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JP6138660B2 - Substrate inspection apparatus and substrate inspection method - Google Patents
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  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)

Description

本発明は、検査対象基板を電気的に検査する基板検査装置および基板検査方法に関するものである。   The present invention relates to a substrate inspection apparatus and a substrate inspection method for electrically inspecting a substrate to be inspected.

この種の基板検査装置および基板検査方法として、出願人は、特開平7−104026号公報にインサーキットテスタおよび半田付け不良検出方法(基板検査方法)を開示している。このインサーキットテスタは、被検査基板に表面実装されたフラットパッケージIC等(以下、「電子部品」ともいう)のリードと、そのリードが接続されているべきパターンとの間に半田付け不良(接続不良)が生じているか否かを検査可能に構成された基板検査装置であって、被検査基板を載置可能な測定台と、4本の測定プローブと、各測定プローブを別個独立して任意のX−Y方向に移動させる4台のX−Yユニットと、各測定プローブが接続された抵抗測定回路とを備えて構成されている。   As this type of board inspection apparatus and board inspection method, the applicant has disclosed an in-circuit tester and a soldering failure detection method (board inspection method) in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-104026. This in-circuit tester has poor soldering (connection) between the lead of a flat package IC or the like (hereinafter also referred to as “electronic component”) surface-mounted on the substrate to be inspected and the pattern to which the lead should be connected. A substrate inspection apparatus configured to be able to inspect whether or not a defect has occurred, and includes a measurement table on which a substrate to be inspected can be placed, four measurement probes, and each measurement probe independently and arbitrarily. The XY unit is moved in the X-Y direction, and a resistance measurement circuit to which each measurement probe is connected.

このインサーキットテスタによる被検査基板の検査に際しては、まず、抵抗測定回路の+ソース端子に接続されている測定プローブ、および抵抗測定回路の+センス端子に接続されている測定プローブの2本を、被検査基板に実装されている電子部品のリードにおける肩部や先端部等にそれぞれプロービングさせる。また、抵抗測定回路の−センス端子に接続されている測定プローブ、および抵抗測定回路の−ソース端子に接続されている測定プローブの2本を、上記の2本の測定プローブをプロービングしたリードが接続されているべきパターンにそれぞれプロービングさせる。次いで、両ソース端子の間に定電流を供給し、その状態において両センス端子の間に生じる電圧の電圧値を測定すると共に、供給した定電流の電流値と測定した電圧値とに基づき、電子部品のリードとパターンとの間の抵抗値を算出する(4端子法による抵抗値の測定処理)。   When inspecting a substrate to be inspected by this in-circuit tester, first, two measuring probes connected to the + source terminal of the resistance measuring circuit and a measuring probe connected to the + sense terminal of the resistance measuring circuit, Probing is performed on the shoulder and tip of the lead of the electronic component mounted on the board to be inspected. In addition, two probes, the measurement probe connected to the -sense terminal of the resistance measurement circuit and the measurement probe connected to the -source terminal of the resistance measurement circuit, are connected to a lead obtained by probing the above two measurement probes. Probing each pattern to be done. Next, a constant current is supplied between the two source terminals, and the voltage value of the voltage generated between the two sense terminals in that state is measured, and based on the supplied constant current value and the measured voltage value, The resistance value between the lead of the component and the pattern is calculated (resistance value measurement processing by a four-terminal method).

この際に、パターンに対してリードが正常に半田付けされている場合には、予め規定されたしきい値以下の抵抗値が算出される。したがって、しきい値以下の抵抗値が算出されたときには、2本の測定プローブをプロービングさせたパターンに対して他の2本の測定プローブをプロービングさせたリードが正常に半田付けされていると判定する。一方、パターンに対してリードが不完全な状態で半田付けされている場合には、しきい値を超えて大きな値の抵抗値が算出される。また、パターンからリードが完全に離間している場合(未接続状態の場合)には、算出される抵抗値の値が無限大となる。したがって、しきい値を超えて大きな値(無限大を含む)の抵抗値が算出されたときには、パターンに対してリードが正常に半田付けされていないと判定する。この後、他のリードとパターンとの間についても上記の一連の処理と同様の手順で抵抗値を測定してしきい値と比較することにより、被検査基板上の各部に半田付け不良が生じているか否を検査する。   At this time, if the lead is normally soldered to the pattern, a resistance value not more than a predetermined threshold value is calculated. Therefore, when a resistance value equal to or lower than the threshold value is calculated, it is determined that the lead having the other two measurement probes probed is properly soldered to the pattern in which the two measurement probes are probed. To do. On the other hand, when the lead is incompletely soldered to the pattern, a large resistance value exceeding the threshold value is calculated. In addition, when the lead is completely separated from the pattern (when not connected), the calculated resistance value is infinite. Therefore, when a large resistance value (including infinity) exceeding the threshold is calculated, it is determined that the lead is not normally soldered to the pattern. After this, between the other leads and the pattern, the resistance value is measured in the same procedure as the above-described series of processing and compared with the threshold value. Inspect whether or not.

特開平7−104026号公報(第3−5頁、第1−10図)JP-A-7-104026 (page 3-5, FIG. 1-10)

ところが、出願人が開示しているインサーキットテスタおよびその基板検査方法には、以下の改善すべき課題が存在する。すなわち、出願人が開示しているインサーキットテスタ(基板検査方法)では、電子部品のリードとパターンとの間の抵抗値を順次測定することにより、半田付け不良が生じているか否かを検査する構成(方法)が採用されている。この場合、この種の基板検査装置および基板検査方法の対象である検査対象基板のなかには、表面実装された電子部品だけでなく、多層基板における内層に実装された(内蔵された)電子部品を有するものが存在する。特に、その内部構造が簡易であることで小型化および薄形化が容易な積層コンデンサについては、基板表面に他の電子部品の実装スペースを確保するために、基板内に内蔵されることが多くなっている。   However, the in-circuit tester and the substrate inspection method disclosed by the applicant have the following problems to be improved. That is, the in-circuit tester (board inspection method) disclosed by the applicant inspects whether or not a soldering defect has occurred by sequentially measuring the resistance value between the lead of the electronic component and the pattern. A configuration (method) is adopted. In this case, the inspection target substrate which is the target of this type of substrate inspection apparatus and substrate inspection method has not only surface-mounted electronic components but also electronic components mounted (incorporated) on the inner layer of the multilayer substrate. Things exist. In particular, multilayer capacitors that are easy to downsize and thin due to their simple internal structure are often built into the board to secure mounting space for other electronic components on the board surface. It has become.

この場合、出願人が開示しているインサーキットテスタ(基板検査方法)では、半田付け不良の有無を検査するために、検査対象のコンデンサにおける外部電極、およびその外部電極が接続されているべき接続用パターンの双方にそれぞれ一対の測定プローブを接触させる必要がある。しかしながら、出願人が開示しているインサーキットテスタ(基板検査方法)では、基板内に内蔵されているコンデンサの外部電極に測定プローブを接触させることができないため、外部電極と接続用パターンとの間に接続不良が生じているか否かの検査が困難となっている。このため、この点を改善するのが好ましい。   In this case, in the in-circuit tester (substrate inspection method) disclosed by the applicant, in order to inspect for the presence of defective soldering, the external electrode in the capacitor to be inspected and the connection to which the external electrode should be connected It is necessary to bring a pair of measurement probes into contact with each of the patterns for use. However, in the in-circuit tester (substrate inspection method) disclosed by the applicant, the measurement probe cannot be brought into contact with the external electrode of the capacitor built in the substrate. It is difficult to inspect whether or not there is a connection failure. For this reason, it is preferable to improve this point.

本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、基板内に内蔵されたコンデンサに接続不良等が生じているか否かを確実に検査し得る基板検査装置および基板検査方法を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of such a problem to be improved, and provides a substrate inspection apparatus and a substrate inspection method capable of reliably inspecting whether or not a connection failure or the like has occurred in a capacitor built in the substrate. The main purpose is to do.

上記目的を達成すべく請求項1記載の基板検査装置は、一対の外部電極にそれぞれ複数の内部電極が接続された積層コンデンサが内蔵されると共に、当該両外部電極の一方が第1接続用パターンに接続され、かつ当該両外部電極の他方が第2接続用パターンに接続されている検査対象基板に対して、当該第1接続用パターンに対する当該一方の外部電極の接続不良、当該第2接続用パターンに対する当該他方の外部電極の接続不良、当該第1接続用パターンの断線、当該第2接続用パターンの断線、および当該積層コンデンサの破損のいずれかの不良が生じているか否かを電気的に検査可能に構成された基板検査装置であって、前記各内部電極の電極面に対向配置された導体、前記第1接続用パターンおよび前記第2接続用パターンのうちのいずれか2つを基準電位に接続すると共に当該基準電位に接続していない1つに交流信号を印加した状態において電気的パラメータを測定する測定処理Aと、当該測定処理Aにおいて前記基準電位に接続した前記2つのうちの一方を当該基準電位から切り離すと共に当該測定処理Aにおいて当該基準電位に接続していない1つに前記交流信号を印加した状態において前記電気的パラメータを測定する測定処理Bとを、前記基準電位に接続する対象および前記交流信号を印加する対象を切り替えて実行する測定部、並びに、前記測定部を制御して前記各測定処理を実行させると共に当該各測定処理の測定結果と検査用基準データとに基づいて前記不良が生じているか否かを判別する処理部を備えている。   In order to achieve the above object, the substrate inspection apparatus according to claim 1 includes a built-in multilayer capacitor in which a plurality of internal electrodes are connected to a pair of external electrodes, and one of the external electrodes is a first connection pattern. Connection failure of the one external electrode with respect to the first connection pattern, for the second connection, with respect to the substrate to be inspected that is connected to the other and the other of the external electrodes is connected to the second connection pattern It is electrically determined whether any one of the defective connection of the other external electrode to the pattern, the disconnection of the first connection pattern, the disconnection of the second connection pattern, and the damage of the multilayer capacitor has occurred. A board inspection apparatus configured to be inspectable, wherein a conductor disposed opposite to an electrode surface of each internal electrode, the first connection pattern, and the second connection pattern A measurement process A for measuring an electrical parameter in a state where an AC signal is applied to one of the two not connected to the reference potential and an AC signal applied to one not connected to the reference potential, and connected to the reference potential in the measurement process A A measurement process B for separating the one of the two from the reference potential and measuring the electrical parameter in a state where the AC signal is applied to one not connected to the reference potential in the measurement process A. A measurement unit that switches between an object to be connected to the reference potential and an object to which the AC signal is applied, and controls the measurement unit to execute each measurement process and the measurement result and inspection of each measurement process A processing unit is provided for determining whether or not the defect has occurred based on the reference data.

また、請求項2記載の基板検査装置は、請求項1記載の基板検査装置において、前記測定部は、前記導体と前記第1接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第2接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第1接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第1測定処理と、前記導体と前記第1接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第2接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第1接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第2測定処理と、前記導体と前記第2接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第1接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第2接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第3測定処理と、前記導体と前記第2接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第1接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第2接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第4測定処理との4つの測定処理を実行可能に構成されると共に、前記処理部の制御に従い、前記第1測定処理および前記第3測定処理を前記測定処理Aとして実行し、かつ前記第2測定処理および前記第4測定処理を前記測定処理Bとして実行する。   Further, in the substrate inspection apparatus according to claim 2, in the substrate inspection apparatus according to claim 1, the measurement unit connects one of the conductor and the first connection pattern to the reference potential, and The second connection pattern is connected to the reference potential, and changes according to the current flowing from the other to the other in the state where the AC signal is applied to the other of the conductor and the first connection pattern. A first measurement process for measuring the electrical parameter, connecting one of the conductor and the first connection pattern to the reference potential, and disconnecting the second connection pattern from the reference potential The electric power that changes according to the current flowing from the other to the other in the state where the AC signal is applied to the other of the conductor and the first connection pattern A second measurement process for measuring a parameter; connecting one of the conductor and the second connection pattern to the reference potential; and connecting the first connection pattern to the reference potential; A third measurement process for measuring the electrical parameter that changes in accordance with the current flowing from the other to the other in a state where the AC signal is applied to the other of the second connection pattern and the second connection pattern; Any one of the second connection patterns is connected to the reference potential, the first connection pattern is disconnected from the reference potential, and the AC signal is applied to the other of the conductor and the second connection pattern. Measurement with the fourth measurement process for measuring the electrical parameter that changes according to the current flowing from the other to the one in the state of applying The first measurement process and the third measurement process are executed as the measurement process A according to the control of the processing unit, and the second measurement process and the fourth measurement process are performed. The measurement process B is executed.

さらに、請求項3記載の基板検査装置は、請求項2記載の基板検査装置において、前記処理部は、前記第1測定処理および前記第3測定処理のいずれか一方の測定結果だけが予め規定された基準範囲から外れ、かつ他の3つの前記測定処理の測定結果が当該基準範囲内のときに前記不良が生じていないと判別すると共に、前記各測定処理のうちの2つの当該測定処理の測定結果が前記基準範囲から外れ、かつ他の2つの当該測定処理の測定結果が当該基準範囲内のとき、および当該各測定処理のすべての測定結果が当該基準範囲から外れているときに前記不良が生じていると判別する。   Furthermore, the substrate inspection apparatus according to claim 3 is the substrate inspection apparatus according to claim 2, wherein the processing unit preliminarily defines only one measurement result of the first measurement process and the third measurement process. It is determined that the defect does not occur when the measurement results of the other three measurement processes are within the reference range, and the measurement of two of the measurement processes is performed. When the result is out of the reference range, and the measurement results of the other two measurement processes are within the reference range, and when all the measurement results of the respective measurement processes are out of the reference range, the defect is Determine that it has occurred.

また、請求項4記載の基板検査装置は、請求項1から3のいずれかに記載の基板検査装置において、前記第1接続用パターンに接続される第1プローブと、前記第2接続用パターンに接続される第2プローブと、前記処理部の制御に従って前記第1プローブおよび前記基準電位を接断する第1スイッチと、前記処理部の制御に従って前記第2プローブおよび前記基準電位を接断する第2スイッチとを備えている。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate inspection apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the first probe connected to the first connection pattern and the second connection pattern are used. A second switch to be connected; a first switch for connecting and disconnecting the first probe and the reference potential according to control of the processing unit; and a second switch for connecting and disconnecting the second probe and reference potential according to control of the processing unit. 2 switches.

さらに、請求項5記載の基板検査装置は、請求項1から4のいずれかに記載の基板検査装置において、前記導体としての電極と、前記処理部の制御に従って前記各内部電極の前記電極面に対向する位置に前記電極を移動させる移動機構とを備えている。   Furthermore, the substrate inspection apparatus according to claim 5 is the substrate inspection apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the electrode as the conductor and the electrode surface of each internal electrode according to the control of the processing unit. And a moving mechanism for moving the electrode to an opposing position.

また、請求項6記載の基板検査方法は、一対の外部電極にそれぞれ複数の内部電極が接続された積層コンデンサが内蔵されると共に、当該両外部電極の一方が第1接続用パターンに接続され、かつ当該両外部電極の他方が第2接続用パターンに接続されている検査対象基板に対して、当該第1接続用パターンに対する当該一方の外部電極の接続不良、当該第2接続用パターンに対する当該他方の外部電極の接続不良、当該第1接続用パターンの断線、当該第2接続用パターンの断線、および当該積層コンデンサの破損のいずれかの不良が生じているか否かを電気的に検査する基板検査方法であって、前記各内部電極の電極面に対向配置された導体、前記第1接続用パターンおよび前記第2接続用パターンのうちのいずれか2つを基準電位に接続すると共に当該基準電位に接続していない1つに交流信号を印加した状態において電気的パラメータを測定する測定処理Aと、当該測定処理Aにおいて前記基準電位に接続した前記2つのうちの一方を当該基準電位から切り離すと共に当該測定処理Aにおいて当該基準電位に接続していない1つに前記交流信号を印加した状態において前記電気的パラメータを測定する測定処理Bとを、前記基準電位に接続する対象および前記交流信号を印加する対象を切り替えて実行すると共に当該各測定処理の測定結果と検査用基準データとに基づいて前記不良が生じているか否かを判別する。   The substrate inspection method according to claim 6 includes a multilayer capacitor in which a plurality of internal electrodes are connected to a pair of external electrodes, respectively, and one of the external electrodes is connected to the first connection pattern. In addition, with respect to the inspection target substrate in which the other of the external electrodes is connected to the second connection pattern, the connection failure of the one external electrode with respect to the first connection pattern, the other with respect to the second connection pattern Board inspection for electrically inspecting whether any one of defective connection of external electrodes, disconnection of the first connection pattern, disconnection of the second connection pattern, and damage to the multilayer capacitor has occurred. In the method, any two of the conductor, the first connection pattern, and the second connection pattern arranged opposite to the electrode surface of each internal electrode are connected to a reference potential. And measuring process A for measuring an electrical parameter in a state where an AC signal is applied to one not connected to the reference potential, and one of the two connected to the reference potential in the measuring process A A measurement process B for measuring the electrical parameter in a state in which the AC signal is applied to one that is disconnected from the reference potential and is not connected to the reference potential in the measurement process A; The target to which the AC signal is applied is switched and executed, and it is determined whether or not the defect has occurred based on the measurement result of each measurement process and the reference data for inspection.

