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JP6437438B2 - Composition for forming electroless plating base film - Google Patents
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Description

本発明は、無電解めっき下地膜形成用組成物、無電解めっき下地膜、及びめっき積層体に関する。   The present invention relates to a composition for forming an electroless plating base film, an electroless plating base film, and a plating laminate.

導電性高分子は、電解コンデンサや電子機器のバックアップ用電池、携帯電話やノート型パソコンに使用されているリチウムイオン電池の電極等に使用されている。
例えば導電性高分子の一種であるポリアニリンは、その電気的な特性に加え、安価なアニリンから比較的簡便に合成でき、かつ導電性を示す状態で酸素等に対して優れた安定性を示すという利点及び特性を有する。また、特許文献1に記載の方法によって簡便に、かつ高導電のポリアニリンを得ることができる。
さらに、導電性高分子には還元力を有するものも多く、この特性を活かしてポリカーボネート(PC)やポリエチレンテレフタレート(PET)等の各種基材の無電解めっきの下地膜として注目されている(特許文献2〜8)。
Conductive polymers are used for electrolytic capacitors, backup batteries for electronic devices, electrodes for lithium ion batteries used in mobile phones and notebook computers, and the like.
For example, polyaniline, which is a kind of conductive polymer, can be synthesized relatively easily from inexpensive aniline in addition to its electrical characteristics, and exhibits excellent stability against oxygen and the like in a state of conductivity. Has advantages and characteristics. In addition, a highly conductive polyaniline can be easily obtained by the method described in Patent Document 1.
In addition, many conductive polymers have a reducing power, and by taking advantage of this property, they are attracting attention as base films for electroless plating of various substrates such as polycarbonate (PC) and polyethylene terephthalate (PET) (patents) Literature 2-8).

しかしながら、ポリアニリン複合体単独から成る無電解めっき下地膜はポリカーボネートやポリアミド、ポリイミド等の基材との密着性が十分ではなかった。また、無電解めっき下地膜を電子部品に組み込む際には、耐熱性や熱衝撃試験に耐えることが望まれる。   However, the electroless plating base film made of the polyaniline composite alone has not been sufficiently adhered to a substrate such as polycarbonate, polyamide, or polyimide. In addition, when the electroless plating base film is incorporated in an electronic component, it is desired to withstand heat resistance and a thermal shock test.

国際公開第2005/052058号パンフレットInternational Publication No. 2005/052058 Pamphlet 特開2007−270180号公報JP 2007-270180 A 特開2008−163371号公報JP 2008-163371 A 特開2011−208174号公報JP 2011-208174 A 特開2011−168814号公報JP 2011-168814 A 特開2011−168813号公報JP 2011-168813 A 特開2011−74407号公報JP 2011-74407 A 特開2010−95776号公報JP 2010-95776 A

本発明の目的は、優れた成形加工性、めっき析出性を有する無電解めっき下地膜形成用の組成物を提供することである。   An object of the present invention is to provide a composition for forming an electroless plating base film having excellent moldability and plating deposition properties.

本発明によれば、以下の無電解めっき下地膜形成用組成物、無電解めっき下地膜、及びめっき積層体が提供される。
1.導電性ポリマー、ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂を含み、
前記エポキシ樹脂の配合量が、導電性ポリマー、ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂の合計に対し、0.2重量%〜30重量%である無電解めっき下地膜形成用組成物。
2.さらにポリビニルアセタール樹脂を含む1記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
3.前記ポリビニルアセタール樹脂が、ポリビニルブチラールである2記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
4.前記エポキシ樹脂のガラス転移温度が60℃〜110℃である1〜3のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
5.前記エポキシ樹脂が、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選ばれる1種以上である1〜4のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
6.前記導電性ポリマーが置換又は無置換のポリアニリンがドーパントによってドープされたポリアニリン複合体である1〜5のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
7.前記ドーパントが下記式(III)で表されるスルホコハク酸誘導体である6記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。

Figure 0006437438
(式(III)中、Mは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。m’は、Mの価数である。R13及びR14は、それぞれ炭化水素基又は−(R15O)−R16基である。R15は、それぞれ炭化水素基又はシリレン基であり、R16は水素原子、炭化水素基又はR17 Si−基であり、rは1以上の整数である。R17は、それぞれ炭化水素基である。)
8.前記ドーパントがジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウムである6又は7記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
9.前記ウレタン樹脂が、2種以上のウレタン樹脂である1〜8のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
10.前記ウレタン樹脂が、MAUシリーズ、ASPUシリーズ、ハイドランシリーズ、ユーコートシリーズ、アクリットシリーズ及びPTG−RSNからなる群から選ばれる少なくとも2種のウレタン樹脂である1〜9のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
11.さらに溶剤を含む1〜10のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
12.1〜11のいずれか記載の無電解めっき下地形成用組成物から得られる無電解めっき下地膜。
13.金属を含む無電解めっき層と、
12記載の無電解めっき下地膜と、
基板とを含み、前記無電解めっき層の面と前記無電解めっき下地膜の面が接しているめっき積層体。
14.前記金属が銅である13記載のめっき積層体。
15.前記基板が樹脂である13又は14記載のめっき積層体。
16.前記基板がポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、又はポリフェニレンサルファイド樹脂である13〜15のいずれか記載のめっき積層体。
17.1〜11のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物を用いる無電解めっき下地膜の製造方法。
18.基板上に、1〜11のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物を用いて無電解めっき下地膜を形成する工程、及び
前記無電解めっき下地膜上に、金属を含む無電解めっき層を形成する工程を含む
無電解めっき積層体の製造方法。
19.前記無電解めっき下地膜にパラジウムを担持させ、その後、無電解めっき液に接触させることにより無電解めっき層を形成する18記載の無電解めっき積層体の製造方法。
20.前記無電解めっき下地膜に塩化パラジウム溶液を接触させることによりパラジウムを担持させる19記載の無電解めっき積層体の製造方法。
21.前記無電解めっき液がCu、Ni、Au、Pd、Ag、Sn、Co及びPtから選択される1以上の金属を含む19又は20記載の無電解めっき積層体の製造方法。
22.13〜16のいずれかに記載のめっき積層体を用いた電子回路。
23.13〜16のいずれかに記載のめっき積層体を用いたコネクタ。
24.13〜16のいずれかに記載のめっき積層体を用いたコイル。According to the present invention, the following electroless plating base film forming composition, electroless plating base film, and plating laminate are provided.
1. Including conductive polymer, urethane resin and epoxy resin,
The composition for electroless plating base film formation whose compounding quantity of the said epoxy resin is 0.2 weight%-30 weight% with respect to the sum total of a conductive polymer, a urethane resin, and an epoxy resin.
2. The composition for forming an electroless plating base film according to 1, further comprising a polyvinyl acetal resin.
3. The composition for forming an electroless plating base film according to 2, wherein the polyvinyl acetal resin is polyvinyl butyral.
4). The composition for forming an electroless plating base film according to any one of 1 to 3, wherein the epoxy resin has a glass transition temperature of 60C to 110C.
5. The composition for forming an electroless plating base film according to any one of 1 to 4, wherein the epoxy resin is at least one selected from the group consisting of a dicyclopentadiene type epoxy resin, a bisphenol type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin.
6). The composition for forming an electroless plating base film according to any one of 1 to 5, wherein the conductive polymer is a polyaniline composite in which substituted or unsubstituted polyaniline is doped with a dopant.
7). The composition for forming an electroless plating base film according to 6, wherein the dopant is a sulfosuccinic acid derivative represented by the following formula (III).
Figure 0006437438
(In formula (III), M is a hydrogen atom, an organic free radical or an inorganic free radical. M ′ is a valence of M. R 13 and R 14 are a hydrocarbon group or — (R 15 , respectively). O) r— R 16 group, wherein R 15 is a hydrocarbon group or a silylene group, R 16 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group or an R 17 3 Si— group, and r is an integer of 1 or more. R 17 is each a hydrocarbon group.)
8). The composition for forming an electroless plating base film according to 6 or 7, wherein the dopant is sodium di-2-ethylhexyl sulfosuccinate.
9. The composition for forming an electroless plating base film according to any one of 1 to 8, wherein the urethane resin is two or more kinds of urethane resins.
10. The electroless plating according to any one of 1 to 9, wherein the urethane resin is at least two types of urethane resins selected from the group consisting of MAU series, ASPU series, hydran series, U-coat series, Acryt series and PTG-RSN. Composition for forming a base film.
11. Furthermore, the composition for electroless plating base film formation in any one of 1-10 containing a solvent.
12. An electroless plating base film obtained from the electroless plating base forming composition according to any one of 12.1 to 11.
13. An electroless plating layer containing metal;
Electroless plating base film according to 12,
A plating laminate comprising a substrate, wherein the surface of the electroless plating layer is in contact with the surface of the electroless plating base film.
14 The plating laminate according to 13, wherein the metal is copper.
15. The plating laminate according to 13 or 14, wherein the substrate is a resin.
16. The plating laminate according to any one of 13 to 15, wherein the substrate is a polycarbonate resin, a polyester resin, a polyimide resin, or a polyphenylene sulfide resin.
The manufacturing method of the electroless-plating base film using the composition for electroless-plating base film formation in any one of 17.1-11.
18. The process of forming an electroless-plating base film using the composition for electroless-plating base film formation in any one of 1-11 on a board | substrate, and the electroless plating containing a metal on the said electroless-plating base film The manufacturing method of the electroless-plating laminated body including the process of forming a layer.
19. 19. The method for producing an electroless plating laminate according to 18, wherein palladium is supported on the electroless plating base film, and thereafter an electroless plating layer is formed by contacting with an electroless plating solution.
20. 20. The method for producing an electroless plating laminate according to 19, wherein palladium is supported by bringing a palladium chloride solution into contact with the electroless plating base film.
21. The method for producing an electroless plating laminate according to 19 or 20, wherein the electroless plating solution contains one or more metals selected from Cu, Ni, Au, Pd, Ag, Sn, Co, and Pt.
The electronic circuit using the plating laminated body in any one of 22.13-16.
The connector using the plating laminated body in any one of 23.13-16.
Coil using the plating laminated body in any one of 24.13-16.

本発明によれば、優れた成形加工性、めっき析出性を有する無電解めっき下地膜形成用の組成物が提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the composition for electroless-plating base film formation which has the outstanding moldability and plating precipitation property can be provided.

本発明のめっき積層体の一実施形態の層構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the layer structure of one Embodiment of the plating laminated body of this invention.

[無電解めっき下地膜形成用組成物]
本発明の無電解めっき下地膜形成用組成物は、導電性ポリマー、ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂を含み、前記エポキシ樹脂の配合量が、導電性ポリマー、ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂の合計に対し、0.2重量%〜30重量%である。
また、本発明の無電解めっき下地膜形成用組成物は、任意に溶剤を含むことができる。
無電解めっきとは、電気分解を行わず、還元剤を用いる自己触媒作用を有する金属のめっき方法であり、例えば無電解銅めっきの場合、溶液中の銅イオンを、ホルムアルデヒド等の還元剤を用いて還元して金属銅被膜を析出させ、析出した金属銅が自己触媒となってさらに銅イオンを金属化し、析出させる化学的プロセスである。
本発明の組成物は無電解めっき層の下地層の形成に用いる。
[Composition for forming electroless plating base film]
The composition for forming an electroless plating base film of the present invention includes a conductive polymer, a urethane resin, and an epoxy resin, and the blending amount of the epoxy resin is 0. 0 with respect to the total of the conductive polymer, the urethane resin, and the epoxy resin. 2% to 30% by weight.
Moreover, the composition for electroless plating base film formation of this invention can contain a solvent arbitrarily.
Electroless plating is a metal plating method that does not perform electrolysis and has a self-catalytic action using a reducing agent. For example, in the case of electroless copper plating, a copper ion in a solution is used by using a reducing agent such as formaldehyde. This is a chemical process in which a metallic copper film is deposited by reduction, and the deposited metallic copper becomes an autocatalyst to further metallize and deposit copper ions.
The composition of the present invention is used to form an underlayer for an electroless plating layer.

本発明の組成物は、ウレタン樹脂を含むことにより基材やめっき層との密着性が高まり、さらに所定量のエポキシ樹脂を混合することで、成形加工性及びめっき析出性を向上させることができる。   The composition of the present invention increases the adhesion to the base material and the plating layer by including a urethane resin, and further improves the molding processability and plating deposition by mixing a predetermined amount of epoxy resin. .

本発明の組成物は、溶剤を除いて、例えば、90%重量以上、95重量%以上、98重量%以上、又は100重量%が、導電性ポリマー、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂及び任意にポリビニルアセタール樹脂、耐熱安定化剤からなってもよい。   The composition of the present invention, excluding the solvent, is, for example, 90% or more, 95% or more, 98% or more, or 100% by weight of conductive polymer, urethane resin, epoxy resin and optionally polyvinyl acetal resin. The heat stabilizer may be used.

[無電解めっき下地膜形成用組成物の製造方法]
本発明の無電解めっき下地膜形成用組成物の各成分を混合することで、無電解めっき下地膜形成用組成物を得ることができる。
[Method for producing composition for forming electroless plating base film]
By mixing each component of the composition for forming an electroless plating base film of the present invention, a composition for forming an electroless plating base film can be obtained.

[導電性ポリマー]
導電性ポリマーの例としては、π共役ポリマーがドーパントによってドープされているπ共役ポリマー複合体が挙げられ、具体的には、置換又は無置換のポリアニリンがドーパントによってドープされているポリアニリン複合体、置換又は無置換のポリピロールがドーパントによってドープされているポリピロール複合体、並びに置換又は無置換のポリチオフェンがドーパントによってドープされているポリチオフェン複合体が挙げられ、置換又は無置換のポリアニリンがドーパントによってドープされているポリアニリン複合体が好ましい。
[Conductive polymer]
Examples of conductive polymers include π-conjugated polymer composites in which a π-conjugated polymer is doped with a dopant, specifically, polyaniline composites in which substituted or unsubstituted polyaniline is doped with a dopant, substituted Or a polypyrrole complex in which an unsubstituted polypyrrole is doped with a dopant, and a polythiophene complex in which a substituted or unsubstituted polythiophene is doped with a dopant, and a substituted or unsubstituted polyaniline is doped with a dopant A polyaniline complex is preferred.

ポリアニリンの重量平均分子量(以下、分子量という)は、好ましくは20,000以上である。分子量は、好ましくは20,000〜500,000であり、より好ましくは20,000〜300,000であり、さらに好ましくは20,000〜200,000である。ここで、上記の重量平均分子量はポリアニリン複合体の分子量ではなく、ポリアニリンの分子量である。   The weight average molecular weight of polyaniline (hereinafter referred to as molecular weight) is preferably 20,000 or more. Molecular weight becomes like this. Preferably it is 20,000-500,000, More preferably, it is 20,000-300,000, More preferably, it is 20,000-200,000. Here, the above weight average molecular weight is not the molecular weight of the polyaniline complex but the molecular weight of polyaniline.

