JP5847566B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents

Description

この発明は、基板上に薄膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置に関するものである。

半導体装置（デバイス）の製造工程の中に、シリコンウエハ等のウエハ上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜、以下、単にＳｉＯ膜ともいう）やシリコン窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４膜、以下、単にＳｉＮ膜ともいう）などのシリコン絶縁膜を形成する工程がある。シリコン酸化膜は、絶縁性、低誘電性などに優れ、絶縁膜や層間膜として広く用いられている。また、シリコン窒化膜は、絶縁性、耐食性、誘電性、膜ストレス制御性などに優れ、絶縁膜やマスク膜、電荷蓄積膜、ストレス制御膜として広く用いられている。また、これらの絶縁膜にカーボン（Ｃ）を添加する技術も知られており（例えば特許文献１参照）、これにより、絶縁膜のエッチング耐性を向上させることが可能となる。

特開２００５−２６８６９９号公報

しかしながら、絶縁膜へのカーボン添加により、絶縁膜のエッチング耐性を向上させることが可能となる一方、誘電率が増加し、リーク耐性が劣化してしまう。すなわち、それぞれの絶縁膜には一長一短があり、従来、低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える膜はなかった。

従って本発明の目的は、低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供することにある。

本発明の一態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の他の態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層さ
れてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する基板処理方法が提供される。

本発明の更に他の態様によれば、
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内の基板を加熱するヒータと、
前記処理容器内の基板に対して所定元素含有ガスを供給する所定元素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の基板に対して炭素含有ガスを供給する炭素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の基板に対して窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の基板に対して酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の加熱された基板に対して所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する処理と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する処理と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成するように、前記ヒータ、前記所定元素含有ガス供給系、前記炭素含有ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系および前記酸素含有ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。

本発明によれば、低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成することができる。

本実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。 本実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を図１のＡ−Ａ線断面図で示す図である。 本実施形態の第１シーケンスにおける成膜フローを示す図である。 本実施形態の第１シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図である。 本実施形態の第２シーケンスにおける成膜フローを示す図である。 本実施形態の第２シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図である。 本実施形態の第１シーケンスの応用例における成膜フローを示す図である。 本実施形態の第１シーケンスの応用例におけるガス供給のタイミングを示す図である。 本実施形態の第２シーケンスの応用例における成膜フローを示す図である。 本実施形態の第２シーケンスの応用例におけるガス供給のタイミングを示す図である。 本実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図である。

以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉２０２部分を縦断面図で示しており、図２は本実施の形態で好適に用いられる
縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉２０２部分を図１のＡ−Ａ線断面図で示している。

図１に示されているように、処理炉２０２は加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ２０７は、後述するようにガスを熱で活性化させる活性化機構としても機能する。

ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応容器（処理容器）を構成する反応管２０３が配設されている。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ_２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。

処理室２０１内には、第１ノズル２４９ａ、第２ノズル２４９ｂ、第３ノズル２４９ｃ、第４ノズル２４９ｄが反応管２０３の下部を貫通するように設けられている。第１ノズル２４９ａ、第２ノズル２４９ｂ、第３ノズル２４９ｃ、第４ノズル２４９ｄには、第１ガス供給管２３２ａ、第２ガス供給管２３２ｂ、第３ガス供給管２３２ｃ、第４ガス供給管２３２ｄが、それぞれ接続されている。このように、反応管２０３には４本のノズル２４９ａ、２４９ｂ、２４９ｃ、２４９ｄと、４本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂ、２３２ｃ、２３２ｄが設けられており、処理室２０１内へ複数種類、ここでは４種類のガスを供給することができるように構成されている。

なお、反応管２０３の下方に、反応管２０３を支持する金属製のマニホールドを設け、各ノズルを、この金属製のマニホールドの側壁を貫通するように設けるようにしてもよい。この場合、この金属製のマニホールドに、さらに後述する排気管２３１を設けるようにしてもよい。なお、この場合であっても、排気管２３１を金属製のマニホールドではなく、反応管２０３の下部に設けるようにしてもよい。このように、処理炉２０２の炉口部を金属製とし、この金属製の炉口部にノズル等を取り付けるようにしてもよい。

第１ガス供給管２３２ａには上流方向から順に流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ、及び開閉弁であるバルブ２４３ａが設けられている。また、第１ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａよりも下流側には、第１不活性ガス供給管２３２ｅが接続されている。この第１不活性ガス供給管２３２ｅには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｅ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｅが設けられている。また、第１ガス供給管２３２ａの先端部には、上述の第１ノズル２４９ａが接続されている。第１ノズル２４９ａは、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、第１ノズル２４９ａは、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。第１ノズル２４９ａはＬ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部は反応管２０３の下部側壁を貫通するように設けられており、その垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。第１ノズル２４９ａの側面にはガスを供給するガス供給孔２５０ａが設けられている。ガス供給孔２５０ａは反応管２０３の中心を向くように開口している。このガス供給孔２５０ａは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第１ガス供給管２３２ａ、マスフローコントローラ２４１ａ、バルブ２４３ａ、第１ノズル２４９ａにより第１ガス供給系が構成される。また
、主に、第１不活性ガス供給管２３２ｅ、マスフローコントローラ２４１ｅ、バルブ２４３ｅにより、第１不活性ガス供給系が構成される。

第２ガス供給管２３２ｂには上流方向から順に流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｂ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｂが設けられている。また、第２ガス供給管２３２ｂのバルブ２４３ｂよりも下流側には、第２不活性ガス供給管２３２ｆが接続されている。この第２不活性ガス供給管２３２ｆには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｆ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｆが設けられている。また、第２ガス供給管２３２ｂの先端部には、上述の第２ノズル２４９ｂが接続されている。第２ノズル２４９ｂは、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、第２ノズル２４９ｂは、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。第２ノズル２４９ｂはＬ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部は反応管２０３の下部側壁を貫通するように設けられており、その垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。第２ノズル２４９ｂの側面にはガスを供給するガス供給孔２５０ｂが設けられている。ガス供給孔２５０ｂは反応管２０３の中心を向くように開口している。このガス供給孔２５０ｂは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第２ガス供給管２３２ｂ、マスフローコントローラ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、第２ノズル２４９ｂにより第２ガス供給系が構成される。また、主に、第２不活性ガス供給管２３２ｆ、マスフローコントローラ２４１ｆ、バルブ２４３ｆにより第２不活性ガス供給系が構成される。

第３ガス供給管２３２ｃには上流方向から順に流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｃが設けられている。また、第３ガス供給管２３２ｃのバルブ２４３ｃよりも下流側には、第３不活性ガス供給管２３２ｇが接続されている。この第３不活性ガス供給管２３２ｇには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｇ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｇが設けられている。また、第３ガス供給管２３２ｃの先端部には、上述の第３ノズル２４９ｃが接続されている。第３ノズル２４９ｃは、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、第３ノズル２４９ｃは、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。第３ノズル２４９ｃはＬ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部は反応管２０３の下部側壁を貫通するように設けられており、その垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。第３ノズル２４９ｃの側面にはガスを供給するガス供給孔２５０ｃが設けられている。ガス供給孔２５０ｃは反応管２０３の中心を向くように開口している。このガス供給孔２５０ｃは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第３ガス供給管２３２ｃ、マスフローコントローラ２４１ｃ、バルブ２４３ｃ、第３ノズル２４９ｃにより第３ガス供給系が構成される。また、主に、第３不活性ガス供給管２３２ｇ、マスフローコントローラ２４１ｇ、バルブ２４３ｇにより第３不活性ガス供給系が構成される。

第４ガス供給管２３２ｄには上流方向から順に流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｄ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。また、第４ガス供給管２３２ｄのバルブ２４３ｄよりも下流側には、第４不活性ガス
供給管２３２ｈが接続されている。この第４不活性ガス供給管２３２ｈには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｈ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｈが設けられている。また、第４ガス供給管２３２ｄの先端部には上述の第４ノズル２４９ｄが接続されている。第４ノズル２４９ｄは、ガス分散空間であるバッファ室２３７内に設けられている。

バッファ室２３７は反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３内壁の下部より上部にわたる部分に、ウエハ２００の積載方向に沿って設けられている。すなわち、バッファ室２３７は、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。バッファ室２３７のウエハ２００と隣接する壁の端部にはガスを供給するガス供給孔２５０ｅが設けられている。ガス供給孔２５０ｅは反応管２０３の中心を向くように開口している。このガス供給孔２５０ｅは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。

第４ノズル２４９ｄは、バッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅが設けられた端部と反対側の端部に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、第４ノズル２４９ｄは、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。第４ノズル２４９ｄはＬ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部は反応管２０３の下部側壁を貫通するように設けられており、その垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。第４ノズル２４９ｄの側面にはガスを供給するガス供給孔２５０ｄが設けられている。ガス供給孔２５０ｄはバッファ室２３７の中心を向くように開口している。このガス供給孔２５０ｄは、バッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅと同様に、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられている。この複数のガス供給孔２５０ｄのそれぞれの開口面積は、バッファ室２３７内と処理室２０１内の差圧が小さい場合には、上流側（下部）から下流側（上部）まで、それぞれ同一の開口面積で同一の開口ピッチとするとよいが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって、それぞれ開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくするとよい。

本実施形態においては、第４ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄのそれぞれの開口面積や開口ピッチを、上流側から下流側にかけて上述のように調節することで、まず、ガス供給孔２５０ｄのそれぞれから、流速の差はあるものの、流量がほぼ同量であるガスを噴出させる。そしてこのガス供給孔２５０ｄのそれぞれから噴出するガスを、一旦、バッファ室２３７内に導入し、バッファ室２３７内においてガスの流速差の均一化を行うこととした。

すなわち、第４ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄのそれぞれよりバッファ室２３７内に噴出したガスはバッファ室２３７内で各ガスの粒子速度が緩和された後、バッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅより処理室２０１内に噴出する。これにより、第４ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄのそれぞれよりバッファ室２３７内に噴出したガスは、バッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅのそれぞれより処理室２０１内に噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとなる。

主に、第４ガス供給管２３２ｄ、マスフローコントローラ２４１ｄ、バルブ２４３ｄ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７により第４ガス供給系が構成される。なお、第４ガス供給系においては、バッファ室２３７が、ガスをウエハ２００に向けて供給するノズルとして機能する。また、主に、第４不活性ガス供給管２３２ｈ、マスフローコントロー
ラ２４１ｈ、バルブ２４３ｈにより第４不活性ガス供給系が構成される。

このように、本実施形態におけるガス供給の方法は、反応管２０３の内壁と、積載された複数枚のウエハ２００の端部とで定義される円弧状の縦長の空間内に配置したノズル２４９ａ，２４９ｂ，２４９ｃ，２４９ｄおよびバッファ室２３７を経由してガスを搬送し、ノズル２４９ａ，２４９ｂ，２４９ｃ，２４９ｄおよびバッファ室２３７にそれぞれ開口されたガス供給孔２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，２５０ｄ，２５０ｅからウエハ２００の近傍で初めて反応管２０３内にガスを噴出させており、反応管２０３内におけるガスの主たる流れをウエハ２００の表面と平行な方向、すなわち水平方向としている。このような構成とすることで、各ウエハ２００に均一にガスを供給でき、各ウエハ２００に形成される薄膜の膜厚を均一にできる効果がある。なお、反応後の残ガスは、排気口、すなわち、後述する排気管２３１の方向に向かって流れるが、この残ガスの流れの方向は、排気口の位置によって適宜特定され、垂直方向に限ったものではない。

第１ガス供給管２３２ａからは、例えば、シリコン原料ガス、すなわちシリコン（Ｓｉ）を含むガス（シリコン含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ａ、バルブ２４３ａ、第１ノズル２４９ａを介して処理室２０１内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｃｌ_６、略称：ＨＣＤ）ガスを用いることができる。なお、ＨＣＤのように常温常圧下で液体状態である液体原料を用いる場合は、液体原料を気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、原料ガスとして供給することとなる。

第２ガス供給管２３２ｂからは、例えばカーボン（Ｃ）すなわち炭素を含むガス（炭素含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、第２ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内に供給される。炭素含有ガスとしては、例えばプロピレン（Ｃ_３Ｈ_６）ガスを用いることができる。また、第２ガス供給管２３２ｂからは、例えば、水素（Ｈ）を含むガス（水素含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、第２ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内に供給されるようにしてもよい。水素含有ガスとしては、例えば水素（Ｈ_２）ガスを用いることができる。

第３ガス供給管２３２ｃからは、例えば窒素（Ｎ）を含むガス（窒素含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ｃ、バルブ２４３ｃ、第３ノズル２４９ｃを介して処理室２０１内に供給される。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ_３）ガスを用いることができる。

第４ガス供給管２３２ｄからは、例えば酸素（Ｏ）を含むガス（酸素含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ｄ、バルブ２４３ｄ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給される。酸素含有ガスとしては、例えば酸素（Ｏ_２）ガスを用いることができる。また、第４ガス供給管２３２ｄからは、例えば、ボロンすなわち硼素（Ｂ）を含むガス（硼素含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ｄ、バルブ２４３ｄ、第４ノズル２４９ｄを介して処理室２０１内に供給されるようにしてもよい。硼素含有ガスとしては、例えば三塩化硼素（ＢＣｌ_３）ガスやジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガスを用いることができる。

