JP5979211B2 - 電極形成用組成物及び該組成物を用いた電極の形成方法 - Google Patents
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Description
目的に応じた表面形状を作成することが可能となる。添加物の添加割合は組成物に対して0.1〜20質量%の範囲内が好ましい。このうち、1〜5質量%の範囲内が特に好ましい。添加物の添加割合が下限値未満では粒成長の抑制効果が得られず、添加物の含有割合が上限値を越えると比抵抗の著しい上昇という不具合を生じる。なお、本発明でいう金属酸化物には、金属元素の酸化物だけでなく、半金属元素の酸化物をも含む。また、本発明でいう金属水酸化物には、金属元素の水酸化物だけでなく、半金属元素の水酸化物をも含む。同様に、本発明でいう有機金属化合物には、金属元素だけでなく半金属元素を構成要素として含む。
先ず硝酸銀を脱イオン水等の水に溶解して金属塩水溶液を調製する。一方、クエン酸ナトリウムを脱イオン水等の水に溶解させて得られた濃度10〜40%のクエン酸ナトリウム水溶液に、窒素ガス等の不活性ガスの気流中で粒状又は粉状の硫酸第一鉄を直接加えて溶解させ、クエン酸イオンと第一鉄イオンを3:2のモル比で含有する還元剤水溶液を調製する。次に上記不活性ガス気流中で上記還元剤水溶液を撹拌しながら、この還元剤水溶液に上記金属塩水溶液を滴下して混合する。ここで、金属塩水溶液の添加量は還元剤水溶液の量の1/10以下になるように、各溶液の濃度を調整することで、室温の金属塩水溶液を滴下しても反応温度が30〜60℃に保持されるようにすることが好ましい。また上記両水溶液の混合比は、金属塩水溶液中の金属イオンの総原子価数に対する、還元剤水溶液中のクエン酸イオンと第一鉄イオンのモル比がいずれも3倍モルとなるようにする。金属塩水溶液の滴下が終了した後、混合液の撹拌を更に10〜300分間続けて金属コロイドからなる分散液を調製する。この分散液を室温で放置し、沈降した金属ナノ粒子の凝集物をデカンテーションや遠心分離法等により分離した後、この分離物に脱イオン水等の水を加えて分散体とし、限外ろ過により脱塩処理し、更に引き続いてアルコール類で置換洗浄して、金属(銀)の含有量を2.5〜50質量%にする。その後、遠心分離機を用いこの遠心分離機の遠心力を調整して粗粒子を分離することにより、銀ナノ粒子が一次粒径10〜50nmの範囲内の銀ナノ粒子を数平均で70%以上含有するように調製する、即ち数平均で全ての銀ナノ粒子100%に対する一次粒径10〜50nmの範囲内の銀ナノ粒子の占める割合が70%以上になるように調整する。これにより銀ナノ粒子を化学修飾する保護剤の有機分子主鎖の炭素骨格の炭素数が3である分散体が得られる。
還元剤水溶液を調製するときに用いたクエン酸ナトリウムをりんご酸ナトリウムに替えること以外は上記(a)と同様にして分散体を調製する。これにより銀ナノ粒子を化学修飾する有機分子主鎖の炭素骨格の炭素数が2である分散体が得られる。
還元剤水溶液を調製するときに用いたクエン酸ナトリウムをグリコール酸ナトリウムに替えること以外は上記(a)と同様にして分散体を調製する。これにより銀ナノ粒子を化学修飾する有機分子主鎖の炭素骨格の炭素数が1である分散体が得られる。
銀ナノ粒子以外の金属ナノ粒子を構成する金属としては、金、白金、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、銅、錫、インジウム、亜鉛、鉄、クロム及びマンガンが挙げられる。金属塩水溶液を調製するときに用いた硝酸銀を、塩化金酸、塩化白金酸、硝酸パラジウム、三塩化ルテニウム、塩化ニッケル、硝酸第一銅、二塩化錫、硝酸インジウム、塩化亜鉛、硫酸鉄、硫酸クロム又は硫酸マンガンに替えること以外は上記(a)と同様にして分散体を調製する。これにより銀ナノ粒子以外の金属ナノ粒子を化学修飾する保護剤の有機分子主鎖の炭素骨格の炭素数が3である分散体が得られる。
本発明の電極形成用組成物を用いて形成したサブストレート型太陽電池について説明する。
先ず、硝酸銀を脱イオン水に溶解して濃度が25質量%の金属塩水溶液を調製した。また、クエン酸ナトリウムを脱イオン水に溶解して濃度が26質量%のクエン酸ナトリウム水溶液を調製した。このクエン酸ナトリウム水溶液に、35℃に保持された窒素ガス気流中で粒状の硫酸第1鉄を直接加えて溶解させ、クエン酸イオンと第1鉄イオンを3:2のモル比で含有する還元剤水溶液を調製した。
実施例1〜7と同様にして銀ナノ粒子が一次粒径10〜50nmの銀ナノ粒子を数平均で71%含有するように、即ち数平均で全ての銀ナノ粒子100%に対する一次粒径10〜50nmの銀ナノ粒子の占める割合が71%になるように、遠心分離機により調整して第1分散体を得た。一方、実施例1の硝酸銀を硝酸パラジウムに代え、実施例1〜7と同様にしてエタノールで置換洗浄された分散体を、パラジウムナノ粒子が一次粒径10〜50nmのパラジウムナノ粒子を数平均で71%含有するように、即ち数平均で全てのパラジウムナノ粒子100%に対する一次粒径10〜50nmのパラジウムナノ粒子の占める割合が71%になるように、遠心分離機により調整して第2分散体を得た。次に第1分散体77質量%と第2分散体23質量%とを調整した。この分散体を実施例8で使用し、実施例1〜7と同様の評価を行った。次に、得られた金属ナノ粒子10重量部を水、エタノール及びメタノールを含む混合溶液90重量部に添加混合することにより分散させ、更にこの分散液に次の表1に示す通り、PVPを表1に示す割合10.0質量%となるように加えることで調整した。また分散体中の銀ナノ粒子及びパラジウムナノ粒子は炭素骨格が炭素数3の有機分子主鎖の保護剤でそれぞれ化学修飾された。更に銀ナノ粒子及びパラジウムナノ粒子を化学修飾している保護剤は水酸基及びカルボニル基を含有した。