また、請求項7記載の基板検査方法は、請求項6記載の基板検査方法において、前記導体と前記第1接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第2接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第1接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第1測定処理と、前記導体と前記第1接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第2接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第1接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第2測定処理と、前記導体と前記第2接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第1接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第2接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第3測定処理と、前記導体と前記第2接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第1接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第2接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第4測定処理との4つの測定処理における前記第1測定処理および前記第3測定処理を前記測定処理Aとして実行し、かつ前記第2測定処理および前記第4測定処理を前記測定処理Bとして実行する。   The substrate inspection method according to claim 7 is the substrate inspection method according to claim 6, wherein either one of the conductor and the first connection pattern is connected to the reference potential, and the second connection is used. The electrical parameter that changes according to the current flowing from the other to the one of the conductor and the first connection pattern in a state where the pattern is connected to the reference potential and the AC signal is applied to the other of the conductor and the first connection pattern One of the conductor and the first connection pattern is connected to the reference potential, and the second connection pattern is disconnected from the reference potential, and the conductor and the first connection In the state where the AC signal is applied to the other of the first connection pattern, the electrical parameter that changes according to the current flowing from the other to the one of the other A second measurement process to be determined, one of the conductor and the second connection pattern is connected to the reference potential, and the first connection pattern is connected to the reference potential, and the conductor and the second A third measurement process for measuring the electrical parameter that changes in accordance with a current flowing from the other to the other in a state in which the AC signal is applied to the other of the second connection pattern, the conductor, and the second One of the two connection patterns is connected to the reference potential, the first connection pattern is disconnected from the reference potential, and the AC signal is applied to the other of the conductor and the second connection pattern. Before the four measurement processes including the fourth measurement process for measuring the electrical parameter that changes in accordance with the current flowing from the other to the one in the state that has been performed. A first measurement process and the third measurement process executed as the measurement process A, and executes the second measurement process, and the fourth measurement process as the measurement process B.

請求項1記載の基板検査装置、および請求項6記載の基板検査方法では、基準電位に接続する対象および交流信号を印加する対象を切り替えて測定処理A,Bを実行し、各測定処理の測定結果と検査用基準データとに基づいて不良が生じているか否かを判別する。この場合、請求項2記載の基板検査装置、および請求項7記載の基板検査方法では、第1測定処理および第3測定処理を測定処理Aとして実行すると共に、第2測定処理および第4測定処理を測定処理Bとして実行する。したがって、一方の外部電極および第1接続用パターンの間の不良等が存在するときには、他方の外部電極および第2接続用パターンの間の不良等が存在するか否かに拘わらず、第1測定処理および第2測定処理のいずれにおいても測定される電気的パラメータが基準範囲を外れ、他方の外部電極および第2接続用パターンの間の不良等が存在するときには、一方の外部電極および第1接続用パターンの間の不良等が存在するか否かに拘わらず、第3測定処理および第4測定処理のいずれにおいても測定される電気的パラメータが基準範囲を外れ、一方の外部電極および第1接続用パターンの間の不良、および他方の外部電極および第2接続用パターンの間の不良等が存在しないときには、第1測定処理および第3測定処理のいずれか一方だけにおいて測定される電気的パラメータが基準範囲を外れるため、両外部電極にプローブ等を直接接続することができない内蔵の積層コンデンサを有する検査対象基板について、各測定処理毎の測定結果に基づき、不良が存在するか否かを確実に検査することができる。   In the substrate inspection apparatus according to claim 1, and the substrate inspection method according to claim 6, the measurement processes A and B are executed by switching the object to be connected to the reference potential and the object to which the AC signal is applied, and the measurement of each measurement process is performed. It is determined whether a defect has occurred based on the result and the reference data for inspection. In this case, in the substrate inspection apparatus according to claim 2 and the substrate inspection method according to claim 7, the first measurement process and the third measurement process are executed as the measurement process A, and the second measurement process and the fourth measurement process are performed. Is executed as measurement process B. Therefore, when a defect or the like between one external electrode and the first connection pattern exists, the first measurement is performed regardless of whether or not a defect or the like exists between the other external electrode and the second connection pattern. When the electrical parameter measured in both the process and the second measurement process is out of the reference range and there is a defect between the other external electrode and the second connection pattern, the one external electrode and the first connection Regardless of whether there is a defect or the like between the patterns, the electrical parameter measured in both the third measurement process and the fourth measurement process is out of the reference range, and one of the external electrodes and the first connection One of the first measurement process and the third measurement process when there is no defect between the patterns for use and no defect between the other external electrode and the second connection pattern. Because the electrical parameters measured in step 1 are out of the reference range, the test target board having a built-in multilayer capacitor that cannot be directly connected to probes on both external electrodes has a defect based on the measurement results for each measurement process. It can be reliably checked whether or not it exists.

また、請求項3記載の基板検査装置によれば、第1測定処理および第3測定処理のいずれか一方の測定結果だけが基準範囲から外れているときに不良が生じていないと判別すると共に、各測定処理のうちの2つの測定処理の測定結果が基準範囲から外れているとき、および各測定処理のすべての測定結果が基準範囲から外れているときに不良が生じていると判別することにより、検査対象基板に実装されている積層コンデンサの容量、およびその実装状態に応じて基準範囲を規定しておくことで、各測定処理の検査結果に基づき、不良が存在するか否かを短時間で容易に判別することができる。   According to the substrate inspection apparatus of claim 3, it is determined that there is no defect when only one measurement result of the first measurement process and the third measurement process is out of the reference range, By determining that a defect has occurred when the measurement results of two of the measurement processes are out of the reference range, and when all the measurement results of each measurement process are out of the reference range By defining the reference range according to the capacity of the multilayer capacitor mounted on the board to be inspected and its mounting state, it is possible to quickly determine whether there is a defect based on the inspection result of each measurement process. Can be easily distinguished.

また、請求項4記載の基板検査装置によれば、第1プローブ、第2プローブ、第1スイッチおよび第2スイッチを備えたことにより、例えば、第1プローブや第2プローブを第1接続用パターンや第2接続用パターンにプロービングさせたり、第1接続用パターンや第2接続用パターンから離間させたりすることで基準電位に対して接断する構成とは異なり、第1プローブや第2プローブを第1接続用パターンや第2接続用パターンに接続したままの状態において、第1スイッチや第2スイッチによって第1プローブや第2プローブを基準電位に対して接断することができるため、検査対象基板の検査に要する時間を充分に短縮することができる。   According to the substrate inspection apparatus of the fourth aspect, since the first probe, the second probe, the first switch, and the second switch are provided, for example, the first probe and the second probe are connected to the first connection pattern. Unlike the configuration in which the probe is connected to the reference potential by probing to the second connection pattern or separated from the first connection pattern or the second connection pattern, the first probe and the second probe are Since the first probe and the second probe can be disconnected from the reference potential by the first switch and the second switch while being connected to the first connection pattern and the second connection pattern, the inspection target The time required for the substrate inspection can be sufficiently shortened.

さらに、請求項5記載の基板検査装置によれば、導体としての電極、およびこの電極を移動させる移動機構を備えたことにより、導体として使用可能な導体パターン等が存在しない検査対象基板についても、電極を導体として使用して確実に検査することができる。   Furthermore, according to the substrate inspection apparatus according to claim 5, by providing an electrode as a conductor and a moving mechanism for moving the electrode, for a substrate to be inspected that does not have a conductor pattern or the like that can be used as a conductor, The electrode can be used as a conductor for reliable inspection.

基板検査装置1の構成を示す構成図である。1 is a configuration diagram showing a configuration of a substrate inspection apparatus 1. 検査対象基板20におけるコンデンサ21および接続用パターン22a,22b,23とプローブ4a〜4cとの接続態様について説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the connection aspect of the capacitor | condenser 21 and connection pattern 22a, 22b, 23 in the test object board | substrate 20, and the probes 4a-4c. 図2に示す状態の検査対象基板20を対象とする各測定処理の測定結果と、接続不良Xa,Xbの有無との関係について説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the relationship between the measurement result of each measurement process made into the test object board | substrate 20 of the state shown in FIG. 2, and the presence or absence of connection failure Xa, Xb. 検査対象基板20における他のコンデンサ21および接続用パターン22a,22b,23とプローブ4a〜4cとの接続態様について説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the connection aspect of the other capacitor | condenser 21 and connection pattern 22a, 22b, 23 in the test object board | substrate 20, and the probes 4a-4c. 図4に示す状態の検査対象基板20を対象とする各測定処理の測定結果と、接続不良Xa,Xbの有無との関係について説明するための説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining the relationship between the measurement results of each measurement process for the inspection target substrate 20 in the state shown in FIG. 4 and the presence or absence of connection failures Xa and Xb. 検査対象基板20における接続用パターン22a,22b,23に生じた断線Xc、およびコンデンサ21に生じたクラックXdについて説明するための説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining a disconnection Xc generated in connection patterns 22a, 22b, and 23 on a test target substrate 20 and a crack Xd generated in a capacitor 21; 検査対象基板20におけるさらに他のコンデンサ21、接続用パターン22a,22b,23および導体パターン24とプローブ4a,4b,4dとの接続態様について説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the connection aspect of the further capacitor | condenser 21, the connection patterns 22a, 22b, and 23 and the conductor pattern 24 in the test object board | substrate 20, and the probes 4a, 4b, and 4d.

以下、本発明に係る基板検査装置および基板検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。   Embodiments of a substrate inspection apparatus and a substrate inspection method according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

図1に示す基板検査装置1は、「基板検査装置」の一例であって、基板保持部2、移動機構3a〜3c、プローブ4a〜4c、スイッチ5a,5b、測定部6、操作部7、表示部8、制御部9および記憶部10を備え、後述する「基板検査方法」に従って検査対象基板20を電気的に検査可能に構成されている。   A substrate inspection apparatus 1 shown in FIG. 1 is an example of a “substrate inspection apparatus”, and includes a substrate holding unit 2, moving mechanisms 3 a to 3 c, probes 4 a to 4 c, switches 5 a and 5 b, a measurement unit 6, an operation unit 7, The display unit 8, the control unit 9, and the storage unit 10 are provided, and the inspection target substrate 20 can be electrically inspected according to a “substrate inspection method” described later.

この場合、検査対象基板20は、「検査対象基板」の一例である多層基板であって、一例として、コンデンサ21a〜21cの3つ(以下、区別しないときには「コンデンサ21」ともいう)が内蔵されている。なお、図1、および後に参照する図2,4,6,7では、コンデンサ21以外の電子部品(実装部品)についての図示を省略している。また、コンデンサ21は、「積層コンデンサ」の一例であって、図2,4に示すように、一対の外部電極31a,31b(「一方の外部電極」および「他方の外部電極」の一例)と、外部電極31aに接続された複数の内部電極32aと、外部電極31bに接続された複数の内部電極32bとを備えて構成されている。   In this case, the inspection target substrate 20 is a multilayer substrate which is an example of the “inspection target substrate”, and includes, as an example, three capacitors 21a to 21c (hereinafter also referred to as “capacitor 21” when not distinguished). ing. In FIG. 1 and FIGS. 2, 4, 6, and 7 to be referred to later, illustration of electronic components (mounting components) other than the capacitor 21 is omitted. The capacitor 21 is an example of a “multilayer capacitor” and, as shown in FIGS. 2 and 4, a pair of external electrodes 31a and 31b (an example of “one external electrode” and “the other external electrode”) and A plurality of internal electrodes 32a connected to the external electrode 31a and a plurality of internal electrodes 32b connected to the external electrode 31b are provided.

さらに、本例の検査対象基板20では、図1に示すように、一例として、コンデンサ21aの外部電極31aが接続用パターン22aに単独で接続されると共に、コンデンサ21b,21cの外部電極31aが接続用パターン22bに共通的に接続され、かつ各コンデンサ21a〜21cの各外部電極31bが接続用パターン23に共通的に接続されている(コンデンサ21b,21cの両外部電極31aが接続用パターン22bを介して相互に接続され、かつ、コンデンサ21a〜21cの各外部電極31bが接続用パターン23を介して相互に接続されている例)。   Further, in the inspection target substrate 20 of this example, as shown in FIG. 1, as an example, the external electrode 31a of the capacitor 21a is connected to the connection pattern 22a alone, and the external electrodes 31a of the capacitors 21b and 21c are connected. And the external electrodes 31b of the capacitors 21a to 21c are commonly connected to the connection pattern 23 (the external electrodes 31a of the capacitors 21b and 21c are connected to the connection pattern 22b). And the external electrodes 31b of the capacitors 21a to 21c are connected to each other via the connection pattern 23).

この場合、本例では、接続用パターン22a,22b(以下、区別しないときには「接続用パターン22」ともいう)が「第1接続用パターン」に相当すると共に、接続用パターン23が「第2接続用パターン」に相当する。なお、図2,4,6,7では、「検査対象基板」の構成に関する理解を容易とするために、外部電極31a,31bの下端部から検査対象基板20の下面に向けて接続用パターン22,23が最短距離で引き出されている例(「コンデンサ」の真下に向かって引き出されている例)を図示しているが、「接続用パターン」の形状はこれに限定されず、「検査対象基板」の内層または外層に形成された配線パターンで構成されて「コンデンサの外部電極」から離れた位置に引き出されていることもある(図示せず)。   In this case, in this example, the connection patterns 22a and 22b (hereinafter also referred to as “connection pattern 22” when not distinguished) correspond to the “first connection pattern”, and the connection pattern 23 is “second connection”. Corresponds to “use pattern”. 2, 4, 6, and 7, in order to facilitate understanding of the configuration of the “inspection target substrate”, the connection pattern 22 is directed from the lower ends of the external electrodes 31 a and 31 b toward the lower surface of the inspection target substrate 20. , 23 are drawn out at the shortest distance (example drawn out directly below the “capacitor”), but the shape of the “connection pattern” is not limited to this, In some cases, the wiring pattern is formed on the inner layer or the outer layer of the “substrate” and is drawn away from the “external electrode of the capacitor” (not shown).

一方、基板保持部2は、検査対象基板20を保持可能に構成されている。移動機構3a,3bは、制御部9からの制御信号S1a,S1bに従い、基板保持部2によって保持されている検査対象基板20に向けてプローブ4a,4bを移動させることで、プローブ4a,4bを接続用パターン22,23にそれぞれプロービングさせる。移動機構3cは、「移動機構」の一例であって、制御部9からの制御信号S1cに従い、基板保持部2によって保持されている検査対象基板20に向けてプローブ4cを移動させて検査対象基板20の表面にプローブ4cを当接させることにより、検査対象基板20内に内蔵されているコンデンサ21の内部電極32a,32bにプローブ4cを対向配置させる。   On the other hand, the substrate holding unit 2 is configured to hold the inspection target substrate 20. The moving mechanisms 3a and 3b move the probes 4a and 4b toward the inspection target substrate 20 held by the substrate holding unit 2 in accordance with the control signals S1a and S1b from the control unit 9, thereby moving the probes 4a and 4b. Each of the connection patterns 22 and 23 is probed. The moving mechanism 3c is an example of a “moving mechanism”, and moves the probe 4c toward the inspection target substrate 20 held by the substrate holding unit 2 in accordance with the control signal S1c from the control unit 9 to inspect the inspection target substrate. By bringing the probe 4 c into contact with the surface of the probe 20, the probe 4 c is disposed opposite to the internal electrodes 32 a and 32 b of the capacitor 21 built in the inspection target substrate 20.