不活性ガス供給管２３２ｅ、２３２ｆ、２３２ｇ、２３２ｈからは、例えば窒素（Ｎ_２）ガスが、それぞれマスフローコントローラ２４１ｅ、２４１ｆ、２４１ｇ、２４１ｈ、バルブ２４３ｅ、２４３ｆ、２４３ｇ、２４３ｈ、ガス供給管２３２ａ、２３２ｂ、２３２ｃ、２３２ｄ、ガスノズル２４９ａ、２４９ｂ、２４９ｃ、２４９ｄおよびバッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給される。

なお、例えば各ガス供給管から上述のようなガスをそれぞれ流す場合、第１ガス供給系により原料ガス供給系、すなわちシリコン含有ガス供給系（シラン系ガス供給系）が構成される。また、第２ガス供給系により炭素含有ガス供給系または水素含有ガス供給系が構成される。また、第３ガス供給系により窒素含有ガス供給系が構成される。また、第４ガス供給系により酸素含有ガス供給系または硼素含有ガス供給系が構成される。なお、原料ガス供給系を、単に、原料供給系とも称する。また、炭素含有ガス、水素含有ガス、窒素含有ガス、酸素含有ガス、および、硼素含有ガスを総称して反応ガスと称する場合、炭素含有ガス供給系、水素含有ガス供給系、窒素含有ガス供給系、酸素含有ガス供給系、および、硼素含有ガス供給系により反応ガス供給系が構成される。

バッファ室２３７内には、図２に示すように、細長い構造を有する第１の電極である第１の棒状電極２６９及び第２の電極である第２の棒状電極２７０が、反応管２０３の下部より上部にわたりウエハ２００の積層方向に沿って配設されている。第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０のそれぞれは、第４ノズル２４９ｄと平行に設けられている。第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０のそれぞれは、上部より下部にわたって各電極を保護する保護管である電極保護管２７５により覆われることで保護されている。この第１の棒状電極２６９又は第２の棒状電極２７０のいずれか一方は整合器２７２を介して高周波電源２７３に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。この結果、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間のプラズマ生成領域２２４にプラズマが生成される。主に、第１の棒状電極２６９、第２の棒状電極２７０、電極保護管２７５、整合器２７２、高周波電源２７３によりプラズマ発生器（プラズマ発生部）としてのプラズマ源が構成される。なお、プラズマ源は、後述するようにガスをプラズマで活性化させる活性化機構として機能する。

電極保護管２７５は、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０のそれぞれをバッファ室２３７の雰囲気と隔離した状態でバッファ室２３７内に挿入できる構造となっている。ここで、電極保護管２７５の内部は外気（大気）と同一雰囲気であると、電極保護管２７５にそれぞれ挿入された第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０はヒータ２０７による熱で酸化されてしまう。そこで、電極保護管２７５の内部には窒素などの不活性ガスを充填あるいはパージし、酸素濃度を充分低く抑えて第１の棒状電極２６９又は第２の棒状電極２７０の酸化を防止するための不活性ガスパージ機構が設けられている。

反応管２０３には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４４を介して真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。なお、ＡＰＣバルブ２４４は、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２０１内の真空排気・真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁開度を調節することで、処理室２０１内の圧力を調整することができるように構成されている開閉弁である。真空ポンプ２４６を作動させつつ、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づいてＡＰＣバルブ２４４の弁の開度を調節することにより、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、圧力センサ２４５により排気系が構成される。

反応管２０３の下方には、反応管２０３の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は反応管２０３の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には反応管２０３の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０が設けられている。シール
キャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は反応管２０３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１内に対し搬入搬出することが可能となっている。

基板支持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に支持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる断熱部材２１８が設けられており、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなるよう構成されている。なお、断熱部材２１８は、石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる複数枚の断熱板と、これらを水平姿勢で多段に支持する断熱板ホルダとにより構成してもよい。

反応管２０３内には温度検出器としての温度センサ２６３が設置されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ２６３は、ノズル２４９ａ、２４９ｂ、２４９ｃ、２４９ｄと同様にＬ字型に構成されており、反応管２０３の内壁に沿って設けられている。

図１１に示されているように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。

記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等から構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のマスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃ，２４１ｄ，２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｇ，２４１ｈ、バルブ２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｄ，２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇ，２４３ｈ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、温度センサ２６３、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５、高周波電源２７３、整合器２７２等に接続されている。

ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからプロセス
レシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ１２１ａは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、マスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃ，２４１ｄ，２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｇ，２４１ｈによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｄ，２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇ，２４３ｈの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４４の開閉動作及びＡＰＣバルブ２４４による圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動・停止、回転機構２６７の回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５によるボート２１７の昇降動作、高周波電源２７３の電力供給、整合器２７２によるインピーダンス調整動作等を制御するように構成されている。

なお、コントローラ１２１は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１２３を用意し、係る外部記憶装置１２３を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ１２１を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置１２３を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置１２３を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。

（２）基板処理工程
次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜としてのシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を成膜するシーケンス例について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。

本発明の実施形態では、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して、シリコン含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）を形成する工程と、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して、シリコン含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン酸化層（ＳｉＯ層）を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、ウエハ２００上に、シリコン炭窒化層とシリコン酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を形成する。
本実施形態では、ウエハ２００上に、シリコン炭窒化層とシリコン酸化層とを交互に積層することから、この成膜手法をラミネート法ともいう。

なお、従来のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法では、例えば、ＣＶＤ法の場合、形成する膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガスを同時に供給し、また、ＡＬＤ法の場合、形成する膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガスを交互に供給する。そして、ガス供給時のガス供給流量、ガス供給時間、プラズマパワーなどの供給条件を制御することによりＳｉＯ_２膜やＳｉ_３Ｎ_４膜を形成する。それらの技術では、例えばＳｉＯ_２膜を形成する場合、膜の組成比が化学量論組成であるＯ／Ｓｉ≒２となるように、
また例えばＳｉ_３Ｎ_４膜を形成する場合、膜の組成比が化学量論組成であるＮ／Ｓｉ≒１．３３となるようにすることを目的として、供給条件を制御する。

これに対し、本発明の実施形態では、形成する膜の組成比が化学量論組成、または、化学量論組成とは異なる所定の組成比となるように、供給条件を制御する。例えば、形成する膜を構成する複数の元素のうち少なくとも一つの元素が他の元素よりも化学量論組成に対し過剰となるようにすることを目的として、供給条件を制御する。以下、形成する膜を構成する複数の元素の比率、すなわち、膜の組成比を制御しつつ成膜を行うシーケンス例について説明する。

（第１シーケンス）
まず、本実施形態の第１シーケンスについて説明する。図３は、本実施形態の第１シーケンスにおける成膜フローを示す図である。図４は、本実施形態の第１シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図である。

本実施形態の第１シーケンスでは、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対してシリコン含有ガスを供給することで、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する工程と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して炭素含有ガスを供給することで、シリコン含有層の上に炭素含有層を形成してシリコンおよび炭素を含む層を形成する工程と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して窒素含有ガスを供給することで、シリコンおよび炭素を含む層を窒化してシリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）を形成する工程と、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対してシリコン含有ガスを供給することで、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する工程と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して酸素含有ガスを供給することで、シリコン含有層を酸化してシリコン酸化層（ＳｉＯ層）を形成する工程と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に、シリコン炭窒化層とシリコン酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を形成する。
なお、本実施形態の第１シーケンスでは、シリコン炭窒化層を形成する工程、および、シリコン酸化層を形成する工程のいずれの工程においても、シリコン含有層を形成する工程においては、ＣＶＤ反応が生じる条件下でウエハ２００に対してシリコン含有ガスを供給する。

以下、本実施形態の第１シーケンスを具体的に説明する。ここでは、シリコン含有ガスとしてＨＣＤガスを、炭素含有ガスとしてＣ_３Ｈ_６ガスを、窒素含有ガスとしてＮＨ_３ガスを、酸素含有ガスとしてＯ_２ガスを用い、図３、図４の成膜シーケンスにより、基板としてのウエハ２００上に絶縁膜としてシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を形成する例について説明する。

複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図１に示されているように、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０を介して反応管２０３の下端をシールした状態となる。

処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空ポンプ２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４４がフィードバック制御される（圧力調整）。なお、真空ポンプ２４６は、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は常時
作動させた状態を維持する。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０７によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合がフィードバック制御される（温度調整）。続いて、回転機構２６７によりボート２１７及びウエハ２００の回転が開始される。なお、回転機構２６７によるボート２１７及びウエハ２００の回転は、少なくとも、ウエハ２００に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。その後、後述する５つのステップを順次実行する。

＜ＳｉＣＮ層形成工程＞
［ステップ１］
第１ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａ開き、第１ガス供給管２３２ａ内にＨＣＤガスを流す。第１ガス供給管２３２ａ内を流れたＨＣＤガスは、マスフローコントローラ２４１ａにより流量調整される。流量調整されたＨＣＤガスは第１ノズル２４９ａのガス供給孔２５０ａから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。このとき、同時にバルブ２４３ｅを開き、不活性ガス供給管２３２ｅ内にＮ_２ガス等の不活性ガスを流す。不活性ガス供給管２３２ｅ内を流れたＮ_２ガスは、マスフローコントローラ２４１ｅにより流量調整される。流量調整されたＮ_２ガスはＨＣＤガスと一緒に処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。

このとき、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば１０〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ａで制御するＨＣＤガスの供給流量は、例えば１０〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｅで制御するＮ_２ガスの供給流量は、例えば２００〜２０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＨＣＤガスをウエハ２００に晒す時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒間の範囲内の時間とする。このときヒータ２０７の温度は、処理室２０１内でＣＶＤ反応が生じる程度の温度、すなわちウエハ２００の温度が、例えば３００〜６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、ウエハ２００の温度が３００℃未満となるとウエハ２００上にＨＣＤが吸着しにくくなる。また、ウエハ２００の温度が６５０℃を超えるとＣＶＤ反応が強くなり、均一性が悪化しやすくなる。よって、ウエハ２００の温度は３００〜６５０℃の範囲内の温度とするのが好ましい。

ＨＣＤガスの供給により、ウエハ２００（表面の下地膜）上に、例えば１原子層未満から数原子層程度のシリコン含有層が形成される。シリコン含有層はＨＣＤガスの吸着層であってもよいし、シリコン層（Ｓｉ層）であってもよいし、その両方を含んでいてもよい。ただし、シリコン含有層はシリコン（Ｓｉ）及び塩素（Ｃｌ）を含む層であることが好ましい。ここでシリコン層とは、シリコン（Ｓｉ）により構成される連続的な層の他、不連続な層や、これらが重なってできるシリコン薄膜をも含む総称である。なお、Ｓｉにより構成される連続的な層をシリコン薄膜という場合もある。なお、シリコン層を構成するＳｉは、Ｃｌとの結合が完全に切れていないものも含む。また、ＨＣＤガスの吸着層は、ＨＣＤガスのガス分子の連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。すなわち、ＨＣＤガスの吸着層は、ＨＣＤ分子で構成される１分子層もしくは１分子層未満の化学吸着層を含む。なお、ＨＣＤガスの吸着層を構成するＨＣＤ（Ｓｉ_２Ｃｌ_６）分子は、ＳｉとＣｌとの結合が一部切れたもの（Ｓｉ_ｘＣｌ_ｙ分子）も含む。すなわち、ＨＣＤの吸着層は、Ｓｉ_２Ｃｌ_６分子および／またはＳｉ_ｘＣｌ_ｙ分子の連続的な化学吸着層や不連続な化学吸着層を含む。なお、１原子層未満の層とは不連続に形成される原子層のことを意味しており、１原子層の層とは連続的に形成される原子層のことを意味している。また、１分子層未満の層とは不連続に形成される分子層のことを意味しており、１分子層の層とは連続的に形成される分子層のことを意味している。ＨＣＤガスが自己分解（熱分解）する条件下、すなわち、ＨＣＤの熱分解反応が生じる条件下では、ウエハ２００上にＳ
ｉが堆積することでシリコン層が形成される。ＨＣＤガスが自己分解（熱分解）しない条件下、すなわち、ＨＣＤの熱分解反応が生じない条件下では、ウエハ２００上にＨＣＤガスが吸着することでＨＣＤガスの吸着層が形成される。なお、ウエハ２００上にＨＣＤガスの吸着層を形成するよりも、ウエハ２００上にシリコン層を形成する方が、成膜レートを高くすることができ、好ましい。ウエハ２００上に形成されるシリコン含有層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ３での窒化の作用がシリコン含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ２００上に形成可能なシリコン含有層の最小値は１原子層未満である。よって、シリコン含有層の厚さは１原子層未満から数原子層程度とするのが好ましい。なお、シリコン含有層の厚さを１原子層以下、すなわち、１原子層または１原子層未満とすることで、後述するステップ３での窒化反応の作用を相対的に高めることができ、ステップ３の窒化反応に要する時間を短縮することができる。ステップ１のシリコン含有層形成に要する時間を短縮することもできる。結果として、１サイクルあたりの処理時間を短縮することができ、トータルでの処理時間を短縮することも可能となる。すなわち、成膜レートを高くすることも可能となる。また、シリコン含有層の厚さを１原子層以下とすることで、膜厚均一性の制御性を高めることも可能となる。