分子量分布は、好ましくは1.5以上10.0以下である。導電率の観点からは分子量分布は小さい方が好ましいが、溶剤への溶解性の観点では、分子量分布が広い方が好ましい場合もある。
分子量と分子量分布は、ゲルパーミェションクロマトグラフィ(GPC)によりポリスチレン換算で測定する。
The molecular weight distribution is preferably 1.5 or more and 10.0 or less. A smaller molecular weight distribution is preferable from the viewpoint of electrical conductivity, but a wider molecular weight distribution may be preferable from the viewpoint of solubility in a solvent.
The molecular weight and molecular weight distribution are measured in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).

置換ポリアニリンの置換基としては、例えばメチル基、エチル基、ヘキシル基、オクチル基等の直鎖又は分岐の炭化水素基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基等のアリールオキシ基;トリフルオロメチル基(−CF基)等のハロゲン化炭化水素が挙げられる。
ポリアニリンは、汎用性及び経済性の観点から無置換のポリアニリンが好ましい。
Examples of the substituent of the substituted polyaniline include linear or branched hydrocarbon groups such as methyl group, ethyl group, hexyl group and octyl group; alkoxy groups such as methoxy group and ethoxy group; aryloxy groups such as phenoxy group; Halogenated hydrocarbons such as a fluoromethyl group (—CF 3 group) are exemplified.
The polyaniline is preferably unsubstituted polyaniline from the viewpoints of versatility and economy.

置換もしくは無置換のポリアニリンは、好ましくは塩素原子を含まない酸の存在下で重合して得られるポリアニリンである。塩素原子を含まない酸とは、例えば1族〜16族及び18族に属する原子からなる酸である。具体的には、リン酸が挙げられる。塩素原子を含まない酸の存在下で重合して得られるポリアニリンとして、リン酸の存在下で重合して得られるポリアニリンが挙げられる。
塩素原子を含まない酸の存在下で得られたポリアニリンは、ポリアニリン複合体の塩素含有量をより低くすることができる。
The substituted or unsubstituted polyaniline is preferably a polyaniline obtained by polymerization in the presence of an acid containing no chlorine atom. The acid containing no chlorine atom is, for example, an acid composed of atoms belonging to Group 1 to Group 16 and Group 18. Specific examples include phosphoric acid. Examples of the polyaniline obtained by polymerization in the presence of an acid not containing a chlorine atom include polyaniline obtained by polymerization in the presence of phosphoric acid.
The polyaniline obtained in the presence of an acid containing no chlorine atom can lower the chlorine content of the polyaniline complex.

ポリアニリン複合体の塩素含有量は、好ましくは0.6重量%以下であり、より好ましくは0.1重量%以下であり、さらに好ましくは0.04重量%以下であり、最も好ましくは0.0001重量%以下である。
上記塩素含有量は、燃焼−イオンクロマト法によって測定する。
The chlorine content of the polyaniline complex is preferably 0.6% by weight or less, more preferably 0.1% by weight or less, still more preferably 0.04% by weight or less, and most preferably 0.0001%. % By weight or less.
The chlorine content is measured by combustion-ion chromatography.

ポリアニリン複合体のドーパントとしては、例えばブレンステッド酸又はブレンステッド酸の塩から生じるブレンステッド酸イオンが挙げられ、好ましくは有機酸又は有機酸の塩から生じる有機酸イオンであり、さらに好ましくは下記式(I)で示される化合物(プロトン供与体)から生じる有機酸イオンである。
尚、本発明において、ドーパントが特定の酸であると表現する場合、及びドーパントが特定の塩であると表現する場合があるが、いずれも特定の酸又は特定の塩から生じる特定の酸イオンが、上述したπ共役ポリマーにドープするものとする。
Examples of the dopant of the polyaniline complex include Bronsted acid ions generated from Bronsted acid or Bronsted acid salts, preferably organic acid ions generated from organic acids or salts of organic acids, and more preferably the following formula: It is an organic acid ion generated from the compound (proton donor) represented by (I).
In the present invention, when the dopant is expressed as a specific acid, and when the dopant is expressed as a specific salt, the specific acid ion generated from the specific acid or the specific salt may be used. The above-mentioned π-conjugated polymer is doped.

M(XARn)m (I)
式(I)のMは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。
上記有機遊離基としては、例えば、ピリジニウム基、イミダゾリウム基、アニリニウム基が挙げられる。また、上記無機遊離基としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、アンモニウム、カルシウム、マグネシウム、鉄が挙げられる。
式(I)のXは、アニオン基であり、例えば−SO 基、−PO 2−基、−PO(OH)基、−OPO 2−基、−OPO(OH)基、−COO基が挙げられ、好ましくは−SO 基である。
M (XARn) m (I)
M in the formula (I) is a hydrogen atom, an organic radical or an inorganic radical.
Examples of the organic free radical include a pyridinium group, an imidazolium group, and an anilinium group. Examples of the inorganic free radical include lithium, sodium, potassium, cesium, ammonium, calcium, magnesium, and iron.
X in the formula (I) is an anionic group, for example, —SO 3 group, —PO 3 2 — group, —PO 4 (OH) 2 , —OPO 3 2 — group, —OPO 2 (OH) —. group, -COO - group, and preferably -SO 3 - is a group.

式(I)のAは(M(XARn)mのAの定義は)、置換又は無置換の炭化水素基である。
上記炭化水素基は、鎖状もしくは環状の飽和脂肪族炭化水素基、鎖状もしくは環状の不飽和脂肪族炭化水素基、又は芳香族炭化水素基である。
A in formula (I) (the definition of A in M (XARn) m) is a substituted or unsubstituted hydrocarbon group.
The hydrocarbon group is a chain or cyclic saturated aliphatic hydrocarbon group, a chain or cyclic unsaturated aliphatic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group.

鎖状の飽和脂肪族炭化水素基としては、直鎖もしくは分岐状のアルキル基が挙げられる。
環状の飽和脂肪族炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。環状の飽和脂肪族炭化水素基は、複数の環状の飽和脂肪族炭化水素基が縮合していてもよい。例えば、ノルボルニル基、アダマンチル基、縮合したアダマンチル基が挙げられる。
Examples of the chain saturated aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched alkyl group.
Examples of the cyclic saturated aliphatic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. The cyclic saturated aliphatic hydrocarbon group may be a condensation of a plurality of cyclic saturated aliphatic hydrocarbon groups. Examples thereof include a norbornyl group, an adamantyl group, and a condensed adamantyl group.

芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基が挙げられる。鎖状の不飽和脂肪族炭化水素としては、直鎖もしくは分岐状のアルケニル基が挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group. Examples of the chain unsaturated aliphatic hydrocarbon include linear or branched alkenyl groups.

ここで、Aが置換の炭化水素基である場合の置換基は、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アリル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シリル基又はエステル基である。   Here, when A is a substituted hydrocarbon group, the substituent is alkyl group, cycloalkyl group, vinyl group, allyl group, aryl group, alkoxy group, halogen group, hydroxy group, amino group, imino group, nitro group. Group, silyl group or ester group.

式(I)のRは、Aと結合しており、それぞれ、−H、−R、−OR、−COR、−COOR、−(C=O)−(COR)、又は−(C=O)−(COOR)で表わされる置換基あり、Rは、置換基を含んでもよい炭化水素基、シリル基、アルキルシリル基、−(RO)x−R基、又は−(OSiR )x−ORである。Rはそれぞれアルキレン基、Rはそれぞれ炭化水素基であり、xは1以上の整数である。R in formula (I) is bonded to A, and each represents —H, —R 1 , —OR 1 , —COR 1 , —COOR 1 , — (C═O) — (COR 1 ), or — There is a substituent represented by (C═O) — (COOR 1 ), and R 1 is a hydrocarbon group that may contain a substituent, a silyl group, an alkylsilyl group, — (R 2 O) x—R 3 group, Or-(OSiR 3 2 ) x -OR 3 . R 2 is an alkylene group, R 3 is a hydrocarbon group, and x is an integer of 1 or more.

の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、直鎖もしくは分岐のブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、エイコサニル基等が挙げられる。また、上記炭化水素基の置換基は、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アリル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、ニトロ基又はエステル基である。Rの炭化水素基もRと同様である。Examples of the hydrocarbon group for R 1 include a methyl group, an ethyl group, a linear or branched butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, a dodecyl group, a pentadecyl group, and an eicosanyl group. Is mentioned. The substituent of the hydrocarbon group is an alkyl group, a cycloalkyl group, a vinyl group, an allyl group, an aryl group, an alkoxy group, a halogen group, a hydroxy group, an amino group, an imino group, a nitro group, or an ester group. The hydrocarbon group for R 3 is the same as R 1 .

のアルキレン基としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。
式(I)のnは1以上の整数であり、式(I)のmは、Mの価数/Xの価数である。
Examples of the alkylene group for R 2 include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group.
N in the formula (I) is an integer of 1 or more, and m in the formula (I) is a valence of M / a valence of X.

式(I)で示される化合物としては、ジアルキルベンゼンスルフォン酸、ジアルキルナフタレンスルフォン酸、又はエステル結合を2以上含有する化合物が好ましい。
上記エステル結合を2以上含有する化合物は、スルホフタール酸エステル、又は下記式(II)で表される化合物がより好ましい。

Figure 0006437438
式(II)中、M及びXは、式(I)と同様である。Xは、−SO 基が好ましい。
、R及びRは、それぞれ水素原子、炭化水素基又はR Si−基である。ここで、3つのRはそれぞれ炭化水素基である。
、R及びRが炭化水素基である場合の炭化水素基としては、炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、芳香環を含むアリール基、アルキルアリール基等が挙げられる。
の炭化水素基としては、R、R及びRの場合と同様である。As the compound represented by the formula (I), dialkylbenzenesulfonic acid, dialkylnaphthalenesulfonic acid, or a compound containing two or more ester bonds is preferable.
The compound containing two or more ester bonds is more preferably a sulfophthalic acid ester or a compound represented by the following formula (II).
Figure 0006437438
In formula (II), M and X are the same as in formula (I). X is preferably a —SO 3 group.
R 4 , R 5 and R 6 are each a hydrogen atom, a hydrocarbon group or an R 9 3 Si— group. Here, each of three R 9 is a hydrocarbon group.
Examples of the hydrocarbon group when R 4 , R 5 and R 6 are hydrocarbon groups include linear or branched alkyl groups having 1 to 24 carbon atoms, aryl groups containing aromatic rings, and alkylaryl groups. It is done.
The hydrocarbon group for R 9 is the same as in the case of R 4 , R 5 and R 6 .

式(II)のR及びRは、それぞれ、炭化水素基又は−(R10O)−R11基である。R10は炭化水素基又はシリレン基であり、R11は水素原子、炭化水素基又はR12 Si−であり、qは1以上の整数である。3つのR12は、それぞれ炭化水素基である。R 7 and R 8 in the formula (II) are each a hydrocarbon group or a — (R 10 O) q —R 11 group. R 10 is a hydrocarbon group or a silylene group, R 11 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group or R 12 3 Si—, and q is an integer of 1 or more. Three R < 12 > is a hydrocarbon group, respectively.

及びRが炭化水素基である場合の炭化水素基としては、炭素数1〜24、好ましくは炭素数4以上の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、芳香環を含むアリール基、アルキルアリール基等が挙げられ、R及びRが炭化水素基である場合の炭化水素基の具体例としては、例えば、直鎖又は分岐状のブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。When R 7 and R 8 are hydrocarbon groups, the hydrocarbon group is a linear or branched alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, preferably 4 or more carbon atoms, an aryl group containing an aromatic ring, or an alkylaryl. Specific examples of the hydrocarbon group when R 7 and R 8 are hydrocarbon groups include, for example, a linear or branched butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, decyl group Etc.

及びRにおける、R10が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、例えば炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐状のアルキレン基、芳香環を含むアリーレン基、アルキルアリーレン基、アリールアルキレン基である。また、R及びRにおける、R11及びR12が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、R、R及びRの場合と同様であり、qは、1〜10であることが好ましい。Examples of the hydrocarbon group when R 10 in R 7 and R 8 is a hydrocarbon group include a linear or branched alkylene group having 1 to 24 carbon atoms, an arylene group containing an aromatic ring, an alkylarylene group, An arylalkylene group. In addition, the hydrocarbon group in the case where R 11 and R 12 in R 7 and R 8 are hydrocarbon groups is the same as in the case of R 4 , R 5 and R 6 , and q is 1 to 10 Preferably there is.

及びRが−(R10O)−R11基である場合の式(II)で表わされる化合物の具体例としては、下記式で表わされる2つの化合物である。

Figure 0006437438
(式中、Xは式(I)と同様である。)Specific examples of the compound represented by the formula (II) when R 7 and R 8 are — (R 10 O) q —R 11 group include two compounds represented by the following formulas.
Figure 0006437438
(Wherein X is the same as in formula (I).)

上記式(II)で表わされる化合物は、下記式(III)で示されるスルホコハク酸誘導体であることがさらに好ましい。

Figure 0006437438
式(III)中、Mは、式(I)と同様である。m’は、Mの価数である。
13及びR14は、それぞれ、炭化水素基又は−(R15O)−R16基である。R15はそれぞれ炭化水素基又はシリレン基であり、R16は水素原子、炭化水素基又はR17 Si−基であり、rは1以上の整数である。3つのR17はそれぞれ炭化水素基である。The compound represented by the above formula (II) is more preferably a sulfosuccinic acid derivative represented by the following formula (III).
Figure 0006437438
In formula (III), M is the same as in formula (I). m ′ is the valence of M.
R 13 and R 14 are each a hydrocarbon group or a — (R 15 O) r —R 16 group. R 15 is a hydrocarbon group or a silylene group, R 16 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group or an R 17 3 Si— group, and r is an integer of 1 or more. Each of the three R 17 is a hydrocarbon group.

13及びR14が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、R及びRと同様である。
13及びR14において、R15が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、上記R10と同様である。また、R13及びR14において、R16及びR17が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、上記R、R及びRと同様である。
rは、1〜10であることが好ましい。
The hydrocarbon group when R 13 and R 14 are hydrocarbon groups is the same as R 7 and R 8 .
In R 13 and R 14 , the hydrocarbon group when R 15 is a hydrocarbon group is the same as R 10 described above. In R 13 and R 14 , the hydrocarbon group in the case where R 16 and R 17 are hydrocarbon groups is the same as R 4 , R 5 and R 6 described above.
r is preferably from 1 to 10.

13及びR14が−(R15O)−R16基である場合の具体例としては、R及びRにおける−(R10O)−R11と同様である。
13及びR14の炭化水素基としては、R及びRと同様であり、ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、デシル基が好ましい。
Specific examples in the case where R 13 and R 14 are — (R 15 O) r —R 16 groups are the same as those for — (R 10 O) q —R 11 in R 7 and R 8 .
The hydrocarbon group for R 13 and R 14 is the same as R 7 and R 8 and is preferably a butyl group, a hexyl group, a 2-ethylhexyl group, or a decyl group.