プローブ4aは、「第1プローブ」に相当し、本例の基板検査装置1では、移動機構3aに取り付けられている。また、プローブ4bは、「第2プローブ」に相当し、本例の基板検査装置1では、移動機構3bに取り付けられている。さらに、プローブ4cは、「導体」としての「電極」の一例であって、本例の基板検査装置1では、その電極面(底面)が1つのコンデンサ21と同程度の柱状の(一例として、円柱状の)金属によってプローブ4cが構成されている。このプローブ4cは、上記したように「移動機構」の一例である移動機構3cに取り付けられている。また、このプローブ4cは、測定部6の電流測定ポート6bに接続されると共に、測定部6の電流測定回路を介してグランド電位(G電位:「基準電位」の一例)に接続されている。したがって、この基板検査装置1では、測定部6の電流測定ポート6bに接続されているプローブ4cがG電位(基準電位)と同じ電位のL電位となる構成が採用されている。   The probe 4a corresponds to a “first probe”, and is attached to the moving mechanism 3a in the substrate inspection apparatus 1 of this example. The probe 4b corresponds to a “second probe”, and is attached to the moving mechanism 3b in the substrate inspection apparatus 1 of this example. Furthermore, the probe 4c is an example of an “electrode” as a “conductor”, and in the board inspection apparatus 1 of this example, the electrode surface (bottom surface) has a columnar shape (as an example, the same as one capacitor 21). The probe 4c is made of a (columnar) metal. As described above, the probe 4c is attached to the moving mechanism 3c, which is an example of the “moving mechanism”. The probe 4 c is connected to the current measurement port 6 b of the measurement unit 6 and connected to the ground potential (G potential: an example of “reference potential”) via the current measurement circuit of the measurement unit 6. Therefore, in this board | substrate inspection apparatus 1, the structure by which the probe 4c connected to the electric current measurement port 6b of the measurement part 6 becomes the L electric potential same as G electric potential (reference electric potential) is employ | adopted.

スイッチ5aは、制御部9からの制御信号S2aに従い、プローブ4aに接続されている接点aを、グランド電位(G電位)に接続されている接点b、および測定部6の測定用信号出力ポート6a(H電位)に接続されている接点cのいずれかに接続することにより、プローブ4aが接続されている接続用パターン22をG電位および測定用信号出力ポート6aのいずれかに接続する(「交流信号」を印加する「導体と第1接続用パターンとの他方」が「第1接続用パターン」である構成の一例)。また、スイッチ5aは、「第1スイッチ」の一例であって、制御部9からの制御信号S2aに従い、接点aを接点bおよび接点cのいずれにも接続しないOPEN状態に切り替えることにより、プローブ4aが接続されている接続用パターン22をG電位から切り離す。   In accordance with the control signal S2a from the control unit 9, the switch 5a switches the contact a connected to the probe 4a to the contact b connected to the ground potential (G potential) and the measurement signal output port 6a of the measurement unit 6. By connecting to one of the contacts c connected to (H potential), the connection pattern 22 to which the probe 4a is connected is connected to either the G potential or the measurement signal output port 6a (“AC” An example of a configuration in which “the other of the conductor and the first connection pattern” to which the “signal” is applied is the “first connection pattern”). The switch 5a is an example of a “first switch”, and the probe 4a is switched to the OPEN state in which the contact a is not connected to either the contact b or the contact c in accordance with the control signal S2a from the control unit 9. Is disconnected from the G potential.

スイッチ5bは、制御部9からの制御信号S2bに従い、プローブ4bに接続されている接点aを、グランド電位(G電位)に接続されている接点b、および測定部6の測定用信号出力ポート6a(H電位)に接続されている接点cのいずれかに接続することにより、プローブ4bが接続されている接続用パターン23をG電位および測定用信号出力ポート6aのいずれかに接続する(「交流信号」を印加する「導体と第2接続用パターンとの他方」が「第2接続用パターン」である構成の一例)。また、スイッチ5bは、「第2スイッチ」の一例であって、制御部9からの制御信号S2bに従い、接点aを接点bおよび接点cのいずれにも接続しないOPEN状態に切り替えることにより、プローブ4bが接続されている接続用パターン23をG電位から切り離す。   In accordance with the control signal S2b from the control unit 9, the switch 5b switches the contact a connected to the probe 4b to the contact b connected to the ground potential (G potential) and the measurement signal output port 6a of the measurement unit 6. By connecting to one of the contacts c connected to (H potential), the connection pattern 23 to which the probe 4b is connected is connected to either the G potential or the measurement signal output port 6a ("AC" An example of a configuration in which “the other of the conductor and the second connection pattern” to which the “signal” is applied is the “second connection pattern”). The switch 5b is an example of a “second switch”, and the probe 4b is switched to the OPEN state in which the contact a is not connected to either the contact b or the contact c in accordance with the control signal S2b from the control unit 9. Is disconnected from the G potential.

測定部6は、「測定部」の一例であって、制御部9からの制御信号S3に従い、「測定処理A」および「測定処理B」を実行し、その測定結果を測定結果データD1として制御部9に出力する。この場合、後述するように、測定部6は、一例として、「測定処理A」としての「第1測定処理」、「測定処理B」としての「第2測定処理」、「測定処理A」としての「第3測定処理」、および「測定処理B」としての「第4測定処理」をこの順で実行する。なお、各測定処理の実行順序は、上記の順序に限定されず、任意の順序で実行する構成・方法を採用することができる。この測定部6は、スイッチ5a,5bによってプローブ4a,4bのいずれかが接続される測定用信号出力ポート6aと、プローブ4cが接続された電流測定ポート6bとを備えると共に、測定用信号出力ポート6aに接続された測定用信号出力部(図示せず)と、電流測定ポート6bに接続された電流測定回路(図示せず)とを備えて構成されている。   The measurement unit 6 is an example of a “measurement unit”, and executes “measurement process A” and “measurement process B” in accordance with a control signal S3 from the control unit 9, and controls the measurement result as measurement result data D1. To the unit 9. In this case, as will be described later, for example, the measurement unit 6 includes, as an example, “first measurement process” as “measurement process A”, “second measurement process” as “measurement process B”, and “measurement process A”. “Third measurement process” and “fourth measurement process” as “measurement process B” are executed in this order. In addition, the execution order of each measurement process is not limited to said order, The structure and method performed in arbitrary orders can be employ | adopted. The measurement unit 6 includes a measurement signal output port 6a to which one of the probes 4a and 4b is connected by the switches 5a and 5b, and a current measurement port 6b to which the probe 4c is connected, and a measurement signal output port. A measurement signal output unit (not shown) connected to 6a and a current measurement circuit (not shown) connected to the current measurement port 6b are configured.

また、測定部6は、後述するように、制御部9の制御に従って測定用信号出力ポート6aから測定用信号(「交流信号」の一例)を出力しつつ、電流測定ポート6bに流れ込む電流の電流値を電流測定回路によって測定し、測定用信号出力ポート6aから出力した測定用信号の電圧値と、電流測定回路によって測定した電流値と、測定した電流および測定用信号の位相差とに基づき、プローブ4cが対向させられているコンデンサ21の内部電極32a(または内部電極32b)とプローブ4cとの間に形成されている1容量成分の静電容量(「他方からいずれか一方に流れる電流に応じて変化する電気的パラメータ」の一例)を測定して測定結果データD1を出力する。なお、上記の各「測定処理」については、後に詳細に説明する。   Further, as will be described later, the measurement unit 6 outputs a measurement signal (an example of “AC signal”) from the measurement signal output port 6a according to the control of the control unit 9, and the current flowing into the current measurement port 6b. The value is measured by the current measurement circuit, and based on the voltage value of the measurement signal output from the measurement signal output port 6a, the current value measured by the current measurement circuit, and the phase difference between the measured current and the measurement signal, Capacitance of one capacitance component formed between the internal electrode 32a (or internal electrode 32b) of the capacitor 21 with which the probe 4c is opposed and the probe 4c (“according to the current flowing from the other to one of them) The measurement result data D1 is output. Each of the above “measurement processes” will be described in detail later.

操作部7は、基板検査装置1の動作条件(検査条件)を設定するための各種操作スイッチを備え、スイッチ操作に応じた操作信号を制御部9に出力する。表示部8は、制御部9の制御に従い、基板検査装置1の動作条件(検査条件)を設定するための動作条件設定画面や、検査対象基板20についての検査結果を報知する検査結果報知画面などの各種表示画面(いずれも図示せず)を表示する。   The operation unit 7 includes various operation switches for setting operation conditions (inspection conditions) of the substrate inspection apparatus 1, and outputs an operation signal corresponding to the switch operation to the control unit 9. The display unit 8 is an operation condition setting screen for setting an operation condition (inspection condition) of the substrate inspection apparatus 1 according to the control of the control unit 9, an inspection result notification screen for notifying an inspection result of the inspection target substrate 20, and the like. Various display screens (none of which are shown).

制御部9は、基板検査装置1を総括的に制御する。具体的には、制御部9は、「処理部」に相当し、移動機構3a,3bに制御信号S1a,S1bを出力してプローブ4a,4bを接続用パターン22,23に接続させる(プロービングさせる)。また、制御部9は、移動機構3cに制御信号S1cを出力してプローブ4cを検査対象のコンデンサ21における内部電極32a,32bに対向させる。さらに、制御部9は、スイッチ5a,5bに制御信号S2a,S2bを出力してプローブ4a,4bをG電位およびH電位(測定部6の測定用信号出力ポート6a)のいずれかに接続させるか、または、OPEN状態に切り替えさせる。   The controller 9 controls the board inspection apparatus 1 as a whole. Specifically, the control unit 9 corresponds to a “processing unit” and outputs control signals S1a and S1b to the moving mechanisms 3a and 3b to connect the probes 4a and 4b to the connection patterns 22 and 23 (probing them). ). Further, the control unit 9 outputs a control signal S1c to the moving mechanism 3c so that the probe 4c is opposed to the internal electrodes 32a and 32b in the capacitor 21 to be inspected. Further, the control unit 9 outputs control signals S2a and S2b to the switches 5a and 5b to connect the probes 4a and 4b to either the G potential or the H potential (measurement signal output port 6a of the measurement unit 6). Or switch to the OPEN state.

また、制御部9は、測定部6に制御信号S3を出力して上記の各「測定処理」を実行させる。この場合、本例の基板検査装置1では、前述したように、予め規定された順序(具体的には、一例として、「第1測定処理」、「第2測定処理」、「第3測定処理」および「第4測定処理」の順序)で各「測定処理」を実行させる構成が採用されている。さらに、制御部9は、測定部6から出力される測定結果データD1を記憶部10に記憶させると共に、この測定結果データD1と、記憶部10に記憶されている検査用データD0とに基づき、検査対象基板20に対して、接続用パターン22に対する外部電極31aの接続不良Xa(図2,4参照)、接続用パターン23に対する外部電極31bの接続不良Xb(図2,4参照)、接続用パターン22,23の断線Xc(図6参照)、およびコンデンサ21の破損(クラックXd:図6参照)のいずれかの不良が生じているか否かを判別し、その判別結果を検査結果データD2として記憶部10に記憶させる。なお、不良が生じているか否かの具体的な判別方法については、後に詳細に説明する。   In addition, the control unit 9 outputs the control signal S3 to the measurement unit 6 to execute each of the above “measurement processes”. In this case, in the substrate inspection apparatus 1 of the present example, as described above, a predetermined order (specifically, as an example, “first measurement process”, “second measurement process”, “third measurement process”). ”And“ fourth measurement process ”), each“ measurement process ”is executed. Further, the control unit 9 stores the measurement result data D1 output from the measurement unit 6 in the storage unit 10, and based on the measurement result data D1 and the inspection data D0 stored in the storage unit 10, Connection failure Xa of the external electrode 31a to the connection pattern 22 (see FIGS. 2 and 4), connection failure Xb of the external electrode 31b to the connection pattern 23 (see FIGS. 2 and 4), and connection It is determined whether or not any of the disconnection Xc (see FIG. 6) of the patterns 22 and 23 and the breakage of the capacitor 21 (crack Xd: see FIG. 6) has occurred, and the determination result is used as inspection result data D2. Store in the storage unit 10. A specific method for determining whether or not a defect has occurred will be described later in detail.

記憶部10は、上記の検査用データD0、測定結果データD1および検査結果データD2などを記憶する。この場合、検査用データD0は、検査対象基板20についての検査手順を特定可能な「検査手順データ」と、検査対象基板20に不良が生じているか否かを判別するための「検査用基準データ」とが記録されて構成されている。具体的には、検査用データD0には、制御部9が移動機構3a,3bを制御してプローブ4a,4bをプロービングさせるべき位置、およびその移動タイミングと、制御部9が移動機構3cを制御してプローブ4cをプロービングさせるべき位置、およびその移動タイミングと、制御部9がスイッチ5a,5bを制御してプローブ4a,4bを接断すべき電位、およびその切替えタイミングと、制御部9が測定部6を制御して各「測定処理」を実行させるべき順序およびそのタイミングとが「検査手順データ」として記録されている。また、検査用データD0には、測定部6によって実行される各「測定処理」の結果(測定結果データD1の値)の大小関係と、コンデンサ21に生じている不良との関係を特定可能な情報が「検査用基準データ」として記録されている。   The storage unit 10 stores the inspection data D0, the measurement result data D1, the inspection result data D2, and the like. In this case, the inspection data D0 includes “inspection procedure data” that can specify the inspection procedure for the inspection target substrate 20 and “inspection reference data for determining whether or not the inspection target substrate 20 is defective. "Is recorded and configured. Specifically, in the inspection data D0, the control unit 9 controls the moving mechanisms 3a and 3b to position the probes 4a and 4b to be probed, the moving timing thereof, and the control unit 9 controls the moving mechanism 3c. Then, the position where the probe 4c should be probed and its movement timing, the potential at which the control unit 9 controls the switches 5a and 5b to connect and disconnect the probes 4a and 4b, and the switching timing thereof, and the control unit 9 measure The order in which each “measurement process” should be executed by controlling the unit 6 and the timing thereof are recorded as “inspection procedure data”. Further, in the inspection data D0, it is possible to specify the relationship between the magnitude relationship between the results of each “measurement process” (the value of the measurement result data D1) executed by the measurement unit 6 and the failure occurring in the capacitor 21. Information is recorded as “inspection reference data”.

この基板検査装置1による検査対象基板20の検査に際しては、まず、検査対象基板20を基板保持部2に保持させる。次いで、操作部7の図示しないスタートスイッチが操作されたときに、制御部9が検査対象基板20についての検査処理を開始する。なお、検査対象基板20の実際の検査に際しては、各コンデンサ21以外の各種電子部品や接続用パターンに関する不良の有無についても検査されるが、「基板検査装置」および「基板検査方法」についての理解を容易とするために、コンデンサ21に関連する検査項目以外の検査項目についての説明を省略する。この際に、制御部9は、一例として、検査用データD0に従って移動機構3a,3bに制御信号S1a,S1bを出力することにより、図2に示すように、基板保持部2によって保持されている検査対象基板20の接続用パターン22aにプローブ4aをプロービングさせ、かつ接続用パターン23にプローブ4bをプロービングさせる。   When the inspection target substrate 20 is inspected by the substrate inspection apparatus 1, first, the inspection target substrate 20 is held by the substrate holding unit 2. Next, when a start switch (not shown) of the operation unit 7 is operated, the control unit 9 starts an inspection process for the inspection target substrate 20. In the actual inspection of the inspection target substrate 20, various electronic components other than the capacitors 21 and the presence / absence of defects related to the connection pattern are also inspected. However, the “substrate inspection apparatus” and the “substrate inspection method” are understood. In order to facilitate the inspection, description of inspection items other than the inspection items related to the capacitor 21 is omitted. At this time, as an example, the control unit 9 outputs the control signals S1a and S1b to the moving mechanisms 3a and 3b in accordance with the inspection data D0, so that the control unit 9 is held by the substrate holding unit 2 as shown in FIG. The probe 4a is probed to the connection pattern 22a of the inspection target substrate 20, and the probe 4b is probed to the connection pattern 23.