シリコン含有層が形成された後、バルブ２４３ａを閉じ、ＨＣＤガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＨＣＤガスを処理室２０１内から排除する。なお、この時バルブ２４３ｅは開いたままとして、Ｎ_２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＨＣＤガスを処理室２０１内から排除する効果を高める。

シリコン含有ガスとしては、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｃｌ_６、略称：ＨＣＤ）ガスの他、テトラクロロシランすなわちシリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ_４、略称：ＳＴＣ）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３、略称：ＴＣＳ）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、略称：ＤＣＳ）ガス、モノクロロシラン（ＳｉＨ_３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス、モノシラン（ＳｉＨ_４）ガス等の無機原料だけでなく、アミノシラン系のテトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_２Ｈ_２、略称：２ＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ_２［ＮＨ（Ｃ_４Ｈ_９）］_２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス、ヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ_３）_３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ_３）_３、略称：ＨＭＤＳ）ガスなどの有機原料を用いてもよい。不活性ガスとしては、Ｎ_２ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いてもよい。

［ステップ２］
ステップ１が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、第２ガス供給管２３２ｂのバルブ２４３ｂを開き、第２ガス供給管２３２ｂ内にＣ_３Ｈ_６ガスを流す。第２ガス供給管２３２ｂ内を流れたＣ_３Ｈ_６ガスは、マスフローコントローラ２４１ｂにより流量調整される。流量調整されたＣ_３Ｈ_６ガスは第２ノズル２４９ｂのガス供給孔２５０ｂから処理室内へ供給され、排気管２３１から排気される。なお、処理室２０１内に供給されたＣ_３Ｈ_６ガスは熱により活性化される。この時同時にバルブ２４３ｆを開き、不活性ガス供給管２３２ｆ内にＮ_２ガスを流す。Ｎ_２ガスはＣ_３Ｈ_６ガスと一緒に処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。

このときＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば５０〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｂで制御するＣ_３Ｈ_６ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフ
ローコントローラ２４１ｆで制御するＮ_２ガスの供給流量は、例えば２００〜２０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。このとき、処理室２０１内におけるＣ_３Ｈ_６ガスの分圧は、６〜２９４０Ｐａの範囲内の圧力とする。Ｃ_３Ｈ_６ガスをウエハ２００に晒す時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１と同様、ウエハ２００の温度が３００〜６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、Ｃ_３Ｈ_６ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する炭素含有層の形成が容易となる。

このとき、処理室２０１内に流しているガスは熱的に活性化されたＣ_３Ｈ_６ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤガスは流していない。したがって、Ｃ_３Ｈ_６ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化された状態でウエハ２００に対して供給され、このとき、ステップ１でウエハ２００上に形成されたシリコン含有層の上に１原子層未満の炭素含有層、すなわち不連続な炭素含有層が形成される。これによりシリコンおよび炭素を含む第２の層が形成される。なお、条件によってはシリコン含有層の一部とＣ_３Ｈ_６ガスとが反応して、シリコン含有層が改質（炭化）されてシリコンおよび炭素を含む第２の層が形成される場合もある。

シリコン含有層の上に形成する炭素含有層は、炭素層（Ｃ層）であってもよいし、炭素含有ガス（Ｃ_３Ｈ_６ガス）の化学吸着層、すなわち、Ｃ_３Ｈ_６が分解した物質（Ｃ_ｘＨ_ｙ）の化学吸着層であってもよい。ここで、炭素層は炭素により構成される不連続な層とする必要がある。また、Ｃ_ｘＨ_ｙの化学吸着層はＣ_ｘＨ_ｙ分子の不連続な化学吸着層とする必要がある。なお、シリコン含有層の上に形成する炭素含有層を連続的な層とした場合、例えばＣ_ｘＨ_ｙのシリコン含有層上への吸着状態を飽和状態として、シリコン含有層上にＣ_ｘＨ_ｙの連続的な化学吸着層を形成した場合、シリコン含有層の表面が全体的にＣ_ｘＨ_ｙの化学吸着層により覆われることとなる。この場合、第２の層の表面にシリコンが存在しなくなり、後述するステップ３での第２の層の窒化反応が困難となる。窒素はシリコンとは結合するが、炭素とは結合しないからである。後述するステップ３で所望の窒化反応を生じさせるためには、Ｃ_ｘＨ_ｙのシリコン含有層上への吸着状態を不飽和状態として、第２の層の表面にシリコンが露出した状態とする必要がある。

なお、Ｃ_ｘＨ_ｙのシリコン含有層上への吸着状態を不飽和状態とするには、ステップ２における処理条件を上述の処理条件とすればよいが、さらにステップ２における処理条件を次の処理条件とすることで、Ｃ_ｘＨ_ｙのシリコン含有層上への吸着状態を不飽和状態とすることが容易となる。

ウエハ温度：５００〜６３０℃
処理室内圧力：１３３〜２６６６Ｐａ
Ｃ_３Ｈ_６ガス分圧：６７〜２５１５Ｐａ
Ｃ_３Ｈ_６ガス供給流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ
Ｎ_２ガス供給流量：３００〜１０００ｓｃｃｍ
Ｃ_３Ｈ_６ガス供給時間：６〜１００秒

その後、第２ガス供給管２３２ｂのバルブ２４３ｂを閉じて、Ｃ_３Ｈ_６ガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは炭素含有層形成に寄与した後のＣ_３Ｈ_６ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する。なお、この時バルブ２４３ｆは開いたままとして、Ｎ_２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくは炭素含有層形成に寄与した後のＣ_３Ｈ_６ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する効果を高める。

炭素含有ガスとしては、プロピレン（Ｃ_３Ｈ_６）ガス以外に、アセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）ガスやエチレン（Ｃ_２Ｈ_４）ガス等を用いてもよい。

［ステップ３］
処理室２０１内の残留ガスを除去した後、第３ガス供給管２３２ｃのバルブ２４３ｃを開き、第３ガス供給管２３２ｃ内にＮＨ_３ガスを流す。第３ガス供給管２３２ｃ内を流れたＮＨ_３ガスは、マスフローコントローラ２４１ｃにより流量調整される。流量調整されたＮＨ_３ガスは第３ノズル２４９ｃのガス供給孔２５０ｃから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。なお、処理室２０１内に供給されたＮＨ_３ガスは熱により活性化される。この時同時にバルブ２４３ｇを開き不活性ガス供給管２３２ｇ内にＮ_２ガスを流す。Ｎ_２ガスはＮＨ_３ガスと一緒に処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。

ＮＨ_３ガスを熱で活性化して流すときは、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば５０〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｃで制御するＮＨ_３ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｇで制御するＮ_２ガスの供給流量は、例えば２００〜２０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。このとき、処理室２０１内におけるＮＨ_３ガスの分圧は、６〜２９４０Ｐａの範囲内の圧力とする。ＮＨ_３ガスにウエハ２００を晒す時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１と同様、ウエハ２００の温度が３００〜６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。ＮＨ_３ガスは反応温度が高く、上記のようなウエハ温度では反応しづらいので、処理室２０１内の圧力を上記のような比較的高い圧力とすることにより熱的に活性化することを可能としている。なお、ＮＨ_３ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する窒化をソフトに行うことができる。

このとき、処理室２０１内に流しているガスは熱的に活性化されたＮＨ_３ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤガスもＣ_３Ｈ_６ガスも流していない。したがって、ＮＨ_３ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたＮＨ_３ガスは、ステップ２でウエハ２００上に形成された第２の層としてのシリコンおよび炭素を含む層の一部と反応する。これにより第２の層はノンプラズマで熱的に窒化されて、シリコン、炭素および窒素を含む第３の層、すなわち、シリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）へと変化させられる（改質される）。

このとき、第２の層の窒化反応は飽和させないようにする。例えばステップ１で数原子層のシリコン層を形成し、ステップ２で１原子層未満の炭素含有層を形成した場合は、その表面層（表面の１原子層）の一部を窒化させる。すなわち、その表面層のうちの窒化が生じ得る領域（シリコンが露出した領域）の一部もしくは全部を窒化させる。この場合、第２の層の全体を窒化させないように、第２の層の窒化反応が不飽和となる条件下で窒化を行う。なお、条件によっては第２の層の表面層から下の数層を窒化させることもできるが、その表面層だけを窒化させる方が、シリコン酸炭窒化膜の組成比の制御性を向上させることができ好ましい。また、例えばステップ１で１原子層または１原子層未満のシリコン層を形成し、ステップ２で１原子層未満の炭素含有層を形成した場合も、同様にその表面層の一部を窒化させる。この場合も、第２の層の全体を窒化させないように、第２の層の窒化反応が不飽和となる条件下で窒化を行う。

なお、第２の層の窒化反応を不飽和とするには、ステップ３における処理条件を上述の処理条件とすればよいが、さらにステップ３における処理条件を次の処理条件とすることで、第２の層の窒化反応を不飽和とすることが容易となる。

ウエハ温度：５００〜６３０℃
処理室内圧力：１３３〜２６６６Ｐａ
ＮＨ_３ガス分圧：６７〜２５１５Ｐａ
ＮＨ_３ガス供給流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ
Ｎ_２ガス供給流量：３００〜１０００ｓｃｃｍ
ＮＨ_３ガス供給時間：６〜１００秒

その後、第３ガス供給管２３２ｃのバルブ２４３ｃを閉じて、ＮＨ_３ガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは窒化に寄与した後のＮＨ_３ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する。なお、この時バルブ２４３ｇは開いたままとして、Ｎ_２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくは窒化に寄与した後のＮＨ_３ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する効果を高める。

窒素含有ガスとしては、アンモニア（ＮＨ_３）ガス以外に、ジアジン（Ｎ_２Ｈ_２）ガス、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）ガス、Ｎ_３Ｈ_８ガス等を用いてもよい。

＜ＳｉＯ層形成工程＞
［ステップ４］
処理室２０１内の残留ガスを除去した後、ステップ１と同様に、ＨＣＤガスを処理室２０１内に供給し、排気して、ステップ３でウエハ２００上に形成されたＳｉＣＮ層（第３の層）の上に第４の層としてのシリコン含有層を形成する。シリコン含有層が形成された後、ステップ１と同様に、ＨＣＤガスの供給を停止し、処理室２０１内の残留ガスを除去する。なお、ステップ４での各バルブの開閉動作、処理条件、生じさせる反応、形成する層、残留ガス除去方法、使用可能なガス等は、ステップ１でのそれらと同様である。

［ステップ５］
処理室２０１内の残留ガスを除去した後、第４ガス供給管２３２ｄのバルブ２４３ｄ、第４不活性ガス供給管２３２ｈのバルブ２４３ｈを開き、第４ガス供給管２３２ｄ内にＯ_２ガスを流し、第４不活性ガス供給管２３２ｈ内にＮ_２ガスを流す。第４不活性ガス供給管２３２ｈ内を流れたＮ_２ガスは、マスフローコントローラ２４１ｈにより流量調整される。第４ガス供給管２３２ｄ内を流れたＯ_２ガスは、マスフローコントローラ２４１ｄにより流量調整される。流量調整されたＯ_２ガスは流量調整されたＮ_２ガスと第４ガス供給管２３２ｄ内で混合されて、第４ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄからバッファ室２３７内に供給される。このとき、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間には高周波電力を印加しない。これにより、バッファ室２３７内に供給されたＯ_２ガスは熱で活性化されて、ガス供給孔２５０ｅからウエハ２００に向けて処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。なお、このとき第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間に高周波電力を印加して、バッファ室２３７内に供給されたＯ_２ガスをプラズマで活性化させることもできる。

Ｏ_２ガスを熱で活性化して流すときは、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば１〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｄで制御するＯ_２ガスの供給流量は、例えば１００〜５０００ｓｃｃｍ（０．１〜５ｓｌｍ）の範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｈで制御するＮ_２ガスの供給流量は、例えば２００〜２０００ｓｃｃｍ（０．２〜２ｓｌｍ）の範囲内の流量とする。このとき、処理室２０１内におけるＯ_２ガスの分圧は、６〜２９４０Ｐａの範囲内の圧力とする。Ｏ_２ガスにウエハ２００を晒す時間、すなわちガス供給時間（照射時間
）は、例えば１〜１２０秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１〜３と同様、ウエハ２００の温度が３００〜６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。Ｏ_２ガスは上記のような条件下で熱的に活性化される。なお、Ｏ_２ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する酸化をソフトに行うことができる。

