JP6418786B2 - パターンの作成方法、プログラムおよび情報処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、パターンの作成方法、プログラムおよび情報処理装置に関する。

リソグラフィ技術において、光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、マスクのパターンの像を基板（ウエハ等）に投影する投影光学系を有する露光装置が用いられている。

基板に形成すべき目標パターンの最小寸法が、露光に使用される光源の波長以下になると、マスクパターンの像を基板上に投影する際に、意図しない光の相互作用が隣接するパターン間に起きる。そのため、マスクの各パターンからの光が相互作用して干渉縞が発生し、目標のパターンと異なった形状の、意図しない像が基板上に形成される。目標パターンの最小寸法と光源の波長との差が大きくなるに従って、パターンの解像不良が起きやすくなる。

コンピュータを用いてマスクパターンを作成する方法として、多数のスタンダードセルを含むセルライブラリから複数のセルを選択して配置し、配置した複数セルのパターンに光近接効果補正を行う方法が知られている。光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）では、近接する各パターンからの光が相互作用してパターンの像の形成に及ぼす影響を考慮して、パターンの像が目標範囲に収まるようにパターンの構成要素である各パターン要素の形状を変更する補正を行う。セルライブラリには、マスクのパターンとして使用される基本的なパターンの構成であるセルが複数含まれており、複数のセルは互いに異なるパターンを有する。

しかし、使用する複数のセルを全て配置してマスクのパターンを作成した後に、マスクパターン全体（フルチップ）でＯＰＣを行うと、パターン要素の形状を変更するための計算がパターン要素の数の多さに応じて増えるため、ＯＰＣの計算量が非常に多いという問題があった。そのため、特許文献１では、各セルのパターンに予め個別にＯＰＣをかけてパターンの形状を補正し、ＯＰＣ済みの複数のセルを配置してマスクパターンを構成し、その後、マスクパターン全体に対して仕上げのＯＰＣをかけるという方法が提案されている。こうすることにより、マスクパターン全体のＯＰＣにおいて、各セルのパターンが既にＯＰＣを行われている分、一部のパターン要素について既にその像が目標範囲に収まっていればＯＰＣの必要がなくなり、補正すべきパターン要素の数が減り、結果としてＯＰＣの計算量を減らすことができる。

米国特許出願公開第２００９／０１００３９６号明細書

しかし、特許文献１に記載の方法でも、なお、マスクのパターン全体で行うＯＰＣ処理の計算量はまだ多く、計算量のさらなる低減が求められている。

そこで、本発明は、パターンの光近接効果補正に要する計算量を減らすことを目的とする。

上記課題を解決する本発明の一側面としての作成方法は、マスクのパターンを作成する作成方法において、複数のセルを含むセルライブラリからセルを選択する工程と、選択されたセル内に、選択されたセルの第１パターンとは異なる第２パターンを前記第１パターンに接するように追加して配置し、前記第１パターンと前記第２パターンを含むライン状のパターンを形成する配置工程と、前記第１パターンと前記第２パターンを含むライン状のパターンを含む前記選択されたセルのパターンに対して第１光近接効果補正を行う工程と、
前記第１光近接効果補正がなされた前記第１パターンと前記第２パターンを含むライン状のパターンを含む前記選択されたセルとその他のセルが近接して配置された複数のセルのパターンに対して第２光近接効果補正を行う工程と、前記第２光近接効果補正がなされた前記複数のセルのパターンを含むマスクのパターンを作成する作成工程とを情報処理装置が行い、作成されたマスクのパターンにおける前記第１パターンと前記第２パターンを含むライン状のパターンは、基板上に形成された１方向に延びるラインパターン上に解像され、解像された前記第１パターンと前記第２パターンを含むライン状のパターンによって前記ラインパターンをカットするためのパターンであり、前記配置工程において、前記基板上に形成された前記カットされたラインパターンを含むデバイスの作動に影響を及ぼさない位置に前記第２パターンを配置することを特徴とする。

