂ）は、同端子電極接続ランドの概略断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置Ｓ１の概略断面構成を示す図であり、図２は、図１中のモールドパッケージ１００におけるモールド樹脂１３０の一面１３１側の概略平面図であり、図３は、図１中の基板２００の一面２０１側の概略平面図である。なお、図１は、図２中の一点鎖線Ａ−Ａに沿った断面を示している。

本実施形態の電子装置Ｓ１は、大きくは、ＱＦＮパッケージであるモールドパッケージ１００におけるモールド樹脂１３０の一面１３１を、基板２００におけるパッケージ搭載面である一面２０１に対向させた状態で、モールドパッケージ１００を、はんだ３００を介して基板２００の一面２０１上に搭載し、はんだ接続してなるものである。ここで、はんだ３００は、一般的な共晶はんだや鉛フリーはんだなどである。

モールドパッケージ１００は、ヒートシンク１１０と、ヒートシンク１１０の外周に設けられた端子電極１２０と、ヒートシンク１１０および端子電極１２０を封止するモールド樹脂１３０とを有している。そして、モールド樹脂１３０の一面１３１にて、ヒートシンク１１０の一面１１１および端子電極１２０の一面１２１が、モールド樹脂１３０より露出している。

ここで、ヒートシンク１１０は、ＣｕやＦｅあるいはＡｌなどの放熱性および導電性に優れた板状のものである。ここでは、ヒートシンク１１０は典型的なものと同様に、矩形板状をなしている。

そして、図１に示されるように、このヒートシンク１１０において、一方の板面である一面１１１がモールド樹脂１３０より露出し、他方の板面である他面１１２には、モールド樹脂１３０内にてパワー素子などの半導体素子１４０が搭載されている。そして、この半導体素子１４０の熱は、ヒートシンク１１０の一面１１１側にて放熱されるようになっている。

端子電極１２０は、ヒートシンク１１０よりも平面サイズが小さい板状のものであり、ヒートシンク１１０の外側に設けられている。この端子電極１２０、ヒートシンク１１０と同様、ＣｕやＦｅあるいはＡｌなどの導電性材料よりなる。

ここでは、これら端子電極１２０、ヒートシンク１１０は、一般的なリードフレーム素材におけるリード部、アイランド部に相当するものである。それ以外にも、ヒートシンク１１０は、当該リードフレーム素材とは別体のものであって、かしめなどにより、当該リードフレーム素材と一体化されたものであってもよい。

そして、図１に示されるように、端子電極１２０は、一方の板面である一面１２１がモールド樹脂１３０より露出し、他方の板面である他面１２２には、モールド樹脂１３０内にてボンディングワイヤ１４１が接続されている。

このボンディングワイヤ１４１は、一般的な金やアルミなどよりなるもので、これにより半導体素子１４０と端子電極１２０とが電気的に接続され、半導体素子１４０は端子電極１２０を介してパッケージ外部と電気的に接続されるようになっている。

ここでは、図１、図２に示されるように、モールドパッケージ１００は、モールド樹脂１３０によってヒートシンク１１０よりも一回り大きい矩形板状の本体が構成されているが、複数個の端子電極１２０は、ヒートシンク１１０の各辺の外側にてモールド樹脂１３０の各辺の端部に配置され、全体として矩形枠状に配列されている。

また、ここでは端子電極１２０は、ヒートシンク１１０から離れる方向、つまりパッケージ内側から外側に向かう方向に沿って長辺が延びる矩形板状をなしている。そして、端子電極１２０におけるパッケージ内側に位置する内側端部１２５、パッケージ外側に位置する外側端部１２４は、端子電極１２０の短辺となっている。

そして、ここでは、端子電極１２０の一面１２１だけでなく、端子電極１２０の外側端部１２４に位置する側面１２３も、モールド樹脂１３０の側面にてモールド樹脂１３０より露出している。

