JP5919816B2 - Optical film - Google Patents
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Description
本発明はフマル酸ジエステル系樹脂よりなる表面抵抗が低く抑えられた光学フィルムに関するものである。 The present invention relates to an optical film having a low surface resistance made of a fumaric acid diester resin.
近年、液晶ディスプレイ(以下、LCDと称する)、有機ELディスプレイ、プラズマディスプレイパネル、電子ペーパー、タッチパネルなどには光学フィルムとして多くのプラスチックフィルム材料が用いられる。特にフマル酸ジエステル系樹脂を用いる光学フィルムはその透明性、耐熱性、複屈折性などを操作することで広範囲の光学フィルムに用いることができ有用である。 In recent years, many plastic film materials are used as optical films for liquid crystal displays (hereinafter referred to as LCDs), organic EL displays, plasma display panels, electronic paper, touch panels, and the like. In particular, an optical film using a fumaric acid diester resin is useful because it can be used for a wide range of optical films by manipulating its transparency, heat resistance, birefringence and the like.
しかしながら、高い耐熱性を有するフマル酸ジエステル系樹脂は非常に帯電しやすく、溶液塗工による製膜・乾燥工程、作成した光学フィルムを裁断加工、積層するなどの2次加工工程において静電気による塵埃の吸着や静電気の放電現象あるいは貼り付きによるハンドリングの悪化などが生じる問題がある。 However, fumaric acid diester resin having high heat resistance is very easy to be charged. Dust generation due to static electricity in film forming and drying processes by solution coating, and secondary processing processes such as cutting and laminating the produced optical film. There is a problem that adsorption or static electricity discharge phenomenon or handling deterioration due to sticking occurs.
そのため、フィルム材料を取扱う際に、静電気を発生させ難いように金属ロールなどの生産設備との高速接触、摩擦を出来るだけ抑えたり、静電気がフィルムに帯電したものを出来るだけ除去するために湿度の高い環境調整したり、水ミスト雰囲気としたり、除電バーやイオナイザーのような静電気除去装置を用いたりする方法でも静電気対策が行なわれる。 For this reason, when handling film materials, it is necessary to prevent contact with high-speed contact with metal rolls and other production equipment so that static electricity is difficult to generate, and to suppress friction as much as possible. Countermeasures against static electricity can also be made by adjusting the environment to a high level, using a water mist atmosphere, or using a static elimination device such as a static elimination bar or ionizer.
一方、光学フィルムの材料面では通常帯電防止剤の表面抵抗を低下させる添加剤を配合して静電気対策が行なわれることがある。 On the other hand, on the material side of the optical film, countermeasures against static electricity are sometimes taken by adding an additive that lowers the surface resistance of the antistatic agent.
一般に静電気を帯びて帯電しやすいポリマーに対しては帯電防止剤としてノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤などを配合して表面に偏析させることで表面抵抗値を低下させるものであり、ガラス転移温度が比較的低い市販のポリマー材料として例えば、オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、塩ビ系樹脂、エステル系、ウレタン系樹脂などにおいて広く利用されている。しかし、フマル酸ジエステル系樹脂のように特に高耐熱性が高く、ガラス転移温度を示さないような場合や、非晶性の樹脂としてかなり高温の域として例えば温度200℃において周波数10Hzにおける動的粘弾性測定から求められる動的貯蔵弾性率(E’)が2.0×107Pa以上であるような高い材料弾性率を有する場合についてポリマー中に帯電防止剤などを配合して表面抵抗を低下させる方法などについて殆ど知られていない。 In general, non-ionic surfactants, cationic surfactants, anionic surfactants, etc. are added as antistatic agents to polymers that are easily charged with static electricity, and the surface resistance value is reduced. As a commercially available polymer material having a relatively low glass transition temperature, for example, it is widely used in olefin resins, acrylic resins, styrene resins, vinyl chloride resins, ester resins, urethane resins, and the like. However, it has a particularly high heat resistance such as a fumaric acid diester resin and does not show a glass transition temperature, or as a non-crystalline resin, a dynamic temperature at a temperature of 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, for example. When the dynamic storage elastic modulus (E ′) obtained from the elasticity measurement is 2.0 × 10 7 Pa or higher, the polymer has an antistatic agent and the like to reduce the surface resistance. Little is known about how to make it happen.
しかし、材料面での検討として例えば特許文献1、特許文献2などにおいては、光学フィルム、コート薄膜を作成する製造方法について記載しているが帯電特性、静電気の抑制についての記述はなく、特にポリマーフィルムあるいは膜中に帯電防止剤などを配合して静電気を抑制するための方法に関する記述はない。 However, as a study in terms of materials, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2 describe a manufacturing method for producing an optical film and a coated thin film, but there is no description about charging characteristics and suppression of static electricity, and particularly a polymer. There is no description regarding a method for suppressing static electricity by blending an antistatic agent or the like into the film or film.
本発明の目的はフマル酸ジエステル系樹脂を用いた光学フィルムについて、表面抵抗を抑えて静電気帯電による塵埃の吸着、放電など及びハンドリング性を改良した光学フィルム並びにこの光学フィルムの製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an optical film using a fumaric acid diester resin, which has improved surface adsorption and improved dust adsorption, discharge, and handling properties due to electrostatic charging, and a method for producing the optical film. It is in.
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定のフマル酸ジエステル系樹脂を用いた光学フィルムの表面抵抗を低下させ、静電気による帯電によって生じる問題を発生させにくい光学フィルムを見出した。すなわち、本発明は、所定の一般式で表されるフマル酸ジエステル残基を含むフマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対して、又は所定の一般式で表されるフマル酸ジエステル残基75モル%以上100モル%未満、及び環員数3〜6の環状エーテル基を有する(メタ)アクリル酸エステル残基0モル%を超えて25モル%以下のフマル酸ジエステル残基単位を含むフマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対して、カチオン系界面活性剤又はアニオン系界面活性剤を0.3〜3重量部含有し、表面抵抗値として印加電圧100Vにおいて表面抵抗が1014Ω/□以下を示すことを特徴とする光学フィルムである。 As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have reduced the surface resistance of an optical film using a specific fumaric acid diester resin, and are less likely to cause problems caused by electrostatic charging. I found it. That is, the present invention relates to 100 parts by weight of a fumaric acid diester resin containing a fumaric acid diester residue represented by a predetermined general formula, or 75 mol% of a fumaric acid diester residue represented by a predetermined general formula. A fumaric acid diester resin containing a fumaric acid diester residue unit of more than less than 100 mol% and a (meth) acrylic acid ester residue having a cyclic ether group having 3 to 6 ring members exceeding 0 mol% and not more than 25 mol% It contains 0.3 to 3 parts by weight of a cationic surfactant or an anionic surfactant with respect to 100 parts by weight, and the surface resistance is 10 14 Ω / □ or less at an applied voltage of 100 V as a surface resistance value. It is the optical film characterized.
以下に、本発明を詳細に説明する。 The present invention is described in detail below.
本発明の光学フィルムは、下記一般式(1)で表されるフマル酸ジエステル残基を含むフマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対して、カチオン系界面活性剤又はアニオン系界面活性剤を0.3〜3重量部含有するものである。 In the optical film of the present invention, a cationic surfactant or an anionic surfactant is added in an amount of 0.001 part to 100 parts by weight of a fumaric acid diester resin containing a fumaric acid diester residue represented by the following general formula (1). It contains 3 to 3 parts by weight.
また、本発明の光学フィルムは、上記一般式(1)で表されるフマル酸ジエステル残基75モル%以上100モル%未満、及び環員数3〜6の環状エーテル基を有する(メタ)アクリル酸エステル残基0モル%を超えて25モル%以下のフマル酸ジエステル残基単位を含むフマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対して、カチオン系界面活性剤又はアニオン系界面活性剤を0.3〜3重量部含有するものである。
The optical film of the present invention is a (meth) acrylic acid having a fumaric acid diester residue represented by the general formula (1) of 75 mol% or more and less than 100 mol% and a cyclic ether group having 3 to 6 ring members. A cationic surfactant or an anionic surfactant is added in an amount of 0.3 to 100 parts by weight of a fumaric acid diester resin containing a fumaric acid diester residue unit exceeding 0 mol% and not more than 25 mol%. It contains 3 parts by weight.
ここでフマル酸ジエステル系樹脂としては、一般式(1)で表されるフマル酸ジエステル残基を含むもの、又は、一般式(1)で表されるフマル酸ジエステル残基75モル%以上100モル%未満、及び環員数3〜6の環状エーテル基を有する(メタ)アクリル酸エステル残基0モル%を超えて25モル%以下のフマル酸ジエステル残基単位を含むものである。 Here, as the fumaric acid diester resin, those containing a fumaric acid diester residue represented by the general formula (1) or 75 mol% or more and 100 mol of the fumaric acid diester residue represented by the general formula (1) are used. %, And a (meth) acrylic acid ester residue having a cyclic ether group having 3 to 6 ring members exceeds 0 mol% and contains 25 mol% or less fumaric acid diester residue units.