本発明によれば、パターンの光近接効果補正に要する計算量を減らすことができる。

マスクパターンの作成方法のフローチャートを示す図である。 スタンダードセル１０、１２を模式的に表わした図である。 スタンダードセル１０、１２を隣接して配置した図である。 スタンダードセル１０、１２に第２パターンを追加して配置したセル２０、２２を示す図である。 セル２０、２２にＯＰＣを施して得られたセル２０´、２２´を示す図である。 セル２０´、２２´を隣接して配置した図である。 １次元レイアウトを用いたリソグラフィ技術を説明するための図である。

以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。

（実施形態１）
本実施形態は、半導体デバイスを作製するためのリソグラフィ技術に関し、マスクを照明する照明光学系とマスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系とにより基板を露光する露光装置に用いられるマスクのパターンのデータ作成に関する。

当該マスクのパターンのデータ作成は、コンピュータの処理部（ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＤＳＰ、ＦＰＧＡ等）がプログラムを読み出して実行され、コンピュータがパターンのデータを用いて計算することにより行われる。本実施形態の機能を実現するソフトウェアやプログラムはネットワーク又は各種記憶媒体を介して１つ又は複数のコンピュータよりなる情報処理装置に供給される。その情報処理装置の処理部が、記録媒体または記憶媒体に記録または記憶されたプログラムを読み出すことにより、プログラムが実行される。離れた位置にある複数のコンピュータが有線又は無線通信で互いにデータを送受信することにより、プログラムの各種処理を行っても良い。情報処理装置の処理部は、後述する各ステップを実行する各手段を構成する。

情報処理装置（コンピュータ）は、多数のセルを含むセルライブラリから複数のセルを選択し、選択された複数のセルを配置してマスクパターンのレイアウト（チップレイアウト）を決定して、配置されたセルのパターンに対して光近接効果補正を行う。これにより、基板（ウエハなど）上に形成すべき目標パターンに対応するマスクのパターンを作成する。

まず、コンピュータは、複数のセルを含むセルライブラリから選択されたセルのデータを取得する。そして、選択されたセルの第１パターンに第２パターンを追加して配置する。次に、第１パターンと第２パターンを含むパターンに対して光近接効果補正を行う。次に、光近接効果補正がなされた第１パターンと第２パターンのセルを含む複数のセルのパターンを用いてマスクのパターンを作成する。作成されたマスクのパターンに対して更に光近接効果補正を行う。

以下、コンピュータが行うマスクパターンの作成方法をより詳細に説明する。図１に、コンピュータが行うマスクパターンの作成方法のフローチャートを示す。

ステップＳ１０２では、コンピュータの処理部が、複数種類のスタンダードセルを含むセルライブラリから、マスクのパターンの作成に使用するためのセルを選択し、選択されたセルのパターンのデータを取得する。当該データは、ユーザーによる入力装置からの指示に基づいて、セルライブラリから選択したセルのパターンデータを取得してもよいし、コンピュータが自動的に選択したセルのパターンのデータでもよい。セルライブラリは、コンピュータの記憶部（メモリ）に記憶されており、セルのデータは、セルライブラリが記憶されている記憶部から読み出すことにより取得される。セルは、マスクのパターンとして使用される基本的なパターンを構成する。通常、セルライブラリには、回路パターンとして標準的に使用されるスタンダードセルが数十から数百種類含まれているが、以下では、説明を簡単にするために、セルライブラリから２種類のスタンダードセルを選択した場合に関して説明する。