そして、モールド樹脂１３０は、上記各ランド１１０、１２０の露出形態を採用しつつ、これらヒートシンク１１０、端子電極１２０、半導体素子１４０およびボンディングワイヤ１４１を封止し、これらを保護している。このモールド樹脂１３０は、エポキシ樹脂などの一般的なモールド材よりなり、パッケージ本体、ここでは矩形板状の本体を区画するものである。

このように、本実施形態のモールドパッケージ１００においては、本体を区画するモールド樹脂１３０の一面１３１の中央部側にてヒートシンク１１０が露出し、周辺部にて端子電極１２０が露出しており、典型的なＱＦＮパッケージが構成されている。

次に、本電子装置における基板２００は、一般的なプリント基板より構成されるが、それ以外にも、セラミック基板などであってもかまわない。ここでは、図１、図３に示されるように、基板２００は矩形板状をなしている。この基板２００は、一面２０１にソルダーレジスト２３０、ヒートシンク接続ランド２１０および端子電極接続ランド２２０を有している。

ヒートシンク接続ランド２１０は、Ｃｕなどの導体材料よりなる板状をなすものである。ここでは、ヒートシンク接続ランド２１０はヒートシンク１１０に対応したサイズの矩形板状をなしている、このヒートシンク接続ランド２１０は、ヒートシンク１１０の一面１１１と正対して重なり合う位置に設けられ、はんだ３００を介して、ヒートシンク１１０の一面１１１と電気的、機械的に接続されている。

端子電極接続ランド２２０は、Ｃｕなどの導体材料よりなる板状をなすものであり、必要に応じて、表面にはんだ用のめっきが施されたものである。ここでは、端子電極接続ランド２２０は、端子電極１２０に対応したサイズの長方形板状をなしている。

この端子電極接続ランド２２０は、端子電極１２０の一面１２１と重なり合う位置に設けられ、はんだ３００を介して、端子電極１２０の一面１２１と電気的、機械的に接続されている。

ここでは、端子電極接続ランド２２０は、端子電極１２０の外側端部１２４よりもモールドパッケージ１００の外方にはみ出しており、このはみ出した部分と、モールド樹脂１３０より露出する端子電極１２０の外側端部１２４の側面１２３との間に、はんだ３００の良好なフィレットが形成されている。

また、ソルダーレジスト２３０は、この種の装置に用いられる一般的なものであり、このソルダーレジスト２３０で被覆された基板２００の部分に対して、はんだ３００の付着防止、外部からの保護、電気絶縁特性の確保などの役割を果たすものである。このようなソルダーレジスト２３０は、一般的な感光性樹脂や熱硬化性樹脂よりなり、フォトリソグラフ法などによりパターニングされて形成されるものである。

そして、ヒートシンク接続ランド２１０、端子電極接続ランド２２０は、このソルダーレジスト２３０に形成された開口部２３１にて露出しており、それぞれヒートシンク１１０、端子電極１２０とのはんだ付けが可能となっている。

このような本実施形態の電子装置Ｓ１において、基板２００の一面２０１側では、ヒートシンク接続ランド２１０における周辺部に、ソルダーレジスト２３０がオーバーラップしている。

ここでは、図３に示されるように、矩形のヒートシンク接続ランド２１０における各辺の端部から所定領域を、ソルダーレジスト２３０が被覆しており、このオーバーラップしたソルダーレジスト２３０の内郭が矩形状の開口部２３１を構成している。そして、この開口部２３１を介して、ヒートシンク接続ランド２１０の中央部側は、矩形状に露出している。

そして、図１に示されるように、このヒートシンク接続ランド２１０におけるソルダーレジスト２３０よりも内側の部位、すなわち、ヒートシンク接続ランド２１０のうちソルダーレジスト２３０で被覆されずに露出している部位に、はんだ３００が存在している。そして、これにより、ヒートシンク接続ランド２１０とヒートシンク１１０の一面１１１とがはんだ接続されている。