式(I)で示される化合物としては、ジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸、ジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウム(エーロゾルOT)が好ましい。   As the compound represented by the formula (I), di-2-ethylhexylsulfosuccinic acid and sodium di-2-ethylhexylsulfosuccinate (aerosol OT) are preferable.

ポリアニリン複合体のドーパントが、置換又は無置換のポリアニリンにドープしていることは、紫外・可視・近赤外分光法やX線光電子分光法によって確認することができ、当該ドーパントは、ポリアニリンにキャリアを発生させるに十分な酸性を有していれば、特に化学構造上の制限なく使用できる。   It can be confirmed that the dopant of the polyaniline complex is doped to the substituted or unsubstituted polyaniline by ultraviolet / visible / near-infrared spectroscopy or X-ray photoelectron spectroscopy. As long as it has sufficient acidity to generate odor, it can be used without any restriction on the chemical structure.

ポリアニリンに対するドーパントのドープ率は、好ましくは0.35以上0.65以下であり、より好ましくは0.42以上0.60以下であり、さらに好ましくは0.43以上0.57以下であり、特に好ましくは0.44以上0.55以下である。
尚、ドープ率は(ポリアニリンにドープしているドーパントのモル数)/(ポリアニリンのモノマーユニットのモル数)で定義される。例えば無置換ポリアニリンとドーパントを含むポリアニリン複合体のドープ率が0.5であることは、ポリアニリンのモノマーユニット分子2個に対し、ドーパントが1個ドープしていることを意味する。
The dopant doping ratio with respect to polyaniline is preferably 0.35 or more and 0.65 or less, more preferably 0.42 or more and 0.60 or less, and further preferably 0.43 or more and 0.57 or less. Preferably they are 0.44 or more and 0.55 or less.
The doping rate is defined by (number of moles of dopant doped in polyaniline) / (number of moles of monomer unit of polyaniline). For example, a doping ratio of a polyaniline complex containing unsubstituted polyaniline and a dopant of 0.5 means that one dopant is doped with respect to two monomer unit molecules of polyaniline.

尚、ドープ率は、ポリアニリン複合体中のドーパントとポリアニリンのモノマーユニットのモル数が測定できれば算出可能である。例えば、ドーパントが有機スルホン酸の場合、ドーパント由来の硫黄原子のモル数と、ポリアニリンのモノマーユニット由来の窒素原子のモル数を、有機元素分析法により定量し、これらの値の比を取ることでドープ率を算出できる。但し、ドープ率の算出方法は、当該手段に限定されない。   The dope rate can be calculated if the number of moles of the dopant and the polyaniline monomer unit in the polyaniline complex can be measured. For example, when the dopant is an organic sulfonic acid, the number of moles of sulfur atoms derived from the dopant and the number of moles of nitrogen atoms derived from the monomer unit of polyaniline are quantified by organic elemental analysis, and the ratio of these values is calculated. The doping rate can be calculated. However, the calculation method of the dope rate is not limited to the means.

ポリアニリン複合体は、さらにリンを含んでも含まなくてもよい。
ポリアニリン複合体がリンを含む場合、リンの含有量は例えば10重量ppm以上5000重量ppm以下である。
上記リンの含有量は、ICP発光分光分析法で測定することができる。
また、ポリアニリン複合体は、不純物として第12族元素(例えば亜鉛)を含まないことが好ましい。
The polyaniline complex may or may not further contain phosphorus.
When the polyaniline complex contains phosphorus, the phosphorus content is, for example, not less than 10 ppm by weight and not more than 5000 ppm by weight.
The phosphorus content can be measured by ICP emission spectrometry.
Moreover, it is preferable that a polyaniline composite does not contain a Group 12 element (for example, zinc) as an impurity.

ポリアニリン複合体は、周知の製造方法で製造することができる。例えば、プロトン供与体、リン酸、及びプロトン供与体とは異なる乳化剤を含み、2つの液相を有する溶液中で、置換又は無置換のアニリンを化学酸化重合することにより製造できる。また、置換又は無置換のアニリン、プロトン供与体、リン酸、及びプロトン供与体とは異なる乳化剤を含み、2つの液相を有する溶液中に、酸化重合剤を加えることにより製造できる。   The polyaniline complex can be produced by a known production method. For example, it can be produced by chemical oxidative polymerization of a substituted or unsubstituted aniline in a solution containing a proton donor, phosphoric acid, and an emulsifier different from the proton donor and having two liquid phases. Moreover, it can manufacture by adding an oxidation polymerization agent in the solution which contains the emulsifier different from a substituted or unsubstituted aniline, a proton donor, phosphoric acid, and a proton donor, and has two liquid phases.

ここで「2つの液相を有する溶液」とは、溶液中に相溶しない2つの液相が存在する状態を意味する。例えば、溶液中に「高極性溶媒の相」と「低極性溶媒の相」が存在する状態、を意味する。
また、「2つの液相を有する溶液」は、片方の液相が連続相であり、他方の液相が分散相である状態も含む。例えば「高極性溶媒の相」が連続相であり「低極性溶媒の相」が分散相である状態、及び「低極性溶媒の相」が連続相であり「高極性溶媒の相」が分散相である状態が含まれる。
上記ポリアニリン複合体の製造方法に用いる高極性溶媒としては、水が好ましく、低極性溶媒としては、例えばトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素が好ましい。
Here, the “solution having two liquid phases” means a state in which two liquid phases that are incompatible with each other exist in the solution. For example, it means a state in which a “high polarity solvent phase” and a “low polarity solvent phase” exist in the solution.
Further, “a solution having two liquid phases” includes a state in which one liquid phase is a continuous phase and the other liquid phase is a dispersed phase. For example, a state where the “high polarity solvent phase” is a continuous phase and the “low polarity solvent phase” is a dispersed phase, and the “low polarity solvent phase” is a continuous phase and the “high polarity solvent phase” is a dispersed phase. Is included.
As a highly polar solvent used for the manufacturing method of the said polyaniline composite_body | complex, water is preferable and aromatic hydrocarbons, such as toluene and xylene, are preferable as a low polarity solvent, for example.

上記プロトン供与体は、好ましくは上記式(I)で表わされる化合物である。   The proton donor is preferably a compound represented by the above formula (I).

上記乳化剤は、親水性部分がイオン性であるイオン性乳化剤、及び親水性部分が非イオン性である非イオン性乳化剤のどちらでも使用でき、また、1種又は2種以上の乳化剤を混合して使用してもよい。   The emulsifier can be either an ionic emulsifier whose hydrophilic part is ionic or a nonionic emulsifier whose non-ionic hydrophilic part is used, or a mixture of one or more emulsifiers. May be used.

化学酸化重合に用いる酸化剤としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、過酸化水素のような過酸化物;二クロム酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、硫酸カリウム鉄(III)、三塩化鉄(III)、二酸化マンガン、ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、あるいはパラトルエンスルホン酸鉄等が使用でき、好ましくは過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩である。
これら酸化剤は単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。
Oxidizing agents used for chemical oxidative polymerization include peroxides such as sodium persulfate, potassium persulfate, ammonium persulfate, hydrogen peroxide; ammonium dichromate, ammonium perchlorate, potassium iron (III) sulfate, trichloride Iron (III), manganese dioxide, iodic acid, potassium permanganate, iron paratoluenesulfonate, etc. can be used, and persulfates such as ammonium persulfate are preferred.
These oxidizing agents may be used alone or in combination of two or more.

ポリピロールの分子量、分子量分布、置換ポリピロールの置換基は上記ポリアニリンと同様である。   The molecular weight of polypyrrole, the molecular weight distribution, and the substituent of the substituted polypyrrole are the same as those of the above polyaniline.

ポリピロール複合体のドーパントとしては、特に制限はなく、一般的にピロール及び/又はピロール誘導体の重合体を含んでなる導電性ポリマーに好適に用いられるアクセプター性ドーパントを適宜使用できる。
代表的なものとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、アントラキノンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、スルホサリチル酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アリルスルホン酸等のスルホン酸類、過塩素酸、塩素、臭素等のハロゲン類、ルイス酸、プロトン酸等がある。これらは、酸形態であってよいし、塩形態にあることもできる。モノマーに対する溶解性の観点から好ましいものは、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、トリフルオロメタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、トリフルオロスルホンイミドテトラブチルアンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等である。
There is no restriction | limiting in particular as a dopant of a polypyrrole composite_body | complex, The acceptor type dopant used suitably for the conductive polymer which generally contains the polymer of a pyrrole and / or a pyrrole derivative can be used suitably.
Typical examples include polystyrene sulfonic acid, paratoluene sulfonic acid, methane sulfonic acid, trifluoromethane sulfonic acid, anthraquinone sulfonic acid, benzene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, sulfosalicylic acid, dodecyl benzene sulfonic acid, allyl sulfonic acid. Sulfonic acids such as perchloric acid, halogens such as chlorine and bromine, Lewis acids, proton acids and the like. These may be in the acid form or in the salt form. Preferred from the viewpoint of solubility in monomers, tetrabutylammonium perchlorate, tetraethylammonium perchlorate, tetrabutylammonium tetrafluoroborate, tetrabutylammonium trifluoromethanesulfonate, tetrabutylammonium trifluorosulfonimide, dodecylbenzene Examples thereof include sulfonic acid and p-toluenesulfonic acid.

ドーパントを使用する場合のドーパントの使用量は、ピロール重合体単位ユニット当たりドーパント0.01〜0.3分子となる量が好ましい。0.01分子未満では、十分な導電性パスを形成するに必要なドーパント量としては不十分であり、高い導電性を得ることが難しい。一方、0.3分子超加えてもドープ率は向上しないから、0.3分子超のドーパントの添加は経済上好ましくない。ここでピロール重合体単位ユニットとは、ピロールモノマーが重合して得られるピロール重合体のモノマー1分子に対応する繰返し部分のことを指す。   When the dopant is used, the dopant is preferably used in an amount of 0.01 to 0.3 molecule of dopant per pyrrole polymer unit unit. If it is less than 0.01 molecule, the amount of dopant necessary to form a sufficient conductive path is insufficient, and it is difficult to obtain high conductivity. On the other hand, addition of more than 0.3 molecules does not improve the doping rate, so the addition of more than 0.3 molecules of dopant is economically undesirable. Here, the pyrrole polymer unit unit refers to a repeating portion corresponding to one molecule of a pyrrole polymer monomer obtained by polymerizing a pyrrole monomer.

ポリチオフェンの分子量、分子量分布、置換ポリチオフェンの置換基は上記ポリアニリンと同様である。置換ポリチオフェンとしては、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)が好ましい。   The molecular weight of polythiophene, the molecular weight distribution, and the substituent of the substituted polythiophene are the same as those of the polyaniline. As the substituted polythiophene, polyethylenedioxythiophene (PEDOT) is preferable.

ポリチオフェン複合体のドーパントとしては、アニオン系界面活性剤の有機酸イオン、無機酸イオンが挙げられる。アニオン系界面活性剤の有機酸イオンとしては、スルホン酸系イオン、エステル化された硫酸イオン等が挙げられる。無機酸イオンとしては、硫酸イオン、ハロゲンイオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、ヘキサシアノ鉄酸イオン、リン酸イオン、リンモリブデン酸イオン等が挙げられる。   Examples of the dopant of the polythiophene complex include organic acid ions and inorganic acid ions of an anionic surfactant. Examples of the organic acid ions of the anionic surfactant include sulfonic acid ions and esterified sulfate ions. Examples of inorganic acid ions include sulfate ions, halogen ions, nitrate ions, perchlorate ions, hexacyanoferrate ions, phosphate ions, and phosphomolybdate ions.

塗膜中の導電性ポリマーの含有量、即ち、組成物中の導電性ポリマー、ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂の合計に対する導電性ポリマーの割合は、31重量%〜80重量%が好ましく、より好ましくは40重量%〜70重量%、さらに好ましくは50重量%〜60重量%である。
導電性ポリマーの割合が30重量%以下と低くなるとめっきの析出性が悪化するおそれがある。
The content of the conductive polymer in the coating film, that is, the ratio of the conductive polymer to the total of the conductive polymer, urethane resin and epoxy resin in the composition is preferably 31% by weight to 80% by weight, more preferably 40%. % By weight to 70% by weight, more preferably 50% by weight to 60% by weight.
If the ratio of the conductive polymer is as low as 30% by weight or less, the deposition property of the plating may be deteriorated.

[ウレタン樹脂]
ウレタン樹脂としては、例えば、ポリイソシアネートとポリオールを反応させて得られるもの等を用いることができる。
[Urethane resin]
As the urethane resin, for example, those obtained by reacting polyisocyanate and polyol can be used.

ポリイソシアネートとしては、少なくとも2つ以上のイソシアネート基を有する化合物であれば、特に限定されず公知のものを使用することができる。
具体的には、例えば、TDI(トリレンジイソシアネート)系、MDI(ジフェニルメタンジイソシアネート)系、XDI(キシリレンジイソシアネート)系、NDI(ナフチレン1,5−ジイソシアネート)系、TMXDI(テトラメチレンキシリレンジイソシアネート)系等の芳香族系イソシアネート、IPDI(イソホロンジイソシアネート)系、H12MDI(水添MDI、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート)系、H6XDI(水添XDI)系等の脂環族系イソシアネート、HDI(ヘキサメチレンジイソシアネート)系、DDI(ダイマー酸ジイソシアネート)系、NBDI(ノルボルネン・ジイソシアネート)系等の脂肪族系イソシアネート等がある。これらは1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
The polyisocyanate is not particularly limited as long as it is a compound having at least two isocyanate groups, and known ones can be used.
Specifically, for example, TDI (tolylene diisocyanate), MDI (diphenylmethane diisocyanate), XDI (xylylene diisocyanate), NDI (naphthylene 1,5-diisocyanate), TMXDI (tetramethylene xylylene diisocyanate) Aromatic isocyanate such as IPDI (isophorone diisocyanate), H12MDI (hydrogenated MDI, dicyclohexylmethane diisocyanate), H6XDI (hydrogenated XDI), and the like, HDI (hexamethylene diisocyanate), DDI There are aliphatic isocyanates such as (dimer acid diisocyanate) and NBDI (norbornene diisocyanate). These may be used alone or in combination of two or more.

また、ポリオールとしては、ポリオキシエチレングリコール、ポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシテトラメチレングリコール等のポリエーテルポリオール類、ポリエチレンアジペート、ポリエチレン−ブチレンアジペート、ポリカプロラクトン等のポリエステルポリオール類、アクリル系ポリオール、ポリカーボネート系ポリオール、ポリジメチルシロキサン−エチレンオキサイド付加物、ポリジメチルシロキサン−プロピレンオキサイド付加物、ひまし油等を挙げることができる。これらは1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。   Polyols include polyether polyols such as polyoxyethylene glycol, polyoxypropylene glycol, and polyoxytetramethylene glycol, polyester polyols such as polyethylene adipate, polyethylene-butylene adipate, and polycaprolactone, acrylic polyols, and polycarbonates. Examples thereof include polyols, polydimethylsiloxane-ethylene oxide adducts, polydimethylsiloxane-propylene oxide adducts, and castor oil. These may be used alone or in combination of two or more.

