JP5825342B2 - Support structure and measuring device - Google Patents
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Description
本発明は、表面プラズモン励起蛍光分光法による計測を行う計測装置及び当該計測装置における支持構造に関する。 The present invention relates to a measurement device that performs measurement by surface plasmon excitation fluorescence spectroscopy and a support structure in the measurement device.
誘電体媒体の中を進む励起光が金属膜と誘電体媒体との界面に反射された場合は、界面からエバネッセント波がもれだし、金属膜の表面のプラズモンとエバネッセント波とが干渉する。界面への励起光の入射角が共鳴角に設定されプラズモンとエバネッセント波とが共鳴する場合にエバネッセント波の電場が著しく増強される。 When excitation light traveling in the dielectric medium is reflected on the interface between the metal film and the dielectric medium, an evanescent wave leaks from the interface, and plasmons on the surface of the metal film interfere with the evanescent wave. When the incident angle of the excitation light to the interface is set to the resonance angle and the plasmon and the evanescent wave resonate, the electric field of the evanescent wave is remarkably enhanced.
表面プラズモン励起蛍光分光法(SPFS)においては、この増強された電場が利用される。すなわち、金属膜の表面に抗原が捕捉され、捕捉された抗原が蛍光標識され、増強された電場が蛍光標識に作用させられる。増強された電場が蛍光標識に作用した場合は、蛍光標識から蛍光が放射され、蛍光標識から放射された蛍光の光量が測定される。 In surface plasmon excited fluorescence spectroscopy (SPFS), this enhanced electric field is utilized. That is, the antigen is captured on the surface of the metal film, the captured antigen is fluorescently labeled, and an enhanced electric field is allowed to act on the fluorescent label. When the enhanced electric field acts on the fluorescent label, fluorescence is emitted from the fluorescent label, and the amount of fluorescence emitted from the fluorescent label is measured.
界面からもれだすエバネッセント波は、金属膜と誘電体媒体との界面へ入射する励起光のp偏光成分が多くなるほど強くなる。また、金属膜と誘電体媒体との界面へ入射する励起光のs偏光成分は、表面プラズモン励起蛍光の放射に寄与せず、誘電体媒体の自家蛍光の原因になる。このため、計測の感度及び精度を向上するために、金属膜と誘電体媒体との界面へ専らp偏光成分が入射するように誘電体媒体に照射される励起光の偏光成分が調整される。 The evanescent wave leaking from the interface becomes stronger as the p-polarized component of the excitation light incident on the interface between the metal film and the dielectric medium increases. In addition, the s-polarized component of the excitation light incident on the interface between the metal film and the dielectric medium does not contribute to the emission of surface plasmon excitation fluorescence and causes autofluorescence of the dielectric medium. For this reason, in order to improve the measurement sensitivity and accuracy, the polarization component of the excitation light applied to the dielectric medium is adjusted so that the p-polarized component is incident exclusively on the interface between the metal film and the dielectric medium.
一方、SPFSによる計測が行われる場合は、一般的には、誘電体媒体を備える分析チップが計測装置の内部に支持される。特許文献1は、その一例である。特許文献1においては、誘電体媒体である「透明板17」が「押圧子26、27」に挟まれる。 On the other hand, when measurement by SPFS is performed, generally, an analysis chip including a dielectric medium is supported inside the measurement apparatus. Patent document 1 is an example. In Patent Document 1, a “transparent plate 17” that is a dielectric medium is sandwiched between “pressors 26 and 27”.
しかし、特許文献1のように誘電体媒体に応力が加わると、誘電体媒体に複屈折が生じ、金属膜と誘電体媒体との界面に入射する励起光の偏光方向が乱れる。このため、金属膜と誘電体媒体との界面へ入射する励起光のp偏光成分が減少し、計測の精度及び感度が低下する。 However, when stress is applied to the dielectric medium as in Patent Document 1, birefringence occurs in the dielectric medium, and the polarization direction of the excitation light incident on the interface between the metal film and the dielectric medium is disturbed. For this reason, the p-polarized component of the excitation light incident on the interface between the metal film and the dielectric medium is reduced, and the accuracy and sensitivity of measurement are reduced.
本発明は、この問題を解決するためになされる。本発明の目的は、計測の感度及び精度が向上する支持構造及び計測装置を提供することである。 The present invention is made to solve this problem. An object of the present invention is to provide a support structure and a measurement apparatus that improve the sensitivity and accuracy of measurement.
本発明の第1から第6までの局面は、表面プラズモン励起蛍光分光法による計測を行う計測装置における支持構造に関する。 The first to sixth aspects of the present invention relate to a support structure in a measurement apparatus that performs measurement by surface plasmon excitation fluorescence spectroscopy.
本発明の第1の局面においては、支持構造は、構造物、誘電体媒体、導電体膜及び支持体を備える。構造物の表面は、接合領域及び被支持領域を有する。構造物には、試料収容空間が形成される。試料収容空間は、接合領域に開口を有する。誘電体媒体の表面は、入射領域、反射領域及び出射領域を有する。入射領域へ入射した励起光が反射領域に全反射され出射領域から出射するように入射領域、反射領域及び出射領域が配置される。導電体膜の第1の主面は、接合領域に接合される。導電体膜の第2の主面は、反射領域に密着する。支持体の支持領域は、被支持領域に接触する。支持領域が被支持領域に接触する場合に支持体は誘電体媒体から離れる。 In the first aspect of the present invention, the support structure includes a structure, a dielectric medium, a conductor film, and a support. The surface of the structure has a bonding region and a supported region. A sample accommodation space is formed in the structure. The sample storage space has an opening in the bonding region. The surface of the dielectric medium has an incidence area, a reflection area, and an emission area. The incident area, the reflection area, and the emission area are arranged so that the excitation light incident on the incident area is totally reflected by the reflection area and emitted from the emission area. The first main surface of the conductor film is bonded to the bonding region. The second main surface of the conductor film is in close contact with the reflective region. The support area of the support is in contact with the supported area. The support separates from the dielectric medium when the support area contacts the supported area.
本発明の第2の局面は、本発明の第1の局面にさらなる事項を付加する。本発明の第2の局面においては、構造物の表面が平坦面を有する。被支持領域及び接合領域は、平坦面に設けられる。 The second aspect of the present invention adds further matters to the first aspect of the present invention. In the second aspect of the present invention, the surface of the structure has a flat surface. The supported area and the bonding area are provided on a flat surface.
本発明の第3の局面は、本発明の第2の局面にさらなる事項を付加する。本発明の第3の局面においては、接合領域に平行な方向への構造物の移動を規制する位置決め構造が支持体に設けられる。 The third aspect of the present invention adds further matters to the second aspect of the present invention. In the third aspect of the present invention, the support is provided with a positioning structure that restricts the movement of the structure in a direction parallel to the joining region.
本発明の第4の局面は、本発明の第3の局面にさらなる事項を付加する。本発明の第4の局面においては、支持領域から突出し支持領域に垂直に延在する位置決めピンが支持体に設けられる。支持領域が被支持領域に接触する場合に位置決めピンが挿入される位置決め孔が構造物に形成される。 The fourth aspect of the present invention adds further matters to the third aspect of the present invention. In the fourth aspect of the present invention, a positioning pin that protrudes from the support region and extends perpendicularly to the support region is provided on the support. A positioning hole into which a positioning pin is inserted when the supporting region comes into contact with the supported region is formed in the structure.
本発明の第5の局面は、本発明の第3の局面にさらなる事項を付加する。本発明の第5の局面においては、位置決め構造が構造物を収容する位置決め溝である。 The fifth aspect of the present invention adds further matters to the third aspect of the present invention. In the fifth aspect of the present invention, the positioning structure is a positioning groove for accommodating a structure.
本発明の第6の局面は、本発明の第1の局面にさらなる事項を付加する。本発明の第6の局面においては、構造物の表面が第1の平坦面、第2の平坦面及び第3の平坦面を有する。第2の平坦面及び第3の平坦面は、第1の平坦面に垂直な方向から傾斜する。第2の平坦面と第3の平坦面との間隔は、第1の平坦面へ近づくにつれて狭くなる。上記の被支持領域は第1の被支持領域であり、構造物の表面は第2の被支持領域を有する。上記の支持領域は第1の支持領域であり、支持体は第2の支持領域を有する。第1の被支持領域は第2の平坦面にある。第2の被支持領域は第3の平坦面にある。接合領域は、第1の平坦面にある。第2の支持領域は、第2の被支持領域に接触する。 The sixth aspect of the present invention adds further matters to the first aspect of the present invention. In the sixth aspect of the present invention, the surface of the structure has a first flat surface, a second flat surface, and a third flat surface. The second flat surface and the third flat surface are inclined from a direction perpendicular to the first flat surface. The distance between the second flat surface and the third flat surface becomes narrower as it approaches the first flat surface. The above supported area is a first supported area, and the surface of the structure has a second supported area. Said support area | region is a 1st support area | region, and a support body has a 2nd support area | region. The first supported region is on the second flat surface. The second supported region is on the third flat surface. The junction region is on the first flat surface. The second support area is in contact with the second supported area.
本発明の第7の局面は、表面プラズモン励起蛍光分光法による計測を行う計測装置に関する。本発明の第7の局面においては、測定機構及び本発明の第1の局面の支持構造が設けられる。測定機構は、入射面へ励起光を入射させ、表面プラズモン励起蛍光分光法による測定を行う。 7th aspect of this invention is related with the measuring device which performs the measurement by surface plasmon excitation fluorescence spectroscopy. In the seventh aspect of the present invention, a measurement mechanism and the support structure of the first aspect of the present invention are provided. The measurement mechanism causes excitation light to enter the incident surface and performs measurement by surface plasmon excitation fluorescence spectroscopy.