実施例1〜7と同様にして銀ナノ粒子が一次粒径10〜50nmの銀ナノ粒子を数平均で71%含有するように、即ち数平均で全ての銀ナノ粒子100%に対する一次粒径10〜50nmの銀ナノ粒子の占める割合が71%になるように、遠心分離機により調整して第1分散体を得た。一方、実施例1の硝酸銀を三塩化ルテニウムに代え、実施例1〜7と同様にしてエタノールで置換洗浄された分散体を、ルテニウムナノ粒子が一次粒径10〜50nmのルテニウムナノ粒子を数平均で71%含有するように、即ち数平均で全てのルテニウムナノ粒子100%に対する一次粒径10〜50nmのルテニウムナノ粒子の占める割合が72%になるように、遠心分離機により調整して第2分散体を得た。次に第1分散体77質量%と第2分散体23質量%とを調整した。この分散体を実施例9で使用し、実施例1〜7と同様の評価を行った。次に、得られた金属ナノ粒子10重量部を水、エタノール及びメタノールを含む混合溶液90重量部に添加混合することにより分散させ、更にこの分散液に次の表1に示す通り、PVPを表1に示す割合10.0質量%となるように加えることで調整した。また分散体中の銀ナノ粒子及びルテニウムナノ粒子は炭素骨格が炭素数3の有機分子主鎖の保護剤でそれぞれ化学修飾された。更に銀ナノ粒子及びルテニウムナノ粒子を化学修飾している保護剤は水酸基及びカルボニル基を含有した。
実施例1〜9及び比較例1〜3で得られた塗布試験用組成物を次の表1に示す基材上に600nmの膜厚となるようにスピンコーティング法或いはスプレーコーティング法で塗布した後に、次の表1に示す熱処理条件で大気中焼成することにより、基材上に導電性塗膜を形成した。形成した導電性塗膜について、基材への密着性及び塗膜の反射率についてそれぞれ評価した。また、形成した導電性塗膜の比抵抗を求めた。
先ず、次の表2に示す金属ナノ粒子を形成する種類の金属塩を脱イオン水に溶解して金属塩水溶液を調製した。また、クエン酸ナトリウムを脱イオン水に溶解して濃度が26質量%のクエン酸ナトリウム水溶液を調製した。このクエン酸ナトリウム水溶液に、35℃に保持された窒素ガス気流中で粒状の硫酸第1鉄を直接加えて溶解させ、クエン酸イオンと第1鉄イオンを3:2のモル比で含有する還元剤水溶液を調製した。
実施例10〜21及び比較例4で得られた塗布試験用組成物を次の表2に示す基材上に102〜2×103nmの膜厚となるように様々な成膜方法で塗布した後に、次の表2に示す熱処理条件で焼成することにより、基材上に導電性塗膜を形成した。
先ず、次の表4〜表6に示す金属ナノ粒子を形成する種類の金属塩を脱イオン水に溶解して金属塩水溶液を調製した。また、クエン酸ナトリウムを脱イオン水に溶解して濃度が26質量%のクエン酸ナトリウム水溶液を調製した。このクエン酸ナトリウム水溶液に、35℃に保持された窒素ガス気流中で粒状の硫酸第1鉄を直接加えて溶解させ、クエン酸イオンと第1鉄イオンを3:2のモル比で含有する還元剤水溶液を調製した。
実施例22〜58及び比較例5〜8で得られた塗布試験用組成物を次の表4〜表6に示す基材上に102〜2×103nmの膜厚となるように様々な成膜方法で塗布した後に、次の表4〜表6に示す熱処理条件で焼成することにより、基材上に導電性塗膜を形成した。
11 基材
12 透明電極
12a テクスチャ構造
13 光電変換層
13a アモルファスSi
13b 微結晶Si
14 透明導電膜
15 裏面電極
20 サブストレート型太陽電池
21 基材
22 裏面電極
22a テクスチャ構造
23 光電変換層
23a アモルファスSi
23b 微結晶Si
24 透明電極
25 封止材
30 電子ペーパー
31 基材
32 透明導電膜
33 動作層
34 電極層
Claims (4)
- 銀ナノ粒子が分散媒に分散した電極形成用組成物であって、
前記組成物中にPVP、PVPの共重合体、PVA及びセルロースエーテルからなる群より選ばれた1種又は2種以上の有機高分子を含み、
前記有機高分子の含有率が銀ナノ粒子の0.1〜20質量%であり、
前記銀ナノ粒子は、炭素骨格が炭素数1〜3である有機分子主鎖の保護剤で化学修飾されていて、
前記銀ナノ粒子は、一次粒径が10〜50nmの範囲内にある銀ナノ粒子を数平均で70%以上含有し、
前記分散媒がアルコール類、或いはアルコール含有水溶液である
ことを特徴とする電極形成用組成物。 - 請求項1記載の電極形成用組成物を基材上に湿式塗工法で塗工して成膜する工程と、
前記上面に成膜された基材を130〜400℃で焼成する工程と
を含む電極の形成方法。 - 請求項2記載の形成方法を含む太陽電池の製造方法。
- 請求項2記載の形成方法を含む電子ペーパーの製造方法。
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| JP5144857B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2013-02-13 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用導電性ペースト組成物 |
| KR101154577B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2012-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| CN101969102B (zh) * | 2010-08-09 | 2012-05-23 | 吉林大学 | 全水相纳米晶/导电聚合物杂化太阳能电池的制备方法 |
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| KR101999795B1 (ko) * | 2012-06-27 | 2019-07-12 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
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| JP6147860B2 (ja) | 2012-09-27 | 2017-06-14 | ロディア オペレーションズRhodia Operations | 銀ナノ構造を作製するための方法及び同方法に有用なコポリマー |