ウレタン樹脂は柔らかく延伸性があるため、ポリアニリンと混合してもポリアニリンが有する延伸追随性を損ねることはない。
組成物中の導電性ポリマー、ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂の合計に対するウレタン樹脂の割合は10重量%〜68.8重量%が好ましく、より好ましくは20重量%〜65重量%であり、さらに好ましくは25重量%〜60重量%であり、最も好ましくは30重量%〜50重量%である。
含有量が少なすぎると、基材への密着性が発現せず容易に剥離してしまうおそれがある。また、多すぎるとポリアニリンの割合が低下するため、めっきの析出性が悪化するおそれがある。
Since the urethane resin is soft and stretchable, even if it is mixed with polyaniline, the stretch following property of polyaniline is not impaired.
The ratio of the urethane resin to the total of the conductive polymer, urethane resin and epoxy resin in the composition is preferably 10% by weight to 68.8% by weight, more preferably 20% by weight to 65% by weight, and even more preferably 25%. % By weight to 60% by weight, most preferably 30% by weight to 50% by weight.
When there is too little content, there exists a possibility that the adhesiveness to a base material may not express but it may peel easily. Moreover, since the ratio of polyaniline will fall when there is too much, there exists a possibility that the precipitation of plating may deteriorate.

ウレタン樹脂としては、具体的に、MAU1008、MAU4308HV、MAU5022、MAU9022等のMAUシリーズ(大日精化工業株式会社製)、ASPU360、ASPU112、ASPU116、ASPU121等のASPUシリーズ(DIC株式会社製)、ハイドランAP−20、AP−30F、AP−40F、WLS−213等のハイドランシリーズ(DIC社製)、ユーコートUX−150、UX−200、UX−310、UWS−145等のユーコートシリーズ(三洋化成社製)、アクリットWBR−2018、WBR−016U、WEM−3008等のアクリットシリーズ(大成ファインケミカル社製)、PTG−RSN(DICグラフィックス社製)等が挙げられる。   Specific examples of urethane resins include MAU series such as MAU1008, MAU4308HV, MAU5022, and MAU9022 (manufactured by Dainichi Seika Kogyo Co., Ltd.), ASPU series such as ASPU360, ASPU112, ASPU116, and ASPU121 (manufactured by DIC Corporation), Hydran AP. -20, AP-30F, AP-40F, WLS-213 and other hydran series (made by DIC), Ucourt UX-150, UX-200, UX-310, UWS-145 and other eucoat series (manufactured by Sanyo Kasei) ), Acrit series (manufactured by Taisei Fine Chemical Co., Ltd.), PTG-RSN (manufactured by DIC Graphics), and the like.

MAUシリーズは、アミノ基やカルボキシル基等の極性基を導入でき、各種バインダ―との相溶性や接着性を向上することができる。反応性基を有することで、硬化後も柔軟な塗膜形成が可能である。
ASPUシリーズは、溶剤系であり、耐候性、摩耗性、屈曲性向上とともに、反応性基を有することで柔軟かつ強靭な膜を作製することができる。
ハイドランシリーズは、水系であり、種々の溶剤に溶解させて、ASPUシリーズと同等の性能を有することができる。
アクリットシリーズは、反応性基を有していないウレタンエマルジョンである。水系塗料に使用することができる。
The MAU series can introduce polar groups such as amino groups and carboxyl groups, and can improve compatibility and adhesiveness with various binders. By having a reactive group, a flexible coating film can be formed even after curing.
The ASPU series is a solvent system, and it is possible to produce a flexible and tough film by having a reactive group as well as weather resistance, wear resistance and flexibility.
The hydran series is aqueous and can be dissolved in various solvents to have the same performance as the ASPU series.
The Acryt series is a urethane emulsion that has no reactive groups. Can be used for water-based paints.

ウレタン樹脂は、通常、下記式で表される構造を有する。

Figure 0006437438
式中、R及びXは、それぞれウレタン樹脂を合成する際のモノマーに由来する、置換もしくは無置換の2価の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の2価の脂肪族炭化水素基、又は1以上の置換もしくは無置換の2価の芳香族炭化水素基と1以上の置換もしくは無置換の2価の脂肪族炭化水素基とを任意の順で結合した2価の基である。
2価の芳香族炭化水素基としては、環形成炭素数6〜50の芳香族炭化水素基等が挙げられる。具体的には、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。
2価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数6〜50の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数6〜50の分岐状脂肪族炭化水素基等が挙げられる。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。
1以上の2価の芳香族炭化水素基と1以上の2価の脂肪族炭化水素基とを任意の順で結合した2価の基としては、フェニレン基とメチレン基が結合した基、ナフチレン基とエチレン基が結合した基等が挙げられる。
置換基を有する場合の置換基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基等が挙げられる。The urethane resin usually has a structure represented by the following formula.
Figure 0006437438
In the formula, R and X are each a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted divalent aliphatic hydrocarbon group derived from a monomer for the synthesis of a urethane resin, or A divalent group in which one or more substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon groups and one or more substituted or unsubstituted divalent aliphatic hydrocarbon groups are bonded in any order.
Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group include an aromatic hydrocarbon group having 6 to 50 ring carbon atoms. Specific examples include a phenylene group and a naphthylene group.
Examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group include a linear aliphatic hydrocarbon group having 6 to 50 carbon atoms and a branched aliphatic hydrocarbon group having 6 to 50 carbon atoms. Specific examples include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group.
As the divalent group in which one or more divalent aromatic hydrocarbon groups and one or more divalent aliphatic hydrocarbon groups are bonded in any order, a group in which a phenylene group and a methylene group are bonded, a naphthylene group And a group in which an ethylene group is bonded.
Examples of the substituent in the case of having a substituent include a hydroxyl group, a carboxyl group, a nitro group, a cyano group, and an amino group.

ウレタン樹脂は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。2種以上のウレタン樹脂を用いることが好ましい。
2種以上のウレタン樹脂を用いることにより、加工性に富んだ塗膜を作製することができる。
A urethane resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. It is preferable to use two or more types of urethane resins.
By using two or more kinds of urethane resins, it is possible to produce a coating film rich in processability.

具体的には、ウレタン樹脂は、MAUシリーズ、ASPUシリーズ、ハイドランシリーズ、ユーコートシリーズ、アクリットシリーズ及びPTG−RSNからなる群から選ばれる2種を用いることが好ましい。   Specifically, it is preferable to use two types of urethane resins selected from the group consisting of MAU series, ASPU series, hydran series, Ucourt series, Acryt series, and PTG-RSN.

[エポキシ樹脂]
エポキシ樹脂は、架橋性化合物であり、樹脂内にあるエポキシ基により架橋反応させ、硬化させることができる。
また、所定量のエポキシ樹脂は、優れた成形加工性及びめっき析出性を、無電解めっき下地膜形成用組成物に付与する。
[Epoxy resin]
The epoxy resin is a crosslinkable compound, and can be cured by crosslinking reaction with an epoxy group in the resin.
Moreover, the predetermined amount of epoxy resin imparts excellent moldability and plating depositability to the composition for forming an electroless plating base film.

エポキシ樹脂はフェノール型エポキシ樹脂やフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、及びナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。   Examples of the epoxy resin include phenol type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. Among these, dicyclopentadiene type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin and naphthalene type epoxy resin are preferable.

ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂として、例えば、DIC社製のHP4710やHP7200HH、HP7200H、HP7200等が挙げられる。また、ナフタレン型エポキシ樹脂として、例えば、DIC社製のHP4710等が挙げられる。   Examples of the dicyclopentadiene type epoxy resin include HP4710, HP7200HH, HP7200H, and HP7200 manufactured by DIC. Moreover, as a naphthalene type epoxy resin, HP4710 made from DIC, etc. are mentioned, for example.

前記エポキシ樹脂のガラス転移温度は、60℃〜110℃であることが好ましく、70℃〜105℃であることがより好ましく、75℃〜100℃であることがさらに好ましい。
エポキシ樹脂を含有する無電解めっき下地膜形成用組成物を用いて下地膜を形成する場合において、エポキシ樹脂のガラス転移温度が上記範囲であることにより、下地膜の耐熱性及び耐熱衝撃性を向上させることができる。
The glass transition temperature of the epoxy resin is preferably 60 ° C to 110 ° C, more preferably 70 ° C to 105 ° C, and further preferably 75 ° C to 100 ° C.
When forming a base film using an electroless plating base film forming composition containing an epoxy resin, the glass transition temperature of the epoxy resin is within the above range, thereby improving the heat resistance and thermal shock resistance of the base film. Can be made.

つまり、上記ガラス転移温度を有するエポキシ樹脂をポリアニリン複合体等の導電性ポリマーと混合した組成物を基材に塗布して下地膜を形成することで、成形加工性を損なわずに下地膜は基板に追従し、無電解めっき後の耐熱試験及び熱衝撃試験において、基材フィルム及びめっき被膜に対して優れた密着性を示す。
これは、ポリアニリン複合体等の導電性ポリマーに上記ガラス転移温度を有するエポキシ樹脂を添加することで、柔軟かつ塗膜強度および密着強度が強くなるため、印刷、成形及びめっき後の耐熱試験及び熱衝撃試験への耐性が向上すると考えられる。
That is, by applying a composition obtained by mixing an epoxy resin having the above glass transition temperature with a conductive polymer such as a polyaniline composite to a base material to form a base film, the base film is a substrate without impairing moldability. In the heat resistance test and thermal shock test after electroless plating, excellent adhesion to the substrate film and the plating film is shown.
This is because, by adding an epoxy resin having the above glass transition temperature to a conductive polymer such as a polyaniline composite, the coating strength and adhesion strength are increased flexibly, so that a heat resistance test and heat after printing, molding and plating are performed. It is thought that resistance to impact tests is improved.

組成物中の導電性ポリマー、ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂の合計に対するエポキシ樹脂の割合は、0.2重量(wt)%〜30重量%が好ましく、より好ましくは0.5重量%〜15重量%、さらに好ましくは0.7重量%〜10重量%である。
エポキシ樹脂の割合が30重量%を超えると、成形加工時に塗膜の断裂が多く観測されるようになる。
The ratio of the epoxy resin to the total of the conductive polymer, urethane resin and epoxy resin in the composition is preferably 0.2 wt% to 30 wt%, more preferably 0.5 wt% to 15 wt%, More preferably, it is 0.7 weight%-10 weight%.
When the proportion of the epoxy resin exceeds 30% by weight, many tears of the coating film are observed during the molding process.

[ポリビニルアセタール樹脂]
本発明の組成物は、さらにポリビニルアセタール樹脂を含んでもよい。
ポリビニルアセタール樹脂としては、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール等が挙げられる。中でも、ポリビニルブチラールが好ましい。
ポリビニルアセタール樹脂を用いることにより、様々な基材への密着が期待できる。
[Polyvinyl acetal resin]
The composition of the present invention may further contain a polyvinyl acetal resin.
Examples of the polyvinyl acetal resin include polyvinyl butyral and polyvinyl formal. Of these, polyvinyl butyral is preferable.
By using the polyvinyl acetal resin, adhesion to various substrates can be expected.

ポリビニルアセタール樹脂の含有量は、組成物中の導電性ポリマー、ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂の合計100重量部に対し、0.1重量部〜10重量部が好ましく、より好ましくは0.3重量部〜3重量部、さらに好ましくは0.5重量部〜1.5重量部である。   The content of the polyvinyl acetal resin is preferably 0.1 parts by weight to 10 parts by weight, more preferably 0.3 parts by weight to 100 parts by weight in total of the conductive polymer, urethane resin and epoxy resin in the composition. 3 parts by weight, more preferably 0.5 parts by weight to 1.5 parts by weight.

[フェノール性化合物]
本発明の組成物は、導電性ポリマーとしてポリアニリン複合体を含む場合、さらに電気伝導率の改善効果を有するフェノール性化合物をポリアニリン複合体の一部として含んでいてもよい。
フェノール性化合物は、フェノール性水酸基を有する化合物であれば特に限定されない。フェノール性水酸基を有する化合物とは、フェノール性水酸基を1つ有する化合物、フェノール性水酸基を複数有する化合物、及びフェノール性水酸基を1つ又は複数有する繰り返し単位から構成されるポリマー化合物である。
[Phenolic compounds]
When the composition of the present invention includes a polyaniline complex as a conductive polymer, the composition may further include a phenolic compound having an effect of improving electrical conductivity as a part of the polyaniline complex.
The phenolic compound is not particularly limited as long as it is a compound having a phenolic hydroxyl group. The compound having a phenolic hydroxyl group is a polymer compound composed of a compound having one phenolic hydroxyl group, a compound having a plurality of phenolic hydroxyl groups, and a repeating unit having one or more phenolic hydroxyl groups.

フェノール性水酸基を1つ有する化合物は、好ましくは下記式(A)、(B)及び(C)で表わされる化合物である。

Figure 0006437438
(式中、nは1〜5の整数であり、好ましくは1〜3であり、より好ましくは1である。
Rは、炭素数1〜20のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。)The compound having one phenolic hydroxyl group is preferably a compound represented by the following formulas (A), (B) and (C).
Figure 0006437438
(In formula, n is an integer of 1-5, Preferably it is 1-3, More preferably, it is 1.
R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkylaryl group, or an arylalkyl group. )

式(A)で表されるフェノール性化合物において、−ORの置換位置はフェノール性水酸基に対し、メタ位、又はパラ位であることが好ましい。−ORの置換位置をメタ位又はパラ位とすることにより、フェノール性水酸基の立体障害が低減され、ポリアニリン複合体の導電性をより高めることができる。   In the phenolic compound represented by the formula (A), the substitution position of -OR is preferably a meta position or a para position with respect to the phenolic hydroxyl group. By making the substitution position of —OR the meta position or the para position, the steric hindrance of the phenolic hydroxyl group is reduced, and the conductivity of the polyaniline complex can be further increased.

式(A)で表わされるフェノール性化合物の具体例としては、メトキシフェノール(例えば4−メトキシフェノール)、エトキシフェノール、プロポキシフェノール、イソプロポキシフェノール、ブチルオキシフェノール、イソブチルオキシフェノール、ターシャルブチルオキシフェノールが挙げられる。   Specific examples of the phenolic compound represented by the formula (A) include methoxyphenol (for example, 4-methoxyphenol), ethoxyphenol, propoxyphenol, isopropoxyphenol, butyloxyphenol, isobutyloxyphenol, and tertiary butyloxyphenol. Can be mentioned.

