JP6237174B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6237174B2 JP6237174B2 JP2013251586A JP2013251586A JP6237174B2 JP 6237174 B2 JP6237174 B2 JP 6237174B2 JP 2013251586 A JP2013251586 A JP 2013251586A JP 2013251586 A JP2013251586 A JP 2013251586A JP 6237174 B2 JP6237174 B2 JP 6237174B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- light emitting
- sealing member
- emitting device
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
- C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
- H10H20/8512—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8516—Wavelength conversion means having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer or wavelength conversion layer with a concentration gradient
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/882—Scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5473—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
図1(a)は実施の形態1に係る発光装置の概略上面図であり、図1(b)は図1(a)におけるA−A断面を示す概略断面図である。
粒子40は、封止部材の母材35中に配合され、封止部材30の基体上面11への濡れ広がりを抑える作用を有する。この粒子40について以下に詳述する。なお、粒子40を後述の充填剤や蛍光体と表記上区別する場合には、粒子40は第1の粒子と称し、その他の充填剤や蛍光体は第2の粒子、第3の粒子などと称する。
図4(a)は実施の形態2に係る発光装置の概略上面図であり、図4(b)は図4(a)におけるB−B断面を示す概略断面図である。
基体は、発光素子が実装される筐体や台座となる部材である。基体は、主として、発光素子と電気的に接続する導電部材と、その導電部材を保持する成形体と、により構成される。基体は、パッケージの形態や配線基板の形態がある。具体的には、基体は、樹脂成形体がリードフレームにトランスファ成形や射出成形などにより一体成形されて成るもの、導電性ペーストを印刷したセラミックグリーンシートが積層・焼成されて成るものなどが挙げられる。基体の上面は、略平坦であることが好ましいが、湾曲していてもよい。基体の上面には、凹部が形成されている。凹部は、成形体自体を窪ませることで形成されてもよいし、略平坦な成形体の上面に枠状の突起を別途形成することにより、その凸部の内側を凹部としてもよい。凹部の上面視形状は、矩形、角が丸みを帯びた矩形、円形、楕円形などが挙げられる。凹部の側壁面は、成形体を金型から離型しやすいように、また発光素子の光を効率良く取り出すために、凹部底面から上方に向かって凹部が拡径するように傾斜(湾曲を含む)していることが好ましい(傾斜角は例えば凹部底面から95°以上120°以下)。凹部の深さは、特に限定されないが、例えば0.05mm以上2mm以下、0.1mm以上1mm以下が好ましく、0.25mm以上0.5mm以下がより好ましい。
導電部材は、発光素子に接続されて導電可能な金属部材を用いることができる。具体的には、金、銀、銅、鉄、アルミニウム、タングステン、コバルト、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、パラジウム、又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅などで形成された、リード電極や配線が挙げられる。また、導電部材は、その表層に、銀、アルミニウム、ロジウム、金、銅、又はこれらの合金などの鍍金や光反射膜が設けられていてもよく、なかでも光反射性に最も優れる銀が好ましい。
成形体は、脂環ポリアミド樹脂、半芳香族ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリシクロヘキサンテレフタレート、液晶ポリマー、ポリカーボネート樹脂、シンジオタクチックポリスチレン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂などの熱可塑性樹脂、ポリビスマレイミドトリアジン樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、などの熱硬化性樹脂を母材とするものが挙げられる。また、これらの母材中に、充填剤又は着色顔料として、ガラス、シリカ、酸化チタン、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、ワラストナイト、マイカ、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、ホウ酸アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、炭化ケイ素、酸化アンチモン、スズ酸亜鉛、ホウ酸亜鉛、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、カーボンブラックなどの粒子又は繊維を混入させることができる。このほか、成形体は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又はこれらの混合物を含むセラミックスなどで形成することもできる。このようなセラミックスは、通常、上記樹脂材料に比べて、表面エネルギーが大きく、封止部材が基体上面へ濡れ広がりやすい。
発光素子は、LED(発光ダイオード)素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、種々の半導体で構成される素子構造に正負一対の電極が設けられたものであればよい。特に、蛍光体を効率良く励起可能な窒化物半導体(InxAlyGa1−x−yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)の発光素子が好ましい。このほか、ガリウム砒素系、ガリウム燐系半導体の発光素子でもよい。正負一対の電極が同一面側に設けられた発光素子は、各電極をワイヤで導電部材と接続するフェイスアップ実装されるか、各電極を導電性接着剤で導電部材と接続するフェイスダウン(フリップチップ)実装される。正負一対の電極が互いに反対の面に各々設けられた発光素子は、下面電極が導電性接着剤で導電部材に接着され、上面電極がワイヤで導電部材と接続される。1つの発光装置に搭載される発光素子の個数は1つでも複数でもよい。複数の発光素子は、直列又は並列に接続することができる。
封止部材は、発光素子を封止する部材である。封止部材の母材は、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光を透過可能(好ましくは透過率70%以上)であり、固化前は流動性を有する材料であればよい。具体的には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの変性樹脂やハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂又はその変性樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないため、好ましい。封止部材は、その母材中に、充填剤や蛍光体などを含有することが好ましいが、含有していなくてもよい。