一般式(1)で表されるフマル酸ジエステル残基としては、例えば、フマル酸ジメチル残基、フマル酸ジエチル残基、フマル酸ジイソプロピル残基、フマル酸ジ−tert−ブチル残基、フマル酸ジ−n−ブチル残基、フマル酸ジ−sec−ブチル残基、フマル酸イソブチル残基、フマル酸ジペンチル残基、フマル酸ジイソペンチル残基、フマル酸ジ−sec−イソアミル残基、フマル酸ジネオペンチル残基、フマル酸ジ−tert−ペンチル残基、フマル酸ジ−2−エチルヘキシル残基、フマル酸ジシクロプロピル残基、フマル酸ジシクロブチル残基、フマル酸ジシクロペンチル残基、フマル酸ジシクロヘキシル残基から選ばれる少なくとも1種類以上のフマル酸ジエステル残基等が挙げられる。その組合わせは特に限定するものではなく、例えば、嵩高い分子構造を有するフマル酸ジ−イソプロピル残基やフマル酸ジ−tert−ブチル残基などを多く配合するような組み合わせが好ましい。 Examples of the fumaric acid diester residue represented by the general formula (1) include dimethyl fumarate residue, diethyl fumarate residue, diisopropyl fumarate residue, di-tert-butyl fumarate residue, dimer fumarate. -N-butyl residue, di-sec-butyl fumarate residue, isobutyl fumarate residue, dipentyl fumarate residue, diisopentyl fumarate residue, di-sec-isoamyl fumarate residue, dineopentyl fumarate residue , Di-tert-pentyl fumarate residue, di-2-ethylhexyl fumarate residue, dicyclopropyl fumarate residue, dicyclobutyl fumarate residue, dicyclopentyl fumarate residue, dicyclohexyl fumarate residue Examples include at least one type of fumaric acid diester residue. The combination is not particularly limited, and for example, a combination in which many di-isopropyl fumarate residues and di-tert-butyl fumarate residues having a bulky molecular structure are blended is preferable.
また、フマル酸ジエステル系樹脂中に含まれる環員数3〜6の環状エーテル基を有する(メタ)アクリル酸エステル残基としては、例えば、アクリル酸グリシジル残基、メタクリル酸グリシジル残基、アクリル酸−3−エチル−3−オキセタニルメチル残基、メタクリル酸−3−エチル−3−オキセタニルメチル残基、アクリル酸テトラヒドロフルフリル残基、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル残基、アクリル酸−3,4−エポキシシクロヘキシルメチル残基、メタクリル酸−3,4−エポキシシクロヘキシルメチル残基等の環員数3〜6の環状エーテルを有する(メタ)アクリル酸エステル残基等が挙げられる。これは架橋などの特性を要求される場合などの必要に応じて0モル%を超えて25モル%以下となるように配合する。 Examples of the (meth) acrylic acid ester residue having a cyclic ether group having 3 to 6 ring members contained in the fumaric acid diester resin include, for example, glycidyl acrylate residue, glycidyl methacrylate residue, acrylic acid- 3-ethyl-3-oxetanylmethyl residue, methacrylic acid-3-ethyl-3-oxetanylmethyl residue, tetrahydrofurfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl acrylate Examples thereof include (meth) acrylic acid ester residues having a cyclic ether having 3 to 6 ring members such as methyl residues and methacrylic acid-3,4-epoxycyclohexylmethyl residues. This is blended so that it exceeds 0 mol% and is 25 mol% or less as required when characteristics such as crosslinking are required.
フマル酸ジエステル系樹脂は、本発明の効果を奏する限り、他の単量体残基単位を含有していてもよく、他の単量体残基単位としては、例えば、スチレン残基単位、α−メチルスチレン残基単位等のスチレン類残基単位;(メタ)アクリル酸残基単位;(メタ)アクリル酸メチル残基単位、(メタ)アクリル酸エチル残基単位、(メタ)アクリル酸ブチル残基単位等の(メタ)アクリル酸エステル類残基単位;酢酸ビニル残基単位、プロピオン酸ビニル残基単位等のビニルエステル類残基単位;アクリロニトリル残基単位;メタクリロニトリル残基単位;メチルビニルエーテル残基単位、エチルビニルエーテル残基単位、ブチルビニルエーテル残基単位等のビニルエーテル残基単位;N−メチルマレイミド残基単位、N−シクロヘキシルマレイミド残基単位、N−フェニルマレイミド残基単位等のN−置換マレイミド類残基単位;エチレン残基単位、プロピレン残基単位等のオレフィン類残基単位;フマル酸ジ−n−ブチル残基単位、フマル酸ビス(2−エチルヘキシル)残基単位等の前記フマル酸ジエステル残基単位以外のフマル酸ジエステル類残基単位等より選ばれる1種又は2種以上を挙げることができる。 The fumaric acid diester resin may contain other monomer residue units as long as the effects of the present invention are exhibited. Examples of other monomer residue units include styrene residue units, α -Styrene residue units such as methylstyrene residue units; (meth) acrylic acid residue units; (meth) acrylic acid methyl residue units, (meth) ethyl acrylate residue units, (meth) acrylic acid butyl residues (Meth) acrylic acid ester residue units such as group units; vinyl ester residue units such as vinyl acetate residue units and vinyl propionate residue units; acrylonitrile residue units; methacrylonitrile residue units; methyl vinyl ether Residue units, vinyl ether residue units such as ethyl vinyl ether residue units, butyl vinyl ether residue units, etc .; N-methylmaleimide residue units, N-cyclohexylmale N-substituted maleimide residue units such as a mid residue unit and N-phenylmaleimide residue unit; Olefin residue units such as an ethylene residue unit and a propylene residue unit; Di-n-butyl fumarate residue unit 1 type, or 2 or more types selected from fumaric acid diester residue units other than the fumaric acid diester residue units such as bis (2-ethylhexyl) fumarate residue units.
フマル酸ジエステル系樹脂は、ゲル・パーミエイション・クロマトグラフィー(GPC)により測定した溶出曲線より得られる標準ポリスチレン換算の数平均分子量が50,000〜250,000であることが好ましい。 The fumaric acid diester resin preferably has a standard polystyrene equivalent number average molecular weight of 50,000 to 250,000 obtained from an elution curve measured by gel permeation chromatography (GPC).
フマル酸ジエステル系樹脂の製造方法としては、該フマル酸ジエステル系樹脂が得られる限り如何なる方法により製造してもよく、例えば、フマル酸ジイソプロピルと炭素数1又は2のアルキル基を有するフマル酸ジエステルをラジカル重合を行なうこと等により製造することができる。 The fumarate diester resin may be produced by any method as long as the fumarate diester resin is obtained. For example, diisopropyl fumarate and a fumaric acid diester having an alkyl group having 1 or 2 carbon atoms may be used. It can be produced by performing radical polymerization or the like.
前記ラジカル重合は公知の重合方法、例えば、塊状重合法、溶液重合法、懸濁重合法、沈殿重合法、乳化重合法等のいずれも採用可能であるが、粒子径を制御して重合ができ、回収が容易な懸濁重合法が好ましい。 For the radical polymerization, any known polymerization method such as bulk polymerization method, solution polymerization method, suspension polymerization method, precipitation polymerization method, emulsion polymerization method and the like can be adopted, but the polymerization can be performed by controlling the particle size. A suspension polymerization method that can be easily recovered is preferred.
ラジカル重合を行なう際の重合触媒としては、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシアセテート、t−ブチルパーオキシベンゾエート等の有機過酸化物;2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−ブチロニトリル)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、ジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート、1,1’−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)等のアゾ系開始剤等が挙げられる。 As a polymerization catalyst when performing radical polymerization, for example, benzoyl peroxide, lauryl peroxide, octanoyl peroxide, acetyl peroxide, di-t-butyl peroxide, t-butyl cumyl peroxide, dicumyl peroxide, organic peroxides such as t-butylperoxyacetate and t-butylperoxybenzoate; 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis (2-butyronitrile), 2, Examples thereof include azo initiators such as 2′-azobisisobutyronitrile, dimethyl-2,2′-azobisisobutyrate, and 1,1′-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile).
そして、溶液重合法、懸濁重合法、沈殿重合法、乳化重合法等において使用可能な溶媒として特に制限はなく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族溶媒;メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール系溶媒;シクロヘキサン;ジオキサン;テトラヒドロフラン;アセトン;メチルエチルケトン;ジメチルホルムアミド;酢酸イソプロピル;水等が挙げられ、これらの混合溶媒も用いることができる。 And there is no restriction | limiting in particular as a solvent which can be used in solution polymerization method, suspension polymerization method, precipitation polymerization method, emulsion polymerization method etc., For example, aromatic solvents, such as benzene, toluene, xylene; Methanol, ethanol, propanol, butanol Examples include alcohol solvents such as cyclohexane, dioxane, tetrahydrofuran, acetone, methyl ethyl ketone, dimethylformamide, isopropyl acetate, and water, and a mixed solvent thereof can also be used.
ラジカル重合を行なう際の重合温度は、重合開始剤の分解温度に応じて適宜設定することができ、一般的には30〜150℃の範囲で行なうことが好ましい。 The polymerization temperature at the time of performing radical polymerization can be appropriately set according to the decomposition temperature of the polymerization initiator, and is generally preferably in the range of 30 to 150 ° C.
フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対して、カチオン系界面活性剤又はアニオン系界面活性剤が0.3重量部未満の場合は、表面抵抗が高く帯電防止性能が不十分であり、3重量部を超えると添加量が多すぎるために表面への滲み、汚染などが問題となる。 When the cationic surfactant or anionic surfactant is less than 0.3 parts by weight relative to 100 parts by weight of the fumaric acid diester resin, the surface resistance is high and the antistatic performance is insufficient, and 3 parts by weight. If it exceeds 1, the amount added will be too large, causing problems such as bleeding on the surface and contamination.