Figure 0006437438
(式中、nは0〜7の整数であり、好ましくは0〜3であり、より好ましくは1である。
Rは、それぞれ炭素数1〜20のアルキル基、アルケニル基、アルキルチオ基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。)
式(B)で表わされるフェノール性化合物の具体例としては、ヒドロキシナフタレンが挙げられる。
Figure 0006437438
(In formula, n is an integer of 0-7, Preferably it is 0-3, More preferably, it is 1.
R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group, an alkylthio group, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkylaryl group, or an arylalkyl group. )
Specific examples of the phenolic compound represented by the formula (B) include hydroxynaphthalene.

Figure 0006437438
(式中、nは1〜5の整数であり、好ましくは1〜3であり、より好ましくは1である。
Rは、それぞれ炭素数1〜20のアルキル基、アルケニル基、アルキルチオ基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。)
式(C)で表わされる化合物の具体例としては、o−,m−もしくはp−クレゾール、o−,m−もしくはp−エチルフェノール、o−,m−もしくはp−プロピルフェノール(例えば4−イソプロピルフェノール)、o−,m−もしくはp−ブチルフェノール、o−,m−もしくはp−ペンチルフェノール(例えば、4−tert−ペンチルフェノール)が挙げられる。
Figure 0006437438
(In formula, n is an integer of 1-5, Preferably it is 1-3, More preferably, it is 1.
R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group, an alkylthio group, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkylaryl group, or an arylalkyl group. )
Specific examples of the compound represented by the formula (C) include o-, m- or p-cresol, o-, m- or p-ethylphenol, o-, m- or p-propylphenol (for example, 4-isopropyl Phenol), o-, m- or p-butylphenol, o-, m- or p-pentylphenol (for example, 4-tert-pentylphenol).

式(A)、(B)及び(C)のRについて、炭素数1〜20のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ターシャルブチル等が挙げられる。
アルケニル基としては、上述したアルキル基の分子内に不飽和結合を有する基が挙げられる。
シクロアルキル基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
アリール基としては、フェニル、ナフチル等が挙げられる。
アルキルアリール基、及びアリールアルキル基としては、上述したアルキル基とアリール基を組み合わせて得られる基等が挙げられる。
Regarding R in formulas (A), (B), and (C), examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, and tertiary butyl.
Examples of the alkenyl group include groups having an unsaturated bond in the molecule of the alkyl group described above.
Examples of the cycloalkyl group include cyclopentane and cyclohexane.
Examples of the aryl group include phenyl and naphthyl.
Examples of the alkylaryl group and the arylalkyl group include groups obtained by combining the above-described alkyl group and aryl group.

上記フェノール性水酸基を1つ有する化合物の例を示したが、置換フェノール類の具体例としてはフェノール、o−,m−もしくはp−クロロフェノール、サリチル酸、ヒドロキシ安息香酸が挙げられる。フェノール性水酸基を複数有する化合物の具体例としてはカテコール、レゾルシノール、下記式(D)で表される化合物が挙げられる。

Figure 0006437438
(式中、Rは炭化水素基、ヘテロ原子含有炭化水素基、ハロゲン原子、カルボン酸基、アミノ基、SH基、スルホン酸基、又は水酸基であり、複数のRはそれぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。nは0〜6の整数である。
nが2以上の整数である場合、複数のRはナフタレン環の置換位置のそれぞれに独立に置換する。)Although the example of the compound which has one said phenolic hydroxyl group was shown, a phenol, o-, m- or p-chlorophenol, a salicylic acid, hydroxybenzoic acid is mentioned as a specific example of substituted phenols. Specific examples of the compound having a plurality of phenolic hydroxyl groups include catechol, resorcinol, and a compound represented by the following formula (D).
Figure 0006437438
(In the formula, R is a hydrocarbon group, a hetero atom-containing hydrocarbon group, a halogen atom, a carboxylic acid group, an amino group, an SH group, a sulfonic acid group, or a hydroxyl group. N is an integer of 0-6.
When n is an integer of 2 or more, a plurality of Rs are independently substituted at each of the substitution positions of the naphthalene ring. )

式(D)で表わされるフェノール性化合物は、互いに隣接しない2以上の水酸基を有することが好ましい。
また、式(D)で表されるフェノール性化合物の具体例としては、1,6−ナフタレンジオール、2,6−ナフタレンジオール、2,7−ナフタレンジオールが挙げられる。
The phenolic compound represented by the formula (D) preferably has two or more hydroxyl groups that are not adjacent to each other.
Specific examples of the phenolic compound represented by the formula (D) include 1,6-naphthalenediol, 2,6-naphthalenediol, and 2,7-naphthalenediol.

フェノール性水酸基を1つ又は複数有する繰り返し単位から構成されるポリマー化合物の具体例としては、フェノール樹脂、ポリフェノール、ポリ(ヒドロキシスチレン)が挙げられる。   Specific examples of the polymer compound composed of a repeating unit having one or more phenolic hydroxyl groups include phenol resin, polyphenol, and poly (hydroxystyrene).

本発明の組成物が導電性ポリマーとしてポリアニリン複合体を含む場合、フェノール性化合物の含有量は、好ましくはポリアニリン複合体1gに対してフェノール性化合物のモル濃度が0.01[mol/g]以上100[mol/g]以下、より好ましくは0.05[mol/g]以上1[mol/g]以下である。   When the composition of the present invention contains a polyaniline complex as a conductive polymer, the content of the phenolic compound is preferably such that the molar concentration of the phenolic compound is 0.01 [mol / g] or more with respect to 1 g of the polyaniline complex. 100 [mol / g] or less, more preferably 0.05 [mol / g] or more and 1 [mol / g] or less.

[耐熱安定化剤]
本発明の組成物は、導電性ポリマーとしてポリアニリン複合体を含む場合、さらに耐熱安定化剤を含んでいてもよい。
耐熱安定化剤とは、酸性物質又は酸性物質の塩であり、酸性物質は有機酸(有機化合物の酸)、無機酸(無機化合物の酸)のいずれでもよい。また、導電性ポリマー層は、複数の耐熱安定化剤を含んでいてもよい。
[Heat resistance stabilizer]
When the composition of the present invention contains a polyaniline complex as a conductive polymer, it may further contain a heat resistance stabilizer.
The heat resistance stabilizer is an acidic substance or a salt of an acidic substance, and the acidic substance may be either an organic acid (an acid of an organic compound) or an inorganic acid (an acid of an inorganic compound). Further, the conductive polymer layer may contain a plurality of heat stabilizers.

耐熱安定化剤として酸性物質のみを含む場合は、当該酸性物質は、好ましくはポリアニリン複合体のプロトン供与体と異なる化合物であり、耐熱安定化剤として酸性物質の塩のみを含む場合には、当該酸性物質の塩は、好ましくはポリアニリン複合体のプロトン供与体と異なる化合物である。
また、耐熱安定化剤として酸性物質及び酸性物質の塩の両方を含む場合は、好ましくは当該酸性物質及び酸性物質の塩のうち、少なくとも1つはプロトン供与体と異なる化合物である。
When only the acidic substance is included as the heat stabilizer, the acidic substance is preferably a compound different from the proton donor of the polyaniline complex, and when only the salt of the acidic substance is included as the heat stabilizer, The salt of the acidic substance is preferably a compound different from the proton donor of the polyaniline complex.
When both the acidic substance and the salt of the acidic substance are included as the heat stabilizer, preferably at least one of the acidic substance and the salt of the acidic substance is a compound different from the proton donor.

耐熱安定化剤として酸性物質のみを含む場合には、当該酸性物質はフェノール性化合物とは異なることが好ましく、耐熱安定化剤として酸性物質の塩のみを含む場合には、当該酸性物質の塩は、フェノール性化合物とは異なることが好ましい。
また、耐熱安定化剤として酸性物質及び酸性物質の塩の両方を含む場合には、当該酸性物質及び酸性物質の塩のうち少なくとも1つは、フェノール性化合物と異なることが好ましい。
When only the acidic substance is included as a heat stabilizer, the acidic substance is preferably different from the phenolic compound. When only the salt of the acidic substance is included as the heat stabilizer, the salt of the acidic substance is The phenolic compound is preferably different.
Further, when both the acidic substance and the salt of the acidic substance are included as the heat stabilizer, at least one of the acidic substance and the salt of the acidic substance is preferably different from the phenolic compound.

耐熱安定化剤である酸性物質は、好ましくは有機酸であり、より好ましくはスルホン酸基、カルボキシ基、リン酸基、又はホスホン酸基を1以上有する有機酸であり、さらに好ましくは、スルホン酸基を1以上有する有機酸である。   The acidic substance that is a heat-resistant stabilizer is preferably an organic acid, more preferably an organic acid having one or more sulfonic acid groups, carboxy groups, phosphoric acid groups, or phosphonic acid groups, and more preferably sulfonic acid. An organic acid having one or more groups.

上記スルホン酸基を1以上有する有機酸は、好ましくはスルホン酸基を1以上有する、環状、鎖状もしくは分岐のアルキルスルホン酸、置換もしくは無置換の芳香族スルホン酸、又はポリスルホン酸である。
上記アルキルスルホン酸としては、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ジ2−エチルヘキシルスルホコハク酸が挙げられる。ここでのアルキル基は、好ましくは炭素数が1〜18の直鎖又は分岐のアルキル基である。
The organic acid having one or more sulfonic acid groups is preferably a cyclic, chain or branched alkyl sulfonic acid, substituted or unsubstituted aromatic sulfonic acid, or polysulfonic acid having one or more sulfonic acid groups.
Examples of the alkylsulfonic acid include methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, and di-2-ethylhexylsulfosuccinic acid. The alkyl group here is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms.

上記芳香族スルホン酸としては、例えば、ベンゼン環を有するスルホン酸、ナフタレン骨格を有するスルホン酸、アントラセン骨格を有するスルホン酸、置換又は無置換のベンゼンスルホン酸、置換又は無置換のナフタレンスルホン酸及び置換又は無置換のアントラセンスルホン酸が挙げられ、好ましくはナフタレンスルホン酸である。具体例としては、ナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アントラキノンスルホン酸が挙げられる。
置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アシル基からなる群から選択される置換基であり、1以上置換していてもよい。
上記ポリスルホン酸は、高分子鎖の主鎖又は側鎖に複数のスルホン酸基が置換したスルホン酸である。例えば、ポリスチレンスルホン酸が挙げられる。
Examples of the aromatic sulfonic acid include a sulfonic acid having a benzene ring, a sulfonic acid having a naphthalene skeleton, a sulfonic acid having an anthracene skeleton, a substituted or unsubstituted benzenesulfonic acid, a substituted or unsubstituted naphthalenesulfonic acid, and a substituted Alternatively, unsubstituted anthracene sulfonic acid may be mentioned, and naphthalene sulfonic acid is preferable. Specific examples include naphthalene sulfonic acid, dodecylbenzene sulfonic acid, and anthraquinone sulfonic acid.
The substituent is, for example, a substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, a nitro group, a carboxy group, and an acyl group, and one or more substituents may be substituted.
The polysulfonic acid is a sulfonic acid in which a plurality of sulfonic acid groups are substituted on the main chain or side chain of the polymer chain. For example, polystyrene sulfonic acid is mentioned.

上記カルボキシ基を1以上有する有機酸は、好ましくはカルボキシ基を1以上有する、環状、鎖状もしくは分岐のアルキルカルボン酸、置換もしくは無置換の芳香族カルボン酸、又はポリカルボン酸である。
上記アルキルカルボン酸としては、例えばウンデシレン酸、シクロヘキサンカルボン酸、2−エチルヘキサン酸が挙げられる。ここでアルキル基は好ましくは炭素数が1〜18の直鎖又は分岐のアルキル基である。
上記置換もしくは無置換の芳香族カルボン酸としては、例えば、置換又は無置換のベンゼンカルボン酸及びナフタレンカルボン酸が挙げられる。ここで置換基は、例えば、スルホン酸基、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アシル基からなる群から選択される置換基であり、1以上置換していてもよい。具体例としては、サリチル酸、安息香酸、ナフトエ酸、トリメシン酸が挙げられる。
The organic acid having one or more carboxy groups is preferably a cyclic, linear or branched alkyl carboxylic acid, substituted or unsubstituted aromatic carboxylic acid, or polycarboxylic acid having one or more carboxy groups.
Examples of the alkyl carboxylic acid include undecylenic acid, cyclohexane carboxylic acid, and 2-ethylhexanoic acid. Here, the alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms.
Examples of the substituted or unsubstituted aromatic carboxylic acid include substituted or unsubstituted benzene carboxylic acid and naphthalene carboxylic acid. Here, the substituent is, for example, a substituent selected from the group consisting of a sulfonic acid group, an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, a nitro group, and an acyl group, and one or more substituents may be substituted. Specific examples include salicylic acid, benzoic acid, naphthoic acid, and trimesic acid.

上記リン酸基又はホスホン酸基を1以上有する有機酸は、好ましくはリン酸基又はホスホン酸基を1以上有する環状、鎖状もしくは分岐のアルキルリン酸もしくはアルキルホスホン酸;置換もしくは無置換の芳香族リン酸もしくは芳香族ホスホン酸;ポリリン酸もしくはポリホスホン酸である。
上記アルキルリン酸又はアルキルホスホン酸としては、例えば、ドデシルリン酸、リン酸水素ビス(2−エチルヘキシル)が挙げられる。ここでアルキル基は好ましくは炭素数が1〜18の直鎖又は分岐のアルキル基である。
上記芳香族リン酸及び芳香族ホスホン酸としては、置換又は無置換のベンゼンスルホン酸又はホスホン酸、及びナフタレンスルホン酸又はホスホン酸等が挙げられる。置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アシル基からなる群から選択される置換基であり、1以上置換していてもよい。例えば、フェニルホスホン酸が挙げられる。
The organic acid having at least one phosphoric acid group or phosphonic acid group is preferably a cyclic, linear or branched alkylphosphoric acid or alkylphosphonic acid having at least one phosphoric acid group or phosphonic acid group; substituted or unsubstituted aromatic An aromatic phosphoric acid or an aromatic phosphonic acid; a polyphosphoric acid or a polyphosphonic acid.
Examples of the alkyl phosphoric acid or alkylphosphonic acid include dodecyl phosphoric acid and bis (2-ethylhexyl) hydrogen phosphate. Here, the alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms.
Examples of the aromatic phosphoric acid and aromatic phosphonic acid include substituted or unsubstituted benzene sulfonic acid or phosphonic acid, and naphthalene sulfonic acid or phosphonic acid. The substituent is, for example, a substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, a nitro group, a carboxy group, and an acyl group, and one or more substituents may be substituted. An example is phenylphosphonic acid.

酸性物質の塩としては、上記酸性物質の塩が挙げられる。
本発明の組成物は、耐熱安定化剤である酸性物質及び/又は酸性物質の塩を2つ以上含んでもよい。具体的には、本発明の組成物は、異なる複数の酸性物質及び/又は異なる複数の酸性物質の塩を含んでいてもよい。
Examples of the salt of the acidic substance include the salt of the acidic substance.
The composition of the present invention may contain two or more acidic substances and / or salts of acidic substances that are heat-resistant stabilizers. Specifically, the composition of the present invention may include different acidic substances and / or salts of different acidic substances.

