JP6459293B2 - はんだ被覆ボールおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば半導体パッケージの入出力端子として好適に用いられる、はんだ被覆ボールおよびその製造方法に関する。

はんだ被覆ボールは、主に、電気・電子機器の部品を接続するために用いられる。具体的には、はんだ被覆ボールは、例えば、部品周囲にリード端子を持つＱＦＰ（Ｑｕａｒｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）や、比較的小型で、多ピン化が可能なＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）およびＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）などの半導体パッケージの入出力端子に用いられる。近年、半導体パッケージの小型化・高密度化のために、はんだ被覆ボールとして、粒径が１５０μｍ以下のものが求められている。

これまで、はんだ被覆ボールとしては、粒径および真球度のばらつきが小さいことから、Ｃｕ（銅）を核（コア）として用いたはんだ被覆ボール（「Ｃｕコアはんだ被覆ボール」ということがある。）が用いられている。しかしながら、粒径が１５０μｍ以下、真球に近い形状のＣｕコア（「Ｃｕボール」ということがある。）を量産することは容易ではなく、種々の製造方法が検討される。

例えば、特許文献１には、直径が１５〜３０μｍのＣｕ細線をプレス切断して円柱形状のチップとし、そのチップをプラズマ雰囲気中で球状化（「プラズマ球状化処理」と称されている）し、粒径（精度、歩留）が４０μｍ（±５μｍ、約９８％）のＣｕボールが製造できた、と記載されている。

特開２００５−０３６３０１号公報

しかしながら、特許文献１に記載のＣｕボールの製造方法によっても、十分な量産性が得られているとは言い難く、また、製造コストも高い。特許文献１の製造方法では、Ｃｕ細線を高精度で切断して微細なＣｕチップに形成するためのプレス装置およびプラズマ球状化装置の準備、Ｃｕチップの表面酸化層の除去あるいは表面酸化の抑制、およびこれらの装置を安定的に運転するために、多くのコストおよび時間を要する。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、量産性に優れた、微小なはんだ被覆ボールおよびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の実施形態によるはんだ被覆ボールは、ＮｉおよびＰを含む球状のコアと、前記コアを被覆するように形成されたはんだ層とを有する。

ある実施形態において、前記はんだ被覆ボールは、前記コアと前記はんだ層との間に形成されたＣｕめっき層をさらに有する。

ある実施形態において、前記はんだ被覆ボールは、前記Ｃｕめっき層と前記はんだ層との間に形成されたＮｉめっき層をさらに有する。

ある実施形態において、前記Ｃｕめっき層の厚さは、０．０１μｍ以上５０μｍ以下である。

ある実施形態において、前記はんだ被覆ボールは、前記コアと前記はんだ層との間に形成されたＮｉめっき層をさらに有する。

ある実施形態において、前記はんだ層の厚さは、０．０１μｍ以上５０μｍ以下である。

ある実施形態において、前記コアの平均粒径は１５０μｍ以下であり、真球度は０．９８以上である。真球度は、０．９９以上であることが好ましい。前記コアの平均粒径は１μｍ以上である。

ある実施形態において、前記コアは、１質量％以上１５質量％以下のＰと、１８質量％を上限として任意に添加されるＣｕと、前記Ｃｕに加えてさらに１０質量％を上限として任意に添加されるＳｎとを含み、残部はＮｉと不可避不純物である。つまり、前記コアは、ＮｉおよびＰを含むもの、Ｎｉ、ＰおよびＣｕを含むもの、および、Ｎｉ、Ｐ、ＣｕおよびＳｎを含むものから、必要に応じて選択することが好ましい。

本発明の実施形態によるはんだ被覆ボールの製造方法は、上記のいずれかに記載のはんだ被覆ボールの製造方法であって、前記コアを用意する工程は、ＮｉおよびＰを含む球状粒子で構成される粉体であって、レーザー回折散乱法による積算体積分布曲線において９０体積％、１０体積％および５０体積％を示す粒子径を、それぞれｄ９０、ｄ１０およびｄ５０とするとき、［（ｄ９０−ｄ１０）／ｄ５０］≦０．８を満足する粉体を無電解還元法によって製造する工程を含む。前記ＮｉおよびＰを含む球状粒子で構成される粉体は、［（ｄ９０−ｄ１０）／ｄ５０］＜０．７を満足することが好ましい。