カチオン系界面活性剤としては、例えば、四級アンモニウム塩型界面活性剤等が挙げられる。四級アンモニウム塩型界面活性剤としては、例えば、塩化ラウリルトリメチルアンモニウム、塩化セチルトルメチルアンモニウム、塩化ステアリルトリメチルアンモニウム、塩化ベヘニルトリメチルアンモニウム、塩化ジステアリルジメチルアンモニウム、塩化ジデシルジメチルアンモニウム、塩化ジステアリルジメチルアンモニウム、塩化ジオレイルジメチルアンモニウム、塩化アルキルベンジルジメチルアンモニウム、塩化アルキルエチルメチル硫酸アンモニウム塩、塩化アルキルビス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム、塩化ポリオキシエチレンアルキルメチルアンモニウム、塩化オレイルビス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム、メチルビス(2−ヒドロキシエチル)ココアルキル硝酸アンモニウム塩、メチルビス(2−ヒドロキシエチル)ココアルキルアンモニウム塩化物等を挙げることができ、ここに挙げるもの及びこれらに類するものを1種類以上用いることができ、これらを溶剤などで希釈したものを用いても良い。 Examples of the cationic surfactant include a quaternary ammonium salt type surfactant. Examples of the quaternary ammonium salt type surfactant include lauryl trimethyl ammonium chloride, cetyl trimethyl ammonium chloride, stearyl trimethyl ammonium chloride, behenyl trimethyl ammonium chloride, distearyl dimethyl ammonium chloride, didecyl dimethyl ammonium chloride, distearyl dimethyl chloride. Ammonium, dioleyldimethylammonium chloride, alkylbenzyldimethylammonium chloride, ammonium alkylethylmethyl sulfate, alkylbis (2-hydroxyethyl) methylammonium chloride, polyoxyethylene alkylmethylammonium chloride, oleylbis (2-hydroxyethyl) methyl chloride Ammonium, methylbis (2-hydroxyethyl) cocoalkyl ammonium nitrate, methyl (2-hydroxyethyl) cocoalkylammonium chloride can be used, and one or more of those listed here and the like can be used, and those diluted with a solvent or the like can be used. .
アニオン系界面活性剤としては、例えば、任意アルキル長鎖を有するカルボン酸型の脂肪酸塩、硫酸型のアルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキル硫酸塩、アルキルエーテル硫酸エステル塩、リン酸型のリン酸エステルなどがあり、この他にもアルキルコハク酸塩など各種酸塩型界面活性剤を挙げることができる。 Examples of the anionic surfactant include a carboxylic acid type fatty acid salt having an arbitrary alkyl long chain, a sulfate type alkyl sulfonate, an alkyl benzene sulfonate, an alkyl sulfate, an alkyl ether sulfate, and a phosphate type. There are phosphoric acid esters and the like, and besides these, various acid salt type surfactants such as alkyl succinates can be mentioned.
一方、ノニオン系界面活性剤は単独で添加しても効果が得られない。また、本発明のフマル酸ジエステル系樹脂は非晶質であり非常に耐熱が高く、従来の公知に知られるポリマー材料のように、ノニオン系界面活性剤を配合するだけではフィルム製膜の際及び製膜後のフィルムハンドリングの際に表面抵抗が低下せず、効果が得られない。 On the other hand, a nonionic surfactant is not effective even if it is added alone. Further, the fumaric acid diester resin of the present invention is amorphous and extremely heat-resistant, and when a film is formed only by blending a nonionic surfactant, as in a conventionally known polymer material, In the film handling after film formation, the surface resistance does not decrease and the effect cannot be obtained.
本発明の光学フィルムは、表面抵抗値として印加電圧100Vにおいて表面抵抗が1014Ω/□以下である。表面抵抗が1014Ω/□を超えると帯電電位が高く、ハンドリングし難い。帯電電位がより良好であるためには、表面抵抗が109〜1014Ω/□が好ましい。 The optical film of the present invention has a surface resistance of 10 14 Ω / □ or less at an applied voltage of 100 V as a surface resistance value. When the surface resistance exceeds 10 14 Ω / □, the charging potential is high and handling is difficult. In order to obtain a better charging potential, the surface resistance is preferably 10 9 to 10 14 Ω / □.
本発明の光学フィルムは、より高い耐熱性を有するためには、温度200℃で周波数10Hzにおける動的粘弾性測定から求められる動的貯蔵弾性率(E’)が2.0×107Pa以上であることが好ましい。 In order for the optical film of the present invention to have higher heat resistance, the dynamic storage elastic modulus (E ′) obtained from dynamic viscoelasticity measurement at a temperature of 200 ° C. and a frequency of 10 Hz is 2.0 × 10 7 Pa or more. It is preferable that
本発明の光学フィルムは、透明性に優れ、全光線透過率が85%以上であることが好ましく、特に90%以上であることが好ましい。また、波長400nmの光に対する光線透過率が80%以上であることが好ましい。さらに、ヘーズが2%以下であることが好ましく、特に1%以下であることが好ましい。 The optical film of the present invention is excellent in transparency and preferably has a total light transmittance of 85% or more, particularly preferably 90% or more. Moreover, it is preferable that the light transmittance with respect to the light of wavelength 400nm is 80% or more. Furthermore, the haze is preferably 2% or less, particularly preferably 1% or less.
本発明の光学フィルムは、コーティング製膜の際又は光学フィルム自体の熱安定性を高めるために酸化防止剤、紫外線安定剤、光安定剤を含有してもよい。酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、ラクトン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、ヒドロキシルアミン系酸化防止剤、ビタミンE系酸化防止剤その他酸化防止剤が挙げられ、これらの酸化防止剤はそれぞれ単独でもよく、併用してもよい。紫外線安定剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール系紫外線安定剤、ベンゾフェノン系紫外線安定剤、トリアジン系紫外線安定剤、ベンゾエート系紫外線安定剤等が挙げられる。光安定剤としては、例えば、ヒンダードアミン系光安定剤等が挙げられる。 The optical film of the present invention may contain an antioxidant, an ultraviolet stabilizer, and a light stabilizer in order to increase the thermal stability of the optical film itself during coating film formation. Antioxidants include, for example, hindered phenol antioxidants, phosphorus antioxidants, sulfur antioxidants, lactone antioxidants, amine antioxidants, hydroxylamine antioxidants, vitamin E series Antioxidants and other antioxidants may be mentioned, and these antioxidants may be used alone or in combination. Examples of UV stabilizers include benzotriazole UV stabilizers, benzophenone UV stabilizers, triazine UV stabilizers, and benzoate UV stabilizers. Examples of the light stabilizer include hindered amine light stabilizers.
本発明の光学フィルムは、例えば、液晶ディスプレイ用フィルム基板などに使用する際に、液晶化合物等の劣化を防止する目的として紫外線吸収剤を含有してもよく、紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、トリアジン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤等が挙げられる。 The optical film of the present invention may contain an ultraviolet absorber for the purpose of preventing deterioration of a liquid crystal compound or the like when used for, for example, a liquid crystal display film substrate. Examples include triazole ultraviolet absorbers, benzophenone ultraviolet absorbers, triazine ultraviolet absorbers, and benzoate ultraviolet absorbers.
本発明の光学フィルムは、光学特性や力学的性質を操作する目的で可塑剤を含有してもよい。可塑剤は、例えば、フタル酸エステル系可塑剤、アジピン酸エステル系可塑剤、ホスフェート系可塑剤等が挙げられ、これら可塑剤はそれぞれ単独又は併用してもよい。 The optical film of the present invention may contain a plasticizer for the purpose of manipulating optical properties and mechanical properties. Examples of the plasticizer include a phthalate ester plasticizer, an adipate ester plasticizer, and a phosphate plasticizer. These plasticizers may be used alone or in combination.
本発明の光学フィルムは、発明の主旨を逸脱しない範囲において、その他高分子、界面活性剤、高分子電解質、導電性錯体、無機フィラー、帯電防止剤、アンチブロッキング剤、滑剤等の添加剤を含有してもよい。 The optical film of the present invention contains additives such as other polymers, surfactants, polymer electrolytes, conductive complexes, inorganic fillers, antistatic agents, antiblocking agents, lubricants and the like within the scope of the invention. May be.
本発明の光学フィルムの製造方法としては、溶液キャスト法により製膜することができる。溶液キャスト法とは、例えば、樹脂を溶剤に溶解させて調製したドープ液を支持基材上に流延した後、加熱等により溶剤を除去して光学フィルムを形成する方法である。その際、ドープ液を支持基材上に流延する方法としては、例えば、Tダイ法、グラビアロール法、ドクターブレード法、バーコート法、ロールコーター法、リップコーター法等を用いることができる。特に工業的にはダイからドープ液をベルト状又はドラム状の支持基材上に連続して押出して塗工するTダイ法や凹凸パターンロールにドープ液をすくい上げて支持基材側へ転写するグラビアロール法等が最も一般的に行なわれている。 As a manufacturing method of the optical film of this invention, it can form into a film by the solution cast method. The solution casting method is, for example, a method of forming an optical film by casting a dope solution prepared by dissolving a resin in a solvent on a supporting substrate and then removing the solvent by heating or the like. In that case, as a method of casting the dope solution on the support substrate, for example, a T-die method, a gravure roll method, a doctor blade method, a bar coat method, a roll coater method, a lip coater method, or the like can be used. In particular, industrially, the dope solution is extruded from a die onto a belt-like or drum-like support substrate and coated, and the gravure is used for scooping the dope solution onto an uneven pattern roll and transferring it to the support substrate side. The roll method is most commonly used.
用いられる支持基材としては、例えば、ガラス基板、積層された偏光板を構成するトリアセチルセルロース組成物などから構成されるTAC系フィルム、アクリル樹脂フィルム、環状オレフィン系フィルム、PP系フィルム等の偏光子の保護及び位相差付与を目的とするフィルム等があり、ここに挙げたものに限定されず、広く塗工用の支持基材として用いることができる。また、本発明の光学フィルムと支持基材との十分な密着強度を得るために粘接着剤処理、基材表面処理等を施してもよく、公知の材料、手法を利用することができる。 Examples of the supporting substrate used include polarized light such as TAC film, acrylic resin film, cyclic olefin film, PP film composed of a glass substrate, a triacetyl cellulose composition constituting a laminated polarizing plate, and the like. There are films and the like for the purpose of protecting the child and imparting a retardation, and the film is not limited to those mentioned here, and can be widely used as a supporting substrate for coating. Moreover, in order to obtain sufficient adhesive strength between the optical film of the present invention and the supporting substrate, adhesive treatment, substrate surface treatment, etc. may be applied, and known materials and techniques can be used.