次いで、制御部9は、検査用データD0に従って移動機構3cに制御信号S1cを出力することにより、検査対象基板20におけるコンデンサ21aの実装部位の表面にプローブ4cをプロービングさせる。この際には、同図に示すように、プローブ4cを検査対象基板20の表面に当接させるようにしてプロービングすることにより、検査対象基板20に内蔵されているコンデンサ21aと検査対象基板20の表面との間に存在する基材によって、コンデンサ21aの各内部電極32a,32bとプローブ4cの電極面(底面)との間に非導電体からなる隙間が生じた状態(各内部電極32a,32bに対してプローブ4cが接することなく対向させられて容量成分が形成された状態)となる。   Next, the control unit 9 outputs the control signal S1c to the moving mechanism 3c according to the inspection data D0, thereby probing the probe 4c on the surface of the mounting portion of the capacitor 21a on the inspection target board 20. At this time, as shown in the figure, the probe 4c is brought into contact with the surface of the inspection target substrate 20 and is probed so that the capacitor 21a built in the inspection target substrate 20 and the inspection target substrate 20 are connected. A state in which a gap made of a non-conductive material is generated between the internal electrodes 32a and 32b of the capacitor 21a and the electrode surface (bottom surface) of the probe 4c due to the base material existing between the surfaces (the internal electrodes 32a and 32b). To the probe 4c without contacting with each other, and a capacitive component is formed).

続いて、制御部9は、スイッチ5aに制御信号S2aを出力することにより、プローブ4aに接続されている接点aを測定部6の測定用信号出力ポート6aに接続されている接点cに接続させることでプローブ4aを測定用信号出力ポート6a(測定用信号の出力時にH電位となるポート)に接続させる(「導体と第1接続用パターンとの他方」が「第1接続用パターン」としての接続用パターン22a(プローブ4aがプロービングされている接続用パターン)である例)。また、制御部9は、スイッチ5bに制御信号S2bを出力することにより、プローブ4bに接続されている接点aをG電位に接続されている接点bに接続させることでプローブ4bをG電位に接続させる(プローブ4bがプロービングされている「第2接続用パターン」としての接続用パターン23を「基準電位」としてのG電位に接続する処理の一例)。   Subsequently, the control unit 9 outputs the control signal S2a to the switch 5a, thereby connecting the contact a connected to the probe 4a to the contact c connected to the measurement signal output port 6a of the measurement unit 6. As a result, the probe 4a is connected to the measurement signal output port 6a (the port that becomes the H potential when the measurement signal is output) ("the other of the conductor and the first connection pattern" is the "first connection pattern"). Example of connection pattern 22a (connection pattern in which probe 4a is probed)). Further, the control unit 9 outputs the control signal S2b to the switch 5b, thereby connecting the contact a connected to the probe 4b to the contact b connected to the G potential, thereby connecting the probe 4b to the G potential. (Example of processing for connecting the connection pattern 23 as the “second connection pattern” in which the probe 4b is probed to the G potential as the “reference potential”).

なお、本例の基板検査装置1では、プローブ4cが測定部6の電流測定ポート6b(測定用信号の出力時にG電位と同電位となるように制御されるL電位のポート)に常時接続された状態となっている(「導体と第1接続用パターンとのいずれか一方」が「導体」としてのプローブ4cであり、このプローブ4cが「基準電位」としてのG電位と同電位のL電位に接続されている構成の例)。   In the substrate inspection apparatus 1 of this example, the probe 4c is always connected to the current measurement port 6b of the measurement unit 6 (L potential port controlled to be the same potential as the G potential when the measurement signal is output). ("One of the conductor and the first connection pattern" is the probe 4c as the "conductor", and this probe 4c is the L potential having the same potential as the G potential as the "reference potential". Example of configuration connected to

次いで、制御部9は、測定部6に制御信号S3を出力することにより、「測定処理A」としての「第1測定処理」を開始させる。この際に、測定部6は、測定用信号出力ポート6aから測定用信号としての交流信号を出力すると共に、電流測定ポート6bから流れ込む電流の電流値を測定する。また、測定部6は、測定した電流値と、測定用信号出力ポート6aから出力されている測定用信号の電圧値と、測定した電流および測定用信号の位相差とに基づき、プローブ4cが対向させられているコンデンサ21aの内部電極32aとプローブ4cとの間に形成されている容量成分の静電容量を測定して測定結果データD1として制御部9に出力する(「第1接続用パターン」としての接続用パターン22aに測定用信号(交流信号)を印加した状態において、接続用パターン22a、外部電極31a、内部電極32a、および内部電極32aとプローブ4cとの間の容量成分を介して「導体」としてのプローブ4cに流れる電流に応じて変化する電気的パラメータ(静電容量)を測定する処理の一例)。これに応じて、制御部9は、測定部6から出力された測定結果データD1を「第1測定処理」の測定結果として記憶部10に記憶させる。   Next, the control unit 9 outputs the control signal S3 to the measurement unit 6 to start the “first measurement process” as the “measurement process A”. At this time, the measurement unit 6 outputs an AC signal as a measurement signal from the measurement signal output port 6a and measures the current value of the current flowing from the current measurement port 6b. Further, the measurement unit 6 is configured so that the probe 4c is opposed based on the measured current value, the voltage value of the measurement signal output from the measurement signal output port 6a, and the phase difference between the measured current and the measurement signal. The capacitance of the capacitance component formed between the internal electrode 32a of the capacitor 21a and the probe 4c is measured and output to the control unit 9 as measurement result data D1 ("first connection pattern" In the state where the measurement signal (AC signal) is applied to the connection pattern 22a as described above, the connection pattern 22a, the external electrode 31a, the internal electrode 32a, and the capacitance component between the internal electrode 32a and the probe 4c An example of a process for measuring an electrical parameter (capacitance) that changes in accordance with a current flowing through the probe 4 c as a “conductor”. In response to this, the control unit 9 stores the measurement result data D1 output from the measurement unit 6 in the storage unit 10 as the measurement result of the “first measurement process”.

この際に、コンデンサ21aの外部電極31bと接続用パターン23との間の接続不良Xbが存在しないとき(外部電極31bが接続用パターン23に対して正常に接続されているとき)には、プローブ4b、接続用パターン23および外部電極31bを介して各内部電極32bがG電位(すなわち、プローブ4cが接続されているL電位としての電流測定ポート6bと同電位)となる。このため、コンデンサ21aの外部電極31aと接続用パターン22aとの間の接続不良Xaが存在しないとき(コンデンサ21aが接続用パターン22aに対して正常に接続されているとき)には、測定部6の測定用信号出力ポート6aから測定用信号が出力された際に、プローブ4a、接続用パターン22a、外部電極31a、各内部電極32a、および内部電極32a,32bの間の容量成分を介して測定部6から各内部電極32bに電流が流れ、この電流が外部電極31b、接続用パターン23およびプローブ4bを介してG電位に流れることなる。   At this time, when there is no connection failure Xb between the external electrode 31b of the capacitor 21a and the connection pattern 23 (when the external electrode 31b is normally connected to the connection pattern 23), the probe 4b, each internal electrode 32b becomes G potential (that is, the same potential as the current measurement port 6b as L potential to which the probe 4c is connected) via the connection pattern 23 and the external electrode 31b. Therefore, when there is no connection failure Xa between the external electrode 31a of the capacitor 21a and the connection pattern 22a (when the capacitor 21a is normally connected to the connection pattern 22a), the measurement unit 6 When a measurement signal is output from the measurement signal output port 6a, measurement is performed via the capacitance component between the probe 4a, the connection pattern 22a, the external electrode 31a, each internal electrode 32a, and the internal electrodes 32a and 32b. A current flows from the portion 6 to each internal electrode 32b, and this current flows to the G potential via the external electrode 31b, the connection pattern 23, and the probe 4b.

したがって、接続不良Xa,Xbの双方が存在しないときには、内部電極32aおよびプローブ4c間の容量成分を介して内部電極32aからプローブ4cに電流が殆ど流れないため、測定部6によって実質的には「0mA」の電流値が測定されることとなる。この結果、接続不良Xa,Xbが存在しないときには、図3に示すように、測定部6によって「0pF」との静電容量値が測定されて測定結果データD1として出力される。なお、コンデンサ21aの大きさ(内部電極32a,32bの面積)や、コンデンサ21aとプローブ4cとの離間距離(すなわち、コンデンサ21aとプローブ4cとの間に形成される容量成分の大きさ)によっては、各内部電極32aからプローブ4cに極く僅かな電流が流れ込み、これにより、極く小さな静電容量が測定されることもあるが、以下、この極く小さな静電容量(実質的には「0pF」の静電容量)については「0pF」として説明する。   Therefore, when both of the connection failures Xa and Xb are not present, almost no current flows from the internal electrode 32a to the probe 4c via the capacitance component between the internal electrode 32a and the probe 4c. A current value of “0 mA” will be measured. As a result, when there is no connection failure Xa, Xb, as shown in FIG. 3, the measurement unit 6 measures a capacitance value of “0 pF” and outputs it as measurement result data D1. Depending on the size of the capacitor 21a (area of the internal electrodes 32a and 32b) and the separation distance between the capacitor 21a and the probe 4c (that is, the size of the capacitance component formed between the capacitor 21a and the probe 4c). In this case, a very small current flows from each internal electrode 32a to the probe 4c, and thus a very small capacitance may be measured. Hereinafter, this very small capacitance (substantially “ (Capacitance of 0 pF) will be described as “0 pF”.

一方、コンデンサ21aの外部電極31aと接続用パターン22aとの間に接続不良Xaが存在するときには、上記のように測定用信号出力ポート6aから測定用信号を出力したときに、接続不良Xbの存在の有無に拘わらず、内部電極32aおよびプローブ4c間の容量成分を介して内部電極32aからプローブ4cに電流が流れないため、測定部6によって「0mA」との電流値が測定されることとなる。この結果、接続不良Xaが存在するときには、図3に示すように、測定部6によって「0pF」との静電容量値が測定されて測定結果データD1として出力される。   On the other hand, when a connection failure Xa exists between the external electrode 31a of the capacitor 21a and the connection pattern 22a, the connection failure Xb exists when the measurement signal is output from the measurement signal output port 6a as described above. Regardless of whether or not there is current, current does not flow from the internal electrode 32a to the probe 4c via the capacitive component between the internal electrode 32a and the probe 4c, so that the current value of “0 mA” is measured by the measurement unit 6. . As a result, when there is a connection failure Xa, as shown in FIG. 3, the measurement unit 6 measures the capacitance value of “0 pF” and outputs it as measurement result data D1.

また、接続不良Xbが存在するときには、各内部電極32bがG電位とはならないため、接続不良Xaが存在しないときには、測定部6の測定用信号出力ポート6aから測定用信号が出力された際に、プローブ4a、接続用パターン22aおよび外部電極31aを介して、各内部電極32aから、内部電極32aおよびプローブ4c間の容量成分を介してプローブ4cに電流が流れ、この電流が測定部6の電流測定ポート6bに流れ込むこととなる。したがって、測定部6によってある程度の大きな電流値が測定される結果、図3に示すように、測定部6によって「数pF」程度の静電容量値が測定されて測定結果データD1として出力される。このように、この「第1測定処理」では、コンデンサ21aと接続用パターン22a,23との間の接続不良Xa,Xbの有無により、「0pF」または「数pF」の静電容量が測定される。以上により、「第1測定処理」が完了する。   Further, when there is a connection failure Xb, each internal electrode 32b does not have a G potential. Therefore, when there is no connection failure Xa, a measurement signal is output from the measurement signal output port 6a of the measurement unit 6. A current flows from each internal electrode 32a to the probe 4c via the capacitance component between the internal electrode 32a and the probe 4c via the probe 4a, the connection pattern 22a, and the external electrode 31a. It will flow into the measurement port 6b. Therefore, as a result of measuring a certain large current value by the measuring unit 6, as shown in FIG. 3, a capacitance value of about “several pF” is measured by the measuring unit 6 and output as measurement result data D1. . As described above, in the “first measurement process”, the capacitance of “0 pF” or “several pF” is measured depending on the presence or absence of connection failure Xa, Xb between the capacitor 21a and the connection patterns 22a, 23. The Thus, the “first measurement process” is completed.

次いで、制御部9は、スイッチ5aに制御信号S2aを出力することにより、接点aを接点cに接続させた状態を維持させつつ、スイッチ5bに制御信号S2bを出力することにより、OPEN状態に切り替えさせて接点aをG電位から切り離させることでプローブ4bをG電位から切り離させる(プローブ4bがプロービングされている「第2接続用パターン」としての接続用パターン23を「基準電位」としてのG電位から切断する処理の一例)。次いで、制御部9は、測定部6に制御信号S3を出力することにより、「測定処理B」としての「第2測定処理」を実行させる。なお、静電容量の測定手順については上記の「第1測定処理」と同様のため、その説明を省略する。また、制御部9は、測定部6から出力された測定結果データD1を「第2測定処理」の測定結果として記憶部10に記憶させる。   Next, the control unit 9 outputs the control signal S2a to the switch 5a, thereby maintaining the state where the contact point a is connected to the contact point c, and outputting the control signal S2b to the switch 5b, thereby switching to the OPEN state. The probe 4b is separated from the G potential by separating the contact point a from the G potential (the connection pattern 23 as the “second connection pattern” on which the probe 4b is probed is the G potential as the “reference potential”). An example of a process of disconnecting from a. Next, the control unit 9 outputs the control signal S3 to the measurement unit 6 to execute the “second measurement process” as the “measurement process B”. The capacitance measurement procedure is the same as the “first measurement process” described above, and thus the description thereof is omitted. In addition, the control unit 9 stores the measurement result data D1 output from the measurement unit 6 in the storage unit 10 as the measurement result of the “second measurement process”.

この際に、スイッチ5aをOPEN状態に切り替えたこの状態(すなわち、各内部電極32bがG電位から切り離された状態)では、測定用信号が出力された際に内部電極32aおよびプローブ4cの間の容量成分を介して内部電極32aからプローブ4cに電流が流れるのを阻害する要素が存在しない状態となる。したがって、接続不良Xaが存在しないときには、測定部6の測定用信号出力ポート6aから測定用信号が出力された際に、接続不良Xbの存在の有無に拘わらず、プローブ4a、接続用パターン22aおよび外部電極31aを介して、各内部電極32aから、内部電極32aおよびプローブ4c間の容量成分を介してプローブ4cに電流が流れ、この電流が測定部6の電流測定ポート6bに流れ込むこととなる。したがって、測定部6によってある程度の大きな電流値が測定される結果、図3に示すように、測定部6によって「数pF」程度の静電容量値が測定されて測定結果データD1として出力される。   At this time, in this state in which the switch 5a is switched to the OPEN state (that is, the state in which each internal electrode 32b is disconnected from the G potential), when the measurement signal is output, the connection between the internal electrode 32a and the probe 4c is performed. There is no element that obstructs the flow of current from the internal electrode 32a to the probe 4c via the capacitive component. Therefore, when there is no connection failure Xa, when the measurement signal is output from the measurement signal output port 6a of the measurement unit 6, the probe 4a, the connection pattern 22a and the connection pattern 22a A current flows from each internal electrode 32a through the external electrode 31a to the probe 4c via a capacitive component between the internal electrode 32a and the probe 4c, and this current flows into the current measurement port 6b of the measurement unit 6. Therefore, as a result of measuring a certain large current value by the measuring unit 6, as shown in FIG. 3, a capacitance value of about “several pF” is measured by the measuring unit 6 and output as measurement result data D1. .