充填剤は、拡散剤や着色剤などを用いることができる。具体的には、シリカ、酸化チタン、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、ガラス、カーボンブラックなどが挙げられる。充填剤の形状は、球状、不定形破砕状、針状、柱状、板状(鱗片状を含む)、繊維状、又は樹枝状などが挙げられる(後述の蛍光体も同様である)。また、中空又は多孔質のものでもよい。
蛍光体は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット、ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム、ユウロピウムで賦活されたサイアロン、ユウロピウムで賦活されたシリケート、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウムなどが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色系)を出射する発光装置や、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。
ワイヤは、発光素子の電極と導電部材を電気的に接続する部材である。ワイヤは、金、銅、銀、白金、アルミニウム又はこれらの合金の金属線を用いることができる。特に、封止部材からの応力による破断が生じにくく、熱抵抗などに優れる金線が好ましい。また、高い光取り出し効率を得るため、少なくとも表面が銀で構成されてもよい。
接着剤は、発光素子を基体に固定する部材である。絶縁性接着剤は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、又はこれらの変性樹脂やハイブリッド樹脂などを用いることができる。導電性接着剤としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、金−錫などの半田、低融点金属などのろう材を用いることができる。
実施例1の発光装置は、図1に示す例の発光装置100の構造を有する、トップビュー式のSMD型LEDである。
20…発光素子
30…封止部材
35…封止部材の母材
40…表面処理された粒子、又は分散剤と共存する粒子
41…表面処理された粒子の凝集体、又は分散剤と共存する粒子の凝集体
50…蛍光体
60…被膜
100,200…発光装置
Claims (14)
- 上面に凹部を有する基体と、前記凹部に設けられた発光素子と、前記凹部に設けられた封止部材と、を備え、
前記凹部は凹部底面から上方に向かって凹部が拡径する傾斜を持ち、前記傾斜は凹部底面から95°以上120°以下の角度を持ち、
前記封止部材は、表面処理された粒子、又は分散剤が吸着した粒子を含有し、
前記粒子は、粒径が1nm以上100μm以下であり、
前記封止部材の縁部の半分以上は、前記凹部の縁近傍にあって且つ前記粒子又は前記粒子の凝集体の少なくともいずれかが偏在する領域である発光装置。 - 前記粒子は、ナノ粒子である請求項1に記載の発光装置。
- 前記粒子及び/又は前記粒子の凝集体の含有量は、0.05wt%以上50wt%以下である請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記粒子及び/又は前記粒子の凝集体の含有量は、0.2wt%以上2wt%以下である請求項3に記載の発光装置。
- 前記粒子か前記粒子の凝集体の少なくともいずれかが、前記封止部材の外縁にも存在する請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記基体の端面は、切断された面である請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記封止部材の母材は、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、又はハイブリッドシリコーン樹脂である請求項6に記載の発光装置。
- 前記封止部材の上面は、上方に向かって凸の面である請求項1乃至7のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記基体の上面の上に、無機物の被膜が形成されている請求項1乃至8のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記封止部材の母材は、フェニルシリコーン樹脂であり、
前記粒子は、酸化ジルコニウムである請求項1乃至9のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記封止部材の縁部の半分以上が、前記凹部の縁近傍にあって且つ前記粒子か前記粒子の凝集体の少なくともいずれかが偏在する領域である請求項1乃至10のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記粒子は、蛍光体以外の粒子である請求項1乃至11のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記凹部の縁近傍は、前記凹部の内壁面と上面との境界部である請求項1乃至12のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記封止部材中にさらに蛍光体を含有し、前記蛍光体は前記凹部の底面側に偏在している請求項1乃至13のいずれか一項に記載の発光装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013251586A JP6237174B2 (ja) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 発光装置 |
| TW108123444A TWI761689B (zh) | 2013-12-05 | 2014-12-04 | 發光裝置之製造方法 |
| KR1020140172777A KR102222316B1 (ko) | 2013-12-05 | 2014-12-04 | 발광 장치 |
| TW103142220A TWI668884B (zh) | 2013-12-05 | 2014-12-04 | 發光裝置 |
| EP14196232.4A EP2882001B1 (en) | 2013-12-05 | 2014-12-04 | Light emitting device |
| US14/559,923 US9653662B2 (en) | 2013-12-05 | 2014-12-04 | Light emitting device |
| CN201410734249.5A CN104701441B (zh) | 2013-12-05 | 2014-12-04 | 发光装置 |
| US15/435,710 US9960326B2 (en) | 2013-12-05 | 2017-02-17 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013251586A JP6237174B2 (ja) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017211904A Division JP6428894B2 (ja) | 2017-11-01 | 2017-11-01 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015109354A JP2015109354A (ja) | 2015-06-11 |
| JP6237174B2 true JP6237174B2 (ja) | 2017-11-29 |
Family
ID=52016458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013251586A Active JP6237174B2 (ja) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 発光装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9653662B2 (ja) |
| EP (1) | EP2882001B1 (ja) |
| JP (1) | JP6237174B2 (ja) |
| KR (1) | KR102222316B1 (ja) |
| CN (1) | CN104701441B (ja) |