このとき、処理室２０１内に流しているガスは熱的に活性化されたＯ_２ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤガスもＣ_３Ｈ_６ガスもＮＨ_３ガスも流していない。したがって、Ｏ_２ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたＯ_２ガスは、ステップ４でＳｉＣＮ層（第３の層）上に形成されたシリコン含有層（第４の層）の少なくとも一部と反応する。これによりシリコン含有層はノンプラズマで熱的に酸化されて、シリコンおよび酸素を含む第５の層、すなわち、シリコン酸化層（ＳｉＯ_２層、以下、単にＳｉＯ層ともいう）へと変化させられる（改質される）。これにより、ＳｉＣＮ層上にＳｉＯ層が積層されてなるシリコン酸炭窒化層（ＳｉＯＣＮ層）が形成される。このとき、活性化されたＯ_２ガスを、シリコン含有層の少なくとも一部と反応させるだけでなく、その下層であるＳｉＣＮ層の少なくとも一部と反応させるようにしてもよい。すなわち、シリコン含有層の下層であるＳｉＣＮ層の少なくとも一部をもノンプラズマで熱的に酸化させるようにしてもよい。

このとき、シリコン含有層の酸化反応は飽和させないようにする。例えばステップ４で数原子層のシリコン層を形成した場合は、その表面層（表面の１原子層）の少なくとも一部を酸化させる。この場合、シリコン層の全体を酸化させないように、シリコン層の酸化反応が不飽和となる条件下で酸化を行う。なお、条件によってはシリコン層の表面層からの数層を酸化させることもできるが、その表面層だけを酸化させる方が、ＳｉＯＣＮ膜の組成比の制御性を向上させることができ好ましい。また、例えばステップ４で１原子層または１原子層未満のシリコン層を形成した場合も、同様にその表面層の一部を酸化させる。この場合も、シリコン層の全体を酸化させないように、シリコン層の酸化反応が不飽和となる条件下で酸化を行う。このとき、シリコン含有層の下層であるＳｉＣＮ層の少なくとも一部をも酸化させる場合も、ＳｉＣＮ層の酸化反応は飽和させないようにする。この場合、ＳｉＣＮ層の全体を酸化させないように、ＳｉＣＮ層の酸化反応が不飽和となる条件下で酸化を行う。

なお、シリコン含有層（第４の層）やその下層であるＳｉＣＮ層（第３の層）の酸化反応を不飽和とするには、ステップ５における処理条件を上述の処理条件とすればよいが、さらにステップ５における処理条件を次の処理条件とすることで、シリコン含有層やＳｉＣＮ層の酸化反応を不飽和とすることが容易となる。

ウエハ温度：５００〜６３０℃
処理室内圧力：１３３〜２６６６Ｐａ
Ｏ_２ガス分圧：６７〜２５１５Ｐａ
Ｏ_２ガス供給流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ
Ｎ_２ガス供給流量：３００〜１０００ｓｃｃｍ
Ｏ_２ガス供給時間：６〜１００秒

その後、第４ガス供給管２３２ｄのバルブ２４３ｄを閉じて、Ｏ_２ガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは酸化に寄与した後のＯ_２ガスを処理室２０１内から排除する。この時バルブ２４３ｈは開いたままとして、Ｎ_２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくは酸化に寄与した後のＯ_２ガスを処理室２０１内から排除する効
果を高める。

酸素含有ガスとしては、酸素（Ｏ_２）ガス以外に、水蒸気（Ｈ_２Ｏ）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ_２）ガス、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ_２）ガス、オゾン（Ｏ_３）ガス、Ｏ_２ガス＋Ｈ_２ガス、Ｏ_３ガス＋Ｈ_２ガス等を用いてもよい。

上述したステップ１〜５を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（１回以上）行うことにより、ウエハ２００上にＳｉＣＮ層とＳｉＯ層とが交互に積層され、所定膜厚のシリコン、炭素、窒素および酸素を含む薄膜、すなわち、シリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。

このとき、各ステップにおける処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＯＣＮ層における各元素成分、すなわちシリコン成分、酸素成分、炭素成分、窒素成分の割合、すなわち、シリコン濃度、酸素濃度、炭素濃度、窒素濃度を調整することができ、ＳｉＯＣＮ膜の組成比を制御することができる。

またこのとき、ＳｉＣＮ層およびＳｉＯ層のうち少なくともいずれかの層の厚さを制御することで、ＳｉＯＣＮ膜の組成比を制御することもできる。例えば、数原子層の厚さのＳｉＣＮ層と１原子層未満の厚さのＳｉＯ層とを交互に積層するようにすれば、ＳｉＯＣＮ膜の酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に（酸素成分の割合をプアな方向に）制御できることとなる。また例えば、１原子層未満の厚さのＳｉＣＮ層と数原子層の厚さのＳｉＯ層とを交互に積層するようにすれば、ＳｉＯＣＮ膜の窒素成分、炭素成分に対するシリコン成分、酸素成分の割合をリッチな方向に（窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に）制御できることとなる。なお、処理条件によっては、交互に積層するＳｉＣＮ層とＳｉＯ層とを相互拡散させることもできる。

所定組成を有する所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を形成する成膜処理がなされると、Ｎ_２等の不活性ガスが処理室２０１内へ供給され、排気されることで処理室２０１内が不活性ガスでパージされる（パージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。

その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、反応管２０３の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００がボート２１７に支持された状態で反応管２０３の下端から反応管２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出される（ウエハディスチャージ）。

（第２シーケンス）
次に、本実施形態の第２シーケンスについて説明する。図５は、本実施形態の第２シーケンスにおける成膜フローを示す図である。図６は、本実施形態の第２シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図である。

上述の第１シーケンスでは、上述したステップ１〜５を１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことにより、ウエハ２００上に１層のＳｉＣＮ層と１層のＳｉＯ層とを交互に積層して、所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜する例について説明した。

これに対し、第２シーケンスでは、上述したステップ１〜３を１セットとしてこのセットを所定回数（１回以上）行うことで所定厚さのＳｉＣＮ層を形成する工程と、ステップ
４〜５を１セットとしてこのセットを所定回数（１回以上）行うことで所定厚さのＳｉＯ層を形成する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（１回以上）行うことにより、ウエハ２００上に、１層以上のＳｉＣＮ層と１層以上のＳｉＯ層とが交互に積層されてなる所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜する。すなわち、第２シーケンスでは、ウエハ２００上に１層以上、例えば数層のＳｉＣＮ層と、１層以上、例えば数層のＳｉＯ層とを交互に積層して、所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜する。

より具体的には、本実施形態の第２シーケンスでは、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対してシリコン含有ガスを供給することで、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する工程と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して炭素含有ガスを供給することで、シリコン含有層の上に炭素含有層を形成してシリコンおよび炭素を含む層を形成する工程と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して窒素含有ガスを供給することで、シリコンおよび炭素を含む層を窒化してシリコン炭窒化層を形成する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｘ回）行うことでウエハ２００上に所定厚さのシリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）を形成する工程と、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対してシリコン含有ガスを供給することで、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する工程と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して酸素含有ガスを供給することで、シリコン含有層を酸化してシリコン酸化層を形成する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｙ回）行うことでウエハ２００上に所定厚さのシリコン酸化層（ＳｉＯ層）を形成する工程と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことにより、ウエハ２００上にシリコン炭窒化層とシリコン酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を形成する。
この場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。また、本実施形態の第２シーケンスでも、シリコン炭窒化層を形成する工程、および、シリコン酸化層を形成する工程のいずれの工程においても、シリコン含有層を形成する工程においては、ＣＶＤ反応が生じる条件下でウエハ２００に対してシリコン含有ガスを供給する。

なお、第２シーケンスは第１シーケンスとは、ＳｉＣＮ層形成工程の実施回数（ｘ）およびＳｉＯ層形成工程の実施回数（ｙ）が異なるだけであり、その他の動作等は第１シーケンスと同様である。すなわち、第２シーケンスにおけるＳｉＣＮ層形成工程およびＳｉＯ層形成工程における各バルブの開閉動作、処理条件、生じさせる反応、形成する層、残留ガス除去方法、使用可能なガス等は、第１シーケンスでのそれらと同様である。また、第２シーケンスにおけるウエハチャージ、ボートロード、圧力調整、温度調整、ウエハ回転、パージ、不活性ガス置換、大気圧復帰、ボートアンロード、ウエハディスチャージは、第１シーケンスにおけるそれらと同様に行う。なお、第２シーケンスにおけるＳｉＣＮ層形成工程の実施回数（ｘ）およびＳｉＯ層形成工程の実施回数（ｙ）が、それぞれ１回（ｘ＝１、ｙ＝１）であるケースが第１シーケンスに相当する。

図６に、上述したステップ１〜３を１セットとしてこのセットを２回行った後、ステップ４〜５を１セットとしてこのセットを１回行い、これを１サイクルとして、このサイクルをｎ回行うことにより、ウエハ２００上に２層のＳｉＣＮ層と１層のＳｉＯ層とを交互に積層して、所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜する例を示す。

このように、上述したステップ１〜３を１セットとしてこのセットを所定回数（ｘ回）行った後、ステップ４〜５を１セットとしてこのセットを所定回数（ｙ回）行い、これを１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うようにすることで、ＳｉＯＣＮ膜の酸素成分に対するシリコン成分、炭素成分および窒素成分の割合や、炭素成分、窒素成分に対するに対するシリコン成分、酸素成分の割合をより適正に制御できることとなり、ＳｉＯＣＮ膜の組成比の制御性をより向上させることができるようになる。例えば、５
層のＳｉＣＮ層と１層のＳｉＯ層とを交互に積層するようにすれば、ＳｉＯＣＮ膜の酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に（酸素成分の割合をプアな方向に）制御できることとなる。また例えば、１層のＳｉＣＮ層と５層のＳｉＯ層とを交互に積層するようにすれば、ＳｉＯＣＮ膜の窒素成分、炭素成分に対するシリコン成分、酸素成分の割合をリッチな方向に（窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に）制御できることとなる。すなわち、ＳｉＣＮ層およびＳｉＯ層のうち少なくともいずれかの層の層数、すなわち、セット数（ｘ、ｙ）を制御することで、ＳｉＯＣＮ膜の組成比をより緻密に制御することが可能となり、更には、セット数（ｘ、ｙ）の組み合せにより、特定の元素の成分の割合を微量（例えば数％）とする微量組成制御も可能となる。なお、各セット数を増やすことで、１サイクルあたりに形成するＳｉＣＮ層やＳｉＯ層の層数をセット数の数だけ増やすことができ、サイクルレートを向上させることができ、成膜レートを向上させることも可能となる。

（３）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。

本実施形態によれば、第１シーケンスにおいて、ステップ１〜５を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことにより、所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜するようにしたので、所定組成及び所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜することができる。また、第２シーケンスにおいて、ステップ１〜３を１セットとしてこのセットを所定回数行い、ステップ４〜５を１セットとしてこのセットを所定回数行い、これを１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことにより、所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜するようにしたので、所定組成及び所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜することができる。

また本実施形態によれば、ＳｉＣＮ層を直接酸化させるのではなく、ＳｉＣＮ層とＳｉＯ層とを交互に積層して、ラミネート法によりＳｉＯＣＮ層を形成するようにしたので、ＳｉＣＮ層を直接酸化させる場合におけるＳｉＣＮ層からのＣやＮの脱離を防止することができる。すなわち、ＳｉＣＮ層中のＳｉ−Ｃ結合やＳｉ−Ｎ結合の結合力よりも、Ｓｉ−Ｏ結合の結合力の方が強いため、ＳｉＣＮ層を直接酸化させる場合、Ｓｉ−Ｏ結合が形成される過程において、ＳｉＣＮ層中のＳｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｎ結合が切れて、Ｓｉとの結合が切れたＣ、Ｎが脱離してしまうことがある。しかしながら、ウエハ上へのＳｉＣＮ層の堆積と、ＳｉＣＮ層上へのＳｉＯ層の堆積と、を交互に行い、ＳｉＣＮ層とＳｉＯ層とを交互に積層してＳｉＯＣＮ層を形成するようにすることで、ＳｉＣＮ層を直接酸化させることなくＳｉＯＣＮ層を形成することができるようになり、ＳｉＣＮ層からのＣやＮの脱離を防止することが可能となる。これにより、ＳｉＯＣＮ膜中のＣ濃度やＮ濃度の低下を防止することが可能となり、ＳｉＯＣＮ膜の組成比制御の制御性を向上させることができ、さらに組成比制御ウインドウを広げることが可能となる。

なお、本実施形態においては、ステップ５において、シリコン含有層とＳｉＣＮ層との積層膜に対して酸化処理が行われることとなるが、ステップ４においてＳｉＣＮ層上に形成するシリコン含有層が主体的に酸化され、このシリコン含有層がＳｉＣＮ層の酸化をブロックする酸化ブロック層として機能することとなる。このとき、シリコン含有層の下層であるＳｉＣＮ層の少なくとも一部をも酸化させることもできるが、この場合であっても、シリコン含有層の酸化ブロック効果により、ＳｉＣＮ層の酸化が抑制され、ＳｉＣＮ層の酸化反応を不飽和とすることが容易となり、ＳｉＣＮ層からのＣやＮの脱離を抑制することが可能となる。