図２（Ａ）、（Ｂ）はロジックデバイスに使われるスタンダードセル１０、１２を模式的に表わした図である。スタンダードセル１０には、複数配置された四角形の図形（パターン要素）を含むカットパターン１６Ａ（第１パターン）がある。スタンダードセル１２にも、同様に、複数配置された四角形の図形（パターン要素）を含むカットパターン１６Ｂ（第１パターン）がある。第１パターンは右斜め線で示される。スタンダードセル１０の第１パターン１６Ａとスタンダードセル１２の第１パターン１６Ｂは、パターン要素の形状が同じで配置が互いに異なっている。ただし、パターン要素の形状は互いに異なっていてもよい。なお、カットパターンは、１方向に延びるパターンで構成されるレイアウトにおけるカット用のパターンである。

１方向に延びるパターンで構成されるレイアウト（１次元（１Ｄ）レイアウトとも呼ぶ）を用いたリソグラフィ技術（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を図７を用いて説明する。この１Ｄレイアウトにより、縦方向にも横方向にも延びるＬ字パターンなどの複雑な形状のパターン要素を用いずにマスクパターンを構成することができるので、マスクパターンの解像不良を低減することができる。ここで、パターン要素はパターンを構成する要素であって、独立した１つの図形とする。図７は、ハーフピッチが２２ｎｍ世代のＳＲＡＭのゲートセルのリソグラフィプロセスで形成されるパターンを示している。まず、ステップ１において、露光装置を用いて、４４ｎｍハーフピッチのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターン５０１を基板上に形成する。次に、ステップ２において、基板に形成したパターン５０１を直接又は下地を加工した後、全面に等方的に成膜し、異方性エッチングを施して、パターン５０１の側壁（輪郭）に膜を残し２２ｎｍハーフピッチのＬ／Ｓ５０２のハードマスクを形成する。ステップ２は、いわゆる、サイドウォールを用いたダブルパターニング技術を用いている。次に、ステップ３において、Ｌ／Ｓ５０２上にレジストを塗布し、Ｌ／Ｓ５０２をカットするためのホールパターン５０３の像をレジストに露光してレジストを現像する。次に、ステップ４において、再度異方性エッチングすることにより、ホールパターン５０３でＬ／Ｓ５０２のラインをカットして、１方向に延びたパターンのみで構成されるゲートセルパターン５０４のハードマスクが形成される。

ロジックデバイスのパターンについても同様に１Ｄレイアウトを適用することができる。ＳＲＡＭのゲートセルやロジックデバイスについて、ラインパターンをカットするためのカットパターンには複数の種類がある。

図２（Ａ）、（Ｂ）には、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターン１８Ａ、１８Ｂが参考に示されている。Ｌ／Ｓパターン１８Ａ、１８Ｂは、カットパターンよりも前の工程において基板（ウエハ等）上に形成され、カットパターンによりカットされる。また、Ｌ／Ｓパターン１８Ａ、１８ｂの各ラインと同様の形状の電源ライン２０Ａ、２０Ｂとグラウンドライン２２Ａ、２２Ｂが示されている。

Ｌ／Ｓパターンと電源ラインとグラウンドラインは、１方向に延びるラインが周期的に配列された周期パターンであり、１次元レイアウトに使用される。ただし、Ｌ／Ｓパターン、電源ラインとグラウンドラインは便宜的に図示してあるだけであり、スタンダードセル１０とスタンダードセル１２には含まれていない。Ｌ／Ｓパターン１８Ａ、１８Ｂは、カットパターンに重なっている部分で切断されるが、電源ラインとグラウンドラインはカットしないで使用するため、カットパターンにより切断されない。なお、点線１４Ａ、１４Ｂはセルの範囲（外枠）を示す境界線である。図３に示すように、マスクパターンのレイアウト作成の際に、スタンダードセル１０とスタンダードセル１２が隣接して配置されると、セルの境界線が互いに重なる。また、スタンダードセル１０のカットパターンとスタンダードセル１２のカットパターンが境界線上で重なることもある。

