JP5805452B2 - LSI circuit diagram restoration device - Google Patents
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本発明は、LSIのレイアウトパターンを示す設計データに基づいて、当該LSIの回路図を復元するLSIの回路図復元装置に関する。 The present invention relates to an LSI circuit diagram restoration device for restoring an LSI circuit diagram based on design data indicating an LSI layout pattern.
LSIは、多数の回路素子の集合体であり、その設計データには、素子を構成する半導体層、導体層などの領域を示す図形やその配置を示す座標など、膨大な情報が含まれている。このような膨大な情報を効率的に収容するために、LSIの設計データは、通常、セルを最小単位とした階層構造をもって構築されており、この階層構造をもった設計データを展開することにより、多数の図形を平面上に並べたレイアウトパターンを得ることができる。 An LSI is an aggregate of a large number of circuit elements, and the design data includes a large amount of information such as figures indicating areas such as semiconductor layers and conductor layers constituting the elements and coordinates indicating their arrangement. . In order to efficiently accommodate such an enormous amount of information, LSI design data is usually built with a hierarchical structure with cells as the smallest unit, and by developing this hierarchically structured design data, A layout pattern in which a large number of figures are arranged on a plane can be obtained.
LSIを製造する際には、このレイアウトパターンをディスプレイ画面上に表示して確認作業や検証作業を行うことが重要である。そのため、LSIの設計データに基づいて、レイアウトパターンを表示するレイアウトパターン表示装置が従来から利用されている。たとえば、下記の特許文献1には、LSIの設計データから、所望の一部分のレイアウトパターンを抽出し、これを画面上に表示する装置が開示されている。また、特許文献2には、階層構造をもった設計データに基づいて、ウインドウの内外に異なる階層のレイアウトパターンを展開して表示するレイアウト検証装置が開示されており、レイアウトパターンに対する等電位追跡処理によりネットリストを作成できることが記載されている。 When manufacturing an LSI, it is important to display the layout pattern on a display screen and perform a confirmation operation or a verification operation. Therefore, a layout pattern display device that displays a layout pattern based on LSI design data has been conventionally used. For example, Patent Document 1 below discloses an apparatus that extracts a desired partial layout pattern from LSI design data and displays it on a screen. Further, Patent Document 2 discloses a layout verification device that expands and displays layout patterns of different hierarchies in and out of a window based on design data having a hierarchical structure. Describes that a netlist can be created.
一方、LSIの設計データから、個々の素子の情報を復元する技術も提案されている。たとえば、下記の特許文献3には、LSIの設計データに基づいて等電位追跡を行い、個々の素子を認識する技術が開示されており、特許文献4には、レイアウトデータから電子回路を復元した後、冗長な素子を検索して削減する技術が開示されている。 On the other hand, a technique for restoring individual element information from LSI design data has also been proposed. For example, Patent Document 3 below discloses a technology for performing equipotential tracking based on LSI design data and recognizing individual elements. Patent Document 4 discloses an electronic circuit restored from layout data. Later, a technique for searching for and reducing redundant elements is disclosed.
上述したとおり、セルを最小単位とする階層構造を有するLSIの設計データに基づいて、階層構造を展開することによりレイアウトパターンを作成し、これをディスプレイの画面上に表示する装置は従来から利用されている。また、前掲の特許文献4などによって、レイアウトパターンから、元の回路図を復元する手法もいくつか提案されている。 As described above, a device that creates a layout pattern by expanding a hierarchical structure based on LSI design data having a hierarchical structure with cells as a minimum unit and displays the layout pattern on a display screen has been conventionally used. ing. Also, several techniques for restoring the original circuit diagram from the layout pattern have been proposed by the above-mentioned Patent Document 4 and the like.
しかしながら、平面上に展開されたレイアウトパターンは、多数の図形の集合体であり、レイアウトパターン自身には、セルの概念は存在しない。そのため、レイアウトパターンから回路図を正確に復元することは困難であり、これまで提案されている手法は、いずれも実用性に問題がある。特に、従来提案されている方法では、ディスプレイ画面上に一部のレイアウトパターンを表示させた状態において、当該レイアウトパターンの特定箇所近傍の回路図を効率的、かつ、正確に復元させることは困難である。 However, the layout pattern developed on the plane is an aggregate of a large number of figures, and the concept of cells does not exist in the layout pattern itself. For this reason, it is difficult to accurately restore a circuit diagram from a layout pattern, and any of the methods proposed so far has a problem in practicality. In particular, with the conventionally proposed method, it is difficult to efficiently and accurately restore the circuit diagram in the vicinity of a specific part of the layout pattern in a state where a part of the layout pattern is displayed on the display screen. is there.
そこで本発明は、レイアウトパターンの任意の一部分の回路図を正確に復元することが可能なLSIの回路図復元装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an LSI circuit diagram restoration apparatus capable of accurately restoring a circuit diagram of an arbitrary part of a layout pattern.
(1) 本発明の第1の態様は、LSIのレイアウトパターンを示す設計データに基づいて、当該LSIの回路図を復元するLSIの回路図復元装置において、
LSIを構成する個々のセルについて、その構成要素となる図形をレイヤーごとに収録したセル構成データを格納するセル構成データ格納部と、
複数のセルを所定位置に配置してなるブロックについて、各セルの位置座標を示すセル配置情報と、セル間配線を構成する図形を示すセル間配線情報と、を含むブロック構成データを格納するブロック構成データ格納部と、
セル構成データ格納部およびブロック構成データ格納部に対してデータを入力する設計データ入力部と、
セル構成データおよびブロック構成データに基づいて、平面上に表示対象パターンを描画し、これを画像として表示するレイアウトパターン表示部と、
セル構成データに含まれるレイヤーのうち、セル枠決定に用いる特定のレイヤーを示す情報を含むセル枠決定条件と、セル構成データおよびブロック構成データに含まれる複数の図形が、相互に等電位となる要件を示す等電位追跡条件と、セル構成データに含まれている図形に基づいて領域認識を行うための領域認識条件と、複数の領域および端子点の接続関係に基づいて特定の素子を認識する素子認識条件と、を設定する条件設定部と、
個々のセルについて、セル構成データのセル枠決定に用いる特定のレイヤーに収録されている図形を抽出し、抽出した図形の論理和図形を形成し、この論理和図形の外接図形をセル枠として求めるセル枠決定部と、
セル間配線情報に含まれる図形のうち、セル枠と交差する交差図形について、セル枠が交差図形によって切り取られる交差線分を認識し、この交差線分上の1点に端子点を決定する端子点決定部と、
等電位追跡条件に基づいて、レイアウトパターンを構成する特定の着目図形に対して等電位となる別な図形を等電位図形として認識する等電位追跡部と、
領域認識条件に基づいて、所定の認識対象セル内のセル構成データに含まれている図形について、素子を構成する個々の素子構成領域を認識する領域認識部と、
領域認識部が認識した複数の素子構成領域および端子点決定部が決定した端子点の接続関係を、等電位追跡部によって相互に等電位であると認識された図形については電気的に接続されたものとして取り扱いながら、素子認識条件と照合することにより、認識対象セルに対応する素子を認識する素子認識部と、
素子認識部が認識した素子を論理回路記号に対応づけ、セル間配線情報を論理回路記号間の結線に対応づけることにより、表示対象回路についての論理回路図を表示する回路図表示部と、
レイアウトパターン表示部に対して表示対象パターンを指定する機能と、回路図表示部に対して表示対象回路を指定する機能と、を有する表示対象指定部と、
を設け、
セル構成データ格納部が、所定の識別コードが付されたレイヤーごとに、それぞれその構成要素となる図形を収録したセル構成データを格納し、
ブロック構成データ格納部が、所定の識別コードが付されたレイヤーごとに、セル間配線もしくはブロック間配線を構成する図形を収録した配線情報を格納し、
条件設定部が、等電位追跡条件として、導電性レイヤーを示す情報とともに、複数のレイヤー間を接続するためのコンタクトを示す図形を含むコンタクトレイヤーを示す情報を設定し、
等電位追跡部が、互いに同一の識別コードが付された複数の導電性レイヤーに所属する図形が平面的に重畳している場合には、当該重畳図形が等電位であると認識し、互いに異なる識別コードが付された複数の導電性レイヤーに所属する図形が平面的に重畳している場合には、重畳領域にコンタクトレイヤーに所属する図形が存在する場合に限り、当該重畳図形が等電位であると認識するようにしたものである。
(1) According to a first aspect of the present invention, there is provided an LSI circuit diagram restoration device for restoring a circuit diagram of an LSI based on design data indicating an LSI layout pattern.
A cell configuration data storage unit for storing cell configuration data in which individual components constituting an LSI are recorded for each layer of a figure as a component;
A block for storing block configuration data including cell arrangement information indicating the position coordinates of each cell and inter-cell wiring information indicating a figure constituting the inter-cell wiring for a block in which a plurality of cells are arranged at predetermined positions. A configuration data storage;
A design data input unit for inputting data to the cell configuration data storage unit and the block configuration data storage unit;
A layout pattern display unit that draws a display target pattern on a plane based on the cell configuration data and the block configuration data, and displays the pattern as an image;
Among the layers included in the cell configuration data, the cell frame determination condition including information indicating a specific layer used for cell frame determination and the plurality of figures included in the cell configuration data and the block configuration data are equipotential to each other. Recognize a specific element based on equipotential tracking conditions indicating requirements, area recognition conditions for performing area recognition based on graphics included in cell configuration data, and connection relationships between multiple areas and terminal points A condition setting unit for setting element recognition conditions;
For each cell, a figure recorded in a specific layer used to determine the cell frame of the cell configuration data is extracted, a logical sum figure of the extracted figure is formed, and a circumscribed figure of this logical sum figure is obtained as a cell frame. A cell frame determination unit;
A terminal that recognizes the intersection line segment that is cut by the intersection figure for the intersection figure that intersects the cell frame among the figures included in the inter-cell wiring information, and determines the terminal point at one point on this intersection line segment A point determination unit;
An equipotential tracking unit that recognizes another figure that is equipotential as an equipotential figure with respect to a specific figure of interest constituting the layout pattern based on the equipotential tracking condition;
An area recognition unit for recognizing each element configuration area constituting an element for a graphic included in cell configuration data in a predetermined recognition target cell based on an area recognition condition;
The connection relationship between the plurality of element configuration regions recognized by the region recognition unit and the terminal points determined by the terminal point determination unit is electrically connected to the figures recognized as being equipotential to each other by the equipotential tracking unit. An element recognition unit that recognizes an element corresponding to a recognition target cell by checking with an element recognition condition while handling it as an object,
A circuit diagram display unit for displaying a logic circuit diagram for a display target circuit by associating an element recognized by the element recognition unit with a logic circuit symbol and associating inter-cell wiring information with a connection between logic circuit symbols;
A display target designating unit having a function of designating a display target pattern for the layout pattern display unit, and a function of designating a display target circuit for the circuit diagram display unit,
Provided,
The cell configuration data storage unit stores cell configuration data in which a figure as a component is recorded for each layer to which a predetermined identification code is attached,
The block configuration data storage unit stores wiring information including figures constituting the inter-cell wiring or inter-block wiring for each layer to which a predetermined identification code is attached,
The condition setting unit sets information indicating a contact layer including a figure indicating a contact for connecting between a plurality of layers together with information indicating a conductive layer as an equipotential tracking condition,
The equipotential tracking unit recognizes that the superimposed figure is equipotential when the figures belonging to a plurality of conductive layers with the same identification code are superimposed on each other, and is different from each other. When a figure belonging to multiple conductive layers with identification codes is superimposed in a plane, the superimposed figure is equipotential only if there is a figure belonging to the contact layer in the overlap area. It is intended to recognize that there is.
(2) 本発明の第2の態様は、上述した第1の態様に係るLSIの回路図復元装置において、
ブロックが配置された第1番目〜第(n−1)番目の階層と、セルが配置された第n番目の階層と、を含む全n階層(但し、n≧2)からなる階層構造をもったLSIのレイアウトパターンを取り扱うために、
セル構成データ格納部には、第n番目の階層に所属する個々のセルについて、その構成要素となる図形をレイヤーごとに収録したセル構成データが格納されており、
ブロック構成データ格納部には、第i番目(1≦i≦n−1)の階層に所属するブロックについてのブロック構成データとして、i<n−1の場合には、下位階層に所属するブロックの位置座標を示すブロック配置情報と、ブロック間配線を構成する図形を示すブロック間配線情報と、が格納され、i=n−1の場合には、下位階層に所属するセルの位置座標を示すセル配置情報と、セル間配線を構成する図形を示すセル間配線情報と、が格納されており、
端子点決定部が、セル間配線情報に含まれる図形についての端子点とともに、ブロック間配線情報に含まれる図形についての端子点を決定するようにしたものである。
(2) According to a second aspect of the present invention, in the LSI circuit diagram restoration device according to the first aspect described above,
It has a hierarchical structure consisting of all n layers (where n ≧ 2) including the 1st to (n−1) th layers in which blocks are arranged and the nth layer in which cells are arranged. To handle the layout pattern of LSI
The cell configuration data storage unit stores cell configuration data in which individual components belonging to the nth layer are recorded as graphic elements for each layer.
The block configuration data storage unit stores block configuration data for blocks belonging to the i-th (1 ≦ i ≦ n−1) hierarchy, and in the case of i <n−1, Block arrangement information indicating position coordinates and inter-block wiring information indicating graphics constituting the inter-block wiring are stored. When i = n−1, a cell indicating the position coordinates of a cell belonging to a lower layer is stored. Placement information and inter-cell wiring information indicating a figure constituting inter-cell wiring are stored,
The terminal point determination unit determines the terminal points for the graphic included in the inter-block wiring information together with the terminal points for the graphic included in the inter-cell wiring information.
(3) 本発明の第3の態様は、上述した第1または第2の態様に係るLSIの回路図復元装置において、
セル構成データ格納部が、xy座標系において、x軸もしくはy軸に平行な辺によって構成される多角形からなる図形を収録したセル構成データを格納し、
セル枠決定部が、x軸もしくはy軸に平行な辺によって構成される正則外接矩形をセル枠として求めるようにしたものである。
(3) According to a third aspect of the present invention, in the LSI circuit diagram restoring device according to the first or second aspect described above,
The cell configuration data storage unit stores cell configuration data in which a graphic composed of polygons constituted by sides parallel to the x axis or the y axis in the xy coordinate system is recorded,
The cell frame determination unit obtains a regular circumscribed rectangle formed by sides parallel to the x axis or the y axis as the cell frame.
(4) 本発明の第4の態様は、上述した第1〜第3の態様に係るLSIの回路図復元装置において、
条件設定部が、等電位追跡条件として、互いに異なる識別コードが付された一対のレイヤーの組み合わせについての優先順位を設定し、
等電位追跡部が、互いに異なる識別コードが付された3以上のレイヤーに所属する図形が平面的に重畳しており、重畳領域にコンタクトレイヤーに所属する図形が存在する場合には、優先順位に基づく一対のレイヤーに所属する重畳図形のみが等電位であると認識するようにしたものである。
(4) A fourth aspect of the present invention is an LSI circuit diagram restoration device according to the first to third aspects described above,
The condition setting unit sets the priority order for the combination of a pair of layers with different identification codes as equipotential tracking conditions,
When the equipotential tracking unit has two-dimensionally superimposed figures belonging to three or more layers with different identification codes attached, and there is a figure belonging to the contact layer in the overlapping area, Only the superimposed figure belonging to the pair of layers based on it is recognized as being equipotential.
(5) 本発明の第5の態様は、上述した第1〜第4の態様に係るLSIの回路図復元装置において、
端子点決定部が、セル枠と交差する各交差図形を着目図形として等電位追跡部に等電位追跡指示を与え、各交差図形のうちセル枠に対応するセル構成データに収録されているいずれかの図形が等電位図形となる交差図形のみについて交差線分の認識を行うようにしたものである。
(5) According to a fifth aspect of the present invention, in the LSI circuit diagram restoration device according to the first to fourth aspects described above,
The terminal point determination unit uses each crossed figure intersecting the cell frame as a target figure and gives an equipotential tracking instruction to the equipotential tracking unit, and any of the crossed figures recorded in the cell configuration data corresponding to the cell frame The intersection line segment is recognized only for the intersecting figure in which the figure becomes an equipotential figure.
(6) 本発明の第6の態様は、上述した第1〜第5の態様に係るLSIの回路図復元装置において、
条件設定部が、異なる複数のレイヤーに所属する図形の論理積領域を特定の素子構成領域に対応づけるルール、および、特定のレイヤーに所属し、認識した特定の素子構成領域を含む図形の領域を特定の素子構成領域に対応づけるルールを、領域認識条件として設定するようにしたものである。
(6) According to a sixth aspect of the present invention, in the above-described LSI circuit diagram restoration device according to the first to fifth aspects ,
The condition setting unit assigns the logical product area of figures belonging to different layers to a specific element configuration area, and the figure area belonging to the specific layer and including the recognized specific element configuration area. A rule associated with a specific element configuration region is set as a region recognition condition.
(7) 本発明の第7の態様は、上述した第1〜第6の態様に係るLSIの回路図復元装置において、
条件設定部が、候補となる複数の素子のそれぞれについて、当該素子を構成する複数の素子構成領域および端子点の相互の接続関係を示すルールを、素子認識条件として設定するようにしたものである。
(7) According to a seventh aspect of the present invention, in the LSI circuit diagram restoration device according to the first to sixth aspects described above,
The condition setting unit sets, for each of a plurality of candidate elements, a rule indicating a mutual connection relationship between a plurality of element configuration regions and terminal points constituting the element as an element recognition condition. .
(8) 本発明の第8の態様は、上述した第1〜第7の態様に係るLSIの回路図復元装置において、
条件設定部が、チャネル領域、ゲート領域、ソース・ドレイン領域を認識するための領域認識条件と、チャネル領域、ゲート領域、ソース・ドレイン領域の相互の接続関係およびこれらと端子点との接続関係に基づいてMOSトランジスタを含む論理素子を認識する素子認識条件と、を設定するようにしたものである。
(8) An eighth aspect of the present invention is the LSI circuit diagram restoration device according to the first to seventh aspects described above,
The condition setting unit determines the region recognition conditions for recognizing the channel region, gate region, source / drain region, the mutual connection relationship between the channel region, gate region, source / drain region, and the connection relationship between these and the terminal points. Based on this, an element recognition condition for recognizing a logic element including a MOS transistor is set.
(9) 本発明の第9の態様は、上述した第1〜第8の態様に係るLSIの回路図復元装置において、(9) According to a ninth aspect of the present invention, in the LSI circuit diagram restoration device according to the first to eighth aspects described above,
表示対象指定部が、レイアウトパターン表示部に対して、全レイアウトパターンのうちの一部分を表示対象パターンとして指定する機能と、回路図表示部に対して、表示対象パターンに対応した部分の回路を表示対象回路として指定する機能と、を有するようにしたものである。 The display target designating unit displays a part of the entire layout pattern as a display target pattern for the layout pattern display unit, and the circuit corresponding to the display target pattern is displayed for the circuit diagram display unit. And a function designated as a target circuit.