ポリアニリン複合体のプロトン供与体がスルホン酸であり、耐熱安定化剤として酸性物質のみを含む場合には、当該酸性物質がプロトン供与体と同一又は異なるスルホン酸であることが好ましい。また、耐熱安定化剤として酸性物質の塩のみを含む場合には、その酸性物質の塩が、ポリアニリン複合体のプロトン供与体と同一又は異なるスルホン酸の塩であることが好ましい。
耐熱安定化剤として酸性物質及び前記酸性物質の塩を含む場合には、酸性物質及び酸性物質の塩のうち少なくとも1つがプロトン供与体と同一又は異なるスルホン酸又はスルホン酸の塩であることが好ましい。
When the proton donor of the polyaniline complex is a sulfonic acid and contains only an acidic substance as a heat stabilizer, the acidic substance is preferably the same or different sulfonic acid as the proton donor. In addition, when only a salt of an acidic substance is included as a heat stabilizer, the salt of the acidic substance is preferably a sulfonic acid salt that is the same as or different from the proton donor of the polyaniline complex.
When an acid substance and a salt of the acid substance are included as a heat stabilizer, at least one of the acid substance and the salt of the acid substance is preferably a sulfonic acid or a sulfonic acid salt that is the same as or different from the proton donor. .

耐熱安定化剤の含有量は、好ましくはポリアニリン複合体100重量部に対して1〜1000重量部であり、より好ましくは10〜100重量部である。   The content of the heat-resistant stabilizer is preferably 1 to 1000 parts by weight, more preferably 10 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyaniline complex.

[溶剤]
本発明の無電解めっき下地膜形成用組成物の溶剤は、特に限定されないが、メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,2−メトキシエタノール,2−エトキシエタノール,ジアセトンアルコール、3−メトキシ−1−ブタノール、3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、アセトン,メチルエチルケトン,メチルイソブチルケトン,ソルベントナフサ、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、及びγ‐ブチロラクトン等が用いられる。
前記溶剤の含有量は、組成物中の導電性ポリマー、ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂の合計100重量部に対し、25重量部〜4900重量部が好ましく、より好ましくは100重量部〜900重量部、さらに好ましくは233重量部〜400重量部である。
[solvent]
The solvent of the composition for forming an electroless plating base film of the present invention is not particularly limited, but methanol, ethanol, isopropyl alcohol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, diacetone alcohol, 3-methoxy-1-butanol, 3-methoxy-3-methyl-1-butanol, ethyl carbitol, butyl carbitol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, solvent naphtha, tetrahydrofuran, diethyl ether, γ-butyrolactone, and the like are used.
The content of the solvent is preferably 25 parts by weight to 4900 parts by weight, more preferably 100 parts by weight to 900 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total of the conductive polymer, urethane resin and epoxy resin in the composition. Preferably they are 233 weight part-400 weight part.

[他の成分]
本発明の組成物は、さらに他の樹脂、無機材料、硬化剤、可塑剤、有機導電材料等の添加剤を含んでもよい。
他の樹脂としては、例えば、バインダー基材、可塑剤、マトリックス基材等が挙げられる。
[Other ingredients]
The composition of the present invention may further contain additives such as other resins, inorganic materials, curing agents, plasticizers, and organic conductive materials.
Examples of other resins include a binder substrate, a plasticizer, and a matrix substrate.

他の樹脂の具体例としては、例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン、塩素化ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリビニルアルコールが挙げられる。   Specific examples of other resins include, for example, polyolefins such as polyethylene and polypropylene, chlorinated polyolefins, polystyrene, polyester, polyamide, polyacetal, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyethylene glycol, polyethylene oxide, polyacrylic acid, polyacrylic acid ester, Examples thereof include polymethacrylic acid ester and polyvinyl alcohol.

また上記樹脂の代わりに、また樹脂と共に、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、もしくはこれら熱硬化性樹脂を形成し得る前駆体を含んでもよい。   Further, instead of the above resin, together with the resin, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a urethane resin, or a phenol resin, or a precursor capable of forming these thermosetting resins may be included.

無機材料は、例えば、強度、表面硬度、寸法安定性その他の機械的物性の向上、あるいは導電性等の電気特性を向上する目的で添加される。
無機材料の具体例としては、例えば、シリカ(二酸化ケイ素)、チタニア(二酸化チタン)、アルミナ(酸化アルミニウム)、Sn含有In(ITO)、Zn含有In、Inの共置換化合物(4価元素及び2価元素が3価のInに置換した酸化物)、Sb含有SnO(ATO)、ZnO、Al含有ZnO(AZO)、Ga含有ZnO(GZO)等が挙げられる。
The inorganic material is added, for example, for the purpose of improving strength, surface hardness, dimensional stability and other mechanical properties, or improving electrical properties such as conductivity.
Specific examples of the inorganic material include, for example, silica (silicon dioxide), titania (titanium dioxide), alumina (aluminum oxide), Sn-containing In 2 O 3 (ITO), Zn-containing In 2 O 3 , and In 2 O 3 . Examples include co-substituted compounds (oxides in which tetravalent elements and divalent elements are substituted with trivalent In), Sb-containing SnO 2 (ATO), ZnO, Al-containing ZnO (AZO), and Ga-containing ZnO (GZO). .

硬化剤は、例えば、強度、表面硬度、寸法安定性その他の機械的物性の向上等の目的で添加される。硬化剤の具体例としては、例えば、フェノール樹脂等の熱硬化剤、アクリレート系モノマーと光重合性開始剤による光硬化剤が挙げられる。   The curing agent is added for the purpose of, for example, improving strength, surface hardness, dimensional stability, and other mechanical properties. Specific examples of the curing agent include a thermosetting agent such as a phenol resin, and a photocuring agent using an acrylate monomer and a photopolymerization initiator.

可塑剤は、例えば、引張強度や曲げ強度等の機械的特性の向上等の目的で添加される。
可塑剤の具体例としては、例えば、フタル酸エステル類やリン酸エステル類が挙げられる。有機導電材料としては、カーボンブラック、カーボンナノチューブのような炭素材料、あるいは、本発明で得られるポリアニリン以外の、導電性ポリマー等が挙げられる。
For example, the plasticizer is added for the purpose of improving mechanical properties such as tensile strength and bending strength.
Specific examples of the plasticizer include phthalic acid esters and phosphoric acid esters. Examples of the organic conductive material include carbon materials such as carbon black and carbon nanotubes, and conductive polymers other than the polyaniline obtained in the present invention.

[無電解めっき下地膜]
本発明の無電解めっき下地膜(層)は、上記の組成物から得られる。本発明の無電解めっき下地膜の形成方法は後述する通りである。
無電解めっき下地膜の乾燥膜厚は0.1μm以上が好ましく、より好ましくは0.2μm以上である。膜厚が0.1μm未満であると、基材とめっき膜の密着力が保持できないため、剥離しやすくなってしまう。また、Pd金属が担持されない領域が多くなる恐れがあり、無電解めっきされない領域が多くなる恐れがある。
乾燥膜厚の上限は特にないが、例えば100μm以下、20μm以下、10μm以下である。
[Electroless plating base film]
The electroless plating base film (layer) of the present invention is obtained from the above composition. The method for forming the electroless plating base film of the present invention is as described later.
The dry film thickness of the electroless plating base film is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.2 μm or more. If the film thickness is less than 0.1 μm, the adhesion between the base material and the plating film cannot be maintained, so that the film is easily peeled off. Further, there is a possibility that the area where the Pd metal is not supported increases, and there is a possibility that the area where electroless plating is not performed increases.
There is no particular upper limit on the dry film thickness.

[無電解めっき下地膜の製造方法]
本発明の無電解めっき下地膜の製造方法は、本発明の無電解めっき下地膜形成用組成物を用いる。本製造方法は、本発明の組成物を用いていれば特に限定されず、例えば、基材の上に本発明の組成物をバーコート法により塗工し、乾燥する塗工方法が挙げられる。
[Method of manufacturing electroless plating base film]
The method for producing an electroless plating base film of the present invention uses the composition for forming an electroless plating base film of the present invention. This manufacturing method will not be specifically limited if the composition of this invention is used, For example, the coating method of apply | coating the composition of this invention on a base material by the bar-coat method, and drying is mentioned.

[めっき積層体]
本発明のめっき積層体は、金属を含む無電解めっき層と、導電性ポリマー、ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂を含む無電解めっき下地層(膜)と、基板層とを含み、無電解めっき層の一方の面と、無電解めっき下地層の一方の面が接している。
[Plating laminate]
The plated laminate of the present invention includes an electroless plating layer containing a metal, an electroless plating base layer (film) containing a conductive polymer, a urethane resin and an epoxy resin, and a substrate layer, and one of the electroless plating layers And one surface of the electroless plating base layer are in contact with each other.

図1は、本発明のめっき積層体の一実施形態の層構成を示す概略図である。
めっき積層体1は、基板10上に、無電解めっき下地層20及び無電解めっき層30をこの順に積層して含む。
本発明のめっき積層体は、後述する本発明のめっき積層体の製造方法により製造できる。
FIG. 1 is a schematic view showing a layer configuration of an embodiment of the plated laminate of the present invention.
The plating laminate 1 includes an electroless plating base layer 20 and an electroless plating layer 30 laminated on a substrate 10 in this order.
The plating laminated body of this invention can be manufactured with the manufacturing method of the plating laminated body of this invention mentioned later.

[基板]
基材は特に限定されず、金属、無機素材(セラミックス、ガラス等)、又は樹脂であってもよい。また、金属を樹脂で完全に覆った基材や、無機系素材と樹脂との複合材(例えば、FRP,ガラスエポキシ複合材)等であってもよい。樹脂の種類としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ナイロン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂、PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂等が挙げられる。
基材の具体例として、例えば易接着処理PET(東洋紡製A4300)が挙げられる。
[substrate]
The substrate is not particularly limited, and may be a metal, an inorganic material (ceramics, glass, or the like), or a resin. Moreover, the base material which covered the metal completely with resin, the composite material (For example, FRP, glass epoxy composite material) of an inorganic type material and resin, etc. may be sufficient. Examples of the resin include polycarbonate resin, acrylic resin, nylon resin, polyimide resin, polyester resin, styrene resin, phenol resin, and PPS (polyphenylene sulfide) resin.
As a specific example of the substrate, for example, easy-adhesion-treated PET (A4300 manufactured by Toyobo) can be mentioned.

[無電解めっき層]
無電解めっき層の金属種としては、銅、ニッケル、コバルト、パラジウム、銀、金、白金及びスズ等が挙げられる。また、これらの他にリン、ホウ素、鉄等の元素が含有されていてもよい。また、形成方法は後述する通りである。
[Electroless plating layer]
Examples of the metal species of the electroless plating layer include copper, nickel, cobalt, palladium, silver, gold, platinum, and tin. In addition to these, elements such as phosphorus, boron, and iron may be contained. The forming method is as described later.

[無電解めっき積層体の製造方法]
本発明の無電解めっき積層体の製造方法は、基板層上に、本発明の無電解めっき下地膜形成用組成物を用いて無電解めっき下地膜を形成する工程、及び無電解めっき下地膜上に、金属を含む無電解めっき層を形成する工程を含む。
[Method for producing electroless plating laminate]
The method for producing an electroless plating laminate of the present invention comprises a step of forming an electroless plating base film on the substrate layer using the electroless plating base film forming composition of the present invention, and an electroless plating base film The process of forming the electroless-plating layer containing a metal is included.

無電解めっき下地膜の形成は、上述した無電解めっき下地膜の製造方法により行うことができる。
下地膜を形成した後、無電解めっき層を形成する前に成形工程及び脱脂工程を行うことが好ましい。
The formation of the electroless plating base film can be performed by the above-described method for manufacturing an electroless plating base film.
After forming the base film, it is preferable to perform a molding step and a degreasing step before forming the electroless plating layer.

成形工程は、無電解めっき下地層を形成した基板を、加熱し、型を用いて真空成形することで、基板を任意の型にすることできる。
成形工程の加熱温度は、特に限定されないが、通常50℃〜300℃である。
成形工程で使用する型は、特に限定されないが、例えば、円状、楕円状などがある。
真空成形における真空度は、0.1MPa〜0.9MPaであることが好ましい。
In the forming step, the substrate on which the electroless plating base layer is formed is heated and vacuum-formed using a mold, whereby the substrate can be formed into an arbitrary mold.
Although the heating temperature of a shaping | molding process is not specifically limited, Usually, it is 50 to 300 degreeC.
The mold used in the molding process is not particularly limited, and examples thereof include a circular shape and an elliptical shape.
The degree of vacuum in vacuum forming is preferably 0.1 MPa to 0.9 MPa.

脱脂工程は、界面活性剤やアルコール等の溶剤で無電解めっき下地膜表面を脱脂洗浄して濡れ性を改善する。
界面活性剤は、アニオン性、カチオン性又は非イオン性のものを適宜使用でき、カチオン性界面活性剤が好ましい。カチオン性界面活性剤を用いる場合は、例えばイオン交換水等で1〜3%に希釈して用いる。
In the degreasing step, the surface of the electroless plating base film is degreased and washed with a solvent such as a surfactant or alcohol to improve wettability.
As the surfactant, an anionic, cationic or nonionic surfactant can be appropriately used, and a cationic surfactant is preferable. When a cationic surfactant is used, it is diluted to 1 to 3% with, for example, ion exchange water.

上記無電解めっき下地膜を形成後、好ましくは脱脂工程後、通常、下地膜上に無電解めっきの触媒作用を担うPd金属(触媒金属)を担持させるために、Pd化合物溶液を接触させる。
Pd化合物溶液を接触させると、ポリアニリン複合体等の導電性ポリマーはPdイオンを吸着し、その還元作用により、PdイオンがPd金属に還元される。尚、還元されたPd、即ち金属状態のPdでなければ、無電解めっきにおける触媒作用を発現しない。
上記単位面積当たりのPd付着量(Pdイオン及びPd金属を含む)は1.7μg/cm以上であることが好ましく、2.5μg/cm以上であることがさらに好ましい。
After the formation of the electroless plating base film, preferably after the degreasing step, a Pd compound solution is usually brought into contact with the base film in order to support Pd metal (catalyst metal) responsible for the electroless plating catalytic action.
When the Pd compound solution is brought into contact, a conductive polymer such as a polyaniline complex adsorbs Pd ions, and Pd ions are reduced to Pd metal by the reduction action. In addition, if it is not reduced Pd, that is, Pd in a metal state, it does not exhibit a catalytic action in electroless plating.
The Pd adhesion amount (including Pd ions and Pd metal) per unit area is preferably 1.7 μg / cm 2 or more, and more preferably 2.5 μg / cm 2 or more.