それとともに、本実施形態では、図１に示されるように、当該オーバーラップしたソルダーレジスト２３０を介して、ヒートシンク１１０とヒートシンク接続ランド２１０とが接触することで、モールドパッケージ１００と基板２００との間における、はんだ３００の厚さが規定されている。

これにより、本実施形態によれば、ヒートシンク接続ランド２１０における周辺部にて、当該ヒートシンク接続ランド２１０とモールドパッケージ１００とが、オーバーラップしたソルダーレジスト２３０を介して接触することで、このソルダーレジスト２３０がスペーサの機能を果たす。そして、モールドパッケージ１００と基板２００との間における、はんだ３００の厚さが規定されるため、当該はんだ３００の厚さを厚く確保することができる。

このような電子装置Ｓ１は、上記各ランド２１０、２２０を有する基板２００に、フォトリソグラフ法などによりソルダーレジスト２３０を形成した後、この基板２００の一面２０１上に、印刷などによって、はんだ３００を配置し、上記モールドパッケージ１００を搭載して、はんだ付けを行うことにより製造される。

ここで、本実施形態では、ヒートシンク１１０とヒートシンク接続ランド２１０とで、当該オーバーラップしたソルダーレジスト２３０を挟み込むことにより、このオーバーラップしたソルダーレジスト２３０が、ヒートシンク接続ランド２１０上にてモールドパッケージ１００を支持する。

そうすると、モールドパッケージ１００におけるモールド樹脂１３０の一面１３１とヒートシンク接続ランド２１０との距離は、実質的にオーバーラップしたソルダーレジスト２３０の厚さ寸法（たとえば、数十μｍ程度）となる。

そのため、はんだ付けの際に、このオーバーラップしたソルダーレジスト２３０がスペーサとなり、モールドパッケージ１００と基板２００との間におけるはんだ３００の厚さ、すなわち、ヒートシンク１１０とヒートシンク接続ランド２１０間のはんだ３００の厚さ、および、端子電極１２０と端子電極接続ランド２２０間のはんだ３００の厚さが、規定される。

また、本実施形態では、図１に示されるように、ソルダーレジスト２３０の開口部２３１内にて、端子電極接続ランド２２０は、当該端子電極接続ランド２２０における端子電極１２０と対向する部位の一部が除去された形状とされている。つまり、基板２００においては、開口部２３１にて端子電極１２０と正対し且つ端子電極接続ランド２２０が存在しない部位が設けられている。

ここでは、端子電極接続ランド２２０における端子電極１２０と対向する部位の一部は、端子電極１２０の内側端部１２５と対向する部位であり、端子電極接続ランド２２０は、この端子電極１２０の内側端部１２５と対向する部位が除去された形状とされている。

具体的に図１では、ソルダーレジスト２３０の開口部２３１内にて、端子電極接続ランド２２０は、当該端子電極接続ランド２２０の内側端部全体を端子電極１２０の内側端部１２５よりもパッケージ外側に位置させることにより、当該端子電極接続ランド２２０における上記形状を実現している。

そして、図１に示されるように、この端子電極接続ランド２２０が除去されている部位においては、はんだ３００は、端子電極１２０の一面１２１と端子電極接続ランド２２０との間からはみ出して、端子電極接続ランド２２０における厚さ方向の側面２２１まで回り込んでいる。

つまり、開口部２３１内における端子電極接続ランド２２０が除去されている部位においては、はんだ３００が端子電極接続ランド２２０における厚さ方向の側面２２１まで回り込んでいる。それにより、当該部位では、はんだ３００が端子電極１２０と端子電極接続ランド２２０との距離よりも厚く形成されている。