ある実施形態において、前記製造方法は、電解めっきによって、前記コアを被覆するはんだ層を形成する工程をさらに包含する。

本発明の実施形態によると、コアを有し、全表面がはんだによって被覆された、例えば、平均粒径が１５０μｍ以下で、真球度が０．９８以上の球状であり、かつ、量産性に優れる、はんだ被覆ボールが提供される。また、本発明の実施形態によると、そのようなはんだ被覆ボールを高い量産性で製造することができる製造方法が提供される。

（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、本発明の実施形態によるはんだ被覆ボール１０Ａ、１０Ｂおよび１０Ｃの模式的な断面図である。 （ａ）は実験例１のＮｉＰ粉体のＳＥＭ像であり、（ｂ）は実験例２のＮｉＰ粉体のＳＥＭ像であり、（ｃ）は実験例３のＮｉＰ粉体のＳＥＭ像であり、（ｄ）は実験例４のＮｉＰ粉体のＳＥＭ像である。 （ａ）は実験例５のＮｉＰ粒子にＣｕめっき層が形成された後にはんだ層が形成される前の粒子の断面のＳＥＭ像を示す図であり、（ｂ）は実験例６のはんだめっきＮｉＰ粒子（はんだ被覆ボール）の断面のＳＥＭ像を示す図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態によるはんだ被覆ボールおよびその製造方法を説明する。

図１（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に、本発明の実施形態によるはんだ被覆ボール１０Ａ、１０Ｂおよび１０Ｃの模式的な断面図を示す。

図１（ａ）に示すはんだ被覆ボール１０Ａは、Ｎｉ（ニッケル）およびＰ（りん）を含む球状（ボール状）のコア１１と、コア１１を被覆するように形成されたはんだ層１２とを有する。図１（ｂ）に示すはんだ被覆ボール１０Ｂは、コア１１とはんだ層１２との間に形成されたＣｕ（銅）めっき層１３をさらに有する点において、はんだ被覆ボール１０Ａと異なる。図１（ｃ）に示すはんだ被覆ボール１０Ｃは、Ｃｕめっき層１３とはんだ層１２との間に形成されたＮｉめっき層１４をさらに有する点において、はんだ被覆ボール１０Ｂと異なる。なお、図１（ｃ）に示すはんだ被覆ボール１０Ｃにおいて、Ｃｕめっき層１３を省略し、Ｎｉめっき層１４を、コア１１の表面に直接形成してもよい。また、図１（ｃ）に示すはんだ被覆ボール１０Ｃにおいて、コア１１の表面に直接さらなるＮｉめっき層を形成し、そのさらなるＮｉめっき層の上に、Ｃｕめっき層１３およびＮｉめっき層１４を形成してもよいし、Ｎｉめっき層１４を省略してもよい。

被覆ボール１０Ａ、１０Ｂおよび１０Ｃが有するコア１１は、ＮｉおよびＰを含む球状（ボール状）のコアである。このコア１１としては、本出願人による特開２００９−１９７３１７号公報（特許第５３２７５８２号）に記載されているＮｉＰ粒子を好適に用いることができる。参考のために、特開２００９−１９７３１７号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。以下、コア１１をＮｉＰコア１１と呼ぶことがある。

ＮｉＰコア１１は、Ｎｉを主成分とし、Ｐ（燐）の他に、Ｃｕ（銅）をさらに含んでもよい。また、ＮｉＰコア１１がＣｕを含む場合、さらにＳｎ（錫）を含んでもよい。

例えば、ＮｉＰコア１１は、１質量％以上１５質量％以下のＰと、１８質量％を上限として任意に添加されるＣｕと、前記Ｃｕに加えてさらに５質量％を上限として任意に添加されるＳｎとを含み、残部はＮｉと不可避不純物である。ＮｉＰコア１１に含まれる不可避不純物は、ＮｉＰコア１１の製造に用いる溶液の成分に由来し、主にＣ（炭素）およびＯ（酸素）である。ＣおよびＯの含有率は、Ｃを０．１質量％以下およびＯを０．８質量％以下に抑制することが好ましく、ＮｉＰコア１１の体積抵抗率の上昇が抑制され、ＮｉＰコア１１の表面にはんだ層１２やＣｕめっき層１３を形成したときの密着性の低下が抑制される。ここで、各元素の質量％は、ＮｉＰコア１１の全体に対する含有率を示す。