| US9574091B2 (en) * | 2012-10-19 | 2017-02-21 | Namics Corporation | Conductive paste |
| TWI489642B (zh) * | 2012-12-26 | 2015-06-21 | Ind Tech Res Inst | 太陽能電池封裝模組及其製造方法 |
| JP6102697B2 (ja) * | 2013-11-28 | 2017-03-29 | 住友金属鉱山株式会社 | 水性銀コロイド液及びその製造方法、並びに水性銀コロイド液を用いたインク |
| JP6127943B2 (ja) * | 2013-12-02 | 2017-05-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 水性銀コロイド液及びその製造方法、並びに水性銀コロイド液を用いた塗料 |
| KR101686657B1 (ko) * | 2014-11-06 | 2016-12-16 | 서강대학교산학협력단 | 다중 박막 인쇄 기술을 이용한 미세유체 칩의 제조 방법 |
| CN104616727B (zh) * | 2015-01-26 | 2016-09-14 | 河南大学 | 一种以银为内芯的纳米电缆透明导电薄膜及其制备方法 |
| CN104785776B (zh) * | 2015-05-11 | 2017-02-08 | 厦门大学 | 一种以硼氢化钠水溶液对银纳米粒子进行表面清洁的方法 |
| EP3305862B1 (en) | 2015-05-27 | 2019-07-10 | Nagase ChemteX Corporation | Nano-metal ink and process for producing metal film using same |
| US11195966B2 (en) * | 2015-09-11 | 2021-12-07 | Sunpower Corporation | Bifacial solar cells with reflective back contacts |
| WO2017094166A1 (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | ハリマ化成株式会社 | 導電性ペーストの製造方法 |
| US10161052B2 (en) | 2016-02-19 | 2018-12-25 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Method for preparing a gallium-doped zinc oxide electrode decorated with densely gathered palladium nanoparticles |
| JP6269909B1 (ja) * | 2016-08-25 | 2018-01-31 | Dic株式会社 | 金属ナノ粒子水分散液 |
| WO2018038086A1 (ja) * | 2016-08-25 | 2018-03-01 | Dic株式会社 | 金属ナノ粒子水分散液 |
| JP6796448B2 (ja) * | 2016-10-20 | 2020-12-09 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 導電性ペーストおよびその製造方法、ならびに太陽電池セル |
| TWI602202B (zh) * | 2017-04-07 | 2017-10-11 | 國立成功大學 | Highly conductive base metal or alloy low ohmic chip resistor manufacturing method |
| CN107240435B (zh) * | 2017-04-18 | 2018-03-16 | 江苏东昇光伏科技有限公司 | 一种光伏电池用银浆及其制备方法 |
| KR102220531B1 (ko) * | 2018-04-23 | 2021-02-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지 |
| JP6754852B2 (ja) * | 2019-01-11 | 2020-09-16 | Jx金属株式会社 | 導電性組成物 |
| JP7235692B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2023-03-08 | 三ツ星ベルト株式会社 | 導電性組成物ならびにメタライズド基板およびその製造方法 |
| US20220355377A1 (en) * | 2019-07-02 | 2022-11-10 | Xtpl S.A. | Method of forming contiguous conductive features on a substrate |
| US11549026B2 (en) * | 2019-09-20 | 2023-01-10 | Xtpl S.A. | Metallic nanoparticle compositions |
| WO2021097756A1 (en) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | Texas Instruments Incorporated | Packaged electronic device with low resistance backside contact |
| EP3825440A1 (de) * | 2020-10-28 | 2021-05-26 | Heraeus Deutschland GmbH & Co KG | Verfahren zur herstellung eines mit elementarem silber und elementarem ruthenium ausgestatteten partikelförmigen trägermaterials |