このような構成によれば、端子電極１２０と端子電極接続ランド２２０とを接続するはんだ３００については、端子電極１２０の一面１２１と端子電極接続ランド２２０との間に位置する部分だけでなく、開口部２３１内にて端子電極接続ランド２２０が除去された部位に回り込んだ分も追加されて、はんだ３００の全体量を多いものにできる。そのため、はんだ３００に生じる応力緩和効果が大きくなり、はんだ接続寿命が向上する。

（第２実施形態）
図４（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る電子装置Ｓ２の概略断面構成を示す図であり、図４（ｂ）は、（ａ）中の端子電極接続ランド２２０の概略平面図である。なお、図４（ｂ）においては、端子電極接続ランド２２０に対向する端子電極１２０の外側端部１２４の位置Ｌ１を一点鎖線Ｌ１で示し、内側端部１２５の位置Ｌ２を一点鎖線Ｌ２で示している。本実施形態では、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

図４においても、上記した図１の場合と同様、１個の開口部２３１に位置する端子電極接続ランド２２０は、端子電極１２０と対向する部位の一部が除去された形状とされている。

しかし、本実施形態では、端子電極接続ランド２２０における端子電極１２０と対向する部位の一部は、端子電極接続ランド２２０における端子電極１２０の外側端部１２４と対向する部位であり、本実施形態の端子電極接続ランド２２０は、この端子電極１２０の外側端部１２４と対向する部位が除去された形状とされている。

具体的には、端子電極接続ランド２２０の中間部における端子電極１２０の外側端部１２４と対向する部位にスリット２２２を入れて、当該部位を除去することにより、当該端子電極接続ランド２２０における上記形状を実現している。このような形状は、フォトリソグラフ法などを用いたエッチングなどにより、容易に実現できる。

そして、この端子電極接続ランド２２０が除去されている部位においては、はんだ３００は、端子電極１２０の一面１２１と端子電極接続ランド２２０との間からはみ出して、端子電極接続ランド２２０における厚さ方向の側面２２１まで回り込んでいる。ここでは、端子電極接続ランド２２０が除去されている部位であるスリット２２２の全体もしくは一部を埋めるように、はんだ３００が回り込んでいる。

ここで、端子電極１２０の外側端部１２４は、端子電極１２０のうちで最も応力が集中しやすい部位であるが、本実施形態によれば、この端子電極１２０の外周端部１２４の下にて、端子電極接続ランド２２０を除去し、はんだ３００の量を多くできるから、はんだ接続寿命の向上が期待できる。

なお、上記図１に示した端子電極接続ランド２２０において、さらに、本実施形態のように、端子電極１２０の外側端部１２４と対向する部位が除去された形状としてもよい。

（第３実施形態）
図５（ａ）は、本発明の第３実施形態に係る電子装置Ｓ３の概略断面構成を示す図であり、図５（ｂ）は、（ａ）中の端子電極接続ランド２２０の概略平面図である。なお、図５（ｂ）においても、端子電極接続ランド２２０に対向する端子電極１２０の外側端部１２４の位置Ｌ１を一点鎖線Ｌ１で示し、内側端部１２５の位置Ｌ２を一点鎖線Ｌ２で示している。本実施形態では、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

図５に示されるように、本実施形態においても、上記した図１の場合と同様、１個の開口部２３１に位置する端子電極接続ランド２２０は、端子電極１２０と対向する部位の一部として、端子電極１２０の内側端部１２５と対向する部位が除去された形状とされている。

しかし、本実施形態では、端子電極接続ランド２２０は、当該端子電極接続ランド２２０の内側端部が端子電極１２０の内側端部１２５よりもパッケージの内側に位置している。そして、この端子電極接続ランドにおける両端部１２４、１２５間に位置する中間部において、端子電極１２０の内側端部１２５と対向する部位にスリット２２２を入れて除去することにより、当該端子電極接続ランド２２０における上記形状を実現している。

そして、本実施形態においても、端子電極接続ランド２２０における当該スリット２２２にて、はんだ３００は、端子電極接続ランド２２０における厚さ方向の側面２２１まで回り込んでいる。

