JP6003013B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、銀及び銀合金の表面処理剤に関し、より詳細には電子部品及び発光装置等に使用される銀及び銀合金の変色を防止するための表面処理剤に関する。また、本発明は、銀或いは銀合金からなる光反射膜を備える光反射膜付き基板並びに発光装置に関する。

近年、蛍光灯又は白熱電球に替わる光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）の需要が急速に増加している。発光ダイオードを備える発光装置は、照明機器、自動車用ライト等の用途に用いられている。このような発光装置では、銀或いは銀合金からなる光反射膜を設けることにより光の取り出し効率の向上が図られている。

しかし、銀及び銀合金は化学的に非常に不安定であるため、空気中の酸素、水分、硫化水素、亜硫酸ガス等と反応すると、酸化銀や硫化銀を生成して表面が褐色若しくは黒色に変色する。このような変色は光反射率の低下につながり、発光装置の発光強度を低下させてしまう。

銀及び銀合金の変色を防止する方法として、例えば、下記特許文献１には、カルボン酸のジルコニウム錯体及びシリコンアクリル樹脂成分を含有する銀被覆塗料用組成物が提案されている。また、下記特許文献２には、特定のイミダゾール化合物を含有する銀及び銀合金の表面処理剤が提案されている。更に、下記特許文献３には、特定のオルガノポリシロキサンを含有する光半導体素子封止用樹脂によってＬＥＤパッケージ基板表面に設けられた銀メッキの硫化が抑制できることが開示されている。

特開平１０−１５８５７２号広報 特開２００４−２３８６５８号公報 特開２０１０−２４８４１３号公報

特許文献１及び２に記載の処理剤は、紫外線に対する耐性が低く、長期間の紫外線暴露によって変色するという欠点を有している。照明機器及び自動車用途で使用される発光ダイオードは近紫外光を発するため、発光ダイオードを備える発光装置の光反射膜に上記処理剤を適用しても発光強度を長期にわたって十分維持させることは困難である。

一方、特許文献３に記載の封止用樹脂は、展性が不十分であることに加えて、発光ダイオード用封止材として使用した場合、駆動時の発熱に起因して発生する応力によって接着面から剥離することがある。このような剥離は、ガス遮蔽性の低下を招き、銀及び銀合金の変色を十分に抑制することができなくなる。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、銀及び銀合金の表面に優れた耐変色性を付与することができる銀及び銀合金の表面処理剤、耐変色性に優れた光反射膜付き基板、並びに、発光強度が低下しにくい発光装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討した結果、銀が蒸着された基板上に、スメクタイト及び水溶性高分子を含有する表面処理剤を塗布することにより、基板の硫化水素耐性が向上することを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する銀及び銀合金の表面処理剤を提供する。

本発明の銀及び銀合金の表面処理剤によれば、銀及び銀合金の表面に塗布することにより、銀及び銀合金の表面に優れた耐変色性を付与することができる。

本発明の表面処理剤によって上記の効果が得られる理由を本発明者らは以下のとおり考えている。すなわち、スメクタイトと水溶性高分子とを併用することにより、板状のスメクタイト粒子を銀及び銀合金上に十分な接着力で積層することができ、こうして形成された膜によって例えば銀及び銀合金の変色要因である大気中の硫化水素ガスを十分に遮蔽することができたと本発明者らは考えている。なお、接着力が向上する理由については、スメクタイト粒子と銀或いは銀合金との界面における応力が水溶性高分子によって緩和されることが考えられる。

銀及び銀合金の変色抑制の観点から、スメクタイトと水溶性高分子との固体質量比が９５／５〜５０／５０であることが好ましい。

また、硫化水素ガスの遮蔽性の点で、上記スメクタイトが、スチーブンサイト、ヘクトライト、サポナイト、モンモリロナイト及びバイデライトのうちのいずれか１種類以上であることが好ましい。

更に、銀及び銀合金本来の光沢を維持させる観点から、上記スメクタイトが合成スメクタイトであることが好ましい。

また、スメクタイトとの親和性、及び、銀或いは銀合金との界面における応力緩和の点で、上記水溶性高分子が、カルボキシメチルセルロース塩、ポリアクリル酸塩、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドンのうちのいずれか１種類以上であることが好ましい。