次に、ステップＳ１０４で、スタンダードセル１０とスタンダードセル１２のそれぞれに、第１パターンとは異なるパターン（第２パターン）を追加して配置する。スタンダードセル１０に第２パターンが追加されて出来たセル２０と、スタンダードセル１２に第２パターンが追加されて出来たセル２２を図４Ａ、Ｂに示す。追加された第２パターンは内部が左斜め線で示される。スタンダードセル１０には第２パターン２４Ａが追加されてセル２０となり、スタンダードセル１２には第２パターン２４Ｂが追加されてセル２２となる。第２パターンの大きさは第１パターンと同じで、四角形状の孤立パターンとした。第２パターンの追加配置は、第１パターンに対する光近接効果を補正する目的とは別に行われる。第２パターンおよび第１パターンに対するＯＰＣは後述のＳ１０６で行われる。

第２パターン２４Ａ、２４Ｂはともに、Ｌ／Ｓパターン１８Ａ、１８Ｂが延びる方向に対して垂直な方向に延びる境界線上に配置されている。左右の境界線のそれぞれにおいて、カットパターン１６Ａ、Ｂの位置以外に第２パターン２４Ａ、２４Ｂを配置することにより、カットパターン１６Ａ、Ｂと第２パターン２４Ａ、２４Ｂは一列のライン状のパターン（図形）を形成する。

１Ｄレイアウトでは、ラインパターン１８Ａ、Ｂをカットするために必要なカットパターンを用いている。そのため、従来、スタンダードセル１０とスタンダードセル１２には、カットパターン１６Ａ、Ｂ（第１パターン）しか無い。本実施形態では、カットパターン１６Ａ、Ｂ（第１パターン）以外にも、本来必要のないダミーの第２パターンを追加する点が従来技術と異なる。第２パターンが配置されている場所では、既に基板上に形成されているラインパターン１８Ａ、Ｂを本来カットする必要がないが、第２パターンが基板上で解像すると、そのラインパターンが第２パターンによりカットされてしまう。しかし、マスクのパターンのレイアウト作成の際に、隣接セルの境界線付近ではラインパターン同士が繋がっている必要がなく、セルの境界線上の場所においてラインパターンがカットされても問題ない。つまり、その場所におけるラインパターンは、基板上に製造されるデバイスの作動上において影響を及ぼさない。本実施形態では、セルの境界線の位置でラインパターン１８Ａ、Ｂの全てがカットされる。

次に、ステップＳ１０６で、第１パターンと、追加して配置された第２パターンとを含む各セルに対して個別に光近接効果補正（ＯＰＣ）の処理を行う。ＯＰＣでは、近接する各パターンからの光が相互作用してパターンの像の形成に及ぼす影響（光近接効果（ＯＰＥ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｅｆｆｅｃｔ））を考慮して、パターンの像が目標範囲に収まるように各パターン要素（図形）の形状を変更する補正を行う。ＯＰＣはルールベースＯＰＣでもモデルベースＯＰＣでも良く、公知の補正方法が適用できる。図５Ａ、Ｂにセル２０、セル２２に対してＯＰＣをかけた後のセル２０´、２２´を示す。カットパターン１６Ａ、Ｂ、および、第２パターン２４Ａ、Ｂの形状が補正されて、それぞれカットパターン１６Ａ´、Ｂ´、第２パターン２４Ａ´、Ｂ´となっている。特許文献１では、セルごとに予めＯＰＣをかけているが、カット工程に必要なパターン（第１パターン）のみに対してＯＰＣをしており、本実施形態の第２パターンを追加配置しておらず、第２パターンと第１パターンの光近接効果が考慮されていない。