この際の光学フィルムの塗布厚さは、乾燥後の状態において塗工外観に優れ、均一性が高く表面抵抗が低いフィルムを得るため、10〜150μmであることが好ましい。 The coating thickness of the optical film at this time is preferably 10 to 150 μm in order to obtain a film having excellent coating appearance in the state after drying, high uniformity and low surface resistance.
製膜の際、フマル酸ジエステル系樹脂の溶解に用いる溶剤は同樹脂が可溶性を示す溶剤の中から選ばれる低沸点の溶剤と高沸点の溶剤との組み合わせとして溶剤の沸点差が10℃以上となる低沸点溶剤と高沸点溶剤をそれぞれ重量比にて5:95〜95:5の比率で用いる。 During film formation, the solvent used for dissolving the fumaric acid diester resin is a combination of a low-boiling solvent and a high-boiling solvent selected from solvents in which the resin is soluble, and the difference in boiling point of the solvent is 10 ° C. or more. The low boiling point solvent and the high boiling point solvent are used in a weight ratio of 5:95 to 95: 5, respectively.
この場合、溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン(沸点:80℃)、メチルイソブチルケトン(沸点:116℃)、シクロヘキサノン(沸点:156℃)、酢酸エチルエステル(沸点:77℃)、酢酸ブチルエステル(沸点:126℃)、酢酸イソブチルエステル(沸点:117℃)、セロソルブアセテート(沸点:156℃)、イソプロピルアルコール(沸点:82℃)、n−ブチルアルコール(沸点:118℃)、sec−ブチルアルコール(沸点:100℃)、イソブチルアルコール(沸点:108℃)、テトラヒドロフラン(沸点:66℃)、トルエン(沸点:111℃)、キシレン(沸点:139℃)、セロソルブ(沸点:136℃)、ブチルセロソルブ(沸点:170℃)、メチルカルビトール(沸点:194℃)、エチルカルビトール(沸点:202℃)、ブチルカルビトール(沸点:230℃)などを挙げることができる。これらの溶剤から2種類を組み合わせて用いることができる。ここで溶剤の組み合わせとしては例えば、沸点差が34℃となるイソプロピルアルコール(沸点:82℃)とメチルイソブチルケトン(沸点:116℃)とを比率を重量比としてそれぞれ5:95〜95:5の範囲で用いることができ、また、沸点差が23℃となるメチルイソブチルケトン(沸点:116℃)とキシレン(沸点:139℃)とを比率を重量比にてそれぞれ5:95〜95:5の範囲で用いることができる。このように沸点温度差を10℃以上となるように組み合わせて溶剤組成を重量比として低沸点成分と高沸点成分とで5:95〜95:5にて併用することで製膜後のフィルムの表面抵抗を低くするのに有効である。 In this case, examples of the solvent include methyl ethyl ketone (boiling point: 80 ° C.), methyl isobutyl ketone (boiling point: 116 ° C.), cyclohexanone (boiling point: 156 ° C.), ethyl acetate (boiling point: 77 ° C.), and acetic acid butyl ester (boiling point). : 126 ° C), acetic acid isobutyl ester (boiling point: 117 ° C), cellosolve acetate (boiling point: 156 ° C), isopropyl alcohol (boiling point: 82 ° C), n-butyl alcohol (boiling point: 118 ° C), sec-butyl alcohol (boiling point) : 100 ° C), isobutyl alcohol (boiling point: 108 ° C), tetrahydrofuran (boiling point: 66 ° C), toluene (boiling point: 111 ° C), xylene (boiling point: 139 ° C), cellosolve (boiling point: 136 ° C), butyl cellosolve (boiling point: 170 ° C), methyl carbitol (boiling point: 194 ° C), ethyl Carbitol (boiling point: 202 ° C.), butyl carbitol (boiling point: 230 ° C.) and the like. Two types of these solvents can be used in combination. Here, as a combination of solvents, for example, isopropyl alcohol (boiling point: 82 ° C.) having a boiling point difference of 34 ° C. and methyl isobutyl ketone (boiling point: 116 ° C.) in a weight ratio of 5:95 to 95: 5, respectively. The ratio of methyl isobutyl ketone (boiling point: 116 ° C.) and xylene (boiling point: 139 ° C.) having a boiling point difference of 23 ° C. and a weight ratio of 5:95 to 95: 5 can be used respectively. Can be used in a range. In this way, by combining the low boiling point component and the high boiling point component in a weight ratio of 5:95 to 95: 5 by combining the solvent so that the boiling point temperature difference becomes 10 ° C. or more, the film after film formation can be obtained. Effective for lowering the surface resistance.
一方、低沸点溶剤又は高沸点溶剤を単独溶剤として用いる場合には製膜後のフィルムの表面抵抗の低下挙動が十分ではないため好ましくない。特に低沸点の溶剤として例えばメチルエチルケトン(沸点:80℃)などを単独で用いて溶液調製した場合、製膜後のフィルムの表面抵抗の低下挙動が十分ではなく、また、130℃を超えるような高沸点溶剤のみを用いてポリマー溶液を調製し、製膜した場合にはフィルム背面への不均一な帯電防止剤の滲みを生じるおそれもあることから好ましくない。 On the other hand, when a low-boiling solvent or a high-boiling solvent is used as the sole solvent, the behavior of lowering the surface resistance of the film after film formation is not sufficient, which is not preferable. In particular, when a solution is prepared by using, for example, methyl ethyl ketone (boiling point: 80 ° C.) alone as a low boiling point solvent, the behavior of lowering the surface resistance of the film after film formation is not sufficient, and a high temperature exceeding 130 ° C. When a polymer solution is prepared using only a boiling point solvent and formed into a film, it is not preferable because nonuniform antistatic agent bleeding may occur on the back surface of the film.
フマル酸ジエステル系樹脂と上述のような溶剤を含むドープ溶液を調製する際の樹脂固形分濃度は5〜30重量%であり、10〜20重量%が好ましい。樹脂固形分が30重量%を超えて配合する場合、著しく粘度が高くなるために製膜が難しくなる。一方、樹脂固形分が5重量%未満である場合にも粘度が低いために製膜の際に液膜の厚さを稼ぐことが難しく、薄膜フィルムとしてハンドリング可能な膜厚さを有するものを得ることが難しいことから好ましくない。 The resin solid content concentration when preparing the dope solution containing the fumaric acid diester resin and the solvent as described above is 5 to 30% by weight, and preferably 10 to 20% by weight. When the resin solid content exceeds 30% by weight, the viscosity becomes remarkably high and film formation becomes difficult. On the other hand, even when the resin solid content is less than 5% by weight, it is difficult to increase the thickness of the liquid film during film formation because the viscosity is low, and a film having a film thickness that can be handled as a thin film is obtained. It is not preferable because it is difficult.
上述のような溶剤を用いて、樹脂固形分を配合し溶液を調製するドープ液の調製方法としては公知の方法を用いることができ、ラボ攪拌装置であれば、サンプル瓶などを用いてスターラーチップを用いた攪拌や、スリーワンモーターなどの小型モーター式攪拌翼を有する装置を用いて攪拌する方法、またミキサーとしては例えば、バッチ型ミキシング方式と循環型インラインミキシング方式等があり、攪拌羽根の形状としては、例えば、プロペラ式、軸流タービン式、放射タービン式、インペラー式、ノコギリ歯ブレード式、閉式ローター式、ローター/ステーター式等を挙げることができる。係る方法で溶剤中に樹脂を溶解させたドープ液は未溶解物が残留しないように溶解調整する必要があり、併せて異物、ゴミなどを除去する目的からもフィルターろ過してもよく、例えば目開き3μmのフィルターを用いて溶液をろ過することで未溶解物や3μm以上のサイズの異物、ゴミを除去できる。代表的なフィルターとしては目開き0.5〜20μm程度のものがあり、各種組合わせて用いることができる。 A known method can be used as a dope solution for preparing a solution by blending resin solids using a solvent as described above, and if it is a laboratory stirrer, a stirrer chip using a sample bottle or the like And a method of stirring using a device having a small motor type stirring blade such as a three-one motor, and as a mixer, for example, there are a batch type mixing method and a circulation type in-line mixing method, etc. Examples thereof include a propeller type, an axial flow turbine type, a radiation turbine type, an impeller type, a sawtooth blade type, a closed rotor type, and a rotor / stator type. It is necessary to adjust the dope solution in which the resin is dissolved in the solvent by such a method so that the undissolved material does not remain, and may be filtered through the filter for the purpose of removing foreign matters, dust, etc. Undissolved materials, foreign matters having a size of 3 μm or more, and dust can be removed by filtering the solution using an open 3 μm filter. A typical filter has a mesh size of about 0.5 to 20 μm and can be used in various combinations.
溶液キャスト法による製膜及び乾燥後の膜厚は特に限定するものではないが、10〜150μm程度が好ましく、この際の乾燥条件としては乾燥温度と時間の関係がそれぞれ低温側40〜80℃において少なくとも2〜5分を経た後、90〜130℃において5分以上の時間乾燥させる。低温側として40〜80℃にて2分未満乾燥した後に、高温側として90〜130℃にて乾燥させる場合、表面抵抗が低下せず好ましくない。一方、低温側にて更に長時間乾燥させても表面抵抗を低下させることが可能であるが、実用的な製膜プロセスを考慮すれば、より短時間での乾燥が好ましいことから少なくとも2〜5分程度必要である。 The film formation by the solution casting method and the film thickness after drying are not particularly limited, but are preferably about 10 to 150 μm, and the drying condition at this time is that the relationship between the drying temperature and time is 40 to 80 ° C. on the low temperature side, respectively. After at least 2 to 5 minutes, it is dried at 90 to 130 ° C. for 5 minutes or more. After drying at 40 to 80 ° C. for less than 2 minutes as the low temperature side and then drying at 90 to 130 ° C. as the high temperature side, the surface resistance does not decrease, which is not preferable. On the other hand, it is possible to reduce the surface resistance even if it is further dried for a longer time on the low temperature side, but considering a practical film-forming process, it is preferable to dry at a shorter time, so that it is at least 2-5. About a minute is necessary.
