JP5844520B2 - 加水分解性含ケイ素化合物の製造方法 - Google Patents
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Description
(A)一般式:
R1−O−R2
(式中、
R1は炭素数4〜30の、置換又は非置換の、第3級アルキル基又はアラルキル基を表し、
R2は炭素数1〜30の、置換若しくは非置換の、一価炭化水素基又はアシル基を表す)
で表される化合物、及び、
(B)一般式:
R3 mSiX4−m
(式中、
R3は、独立して、水素原子、又は、炭素数1〜30の、置換若しくは非置換の、一価炭化水素基を表し、
Xは、独立して、臭素又は塩素であり、
mは0〜3の整数を表す)で表されるハロシラン
をルイス酸触媒存在下で反応させる、加水分解性含ケイ素化合物の製造方法によって達成される。
(A)一般式:
R1−O−R2
(式中、
R1は炭素数4〜30の、置換又は非置換の、第3級アルキル基又はアラルキル基を表し、
R2は炭素数1〜30の、置換若しくは非置換の、一価炭化水素基又はアシル基を表す)
で表される化合物、及び、
(B)一般式:
R3 mSiX4−m
(式中、
R3は、独立して、水素原子、又は、炭素数1〜30の、置換若しくは非置換の、一価炭化水素基を表し、
Xは、独立して、臭素又は塩素であり、
mは0〜3の整数を表す)で表されるハロシラン
をルイス酸触媒存在下で反応させて、加水分解性含ケイ素化合物を調製する。
R3 mSiX4−m
(式中、
R3は、独立して、水素原子、又は、炭素数1〜30の、置換若しくは非置換の、一価炭化水素基を表し、
Xは、独立して、臭素又は塩素であり、
mは0〜3の整数を表す)で表されるハロシランである。ここで、上記一価炭化水素基とは既述のとおりであるが、ハロシランに含まれる一価炭化水素基の炭素原子に結合した水素原子は、少なくとも部分的に、フッ素等のハロゲン原子、又は、アシル基、カルボキシル基、アミノ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、ポリスルフィド基、メルカプト基、イソシアネート基等を含む有機基で置換されてもよい。
容量30mlの2方コック付きの丸底フラスコ(シュレンク管)の内部に磁気攪拌子を設置し、0.16g(0.5mmol)の塩化ビスマス(BiCl3)を仕込み、セプタムでフラスコを密栓後、窒素置換を行った。次いで、シリンジにより、2.91g(33mmol)のメチルtert−ブチルエーテルをフラスコ内に仕込み、氷浴(0℃)につけた。氷浴(0℃)下、2.11g(10mmol)のフェニルトリクロロシランを、フラスコ内にシリンジでゆっくり滴下することにより仕込み、滴下完了後に系を室温(25℃)に戻して、マグネティックスターラーを用いて溶液を攪拌しながら一晩(15時間)反応させた。反応完結後の溶液を、29Si-NMR、13C-NMR、1H-NMRで測定し、測定結果から生成物を同定し、かつ当該生成物の収量を決定した。結果を表1に示す。なお、反応後の溶液には、少量の触媒由来の黒色沈殿が沈殿していた。
フェニルトリクロロシランに代えて、同モル量(=1.70g)のテトラクロロシランを使用した以外は実施例1と同様にして反応を行った。結果を表1に示す。
フェニルトリクロロトリシランに代えて、同モル量(=1.35g)のヒドロトリクロロシランを使用した以外は実施例1と同様にして反応を行った。結果を表1に示す。
フェニルトリクロロトリシランに代えて、同モル量(=3.04g)のドデシルトリクロロシランを使用した以外は実施例1と同様にして反応を行った。結果を表1に示す。
フェニルトリクロロトリシランに代えて、同モル量(=1.62g)のビニルトリクロロシランを使用した以外は実施例1と同様にして反応を行った。結果を表1に示す。
メチルtert−ブチルエーテルに代えて、同モル量(=3.37g)のエチルtert−ブチルエーテルを使用した以外は実施例1と同様にして反応を行った。結果を表1に示す。
