JP6143486B2

JP6143486B2 - 電気接続方法

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Publication number: JP6143486B2
Application number: JP2013023351A
Authority: JP
Inventors: 知広高橋; 敬之小野; 雅朗古川; 淳日南; 武柴田; 亮嶋村; 貴智榎本; 新平大▲高▼; 将志石川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2013-02-08
Filing date: 2013-02-08
Publication date: 2017-06-07
Anticipated expiration: 2033-02-08
Also published as: JP2014154709A; US9352562B2; US20140225957A1

Description

本発明は半導体基板と電気配線基板との電気接続方法に関する。

半導体基板と電気配線基板との電気接続手法として、ワイヤーボンディングやＩＬＢ（ＩｎｎｅｒＬｅａｄＢｏｎｄｉｎｇ）などがある。

例えばワイヤーボンディングは、半導体基板上に配置されたパッドと、電気配線基板上に配置された配線部とを、金属ワイヤーで電気接続する手法である。パッドの材質としては、金やアルミなどが、配線およびワイヤーの材質としては金や銅などがよく用いられる。これら金属材料の融点以上に接続部を加熱してワイヤーを圧着すれば接続は可能となるが、半導体基板等の熱ダメージを考慮すると、接続部を金属材料の融点以上に加熱することは避けたい。低温で接続するためには超音波を併用することが一般的である。超音波を併用して電気接続する手法については、ＩＬＢも同様である。

一方、完成された製品が実際に使用される期間内において、電気接続部には様々な応力が加わることがある。例えば、環境温度の変化によりワイヤーが伸縮することによる応力などがある。電気接続部に応力が加わっても電気接続状態を維持するためには、より強固な接続状態を実現する必要がある。製品実使用時に加わる応力に耐えうる接続状態を実現するためには、超音波を併用した接続方法であっても、接続部を１５０℃以上に加熱するのが一般的である。

支持基板上に半導体基板と電気配線基板が配置された形態において、電気接続時に接続部を加熱する手法としては、支持基板裏面にヒーターブロック等を接触させることで、支持基板を介して接続部を加熱する手法が一般的である。この手法によると、支持基板が熱伝導率の低い材質である場合には、接続部を所望の温度まで加熱するために長い時間が必要であった。また、支持基板が耐熱性の低い材質である場合、加熱可能な温度は支持基板の耐熱性に依存し、強固な接続状態を実現するために必要な温度まで接続部を加熱できないことがあった。このように支持基板の裏面から支持基板の表面の接続部を加熱する方法に関しては上記の課題があった。

これに対し特許文献１では、半導体基板表面に熱風を吹き付けて接続部を加熱して電気接続する方法が開示されている。また、特許文献２では、半導体基板の電気接続部に２本の電極を接触させ、電気接続部に高周波電流を流すことで、電気接続部自身を発熱させて電気接続する手法が開示されている。

特開平７-２２４５８号公報特開平５-９０３５５号公報

電気接続時においては、電気接続の接続位置を高精度化するために、半導体基板や電気配線基板上の決められた形状パターンを画像記録装置で読み込み、画像処理により位置合わせを行うことが一般的である。特許文献１の手法に従い、半導体基板の表面に１５０℃の熱風を吹き付けたところ、安定した高精度の位置合わせに影響がでた。これは、画像記録装置と被記録点との間を熱風が通過することで、画像記録装置で認識される画像にゆらぎが生じたことが原因であった。

また、特許文献２に開示されている半導体基板の電気接続部に高周波電流を流す手法では、画像記録装置と被記録点との間を熱風が通過することがないため、位置合わせに対する影響は軽減された。しかし、電極を電気接続部に接触させる工程と、電気接続部に高周波電流を流す工程と、電極を電気接続部から離す工程とが電気接続部毎に必要であり、一つの半導体基板に対して多数の電気接続を行う場合に、長いプロセス時間が必要であった。

そこで本発明の目的は、支持基板を介さずに電気接続部を加熱でき、かつ画像記録装置を用いた位置合わせに対する悪影響を低減し、短いプロセス時間で電気接続することができる半導体基板と電気配線基板との電気接続方法を提供することである。