Ｐ、ＣｕおよびＳｎの含有率は、ＮｉＰ粒子の硬さ、体積抵抗率（導電率）、粒径および粒度分布に影響を与える。各元素の含有率が高くなると、体積抵抗率が上昇するので、各元素の上限値は、主に要求される体積抵抗率から決められる。また、各元素の含有率が高すぎると、粒子が０．９８以上の真球度に形成され難くなったり、場合によっては粒子が球状化されないことがある。各元素の下限値は、目的とする粒度および／または粒度分布を得るために必要な量で決まる。

より詳細には、Ｐ（１質量％以上１５質量％以下）は、導電粒子（コア）として必要な硬さと導電性を付与する。また、Ｐを添加することによって、中心部分に結晶質を有し、表層部分に非結晶質の金属間化合物が分散された構造を有するＮｉＰ粒子が得られる。Ｃｕ（０．０１質量％以上１８質量％以下）を添加することによって、単分散性を向上させるが効果が得られる。Ｃｕに加えてＳｎ（０．０５質量％以上５質量％以下）を添加することによって、単分散性をさらに向上させる効果が得られる。

ＮｉＰ粒子は、例えば、Ｎｉ塩水溶液と、Ｐを含む還元剤水溶液とを混合し、微粒子の核を生成させた後に、その核に対してＮｉとＰを無電解で還元析出させることによって得られる。この製造方法（「無電解還元法」という。）によると、所定の粒径を有するＮｉＰ粒子を安定かつ効率よく低コストで、量産することができる。例えば、レーザー回折散乱法による積算体積分布曲線において９０体積％、１０体積％および５０体積％を示す粒子径を、それぞれｄ９０、ｄ１０およびｄ５０とするとき、［（ｄ９０−ｄ１０）／ｄ５０］≦０．８を満足する粒度分布を有するＮｉＰ粉体（ＮｉＰ粒子の集合体）を得ることができる。上記の製造方法において、Ｎｉ塩水溶液とＰを含む還元剤を混合する際の、Ｎｉ塩水溶液の中に、Ｃｕイオンを添加することによって、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐの組成を有するＮｉＰ粒子が得られ、ＣｕイオンとＳｎイオンとを添加することによって、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐの組成を有するＮｉＰ粒子が得られる。

上記の製造方法によると、平均粒径が１５０μｍ以下で、かつ、真球度が０．９８以上のＮｉＰ粒子から構成されたＮｉＰ粉体を得ることができる。上記の製造方法によって製造されるＮｉＰ粉体の平均粒径の下限値は約１μｍである。

上述のＮｉＰ粉体に、電解めっきで、はんだ層１２を形成する。はんだ層１２の厚さは、例えば、０．０１μｍ以上５０μｍ以下である。はんだ層１２の厚さを調節することによって、最終的に得られるはんだ被覆ボール１０Ａの直径を制御することができる。はんだ層１２の材料としては、公知のはんだを広く用いることができる。例えば、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕなどの鉛フリーはんだを好適に用いることができる。

Ｃｕめっき層１３およびＮｉめっき層１４は、無電解めっき、または電解めっきによって形成される。Ｃｕめっき層１３の厚さは、例えば、０．０１μｍ以上５０μｍ以下である。Ｎｉめっき層１４の厚さは、例えば、０．０１μｍ以上５０μｍ以下であり、はんだ層１２に含まれるＳｎとＣｕ層１３に含まれるＣｕとによる脆い金属間化合物の生成を抑制する効果が期待できる。Ｃｕめっき層１３および／またはＮｉめっき層１４の厚さも、はんだ層１２の厚さと同様に、最終的に得られるはんだ被覆ボール１０Ｂまたは１０Ｃの直径を制御するために、調整され得る。

はんだ被覆ボール１０Ｂおよび１０Ｃは、ＮｉＰコア１１を被覆するように形成されたＣｕめっき層１３を有している。はんだ層１２およびＮｉめっき層１４を形成する前の状態は、見かけ上Ｃｕコアと同じであり、はんだ層との濡れ性もＣｕコアと同じにできる。さらに、Ｃｕめっき層１３の厚さを十分に大きくすることによって、硬さもＣｕコアと同等にすることができる。なお、Ｎｉめっき層１４は、よく知られているように、はんだ層１２との密着性を向上させる効果を有している。

