JP5994966B2 - 非水系ゲル電解質およびその製造方法、並びにその利用 - Google Patents
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Description
本発明者らは前記課題に鑑み鋭意検討した結果、特定の高分子化合物を用いて、イオン液体とイオン液体の流動性を抑制するための高分子化合物とを含むゲル電解質を作製したところ、リチウムイオン伝導性を持ち、液体系の電解質と同等あるいはそれ以上の高出力特性を有する非水系ゲル電解質を実現することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
本発明に係る非水系ゲル電解質は、高分子化合物として、キトサンまたはキチン、キトサン塩またはキチン塩、アルギン酸、或いは、アルギン酸塩を含んでいればよいが、非水系ゲル電解質に対する高分子化合物の含有率は、50重量%〜95重量%であることが好ましく、80重量%〜95重量%であることがより好ましい。非水系ゲル電解質に対する高分子化合物の含有率が50重量%以上であることにより、好適に非水系ゲル電解質を形成することができるため好ましい。また、非水系ゲル電解質に対する高分子化合物の含有率が95重量%以下であることにより、イオン液体が一定量以上含まれるため、イオン伝導性の低下を防ぐことができる。
本発明に係る非水系ゲル電解質に含まれる高分子化合物は、本発明の一実施形態ではキトサンまたはキチン或いはこれらの塩を含んでいる。
キトサンおよびキチンの分子量は特に限定されるものではないが、0.5%酢酸溶液の20℃におけるB型粘度計が示す粘度が、20mP・s〜200mP・sに相当する分子量であることが好ましく、40mP・s〜90mP・sに相当する分子量であることがより好ましい。0.5%酢酸溶液の20℃におけるB型粘度計が示す粘度が前記の範囲であることにより、ゲル構造をより容易に形成することができる。
本発明に係る非水系ゲル電解質に含まれる高分子化合物は、本発明の他の一実施形態ではアルギン酸またはアルギン酸塩を含んでいる。
本発明に係る非水系ゲル電解質は、上述した高分子化合物と、イオン液体と、リチウム塩とを含んでいればよいが、非水系ゲル電解質中に存在するイオン液体に対するリチウム塩の含有濃度が0.2mol/kg〜1.5mol/kgであることが好ましく、0.3mol/kg〜1.0mol/kgであることがより好ましい。非水系ゲル電解質中に存在するイオン液体に対するリチウム塩の含有濃度が0.2mol/kg以上であることにより、充放電における十分なキャリヤ密度を確保できるため好ましい。また、非水系ゲル電解質中に存在するイオン液体に対するリチウム塩の含有濃度が1.5mol/kg以下であることにより、粘度増加による出力低下を抑制できるため好ましい。
本発明に係る非水系ゲル電解質は、前記高分子化合物と、イオン液体と、前記リチウム塩とを含んでいればよく、前記イオン液体が非水系ゲル電解質に含まれる量としては、特に限定されるものではない。しかしながら、非水系ゲル電解質の蓄電デバイスにおける電気的特性をより十分なものにし得るという点で、非水系ゲル電解質に対するイオン液体の含有率は、5重量%以上であることが好ましく、10重量%以上であることがより好ましい。また、前記非水系ゲル電解質に対するイオン液体の含有率は、50重量%以下である。したがって、非水系ゲル電解質に対するイオン液体の含有率は、5重量%〜50重量%とすることができ、より好ましくは、5重量%〜20重量%とすることができる。
リル−3−ブチルイミダゾリウム、1,3−ジアリルイミダゾリウム等が挙げられる。
本発明に係る非水系ゲル電解質には、前記高分子化合物、イオン液体およびリチウム塩以外に、本発明の効果に悪影響を与えない範囲で添加剤が含まれていてもよい。
本発明に係る非水系ゲル電解質の製造方法は、前記非水系ゲル電解質を製造することができる方法であれば、特に限定されるものではない。本発明に係る非水系ゲル電解質の製造方法の一例として、例えば、キトサンまたはキチン、キトサン塩またはキチン塩、アルギン酸、或いは、アルギン酸塩を含むゲル膜を形成する工程と、当該ゲル膜を、リチウム塩を予め溶解したイオン液体に浸漬する工程と、浸漬と同時または浸漬後にリチウム塩を予め溶解したイオン液体に浸漬したゲル膜を乾燥する工程と、を含む方法を好適に用いることができる。