テトラクロロシラン1モルに対してメチルtert−ブチルエーテル3モルの割合で両者を使用する以外は実施例2と同様にして反応を行った。すなわち、メチルtert−ブチルエーテルの使用量を2.64g(30mmol)とした以外は、実施例2と同様にして反応を行なった。結果を表1に示す。
フェニルトリクロロトリシランに代えてジメチルジクロロシランを使用し、且つ、ジメチルジクロロシラン:メチルtert−ブチルエーテルのモル比を1:2.6とした以外は実施例1と同様にして反応を行った。すなわち、メチルtert−ブチルエーテルの使用量を2.29g(26mmol)とし、フェニルトリクロロトリシランに代えて1.29g(10mmol)のジメチルジクロロシランを使用した以外は実施例1と同様にして反応を行った。結果を表1に示す。
フェニルトリクロロトリシランに代えてシクロヘキシルメチルジクロロシランを使用し、シクロヘキシルメチルジクロロシラン:メチルtert−ブチルエーテルのモル比を1:2.6とし、且つ、シクロヘキシルメチルジクロロシラン:塩化ビスマスのモル比を1:0.01とした以外は実施例1と同様にして反応を行った。すなわち、容量30mlの2方コック付きの丸底フラスコの内部に磁気攪拌子を設置し、0.03g(0.1mmol)の塩化ビスマス(BiCl3)を仕込み、、セプタムでフラスコを密栓後、窒素置換を行った。次いで、2.29g(26mmol)のメチルtert−ブチルエーテル及び1.97g(10mmol)のシクロヘキシルメチルジクロロシランを、実施例1と同様にしてフラスコ内に仕込み、その後は、実施例1と同様にして反応を行なった。結果を表1に示す。
フェニルトリクロロトリシランに代えてトリメチルクロロシランを使用し、トリメチルクロロシラン:メチルtert−ブチルエーテルのモル比を1:1.3とし、且つ、トリメチルクロロシラン:塩化ビスマスのモル比を1:0.01とした以外は実施例1と同様にして反応を行った。すなわち、容量30mlの2方コック付きの丸底フラスコの内部に磁気攪拌子を設置し、0.03g(0.1mmol)の塩化ビスマス(BiCl3)を仕込み、セプタムでフラスコを密栓後、窒素置換を行った。次いで、1.15g(13mmol)のメチルtert−ブチルエーテル及び1.09g(10mmol)のトリメチルクロロシランを、実施例1と同様にしてフラスコ内に仕込み、その後は、実施例1と同様にして反応を行なった。結果を表1に示す。
メチルtert−ブチルエーテルに代えて、同モル量(=3.83g)の酢酸tert−ブチルを使用する以外は実施例5と同様にして反応を行った。結果を表1に示す。なお、NMRチャートからは塩化アセチルの副生は確認できず、得られたビニルトリアセトキシシランは高純度であった。
メチルtert−ブチルエーテルに代えて、同モル量(=1.51g)の酢酸tert−ブチルを使用する以外は実施例10と同様にして反応を行った。結果を表1に示す。なお、NMRチャートからは塩化アセチルの副生は確認できず、得られたトリメチルアセトキシシランは高純度であった。
フェニルトリクロロトリシランに代えて、同モル量(=2.12g)のクロロプロピルトリクロロシラン使用する以外は実施例1と同様にして反応を行った。結果を表1に示す。
容量30mlの2方コック付きの丸底フラスコの内部に磁気攪拌子を設置し、セプタムでフラスコを密栓後、窒素置換を行った。次いで、0.70g(22mmol)のメタノール及び1.97g(10mmol)のシクロヘキシルメチルジクロロシランを、実施例1と同様にしてフラスコ内に仕込み、その後は、実施例1と同様にして反応を行なったところ、比較例1の反応溶液は、他の実施例に比べて粘性の高い液体となった。結果を表1に示す。
塩化ビスマス(BiCl3)を用いず、反応時間を15時間から3日間に延長したほかは、実施例2と同様にして、反応を行った。結果を表1に示す。ルイス酸触媒の存在しない条件下では、反応時間を3日間に延長しても、テトラクロロシランとメチルtert−ブチルエーテルの反応により、加水分解性ケイ素化合物が生成せず、反応前後の溶液でNMRチャートに変化が見られなかった。