以下に、実験例を示す。以下の説明において、平均粒径は、ＮｉＰ粒子で構成されるＮｉＰ粉体を試料として用いたレーザー回折散乱法による積算体積分布曲線における５０体積％を示す粒子径（ｄ５０）を意味する。また、真球度は、平行透過光による画像測定システムにより投影画像の最長径と円相当径を求め、円相当径を最長径で除した値である。ＮｉＰ粒子の組成は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析装置（島津製作所製ＩＣＰＥ−９０００）によって測定した。

（実験例１）
硫酸ニッケル六水和物、硫酸銅五水和物とすず酸ナトリウム三水和物とを、ＮｉとＣｕとのモル比がＮｉ／Ｃｕ＝２９、ＮｉとＳｎとのモル比がＮｉ／Ｓｎ＝５．８となるよう配合したものを純水に溶解し、金属塩水溶液を１５（ｄｍ³）調製した。

次に、酢酸ナトリウムを純水に溶解して、３．０（ｋｍｏｌ／ｍ³）の濃度とし、更に水酸化ナトリウムを加えてｐＨ調製水溶液を１５（ｄｍ³）調製した。

上記の金属塩水溶液とｐＨ調製水溶液とを撹拌混合し、３０（ｄｍ³）の混合水溶液を得た。この混合溶液のｐＨは７．２０であった。

上記の混合水溶液をＮ₂ガスでバブリングしながら外部ヒーターにより３４３（Ｋ）に加熱保持し、撹拌を続けた。

次に、純水に１．８（ｋｍｏｌ／ｍ³）の濃度でホスフィン酸ナトリウムを溶解した還元剤水溶液を１５（ｄｍ³）調製し、こちらも外部ヒーターによって３４３（Ｋ）に加熱した。

上記の混合水溶液３０（ｄｍ³）および還元剤水溶液１５（ｄｍ³）の温度が３４３±１（Ｋ）となった状態で、これらを混合し、無電解還元法によってＮｉＰ粉体を得た。

得られたＮｉＰ粉体の平均粒径ｄ₅₀は、５６．１μｍで、［（ｄ₉₀−ｄ₁₀）／ｄ₅₀］の値は０．５５であった。また、真球度は０．９９５であった。図２（ａ）に、ＮｉＰ粉体のＳＥＭ像を示す。図２（ａ）からわかるように、個々のＮｉＰ粒子は真球に近く、単分散性の高いＮｉＰ粉体が得られた。

ＮｉＰ粒子の組成は、Ｐの含有率が５．３質量％で、Ｃｕの含有率が４．３１０質量％、Ｓｎは０．１５９質量％、残部がＮｉおよび不可避不純物であった。

これらの結果を表１に示す。表１には、下記の実験例２〜６の結果を併せて示す。

（実験例２）
水酸化ナトリウム量を調整して、混合水溶液のｐＨが７．１６としたこと以外は、実験例１と同じ条件で無電解還元法により、ＮｉＰ粒子を作製した。得られたＮｉＰ粉体のＳＥＭ像を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）からわかるように、個々のＮｉＰ粒子は真球に近く、単分散性の高いＮｉＰ粉体が得られた。平均粒径ｄ₅₀は、９０．２μｍで、［（ｄ₉₀−ｄ₁₀）／ｄ₅₀］の値は０．６６であった。

（実験例３）
硫酸ニッケル六水和物、硫酸銅五水和物とすず酸ナトリウム三水和物とを用い、ＮｉとＣｕとのモル比がＮｉ／Ｃｕ＝２１．７５、ＮｉとＳｎとのモル比がＮｉ／Ｓｎ＝５．８となるように調製した以外は、実験例１と同様にして、無電解還元法により微小粒子を作製した。なお、混合水溶液のｐＨは７．１２であった。

得られたＮｉＰ粉体のＳＥＭ像を図２（ｃ）に示す。図２（ｃ）からわかるように、個々のＮｉＰ粒子は真球に近く、単分散性の高いＮｉＰ粉体が得られた。平均粒径ｄ５０は１４９．１μｍで、［（ｄ９０−ｄ１０）／ｄ５０］は０．４６であった。