本発明におけるフマル酸ジエステル系樹脂は、硬化性の環員数3〜6の環状エーテル基を有する(メタ)アクリル酸エステル残基を含有する場合、電子線、光及び/又は熱により架橋させてなる架橋フィルムであり、架橋により耐溶剤性、加熱時の寸法安定性を向上させることもできる。 When the fumaric acid diester resin in the present invention contains a (meth) acrylic acid ester residue having a curable cyclic ether group having 3 to 6 ring members, it is crosslinked by electron beam, light and / or heat. It is a crosslinked film, and solvent resistance and dimensional stability during heating can also be improved by crosslinking.
ここで、架橋を行なう際に均一かつ効率的に架橋を行なわせ、品質が良好なディスプレイ用光学フィルムを得るために、架橋促進剤を用いることが好ましく、該架橋促進剤としては、例えば、フェニルジアソニウムヘキサフルオロアンチモン酸、フェニルジアソニウムヘキサフルオリン酸、フェニルジアゾニウムテトラフルオロホウ酸等の芳香族ジアソニウム塩;ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモン酸、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロリン酸、ジフェニルヨードニウムトトラフルオロホウ酸等の芳香族ヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモン酸、トリフェニルヘキサフルオリン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロホウ酸等の芳香族スルホニウム塩;1−ベンジル−2−シアノピリジニウムヘキサフルオロアンチモン酸、1−ベンジル−2−シアノピリジニウムヘキサフルオリン酸、1−ベンジル−2−シアノピリジニウムテトラフルオロホウ酸等の芳香族アンモニウム塩、エチルトリフェニルホスホニウムテトラフルオロアンチモン酸、等の芳香族ホスホニウム塩:(2,4−シクロペンタジエン−1−イル)((1−メチルエチル)ベンゼン)−鉄錯体;o−ニトロベンジルシリルエーテル−アルミニウム錯体などが挙げられる。その際の架橋促進剤の添加量は、フマル酸ジエステル系樹脂100gに対して、好ましくは0.1g〜10g、特に好ましくは、0.2g〜5gである。 Here, it is preferable to use a crosslinking accelerator in order to uniformly and efficiently perform the crosslinking when crosslinking is performed and to obtain an optical film for display with good quality. Examples of the crosslinking accelerator include phenyl Aromatic diazonium salts such as diazonium hexafluoroantimonic acid, phenyldiasonium hexafluoric acid, phenyldiazonium tetrafluoroboric acid; diphenyliodonium hexafluoroantimonic acid, diphenyliodonium hexafluorophosphoric acid, diphenyliodoniumtrafluoroboric acid Aromatic sulfonium salts such as triphenylsulfonium hexafluoroantimonic acid, triphenylhexafluoric acid, triphenylsulfonium tetrafluoroboric acid; 1-benzyl-2-cyano Lithium hexafluoroantimonic acid, 1-benzyl-2-cyanopyridinium hexafluoric acid, aromatic ammonium salts such as 1-benzyl-2-cyanopyridinium tetrafluoroboric acid, ethyltriphenylphosphonium tetrafluoroantimonic acid, etc. Aromatic phosphonium salts: (2,4-cyclopentadien-1-yl) ((1-methylethyl) benzene) -iron complex; o-nitrobenzylsilyl ether-aluminum complex and the like. The addition amount of the crosslinking accelerator at that time is preferably 0.1 g to 10 g, particularly preferably 0.2 g to 5 g, with respect to 100 g of the fumaric acid diester resin.
熱により架橋する方法としては単に加熱する方法が挙げられ、光によって架橋する方法としては、例えば、水銀ランプ、メタルハライドランプ、エキシマーランプ等を光源として用いる方法などが挙げられる。また、電子線により架橋する方法としては、一般的に用いられる電子線照射装置の使用が可能である。この電子線による架橋方法においては反応効率をより高めるために、例えばトリアクリル酸トリメチロールプロパン、シアヌル酸トリアリル等の多官能ビニル化合物等の架橋助剤を用いることが好ましい。電子線による架橋を行なう場合において、電子線の照射強度は5〜500kGyであることが好ましく、特に10〜100kGyであることが好ましい。該電子線による架橋は、特に架橋効率に優れることから耐熱性に優れるフマル酸ジエステル系樹脂の架橋に適したものであり、得られるディスプレイ用光学フィルムは特に耐熱性に優れる。 Examples of the method of crosslinking by heat include a method of simply heating, and examples of the method of crosslinking by light include a method using a mercury lamp, a metal halide lamp, an excimer lamp or the like as a light source. In addition, as a method of crosslinking with an electron beam, a commonly used electron beam irradiation apparatus can be used. In this crosslinking method using an electron beam, it is preferable to use a crosslinking aid such as a polyfunctional vinyl compound such as trimethylolpropane triacrylate and triallyl cyanurate in order to further increase the reaction efficiency. In the case of performing crosslinking with an electron beam, the irradiation intensity of the electron beam is preferably 5 to 500 kGy, and particularly preferably 10 to 100 kGy. The crosslinking by the electron beam is particularly suitable for crosslinking a fumaric acid diester resin having excellent heat resistance because of its excellent crosslinking efficiency, and the obtained optical film for display is particularly excellent in heat resistance.
本発明の光学フィルムは、偏光板に直接コーティングして一体化したり、予めコーティングした支持基材を偏光板と積層することで一体化した偏光板積層体として用いることもできる。 The optical film of the present invention can be used as an integrated polarizing plate laminate by directly coating and integrating a polarizing plate, or by laminating a pre-coated support substrate with a polarizing plate.
本発明の光学フィルムは、偏光板保護フィルム、位相差フィルム、タッチパネル、フラットパネルディスプレイ用フィルム基板、液晶ディスプレイ用プラスチック基板、液晶ディスプレイ用カラーフィルター基板、有機ELディスプレイ用プラスチック基板などにも有用である。 The optical film of the present invention is also useful for polarizing plate protective films, retardation films, touch panels, flat panel display film substrates, liquid crystal display plastic substrates, liquid crystal display color filter substrates, organic EL display plastic substrates, and the like. .
本発明の目的はフマル酸ジエステル系樹脂を用いた光学フィルムとして表面抵抗を抑えて静電気帯電による塵埃の吸着、放電などならびにハンドリング性を改良した光学フィルムが得られることから、液晶ディスプレイなどの光学フィルム、フィルムの製造方法として有用である。 An object of the present invention is to provide an optical film using a fumaric acid diester resin as an optical film with reduced surface resistance and improved dust adsorption, discharge, and handling properties due to electrostatic charging. It is useful as a film production method.
以下に本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれら実施例によりなんら制限されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
以下、実施例の評価・測定に用いた方法を示す。 Hereafter, the method used for evaluation and measurement of an Example is shown.
<数平均分子量の測定>
ゲル・パーミエイション・クロマトグラフィー(GPC)装置(東ソー製、商品名:C0−8011)を用いて測定し、標準ポリスチレン換算値として算出した。
<Measurement of number average molecular weight>
It measured using the gel permeation chromatography (GPC) apparatus (The Tosoh make, brand name: C0-8011), and computed as a standard polystyrene conversion value.
<フマル酸ジエステル系樹脂の組成の確認>
核磁気共鳴測定装置(日本電子製、商品名:JNM−GX270)を用い、プロトン核磁気共鳴分光(1H−NMR)スペクトル分析より導出した。
<Confirmation of composition of fumaric acid diester resin>
Using a nuclear magnetic resonance measuring apparatus (manufactured by JEOL Ltd., trade name: JNM-GX270), it was derived from proton nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR) spectrum analysis.
<フィルムの動的貯蔵弾性率(E’)の測定>
粘弾性測定装置(レオロジー社製、DVE−V4)を用いて、周波数10Hz、温度200℃のフィルムの動的貯蔵弾性率を測定し、2.0×107Pa以上であるか否か並びに200℃を超える耐熱性を有するかを判定した。
<Measurement of Dynamic Storage Elastic Modulus (E ′) of Film>
Using a viscoelasticity measuring device (DVE-V4, manufactured by Rheology), the dynamic storage elastic modulus of a film having a frequency of 10 Hz and a temperature of 200 ° C. is measured, and whether it is 2.0 × 10 7 Pa or more and 200 It was judged whether it had heat resistance exceeding ° C.
<光学フィルムの光線透過率の測定>
JIS−K−7361−1に準拠してヘーズメーター(日本電色工業製、商品名:NDH5000)により測定した。
<Measurement of light transmittance of optical film>
Based on JIS-K-7361-1, it measured with the haze meter (Nippon Denshoku Industries make, brand name: NDH5000).
<光学フィルムの複屈折及び位相差量の測定>
全自動複屈折計(王子計測器製、商品名:KOBRA−21ADH)を用いて測定した。
<Measurement of birefringence and retardation of optical film>
Measurement was performed using a fully automatic birefringence meter (manufactured by Oji Scientific Instruments, trade name: KOBRA-21ADH).