(10) 本発明の第10の態様は、LSIのレイアウトパターンを示す設計データに基づいて、当該LSIの回路図を復元するLSIの回路図復元装置において、(10) According to a tenth aspect of the present invention, in the LSI circuit diagram restoration device for restoring the circuit diagram of the LSI based on the design data indicating the layout pattern of the LSI,
LSIを構成する個々のセルについて、その構成要素となる図形をレイヤーごとに収録したセル構成データを格納するセル構成データ格納部と、 A cell configuration data storage unit for storing cell configuration data in which individual components constituting an LSI are recorded for each layer of a figure as a component;
複数のセルを所定位置に配置してなるブロックについて、各セルの位置座標を示すセル配置情報と、セル間配線を構成する図形を示すセル間配線情報と、を含むブロック構成データを格納するブロック構成データ格納部と、 A block for storing block configuration data including cell arrangement information indicating the position coordinates of each cell and inter-cell wiring information indicating a figure constituting the inter-cell wiring for a block in which a plurality of cells are arranged at predetermined positions. A configuration data storage;
セル構成データ格納部およびブロック構成データ格納部に対してデータを入力する設計データ入力部と、 A design data input unit for inputting data to the cell configuration data storage unit and the block configuration data storage unit;
セル構成データおよびブロック構成データに基づいて、平面上に表示対象パターンを描画し、これを画像として表示するレイアウトパターン表示部と、 A layout pattern display unit that draws a display target pattern on a plane based on the cell configuration data and the block configuration data, and displays the pattern as an image;
セル構成データに含まれるレイヤーのうち、セル枠決定に用いる特定のレイヤーを示す情報を含むセル枠決定条件と、セル構成データおよびブロック構成データに含まれる複数の図形が、相互に等電位となる要件を示す等電位追跡条件と、セル構成データに含まれている図形に基づいて領域認識を行うための領域認識条件と、複数の領域および端子点の接続関係に基づいて特定の素子を認識する素子認識条件と、を設定する条件設定部と、 Among the layers included in the cell configuration data, the cell frame determination condition including information indicating a specific layer used for cell frame determination and the plurality of figures included in the cell configuration data and the block configuration data are equipotential to each other. Recognize a specific element based on equipotential tracking conditions indicating requirements, area recognition conditions for performing area recognition based on graphics included in cell configuration data, and connection relationships between multiple areas and terminal points A condition setting unit for setting element recognition conditions;
個々のセルについて、セル構成データのセル枠決定に用いる特定のレイヤーに収録されている図形を抽出し、抽出した図形の論理和図形を形成し、この論理和図形の外接図形をセル枠として求めるセル枠決定部と、 For each cell, a figure recorded in a specific layer used to determine the cell frame of the cell configuration data is extracted, a logical sum figure of the extracted figure is formed, and a circumscribed figure of this logical sum figure is obtained as a cell frame. A cell frame determination unit;
セル間配線情報に含まれる図形のうち、セル枠と交差する交差図形について、セル枠が交差図形によって切り取られる交差線分を認識し、この交差線分上の1点に端子点を決定する端子点決定部と、 A terminal that recognizes the intersection line segment that is cut by the intersection figure for the intersection figure that intersects the cell frame among the figures included in the inter-cell wiring information, and determines the terminal point at one point on this intersection line segment A point determination unit;
等電位追跡条件に基づいて、レイアウトパターンを構成する特定の着目図形に対して等電位となる別な図形を等電位図形として認識する等電位追跡部と、 An equipotential tracking unit that recognizes another figure that is equipotential as an equipotential figure with respect to a specific figure of interest constituting the layout pattern based on the equipotential tracking condition;
領域認識条件に基づいて、所定の認識対象セル内のセル構成データに含まれている図形について、素子を構成する個々の素子構成領域を認識する領域認識部と、 An area recognition unit for recognizing each element configuration area constituting an element for a graphic included in cell configuration data in a predetermined recognition target cell based on an area recognition condition;
領域認識部が認識した複数の素子構成領域および端子点決定部が決定した端子点の接続関係を、等電位追跡部によって相互に等電位であると認識された図形については電気的に接続されたものとして取り扱いながら、素子認識条件と照合することにより、認識対象セルに対応する素子を認識する素子認識部と、 The connection relationship between the plurality of element configuration regions recognized by the region recognition unit and the terminal points determined by the terminal point determination unit is electrically connected to the figures recognized as being equipotential to each other by the equipotential tracking unit. An element recognition unit that recognizes an element corresponding to a recognition target cell by checking with an element recognition condition while handling it as an object,
素子認識部が認識した素子を論理回路記号に対応づけ、セル間配線情報を論理回路記号間の結線に対応づけることにより、表示対象回路についての論理回路図を表示する回路図表示部と、 A circuit diagram display unit for displaying a logic circuit diagram for a display target circuit by associating an element recognized by the element recognition unit with a logic circuit symbol and associating inter-cell wiring information with a connection between logic circuit symbols;
レイアウトパターン表示部に対して表示対象パターンを指定する機能と、回路図表示部に対して表示対象回路を指定する機能と、を有する表示対象指定部と、 A display target designating unit having a function of designating a display target pattern for the layout pattern display unit, and a function of designating a display target circuit for the circuit diagram display unit,
を設け、 Provided,
表示対象指定部が、 The display target specification part
レイアウトパターンの表示画面上の特定図形を指定するオペレータの指示を入力する機能と、回路図表示部に対して、特定図形に関連した一部分の回路を表示対象回路として指定する機能と、を有し、 A function for inputting an operator's instruction for designating a specific graphic on the display screen of the layout pattern, and a function for designating a part of a circuit related to the specific graphic as a display target circuit for the circuit diagram display unit. ,
レイアウトパターン上で指定された特定図形が、セル枠内の図形であった場合には、当該セル枠内のセルを起点として、上流もしくは下流へn段分(nは0以上の整数)だけ信号を辿って隣接セルを認識し、起点となったセルおよび隣接セルに対応する回路を表示対象回路とする旨の指定を行い、 If the specific figure specified on the layout pattern is a figure in the cell frame, signals for n stages (n is an integer of 0 or more) upstream or downstream from the cell in the cell frame as the starting point To recognize the adjacent cell, specify that the cell that is the starting point and the circuit corresponding to the adjacent cell are the display target circuit,
レイアウトパターン上で指定された特定図形が、セル枠外の配線を構成する図形であった場合には、当該配線を起点として、上流もしくは下流へn段分(nは1以上の整数)だけ信号を辿って隣接セルを認識し、隣接セルに対応する回路を表示対象回路とする旨の指定を行うようにしたものである。 If the specific figure specified on the layout pattern is a figure that forms the wiring outside the cell frame, the signal is sent for n stages (n is an integer of 1 or more) upstream or downstream from the wiring. By tracing, the adjacent cell is recognized, and the designation that the circuit corresponding to the adjacent cell is the display target circuit is performed.
(11) 本発明の第11の態様は、上述した第10の態様に係るLSIの回路図復元装置において、 (11) An eleventh aspect of the present invention is an LSI circuit diagram restoration device according to the tenth aspect described above,
回路図表示部が、同一セルに所属する論理回路の範囲を示すためのセル範囲枠を、回路図上に表示する機能を有するようにしたものである。 The circuit diagram display unit has a function of displaying on the circuit diagram a cell range frame for indicating a range of logic circuits belonging to the same cell.
(12) 本発明の第12の態様は、上述した第10または第11の態様に係るLSIの回路図復元装置において、
条件設定部が、入力端子および出力端子の少なくとも2種類の属性をもつ端子点を含む接続関係に基づいて特定の素子を認識する素子認識条件を設定し、
素子認識部が、素子認識条件に基づいて、各セルの端子点の属性認識を行い、
回路図表示部が、各セルの端子点の属性を考慮して、起点からn段分のセルを追跡するセル間信号追跡処理を実行し、表示対象回路を特定するようにしたものである。
(12) According to a twelfth aspect of the present invention, in the LSI circuit diagram restoring device according to the tenth or eleventh aspect described above,
The condition setting unit sets an element recognition condition for recognizing a specific element based on a connection relationship including a terminal point having at least two types of attributes of an input terminal and an output terminal,
The element recognition unit performs attribute recognition of the terminal points of each cell based on the element recognition conditions,
The circuit diagram display unit executes an inter-cell signal tracking process for tracking n stages of cells from the starting point in consideration of the attribute of the terminal point of each cell, and specifies the display target circuit.
(13) 本発明の第13の態様は、上述した第1〜第12の態様に係るLSIの回路図復元装置を、コンピュータに専用プログラムを組み込むことにより構成したものである。 (13) In a thirteenth aspect of the present invention, the LSI circuit diagram restoring apparatus according to the first to twelfth aspects described above is configured by incorporating a dedicated program into a computer.
本発明に係るLSIの回路図復元装置によれば、セル枠決定条件として設定された特定のレイヤーに収録されている図形群の外接図形がセル枠として求められ、このセル枠と配線との交差位置に端子点が決定される。このため、レイアウトパターン上に仮想のセル枠および端子点が定義され、セルの概念を復活させることができる。そして、セル枠内の図形に対して、素子を構成する個々の素子構成領域の認識が行われ、これら各領域と端子点との相互の接続関係に基づいて素子の認識が行われる。したがって、レイアウトパターンの所望部分について、セル単位で素子を効率的かつ正確に認識することができるようになり、レイアウトパターンの任意の一部分の回路図を効率的、かつ、正確に復元することが可能になる。 According to the LSI circuit diagram restoration device of the present invention, a circumscribed figure of a figure group recorded in a specific layer set as a cell frame determination condition is obtained as a cell frame, and the intersection of the cell frame and the wiring is obtained. A terminal point is determined at the position. For this reason, virtual cell frames and terminal points are defined on the layout pattern, and the concept of cells can be restored. Then, the individual element constituent areas constituting the elements are recognized for the graphic in the cell frame, and the elements are recognized based on the mutual connection relationship between these areas and the terminal points. Therefore, it becomes possible to recognize the element efficiently and accurately in cell units for the desired portion of the layout pattern, and the circuit diagram of an arbitrary part of the layout pattern can be restored efficiently and accurately. become.
以下、本発明を図示する実施形態に基づいて説明する。 Hereinafter, the present invention will be described based on the illustrated embodiments.
<<< §1. 一般的なLSIの設計データの構造 >>>
既に述べたとおり、LSIの設計データは、通常、セルを最小単位とした階層構造をもって構築されている。したがって、LSI全体のレイアウトパターンを得るためには、この階層構造をもった設計データを展開する処理が必要になる。
<<< §1. Structure of general LSI design data >>>
As already described, LSI design data is usually constructed with a hierarchical structure with cells as minimum units. Therefore, in order to obtain the layout pattern of the entire LSI, a process of developing design data having this hierarchical structure is required.
図1は、一般的なLSIの設計データの階層構造の一例を示す図である。この例は、3階層からなる単純な例であり、最上位階層のTOPの下に、中間階層の4つのブロックA〜Dが位置し、各ブロックの下に最下位階層のセルが位置している(ブロックB〜Dの下のセルは図示省略)。 FIG. 1 is a diagram showing an example of a hierarchical structure of general LSI design data. This example is a simple example consisting of three hierarchies, in which four blocks A to D in the intermediate hierarchy are located under the TOP in the highest hierarchy, and cells in the lowest hierarchy are located under each block. (Cells below blocks B to D are not shown).
図2は、図1に示すような3階層が定義された場合のレイアウトパターンデータの具体的な内容を示す図である。まず、最上位階層「TOP」には、ブロック配置情報とブロック間配線情報が収容される。ここで、ブロック配置情報は、中間階層の4つのブロックA〜Dの配置を示す情報であり、ブロック間配線情報は、ブロックA〜D相互間の配線を示す情報である。一方、中間階層「ブロック」には、セル配置情報とセル間配線情報が収容される。ここで、セル配置情報は、最下位階層の各セルの配置を示す情報であり、セル間配線情報は、各セル相互間の配線を示す情報である。そして、最下位階層「セル」には、セルパターン情報が収容される。このセルパターン情報は、セルの構成要素となる図形の情報をレイヤーごとに収録したものである。 FIG. 2 is a diagram showing specific contents of layout pattern data when the three layers as shown in FIG. 1 are defined. First, block arrangement information and inter-block wiring information are accommodated in the highest hierarchy “TOP”. Here, the block arrangement information is information indicating the arrangement of the four blocks A to D in the intermediate hierarchy, and the inter-block wiring information is information indicating the wiring between the blocks A to D. On the other hand, cell arrangement information and inter-cell wiring information are accommodated in the intermediate layer “block”. Here, the cell arrangement information is information indicating the arrangement of each cell in the lowest hierarchy, and the inter-cell wiring information is information indicating the wiring between the cells. The cell pattern information is accommodated in the lowest hierarchy “cell”. This cell pattern information is obtained by recording, for each layer, information on a figure that is a constituent element of a cell.
図3は、図1に示す最上位階層「TOP」に収録されたブロック配置情報(図3(a) )およびブロック間配線情報(図3(b) )の具体例を示す平面図である。ここでは、この最上位階層の情報を、原点Qをもったαβ二次元座標系を用いて例示している。このαβ二次元座標系は、いわばLSIの全レイアウトパターンを表示するためのグローバル座標系ということができる。 FIG. 3 is a plan view showing a specific example of block arrangement information (FIG. 3 (a)) and inter-block wiring information (FIG. 3 (b)) recorded in the highest hierarchy “TOP” shown in FIG. Here, the information on the highest layer is illustrated using an αβ two-dimensional coordinate system having an origin Q. This αβ two-dimensional coordinate system can be said to be a global coordinate system for displaying all layout patterns of LSI.
まず、最上位階層「TOP」に収録されたブロック配置情報は、図3(a) に示すとおり、4つのブロックA〜Dのαβ二次元座標系上での配置を示す情報である。この例では、各ブロックA〜Dはいずれも矩形の輪郭を有し、その左下の点Qa(α1,β1),Qb(α2,β2),Qc(α3,β3),Qd(α4,β4)の座標値がブロック配置情報を構成する実体データということになる。 First, the block arrangement information recorded in the highest hierarchy “TOP” is information indicating the arrangement of the four blocks A to D on the αβ two-dimensional coordinate system, as shown in FIG. In this example, each of the blocks A to D has a rectangular outline, and its lower left points Qa (α1, β1), Qb (α2, β2), Qc (α3, β3), Qd (α4, β4) This coordinate value is the entity data constituting the block arrangement information.
一方、最上位階層「TOP」に収録されたブロック間配線情報は、図3(b) に示すとおり、ブロックA〜D相互間の配線W1〜W3を示す情報である。図3(b) に示されている破線の矩形は、図3(a) に示す4つのブロックA〜Dの位置を示しており、この例の場合、ブロックAB間の配線W1、ブロックBD間の配線W2、ブロックCD間の配線W3が例示されている。配線W1〜W3は、いずれも多角形からなり、各頂点の座標値により、その形状および位置が特定される。すなわち、配線W1の実体データは4頂点P1〜P4の座標値、配線W2の実体データは4頂点P5〜P8の座標値、配線W3の実体データは4頂点P9〜P12の座標値ということになる。 On the other hand, the inter-block wiring information recorded in the highest hierarchy “TOP” is information indicating the wirings W1 to W3 between the blocks A to D as shown in FIG. The broken-line rectangle shown in FIG. 3B indicates the positions of the four blocks A to D shown in FIG. 3A. In this example, between the wiring W1 between the blocks AB and the block BD. The wiring W2 and the wiring W3 between the blocks CD are illustrated. The wirings W1 to W3 are all polygonal, and their shapes and positions are specified by the coordinate values of the vertices. That is, the entity data of the wiring W1 is the coordinate values of the four vertices P1 to P4, the entity data of the wiring W2 is the coordinate values of the four vertices P5 to P8, and the entity data of the wiring W3 is the coordinate values of the four vertices P9 to P12. .
図4は、図1に示す中間階層の1つである「ブロックA」に収録されたセル配置情報(図4(a) )およびセル間配線情報(図4(b) )の具体例を示す平面図である。ここでは、この中間階層の情報を、原点OをもったXY二次元座標系を用いて例示している。このXY二次元座標系は、グローバルなαβ二次元座標系に対して、ローカル座標系ということができ、図4(a) に示す原点Oは、図3(a) に示すαβ二次元座標系における点Qaに割り付けられる。座標軸X,Yは、それぞれ座標軸α,βに平行な軸であり、図4(a) に示されているXY二次元座標系は、図3(a) に矩形で示されているブロックA内にそっくり収容される。 FIG. 4 shows a specific example of cell arrangement information (FIG. 4 (a)) and inter-cell wiring information (FIG. 4 (b)) recorded in “block A” which is one of the intermediate layers shown in FIG. It is a top view. Here, this intermediate layer information is illustrated using an XY two-dimensional coordinate system having an origin O. This XY two-dimensional coordinate system can be called a local coordinate system with respect to the global αβ two-dimensional coordinate system, and the origin O shown in FIG. 4 (a) is the αβ two-dimensional coordinate system shown in FIG. 3 (a). Is assigned to the point Qa. The coordinate axes X and Y are axes parallel to the coordinate axes α and β, respectively. The XY two-dimensional coordinate system shown in FIG. 4 (a) is in the block A shown by a rectangle in FIG. 3 (a). Is housed exactly like
中間階層「ブロックA」に収録されたセル配置情報は、図4(a) に示すとおり、3つのセルC101〜C103のXY二次元座標系上での配置を示す情報である。この例では、各セルC101〜C103はいずれも矩形の輪郭を有し、その左下の点R1(X1,Y1),R2(X2,Y2),R3(X3,Y3)の座標値がセル配置情報を構成する実体データということになる。 The cell arrangement information recorded in the intermediate layer “block A” is information indicating the arrangement of the three cells C101 to C103 on the XY two-dimensional coordinate system, as shown in FIG. In this example, each of the cells C101 to C103 has a rectangular outline, and the coordinate values of the lower left points R1 (X1, Y1), R2 (X2, Y2), R3 (X3, Y3) are the cell arrangement information. This is the entity data that constitutes.
一方、中間階層「ブロックA」に収録されたセル間配線情報は、図4(b) に示すとおり、セルC101〜C103相互間の配線W4,W5を示す情報である。図4(b) に示されている破線の矩形は、図4(a) に示す3つのセルC101〜C103の位置を示しており、この例の場合、セルC101/C102間の配線W4とセルC102/C103間の配線W5が例示されている。配線W4,W5は、いずれも多角形からなり、各頂点の座標値により、その形状および位置が特定される。すなわち、配線W4の実体データは4頂点P21〜P24の座標値、配線W5の実体データは6頂点P25〜P30の座標値ということになる。 On the other hand, the inter-cell wiring information recorded in the intermediate layer “block A” is information indicating the wirings W4 and W5 between the cells C101 to C103, as shown in FIG. 4B shows the positions of the three cells C101 to C103 shown in FIG. 4A. In this example, the wiring W4 between the cells C101 / C102 and the cell The wiring W5 between C102 / C103 is illustrated. The wirings W4 and W5 are both polygonal, and their shapes and positions are specified by the coordinate values of the vertices. That is, the entity data of the wiring W4 is the coordinate values of the four vertices P21 to P24, and the entity data of the wiring W5 is the coordinate values of the six vertices P25 to P30.
中間階層の他のブロックB〜Dについても、同様に、セル配置情報とセル間配線情報が用意されるが、ここでは例示は省略する。 Similarly, cell arrangement information and inter-cell wiring information are prepared for the other blocks B to D in the intermediate layer, but illustration is omitted here.
図5は、図1に示す最下位階層の1つである「セルC101」に収録されたセルパターン情報の具体例を示す平面図である。セルパターン情報は、セルC101の構成要素となる図形のパターンをレイヤーごとに収録した情報である。ここでは、このセルパターン情報を、原点oをもったxy二次元座標系を用いて例示している。この小文字で示すxy二次元座標系は、大文字で示すXY二次元座標系に対するローカル座標系ということができ、図5に示す原点oは、図4(a) に示すXY二次元座標系における点R1に割り付けられる。座標軸x,yは、それぞれ座標軸X,Yに平行な軸であり、図5に示されているxy二次元座標系は、図4(a) に矩形で示されているセルC101内にそっくり収容される。 FIG. 5 is a plan view showing a specific example of cell pattern information recorded in “cell C101”, which is one of the lowest layers shown in FIG. The cell pattern information is information in which a graphic pattern as a constituent element of the cell C101 is recorded for each layer. Here, this cell pattern information is illustrated using an xy two-dimensional coordinate system having an origin o. The xy two-dimensional coordinate system indicated by lowercase letters can be said to be a local coordinate system with respect to the XY two-dimensional coordinate system indicated by uppercase letters, and the origin o shown in FIG. 5 is a point in the XY two-dimensional coordinate system shown in FIG. Assigned to R1. The coordinate axes x and y are axes parallel to the coordinate axes X and Y, respectively, and the xy two-dimensional coordinate system shown in FIG. 5 is completely accommodated in the cell C101 shown by a rectangle in FIG. Is done.
最下位階層「セルC101」に収録されたセルパターン情報は、図5に示すとおり、11個の図形f1〜f11の形状および位置を示す情報である。この例では、図形f1〜f11は、いずれも矩形であり、セルパターン情報の実体データは、xy二次元座標系上での各頂点の座標値ということになる。ここに例示したセルC101は、実際には、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタとによって構成される「インバータ回路」である。 The cell pattern information recorded in the lowest hierarchy “cell C101” is information indicating the shapes and positions of eleven figures f1 to f11 as shown in FIG. In this example, the graphics f1 to f11 are all rectangular, and the substance data of the cell pattern information is the coordinate value of each vertex on the xy two-dimensional coordinate system. The cell C101 illustrated here is actually an “inverter circuit” composed of a PMOS transistor and an NMOS transistor.
図5に示す11個の図形f1〜f11を示す情報は、実際には、それぞれ構成材料が異なる5つのレイヤーに分けて収録されている。図6は、図5に示すセルパターン情報のレイヤー構成を示す図である。すなわち、「セルC101」には、ポリシリコンレイヤーL1,拡散層レイヤーL2,メタルレイヤーL3,ウェルレイヤーL4,コンタクトレイヤーL5の5つのレイヤーが定義されており、ポリシリコンレイヤーL1には図形f1のパターン情報,拡散層レイヤーL2には図形f2およびf3のパターン情報,メタルレイヤーL3には図形f4〜f6のパターン情報,ウェルレイヤーL4には図形f7のパターン情報,コンタクトレイヤーL5には図形f8〜f11のパターン情報がそれぞれ収録されている。 The information indicating the eleven figures f1 to f11 shown in FIG. 5 is actually recorded in five layers having different constituent materials. FIG. 6 is a diagram showing a layer configuration of the cell pattern information shown in FIG. That is, in the “cell C101”, five layers of a polysilicon layer L1, a diffusion layer L2, a metal layer L3, a well layer L4, and a contact layer L5 are defined, and the pattern of the figure f1 is defined in the polysilicon layer L1. Information, pattern information of figures f2 and f3 in the diffusion layer L2, pattern information of figures f4 to f6 in the metal layer L3, pattern information of figure f7 in the well layer L4, and figures f8 to f11 in the contact layer L5 Each pattern information is recorded.
最下位階層の他のセルについても、同様に、それぞれ特定の機能をもった回路を構成するためのセルパターン情報が用意されるが、ここでは例示は省略する。結局、このLSI全体のレイアウトパターンを得るには、図5に例示する個々のセル構成図形を図4(a) に例示する個々のセル内に割り付け、図4(b) に例示するセル間配線を施してブロックを構成し、そのようなブロックを図3(a) に例示する個々のブロック内に割り付け、図3(b) に例示するブロック間配線を施す作業を行えばよい。 Similarly, cell pattern information for configuring a circuit having a specific function is prepared for the other cells in the lowest layer, but illustration is omitted here. Eventually, in order to obtain the layout pattern of the entire LSI, the individual cell configuration figures illustrated in FIG. 5 are allocated in the individual cells illustrated in FIG. 4A, and the inter-cell wiring illustrated in FIG. The blocks are configured by assigning such blocks to the individual blocks illustrated in FIG. 3A and performing the inter-block wiring illustrated in FIG. 3B.
以上、図1に示すような3階層によるレイアウトパターンの構成例を平面図を用いて模式的に説明したが、実際には、各情報は文字や数値を用いたデータとして用意される。図7は、図3に示す「TOP」についてのブロック配置情報およびブロック間配線情報に対応する具体的なデータ構成例を示す表である。上述したとおり、ブロック配置情報の実体データは、4つのブロックA〜Dについて、たとえば、左下隅などの基準点のαβ二次元座標系上での配置座標Qa(α1,β1)〜Qd(α4,β4)によって構成され、ブロック間配線情報の実体データは、ブロック間配線W1〜W3を構成する多角形の頂点P1〜P12の座標によって構成される。 As described above, the configuration example of the layout pattern with three layers as shown in FIG. 1 has been schematically described with reference to a plan view. In practice, each information is prepared as data using characters and numerical values. FIG. 7 is a table showing a specific data configuration example corresponding to block arrangement information and inter-block wiring information for “TOP” shown in FIG. As described above, the entity data of the block arrangement information includes, for example, the arrangement coordinates Qa (α1, β1) to Qd (α4) of the reference points such as the lower left corner on the αβ two-dimensional coordinate system for the four blocks A to D. The entity data of the inter-block wiring information is composed of the coordinates of the polygonal vertices P1 to P12 constituting the inter-block wirings W1 to W3.