（実験例４）
硫酸ニッケル六水和物と硫酸銅五水和物とを、ＮｉとＣｕとのモル比がＮｉ／Ｃｕ＝３９となるよう調製して、純水に溶解し、金属塩水溶液を１５（ｄｍ³）調製した。

０．６５（ｋｍｏｌ／ｍ³）の酢酸ナトリウムおよび０．１７５（ｋｍｏｌ／ｍ³）のマレイン酸二ナトリウムを含むｐＨ調製水溶液を１５（ｄｍ³）調製した。

上記の金属塩水溶液とｐＨ調製水溶液を撹拌混合し、３０（ｄｍ³）の混合水溶液を得た。混合水溶液のｐＨは８．２であった。

上記の混合水溶液をＮ₂ガスでバブリングしながら外部ヒーターにより３４３（Ｋ）に加熱保持し、撹拌を続けた。

その後は、実験例１と同様に、無電解還元法によってＮｉＰ粉体を作製した。

得られたＮｉＰ粉体のＳＥＭ像を図２（ｄ）に示す。図２（ｄ）からわかるように、個々のＮｉＰ粒子は真球に近く、単分散性の高いＮｉＰ粉体が得られた。平均粒径ｄ₅₀は、６７．１μｍで、［（ｄ₉₀−ｄ₁₀）／ｄ₅₀］の値は０．５１であった。なお、このＮｉＰ粉体は、Ｓｎを含んでおらず、組成分析の結果は、Ｓｎの含有率は検出限界未満であった。

（実験例５）
実験例１で得られたＮｉ−Ｐ粒子の表面に、狙い厚さを約０．５μｍとして、以下の無電解Ｃｕめっき法によってＣｕめっき層を形成した。

ＮｉＰ粉末を約７０℃の酸化膜除去液（奥野製薬工業（株）製、トップＵＢＰエヌアクチ）に３分間浸漬し、その間、容器を手で振動させた。この活性化処理によって、ＮｉＰ粒子の表面に形成された自然酸化膜を除去した。その後、吸引ろ過によって取り出したＮｉＰ粉末を純水に浸漬し、３分間、超音波洗浄を行なった。

次に、ＮｉＰ粉末を３０℃の触媒付与液（奥野製薬工業（株）製、ＩＣＰアクセラＫＣＲ）に３分間浸漬することによって、ＮｉＰ粒子の表面にＰｄ核を生成させた。Ｐｄ核は、無電解Ｃｕめっき層を析出させる起点となる。

得られたＮｉＰ粉末を上記と同様に超音波洗浄した後、無電解Ｃｕめっき液（奥野製薬工業（株）製、ＯＰＣカッパーＡＦ）に投入した。６０℃の無電解Ｃｕめっき液にエアバブリングしながら、撹拌羽根を使って２００回／ｍｉｎの速度で撹拌している状態で、ＮｉＰ粉末を投入した。この状態で、４時間の無電解Ｃｕめっきを行なった。Ｃｕめっき層が形成されたＮｉＰ粉末を取り出し、超音波洗浄を行った後、６０℃で乾燥させた。

得られたＣｕめっきＮｉＰ粒子の断面ＳＥＭ像を図３（ａ）に示す。このＣｕめっきＮｉＰ粉体の平均粒径ｄ５０は５７．５μｍで、［（ｄ９０−ｄ１０）／ｄ５０］値は０．５６であった。また、ＣｕめっきＮｉＰ粒子の真球度は０．９９５であり、実験例１のＮｉＰ粒子の真球度から変化がなく、Ｃｕめっきによって、真球度が低下しないこと、すなわち、Ｃｕめっき層が均一な厚さ（０．７μｍ）で形成されたことが確認された。図３（ａ）のＳＥＭ像からも、厚さが均一なＣｕめっき層が形成されていることがわかる。

その後、前記Ｃｕめっき層を被覆するようにはんだ層を形成することにより、ＮｉＰコアとはんだ層の間にＣｕめっき層を有する構成のはんだ被覆ボールが得られた。はんだ層は、実験例６で説明する電解はんだめっき法によって形成した。