Pd化合物としては、塩化パラジウムが好ましい。溶媒としては、塩酸が一般に用いられる。しかしながら、Pdがイオン状態で水溶液中に存在していればよく、塩酸水溶液に限定されない。Pd化合物溶液としては、例えば、0.02%塩化パラジウム−0.01%塩酸水溶液(pH3)が挙げられる。   As the Pd compound, palladium chloride is preferable. As the solvent, hydrochloric acid is generally used. However, Pd is only required to be present in an aqueous solution in an ionic state, and is not limited to a hydrochloric acid aqueous solution. Examples of the Pd compound solution include 0.02% palladium chloride-0.01% hydrochloric acid aqueous solution (pH 3).

Pd化合物溶液との接触温度は、通常20〜50℃、好ましくは30〜40℃であり、接触時間は、通常0.1〜10分、好ましくは1〜5分である。   The contact temperature with the Pd compound solution is usually 20 to 50 ° C., preferably 30 to 40 ° C., and the contact time is usually 0.1 to 10 minutes, preferably 1 to 5 minutes.

次に、金属を含む層(めっき層)を下地層上に形成するために、上記で得られたフィルムを無電解めっき液に接触させる。下地層と無電解めっき液が接触すると、担持させたPd金属が触媒として働き、ポリアニリン層上にめっき層が形成される。   Next, in order to form a metal-containing layer (plating layer) on the base layer, the film obtained above is brought into contact with an electroless plating solution. When the underlayer and the electroless plating solution are in contact, the supported Pd metal acts as a catalyst, and a plating layer is formed on the polyaniline layer.

無電解めっき液に含まれる金属種としては、銅、ニッケル、コバルト、パラジウム、銀、金、白金及びスズ等が挙げられる。また、これらの他にリン、ホウ素、鉄等の元素が含有されていてもよい。   Examples of the metal species contained in the electroless plating solution include copper, nickel, cobalt, palladium, silver, gold, platinum, and tin. In addition to these, elements such as phosphorus, boron, and iron may be contained.

無電解めっき液との接触温度は、めっき浴種類や厚み等で異なるが、例えば低温浴であれば20〜50℃程度、高温では50〜90℃である。
また、無電解めっき液との接触時間もめっき浴種類や厚み等で異なるが、例えば1〜30分、5〜15分である。無電解めっきのみでもよく、または無電解めっきで金属薄膜を設けた後で電解めっきによりさらに同種、または異なる金属膜を設けることも可能である。
The contact temperature with the electroless plating solution varies depending on the type and thickness of the plating bath, but is, for example, about 20 to 50 ° C. for a low temperature bath and 50 to 90 ° C. for a high temperature.
Moreover, although the contact time with an electroless-plating liquid also changes with plating bath types, thickness, etc., it is 1 to 30 minutes, for example, and 5 to 15 minutes. It is possible to use only electroless plating, or it is possible to provide a metal film of the same type or different by electrolytic plating after providing a metal thin film by electroless plating.

本発明のめっき積層体は高い耐熱性及び耐熱衝撃性を有するので、電子回路、コネクタ、コイルに好適使用できる。   Since the plating laminated body of this invention has high heat resistance and thermal shock resistance, it can be used conveniently for an electronic circuit, a connector, and a coil.

製造例1
[ポリアニリン複合体の製造]
エーロゾルOT(ジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウム)(AOT)37.8g及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル構造を有する非イオン乳化剤であるソルボンT−20(東邦化学工業株式会社製)1.47gをトルエン600mLに溶解した溶液を、窒素気流下においた6Lのセパラブルフラスコに入れ、さらにこの溶液に、22.2gのアニリンを加えた。その後、1Mリン酸1800mLを溶液に添加し、トルエンと水の2つの液相を有する溶液の温度を5℃に冷却した。
Production Example 1
[Production of polyaniline complex]
37.8 g of aerosol OT (sodium di-2-ethylhexylsulfosuccinate) (AOT) and 1.47 g of sorbon T-20 (manufactured by Toho Chemical Co., Ltd.), which is a nonionic emulsifier having a polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester structure, were added to toluene. The solution dissolved in 600 mL was placed in a 6 L separable flask placed under a nitrogen stream, and 22.2 g of aniline was further added to this solution. Thereafter, 1800 mL of 1M phosphoric acid was added to the solution, and the temperature of the solution having two liquid phases of toluene and water was cooled to 5 ° C.

溶液内温が5℃に到達した時点で、毎分390回転で撹拌を行った。65.7gの過硫酸アンモニウムを1Mリン酸600mLに溶解した溶液を、滴下ロートを用いて2時間かけて滴下した。滴下開始から18時間、溶液内温を5℃に保ったまま反応を実施した。その後、反応温度を40℃まで上昇させ、1時間反応を継続した。その後、静置し、トルエン相を分離した。得られたトルエン相にトルエンを1500ml添加し、1Mリン酸500mL1回、イオン交換水500mLで3回洗浄し、トルエン相を静置分離し、濃度調整のための濃縮を行い、ポリアニリン複合体トルエン溶液900gを得た。このポリアニリン複合体トルエン溶液のポリアニリン複合体濃度は5.7重量%であった。   When the internal temperature of the solution reached 5 ° C., stirring was performed at 390 rpm. A solution obtained by dissolving 65.7 g of ammonium persulfate in 600 mL of 1M phosphoric acid was dropped using a dropping funnel over 2 hours. The reaction was carried out while maintaining the internal temperature of the solution at 5 ° C. for 18 hours from the start of dropping. Thereafter, the reaction temperature was raised to 40 ° C., and the reaction was continued for 1 hour. Then, it left still and isolate | separated the toluene phase. 1500 ml of toluene is added to the obtained toluene phase, 500 mL of 1M phosphoric acid is washed once with 500 mL of ion-exchanged water, the toluene phase is left to stand, concentrated for concentration adjustment, and a polyaniline complex toluene solution 900 g was obtained. The polyaniline complex concentration of this polyaniline complex toluene solution was 5.7% by weight.

製造例2
製造例1で得たポリアニリン複合体トルエン溶液を、60℃の湯浴で減圧乾燥し、乾固しポリアニリン複合体(粉末)を51.3g得た。
Production Example 2
The polyaniline complex toluene solution obtained in Production Example 1 was dried under reduced pressure in a 60 ° C. hot water bath and dried to obtain 51.3 g of a polyaniline complex (powder).

実施例1
[めっき下地膜形成工程]
製造例2で得たポリアニリン複合体(粉末)5.2g、ウレタン樹脂であるMAU1008(大日精化工業株式会社製、固形分濃度30%、溶剤:γ‐ブチロラクトン)11.1g、ウレタン樹脂であるASPU360(DIC株式会社製、固形分濃度30%、溶剤:3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール)2.0g、エポキシ樹脂であるHP7200HH(DIC株式会社製、ガラス転移温度:93℃)0.1g、3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール(MMB)8.9g、ソルベントナフサ2.5g、ブチルカルビトール1.3gを混合、撹拌し、均一なめっき下地形成用組成物を作成した。めっき下地形成用組成物の組成を表1に示す。表1では、各成分の配合量を(g)で表す。また、表1中の括弧内の数字は、ポリアニリン複合体(粉末)、架橋性ウレタン樹脂及びポリイソシアネートの合計に対する配合量を表し、ポリアニリン複合体(粉末)、架橋性ウレタン樹脂及びポリイソシアネートにおいては重量%で表され、MMB、ブチルカルビトール、ソルベントナフサ、及び後述のKS−10においては重量部で表される。
得られた塗液を、スクリーン印刷機を用いてポリカーボネートフィルムであるカーボグラスC110C(旭硝子株式会社製)上に印刷し、120℃60分乾燥してめっき下地膜を形成した。めっき下地膜の厚みは10μmであった。
Example 1
[Plating foundation film forming process]
5.2 g of the polyaniline complex (powder) obtained in Production Example 2, 11.1 g of urethane resin MAU1008 (manufactured by Dainichi Seika Kogyo Co., Ltd., solid content concentration 30%, solvent: γ-butyrolactone), urethane resin ASPU360 (DIC Corporation, solid concentration 30%, solvent: 3-methoxy-3-methyl-1-butanol) 2.0 g, HP7200HH (DIC Corporation, glass transition temperature: 93 ° C.) which is an epoxy resin 0 0.1 g, 3-methoxy-3-methyl-1-butanol (MMB) 8.9 g, solvent naphtha 2.5 g, and butyl carbitol 1.3 g were mixed and stirred to prepare a uniform plating base forming composition. . The composition of the plating underlayer forming composition is shown in Table 1. In Table 1, the compounding quantity of each component is represented by (g). The numbers in parentheses in Table 1 represent the blending amount with respect to the total of the polyaniline complex (powder), the crosslinkable urethane resin and the polyisocyanate. In the polyaniline complex (powder), the crosslinkable urethane resin and the polyisocyanate, It is expressed in weight%, and is expressed in parts by weight in MMB, butyl carbitol, solvent naphtha, and KS-10 described later.
The obtained coating liquid was printed on a carbo glass C110C (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), which is a polycarbonate film, using a screen printer, and dried at 120 ° C. for 60 minutes to form a plating base film. The thickness of the plating base film was 10 μm.

[ガラス転移温度の測定]
めっき下地形成用組成物の調製に使用したエポキシ樹脂のガラス転移温度の測定は株式会社日立ハイテクサイエンス製のEXTAR DSC7020を用いて行った。サンプル試料0.2gをアルミ皿で密閉後、加熱し、吸熱ピークを確認したポイントをガラス転移温度とした。
[Measurement of glass transition temperature]
The glass transition temperature of the epoxy resin used for the preparation of the plating base forming composition was measured using EXTAR DSC7020 manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd. A sample sample of 0.2 g was sealed with an aluminum pan and then heated, and the point at which the endothermic peak was confirmed was defined as the glass transition temperature.

[成形加工性の評価]
ドローダウン式の真空成形機を用いて、印刷したポリカーボネートフィルムが160℃程度になるまで加熱し、直径5cmの円状の型を用いて、0.5MPaで真空成形を行った。
成形加工性は成形された曲面部の印刷塗膜の断裂有無を確認し、きれいに延伸されている場合には「○」、断裂がある場合には「×」と判定した。結果を表2に示す。
[Evaluation of moldability]
Using a drawdown type vacuum forming machine, the printed polycarbonate film was heated to about 160 ° C., and vacuum forming was performed at 0.5 MPa using a circular mold having a diameter of 5 cm.
Formability was confirmed by checking whether the printed coating film on the molded curved surface portion was torn or not, and judged as “◯” when it was stretched cleanly, and “x” when it was torn. The results are shown in Table 2.

[脱脂工程]
めっき下地膜を設けた基材全体を、3%ダイヤノールCDE(ヤシ油脂肪酸ジエタノールアミド;非イオン界面活性剤、第一工業製薬株式会社製)水溶液中へ室温で5分間浸漬して、脱脂処理を行った。
さらに、亜硫酸水素ナトリウム10gをイオン交換水90gに溶解し、10重量%亜硫酸水素ナトリウム水溶液を調製した。めっき下地膜を設けた基材全体を、この10重量%亜硫酸水素ナトリウム水溶液中へ60℃で5分間浸漬して、脱脂処理を行った。
[Degreasing process]
Degreasing treatment is performed by immersing the entire base material provided with the plating base film in an aqueous solution of 3% Dianol CDE (coconut oil fatty acid diethanolamide; nonionic surfactant, manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) at room temperature for 5 minutes. Went.
Furthermore, 10 g of sodium bisulfite was dissolved in 90 g of ion-exchanged water to prepare a 10 wt% aqueous sodium bisulfite solution. The entire base material provided with the plating base film was immersed in this 10% by weight sodium hydrogen sulfite aqueous solution at 60 ° C. for 5 minutes for degreasing treatment.

[Pd金属担持工程]
脱脂処理後のめっき下地膜を設けた基材全体を、触媒化処理剤アクチベーター(パラジウム水溶液、奥野製薬工業株式会社製)の20倍希釈液中に30℃5分間浸漬し、金属Pd担持処理を行った。
[Pd metal loading process]
The entire base material provided with the plating base film after the degreasing treatment is immersed in a 20-fold diluted solution of a catalytic treatment agent activator (palladium aqueous solution, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) at 30 ° C. for 5 minutes to carry a metal Pd carrying treatment. Went.

[めっき層形成工程]
Pd担持処理後のめっき下地膜を設けた基材について、無電解銅めっき液TSP810(奥野製薬工業株式会社製)を用いて60℃60分間めっき処理を行い、めっき積層体を製造した。
めっき析出性は、平坦部及び曲面部に分け、かつ、めっきが全面に析出した場合には「○」、未析出部分がある場合には「×」と判定した。結果を表2に示す。表2中の*は、ポリアニリン複合体(粉末)、架橋性ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂の合計に対する配合量(重量(wt)%)であることを示す。
[Plating layer forming process]
About the base material which provided the plating base film after the Pd carrying | support process, the plating process was performed for 60 degreeC for 60 minute (s) using the electroless copper plating solution TSP810 (made by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.), and the plating laminated body was manufactured.
The plating deposition property was divided into a flat part and a curved surface part, and when the plating was deposited on the entire surface, “◯” was judged, and when there was an undeposited part, “x” was judged. The results are shown in Table 2. * In Table 2 shows that it is the compounding quantity (weight (wt)%) with respect to the sum total of a polyaniline complex (powder), a crosslinkable urethane resin, and an epoxy resin.

[めっき密着性試験]
めっき被膜について、JIS5600−5−6に準じて、カッターで2mm間隔の格子状の傷を付け、セロテープ(ニチバン株式会社製)を貼り、90°の角度で剥がし、クロスカット試験を行った。密着性については、剥離が観察されなかった場合には「○」、剥離が観察された場合には「×」と判定した。結果を表2に示す。尚、「−」は、平坦部において、全面にめっきが析出しなかったため、測定できなかったことを意味する。
[Plating adhesion test]
About the plating film, according to JIS5600-5-6, a lattice-like damage | wound of 2 mm space | interval was attached with the cutter, the cellophane (made by Nichiban Co., Ltd.) was stuck, it peeled off at an angle of 90 degrees, and the crosscut test was done. Regarding adhesion, “◯” was determined when peeling was not observed, and “X” was determined when peeling was observed. The results are shown in Table 2. Note that “−” means that measurement was not possible because plating did not deposit on the entire surface in the flat portion.

[耐熱試験]
めっき積層体を循環式オーブンに80℃240時間投入した後、前記クロスカット試験を実施した。
密着性については、240時間後のめっき積層体においても、クロスカット試験で剥離が観察されなかった場合には「○」、24時間後のめっき積層体に、クロスカット試験で剥離が観察された場合には「×」、120時間後のめっき積層体では剥離しなかったが、240時間後のめっき積層体は、クロスカット試験で剥離した場合は「△」と判定した。結果を表2に示す。
[Heat resistance test]
After the plated laminate was put into a circulation oven at 80 ° C. for 240 hours, the cross cut test was performed.
Regarding adhesion, even in a plated laminate after 240 hours, when peeling was not observed in the crosscut test, “◯”, and in the plated laminate after 24 hours, peeling was observed in the crosscut test. In the case of “×”, the plated laminate after 120 hours did not peel off, but the plated laminate after 240 hours was judged as “Δ” when peeled off by the cross-cut test. The results are shown in Table 2.