また、図8は、図4に示す「ブロックA」についてのセル配置情報およびセル間配線情報に対応する具体的なデータ構成例を示す表である。上述したとおり、セル配置情報の実体データは、3つのセルC101〜C103について、たとえば、左下隅などの基準点のXY二次元座標系上での配置座標R1(X1,Y1)〜R3(X3,Y3)によって構成され、セル間配線情報の実体データは、セル間配線W4,W5を構成する多角形の頂点P21〜P30の各座標値(X,Y)によって構成される。 FIG. 8 is a table showing a specific data configuration example corresponding to the cell arrangement information and the inter-cell wiring information for “block A” shown in FIG. As described above, the substance data of the cell arrangement information is the arrangement coordinates R1 (X1, Y1) to R3 (X3, X3) of the reference points such as the lower left corner on the XY two-dimensional coordinate system for the three cells C101 to C103. Y3), and the substance data of the inter-cell wiring information is composed of the coordinate values (X, Y) of the polygonal vertices P21 to P30 constituting the inter-cell wirings W4 and W5.
更に、図9は、図5に示す「セルC101」についてのセルパターン情報に対応する具体的なデータ構成例を示す表である。上述したとおり、セルパターン情報の実体データは、レイヤーごとに収録した個々の図形の頂点座標によって構成される。図9に示す表には、図形f1〜f11の各頂点座標(座標値の図示は省略)が、5つのレイヤーL1〜L5に分けて、それぞれ収録されている。 Further, FIG. 9 is a table showing a specific data configuration example corresponding to the cell pattern information for “cell C101” shown in FIG. As described above, the actual data of the cell pattern information is composed of vertex coordinates of individual figures recorded for each layer. In the table shown in FIG. 9, the vertex coordinates of the graphics f1 to f11 (coordinate values are not shown) are recorded in five layers L1 to L5, respectively.
<<< §2. 本発明の主眼 >>>
これまで述べてきたとおり、LSIのレイアウトパターンは、多数の図形の集合体である。§1では、説明の便宜上、ごく単純な構成例を示したが、実際のLSIのレイアウトパターンは、非常に複雑な図形の集合体から構成され、ディスプレイ画面上に表示しても、直観的に回路素子を認識することは困難である。したがって、レイアウトパターンをディスプレイ画面上に表示して確認作業や検証作業を行う際には、実用上、論理回路の回路図を入手する必要がある。
<<< §2. Main points of the present invention >>
As described above, an LSI layout pattern is an aggregate of many figures. In §1, for the sake of convenience of explanation, a very simple configuration example is shown. However, an actual LSI layout pattern is composed of a collection of very complicated figures, and even if displayed on a display screen, it is intuitive. It is difficult to recognize circuit elements. Therefore, when a layout pattern is displayed on a display screen and a confirmation operation or a verification operation is performed, it is necessary to obtain a circuit diagram of a logic circuit in practice.
たとえば、図5に示すセルC101の図形パターンは、前述したとおり、実際には「インバータ回路」を構成するセルパターンであり、論理回路図で示した場合、図10のような形式で表現される。すなわち、入力端子Inに論理値Aを与えると、出力端子Outには、その論理反転出力が得られることになる。図10の回路図を見れば、当該論理素子が「インバータ回路」であることは一目瞭然であるが、図5に示す図形パターンを、図10に示す「インバータ回路」として把握するには、ある程度の熟練を要する。 For example, the graphic pattern of the cell C101 shown in FIG. 5 is actually a cell pattern that constitutes an “inverter circuit” as described above, and is expressed in the form shown in FIG. . That is, when a logical value A is given to the input terminal In, the logically inverted output is obtained at the output terminal Out. From the circuit diagram of FIG. 10, it is obvious that the logical element is an “inverter circuit”. However, in order to grasp the graphic pattern shown in FIG. 5 as the “inverter circuit” shown in FIG. Requires skill.
しかも、図5は、1つのセルC101内の図形パターンのみを抽出して示した図であるため、「インバータ回路」の認識は比較的容易であるが、実際のレイアウトパターン上では、多数のセルを構成する膨大な数の図形が密集して配置されており、セル間配線やブロック間配線を構成する図形も混在することになるため、実際のレイアウトパターン上で個々の回路素子を認識することは非常に困難である。 Moreover, since FIG. 5 shows only the graphic pattern extracted from one cell C101, the recognition of the “inverter circuit” is relatively easy. However, in the actual layout pattern, many cells are used. The huge number of figures that make up the circuit are densely arranged, and the figures that make up the inter-cell wiring and inter-block wiring will also be mixed, so individual circuit elements can be recognized on the actual layout pattern. Is very difficult.
図11は、図5に示す「インバータ回路」のセルC101を6組並べて配置し、更にセル間配線を付加したレイアウトパターンを示す平面図である。図5に示すセルパターンを参照しながら、図11に示すレイアウトパターンを注視すれば、6組の「インバータ回路」が認識できるであろう。なお、図11のレイアウトパターン上では、図5に示す図形f7(ウェルレイヤーL4の図形)は、横方向に伸びた1つの図形に融合している。これは、セルC101を横方向に配置した段階では、図形f7の端部が左右に隣接した別なセルの図形f7の端部と重なり合うため、階層構造を展開したレイアウトパターン上では互いに融合するためである。 FIG. 11 is a plan view showing a layout pattern in which six sets of cells C101 of the “inverter circuit” shown in FIG. 5 are arranged and further inter-cell wiring is added. If one looks at the layout pattern shown in FIG. 11 while referring to the cell pattern shown in FIG. 5, six sets of “inverter circuits” can be recognized. On the layout pattern of FIG. 11, the figure f7 (figure of the well layer L4) shown in FIG. 5 is merged into one figure extending in the horizontal direction. This is because at the stage where the cell C101 is arranged in the horizontal direction, the end of the figure f7 overlaps with the end of the figure f7 of another cell adjacent to the left and right, so that they merge with each other on the layout pattern in which the hierarchical structure is developed. It is.
同様に、セル内の図形とセル間配線の図形とが同一の材料からなるレイヤーであった場合にも、両者は融合することになる。そのため、図11に示すレイアウトパターン上には、「セル」単位で区画を分ける情報は残っておらず、どの部分が1つのセルに対応する領域であるかを視覚的に把握することは困難である。実際、「セル」という概念は、図1に示すような階層構造を利用して、LSI全体のレイアウトパターンを効率的に表現するために導入された抽象概念であり、LSIというハードウエアを構成する上で必須の概念ではない。別言すれば、LSIというハードウエア構造物内には、「セル」という抽象概念上の輪郭に相当する物理的な構造は何も存在せず、当然ながら、レイアウトパターン上にも、実体のないセルの輪郭を示す図形が表示されることはない。 Similarly, when the figure in the cell and the figure of the inter-cell wiring are layers made of the same material, both are merged. Therefore, the layout pattern shown in FIG. 11 does not have information for dividing the section in units of “cells”, and it is difficult to visually grasp which part corresponds to one cell. is there. Actually, the concept of “cell” is an abstract concept introduced in order to efficiently express the layout pattern of the entire LSI using a hierarchical structure as shown in FIG. 1, and constitutes hardware called LSI. It is not an essential concept above. In other words, there is no physical structure corresponding to the abstract outline “cell” in the hardware structure called LSI, and of course, there is no entity in the layout pattern. A graphic showing the outline of the cell is never displayed.
しかしながら、LSIの設計者が、設計途中のレイアウトパターンを確認したり、検証したりする作業を行う上では、個々の回路素子およびその接続関係を認識することが不可欠である。すなわち、図11に示すレイアウトパターンは単なる図形の集合体であるが、設計者は、このパターンを「6組のインバータ回路」と「これらの間の配線」として把握することにより、はじめて意味のある解析を行うことができる。したがって、回路設計者が、図11に示すようなレイアウトパターンをディスプレイ画面上に表示して、確認作業や検証作業を行う上では、このレイアウトパターンに対応した論理回路の回路図を併せて表示し、両者を目視比較する作業が重要である。 However, it is indispensable for an LSI designer to recognize individual circuit elements and their connection relations in order to confirm and verify a layout pattern during design. That is, the layout pattern shown in FIG. 11 is merely a collection of figures, but it is only meaningful for the designer to grasp this pattern as “6 sets of inverter circuits” and “wiring between them”. Analysis can be performed. Therefore, when a circuit designer displays a layout pattern as shown in FIG. 11 on a display screen and performs a confirmation operation or a verification operation, a circuit diagram of a logic circuit corresponding to the layout pattern is also displayed. The work of visually comparing the two is important.
もちろん、このようなレイアウトパターンで実現される論理回路は、もともと回路図を用いて設計されたものであるから、そのような回路図を取り寄せることができれば、回路図を参照しながら、レイアウトパターンに対する確認作業や検証作業を行うことは可能である。しかしながら、一般に、LSIの製造プロセスにおいて、回路を設計する設計部門と、レイアウトパターンを半導体ウエハ上に焼き付ける製造部門とは、組織的にも地理的にも離れていることが多く、製造部門において、レイアウトパターンの確認や検証を行う際に、設計部門から回路図を直ちに取り寄せることができないケースも少なくない。また、仮に回路図が入手できたとしても、図11に示すように、一部分のレイアウトパターンを表示させた状態において、これに対応する回路図の部分を探し出すには多大な労力を要する。 Of course, since the logic circuit realized by such a layout pattern is originally designed using a circuit diagram, if such a circuit diagram can be obtained, the layout pattern can be obtained with reference to the circuit diagram. It is possible to perform confirmation work and verification work. However, in general, in an LSI manufacturing process, a design department that designs a circuit and a manufacturing department that prints a layout pattern on a semiconductor wafer are often separated organizationally and geographically. In many cases, it is not possible to immediately obtain a circuit diagram from the design department when checking or verifying a layout pattern. Even if a circuit diagram can be obtained, as shown in FIG. 11, in the state where a part of the layout pattern is displayed, it takes a lot of labor to find a part of the circuit diagram corresponding thereto.
本発明の主眼は、図11に示すように、ディスプレイ画面上に表示されているレイアウトパターン(すなわち、多数の図形の集合体)から、元の回路図の一部分を復元する処理を行うことにある。回路図は、複数の論理素子を信号の流れに沿って接続したものであるから、回路図を復元するには、レイアウトパターン上で信号の流れを辿る処理も行う必要がある。 The main point of the present invention is to perform a process of restoring a part of the original circuit diagram from the layout pattern (that is, a collection of a large number of figures) displayed on the display screen as shown in FIG. . Since the circuit diagram is obtained by connecting a plurality of logic elements along the signal flow, in order to restore the circuit diagram, it is also necessary to perform processing for tracing the signal flow on the layout pattern.
レイアウトパターン上で信号の流れを辿る方法としては、従来から等電位追跡の手法が知られている。この手法を利用すれば、たとえば、図11に示すレイアウトパターンを構成する多数の図形のうち、起点となる特定の図形に対して等電位となる図形を自動的に認識し、起点に対して等電位となる領域のみを特別な色に着色して表示させるようなことも可能である。しかしながら、この等電位追跡の手法は、基本的に、半導体ウエハ上で導電性材料によって構成されるレイヤーを辿ってゆく方法を採るものであり、途中に絶縁性材料によって構成されるレイヤーが介在した場合、信号の追跡を行うことはできない。 As a method for tracing the flow of signals on a layout pattern, an equipotential tracking method is conventionally known. If this technique is used, for example, among a large number of figures constituting the layout pattern shown in FIG. 11, a figure that is equipotential with respect to a specific figure as a starting point is automatically recognized, and the like with respect to the starting point. It is also possible to display only a region having a potential in a special color. However, this equipotential tracking method basically uses a method of tracing a layer made of a conductive material on a semiconductor wafer, and a layer made of an insulating material is interposed in the middle. If not, signal tracking is not possible.
たとえば、MOSトランジスタの場合、ゲート電極とチャネル領域との間にはゲート絶縁膜が介在しており、ゲート電極へ繋がる配線について等電位追跡を行ったとしても、チャネル領域からソース・ドレイン電極へ至る信号経路についての追跡を行うことはできない。回路図は、個々の論理回路間の信号の流れを図式化したものであるから、レイアウトパターンから回路図を復元するためには、レイアウトパターン上で個々の素子を認識する処理が不可欠である。ここで、LSI設計データ上のセルは、1つもしくは複数の素子を、その論理機能に着目してひとまとまりにしたものであり、個々の素子を認識するための大きな手掛かりになるが、図11に示す例のように、平面上に展開されたレイアウトパターンは多数の図形の集合体であり、既にセルという概念は失われてしまっている。 For example, in the case of a MOS transistor, a gate insulating film is interposed between the gate electrode and the channel region, and even if the equipotential tracking is performed on the wiring connected to the gate electrode, the channel region leads to the source / drain electrode. It is not possible to track the signal path. Since the circuit diagram is a diagram showing the signal flow between the individual logic circuits, in order to restore the circuit diagram from the layout pattern, a process for recognizing individual elements on the layout pattern is indispensable. Here, a cell on LSI design data is a group of one or a plurality of elements, focusing on their logical functions, and is a great clue for recognizing individual elements. As in the example shown in FIG. 2, the layout pattern developed on the plane is an aggregate of many figures, and the concept of cells has already been lost.
そこで本願発明者は、まず、レイアウトパターン上にセルの概念を復活させた上で、個々のセル単位で素子認識を行う手法を案出した。具体的には、本発明では、まず、レイアウトパターンデータを利用して、個々のセルについて仮想的な輪郭を示すセル枠と、当該セルと外部配線との仮想的な接続位置を示す端子点を定義し、個々のセル枠内の図形および端子点に基づいてセル単位で素子認識を行い、更に、セル間配線に基づいて、論理素子間の信号の流れを辿って回路図を復元する、という方法が採られる。 Therefore, the inventor of the present application first devised a method for recognizing elements in units of individual cells after restoring the concept of cells on the layout pattern. Specifically, in the present invention, first, using the layout pattern data, a cell frame indicating a virtual outline for each cell and a terminal point indicating a virtual connection position between the cell and the external wiring are provided. Define and perform element recognition on a cell basis based on figures and terminal points in individual cell frames, and further, restore the circuit diagram by following the flow of signals between logic elements based on inter-cell wiring The method is taken.
図12は、図11に示すレイアウトパターンに本発明に係るセル枠および端子図形を定義した状態を示す平面図である。図に太線矩形で示す枠が、6組のセルの仮想的な輪郭を示すセル枠F1〜F6であり、このセル枠上に配置されたx印が、各セルと外部配線との仮想的な接続位置を示す端子点T11〜T64である。 FIG. 12 is a plan view showing a state in which cell frames and terminal figures according to the present invention are defined in the layout pattern shown in FIG. The frames indicated by bold rectangles in the figure are the cell frames F1 to F6 indicating the virtual outlines of the six sets of cells, and the x marks arranged on the cell frames indicate the virtual connection between each cell and the external wiring. Terminal points T11 to T64 indicating connection positions.
もちろん、図12に示すセル枠F1〜F6や端子点T11〜T64は、実際のLSIを構成する物理的な構造物ではなく、レイアウトパターンを構成する実体的な図形でもない。これらセル枠F1〜F6および端子点T11〜T64は、回路図復元装置の内部的なパラメータとして発生されるものであり、実際にレイアウトパターン上に表示されるものではない(もちろん、必要に応じて、ディスプレイ画面上のレイアウトパターン上に表示させるようなことも可能である)。このような概念的なセル枠や端子点を装置の内部パラメータとして発生させると、セル単位での素子認識を行う上で便利になる。 Of course, the cell frames F1 to F6 and the terminal points T11 to T64 shown in FIG. 12 are not physical structures constituting an actual LSI, nor are substantial figures constituting a layout pattern. These cell frames F1 to F6 and terminal points T11 to T64 are generated as internal parameters of the circuit diagram restoring device, and are not actually displayed on the layout pattern (of course, as necessary. It can also be displayed on a layout pattern on the display screen). Generating such conceptual cell frames and terminal points as internal parameters of the apparatus is convenient for performing element recognition in cell units.
たとえば、図12において、配線W10〜W40は、セル枠F1〜F6の外部に位置しているため、セル内の構成要素ではなく、セル間配線を構成する図形であることが直ちに認識できる。ここで、図において水平方向に伸びる配線W10,W20,W30,W40や、縦方向に伸びる配線W11〜W16,W21〜W26,W31〜W36は、各セルに供給する信号や電源ラインであり、小さな白抜きの正方形はコンタクトを示す図形である。 For example, in FIG. 12, since the wirings W10 to W40 are located outside the cell frames F1 to F6, it can be immediately recognized that they are not constituent elements in the cell but are figures constituting inter-cell wiring. Here, the wirings W10, W20, W30, W40 extending in the horizontal direction in the figure, and the wirings W11-W16, W21-W26, W31-W36 extending in the vertical direction are signals and power lines supplied to each cell, and are small. A white square is a figure showing a contact.
また、セル枠F1上の端子点T13、セル枠F4上の端子点T41、配線W30は、配線W21を介して接続されているので、等電位追跡処理を行えば、配線W21に沿って、端子点T13,T41の位置に対する信号の入出力もしくは電源供給が行われていることが把握できる。更に、後述するように、個々の端子点について、入力端子、出力端子、電源端子、接地端子という属性を認識すれば、信号の流れの方向を認識することができるようになり、回路素子間の信号の流れを詳細に解析することも可能になる。 In addition, since the terminal point T13 on the cell frame F1, the terminal point T41 on the cell frame F4, and the wiring W30 are connected via the wiring W21, if equipotential tracking processing is performed, the terminal along the wiring W21 It can be understood that signal input / output or power supply to the positions of the points T13 and T41 is performed. Furthermore, as will be described later, if the attributes of the input terminal, output terminal, power supply terminal, and ground terminal are recognized for each terminal point, the direction of signal flow can be recognized, and between circuit elements can be recognized. It is also possible to analyze the signal flow in detail.
<<< §3. 本発明に係る装置の基本構成 >>>
続いて、本発明の基本的実施形態に係るLSIの回路図復元装置の構成を説明する。図13は、この基本的実施形態に係る装置構成を示すブロック図である。この装置は、LSIのレイアウトパターンを示す設計データに基づいて、当該LSIの回路図を復元する装置である。この装置は、設計データに基づいて、ディスプレイ画面上にレイアウトパターンを表示する機能も併せもち、現在表示中のレイアウトパターン近傍の回路図を、リアルタイムで復元して表示することができる。
<<< §3. Basic configuration of apparatus according to the present invention >>
Next, the configuration of the LSI circuit diagram restoring device according to the basic embodiment of the present invention will be described. FIG. 13 is a block diagram showing a device configuration according to this basic embodiment. This device is a device for restoring a circuit diagram of an LSI based on design data indicating the layout pattern of the LSI. This device also has a function of displaying a layout pattern on a display screen based on design data, and can restore and display a circuit diagram in the vicinity of the currently displayed layout pattern in real time.
図13に示すとおり、この表示装置は、設計データ入力部100、ブロック構成データ格納部200、セル構成データ格納部300、レイアウトパターン表示部400、端子点決定部500、等電位追跡部550、セル枠決定部600、回路復元部700、条件設定部800、表示対象指定部900、によって構成される。実際には、この復元装置は、コンピュータに専用プログラムを組み込むことによって構成されるものであり、上記各構成要素は、コンピュータのハードウエア資源を利用した専用プログラムの機能として実現されることになる。
As shown in FIG. 13, the display device includes a design
たとえば、ブロック構成データ格納部200、セル構成データ格納部300、条件設定部800は、ハードディスク装置などの記憶装置とこれを機能させるためのプログラムによって実現され、設計データ入力部100、表示対象指定部900は、オペレータ(LSIの設計者)からの入力操作や指示操作を受け付けるハードウエア(たとえば、キーボードやマウス)とこれを機能させるためのプログラムによって実現される。また、レイアウトパターン表示部400、端子点決定部500、等電位追跡部550、セル枠決定部600、回路復元部700は、CPU、メモリ、ディスプレイ装置などのハードウエアと、それぞれ固有の処理を行うためのプログラムによって実現される。以下、各構成要素の機能を順に説明する。
For example, the block configuration
まず、設計データ入力部100は、ブロック構成データ格納部200およびセル構成データ格納部300に対してデータを入力する機能をもった構成要素である。具体的には、キーボードやマウスなどの入力機器と、入力対象となるデータファイルを指定するマン・マシンインターフェイスプログラムによって設計データ入力部100を構成することができる。ブロック構成データ格納部200およびセル構成データ格納部300に格納されているデータは、この設計データ入力部100によって入力されたデータということになる。
First, the design
ブロック構成データ格納部200は、複数のセルを所定位置に配置してなるブロックについて、各セルの位置座標を示すセル配置情報と、セル間配線を構成する図形を示すセル間配線情報と、を含むブロック構成データを格納する機能を果たす。すなわち、図1に示す例の場合、ブロックA〜ブロックDの内部構造を示す情報がブロック構成データとして、ブロック構成データ格納部200内に格納される。たとえば、ブロックAの場合は、図4(a) ,(b) に示す情報、より具体的には、図8の表に示すようなData(ブロックA)が格納されることになる。
The block configuration
なお、必要に応じて、セル間配線情報についてレイヤーを定義し、セル間配線を構成する図形をレイヤーごとに収録することも可能である。たとえば、ポリシリコンからなる配線と、メタルからなる配線とを共用する場合、レイヤーL1(ポリシリコン)とレイヤーL3(メタル)との2通りのレイヤーを定義し、セル間配線を構成する個々の図形を、いずれかのレイヤーに所属するデータとして用意すればよい。 If necessary, a layer can be defined for the inter-cell wiring information, and the figures constituting the inter-cell wiring can be recorded for each layer. For example, when a wiring made of polysilicon and a wiring made of metal are shared, two types of layers, a layer L1 (polysilicon) and a layer L3 (metal), are defined, and individual figures constituting inter-cell wiring May be prepared as data belonging to one of the layers.