なお、ＯＰＣはセル毎に行ったが、マスクパターンの作成の際に組み合わせて使用される一組のセルがあれば、一組の複数セル同士が及ぼす光近接効果を考慮して一組のセルに対してＯＰＣを行っても良い。また、セルの境界線上にあるパターンのＯＰＣ後の形状は、セルの配置で隣り合わせになる可能性のあるセル同士で同じ形状にしておくことが望ましい。なぜならば、セル境界線上にあるパターンはセル配置後に隣り合うセル同士で重なって配置される。そのため、形状が異なるとセル配置前後で、セル内部（境界線よりも内側）のパターンと境界線上のパターンとの間の光近接効果が変化してしまう。一般的にはセル境界線上のパターンは全てのセルで同一形状とし、境界線を対称軸として線対称であることが便利である。そのため、Ｓ１０６において、複数のセルのそれぞれの境界線にあるパターンが互いに同じ形状となるように、第１パターンと第２パターンを含むパターンに対して光近接効果補正を行う。そうすれば、どのセルが隣り合ってもセル境界線上のパターンは同じになり、セル境界線上のパターン形状を特別に管理しなくても済む。

次に、ステップＳ１０８で、ＯＰＣ済みのセル２０´、２２´を含む複数のセルを、製造するデバイスチップの回路設計に基づいて並べて配置して、マスクパターンのレイアウト（チップレイアウト）を作成する。図６に、セル２０´、２２´を境界線で隣接して配置した図を示す。なお、実際のマスクのレイアウトには、多数のセルが上下左右に結合して配置されるが、説明簡略化のため、この図では省略されている。セル２０´の右側の境界線上のパターン形状と、セル２２´の左側の境界線上のパターン形状とは一致しているので、ちょうど重なったパターンとなっている。

次に、ステップＳ１１０で、マスクのパターンとして配置された複数のセルのパターンに対してＯＰＣ（フルチップレベルのＯＰＣ）を行う。このとき、既に各セルには個別にＯＰＣがかけられていることと、セルの境界線に追加された第２パターンが配置されていることにより、従来技術と比較して、Ｓ１１０で行うマスクのパターンのＯＰＣのための計算処理量が少なくて済む。各セルのパターンが既に個別にＯＰＣがされている分、フルチップレベルのＯＰＣで、一部のパターン要素について既にその投影像が目標範囲に収まっていれば補正を施す必要がなくなるので、補正をすべきパターン要素の数や、パターン要素の形状の部分的に変更する箇所の数が減る。したがって、マスクのパターンのＯＰＣにかかる計算時間を短縮することができる。

セル境界線上に第２パターンが配置されていることにより、Ｓ１１０でのＯＰＣによる補正量が減る理由を以下に説明する。図６のようにセル２０´、２２´が隣接して配置されたマスクのレイアウトにおいて、セル２０´の第１パターンは、他のパターンによる光近接効果を受ける。つまり、セル２０´の第１パターンは、セル２０´内の第１パターン同士による光近接効果、セル２０´に追加された第２パターンによる光近接効果、および、セル２２´のパターンによる光近接効果の影響を受ける。セル２０´内の第１パターンおよび第２パターンからの光近接効果は、Ｓ１０６におけるセル２０単体でのＯＰＣによって補正済みなので、Ｓ１１０でのＯＰＣは主にセル２２´のパターンからの光近接効果の補正を行うことになる。セル２０´内に第２パターンがあることによって、第１パターンに対する光近接効果の絶対的な量は増えるが、その結果、第２パターンに対して相対的に遠くにあるセル２２´のパターンからの光近接効果の量は相対的に減ることになる。光近接効果の影響は一般にパターン間の距離が遠いほど小さくなるからである。このように、相対的に遠くにあるセル２２´のパターンからの近接効果の影響を減らし、相対的に近くにあるセル２０´自身の第２パターンからの近接効果の影響が大きく、支配的になることによって、Ｓ１１０でのＯＰＣによるセル２０´のパターンの形状を変更すべき量や、形状を変更すべきパターン要素の数や部分的に変更する箇所の数が減る。Ｓ１１０でのＯＰＣによるセル２２´のパターンも同様である。

次に、ステップＳ１１２で、Ｓ１１０でＯＰＣがされたパターンを含むパターンを最終的にマスクのパターンとして作成する。なお、作成されるマスクのパターンにはアライメントマークパターンなど、上記ステップで作成されていない他のパターンが含まれても構わない。