[熱衝撃試験]
めっき積層体を熱衝撃試験機に−55℃〜110℃各15分256サイクル投入した後、前記クロスカット試験を実施した。
密着性については256サイクル後のめっき積層体においても、クロスカット試験で剥離が観察されなかった場合には「○」、48サイクル後のめっき積層体に、クロスカット試験で剥離が観察された場合には「×」、144サイクル後のめっき積層体では剥離しなかったが、256サイクル後のめっき積層体は、クロスカット試験で剥離した場合は「△」と判定した。結果を表2に示す。
[Thermal shock test]
The plated laminate was put into a thermal shock tester at -55 ° C to 110 ° C for 15 minutes and 256 cycles, and then the cross-cut test was performed.
For adhesion, “○” when no peeling was observed in the cross-cut test even in the plated laminate after 256 cycles, and when peeling was observed in the cross-cut test after 48 cycles In the case of “×”, the plating laminate after 144 cycles did not peel, but the plating laminate after 256 cycles was judged as “Δ” when peeled by the cross-cut test. The results are shown in Table 2.

実施例2
表1に示すように、HP7200HHを0.5g用いた以外、実施例1と同様にして、めっき下地形成用組成物を調製及びめっき積層体を製造し、評価を行った。結果を表2に示す。
Example 2
As shown in Table 1, except that 0.5 g of HP7200HH was used, in the same manner as in Example 1, a composition for forming a plating base and a plating laminate were produced and evaluated. The results are shown in Table 2.

実施例3
表1に示すように、HP7200HHに代えて、エポキシ樹脂であるHP4710(DIC株式会社製、ガラス転移温度:95℃)を0.1g用いた以外、実施例1と同様にして、めっき下地形成用組成物を調製及びめっき積層体を製造し、評価を行った。結果を表2に示す。
Example 3
As shown in Table 1, in place of HP7200HH, for plating base formation in the same manner as in Example 1, except that 0.1 g of epoxy resin HP4710 (DIC Corporation, glass transition temperature: 95 ° C.) was used. A composition was prepared and a plated laminate was produced and evaluated. The results are shown in Table 2.

実施例4
表1に示すように、HP7200HHに代えて、HP4710を0.5g用いた以外、実施例1と同様にして、めっき下地形成用組成物を調製及びめっき積層体を製造し、評価を行った。結果を表2に示す。
Example 4
As shown in Table 1, in place of HP7200HH, 0.5 g of HP4710 was used, and in the same manner as in Example 1, a composition for forming a plating base and a plating laminate were manufactured and evaluated. The results are shown in Table 2.

実施例5
表1に示すように、HP7200HHに代えて、HP4710を0.1g用い、さらに、ポリビニルアセタール樹脂であるエスレックKS−10(積水化学工業株式会社製、ポリビニルブチラール(PVB)樹脂)を0.1g用いた以外、実施例1と同様にして、めっき下地形成用組成物を調製及びめっき積層体を製造し、評価を行った。結果を表2に示す。
Example 5
As shown in Table 1, instead of HP7200HH, 0.1 g of HP4710 was used, and further, ESREC KS-10 (Sekisui Chemical Co., Ltd., polyvinyl butyral (PVB) resin) for 0.1 g was used as a polyvinyl acetal resin. In the same manner as in Example 1 except that the composition was prepared, a composition for forming a plating base and a plated laminate were produced and evaluated. The results are shown in Table 2.

実施例6
表1に示すように、HP7200HHに代えて、HP4710を0.5g用い、さらに、ポリビニルアセタール樹脂であるエスレックKS−10を0.1g用いた以外、実施例1と同様にして、めっき下地形成用組成物を調製及びめっき積層体を製造し、評価を行った。結果を表2に示す。
Example 6
As shown in Table 1, in place of HP7200HH, 0.5 g of HP4710 was used, and 0.1 g of ESREC KS-10 which is a polyvinyl acetal resin was used. A composition was prepared and a plated laminate was produced and evaluated. The results are shown in Table 2.

比較例1
表1に示すように、HP7200HHを4g用いた以外、実施例1と同様にして、めっき下地形成用組成物を調製及びめっき積層体を製造し、評価を行った。結果を表2に示す。
Comparative Example 1
As shown in Table 1, except that 4 g of HP7200HH was used, in the same manner as in Example 1, a composition for forming a plating base and a plating laminate were produced and evaluated. The results are shown in Table 2.

比較例2
表1に示すように、HP7200HHを7g用いた以外、実施例1と同様にして、めっき下地形成用組成物を調製し、評価を行った。結果を表2に示す。
Comparative Example 2
As shown in Table 1, a composition for forming a plating base was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that 7 g of HP7200HH was used. The results are shown in Table 2.

比較例3
表1に示すように、HP7200HHに代えて、HP4710を4g用いた以外、実施例1と同様にして、めっき下地形成用組成物を調製及びめっき積層体を製造し、評価を行った。結果を表2に示す。
Comparative Example 3
As shown in Table 1, except that 4 g of HP4710 was used instead of HP7200HH, a plating underlayer forming composition was prepared and a plated laminate was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.

比較例4
表1に示すように、HP7200HHに代えて、HP4710を7g用いた以外、実施例1と同様にして、めっき下地形成用組成物を調製し、評価を行った。結果を表2に示す。
Comparative Example 4
As shown in Table 1, a plating underlayer forming composition was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that 7 g of HP4710 was used instead of HP7200HH. The results are shown in Table 2.

実施例7
表1に示すように、HP7200HHに代えて、エポキシ樹脂であるHP7200(DIC株式会社製、ガラス転移温度:61℃)を0.1g用いた以外、実施例1と同様にして、めっき下地形成用組成物を調製及びめっき積層体を製造し、評価を行った。結果を表2に示す。
Example 7
As shown in Table 1, in place of HP7200HH, in the same manner as in Example 1 except that 0.1 g of epoxy resin HP7200 (manufactured by DIC Corporation, glass transition temperature: 61 ° C.) was used. A composition was prepared and a plated laminate was produced and evaluated. The results are shown in Table 2.

実施例8
表1に示すように、HP7200HHに代えて、HP7200を0.5g用いた以外、実施例1と同様にして、めっき下地形成用組成物を調製及びめっき積層体を製造し、評価を行った。結果を表2に示す。
Example 8
As shown in Table 1, in place of HP7200HH, 0.5 g of HP7200 was used, and in the same manner as in Example 1, a composition for forming a plating base and a plating laminate were produced and evaluated. The results are shown in Table 2.

Figure 0006437438
Figure 0006437438

Figure 0006437438
Figure 0006437438

表2の結果から、実施例1〜8は、比較例1〜4と比べて、優れた成形加工性及びめっき析出性を示した。
また、実施例1〜6は、特に優れた耐熱試験後及び熱衝撃試験後のめっき密着性を示した。
From the result of Table 2, Examples 1-8 showed the outstanding moldability and plating precipitation compared with Comparative Examples 1-4.
Moreover, Examples 1-6 showed the metal-plating adhesiveness after the especially outstanding heat test and a thermal shock test.

本発明の無電解めっき下地膜形成用組成物は、無電解めっきに用いることができる。   The composition for forming an electroless plating base film of the present invention can be used for electroless plating.

上記に本発明の実施形態及び/又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び/又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
Although several embodiments and / or examples of the present invention have been described in detail above, those skilled in the art will appreciate that these exemplary embodiments and / or embodiments are substantially without departing from the novel teachings and advantages of the present invention. It is easy to make many changes to the embodiment. Accordingly, many of these modifications are within the scope of the present invention.
All the contents of the Japanese application specification that is the basis of the priority of Paris in this application are incorporated herein.

Claims (22)

置換又は無置換のポリアニリンがドーパントによってドープされたポリアニリン複合体、ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂を含み、
前記エポキシ樹脂の配合量が、前記ポリアニリン複合体、前記ウレタン樹脂及び前記エポキシ樹脂の合計に対し、0.2重量%〜30重量%であり、
前記ポリアニリン複合体の配合量が、前記ポリアニリン複合体、前記ウレタン樹脂及び前記エポキシ樹脂の合計に対し、31重量%〜80重量%であり、
前記ウレタン樹脂の配合量が、前記ポリアニリン複合体、前記ウレタン樹脂及び前記エポキシ樹脂の合計に対し、10重量%〜68.8重量%である無電解めっき下地膜形成用組成物。
A polyaniline composite in which a substituted or unsubstituted polyaniline is doped with a dopant, a urethane resin and an epoxy resin;
The compounding amount of the epoxy resin is 0.2% by weight to 30% by weight with respect to the total of the polyaniline composite, the urethane resin and the epoxy resin,
The blending amount of the polyaniline composite is 31% by weight to 80% by weight with respect to the total of the polyaniline composite, the urethane resin, and the epoxy resin,
The composition for electroless plating base film formation whose compounding quantity of the said urethane resin is 10 weight%-68.8 weight% with respect to the sum total of the said polyaniline complex, the said urethane resin, and the said epoxy resin.
さらにポリビニルアセタール樹脂を含む請求項1記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。   Furthermore, the composition for electroless-plating base film formation of Claim 1 containing polyvinyl acetal resin. 前記ポリビニルアセタール樹脂が、ポリビニルブチラールである請求項2記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。   The composition for forming an electroless plating base film according to claim 2, wherein the polyvinyl acetal resin is polyvinyl butyral. 前記エポキシ樹脂のガラス転移温度が60℃〜110℃である請求項1〜3のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。   The composition for forming an electroless plating base film according to any one of claims 1 to 3, wherein the epoxy resin has a glass transition temperature of 60C to 110C. 前記エポキシ樹脂が、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選ばれる1種以上である請求項1〜4のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。   The composition for forming an electroless plating base film according to any one of claims 1 to 4, wherein the epoxy resin is at least one selected from the group consisting of a dicyclopentadiene type epoxy resin, a bisphenol type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin. object. 前記ドーパントが下記式(III)で表されるスルホコハク酸誘導体である請求項1〜5のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
Figure 0006437438
(式(III)中、Mは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。m’は、Mの価数である。R13及びR14は、それぞれ炭化水素基又は−(R15O)−R16基である。R15は、それぞれ炭化水素基又はシリレン基であり、R16は水素原子、炭化水素基又はR17 Si−基であり、rは1以上の整数である。R17は、それぞれ炭化水素基である。)
The composition for forming an electroless plating base film according to any one of claims 1 to 5, wherein the dopant is a sulfosuccinic acid derivative represented by the following formula (III).
Figure 0006437438
(In formula (III), M is a hydrogen atom, an organic free radical or an inorganic free radical. M ′ is a valence of M. R 13 and R 14 are a hydrocarbon group or — (R 15 , respectively). O) r— R 16 group, wherein R 15 is a hydrocarbon group or a silylene group, R 16 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group or an R 17 3 Si— group, and r is an integer of 1 or more. R 17 is each a hydrocarbon group.)
前記ドーパントがジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウムである請求項1〜6のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。   The composition for forming an electroless plating base film according to any one of claims 1 to 6, wherein the dopant is sodium di-2-ethylhexyl sulfosuccinate. 前記ウレタン樹脂が、2種以上のウレタン樹脂である請求項1〜7のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。   The composition for forming an electroless plating base film according to any one of claims 1 to 7, wherein the urethane resin is two or more kinds of urethane resins. さらに溶剤を含む請求項1〜のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。 Furthermore, the composition for electroless-plating foundation | substrate film formation in any one of Claims 1-8 containing a solvent. 請求項1〜のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物から得られる無電解めっき下地膜。 Electroless plating underlayer film obtained from an electroless plating foundation film forming composition according to any one of claims 1-9. 金属を含む無電解めっき層と、
請求項10記載の無電解めっき下地膜と、
基板とを含み、前記無電解めっき層の面と前記無電解めっき下地膜の面が接しているめっき積層体。
An electroless plating layer containing metal;
The electroless plating base film according to claim 10 ,
A plating laminate comprising a substrate, wherein the surface of the electroless plating layer is in contact with the surface of the electroless plating base film.
前記金属が銅である請求項11記載のめっき積層体。 The plated laminate according to claim 11 , wherein the metal is copper. 前記基板が樹脂である請求項11又は12記載のめっき積層体。 The plated laminate according to claim 11 or 12 , wherein the substrate is a resin. 前記基板がポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、又はポリフェニレンサルファイド樹脂である請求項1113のいずれか記載のめっき積層体。 The plated laminate according to any one of claims 11 to 13 , wherein the substrate is a polycarbonate resin, a polyester resin, a polyimide resin, or a polyphenylene sulfide resin. 請求項1〜のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物を用いる無電解めっき下地膜の製造方法。 Manufacturing method of electroless plating foundation film using an electroless plating foundation film forming composition according to any one of claims 1-9. 基板上に、請求項1〜のいずれか記載の無電解めっき下地膜形成用組成物を用いて無電解めっき下地膜を形成する工程、及び
前記無電解めっき下地膜上に、金属を含む無電解めっき層を形成する工程を含む
無電解めっき積層体の製造方法。
A step of forming an electroless plating base film using the composition for forming an electroless plating base film according to any one of claims 1 to 9 on a substrate, and a non-metal containing metal on the electroless plating base film The manufacturing method of the electroless-plating laminated body including the process of forming an electroplating layer.
前記無電解めっき下地膜にパラジウムを担持させ、その後、無電解めっき液に接触させることにより前記無電解めっき層を形成する請求項16記載の無電解めっき積層体の製造方法。 The method of manufacturing an electroless plating laminate according to claim 16 , wherein the electroless plating layer is formed by supporting palladium on the electroless plating base film and then contacting the electroless plating solution with an electroless plating solution. 前記無電解めっき下地膜に塩化パラジウム溶液を接触させることによりパラジウムを担持させる請求項17記載の無電解めっき積層体の製造方法。 The method for producing an electroless plating laminate according to claim 17, wherein palladium is supported by bringing a palladium chloride solution into contact with the electroless plating base film. 前記無電解めっき液がCu、Ni、Au、Pd、Ag、Sn、Co及びPtから選択される1以上の金属を含む請求項17又は18記載の無電解めっき積層体の製造方法。 The method of manufacturing an electroless plating laminate according to claim 17 or 18, wherein the electroless plating solution contains one or more metals selected from Cu, Ni, Au, Pd, Ag, Sn, Co, and Pt. 請求項1114のいずれか記載のめっき積層体を用いた電子回路。 Electronic circuit using plating laminate according to any one of claims 11 to 14. 請求項1114のいずれか記載のめっき積層体を用いたコネクタ。 Connector using a plating laminate according to any one of claims 11 to 14. 請求項1114のいずれか記載のめっき積層体を用いたコイル。 Coil using the plating laminate according to any one of claims 11 to 14.
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