本発明はまた、基板と、該基板上に設けられた銀又は銀合金からなる光反射膜と、を備え、少なくとも光反射膜の表面に本発明の表面処理剤から形成された膜が設けられている光反射膜付き基板を提供する。

本発明の光反射膜付き基板は、銀又は銀合金からなる光反射膜上に本発明の表面処理剤から形成された膜が形成されていることにより耐変色性に優れた光反射膜を有することができる。

本発明はまた、発光ダイオードと、本発明の光反射膜付き基板とを備える発光装置を提供する。本発明の発光装置によれば、耐変色性に優れた光反射膜を有するので、発光ダイオードから得られる発光強度を長期にわたって十分維持することが可能となる。

本発明によれば、銀及び銀合金の表面に優れた耐変色性を付与することができる銀及び銀合金の表面処理剤、耐変色性に優れた光反射膜付き基板、並びに、発光強度が低下しにくい発光装置を提供することができる。

本発明によれば、例えば電子部品、発光ダイオードを備える照明機器等に使用される銀及び銀合金の変色や腐食を十分に防止することができる。本発明によれば、特に銀蒸着面に優れた耐変色性を与えることのできる表面処理剤を提供することが可能となる。また、本発明によれば、銀又は銀合金からなり、耐変色性に優れた光反射膜を有する基板を提供することができ、発光ダイオードの光取り出し効率の向上と長期安定化を図ることができる。

本発明に係る光反射膜付き基板の一実施形態を示す模式断面図である。 本発明に係る発光装置の一実施形態を示す模式断面図である。

本発明の銀及び銀合金の表面処理剤は、スメクタイト及び水溶性高分子を必須成分として含有することを特徴とする。

銀合金としては、例えば、銀−ビスマス合金、銀−ネオジウム合金、銀−銅合金、銀−マグネシウム合金、銀−亜鉛合金、銀−スズ合金、銀−インジウム合金、銀−チタン合金、銀−ジルコニウム合金、銀−金合金、銀−パラジウム合金、銀−白金合金が挙げられる。

本発明の表面処理剤に含有されるスメクタイトとしては、厚さ０．９〜１．５ｎｍ、直径方向長さ１０〜４００ｎｍの板状形状を有する粒子であり、水及びアルコールなどの溶媒との混合によって膨潤して溶媒に分散する性質を有するものが用いられる。

スメクタイトとしては、スチーブンサイト、ヘクトライト、サポナイト、モンモリロナイト、及びバイデライトのうちのいずれか１種類以上を好適に用いることができる。これらのスメクタイトは、厚さ０．９〜１．５ｎｍ、直径方向長さ１０〜４００ｎｍの扁平な板状形状を有するスメクタイト粒子であり、銀或いは銀合金上に積層されることによって、例えば硫化水素などのガス遮蔽性を発現することができる。

ガス遮蔽性並びに銀及び銀合金本来の光沢を維持する観点から、スメクタイト粒子の直径方向長さは、１０〜４００ｎｍであることが好ましく、１０〜２００ｎｍであることがより好ましく、１０〜１００ｎｍであることがさらに好ましい。

なお、スメクタイト粒子の直径方向長さは、例えば透過型電子顕微鏡などを用いることによって測定することができる。なお、スメクタイト粒子形状が円形でない場合、例えば楕円形などの場合、最も長い径を直径方向長さとして算出する。

本発明の表面処理剤に含有されるスメクタイトは、銀及び銀合金本来の光沢を維持する観点から、合成品であることが好ましい。

合成品以外のスメクタイト、例えば土壌から産出される天然スメクタイトを使用した場合、精製後も成分中に鉄イオンなどの不純物が含有されるため、スメクタイトが褐色に着色する場合がある。その結果、銀及び銀合金にコーティングした際に表面が着色し、銀及び銀合金本来の光沢が低下する傾向にある。

なお、スメクタイトの合成方法としては、例えば水熱合成法を好適に用いることができる。

本発明の表面処理剤に含有される水溶性高分子としては、スメクタイトと同様に、水及びアルコールなどの溶媒との混合によって膨潤して溶媒に分散する性質を有するものが用いられる。

水溶性高分子としては、カルボキシメチルセルロース塩、ポリアクリル酸塩、ポリビニルアルコール、及びポリビニルピロリドンのうちのいずれか１種類以上を好適に用いることができる。