本発明の第1及び第7の局面によれば、誘電体媒体に加わる応力が減り、計測の感度及び精度が向上する。 According to the first and seventh aspects of the present invention, the stress applied to the dielectric medium is reduced, and the sensitivity and accuracy of measurement are improved.
本発明の第3から第6までの局面によれば、構造物の位置が決まり、誘電体媒体が適切な位置に配置される。 According to the third to sixth aspects of the present invention, the position of the structure is determined, and the dielectric medium is disposed at an appropriate position.
これらの及びこれら以外の本発明の目的、特徴、局面及び利点は、添付図面とともに考慮されたときに下記の本発明の詳細な説明によってより明白となる。 These and other objects, features, aspects and advantages of the invention will become more apparent from the following detailed description of the invention when considered in conjunction with the accompanying drawings.
{第1実施形態}
(計測装置の概略)
第1実施形態は、計測装置及び支持構造に関する。{First embodiment}
(Outline of measuring device)
The first embodiment relates to a measurement device and a support structure.
図1の模式図は、第1実施形態の計測装置を示す。図2及び図3の模式図は、第1実施形態の支持構造を示す。図2は斜視図であり、図3は断面図である。図4の模式図は、第1実施形態の分析チップの斜視図である。図5の模式図は、第1実施形態の分析チップの分解断面図である。図6の模式図は、第1実施形態の支持体の斜視図である。 The schematic diagram of FIG. 1 shows the measuring apparatus of the first embodiment. 2 and 3 show the support structure of the first embodiment. 2 is a perspective view, and FIG. 3 is a cross-sectional view. The schematic diagram of FIG. 4 is a perspective view of the analysis chip of the first embodiment. The schematic diagram of FIG. 5 is an exploded sectional view of the analysis chip of the first embodiment. The schematic diagram of FIG. 6 is a perspective view of the support body of 1st Embodiment.
第1実施形態の計測装置1000は、表面プラズモン励起蛍光分光法(SPFS)により計測を行う。
The
図1に示すように、計測装置1000は、分析チップ1002、支持体1004、押圧機構1006、試薬チップ1008、測定機構1010、送液機構1012、光吸収体1014、制御部1016及び表示部1018を備える。分析チップ1002及び試薬チップ1008は検体ごとに交換される。分析チップ1002は、センサーチップ、検査チップ、試料セル等とも呼ばれる。
As shown in FIG. 1, the
測定機構1010は、レーザーダイオードユニット1020、レーザーダイオードユニット駆動機構1022、第1のバンドバスフィルタ1024、ローパスフィルタ1026、減光(ND)フィルタ1028、半波長板1030、半波長板駆動機構1032、整形光学系1034、集光レンズ1036、第2のバンドパスフィルタ1038、バンドパスフィルタ駆動機構1040、結像レンズ1042及び光電子増倍管(PMT)1044を備える。
The
第1のバンドバスフィルタ1024、ローパスフィルタ1026、減光フィルタ1028、半波長板1030及び整形光学系1034は、励起光学系1046を構成する。集光レンズ1036、第2のバンドパスフィルタ1038及び結像レンズ1042は、検出光学系1048を構成する。
The
レーザーダイオードユニット1020は、レーザーダイオード1050、姿勢保持機構1052、ビームスプリッタ1054、フォトダイオード1056及び温度調整回路1058を備える。
The
送液機構1012は、送液ポンプ1060及び送液ポンプ駆動機構1062を備える。
The
図2及び図3に示すように、第1実施形態の支持構造1100は、分析チップ1002、支持体1004及び押圧機構1006を備える。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
図4及び図5に示すように、分析チップ1002は、金膜1064、プリズム1066、捕捉体1068及び流路形成体1070を備える。
As shown in FIGS. 4 and 5, the
図6に示すように、支持体1004は、基台1102並びに支持脚1104a及び1104bを備える。
As shown in FIG. 6, the
(計測の概略)
計測が行われる場合には、図2及び図3に示すように、分析チップ1002が支持体1004に支持され、押圧機構1006により分析チップ1002が支持体1004へ押し付けられ、分析チップ1002が測定位置に固定される。分析チップ1002が支持体1004に支持される場合には、流路形成体1070が支持体1004に支持され、プリズム1066は支持体1004から離れる。プリズム1066が支持体1004に接触しない場合は、プリズム1066に応力が加わりにくく、プリズム1066に複屈折が生じにくい。これにより、励起光ELの偏光方向が乱れにくくなり、計測の感度及び精度が向上する。また、プリズム1066を支持体1004で支持しない場合は、プリズム1066に支持のための構造を設ける必要がなくなり、プリズム1066の形状が簡略化される。プリズム1066の形状の簡略化は、成形のときの密度のむらを減らし、複屈折を生じにくくすることに寄与する。(Outline of measurement)
When measurement is performed, as shown in FIGS. 2 and 3, the
分析チップ1002が支持体1004に支持された状態において、図1に示すように、流路形成体1070に形成された流路1072へ試料液1092が供給される。抗原抗体反応により、試料液1092に含まれる抗原が捕捉体1068に捕捉され、捕捉された抗原が試料液1092に含まれる蛍光標識抗体により蛍光標識される。
In a state where the
抗原抗体反応と並行して、励起光ELがプリズム1066に照射される。照射された励起光ELは、プリズム1066と金膜1064との界面で反射される。
In parallel with the antigen-antibody reaction, the excitation light EL is irradiated onto the
プリズム1066と金膜1064との界面で励起光ELが反射される場合は、金膜1064とプリズム1066との界面から金膜1064の側にエバネッセント波がもれだし、金膜1064の表面のプラズモンとエバネッセント波とが干渉する。プラズモンとエバネッセント波とが共鳴する場合にエバネッセント波の電場は著しく増強される。増強された電場は蛍光標識を励起し、蛍光標識から表面プラズモン励起蛍光FLが放射される。表面プラズモン励起蛍光FLの光量は、光電子増倍管1044により測定される。光電子増倍管1044の測定結果から抗原の有無、抗原の捕捉量等が制御部1016により算出され、算出結果が表示部1018に表示される。
When the excitation light EL is reflected at the interface between the
(流路形成体の形状)
図4及び図5に示すように、流路形成体1070の外形形状は直方体又は立方体であり、流路形成体1070の表面1101は、平坦な上面1102、側面1104及び下面1106を有する。流路形成体1070の表面1101には、接合領域1108及び露出領域1112が設けられ、被支持領域1110a及び1110bが設定される。接合領域1108は、金膜1064の第1の主面1114に接合される領域であり、下面1106の一部を占める。露出領域1112は、分析チップ1002の外部に露出する領域であり、上面1102の一部及び側面1104を占める。被支持領域1110a及び1110bは、支持体1004に支持される領域であり、下面1106の一部を占める。図4においては、被支持領域1110a及び1110bにハッチングが描かれる。接合領域1108、露出領域1112並びに被支持領域1110a及び1110bの配置が変更されてもよい。流路形成体1070の外形形状が直方体及び立方体以外であってもよい。流路形成体1070の外形形状が直方体及び立方体以外である場合は、下面1106のような一定方向を向く平坦面に接合領域1108並びに被支持領域1110a及び1110bが集中して設けられる。接合領域1108が設けられる平坦面と被支持領域1110a及び1110bが設定される平坦面とが異なる方向を向いてもよい。(Shape of the flow path forming body)
As shown in FIGS. 4 and 5, the outer shape of the flow
(プリズムの形状)
プリズム1066の外形形状は半円柱体であり、プリズム1066の表面1118は、円周側面1120及び平坦側面1122を有する。プリズム1066の表面1118には、励起光ELの入射領域1124、反射領域1126及び出射領域1128が設定される。入射領域1124及び出射領域1128は、円周側面1120の一部を占める。反射領域1126は、平坦側面1122の一部を占める。入射領域1124、反射領域1126及び出射領域1128は、入射領域1124へ入射した励起光ELが反射領域1126に全反射され出射領域1128から出射するように配置される。入射領域1124が円周側面1120の一部を占める場合は、異なる入射角で入射した励起光ELが集光され、共鳴角の変化の影響が現れにくくなる。(Prism shape)
The external shape of the
望ましくは、入射領域1124及び出射領域1128は対称に配置される。これにより、反射光のs偏光成分がプリズム1066の内部に滞留しにくくなる。
Desirably, the
共鳴角で励起光ELが反射領域1126へ入射する限り、プリズム1066の外形形状が半円柱体以外でもよく、プリズム1066が「プリズム」の範疇に含まれない形状物に置きかえられてもよい。例えば、プリズム1066の外形形状が、台形柱体、板等であってもよい。
As long as the excitation light EL is incident on the
(分析チップの全体)
金膜1064の第1の主面1114には、捕捉体1068が定着する。金膜1064の第1の主面1114は、接合領域1108に接合される。金膜1064の第2の主面1116は、反射領域1126に密着する。捕捉体1068は、流路1072に収容される。金膜1064の第1の主面1114に抗原が直接的に捕捉される場合は、捕捉体1068が省略されてもよい。(Whole analysis chip)
The capturing
金膜1064と流路形成体1070とは、接着、レーザー溶着、超音波溶着、クランプ圧着等により接合される。ただし、金膜1064と流路形成体1070とが他の方法により接合されてもよい。
The