本発明の電気接続方法は、半導体基板と電気配線基板との電気接続方法であって、ヒーターとパッドとを備える前記半導体基板と、第一の配線および第二の配線を備える前記電気配線基板とを用意し、前記第一の配線と前記ヒーターとを電気接続する第一の工程と、前記第一の配線を用いて前記ヒーターに通電し、前記ヒーターを発熱させる第二の工程と、前記パッドと前記第二の配線とを前記第一の工程における電気接続時の温度よりも高い温度で電気接続する第三の工程と、を有する。

本発明の電気接続方法では、半導体基板と電気配線基板が配置されている支持基板の裏面にヒーターを接触させて接続部を加熱するのではなく、半導体基板にヒーターを設けて、それにより接続部を加熱している。画像記録装置と被記録点との間に熱風を通過させる必要がないため、画像記録装置を用いた位置合わせを安定して高精度に行うことができる。また、加熱工程は電気接続部毎には必要がないため短いプロセス時間で電気接続することができる。

本発明は、支持基板を介さずに電気接続部を加熱でき、かつ画像記録装置を用いた位置合わせに対する悪影響を低減し、短いプロセス時間で電気接続することが可能な半導体基板と電気配線基板との電気接続方法を提供することができる。

実施例１における電気接続前の構成を示す模式図である。実施例１の電気接続方法の工程を示す模式図である。実施例１の電気接続方法の工程を示す模式図である。第一のダミーヒーターの配置例を示す模式図である。第一のダミーヒーターの配置例を示す模式図である。第一のダミーヒーターの配置例を示す模式図である。実施例２における電気接続前の構成を示す模式図である。実施例２の電気接続方法の工程を示す模式図である。実施例２の電気接続方法の工程を示す模式図である。第二のダミーヒーターのその他の配置例を示す模式図である。液体吐出ヘッドの構成を示す模式図である。実施例３の電気接続方法の工程を示す模式図である。ダミーヒーターの配置例を示す模式図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。

（実施例１）
実施例１における電気接続方法を、ワイヤーボンディングを例に説明する。図１は本発明における実施例１の電気接続前の構成を示す模式図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。

支持基板上には、半導体基板２および電気配線基板３が配置され、接着剤４で固定されている。半導体基板２と電気配線基板３には、互いに電気接続されるパッド１１と配線２１とがそれぞれ配置されている。配線２１（第二の配線）は電流を供給可能である。半導体基板２には、パッド１１の配列方向に沿って、製品使用上の機能を有さない第一のヒーターが配置されている。第一のヒーターは、パッド１１と配線２１とを電気接続する際の加熱にのみ用いられるものであり、製品使用上の機能は有していない第一のダミーヒーター３１である。第一のダミーヒーター３１の両端には、電気接続するためのヒーター接続パッド１２が配置されている。電気配線基板３には、第一のダミーヒーター３１に電源供給可能な第一の電気配線２２（第二の配線）が配置されている。第一のダミーヒーター３１、ヒーター接続パッド１２、第一の電気配線２２は、パッド１１と配線２１とを電気接続する際の加熱にのみ用いられるものであり、製品使用上の機能は有していない。

支持基板１の材質はＰＰＳ（ＰｏｌｙＰｈｅｎｙｌｅｎｅＳｕｌｆｉｄｅ）２０％と球状シリカ８０％の混合物とした。本材質の熱伝導率は０．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）と低く、支持基板１を介して電気接続部を加熱するためには長い時間を要することから、支持基板１を介して加熱することは加熱方法として不向きとされる。

第一のダミーヒーター３１の材質は通電することによって発熱する物質であればよく、本実施例においてはＴａＳｉＮを用いた。パッド１１、ヒーター接続パッド１２、配線２１、第一の電気配線２２の材質としては、後に述べるワイヤーボンディングのワイヤーと接合可能な金属であればよく、本実施例においては全てＡｕを用いた。

次に、電気接続方法の工程を詳細に説明する。

（第一の工程）
第一の工程について、図２を用いて説明する。まず半導体基板２と電気配線基板３とを用意する。図２（ａ）は上面図、図２（ｂ）はＢ−Ｂ断面図である。ヒーター接続パッド１２と第一の電気配線２２を超音波使用下でワイヤーボンディングで電気接続し、電気回路を形成する。ヒーター接続パッド１２と第一の電気配線２２とは第二のワイヤー４２で電気接続される。この際、電気接続部の加熱は行わなくてよい。先に述べた通り、電気接続部を加熱しないで電気接続すると、加熱下で電気接続した場合に比べて接続状態は弱くなる。しかし、ヒーター接続パッド１２および第一の電気配線２２は、パッド１１と配線２１とを電気接続する際の加熱にのみ用いられるものであり、製品上の機能を有するものではない。よって、第一のダミーヒーター３１に通電するために支障をきたさない程度の接続状態を得ることができればよく、必ずしも強固な接続状態を必要としない。このような場合には電気接続部を特に加熱する必要はない。ワイヤーの材質としては、一般的にＡｕ、Ｃｕなどが用いられる。本実施例においては線径２５μｍのＡｕを用いた。接続時の条件は、超音波の周波数を１００ｋＨｚ、ヒーター接続パッド１２への接続時の荷重を５０ｇ、第一の電気配線２２への接続時の荷重を１５０ｇとした。