一方、セル構成データ格納部300は、LSIを構成する個々のセルについて、その構成要素となる図形をレイヤーごとに収録したセル構成データを格納する機能を果たす。すなわち、図1に示す例の場合、セルC101,C102,... 等の各セルの内部構造を示す情報がセル構成データとして、セル構成データ格納部300内に格納される。たとえば、セルC101の場合は、図5に示すセルパターン情報、より具体的には、図9の表に示すようなData(セルC101)が格納されることになる。
On the other hand, the cell configuration
なお、図1に示す例のように、3階層からなる設計データの場合は、最上位階層「TOP」についての情報も、ブロック構成データとしてブロック構成データ格納部200に格納される。すなわち、図3(a) ,(b) に示す情報、より具体的には、図7の表に示すようなData(TOP)も、ブロック構成データ格納部200に格納されることになる。最上位階層「TOP」も、基本的には1つのブロックであり、Data(TOP)もブロック構成データとして格納部200に格納される。また、ここでは述べないが、4階層以上からなる設計データの場合、最下位階層(セル)に関する情報(セルパターン情報)がセル構成データ格納部300に格納され、その上位階層に関するすべての情報がブロック構成データ格納部200に格納されることになる。
As in the example illustrated in FIG. 1, in the case of design data having three layers, information on the highest layer “TOP” is also stored in the block configuration
一般論として、全n階層(但し、n≧2)からなる階層構造をもったLSIのレイアウトパターンを取り扱う場合は、第1番目〜第(n−1)番目の階層にはブロックが配置され、第n番目の階層(最下位階層)にはセルが配置された構成をとるので、第1番目〜第(n−1)番目の階層に関する情報はブロック構成データ格納部200に格納され、第n番目の階層(最下位階層)に関する情報はセル構成データ格納部300に格納される。
In general, when handling an LSI layout pattern having a hierarchical structure composed of all n layers (where n ≧ 2), blocks are arranged in the first to (n−1) th layers, Since the cell is arranged in the nth hierarchy (lowest hierarchy), information on the 1st to (n-1) th hierarchy is stored in the block configuration
この場合、ブロック構成データ格納部200に格納される第i番目(1≦i≦n−1)の階層に所属するブロックについてのブロック構成データは、i<n−1の場合には、下位階層に所属するブロックの位置座標を示すブロック配置情報と、ブロック間配線を構成する図形を示すブロック間配線情報と、によって構成され(たとえば、n=3の場合、図2に示す階層「TOP」の情報)、i=n−1の場合には、下位階層に所属するセルの位置座標を示すセル配置情報と、セル間配線を構成する図形を示すセル間配線情報と、によって構成される(たとえば、n=3の場合、図2に示す階層「ブロック」の情報)。一方、セル構成データ格納部300には、第n番目の階層に所属する個々のセルについて、その構成要素となる図形をレイヤーごとに収録したセル構成データが格納されることになる(図2に示す階層「セル」の情報)。
In this case, the block configuration data for the block belonging to the i-th (1 ≦ i ≦ n−1) layer stored in the block configuration
レイアウトパターン表示部400は、ブロック構成データ格納部200に格納されているブロック構成データと、セル構成データ格納部300に格納されているセル構成データと、に基づいて、平面上にレイアウトパターンを描画し、これを画像としてディスプレイ画面上に表示する機能を果たす。このような描画機能は公知の機能であるため、ここでは詳しい描画方法についての説明は省略する。
The layout
以上、図13に示す設計データ入力部100、ブロック構成データ格納部200、セル構成データ格納部300、レイアウトパターン表示部400の機能について述べたが、これらの各構成要素は、従来の一般的なレイアウトパターン表示装置に備わっている要素である。本発明の特徴は、この一般的なレイアウトパターン表示装置に、更に、端子点決定部500、等電位追跡部550、セル枠決定部600、回路復元部700、条件設定部800、表示対象指定部900、を付加し、LSIの回路図復元装置を構成した点にある。以下、これらの各構成要素の機能について、章を改めて説明する。
The functions of the design
<<< §4. セル枠および端子点の決定 >>>
ここでは、端子点決定部500およびセル枠決定部600の機能について説明する。セル枠決定部600は、条件設定部800内に設定されているセル枠決定条件に基づいて、セル構成データに概念として含まれている個々のセルの仮想の輪郭線を示すセル枠を決定する機能を有し、端子点決定部500は、セル枠上に端子点を決定する機能を有する。§2で述べたとおり、ここで決定されるセル枠および端子点は、レイアウトパターンを構成する実体的な図形ではなく、セル単位での素子認識を行うために、回路図復元装置の内部的なパラメータとして定義されるものである。
<<< §4. Determination of cell frame and terminal point >>>
Here, functions of terminal
まず、セル枠決定部600において行われるセル枠決定処理の具体的な内容を説明する。セル枠決定処理は、条件設定部800に予め設定されているセル枠決定条件を参照して行われる。ここで、セル枠決定条件は、セル構成データに含まれるレイヤーのうち、セル枠決定に用いる特定のレイヤーを示す情報によって規定される。条件設定部800に設定すべきセル枠決定条件は、この装置で取り扱うLSIの種類に応じて異なる。ここでは、主としてCMOSトランジスタを用いた回路素子を含む一般的なLSIの場合を例にとって、セル枠決定条件の設定例を説明する。
First, specific contents of the cell frame determination process performed in the cell
図5には、セルC101のセルパターン情報として、図形f1〜f11の形状および配置が示されている。これらの図形は、図6に示すように、L1〜L5の5つのレイヤーのいずれかに所属し、実際には、図9に示すように、レイヤーごとに収録した図形データによって定義される。この図5に示す各図形f1〜f11は、いずれもセルC101の構成要素ではあるが、図形f7(N型トランジスタ用のウェル領域を構成する図形)については、レイアウトパターン上では、図11に示す例のように、左右に隣接する別なセルの図形f7と融合し、横方向に並ぶ複数のセル間に跨がって伸びる細長い一体図形を構成することになる。これは、図形f7は、単位セルのセル枠(輪郭)の決定に利用するには不適切な図形であることを意味する。 FIG. 5 shows the shapes and arrangements of the graphics f1 to f11 as the cell pattern information of the cell C101. These graphics belong to one of the five layers L1 to L5 as shown in FIG. 6, and are actually defined by graphic data recorded for each layer as shown in FIG. Each of the figures f1 to f11 shown in FIG. 5 is a constituent element of the cell C101, but the figure f7 (the figure constituting the well region for the N-type transistor) is shown in FIG. 11 on the layout pattern. As in the example, it is merged with the figure f7 of another cell adjacent to the left and right to form an elongated integrated figure extending across a plurality of cells arranged in the horizontal direction. This means that the graphic f7 is an inappropriate graphic for use in determining the cell frame (contour) of the unit cell.
また、図5に示す図形f8〜f11は、コンタクトを示す図形であり、実際の物理的なLSIでは、複数のレイヤー間を電気的に接続するために紙面に垂直な方向に伸びる配線として機能する。このため、図形f8〜f11は、単位セルのセル枠(輪郭)の決定には役立たない図形であることがわかる。 Also, the figures f8 to f11 shown in FIG. 5 are figures showing contacts. In an actual physical LSI, the figures f8 to f11 function as wirings extending in a direction perpendicular to the paper surface in order to electrically connect a plurality of layers. . For this reason, it is understood that the graphics f8 to f11 are graphics that are not useful for determining the cell frame (contour) of the unit cell.
このような観点から、図5に示すセルC101については、たとえば、図形f1〜f6を利用してセル枠を決定すれば、適切なセル枠決定を行うことが可能であることがわかる。すなわち、図形f1〜f6の分布領域を、概念的にセルC101の内部として取り扱えば、適切なセル枠を決定することができる。そこで、ここでは、図6に示す5つのレイヤーのうち、L1(ポリシリコン)、L2(拡散層)、L3(メタル)の3つのレイヤーを、セル枠決定に用いる特定のレイヤーとして選択し、セル枠決定条件として設定したものとしよう。図5に示すセルC101は、インバータ回路として機能するセルであるが、CMOSトランジスタを用いた回路素子を含む一般的なセルの場合も同様に、L1,L2,L3の3つのレイヤーをセル枠決定条件として設定することは妥当である。 From this point of view, it can be seen that, for the cell C101 shown in FIG. 5, for example, if a cell frame is determined using the graphics f1 to f6, it is possible to determine an appropriate cell frame. That is, if the distribution region of the figures f1 to f6 is conceptually handled as the inside of the cell C101, an appropriate cell frame can be determined. Therefore, here, among the five layers shown in FIG. 6, three layers L1 (polysilicon), L2 (diffusion layer), and L3 (metal) are selected as specific layers used for determining the cell frame, and the cell Let's assume that it was set as a frame determination condition. The cell C101 shown in FIG. 5 is a cell that functions as an inverter circuit. Similarly, in the case of a general cell including a circuit element using a CMOS transistor, three cell layers L1, L2, and L3 are determined as cell frames. It is reasonable to set it as a condition.
そこで、図13に示す装置において、CMOSトランジスタを用いた回路素子を含むLSIを取り扱う場合には、条件設定部800に対して、L1,L2,L3の3つのレイヤーを示す情報をセル枠決定条件として設定しておくようにする。これら3つのレイヤーは、セル枠決定部600で実行されるセル枠決定処理において、抽出対象レイヤーとして取り扱われる。
Therefore, in the apparatus shown in FIG. 13, when handling an LSI including a circuit element using a CMOS transistor, information indicating the three layers L1, L2, and L3 is sent to the
すなわち、セル枠決定部600は、セル枠決定の対象となる個々のセルについて、セル構成データ格納部300からセル構成データを読み出し、セル枠決定条件として設定されている特定のレイヤー(上例の場合、セル枠決定に用いる3つのレイヤーL1,L2,L3)に収録されている図形を抽出し、抽出した図形の論理和図形を形成し、更に、この論理和図形の外接図形をセル枠として求める処理を実行する。
That is, the cell
たとえば、セルC101については、セル枠決定部600によって、セル構成データ格納部300から図9に示すセル構成データ(Data(セルC101))が読み出されるので、このうち、セル枠決定条件として設定されている3つのレイヤーL1,L2,L3に収録されている図形f1〜f6が抽出されることになる。図14は、このようにして抽出された図形群を示す平面図である。そして、セル枠決定部600は、これら抽出図形f1〜f6の論理和図形として、図15にハッチングを施して示すような図形f(OR)を求める処理を行う。この論理和図形f(OR)は、セルC101の内部領域と把握されるべき概念的な領域を示している。
For example, for the cell C101, the cell
そこで、セル枠決定部600は、更に、この論理和図形f(OR)の外接図形をセル枠として求める処理を実行する。図16に太線で示すセル枠Fは、このようにして求められた外接図形であり、セルC101の概念的な輪郭を示すものになる。ここに示す例では、外接図形として、外接する矩形を用いている。図17は、図5に示すセルC101のレイアウトパターンに、図16に示すセル枠Fを重畳した状態を示す平面図である。セル枠決定条件として、レイヤーL4(ウェル)を外したため、図形f7はセル枠Fからはみ出した状態になっているが、上述したとおり、図形f7は左右に隣接する別なセルの図形f7と融合したレイアウトパターンを形成するため、セル枠Fを跨ぐようになっても問題はない。かくして、セル枠決定部600により、適切なセル枠を決定することが可能になる。
Therefore, the cell
なお、セル構成データ格納部300内に格納されるセル構成データは、通常、図5に示す例のように、xy座標系において、x軸もしくはy軸に平行な辺によって構成される多角形からなる図形を収録したデータになっている。このような場合、セル枠決定部600によりセル枠として決定される外接図形は、x軸もしくはy軸に平行な辺によって構成される正則外接矩形にするのが好ましい。図16に示すセル枠Fは、論理和図形f(OR)に対する正則外接矩形を構成するものであり、上下二辺はx軸に平行、左右二辺はy軸に平行になっている。セルを構成する図形がx軸もしくはy軸に平行な辺によって構成される多角形からなる図形である場合、セル枠もx軸もしくはy軸に平行な辺によって構成される正則外接矩形によって構成した方が、図12に示す例に見られるように、レイアウトパターン上への配置に適した単純な形状のセル枠が得られる。
Note that the cell configuration data stored in the cell configuration
なお、適切なセル枠を決定するために設定すべきセル枠決定条件は、必ずしも1つに決まっているわけではなく、オペレータ(設計者)の判断によって、適切と思われる様々な条件を設定することが可能である。たとえば、上例の場合は、3つのレイヤーL1,L2,L3を示す情報をセル枠決定条件として設定したが、更に、レイヤーL5(コンタクト)を付加した4つのレイヤーを示す情報をセル枠決定条件として設定しても全く同じ結果が得られる。あるいは、上例の場合、2つのレイヤーL1,L2のみを示す情報をセル枠決定条件として設定しても全く同じ結果が得られる。 Note that the cell frame determination condition to be set in order to determine an appropriate cell frame is not necessarily determined as one, and various conditions that are considered appropriate are set according to the judgment of the operator (designer). It is possible. For example, in the above example, the information indicating the three layers L1, L2, and L3 is set as the cell frame determination condition, but the information indicating the four layers added with the layer L5 (contact) is further set as the cell frame determination condition. The same result can be obtained even if set as. Alternatively, in the above example, the same result can be obtained even if information indicating only the two layers L1 and L2 is set as the cell frame determination condition.
もちろん、セル枠決定条件の設定内容が変わると、得られるセル枠の形状や位置が異なってくるケースもあるが、そもそも「正しいセル枠」が存在するわけではないので、セル枠決定条件の設定により、定義されるセル枠に変動が生じても支障はない。既に述べたとおり、本発明において、セル枠Fの役割は、概念的なセルの境界位置をレイアウトパターン上で定義し、後述する端子点の決定を可能にするためのものであるから、レイアウトパターン上での大まかなセルの領域を示す位置にセル枠が定義されれば問題はない。 Of course, there are cases where the shape and position of the obtained cell frame will change if the setting content of the cell frame determination condition changes, but since there is no `` correct cell frame '' in the first place, setting the cell frame determination condition Therefore, there is no problem even if the defined cell frame changes. As described above, in the present invention, the role of the cell frame F is to define a conceptual cell boundary position on the layout pattern, and to determine the terminal point described later. There is no problem if a cell frame is defined at a position indicating the rough cell area.
次に、端子点決定部500において行われる端子点決定処理の具体的な内容を説明する。端子点決定部500は、セル枠決定部600によって決定されたセル枠F上に端子点を発生する処理を実行する。そのために、ブロック構成データ格納部200に格納されているセル間配線情報を利用する。ここでは、ブロックA内のセルC101について、図17に示すようなセル枠Fが決定された場合を例にとって、端子点を生成する具体的な処理を述べることにする。ブロックA内のセル間配線情報は、図4(b) に示すように、ブロックAに含まれる複数のセルについてのセル間の配線を示すものである。
Next, the specific content of the terminal point determination process performed in the terminal
ここでは、このようなセルC101に対するセル間配線として、図18に破線で示すような4つの配線w1〜w4を示す図形データが、ブロックA内のセル間配線情報として収録されていたものとしよう。セル間配線は、1つのセル内の構成要素と、別なセル内の構成要素との間を電気的に接続するための配線であり、セル間配線の図形は、その端部がセル内の図形に重畳するように配置されている。図18に示す例の場合も、配線w1〜w4の端部は、セル内の図形に一部重なった状態になっている。このため、セルC101に対するセル間配線w1〜w4は、セル枠Fと交差する図形として認識できる。 Here, as such inter-cell wiring for the cell C101, it is assumed that graphic data indicating four wirings w1 to w4 as indicated by broken lines in FIG. 18 are recorded as inter-cell wiring information in the block A. . The inter-cell wiring is a wiring for electrically connecting a component in one cell and a component in another cell. The inter-cell wiring figure has an end portion in the cell. It is arranged so as to overlap the figure. Also in the example shown in FIG. 18, the ends of the wirings w1 to w4 are partially overlapped with the graphic in the cell. For this reason, the inter-cell wirings w1 to w4 for the cell C101 can be recognized as a figure intersecting the cell frame F.
端子点決定部500は、セル間配線情報に含まれる図形のうち、セル枠と交差する交差図形について、セル枠が交差図形によって切り取られる交差線分を認識し、この交差線分上の1点に端子点を決定する処理を行う。図19は、セル枠Fとセル間配線w1〜w4との交差位置に、端子点T1〜T4(×印の点)が決定された状態を示す平面図である。まず、セル枠Fと交差する交差図形(セル間配線w1〜w4)について、セル枠Fを交差図形によって切り取ることによって得られる交差線分H1〜H4が認識される。続いて、各交差線分H1〜H4上の1点(ここに示す実施例の場合は、各交差線分の中点)に端子点T1〜T4が決定される。実際には、この端子点決定処理により、端子点T1〜T4の座標値が得られることになる。
The terminal
図20は、図5に示すセルC101の周囲を含めたレイアウトパターン上に、セル枠Fおよび端子点T1〜T4を配置した状態を示す平面図である。レイアウトパターン上では、階層構造が展開され、セルパターン情報内の図形およびセル間配線情報内の図形のうち、同一材料からなるレイヤーに所属する図形は融合したパターンを形成する。図20に示す例の場合も、図形f4およびw1、図形f1およびw2、図形f5およびw3、図形f6およびw4は、それぞれ同一材料からなるレイヤーに所属する図形であるため、相互に融合して一体化したパターン図形を構成している。 FIG. 20 is a plan view showing a state in which the cell frame F and the terminal points T1 to T4 are arranged on the layout pattern including the periphery of the cell C101 shown in FIG. On the layout pattern, the hierarchical structure is expanded, and among the figures in the cell pattern information and the figures in the inter-cell wiring information, figures belonging to layers made of the same material form a fused pattern. In the example shown in FIG. 20 as well, the figures f4 and w1, the figures f1 and w2, the figures f5 and w3, and the figures f6 and w4 are figures belonging to layers made of the same material. A structured pattern figure is formed.
図20に太線で示されているセル枠Fは、図17に示すセル枠Fであり、図20に示されている4つの端子点T1〜T4は、図19に示す手順で決定された端子点である。このようなセル枠Fと端子点T1〜T4とが求まると、回路図を構成する論理回路記号上の各端子と、レイアウトパターン上の特定位置との対応関係を認識することが可能になる。 A cell frame F shown by a bold line in FIG. 20 is the cell frame F shown in FIG. 17, and the four terminal points T1 to T4 shown in FIG. 20 are terminals determined by the procedure shown in FIG. Is a point. When such a cell frame F and terminal points T1 to T4 are obtained, it is possible to recognize the correspondence between each terminal on the logic circuit symbol constituting the circuit diagram and a specific position on the layout pattern.
前述したとおり、図20に示すレイアウトパターンからなる論理回路は、インバータ回路を構成する回路であり、回路図上では、図21に示す論理回路記号で表現される。ここで、端子Inは入力端子、端子Outは出力端子、端子Vddは電源端子、端子Gndは接地端子である。後に詳述するとおり、本発明では、セル枠上に定義された端子点の情報を利用してセル内の素子認識が行われるので、レイアウトパターン上の各端子点と、回路図上の論理回路記号の各端子との対応づけを行うことができる。 As described above, the logic circuit having the layout pattern shown in FIG. 20 is a circuit constituting the inverter circuit, and is represented by the logic circuit symbol shown in FIG. 21 on the circuit diagram. Here, the terminal In is an input terminal, the terminal Out is an output terminal, the terminal Vdd is a power supply terminal, and the terminal Gnd is a ground terminal. As described later in detail, in the present invention, element recognition in the cell is performed using information on the terminal points defined on the cell frame, so that each terminal point on the layout pattern and the logic circuit on the circuit diagram It is possible to associate the symbol with each terminal.
たとえば、図21に示すインバータ回路において、入力端子Inは、図20に示すレイアウトパターン上の端子点T2に対応することが認識できる。同様に出力端子Outは端子点T4に、電源端子Vddは端子点T1に、接地端子Gndは端子点T3に、それぞれ対応することが認識できる(詳細は後述)。特に、入力端子Inと出力端子Outとが認識できる点は、信号の流れを辿る上で重要である。すなわち、図21に示す回路図上では、入力端子Inに入った信号が、出力端子Outから出力され、次段の論理回路へ伝達されることになるが、このような信号の流れを、図20に示すレイアウトパターン上でも認識することが可能になる。 For example, in the inverter circuit shown in FIG. 21, it can be recognized that the input terminal In corresponds to the terminal point T2 on the layout pattern shown in FIG. Similarly, it can be recognized that the output terminal Out corresponds to the terminal point T4, the power supply terminal Vdd corresponds to the terminal point T1, and the ground terminal Gnd corresponds to the terminal point T3 (details will be described later). In particular, the fact that the input terminal In and the output terminal Out can be recognized is important in tracing the signal flow. That is, in the circuit diagram shown in FIG. 21, the signal that has entered the input terminal In is output from the output terminal Out and transmitted to the logic circuit of the next stage. 20 can be recognized on the layout pattern shown in FIG.
すなわち、図20において、入力端子Inは端子点T2であり、出力端子Outは端子点T4であるから、セル間配線w2を伝わってきた信号が、セル枠F内の論理回路に入り、セル間配線w4を伝わって次段の論理回路へと伝達されることが、レイアウトパターン上で認識できることになる。かくして、ディスプレイ画面上に表示されているレイアウトパターン上で、信号の追跡が可能になり、たとえば、図20に示されているインバータ回路を起点として、下流へ3段分だけ信号を辿って後段の隣接セルを認識し、これら隣接セルのみについての回路図を復元する、ということも可能になる。 That is, in FIG. 20, since the input terminal In is the terminal point T2 and the output terminal Out is the terminal point T4, the signal transmitted through the inter-cell wiring w2 enters the logic circuit in the cell frame F, and between the cells. It can be recognized on the layout pattern that it is transmitted to the next-stage logic circuit through the wiring w4. Thus, the signal can be traced on the layout pattern displayed on the display screen. For example, the signal is traced downstream by three stages starting from the inverter circuit shown in FIG. It is also possible to recognize adjacent cells and restore a circuit diagram for only these adjacent cells.