金膜1064は、スパッタリング、蒸着、メッキ等により反射領域1126に形成される。ただし、金膜1064が他の方法により形成されてもよい。
The
(流路形成体の材質)
流路形成体1070は、表面プラズモン励起蛍光FLに対して透明な材質からなる。流路形成体1070は、望ましくは、樹脂からなり、射出成形により製造される。流路形成体1070の厚さは、望ましくは、1〜10mmである。「厚さ」は、接合領域1108に垂直な方向の寸法である。厚さがこの範囲を下回る場合は、流路形成体1070の剛性が低下し、流路形成体1070が応力を受けとめることが難しくなる。厚さがこの範囲を上回る場合は、流路形成体1070の成形に要する時間が長くなり、分析チップの製造費用が増加する。(Material of flow path forming body)
The flow
(プリズムの材質)
プリズム1066は、励起光ELに対して透明な材質からなる誘電体媒体である。望ましくは、プリズム1066は、屈折率が1.4〜1.6のガラス又は樹脂からなる。プリズム1066が樹脂からなる場合は、望ましくは、射出成形によりプリズム1066が製造される。ただし、プリズム1066が他の方法により製造されてもよい。プリズム1066の材質は、望ましくは、複屈折を生じにくい樹脂である。ただし、第1実施形態の支持構造1100によれば、応力がプリズム1066に加わりにくいので、複屈折を生じやすい樹脂からプリズム1066がなる場合も計測の精度及び感度が低下しにくい。(Prism material)
The
(金膜の大きさ及び材質)
金膜1064は、薄膜である。金膜1064の膜厚は、望ましくは、30〜70nmである。ただし、金膜1064の膜厚がこの範囲外であってもよい。(Gold film size and material)
The
金膜1064が金以外の表面プラズモン共鳴を発生させる導電体からなる膜に置きかえられてもよい。例えば、金膜1064が銀、銅、アルミニウム等の金属又はこれらの金属を含む合金からなる膜に置きかえられてもよい。
The
(流路)
流路形成体1070には、流路1072が形成される。流路1072は、一方の試料液出入口1130から流路形成体1070の内部を経由し他方の試料液出入口1132まで延在し、試料液1092を収容する試料液収容空間を提供する。試料液出入口1130及び1132は、露出領域1112に設けられる。これにより、試料液出入口1130及び1132への試料液1092の供給が可能になる。(Flow path)
A
流路1072は、表面露出流路1136並びに内部貫通流路1138及び1140を有する。
The
表面露出流路1136は、接合領域1108に沿って延在し、接合領域1108に開口1134を有する。これにより、表面露出流路1136に試料液1092が供給された場合に、第1の主面1114に試料液1092が供給され、第1の主面1114に定着する捕捉体1068に試料液1092が接触する。
The surface exposed
一方の内部貫通流路1138は、一方の試料液出入口1130から表面露出流路1136の一方の端部まで延在する。他方の内部貫通流路1140は、他方の試料液出入口1132から表面露出流路1136の他方の端部まで延在する。内部貫通流路1138及び1140により、試料液出入口1130又は1132に試料液1092が供給された場合に、表面露出流路1136に試料液1092が供給される。試料液出入口の数が3個以上に増やされてもよい。流路1072が1個の試料液出入口を有する溜まりに置きかえられてもよい。
One internal through
(流路形成体の結合物化)
流路形成体1070は、1個の構造物からなる。ただし、流路形成体1070が2個以上の構造物の結合物であってもよい。例えば、流路形成体1070が、表面露出流路1136が形成されたシールと、内部貫通流路1138及び1140が形成されたブロックと、の結合物であってもよい。(Combination of flow path forming body)
The flow
(捕捉体)
捕捉体1068は、非流動体からなる。したがって、試料液1092が捕捉体1068に接触しても、捕捉体1068は移動しない。(Captured body)
The capturing
捕捉体1068は、検出対象の抗原と結合する抗体を含む。抗体は、均一に分布する。検出対象の抗原を含む試料液1092が捕捉体1068に接触した場合は、試料液1092に含まれる検出対象の抗原が捕捉体1068に含まれる抗体と結合し、試料液1092に含まれる検出対象の抗原が捕捉体1068に捕捉される。
The capturing
捕捉体1068は、望ましくは、表面処理によって第1の主面1114に定着させられる。
The capturing
(支持体)
図6に示すように、支持体1004は、板形状を有する支持脚1104a及び1104bが基台1102から分岐する二又分岐体である。支持脚1104a及び1104bが板形状以外を有してもよい。基台1102は、計測装置1000の内部に固定される。支持脚1104a及び1104bは、基台1102から鉛直方向の上方へ延在する。支持脚1104aの先端にある上面1250aの一部及び支持脚1104bの先端にある上面1250bの一部は、それぞれ、支持領域1200a及び1200bになる。支持体1004が分析チップ1002を支持する場合には、支持領域1200a及び1200bは、それぞれ、被支持領域1110a及び1110bに接触する。支持領域1200a及び1200bは、平坦であり、同じ高さにある。(Support)
As shown in FIG. 6, the
支持体1004は、分析チップ1002を支持する場合にプリズム1066に接触しない形状を有する。これにより、プリズム1066に応力が加わりにくくなり、プリズム1066に複屈折が生じにくくなり、計測の感度及び精度が向上する。支持体1004は、分析チップ1002を支持する場合に励起光EL及び反射領域1126に反射された励起光EL、すなわち、反射光RLを遮らない形状を有する。
The
一方の支持脚1104aと他方の支持脚1104bとの間隙は、プリズム1066の幅より広く、流路形成体1070の幅より狭い。「幅」は、励起光ELの光路に垂直な方向の寸法である。このため、一方の被支持領域1110aは下面1106の一方の対辺に沿い、他方の被支持領域1110bは下面1106の他方の対辺に沿う。金膜1064は、一方の被支持領域1110aと他方の被支持領域1110bとの間に接合される。これにより、一方の被支持領域1110aと他方の被支持領域1110bとの間で重いプリズム1066が支持され、流路形成体1070が安定して支持される。ただし、他の場所に接合領域1108があってもよい。支持脚の数が1個に減らされ、支持領域及び被支持領域の数が1個に減らされてもよい。支持脚の数が3個以上に増やされ、支持領域及び被支持領域の数が3個以上に増やされてもよい。
The gap between one
(押圧機構)
押圧機構1006は、押圧子1142を備える。押圧機構1006は、押圧子1142を分析チップ1002へ当て、分析チップ1002を支持体1004へ向かって押圧する。押圧子1142は、望ましくは、ゴム等の弾性体からなり、流路形成体1070の上面1102に接触する。これにより、分析チップ1002が押圧されるときに流路形成体1070が損傷しにくくなる。押圧機構1006が省略され、分析チップ1002が支持体1004に単に載置されてもよい。押圧機構1006は、表面プラズモン励起蛍光FLを妨げない場所に配置される。(Pressing mechanism)
The
(励起光及び反射光の光路)
図1に示すように、励起光ELは、励起光学系1046によりレーザーダイオードユニット1020から入射領域1124へ導かれる。励起光ELは、第1のバンドバスフィルタ1024、直線偏光フィルタ1026、減光フィルタ1028、半波長板1030及び整形光学系1034を順次に通過する。反射光RLは、出射領域1128の近傍に設けられた光吸収体1014に吸収される。これにより、反射光RLが計測に影響を与えにくくなる。(Optical path of excitation light and reflected light)
As shown in FIG. 1, the excitation light EL is guided from the
(レーザーダイオードユニット)
レーザーダイオードユニット1020においては、レーザーダイオード1050から放射されたビームがビームスプリッタ1054により主ビームと副ビームとに分割される。主ビームは、励起光ELとなる。(Laser diode unit)
In the
励起光ELのビームの断面形状は扁平形である。反射領域1126への励起光ELの照射形状を円形に近づけるために、励起光ELの光路を含み反射領域1126に垂直な面に楕円形の短軸が含まれるような姿勢でレーザーダイオード1050が姿勢保持機構1052により保持される。
The cross-sectional shape of the beam of the excitation light EL is a flat shape. In order to make the irradiation shape of the excitation light EL to the
レーザーダイオード1050から放射されるレーザー光の波長及び光量が温度に依存する場合は、望ましくは、レーザーダイオード1050が温度調整回路1058に制御される。例えば、副ビームの光量がフォトダイオード1056により測定され、副ビームの光量の測定結果が一定に維持されるようにレーザーダイオード1050へ供給される電力が温度調整回路1058により回帰制御される。これにより、レーザーダイオード1050の温度が一定に維持され、励起光ELの波長及び光量が一定に維持される。フォトダイオード1056が他の形式の光量センサに置きかえられてもよい。例えば、フォトダイオード1056がフォトトランジスタ、フォトレジスタ等に置きかえられてもよい。励起光ELの波長は共鳴角及びエバネッセント波のしみだし量に影響するので、温度調整回路1058は計測の精度及び感度の向上に寄与する。
When the wavelength and amount of laser light emitted from the
レーザーダイオード1050の温度が定常温度になるまでに長時間を要する場合は、計測装置1000の運転が開始されたときからレーザーダイオード1050へ電力が常時供給される。
When it takes a long time for the temperature of the
レーザーダイオード1050が他の形式の光源に置きかえられてもよい。例えば、レーザーダイオード1050が発光ダイオード、水銀灯、レーザーダイオード以外のレーザー等に置きかえられてもよい。光源から放射される光がビームでない場合は、レンズ、ミラー、スリット等により光がビームに変換される。光源から放射される光が単色光でない場合は、回折格子等により光が単色光に変換される。光源から放射される光が直線偏光でない場合は、偏光子等により光が直線偏光に変換される。
The
(第1のバンドパスフィルタ)
励起光ELが第1のバンドパスフィルタ1024を透過するときに、励起光ELの波長の分布が狭められる。これにより、レーザーダイオードユニット1020から放射される励起光ELの波長の分布が広くても、波長の分布が狭い励起光ELが得られる。レーザーダイオードユニット1020から放射される励起光ELの波長の分布が十分に狭い場合は、第1のバンドパスフィルタ1024が省略されてもよい。(First bandpass filter)
When the excitation light EL passes through the
(直線偏光フィルタ)
励起光ELが直線偏光フィルタ1026を透過するときに、励起光ELの偏光方向の分布が狭められる。これにより、レーザーダイオードユニット1020から放射される励起光ELの偏光方向の分布が広くても、偏光方向の分布が狭い励起光ELが得られる。レーザーダイオードユニット1020から放射される励起光ELの偏光方向の分布が十分に狭い場合は、直線偏光フィルタ1026が省略されてもよい。(Linear polarization filter)
When the excitation light EL passes through the
(減光フィルタ)
励起光ELが減光フィルタ1028を透過するときに、励起光ELの光量が減少させられる。レーザーダイオードユニット1020から放射される励起光ELの光量が適切である場合は、減光フィルタ1028が省略されてもよい。(Density filter)
When the excitation light EL passes through the
(半波長板及び半波長板駆動機構)
半波長板1030は、半波長板駆動機構1032により半波長板1030に垂直な回転軸の周りに回転させられる。半波長板駆動機構1032は、ロータリーステッピングモータ等により半波長板1030を自転させる。半波長板1030を通過する励起光ELの偏光方向は、半波長板1030の回転角により調整される。励起光ELの偏光方向は、反射領域1126からのエバネッセント波のしみだしが最大になる偏光方向と反射領域1126からのエバネッセント波のしみだしがなくなる偏光方向との間に調整されうる。初期状態においては、反射領域1126に主にp偏光成分が入射すると予想される回転角に半波長板1030の回転角が設定される。(Half wave plate and half wave plate drive mechanism)
The half-
半波長板駆動機構1032が光軸の周りにレーザーダイオード1050又はレーザーダイオードユニット1020を回転させる機構に置きかえられてもよい。後記の偏光方向の最適化が省略される場合は、半波長板駆動機構1032が省略され、半波長板1030が固定されてもよい。後記の偏光方向の最適化が省略されるとともに反射領域1126に主にp偏光成分が入射する姿勢でレーザーダイオード1050又はレーザーダイオードユニット1020が保持される場合は、半波長板1030及び半波長板駆動機構1032が省略されてもよい。
The half-wave
(整形光学系)
励起光ELが整形光学系1034を通過するときに励起光ELのビームの大きさ、断面形状等がスリット、ズーム光学系等により整形される。(Shaping optics)
When the excitation light EL passes through the shaping
(表面プラズモン励起蛍光の光路)
表面プラズモン励起蛍光FLは、検出光学系1048により捕捉体1068から光電子増倍管1044へ導かれる。表面プラズモン励起蛍光FLは、集光レンズ1036、第2のバンドパスフィルタ1038及び結像レンズ1042を順次に通過する。(Optical path of surface plasmon excitation fluorescence)
The surface plasmon excitation fluorescence FL is guided from the capturing
(集光レンズ及び結像レンズ)
集光レンズ1036は、表面プラズモン励起蛍光FLを集光し平行光へ変換する。結像レンズ1042は、表面プラズモン励起蛍光FLを光電子増倍管1044へ結像する。集光レンズ1036及び結像レンズ1042は、共役光学系を構成する。これにより、迷光の影響が抑制される。(Condensing lens and imaging lens)
The condensing
(第2のバンドパスフィルタ及びバンドパスフィルタ駆動機構)
第2のバンドパスフィルタ1038は、バンドパスフィルタ駆動機構1040により集光レンズ1036と結像レンズ1042との間の測定光の光路に挿抜される。「測定光」は、励起光ELの散乱光及び表面プラズモン励起蛍光FLである。(Second bandpass filter and bandpass filter drive mechanism)
The second
表面プラズモン励起蛍光FLの光量が測定される場合は、測定光の光路へ第2のバンドパスフィルタ1038が挿入され、第2のバンドパスフィルタ1038により励起光ELと同じ波長の光が選択的に減衰させられる。これにより、散乱光が減衰させられ、主に表面プラズモン励起蛍光FLが光電子増倍管1044へ導かれ、計測の感度及び精度が向上する。散乱光の光量が測定される場合は、測定光の光路から第2のバンドパスフィルタ1038が抜去される。
When the amount of light of the surface plasmon excitation fluorescence FL is measured, a
測定光の光路に減光フィルタが挿抜されてもよい。表面プラズモン励起蛍光FLの光量が測定される場合は、測定光の光路から減光フィルタが抜去される。散乱光の光量が測定される場合は、測定光の光路へ減光フィルタが挿入される。これにより、光電子増倍管1044へ導かれる表面プラズモン励起蛍光FL及び散乱光の光量の差が小さくなり、光量の測定が容易になる。表面プラズモン励起蛍光FLの光量が相対的に高感度の光電子増倍管1044により測定され、散乱光の光量が相対的に低感度のフォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトレジスタ等により測定されてもよい。
A neutral density filter may be inserted into and removed from the optical path of the measurement light. When the light amount of the surface plasmon excitation fluorescence FL is measured, the neutral density filter is removed from the optical path of the measurement light. When the amount of scattered light is measured, a neutral density filter is inserted into the optical path of the measurement light. Thereby, the difference between the light amounts of the surface plasmon excitation fluorescence FL and the scattered light guided to the
(光電子増倍管)
測定光の光量は光電子増倍管1044により測定される。光電子増倍管1044には感度及び信号対雑音(S/N)比が良好であるという利点がある。ただし、光電子増倍管1044が他の形式の光量センサに置きかえられてもよい。例えば、光電子増倍管1044が冷却電荷結合素子(CCD)カメラ等に置きかえられてもよい。(Photomultiplier tube)
The amount of measurement light is measured by a
(送液機構)
送液機構1012においては、送液ポンプ1060が被送液物を送液元から吸引し送液先へ吐出する。送液ポンプ1060は、送液元から送液先へ送液ポンプ駆動機構1062により搬送される。チューブにより被送液物が送液されてもよい。(Liquid feeding mechanism)
In the
(制御部)
制御部1016は、ソフトウエアを実行する組み込みコンピュータである。1個の組み込みコンピュータが制御部1016の機能を担ってもよいし、2個以上の組み込みコンピュータが分担して制御部1016の機能を担ってもよい。ソフトウエアを伴わないハードウエアが制御部1016の全部又は一部の機能を担ってもよい。ハードウエアは、オペアンプ、コンパレータ等の電子回路であってもよいし、リンク機構等の機械的機構であってもよい。(Control part)
The
(反応領域、測定領域及び照射領域の関係)
図7の模式図は、反射領域1126における照射領域1300、測定領域1302及び反応領域1304の望ましい関係を示す平面図である。照射領域1300は、励起光ELが照射される領域である。測定領域1302は、測定光の光量が光電子増倍管1044により測定される領域である。反応領域1304は、捕捉体1068が設けられ、抗原抗体反応が進行する領域である。照射領域1300及び測定領域1302の平面形状は、望ましくは、円形である。(Relationship between reaction area, measurement area and irradiation area)
The schematic diagram of FIG. 7 is a plan view showing a desirable relationship among the
照射領域1300と測定領域1302とは少なくとも重なる。望ましくは照射領域1300が測定領域1302に内包され、さらに望ましくは照射領域1300が測定領域1302の中央に配置される。これにより、プリズム1066のばらつき等により照射位置がずれても照射領域1300が測定領域1302から逸脱しにくくなり、測定光の光量が維持される。
The
照射領域1300と反応領域1304とは少なくとも重なり、望ましくは照射領域1300が反応領域1304に内包され、さらに望ましくは照射領域1300が反応領域1304の中央に配置される。
The
測定領域1302と反応領域1304とは少なくとも重なり、望ましくは測定領域1302が反応領域1304に内包され、さらに望ましくは測定領域1302が反応領域1304の中央に配置される。
The
(計測の手順)
図8のフローチャートは、計測の手順を示す。計測装置1000においては、抗原抗体反応の進行中に計測が行われる。(Measurement procedure)
The flowchart of FIG. 8 shows a measurement procedure. In the
(分析チップ及び試薬チップの準備及び取り付け)
図8に示すように、分析チップ1002及び試薬チップ1008が準備され、分析チップ1002及び試薬チップ1008が計測装置1000に取りつけられる(ステップS101)。試薬チップ1008は、前処理室に配置される。試薬チップ1008の検体容器1073には、試薬チップ1008が準備されるときに検体1084が収容される。検体1084は、典型的には、血液等の人間からの採取物であるが、人間以外の生物からの採取物であってもよく、非生物からの採取物であってもよい。試薬チップ1008の希釈液容器1074、蛍光標識液容器1076及び洗浄液容器1078には、それぞれ、希釈液1086、蛍光標識液1088及び洗浄液1090が予め収容される。試薬チップ1008の希釈容器1082には、試料液1092が収容されることが予定されている。(Preparation and mounting of analysis chip and reagent chip)
As shown in FIG. 8, an
(試料液の調製)
分析チップ1002及び試薬チップ1008が計測装置1000に取りつけられた後に、検体容器1073から希釈容器1082へ検体1084が送液され、希釈液容器1074から希釈容器1082へ希釈液1086が送液され、蛍光標識液容器1076から希釈容器1082へ蛍光標識液1088が送液される。これにより、試料液1092が希釈容器1082に調製される(ステップS102)。試料液1092の成分が変更されてもよい。(Preparation of sample solution)
After the
検体1084の希釈が省略される場合もある。希釈に加えて又は希釈に代えて、血球分離、試薬の混合等の他の前処理が行われてもよい。
In some cases, dilution of the
(照射位置の最適化)
試料液1092が調製された後に、望ましくは、照射位置が最適化される(ステップS103)。ただし、照射位置の最適化が省略されてもよい。試料液1092が調製される前又は試料液1092が調製されるのと並行して照射位置が最適化されてもよい。(Optimization of irradiation position)
After the
照射位置の最適化においては、レーザーダイオードユニット駆動機構1022が制御部1016に制御される。レーザーダイオードユニット駆動機構1022は、レーザーダイオードユニット1020を駆動し、励起光ELを平行移動させる。これにより、照射位置が直線に沿って走査される。照射位置の走査中に光電子増倍管1044により散乱光の光量が測定される。散乱光の光量の測定結果は、制御部1016へ転送される。散乱光の光量が測定されている間は、第2のバンドバスフィルタ1038が測定光の光路から抜去される。励起光ELを反射するミラーが設けられ、当該ミラーの駆動により照射位置が走査されてもよい。レーザーダイオードユニット1020に加えて励起光学系1046が駆動されてもよい。