| WO2022212565A1 (en) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | Averatek Corporation | Methods and devices for high resistance and low resistance conductor layers mitigating skin depth loss |
| CN115440888A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-12-06 | 中国计量大学 | 一种基于金属与电介质混合薄膜源极的柔性垂直沟道场效应管 |
Family Cites Families (71)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63213974A (ja) | 1987-03-03 | 1988-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS6454768A (en) | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of thin film solar cell |
| JPH027476A (ja) | 1988-06-26 | 1990-01-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | アモルファスシリコン系半導体装置及びその製造方法 |
| JP2805353B2 (ja) | 1989-09-12 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
| JP2841213B2 (ja) | 1989-09-12 | 1998-12-24 | キヤノン株式会社 | 太陽電池用基板の製造方法 |
| US5136351A (en) * | 1990-03-30 | 1992-08-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device with porous metal layer |
| JP2652087B2 (ja) | 1990-03-30 | 1997-09-10 | シャープ株式会社 | 光起電力装置とその製造方法 |
| JPH083142B2 (ja) | 1990-04-02 | 1996-01-17 | 豊信 吉田 | 複合プラズマによる酸化物皮膜の形成方法 |
| JP2908067B2 (ja) | 1991-05-09 | 1999-06-21 | キヤノン株式会社 | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| JPH0595127A (ja) | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Sharp Corp | 光電変換素子の製造方法 |
| JPH06196728A (ja) | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子およびその製造方法 |
| JPH06300907A (ja) | 1993-04-16 | 1994-10-28 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素焼結体を用いた光学用及びx線用部品及びその製造方法 |
| US5378408A (en) * | 1993-07-29 | 1995-01-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lead-free thick film paste composition |
| JPH07106617A (ja) | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Canon Inc | 透明電極及びその形成方法並びに該透明電極を用いた太陽電池 |
| JP3935513B2 (ja) | 1994-06-09 | 2007-06-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性微粉末分散液の製造方法 |
| JP3697760B2 (ja) | 1995-10-20 | 2005-09-21 | 旭硝子株式会社 | 塗布液 |
| JP3287754B2 (ja) | 1996-03-01 | 2002-06-04 | シャープ株式会社 | 太陽電池の金属電極形成方法 |
| JP3473272B2 (ja) | 1996-06-10 | 2003-12-02 | 旭硝子株式会社 | 導電膜形成用塗布液および導電膜 |
| JP3429958B2 (ja) * | 1996-08-28 | 2003-07-28 | 三井金属鉱業株式会社 | 銀コロイド液の製造方法 |
| JPH1073704A (ja) | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Mitsubishi Materials Corp | 高エネルギ光線の反射鏡 |
| JP3563236B2 (ja) * | 1996-09-26 | 2004-09-08 | 触媒化成工業株式会社 | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材およびその製造方法、表示装置 |
| JP3760361B2 (ja) | 1997-03-24 | 2006-03-29 | 株式会社村田製作所 | 太陽電池用導電性組成物 |
| KR100472496B1 (ko) * | 1997-07-23 | 2005-05-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명도전성조성물,이로부터형성된투명도전막및그제조방법 |