（第二の工程）
第一の配線２２から、第二のワイヤー４２、ヒーター接続パッド１２を介し、第一のダミーヒーター３１に通電する。第一のダミーヒーター３１は発熱し、第一のダミーヒーター３１からの伝熱によりパッド１１は加熱される。また、第一のダミーヒーター３１からの放射熱により配線２１は加熱される。

通電開始１０秒後の温度を測定したところ、図２におけるパッド１１のｄ点で１９０℃、ｅ点で１８０℃、配線２１のｆ点で１７０℃、ｇ点で１６０℃であった。パッド１１、配線２１ともに、製品使用時に想定される外力に耐えうる接続状態を得るために必要とされる１５０℃以上に到達していた。

なお、第一のダミーヒーター３１への通電量を調整することにより、パッド１１および配線２１の温度を調整することが可能である。

（第三の工程）
第三の工程について、図３を用いて説明する。図３（ａ）は上面図、図３（ｂ）はＣ−Ｃ断面図である。パッド１１と配線２１を超音波使用下でワイヤーボンディングで電気接続する。接続時の条件としては、超音波の周波数を１００ｋＨｚ、パッド１１への接続時の荷重を５０ｇ、配線２１への接続時の荷重を１５０ｇとした。パッド１１と配線２１とは、第一のワイヤー４１により電気接続される。

第二の工程で、パッド１１と配線２１は加熱されているため、本工程では第一の工程よりも高い温度で電気接続される。また、パッド１１と配線２１は１５０℃以上に加熱されているため、パッド１１と第一のワイヤー４１との接続部、配線２１と第一のワイヤー４１との接続部ともに、製品使用時に想定される外力に耐えうる強固な接続状態を得ることができる。

本実施例によると、一つの第一のダミーヒーター３１に通電することで複数のパッド１１および配線２１を一度に加熱することができるため、短いプロセス時間での電気接続が可能である。さらに、電気接続部に対して熱風を吹き付けることもないため、画像記録装置を用いた位置合わせに対する悪影響を低減することができる。

なお、本実施例においては第一のダミーヒーター３１の両端にヒーター接続パッド１２を配置し、それぞれ個別の第一の電気配線２２と電気接続して電気回路を形成したが、第一のダミーヒーター３１に通電することができればこの形態に限らない。すなわち、図４に示したように、第一のダミーヒーター３１の一端側にのみヒーター接続パッド１２を配置し、第一のダミーヒーター３１の他端側が接地されている形態でも良い。この形態では、第一のダミーヒーター３１の接地されている端側に対応する第一の電気配線２２が不要となる。不要な第一の電気配線２２を配置しないことで、電気配線基板３上の必要スペースを削減でき、電気配線基板３のサイズを縮小することも可能である。

また、本実施例ではパッド１１の配列方向に沿って一つの第一のダミーヒーター３１を配置する形態としたが、第一のダミーヒーター３１の配置方法はこれに限らない。例えば図５に示したように、パッド１１の配列を挟むように二つの第一のダミーヒーター３１を配置してもよい。更に図６に示したように、パッド１１間に第一のダミーヒーター３１を配置してもよい。これらのように、パッド１１の数に対してより多くの第一のダミーヒーター３１を配置とすることで、第一のダミーヒーター３１内の温度分布の影響を受けにくくなり、各パッド１１毎、各配線２１毎の温度差異が小さくなる。これにより、各接合部において安定した接続強度を得ることができる。第一のダミーヒーター３１の数を増やしても、各第一のダミーヒーター３１への通電は同時に行えるため、プロセス時間はほとんど長くならない。