カルボキシメチルセルロース塩としては、例えば、カルボキシメチルセルロースアンモニウム、カルボキシメチルセルロースナトリウムが挙げられる。ポリアクリル酸塩としては、例えば、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリアクリル酸アンモニウムが挙げられる。

水溶性高分子の分子量は、重量平均分子量が１００００〜１０００００が好ましく、１５０００〜８００００がより好ましく、３００００〜６００００がさらに好ましい。

本発明の表面処理剤は、水及びアルコールなどの溶媒を含むものを、銀又は銀合金上に塗布した後、溶媒を除去することによって、銀又は銀合金上に優れた耐変色性を付与することができ、特に銀蒸着面へ優れた耐変色性を与えることができる。このような効果は、スメクタイトと水溶性高分子とを併用することにより、板状のスメクタイト粒子を銀及び銀合金上に十分な接着力で積層することができ、こうして形成された膜によって例えば銀及び銀合金の変色要因である大気中の硫化水素ガスを十分に遮蔽することができたためと本発明者らは考えている。なお、接着力が向上する理由については、スメクタイト粒子と銀或いは銀合金との界面における応力が水溶性高分子によって緩和されることが考えられる。

本発明の表面処理剤を塗布する方法としては、例えばバーコート、ディップコート、スピンコート、スプレーコート、ポッティングなどの方法を好適に用いることができる。

本発明の表面処理剤の塗膜から溶媒を除去する方法としては、室温以上の温度での乾燥が挙げられ、硫化水素ガスの遮蔽性維持の点から２０〜８０℃で加熱することが好ましい。

本発明の表面処理剤におけるスメクタイトと水溶性高分子との固体質量比は、９５／５〜５０／５０であることが好ましい。

上記固体質量比が９５／５よりも大きくスメクタイト含有量が多くなりすぎると、水溶性高分子による接着性向上作用が得られにくくなるためスメクタイト粒子の銀及び銀合金上への密着性が低下し、接着界面からの硫化水素等のガス透過量が増大して、銀及び銀合金の変色抑制効果が得られにくくなる。一方、上記固体質量比が５０／５０よりも小さく水溶性高分子含有量が多くなりすぎると、ガス遮蔽性を有するスメクタイト粒子含有量が少なくなるため、硫化水素等のガス透過量が増大し、銀及び銀合金の変色抑制効果が得られにくくなる。

銀及び銀合金への接着性及び硫化水素などのガス遮蔽性を向上させて、銀及び銀合金の変色抑制効果をより確実に得る観点から、上記固体質量比は９０／１０〜５０／５０であることがより好ましく、８０／２０〜５０／５０であることがさらに好ましい。

本発明の表面処理剤に使用される溶媒としては、水が好適に用いられる。水以外の溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノールなどの極性溶媒を用いることも可能である。

本発明の表面処理剤におけるスメクタイトと水溶性高分子との合計含有量は、固体成分の濃度で０．００５〜２質量％であることが好ましく、０．０１〜１．５質量％であることがより好ましく、０．０５〜１質量％であることがさらに好ましい。この場合、例えば銀及び銀合金の変色要因である硫化水素ガスの遮蔽性に優れた膜を、銀及び銀合金表面上に容易に形成することができる。

本発明の表面処理剤には本発明の効果が損なわれない範囲で各種添加剤を加えることができる。

本発明の表面処理剤によれば、銀又は銀合金の表面上に本発明の表面処理剤に含有される固体成分からなる膜を形成することで、耐変色性を有する銀又は銀合金を提供することができる。具体的には、本発明の表面処理剤を銀又は銀合金上に塗布した後、溶媒を除去することによって、銀又は銀合金上に本発明の表面処理剤に含有されるスメクタイト及び水溶性高分子からなる膜を形成することができる。

好適な実施形態としては、例えば、基板と、該基板上に設けられた銀又は銀合金からなる光反射膜と、を備え、少なくとも光反射膜の表面に本発明の表面処理剤から形成された膜が設けられている光反射膜付き基板が挙げられる。図１は、本発明に係る光反射膜付き基板の一実施形態を示す模式断面図である。図１に示される光反射膜付き基板１０は、基板１と、該基板１上に設けられた銀又は銀合金からなる光反射膜２とから構成されている。基板１の材質としては、セラミック、樹脂、或いは金属が挙げられる。光反射膜２上には、本発明に係る表面処理剤から形成された膜が設けられている。

