JP6474583B2 - 分離フィルタの製造方法 - Google Patents
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Description
(RO)3Si−X−Si(OR)3で表される化合物と水を含む溶媒とを混合してポリマーゾルを調製するポリマーゾル調製工程と、
前記ポリマーゾルを膜状又は中空状の多孔質から構成され細孔径が1〜3nmの耐熱性高分子支持体上に塗布する塗布工程と、
焼成して前記耐熱性高分子支持体上に−Si−X−Si−結合を有する無機有機ハイブリッド膜を形成する焼成工程と、を含む、
ことを特徴とする。
(上記Xは、1つ以上の水素が置換されていてもよい直鎖状飽和炭化水素鎖又は直鎖状不飽和炭化水素鎖を表し、Rはアルキル基を表す。)
(RO)3SiXSi(OR)3で表される化合物と水を含む溶媒とを混合してポリマーゾルを調製する。上式中、Rはアルキル基を表し、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。
上述のように調製されたポリマーゾルを耐熱性高分子支持体上に塗布する。ポリマーゾルの塗布は、スピンコーティング法、ディップコーティング法のほか、不織布をポリマーゾルに浸して耐熱性高分子支持体上に塗布するなど、種々の方法により行い得る。
塗布したポリマーゾルを乾燥した後、焼成を行う。焼成を行うことにより、脱水縮合がより進行し、ネットワークが緻密になる。焼成温度は、後述の実施例から、100℃より高い温度とすることが好ましい。また、400℃以上で焼成すると、Si−X−Siのアルキル鎖が分解されてしまい、細孔が形成されなくなってしまうため、400℃より低い温度で焼成することが好ましい。更に、100℃以上200℃以下であることが好ましい。
分離係数=(YW/YA)/(XW/XA)
上式中、YW、YAは、それぞれ分離フィルタの下流側の水のモル濃度、IPAのモル濃度を表し、XW、XAは、それぞれ分離フィルタの上流側の水のモル濃度、IPAのモル濃度を表す。
Claims (4)
- (RO)3Si−X−Si(OR)3で表される化合物と水を含む溶媒とを混合してポリマーゾルを調製するポリマーゾル調製工程と、
前記ポリマーゾルを膜状又は中空状の多孔質から構成され細孔径が1〜3nmの耐熱性高分子支持体上に塗布する塗布工程と、
焼成して前記耐熱性高分子支持体上に−Si−X−Si−結合を有する無機有機ハイブリッド膜を形成する焼成工程と、を含む、
ことを特徴とする分離フィルタの製造方法。
(上記Xは、1つ以上の水素が置換されていてもよい直鎖状飽和炭化水素鎖又は直鎖状不飽和炭化水素鎖を表し、Rはアルキル基を表す。) - 前記耐熱性高分子支持体がポリスルホン、ポリエーテルスルホン、スルホン化ポリスルホン、スルホン化ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン及びこれらの誘導体からなる群から選択される高分子化合物から形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の分離フィルタの製造方法。 - 100℃より高く400℃より低い温度で焼成する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の分離フィルタの製造方法。 - 100℃以上200℃以下で焼成する、
ことを特徴とする請求項3に記載の分離フィルタの製造方法。
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