一方、コンデンサ21aの外部電極31aと接続用パターン22aとの間に接続不良Xaが存在するときには、上記のように測定用信号出力ポート6aから測定用信号を出力したときに、接続不良Xbの存在の有無に拘わらず、内部電極32aおよびプローブ4c間の容量成分を介して、内部電極32aからプローブ4cに電流が流れないため、測定部6によって「0mA」との電流値が測定されることとなる。この結果、図3に示すように、接続不良Xaが存在するときには、接続不良Xbの有無に拘わらず、測定部6によって「0pF」との静電容量値が測定されて測定結果データD1として出力される。このように、この「第2測定処理」においても、コンデンサ21aと接続用パターン22a,23との間の接続不良Xa,Xbの有無により、「0pF」または「数pF」の静電容量が測定される。以上により、「第2測定処理」が完了する。   On the other hand, when a connection failure Xa exists between the external electrode 31a of the capacitor 21a and the connection pattern 22a, the connection failure Xb exists when the measurement signal is output from the measurement signal output port 6a as described above. Regardless of the presence or absence of the current, no current flows from the internal electrode 32a to the probe 4c via the capacitive component between the internal electrode 32a and the probe 4c, so that the current value of “0 mA” is measured by the measurement unit 6. Become. As a result, as shown in FIG. 3, when the connection failure Xa exists, the capacitance value of “0 pF” is measured by the measurement unit 6 regardless of the presence or absence of the connection failure Xb and is output as the measurement result data D1. Is done. Thus, also in this “second measurement process”, the capacitance of “0 pF” or “several pF” is measured depending on the presence or absence of connection failure Xa, Xb between the capacitor 21a and the connection patterns 22a, 23. Is done. Thus, the “second measurement process” is completed.

続いて、制御部9は、スイッチ5aに制御信号S2aを出力することにより、プローブ4aに接続されている接点aをG電位に接続されている接点bに接続させることでプローブ4aをG電位に接続させる(プローブ4aがプロービングされている「第1接続用パターン」としての接続用パターン22aを「基準電位」としてのG電位に接続する処理の一例)。また、制御部9は、スイッチ5bに制御信号S2bを出力することにより、プローブ4bに接続されている接点aを測定部6の測定用信号出力ポート6aに接続されている接点cに接続させることでプローブ4aを測定用信号出力ポート6a(H電位となるポート)に接続させる(「導体と第2接続用パターンとの他方」が「第2接続用パターン」としての接続用パターン23(プローブ4bがプロービングされている接続用パターン)である例)。   Subsequently, the control unit 9 outputs the control signal S2a to the switch 5a, thereby connecting the contact a connected to the probe 4a to the contact b connected to the G potential, thereby bringing the probe 4a to the G potential. Connection (an example of processing for connecting the connection pattern 22a as the “first connection pattern” in which the probe 4a is probed to the G potential as the “reference potential”). Further, the control unit 9 outputs the control signal S2b to the switch 5b, thereby connecting the contact a connected to the probe 4b to the contact c connected to the measurement signal output port 6a of the measurement unit 6. Then, the probe 4a is connected to the measurement signal output port 6a (the port having the H potential) (the other of the conductor and the second connection pattern) is the connection pattern 23 (probe 4b). Is a connection pattern that is probing)).

次いで、制御部9は、測定部6に制御信号S3を出力することにより、「測定処理A」としての「第3測定処理」を開始させる。この際に、測定部6は、測定用信号出力ポート6aから測定用信号としての交流信号を出力すると共に、電流測定ポート6bから流れ込む電流の電流値を測定する。また、測定部6は、測定した電流値と、測定用信号出力ポート6aから出力されている測定用信号の電圧値と、測定した電流および測定用信号の位相差とに基づき、プローブ4cが対向させられているコンデンサ21aの内部電極32aとプローブ4cとの間に形成されている容量成分の静電容量を測定して測定結果データD1として制御部9に出力する(「第2接続用パターン」としての接続用パターン23に測定用信号(交流信号)を印加した状態において、接続用パターン23から、外部電極31b、内部電極32b、および内部電極32bとプローブ4cとの間の容量成分を介して「導体」としてのプローブ4cに流れる電流に応じて変化する電気的パラメータ(静電容量)を測定する処理の一例)。これに応じて、制御部9は、測定部6から出力された測定結果データD1を「第3測定処理」の測定結果として記憶部10に記憶させる。   Next, the control unit 9 starts the “third measurement process” as the “measurement process A” by outputting the control signal S <b> 3 to the measurement unit 6. At this time, the measurement unit 6 outputs an AC signal as a measurement signal from the measurement signal output port 6a and measures the current value of the current flowing from the current measurement port 6b. Further, the measurement unit 6 is configured so that the probe 4c is opposed based on the measured current value, the voltage value of the measurement signal output from the measurement signal output port 6a, and the phase difference between the measured current and the measurement signal. The capacitance of the capacitance component formed between the internal electrode 32a of the capacitor 21a and the probe 4c is measured and output to the control unit 9 as measurement result data D1 ("second connection pattern") In the state in which the measurement signal (AC signal) is applied to the connection pattern 23, the connection pattern 23 is connected to the external electrode 31b, the internal electrode 32b, and the capacitance component between the internal electrode 32b and the probe 4c. An example of a process for measuring an electrical parameter (capacitance) that changes in accordance with a current flowing through the probe 4c as a “conductor”. In response to this, the control unit 9 stores the measurement result data D1 output from the measurement unit 6 in the storage unit 10 as the measurement result of the “third measurement process”.

この際に、図2に示す例では、内部電極32bおよびプローブ4cの間の容量成分を介して、内部電極32bからプローブ4cに電流が流れるのを阻害する要素(電極)が内部電極32bとプローブ4cとの間に存在しない状態となっている。したがって、接続不良Xbが存在しない状態においては、測定部6の測定用信号出力ポート6aから測定用信号が出力された際に、接続不良Xaの存在の有無に拘わらず、プローブ4b、接続用パターン23および外部電極31bを介して、各内部電極32bから、内部電極32bおよびプローブ4c間の容量成分を介してプローブ4cに電流が流れ、この電流が測定部6の電流測定ポート6bに流れ込むこととなる。したがって、測定部6によってある程度の大きな電流値が測定される結果、図3に示すように、測定部6によって「数pF」程度の静電容量値が測定されて測定結果データD1として出力される。   In this case, in the example shown in FIG. 2, the element (electrode) that inhibits the current from flowing from the internal electrode 32b to the probe 4c via the capacitive component between the internal electrode 32b and the probe 4c is the internal electrode 32b and the probe. 4c does not exist. Therefore, in the state where the connection failure Xb does not exist, when the measurement signal is output from the measurement signal output port 6a of the measurement unit 6, the probe 4b, the connection pattern, regardless of the presence or absence of the connection failure Xa. Current flows from each internal electrode 32b to the probe 4c via the capacitance component between the internal electrode 32b and the probe 4c, and this current flows into the current measurement port 6b of the measurement unit 6 via the external electrode 31b and the external electrode 31b. Become. Therefore, as a result of measuring a certain large current value by the measuring unit 6, as shown in FIG. 3, a capacitance value of about “several pF” is measured by the measuring unit 6 and output as measurement result data D1. .

また、接続不良Xbが存在するときには、上記のように測定用信号出力ポート6aから測定用信号を出力したときに、接続不良Xaの存在の有無に拘わらず、内部電極32bおよびプローブ4c間の容量成分を介して内部電極32bからプローブ4cに電流が流れないため、測定部6によって「0mA」との電流値が測定されることとなる。この結果、図3に示すように、接続不良Xbが存在するときには、接続不良Xaの有無に拘わらず、測定部6によって「0pF」との静電容量値が測定されて測定結果データD1として出力される。このように、この「第3測定処理」においても、コンデンサ21aと接続用パターン22a,23との間の接続不良Xa,Xbの有無により、「0pF」または「数pF」の静電容量が測定される。以上により、「第3測定処理」が完了する。   Further, when the connection failure Xb exists, when the measurement signal is output from the measurement signal output port 6a as described above, the capacitance between the internal electrode 32b and the probe 4c regardless of the presence or absence of the connection failure Xa. Since no current flows from the internal electrode 32 b to the probe 4 c via the component, the current value of “0 mA” is measured by the measurement unit 6. As a result, as shown in FIG. 3, when the connection failure Xb exists, the capacitance value of “0 pF” is measured by the measurement unit 6 regardless of the presence or absence of the connection failure Xa and is output as the measurement result data D1. Is done. Thus, also in this “third measurement process”, the capacitance of “0 pF” or “several pF” is measured depending on the presence or absence of connection failure Xa, Xb between the capacitor 21a and the connection patterns 22a, 23. Is done. Thus, the “third measurement process” is completed.

次いで、制御部9は、スイッチ5bに制御信号S2bを出力することにより、接点aを接点cに接続させた状態を維持させつつ、スイッチ5aに制御信号S2aを出力することにより、OPEN状態に切り替えさせて接点aをG電位から切り離させることでプローブ4aをG電位から切り離させる(プローブ4aがプロービングされている「第1接続用パターン」としての接続用パターン22aを「基準電位」としてのG電位から切断する処理の一例)。次いで、制御部9は、測定部6に制御信号S3を出力することにより、「測定処理B」としての「第4測定処理」を実行させる。なお、静電容量の測定手順については上記の「第3測定処理」と同様のため、その説明を省略する。また、制御部9は、測定部6から出力された測定結果データD1を「第4測定処理」の測定結果として記憶部10に記憶させる。   Next, the control unit 9 outputs the control signal S2b to the switch 5b, thereby maintaining the state where the contact point a is connected to the contact point c, and outputting the control signal S2a to the switch 5a, thereby switching to the OPEN state. The probe 4a is separated from the G potential by separating the contact point a from the G potential (the connection pattern 22a as the “first connection pattern” on which the probe 4a is probed is used as the “G potential” as the “reference potential”. An example of a process of disconnecting from a. Next, the control unit 9 outputs the control signal S3 to the measurement unit 6 to execute the “fourth measurement process” as the “measurement process B”. The capacitance measurement procedure is the same as the “third measurement process” described above, and thus the description thereof is omitted. In addition, the control unit 9 stores the measurement result data D1 output from the measurement unit 6 in the storage unit 10 as the measurement result of the “fourth measurement process”.

この際に、図2に示す例では、前述したように、内部電極32およびプローブ4cの間の容量成分を介して内部電極32bからプローブ4cに電流が流れるのを阻害する要素(電極)が内部電極32bとプローブ4cとの間に存在しない状態となっている。したがって、この「第4測定処理」においては、図3に示すように、上記の「第3測定処理」と同様にして、接続不良Xbが存在しない状態においては、接続不良Xaの存在の有無に拘わらず「数pF」との静電容量が測定されて測定結果データD1として出力されると共に、接続不良Xbが存在する状態においては、接続不良Xaの存在の有無に拘わらず「0pF」との静電容量が測定されて測定結果データD1として出力される。このように、この「第4測定処理」においても、コンデンサ21aと接続用パターン22a,23との間の接続不良Xa,Xbの有無により、「0pF」または「数pF」の静電容量が測定される。以上により、「第4測定処理」が完了する。   At this time, in the example shown in FIG. 2, as described above, the element (electrode) that inhibits the flow of current from the internal electrode 32b to the probe 4c via the capacitive component between the internal electrode 32 and the probe 4c is provided inside. There is no state between the electrode 32b and the probe 4c. Therefore, in the “fourth measurement process”, as shown in FIG. 3, in the same manner as the “third measurement process” described above, in the state where the connection failure Xb does not exist, the presence or absence of the connection failure Xa is determined. Regardless, the capacitance of “several pF” is measured and output as measurement result data D1, and in the state where the connection failure Xb exists, “0 pF” is set regardless of the presence or absence of the connection failure Xa. The capacitance is measured and output as measurement result data D1. Thus, also in this “fourth measurement process”, the capacitance of “0 pF” or “several pF” is measured depending on the presence or absence of connection failure Xa, Xb between the capacitor 21a and the connection patterns 22a, 23. Is done. Thus, the “fourth measurement process” is completed.

次いで、制御部9は、記憶部10に記憶させた各「測定処理」についての測定結果データD1と、記憶部10に記憶されている検査用データD0とに基づき、コンデンサ21aと接続用パターン22a,23との間に接続不良Xa,Xbが存在するか否かを判別し、その判別結果を検査結果データD2として記憶部10に記憶させる。   Next, the control unit 9 determines the capacitor 21a and the connection pattern 22a based on the measurement result data D1 for each “measurement process” stored in the storage unit 10 and the inspection data D0 stored in the storage unit 10. , 23, whether or not there is a connection failure Xa, Xb is determined, and the determination result is stored in the storage unit 10 as inspection result data D2.

具体的には、図3に示すように、接続不良Xa,Xbの双方が存在しないとき(「不良」が生じていないとき)には、「第1測定処理」において「0pF」との静電容量が測定され、「第2測定処理」において「数pF」との静電容量が測定され、「第3測定処理」において「数pF」との静電容量が測定され、かつ「第4測定処理」において「数pF」との静電容量が測定される(「第1測定処理および第3測定処理のいずれか一方」である「第1測定処理」の測定結果だけが、「予め規定された基準範囲」としての基準容量範囲を外れ、かつ他の3つの「測定処理」の測定結果が基準容量範囲内のときの一例)。したがって、制御部9は、「第1測定処理」から「第4測定処理」までの4つの「測定処理」において、「0pF」、「数pF」、「数pF」および「数pF」とのパターンPaの測定結果が得られたときに、コンデンサ21aと接続用パターン22a,23との間に接続不良Xa,Xbが存在せず、コンデンサ21aが接続用パターン22a,23に正常に接続されていると判別し、その判別結果を検査結果データD2として記憶部10に記憶させる。   Specifically, as shown in FIG. 3, when both of the connection failures Xa and Xb do not exist (when no “failure” occurs), the electrostatic potential of “0 pF” in the “first measurement process”. The capacitance is measured, the capacitance of “several pF” is measured in the “second measurement process”, the capacitance of “several pF” is measured in the “third measurement process”, and the “fourth measurement” is performed. In the “Process”, the capacitance of “several pF” is measured (only the measurement result of “the first measurement process” which is “one of the first measurement process and the third measurement process” is “predefined. An example in which the reference capacity range is not within the reference capacity range and the measurement results of the other three “measurement processes” are within the reference capacity range). Accordingly, the control unit 9 determines that “0 pF”, “several pF”, “several pF”, and “several pF” in the four “measuring processes” from the “first measuring process” to the “fourth measuring process”. When the measurement result of the pattern Pa is obtained, there is no connection failure Xa, Xb between the capacitor 21a and the connection patterns 22a, 23, and the capacitor 21a is normally connected to the connection patterns 22a, 23. The determination result is stored in the storage unit 10 as inspection result data D2.

この場合、一例として、上記のコンデンサ21aが2μfの静電容量を有する積層コンデンサの場合には、上記の「数pF」として「10pF」程度の静電容量が測定され、上記の「0pF」として「0.1pF」程度の静電容量が測定される。したがって、そのようなコンデンサ21aの検査に際しては、一例として、上記の「10pF」を基準として±50%(すなわち、5pF〜15pF)を「基準容量範囲」として規定すればよい。   In this case, as an example, when the capacitor 21a is a multilayer capacitor having a capacitance of 2 μf, a capacitance of about “10 pF” is measured as the “several pF”, and the above “0 pF” is measured. A capacitance of about “0.1 pF” is measured. Therefore, when inspecting such a capacitor 21a, for example, ± 50% (that is, 5 pF to 15 pF) may be defined as the “reference capacitance range” based on the above “10 pF”.