（実験例６）
実験例１で得られたＮｉ−Ｐ粒子の表面に、狙い厚さが約１０μｍで、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕの組成を有するはんだ層を以下の電解はんだめっき法によって形成した。

ＮｉＰ粉末を１０％塩酸水溶液に３分間浸漬し、その間、容器を手で振動させた。この活性化処理によって、ＮｉＰ粒子の表面に形成された自然酸化膜を除去した。その後、吸引ろ過によって取り出したＮｉＰ粉末を純水に浸漬し、３分間、超音波洗浄を行なった。

次に、メタンスルフォン酸Ｓｎ（Ｓｎとして１８ｇ／Ｌ）、メタンスルフォン酸Ａｇ（Ａｇとして１．０ｇ／Ｌ）、メタンスルフォン酸Ｃｕ（Ｃｕとして２．２ｇ／Ｌ）を含む溶液にアンモニアを添加して、ｐＨ４．０に調整したはんだめっき液を用意した。

このはんだめっき液を用いて、Ｓｎを陽極電極として、電流密度０．４Ａ／ｄｍ²、常温（２５℃）で、高速回転めっき装置（例えば国際公開第２０１３／１４１１６６号参照）で電解めっきを行なうことによって、ＮｉＰ粒子の表面に、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕの組成（数字は質量％に相当する。）を有するはんだ層を約１０μｍ形成した。はんだ層が形成されたＮｉＰ粉末を取り出し、超音波洗浄を行った後、５０℃で乾燥させた。

図３（ｂ）に、得られたはんだめっきＮｉＰ粒子（はんだ被覆ボール）の断面ＳＥＭ像を示す。このはんだめっきＮｉＰ粉体の平均粒径ｄ５０値は７６．６μｍで、［（ｄ９０−ｄ１０）／ｄ５０］は０．５６であった。また、はんだめっきＮｉＰ粒子の真球度は０．９９４であり、実験例１のＮｉＰ粒子の真球度からほとんど変化がなく、比較的厚いはんだ層を形成しても、真球度がほとんど低下しないこと、すなわち、はんだ層がほぼ均一な厚さ（１０．２５μｍ）で形成されたことが確認された。図３（ｂ）のＳＥＭ像からも、厚さが均一なはんだ層が形成されていることがわかる。

本発明のはんだ被覆ボールは、例えば、小型で高密度な半導体パッケージの電気的な接続に用いられ得る。

１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ はんだ被覆ボール
１１ コア（ＮｉＰコア）
１２ はんだ層（はんだめっき層）
１３ Ｃｕめっき層
１４ Ｎｉめっき層

Claims (6)

1. ＮｉおよびＰを含む球状のコアと、前記コアを被覆するように形成されたはんだ層とを有し、
   前記コアは、１質量％以上１５質量％以下のＰと、１８質量％を上限として任意に添加されるＣｕと、前記Ｃｕに加えてさらに５質量％を上限として任意に添加されるＳｎとを含み、残部はＮｉと不可避不純物であって、
   前記コアと前記はんだ層との間に形成されたＣｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層と前記はんだ層との間に形成されたＮｉめっき層とを有する、はんだ被覆ボール。
2. 前記Ｃｕめっき層の厚さは、０．０１μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１に記載のはんだ被覆ボール。
3. 前記はんだ層の厚さは、０．０１μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１または２に記載のはんだ被覆ボール。
4. 前記コアの平均粒径は１５０μｍ以下であり、真球度は０．９８以上である、請求項１から３のいずれかに記載のはんだ被覆ボール。
5. 請求項１から４のいずれかに記載のはんだ被覆ボールの製造方法であって、前記コアを用意する工程は、ＮｉおよびＰを含む球状粒子で構成される粉体であって、レーザー回折散乱法による積算体積分布曲線において９０体積％、１０体積％および５０体積％を示す粒子径を、それぞれｄ９０、ｄ１０およびｄ５０とするとき、［（ｄ９０−ｄ１０）／ｄ５０］≦０．８を満足する粉体を無電解還元法によって製造する工程を含む、はんだ被覆ボールの製造方法。
6. 電解めっきによって、前記コアを被覆するはんだ層を形成する工程をさらに包含する、請求項５に記載のはんだ被覆ボールの製造方法。