なお、上述した例では、セルとセルとを接続するセル間配線について、セル枠との交差を判定して端子点を生成する処理を行うことを述べたが、ブロックとブロックとを接続するブロック間配線がセル内の構成要素に接続される可能性があるケースでは、ブロック間配線についても、セル枠との交差を判定して端子点を決定する処理を行うようにすればよい。すなわち、端子点決定部500は、セル間配線情報に含まれる図形についての端子点とともに、ブロック間配線情報に含まれる図形についての端子点を決定すればよい。
In the above-described example, the inter-cell wiring connecting the cells is described to perform the process of determining the intersection with the cell frame and generating the terminal point, but the block connecting the blocks to each other In the case where there is a possibility that the inter-wiring is connected to the constituent elements in the cell, the inter-block wiring may be determined by determining the intersection with the cell frame and determining the terminal point. That is, the terminal
<<< §5. 等電位追跡処理 >>>
ここでは、等電位追跡部550によって行われる等電位追跡処理について説明する。等電位追跡部550は、レイアウトパターンを構成する特定の着目図形に対して等電位となる別な図形を等電位図形として認識する等電位追跡処理を行う機能を有する。図13に示す装置の場合、等電位追跡部550による等電位追跡処理の結果は、端子点決定部500および回路復元部700で利用される。端子点決定部500および回路復元部700は、必要に応じて、レイアウトパターン上の特定の図形を着目図形として指定し、等電位追跡部550に対して等電位追跡指示を与える。
<<< §5. Equipotential tracking process >>>
Here, the equipotential tracking process performed by the
等電位追跡部550は、このような等電位追跡指示を受けたときに、条件設定部800に設定されている等電位追跡条件に基づいて、指示された着目図形に対して等電位となる図形を等電位図形と認識する等電位追跡処理を実行する。条件設定部800には、セル構成データおよびブロック構成データに含まれる複数の図形が、相互に等電位となる要件を示す等電位追跡条件を予め設定しておくようにする。具体的には、セル構成データおよびブロック構成データに含まれるレイヤーのうち、導電性レイヤーを示す情報を、予め等電位追跡条件として設定しておけばよい。たとえば、メタルレイヤーを導電性レイヤーとして設定した場合、メタルレイヤーに属する図形が着目図形として指定されると、メタルレイヤーに属し、かつ、当該着目図形に連なる図形群が等電位図形と認識されることになる。
When the
もっとも、CMOSトランジスタを含む一般的なLSIでは、複数の導電性レイヤーが用いられることが多い。そのような場合は、等電位追跡条件として、これら複数の導電性レイヤーを示す情報とともに、複数のレイヤー間を接続するためのコンタクトを示す図形を含むコンタクトレイヤーを示す情報を設定するようにする。たとえば、図6に示すような5つのレイヤーが定義されている場合、レイヤーL1(ポリシリコン)およびレイヤーL3(メタル)を導電性レイヤーとし、レイヤーL5(コンタクト)をコンタクトレイヤーとする等電位追跡条件を設定すればよい。 However, in general LSIs including CMOS transistors, a plurality of conductive layers are often used. In such a case, information indicating a contact layer including a figure indicating a contact for connecting the plurality of layers is set as the equipotential tracking condition together with information indicating the plurality of conductive layers. For example, when five layers as shown in FIG. 6 are defined, the equipotential tracking condition in which the layer L1 (polysilicon) and the layer L3 (metal) are conductive layers and the layer L5 (contact) is a contact layer. Should be set.
実際には、個々のレイヤーには、図5に例示するように、L1,L2,... 等の識別コードを付しておくようにする。この場合、セル内のパターン、セル間配線、ブロック間配線について、互いに同一の材料から構成されるレイヤーには同一の識別コードを付すようにする(必要に応じて、同一の材料から構成されるレイヤーに異なる複数種類の識別コードを付し、たとえば、メタル1レイヤー/メタル2レイヤーのように区別してもかまわない)。 Actually, identification codes such as L1, L2,... Are attached to each layer as illustrated in FIG. In this case, for the pattern in the cell, the inter-cell wiring, and the inter-block wiring, the same identification code is attached to the layers composed of the same material (if necessary, the layers are composed of the same material) Different types of identification codes are attached to the layers, and the layers may be distinguished, for example, as a metal 1 layer / metal 2 layer).
このように、セル構成データ格納部300に、所定の識別コードが付されたレイヤーごとに、それぞれその構成要素となる図形を収録したセル構成データが格納され、ブロック構成データ格納部200に、所定の識別コードが付されたレイヤーごとに、セル間配線もしくはブロック間配線を構成する図形を収録した配線情報が格納され、条件設定部800に、等電位追跡条件として、導電性レイヤーを示す情報とともに、複数のレイヤー間を接続するためのコンタクトを示す図形を含むコンタクトレイヤーを示す情報が設定されていれば、等電位追跡部550は、次のような判断基準で、等電位図形の認識を行うことができる。
In this way, cell configuration data storing a graphic as a component for each layer to which a predetermined identification code is attached is stored in the cell configuration
まず、互いに同一の識別コードが付された複数の導電性レイヤーに所属する図形が平面的に重畳している場合には、当該重畳図形が等電位であると認識できる。たとえば、レイヤーL1(ポリシリコン)に属するセル内図形と、同じくレイヤーL1(ポリシリコン)に属するセル間配線図形とが平面的に重なりあっている場合、レイアウトパターン上では、これらの図形は融合することになるので、両者は等電位であると判断できる。一方、互いに異なる識別コードが付された複数の導電性レイヤーに所属する図形が平面的に重畳している場合には、重畳領域にコンタクトレイヤーに所属する図形が存在する場合に限り、当該重畳図形が等電位であると認識することができる。これは、異なるレイヤー同士は、平面的に重畳していても、三次元的には離れているため、コンタクトを介して接続していた場合に限って、両者が等電位であると判断できるためである。たとえば、レイヤーL1(ポリシリコン)に属する図形とレイヤーL3(メタル)に属する図形が平面的に重なりあっていた場合、重畳領域にレイヤーL5(コンタクト)に所属する図形が存在する場合に限って、両者が等電位であると認識することになる。 First, when the figures belonging to a plurality of conductive layers with the same identification code are superimposed in a plane, it can be recognized that the superimposed figure is equipotential. For example, when the intra-cell graphic belonging to the layer L1 (polysilicon) and the inter-cell wiring graphic belonging to the layer L1 (polysilicon) overlap in a plane, these figures merge on the layout pattern. Therefore, it can be determined that both are equipotential. On the other hand, when figures belonging to multiple conductive layers with different identification codes are superimposed in a plane, the superimposed figure only if the figure belonging to the contact layer exists in the overlap area Can be recognized as being equipotential. This is because different layers are three-dimensionally separated from each other even if they are overlapped in a plane, so that they can be determined to be equipotential only if they are connected via contacts. It is. For example, when a figure belonging to the layer L1 (polysilicon) and a figure belonging to the layer L3 (metal) overlap in a plane, only when a figure belonging to the layer L5 (contact) exists in the overlapping region, It will be recognized that both are equipotential.
なお、互いに異なるレイヤーに所属する3つ以上の図形が平面的に重なっており、その重複領域にコンタクトが配置されている場合、通常、コンタクトは、重なっている3つ以上の図形のうちの所定の2図形のみを接続する決まりになっていることが多い。このような場合、条件設定部800には、等電位追跡条件として、互いに異なる識別コードが付された一対の導電性レイヤーの組み合わせについての優先順位を設定しておくようにし、等電位追跡部550が、互いに異なる識別コードが付された3以上のレイヤーに所属する図形が平面的に重畳しており、重畳領域にコンタクトレイヤーに所属する図形が存在する場合には、上記優先順位に基づく一対のレイヤーに所属する重畳図形のみが接続されていると認識するようにすればよい。
When three or more figures belonging to different layers overlap in a plane and a contact is arranged in the overlapping area, the contact is usually a predetermined one of the three or more overlapping figures. In many cases, only two figures are connected. In such a case, in the
図22は、このような優先順位を考慮した等電位追跡条件の設定例を示す図である。まず、条件(a) には、導電性レイヤーを示す情報として、レイヤーL1(ポリシリコン)とレイヤーL3(メタル)が設定されている。また、条件(b) には、コンタクトレイヤーを示す情報として、レイヤーL5(コンタクト)が設定されている。そして、条件(c) には、コンタクトの優先順位を示す情報として、第1優先順位「L3(メタル)とL1(ポリシリコン)」、第2優先順位「L3(メタル)とL2(拡散層)」なる情報が設定されている。 FIG. 22 is a diagram illustrating an example of setting equipotential tracking conditions in consideration of such priorities. First, in condition (a), layer L1 (polysilicon) and layer L3 (metal) are set as information indicating the conductive layer. In the condition (b), the layer L5 (contact) is set as information indicating the contact layer. The condition (c) includes, as information indicating the priority of contacts, the first priority “L3 (metal) and L1 (polysilicon)” and the second priority “L3 (metal) and L2 (diffusion layer). "Is set.
この条件(c) として設定された優先順位を示す情報は、図23に示すレイヤー構造を前提としたものである。図23は、物理的なレイヤー構造の断面図であり、上方から順に、L3(メタル),L1(ポリシリコン),L2(拡散層)の順に積層されている。実際には、各層間に示す空間には、絶縁層が形成されることになる。コンタクトC1,C2の実体は、この絶縁層に形成されたコンタクトホールに充填された導電材料からなる配線である。図示のような構造を前提とすると、レイヤーL3(メタル)の下方にレイヤーL1(ポリシリコン)が存在する場合は、コンタクトC1のように、コンタクトによって「L3(メタル)とL1(ポリシリコン)」とが接続されることになる。コンタクトの第1優先順位は、このような場合に接続される一対のレイヤーを示している。一方、レイヤーL3(メタル)の下方にレイヤーL1(ポリシリコン)は存在せず、レイヤーL2(拡散層)が存在する場合は、コンタクトC2のように、コンタクトによって「L3(メタル)とL2(拡散層)」とが接続されることになる。コンタクトの第2優先順位は、このような場合に接続される一対のレイヤーを示している。 The information indicating the priority set as the condition (c) is based on the layer structure shown in FIG. FIG. 23 is a cross-sectional view of a physical layer structure, in which L3 (metal), L1 (polysilicon), and L2 (diffusion layer) are stacked in this order from the top. Actually, an insulating layer is formed in the space shown between the layers. The substance of the contacts C1 and C2 is a wiring made of a conductive material filled in a contact hole formed in the insulating layer. Assuming the structure as shown in the figure, when the layer L1 (polysilicon) is present below the layer L3 (metal), “L3 (metal) and L1 (polysilicon)” are formed by the contacts as in the contact C1. And will be connected. The first priority of the contact indicates a pair of layers connected in such a case. On the other hand, when the layer L1 (polysilicon) does not exist below the layer L3 (metal) and the layer L2 (diffusion layer) exists, “L3 (metal) and L2 (diffusion) are caused by the contact like the contact C2. Layer) ”. The second priority of the contact indicates a pair of layers connected in such a case.
ここに示す例の場合、レイヤーL2(拡散層)は導電性レイヤーではないため、図23において、レイヤーL2(拡散層)の一部とレイヤーL3(メタル)の一部がコンタクトC2によって接続されていたとしても、レイヤーL2(拡散層)全体がレイヤーL3(メタル)に対して等電位になることはない。しかしながら、コンタクトの下端部分まではレイヤーL3(メタル)と等電位になるので、コンタクトの下端がレイヤーL2(拡散層)に接続されているのか(図23のコンタクトC2の場合)、あるいは接続されていないのか(図23のコンタクトC1の場合)を区別することは、後に述べる素子認識処理を行う上で必要な情報になる。このような点において、図22に示す条件(c) の優先順位は重要な役割を果たす。 In the example shown here, since the layer L2 (diffusion layer) is not a conductive layer, in FIG. 23, part of the layer L2 (diffusion layer) and part of the layer L3 (metal) are connected by the contact C2. Even so, the entire layer L2 (diffusion layer) is not equipotential to the layer L3 (metal). However, since the lower end portion of the contact is equipotential with the layer L3 (metal), is the lower end of the contact connected to the layer L2 (diffusion layer) (in the case of the contact C2 in FIG. 23) or is connected? It is necessary to distinguish whether it is present (in the case of the contact C1 of FIG. 23) in performing element recognition processing described later. In this respect, the priority order of the condition (c) shown in FIG. 22 plays an important role.
図24は、等電位追跡部550による具体的な処理を説明するための単純なレイアウトパターンを示す平面図である。この例では、L1(ポリシリコン),L2(拡散層),L3(メタル),L5(コンタクト)の4種類のレイヤーに所属する複数の図形が示されている。ここでは、条件設定部800に、等電位追跡条件として、図22に示すような条件(a) ,(b) ,(c) が設定されているものとしよう。そして、等電位追跡部550に対して、右上に図示する図形fz(L3(メタル))を着目図形とする等電位追跡指示が与えられた場合を考えてみる。
FIG. 24 is a plan view showing a simple layout pattern for explaining specific processing by the
図22に示す等電位追跡条件によると、導電性レイヤーはL1,L3であるので、レイヤーL1もしくはL3に所属する図形であって、着目図形fzに対して直接もしくは間接的に接続されている図形群が等電位図形と認識されることになる。その結果、図25にハッチングを施して示す図形が、着目図形およびその等電位図形として認識される。この例の場合、ハッチングが施された4つの長方形は、3つのコンタクトによって接続されている。なお、図22に示す条件(c) により、中央のコンタクトは、L1(ポリシリコン)とL3(メタル)とを接続するコンタクトと認識され、L2(拡散層)に接続するコンタクトではないとの認識がなされる。 According to the equipotential tracking condition shown in FIG. 22, since the conductive layers are L1 and L3, the figure belongs to the layer L1 or L3 and is directly or indirectly connected to the target figure fz. The group will be recognized as an equipotential figure. As a result, the figure shown by hatching in FIG. 25 is recognized as the figure of interest and its equipotential figure. In this example, the four hatched rectangles are connected by three contacts. Note that, according to the condition (c) shown in FIG. 22, the central contact is recognized as a contact connecting L1 (polysilicon) and L3 (metal), and is not a contact connecting to L2 (diffusion layer). Is made.
<<< §6. 通過配線の除外処理 >>>
ここでは、端子点決定部500が端子点を決定する際に、上述した等電位追跡処理を利用して、セルを単に通過する配線を除外する処理を述べておく。
<<< §6. Exclusion process of passing wiring >>>
Here, a process of excluding a wiring that simply passes through a cell using the above-described equipotential tracking process when the terminal
§4では、図18および図19に示す例に基づいて、端子点決定部500による端子点の決定処理の手順を説明し、図20に例示するような4つの端子点T1〜T4が得られることを説明した。この図20に示す例の場合、4つの端子点T1〜T4は、いずれもセルC101に対して信号の出入りもしくは電源供給を行うための適切な端子を示している。
In §4, the procedure of terminal point determination processing by the terminal
しかしながら、セル枠と交差する配線は、必ずしも当該セルに対する配線であるとは限らず、当該セルを単に通過するだけの配線である場合もある。たとえば、図26には、横方向に並んだ3つのセルC11,C12,C13と、2本のセル間配線w12,w13が示されている。ここで、配線w12がセルC12の内部要素に対する配線であり、配線w13がセルC13の内部要素に対する配線であったとしよう。すなわち、配線w12は、セル枠F11を横切っているが、セルC11のいずれの内部要素にも接続されておらず、単に、セルC11を横切っているだけである。同様に、配線w13は、セル枠F11,F12を横切っているが、セルC11,C12のいずれの内部要素にも接続されておらず、単に、セルC11,C12を横切っているだけである。 However, the wiring that intersects the cell frame is not necessarily a wiring for the cell, and may be a wiring that simply passes through the cell. For example, FIG. 26 shows three cells C11, C12, C13 arranged in the horizontal direction and two inter-cell wirings w12, w13. Here, it is assumed that the wiring w12 is a wiring for the internal element of the cell C12, and the wiring w13 is a wiring for the internal element of the cell C13. That is, the wiring w12 crosses the cell frame F11, but is not connected to any internal element of the cell C11, and merely crosses the cell C11. Similarly, the wiring w13 crosses the cell frames F11 and F12, but is not connected to any internal element of the cells C11 and C12, and simply crosses the cells C11 and C12.
このように、セルを単に通過する配線が存在する場合、端子点決定部500が、§4で述べたアルゴリズムで端子点決定処理を行うと、不適切な端子点が生成されることになる。すなわち、図26に示す例では、配線w12,w13を構成する図形と各セル枠F11,F12,F13との交差部分に、端子点T11〜T18が定義されることになる。ところが、図示の端子点T11〜T14、T16,T17は、単にセルを通過する配線との交差によって生じた端子点であり、本来、端子点となるべき点ではない。
As described above, when there is a wiring that simply passes through the cell, if the terminal
このような無用な端子点の生成を防ぐには、端子点決定部500が、セル枠と交差する各交差図形を着目図形として等電位追跡部550に等電位追跡指示を与え、各交差図形のうち、セル枠に対応するセル構成データに収録されているいずれかの図形が等電位図形となる交差図形のみについて交差線分の認識を行うようにすればよい。
In order to prevent the generation of such unnecessary terminal points, the terminal
たとえば、図26に示す例の場合、端子点決定部500がセルC11についての端子点を決定する際に、配線w12を構成する図形を着目図形として、等電位追跡部550に等電位追跡指示を与える。その結果、着目図形に対して等電位図形となる図形は、セルC11内には発見されないので、配線w12についての交差線分の認識は行われず、図示の端子点T11,T13は生じないことになる。配線w13を構成する図形を着目図形とする等電位追跡処理によっても同様の結果が得られるので、配線w13についての交差線分の認識も行われず、図示の端子点T12,T14は生じないことになる。
For example, in the example shown in FIG. 26, when the terminal
一方、端子点決定部500がセルC12についての端子点を決定する際に、配線w12を構成する図形を着目図形として、等電位追跡部550に等電位追跡指示を与えると、セルC12内のいずれかの図形が等電位図形として発見されることになるので、配線w12についての交差線分は通常どおり認識され、図示の端子点T15が生成される。これに対して、配線w13を構成する図形を着目図形とする等電位追跡処理では、等電位図形は発見されないので、配線w13についての交差線分の認識は行われず、図示の端子点T16,T17は生じないことになる。
On the other hand, when the terminal
また、端子点決定部500がセルC13についての端子点を発生する際に、配線w13を構成する図形を着目図形として、等電位追跡部550に等電位追跡指示を与えると、セルC13内のいずれかの図形が等電位図形として発見されることになるので、配線w13についての交差線分は通常どおり認識され、図示の端子点T18が生成される。
In addition, when the terminal
かくして、図26に示す例の場合、本来、端子点を生成すべき位置である端子点T15およびT18の位置にのみ端子点が生成され、無用な端子点の生成を防ぐことができる。 Thus, in the case of the example shown in FIG. 26, terminal points are generated only at the positions of terminal points T15 and T18, which are positions where terminal points should be generated, and generation of useless terminal points can be prevented.
図27は、図5に示すセルC101を通過するセル間配線w5の取り扱いを示す平面図である。この例の場合、セル間配線w1〜w4は、いずれもセル内のいずれかの図形と接続されているため、各セル間配線を着目図形とする等電位追跡処理により、セル内のいずれかの図形が等電位図形として発見されることになる。したがって、通常どおり、端子点T1〜T4が発生される。これに対して、セル間配線w5(セル内の各図形が所属するレイヤーとは異なる識別コードをもったレイヤーに所属するものとする)は、セル内のいずれの図形とも接続されておらず、セル間配線w5を着目図形とする等電位追跡処理を行っても、セル内に等電位図形が発見されることはない。よって、図示の端子点T5,T6は、実際には発生せず、これらの位置に無駄な端子点が生成されることもない。 FIG. 27 is a plan view showing the handling of the inter-cell wiring w5 that passes through the cell C101 shown in FIG. In the case of this example, since the inter-cell wirings w1 to w4 are all connected to any graphic in the cell, any of the inter-cell wirings in the cell is performed by the equipotential tracking process using the inter-cell wiring as the target graphic. The figure will be found as an equipotential figure. Therefore, terminal points T1 to T4 are generated as usual. In contrast, the inter-cell wiring w5 (which belongs to a layer having an identification code different from the layer to which each figure in the cell belongs) is not connected to any figure in the cell, Even if the equipotential tracking process using the inter-cell wiring w5 as the target graphic is performed, the equipotential graphic is not found in the cell. Therefore, the terminal points T5 and T6 shown in the figure do not actually occur, and useless terminal points are not generated at these positions.