Me:メチル基
Ph:フェニル基
cyc-Hex:シクロヘキシル基
tert-Bu:第3級ブチル基
Ac:アセチル基
**)反応時間は3日間であったが、反応の進行はNMR上認められなかった。。
容量50mlの2方コック付きの丸底フラスコ(シュレンク管)の内部に磁気攪拌子を設置し、16mg(0.1mmol)の塩化鉄(III)(FeCl3)を仕込み、セプタムでフラスコを密栓後、窒素置換を行った。次いで、2.90g(33mmol)のメチルtert−ブチルエーテル及び2.11g(10mmol)のフェニルトリクロロシランを、実施例1と同様にしてフラスコ内に仕込み、系を室温(25℃)に戻して、マグネティックスターラーを用いて溶液を攪拌しながら一晩(15時間)反応させた。
塩化鉄(III)の代わりに、同モル量(=13mg)の塩化アルミニウム(AlCl3)を使用した以外、実施例14と同様にして反応を行なった。結果を表2に示す。
容量100mlの2方コック付きの丸底フラスコ(シュレンク管)の内部に磁気攪拌子を設置し、0.24g(0.75mmol)の塩化ビスマス(BiCl3)を仕込み、セプタムでフラスコを密栓後、窒素置換を行った。次いで、21.9g(248mmol)のメチルtert−ブチルエーテル及び19.62g(75mmol)の3-メタクリロキシプロピルトリクロロシランを、実施例1と同様にしてフラスコ内に仕込み、系を室温(25℃)に戻して、アルミホイルでフラスコ全体を遮光して、マグネティックスターラーを用いて溶液を攪拌しながら3日間(72時間)反応させた。反応後の溶液には塩化ビスマスが沈殿していたため、セライト濾過により塩化ビスマスを除去した後、当該生成物の収量を決定した。結果を表2に示す。
容量30mlの2方コック付きの丸底フラスコ(シュレンク管)の内部に磁気攪拌子を設置し、32mg(0.10mmol)の塩化ビスマス(BiCl3)を仕込み、セプタムでフラスコを密栓後、窒素置換を行った。次いで、4.03g(33mmol)のメチルベンジルエーテル及び2.11g(10mmol)のフェニルトリクロロシランを、実施例1と同様にしてフラスコ内に仕込み、系を80℃に加熱してマグネティックスターラーを用いて溶液を攪拌しながら一晩(15時間)反応させ、当該生成物の収量を決定した。結果を表2に示す。なお、反応後の溶液は黒く変色し、塩化ビスマスが沈殿していた。
攪拌器を備えた容量30mlの2方コック付きの丸底フラスコ(シュレンク管)に、32mg(0.10mmol)の塩化ビスマス(BiCl3)を仕込み、セプタムでフラスコを密栓後、窒素置換を行った。次いで、6.08g(33mmol)のフェニルベンジルエーテル及び1.50g(10mmol)のメチルトリクロロシランを、実施例1と同様にしてフラスコ内に仕込み、系を60℃に加熱して一晩(15時間)反応させ、当該生成物の収量を決定した。結果を表2に示す。なお、反応後の溶液には、塩化ビスマスが沈殿していた。
攪拌器を備えた容量30mlの2方コック付きの丸底フラスコ(シュレンク管)に、32mg(0.10mmol)の塩化ビスマス(BiCl3)を仕込み、窒素置換後にセプタムでフラスコを密栓した。次いで、6.54g(33mmol)のメチル(ジフェニルメチル)エーテル(化学式:CH3-O-CH(C6H5)2)及び1.50g(10mmol)のメチルトリクロロシランを、実施例1と同様にしてフラスコ内に仕込み、系を室温(25℃)に戻して一晩(15時間)反応させ、当該生成物の収量を決定した。結果を表2に示す。なお、反応後の溶液には、塩化ビスマスが沈殿していた。
Me:メチル基
Ph:フェニル基
tert-Bu:第3級ブチル基
Methacryloxypropyl:3−メタクリロキシプロピル基(CH2=C(CH3)COOC3H6- )
**)反応時間は3日間とした。
官能基の略号は以下の通りである。
Me:メチル基
Ph:フェニル基