本実施形態の光反射膜付き基板は、ＬＥＤパッケージ基板として好適である。

本発明の発光装置としては、発光ダイオードと、上記の光反射膜付き基板とを備える発光装置が挙げられる。図２は、本発明に係る発光装置の一実施形態を示す模式断面図である。図２に示される発光装置２０は、基板１と、基板１上に設けられた反射板５と、これら基板１及び反射板５上に設けられた光反射膜２と、基板１上に設けられ金属製ワイヤ３により電気的に接続されたＬＥＤチップ４とから構成されている。基板１の材質としては、セラミック、樹脂、或いは金属が挙げられる。反射板５の材質としては、セラミック、樹脂、或いは金属が挙げられる。光反射膜２上には、本発明に係る表面処理剤から形成された膜が設けられている。

本発明の表面処理剤を適用できる電子部品としては、例えば、銀又は銀合金を反射防止膜として備えるプラズマディスプレイ、液晶ディスプレイなどが挙げられる。

以下、実施例及び比較例によって、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

＜スチーブンサイトの合成＞
（合成例１）
コロイダルシリカ（Ｌｕｄｏｘ ＴＭ ５０、ＳｉｇｍａＡｌｄｒｉｃｈ社製）６０ｇと蒸留水１２０ｍｌとを混合した分散液に硝酸２０ｍｌを添加した。これに硝酸マグネシウム（一級試薬）９１ｇと蒸留水１２８ｍｌとを混合した溶液を入れて攪拌しながら、アンモニア水（２８％水溶液）をゆっくりと滴下した。ｐＨ１０になったところで滴下を止め、室温で一晩熟成させ、均一複合沈殿を得た。その後、蒸留水の添加、振盪、固液分離の過程による水洗浄をアンモニア臭がなくなるまで繰り返した。充分に洗浄を行った均一複合沈殿の分散液に、１０質量％の水酸化リチウム水溶液を２５．４ｍｌ添加し、よく混合し、出発原料スラリーを得た。出発原料スラリーをオートクレーブに仕込み、２００℃で４８時間水熱反応させた。冷却後、オートクレーブ内の反応生成物を取り出し、６０℃で乾燥した後、粉砕し、スチーブンサイトに分類されるスメクタイトを得た。

＜表面処理剤の作製＞
（実施例１）
容器内に、スメクタイトとして合成例１で得られたスチーブンサイト０．９ｇ、及び、水溶性高分子としてカルボキシメチルセルロースアンモニウム（ダイセル化学工業社製、ＤＮ−８００Ｈ）０．１ｇを入れ、蒸留水を添加して全質量１００ｇとした後、自転・公転ミキサー（シンキー社製、ＡＲＥ−３１０）を用いて２０００ｒｐｍ、１０分混合、２２００ｒｐｍ１０分脱泡を行った。こうして、スメクタイト／水溶性高分子の固体質量比９０／１０、濃度１質量％の表面処理剤を得た。

（実施例２）
スメクタイト／水溶性高分子の固体質量比を８０／２０とした以外は実施例１と同様にして表面処理剤を作製した。

（実施例３）
スメクタイト／水溶性高分子の固体質量比を６０／４０とした以外は実施例１と同様にして表面処理剤を作製した。

（実施例４）
表面処理剤の濃度を０．５質量％とした以外は実施例１と同様にして表面処理剤を作製した。

（実施例５）
表面処理剤の濃度を０．２質量％とした以外は実施例１と同様にして表面処理剤を作製した。

（実施例６）
表面処理剤の濃度を０．１質量％とした以外は実施例１と同様にして表面処理剤を作製した。

（実施例７）
水溶性高分子としてポリアクリル酸アンモニウム（東亞合成株式会社、Ａ−６１１４）を使用した以外は実施例４と同様にして表面処理剤を作製した。

（実施例８）
表面処理剤の濃度を０．２質量％とした以外は実施例７と同様にして表面処理剤を作製した。

（実施例９）
表面処理剤の濃度を０．１質量％とした以外は実施例７と同様にして表面処理剤を作製した。

（実施例１０）
スメクタイトとしてサポナイト（クニミネ工業株式会社、スメクトンＳＡ）を使用した以外は実施例４と同様にして表面処理剤を作製した。

（比較例１）
水溶性高分子を配合しなかった以外は実施例１と同様にして表面処理剤を作製した。

（比較例２）
スメクタイトを配合しなかった以外は実施例１と同様にして表面処理剤を作製した。

＜銀基板の表面処理＞
上記で作製した表面処理剤を、ソーダガラス製のスライドガラスに厚さ１００ｎｍの銀が蒸着された銀基板上に、ｗｅｔ厚１２μｍのバーコーターを用いて塗布した後、２２℃で１２時間静置して溶媒を除去し、銀蒸着面が表面処理された表面処理済み銀基板をそれぞれ得た。