| TW (2) | TWI668884B (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6102187B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
| JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
| JP6484396B2 (ja) | 2013-06-28 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
| JP6354626B2 (ja) * | 2015-03-09 | 2018-07-11 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP6447580B2 (ja) | 2016-06-15 | 2019-01-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP7248379B2 (ja) | 2017-07-24 | 2023-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| KR102378919B1 (ko) * | 2017-08-03 | 2022-03-28 | 루미레즈 엘엘씨 | 발광 디바이스를 제조하는 방법 |
| US10662310B2 (en) * | 2018-04-24 | 2020-05-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component having a conversation element with a high refractive index |
| JPWO2020100297A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-10-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロledデバイスおよびその製造方法 |
| WO2020100298A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロledデバイスおよびその製造方法 |
| WO2020100300A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロledデバイスおよびその製造方法 |
| JP6809522B2 (ja) * | 2018-11-29 | 2021-01-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP7189430B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2022-12-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置用の封止用樹脂組成物 |
| US11594662B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-28 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
| JP7389333B2 (ja) * | 2019-07-31 | 2023-11-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US11664356B2 (en) | 2020-03-26 | 2023-05-30 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US12484353B2 (en) * | 2021-12-23 | 2025-11-25 | Intel Corporation | Low loss dielectric metasurface side mirrors for micro-LEDs |
| JP7853574B2 (ja) * | 2022-08-26 | 2026-04-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MY145695A (en) * | 2001-01-24 | 2012-03-30 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| JP4147755B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2008-09-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
| US6737681B2 (en) * | 2001-08-22 | 2004-05-18 | Nichia Corporation | Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element |
| EP1437776B1 (en) * | 2001-10-12 | 2011-09-21 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacture thereof |
| JP5138145B2 (ja) | 2002-11-12 | 2013-02-06 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源 |
| JP2004221163A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその形成方法、並びにその発光装置を用いた面状発光装置 |
| KR20030031061A (ko) * | 2003-03-22 | 2003-04-18 | 루미마이크로 주식회사 | 고효율 색변환 층을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| JP4645071B2 (ja) | 2003-06-20 | 2011-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置 |
| US20080231170A1 (en) * | 2004-01-26 | 2008-09-25 | Fukudome Masato | Wavelength Converter, Light-Emitting Device, Method of Producing Wavelength Converter and Method of Producing Light-Emitting Device |
| TWI255566B (en) * | 2005-03-04 | 2006-05-21 | Jemitek Electronics Corp | Led |
| JP2007188976A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
| JP4838005B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-12-14 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
| JP2008060344A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| US20110182072A1 (en) | 2007-06-29 | 2011-07-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor, production method of phosphor, phosphor-containing composition, and light emitting device |
| CN101809768B (zh) | 2007-08-31 | 2012-04-25 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装 |