<<< §7. 領域および素子の認識と回路復元処理 >>>
ここでは、図13に示す装置における回路復元部700の機能を説明する。図示のとおり、回路復元部700は、領域認識部710、素子認識部720、回路図表示部730という3つの構成要素を含んでおり、その役割は、表示対象指定部900から指定された表示対象回路について、その回路図をディスプレイ画面上に表示することにある。そのために、回路復元部700は、ブロック構成データ格納部200から必要なブロック構成データを読み出し、セル構成データ格納部300から必要なセル構成データを読み出す機能を有している。また、必要に応じて、等電位追跡部550に対して等電位追跡指示を与え、着目図形に対して等電位となる等電位図形の認識を行う。
<<< §7. Region and element recognition and circuit restoration processing >>>
Here, the function of the
一方、条件設定部800内には、予め、領域認識条件と素子認識条件とが設定されている。ここで、領域認識条件は、セル構成データに含まれている図形に基づいて領域認識を行うための条件であり、領域認識部710は、この領域認識条件に基づいて、所定の認識対象セル内のセル構成データに含まれている図形について、素子を構成する個々の素子構成領域を認識する機能を果たすことになる。また、素子認識条件は、複数の領域および端子点の接続関係に基づいて特定の素子を認識するための条件であり、素子認識部720は、領域認識部710が認識した複数の素子構成領域および端子点決定部500が決定した端子点の接続関係を、等電位追跡部550によって相互に等電位であると認識された図形については電気的に接続されたものとして取り扱いながら、条件設定部800内の素子認識条件と照合することにより、認識対象セルに対応する素子を認識する機能を果たすことになる。
On the other hand, in the
後述するように、MOSトランジスタを含む論理素子を取り扱う場合には、条件設定部800に、チャネル領域、ゲート領域、ソース・ドレイン領域を認識するための領域認識条件と、チャネル領域、ゲート領域、ソース・ドレイン領域の相互の接続関係およびこれらと端子点との接続関係に基づいてMOSトランジスタを含む論理素子を認識する素子認識条件と、を設定しておけばよい。
As will be described later, when handling a logic element including a MOS transistor, the
図28は、一般的なMOSトランジスタの回路図と素子構成領域との関係を示す図である。MOSトランジスタの中枢をなす素子構成領域はチャネル領域であり、P型MOSトランジスタの場合はP型のチャネル領域が形成され、N型MOSトランジスタの場合はN型のチャネル領域が形成される。図28の回路図では、トランジスタを示す記号のうち、「PまたはN」と記述した中央部分をチャネル領域に対応させている。これに対して、図に「G」と記述した部分はゲート領域であり、図に「SD」と記述した2箇所の部分はソース・ドレイン領域である。実際には、「SD」と記述した2箇所の部分は、一方がソース領域、他方がドレイン領域になるが、ソース/ドレインは可換性があり、LSI内の実装状態によって、どちらがソース、どちらがドレインになるかが決まるため、ここでは両者をソース・ドレイン領域として区別せずに取り扱うことにする。 FIG. 28 is a diagram illustrating a relationship between a circuit diagram of a general MOS transistor and an element configuration region. The element configuration region forming the center of the MOS transistor is a channel region. In the case of a P-type MOS transistor, a P-type channel region is formed, and in the case of an N-type MOS transistor, an N-type channel region is formed. In the circuit diagram of FIG. 28, the center portion described as “P or N” among the symbols indicating the transistors corresponds to the channel region. On the other hand, the portion described as “G” in the figure is a gate region, and the two portions described as “SD” in the drawing are source / drain regions. Actually, two portions described as “SD” are one of a source region and the other a drain region, but the source / drain are interchangeable, and depending on the mounting state in the LSI, which is the source and which is which Since it is determined whether to become a drain, both are treated as a source / drain region without distinction here.
図28では、便宜上、MOSトランジスタの回路図の各部に、チャネル領域、ゲート領域、そして2箇所のソース・ドレイン領域という4つの素子構成領域を対応づけて説明したが、これらの素子構成領域は、物理的なLSI内に実際に形成される領域に対応しており、レイアウトパターン上で特定のレイヤーの組み合わせとして定義できる領域である。 In FIG. 28, for the sake of convenience, each part of the circuit diagram of the MOS transistor has been described by associating four element configuration regions, that is, a channel region, a gate region, and two source / drain regions. It corresponds to a region actually formed in a physical LSI, and can be defined as a combination of specific layers on a layout pattern.
条件設定部800に設定される領域認識条件は、このような特定のレイヤーの組み合わせとして各素子構成領域を定義した条件ということができる。図29は、CMOS回路(P型MOSトランジスタとN型MOSトランジスタとの組み合わせ回路)から構成される素子について設定された領域認識条件の一例を示す図である。この例では、まず、P型MOSトランジスタのチャネル領域Pとして、「L1andL2andL4バー」(電子出願の制約上、明細書上では、記号の上部に付すべきバーについては、記号に後続して「バー」と表記する)なる認識条件が設定され、N型MOSトランジスタのチャネル領域Nとして、「L1andL2andL4」なる認識条件が設定されている。ここで、L1,L2,L4は、図6に示す各レイヤーに所属する図形を示しており、「and」は、各レイヤーに所属する図形の論理積を示しており、「L4バー」は、レイヤーL4に所属する図形が存在しない状態であることを示している。また、ゲート領域Gとして、「チャネル領域を含むL1」なる認識条件が設定されており、ソース・ドレイン領域SDとして、「チャネル領域を含むL2」なる認識条件が設定されている。
The area recognition condition set in the
図30は、領域認識部710が、図29に示す領域認識条件に基づいて、図20に示すセルについて領域認識を行った結果を示す平面図である。図にハッチングを施して示す正方形領域Pは、図形f1およびf2の論理積領域であり、図29の1行目に記載された条件に基づいて、P型MOSトランジスタのチャネル領域Pと認識されることになる。すなわち、この正方形領域Pは、レイヤーL1に所属する図形f1とレイヤーL2に所属する図形f2との論理積領域であり、しかもレイヤーL4に所属する図形f7は存在しない領域となっており、「L1andL2andL4バー」なる条件を満たしている。 FIG. 30 is a plan view showing a result of region recognition performed by the region recognition unit 710 on the cells shown in FIG. 20 based on the region recognition conditions shown in FIG. A square area P shown by hatching is a logical product area of the figures f1 and f2, and is recognized as the channel area P of the P-type MOS transistor based on the condition described in the first line of FIG. It will be. That is, the square area P is a logical product area of the figure f1 belonging to the layer L1 and the figure f2 belonging to the layer L2, and the figure f7 belonging to the layer L4 does not exist. “L1andL2andL4” Satisfies the “bar” condition.
また、図にハッチングを施して示す正方形領域Nは、図形f1およびf3の論理積領域であり、図29の2行目に記載された条件に基づいて、N型MOSトランジスタのチャネル領域Nと認識されることになる。すなわち、この正方形領域Nは、レイヤーL1に所属する図形f1と、レイヤーL2に所属する図形f3と、レイヤーL4に所属する図形f7との論理積領域となっており、「L1andL2andL4」なる条件を満たしている。 A square area N shown by hatching is a logical product area of the figures f1 and f3, and is recognized as a channel area N of the N-type MOS transistor based on the condition described in the second line of FIG. Will be. That is, the square area N is a logical product area of the figure f1 belonging to the layer L1, the figure f3 belonging to the layer L2, and the figure f7 belonging to the layer L4, and satisfies the condition “L1 and L2 and L4”. ing.
こうして、チャネル領域P,Nの認識が完了すると、これらチャネル領域P,Nを含むレイヤーL1に所属する図形の領域がゲート領域Gとして認識され(図29の3行目に記載された条件)、これらチャネル領域P,Nを含むレイヤーL2に所属する図形の領域がソース・ドレイン領域SDとして認識される(図29の4行目に記載された条件)。具体的には、図30において、図形f1がゲート領域Gと認識され、図形f2,f3がソース・ドレイン領域SDとして認識される。ゲート領域Gおよびソース・ドレイン領域SDは、一部分にチャネル領域を包含することになる。 Thus, when the recognition of the channel regions P and N is completed, the region of the graphic belonging to the layer L1 including these channel regions P and N is recognized as the gate region G (condition described in the third line in FIG. 29), A region of a figure belonging to the layer L2 including the channel regions P and N is recognized as the source / drain region SD (condition described in the fourth line in FIG. 29). Specifically, in FIG. 30, the graphic f1 is recognized as the gate region G, and the graphic f2 and f3 are recognized as the source / drain region SD. The gate region G and the source / drain region SD partially include a channel region.
図29に示す領域認識条件は、結局、異なる複数のレイヤーに所属する図形の論理積領域を特定の素子構成領域に対応づけるルール(1行目および2行目に記載された認識条件)と、特定のレイヤーに所属し、認識した特定の素子構成領域を含む図形の領域を特定の素子構成領域に対応づけるルール(3行目および4行目に記載された認識条件)とによって構成されていることになる。 The area recognition condition shown in FIG. 29 is, as a result, a rule (recognition condition described in the first and second lines) that associates a logical product area of figures belonging to different layers with a specific element configuration area, It is configured by a rule (recognition condition described in the third and fourth lines) that associates a graphic area that belongs to a specific layer and includes a recognized specific element configuration area with a specific element configuration area. It will be.
このように、MOSトランジスタの素子構成領域がそれぞれ認識できれば、等電位追跡部550による等電位追跡処理を利用することにより、個々の領域および各端子点の相互の接続関係を認識することが可能になる。具体的には、図30に示すセルパターンにおいて、端子点T1は図形f4を介して図形f2(すなわち、ソース・ドレイン領域SD)に接続され、端子点T2は図形f1(すなわち、ゲート領域G)に接続され、端子点T3は図形f5を介して図形f3(すなわち、ソース・ドレイン領域SD)に接続され、端子点T4は図形w4およびf6を介して図形f2,f3(すなわち、ソース・ドレイン領域SD)に接続されていることが認識できる。
In this way, if the element constituent regions of the MOS transistors can be recognized, it is possible to recognize the mutual connection relationship between each region and each terminal point by using the equipotential tracking processing by the
図31は、図30に示すセルについて、各端子点T1〜T4と各素子構成領域との接続関係を示す平面図である。等電位追跡処理の結果、チャネル領域Pとチャネル領域Nとが接続されていることも認識できるので、結局、チャネル領域Pおよびチャネル領域Nと各端子点T1〜T4との間には、各素子構成領域を介して、太線で描かれた接続関係が存在することが認識できる。この接続関係を、図28に示す接続関係と照合すれば、図31に示すセル内の上半分はP型MOSトランジスタ回路であり、下半分はN型MOSトランジスタ回路であることが認識できる。また、端子点T1はP型MOSトランジスタ回路のソース・ドレイン端子、端子点T2はP型MOSトランジスタ回路とN型MOSトランジスタ回路との共通のゲート端子、端子点T3はN型MOSトランジスタ回路のソース・ドレイン端子、端子点T4はP型MOSトランジスタ回路とN型MOSトランジスタ回路との共通のソース・ドレイン端子、という対応関係を認識することができる。 FIG. 31 is a plan view showing a connection relationship between each of the terminal points T1 to T4 and each of the element constituent regions in the cell shown in FIG. Since it can also be recognized that the channel region P and the channel region N are connected as a result of the equipotential tracking process, each element between the channel region P and the channel region N and each of the terminal points T1 to T4 is eventually found. It can be recognized that there is a connection relationship drawn by a thick line through the configuration area. If this connection relation is collated with the connection relation shown in FIG. 28, it can be recognized that the upper half in the cell shown in FIG. 31 is a P-type MOS transistor circuit and the lower half is an N-type MOS transistor circuit. The terminal point T1 is a source / drain terminal of the P-type MOS transistor circuit, the terminal point T2 is a common gate terminal for the P-type MOS transistor circuit and the N-type MOS transistor circuit, and the terminal point T3 is a source of the N-type MOS transistor circuit. The drain terminal and terminal point T4 can recognize the correspondence relationship between the common source / drain terminal of the P-type MOS transistor circuit and the N-type MOS transistor circuit.
素子認識部720は、このように、領域認識部710が認識した素子構成領域および端子点決定部500が決定した端子点の相互の接続関係に基づいて、セル単位で素子を認識する処理を行う。そのためには、条件設定部800に、候補となる複数の素子のそれぞれについて、当該素子を構成する複数の素子構成領域および端子点の相互の接続関係を示すルールを、素子認識条件として設定しておけばよい。
In this way, the
図32は、条件設定部800に設定される素子認識条件の一例を示す図である。ここでは、候補となる3通りの素子(1つのセルに対応する素子)について、当該素子を構成する素子構成領域および端子点の相互の接続関係を示すルールが示されている。すなわち、図32(a) はインバータ回路についてのルール、図32(b) はNAND回路についてのルール、図32(c) はNOR回路についてのルールである。ここでは、説明の便宜上、個々の接続ルールをトランジスタレベルの回路図で示してあるが(右側に括弧書きで、論理回路記号を併記した)、実際の素子認識条件は、具体的な領域間の接続関係を示すルール(いわゆるネットリスト)として設定される。
FIG. 32 is a diagram illustrating an example of element recognition conditions set in the
たとえば、図32(a) に示すインバータ回路の場合、上半分には、「チャネル領域P」に対して、「第1のソース・ドレイン領域SD」、「第2のソース・ドレイン領域SD」、「ゲート領域G」が接続されたP型MOSトランジスタ(PMOS)が構成され、下半分には、「チャネル領域N」に対して、「第1のソース・ドレイン領域SD」、「第2のソース・ドレイン領域SD」、「ゲート領域G」が接続されたN型MOSトランジスタ(NMOS)が構成され、両トランジスタの「ゲート領域G」は、セルの入力端子「In」に接続され、PMOSの「第1のソース・ドレイン領域SD」には電源Vddが接続され、NMOSの「第2のソース・ドレイン領域SD」には接地電位Gndが接続され、PMOSの「第2のソース・ドレイン領域SD」とNMOSの「第1のソース・ドレイン領域SD」は、セルの出力端子「Out」に接続されている、という具体的な接続関係を示すルールが、素子認識条件として設定される。 For example, in the case of the inverter circuit shown in FIG. 32A, in the upper half, “first source / drain region SD”, “second source / drain region SD”, “channel region P”, A P-type MOS transistor (PMOS) to which the “gate region G” is connected is configured, and in the lower half, the “first source / drain region SD” and the “second source” with respect to the “channel region N”. An N-type MOS transistor (NMOS) in which the drain region SD and the gate region G are connected is configured, and the “gate region G” of both transistors is connected to the input terminal “In” of the cell and the PMOS “ A power source Vdd is connected to the “first source / drain region SD”, a ground potential Gnd is connected to the “second source / drain region SD” of NMOS, and a “second source / drain of PMOS” is connected. A rule indicating a specific connection relationship that the region SD ”and the NMOS“ first source / drain region SD ”are connected to the output terminal“ Out ”of the cell is set as an element recognition condition.
前述したとおり、素子認識部720は、等電位追跡部550によって互いに等電位であると認識された領域については電気的に接続されたものとして、個々のセル枠内の素子構成領域の接続関係を認識する。たとえば、図31に示すセルC101の例の場合、既に述べたとおり、各領域および各端子点の間に、図に太線で示すような接続関係があることが認識できる。図33は、こうして認識された各領域および各端子点の相互間の接続関係を抽出し、トランジスタレベルの回路図に対応させて書き直した図である。図31に示すレイアウトパターンについて、前述したような領域認識が行われたことを考えれば、このレイアウトパターンから、図33に示すような接続関係が抽出できることは容易に理解できよう。素子認識部720は、この図33に示すような接続関係(セル枠内の実際のパターンから認識した素子構成領域と端子点の相互の接続関係)を、図32に示す個々の候補となる素子(この例の場合は3通りの素子)について設定された接続関係とそれぞれ照合する処理を行う。そして、接続関係が合致する素子があれば、セル内の回路を当該素子と認識することになる。
As described above, the
上例の場合、図33に示す接続関係を、図32(a) ,(b) ,(c) に示す各素子の接続関係と照合することにより、図32(a) のインバータ回路と合致することがわかる。したがって、図31に示すセルC101は、素子認識部720によって、インバータ回路素子と認識されることになる。しかも、図33の接続関係を、図32(a) の接続関係と照らし合わせれば、端子点T1は電源端子「Vdd」に対応し、端子点T2は入力端子「In」に対応し、端子点T3は接地端子「Gnd」に対応し、端子点T4は出力端子「Out」に対応することが判明するので、図31に示すレイアウトパターンに基づいて、図21に示す回路図を復元することができる。この回路図における端子T1〜T4は、図31に示すレイアウトパターン上に定義された端子点T1〜T4に対応する。
In the case of the above example, the connection relationship shown in FIG. 33 matches the inverter circuit shown in FIG. 32 (a) by checking the connection relationship shown in FIGS. 32 (a), (b) and (c). I understand that. Therefore, the cell C101 shown in FIG. 31 is recognized as an inverter circuit element by the
回路図表示部730は、こうして素子認識部720が認識した素子を論理回路記号に対応づけ、セル間配線情報(もしくはブロック間配線情報)を論理回路記号間の結線に対応づけることにより、表示対象回路についての論理回路図を作成し、これをディスプレイ画面上に画像として表示する機能を果たす。すなわち、図31に示すレイアウトパターンについては、これを図21に示す「インバータ回路」の論理回路記号に対応づけ、回路図上に当該論理回路記号を表示すればよい。もっとも、論理回路図では、通常、電源端子Vddや接地端子Gndを表示する必要はないので、実用上は、入力端子Inと出力端子Outのみが描かれた論理回路記号を表示すれば十分である。
The circuit
以上、認識対象となる1つのセル内のレイアウトパターンに基づいて、素子認識を行い、1つの論理回路記号を表示する例を述べたが、本発明では、レイアウトパターン上で端子点の入出力属性が認識されているので、レイアウトパターン上で信号の流れを辿る信号追跡処理を行うことが可能であり、回路図表示部730は、この信号追跡処理の結果を踏まえて、信号の流れに沿った特定のセルについての回路図を作成し、これを表示することが可能になる。
The example in which element recognition is performed based on the layout pattern in one cell to be recognized and one logic circuit symbol is displayed has been described above. In the present invention, the input / output attributes of terminal points on the layout pattern are described. Therefore, it is possible to perform signal tracking processing that follows the signal flow on the layout pattern, and the circuit
図34は、図31に示すセルについて、個々の端子点について認識された端子属性を、説明のために、それぞれ異なる図形で示した平面図である。すなわち、この例の場合、セル枠F上に4つの端子点が表示されているが、左上の端子点(図31の端子点T1)は電源端子「Vdd」であることを示す白抜き正方形、右上の端子点(図31の端子点T2)は入力端子「In」であることを示す白抜き三角形、左下の端子点(図31の端子点T3)は接地端子「Gnd」であることを示す白抜き円形、右下の端子点(図31の端子点T4)は出力端子「Out」であることを示す白抜き菱形でそれぞれ示してある。もちろん、実際には、これら端子属性の相違は、素子認識部720の内部において、何らかの識別コードの相違として把握されていることになる。
FIG. 34 is a plan view showing terminal attributes recognized for individual terminal points with different graphics for the purpose of explanation. That is, in this example, four terminal points are displayed on the cell frame F, but the upper left terminal point (terminal point T1 in FIG. 31) is a white square indicating the power supply terminal “Vdd”. The upper right terminal point (terminal point T2 in FIG. 31) is a white triangle indicating the input terminal “In”, and the lower left terminal point (terminal point T3 in FIG. 31) is the ground terminal “Gnd”. The white circle and the lower right terminal point (terminal point T4 in FIG. 31) are respectively shown by white diamonds indicating the output terminal “Out”. Of course, in practice, the difference in the terminal attributes is recognized as a difference in some identification code in the
この図34に示す例の場合、白抜き三角形で示した端子点T2が入力端子「In」であるから、これに接続されたセル間配線w2が入力信号ラインということになり、白抜き菱形で示した端子点T4が出力端子「Out」であるから、これに接続されたセル間配線w4が出力信号ラインということになる。このように端子点の入出力属性を利用して、入出力信号ラインを特定することができるので、この論理素子を起点として、前段の論理素子は、入力信号ラインw2を上流へと辿ることによって特定することができるし、後段の論理素子は、出力信号ラインw4を下流へと辿ることによって特定することができる。もちろん、セル間配線を辿る処理には、等電位追跡部550による等電位追跡処理を利用すればよい。
In the case of the example shown in FIG. 34, since the terminal point T2 indicated by the white triangle is the input terminal “In”, the inter-cell wiring w2 connected to the terminal point T2 is an input signal line. Since the terminal point T4 shown is the output terminal “Out”, the inter-cell wiring w4 connected thereto is an output signal line. Since the input / output signal line can be specified by using the input / output attribute of the terminal point in this way, the logic element in the preceding stage starts from this logic element, and traces the input signal line w2 upstream. The logic element in the subsequent stage can be specified by tracing the output signal line w4 downstream. Of course, the equipotential tracking process by the
このように、論理素子を信号の流れに沿って辿る上では、入力端子Inおよび出力端子Outの属性をもつ端子点が特定できればよいので、条件設定部800には、入力端子Inおよび出力端子Outの少なくとも2種類の属性をもつ端子点を含む接続関係に基づいて特定の素子を認識する素子認識条件を設定しておけばよい。図32に例示した素子認識条件には、更に電源端子Vddおよび接地端子Gndを加えた合計4種類の属性をもつ端子点を含む接続関係が定義されているが、電源端子Vddおよび接地端子Gndに関する接続関係は、省略してもかまわない。
As described above, in tracing the logic element along the signal flow, it is only necessary to identify the terminal points having the attributes of the input terminal In and the output terminal Out. Therefore, the
素子認識部720が、各セルの端子点について、少なくとも入力端子Inおよび出力端子Outという2通りの属性認識を行うことができれば、回路図表示部730は、レイアウトパターン上の所定の起点から、n段分のセルだけ上流もしくは下流へ辿った追跡範囲を表示対象回路として、対応する回路図を復元し、これを表示させることができるようになる。たとえば、回路図表示部730に対して、現在表示されているレイアウトパターン上の所定の起点から、n段分のセルだけ下流へ辿った範囲を表示対象回路として、回路の復元表示を行う旨の指示が与えられた場合、回路図表示部730は、各セルの端子点の入出力属性を考慮して、起点から下流へn段分のセルを追跡するセル間信号追跡処理を実行し、追跡範囲の回路図のみを抽出して表示することができる。
If the
図35は、このようなセル間信号追跡処理の概念を説明するための平面図である。この例では、便宜上、6つのセルCC1〜CC6を示すためのセル枠FF1〜FF6と、これらのセルを相互に連結するためのセル間配線の一部(wa〜we)が示されている(電源関係の配線は図示省略)。なお、各セル枠FF1〜FF6上に描かれた白抜き図形は、端子点を示しており、その形状は、図34の例と同様に端子点の属性を示している。したがって、セル間配線は、白抜き菱形で示される端子点(出力端子)から白抜き三角形で示される端子点(入力端子)へと信号を伝達するラインということになる。 FIG. 35 is a plan view for explaining the concept of such inter-cell signal tracking processing. In this example, for the sake of convenience, cell frames FF1 to FF6 for showing six cells CC1 to CC6 and a part of inter-cell wiring (wa to we) for connecting these cells to each other are shown ( Power supply wiring is not shown). In addition, the white figure drawn on each cell frame FF1-FF6 has shown the terminal point, and the shape has shown the attribute of the terminal point similarly to the example of FIG. Therefore, the inter-cell wiring is a line for transmitting a signal from a terminal point (output terminal) indicated by a white diamond to a terminal point (input terminal) indicated by a white triangle.