以上により、本実施形態によれば、Ｓ１１０で行うマスクのパターンの光近接効果補正に要する計算量を減らすことができる。

本実施形態では、セルの境界線上のパターン形状は、図４に示したように、上下対称かつ左右対称なひと固まりの連続したパターンであったが、対称性は崩れても構わず、また、不連続な複数のパターンであっても構わない。また、セルの境界線上のパターンの形状は一つのセルライブラリ内で統一されている必要は必ずしもなく、隣り合わされる可能性のあるセル同士においてなるべく同じ形状であることが望まれるにすぎない。また、セルに追加して配置する第２パターンは、セルの境界線上に限らず、ラインパターンのうち、カット工程を経て製造されるデバイスの作動上問題のないライン上に対応する任意の位置に配置されても構わない。例えば、デバイスの作動上問題のないライン上で、セルの境界線より少し内側の位置や、セルの第１パターンに対して解像性を向上させるような位置に配置してもよい。また、露光処理において、第２パターンの像が基板上で解像して基板上に形成されることを説明したが、第２パターンは解像しなくても構わず、第１パターンの解像を補助する解像しない補助パターンとして機能してもよい。

また、本実施形態では、セルライブラリから選択されるセルのパターンは、１方向に延びるパターンで構成されるレイアウトにおけるカット用のパターンとしたが、これに限らない。例えば、ラインパターン間を接続するためのホールパターンなど他のパターンにも適用することができる。

また、本実施形態では光近接効果補正において、マスクを照明する照明光学系の瞳面における光強度分布（照明形状）を考慮しても構わない。例えば、照明形状を変更しながらパターンの形状も変更してパターンの像を計算して評価することによって、最適なパターンと照明形状を決定することができる。

（実施形態２）
本実施形態においては、セルライブラリを構成するセルのパターンを作成する。実施形態１では、Ｓ１０６において、第２パターンが追加されたセルのパターンに対してＯＰＣを行った。本実施形態でも、実施形態１と同様にＳ１０２、Ｓ１０４、Ｓ１０６を行って、ＯＰＣ済みのセルのパターンを作成する。ただし、Ｓ１０８以降は行わずに、Ｓ１０６でＯＰＣが施されたセルを、新たなセルとしてセルライブライリに登録して、新しいセルライブラリを作成する。セルのパターンを作成する方法は、実施形態１と同様に、コンピュータがプログラムを実行することにより行われる。

作成された新たなセルライブラリは、別途、マスクのパターンを作成するためのアプリケーション（ソフトウェア）に登録されて、マスクパターンを作成する際に利用される。例えば、マスクのパターンを作成するためのアプリケーション（ソフトウェア）を用いて、本実施形態の作成方法によって作成されて、新たなセルライブラリに登録されたセルのパターンをそのセルライブライリから選択する。選択された複数のセルを並べて配置することでマスクのレイアウトを作成し、ＯＰＣをかける。つまり、Ｓ１０６以前のステップと、Ｓ１０８以降のステップとを別々のアプリケーションで実行することができる。

（実施形態３）
上述の実施形態で作成されたマスクパターンは、マスク製造装置（描画装置）に入力されるデータの形式に合わせてデータ変換され、そのデータがマスク製造装置に入力される。そして、マスク製造装置は、その入力データに基づき、マスクブランクスにパターンを描画してマスクを製造する。

製造されたマスクは露光装置に搬入される。露光装置は、設定された露光条件（照明形状、露光量、ステージ移動速度など）で、製造されたマスクを照明して、ウエハ上の感光剤（レジスト）にマスクのパターンの像を投影して感光剤を露光する。