ここで光学フィルムの複屈折は、製膜方向を基準として薄膜面内の2つの軸方向の屈折率をそれぞれ基準軸を遅相軸nx、これと直交する進相軸ny、薄膜厚さ方向の軸をnz、薄膜厚さをdとした場合、薄膜面内の複屈折Δnとして表される面内の平均屈折率の差の絶対値|nx−ny|として表される。薄膜の面内位相差(Re)は(nx−ny)×d、薄膜の面外複屈折(ΔP)は((nx+ny)/2−nz)、薄膜の面外位相差(Rth)は((nx+ny)/2−nz)×dとして表される。 Here, the birefringence of the optical film refers to the refractive index in the two axial directions in the thin film plane with respect to the film forming direction, the reference axis as the slow axis nx, the fast axis ny orthogonal thereto, and the thin film thickness direction. When the axis is nz and the thickness of the thin film is d, it is expressed as the absolute value | nx−ny | The in-plane retardation (Re) of the thin film is (nx−ny) × d, the out-of-plane birefringence (ΔP) of the thin film is ((nx + ny) / 2−nz), and the out-of-plane retardation (Rth) of the thin film is (( nx + ny) / 2−nz) × d.
合成例1(フマル酸ジエステル系樹脂(フマル酸ジイソプロピル/フマル酸ジエチル共重合体)の合成)
攪拌機、冷却管、窒素導入管及び温度計を備えた1Lオートクレーブにヒドロキシプロピルメチルセルロース(信越化学製、商品名:メトローズ60SH−50)2g、水600g、フマル酸ジイソプロピル365g、フマル酸ジエチル35g及び重合開始剤としてt−ブチルパーオキシピバレート3gを投入し、窒素バブリングを1時間行った後、400rpmで攪拌しながら45℃で24時間保持することによりラジカル懸濁重合を行なった。室温まで冷却し、生成したポリマー粒子を含む懸濁液をろ別し、水及びメタノールで洗浄することによりフマル酸ジエステル系樹脂(フマル酸ジイソプロピル/フマル酸ジエチル共重合体)を得た(収率:65%)。
Synthesis Example 1 (Synthesis of fumaric acid diester resin (diisopropyl fumarate / diethyl fumarate copolymer))
Hydroxypropyl methylcellulose (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name: Metroles 60SH-50) 2 g, water 600 g, diisopropyl fumarate 365 g, diethyl fumarate 35 g, and polymerization start 3 g of t-butyl peroxypivalate was added as an agent, nitrogen bubbling was carried out for 1 hour, and then the suspension was kept at 45 ° C. for 24 hours while stirring at 400 rpm to carry out radical suspension polymerization. After cooling to room temperature, the resulting suspension containing the polymer particles was filtered, and washed with water and methanol to obtain a fumaric acid diester resin (diisopropyl fumarate / diethyl fumarate copolymer) (yield) : 65%).
得られたフマル酸ジエステル系樹脂の数平均分子量は132,000であり、平均粒子径は130μmであった。また、1H−NMR測定により、樹脂組成はフマル酸ジイソプロピル残基単位/フマル酸ジエチル残基単位=91/9(モル%)であった。 The number average molecular weight of the obtained fumaric acid diester resin was 132,000, and the average particle diameter was 130 μm. Further, by 1 H-NMR measurement, the resin composition was diisopropyl fumarate residue units / diethyl fumarate residue units = 91/9 (mol%).
合成例2(フマル酸ジエステル系樹脂(フマル酸ジイソプロピル/フマル酸ジエチル共重合体)の合成)
攪拌機、冷却管、窒素導入管及び温度計を備えた1Lオートクレーブにヒドロキシプロピルメチルセルロース(信越化学製、商品名:メトローズ60SH−50)2g、水600g、フマル酸ジイソプロピル330g、フマル酸ジエチル70g及び重合開始剤としてt−ブチルパーオキシピバレート3gを投入し、窒素バブリングを1時間行った後、400rpmで攪拌しながら45℃で36時間保持することによりラジカル懸濁重合を行なった。室温まで冷却し、生成したポリマー粒子を含む懸濁液をろ別し、水及びメタノールで洗浄することによりフマル酸ジエステル系樹脂(フマル酸ジイソプロピル/フマル酸ジエチル共重合体)を得た(収率:75%)。
Synthesis Example 2 (Synthesis of fumaric acid diester resin (diisopropyl fumarate / diethyl fumarate copolymer))
Hydroxypropylmethylcellulose (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name: Metrolose 60SH-50) 2 g, water 600 g, diisopropyl fumarate 330 g, diethyl fumarate 70 g and polymerization start in a 1 L autoclave equipped with a stirrer, a condenser, a nitrogen inlet tube and a thermometer 3 g of t-butyl peroxypivalate was added as an agent, nitrogen bubbling was performed for 1 hour, and then radical suspension polymerization was performed by maintaining at 45 ° C. for 36 hours while stirring at 400 rpm. After cooling to room temperature, the resulting suspension containing the polymer particles was filtered, and washed with water and methanol to obtain a fumaric acid diester resin (diisopropyl fumarate / diethyl fumarate copolymer) (yield) : 75%).
得られたフマル酸ジエステル系樹脂の数平均分子量は120,000であり、平均粒子径は110μmであった。また、1H−NMR測定により、樹脂組成はフマル酸ジイソプロピル残基単位/フマル酸ジエチル残基単位=84/16(モル%)であった。 The number average molecular weight of the obtained fumaric acid diester resin was 120,000, and the average particle size was 110 μm. Further, by 1 H-NMR measurement, the resin composition was diethyl residue unit = 84/16 diisopropyl fumarate residue units / fumaric acid (mol%).
合成例3(フマル酸ジエステル系樹脂(フマル酸ジイソプロピル/アクリル酸−3−エチル−3−オキセタニルメチル共重合体の合成)
攪拌機、冷却管、窒素導入管及び温度計を備えた0.5Lの4口フラスコに、ポリビニルアルコール(分子量2,000、けん化度80%)0.4g、蒸留水260g、フマル酸ジイソプロピル122g(0.609モル)、アクリル酸−3−エチル−3−オキセタニルメチル18g(0.106モル)及びラジカル重合開始剤としてtert−ブチルパーオキシピバレート0.8g(0.005モル)を入れ、窒素バブリングを1時間行なった後、550rpmで攪拌しながら50℃で24時間保持することによりラジカル重合を行なった。重合反応の終了後、フラスコ中の重合物をろ別し、蒸留水及びメタノールで洗浄することでフマル酸ジエステル系樹脂を得た(収率:53%)。
Synthesis Example 3 (Fumaric acid diester resin (synthesis of diisopropyl fumarate / acrylic acid-3-ethyl-3-oxetanylmethyl copolymer)
In a 0.5 L four-necked flask equipped with a stirrer, a condenser tube, a nitrogen inlet tube and a thermometer, 0.4 g of polyvinyl alcohol (molecular weight 2,000, saponification degree 80%), 260 g of distilled water, 122 g of diisopropyl fumarate (0 .609 mol), 18 g (0.106 mol) of methyl-3-ethyl-3-oxetanyl acrylate, and 0.8 g (0.005 mol) of tert-butyl peroxypivalate as a radical polymerization initiator were added, and nitrogen bubbling was performed. Was carried out for 1 hour, followed by radical polymerization by maintaining at 50 ° C. for 24 hours while stirring at 550 rpm. After completion of the polymerization reaction, the polymer in the flask was filtered off and washed with distilled water and methanol to obtain a fumaric acid diester resin (yield: 53%).
1H−NMR測定により、得られたフマル酸ジエステル系樹脂は、フマル酸ジイソプロピル残基/アクリル酸−3−エチル−3−オキセタニルメチル残基=86/14(モル%)であった。なお、フマル酸ジエステル系樹脂の数平均分子量は81,000であり、平均粒子径は80μmであった。 According to 1 H-NMR measurement, the obtained fumaric acid diester resin was diisopropyl fumarate residue / acrylic acid-3-ethyl-3-oxetanylmethyl residue = 86/14 (mol%). The number average molecular weight of the fumaric acid diester resin was 81,000, and the average particle size was 80 μm.
合成例4(フマル酸ジイソプロピル単独重合樹脂の合成例)
アクリル酸−3−エチル−3−オキセタニルメチルを用いなかった以外は、合成例3と同様の方法により、フマル酸ジイソプロピル単独重合樹脂を得た。得られたフマル酸ジイソプロピル単独重合樹脂の数平均分子量は81,500であり、平均粒子径は100μmであった。
Synthesis Example 4 (Synthesis example of diisopropyl fumarate homopolymer resin)
A diisopropyl fumarate homopolymer resin was obtained in the same manner as in Synthesis Example 3 except that acrylic acid-3-ethyl-3-oxetanylmethyl was not used. The number average molecular weight of the obtained diisopropyl fumarate homopolymer resin was 81,500, and the average particle size was 100 μm.
実施例1
250cc容器中、メチルイソブチルケトン(MIBK)とキシレンとの混合溶剤(MIBK/キシレン=80/20重量比)136gをプライミクス社製、TK−ロボミクスを用いて回転数1,400rpmで攪拌中に、合成例1のフマル酸ジエステル系樹脂(フマル酸ジイソプロピル残基単位/フマル酸ジエチル残基単位=91/9(モル%))24g及び東邦化学製アンスティックスC−200(四級アンモニウム塩系の界面活性剤)0.72g(フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対する界面活性剤:3重量部)を攪拌開始から1分間投入し、1時間攪拌し、ドープ液を調製した。
Example 1
In a 250 cc container, 136 g of a mixed solvent (MIBK / xylene = 80/20 weight ratio) of methyl isobutyl ketone (MIBK) and xylene was stirred at a rotational speed of 1,400 rpm using TK-Robomix made by Primix. 24 g of the fumaric acid diester resin of Example 1 (diisopropyl fumarate residue unit / diethyl fumarate residue unit = 91/9 (mol%)) and Toho Chemical's Ansticks C-200 (quaternary ammonium salt type interface) Activator) 0.72 g (surfactant with respect to 100 parts by weight of fumaric acid diester resin: 3 parts by weight) was added for 1 minute from the start of stirring and stirred for 1 hour to prepare a dope solution.