| TW505685B (en) * | 1997-09-05 | 2002-10-11 | Mitsubishi Materials Corp | Transparent conductive film and composition for forming same |
| US6071437A (en) * | 1998-02-26 | 2000-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrically conductive composition for a solar cell |
| JPH11329070A (ja) | 1998-05-13 | 1999-11-30 | Murata Mfg Co Ltd | 導電ペースト |
| JP3402215B2 (ja) | 1998-09-16 | 2003-05-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電膜形成用塗布液および導電膜 |
| MY125159A (en) * | 1998-09-14 | 2006-07-31 | Mitsubishi Materials Corp | Fine metal particle-dispersion solution and conductive film using the same |
| JP3897938B2 (ja) | 1998-10-22 | 2007-03-28 | 宇部日東化成株式会社 | 有機−無機複合傾斜材料、その製造方法及びその用途 |
| JP3310234B2 (ja) | 1999-02-25 | 2002-08-05 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置用反射板の製造方法 |
| JP2001313400A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の形成方法 |
| JP2001325831A (ja) | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Bando Chem Ind Ltd | 金属コロイド液、導電性インク、導電性被膜及び導電性被膜形成用基底塗膜 |
| JP3732073B2 (ja) | 2000-07-04 | 2006-01-05 | 松下電池工業株式会社 | 半導体用電極およびその製造方法 |
| JP2002198547A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Kyocera Corp | 太陽電池の製造方法 |
| WO2003025954A1 (en) | 2001-09-20 | 2003-03-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Silver conductor composition |
| JP2003132734A (ja) | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電層形成用塗液 |
| JP2004143571A (ja) | 2001-11-22 | 2004-05-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 導電パターン描画用基板およびインク、ならびに導電パターンの形成方法 |
| US6814795B2 (en) * | 2001-11-27 | 2004-11-09 | Ferro Corporation | Hot melt conductor paste composition |
| JP2002237214A (ja) | 2001-12-03 | 2002-08-23 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性塗料組成物 |
| JP2003179241A (ja) | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Kyocera Corp | 薄膜太陽電池 |
| EP1775734B1 (en) | 2001-12-27 | 2010-07-28 | Fujikura Ltd. | Electrically conductive composition, electrically conductive coating and electrically conductive coating formation method |
| JP2003273041A (ja) | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 集積回路の製造方法および該製造方法により形成された集積回路付基板 |
| JP4479161B2 (ja) | 2002-03-25 | 2010-06-09 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜とこの透明導電膜形成用塗布液および透明導電性積層構造体と表示装置 |
| TWI251018B (en) | 2002-04-10 | 2006-03-11 | Fujikura Ltd | Electroconductive composition, electroconductive coating and method of producing the electroconductive coating |
| JP3796476B2 (ja) | 2002-10-25 | 2006-07-12 | バンドー化学株式会社 | 導電性インク |
| JP2004182487A (ja) | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Mihoya Glass Ten:Kk | 模様付合わせガラス及びその製造方法 |