本発明に係る非水系ゲル電解質は、固体電解質であり、且つ、リチウムイオン伝導性を持ち、液体系の電解質と同等あるいはそれ以上の高出力特性を有する非水系ゲル電解質を実現することができるので、リチウム電池、リチウムイオン二次電池、リチウムイオンキャパシタ等のリチウムイオン伝導を利用する蓄電デバイスに好適に用いることができる。それゆえ本発明には、前記非水系ゲル電解質を用いた蓄電デバイスも含まれる。
<非水系ゲル電解質の製造>
以下に示す原料を用いて非水系ゲル電解質を製造した。
・イオン液体:1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(フルオロスルフォニル)イミド(以下、本明細書において、「EMImFSI」と称することがある。第一工業製薬社製)
・キトサン:FH80(甲陽ケミカル株式会社)
・リチウム塩:リチウム ビス(トリフルオロメチルスルフォニル)イミド(以下、本明細書において、「LiTFSI」と称することがある。関東化学社製)
2重量%の酢酸水溶液に、キトサン粉末(FH80・甲陽ケミカル株式会社)を溶解させて、キトサン濃度が2重量%のキトサンの酢酸水溶液を得た。この2重量%のキトサンの酢酸水溶液をガラス板上に塗布し、これを10重量%NaOH水溶液に30分浸漬することによりキトサンゲル膜とした。そして、得られたキトサンゲル膜を蒸留水により洗浄した後、メタノールに6時間浸漬することにより脱水した。
実施例1で得られた非水系ゲル電解質について、単極評価セルにより炭素系負極の充放電特性を評価した。
実施例1で得られた非水系ゲル電解質について、前記試験セルにより炭素系負極のレート特性を評価した。
実施例1で得られた非水系ゲル電解質について、前記試験セルを用いて交流インピーダンス測定によるグラファイト負極との接触抵抗の評価を行った。
実施例1で得られた非水系ゲル電解質について、単極評価セルにより層状酸化物系正極の充放電特性を評価した。
実施例1で得られた非水系ゲル電解質について、前記試験セルにより層状酸化物系正極のレート特性を評価した。
実施例1で得られた非水系ゲル電解質について、単極評価セルによりオリビン系正極の充放電特性を評価した。
<非水系ゲル電解質の製造>
以下に示す原料を用いて非水系ゲル電解質を製造した。
・イオン液体:EMImFSI
・アルギン酸ナトリウム:1(w/v)%水溶液の粘度(20℃):1000mPa・S、フードケミファ社製商品名「ダックアルギンNSPH2」
・リチウム塩:LiTFSI
3重量%アルギン酸ナトリウム水溶液(フードケミファ社製、商品名:ダックアルギンNSPH2)をガラス板上に塗布し、これを15重量%CaCl2水溶液に30分浸漬することにより、アルギン酸カルシウムゲル膜とした。そして、得られたアルギン酸カルシウムゲル膜をメタノールに6時間浸漬することにより脱水した。
実施例2で得られた非水系ゲル電解質について、単極評価セルにより層状酸化物系正極の充放電特性を評価した。
Claims (7)
- 高分子化合物と、イオン液体と、リチウム塩と、を含み、
前記高分子化合物は、キトサンまたはキチン、キトサン塩またはキチン塩、或いは、アルギン酸またはアルギン酸塩であり、
前記イオン液体は、(ビス(フルオロスルフォニル)イミドアニオン)を含むことを特徴とする非水系ゲル電解質。 - 前記高分子化合物は、架橋されていることを特徴とする請求項1に記載の非水系ゲル電解質。
- 非水系ゲル電解質に対する高分子化合物の含有率が50重量%〜95重量%であることを特徴とする請求項1または2に記載の非水系ゲル電解質。
- 非水系ゲル電解質に対するイオン液体の含有率が5重量%〜50重量%であることを特徴とする請求項1または2に記載の非水系ゲル電解質。
- 正極、負極および請求項1〜4の何れか1項に記載の非水系ゲル電解質を含むことを特徴とする蓄電デバイス。
- リチウム電池、リチウムイオン二次電池またはリチウムイオンキャパシタであることを特徴とする請求項5に記載の蓄電デバイス。
- キトサンまたはキチン、キトサン塩またはキチン塩、アルギン酸、或いは、アルギン酸塩を含むゲル膜を形成する工程と、
当該ゲル膜を、リチウム塩を予め溶解したイオン液体に浸漬する工程と、
浸漬と同時または浸漬後に、リチウム塩を予め溶解したイオン液体に浸漬したゲル膜を乾燥する工程と、
を含むことを特徴とする非水系ゲル電解質の製造方法。
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