ここでは、図35の左上に示されているセルCC1を起点として、3段分のセルだけ下流へ辿った範囲を表示対象回路として、回路の復元表示を行う旨の指示が与えられた場合を一例として考えてみよう。この場合、回路図表示部730は、まず、起点となったセルCC1についての出力端子からセル間配線waを辿って(すなわち、出力属性をもつ端子点位置に配置されているセル間配線waを着目図形とする等電位追跡処理を行うことにより)、第1段目の下流セルCC2に辿りつくことになる。続いて、この第1段目の下流セルCC2からセル間配線wbを辿って、第2段目の下流セルCC5に辿りつくことになり、最後に、この第2段目の下流セルCC5からセル間配線wdおよびweを辿って、第3段目の下流セルCC3およびCC6に辿りつくことになる。結局、このセル間信号追跡処理では、起点セルCC1から下流へ3段分だけ信号を辿ることにより、4組の隣接セルCC2,CC5,CC3,CC6が認識される。この例では、図の左下のセルCC4は、上記条件に基づくセル間信号追跡処理では、追跡範囲には入らない。
Here, a case in which an instruction to perform circuit restoration display is given, with the range of the cell CC1 shown in the upper left of FIG. Consider as an example. In this case, the circuit
図36は、上述のようなセル間信号追跡処理によって追跡範囲内に入る部分を表示対象回路としたときに得られる回路図である。ここで、図36において一点鎖線の矩形で示したCC1′〜CC6′は、図35に示すセルCC1〜CC6との対応関係を示すセル範囲枠であり、各セル範囲枠の内部には、対応するセル内の論理素子の論理回路記号が表示されている。また、図36におけるwa′〜we′は、図35に示すセル間配線wa〜weに対応する結線である。回路図表示部730は、素子認識部720が認識した素子を論理回路記号に対応づけ、セル間配線情報を論理回路記号間の結線に対応づけることにより、表示対象回路について、図示のような論理回路図を表示する機能を果たしたことになる。
FIG. 36 is a circuit diagram obtained when a portion that falls within the tracking range by the inter-cell signal tracking processing as described above is used as a display target circuit. Here, CC1 ′ to CC6 ′ indicated by alternate long and short dashed rectangles in FIG. 36 are cell range frames showing the corresponding relationship with the cells CC1 to CC6 shown in FIG. 35, and there is a correspondence within each cell range frame. The logic circuit symbol of the logic element in the cell to be displayed is displayed. Further, wa ′ to we ′ in FIG. 36 are connections corresponding to the inter-cell wirings wa to we shown in FIG. The circuit
なお、図36では、図35に示すセルCC1〜CC6との対応関係を示すために、説明の便宜上、セル範囲枠CC1′〜CC6′を表示しているが、実際には、これらのセル範囲枠を回路図上に表示する必要はない。もっとも、このセル範囲枠は、同一セルに所属する論理回路の範囲を示す役割を果たすことができるので、必要があれば、このセル範囲枠CC1′〜CC6′をディスプレイ画面上の回路図上に重畳して表示するようにしてもかまわない。セル範囲枠を回路図に重畳表示すれば、オペレータ(回路設計者)は、回路図を構成する個々の論理回路をセル単位で把握することが容易になる。 In FIG. 36, cell range frames CC1 ′ to CC6 ′ are shown for convenience of explanation in order to show the correspondence with the cells CC1 to CC6 shown in FIG. 35, but actually these cell ranges are displayed. There is no need to display the frame on the circuit diagram. However, since this cell range frame can serve to indicate the range of logic circuits belonging to the same cell, if necessary, the cell range frames CC1 'to CC6' are displayed on the circuit diagram on the display screen. You may make it superimpose and display. If the cell range frame is superimposed on the circuit diagram, the operator (circuit designer) can easily grasp the individual logic circuits constituting the circuit diagram in units of cells.
以上、セルCC1を起点として、3段分のセルだけ下流へ辿った範囲を表示対象回路とする例を述べたが、もちろん、上流へ遡上するセル間信号追跡処理を行うことも可能である。たとえば、図35において、セルCC6を起点として、3段分のセルだけ上流へ辿った範囲を表示対象回路とする場合は、セルCC5,CC4,CC2,CC1、図示されていないCC4の上流にあるセル,図示されていないCC2の上流にあるセルが上流側の隣接セルとして認識され、これらについての回路図が表示されることになる。もちろん、上流側へ○段および下流へ○段という範囲でセル間信号追跡処理を行うことも可能である。 As described above, the example in which the display target circuit is the range traced downstream by three cells starting from the cell CC1 has been described. Of course, it is also possible to perform inter-cell signal tracking processing that goes upstream. . For example, in FIG. 35, in the case where the display target circuit is a range traced upstream from the cell CC6 by three cells, it is upstream of the cells CC5, CC4, CC2, CC1, and CC4 (not shown). A cell, a cell upstream of CC2 (not shown) is recognized as an adjacent cell on the upstream side, and a circuit diagram for these is displayed. Of course, it is also possible to perform inter-cell signal tracking processing within the range of ○ stage upstream and ○ stage downstream.
また、起点は必ずしも特定のセルにする必要はなく、セル間配線を起点としてもかまわない。たとえば、セル間配線waを起点として、3段分のセルだけ下流へ辿るセル間信号追跡処理を行った場合も、図36と同じ結果が得られることになる。 Further, the starting point is not necessarily a specific cell, and an inter-cell wiring may be used as the starting point. For example, the same result as in FIG. 36 can be obtained when inter-cell signal tracking processing is performed by tracing the cell of three stages downstream from the inter-cell wiring wa.
<<< §8. 表示対象の指定 >>>
最後に、図13に示す装置における表示対象指定部900の機能について説明する。この表示対象指定部900は、レイアウトパターン表示部400に対して表示対象パターンを指定する機能と、回路図表示部730に対して表示対象回路を指定する機能と、を有する構成要素であり、実際には、キーボードやマウスなどのハードウエアとこれを機能させるためのプログラムによって実現される。
<<< §8. Specification of display target >>>
Finally, the function of the display
既に述べたとおり、レイアウトパターン表示部400は、ディスプレイ画面上に、たとえば、図11に示すようなレイアウトパターンを表示する機能を果たす。ただ、通常、LSIの全レイアウトパターン(TOPの階層となるチップ全体のレイアウトパターン)には膨大な数の図形が含まれており、限られた表示面積しかもたないディスプレイ画面上に一度に表示することはできない。したがって、実用上、レイアウトパターン表示部400が一度に表示できるのは、特定の一部分のレイアウトパターンに限られる。表示対象指定部900は、レイアウトパターン表示部400に対して、全レイアウトパターンのうちの一部分を表示対象パターンとして指定する機能を果たす。レイアウトパターン表示部400は、指定された表示対象パターンを選択的にディスプレイ画面上に表示する処理を行うことになる。
As already described, the layout
表示対象パターンを指定する最も代表的な方法は、「全レイアウトパターンのどの部分をどの倍率で表示するか」を指定する方法である。ここに示す実施例の場合、表示対象指定部900には、表示対象となるレイアウトパターンの範囲を指定する機能が備わっており、レイアウトパターン表示部400は、全レイアウトパターンの中から指定された範囲内のパターンのみを選択的に出力することになる。より具体的には、オペレータが、表示対象指定部900に対して、特定の箇所を特定の倍率で表示すべき指示を行うと、レイアウトパターン表示部400は、この指示に応じて、表示対象となったレイアウトパターンの表示を行うために必要な情報を、ブロック構成データ格納部200およびセル構成データ格納部300から読み出し、指示された箇所のレイアウトパターンを指示された倍率で表示する処理を行うことになる。
The most typical method of designating the display target pattern is a method of designating “which part of all layout patterns is displayed at which magnification”. In the embodiment shown here, the display
表示対象指定部900によって指定された表示対象パターンは、セル枠決定部600にも伝達される。§4で詳述したとおり、セル枠決定部600は、個々のセルについてのセル枠を決定するセル枠決定処理を行うことになるが、実用上は、全レイアウトパターンに含まれるセルに対して処理を行う必要はなく、ディスプレイ画面上に表示されている領域およびその近傍領域(前述したセル間信号追跡処理による追跡範囲となる可能性のある領域)に含まれるセルについてのみ、セル枠決定処理を行えば十分である。そこで、セル枠決定部600は、表示対象指定部900から伝達された表示対象パターンに基づいて、必要な領域内のセルについてセル枠決定を行う。もちろん、端子点決定部500による端子点決定処理は、セル枠決定部600によって決定されたセル枠に対してのみ行われる。
The display target pattern specified by the display
一方、回路図表示部730は、ディスプレイ画面上に、たとえば、図36に示すような回路図を表示する機能を果たす。レイアウトパターン表示部400によるレイアウトパターンの表示と、回路図表示部730による回路図の表示とは、必ずしも同一画面上で同時に行う必要はないが、実用上は、両者を同一画面上で同時に(あるいは、複数台のディスプレイを併置した環境では、これらの画面上に同時に)行うようにするのが好ましい。本発明に係る装置の役割は、レイアウトパターン表示部400によって、現在、ディスプレイ画面上に表示されている一部分のレイアウトパターンに関連した回路図を表示させることにより、レイアウトパターンに対する確認作業や検証作業の一助とすることにあるので、オペレータ(回路設計者)が、レイアウトパターンとその回路図とを対比して観察できるようにするのが好ましい。実用上は、ディスプレイ画面上に、レイアウトパターン表示用のウインドウと、回路図表示用のウインドウとを表示し、レイアウトパターンおよび回路図を各ウインドウに表示すればよい。
On the other hand, the circuit
このように、レイアウトパターンに対する確認作業や検証作業の一助とするために回路図を表示する、という観点では、表示対象となる回路は、レイアウトパターン表示部400によって表示されているレイアウトパターンに応じたものにすべきである。そこで、表示対象指定部900は、レイアウトパターン表示部400に対して指定した表示対象パターンに関連づけて、所定の表示対象回路を決定し、これを回路図表示部730に対して指定する処理を行う。
In this way, from the viewpoint of displaying a circuit diagram to assist the checking and verification work for the layout pattern, the circuit to be displayed corresponds to the layout pattern displayed by the layout
表示対象となる回路を決定する最も簡単な方法は、現在、ディスプレイ画面上に表示されているレイアウトパターンに対応する回路を、そのまま表示対象回路とする方法である。このような方法を採るのであれば、表示対象指定部900は、回路図表示部730に対して、常に、表示対象パターンに対応した部分の回路を表示対象回路として指定する処理を行えばよい。この場合、レイアウトパターン表示部400によって表示されているレイアウトパターンに対応する回路図が、回路図表示部730によって表示されることになる。要するに、オペレータが、表示対象指定部900に対して、表示対象となるレイアウトパターンを指定する入力を行うと、指定された部分のレイアウトパターンが表示されるとともに、当該レイアウトパターンに対応する回路図が同時に表示されることになる。
The simplest method for determining a circuit to be displayed is a method in which a circuit corresponding to a layout pattern currently displayed on a display screen is used as a display target circuit as it is. If such a method is adopted, the display
一方、オペレータが意図的に表示対象回路を指定する入力を行えるようにしてもよい。一例としては、表示対象指定部900に、レイアウトパターンの表示画面上の特定図形を指定するオペレータの指示を入力する機能と、回路図表示部730に対して、当該特定図形に関連した一部分の回路を表示対象回路として指定する機能と、をもたせておけば、オペレータの指示入力に応じて表示対象回路を指定することができる。たとえば、図11に示すようなレイアウトパターンが表示されている状態において、オペレータが、マウスを用いて、このレイアウトパターン上の特定図形をクリックする操作を行ったときに、指示対象指定部900が、当該特定図形を認識し、当該特定図形を含むセルや、当該特定図形の近傍に位置するセルに関する回路を、表示対象回路として指定するようにすれば、オペレータは、レイアウトパターン上の所望のパターン近傍の回路図を表示させることができるようになる。
On the other hand, the operator may intentionally input to specify the display target circuit. As an example, a function of inputting an operator's instruction for designating a specific graphic on the display screen of the layout pattern to the display
また、§7で述べたとおり、回路図表示部730には、セル間信号追跡処理を行う機能が備わっているので、オペレータは、マウスを用いて、レイアウトパターン上の特定図形をクリックする操作により、当該クリック位置を起点とする指定を行い、更に、この起点から上流もしくは下流へn段分だけ信号を辿るセル間信号追跡処理を行い、追跡範囲内の回路を表示対象回路とする旨の指示を入力することも可能である。このような表示対象回路の指定方法を採る場合、表示対象指定部900は、セル枠決定部600が決定したセル枠の情報を利用して、オペレータの指定入力に基づいて、次のようなプロセスで、回路図表示部730に対して表示対象回路の指定を行えばよい。
In addition, as described in §7, the circuit
まず、レイアウトパターン上でオペレータが指定した特定図形が、セル枠内の図形であった場合には、当該セル枠内のセルを起点として、上流もしくは下流へn段分(nは、オペレータが指定した0以上の整数)だけ信号を辿って隣接セル(二次元配置の上で隣接しているセルという意味ではなく、信号の流れの上で隣接しているセルいう意味)を認識し、起点となったセルおよび隣接セルに対応する回路を表示対象回路とする旨の指示を回路図表示部730に対して与えればよい(n=0の場合は、実際にはセル間信号追跡処理は行われず、起点となったセルのみが表示対象回路になる)。
First, if the specific figure specified by the operator on the layout pattern is a figure in the cell frame, n stages upstream or downstream from the cell in the cell frame (n is specified by the operator) The signal is traced only by an integer of 0 or more) to recognize an adjacent cell (meaning a cell adjacent in the signal flow, not a cell adjacent in the two-dimensional arrangement), and a starting point The circuit
たとえば、図35に示す概念図において、オペレータがセル枠FF1内に相当する位置を起点として指定し(実際には、画面に表示されているレイアウトパターン上でマウスクリックを行い)、n=3として、下流へ3段分だけ信号追跡を行う旨の指示を与えたとすると、表示対象指定部900は、回路図表示部730に対して表示対象回路を指定する情報として、当該起点位置と信号追跡段数を伝達すればよい。回路図表示部730が、このような指示に基づいて、セル間信号追跡処理を行い、その結果、図36に示すような回路図を表示することは、既に述べたとおりである。
For example, in the conceptual diagram shown in FIG. 35, the operator designates a position corresponding to the cell frame FF1 as a starting point (actually, a mouse click is performed on the layout pattern displayed on the screen), and n = 3. If the instruction to perform signal tracking for three stages downstream is given, the display
一方、レイアウトパターン上でオペレータが指定した特定図形が、セル枠外の配線を構成する図形であった場合には、当該配線を起点として、上流もしくは下流へn段分(nは1以上の整数)だけ信号を辿って隣接セルを認識し、当該隣接セルに対応する回路を表示対象回路とする旨の指示を回路図表示部730に対して与えればよい。
On the other hand, when the specific figure designated by the operator on the layout pattern is a figure constituting the wiring outside the cell frame, n stages upstream (n is an integer of 1 or more) upstream or downstream from the wiring. It is only necessary to trace the signal only to recognize the adjacent cell and to give an instruction to the circuit
たとえば、図35に示す概念図において、オペレータがセル間配線wa内に相当する位置を起点として指定し(実際には、画面に表示されているレイアウトパターン上でマウスクリックを行い)、n=3として、下流へ3段分だけ信号追跡を行う旨の指示を与えたとすると、表示対象指定部900は、回路図表示部730に対して表示対象回路を指定する情報として、当該起点位置と信号追跡段数を伝達すればよい。この場合も、回路図表示部730が、セル間信号追跡処理を行い、図36に示すような回路図を表示することは、既に述べたとおりである。
For example, in the conceptual diagram shown in FIG. 35, the operator designates a position corresponding to the inter-cell wiring wa as a starting point (actually, a mouse click is performed on the layout pattern displayed on the screen), and n = 3 Assuming that an instruction to perform signal tracking for three stages downstream is given, the display
このようなセル間信号追跡処理機能を利用した表示対象回路の指定方法は、回路設計者がレイアウトパターンに対する確認作業や検証作業を行う上で極めて有用である。レイアウトパターン自身は、平面上に展開された多数の図形の集合体であるが、回路設計者は、上述した方法により、レイアウトパターン上の任意の位置を起点として、その上流もしくは下流にあたる関連領域の回路図を適宜表示させることができるので、レイアウトパターンに対する解析は非常に楽になる。たとえば、レイアウトパターンに欠陥がある場合、当該欠陥に起因して論理動作に不良が生じる可能性がある部分を、レイアウトパターン上で追跡することも可能になる。 A method for designating a display target circuit using such an inter-cell signal tracking processing function is extremely useful for a circuit designer to perform a confirmation operation and a verification operation on a layout pattern. The layout pattern itself is a collection of a large number of figures developed on a plane, but the circuit designer can use the above-described method to start a related area that is upstream or downstream from an arbitrary position on the layout pattern. Since the circuit diagram can be displayed as appropriate, the analysis of the layout pattern becomes very easy. For example, when there is a defect in the layout pattern, it is possible to trace on the layout pattern a portion where a logical operation may be defective due to the defect.
このように、現在表示されているレイアウトパターンの任意の一部分の回路図を効率的、かつ、正確に復元することが可能になる点が、本発明の大きな効果である。本発明は、特に、レイアウトパターンを半導体ウェハ上に焼き付ける製造部門において、レイアウトパターンの最終チェックを行う際に特に有効である。最終チェックにおいて、欠陥箇所を早期に発見できるようになるため、不良製品の発生を未然に防止することが可能になる。また、欠陥箇所が発見された場合でも、復元した回路図を参照した解析を行うことにより、冗長回路を利用して救済が可能か否かの判断を容易に行うことができるようになる。 In this way, the great effect of the present invention is that a circuit diagram of an arbitrary part of a currently displayed layout pattern can be restored efficiently and accurately. The present invention is particularly effective when a final check of a layout pattern is performed in a manufacturing department that prints a layout pattern on a semiconductor wafer. In the final check, it becomes possible to find the defective part at an early stage, so that it is possible to prevent the occurrence of defective products. Further, even when a defective portion is found, it is possible to easily determine whether or not the repair is possible using the redundant circuit by performing an analysis with reference to the restored circuit diagram.