| JP2004182812A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Ishihara Sangyo Kaisha Ltd | 導電性塗料及びそれを用いた導電性塗膜の形成方法 |
| JP2004296801A (ja) | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
| JP4636454B2 (ja) | 2003-05-13 | 2011-02-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属ナノロッドの製造方法と用途 |
| JP4178513B2 (ja) | 2003-06-10 | 2008-11-12 | 富士電機ホールディングス株式会社 | テクスチャー構造を有する導電性薄膜の形成方法 |
| JP4540945B2 (ja) | 2003-06-26 | 2010-09-08 | 住友大阪セメント株式会社 | 金属薄膜形成用塗料と金属薄膜及びその製造方法 |
| JP4373774B2 (ja) | 2003-12-24 | 2009-11-25 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の製造方法 |
| JP3853793B2 (ja) | 2004-02-27 | 2006-12-06 | 京セラケミカル株式会社 | 太陽電池用導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| JP4443274B2 (ja) | 2004-03-18 | 2010-03-31 | シャープ株式会社 | 光電変換装置 |
| JP2005353904A (ja) | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Sharp Corp | 電極の形成方法、太陽電池の製造方法、電極、太陽電池 |
| US7270694B2 (en) * | 2004-10-05 | 2007-09-18 | Xerox Corporation | Stabilized silver nanoparticles and their use |
| GB0427164D0 (en) | 2004-12-11 | 2005-01-12 | Eastman Kodak Co | Conductive silver dispersions and uses thereof |
| JP4799881B2 (ja) | 2004-12-27 | 2011-10-26 | 三井金属鉱業株式会社 | 導電性インク |
| JP4719473B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2011-07-06 | バンドー化学株式会社 | 導電インクおよびその利用 |
| TW200640596A (en) | 2005-01-14 | 2006-12-01 | Cabot Corp | Production of metal nanoparticles |
| US8383014B2 (en) * | 2010-06-15 | 2013-02-26 | Cabot Corporation | Metal nanoparticle compositions |
| JP2006277228A (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 画像レイアウト変更装置、画像レイアウト変更方法およびコンピュータプログラム |
| WO2006109799A1 (ja) | 2005-04-12 | 2006-10-19 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 金属導電膜とその製造方法 |
| US7435361B2 (en) * | 2005-04-14 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
| WO2007080997A1 (ja) | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 銀導電膜およびその製造法 |
| JP2007258311A (ja) | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | バリスタ |
| KR101485304B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2015-01-23 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 태양 전지의 전극 형성용 조성물 및 그 전극의 형성 방법, 그리고 그 형성 방법에 의해 얻어진 전극을 사용한 태양 전지 |
| US7906223B2 (en) * | 2006-09-11 | 2011-03-15 | 3M Innovative Properties Company | Permeable nanoparticle reflector |
| JP2007035650A (ja) | 2006-10-02 | 2007-02-08 | Toshiba Battery Co Ltd | 電池容器の溶接方法 |
| JP5309521B2 (ja) | 2006-10-11 | 2013-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 電極形成用組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いた電極の形成方法 |
| US7940447B2 (en) * | 2006-12-04 | 2011-05-10 | 3M Innovative Properties Company | Electrochromic device |
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