また、接続不良Xaが存在し、接続不良Xbが存在しないときには、「第1測定処理」において「0pF」との静電容量が測定され、「第2測定処理」において「0pF」との静電容量が測定され、「第3測定処理」において「数pF」との静電容量が測定され、かつ「第4測定処理」において「数pF」との静電容量が測定される(4つの「測定処理」のうちの2つの「測定処理」の測定結果が「基準範囲」としての基準容量範囲を外れ、かつ他の2つの「測定処理」の測定結果が「基準範囲」としての基準容量範囲内のときの一例)。したがって、制御部9は、「第1測定処理」から「第4測定処理」までの4つの「測定処理」において、「0pF」、「0pF」、「数pF」および「数pF」とのパターンPbの測定結果が得られたときに、コンデンサ21a(外部電極31a)と接続用パターン22aとの間に接続不良Xaが存在すると判別し、その判別結果を検査結果データD2として記憶部10に記憶させる。   Further, when the connection failure Xa exists and the connection failure Xb does not exist, the capacitance of “0 pF” is measured in the “first measurement process” and the capacitance of “0 pF” in the “second measurement process”. The capacitance is measured, the capacitance of “several pF” is measured in “third measurement process”, and the capacitance of “several pF” is measured in “fourth measurement process” (four “ The measurement results of the two “measurement processes” of the “measurement process” are out of the reference capacity range as the “reference range”, and the measurement results of the other two “measurement processes” are the reference capacity range as the “reference range”. An example of the inside). Accordingly, the control unit 9 determines the pattern of “0 pF”, “0 pF”, “number pF”, and “number pF” in the four “measurement processes” from the “first measurement process” to the “fourth measurement process”. When the measurement result of Pb is obtained, it is determined that there is a connection failure Xa between the capacitor 21a (external electrode 31a) and the connection pattern 22a, and the determination result is stored in the storage unit 10 as inspection result data D2. Let

さらに、接続不良Xaが存在せず、接続不良Xbが存在するときには、「第1測定処理」において「数pF」との静電容量が測定され、「第2測定処理」において「数pF」との静電容量が測定され、「第3測定処理」において「0pF」との静電容量が測定され、かつ「第4測定処理」において「0pF」との静電容量が測定される(4つの「測定処理」のうちの2つの「測定処理」の測定結果が「基準範囲」としての基準容量範囲を外れ、かつ他の2つの「測定処理」の測定結果が「基準範囲」としての基準容量範囲内のときの他の一例)。したがって、制御部9は、「第1測定処理」から「第4測定処理」までの4つの「測定処理」において、「数pF」、「数pF」、「0pF」および「0pF」とのパターンPcの測定結果が得られたときに、コンデンサ21a(外部電極31b)と接続用パターン23との間に接続不良Xbが存在すると判別し、その判別結果を検査結果データD2として記憶部10に記憶させる。   Furthermore, when the connection failure Xa does not exist and the connection failure Xb exists, the capacitance of “several pF” is measured in the “first measurement process”, and “several pF” in the “second measurement process”. , The capacitance of “0 pF” is measured in the “third measurement process”, and the capacitance of “0 pF” is measured in the “fourth measurement process”. The measurement results of two “measurement processes” of the “measurement processes” are out of the reference capacity range as the “reference range”, and the measurement results of the other two “measurement processes” are the reference capacity as the “reference range”. Another example when in range). Therefore, the control unit 9 uses the patterns “number pF”, “number pF”, “0 pF”, and “0 pF” in the four “measurement processes” from the “first measurement process” to the “fourth measurement process”. When the measurement result of Pc is obtained, it is determined that there is a connection failure Xb between the capacitor 21a (external electrode 31b) and the connection pattern 23, and the determination result is stored in the storage unit 10 as inspection result data D2. Let

また、接続不良Xa,Xbの双方が存在するときには、「第1測定処理」から「第4測定処理」のすべてにおいて「0pF」との静電容量がそれぞれ測定される(各「測定処理」のすべての測定結果が「基準範囲」としての「基準容量範囲」を外れているときの一例)。したがって、制御部9は、「第1測定処理」から「第4測定処理」までの4つの「測定処理」のすべてにおいて、「0pF」、「0pF」、「0pF」および「0pF」とのパターンPdの測定結果が得られたときに、コンデンサ21a(外部電極31a)と接続用パターン22aとの間に接続不良Xaが存在し、かつコンデンサ21a(外部電極31b)と接続用パターン23との間に接続不良Xbが存在すると判別し、その判別結果を検査結果データD2として記憶部10に記憶させる。   Further, when both of the connection failures Xa and Xb exist, the capacitance of “0 pF” is measured in all of the “first measurement process” to the “fourth measurement process” (for each “measurement process”). An example when all measurement results are outside the “reference capacity range” as the “reference range”). Accordingly, the control unit 9 uses the patterns “0 pF”, “0 pF”, “0 pF”, and “0 pF” in all four “measurement processes” from the “first measurement process” to the “fourth measurement process”. When the measurement result of Pd is obtained, there is a connection failure Xa between the capacitor 21a (external electrode 31a) and the connection pattern 22a, and between the capacitor 21a (external electrode 31b) and the connection pattern 23. The connection failure Xb is determined to exist, and the determination result is stored in the storage unit 10 as the inspection result data D2.

この後、制御部9は、記憶部10に記憶させた検査結果データD2に基づく検査結果を表示部8に表示させて、コンデンサ21aと接続用パターン22aおよび接続用パターン23との間に接続不良Xa,Xbが存在するか否かの検査を終了する。続いて、制御部9は、コンデンサ21bと接続用パターン22b,23との間に接続不良Xa,Xbが存在するか否かの検査を開始する。具体的には、制御部9は、検査用データD0に従って移動機構3a,3bに制御信号S1a,S1bを出力することにより、接続用パターン23にプローブ4bをプロービングさせた状態を維持しつつ、図1に破線で示すように、検査対象基板20の接続用パターン22bにプローブ4aをプロービングさせる。   Thereafter, the control unit 9 causes the display unit 8 to display the inspection result based on the inspection result data D2 stored in the storage unit 10, and the connection failure between the capacitor 21a and the connection pattern 22a and the connection pattern 23. The inspection of whether Xa and Xb exist is finished. Subsequently, the control unit 9 starts checking whether or not there is a connection failure Xa, Xb between the capacitor 21b and the connection patterns 22b, 23. Specifically, the control unit 9 outputs the control signals S1a and S1b to the moving mechanisms 3a and 3b according to the inspection data D0, thereby maintaining the state in which the probe 4b is probed in the connection pattern 23, while FIG. As indicated by a broken line in FIG. 1, the probe 4 a is probed to the connection pattern 22 b of the inspection target substrate 20.

次いで、制御部9は、検査用データD0に従って移動機構3cに制御信号S1cを出力することにより、図1に破線で示すように、検査対象基板20におけるコンデンサ21bの実装部位の表面にプローブ4cをプロービングさせる。この際には、プローブ4cを検査対象基板20の表面に当接させるようにしてプロービングすることにより、コンデンサ21bと検査対象基板20の表面との間に存在する基材によって、コンデンサ21bの各内部電極32a,32bとプローブ4cの電極面(底面)との間に非導電体からなる隙間が生じた状態(各内部電極32a,32bに対してプローブ4cが接することなく対向させられて容量成分が形成された状態)となる。   Next, the control unit 9 outputs the control signal S1c to the moving mechanism 3c in accordance with the inspection data D0, whereby the probe 4c is placed on the surface of the mounting portion of the capacitor 21b on the inspection target board 20 as shown by the broken line in FIG. Probing. At this time, by probing the probe 4c so as to contact the surface of the inspection target substrate 20, each internal portion of the capacitor 21b is caused by a base material existing between the capacitor 21b and the surface of the inspection target substrate 20. A state in which a gap made of a non-conductive material is generated between the electrodes 32a, 32b and the electrode surface (bottom surface) of the probe 4c (the probe 4c is opposed to each internal electrode 32a, 32b without being in contact with the capacitance component). Formed state).

この場合、前述したように、本例の基板検査装置1では、その電極面(底面)が1つのコンデンサ21と同程度の柱状となるようにプローブ4cが構成されている。したがって、上記のようにコンデンサ21bの実装部位の表面にプローブ4cをプロービングさせることにより、プローブ4cがコンデンサ21b(コンデンサ21bの内部電極32a,32b)だけと対向した状態となり、接続用パターン22bを介してコンデンサ21bの内部電極32aに接続されているコンデンサ21cの内部電極32aがプローブ4cとは対向しない状態となる。これにより、本例の基板検査装置1では、コンデンサ21b,21cの双方と対向するような大きな電極等を「導体」として使用する構成・方法とは異なり、コンデンサ21bについての検査時おける各「測定処理」に際して、コンデンサ21cの内部電極32aからプローブ4cに電流が流れ込んでコンデンサ21bについての検査結果に影響が及ぶ事態が回避される。   In this case, as described above, in the substrate inspection apparatus 1 of this example, the probe 4c is configured such that the electrode surface (bottom surface) has a columnar shape comparable to that of one capacitor 21. Accordingly, by probing the probe 4c on the surface of the mounting portion of the capacitor 21b as described above, the probe 4c is opposed to only the capacitor 21b (the internal electrodes 32a and 32b of the capacitor 21b), and the connection pattern 22b is interposed. Thus, the internal electrode 32a of the capacitor 21c connected to the internal electrode 32a of the capacitor 21b does not face the probe 4c. Thereby, in the board inspection apparatus 1 of this example, each “measurement” at the time of inspection of the capacitor 21b is different from the configuration / method in which a large electrode or the like facing both the capacitors 21b and 21c is used as the “conductor”. In the “processing”, a situation in which a current flows from the internal electrode 32a of the capacitor 21c to the probe 4c and affects the inspection result of the capacitor 21b is avoided.

次いで、制御部9は、スイッチ5a,5bによるプローブ4a,4bの接断の切り替えを実行しつつ、前述したコンデンサ21aについての4つの「測定処理」と同様の手順で「第1測定処理」から「第4測定処理」の各「測定処理」を実行する。また、制御部9は、各「測定処理」についての測定結果データD1と、記憶部10に記憶されている検査用データD0とに基づき、コンデンサ21bと接続用パターン22b,23との間に接続不良Xa,Xbが存在するか否かを判別し、その判別結果を検査結果データD2として記憶部10に記憶させると共に、判別結果を表示部8に表示させる。これにより、コンデンサ21bと接続用パターン22bおよび接続用パターン23との間に接続不良Xa,Xbが存在するか否かの検査が終了する。この後、制御部9は、コンデンサ21cと接続用パターン22b,23との間に接続不良Xa,Xbが存在するか否かの検査を実行し、その検査結果を表示部8に表示させる。これにより、検査対象基板20を対象とする一連の検査が完了する。   Next, the control unit 9 performs switching from the “first measurement process” in the same procedure as the four “measurement processes” for the capacitor 21a, while switching the connection of the probes 4a and 4b by the switches 5a and 5b. Each “measurement process” of the “fourth measurement process” is executed. Further, the control unit 9 connects between the capacitor 21b and the connection patterns 22b and 23 based on the measurement result data D1 for each “measurement process” and the test data D0 stored in the storage unit 10. It is determined whether or not the defects Xa and Xb exist, and the determination result is stored in the storage unit 10 as the inspection result data D2, and the determination result is displayed on the display unit 8. Thereby, the inspection of whether or not there is a connection failure Xa, Xb between the capacitor 21b and the connection pattern 22b and the connection pattern 23 is completed. Thereafter, the control unit 9 performs an inspection as to whether or not there is a connection failure Xa, Xb between the capacitor 21c and the connection patterns 22b, 23, and causes the display unit 8 to display the inspection result. Thus, a series of inspections for the inspection target substrate 20 is completed.

この場合、検査対象のコンデンサ21は、その外観から外部電極31a,31bを区別するのが困難となっている。したがって、上記の例では、図2に示すように、各内部電極32bのうちの1つが内部電極32aよりもプローブ4c寄りに位置するように実装されているが(内部電極32aよりも内部電極32bの近傍にプローブ4cが位置するようにプロービングした例)、図4に示すように、各内部電極32aのうちの1つが内部電極32bよりもプローブ4c寄りに位置するように実装された状態となっていること(内部電極32bよりも内部電極32aの近傍にプローブ4cが位置するようにプロービングすること)もある。なお、同図、および後に参照する図6,7において図2を参照して説明した要素と同様の機能を有する要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。   In this case, it is difficult for the capacitor 21 to be inspected to distinguish the external electrodes 31a and 31b from the appearance. Therefore, in the above example, as shown in FIG. 2, one of the internal electrodes 32b is mounted so as to be closer to the probe 4c than the internal electrode 32a (internal electrode 32b rather than internal electrode 32a). Probing so that the probe 4c is located near the probe 4c), as shown in FIG. 4, one of the internal electrodes 32a is mounted so as to be located closer to the probe 4c than the internal electrode 32b. (Probing so that the probe 4c is positioned closer to the internal electrode 32a than to the internal electrode 32b). In FIG. 6 and FIGS. 6 and 7 to be referred to later, elements having the same functions as those described with reference to FIG.

この図4に示す実装状態のコンデンサ21と接続用パターン22,23との間に接続不良Xa,Xbが存在するか否かの検査に際しては、図2を参照しつつ説明した手順と同様の手順で「第1測定処理」から「第4測定処理」までの4つの「測定処理」を実行することにより、図5に示すパターンPA,Pb〜Pdの4つのパターンのうちのいずれかのパターンで静電容量が測定される。なお、詳細な説明を省略するが、図4に示す例のときには、図2に示す例のときとは異なり、接続不良Xa,Xbの双方が存在しないときに、「第3測定処理」の測定結果だけが他の3つの「測定処理」の測定結果とは相異するパターンPAとなる。したがって、制御部9は、記憶部10に記憶させた各「測定処理」の測定結果データD1と、記憶部10に記憶されている検査用データD0とに基づき(測定結果がパターンPA,Pb〜Pdのいずれであるかに基づき)、接続不良Xa,Xbが存在するか否かを検査し、その検査結果を表示部8に表示させる。   When inspecting whether or not connection failures Xa and Xb exist between the mounted capacitor 21 and the connection patterns 22 and 23 shown in FIG. 4, a procedure similar to the procedure described with reference to FIG. By executing four “measurement processes” from “first measurement process” to “fourth measurement process”, any one of the four patterns PA, Pb to Pd shown in FIG. Capacitance is measured. Although detailed description is omitted, in the example shown in FIG. 4, unlike the example shown in FIG. 2, the measurement of the “third measurement process” is performed when both the connection failures Xa and Xb do not exist. Only the result is a pattern PA different from the measurement results of the other three “measurement processes”. Therefore, the control unit 9 is based on the measurement result data D1 of each “measurement process” stored in the storage unit 10 and the inspection data D0 stored in the storage unit 10 (measurement results are patterns PA, Pb˜ Whether or not there is a connection failure Xa, Xb is determined, and the inspection result is displayed on the display unit 8.

また、「基板検査装置」の構成、および「基板検査方法」の具体的な手順についての理解を容易とするために、「第1測定処理」から「第4測定処理」の測定結果に基づいて接続不良Xa,Xbが存在するか否かを検査する例について説明したが、図6に示す例のように、接続不良Xaに代わって(または、接続不良Xaに加えて)接続用パターン22に断線Xcが存在するとき、接続不良Xbに代わって(または、接続不良Xbに加えて)接続用パターン23に断線Xcが存在するとき、接続不良Xaや断線Xcに代わって(または、接続不良Xaや断線Xcに加えて)コンデンサ21にクラックXdが生じて内部電極32aが破断しているとき、および接続不良Xbや断線Xcに代わって(または、接続不良Xbや断線Xcに加えて)コンデンサ21にクラックXdが生じて内部電極32bが破断しているときにも、各「測定処理」の測定結果として、上記のパターンPa〜Pd(または、パターンPA,Pb〜Pd)のいずれかのパターンで測定結果が得られる。   In order to facilitate understanding of the configuration of the “substrate inspection apparatus” and the specific procedure of the “substrate inspection method”, based on the measurement results of “first measurement process” to “fourth measurement process”. Although the example of inspecting whether or not the connection failures Xa and Xb exist has been described, instead of the connection failure Xa (or in addition to the connection failure Xa), as shown in FIG. When the disconnection Xc exists, instead of the connection failure Xb (or in addition to the connection failure Xb), when the disconnection Xc exists in the connection pattern 23, it replaces the connection failure Xa or the disconnection Xc (or connection failure Xa When the internal electrode 32a is broken due to the crack Xd occurring in the capacitor 21 (in addition to the disconnection Xc or the disconnection Xc), and instead of the connection failure Xb or the disconnection Xc (or in addition to the connection failure Xb or the disconnection Xc) Even when the crack Xd is generated in the denser 21 and the internal electrode 32b is broken, any of the above-described patterns Pa to Pd (or patterns PA, Pb to Pd) is obtained as a measurement result of each “measurement process”. Measurement results can be obtained with patterns.