| JP5578597B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2014-08-27 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
| JP4167717B1 (ja) * | 2007-11-21 | 2008-10-22 | E&E Japan株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP5217800B2 (ja) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
| JP2010080620A (ja) | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP5517037B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2014-06-11 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
| JP5433398B2 (ja) | 2009-12-22 | 2014-03-05 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
| JP2011222718A (ja) | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Samsung Led Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
| JP4911806B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2012-04-04 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置 |
| JP2012028501A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP5864089B2 (ja) | 2010-08-25 | 2016-02-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| CN201829530U (zh) * | 2010-09-02 | 2011-05-11 | 深圳市海隆兴光电子有限公司 | 一种led白光二极管光源灯 |
| EP3716331B1 (en) | 2010-12-28 | 2023-06-28 | Nichia Corporation | Light emitting device |
-
2013
- 2013-12-05 JP JP2013251586A patent/JP6237174B2/ja active Active
-
2014
- 2014-12-04 US US14/559,923 patent/US9653662B2/en active Active
- 2014-12-04 EP EP14196232.4A patent/EP2882001B1/en active Active
- 2014-12-04 TW TW103142220A patent/TWI668884B/zh active
- 2014-12-04 CN CN201410734249.5A patent/CN104701441B/zh active Active
- 2014-12-04 TW TW108123444A patent/TWI761689B/zh active
- 2014-12-04 KR KR1020140172777A patent/KR102222316B1/ko active Active
-
2017
- 2017-02-17 US US15/435,710 patent/US9960326B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015109354A (ja) | 2015-06-11 |
| US20170162765A1 (en) | 2017-06-08 |
| KR102222316B1 (ko) | 2021-03-04 |
| CN104701441B (zh) | 2018-09-11 |
| CN104701441A (zh) | 2015-06-10 |
| TW201528556A (zh) | 2015-07-16 |
| TWI668884B (zh) | 2019-08-11 |
| TWI761689B (zh) | 2022-04-21 |
| KR20150065595A (ko) | 2015-06-15 |
| US20150162509A1 (en) | 2015-06-11 |
| US9653662B2 (en) | 2017-05-16 |
| EP2882001B1 (en) | 2018-04-25 |
| EP2882001A1 (en) | 2015-06-10 |
| TW201937758A (zh) | 2019-09-16 |
| US9960326B2 (en) | 2018-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6237174B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6432416B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN207381430U (zh) | 发光装置 | |
| JP6597657B2 (ja) | 発光装置 | |
| US7989236B2 (en) | Method of making phosphor containing glass plate, method of making light emitting device | |
| KR102227798B1 (ko) | 발광 장치용 패키지 및 그것을 사용한 발광 장치 | |
| JP2015220431A (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
| JP6524624B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP7248379B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP7389333B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6601550B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6428894B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2019212931A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| CN116018692A (zh) | 发光装置以及发光装置的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20150908 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160216 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160610 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170307 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170428 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171003 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171016 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6237174 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |