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JP6314404B2 - Method for producing conductive mesh sheet and photomask - Google Patents
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JP6314404B2 - Method for producing conductive mesh sheet and photomask - Google Patents

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Description

本発明は、透明基材と当該透明基材上に設けられた導電性メッシュとを含む導電性メッシュシートの製造方法、および導電性メッシュの製造方法に用いられるフォトマスクに関する。   The present invention relates to a method for producing a conductive mesh sheet including a transparent substrate and a conductive mesh provided on the transparent substrate, and a photomask used in the method for producing a conductive mesh.

従来、透明基材と当該透明基材上に設けられた導電性メッシュとを含む導電性メッシュシートが、広く種々の分野にて使用されてきた。このような導電性メッシュシートの広く知られた用途として、特許文献1及び2に開示された電磁波遮蔽材(電磁波遮蔽シート)、タッチパネルセンサ、発熱体を例示することができる。このような用途において、導電性メッシュは、透明基材上で開口領域を画成するメッシュパターンを形成し、その材料特性、例えば導電性や熱伝導性に起因した種々の機能を発揮することを期待されている。   Conventionally, a conductive mesh sheet including a transparent substrate and a conductive mesh provided on the transparent substrate has been widely used in various fields. As a widely known use of such a conductive mesh sheet, an electromagnetic wave shielding material (electromagnetic wave shielding sheet), a touch panel sensor, and a heating element disclosed in Patent Documents 1 and 2 can be exemplified. In such applications, the conductive mesh forms a mesh pattern that defines an open area on a transparent substrate, and exhibits various functions due to its material properties, such as conductivity and thermal conductivity. Expected.

このような導電性メッシュは、開口領域を画成する接続要素と、接続要素間の破断部とを有するものがあり、近年導電性メッシュとして微細化されたものが求められている。   Some of such conductive meshes have a connection element that defines an opening region and a fracture portion between the connection elements. In recent years, a conductive mesh that has been miniaturized has been demanded.

特開2004−192093号公報JP 2004-192093 A 特開2006−344163号公報JP 2006-344163 A

上述のように導電性メッシュの形状は、近年微細化したものが求められているが、この場合接続要素間の破断部も微細化が求められている。   As described above, the shape of the conductive mesh is required to be fine in recent years. In this case, the fractured portion between the connecting elements is also required to be fine.

一般に導電性メッシュは導電性金属膜上にレジストパターンを形成し、レジストパターンを介してエッチングを施すことにより形成されるが、接続要素間の破断部の長さを短くするためにはこの破断部に対応してレジストパターンを除いておく必要がある。   In general, a conductive mesh is formed by forming a resist pattern on a conductive metal film and performing etching through the resist pattern. In order to shorten the length of the break between connecting elements, this break It is necessary to remove the resist pattern corresponding to the above.

他方、レジストパターンを形成する際の露光作用においては、解像限界の問題から小さな破断部に対応してレジストパターンを除いておくことはむずかしい、という問題がある。   On the other hand, in the exposure operation when forming a resist pattern, there is a problem that it is difficult to remove the resist pattern corresponding to a small fracture portion due to a resolution limit problem.

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、接続要素と、接続要素間の破断部とを有するとともに、微細形状をもつ導電性メッシュを精度良く作製することができる導電性メッシュシートの製造方法および導電性メッシュシートの製造方法に用いるフォトマスクを提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and has a connection element and a fracture portion between the connection elements, and a conductive mesh capable of accurately producing a conductive mesh having a fine shape. It aims at providing the photomask used for the manufacturing method of a sheet | seat, and the manufacturing method of an electroconductive mesh sheet.

本発明は、透明基材と、透明基材上に設けられた導電性メッシュとを含む導電性メッシュシートの製造方法において、透明基材を準備する工程と、透明基材上に導電性金属膜を形成する工程と、導電性金属膜上にレジストパターンを設ける工程と、レジストパターン上からエッチング液を用いて、導電性金属膜をエッチングすることにより、接続要素と接続要素間の破断部とを有する導電性メッシュを形成する工程とを備え、レジストパターンは接続要素に対応する接続要素部分と、接続要素部分に連結され破断部に対応する破断部分とを有し、破断部分は接続要素部分に対して両側から切欠きを設けて形成されていることを特徴とする導電性メッシュシートの製造方法である。   The present invention relates to a method for producing a conductive mesh sheet comprising a transparent substrate and a conductive mesh provided on the transparent substrate, a step of preparing the transparent substrate, and a conductive metal film on the transparent substrate. Forming a resist pattern on the conductive metal film, and etching the conductive metal film from above the resist pattern using an etching solution, thereby forming a fracture portion between the connection element and the connection element. A resist pattern having a connection element portion corresponding to the connection element and a break portion connected to the connection element portion and corresponding to the break portion, and the break portion is formed on the connection element portion. In contrast, the present invention provides a method for producing a conductive mesh sheet, which is formed by providing notches on both sides.

本発明は、接続要素の線幅をwとし、接続要素間の破断部の長さをLとしたとき、
0.1 <L/w< 1
となることを特徴とする導電性メッシュシートの製造方法である。
In the present invention, when the line width of the connecting element is w and the length of the fracture portion between the connecting elements is L,
0.1 <L / w <1
This is a method for producing a conductive mesh sheet.

本発明は、接続要素の線幅wとし、各切欠きの内側へ向う深さをaとしたとき、
0.05 <a/w< 0.45
となることを特徴とする導電性メッシュの製造方法である。
In the present invention, when the line width w of the connecting element and the depth inward of each notch are a,
0.05 <a / w <0.45
This is a method for producing a conductive mesh.

本発明は、透明基材上の導電性金属膜に対してレジストパターンを介してエッチングを施すことにより、接続要素と接続要素間の破断部とを有する導電性メッシュを形成する際用いられるレジストパターン作製用フォトマスクにおいて、レジストパターンは接続要素に対応する接続要素部分と、接続要素部分に連結され破断部に対応する破断部分とを有し、破断部分は接続要素部分に対して両側から切欠きを設けて形成され、フォトマスクはレジストパターンの接続要素部分および破断部分に対応する開口が形成されたマスク部分を有することを特徴とするフォトマスクである。   The present invention relates to a resist pattern used when forming a conductive mesh having a connecting element and a rupture portion between the connecting elements by etching the conductive metal film on the transparent substrate through the resist pattern. In the photomask for manufacturing, the resist pattern has a connection element portion corresponding to the connection element and a break portion connected to the connection element portion and corresponding to the break portion, and the break portion is notched from both sides with respect to the connection element portion. The photomask has a mask portion in which openings corresponding to connection element portions and fracture portions of the resist pattern are formed.

本発明は、透明基材上の導電性金属膜に対してレジストパターンを介してエッチングを施すことにより、接続要素と接続要素間の破断部とを有する導電性メッシュを形成する際用いられるレジストパターン作製用フォトマスクにおいて、レジストパターンは接続要素に対応する接続要素部分と、接続要素部分に連結され破断部に対応する破断部分とを有し、破断部分は接続要素部分に対して両側から切欠きを設けて形成され、フォトマスクはレジストパターンの接続要素部分および破断部分に対応する形状をもつマスク部分を有することを特徴とするフォトマスクである。   The present invention relates to a resist pattern used when forming a conductive mesh having a connecting element and a rupture portion between the connecting elements by etching the conductive metal film on the transparent substrate through the resist pattern. In the photomask for manufacturing, the resist pattern has a connection element portion corresponding to the connection element and a break portion connected to the connection element portion and corresponding to the break portion, and the break portion is notched from both sides with respect to the connection element portion. The photomask has a mask portion having a shape corresponding to the connecting element portion and the fracture portion of the resist pattern.

本発明は、接続要素の線幅をwとし、接続要素間の破断部の長さをLとしたとき、
0.1 <L/w< 1
となることを特徴とするフォトマスクである。
In the present invention, when the line width of the connecting element is w and the length of the fracture portion between the connecting elements is L,
0.1 <L / w <1
The photomask is characterized by the following.

本発明は、接続要素の線幅をwとし、各切欠きの内側へ向う深さをaとしたとき、
0.05 <a/w< 0.45
となることを特徴とするフォトマスクである。
In the present invention, when the line width of the connecting element is w and the depth toward the inside of each notch is a,
0.05 <a / w <0.45
The photomask is characterized by the following.

以上のように本発明によれば、微細形状をもつ導電性メッシュを精度良く作製することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to accurately produce a conductive mesh having a fine shape.

図1(a)〜(e)は、本発明の一実施の形態を説明するための図であって、導電性メッシュシートの製造方法を示す平面図。Drawing 1 (a)-(e) is a figure for explaining one embodiment of the present invention, and is a top view showing the manufacturing method of an electroconductive mesh sheet. 図2(a)〜(f)は、導電性メッシュシートの製造方法を示す断面図。2A to 2F are cross-sectional views showing a method for producing a conductive mesh sheet. 図3は、導電性メッシュシートを示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing a conductive mesh sheet. 図4(a)(b)は、フォトマスクを示す図。4A and 4B show a photomask. 図5は、レジストパターンの破断部に対応する部分を除去した状態を示す図。FIG. 5 is a view showing a state in which a portion corresponding to a broken portion of the resist pattern is removed.

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する写真以外の図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings other than the photographs attached to the present specification, for the sake of illustration and ease of understanding, the scale and the vertical / horizontal dimensional ratio are appropriately changed and exaggerated from those of the actual ones.

なお、本明細書において、「シート」、「板」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「シート」は板やフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念であり、呼称の違いのみにおいて区別され得ない。   In the present specification, the terms “sheet”, “plate”, and “film” are not distinguished from each other only based on the difference in names. For example, the “sheet” is a concept including a member that can be called a plate or a film, and cannot be distinguished only by a difference in name.

また、「シート面(板面、フィルム面)」とは、対象となるシート状(板状、フィルム状)の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となるシート状部材(板状部材、フィルム状部材)の平面方向と一致する面のことを指す。本実施の形態においては、導電性フィルムシートのシート面、導電性フィルムシートに含まれる透明基材のシート面は、互いに平行となっている。   In addition, “sheet surface (plate surface, film surface)” means a target sheet-like member (plate-like) when the target sheet-like (plate-like, film-like) member is viewed as a whole and globally. It refers to the surface that coincides with the plane direction of the member or film-like member. In the present embodiment, the sheet surface of the conductive film sheet and the sheet surface of the transparent substrate included in the conductive film sheet are parallel to each other.

さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。   Furthermore, as used in this specification, the shape and geometric conditions and the degree thereof are specified. For example, terms such as “parallel”, “orthogonal”, “identical”, length and angle values, etc. Without being bound by meaning, it should be interpreted including the extent to which similar functions can be expected.

<<<導電性メッシュシート>>>
図3に示すように、導電性メッシュシート10は、透明基材20と、透明基材20上に設けられた導電性メッシュ15と、を有している。
<<< Conductive Mesh Sheet >>>
As shown in FIG. 3, the conductive mesh sheet 10 includes a transparent base material 20 and a conductive mesh 15 provided on the transparent base material 20.

このような導電性メッシュシート10を導電性メッシュ15の側から観察した場合、導電性メッシュ15は、その構成材料に依存した金属色で観察される。   When such a conductive mesh sheet 10 is observed from the conductive mesh 15 side, the conductive mesh 15 is observed in a metal color depending on its constituent material.

以下、導電性メッシュシート10の構成要素である透明基材20及び導電性メッシュ15について順に説明していく。   Hereinafter, the transparent base material 20 and the conductive mesh 15 which are components of the conductive mesh sheet 10 will be described in order.

なお、本件明細書において、「透明」とは、可視光透過率が(数値)%以上あることを意味している。また、本明細書で言及する可視光透過率は、測定対象となる部位をなすようになる材料を東洋紡績製PETフィルム(品番:コスモシャインA4300、厚さ100μm)の上に膜厚1μmで成膜し、分光光度計((株)島津製作所製「UV−3100PC」、JISK0115準拠品)を用いて測定波長380nm〜780nmの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される。   In the present specification, “transparent” means that the visible light transmittance is (numerical value)% or more. The visible light transmittance referred to in this specification is a material having a thickness of 1 μm formed on a PET film (product number: Cosmo Shine A4300, thickness 100 μm) made by Toyobo Co., Ltd. Film is specified as an average value of transmittance at each wavelength when measured within a measurement wavelength range of 380 nm to 780 nm using a spectrophotometer (“UV-3100PC” manufactured by Shimadzu Corporation, JISK0115 compliant product) Is done.

<<透明基材>>
透明基材20としては、既知の透明基材を適宜選択して用いることができ、特に限定されない。透明基材20に用いられる材料としては、例えば、透明樹脂や透明無機材料を例示することができる。透明樹脂としては、例えば、トリアセチルセルロース等のアセチルセルロース系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレンやポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエーテルサルホンやポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、アクロニトリル、メタクリロニトリル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマ一等を挙げることができる。一方、透明無機材料としては、例えばソーダ硝子、カリ硝子、鉛ガラス等の硝子、PLZT等のセラミックス、石英、蛍石等を例示することができる。
<< Transparent substrate >>
As the transparent substrate 20, a known transparent substrate can be appropriately selected and used, and is not particularly limited. Examples of the material used for the transparent substrate 20 include a transparent resin and a transparent inorganic material. Examples of the transparent resin include acetyl cellulose resins such as triacetyl cellulose, polyester resins such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, olefin resins such as polyethylene and polymethylpentene, acrylic resins, polyurethane resins, and polyethers. Examples include sulfone, polycarbonate, polysulfone, polyether, polyetherketone, acrylonitrile, methacrylonitrile, cycloolefin polymer, and cycloolefin copolymer. On the other hand, examples of the transparent inorganic material include glass such as soda glass, potash glass, and lead glass, ceramics such as PLZT, quartz, and fluorite.

透明基材20の厚みは、導電性メッシュシート10の用途に応じて適宜設定することができ、特に限定されないが、通常20〜5000μmであり、透明基材20は、ロールの形で供給されるもの、巻き取れるほどには曲がらないが負荷をかけることによって湾曲するもの、完全に曲がらないもののいずれであってもよい。   Although the thickness of the transparent base material 20 can be suitably set according to the use of the electroconductive mesh sheet 10, it is not specifically limited, Usually, it is 20-5000 micrometers, and the transparent base material 20 is supplied with the form of a roll. It may be any of those that do not bend to the extent that they can be wound, but that can be bent by applying a load, or those that do not bend completely.

透明基材20の構成は、単一の層からなる構成に限られるものではなく、複数の層が積層された構成を有していてもよい。複数の層が積層された構成を有する場合は、同一組成の層が積層されてもよく、また、異なった組成を有する複数の層が積層されてもよい。   The configuration of the transparent substrate 20 is not limited to a configuration composed of a single layer, and may have a configuration in which a plurality of layers are laminated. When it has the structure by which the several layer was laminated | stacked, the layer of the same composition may be laminated | stacked, and the several layer which has a different composition may be laminated | stacked.

<<導電性メッシュ>>
次に、導電性メッシュ15について説明する。導電性メッシュ15は、透明基材20上に設けられている。図3に示す例において、導電性メッシュ15は、透明基材20上にパターニングされている。とりわけ、図3に示す例において、導電性メッシュ15は、透明基材20上において、開口領域15cを画成するメッシュパターンを形成している。すなわち、導電性メッシュ15は、分岐点15dから延び出す多数の接続要素15aによって形成されている。そして、各開口領域15cは、三以上の接続要素15aで取り囲まれることによって、画成されている。なお、図3に示す例において、導電性メッシュ15は、正方配列となるメッシュパターンを形成している。
<< Conductive mesh >>
Next, the conductive mesh 15 will be described. The conductive mesh 15 is provided on the transparent substrate 20. In the example shown in FIG. 3, the conductive mesh 15 is patterned on the transparent substrate 20. In particular, in the example shown in FIG. 3, the conductive mesh 15 forms a mesh pattern that defines the opening region 15 c on the transparent substrate 20. That is, the conductive mesh 15 is formed by a large number of connecting elements 15a extending from the branch point 15d. Each opening region 15c is defined by being surrounded by three or more connection elements 15a. In the example shown in FIG. 3, the conductive mesh 15 forms a mesh pattern having a square arrangement.

ただし、金属層15によってなされるパターンは、図2に示された例に限定されることはなく、積層材10の用途に応じて適宜設定される。例えば、金属層15が、不規則なメッシュパターンを形成するようにしてもよいし、或いは、メッシュ以外のパターンを形成するようにしてもよいし、或いは、ベタで設けられる、すなわち隙間無く面状の領域に設けられるようにしてもよい。   However, the pattern formed by the metal layer 15 is not limited to the example shown in FIG. 2 and is appropriately set according to the use of the laminated material 10. For example, the metal layer 15 may form an irregular mesh pattern, or may form a pattern other than a mesh, or may be provided with a solid shape, that is, a planar shape without a gap. It may be provided in this area.

さらにまた、導電性メッシュ15は、接続要素15a間に形成された破断部15bによって複数の領域に区画されている。   Furthermore, the conductive mesh 15 is partitioned into a plurality of regions by the breaking portions 15b formed between the connecting elements 15a.

すなわち、所望の接続要素15aが破断部15bにより破断されて、接続要素15a間に破断部15bが形成されて接続要素15a間に導通が破断部15bにより破断される。   That is, the desired connecting element 15a is broken by the breaking portion 15b, the breaking portion 15b is formed between the connecting elements 15a, and the conduction between the connecting elements 15a is broken by the breaking portion 15b.

なお、接続要素15aの幅をw、接続要素15a間の破断部15bの長さをLとした場合、これらwおよびLは後述のように極めて小さな値となっており、このことにより微細構造の導電性メッシュ15を形成することができる。   When the width of the connecting element 15a is w and the length of the breaking portion 15b between the connecting elements 15a is L, these w and L are extremely small values as will be described later. A conductive mesh 15 can be formed.

このような導電性メッシュ15は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、CVD法等の気相法(ドライプロセス)を用いて、導電性メッシュ15となる金属材料15Aを、透明基材20上に付着させることにより形成され得る。   Such a conductive mesh 15 is made of, for example, a metal material 15A that becomes the conductive mesh 15 by using a vapor phase method (dry process) such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a CVD method. It can be formed by depositing on the substrate 20.

導電性メッシュ15の成膜厚は、(数値)nm以上(数値)nm以下とすることができる。   The film thickness of the conductive mesh 15 can be (numerical value) nm or more and (numerical value) nm or less.

導電性メッシュ15をなすようになる金属材料として、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、パラジウム、インジウム、及び、これらの合金の一以上を用いることができる。   As the metal material that forms the conductive mesh 15, for example, one or more of gold, silver, copper, platinum, aluminum, chromium, molybdenum, nickel, titanium, palladium, indium, and alloys thereof can be used. .

<<導電性メッシュシートの製造方法>>
次に導電性メッシュシートの製造方法について図1(a)〜(e)および図2(a)〜(g)により述べる。
<< Method for Producing Conductive Mesh Sheet >>
Next, a method for producing a conductive mesh sheet will be described with reference to FIGS. 1 (a) to 1 (e) and FIGS. 2 (a) to 2 (g).

この場合、導電性メッシュ15のパターニングは、フォトリソグラフィ技術を用いて、次のように実施され得る。まず、図2(a)に示すように、透明基材20を準備する。   In this case, the patterning of the conductive mesh 15 can be performed as follows using a photolithography technique. First, as shown to Fig.2 (a), the transparent base material 20 is prepared.

次に、導電性メッシュ15となる導電性の金属膜15Aを、透明基材20上に形成する。金属膜15Aの成膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、CVD法等の気相法(ドライプロセス)等の種々の方法を採用することができる。とりわけ真空蒸着法によれば、後述するように導電性メッシュシート10をタッチパネルセンサや電磁波遮蔽材としての用いた場合に好適な厚みの金属膜15Aを、比較的に短時間で安価に製造することができる。また、別の方法として、スパッタリングと他の方法、例えばスパッタリングと電界めっきとを含む複数工程にて、金属膜15Aを成膜することも有効である。スパッタリングによれば、密着性に優れた下地層を形成することができ、且つ、その後の電界メッキによって、金属膜15Aの厚みを比較的迅速に所望の厚みまで増加させることができる。   Next, a conductive metal film 15 </ b> A that becomes the conductive mesh 15 is formed on the transparent substrate 20. The metal film 15A can be formed by various methods such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a vapor phase method (dry process) such as a CVD method. In particular, according to the vacuum deposition method, as will be described later, the metal film 15A having a thickness suitable for the case where the conductive mesh sheet 10 is used as a touch panel sensor or an electromagnetic shielding material is manufactured in a relatively short time and at a low cost. Can do. As another method, it is also effective to form the metal film 15A in a plurality of steps including sputtering and other methods, for example, sputtering and electroplating. Sputtering can form a base layer with excellent adhesion, and can increase the thickness of the metal film 15A to a desired thickness relatively quickly by subsequent electroplating.

その後、フォトリソグラフィ技術を用いて、透明基材20上の金属膜15Aを所望のパターンにてパターニングする。具体的には、まず、金属膜15A上にレジスト膜30Aを設ける。レジスト膜の成膜は、例えば、ドライフィルムレジストの積層により行うことができる。   Thereafter, the metal film 15A on the transparent substrate 20 is patterned in a desired pattern by using a photolithography technique. Specifically, first, a resist film 30A is provided on the metal film 15A. The resist film can be formed, for example, by laminating a dry film resist.

次に、図2(b)に示すように、レジスト膜30A上方にフォトマスク35を配置した状態にて、レジスト膜30Aをパターン露光する。その後、図2(c)に示すように、露光されたレジスト膜30Aを現像することにより、レジスト膜30Aをパターニングしてなるレジストパターン30が金属膜15A上に得られる。   Next, as shown in FIG. 2B, the resist film 30A is subjected to pattern exposure in a state where the photomask 35 is disposed above the resist film 30A. Thereafter, as shown in FIG. 2C, by developing the exposed resist film 30A, a resist pattern 30 obtained by patterning the resist film 30A is obtained on the metal film 15A.

ところで、金属膜15A上に形成されたレジストパターン30は、導電性メッシュの15の接続要素15aに対応する接続要素部分30aと、破断部15bに対応する破断部分30bとを有する。この場合、後述するエッチング工程においてエッチング液はレジストパターン30の下方から更に水平方向に進んで金属膜15Aをエッチングするため、レジストパターン30の接続要素部分30aは平面視において接続要素15aよりわずかに大きくなっている。またレジストパターン30の破断部分30bは、接続要素部分30aに対して両側から切欠き30cを設けることにより形成されており、破断部分30bは接続要素部分30aに対して細幅になっているが、破断部分30bにおいて、レジスト膜30Aは一部分残ることになる。   By the way, the resist pattern 30 formed on the metal film 15A has a connection element portion 30a corresponding to the 15 connection elements 15a of the conductive mesh and a break portion 30b corresponding to the break portion 15b. In this case, in the etching process described later, the etching solution further proceeds in the horizontal direction from below the resist pattern 30 to etch the metal film 15A, so that the connection element portion 30a of the resist pattern 30 is slightly larger than the connection element 15a in plan view. It has become. The broken portion 30b of the resist pattern 30 is formed by providing a notch 30c from both sides with respect to the connecting element portion 30a, and the broken portion 30b is narrower than the connecting element portion 30a. A part of the resist film 30A remains at the broken portion 30b.

また金属膜15A上にレジストパターン30を形成するためのフォトマスク35は、ネガ型のレジスト膜30Aを用いる場合、レジストパターン30の接続要素部分30aに対応する第1開口35Aと、破断部分30bに対応する第2開口35Bとを有するマスク部分35Cからなっている(図4(a)参照)。   Further, when the negative resist film 30A is used as the photomask 35 for forming the resist pattern 30 on the metal film 15A, the first opening 35A corresponding to the connection element portion 30a of the resist pattern 30 and the fracture portion 30b are formed. It consists of a mask portion 35C having a corresponding second opening 35B (see FIG. 4A).

但し、ポジ型のレジスト膜30Aを用いる場合、フォトマスク35はレジストパターン30の接続要素部分30aに対応する形状35Dと破断部分30bに対応する形状35Eをもつマスク部分35Cからなっている(図4(b)参照)。   However, when the positive resist film 30A is used, the photomask 35 includes a mask portion 35C having a shape 35D corresponding to the connection element portion 30a of the resist pattern 30 and a shape 35E corresponding to the fracture portion 30b (FIG. 4). (See (b)).

次に、図2(d)〜(f)に示すように、パターニングされたレジストパターン30をマスクとして、金属膜15Aをエッチング液によりエッチングする。これにより、金属膜15Aから導電性メッシュ15が形成される。このようにして、透明基材20上に、導電性メッシュ15が、所望のパターンで形成される。その後、導電性メッシュ15上のレジストパターン30を除去することによって、導電性メッシュシート10が得られる。   Next, as shown in FIGS. 2D to 2F, the metal film 15A is etched with an etchant using the patterned resist pattern 30 as a mask. Thereby, the conductive mesh 15 is formed from the metal film 15A. In this way, the conductive mesh 15 is formed in a desired pattern on the transparent substrate 20. Thereafter, the conductive mesh sheet 10 is obtained by removing the resist pattern 30 on the conductive mesh 15.

次に金属膜15Aに対するエッチング工程について、図1(a)〜(e)および図2(a)〜(g)を用いてより詳細に説明する。   Next, the etching process for the metal film 15A will be described in more detail with reference to FIGS. 1 (a) to (e) and FIGS. 2 (a) to (g).

上述のようにエッチング工程において、エッチング液はレジストパターン30の下方から更に水平方向に進んで金属膜15Aをエッチングする。このためレジストパターン30の接続要素部分30aは接続要素15aよりわずかに大きくなっており、かつ破断部分30bは切欠き30cを設けることにより形成され、レジスト膜30Aが一部分残っている。   As described above, in the etching process, the etching solution further proceeds in the horizontal direction from below the resist pattern 30 to etch the metal film 15A. For this reason, the connecting element portion 30a of the resist pattern 30 is slightly larger than the connecting element 15a, and the broken portion 30b is formed by providing the notch 30c, and a part of the resist film 30A remains.

また、本実施の形態によれば、導電性メッシュ15は微細形状をもつため、導電性メッシュ15の接続要素15aの線幅をw、接続要素15a間の破断部15bの長さをL、レジストパターン30の破断部分30bの切欠きの内側へ向う深さをaとした場合、
3μm ≦w≦ 30μm
1μm ≦L≦ 15μm
1μm ≦a≦ 14μm
となっている。
In addition, according to the present embodiment, since the conductive mesh 15 has a fine shape, the line width of the connection element 15a of the conductive mesh 15 is w, the length of the fracture portion 15b between the connection elements 15a is L, and the resist When the depth toward the inside of the notch of the broken portion 30b of the pattern 30 is a,
3μm ≦ w ≦ 30μm
1μm ≦ L ≦ 15μm
1μm ≦ a ≦ 14μm
It has become.

また、L/w、a/wの値は
0.1 <L/w< 1
0.05 <a/w< 0.45
となっている。
The values of L / w and a / w are 0.1 <L / w <1
0.05 <a / w <0.45
It has become.

まず金属膜15A上に接続要素部分30aと破断部分30bとを有するレジストパターン30を設ける(図1(a)および図2(c))。   First, a resist pattern 30 having a connection element portion 30a and a fracture portion 30b is provided on the metal film 15A (FIGS. 1A and 2C).

この状態でレジストパターン30をマスクとしてエッチング液Eにより金属膜15Aをエッチングする(図1(b)および図2(d))。このとき、エッチング液Eはレジストパターン30から露出する金属膜15Aに達し、この金属膜15Aをエッチングする。   In this state, the metal film 15A is etched by the etching solution E using the resist pattern 30 as a mask (FIGS. 1B and 2D). At this time, the etching solution E reaches the metal film 15A exposed from the resist pattern 30, and the metal film 15A is etched.

次にエッチング液Eはレジストパターン30の下方から更に水平方向に進んで、レジストパターン30の下方の金属膜15Aをエッチングする(図1(c)および図2(e))。   Next, the etching solution E further proceeds in the horizontal direction from below the resist pattern 30 to etch the metal film 15A below the resist pattern 30 (FIGS. 1C and 2E).

その後エッチング液Eはレジストパターン30の接続要素部分30aの下方に達して金属膜15Aをエッチングすることにより導電性メッシュ15の接続要素15aを形成する。同時にエッチング液Eは破断部分30bの下方に達し、金属膜15Aをエッチングすることにより導電性メッシュ15の破断部15bを形成する。(図1(d)および図2(f))。   Thereafter, the etching solution E reaches below the connection element portion 30a of the resist pattern 30 to etch the metal film 15A, thereby forming the connection element 15a of the conductive mesh 15. At the same time, the etching solution E reaches below the broken portion 30b, and forms the broken portion 15b of the conductive mesh 15 by etching the metal film 15A. (FIG. 1 (d) and FIG. 2 (f)).

このようにして導電性メッシュ15を形成した後、導電性メッシュ15上からレジストパターン30が除去される。   After forming the conductive mesh 15 in this manner, the resist pattern 30 is removed from the conductive mesh 15.

上述のようにレジストパターン30の接続要素部分30aによって導電性メッシュ15の接続要素15aが形成され、破断部分30bによって接続要素15a間の破断部15bが形成される。また導電性メッシュ15が微細構造を有する場合、この微細構造をもつ導電性メッシュ15に対応して微細構造をもつレジストパターン30を形成する必要があるが、レジストパターン30は露光時の解像限界によりその形状の微細化には限度がある。とりわけ導電性メッシュ15の破断部15bの形状を微細化した場合、これに合わせてレジストパターン30の破断部15bに対応する微細な部分30eを除去することも考えられるが、レジストパターン30から破断部15bに対応する微細な部分30eを除去することはレジストパターン30の露光時の解像限界により事実上困難である(図5参照)。   As described above, the connection element 15a of the conductive mesh 15 is formed by the connection element portion 30a of the resist pattern 30, and the break portion 15b between the connection elements 15a is formed by the break portion 30b. When the conductive mesh 15 has a fine structure, it is necessary to form a resist pattern 30 having a fine structure corresponding to the conductive mesh 15 having this fine structure. However, the resist pattern 30 has a resolution limit at the time of exposure. Therefore, there is a limit to refinement of the shape. In particular, when the shape of the rupture portion 15b of the conductive mesh 15 is refined, it is conceivable to remove the fine portion 30e corresponding to the rupture portion 15b of the resist pattern 30 in accordance with the shape. It is practically difficult to remove the fine portion 30e corresponding to 15b due to the resolution limit when the resist pattern 30 is exposed (see FIG. 5).

本実施の形態によれば、導電性メッシュ15のうちとりわけ微細構造をもつ破断部15bをエッチングにより形成する場合、レジストパターン30から破断部15bに対応する微細な部分30eを除去することなく、レジストパターン30を細幅に残して形成された破断部分30bにより破断部15bをエッチングにより形成することができる。このため微細構造をもつ破断部15bを有する導電性メッシュ15を精度良く形成することができる。   According to the present embodiment, when the break portion 15b having a fine structure among the conductive mesh 15 is formed by etching, the resist pattern 30 is removed without removing the fine portion 30e corresponding to the break portion 15b. The rupture portion 15b can be formed by etching using the rupture portion 30b formed while leaving the pattern 30 narrow. For this reason, the conductive mesh 15 having the fracture portion 15b having a fine structure can be formed with high accuracy.

10 導電性メッシュシート
15 導電性メッシュ
15a 接続要素
15b 破断部
15c 開口領域
15d 分岐点
20 透明基材
30 レジストパターン
30a 接続要素部分
30b 破断部分
30c 切欠き
30A レジスト膜
35 フォトマスク
35A 第1開口
35B 第2開口
35C マスク部分
35D 形状
35E 形状
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Conductive mesh sheet 15 Conductive mesh 15a Connection element 15b Break part 15c Open area 15d Branch point 20 Transparent base material 30 Resist pattern 30a Connection element part 30b Break part 30c Notch 30A Resist film 35 Photomask 35A First opening 35B First Two openings 35C Mask part 35D Shape 35E Shape

Claims (7)

透明基材と、透明基材上に設けられた導電性メッシュとを含む導電性メッシュシートの製造方法において、
透明基材を準備する工程と、
透明基材上に導電性金属膜を形成する工程と、
導電性金属膜上にレジストパターンを設ける工程と、
レジストパターン上からエッチング液を用いて、導電性金属膜をエッチングすることにより、接続要素と接続要素間の破断部とを有する導電性メッシュを形成する工程とを備え、
レジストパターンは接続要素に対応するとともに同一幅をもつ帯状に延びる接続要素部分と、接続要素部分に設けられ破断部に対応する破断部分とを有し、破断部分は帯状に延びる接続要素部分に対して両側から矩形状の切欠きを設けて形成されていることを特徴とする導電性メッシュシートの製造方法。
In a method for producing a conductive mesh sheet comprising a transparent substrate and a conductive mesh provided on the transparent substrate,
Preparing a transparent substrate;
Forming a conductive metal film on a transparent substrate;
Providing a resist pattern on the conductive metal film;
Forming a conductive mesh having a connecting element and a rupture between the connecting elements by etching the conductive metal film from above the resist pattern using an etching solution;
The resist pattern has a connection element portion corresponding to the connection element and extending in a strip shape having the same width, and a break portion provided in the connection element portion and corresponding to the break portion. The break portion corresponds to the connection element portion extending in a band shape. A method for producing a conductive mesh sheet, characterized in that a rectangular cutout is provided from both sides.
接続要素の線幅をwとし、接続要素間の破断部の長さをLとしたとき、
0.1 <L/w< 1
となることを特徴とする請求項1記載の導電性メッシュシートの製造方法。
When the line width of the connecting element is w and the length of the fractured portion between the connecting elements is L,
0.1 <L / w <1
The method for producing a conductive mesh sheet according to claim 1, wherein:
接続要素の線幅をwとし、各切欠きの内側へ向う深さをaとしたとき、
0.05 <a/w< 0.45
となることを特徴とする請求項1または2記載の導電性メッシュの製造方法。
When the line width of the connecting element is w and the depth toward the inside of each notch is a,
0.05 <a / w <0.45
The method for producing a conductive mesh according to claim 1, wherein:
透明基材上の導電性金属膜に対してレジストパターンを介してエッチングを施すことにより、接続要素と接続要素間の破断部とを有する導電性メッシュを形成する際用いられるレジストパターン作製用フォトマスクにおいて、
レジストパターンは接続要素に対応するとともに同一幅をもつ帯状に延びる接続要素部分と、接続要素部分に設けられ破断部に対応する破断部分とを有し、破断部分は帯状に延びる接続要素部分に対して両側から矩形状の切欠きを設けて形成され、
フォトマスクはレジストパターンの接続要素部分および破断部分に対応する開口が形成されたマスク部分を有することを特徴とするフォトマスク。
Photomask for producing a resist pattern used when forming a conductive mesh having a connecting element and a rupture between the connecting elements by etching the conductive metal film on the transparent substrate through the resist pattern In
The resist pattern has a connection element portion corresponding to the connection element and extending in a strip shape having the same width, and a break portion provided in the connection element portion and corresponding to the break portion. The break portion corresponds to the connection element portion extending in a band shape. Formed with rectangular cutouts from both sides,
The photomask has a mask portion in which openings corresponding to connection element portions and fracture portions of the resist pattern are formed.
透明基材上の導電性金属膜に対してレジストパターンを介してエッチングを施すことにより、接続要素と接続要素間の破断部とを有する導電性メッシュを形成する際用いられるレジストパターン作製用フォトマスクにおいて、
レジストパターンは接続要素に対応するとともに同一幅をもつ帯状に延びる接続要素部分と、接続要素部分に設けられ破断部に対応する破断部分とを有し、破断部分は帯状に延びる接続要素部分に対して両側から矩形状の切欠きを設けて形成され、
フォトマスクはレジストパターンの接続要素部分および破断部分に対応する形状をもつマスク部分を有することを特徴とするフォトマスク。
Photomask for producing a resist pattern used when forming a conductive mesh having a connecting element and a rupture between the connecting elements by etching the conductive metal film on the transparent substrate through the resist pattern In
The resist pattern has a connection element portion corresponding to the connection element and extending in a strip shape having the same width, and a break portion provided in the connection element portion and corresponding to the break portion. The break portion corresponds to the connection element portion extending in a band shape. Formed with rectangular cutouts from both sides,
A photomask comprising a mask portion having a shape corresponding to a connection element portion and a fracture portion of a resist pattern.
接続要素の線幅をwとし、接続要素間の破断部の長さをLとしたとき、
0.1 <L/w< 1
となることを特徴とする請求項4または5記載のフォトマスク。
When the line width of the connecting element is w and the length of the fractured portion between the connecting elements is L,
0.1 <L / w <1
The photomask according to claim 4 or 5, wherein:
接続要素の線幅をwとし、各切欠きの内側へ向う深さをaとしたとき、
0.05 <a/w< 0.45
となることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか記載のフォトマスク。
When the line width of the connecting element is w and the depth toward the inside of each notch is a,
0.05 <a / w <0.45
The photomask according to claim 4, wherein:
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