In the irradiation position optimization, the laser diode
照射領域1300が測定領域1302に内包される区間においては、散乱光の光量はほぼ一定である。しかし、当該区間以外においては、照射領域1300が測定領域1302を逸脱し、照射位置が当該区間から離れるにしたがって散乱光の光量が減少する。制御部1016は、散乱光の光量が極大値から同値だけ減少する第1及び第2の位置を特定し、第1及び第2の位置の中間の位置を決定する。レーザーダイオードユニット駆動機構1022は、第1及び第2の位置の中間の位置へレーザーダイオードユニット1020を移動させる。
In the section where the
共鳴角においては、反射光RLの光量は小さく、反射光RLはプリズム1066から放射される自家蛍光をほとんど発生させない。このため、測定領域1302における励起光ELの光路長が自家蛍光の光量に大きく影響し、照射位置が変化すると自家蛍光の光量も変化する。自家蛍光の光量は励起光ELの光量に比べると小さいが、表面プラズモン励起蛍光FLの光量と比べると無視できない。ただし、自家蛍光の光量は小さいため、表面プラズモン励起蛍光FLの光量の測定に影響を与えるのは、反射領域1126の近くから放射された自家蛍光に限られる。
At the resonance angle, the amount of the reflected light RL is small, and the reflected light RL hardly generates autofluorescence emitted from the
照射位置の最適化により照射領域1300が測定領域1302の中央に配置された場合は、測定領域1302における励起光ELの光路長が一定になり、自家蛍光の光量の影響が一定になり、計測の感度及び精度が向上する。望ましくは、照射位置の最適化は、自家蛍光の光量の測定の前の前に行われる。これにより、自家蛍光の光量の測定の精度が向上する。
When the
(自家蛍光の光量の測定)
照射位置が最適化された後に、光電子増倍管1044により自家蛍光の光量が測定される(ステップS104)。自家蛍光の光量の測定結果は、制御部1016へ転送され、制御部1016に記憶される。(Measurement of the amount of autofluorescence)
After the irradiation position is optimized, the amount of autofluorescence is measured by the photomultiplier tube 1044 (step S104). The measurement result of the amount of autofluorescence is transferred to the
(励起光の偏光方向の最適化)
自家蛍光の光量が測定された後に、励起光ELの偏光方向が最適化される(ステップS105)。(Optimization of excitation light polarization direction)
After the amount of autofluorescence is measured, the polarization direction of the excitation light EL is optimized (step S105).
励起光ELの偏光方向の最適化においては、半波長板駆動機構1032が制御部1016に制御される。半波長板駆動機構1032は、半波長板1030を駆動し、励起光ELの偏光方向を回転させる。これにより、励起光ELの偏光方向が走査される。励起光ELの偏光方向の走査中に光電子増倍管1044により散乱光の光量が測定される。散乱光の光量の測定結果は、制御部1016へ転送される。散乱光の光量が測定されている間は、第2のバンドバスフィルタ1038が測定光の光路から抜去される。
In optimizing the polarization direction of the excitation light EL, the half-wave
制御部1016は、散乱光の光量が極大になる回転角を特定する。半波長板駆動機構1032は、散乱光の光量が極大になる回転角へ半波長板1030を回転させる。
The
樹脂からなる媒体の中を光が進行する場合には無視できない複屈折が生じる。この複屈折は、位置による媒体の密度の変化等により生じる。位置による媒体の密度の変化は樹脂の成形のときに生じるため、複屈折の強さはプリズム1066ごとに異なる。このため、プリズム1066によっては、エバネッセント波のしみだしに寄与するp偏光成分のみを反射領域1126へ入射させようとしても、s偏光成分が発生してp偏光成分が減少し、計測の感度及び精度が低下する。
Birefringence that cannot be ignored occurs when light travels through a resin medium. This birefringence is caused by a change in the density of the medium depending on the position. Since the change in the density of the medium depending on the position occurs at the time of molding the resin, the birefringence strength differs for each
励起光ELの偏光方向の最適化により、プリズム1066のばらつきによるp偏光成分の減少が解消し、計測の感度及び精度が向上する。
By optimizing the polarization direction of the excitation light EL, the decrease of the p-polarized component due to the variation of the
(暗ノイズ量の測定)
励起光ELの偏光方向が最適化された後に、光電子増倍管1044により暗ノイズ量が測定される(ステップS106)。暗ノイズ量の測定結果は制御部1016へ転送され、制御部1016に記憶される。暗ノイズ量が測定されている間は、第2のバンドパスフィルタ1038が測定光の光路に挿入される。(Measurement of dark noise)
After the polarization direction of the excitation light EL is optimized, the amount of dark noise is measured by the photomultiplier tube 1044 (step S106). The measurement result of the dark noise amount is transferred to the
(抗原抗体反応の進行及び表面プラズモン励起蛍光の光量の測定)
暗ノイズ量が測定された後に、流路1072へ試料液1092が注入される。また、抗原抗体反応と並行して光電子増倍管1044により表面プラズモン励起蛍光FLの光量が測定される(ステップS107)。(Measurement of antigen-antibody reaction and surface plasmon excitation fluorescence)
After the dark noise amount is measured, the
流路1072への試料液1092の注入においては、送液機構1012が制御部1016に制御される。送液機構1012は、希釈容器1082から流路1072へ試料液1092を送液する。これにより、抗原抗体反応が進行し、捕捉体1068に抗原が捕捉され、捕捉された抗原が蛍光標識抗体に蛍光標識される。
In injecting the
抗原抗体反応の進行中の表面プラズモン励起蛍光FLの光量の測定結果は、制御部1016へ転送され、制御部1016に記憶される。表面プラズモン励起蛍光FLの光量が測定されている間は、第2のバンドパスフィルタ1038が測定光の光路に挿入される。
The measurement result of the light amount of the surface plasmon excitation fluorescence FL during the antigen-antibody reaction is transferred to the
表面プラズモン励起蛍光FLの光量は、送液ポンプ1060が試料液出入口1130又は1132に挿入された状態で測定される。分析チップ1002が支持体1004に支持される場合は、送液ポンプ1060から加えられる応力は流路形成体1070で受けとめられ、プリズム1066には応力が加えられない。このため、第1実施形態の支持構造1100は、抗原抗体反応の進行中に表面プラズモン励起蛍光FLの光量を測定する場合に特に適する。ただし、抗原抗体反応の完了後に表面プラズモン励起蛍光FLの光量が測定される場合も第1実施形態の支持構造1100は有用である。
The light quantity of the surface plasmon excitation fluorescence FL is measured in a state where the
(測定結果の補正)
表面プラズモン励起蛍光FLの光量が測定された後に、制御部1016は、表面プラズモン励起蛍光FLの光量の測定結果から自家蛍光の光量の測定結果及び暗ノイズ量の測定結果を減ずる補正を行う(ステップS108)これにより、自家蛍光及び暗ノイズの影響が抑制され、計測の感度及び精度が向上する。測定結果の補正は、省略されてもよい。測定結果の補正が省略される場合は、自家蛍光の光量の測定及び暗ノイズ量の測定も省略される。(Correction of measurement results)
After the light amount of the surface plasmon excitation fluorescence FL is measured, the
(記憶及び表示)
補正された表面プラズモン励起蛍光FLの光量の測定結果は、検体番号等と共に制御部1016に記憶され、検体番号等と共に表示部1018に表示される(ステップS109)。表面プラズモン励起蛍光FLの光量の測定結果は、必要に応じて、抗原の絶対量、濃度等に換算される。(Memory and display)
The corrected measurement result of the light amount of the surface plasmon excitation fluorescence FL is stored in the
(初期化)
測定結果の記憶及び表示の後に、計測装置1000が初期化される(ステップS110)。計測装置1000の初期化においては、半波長板1030等の可動物が初期位置に復帰させられる。(Initialize)
After storing and displaying the measurement result, the
上記の手順のうち計測装置1000により実行される手順が手作業により実行されてもよいし、手作業により実行される手順が計測装置1000により実行されてもよい。
Among the above procedures, a procedure executed by the
反射領域1126への励起光ELの入射角が共鳴角の付近で走査され、入射角が最適化されてもよい。
The incident angle of the excitation light EL to the
{第2実施形態}
第2実施形態は、第1実施形態の支持構造に代えて採用される支持構造に関する。{Second Embodiment}
The second embodiment relates to a support structure that is employed instead of the support structure of the first embodiment.