また、ＳｉＣＮ層を直接酸化させる場合、ＳｉＣＮ層からのＣやＮの脱離を抑制するために、酸素含有ガスによるＳｉＣＮ層の酸化を不飽和で止める必要があるが、本実施形態においては、ステップ４においてＳｉＣＮ層上に形成するシリコン含有層がＳｉＣＮ層の
酸化をブロックする酸化ブロック層として機能するので、ステップ５における酸素含有ガスによるシリコン含有層の酸化については、必ずしも不飽和領域を用いる必要はなく、飽和領域を用いることも可能となる。すなわち、ＳｉＣＮ層からのＣやＮの脱離を抑制しつつ、シリコン含有層の酸化反応を飽和させることも可能となる。このとき、シリコン含有層の下層であるＳｉＣＮ層の少なくとも一部をも酸化させることもできるが、この場合であっても、シリコン含有層の酸化ブロック効果により、ＳｉＣＮ層の酸化が抑制され、ＳｉＣＮ層の酸化反応を不飽和とすることが容易となり、ＳｉＣＮ層からのＣやＮの脱離を抑制することが可能となる。すなわち、本実施形態によれば、ＳｉＣＮ層からのＣやＮの脱離を抑制しつつ、ステップ５における酸素含有ガスによるシリコン含有層の酸化の酸化力を高めることができ、より均一な酸化処理が可能となる。その結果として、ＳｉＯＣＮ膜の成膜レートを向上させつつウエハ面内膜厚均一性を向上させることが可能となる。

また、本実施形態によれば、第１シーケンスおよび第２シーケンスのいずれにおいても優れたウエハ面内膜厚均一性を有するＳｉＯＣＮ膜を形成することができる。そして、本実施形態の第１シーケンスまたは第２シーケンスにより形成したＳｉＯＣＮ膜を絶縁膜として用いた場合、ＳｉＯＣＮ膜の面内で均質な性能を提供することが可能となり、半導体装置の性能向上や生産歩留りの向上に貢献することが可能となる。

また、本実施形態によれば、各シーケンスの各ステップにおける処理室内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＯＣＮ膜における各元素成分、すなわちシリコン成分、酸素成分、炭素成分、窒素成分の割合、すなわち、シリコン濃度、酸素濃度、炭素濃度、窒素濃度を調整することができ、ＳｉＯＣＮ膜の組成比を制御することができる。

ところで、従来のＣＶＤ法の場合、形成する薄膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガスを同時に供給する。この場合、形成する薄膜の組成比を制御するには、例えばガス供給時のガス供給流量比を制御することが考えられる。なお、この場合にガス供給時の基板温度、処理室内圧力、ガス供給時間などの供給条件を制御しても形成する薄膜の組成比を制御することはできない。

また、ＡＬＤ法の場合、形成する薄膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガスを交互に供給する。この場合、形成する薄膜の組成比を制御するには、例えば各ガス供給時のガス供給流量、ガス供給時間を制御することが考えられる。なお、ＡＬＤ法の場合、原料ガスの供給は、原料ガスの基板表面上への吸着飽和を目的としているため、処理室内の圧力制御が必要ではない。すなわち原料ガスの吸着飽和は、反応温度に対して原料ガスが吸着する所定圧力以下で生じ、処理室内の圧力をその所定圧力以下としさえすれば、どのような圧力値としても原料ガスの吸着飽和を実現できる。そのため通常、ＡＬＤ法により成膜する場合、処理室内の圧力はガス供給量に対する基板処理装置の排気能力に任せた圧力となっている。処理室内圧力を変化させるようにする場合、原料ガスの基板表面上への化学吸着を阻害したり、ＣＶＤ反応に近づくことも考えられ、ＡＬＤ法による成膜を適切に行うことができなくなる。またＡＬＤ法により所定の膜厚の薄膜を形成するためにはＡＬＤ反応（吸着飽和，表面反応）を繰り返し行うため、それぞれのＡＬＤ反応が飽和するまでそれぞれのＡＬＤ反応を十分に行わなければ、堆積が不十分となり、十分な堆積速度が得られなくなってしまうことも考えられる。よって、ＡＬＤ法の場合、処理室内の圧力制御により薄膜の組成比を制御することは考えにくい。

これに対し、本実施形態では、いずれのシーケンスにおいても、各ステップにおける処理室内の圧力やガス供給時間を制御することにより、薄膜組成比を制御するようにしている。なお、好ましくは、処理室内の圧力、または、圧力およびガス供給時間を制御することにより、薄膜組成比を制御するのがよい。

各ステップにおける処理室内の圧力を制御することにより、薄膜の組成比を制御する場合、異なる基板処理装置間での機差の影響を少なくすることができる。すなわち、異なる基板処理装置間でも、同様な制御により、同様に薄膜の組成比を制御することが可能となる。この場合に、各ステップにおけるガス供給時間をも制御するようにすれば、薄膜の組成比を微調整でき、薄膜の組成比制御の制御性を上げることができる。また、各ステップにおける処理室内の圧力を制御することにより、成膜レートを上げつつ、薄膜の組成比を制御することも可能となる。すなわち、処理室内の圧力を制御することにより、例えば各シーケンスにおけるステップ１で形成するシリコン含有層の成長レートを上げつつ、薄膜の組成比を制御することも可能となる。このように、本実施形態によれば、異なる基板処理装置間でも、同様な制御により、同様に薄膜の組成比を制御できるだけでなく、薄膜の組成比制御の制御性を上げることもでき、さらには成膜レート、すなわち生産性を向上させることもできる。

一方、例えばＡＬＤ法による成膜において、各ステップにおけるガス供給流量やガス供給時間を制御することにより、薄膜の組成比を制御する場合、異なる基板処理装置間での機差の影響が大きくなる。すなわち、異なる基板処理装置間で、同様な制御を行っても、同様に薄膜の組成比を制御することができなくなる。例えば、異なる基板処理装置間で、ガス供給流量、ガス供給時間を同じ流量値、時間に設定した場合であっても、機差により処理室内の圧力は同じ圧力値にはならない。よって、この場合、処理室内の圧力が基板処理装置毎に変わり、所望の組成比制御を異なる基板処理装置間で同様に行うことができなくなる。さらには、処理室内の圧力が基板処理装置毎に変わることで、原料ガスの基板表面上への化学吸着を阻害したり、ＣＶＤ反応に近づくことも考えられ、ＡＬＤ法による成膜を適切に行うことができなくなる場合もある。

また、本実施形態によれば、所定組成のシリコン酸炭窒化膜を成膜することができるので、エッチング耐性、誘電率、絶縁耐性を制御することが可能となり、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）よりも誘電率が低く、エッチング耐性に優れ、絶縁耐性に優れたシリコン絶縁膜を形成することが可能となる。

また、本実施形態の第１シーケンスおよび第２シーケンスのステップ２、３、５では、処理室２０１内に供給するＣ_３Ｈ_６ガス、ＮＨ_３ガス、Ｏ_２ガスをそれぞれ熱で活性化させてウエハ２００に対して供給するようにしている。これにより、上述の反応をそれぞれソフトに生じさせることができ、炭素含有層の形成、窒化処理、酸化処理を制御性よく容易に行うことが可能となる。

また、本実施形態の手法により形成したシリコン絶縁膜を、サイドウォールスペーサとして使用することにより、リーク電流が少なく、加工性に優れたデバイス形成技術を提供することが可能となる。

また、本実施形態の手法により形成したシリコン絶縁膜を、エッチストッパーとして使用することにより、加工性に優れたデバイス形成技術を提供することが可能となる。

また、本実施形態によれば、プラズマを用いず、理想的量論比のシリコン絶縁膜を形成することができる。また、プラズマを用いずシリコン絶縁膜を形成できることから、例えばＤＰＴのＳＡＤＰ膜等、プラズマダメージを懸念する工程への適応も可能となる。

＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、処理室２０１内にバッファ室２３７を設けず、第４ノズル２４９ｄから処理室２０１内にＯ_２ガスを直接に供給するようにしてもよい。この場合、第４ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄを反応管２０３の中心側に向けることで、第４ノズル２４９ｄからＯ_２ガスがウエハ２００に向けて直接に供給されるようにすることも可能である。また、第４ノズル２４９ｄを設けず、バッファ室２３７のみを設けるようにしてもよい。

また、例えば、処理室２０１内に供給するＣ_３Ｈ_６ガス、ＮＨ_３ガス、Ｏ_２ガスをそれぞれ熱で活性化させる場合に限らず、例えばプラズマを用いて活性化させるようにしてもよい。この場合、例えば、上述のプラズマ発生器としてのプラズマ源を用いて各ガスをプラズマ励起するようにしてもよい。

また、例えば、第１シーケンスおよび第２シーケンスのステップ５においては、酸素含有ガスと一緒に水素含有ガスを供給するようにしてもよい。加熱された大気圧未満の圧力（減圧）雰囲気下にある処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することにより、処理容器内で酸素含有ガスと水素含有ガスとが反応することで原子状酸素等（Ｏ）等の酸素を含む酸化種が生成され、この酸化種により酸化を行うことができる。この場合、酸素含有ガス単体で酸化を行う場合よりも酸化力、すなわち、酸化レートを上げることができ、酸化時間を短縮することが可能となる。この酸化処理はノンプラズマの減圧雰囲気下で行われる。水素含有ガスとしては、例えば水素（Ｈ_２）ガス、アンモニア（ＮＨ_３）ガス、メタン（ＣＨ_４）ガス等を用いることができる。この場合、水素含有ガスは、上述の水素含有ガス供給系より供給することとなる。

また上述の実施形態では、ウエハ上にＳｉＣＮ層を１層以上堆積させた後に、ＳｉＯ層を１層以上堆積させ、これを交互に繰り返すことで、その積層によってＳｉＯＣＮ膜を形成する例について説明したが、その積層の順番は逆であってもよい。すなわち、ウエハ上にＳｉＯ層を１層以上堆積させた後に、ＳｉＣＮ層を１層以上堆積させ、これを交互に繰り返すことで、その積層によってＳｉＯＣＮ膜を形成するようにしてもよい。

また上述の実施形態では、ウエハ上にＳｉＣＮ層を１層以上堆積させた後に、ＳｉＯ層を１層以上堆積させ、これを交互に繰り返すことで、その積層によってＳｉＯＣＮ膜を形成する例について説明したが、これらとは異なる層の積層によりＳｉＯＣＮ膜を形成するようにしてもよい。

例えば、ウエハ上にＳｉＯＣ層を１層以上堆積させた後に、ＳｉＮ層を１層以上堆積させ、これを交互に繰り返すことで、その積層によってＳｉＯＣＮ膜を形成するようにしてもよい。この場合、ウエハを収容した処理容器内にシリコン含有ガスと、炭素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、ウエハ上に所定厚さのＳｉＯＣ層を形成する工程と、処理容器内にシリコン含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、ウエハ上に所定厚さのＳｉＮ層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、ウエハ上に、ＳｉＯＣ層とＳｉＮ層とを交互に積層して、所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を形成することとなる。この場合も、積層の順番は逆であってもよい。すなわち、ウエハ上にＳｉＮ層を１層以上堆積させた後に、ＳｉＯＣ層を１層以上堆積させ、これを交互に繰り返すことで、その積層によってＳｉＯＣＮ膜を形成するようにしてもよい。

また例えば、ウエハ上にＳｉＯＮ層を１層以上堆積させた後に、ＳｉＣ層を１層以上堆積させ、これを交互に繰り返すことで、その積層によってＳｉＯＣＮ膜を形成するようにしてもよい。この場合、ウエハを収容した処理容器内にシリコン含有ガスと、窒素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、ウエハ上に所定厚さのＳｉＯＮ層を形成する工程と、処理容器内にシリコン含有ガスと、炭素含有ガスとを供給することで、ウエハ上に
所定厚さのＳｉＣ層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、ウエハ上に、ＳｉＯＮ層とＳｉＣ層とを交互に積層して、所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を形成することとなる。この場合も、積層の順番は逆であってもよい。すなわち、ウエハ上にＳｉＣ層を１層以上堆積させた後に、ＳｉＯＮ層を１層以上堆積させ、これを交互に繰り返すことで、その積層によってＳｉＯＣＮ膜を形成するようにしてもよい。

すなわち、ウエハ上にＯ、ＣおよびＮのうち少なくとも一つの元素とＳｉとを含む層を１層以上堆積させた後に、Ｏ、ＣおよびＮのうち前記少なくとも一つの元素以外の元素とＳｉとを含む層を１層以上堆積させ、これを交互に繰り返すことで、その積層によってＳｉＯＣＮ膜を形成することができる。ただし、ウエハ上にＳｉＯＣ層とＳｉＮ層とを交互に積層してＳｉＯＣＮ膜を形成する場合や、ウエハ上にＳｉＯＮ層とＳｉＣ層とを交互に積層してＳｉＯＣＮ膜を形成する場合よりも、本実施形態のように、ウエハ上にＳｉＣＮ層とＳｉＯ層とを交互に積層してＳｉＯＣＮ膜を形成する場合の方が、制御性よくＳｉＯＣＮ膜を形成することができる。

また上述の実施形態では、ウエハ上にＳｉＣＮ層を１層以上堆積させた後に、ＳｉＯ層を１層以上堆積させ、これを交互に繰り返すことで、その積層によってＳｉＯＣＮ膜を形成する例について説明したが、ＳｉＯ層の代わりにボロンナイトライド層すなわち硼窒化層（ＢＮ層）を堆積させ、ＳｉＯＣＮ膜の変わりにシリコン硼炭窒化膜（ＳｉＢＣＮ膜）を形成することも可能である。すなわち、上述の実施形態におけるＳｉＯＣＮ膜の成膜手法（ラミネート法）を、ＳｉＢＣＮ膜の成膜に応用することも可能である。この場合、ウエハ上にＳｉＣＮ層を１層以上堆積させた後に、ＢＮ層を１層以上堆積させ、これを交互に繰り返すことで、その積層によってＳｉＢＣＮ膜を形成することとなる。

この場合、具体的には、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して、シリコン含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）を形成する工程と、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して、硼素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、ウエハ２００上に所定厚さの硼窒化層（ＢＮ層）を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、ウエハ２００上に、シリコン炭窒化層と硼窒化層とが交互に積層されてなる所定膜厚のシリコン硼炭窒化膜（ＳｉＢＣＮ膜）を形成する。

図７，８に、上述の実施形態の第１シーケンスによる成膜をＳｉＢＣＮ膜の成膜に応用したシーケンスの一例（以下、応用例の第１シーケンス）の成膜フロー、ガス供給のタイミングをそれぞれ示す。

応用例の第１シーケンスでは、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対してシリコン含有ガスを供給することで、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する工程（ステップ１）と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して炭素含有ガスを供給することで、シリコン含有層の上に炭素含有層を形成してシリコンおよび炭素を含む層を形成する工程（ステップ２）と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して窒素含有ガスを供給することで、シリコンおよび炭素を含む層を窒化してシリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）を形成する工程（ステップ３）と、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して硼素含有ガスを供給することで、ウエハ２００上に硼素含有層を形成する工程（ステップ４）と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して窒素含有ガスを供給することで、硼素含有層を窒化して硼窒化層（ＢＮ層）を形成する工程（ステップ５）と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に、シリコン炭窒化層と硼窒化層とが交互に積層されてなる所定膜厚のシリコン硼炭窒化膜
（ＳｉＢＣＮ膜）を形成する。

また、図９，１０に、上述の実施形態の第２シーケンスによる成膜をＳｉＢＣＮ膜の成膜に応用したシーケンスの一例（以下、応用例の第２シーケンス）の成膜フロー、ガス供給のタイミングをそれぞれ示す。

応用例の第２シーケンスでは、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対してシリコン含有ガスを供給することで、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する工程（ステップ１）と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して炭素含有ガスを供給することで、シリコン含有層の上に炭素含有層を形成してシリコンおよび炭素を含む層を形成する工程（ステップ２）と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して窒素含有ガスを供給することで、シリコンおよび炭素を含む層を窒化してシリコン炭窒化層を形成する工程（ステップ３）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｘ回）行うことでウエハ２００上に所定厚さのシリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）を形成する工程と、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して硼素含有ガスを供給することで、ウエハ２００上に硼素含有層を形成する工程（ステップ４）と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して窒素含有ガスを供給することで、硼素含有層を窒化して硼窒化層を形成する工程（ステップ５）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｙ回）行うことでウエハ２００上に所定厚さの硼窒化層（ＢＮ層）を形成する工程と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことにより、ウエハ２００上にシリコン炭窒化層と硼窒化層とが交互に積層されてなる所定膜厚のシリコン硼炭窒化膜（ＳｉＢＣＮ膜）を形成する。

応用例の第１シーケンスおよび第２シーケンスのいずれの場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。また、応用例の第１シーケンスおよび第２シーケンスのいずれの場合においても、シリコン含有層を形成する工程では、ＣＶＤ反応が生じる条件下でウエハ２００に対してシリコン含有ガスを供給し、硼素含有層を形成する工程では、ＣＶＤ反応が生じる条件下でウエハ２００に対して硼素含有ガスを供給する。

応用例の第１シーケンスおよび第２シーケンスでは、硼素含有ガスとして、例えば三塩化硼素（ＢＣｌ_３）ガスやジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガス等を用いることができる。図７，８，９，１０では、硼素含有ガスとして、ＢＣｌ_３ガスを用いる例を示している。硼素含有ガスは、上述の硼素含有ガス供給系より供給することとなる。シリコン含有ガス、炭素含有ガス、窒素含有ガスを供給する際の処理条件は、上述の実施形態におけるシリコン含有ガス、炭素含有ガス、窒素含有ガスを供給する際の処理条件と同様とすればよく、硼素含有ガスを供給する際の処理条件は、上述の実施形態における炭素含有ガスを供給する際の処理条件と同様とすればよい。なお、硼素含有ガスの供給により、ＳｉＣＮ層上に硼素含有層として硼素層（Ｂ層）や硼素含有ガス（例えばＢＣｌ_３ガス）の化学吸着層、すなわち、ＢＣｌ_３ガスが分解した物質（ＢＣｌ_ｘ）の化学吸着層が形成されるが、この場合も、それらの吸着状態を不飽和状態とするのが好ましい。

なお、ＢＣｌ_ｘ等のＳｉＣＮ層上への吸着状態を不飽和状態とするには、硼素含有ガスを供給する際の処理条件を上述のような処理条件とすればよいが、さらに硼素含有ガスを供給する際の処理条件を次の処理条件とすることで、ＢＣｌ_ｘ等のＳｉＣＮ層上への吸着状態を不飽和状態とすることが容易となる。

ウエハ温度：５００〜６３０℃
処理室内圧力：１３３〜２６６６Ｐａ
ＢＣｌ_３ガス分圧：６７〜２５１５Ｐａ
ＢＣｌ_３ガス供給流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ
Ｎ_２ガス供給流量：３００〜１０００ｓｃｃｍ
ＢＣｌ_３ガス供給時間：６〜１００秒

本応用例によれば、上述の実施形態と同様な作用効果が得られる。
例えば、応用例の第１シーケンスまたは第２シーケンスにおいて、各ステップにおける処理容器内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＢＣＮ層における各元素成分、すなわちシリコン成分、硼素成分、炭素成分、窒素成分の割合、すなわち、シリコン濃度、硼素濃度、炭素濃度、窒素濃度を調整することができ、ＳｉＢＣＮ膜の組成比を制御することができる。

また例えば、応用例の第１シーケンスまたは第２シーケンスにおいて、ＳｉＣＮ層およびＢＮ層のうち少なくともいずれかの層の厚さを制御することで、ＳｉＢＣＮ膜の組成比を制御することもできる。例えば、数原子層の厚さのＳｉＣＮ層と１原子層未満の厚さのＢＮ層とを交互に積層するようにすれば、ＳｉＢＣＮ膜の硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に（硼素成分の割合をプアな方向に）制御できることとなる。また例えば、１原子層未満の厚さのＳｉＣＮ層と数原子層の厚さのＢＮ層とを交互に積層するようにすれば、ＳｉＢＣＮ膜の窒素成分、炭素成分に対するシリコン成分、硼素成分の割合をリッチな方向に（窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に）制御できることとなる。なお、処理条件によっては、交互に積層するＳｉＣＮ層とＢＮ層とを相互拡散させることもできる。

また例えば、応用例の第２シーケンスにおいて、ＳｉＣＮ層およびＢＮ層のうち少なくともいずれかの層の層数、すなわち、セット数（ｘ、ｙ）を制御することで、ＳｉＢＣＮ膜の組成比をより緻密に制御することもできる。例えば、５層のＳｉＣＮ層と２層のＢＮ層とを交互に積層するようにすれば、ＳｉＢＣＮ膜の硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に（硼素成分の割合をプアな方向に）制御できることとなる。また例えば、２層のＳｉＣＮ層と５層のＢＮ層とを交互に積層するようにすれば、ＳｉＢＣＮ膜の窒素成分、炭素成分に対するシリコン成分、硼素成分の割合をリッチな方向に（窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に）制御できることとなる。更には、セット数（ｘ、ｙ）の組み合せにより、特定の元素の成分の割合を微量（例えば数％）とする微量組成制御も可能となる。なお、それぞれのセット数を増やすことで、１サイクルあたりに形成するＳｉＣＮ層やＢＮ層の層数をセット数の数だけ増やすことができ、サイクルレートを向上させることができ、成膜レートを向上させることも可能となる。

また例えば、上述の実施形態では、酸炭窒化膜として、半導体元素であるシリコンを含むシリコン系絶縁膜（ＳｉＯＣＮ膜）を形成する例について説明したが、本発明は、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）等の金属元素を含む金属系薄膜を形成する場合にも適用することができる。

すなわち、本発明は、例えば、チタン酸炭窒化膜（ＴｉＯＣＮ膜）、ジルコニウム酸炭窒化膜（ＺｒＯＣＮ膜）、ハフニウム酸炭窒化膜（ＨｆＯＣＮ膜）、タンタル酸炭窒化膜（ＴａＯＣＮ膜）、アルミニウム酸炭窒化膜（ＡｌＯＣＮ膜）、モリブデン酸炭窒化膜（ＭｏＯＣＮ膜）、タングステン酸炭窒化膜（ＷＯＣＮ膜）、ガリウム酸炭窒化膜（ＧａＯＣＮ膜）、ゲルマニウム酸炭窒化膜（ＧｅＯＣＮ膜）や、これらを組み合わせたり、混合させたりした金属酸炭窒化膜を形成する場合にも適用することができる。

この場合、上述の実施形態におけるシリコン原料ガスの代わりに、チタン原料ガス、ジ
ルコニウム原料ガス、ハフニウム原料ガス、タンタル原料ガス、アルミニウム原料ガス、モリブデン原料ガス、タングステン原料ガス、ガリウム原料ガス、ゲルマニウム原料ガス等の金属原料ガス（金属元素含有ガス）を用い、上述の実施形態と同様なシーケンス（第１シーケンスおよび第２シーケンス）により成膜を行うことができる。

すなわち、この場合、例えば、第１シーケンスにおいては、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して金属元素含有ガスを供給することで、ウエハ２００上に金属元素含有層を形成する工程（ステップ１）と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して炭素含有ガスを供給することで、金属元素含有層の上に炭素含有層を形成して金属元素および炭素を含む層を形成する工程（ステップ２）と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して窒素含有ガスを供給することで、金属元素および炭素を含む層を窒化して金属炭窒化層を形成する工程（ステップ３）と、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して金属元素含有ガスを供給することで、ウエハ２００上に金属元素含有層を形成する工程（ステップ４）と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して酸素含有ガスを供給することで、金属元素含有層を酸化して金属酸化層を形成する工程（ステップ５）と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に、金属炭窒化層と金属酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の金属酸炭窒化膜を形成する。

また、この場合、例えば、第２シーケンスにおいては、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して金属元素含有ガスを供給することで、ウエハ２００上に金属元素含有層を形成する工程（ステップ１）と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して炭素含有ガスを供給することで、金属元素含有層の上に炭素含有層を形成して金属元素および炭素を含む層を形成する工程（ステップ２）と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して窒素含有ガスを供給することで、金属元素および炭素を含む層を窒化して金属炭窒化層を形成する工程（ステップ３）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｘ回）行うことでウエハ２００上に所定厚さの金属炭窒化層を形成する工程と、
処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して金属元素含有ガスを供給することで、ウエハ２００上に金属元素含有層を形成する工程（ステップ４）と、処理容器内の加熱されたウエハ２００に対して酸素含有ガスを供給することで、金属元素含有層を酸化して金属酸化層を形成する工程（ステップ５）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｙ回）行うことでウエハ２００上に所定厚さの金属酸化層を形成する工程と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことにより、ウエハ２００上に金属炭窒化層と金属酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の金属酸炭窒化膜を形成する。

第１シーケンスおよび第２シーケンスのいずれの場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。また、第１シーケンスおよび第２シーケンスのいずれの場合においても、金属元素含有層を形成する工程においては、ＣＶＤ反応が生じる条件下でウエハ２００に対して金属元素含有ガスを供給する。

例えば、金属酸炭窒化膜としてＴｉＯＣＮ膜を形成する場合は、Ｔｉを含む原料として、テトラキスエチルメチルアミノチタニウム（Ｔｉ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）（ＣＨ_３）］_４、略称：ＴＥＭＡＴ）、テトラキスジメチルアミノチタニウム（Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４、略称：ＴＤＭＡＴ）、テトラキスジエチルアミノチタニウム（Ｔｉ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_４、略称：ＴＤＥＡＴ）などの有機原料や、チタニウムテトラクロライド（ＴｉＣｌ_４）などの無機原料を用いることができる。炭素含有ガスや窒素含有ガスや酸素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は
、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができるが、ウエハ温度は、例えば１００〜５００℃の範囲内の温度、処理室内圧力は、例えば１〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とするのがより好ましい。

また例えば、金属酸炭窒化膜としてＺｒＯＣＮ膜を形成する場合は、Ｚｒを含む原料として、テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム（Ｚｒ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）（ＣＨ_３）］_４、略称：ＴＥＭＡＺ）、テトラキスジメチルアミノジルコニウム（Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４、略称：ＴＤＭＡＺ）、テトラキスジエチルアミノジルコニウム（Ｚｒ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_４、略称：ＴＤＥＡＺ）などの有機原料や、ジルコニウムテトラクロライド（ＺｒＣｌ_４）などの無機原料を用いることができる。炭素含有ガスや窒素含有ガスや酸素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができるが、ウエハ温度は、例えば１００〜４００℃の範囲内の温度、処理室内圧力は、例えば１〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とするのがより好ましい。

また例えば、金属酸炭窒化膜としてＨｆＯＣＮ膜を形成する場合は、Ｈｆを含む原料として、テトラキスエチルメチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）（ＣＨ_３）］_４、略称：ＴＥＭＡＨ）、テトラキスジメチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４、略称：ＴＤＭＡＨ）、テトラキスジエチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_４、略称：ＴＤＥＡＨ）などの有機原料や、ハフニウムテトラクロライド（ＨｆＣｌ_４）などの無機原料を用いることができる。炭素含有ガスや窒素含有ガスや酸素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができるが、ウエハ温度は、例えば１００〜４００℃の範囲内の温度、処理室内圧力は、例えば１〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とするのがより好ましい。

また例えば、金属酸炭窒化膜としてＴａＯＣＮ膜を形成する場合は、Ｔａを含む原料として、ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５、略称：ＰＥＴ）、トリスジエチルアミノターシャリーブチルイミノタンタル（Ｔａ（ＮＣ（ＣＨ_３）_３）（Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２）_３、略称：ＴＢＴＤＥＴ）などの有機原料や、タンタルペンタクロライド（ＴａＣｌ_５）、タンタルペンタフルオライド（ＴａＦ_５）などの無機原料を用いることができる。炭素含有ガスや窒素含有ガスや酸素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができるが、ウエハ温度は、例えば１００〜５００℃の範囲内の温度、処理室内圧力は、例えば１〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とするのがより好ましい。

また例えば、金属酸炭窒化膜としてＡｌＯＣＮ膜を形成する場合は、Ａｌを含む原料として、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ_３）_３、略称：ＴＭＡ）などの有機原料や、トリクロロアルミニウム（ＡｌＣｌ_３）などの無機原料を用いることができる。炭素含有ガスや窒素含有ガスや酸素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができるが、ウエハ温度は、例えば１００〜４００℃の範囲内の温度、処理室内圧力は、例えば１〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とするのがより好ましい。

このように、本発明は金属酸炭窒化膜の成膜にも適用することができ、この場合であっても上述の実施形態と同様な作用効果が得られる。すなわち、本発明は、半導体元素や金属元素等の所定元素を含む酸炭窒化膜を形成する場合に適用することができる。

また、上述の実施形態では、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の基板処理装置を用いて成膜する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、一度に１枚または数
枚の基板を処理する枚葉式の基板処理装置を用いて成膜する場合にも、好適に適用できる。

また、上述の各実施形態や各変形例や各応用例等は、適宜組み合わせて用いることができる。

また、本発明は、例えば、既存の基板処理装置のプロセスレシピを変更することでも実現できる。プロセスレシピを変更する場合は、本発明に係るプロセスレシピを電気通信回線や当該プロセスレシピを記録した記録媒体を介して既存の基板処理装置にインストールしたり、また、既存の基板処理装置の入出力装置を操作し、そのプロセスレシピ自体を本発明に係るプロセスレシピに変更することも可能である。

（第１実施例）
上述の実施形態に係る第１シーケンスにより組成比を制御しつつＳｉＯＣＮ膜を形成し、そのＳｉＯＣＮ膜の組成比とウエハ面内膜厚均一性を測定した。シリコン含有ガスとしてはＨＣＤガスを、炭素含有ガスとしてはＣ_３Ｈ_６ガスを、窒素含有ガスとしてはＮＨ_３ガスを、酸素含有ガスとしてはＯ_２ガスを用いた。ＳｉＯＣＮ膜の組成比制御は、組成比を制御する因子である圧力およびガス供給時間（照射時間）を調整することで行った。

まず第１シーケンスの第２ステップにおける処理室内圧力及びＣ_３Ｈ_６ガス供給時間を調整して、炭素濃度が約８ａｔｏｍｓ％のＳｉＯＣＮ膜をウエハ上に形成した。そのときの処理条件は次のように設定した。

＜第１シーケンス（基準処理条件）＞
（第１ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
ＨＣＤガス供給流量：０．２ｓｌｍ
ＨＣＤガス照射時間：６秒
（第２ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：３９９Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）
Ｃ_３Ｈ_６ガス供給流量：１ｓｌｍ
Ｃ_３Ｈ_６ガス照射時間：１２秒
（第３ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：８６６Ｐａ（６．５Ｔｏｒｒ）
ＮＨ_３ガス供給流量：４．５ｓｌｍ
ＮＨ_３ガス照射時間：１８秒
（第４ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
ＨＣＤガス供給流量：０．２ｓｌｍ
ＨＣＤガス照射時間：６秒
（第５ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
Ｏ_２ガス供給流量：１ｓｌｍ
Ｏ_２ガス照射時間：１８秒

この処理条件を基準処理条件として、各処理条件を調整することで炭素濃度が約１２ａｔｏｍｓ％のＳｉＯＣＮ膜の形成を試みた。

結果、第２ステップにおける処理室内圧力を３９９Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）から２３９４Ｐａ（１８Ｔｏｒｒ）とすることで、炭素濃度が約１２ａｔｏｍｓ％のＳｉＯＣＮ膜が得られ、基準処理条件により形成したＳｉＯＣＮ膜よりも炭素比率の高いＳｉＯＣＮ膜の形成が可能となることを確認した。すなわち、第２ステップにおける処理室内圧力を基準処理条件における処理室内圧力よりも高くすることで、炭素比率の高いＳｉＯＣＮ膜の形成が可能となることを確認した。また、炭素濃度が上昇した分、窒素濃度が減少していることも確認した。なお、第２ステップにおける処理室内圧力以外の処理条件は、基準処理条件と同一とした。すなわち、そのときの処理条件は次のように設定した。

＜第１シーケンス（Ｃ_３Ｈ_６ガス供給時圧力変更）＞
（第１ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
ＨＣＤガス供給流量：０．２ｓｌｍ
ＨＣＤガス照射時間：６秒
（第２ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：２３９４Ｐａ（１８Ｔｏｒｒ）
Ｃ_３Ｈ_６ガス供給流量：１ｓｌｍ
Ｃ_３Ｈ_６ガス照射時間：１２秒
（第３ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：８６６Ｐａ（６．５Ｔｏｒｒ）
ＮＨ_３ガス供給流量：４．５ｓｌｍ
ＮＨ_３ガス照射時間：１８秒
（第４ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
ＨＣＤガス供給流量：０．２ｓｌｍ
ＨＣＤガス照射時間：６秒
（第５ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
Ｏ_２ガス供給流量：１ｓｌｍ
Ｏ_２ガス照射時間：１８秒

また、第２ステップにおけるＣ_３Ｈ_６ガス照射時間を１２秒から７２秒とすることでも、炭素濃度が約１２ａｔｏｍｓ％のＳｉＯＣＮ膜が得られ、基準処理条件により形成したＳｉＯＣＮ膜よりも炭素比率の高いＳｉＯＣＮ膜の形成が可能となることを確認した。すなわち、第２ステップにおけるＣ_３Ｈ_６ガス照射時間を基準処理条件におけるＣ_３Ｈ_６ガス照射時間よりも長くすることでも、炭素比率の高いＳｉＯＣＮ膜の形成が可能となることを確認した。また、炭素濃度が上昇した分、窒素濃度が減少していることも確認した。なお、第２ステップにおけるＣ_３Ｈ_６ガス照射時間以外の処理条件は、基準処理条件と同一とした。すなわち、そのときの処理条件は次のように設定した。

＜第１シーケンス（Ｃ_３Ｈ_６ガス照射時間変更）＞
（第１ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
ＨＣＤガス供給流量：０．２ｓｌｍ
ＨＣＤガス照射時間：６秒
（第２ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：３９９Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）
Ｃ_３Ｈ_６ガス供給流量：１ｓｌｍ
Ｃ_３Ｈ_６ガス照射時間：７２秒
（第３ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：８６６Ｐａ（６．５Ｔｏｒｒ）
ＮＨ_３ガス供給流量：４．５ｓｌｍ
ＮＨ_３ガス照射時間：１８秒
（第４ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
ＨＣＤガス供給流量：０．２ｓｌｍ
ＨＣＤガス照射時間：６秒
（第５ステップ）
処理室内温度：６３０℃
処理室内圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
Ｏ_２ガス供給流量：１ｓｌｍ
Ｏ_２ガス照射時間：１８秒

このとき、形成したそれぞれのＳｉＯＣＮ膜のウエハ面内膜厚均一性はいずれも±１．５％以下となり、良好な結果が得られた。なお、ウエハ面内膜厚均一性は、ウエハ面内における膜厚分布のばらつきの度合を示しており、その値が小さいほどウエハ面内における膜厚分布均一性が良好なことを示している。

このように、本実施例によれば、優れたウエハ面内膜厚均一性を有するＳｉＯＣＮ膜を形成できることが分かった。そして、実施例に係るＳｉＯＣＮ膜を絶縁膜として用いた場合、ＳｉＯＣＮ膜の面内で均質な性能を提供することが可能となり、半導体装置の性能向上や生産歩留りの向上に貢献できることが分かった。

（第２実施例）
上述の実施形態に係る第２シーケンスにより組成比を制御しつつＳｉＯＣＮ膜を形成し、そのＳｉＯＣＮ膜の組成比とウエハ面内膜厚均一性を測定した。シリコン含有ガスとしてはＨＣＤガスを、炭素含有ガスとしてはＣ_３Ｈ_６ガスを、窒素含有ガスとしてはＮＨ_３ガスを、酸素含有ガスとしてはＯ_２ガスを用いた。各ステップにおける処理条件は、上述の第１実施例の基準処理条件の各ステップにおける処理条件と同様な処理条件とした。ＳｉＯＣＮ膜の組成比制御は、第２シーケンスにおける各セット数、すなわち、ＳｉＣＮ層形成工程のセット数（ｘ）とＳｉＯ層形成工程のセット数（ｙ）とを調整することで行った。

結果、第２シーケンスにおけるＳｉＣＮ層形成工程のセット数（ｘ）を２回とし、ＳｉＯ層形成工程のセット数（ｙ）を１回とすることで（ｘ＝２、ｙ＝１）、炭素濃度が約１６ａｔｏｍｓ％のＳｉＯＣＮ膜が得られ、第１実施例すなわち第１シーケンス（基準処理条件）により形成したＳｉＯＣＮ膜よりも炭素比率の高いＳｉＯＣＮ膜の形成が可能とな
ることを確認した。なお、ＳｉＣＮ層形成工程のセット数（ｘ）を１回とし、ＳｉＯ層形成工程のセット数（ｙ）を１回とするケース（ｘ＝１、ｙ＝１）が、第１シーケンスに相当する。すなわち、第２シーケンスにおけるＳｉＣＮ層形成工程のセット数（ｘ）を、第１シーケンスにおけるＳｉＣＮ層形成工程の１サイクルあたりの実施回数（１回）よりも多くすることで、炭素比率の高いＳｉＯＣＮ膜の形成が可能となることを確認した。また、炭素濃度が上昇した分、窒素濃度が減少していることも確認した。このとき、形成したＳｉＯＣＮ膜のウエハ面内膜厚均一性は±１．５％以下となり、良好な結果が得られることを確認した。

このように、本実施例によれば、優れたウエハ面内膜厚均一性を有するＳｉＯＣＮ膜を形成できることが分かった。そして、実施例に係るＳｉＯＣＮ膜を絶縁膜として用いた場合、ＳｉＯＣＮ膜の面内で均質な性能を提供することが可能となり、半導体装置の性能向上や生産歩留りの向上に貢献できることが分かった。

＜本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様について付記する。

（付記１）
本発明の一態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。

（付記２）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記炭窒化層を形成する工程では、前記基板に対して、所定元素含有ガスを供給する工程と、炭素含有ガスを供給する工程と、窒素含有ガスを供給する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行い、
前記酸化層を形成する工程では、前記基板に対して、所定元素含有ガスを供給する工程と、酸素含有ガスを供給する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行う。

（付記３）
付記２の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記炭窒化層を形成する工程では、前記基板に対して所定元素含有ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記基板に対して炭素含有ガスを供給することで、前記所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、前記基板に対して窒素含有ガスを供給することで、前記所定元素および炭素を含む層を窒化して所定元素を含む炭窒化層を形成する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行い、
前記酸化層を形成する工程では、前記基板に対して所定元素含有ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記基板に対して酸素含有ガスを供給することで、前記所定元素含有層を酸化して所定元素を含む酸化層を形成する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行う。