この場合も、上記図１の場合と同様に、回り込んだはんだ３００によって、はんだ量が増加し、応力緩和効果の増大、はんだ接続寿命の向上といった効果が期待できる。また、上記図１のものに比べて、本実施形態の方が、端子電極接続ランド２２０のサイズが大きく、全体として、はんだ接続面積が多くなるという利点がある。

ここで、図６は、本第３実施形態の他の例としての端子電極接続ランド２２０を示す概略平面図である。図６に示されるように、上記図５に示した端子電極接続ランド２２０において、さらに、上第２実施形態（図５参照）のように、端子電極１２０の外側端部１２４と対向する部位が除去された形状としてもよい。

つまり、この図６の場合、端子電極接続ランド２２０において端子電極１２０と対向する部位の一部、すなわち、除去されている部位とは、端子電極１２０の内側端部１２５と対向する部位、および、端子電極１２０の外側端部１２４と対向する部位とされる。

（第４実施形態）
図７は、本発明の第４実施形態に係る電子装置Ｓ４の概略構成を示す図である。この図７において、（ａ）は本電子装置Ｓ４中の端子電極接続ランド２２０およびその近傍を示す概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った本電子装置Ｓ４の全体概略断面図、（ｃ）は（ａ）中の一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った本電子装置Ｓ４の全体概略断面図である。

なお、図７（ａ）においても、端子電極接続ランド２２０に対向する端子電極１２０の外側端部１２４の位置Ｌ１を一点鎖線Ｌ１で示し、内側端部１２５の位置Ｌ２を一点鎖線Ｌ２で示している。本実施形態は、上記第４実施形態を一部変形したものであり、上記第４実施形態との相違点を中心に述べることとする。

本実施形態においても、上記した第３実施形態と同様、１個の開口部２３１に位置する端子電極接続ランド２２０は、端子電極１２０と対向する部位の一部として、端子電極１２０の内側端部１２５と対向する部位が除去された形状とされている。

しかし、本実施形態では、図７に示されるように、端子電極接続ランド２２０は、この端子電極１２０の内側端部１２５と対向する部位の一部のみスリット２２２を入れて除去し、残部は残した形状をなしている。

具体的に図７では、端子電極接続ランド２２０は、この端子電極１２０の内側端部１２５と対向する部位の中央部をスリット２２２によって除去し、両側部分を残部として残した形状とされている。そして、この端子電極接続ランド２２０における当該スリット２２２の部分では、はんだ３００は、端子電極接続ランド２２０における厚さ方向の側面２２１まで回り込んでいる。

さらに、図７に示される端子電極接続ランド２２０は、端子電極１２０の内側端部１２５と対向する部位のうち除去されていない残部から、端子電極１２０の内側端部１２５よりもモールドパッケージ１００の内側へ延長された部位である延長部２２３を有する形状とされている。

そして、図７に示されるように、この延長部２２３にソルダーレジスト２３０がオーバーラップしており、当該オーバーラップしたソルダーレジスト２３０を介して、モールドパッケージ１００と端子電極接続ランド２２０とが接触している。

本実施形態によれば、ヒートシンク接続ランド２１０だけでなく、さらに、端子電極接続ランド２２０においても、オーバーラップしたソルダーレジスト２３０によるスペーサ機能が発揮されるため、はんだ３００厚さの確保の点で好ましい。

ここで、図８は、本第４実施形態の他の例としての端子電極接続ランド２２０を示す概略平面図である。上記スリット２２２と、延長部２２３を含む残部との位置関係は、上記図７に限定されるものではなく、たとえば図８に示される配置形態でもよい。

図８（ａ）では、端子電極接続ランド２２０において、端子電極１２０の内側端部１２５と対向する部位の中央部を残部として残し、その両側部分を除去した形状としている。また、図８（ｂ）では、端子電極接続ランド２２０において、端子電極１２０の内側端部１２５と対向する部位の一側を除去し、他側を残部として残した形状としている。

なお、上記図７、図８に示される端子電極接続ランド２２０において、さらに、上第２実施形態（図５参照）のように、端子電極１２０の外側端部１２４と対向する部位が除去された形状としてもよい。

（第５実施形態）
図９は、本発明の第５実施形態に係る電子装置Ｓ５の概略断面構成を示す図であり、図１０は、図９中の基板２００の一面２０１側の概略平面図である。なお、図９は、図１０中の一点鎖線Ｄ−Ｄに沿った断面を示している。

本実施形態は、上記各実施形態において、ヒートシンク１１０とヒートシンク接続ランド２１０とのはんだ接続形態を変形したものであり、この変形した部分を中心に述べることとする。

図９、図１０に示されるように、本実施形態においても、ヒートシンク１１０の一面１１１は矩形であり、ヒートシンク接続ランド２１０の平面形状は、ヒートシンク１１０の一面１１１に対応した矩形である。

ここで、上記各実施形態では、ソルダーレジスト２３０は、矩形のヒートシンク接続ランド２１０の周辺部にて矩形の額縁状にオーバーラップしたものであったが、ここでは、ソルダーレジスト２３０は、ヒートシンク接続ランド２１０の周辺部のうち四隅部２１１を除く部位にてオーバーラップしたものとされている。

つまり、本実施形態では、ヒートシンク接続ランド２１０の周辺部のうち四隅部２１１は露出し、その四隅部２１１間に位置する辺部はソルダーレジスト２３０に被覆された状態となっている。

そして、ヒートシンク１１０−ヒートシンク接続ランド２１０間の中央部に加えて、この四隅部２１１とヒートシンク１１０の一面１１１における四隅部とが、はんだ３００を介して接続されている。本実施形態によれば、応力集中の大きいヒートシンク１１０の四隅部がはんだ接続されるので、接続強度がさらに向上する。

（第６実施形態）
図１１（ａ）は、本発明の第６実施形態に係る電子装置の要部としての端子電極接続ランド２２０を示す概略平面図であり、図１１（ｂ）は、同端子電極接続ランド２２０の概略断面図である。

図１１に示されるように、端子電極接続ランド２２０が除去されている部位は、端子電極接続ランド２２０に設けられた複数個の孔２２４として構成されていてもよい。

このような孔２２４は、たとえば基板２００に対してレーザ加工によりビアを形成する工程において、端子電極接続ランド２２０にも同様にレーザによる穴開けを行えば、当該工程において当該ビアと孔２２４の形成が同時に行える。なお、ここでは孔２２４は、端子電極接続ランド２２０を厚さ方向に貫通していないが、当該厚さ方向の全体に貫通するものであってもよい。

また、この孔２２４は、端子電極接続ランド２２０における端子電極１２０と対向する部位の一部に設けられていればよく、具体的には、端子電極１２０の外側端部１２４と対向する部位や、端子電極１２０の内側端部１２５と対向する部位に設けてもよい。

（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、ソルダーレジスト２３０の開口部２３１内にて、端子電極接続ランド２２０は、当該端子電極接続ランド２２０における端子電極１２０と対向する部位の一部が除去された形状とされていたが、端子電極接続ランド２２０は、一般のものと同様に、基板２００における端子電極１２０と対向する部位の全体に存在するものであってもよい。

また、ヒートシンク１１０、端子電極１２０、各ランド２１０、２２０の形状等については、上記図面に示したものに限定されるものではなく、ＱＦＮパッケージおよびそれを搭載する基板において適用可能なものであれば適宜設計変更してもよいことはもちろんである。