これらの配置形態は、半導体基板２、電気配線基板３のレイアウトの都合や、電気接合部を加熱したい温度などに応じて適宜選択が可能である。

本実施例によると、支持基板１を介さずに電気接続部を加熱できることから、支持基板１が熱伝導率の低い材質であっても短いプロセス時間で電気接続部を加熱することができる。半導体基板２や電気配線基板３と支持基板１との間に熱伝導率の低い材質の部材が配置されているような場合も同様である。

また、支持基板１が熱伝導率の高い材質であっても、支持基板１裏面からの加熱ではプロセス時間が長くなるような場合にも効果がある。例えば支持基板１の厚さが厚かったり、支持基板１裏面に凹凸がありヒーターブロックと支持基板１との接触面積を大きくできず、支持基板１裏面からの加熱ではプロセス時間が長くなるような場合である。これらの場合においても、支持基板１を介さずに電気接続部を加熱できる本実施例によれば、より短いプロセス時間で電気接続部を加熱することができる。

なお、本実施例においては電気接続方法としてワイヤーボンディングを例に説明したが、本発明が適用可能な電気接続方法はこれに限られるものではなく、電気接続時に接続部の加熱が必要なＩＬＢなどにも適用可能である。

また、本実施例では、半導体基板上に、製品上の機能を有さないダミーヒーターが設けられているが、液体吐出ヘッド等の製品上の機能を有するヒーターを別途設けることも可能である。その場合、本実施例の電気接続方法は液体吐出ヘッド等の製造に応用可能である。

（実施例２）
実施例２における電気接続方法を、ワイヤーボンディングを例に説明する。図７は本発明における実施例２の電気接続前の構成を示す模式図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＥ−Ｅ断面図である。

半導体基板２の構成は実施例１と同様である。電気配線基板３には、第一のダミーヒーター３１に電源を供給する第一の電気配線２２が配置されている。また、電気配線基板３には第二のヒーターが配置されている。第二のヒーターは、製品使用上の機能は有していない第二のダミーヒーター３２である。第二のダミーヒーター３２には電源を供給可能な第二の電気配線２３が接続されている。

次に、電気接続方法の工程を詳細に説明する。

（第一の工程）
実施例１と同様に、ヒーター接続パッド１２と第一の電気配線２２とを超音波使用下でワイヤーボンディングで電気接続し、電気回路を形成する（図８）。接続時の条件、ワイヤー材質は実施例１の第一の工程と同一とした。ヒーター接続パッド１２と第一の電気配線２２との電気接続は製品上の機能を有するものではないことから、接続時の加熱は必要としない。

ヒーター接続パッド１２と第一の電気配線２２とは、第二のワイヤー４２により電気接続される。

（第二の工程）
第一の電気配線２２から、第二のワイヤー４２、ヒーター接続パッド１２を介し、第一のダミーヒーター３１に通電する。第二の電気配線２３から第二のダミーヒーター３２に通電する。第一のダミーヒーター３１、第二のダミーヒーター３２はともに発熱し、主に第一のダミーヒーター３１からの伝熱によりパッド１１が、主に第二のダミーヒーター３２からの伝熱により配線２１が加熱される。通電開始１０秒後の温度を測定したところ、図８におけるパッド１１のｄ点で１９０℃、ｅ点で１８０℃、配線２１のｆ点で１８５℃、ｇ点で１７５℃であった。パッド１１、配線２１ともに、製品使用時に想定される外力に耐えうる接続状態を得るために必要とされる１５０℃以上に到達していた。また、本実施例では半導体基板２上に加えて、電気配線基板３上にもヒーターを配置して発熱させることで、実施例１と比較して、パッド１１と配線２１との温度差が小さくなった。

なお、第一のダミーヒーター３１、第二のダミーヒーター３２への通電量を調整することにより、パッド１１および配線２１の温度を調整することが可能である。

（第三の工程）
実施例１と同様に、パッド１１と配線２１を超音波使用下でワイヤーボンディングで電気接続する（図９）。接続時の条件、ワイヤー材質は実施例１の第三の工程と同一とした。パッド１１と配線２１とは、第一のワイヤー４１により電気接続される。

なお、実施例１と同様に、第一のダミーヒーター３１の配置方法は本形態には限られず、第一のダミーヒーター３１の一端にのみヒーター接続パッド１２を配置し、第一のダミーヒーター３１の他端が接地されている形態でもよい。また、パッド１１の配列を挟むように二つの第一のダミーヒーター３１を配置する形態や、パッド１１間に第一のダミーヒーター３１を配置する形態でもよい。