（付記４）
付記３の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記所定元素含有層を形成する工程では、前記基板上に、前記所定元素含有層として、所定元素の連続的な堆積層、所定元素の不連続な堆積層、所定元素含有ガスの連続的な化学吸着層および所定元素含有ガスの不連続な化学吸着層のうち少なくともいずれかの層を形成する。

（付記５）
付記３の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記所定元素含有層を形成する工程では、前記基板上に、前記所定元素含有層として、所定元素の連続的な堆積層および所定元素の不連続な堆積層のうち少なくともいずれかの層を形成する。

（付記６）
付記３〜５のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記所定元素および炭素を含む層を形成する工程では、前記所定元素含有層の上に前記炭素含有層として炭素含有ガスの不連続な化学吸着層を形成する。

（付記７）
付記３〜６のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記炭窒化層を形成する工程では、前記所定元素および炭素を含む層の窒素含有ガスによる窒化反応が不飽和となる条件下で、前記所定元素および炭素を含む層を熱的に窒化する。

（付記８）
付記３〜７のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記酸化層を形成する工程では、前記所定元素含有層の酸素含有ガスによる酸化反応が不飽和となる条件下で、前記所定元素含有層を熱的に酸化する。

（付記９）
付記３〜８のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記所定元素含有層を形成する工程では、ＣＶＤ反応が生じる条件下で、前記基板に対して所定元素含有ガスを供給する。

（付記１０）
付記１〜９のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、前記所定元素が半導体元素または金属元素である。

（付記１１）
付記１〜１０のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、前記所定元素がシリコンである。

（付記１２）
本発明の他の態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスを供給する工程と、炭素含有ガスを供給する工程と、窒素含有ガスを供給する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行うことで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、所定元素含有ガスを供給する工程と、酸素含有ガスを供給する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行うことで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。

（付記１３）
本発明のさらに他の態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスを供給する工程と、炭素含有ガスを供給する工程と、窒素含有ガスを供給する工程と、を行うことで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、所定元素含有ガスを供給する工程と、酸素含有ガスを供給する工程と、を行うことで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。

（付記１４）
本発明のさらに他の態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して所定元素含有ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して炭素含有ガスを供給することで、前記所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して窒素含有ガスを供給することで、前記所定元素および炭素を含む層を窒化して所定元素を含む炭窒化層を形成する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行うことで前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して所定元素含有ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して酸素含有ガスを供給することで、前記所定元素含有層を酸化して所定元素を含む酸化層を形成する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行うことで前記基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。

（付記１５）
本発明の他の態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して所定元素含有ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して炭素含有ガスを供給することで、前記所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して窒素含有ガスを供給することで、前記所定元素および炭素を含む層を窒化して所定元素を含む炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して所定元素含有ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して酸素含有ガスを供給することで、前記所定元素含有層を酸化して所定元素を含む酸化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。

（付記１６）
本発明のさらに他の態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する基板処理方法が提供される。

（付記１７）
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内の基板を加熱するヒータと、
前記処理容器内の基板に対して所定元素含有ガスを供給する所定元素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の基板に対して炭素含有ガスを供給する炭素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の基板に対して窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の基板に対して酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の加熱された基板に対して所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する処理と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する処理と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成するように、前記ヒータ、前記所定元素含有ガス供給系、前記炭素含有ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系および前記酸素含有ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。

（付記１８）
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する手順と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する手順と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する手順と、
をコンピュータに実行させるためのプログラムが提供される。

（付記１９）
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する手順と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する手順と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する手順と、
をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な
記録媒体が提供される。

（付記２０）
本発明のさらに他の態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、硼素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定厚さの硼窒化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記硼窒化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の硼炭窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。

（付記２１）
本発明のさらに他の態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスを供給する工程と、炭素含有ガスを供給する工程と、窒素含有ガスを供給する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行うことで前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、硼素含有ガスを供給する工程と、窒素含有ガスを供給する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行うことで前記基板上に所定厚さの硼窒化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記硼窒化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の硼炭窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。

（付記２２）
本発明のさらに他の態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスを供給する工程と、炭素含有ガスを供給する工程と、窒素含有ガスを供給する工程と、を行うことで前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、硼素含有ガスを供給する工程と、窒素含有ガスを供給する工程と、を行うことで前記基板上に所定厚さの硼窒化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記硼窒化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の硼炭窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。

（付記２３）
本発明のさらに他の態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して所定元素含有ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して炭素含有ガスを供給することで、前記所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して窒素含有ガスを供給することで、前記所定元素および炭素を含む層を窒化して所定元素を含む炭窒化層を形成する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行うことで前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して硼素含有ガスを供給することで、前記基板上に硼素含有層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して窒素含有ガスを供給することで、前記硼素含有層を窒化して硼窒化層を形成する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行うことで前記基板上に所定厚さの硼窒化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記硼窒化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の硼炭窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。

（付記２４）
本発明の他の態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して所定元素含有ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して炭素含有ガスを供給することで、前記所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して窒素含有ガスを供給することで、前記所定元素および炭素を含む層を窒化して所定元素を含む炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して硼素含有ガスを供給することで、前記基板上に硼素含有層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して窒素含有ガスを供給することで、前記硼素含有層を窒化して硼窒化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記硼窒化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の硼炭窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。

（付記２５）
本発明のさらに他の態様によれば、
処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、硼素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定厚さの硼窒化層を形成する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記硼窒化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の硼炭窒化膜を形成する工程を有する基板処理方法が提供される。

（付記２６）
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内の基板を加熱するヒータと、
前記処理容器内の基板に対して所定元素含有ガスを供給する所定元素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の基板に対して炭素含有ガスを供給する炭素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の基板に対して窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の基板に対して硼素含有ガスを供給する硼素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の加熱された基板に対して所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する処理と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して硼素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定厚さの硼窒化層を形成する処理と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記硼窒化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の硼炭窒化膜を形成するように、前記ヒータ、前記所定元素含有ガス供給系、前記炭素含有ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系および前記硼素含有ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。

（付記２７）
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する手順と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、硼素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定厚さの硼窒化層を形成する手順と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記硼窒化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の硼炭窒化膜を形成する手順と、
をコンピュータに実行させるためのプログラムが提供される。

（付記２８）
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する手順と、
前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、硼素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定厚さの硼窒化層を形成する手順と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記硼窒化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の硼炭窒化膜を形成する手順と、
をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

１２１ コントローラ
２００ ウエハ
２０１ 処理室
２０２ 処理炉
２０３ 反応管
２０７ ヒータ
２３１ 排気管
２３２ａ 第１ガス供給管
２３２ｂ 第２ガス供給管
２３２ｃ 第３ガス供給管
２３２ｄ 第４ガス供給管

Claims (16)

1. 処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスを供給することで第１の所定元素含有層を形成する工程と、炭素含有ガスを供給することで前記第１の所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、窒素含有ガスを供給することで前記所定元素および炭素を含む層を窒化する工程と、を含む第１のセットを所定回数行うことにより、前記所定元素を含む炭窒化層を形成する工程と、
   前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、所定元素含有ガスを供給することで第２の所定元素含有層を形成する工程と、酸素含有ガスを供給することで前記第２の所定元素含有層を酸化する工程と、を含む第２のセットを所定回数行うことにより、前記所定元素を含む酸化層を形成する工程と、
   を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有し、
   前記第２の所定元素含有層を酸化する工程では、前記第２の所定元素含有層の前記酸素含有ガスによる酸化反応が不飽和となる条件下で、前記第２の所定元素含有層を熱的に酸化する半導体装置の製造方法。
2. 前記第１の所定元素含有層を形成する工程では、前記第１の所定元素含有層として、前記所定元素の連続的な堆積層、前記所定元素の不連続な堆積層、前記所定元素含有ガスの連続的な化学吸着層および前記所定元素含有ガスの不連続な化学吸着層のうち少なくともいずれかの層を形成し、
   前記第２の所定元素含有層を形成する工程では、前記第２の所定元素含有層として、前記所定元素の連続的な堆積層、前記所定元素の不連続な堆積層、前記所定元素含有ガスの連続的な化学吸着層および前記所定元素含有ガスの不連続な化学吸着層のうち少なくともいずれかの層を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記所定元素および炭素を含む層を形成する工程では、前記第１の所定元素含有層の上に前記炭素含有層として前記炭素含有ガスの不連続な化学吸着層を形成する請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記所定元素および炭素を含む層を形成する工程では、前記第１の所定元素含有層上へ前記炭素含有ガスを化学吸着させ、前記炭素含有ガスの前記第１の所定元素含有層上への吸着状態を不飽和状態とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記所定元素および炭素を含む層を形成する工程では、前記第１の所定元素含有層上への前記炭素含有ガスの化学吸着が不飽和となる条件下で、前記第１の所定元素含有層上へ前記炭素含有ガスを化学吸着させる請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記炭窒化層を形成する工程では、前記所定元素および炭素を含む層の前記窒素含有ガスによる窒化反応が不飽和となる条件下で、前記所定元素および炭素を含む層を熱的に窒化する請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第１の所定元素含有層を形成する工程および前記第２の所定元素含有層を形成する工程では、ＣＶＤ反応が生じる条件下で、前記基板に対して前記所定元素含有ガスを供給する請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記第１の所定元素含有層を形成する工程および前記第２の所定元素含有層を形成する工程では、前記所定元素含有ガスが熱分解する条件下で、前記基板に対して前記所定元素含有ガスを供給する請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記炭窒化層は、数原子層の厚さを有しており、前記酸化層は、１原子層未満の厚さを有している請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記炭窒化層は、１原子層未満の厚さを有しており、前記酸化層は、数原子層の厚さを有している請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記第１のセットを数回行い、前記第２のセットを１回行う請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記第１のセットを１回行い、前記第２のセットを数回行う請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記所定元素が半導体元素または金属元素である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
14. 処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスを供給することで第１の所定元素含有層を形成する工程と、炭素含有ガスを供給することで前記第１の所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、窒素含有ガスを供給することで前記所定元素および炭素を含む層を窒化する工程と、を含む第１のセットを所定回数行うことにより、前記所定元素を含む炭窒化層を形成する工程と、
    前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、所定元素含有ガスを供給することで第２の所定元素含有層を形成する工程と、酸素含有ガスを供給することで前記第２の所定元素含有層を酸化する工程と、を含む第２のセットを所定回数行うことにより、前記所定元素を含む酸化層を形成する工程と、
    を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有し、
    前記第２の所定元素含有層を酸化する工程では、前記第２の所定元素含有層の前記酸素含有ガスによる酸化反応が不飽和となる条件下で、前記第２の所定元素含有層を熱的に酸化する基板処理方法。
15. 基板を収容する処理容器と、
    前記処理容器内の基板を加熱するヒータと、
    前記処理容器内の基板に対して所定元素含有ガスを供給する所定元素含有ガス供給系と、
    前記処理容器内の基板に対して炭素含有ガスを供給する炭素含有ガス供給系と、
    前記処理容器内の基板に対して窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系と、
    前記処理容器内の基板に対して酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
    前記処理容器内の加熱された基板に対して、前記所定元素含有ガスを供給することで第１の所定元素含有層を形成する処理と、前記炭素含有ガスを供給することで前記第１の所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する処理と、前記窒素含有ガスを供給することで前記所定元素および炭素を含む層を窒化する処理と、を含む第１のセットを所定回数行うことにより、前記所定元素を含む炭窒化層を形成する処理と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、前記所定元素含有ガスを供給することで第２の所定元素含有層を形成する処理と、前記酸素含有ガスを供給することで前記第２の所定元素含有層を酸化する処理と、を含む第２のセットを所定回数行うことにより、前記所定元素を含む酸化層を形成する処理と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成させ、前記第２の所定元素含有層を酸化する処理では、前記第２の所定元素含有層の前記酸素含有ガスによる酸化反応が不飽和となる条件下で、前記第２の所定元素含有層を熱的に酸化させるように、前記ヒータ、前記所定元素含有ガス供給系、前記炭素含有ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系および前記酸素含有ガス供給系を制御する制御部と、
    を有する基板処理装置。
16. 処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスを供給することで第１の所定元素含有層を形成する手順と、炭素含有ガスを供給することで前記第１の所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する手順と、窒素含有ガスを供給することで前記所定元素および炭素を含む層を窒化する手順と、を含む第１のセットを所定回数行うことにより、前記所定元素を含む炭窒化層を形成する手順と、
    前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、所定元素含有ガスを供給することで第２の所定元素含有層を形成する手順と、酸素含有ガスを供給することで前記第２の所定元素含有層を酸化する手順と、を含む第２のセットを所定回数行うことにより、前記所定元素を含む酸化層を形成する手順と、
    を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する手順をコンピュータに実行させ、
    前記第２の所定元素含有層を酸化する手順では、前記第２の所定元素含有層の前記酸素含有ガスによる酸化反応が不飽和となる条件下で、前記第２の所定元素含有層を熱的に酸化させるプログラム。

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