図9及び図10の模式図は、第2実施形態の支持構造を示す。図9は斜視図であり、図10は断面図である。図11の模式図は、第2実施形態の分析チップの斜視図である。図12の模式図は、第2実施形態の支持体の斜視図である。 The schematic views of FIGS. 9 and 10 show the support structure of the second embodiment. FIG. 9 is a perspective view, and FIG. 10 is a cross-sectional view. The schematic diagram of FIG. 11 is a perspective view of the analysis chip of the second embodiment. The schematic diagram of FIG. 12 is a perspective view of the support body of 2nd Embodiment.
図9及び図10に示すように、第2実施形態の支持構造2100は、分析チップ2002、支持体2004及び押圧機構2006を備える。第2実施形態の分析チップ2002及び押圧機構2006は、それぞれ、第1実施形態の分析チップ1002及び押圧機構1006と同じものである。
As shown in FIGS. 9 and 10, the
図11に示すように、第2実施形態の分析チップ2002は、金膜2064、プリズム2066、捕捉体2068及び流路形成体2070を備える。第2実施形態の金膜2064、プリズム2066、捕捉体2068及び流路形成体2070は、それぞれ、第1実施形態の金膜1064、プリズム1066、捕捉体1068及び流路形成体1070と同じものである。第2実施形態の分析チップ2002は、被支持領域2110a、2110b、2110c及び2110dが設定される場所が異なる点で第1実施形態の分析チップ1002と相違する。
As shown in FIG. 11, the
図12に示すように、第2実施形態の支持体2004は、基台2102並びに支持脚2104a、2104b、2104c及び2104dを備える。第2実施形態の基台2102は、第1実施形態の基台1102と同じものである。第2実施形態の支持体2004は、支持脚1104a及び1104bが支持脚2104a、2104b、2104c及び2104dへ置きかえられる点で第1実施形態の支持体1004と相違する。
As shown in FIG. 12, the
支持体2004は、棒形状を有する支持脚2104a、2104b、2104c及び2104dが基台2102から分岐する四又分岐体である。支持脚2104a、2104b、2104c及び2104dは、基台2102から鉛直方向の上方へ延在する。支持脚2104aの先端にある上面2250aの一部、支持脚2104bの先端にある上面2250bの一部、支持脚2104cの先端にある上面2250cの一部及び支持脚2104dの先端にある上面2250dの一部は、それぞれ、支持領域2200a、2200b、2200c及び2200dになる。支持体2004が分析チップ2002を支持する場合には、支持領域2200a、2200b、2200c及び2200dは、それぞれ、被支持領域2110a、2110b、2110c及び2110dに接触する。支持領域2200a、2200b、2200c及び2200dは、平坦であり、同じ高さにある。被支持領域2110a、2110b、2110c及び2110dは、下面2106の四隅の近傍にある。
The
支持体2004は、分析チップ2002を支持する場合にプリズム2066に接触しない形状を有する。これにより、プリズム2066に応力が加わりにくくなり、プリズム2066に複屈折が生じにくくなりなり、計測の感度及び精度が向上する。また、支持体2004は、分析チップ2002を支持する場合に励起光EL及び反射光RLを遮らない形状を有する。
The
{第3実施形態}
第3実施形態は、第1実施形態の支持構造に代えて採用される支持構造に関する。{Third embodiment}
The third embodiment relates to a support structure that is employed instead of the support structure of the first embodiment.
図13及び図14の模式図は、第3実施形態の支持構造を示す。図13は斜視図であり、図14は断面図である。図15の模式図は、第3実施形態の分析チップの斜視図である。図16の模式図は、第3実施形態の支持体の斜視図である。 The schematic diagrams of FIGS. 13 and 14 show the support structure of the third embodiment. FIG. 13 is a perspective view, and FIG. 14 is a cross-sectional view. The schematic diagram of FIG. 15 is a perspective view of the analysis chip of the third embodiment. The schematic diagram of FIG. 16 is a perspective view of the support body of 3rd Embodiment.
図13及び図14に示すように、第3実施形態の支持構造3100は、分析チップ3002、支持体3004及び押圧機構3006を備える。第3実施形態の押圧機構3006は、第1実施形態の押圧機構1006と同じものである。
As shown in FIGS. 13 and 14, the
図15に示すように、第3実施形態の分析チップ3002は、金膜3064、プリズム3066、捕捉体3068及び流路形成体3070を備える。第3実施形態の金膜3064、プリズム3066及び捕捉体3068は、それぞれ、第1実施形態の金膜1064、プリズム1066及び捕捉体1068と同じものである。第3実施形態の流路形成体3070は、位置決め孔3304及び3306が形成される点で第1実施形態の流路形成体1070と相違する。
As shown in FIG. 15, the
図16に示すように、第3実施形態の支持体3004は、基台3102、支持脚3104a及び3104b並びに位置決めピン3300及び3302を備える。第3実施形態の基台3102並びに支持脚3104a及び3104bは、それぞれ、第1実施形態の基台1102並びに支持脚1104a及び1104bと同じものである。第3実施形態の支持体3004は、位置決めピン3300及び3302がさらに設けられる点で第1実施形態の支持体1004と相違する。
As shown in FIG. 16, the
支持脚3104aの先端にある上面3250aの一部及び支持脚3104bの先端にある上面3250bの一部は、それぞれ、支持領域3200a及び3200bになる。支持体3004が分析チップ3002を支持する場合には、支持領域3200a及び3200bは、それぞれ、被支持領域3110a及び3110bに接触する。
A part of the
支持体3004は、分析チップ3002を支持する場合にプリズム3066に接触しない形状を有する。これにより、プリズム3066に応力が加わりにくくなり、プリズム3066に複屈折が生じにくくなり、計測の感度及び精度が向上する。また、支持体3004は、分析チップ3002を支持する場合に励起光EL及び反射光RLを遮らない形状を有する。
The
位置決めピン3300及び3302は、支持領域3200aから突出し、支持領域3200aに垂直に延在する。支持体3004が分析チップ3002を支持する場合に、位置決めピン3300及び3302はそれぞれ位置決め孔3304及び3306に挿入される。位置決めピン3300及び3302により、接合領域3108に平行な方向への流路形成体3070の移動が規制され、流路形成体3070の位置が決められ、プリズム3066が適切な位置に配置される。位置決めピン3300及び3302が他の種類の位置決め構造に置きかえられてもよい。
The positioning pins 3300 and 3302 protrude from the
{第4実施形態}
第4実施形態は、第1実施形態の支持構造に代えて採用される支持構造に関する。{Fourth embodiment}
The fourth embodiment relates to a support structure that is employed instead of the support structure of the first embodiment.
図17及び図18の模式図は、第4実施形態の支持構造を示す。図17は斜視図であり、図18は断面図である。図19の模式図は、第4実施形態の分析チップの斜視図である。図20の模式図は、第4実施形態の支持体の斜視図である。 The schematic diagrams of FIGS. 17 and 18 show the support structure of the fourth embodiment. 17 is a perspective view, and FIG. 18 is a cross-sectional view. The schematic diagram of FIG. 19 is a perspective view of the analysis chip of the fourth embodiment. The schematic diagram of FIG. 20 is a perspective view of the support body of 4th Embodiment.
図17及び図18に示すように、第4実施形態の支持構造4100は、分析チップ4002、支持体4004及び押圧機構4006を備える。第4実施形態の押圧機構4006は、第1実施形態の押圧機構1006と同じものである。
As shown in FIGS. 17 and 18, the
図19に示すように、第4実施形態の分析チップ4002は、金膜4064、プリズム4066、捕捉体4068及び流路形成体4070を備える。第4実施形態の金膜4064、プリズム4066及び捕捉体4068は、それぞれ、第1実施形態の金膜1064、プリズム1066及び捕捉体1068と同じものである。第4実施形態の流路形成体4070は、被支持領域4110a、4110b、4110c及び4110dが設定される場所が変更され、位置決め孔4304及び4306が形成される点で第1実施形態の流路形成体1070と相違する。
As shown in FIG. 19, the
図20に示すように、支持体4004は、基台4102、支持脚4104a、4104b、4104c及び4104d並びに位置決めピン4300及び4302を備える。第4実施形態の基台4102は、第1実施形態の基台1102と同じものである。第4実施形態の支持体4004は、支持脚1104a及び1104bに代えて支持脚4104a、4104b、4104c及び4104dが設けられ、位置決めピン4300及び4302がさらに設けられる点で第1実施形態の支持体1004と相違する。
As shown in FIG. 20, the
支持体4004は、棒形状を有する支持脚4104a、4104b、4104c及び4104dが基台4102から分岐する四又分岐体である。支持脚4104a、4104b、4104c及び4104dは、基台4102から鉛直方向の上方へ延在する。支持脚4104aの先端にある上面4250aの一部、支持脚4104bの先端にある上面4250bの一部、支持脚4104cの先端にある上面4250cの一部及び支持脚4104dの先端にある上面4250dの一部は、それぞれ、支持領域4200a、4200b、4200c及び4200dになる。支持体4004が分析チップ4002を支持する場合には、支持領域4200a、4200b、4200c及び4200dは、それぞれ、被支持領域4110a、4110b、4110c及び4110dに接触する。
The
支持体4004は、分析チップ4002を支持する場合にプリズム4066に接触しない形状を有する。これにより、プリズム4066に応力が加わりにくくなり、プリズム4066に複屈折が生じにくくなり、計測の感度及び精度が向上する。また、支持体4004は、分析チップ4002を支持する場合に励起光EL及び反射光RLを遮らない形状を有する。
The
位置決めピン4300及び4302は、それぞれ、支持領域4200a及び4200bから突出し、支持領域4200a及び4200bに垂直に延在する。支持体4102が分析チップ4002を支持する場合に、位置決めピン4300及び4302はそれぞれ位置決め孔4304及び4306に挿入される。これにより、流路形成体4070の位置が決められ、プリズム4066が適切な位置に配置される。
The positioning pins 4300 and 4302 protrude from the
{第5実施形態}
第5実施形態は、第1実施形態の支持構造に代えて採用される支持構造に関する。{Fifth embodiment}
The fifth embodiment relates to a support structure that is employed instead of the support structure of the first embodiment.