同様に、第二のダミーヒーター３２の配置方法も本形態には限られず、第二のダミーヒーター３２の一端が接地されている形態（図１０）や、配線２１間に第二のダミーヒーター３２を配置する形態でもよい。これらの配置形態は、半導体基板２、電気配線基板３のレイアウトの都合や、電気接合部を加熱したい温度などに応じて適宜選択が可能である。

本実施例によると、支持基板１を介さずに電気接続部を所望の温度まで加熱することができることから、支持基板１が熱伝導率の低い材質である場合や、耐熱性の低い材質である場合にも適用することができる。また、半導体基板２、電気配線基板３と支持基板１との間に、熱伝導率の低い部材や耐熱性の低い部材が配置されている場合にも適用することができる。

（実施例３）
本実施例では、本発明における電気接続方法をインク等の液体を吐出する液体吐出ヘッドの製造に適用した例を説明する。

図１１に本実施例で製造された液体吐出ヘッドを示す。図１２は、本発明における電気接続方法を液体吐出ヘッドの製造に適用した例を模式的に表したものである。

支持基板１上には、半導体基板２および電気配線基板３が配置され、接着剤で固定されている。支持基板１の材質は実施例１と同様、ＰＰＳ（ＰｏｌｙＰｈｅｎｙｌｅｎｅＳｕｌｆｉｄｅ）２０％と球状シリカ８０％の混合物とした。

半導体基板２と電気配線基板３には、互いに電気接続されるパッド１１と配線２１とがそれぞれ配置されている。さらに半導体基板２上には、記録液を吐出するエネルギーを発生させるための吐出エネルギー発生素子５１、製品使用時に半導体基板２を加熱するために用いられるヒーター３４が配置されている。ヒーター３４の両端には電気接続するためのヒーター接続パッド１２が配置されている。

ヒーター３４の材質にはＴａＳｉＮを用いた。パッド１１、ヒーター接続パッド１２、配線２１の材質には全てＡｕを用いた。

次に、ワイヤーボンディングによる電気接続方法の工程を、図１２を用いて詳細に説明する。図１２（ａ）は電気接続前の構成を示す模式図である。

（第一の工程）
本工程はヒーター接続パッド１２と配線２１との仮接続工程である。ヒーター接続パッド１２と配線２１とを超音波使用下でワイヤーボンディングにより電気接続し、電気回路を形成する。配線２１への接続時の荷重を１５０ｇとし、それ以外の接続条件、ワイヤー材質は実施例１の第一の工程と同一とした。ヒーター接続パッド１２と配線２１とは第二のワイヤー４２により仮接続される（図１２(ｂ)）。

この工程において形成される接続は、第二の工程におけるヒーター３４の加熱にのみ用いられるものであるから、第二の工程でヒーター３４に通電するために支障をきたさない程度の接続状態を得ることができればよく、必ずしも強固な接続状態を必要としない。よって本工程における電気接続時には加熱を必要としない。接続時の条件、ワイヤーの材質は、実施例１における第一の工程と同一とした。

（第二の工程）
配線２１から、第二のワイヤー４２、ヒーター接続パッド１２を介し、ヒーター３４に通電する。ヒーター３４は発熱し、ヒーター３４からの伝熱によりパッド１１、ヒーター接続パッド１２は加熱される。また、ヒーター３４からの放射熱により配線２１は加熱される。

通電開始１０秒後の温度を測定したところ、図１２（ｂ）におけるパッド１１のｄ点で１８０℃、ｅ点で１７０℃、ヒーター接続パッド１２のｈ点で１９０℃、i点で１８０℃、配線２１のｆ点で１７０℃、ｇ点で１６０℃であった。パッド１１、ヒーター接続パッド１２、配線２１ともに、製品使用時に想定される外力に耐えうる接続状態を得るために必要とされる１５０℃以上に到達していた。

なお、ヒーター３４への通電量を調整することにより、パッド１１、ヒーター接続パッド１２、配線２１の温度を調整することが可能である。

（第三の工程）
ヒーター接続パッド１２と配線２１を超音波使用下でワイヤーボンディングで電気接続する。接続時の条件、ワイヤー材質は第一の工程と同一とした。ヒーター接続パッド１２と配線２１は、第一のワイヤー４１により電気接続される。第一の工程における第二のワイヤー４２による接続は弱い接続であった。第二の工程でヒーター接続パッド１２と配線２１は加熱されているため、本工程における第一のワイヤー４１による接続は、第一の工程よりも高温で電気接続される。また、ヒーター接続パッド１２、配線２１ともに１５０℃以上に加熱された状態で接続されているため、製品使用時に想定される外力に耐えうる強固な接続状態を得ることができる（図１２(ｂ)）。