＜発光装置の作製＞
銀メッキ基板（ＬＥＤ搭載用の基板）上に、発光波長４６７．５ｎｍ〜４７０ｎｍ、容量３．７μＬの発光ダイオードチップを金ワイヤで接続し、発光装置を作製した。その後、発光装置の銀メッキ上に、上記で作製した表面処理剤をポッティング法、すなわちスポイトで０．２ｍＬ滴下し、２２℃で１２時間静置して溶媒を除去し、銀メッキ上に表面処理が施された発光装置をそれぞれ得た。

［表面処理済み銀基板の硫化水素ガス耐性評価］
表面処理済み銀基板の波長５５０ｎｍの可視光反射率を、分光光度計（日本分光、Ｖ−５７０）を用いて測定し、これを［硫化水素暴露前反射率］とした。次に、表面処理済み銀基板を、１０ｐｐｍ硫化水素ガス気流、４０℃、９０％ＲＨ中に９６時間静置した後、波長５５０ｎｍの可視光反射率を測定し、これを［硫化水素暴露後反射率］とした。そして、下記式から反射低下率を求めた。結果を表１に示す。
［反射低下率］＝［硫化水素暴露前反射率］−［硫化水素暴露後反射率］
なお、この反射低下率が小さいほど硫化水素ガス耐性に優れていると判断することができる。

［表面処理を施した発光装置の硫化水素ガス耐性評価］
表面処理を施した発光装置を順電流２０ｍＡ、順電圧３．３Ｖで発光させ、マルチ測光計（大塚電子株式会社、ＭＣＰＤ−３７００）を用いて露光時間３０ミリ秒で発光強度を測定し、これを［硫化水素暴露前発光強度］とした。次に、表面処理を施した発光装置を、１０ｐｐｍ硫化水素ガス気流、４０℃、９０％ＲＨ中に９６時間静置した後、順電流２０ｍＡ、順電圧３．３Ｖで発光させ、マルチ測光計を用いて露光時間３０ミリ秒で発光強度を測定し、これを［硫化水素暴露後発光強度］とした。そして、下記式から発光強度維持率を求めた。結果を表１に示す。
［発光強度維持率］＝（［硫化水素暴露後発光強度］／［硫化水素暴露前発光強度］）×１００
なお、この発光強度維持率が大きいほど硫化水素ガス耐性に優れていると判断することができる。

１…基板、２…光反射膜、３…金属製ワイヤ、４…ＬＥＤチップ、５…反射板、１０…光反射膜付き基板、２０…発光装置。

Claims (20)