次に、前述の露光方法を利用したデバイス（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子等）の製造方法を説明する。デバイスは、前述の露光方法を使用して、感光剤が塗布された基板（ウェハ、ガラス基板等）を露光する工程と、その基板（感光剤）を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。なお、デバイス製造方法においては、図７に示すように、１Ｄレイアウトを用いたリソグラフィ技術を適用することができる。本デバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。

また、上述の実施形態では、露光装置に用いられるマスクのパターンの作成に関して説明したが、これに限らず、電子線露光装置で基板に描画するためのパターン（制御データ）の作成にも適用できる。電子線露光装置は、パターンデータに基づいて電子線の描画位置を制御して、基板上にパターンを露光する。上述のパターン作成方法における光近接効果補正としては、電子線露光装置においては、電子線を露光した位置以外にも、形成されるパターンに影響を及ぼす光近接効果の補正がある。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

Claims (10)

1. マスクのパターンを作成する作成方法において、
   複数のセルを含むセルライブラリからセルを選択する工程と、
   選択されたセル内に、選択されたセルの第１パターンとは異なる第２パターンを前記第１パターンに接するように追加して配置し、前記第１パターンと前記第２パターンを含むライン状のパターンを形成する配置工程と、
   前記第１パターンと前記第２パターンを含むライン状のパターンを含む前記選択されたセルのパターンに対して第１光近接効果補正を行う工程と、
   前記第１光近接効果補正がなされた前記第１パターンと前記第２パターンを含むライン状のパターンを含む前記選択されたセルとその他のセルが近接して配置された複数のセルのパターンに対して第２光近接効果補正を行う工程と、
   前記第２光近接効果補正がなされた前記複数のセルのパターンを含むマスクのパターンを作成する作成工程とを情報処理装置が行い、
   作成されたマスクのパターンにおける前記第１パターンと前記第２パターンを含むライン状のパターンは、基板上に形成された１方向に延びるラインパターン上に解像され、解像された前記第１パターンと前記第２パターンを含むライン状のパターンによって前記ラインパターンをカットするためのパターンであり、
   前記配置工程において、前記基板上に形成された前記カットされたラインパターンを含むデバイスの作動に影響を及ぼさない位置に前記第２パターンを配置する
   ことを特徴とする作成方法。
2. 前記配置工程において、前記境界線に沿った方向に前記第２パターンを並べて配置することを特徴とする請求項１に記載の作成方法。
3. 前記第１パターンが互いに異なる複数のセルについて、前記配置工程及び前記第１光近接効果補正の工程を行って、前記光近接効果補正がなされた前記第１パターンと前記第２パターンを含む前記複数のセルを作成し、
   前記第１光近接効果補正の工程において、前記複数のセルのそれぞれの境界線にあるパターンが互いに同じ形状となるように、前記第１パターンと前記第２パターンを含むパターンに対して光近接効果補正を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の作成方法。
4. 前記配置工程において、セルの範囲を示す境界線のうち前記ラインパターンに対して垂直な方向の境界線に前記第２パターンを並べて配置することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の作成方法。
5. 請求項１乃至４の何れか１項に記載の作成方法を用いてマスクパターンのデータを作成する工程と、作成されたマスクパターンのデータを用いて前記マスクを製造する工程とを有するマスク製造方法。
6. 請求項５に記載のマスク製造方法を用いてマスクを製造する工程と、
   製造されたマスクを用いて基板を露光する工程とを有することを特徴とする露光方法。
7. 請求項６に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
   露光された基板を現像する工程とを有し、現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
8. 請求項１乃至４の何れか１項に記載の作成方法を情報処理装置に実行させるためのプログラム。
9. 請求項１乃至４の何れか１項に記載の作成方法を実行する情報処理装置。
10. 請求項１乃至４の何れか１項に記載の作成方法を用いて、電子線露光装置で用いられるパターンのデータを作成する工程と、
    該作成されたパターンのデータを用いて、前記電子線露光装置により基板を露光する工程とを有することを特徴とする露光方法。

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