（第四の工程）
パッド１１と配線２１を超音波使用下でワイヤーボンディングで電気接続する。パッド１１への接続時の荷重を５０ｇとし、それ以外の接続条件、ワイヤー材質は第一の工程と同一とした。パッド１１、配線２１は、第一のワイヤー４１により電気接続される。第二の工程でパッド１１と配線２１は加熱されているため、本工程における第一のワイヤー４１による接続は、第一の工程よりも高温で電気接続される。また、パッド１１、配線２１ともに１５０℃以上に加熱された状態で接続されているため、製品使用時に想定される外力に耐えうる強固な接続状態を得ることができる（図１２(ｃ)）。

なお、第三の工程と第四の工程の順序は前後してもかまわない。

ヒーター接続パッド１２と配線２１とは、強固に接続された第一のワイヤー４１と、弱い接続の第二のワイヤー４２の２本のワイヤーで接続されている。これら２本のワイヤーは互いに接触してもショートすることはないため、２本のワイヤーをそのまま残しておいて問題はない。

また、実施例２と同様に、電気配線基板３に電気配線２４と接続されたダミーヒーター３３を配置し、電気接続時にダミーヒーター３３に通電することで、パッド１１、ヒーター接続パッド１２、配線２１の温度差を低減することも可能である（図１３）。また、ヒーター３４の配置やダミーヒーター３３の配置についても、実施例１、実施例２と同様、適宜選択することができる。

本実施例では支持基板１に耐熱性が高い球状シリカとＰＰＳの混合物を用いたが、本実施例によると耐熱性が低い材質を支持基板１に用いる、もしくは半導体基板２や電気配線基板３と支持基板１との間に配置することも可能である。例えば、耐インク性が高く液体吐出ヘッドの構成材料としてよく用いられるＰＥＴや変性ＰＰＥは、その耐熱性の低さから、電気接続時に加熱される支持基板１そのものに用いる、もしくは支持基板１の近傍に配置するのには不適とされていた。しかし本実施例によれば、支持基板１を介さずに電気接続部を所望の温度まで加熱することができるため、これら耐熱性の低い材質を支持基板１そのものに用いる、もしくは支持基板１の近傍に配置することも可能となる。

また、本実施例においては、本発明の適用例として液体吐出ヘッドを用いて説明したが、本発明の適用はこれに限られるものではなく、ＩＣチップの電気接続などにも適用できる。

１支持基板
２半導体基板
３電気配線基板
１１パッド
２１配線

Claims

半導体基板と電気配線基板との電気接続方法であって、
ヒーターとパッドとを備える前記半導体基板と、第一の配線および第二の配線を備える前記電気配線基板とを用意し、前記第一の配線と前記ヒーターとを電気接続する第一の工程と、
前記第一の配線を用いて前記ヒーターに通電し、前記ヒーターを発熱させる第二の工程と、
前記パッドと前記第二の配線とを前記第一の工程における電気接続時の温度よりも高い温度で電気接続する第三の工程と、
前記第一の工程における電気接続時の温度よりも高い温度で、前記第一の工程における前記第一の配線と前記ヒーターとの電気接続の位置とは異なる位置で前記第一の配線と前記ヒーターとを電気接続する工程と、を有する、電気接続方法。
前記第一の配線として前記第二の配線と同じ部材が用いられている、請求項１に記載の方法。
前記ヒーターの一端側は前記第一の配線と電気接続され、他端側は接地されている、請求項１または２に記載の電気接続方法。
前記電気配線基板には前記ヒーターとは異なる第二のヒーターが配置されており、前記第三の工程の前に、前記第二のヒーターに通電し、前記第二のヒーターを発熱させる工程を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の電気接続方法。
前記第一の工程と前記第三の工程のうち少なくとも一方における電気接続の手段がワイヤーボンディングである、請求項１から４のいずれか１項に記載の電気接続方法。
前記半導体基板は、記録液を吐出するエネルギーを発生させるための吐出エネルギー発生素子を有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の電気接続方法を用いる液体吐出ヘッドの製造方法。