なお、断線XcやクラックXdが生じている場合についての「測定処理」については、接続不良Xa,Xbが生じている場合の「測定処理」と同様の現象が生じて同様の測定結果が得られる。したがって、基板検査装置1による検査対象基板20の検査に際しては、実際には、各「測定処理」の測定結果がパターンPa(または、パターンPA)のときに、接続不良Xa,Xb、断線XcおよびクラックXdが存在しないと判別されると共に、各「測定処理」の測定結果がパターンPb〜Pdのいずれかのときには、接続不良Xa,Xb、断線XcおよびクラックXdのいずれかの不良が生じていると判別されることとなる。   As for the “measurement process” in the case where the disconnection Xc and the crack Xd are generated, the same phenomenon as the “measurement process” in the case where the connection failures Xa and Xb are generated occurs and the same measurement result is obtained. . Therefore, when inspecting the inspection target substrate 20 by the substrate inspection apparatus 1, actually, when the measurement result of each “measurement process” is the pattern Pa (or pattern PA), the connection failure Xa, Xb, disconnection Xc and When it is determined that the crack Xd does not exist and the measurement result of each “measurement process” is any of the patterns Pb to Pd, any of the connection defects Xa, Xb, the disconnection Xc, and the crack Xd is generated. Will be determined.

このように、この基板検査装置1、および基板検査装置1による基板検査方法によれば、「測定処理A(「第1測定処理」および「第3測定処理」)」と、「測定処理B(「第2測定処理」および「第4測定処理」)」の各「測定処理」を実行すると共に、各「測定処理」の測定結果(測定結果データD1の値)と検査用基準データ(検査用データD0)とに基づいて不良が生じているか否かを判別することにより、外部電極31aおよび接続用パターン22の間の接続不良Xa等が存在するときには、外部電極31bおよび接続用パターン23の間の接続不良Xb等が存在するか否かに拘わらず、「第1測定処理」および「第2測定処理」のいずれにおいても測定される静電容量が予め規定された基準容量範囲を外れ、接続不良Xb等が存在するときには、接続不良Xa等が存在するか否かに拘わらず、「第3測定処理」および「第4測定処理」のいずれにおいても測定される静電容量が予め規定された基準容量範囲を外れ、接続不良Xa,Xbの双方が存在しないときには、「第1測定処理」および「第3測定処理」のいずれか一方だけにおいて測定される静電容量が予め規定された基準容量範囲を外れるため、外部電極31a,31bにプローブ等を直接接続することができない内蔵のコンデンサ21を有する検査対象基板20について、各「測定処理」毎の測定結果に基づき、接続不良Xa,Xbが存在するか否かを確実に検査することができる。   Thus, according to the substrate inspection apparatus 1 and the substrate inspection method by the substrate inspection apparatus 1, “measurement process A (“ first measurement process ”and“ third measurement process ””) ”and“ measurement process B ( Each “measurement process” of “second measurement process” and “fourth measurement process”) is executed, and the measurement result (value of measurement result data D1) of each “measurement process” and reference data for inspection (for inspection) By determining whether or not a defect has occurred based on the data D0), when there is a connection failure Xa or the like between the external electrode 31a and the connection pattern 22, there is a gap between the external electrode 31b and the connection pattern 23. Regardless of whether or not there is a connection failure Xb or the like, the capacitance measured in both the “first measurement process” and the “second measurement process” is out of the reference capacity range defined in advance. Defect Xb etc. exist In this case, the capacitance measured in both the “third measurement process” and the “fourth measurement process” is out of the predetermined reference capacity range regardless of whether or not the connection failure Xa exists. When both of the connection failures Xa and Xb do not exist, the capacitance measured in only one of the “first measurement process” and the “third measurement process” is out of the predetermined reference capacity range. Whether or not there is a connection failure Xa, Xb based on the measurement result for each “measurement process” for the inspection target substrate 20 having the built-in capacitor 21 in which a probe or the like cannot be directly connected to the external electrodes 31a, 31b. Can be reliably inspected.

また、この基板検査装置1、および基板検査装置1による基板検査方法によれば、「第1測定処理」および「第3測定処理」のいずれか一方の測定結果だけが予め規定された基準容量範囲から外れているときに接続不良Xa,Xbが生じていないと判別すると共に、各「測定処理」のうちの2つの「測定処理」の測定結果が予め規定された基準容量範囲から外れているとき、および各「測定処理」のすべての測定結果が予め規定された基準容量範囲から外れているときに接続不良Xa,Xbが生じていると判別することにより、検査対象基板20に実装されているコンデンサ21の容量、およびその実装状態に応じて基準容量範囲(基準範囲)を規定しておくことで、各「測定処理」の検査結果に基づき、接続不良Xa,Xbが存在するか否かを短時間で容易に判別することができる。   Further, according to the substrate inspection apparatus 1 and the substrate inspection method by the substrate inspection apparatus 1, only one measurement result of “first measurement process” and “third measurement process” is defined in advance as a reference capacity range. When it is determined that there is no connection failure Xa, Xb when the measurement results are out of the range, and the measurement results of the two “measurement processes” out of each “measurement process” are out of the predefined reference capacity range , And when all the measurement results of each “measurement process” are out of the reference capacity range defined in advance, it is determined that the connection failure Xa, Xb has occurred, and is mounted on the inspection target board 20. By determining the reference capacity range (reference range) according to the capacity of the capacitor 21 and its mounting state, whether or not there is a connection failure Xa, Xb based on the inspection result of each “measurement process”. It can be easily determined in a short time.

また、この基板検査装置1によれば、「第1プローブ」としてのプローブ4a、「第2プローブ」としてのプローブ4b、「第1スイッチ」としてのスイッチ5a、および「第2スイッチ」としてのスイッチ5bを備えたことにより、例えば、プローブ4a,4bを接続用パターン22,23にプロービングさせたり接続用パターン22,23から離間させたりすることでG電位に対して接断する構成とは異なり、プローブ4a,4bを接続用パターン22,23に接続したままの状態において、スイッチ5a,5bによってプローブ4a,4bをG電位に対して接断することができるため、検査対象基板20の検査に要する時間を充分に短縮することができる。   Further, according to the substrate inspection apparatus 1, the probe 4a as the “first probe”, the probe 4b as the “second probe”, the switch 5a as the “first switch”, and the switch as the “second switch” Unlike the configuration in which the probe 4a, 4b is connected to the G potential by probing the connection pattern 22, 23 or separating the probe 4a, 4b from the connection pattern 22, 23, for example, Since the probes 4a and 4b can be disconnected and connected to the G potential by the switches 5a and 5b in a state where the probes 4a and 4b are connected to the connection patterns 22 and 23, it is necessary to inspect the inspection target substrate 20. Time can be shortened sufficiently.

さらに、この基板検査装置1によれば、「導体」としての「電極」の一例であるプローブ4c、およびこのプローブ4cを移動させる移動機構3cを備えたことにより、「導体」として使用可能な導体パターン等が存在しない検査対象基板20についても、プローブ4cを「導体」として使用して確実に検査することができる。   Furthermore, according to the board inspection apparatus 1, the probe 4c which is an example of the “electrode” as the “conductor” and the moving mechanism 3c for moving the probe 4c are provided, so that the conductor usable as the “conductor” is provided. The inspection target substrate 20 having no pattern or the like can be reliably inspected by using the probe 4c as a “conductor”.

なお、「基板検査装置」の構成や「基板検査方法」の具体的手順については、上記の基板検査装置1の構成や基板検査装置1による基板検査方法の手順の例に限定されない。例えば、「電気的パラメータ」は、「静電容量」に限定されず、内部電極32a(または、内部電極32b)からプローブ4cに流れる電流の電流値そのものを「電気的パラメータ」として測定することで接続不良Xa,Xbの有無を検査する構成・方法を採用することもできる。   The configuration of the “substrate inspection apparatus” and the specific procedure of the “substrate inspection method” are not limited to the configuration of the substrate inspection apparatus 1 and the example of the procedure of the substrate inspection method performed by the substrate inspection apparatus 1. For example, the “electrical parameter” is not limited to “capacitance”, and the current value of the current flowing from the internal electrode 32a (or the internal electrode 32b) to the probe 4c itself is measured as the “electrical parameter”. It is also possible to adopt a configuration / method for inspecting the presence or absence of connection failures Xa and Xb.

また、「導体」としての「電極」の一例であるプローブ4cを使用して各「測定処理」を実行する構成・方法を例に挙げて説明したが、「電極」は、柱状(プローブ状)に限定されず、板状や球状などの各種形状の「電極」(図示せず)を使用することができる。この場合、前述したプローブ4cと同様にして「電極」を1つの「コンデンサ」と同程度の大きさに形成することにより、上記の例におけるコンデンサ21b,21cのように外部電極31a,31bが相互に接続された状態で隣接している場合にも、それらの接続不良等を個別に検査することができる。   In addition, the configuration / method of executing each “measurement process” using the probe 4c which is an example of the “electrode” as the “conductor” has been described as an example, but the “electrode” has a columnar shape (probe shape). However, the present invention is not limited thereto, and “electrodes” (not shown) having various shapes such as a plate shape and a spherical shape can be used. In this case, the “electrode” is formed in the same size as one “capacitor” in the same manner as the probe 4c described above, so that the external electrodes 31a and 31b are mutually connected like the capacitors 21b and 21c in the above example. Even when adjacent to each other in the state of being connected to each other, it is possible to individually inspect those connection failures and the like.

さらに、図7に示す検査対象基板20のように、コンデンサ21の各内部電極32a,32bの電極面を覆い、かつその電極面に対向配置された信号伝送用パターン、グランドパターンおよび電源パターンなどの導体パターン24が存在するときには、この導体パターン24を「導体」として使用して各「測定処理」を実行する構成・方法を採用することができる。具体的には、導体パターン24を「導体」として使用する場合には、前述したプローブ4cに代えて、一例として、導体パターン24に接続されている接続用パターン24aにプロービングさせたプローブ4dを測定部6の電流測定ポート6bに接続する。これにより、接続用パターン24aを介してプローブ4dに接続される導体パターン24が、前述したプローブ4cと同様に機能する結果、プローブ4cを用いた上記の例と同様の測定結果を得ることができる。この場合、「導体」として使用する「導体パターン」は、同図に示す導体パターン24のような「内層の導体パターン」に限定されず、検査対象基板の表面に形成された「導体パターン」を使用することもできる。   Further, as in the inspection target substrate 20 shown in FIG. 7, the signal transmission pattern, the ground pattern, the power supply pattern, etc. that cover the electrode surfaces of the internal electrodes 32a and 32b of the capacitor 21 and are opposed to the electrode surfaces. When the conductor pattern 24 exists, it is possible to adopt a configuration / method in which each “measurement process” is performed using the conductor pattern 24 as a “conductor”. Specifically, when the conductor pattern 24 is used as a “conductor”, the probe 4d probed by the connection pattern 24a connected to the conductor pattern 24 is measured as an example instead of the probe 4c described above. Connected to the current measurement port 6 b of the unit 6. As a result, the conductor pattern 24 connected to the probe 4d via the connection pattern 24a functions in the same manner as the probe 4c described above. As a result, the same measurement result as in the above example using the probe 4c can be obtained. . In this case, the “conductor pattern” used as the “conductor” is not limited to the “inner layer conductor pattern” such as the conductor pattern 24 shown in the figure, but the “conductor pattern” formed on the surface of the inspection target substrate. It can also be used.

また、スイッチ5bをOPEN状態に切り替えることでプローブ4bをプロービングしている接続用パターン23をG電位から切り離し、スイッチ5aをOPEN状態に切り替えることでプローブ4aをプロービングしている接続用パターン22をG電位から切り離す構成・方法を例に挙げて説明したが、このような構成・方法に代えて、G電位に接続されているプローブ4bを接続用パターン23から離間させることで接続用パターン23をG電位から切り離したり、G電位に接続されているプローブ4aを接続用パターン22から離間させることで接続用パターン22をG電位から切り離したりする構成・方法を採用することもできる。このような構成・方法を採用した場合においても、上記の基板検査装置1、および基板検査装置1による基板検査方法と同様の効果を奏することができる。   Further, the connection pattern 23 probing the probe 4b is disconnected from the G potential by switching the switch 5b to the OPEN state, and the connection pattern 22 probing the probe 4a is switched to G by switching the switch 5a to the OPEN state. Although the configuration / method of separating from the potential has been described as an example, instead of such a configuration / method, the probe 4b connected to the G potential is separated from the connection pattern 23 to make the connection pattern 23 G It is also possible to adopt a configuration / method in which the connection pattern 22 is separated from the G potential by separating from the potential or by separating the probe 4 a connected to the G potential from the connection pattern 22. Even when such a configuration / method is adopted, the same effects as the substrate inspection apparatus 1 and the substrate inspection method by the substrate inspection apparatus 1 can be obtained.

さらに、プローブ4a,4bを接続用パターン22,23にプロービングすることで接続用パターン22,23をH電位(測定用信号出力ポート6a)やG電位に接続する構成・方法を例に挙げて説明したが、例えば、接続用パターン22,23を外部装置に接続するための接続用コネクタ(図示せず)が存在する場合には、この接続用コネクタに図示しない信号ケーブルを接続することで接続用パターン22,23をH電位(測定用信号出力ポート6a)やG電位に接続する構成・方法を採用することができる(「第1プローブ」や「第2プローブ」を使用しない構成・方法の例)。このような構成・方法を採用した場合においても、上記の基板検査装置1、および基板検査装置1による基板検査方法と同様の効果を奏することができる。   Further, a configuration / method for connecting the connection patterns 22 and 23 to the H potential (measurement signal output port 6a) or the G potential by probing the probes 4a and 4b to the connection patterns 22 and 23 will be described as an example. However, for example, when there is a connection connector (not shown) for connecting the connection patterns 22 and 23 to the external device, a signal cable (not shown) is connected to the connection connector for connection. A configuration / method for connecting the patterns 22 and 23 to the H potential (measurement signal output port 6a) or the G potential can be employed (an example of a configuration / method that does not use the “first probe” or the “second probe”). ). Even when such a configuration / method is adopted, the same effects as the substrate inspection apparatus 1 and the substrate inspection method by the substrate inspection apparatus 1 can be obtained.

また、移動機構3a,3bによってプローブ4a,4bを任意に移動させて接続用パターン22,23にプロービングさせた状態において各「測定処理」を実行する構成・方法を例に挙げて説明したが、接続用パターン22a,22b,23等の位置に応じて複数のプローブを植設したプローブユニット(検査用治具:図示せず)と検査対象基板20との少なくとも一方を他方に向けて移動させることで接続用パターン22a,22b,23等にプローブをそれぞれプロービングした状態において各「測定処理」を実行する構成・方法を採用することもできる。このような構成・方法を採用する場合には、各プローブのうちの任意のプローブをG電位やH電位(測定用信号出力ポート6a)に対して任意に接断するためのスキャナ(図示せず)をプローブユニットに接続すればよい。このような構成・方法を採用した場合においても、上記の基板検査装置1、および基板検査装置1による基板検査方法と同様の効果を奏することができる。   In addition, although the probe 4a, 4b is arbitrarily moved by the moving mechanism 3a, 3b and described in the state in which each “measurement process” is performed in the state in which the probe is connected to the connection patterns 22, 23, the example is described. Moving at least one of a probe unit (inspection jig: not shown) in which a plurality of probes are implanted in accordance with the positions of the connection patterns 22a, 22b, 23, and the like and the inspection target substrate 20 toward the other. Thus, it is also possible to adopt a configuration / method in which each “measurement process” is performed in a state in which the probes are respectively probed in the connection patterns 22a, 22b, 23 and the like. When such a configuration / method is adopted, a scanner (not shown) for arbitrarily connecting / disconnecting any of the probes to the G potential or H potential (measurement signal output port 6a). ) May be connected to the probe unit. Even when such a configuration / method is adopted, the same effects as the substrate inspection apparatus 1 and the substrate inspection method by the substrate inspection apparatus 1 can be obtained.

さらに、プローブ4cを測定部6の電流測定ポート6b(L電位)に固定的に接続した状態において各「測定処理」を実行する構成・方法を例に挙げて説明したが、プローブ4cを測定部6の測定用信号出力ポート6a(H電位)に接続すると共に、プローブ4a,4bのいずれか一方を測定部6の電流測定ポート6b(L電位)に接続し、かつプローブ4a,4bの他方をG電位に対して接断することで、上記の各「測定処理」と同様の4つの「測定処理」を実行する構成・方法を採用することができる。   Furthermore, the configuration and method of executing each “measurement process” in a state where the probe 4c is fixedly connected to the current measurement port 6b (L potential) of the measurement unit 6 has been described as an example. 6 is connected to the measurement signal output port 6a (H potential), and one of the probes 4a and 4b is connected to the current measurement port 6b (L potential) of the measuring unit 6, and the other of the probes 4a and 4b is connected to the other. By connecting to the G potential, it is possible to adopt a configuration / method for executing the four “measurement processes” similar to the above “measurement processes”.