このドープ液を用いて、ブレードコーターによる溶液キャスト法によりPETフィルム上に乾燥後の膜厚さで30μmとなるように塗工し、乾燥条件として40℃にて2分乾燥後、90℃にて5分乾燥し、更に130℃にて5分乾燥させてフィルムを作製した(フィルム中の界面活性剤:フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対して3重量部)。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であり、200℃以上の耐熱性を有していた。得られたフィルムの全光線透過率は91%、ヘーズは0.4%であり、表面抵抗は印加電圧100Vにおいて9×1010Ω/□と低かった。 Using this dope solution, coating was performed on a PET film by a solution casting method using a blade coater so that the film thickness after drying was 30 μm, dried at 40 ° C. for 2 minutes, and then at 90 ° C. The film was dried for 5 minutes and further dried at 130 ° C. for 5 minutes to produce a film (surfactant in the film: 3 parts by weight relative to 100 parts by weight of the fumaric acid diester resin). The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, and had heat resistance of 200 ° C. or more. The obtained film had a total light transmittance of 91%, a haze of 0.4%, and a surface resistance as low as 9 × 10 10 Ω / □ at an applied voltage of 100V.
比較例1
実施例1において溶剤としてキシレン単独溶剤を用いた以外は同様にして溶液を調製及び製膜し、光学特性ならびに表面抵抗を測定した。得られたフィルムの全光線透過率は90.5%、ヘーズは0.5%であり、PETフィルムから剥離したフィルム面にはアンスティックスの著しい滲み、ベタツキが見られた。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であった。この時のフィルム表面抵抗は印加電圧100Vにおいて1×1016Ω/□と高く、静電気帯電が顕著であった
実施例2
実施例1においてMIBK溶剤を用いた以外は同様にして溶液を調製及び製膜し、光学特性ならびに表面抵抗を測定した。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であり、200℃以上の耐熱性を有していた。得られたフィルムの全光線透過率は91%、ヘーズは0.4%であり、表面抵抗は印加電圧100Vにおいて2×1012Ω/□と低かった。
Comparative Example 1
A solution was prepared and formed in the same manner as in Example 1 except that a xylene single solvent was used as a solvent, and optical characteristics and surface resistance were measured. The obtained film had a total light transmittance of 90.5% and a haze of 0.5%, and the film surface peeled off from the PET film showed remarkable blurring and stickiness of an stick. The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz. The film surface resistance at this time was as high as 1 × 10 16 Ω / □ at an applied voltage of 100 V, and electrostatic charging was remarkable.
A solution was prepared and formed in the same manner as in Example 1 except that the MIBK solvent was used, and the optical properties and surface resistance were measured. The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, and had heat resistance of 200 ° C. or more. The obtained film had a total light transmittance of 91%, a haze of 0.4%, and a surface resistance as low as 2 × 10 12 Ω / □ at an applied voltage of 100V.
実施例3
実施例1において合成例1のフマル酸ジエステル系樹脂(フマル酸ジイソプロピル残基単位/フマル酸ジエチル残基単位=91/9(モル%))の代わりに合成例2のフマル酸ジエステル系樹脂(フマル酸ジイソプロピル残基/フマル酸ジエチル残基単位=84/16(モル%))、溶剤としてMIBKとキシレンとの混合溶剤(MIBK/キシレン=95/5重量比)とした以外は同様にて溶液を調製及び製膜し、光学特性ならびに表面抵抗を測定した。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であり、200℃以上の耐熱性を有していた。得られたフィルムの全光線透過率は91%、ヘーズは0.3%であり、フィルム外観は良好であった。この時のフィルム表面抵抗は印加電圧100Vにおいて1×1011Ω/□と低かった。
Example 3
In Example 1, instead of the fumaric acid diester resin of Synthesis Example 1 (diisopropyl fumarate residue unit / diethyl fumarate residue unit = 91/9 (mol%)), the fumaric acid diester resin of Synthesis Example 2 (fumarate) The solution was the same except that diisopropyl residue / diethyl fumarate residue unit = 84/16 (mol%)) and a mixed solvent of MIBK and xylene (MIBK / xylene = 95/5 weight ratio) was used as a solvent. Preparation and film formation were performed, and optical properties and surface resistance were measured. The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, and had heat resistance of 200 ° C. or more. The obtained film had a total light transmittance of 91% and a haze of 0.3%, and the film appearance was good. At this time, the film surface resistance was as low as 1 × 10 11 Ω / □ at an applied voltage of 100V.
実施例4
実施例1において合成例1のフマル酸ジエステル系樹脂(フマル酸ジイソプロピル残基単位/フマル酸ジエチル残基単位=91/9(モル%))の代わりに合成例3のフマル酸ジエステル系樹脂(フマル酸ジイソプロピル残基単位/アクリル酸−3−エチル−3−オキセタニルメチル残基単位=86/14(モル%))とし、溶液調整の際にジフェニルヨードニウムヘキサフルオリン酸0.36gを追加した以外は同様にして溶液を調製し、フィルムを製膜乾燥した。このフィルムに水銀ランプにて光を10分間照射し、架橋を行い、架橋フィルムとした。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であり、200℃以上の耐熱性を有していた。得られたフィルムの全光線透過率は90.5%、ヘーズは0.4%であり、フィルム外観は良好であった。この時のフィルム表面抵抗は印加電圧100Vにおいて7×1010Ω/□と低かった。
Example 4
In Example 1, instead of the fumaric acid diester resin of Synthesis Example 1 (diisopropyl fumarate residue unit / diethyl fumarate residue unit = 91/9 (mol%)), the fumaric acid diester resin of the synthesis example 3 (fumarate Except that acid diisopropyl residue unit / acrylic acid-3-ethyl-3-oxetanylmethyl residue unit = 86/14 (mol%)) and 0.36 g of diphenyliodonium hexafluoric acid was added at the time of solution adjustment. A solution was prepared in the same manner, and the film was formed and dried. This film was irradiated with light with a mercury lamp for 10 minutes to perform crosslinking to obtain a crosslinked film. The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, and had heat resistance of 200 ° C. or more. The total light transmittance of the obtained film was 90.5%, the haze was 0.4%, and the film appearance was good. The film surface resistance at this time was as low as 7 × 10 10 Ω / □ at an applied voltage of 100V.
比較例2
実施例1において乾燥温度を130℃にて10分のみとした以外は同様にして溶液を調製及び製膜し、光学特性及び表面抵抗を測定した。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であり、200℃以上の耐熱性を有していた。得られたフィルムの全光線透過率は90.5%、ヘーズは0.5%であり、フィルム外観は良好であった。この時のフィルム表面抵抗は印加電圧100Vにおいて1×1017Ω/□と高く、静電気帯電が顕著であった。
Comparative Example 2
A solution was prepared and formed in the same manner except that the drying temperature was only 10 minutes at 130 ° C. in Example 1, and the optical properties and surface resistance were measured. The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, and had heat resistance of 200 ° C. or more. The total light transmittance of the obtained film was 90.5%, the haze was 0.5%, and the film appearance was good. The film surface resistance at this time was as high as 1 × 10 17 Ω / □ at an applied voltage of 100 V, and electrostatic charging was remarkable.
実施例5
実施例1において合成例1のフマル酸ジエステル系樹脂(フマル酸ジイソプロピル残基単位/フマル酸ジエチル残基単位=91/9(モル%))の代わりに合成例4のフマル酸ジエステル系樹脂(フマル酸ジイソプロピル単独重合樹脂)とした以外は同様にして溶液を調製し、フィルムを製膜乾燥した。このフィルムに水銀ランプにて光を10分間照射し、架橋を行い、架橋フィルムとした。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であり、200℃以上の耐熱性を有していた。得られたフィルムの全光線透過率は91%、ヘーズは0.5%であり、フィルム外観は良好であった。この時のフィルム表面抵抗は印加電圧100Vにおいて7×1010Ω/□と低かった。
Example 5
In Example 1, instead of the fumaric acid diester resin of Synthesis Example 1 (diisopropyl fumarate residue unit / diethyl fumarate residue unit = 91/9 (mol%)), the fumaric acid diester resin of Example 4 (fumarate) A solution was prepared in the same manner except that the diisopropyl acid homopolymer resin was used, and the film was formed and dried. This film was irradiated with light with a mercury lamp for 10 minutes to perform crosslinking to obtain a crosslinked film. The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, and had heat resistance of 200 ° C. or more. The total light transmittance of the obtained film was 91%, the haze was 0.5%, and the film appearance was good. The film surface resistance at this time was as low as 7 × 10 10 Ω / □ at an applied voltage of 100V.
実施例6
実施例1においてフィルム製膜厚さを150μmとした以外は同様にして溶液の調製から製膜、評価を行なった。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であり、200℃以上の耐熱性を有していた。得られたフィルムの全光線透過率は91%、ヘーズは0.5%であり、フィルム外観は良好であった。この時のフィルム表面抵抗は印加電圧100Vにおいて7×1010Ω/□と低かった。
Example 6
A film was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1, except that the film thickness was 150 μm. The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, and had heat resistance of 200 ° C. or more. The total light transmittance of the obtained film was 91%, the haze was 0.5%, and the film appearance was good. The film surface resistance at this time was as low as 7 × 10 10 Ω / □ at an applied voltage of 100V.