1. 基板と、該基板上に設けられた、銀又は銀合金からなる光反射膜及び発光ダイオードと、前記基板と前記発光ダイオードとを接続する金属製ワイヤと、を備え、
   少なくとも前記光反射膜の表面に、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する膜を有し、
   前記膜における前記スメクタイトと前記水溶性高分子との固体質量比が９５／５〜５０／５０である、発光装置。
2. 前記スメクタイトが、スチーブンサイト、ヘクトライト、サポナイト、モンモリロナイト及びバイデライトのうちのいずれか１種類以上である、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記スメクタイトが合成スメクタイトである、請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記水溶性高分子が、カルボキシメチルセルロース塩、ポリアクリル酸塩、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドンのうちのいずれか１種類以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 基板と、該基板上に設けられた、銀又は銀合金からなる光反射膜及び発光ダイオードと、前記基板と前記発光ダイオードとを接続する金属製ワイヤと、を備え、
   少なくとも前記光反射膜の表面に、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する膜を有し、
   前記スメクタイトが、スチーブンサイト、ヘクトライト、サポナイト、モンモリロナイト及びバイデライトのうちのいずれか１種類以上である、発光装置。
6. 前記スメクタイトが合成スメクタイトである、請求項５に記載の発光装置。
7. 前記水溶性高分子が、カルボキシメチルセルロース塩、ポリアクリル酸塩、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドンのうちのいずれか１種類以上である、請求項５又は６に記載の発光装置。
8. 基板と、該基板上に設けられた、銀又は銀合金からなる光反射膜及び発光ダイオードと、前記基板と前記発光ダイオードとを接続する金属製ワイヤと、を備え、
   少なくとも前記光反射膜の表面に、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する膜が設けられており、
   前記スメクタイトが合成スメクタイトである、発光装置。
9. 前記水溶性高分子が、カルボキシメチルセルロース塩、ポリアクリル酸塩、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドンのうちのいずれか１種類以上である、請求項８に記載の発光装置。
10. 基板と、該基板上に設けられた、銀又は銀合金からなる光反射膜及び発光ダイオードと、前記基板と前記発光ダイオードとを接続する金属製ワイヤと、を備え、
    少なくとも前記光反射膜の表面に、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する膜を有し、
    前記水溶性高分子が、カルボキシメチルセルロース塩、ポリアクリル酸塩、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドンのうちのいずれか１種類以上である、発光装置。
11. 基板と、該基板上に設けられた、銀又は銀合金からなる光反射膜及び発光ダイオードと、を備え、少なくとも前記光反射膜の表面に、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する膜を有する、発光装置の製造方法であって、
    前記基板と、前記発光ダイオードとを金属製ワイヤで接続した後、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する表面処理剤を塗布することにより、前記膜を形成する工程を備え、
    前記表面処理剤における前記スメクタイトと前記水溶性高分子との固体質量比が９５／５〜５０／５０である、発光装置の製造方法。
12. 前記スメクタイトが、スチーブンサイト、ヘクトライト、サポナイト、モンモリロナイト及びバイデライトのうちのいずれか１種類以上である、請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
13. 前記スメクタイトが合成スメクタイトである、請求項１１又は１２に記載の発光装置の製造方法。
14. 前記水溶性高分子が、カルボキシメチルセルロース塩、ポリアクリル酸塩、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドンのうちのいずれか１種類以上である、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
15. 基板と、該基板上に設けられた、銀又は銀合金からなる光反射膜及び発光ダイオードと、を備え、少なくとも前記光反射膜の表面に、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する膜を有する、発光装置の製造方法であって、
    前記基板と、前記発光ダイオードとを金属製ワイヤで接続した後、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する表面処理剤を塗布することにより、前記膜を形成する工程を備え、
    前記スメクタイトが、スチーブンサイト、ヘクトライト、サポナイト、モンモリロナイト及びバイデライトのうちのいずれか１種類以上である、発光装置の製造方法。
16. 前記スメクタイトが合成スメクタイトである、請求項１５に記載の発光装置の製造方法。
17. 前記水溶性高分子が、カルボキシメチルセルロース塩、ポリアクリル酸塩、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドンのうちのいずれか１種類以上である、請求項１５又は１６に記載の発光装置の製造方法。
18. 基板と、該基板上に設けられた、銀又は銀合金からなる光反射膜及び発光ダイオードと、を備え、少なくとも前記光反射膜の表面に、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する膜を有する、発光装置の製造方法であって、
    前記基板と、前記発光ダイオードとを金属製ワイヤで接続した後、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する表面処理剤を塗布することにより、前記膜を形成する工程を備え、
    前記スメクタイトが合成スメクタイトである、発光装置の製造方法。
19. 前記水溶性高分子が、カルボキシメチルセルロース塩、ポリアクリル酸塩、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドンのうちのいずれか１種類以上である、請求項１８に記載の発光装置の製造方法。
20. 基板と、該基板上に設けられた、銀又は銀合金からなる光反射膜及び発光ダイオードと、を備え、少なくとも前記光反射膜の表面に、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する膜を有する、発光装置の製造方法であって、
    前記基板と、前記発光ダイオードとを金属製ワイヤで接続した後、スメクタイトと、水溶性高分子と、を含有する表面処理剤を塗布することにより、前記膜を形成する工程を備え、
    前記水溶性高分子が、カルボキシメチルセルロース塩、ポリアクリル酸塩、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドンのうちのいずれか１種類以上である、発光装置の製造方法。

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