また、「第1測定処理」においてプローブ4a,4b,4cをH電位、G電位およびL電位にそれぞれ接続すると共に、「第2測定処理」においてプローブ4a,4cをL電位およびH電位にそれぞれ接続したり、「第1測定処理」においてプローブ4a,4b,4cをL電位、G電位およびH電位にそれぞれ接続すると共に、「第2測定処理」においてプローブ4a,4cをH電位およびL電位にそれぞれ接続したり、「第3測定処理」においてプローブ4a,4b,4cをG電位、L電位およびH電位にそれぞれ接続すると共に、「第4測定処理」においてプローブ4b,4cをH電位およびL電位にそれぞれ接続したり、「第3測定処理」においてプローブ4a,4b,4cをG電位、H電位およびL電位にそれぞれ接続すると共に、「第4測定処理」においてプローブ4b,4cをL電位およびH電位にそれぞれ接続したりする構成・方法を採用することもできる。   In the “first measurement process”, the probes 4a, 4b, and 4c are connected to the H potential, the G potential, and the L potential, respectively. In the “second measurement process”, the probes 4a, 4c are connected to the L potential and the H potential, respectively. In the “first measurement process”, the probes 4a, 4b, and 4c are connected to the L potential, the G potential, and the H potential, respectively, and in the “second measurement process”, the probes 4a, 4c are set to the H potential and the L potential, respectively. In the “third measurement process”, the probes 4a, 4b, 4c are connected to the G potential, the L potential, and the H potential, respectively, and in the “fourth measurement process”, the probes 4b, 4c are set to the H potential and the L potential. And connecting the probes 4a, 4b, and 4c to the G potential, the H potential, and the L potential in the “third measurement process”, respectively. It is possible to use a construction, method or connected probes 4b, and 4c to L potential and H potential in the fourth measurement process ".

さらに、「第1測定処理」、「第2測定処理」、「第3測定処理」および「第4測定処理」の実行順序(「予め規定された順」)は、上記の例に限定されず、「第1測定処理」から「第4測定処理」までの4つの測定処理を任意の順序で実行する構成・方法を採用することができる。この場合、「第1測定処理」および「第2測定処理」のいずれか一方を実行した後に「第3測定処理」および「第4測定処理」を実行することなく「第1測定処理」および「第2測定処理」の他方を実行すると共に、「第3測定処理」および「第4測定処理」のいずれか一方を実行した後に「第1測定処理」および「第2測定処理」を実行することなく「第3測定処理」および「第4測定処理」の他方を実行することにより、「第1接続用パターン」や「第2接続用パターン」に対する接続の切り替え回数(上記の例では、プローブ4a,4bのプロービング回数)を少数回とすることができる。   Furthermore, the execution order of the “first measurement process”, “second measurement process”, “third measurement process”, and “fourth measurement process” (“predefined order”) is not limited to the above example. It is possible to employ a configuration / method for executing the four measurement processes from the “first measurement process” to the “fourth measurement process” in an arbitrary order. In this case, after executing one of the “first measurement process” and the “second measurement process”, the “first measurement process” and the “fourth measurement process” are performed without executing the “third measurement process” and the “fourth measurement process”. The other of the “second measurement process” is executed, and the “first measurement process” and the “second measurement process” are executed after one of the “third measurement process” and the “fourth measurement process” is executed. Without executing the other of the “third measurement process” and the “fourth measurement process”, the number of times of switching the connection to the “first connection pattern” or the “second connection pattern” (in the above example, the probe 4a , 4b probing number) can be set to a small number of times.

また、検査対象基板20の検査に際してコンデンサ21a〜21cのすべてについて接続不良Xa,Xbの有無を検査する例について説明したが、このような構成・方法に代えて、複数のコンデンサ21について接続不良Xa,Xbの有無を検査する際に、いずれかのコンデンサ21において接続不良Xa,Xbのいずれかまたは双方が存在すると判別した時点において、そのコンデンサ21が実装されている検査対象基板20を不良品として一連の検査を終了する構成・方法を採用することもできる。   Further, the example in which the presence or absence of connection failures Xa and Xb is inspected for all of the capacitors 21a to 21c when inspecting the inspection target substrate 20 has been described. , Xb, when it is determined that either or both of the connection failures Xa, Xb are present in any of the capacitors 21, the inspection target substrate 20 on which the capacitor 21 is mounted is regarded as a defective product. A configuration / method for completing a series of inspections can also be adopted.

1 基板検査装置
3a〜3c 移動機構
4a〜4d プローブ
5a,5b スイッチ
6 測定部
6a 測定用信号出力ポート
6b 電流測定ポート
9 制御部
20 検査対象基板
21a〜21c コンデンサ
22a,22b,23,24a 接続用パターン
24 導体パターン
31a,31b 外部電極
32a,32b 内部電極
D0 検査用データ
D1 測定結果データ
D2 検査結果データ
S1a〜S1c,S2a,S2b,S3 制御信号
Xa,Xb 接続不良
Xc 断線
Xd クラック
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate inspection apparatus 3a-3c Movement mechanism 4a-4d Probe 5a, 5b Switch 6 Measurement part 6a Measurement signal output port 6b Current measurement port 9 Control part 20 Test object board 21a-21c Capacitor 22a, 22b, 23, 24a For connection Pattern 24 Conductor pattern 31a, 31b External electrode 32a, 32b Internal electrode D0 Inspection data D1 Measurement result data D2 Inspection result data S1a-S1c, S2a, S2b, S3 Control signal Xa, Xb Connection failure Xc Disconnection Xd Crack

Claims (7)

一対の外部電極にそれぞれ複数の内部電極が接続された積層コンデンサが内蔵されると共に、当該両外部電極の一方が第1接続用パターンに接続され、かつ当該両外部電極の他方が第2接続用パターンに接続されている検査対象基板に対して、当該第1接続用パターンに対する当該一方の外部電極の接続不良、当該第2接続用パターンに対する当該他方の外部電極の接続不良、当該第1接続用パターンの断線、当該第2接続用パターンの断線、および当該積層コンデンサの破損のいずれかの不良が生じているか否かを電気的に検査可能に構成された基板検査装置であって、
前記各内部電極の電極面に対向配置された導体、前記第1接続用パターンおよび前記第2接続用パターンのうちのいずれか2つを基準電位に接続すると共に当該基準電位に接続していない1つに交流信号を印加した状態において電気的パラメータを測定する測定処理Aと、当該測定処理Aにおいて前記基準電位に接続した前記2つのうちの一方を当該基準電位から切り離すと共に当該測定処理Aにおいて当該基準電位に接続していない1つに前記交流信号を印加した状態において前記電気的パラメータを測定する測定処理Bとを、前記基準電位に接続する対象および前記交流信号を印加する対象を切り替えて実行する測定部、並びに、前記測定部を制御して前記各測定処理を実行させると共に当該各測定処理の測定結果と検査用基準データとに基づいて前記不良が生じているか否かを判別する処理部を備えている基板検査装置。
A multilayer capacitor in which a plurality of internal electrodes are connected to a pair of external electrodes is built in, one of the external electrodes is connected to the first connection pattern, and the other of the external electrodes is a second connection. For the substrate to be inspected connected to the pattern, the connection failure of the one external electrode to the first connection pattern, the connection failure of the other external electrode to the second connection pattern, the first connection A board inspection apparatus configured to be capable of electrically inspecting whether any one of pattern disconnection, disconnection of the second connection pattern, and damage to the multilayer capacitor has occurred,
Any one of the conductor, the first connection pattern, and the second connection pattern arranged opposite to the electrode surface of each internal electrode is connected to a reference potential and not connected to the reference potential 1 One of the two connected to the reference potential in the measurement process A and the measurement process A in which the AC signal is applied, and the measurement process A The measurement process B for measuring the electrical parameter in a state where the AC signal is applied to one that is not connected to a reference potential is executed by switching between a target connected to the reference potential and a target to which the AC signal is applied. And a measurement unit that controls the measurement unit to execute each measurement process, and a measurement result of each measurement process and reference data for inspection And it has a substrate inspection device includes a processing unit for determining whether the bad has occurred based.
前記測定部は、前記導体と前記第1接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第2接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第1接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第1測定処理と、前記導体と前記第1接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第2接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第1接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第2測定処理と、前記導体と前記第2接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第1接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第2接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第3測定処理と、前記導体と前記第2接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第1接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第2接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第4測定処理との4つの測定処理を実行可能に構成されると共に、前記処理部の制御に従い、前記第1測定処理および前記第3測定処理を前記測定処理Aとして実行し、かつ前記第2測定処理および前記第4測定処理を前記測定処理Bとして実行する請求項1記載の基板検査装置。   The measurement unit connects either the conductor or the first connection pattern to the reference potential, and connects the second connection pattern to the reference potential, and the conductor and the first connection. A first measurement process for measuring the electrical parameter that changes according to a current flowing from the other to the other in a state in which the AC signal is applied to the other of the pattern and the pattern, and the conductor and the first connection Either one of the patterns is connected to the reference potential, the second connection pattern is disconnected from the reference potential, and the AC signal is applied to the other of the conductor and the first connection pattern. A second measurement process for measuring the electrical parameter that changes in accordance with a current flowing from the other side to the one side, the conductor, and the second connection pattern; Either one is connected to the reference potential, the first connection pattern is connected to the reference potential, and the other signal is applied to the other of the conductor and the second connection pattern. A third measurement process for measuring the electrical parameter that changes in accordance with a current flowing from the first to the second, a conductor and the second connection pattern connected to the reference potential, and The first connection pattern is separated from the reference potential, and changes according to a current flowing from the other to the other in the state where the AC signal is applied to the other of the conductor and the second connection pattern. Four measurement processes including a fourth measurement process for measuring an electrical parameter are configured to be executable, and the first measurement process is performed under the control of the processing unit. And the third measurement process is executed as the measurement process A, and the second measurement process, and the fourth measurement process the measurement processing board inspection apparatus according to claim 1, wherein the run as B. 前記処理部は、前記第1測定処理および前記第3測定処理のいずれか一方の測定結果だけが予め規定された基準範囲から外れ、かつ他の3つの前記測定処理の測定結果が当該基準範囲内のときに前記不良が生じていないと判別すると共に、前記各測定処理のうちの2つの当該測定処理の測定結果が前記基準範囲から外れ、かつ他の2つの当該測定処理の測定結果が当該基準範囲内のとき、および当該各測定処理のすべての測定結果が当該基準範囲から外れているときに前記不良が生じていると判別する請求項2記載の基板検査装置。   The processing unit is configured such that only one measurement result of the first measurement process and the third measurement process deviates from a predetermined reference range, and the measurement results of the other three measurement processes are within the reference range. It is determined that the defect does not occur at the time, the measurement results of the two measurement processes out of the measurement processes are out of the reference range, and the measurement results of the other two measurement processes are the reference 3. The substrate inspection apparatus according to claim 2, wherein it is determined that the defect has occurred when it is within the range and when all measurement results of the measurement processes are out of the reference range. 前記第1接続用パターンに接続される第1プローブと、前記第2接続用パターンに接続される第2プローブと、前記処理部の制御に従って前記第1プローブおよび前記基準電位を接断する第1スイッチと、前記処理部の制御に従って前記第2プローブおよび前記基準電位を接断する第2スイッチとを備えている請求項1から3のいずれかに記載の基板検査装置。   A first probe connected to the first connection pattern; a second probe connected to the second connection pattern; and a first that connects and disconnects the first probe and the reference potential according to control of the processing unit. The substrate inspection apparatus according to claim 1, further comprising: a switch; and a second switch that connects and disconnects the second probe and the reference potential according to control of the processing unit. 前記導体としての電極と、前記処理部の制御に従って前記各内部電極の前記電極面に対向する位置に前記電極を移動させる移動機構とを備えている請求項1から4のいずれかに記載の基板検査装置。   5. The substrate according to claim 1, further comprising: an electrode as the conductor; and a moving mechanism that moves the electrode to a position facing the electrode surface of each internal electrode in accordance with control of the processing unit. Inspection device. 一対の外部電極にそれぞれ複数の内部電極が接続された積層コンデンサが内蔵されると共に、当該両外部電極の一方が第1接続用パターンに接続され、かつ当該両外部電極の他方が第2接続用パターンに接続されている検査対象基板に対して、当該第1接続用パターンに対する当該一方の外部電極の接続不良、当該第2接続用パターンに対する当該他方の外部電極の接続不良、当該第1接続用パターンの断線、当該第2接続用パターンの断線、および当該積層コンデンサの破損のいずれかの不良が生じているか否かを電気的に検査する基板検査方法であって、
前記各内部電極の電極面に対向配置された導体、前記第1接続用パターンおよび前記第2接続用パターンのうちのいずれか2つを基準電位に接続すると共に当該基準電位に接続していない1つに交流信号を印加した状態において電気的パラメータを測定する測定処理Aと、当該測定処理Aにおいて前記基準電位に接続した前記2つのうちの一方を当該基準電位から切り離すと共に当該測定処理Aにおいて当該基準電位に接続していない1つに前記交流信号を印加した状態において前記電気的パラメータを測定する測定処理Bとを、前記基準電位に接続する対象および前記交流信号を印加する対象を切り替えて実行すると共に当該各測定処理の測定結果と検査用基準データとに基づいて前記不良が生じているか否かを判別する基板検査方法。
A multilayer capacitor in which a plurality of internal electrodes are connected to a pair of external electrodes is built in, one of the external electrodes is connected to the first connection pattern, and the other of the external electrodes is a second connection. For the substrate to be inspected connected to the pattern, the connection failure of the one external electrode to the first connection pattern, the connection failure of the other external electrode to the second connection pattern, the first connection A board inspection method for electrically inspecting whether any one of the disconnection of the pattern, the disconnection of the second connection pattern, and the damage of the multilayer capacitor has occurred,
Any one of the conductor, the first connection pattern, and the second connection pattern arranged opposite to the electrode surface of each internal electrode is connected to a reference potential and not connected to the reference potential 1 One of the two connected to the reference potential in the measurement process A and the measurement process A in which the AC signal is applied, and the measurement process A The measurement process B for measuring the electrical parameter in a state where the AC signal is applied to one that is not connected to a reference potential is executed by switching between a target connected to the reference potential and a target to which the AC signal is applied. And a substrate inspection method for determining whether or not the defect has occurred based on the measurement result of each measurement process and the reference data for inspection.
前記導体と前記第1接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第2接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第1接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第1測定処理と、前記導体と前記第1接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第2接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第1接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第2測定処理と、前記導体と前記第2接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第1接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第2接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第3測定処理と、前記導体と前記第2接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第1接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第2接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第4測定処理との4つの測定処理における前記第1測定処理および前記第3測定処理を前記測定処理Aとして実行し、かつ前記第2測定処理および前記第4測定処理を前記測定処理Bとして実行する請求項6記載の基板検査方法。   One of the conductor and the first connection pattern is connected to the reference potential, and the second connection pattern is connected to the reference potential, and the other of the conductor and the first connection pattern. One of the first measurement process for measuring the electrical parameter that changes according to the current flowing from the other to the one in a state where the AC signal is applied to the conductor, and the conductor and the first connection pattern One is connected to the reference potential, the second connection pattern is disconnected from the reference potential, and the AC signal is applied to the other of the conductor and the first connection pattern. One of the second measurement process for measuring the electrical parameter that changes according to the current flowing through the conductor, and the conductor and the second connection pattern The first connection pattern is connected to the reference potential and the AC signal is applied to the other of the conductor and the second connection pattern. A third measurement process for measuring the electrical parameter that changes in accordance with a current flowing in one side, a connection between the conductor and the second connection pattern to the reference potential, and the first connection The electrical parameter that changes according to the current flowing from the other to the other in the state where the pattern is separated from the reference potential and the AC signal is applied to the other of the conductor and the second connection pattern. The first measurement process and the third measurement process in the four measurement processes including the fourth measurement process to be measured are executed as the measurement process A, and Substrate inspection method according to claim 6, wherein performing a second measurement process, and the fourth measurement process as the measurement process B.
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