図21及び図22の模式図は、第5実施形態の支持構造を示す。図21は斜視図であり、図22は断面図である。図23の模式図は、第5実施形態の分析チップの斜視図である。図24の模式図は、第5実施形態の支持体の斜視図である。 The schematic diagram of FIG.21 and FIG.22 shows the support structure of 5th Embodiment. FIG. 21 is a perspective view, and FIG. 22 is a cross-sectional view. The schematic diagram of FIG. 23 is a perspective view of the analysis chip of the fifth embodiment. The schematic diagram of FIG. 24 is a perspective view of the support body of 5th Embodiment.
図21及び図22に示すように、第5実施形態の支持構造5100は、分析チップ5002、支持体5004及び押圧機構5006を備える。第3実施形態の分析チップ5002及び押圧機構5006は、第1実施形態の分析チップ1002及び押圧機構1006と同じものである。
As shown in FIGS. 21 and 22, the
図23に示すように、第5実施形態の分析チップ5002は、金膜5064、プリズム5066、捕捉体5068及び流路形成体5070を備える。第5実施形態の金膜5064、プリズム5066、捕捉体5068及び流路形成体5070は、それぞれ、第1実施形態の金膜1064、プリズム1066、捕捉体1068及び流路形成体1070と同じものである。第5実施形態の分析チップ5002には、被規制領域5306及び5308が表面5101に設定される点で第1実施形態の分析チップ1002と相違する。
As shown in FIG. 23, the
図24に示すように、第5実施形態の支持体5004は、基台5102並びに支持脚5104a及び5104bを備える。第5実施形態の基台5102は、第1実施形態の基台1102と同じものである。第5実施形態の支持体5004は、位置決め溝5300及び5302が形成される点で第1実施形態の支持体1004と相違する。
As shown in FIG. 24, the
支持体5004は、板形状を有する支持脚5104a及び5104bが基台5102から分岐する二又分岐体である。支持脚5104aの先端にある上面5250a及び5104bの支持脚先端にある上面5250bには、それぞれ、位置決め溝5300及び5302が形成される。支持体5004が分析チップ5002を支持する場合には、流路形成体5070が位置決め溝5300及び5302に収容される。
The
位置決め溝5300の底面の全体及び位置決め溝5302の底面の全体は、それぞれ、支持領域5200a及び5200bになる。支持体5004が分析チップ5002を支持する場合には、支持領域5200a及び5200bは、それぞれ、被支持領域5110a及び5110bに接触する。
The entire bottom surface of the
支持体5004は、分析チップ5002を支持する場合にプリズム5066に接触しない形状を有する。これにより、プリズム5066に応力が加わりにくくなり、プリズム5066に複屈折が生じにくくなり、計測の感度及び精度が向上する。また、支持体5004は、分析チップ5002を支持する場合に励起光EL及び反射光RLを遮らない形状を有する。
The
位置決め溝5300の側面の全体及び位置決め溝5302の側面の全体は、それぞれ、規制領域5304及び5306になる。支持体5004が分析チップ5002を支持する場合には、規制領域5304及び5306は、それぞれ、被規制領域5306及び5308に接触する。位置決め溝5300及び5302により、接合領域5108に平行な方向への流路形成体5070の移動が規制され、流路形成体5070の位置が決められ、プリズム5066が適切な位置に配置される。位置決め溝5300及び5302は、支持脚5104a及び5104bに垂直な方向及び平行な方向の両方への流路形成体5070の移動が規制するが、支持脚5104a及び5104bに垂直な方向及び平行な方向の片方のみへの流路形成体5070の移動を規制することも許される。
The entire side surface of the
{第6実施形態}
第6実施形態は、第1実施形態の支持構造に代えて採用される支持構造に関する。{Sixth embodiment}
The sixth embodiment relates to a support structure that is employed instead of the support structure of the first embodiment.
図25及び図26の模式図は、第6実施形態の支持構造を示す。図25は斜視図であり、図26は断面図である。図27の模式図は、第6実施形態の分析チップの斜視図である。図28の模式図は、第6実施形態の支持体の斜視図である。 The schematic views of FIGS. 25 and 26 show the support structure of the sixth embodiment. 25 is a perspective view, and FIG. 26 is a cross-sectional view. The schematic diagram of FIG. 27 is a perspective view of the analysis chip of the sixth embodiment. The schematic diagram of FIG. 28 is a perspective view of the support body of 6th Embodiment.
図25及び図26に示すように、第6実施形態の支持構造6100は、分析チップ6002、支持体6004及び押圧機構6006を備える。第6実施形態の押圧機構6006は、第1実施形態の押圧機構1006と同じものである。
As shown in FIGS. 25 and 26, the
図27に示すように、第6実施形態の分析チップ6002は、金膜6064、プリズム6066、捕捉体6068及び流路形成体6070を備える。第6実施形態の金膜6064、プリズム6066及び捕捉体6068は、それぞれ、第1実施形態の金膜1064、プリズム1066及び捕捉体1068と同じものである。第6実施形態の流路形成体6070は、外形形状が直方体から等脚台形柱体へ変更され、被支持領域6110a及び6110bが設定される場所が下面から傾斜側面6104a及び6104bへ変更される点で第1実施形態の流路形成体1070と相違する。
As shown in FIG. 27, the
図28に示すように、第6実施形態の支持体6004は、基台6102並びに支持脚6104a及び6104bを備える。第6実施形態の基台6102は、第1実施形態の基台1102と同じものである。第6実施形態の支持脚6104a及び6104bは、外形形状がそれぞれ傾斜側面6250a及び6250bを有するように変更され、支持領域6200a及び6200bが設定される場所がそれぞれ上面から傾斜側面6250a及び6250bへ変更される点で第1実施形態の支持脚1004a及び1004bと相違する。
As shown in FIG. 28, the
支持体6004は、板形状を有する支持脚6104a及び6104bが基台6102から分岐する二又分岐体である。支持脚6104aの傾斜側面6250aの一部及び支持脚6104bの傾斜側面6250bの一部は、それぞれ支持領域6200a及び6200bになる。支持領域6200aが傾斜側面6250aの全体を占めてもよく、支持領域6200bが傾斜側面6250bの全体を占めてもよい。支持体6004が分析チップ6002を支持する場合には、支持領域6200a及び6200bは、それぞれ、被支持領域6110a及び6110bに接触する。
The
流路形成体6070の表面6101は、平坦な傾斜側面6104a及び6104b並びに下面6106を有する。傾斜側面6104a及び6104bは、下面6106に垂直な方向から傾斜する。一方の傾斜側面6104aと他方の傾斜側面6104bとの間隔は、下面6106に近づくにつれて狭くなる。被支持領域6110a及び6110bは、それぞれ、傾斜側面6104a及び6104bの一部を占める。被支持領域6110a及び6110bが、それぞれ、傾斜側面6104a及び6104bの全体を占めてもよい。
The
支持体6004は、分析チップ6002を支持する場合にプリズム6066に接触しない形状を有する。これにより、プリズム6066に応力が加わりにくくなり、プリズム6066に複屈折が生じにくくなり、計測の感度及び精度が向上する。また、支持体6004は、分析チップ6002を支持する場合に励起光EL及び反射光RLを遮らない形状を有する。
The
第6実施形態の支持構造6100によれば、接合領域に平行な方向への流路形成体6070の移動が規制され、流路形成体6070の位置が決められ、プリズム6066が適切な位置に配置される。これは、傾斜側面6104a及び6104bに被支持領域6110a及び6110bが設定されたことによる。
According to the
{第7実施形態}
第7実施形態は、第1実施形態の支持構造に代えて採用される支持構造に関する。{Seventh embodiment}
The seventh embodiment relates to a support structure that is employed instead of the support structure of the first embodiment.
図29及び図30の模式図は、第7実施形態の支持構造を示す。図29は斜視図であり、図30は断面図である。図31の模式図は、第7実施形態の分析チップの斜視図である。図32の模式図は、第7実施形態の支持体の斜視図である。 The schematic diagrams of FIGS. 29 and 30 show the support structure of the seventh embodiment. 29 is a perspective view, and FIG. 30 is a cross-sectional view. The schematic diagram of FIG. 31 is a perspective view of the analysis chip of 7th Embodiment. The schematic diagram of FIG. 32 is a perspective view of the support body of 7th Embodiment.