cyc-Hex:シクロヘキシル基
Ac:アセチル基
Methacryloxypropyl:3−メタクリロキシプロピル基(CH2=C(CH3)COOC3H6-)
図1:σ=128.0-135.0ppm付近にPhSi(OMe)3のフェニル基に帰属されるシグナル、及び、σ=50.5ppm付近にPhSi(OMe)3のメトキシ基に帰属されるシグナルが存在する。
図2:σ=50.3ppm付近にcyc-HexMeSi(OMe)2のメトキシ基に帰属されるシグナル、及び、σ=24-27.96ppm付近にcyc-HexMeSi(OMe)2のシクロヘキシル基に帰属されるシグナルが存在する。
図3:図2とシグナル形が全く異なり、各シグナルを帰属できない。
図4:上段(実施例9)では、σ=-3.57ppm付近にcyc-HexMeSi(OMe)2の29Siに帰属されるシグナル、及び、下段(比較例1)では、σ=32.6ppm付近に原料のcyc-HexMeSiCl2の29Siに帰属されるシグナルが存在する。
図5:σ=140.5, 125.5, 22.5 ppm付近にCH2=CHSi(OAc)3に帰属されるシグナルが存在する一方、塩化アセチルに帰属される33.68ppm付近のシグナルは観測されなかった。
図6:図1とシグナル形はほぼ一致し、生成物は同一である。σ=128.0-134.9ppm付近にPhSi(OMe)3のフェニル基に帰属されるシグナル、及び、σ=50.8ppm付近にPhSi(OMe)3のメトキシ基に帰属されるシグナルが存在する。
図7:未反応原料のシグナルが見られるが、図1及び図6とシグナルが一致し、同一の生成物が確認できる。σ=128.0-134.9ppm付近にPhSi(OMe)3のフェニル基に帰属されるシグナル、及び、σ=50.8 ppm付近にPhSi(OMe)3のメトキシ基に帰属されるシグナルが存在する。
図8:σ=167.4, 136.6, 125.2, 66.6, 50.5, 22.2, 18.3, 5.8ppm付近にMethacryloxypropyl Si(OMe)3に帰属されるシグナルが存在する。
図9:原料以外のシグナルについては、図1とシグナル形はほぼ一致し、生成物は同一である。σ=127.6-134.8ppm付近にPhSi(OMe)3のフェニル基に帰属されるシグナル、及び、σ=50.7ppm付近にPhSi(OMe)3のメトキシ基に帰属されるシグナルが存在する。
Claims (6)
- (A)一般式:
R1−O−R2
(式中、
R1は炭素数4〜30の、置換又は非置換の、第3級アルキル基又はアラルキル基を表し、
R2は炭素数1〜30の、置換若しくは非置換の、一価炭化水素基又はアシル基を表す)
で表される化合物、及び、
(B)一般式:
R3 mSiX4−m
(式中、
R3は、独立して、水素原子、又は、炭素数1〜30の、置換若しくは非置換の、一価炭化水素基を表し、
Xは、独立して、臭素又は塩素であり、
mは0〜3の整数を表す)で表されるハロシラン
を塩化ビスマス及び塩化鉄(III)からなる群から選択される1種以上のルイス酸触媒存在下で反応させる、ハロゲン化水素又はハロゲン化アシルを実質的に含まない、アルコキシシラン、フェノキシシラン又はアセトキシシランである加水分解性含ケイ素化合物の製造方法。 - 前期(B)ハロシランがクロロシランである、請求項1記載の製造方法。
- 前記(A)化合物がエーテルである、請求項1又は2記載の製造方法。
- 前記エーテルがメチルtert−ブチルエーテル、エチルtert−ブチルエーテル、メチル−ジフェニルメチルエーテル及びメチルトリフェニルメチルエーテルから選ばれる1種類以上のエーテルである、請求項3記載の製造方法。
- 前記(A)化合物がエステルである、請求項1又は2記載の製造方法。
- 前記エステルが酢酸tert−ブチル又は酢酸ジフェニルメチルである、請求項5記載の製造方法。
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