実施例7
実施例1において東邦化学製アンスティックスC−200(四級アンモニウム塩系の界面活性剤)0.36g(フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対する界面活性剤:1.5重量部)とした以外は同様にして溶液の調製から製膜、評価を行なった(フィルム中の界面活性剤:フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対して1.5重量部)。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であり、200℃以上の耐熱性を有していた。得られたフィルムの全光線透過率は91%、ヘーズは0.5%であり、フィルム外観は良好であった。この時のフィルム表面抵抗は印加電圧100Vにおいて3×1010Ω/□と低かった。
Example 7
In Example 1, except that it was 0.36 g (surfactant with respect to 100 parts by weight of fumaric acid diester resin: 1.5 parts by weight) manufactured by Toho Chemical Co., Ltd. In the same manner, the film was prepared and evaluated from the preparation of the solution (surfactant in the film: 1.5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the fumaric acid diester resin). The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, and had heat resistance of 200 ° C. or more. The total light transmittance of the obtained film was 91%, the haze was 0.5%, and the film appearance was good. At this time, the film surface resistance was as low as 3 × 10 10 Ω / □ at an applied voltage of 100V.
実施例8
実施例1において東邦化学製アンスティックスC−200(四級アンモニウム塩系の界面活性剤)0.072g(フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対する界面活性剤:0.3重量部)とした以外は同様にして溶液の調製から製膜、評価を行なった(フィルム中の界面活性剤:フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対して0.3重量部)。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であり、200℃以上の耐熱性を有していた。得られたフィルムの全光線透過率は91%、ヘーズは0.5%であり、フィルム外観は良好であった。この時のフィルム表面抵抗は印加電圧100Vにおいて8×1013Ω/□と低かった。
Example 8
In Example 1, except that it was 0.072 g (surfactant with respect to 100 parts by weight of fumaric acid diester resin: 0.3 part by weight) manufactured by Toho Chemical Co., Ltd. In the same manner, from the preparation of the solution, the film was formed and evaluated (surfactant in the film: 0.3 part by weight relative to 100 parts by weight of the fumaric acid diester resin). The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, and had heat resistance of 200 ° C. or more. The total light transmittance of the obtained film was 91%, the haze was 0.5%, and the film appearance was good. The film surface resistance at this time was as low as 8 × 10 13 Ω / □ at an applied voltage of 100V.
比較例3
実施例1において東邦化学製アンスティックスC−200(四級アンモニウム塩系の界面活性剤)1.2g(フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対する界面活性剤:5重量部)とした以外は同様にして溶液の調製から製膜、評価を行なった(フィルム中の界面活性剤::フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対して5重量部)。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であり、200℃以上の耐熱性を有していた。得られたフィルムの全光線透過率は91%、ヘーズは0.5%であり、PETフィルムから剥離したフィルム面にはアンスティックスの著しい滲み、ベタツキが見られた。この時のフィルム表面抵抗は印加電圧100Vにおいて2×1010Ω/□と低かった。
Comparative Example 3
The same as Example 1 except that 1.2 g (surfactant with respect to 100 parts by weight of fumaric acid diester resin: 5 parts by weight) manufactured by Toho Kagaku Ansticks C-200 (quaternary ammonium salt-based surfactant) was used. From the preparation of the solution, film formation and evaluation were carried out (surfactant in the film: 5 parts by weight relative to 100 parts by weight of the fumaric acid diester resin). The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, and had heat resistance of 200 ° C. or more. The obtained film had a total light transmittance of 91% and a haze of 0.5%, and the film surface peeled off from the PET film showed remarkable blurring and stickiness of anstick. The film surface resistance at this time was as low as 2 × 10 10 Ω / □ at an applied voltage of 100V.
実施例9
実施例1において東邦化学製アンスティックスC−200(四級アンモニウム塩系の界面活性剤)の代わりに米国ACL社製スタティサイドConc(メチルビス(2−ヒドロキシエチル)ココアルキル硝酸アンモニウム塩及びメチルビス(2−ヒドロキシエチル)ココアルキルアンモニウム塩を主成分として60重量%含有)0.4g(フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対する界面活性剤:1重量部)とした以外はとした以外は同様にして溶液の調製から製膜、評価を行なった(フィルム中の界面活性剤:フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対して1重量部)。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であり、200℃以上の耐熱性を有していた。得られたフィルムの全光線透過率は91.5%、ヘーズは0.4%であった。この時のフィルム表面抵抗は印加電圧100Vにおいて2×1010Ω/□と低かった。
Example 9
In Example 1, in place of Tosu Chemicals Ansticks C-200 (a quaternary ammonium salt surfactant), Stacyside Conc (methylbis (2-hydroxyethyl) cocoalkyl ammonium nitrate and methylbis ( 2-hydroxyethyl) 60% by weight of cocoalkylammonium salt as a main component)) 0.4 g (surfactant with respect to 100 parts by weight of fumaric acid diester resin: 1 part by weight) From the preparation of the solution, film formation and evaluation were performed (surfactant in the film: 1 part by weight based on 100 parts by weight of the fumaric acid diester resin). The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, and had heat resistance of 200 ° C. or more. The obtained film had a total light transmittance of 91.5% and a haze of 0.4%. The film surface resistance at this time was as low as 2 × 10 10 Ω / □ at an applied voltage of 100V.
実施例10
実施例1において東邦化学製アンスティックスC−200(四級アンモニウム塩系の界面活性剤)の代わりにエレクトロストリッパーME−2(ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩)3.6g(フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対する界面活性剤:1.5重量部)とした以外は同様にして溶液の調製から製膜、評価を行なった(フィルム中の界面活性剤:フマル酸ジエステル系樹脂100重量部に対して1.5重量部)。得られたフィルムの動的貯蔵弾性率(E’)は200℃、周波数10Hzにおいて2.0×107Pa以上であり、200℃以上の耐熱性を有していた。得られたフィルムの全光線透過率は91%、ヘーズは0.5%であった。この時のフィルム表面抵抗は印加電圧100Vにおいて3×1012Ω/□と低かった。
Example 10
In Example 1, 3.6 g (fumaric acid diester resin) of electrostripper ME-2 (polyoxyalkylene alkyl ether sulfate) instead of Toshou Chemicals Anstax C-200 (a quaternary ammonium salt surfactant) A solution was prepared, formed into a film, and evaluated in the same manner except that the surfactant was 100 parts by weight (1.5 parts by weight) (surfactant in the film: 100 parts by weight of the fumaric acid diester resin). 1.5 parts by weight). The obtained film had a dynamic storage elastic modulus (E ′) of 2.0 × 10 7 Pa or more at 200 ° C. and a frequency of 10 Hz, and had heat resistance of 200 ° C. or more. The obtained film had a total light transmittance of 91% and a haze of 0.5%. At this time, the film surface resistance was as low as 3 × 10 12 Ω / □ at an applied voltage of 100V.
実施例11
実施例1のフィルムであって、面内位相差(Re)は0nm、面外位相差(Rth)は135nmであり、フィルムの屈折率はnx=1.4685、ny=1.4685、nz=1.4730であり、その関係はnz>nx=nyであった。このフィルムを偏光板保護フィルムとして、該偏光板保護フィルムの一方の面にポリエステルポリオールとイソシアネートの酢酸エチル溶液をバーコーターを用いて塗布し、ポリビニルアルコール・ヨウ素偏光板の両面に貼り合わせ、120℃で1時間熱処理した。貼り合せたフィルム積層体は、加熱による剥離もなく、位相差補償フィルム及び/又は偏光板保護フィルムとして使用可能であった。
Example 11
In the film of Example 1, the in-plane retardation (Re) is 0 nm, the out-of-plane retardation (Rth) is 135 nm, and the refractive indices of the films are nx = 1.4685, ny = 1.4685, nz = The relationship was 1.4730, and the relationship was nz> nx = ny. Using this film as a polarizing plate protective film, an ethyl acetate solution of polyester polyol and isocyanate was applied to one side of the polarizing plate protective film using a bar coater, and bonded to both sides of the polyvinyl alcohol / iodine polarizing plate, 120 ° C. For 1 hour. The laminated film laminate was not peeled off by heating and could be used as a retardation compensation film and / or a polarizing plate protective film.
実施例12
実施例3のフィルムからなり、オーブン耐熱として200℃、30分保持にて劣化のないフィルムを室温、バックグラウンド圧として1*10−7torr、スパッタガス圧として0.6Paにおいて(Ar:80SCCM、N2:20SCCM)、印加電圧としてRFマグネトロン500Wの条件にてスパッタを行い、厚み100nmの窒化ケイ素層をフィルム両面に形成した。このフィルム上に、温度200℃、バックグラウンド圧として1*10−7torr、スパッタガス圧として0.6Pa(Ar:80SCCM、O2:20SCCM)、印加電圧としてRFマグネトロン500wにてITOスパッタ処理にてITO膜を形成した。形成されたバリア膜およびITO膜は良好な密着を示し、タッチパネルフィルムとして使用可能であった。
Example 12
It consists of the film of Example 3, and the film which does not deteriorate at 200 ° C. for 30 minutes as the oven heat resistance is room temperature, the background pressure is 1 * 10 −7 torr, the sputtering gas pressure is 0.6 Pa (Ar: 80 SCCM, N2: 20 SCCM), and sputtering was performed under the condition of an RF magnetron of 500 W as an applied voltage, and a silicon nitride layer having a thickness of 100 nm was formed on both surfaces of the film. On this film, ITO sputtering treatment was performed at a temperature of 200 ° C., a background pressure of 1 * 10 −7 torr, a sputtering gas pressure of 0.6 Pa (Ar: 80 SCCM, O 2 : 20 SCCM), and an applied voltage of RF magnetron 500 w. An ITO film was formed. The formed barrier film and ITO film showed good adhesion and could be used as a touch panel film.
実施例13
実施例3のフィルムからなり、オーブン耐熱として200℃、30分保持にて劣化のないことから液晶ディスプレイ用カラーフィルター基板として使用可能であった。
Example 13
It consisted of the film of Example 3, and was usable as a color filter substrate for a liquid crystal display because it was not deteriorated by holding at 200 ° C. for 30 minutes as an oven heat resistance.
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