１００ モールドパッケージ
１１０ ヒートシンク
１１１ ヒートシンクの一面
１２０ 端子電極
１２１ 端子電極の一面
１２４ 端子電極の外側端部
１２５ 端子電極の内側端部
１３０ モールド樹脂
１３１ モールド樹脂の一面
２００ 基板
２０１ 基板の一面
２１０ ヒートシンク接続ランド
２１１ ヒートシンク接続ランドの四隅部
２２０ 端子電極接続ランド
２２１ 端子電極ランドにおける厚さ方向の側面
２２３ 端子電極接続ランドの延長部
２２４ 孔
２３０ ソルダーレジスト
２３１ 開口部
３００ はんだ

Claims (7)

1. ヒートシンク（１１０）と、前記ヒートシンク（１１０）の外周に設けられた端子電極（１２０）と、前記ヒートシンク（１１０）および前記端子電極（１２０）を封止するモールド樹脂（１３０）とを有し、前記モールド樹脂（１３０）の一面（１３１）にて前記ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）および前記端子電極（１２０）の一面（１２１）が前記モールド樹脂（１３０）より露出してなるモールドパッケージ（１００）と、
   一面（２０１）にソルダーレジスト（２３０）と、前記ソルダーレジスト（２３０）に設けられた開口部（２３１）を介して前記ソルダーレジスト（２３０）より露出するヒートシンク接続ランド（２１０）および端子電極接続ランド（２２０）とを有する基板（２００）と、を備え、
   前記ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）と前記ヒートシンク接続ランド（２１０）とが対向するとともに、前記端子電極（１２０）の一面（１２１）と前記端子電極接続ランド（２２０）とが対向した状態で、前記モールドパッケージ（１００）が前記基板（２００）の一面（２０１）に搭載されており、
   前記ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）と前記ヒートシンク接続ランド（２１０）との間、および、前記端子電極（１２０）の一面（１２１）と前記端子電極接続ランド（２２０）との間が、はんだ（３００）を介して接続されてなる電子装置において、
   前記ヒートシンク接続ランド（２１０）における周辺部に、前記ソルダーレジスト（２３０）がオーバーラップしており、
   前記ヒートシンク接続ランド（２１０）における前記ソルダーレジスト（２３０）よりも内側の部位に、前記はんだ（３００）が存在しており、
   前記オーバーラップしたソルダーレジスト（２３０）を介して、前記モールドパッケージ（１００）と前記ヒートシンク接続ランド（２１０）とが接触することで、前記モールドパッケージ（１００）と前記基板（２００）との間における前記はんだ（３００）の厚さが規定されており、
   前記ソルダーレジスト（２３０）の前記開口部（２３１）内にて、前記端子電極接続ランド（２２０）は、当該端子電極接続ランド（２２０）における前記端子電極（１２０）と対向する部位の一部が除去された形状とされており、
   この端子電極接続ランド（２２０）が除去されている部位においては、前記はんだ（３００）は、前記端子電極（１２０）の一面（１２１）と前記端子電極接続ランド（２２０）との間からはみ出して、前記端子電極接続ランド（２２０）における厚さ方向の側面（２２１）まで回り込んでいることを特徴とする電子装置。
2. 前記端子電極接続ランド（２２０）における前記端子電極（１２０）と対向する部位の一部とは、前記端子電極接続ランド（２２０）における前記端子電極（１２０）の外側端部（１２４）と対向する部位であって、
   前記端子電極接続ランド（２２０）は、前記端子電極（１２０）の外側端部（１２４）と対向する部位が除去された形状とされたものであることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
3. 前記端子電極接続ランド（２２０）における前記端子電極（１２０）と対向する部位の一部とは、前記端子電極接続ランド（２２０）における前記端子電極（１２０）の内側端部（１２５）と対向する部位であって、
   前記端子電極接続ランド（２２０）は、前記端子電極（１２０）の内側端部（１２５）と対向する部位が除去された形状とされたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
4. 前記端子電極接続ランド（２２０）における前記端子電極（１２０）と対向する部位の一部とは、前記端子電極接続ランド（２２０）における前記端子電極（１２０）の内側端部（１２５）と対向する部位であって、
   前記端子電極接続ランド（２２０）は、前記端子電極（１２０）の内側端部（１２５）と対向する部位の一部を除去し、残部を残した形状をなすものであり、