図29及び図30に示すように、第7実施形態の支持構造7100は、分析チップ7002、支持体7004及び押圧機構7006を備える。第7実施形態の押圧機構7006は、第1実施形態の押圧機構1006と同じものである。
As shown in FIGS. 29 and 30, the
図31に示すように、第7実施形態の分析チップ7002は、金膜7064、プリズム7066、捕捉体7068及び流路形成体7070を備える。第7実施形態の金膜7064、プリズム7066及び捕捉体7068は、それぞれ、第1実施形態の金膜1064、プリズム1066及び捕捉体1068と同じものである。第7実施形態の流路形成体7070は、外形形状が直方体から等脚台形柱体へ変更され、被支持領域7110a、7110b、7110c及び7110dが設定される場所が下面から傾斜側面7104a及び7104bへ変更される点で第1実施形態の流路形成体1070と相違する。
As shown in FIG. 31, the
図32に示すように、第7実施形態の支持体7004は、基台7102並びに支持脚7104a、7104b、7104c及び7104bを備える。第7実施形態の基台7102は、第1実施形態の基台1102と同じものである。第7実施形態の支持体7002は、支持脚1104a及び1104bが傾斜側面7250a、7250b、7250c及び7250dを有する支持脚7104a、7104b、7104c及び7104dへ変更され、支持領域7200a、7200b、7200c及び7200dが設定される場所が上面から傾斜側面7250a、7250b、7250c及び7250dへ変更される点で第1実施形態の流路形成体1070と相違する。
As shown in FIG. 32, the
支持体7004は、棒形状を有する支持脚7104a、7104b、7104c及び7104dが基台7102から分岐する四又分岐体である。支持脚7104aの傾斜側面7250aの一部、支持脚7104bの傾斜側面7250bの一部、支持脚7104cの傾斜側面7250cの一部及び支持脚7104dの傾斜側面7250dの一部は、それぞれ、支持領域7200a、7200b、7200c及び7200dになる。支持領域7200a、7200b、7200c及び7200dが、それぞれ、傾斜側面7250a、7250b、7250c及び7250dの全体を占めてもよい。支持体7004が分析チップ7002を支持する場合には、支持領域7200a、7200b、7200c及び7200dは、それぞれ、被支持領域7110a、7110b、7110c及び7110dに接触する。
The
流路形成体7070の表面7101は、平坦な傾斜側面7104a及び7104b並びに下面7106を有する。傾斜側面7104a及び7104bは、下面7106に垂直な方向から傾斜する。一方の傾斜側面7104aと他方の傾斜側面7104bとの間隔は、下面7106に近づくにつれて狭くなる。被支持領域7110a及び7110bは傾斜側面7104aの一部を占め、被支持領域7110c及び7110dは傾斜側面7104bの一部を占める。
The
支持体7004は、分析チップ7002を支持する場合にプリズム7066に接触しない形状を有する。これにより、プリズム7066に応力が加わりにくくなり、プリズム7066に複屈折が生じにくくなり、計測の感度及び精度が向上する。また、支持体7004は、分析チップ7002を支持する場合に励起光EL及び反射光RLを遮らない形状を有する。
The
第7実施形態の支持構造7100によれば、接合領域に平行な方向への流路形成体7070の移動が規制され、流路形成体7070の位置が決められ、プリズム7066が適切な位置に配置される。これは、傾斜側面7104a及び7104bに被支持領域7110a、7110b、7110c及び7110dが設定されたことによる。
According to the
この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において例示であり、この発明は上記の説明に限定されない。例示されない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定されうる。 Although the present invention has been described in detail, the above description is illustrative in all aspects, and the present invention is not limited to the above description. Innumerable modifications not illustrated can be envisaged without departing from the scope of the present invention.
1000 計測装置
1004,2004,3004,4004,5004,6004,7004 支持体
1066,2066,3066,4066,5066,6066,7066 プリズム
1064,2064,3064,4064,5064,6064,7064 金膜
1070,2070,3070,4070,5070,6070,7070 流路形成体1000
Claims (7)
第1の表面を有し、前記第1の表面が接合領域及び被支持領域を有し、試料収容空間が形成され、前記試料収容空間が前記接合領域に開口を有する構造物と、
第2の表面を有し、前記第2の表面が入射領域、反射領域及び出射領域を有し、前記入射領域へ入射した励起光が前記反射領域に全反射され前記出射領域から出射するように前記入射領域、前記反射領域及び前記出射領域が配置される誘電体媒体と、
第1の主面及び第2の主面を有し、前記第1の主面が前記接合領域に接合され、前記第2の主面が前記反射領域に密着する導電体膜と、
前記被支持領域に接触する支持領域を有し、前記支持領域が前記被支持領域に接触する場合に前記誘電体媒体から離れる形状を有する支持体と、
を備える支持構造。A support structure in a measurement device that performs measurement by surface plasmon excitation fluorescence spectroscopy,
A structure having a first surface, wherein the first surface has a bonding region and a supported region, a sample storage space is formed, and the sample storage space has an opening in the bonding region;
The second surface has an incident area, a reflection area, and an emission area, and the excitation light incident on the incident area is totally reflected by the reflection area and emitted from the emission area. A dielectric medium in which the incident region, the reflective region, and the emitting region are disposed;
A conductor film having a first main surface and a second main surface, wherein the first main surface is bonded to the bonding region, and the second main surface is in close contact with the reflection region;
A support body that contacts the supported area, and a support body that has a shape that separates from the dielectric medium when the support area contacts the supported area; and
A support structure comprising:
前記第1の表面が平坦面を有し、前記被支持領域及び前記接合領域が前記平坦面に設けられる
支持構造。The support structure of claim 1,
A support structure in which the first surface has a flat surface, and the supported region and the bonding region are provided on the flat surface.
前記支持体が前記接合領域に平行な方向への前記構造物の移動を規制する位置決め構造を有する
支持構造。The support structure of claim 2,
A support structure having a positioning structure in which the support body restricts movement of the structure in a direction parallel to the joining region.
前記位置決め構造は、
前記支持領域から突出し前記支持領域に垂直に延在する位置決めピン
を備え、
前記支持領域が前記被支持領域に接触する場合に前記位置決めピンが挿入される位置決め孔が前記構造物に形成される
支持構造。The support structure according to claim 3, wherein
The positioning structure is
A positioning pin protruding from the support region and extending perpendicular to the support region;
A support structure in which a positioning hole into which the positioning pin is inserted is formed in the structure when the support region is in contact with the supported region.
前記位置決め構造が前記構造物を収容する位置決め溝である
支持構造。The support structure according to claim 3, wherein
A support structure in which the positioning structure is a positioning groove for accommodating the structure.
前記第1の表面が第1の平坦面、第2の平坦面及び第3の平坦面を有し、
前記第2の平坦面及び前記第3の平坦面が前記第1の平坦面に垂直な方向から傾斜し、前記第2の平坦面と前記第3の平坦面との間隔が前記第1の平坦面へ近づくにつれて狭くなり、
前記被支持領域が第1の被支持領域であり、前記第1の表面が第2の被支持領域を有し、
前記接合領域が前記第1の平坦面にあり、
前記第1の被支持領域が前記第2の平坦面にあり、
前記第2の被支持領域が前記第3の平坦面にあり、
前記支持領域が第1の支持領域であり、前記支持体が前記第2の被支持領域に接触する第2の支持領域を有する
支持構造。The support structure of claim 1,
The first surface has a first flat surface, a second flat surface, and a third flat surface;
The second flat surface and the third flat surface are inclined from a direction perpendicular to the first flat surface, and a distance between the second flat surface and the third flat surface is the first flat surface. It gets narrower as you get closer to the surface,
The supported region is a first supported region, the first surface has a second supported region;
The joining region is on the first flat surface;
The first supported region is on the second flat surface;
The second supported region is on the third flat surface;
A support structure having a second support region in which the support region is a first support region and the support is in contact with the second supported region.
第1の表面を有し、前記第1の表面が接合領域及び被支持領域を有し、試料収容空間が形成され、前記試料収容空間が前記接合領域に開口を有する構造物と、
第2の表面を有し、前記第2の表面が入射領域、反射領域及び出射領域を有し、前記入射領域へ入射した励起光が前記反射領域に全反射され前記出射領域から出射するように前記入射領域、前記反射領域及び前記出射領域が配置される誘電体媒体と、
第1の主面及び第2の主面を有し、前記第1の主面が前記接合領域に接合され、前記第2の主面が前記反射領域に密着する導電体膜と、
前記被支持領域に接触する支持領域を有し、前記支持領域が前記被支持領域に接触する場合に前記誘電体媒体から離れる形状を有する支持体と、
前記入射面へ励起光を入射させ、表面プラズモン励起蛍光分光法による測定を行う測定機構と、
を備える計測装置。A measurement device that performs measurement by surface plasmon excitation fluorescence spectroscopy,
A structure having a first surface, wherein the first surface has a bonding region and a supported region, a sample storage space is formed, and the sample storage space has an opening in the bonding region;
The second surface has an incident area, a reflection area, and an emission area, and the excitation light incident on the incident area is totally reflected by the reflection area and emitted from the emission area. A dielectric medium in which the incident region, the reflective region, and the emitting region are disposed;
A conductor film having a first main surface and a second main surface, wherein the first main surface is bonded to the bonding region, and the second main surface is in close contact with the reflection region;
A support body that contacts the supported area, and a support body that has a shape that separates from the dielectric medium when the support area contacts the supported area; and
A measurement mechanism for making excitation light incident on the incident surface and performing measurement by surface plasmon excitation fluorescence spectroscopy;
A measuring device comprising:
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