100:設計データ入力部
200:ブロック構成データ格納部
300:セル構成データ格納部
400:レイアウトパターン表示部
500:端子点決定部
550:等電位追跡部
600:セル枠決定部
700:回路復元部
710:領域認識部
720:素子認識部
730:回路図表示部
800:条件設定部
900:表示対象指定部
A〜D:ブロック
A〜C:論理値
C,C11〜C13,C101〜C103:セル
C1,C2:コンタクト
CC1〜CC6:セル
CC1′〜CC6′:セル範囲枠
F,F1〜F6,F11〜F13:セル枠
FF1〜FF6:セル枠
f1〜f11:セルを構成する図形
f(OR):論理和図形
fz:着目図形
G:MOSトランジスタのゲート
H1〜H4:交差線分
L1〜L5:レイヤー
N:N型MOSトランジスタのチャネル領域
N1,N2:N型MOSトランジスタ
O:中間階層に定義されたXY座標系の原点
o:最下位階層に定義されたxy座標系の原点
P:P型MOSトランジスタのチャネル領域
P1〜P12:αβ座標系上の点
P1,P2:P型MOSトランジスタ
P21〜P30:XY座標系上の点
Q:最上位階層に定義されたαβ座標系の原点
Qa〜Qd:αβ座標系上の点
R1〜R3:XY座標系上の点
T1〜T64:端子点
TOP:最上位階層のブロック
SD:ソース・ドレイン領域
W1〜W3:ブロック間配線
W4〜W5:セル間配線
W10〜W40:配線
w1〜w5,w12,w13:セル間配線
wa〜we:セル間配線
wa′〜we′:論理回路記号間の結線
X:中間階層に定義されたXY座標系の座標軸
X1〜X3:座標軸X上の1座標値
x:最下位階層に定義されたxy座標系の座標軸
Y:中間階層に定義されたXY座標系の座標軸
Y1〜Y3:座標軸Y上の1座標値
y:最下位階層に定義されたxy座標系の座標軸
α:TOP階層に定義されたαβ座標系の座標軸
α1〜α4:座標軸α上の1座標値
β:TOP階層に定義されたαβ座標系の座標軸
β1〜β4:座標軸β上の1座標値
100: design data input unit 200: block configuration data storage unit 300: cell configuration data storage unit 400: layout pattern display unit 500: terminal point determination unit 550: equipotential tracking unit 600: cell frame determination unit 700: circuit restoration unit 710 : Area recognition unit 720: element recognition unit 730: circuit diagram display unit 800: condition setting unit 900: display target designation unit A to D: blocks A to C: logical values C, C11 to C13, C101 to C103: cell C1, C2: Contacts CC1 to CC6: Cells CC1 'to CC6': Cell range frames F, F1 to F6, F11 to F13: Cell frames FF1 to FF6: Cell frames f1 to f11: Figure f (OR) constituting the cell: Logic Japanese figure fz: figure of interest G: MOS transistor gates H1 to H4: intersection line segments L1 to L5: layer N: N-type MOS transistor channel Region N1, N2: N-type MOS transistor O: origin of XY coordinate system defined in intermediate layer o: origin of xy coordinate system defined in lowest layer P: channel region P1-P12 of P-type MOS transistor: Points P1 and P2 on the αβ coordinate system: P-type MOS transistors P21 to P30: Points on the XY coordinate system Q: Origins Qa to Qd of the αβ coordinate system defined in the top layer Hierarchical points R1 to R1 on the αβ coordinate system R3: Points T1 to T64 on the XY coordinate system: Terminal point TOP: Block SD of the highest layer SD: Source / drain regions W1 to W3: Inter-block wirings W4 to W5: Inter-cell wirings W10 to W40: Wirings w1 to w5 w12, w13: inter-cell wiring wa-we: inter-cell wiring wa'-we ': connection between logic circuit symbols X: coordinate axes X1-X3 of the XY coordinate system defined in the intermediate hierarchy: one coordinate value on the coordinate axis X : Coordinate axis Y of the xy coordinate system defined in the lowest hierarchy: coordinate axes Y1 to Y3 of the XY coordinate system defined in the middle hierarchy: one coordinate value on the coordinate axis Y: y of the xy coordinate system defined in the lowest hierarchy Coordinate axis α: Coordinate axes α1 to α4 in the αβ coordinate system defined in the TOP hierarchy: 1 coordinate value on the coordinate axis α β: Coordinate axes β1 to β4 in the αβ coordinate system defined in the TOP hierarchy: 1 coordinate value on the coordinate axis β
Claims (13)
LSIを構成する個々のセルについて、その構成要素となる図形をレイヤーごとに収録したセル構成データを格納するセル構成データ格納部と、
複数のセルを所定位置に配置してなるブロックについて、各セルの位置座標を示すセル配置情報と、セル間配線を構成する図形を示すセル間配線情報と、を含むブロック構成データを格納するブロック構成データ格納部と、
前記セル構成データ格納部および前記ブロック構成データ格納部に対してデータを入力する設計データ入力部と、
前記セル構成データおよび前記ブロック構成データに基づいて、平面上に表示対象パターンを描画し、これを画像として表示するレイアウトパターン表示部と、
前記セル構成データに含まれるレイヤーのうち、セル枠決定に用いる特定のレイヤーを示す情報を含むセル枠決定条件と、前記セル構成データおよび前記ブロック構成データに含まれる複数の図形が、相互に等電位となる要件を示す等電位追跡条件と、前記セル構成データに含まれている図形に基づいて領域認識を行うための領域認識条件と、複数の領域および端子点の接続関係に基づいて特定の素子を認識する素子認識条件と、を設定する条件設定部と、
個々のセルについて、前記セル構成データの前記セル枠決定に用いる特定のレイヤーに収録されている図形を抽出し、抽出した図形の論理和図形を形成し、この論理和図形の外接図形をセル枠として求めるセル枠決定部と、
前記セル間配線情報に含まれる図形のうち、前記セル枠と交差する交差図形について、前記セル枠が前記交差図形によって切り取られる交差線分を認識し、この交差線分上の1点に端子点を決定する端子点決定部と、
前記等電位追跡条件に基づいて、レイアウトパターンを構成する特定の着目図形に対して等電位となる別な図形を等電位図形として認識する等電位追跡部と、
前記領域認識条件に基づいて、所定の認識対象セル内のセル構成データに含まれている図形について、素子を構成する個々の素子構成領域を認識する領域認識部と、
前記領域認識部が認識した複数の素子構成領域および前記端子点決定部が決定した端子点の接続関係を、前記等電位追跡部によって相互に等電位であると認識された図形については電気的に接続されたものとして取り扱いながら、前記素子認識条件と照合することにより、前記認識対象セルに対応する素子を認識する素子認識部と、
前記素子認識部が認識した素子を論理回路記号に対応づけ、セル間配線情報を論理回路記号間の結線に対応づけることにより、表示対象回路についての論理回路図を表示する回路図表示部と、
前記レイアウトパターン表示部に対して表示対象パターンを指定する機能と、前記回路図表示部に対して表示対象回路を指定する機能と、を有する表示対象指定部と、
を備え、
前記セル構成データ格納部が、所定の識別コードが付されたレイヤーごとに、それぞれその構成要素となる図形を収録したセル構成データを格納し、
前記ブロック構成データ格納部が、所定の識別コードが付されたレイヤーごとに、セル間配線もしくはブロック間配線を構成する図形を収録した配線情報を格納し、
前記条件設定部が、等電位追跡条件として、導電性レイヤーを示す情報とともに、複数のレイヤー間を接続するためのコンタクトを示す図形を含むコンタクトレイヤーを示す情報を設定し、
前記等電位追跡部が、互いに同一の識別コードが付された複数の導電性レイヤーに所属する図形が平面的に重畳している場合には、当該重畳図形が等電位であると認識し、互いに異なる識別コードが付された複数の導電性レイヤーに所属する図形が平面的に重畳している場合には、重畳領域に前記コンタクトレイヤーに所属する図形が存在する場合に限り、当該重畳図形が等電位であると認識することを特徴とするLSIの回路図復元装置。 An LSI circuit diagram restoring device for restoring a circuit diagram of an LSI based on design data indicating a layout pattern of the LSI,
A cell configuration data storage unit for storing cell configuration data in which individual components constituting an LSI are recorded for each layer of a figure as a component;
A block for storing block configuration data including cell arrangement information indicating the position coordinates of each cell and inter-cell wiring information indicating a figure constituting the inter-cell wiring for a block in which a plurality of cells are arranged at predetermined positions. A configuration data storage;
A design data input unit for inputting data to the cell configuration data storage unit and the block configuration data storage unit;
Based on the cell configuration data and the block configuration data, a layout pattern display unit that draws a display target pattern on a plane and displays it as an image;
Among the layers included in the cell configuration data, a cell frame determination condition including information indicating a specific layer used for cell frame determination, and a plurality of figures included in the cell configuration data and the block configuration data are equal to each other. An equipotential tracking condition indicating a requirement for potential, a region recognition condition for performing region recognition based on a graphic included in the cell configuration data, and a specific relationship based on a connection relationship between a plurality of regions and terminal points A condition setting unit for setting an element recognition condition for recognizing the element;
For each cell, a figure recorded in a specific layer used for determining the cell frame of the cell configuration data is extracted, a logical sum figure of the extracted figure is formed, and the circumscribed figure of the logical sum figure is converted into a cell frame. A cell frame determination unit to be obtained as
Among the figures included in the inter-cell wiring information, for the intersecting figure that intersects the cell frame, the cell line recognizes an intersection line segment cut by the intersecting figure, and a terminal point is formed at one point on the intersection line segment. A terminal point determination unit for determining
Based on the equipotential tracking conditions, an equipotential tracking unit for recognizing another figure having an equipotential as an equipotential figure with respect to a specific figure of interest constituting the layout pattern,
Based on the region recognition conditions, for a figure included in the cell configuration data in a predetermined recognition target cell, a region recognition unit for recognizing each element configuration region that constitutes an element;
A connection relationship between a plurality of element configuration regions recognized by the region recognition unit and terminal points determined by the terminal point determination unit is electrically connected to a figure recognized as being equipotential to each other by the equipotential tracking unit. An element recognition unit that recognizes an element corresponding to the recognition target cell by matching with the element recognition condition while handling it as being connected,
A circuit diagram display unit for displaying a logic circuit diagram for a display target circuit by associating an element recognized by the element recognition unit with a logic circuit symbol and associating inter-cell wiring information with a connection between logic circuit symbols;
A display target designating unit having a function of designating a display target pattern for the layout pattern display unit and a function of designating a display target circuit for the circuit diagram display unit;
With
The cell configuration data storage unit stores cell configuration data in which a figure as a component is recorded for each layer to which a predetermined identification code is attached,
The block configuration data storage unit stores wiring information including a figure constituting a wiring between cells or wiring for each layer to which a predetermined identification code is attached,
The condition setting unit sets information indicating a contact layer including a figure indicating a contact for connecting a plurality of layers together with information indicating a conductive layer as an equipotential tracking condition,
The equipotential tracking unit recognizes that the superimposed figure is equipotential when the figures belonging to a plurality of conductive layers with the same identification code are superimposed in a plane, and If a figure belonging to a plurality of conductive layers with different identification codes is overlapped in a plane, the overlapped figure is equal only if a figure belonging to the contact layer exists in the overlap area. An LSI circuit diagram restoring device characterized by recognizing an electric potential.
ブロックが配置された第1番目〜第(n−1)番目の階層と、セルが配置された第n番目の階層と、を含む全n階層(但し、n≧2)からなる階層構造をもったLSIのレイアウトパターンを取り扱うために、
セル構成データ格納部には、第n番目の階層に所属する個々のセルについて、その構成要素となる図形をレイヤーごとに収録したセル構成データが格納されており、
ブロック構成データ格納部には、第i番目(1≦i≦n−1)の階層に所属するブロックについてのブロック構成データとして、i<n−1の場合には、下位階層に所属するブロックの位置座標を示すブロック配置情報と、ブロック間配線を構成する図形を示すブロック間配線情報と、が格納され、i=n−1の場合には、下位階層に所属するセルの位置座標を示すセル配置情報と、セル間配線を構成する図形を示すセル間配線情報と、が格納されており、
端子点決定部は、セル間配線情報に含まれる図形についての端子点とともに、ブロック間配線情報に含まれる図形についての端子点を決定することを特徴とするLSIの回路図復元装置。 In the LSI circuit diagram restoration device according to claim 1,
It has a hierarchical structure consisting of all n layers (where n ≧ 2) including the 1st to (n−1) th layers in which blocks are arranged and the nth layer in which cells are arranged. To handle the layout pattern of LSI
The cell configuration data storage unit stores cell configuration data in which individual components belonging to the nth layer are recorded as graphic elements for each layer.
The block configuration data storage unit stores block configuration data for blocks belonging to the i-th (1 ≦ i ≦ n−1) hierarchy, and in the case of i <n−1, Block arrangement information indicating position coordinates and inter-block wiring information indicating graphics constituting the inter-block wiring are stored. When i = n−1, a cell indicating the position coordinates of a cell belonging to a lower layer is stored. Placement information and inter-cell wiring information indicating a figure constituting inter-cell wiring are stored,
An LSI circuit diagram restoring apparatus, wherein a terminal point determination unit determines a terminal point for a graphic included in inter-block wiring information together with a terminal point for a graphic included in the inter-cell wiring information.
セル構成データ格納部が、xy座標系において、x軸もしくはy軸に平行な辺によって構成される多角形からなる図形を収録したセル構成データを格納し、
セル枠決定部が、x軸もしくはy軸に平行な辺によって構成される正則外接矩形をセル枠として求めることを特徴とするLSIの回路図復元装置。 The LSI circuit diagram restoration device according to claim 1 or 2,
The cell configuration data storage unit stores cell configuration data in which a graphic composed of polygons constituted by sides parallel to the x axis or the y axis in the xy coordinate system is recorded,
An LSI circuit diagram restoration device, wherein the cell frame determination unit obtains a regular circumscribed rectangle formed by sides parallel to the x-axis or the y-axis as a cell frame.
条件設定部が、等電位追跡条件として、互いに異なる識別コードが付された一対のレイヤーの組み合わせについての優先順位を設定し、
等電位追跡部が、互いに異なる識別コードが付された3以上のレイヤーに所属する図形が平面的に重畳しており、重畳領域にコンタクトレイヤーに所属する図形が存在する場合には、前記優先順位に基づく一対のレイヤーに所属する重畳図形のみが等電位であると認識することを特徴とするLSIの回路図復元装置。 In the LSI circuit diagram restoration device according to any one of claims 1 to 3 ,
The condition setting unit sets the priority order for the combination of a pair of layers with different identification codes as equipotential tracking conditions,
If the equipotential tracking unit has a figure that belongs to three or more layers to which different identification codes are attached in a plane, and the figure that belongs to the contact layer exists in the overlap area, the priority order An LSI circuit diagram restoration apparatus, wherein only a superimposed figure belonging to a pair of layers based on the above is recognized as being equipotential.
端子点決定部が、セル枠と交差する各交差図形を着目図形として等電位追跡部に等電位追跡指示を与え、前記各交差図形のうち前記セル枠に対応するセル構成データに収録されているいずれかの図形が等電位図形となる交差図形のみについて交差線分の認識を行うことを特徴とするLSIの回路図復元装置。 In the LSI circuit diagram restoration device according to any one of claims 1 to 4 ,
The terminal point determination unit gives each equipotential tracking instruction to the equipotential tracking unit with each intersecting figure intersecting the cell frame as a target figure, and is recorded in the cell configuration data corresponding to the cell frame among the intersecting figures. An LSI circuit diagram restoring apparatus characterized by recognizing an intersection line segment only for an intersection figure in which any figure becomes an equipotential figure.
条件設定部が、異なる複数のレイヤーに所属する図形の論理積領域を特定の素子構成領域に対応づけるルール、および、特定のレイヤーに所属し、認識した特定の素子構成領域を含む図形の領域を特定の素子構成領域に対応づけるルールを、領域認識条件として設定することを特徴とするLSIの回路図復元装置。 In the LSI circuit diagram restoration device according to any one of claims 1 to 5 ,
The condition setting unit assigns the logical product area of figures belonging to different layers to a specific element configuration area, and the figure area belonging to the specific layer and including the recognized specific element configuration area. An LSI circuit diagram restoration device, characterized in that a rule associated with a specific element configuration region is set as a region recognition condition.
条件設定部が、候補となる複数の素子のそれぞれについて、当該素子を構成する複数の素子構成領域および端子点の相互の接続関係を示すルールを、素子認識条件として設定することを特徴とするLSIの回路図復元装置。 In the LSI circuit diagram restoration device according to any one of claims 1 to 6 ,
An LSI characterized in that a condition setting unit sets, as an element recognition condition, a rule indicating a mutual connection relationship between a plurality of element configuration regions and terminal points constituting each of the plurality of candidate elements. Circuit diagram restoration device.
条件設定部が、チャネル領域、ゲート領域、ソース・ドレイン領域を認識するための領域認識条件と、前記チャネル領域、ゲート領域、ソース・ドレイン領域の相互の接続関係およびこれらと端子点との接続関係に基づいてMOSトランジスタを含む論理素子を認識する素子認識条件と、を設定することを特徴とするLSIの回路図復元装置。 The LSI circuit diagram restoration device according to any one of claims 1 to 7 ,
Region recognition conditions for the condition setting unit to recognize the channel region, gate region, source / drain region, mutual connection relationship between the channel region, gate region, source / drain region, and connection relationship between these and terminal points And an element recognition condition for recognizing a logic element including a MOS transistor on the basis of the above.
表示対象指定部が、レイアウトパターン表示部に対して、全レイアウトパターンのうちの一部分を表示対象パターンとして指定する機能と、回路図表示部に対して、前記表示対象パターンに対応した部分の回路を表示対象回路として指定する機能と、を有することを特徴とするLSIの回路図復元装置。 In the LSI circuit diagram restoration device according to any one of claims 1 to 8 ,
A display target designating unit designates a part of all layout patterns as a display target pattern for the layout pattern display unit, and a circuit corresponding to the display target pattern for the circuit diagram display unit. An LSI circuit diagram restoration device having a function of designating as a display target circuit.
LSIを構成する個々のセルについて、その構成要素となる図形をレイヤーごとに収録したセル構成データを格納するセル構成データ格納部と、 A cell configuration data storage unit for storing cell configuration data in which individual components constituting an LSI are recorded for each layer of a figure as a component;
複数のセルを所定位置に配置してなるブロックについて、各セルの位置座標を示すセル配置情報と、セル間配線を構成する図形を示すセル間配線情報と、を含むブロック構成データを格納するブロック構成データ格納部と、 A block for storing block configuration data including cell arrangement information indicating the position coordinates of each cell and inter-cell wiring information indicating a figure constituting the inter-cell wiring for a block in which a plurality of cells are arranged at predetermined positions. A configuration data storage;
前記セル構成データ格納部および前記ブロック構成データ格納部に対してデータを入力する設計データ入力部と、 A design data input unit for inputting data to the cell configuration data storage unit and the block configuration data storage unit;
前記セル構成データおよび前記ブロック構成データに基づいて、平面上に表示対象パターンを描画し、これを画像として表示するレイアウトパターン表示部と、 Based on the cell configuration data and the block configuration data, a layout pattern display unit that draws a display target pattern on a plane and displays it as an image;
前記セル構成データに含まれるレイヤーのうち、セル枠決定に用いる特定のレイヤーを示す情報を含むセル枠決定条件と、前記セル構成データおよび前記ブロック構成データに含まれる複数の図形が、相互に等電位となる要件を示す等電位追跡条件と、前記セル構成データに含まれている図形に基づいて領域認識を行うための領域認識条件と、複数の領域および端子点の接続関係に基づいて特定の素子を認識する素子認識条件と、を設定する条件設定部と、 Among the layers included in the cell configuration data, a cell frame determination condition including information indicating a specific layer used for cell frame determination, and a plurality of figures included in the cell configuration data and the block configuration data are equal to each other. An equipotential tracking condition indicating a requirement for potential, a region recognition condition for performing region recognition based on a graphic included in the cell configuration data, and a specific relationship based on a connection relationship between a plurality of regions and terminal points A condition setting unit for setting an element recognition condition for recognizing the element;
個々のセルについて、前記セル構成データの前記セル枠決定に用いる特定のレイヤーに収録されている図形を抽出し、抽出した図形の論理和図形を形成し、この論理和図形の外接図形をセル枠として求めるセル枠決定部と、 For each cell, a figure recorded in a specific layer used for determining the cell frame of the cell configuration data is extracted, a logical sum figure of the extracted figure is formed, and the circumscribed figure of the logical sum figure is converted into a cell frame. A cell frame determination unit to be obtained as
前記セル間配線情報に含まれる図形のうち、前記セル枠と交差する交差図形について、前記セル枠が前記交差図形によって切り取られる交差線分を認識し、この交差線分上の1点に端子点を決定する端子点決定部と、 Among the figures included in the inter-cell wiring information, for the intersecting figure that intersects the cell frame, the cell line recognizes an intersection line segment cut by the intersecting figure, and a terminal point is formed at one point on the intersection line segment. A terminal point determination unit for determining
前記等電位追跡条件に基づいて、レイアウトパターンを構成する特定の着目図形に対して等電位となる別な図形を等電位図形として認識する等電位追跡部と、 Based on the equipotential tracking conditions, an equipotential tracking unit for recognizing another figure having an equipotential as an equipotential figure with respect to a specific figure of interest constituting the layout pattern,
前記領域認識条件に基づいて、所定の認識対象セル内のセル構成データに含まれている図形について、素子を構成する個々の素子構成領域を認識する領域認識部と、 Based on the region recognition conditions, for a figure included in the cell configuration data in a predetermined recognition target cell, a region recognition unit for recognizing each element configuration region that constitutes an element;
前記領域認識部が認識した複数の素子構成領域および前記端子点決定部が決定した端子点の接続関係を、前記等電位追跡部によって相互に等電位であると認識された図形については電気的に接続されたものとして取り扱いながら、前記素子認識条件と照合することにより、前記認識対象セルに対応する素子を認識する素子認識部と、 A connection relationship between a plurality of element configuration regions recognized by the region recognition unit and terminal points determined by the terminal point determination unit is electrically connected to a figure recognized as being equipotential to each other by the equipotential tracking unit. An element recognition unit that recognizes an element corresponding to the recognition target cell by matching with the element recognition condition while handling it as being connected,
前記素子認識部が認識した素子を論理回路記号に対応づけ、セル間配線情報を論理回路記号間の結線に対応づけることにより、表示対象回路についての論理回路図を表示する回路図表示部と、 A circuit diagram display unit for displaying a logic circuit diagram for a display target circuit by associating an element recognized by the element recognition unit with a logic circuit symbol and associating inter-cell wiring information with a connection between logic circuit symbols;
前記レイアウトパターン表示部に対して表示対象パターンを指定する機能と、前記回路図表示部に対して表示対象回路を指定する機能と、を有する表示対象指定部と、 A display target designating unit having a function of designating a display target pattern for the layout pattern display unit and a function of designating a display target circuit for the circuit diagram display unit;
を備え、With
前記表示対象指定部が、The display target designating unit
レイアウトパターンの表示画面上の特定図形を指定するオペレータの指示を入力する機能と、回路図表示部に対して、前記特定図形に関連した一部分の回路を表示対象回路として指定する機能と、を有し、A function for inputting an operator's instruction for designating a specific graphic on the display screen of the layout pattern, and a function for designating a part of a circuit related to the specific graphic as a display target circuit to the circuit diagram display unit. And
レイアウトパターン上で指定された特定図形が、セル枠内の図形であった場合には、当該セル枠内のセルを起点として、上流もしくは下流へn段分(nは0以上の整数)だけ信号を辿って隣接セルを認識し、前記起点となったセルおよび前記隣接セルに対応する回路を表示対象回路とする旨の指定を行い、 If the specific figure specified on the layout pattern is a figure in the cell frame, signals for n stages (n is an integer of 0 or more) upstream or downstream from the cell in the cell frame as the starting point To recognize the adjacent cell, and designate that the cell corresponding to the starting point and the circuit corresponding to the adjacent cell are the display target circuit,
レイアウトパターン上で指定された特定図形が、セル枠外の配線を構成する図形であった場合には、当該配線を起点として、上流もしくは下流へn段分(nは1以上の整数)だけ信号を辿って隣接セルを認識し、前記隣接セルに対応する回路を表示対象回路とする旨の指定を行うことを特徴とするLSIの回路図復元装置。 If the specific figure specified on the layout pattern is a figure that forms the wiring outside the cell frame, the signal is sent for n stages (n is an integer of 1 or more) upstream or downstream from the wiring. An LSI circuit diagram restoration apparatus characterized by tracing and recognizing an adjacent cell and specifying that a circuit corresponding to the adjacent cell is a display target circuit.
回路図表示部が、同一セルに所属する論理回路の範囲を示すためのセル範囲枠を、回路図上に表示する機能を有することを特徴とするLSIの回路図復元装置。 The LSI circuit diagram restoration device according to claim 10 ,
An LSI circuit diagram restoring apparatus, wherein the circuit diagram display unit has a function of displaying a cell range frame for indicating a range of logic circuits belonging to the same cell on the circuit diagram.
条件設定部が、入力端子および出力端子の少なくとも2種類の属性をもつ端子点を含む接続関係に基づいて特定の素子を認識する素子認識条件を設定し、
素子認識部が、前記素子認識条件に基づいて、各セルの端子点の属性認識を行い、
回路図表示部が、各セルの端子点の属性を考慮して、起点からn段分のセルを追跡するセル間信号追跡処理を実行し、表示対象回路を特定することを特徴とするLSIの回路図復元装置。 The LSI circuit diagram restoration device according to claim 10 or 11 ,
The condition setting unit sets an element recognition condition for recognizing a specific element based on a connection relationship including a terminal point having at least two types of attributes of an input terminal and an output terminal,
The element recognition unit performs attribute recognition of the terminal points of each cell based on the element recognition conditions,
The circuit diagram display unit executes an inter-cell signal tracking process for tracking n stages of cells from the starting point in consideration of the attribute of the terminal point of each cell, and specifies a display target circuit. Circuit diagram restoration device.
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