   さらに、前記端子電極接続ランド（２２０）は、前記端子電極（１２０）の内側端部（１２５）と対向する部位のうち除去されていない前記残部から、前記端子電極（１２０）の内側端部（１２５）よりも前記モールドパッケージ（１００）の内側へ延長された部位（２２３）を有する形状とされており、
   この延長された部位（２２３）に前記ソルダーレジスト（２３０）がオーバーラップしており、
   当該オーバーラップした前記ソルダーレジスト（２３０）を介して、前記モールドパッケージ（１００）と前記端子電極接続ランド（２２０）とが接触していることを特徴とする請求項３に記載の電子装置。
5. 前記ソルダーレジスト（２３０）の前記開口部（２３１）内における前記端子電極接続ランド（２２０）が除去されている部位は、前記端子電極接続ランド（２２０）に設けられた複数個の孔（２２４）として構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子装置。
6. 前記ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）は矩形であり、
   前記ヒートシンク接続ランド（２１０）の平面形状は、前記ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）に対応した矩形であり、
   前記ソルダーレジスト（２３０）は、前記ヒートシンク接続ランド（２１０）の周辺部のうち四隅部（２１１）を除く部位にてオーバーラップしており、
   前記四隅部（２１１）と前記ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）における四隅部とが前記はんだ（３００）を介して接続されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の電子装置。
7. ヒートシンク（１１０）と、前記ヒートシンク（１１０）の外周に設けられた端子電極（１２０）と、前記ヒートシンク（１１０）および前記端子電極（１２０）を封止するモールド樹脂（１３０）とを有し、前記モールド樹脂（１３０）の一面（１３１）にて前記ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）および前記端子電極（１２０）の一面（１２１）が前記モールド樹脂（１３０）より露出してなるモールドパッケージ（１００）と、
   一面（２０１）にソルダーレジスト（２３０）と、前記ソルダーレジスト（２３０）に設けられた開口部（２３１）を介して前記ソルダーレジスト（２３０）より露出するヒートシンク接続ランド（２１０）および端子電極接続ランド（２２０）とを有する基板（２００）と、を備え、
   前記ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）と前記ヒートシンク接続ランド（２１０）とが対向するとともに、前記端子電極（１２０）の一面（１２１）と前記端子電極接続ランド（２２０）とが対向した状態で、前記モールドパッケージ（１００）が前記基板（２００）の一面（２０１）に搭載されており、
   前記ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）と前記ヒートシンク接続ランド（２１０）との間、および、前記端子電極（１２０）の一面（１２１）と前記端子電極接続ランド（２２０）との間が、はんだ（３００）を介して接続されてなる電子装置において、
   前記ヒートシンク接続ランド（２１０）における周辺部に、前記ソルダーレジスト（２３０）がオーバーラップしており、
   前記ヒートシンク接続ランド（２１０）における前記ソルダーレジスト（２３０）よりも内側の部位に、前記はんだ（３００）が存在しており、
   前記オーバーラップしたソルダーレジスト（２３０）を介して、前記モールドパッケージ（１００）と前記ヒートシンク接続ランド（２１０）とが接触することで、前記モールドパッケージ（１００）と前記基板（２００）との間における前記はんだ（３００）の厚さが規定されており、
   前記ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）は矩形であり、
   前記ヒートシンク接続ランド（２１０）の平面形状は、前記ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）に対応した矩形であり、
   前記ソルダーレジスト（２３０）は、前記ヒートシンク接続ランド（２１０）の周辺部のうち四隅部（２１１）を除く部位にてオーバーラップしており、
   前記四隅部（２１１）と前記ヒートシンク（１１０）の一面（１１１）における四隅部とが前記はんだ（３００）を介して接続されていることを特徴とする電子装置。

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