JP6486211B2

JP6486211B2 - 高周波伝送装置およびその製造方法

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Publication number: JP6486211B2
Application number: JP2015116541A
Authority: JP
Inventors: 士郎関野; 晃洋安藤; 頼一小泉
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2015-06-09
Filing date: 2015-06-09
Publication date: 2019-03-20
Anticipated expiration: 2035-06-09
Also published as: JP2017005450A

Description

本発明は、高周波伝送装置およびその製造方法に関し、特に、導体が金属膜で覆われた構成の伝送路を有する高周波伝送装置およびその製造方法に関するものである。

高周波信号の伝送路の１つであるマイクロストリップ線路は、これを構成する導体材料の線路損失が小さくなっている。これにより、マイクロストリップ線路における高周波信号の伝送効率が向上される。

しかしながらマイクロストリップ線路は、これに伝送される信号の周波数が高い場合には、表皮効果またはスキン効果と呼ばれる、当該マイクロストリップ線路のごく表層のみを信号が通過する現象が起こることが知られている。表皮効果が起こればマイクロストリップ線路の伝送損失が大きくなるため、マイクロストリップ線路は、その表面に、伝送損失の小さい導体材料をめっきすることが好ましい。具体的には、上記の伝送損失を小さくする目的と、実装性を良好にし汚染対策する目的とにより、マイクロストリップ線路の最表面に金または銀などのめっき膜が施される場合がある。

このような表皮効果を緩和させるマイクロストリップ線路として、たとえば以下の特開２００２−２９９９１８号公報（特許文献１）および特開平１０−１３１１２号公報（特許文献２）のようなものが提案されている。

特開２００２−２９９９１８号公報特開平１０−１３１１２号公報

しかしながら、特許文献１のようにエッジ電極を有するストリップ導体、および特許文献２のように導体の側面部分に誘電体層と導体層とを複数積層する多層電極はいずれも特殊な形状を有するため、工程が煩雑であり、製造コストが高騰する可能性がある。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、より簡易な構造を有し、かつ表皮効果を低コストで抑制可能な高周波伝送装置およびその製造方法を提供することである。

本実施の形態の高周波伝送装置は、絶縁基板と、高周波信号の伝送路とを備える。伝送路は絶縁基板の一方の主表面上に配置される。伝送路は、導体と、低抵抗金属膜とを有している。低抵抗金属膜は導体の側面上および上面上に配置される。導体の側面を覆う低抵抗金属膜は、導体の上面を覆う低抵抗金属膜よりも厚い。

本実施の形態の高周波伝送装置の製造方法は、まず絶縁基板が準備され、絶縁基板の一方の主表面上に高周波信号の伝送路が形成される。伝送路を形成する工程においては、まず導体が形成される。導体の側面上および上面上に第１の低抵抗金属膜が形成される。第１の低抵抗金属膜が形成された後に、導体の側面を覆う第１の低抵抗金属膜の上に第２の低抵抗金属膜が追加で形成される。

本発明によれば、導体の側面を覆う厚い低抵抗金属膜により、導体の側面の最表面部において集中しやすい高周波信号の伝搬を、厚い低抵抗金属膜の範囲に広く分散させることができる。このような高周波伝送装置は、複雑な工程を要することなく、導体の側面側に、第１の低抵抗金属膜に加えて第２の低抵抗金属膜を追加で形成するだけで容易に形成できる。

実施の形態１〜６の高周波伝送装置の構成を総括的に示す概略断面図である。実施の形態１における高周波伝送装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。実施の形態１における高周波伝送装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。実施の形態１における高周波伝送装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。実施の形態１における高周波伝送装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。実施の形態１における高周波伝送装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。実施の形態１における高周波伝送装置の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。実施の形態１における高周波伝送装置の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。実施の形態１における高周波伝送装置の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。実施の形態１における高周波伝送装置の製造方法の第９工程を示すとともに、実施の形態１における高周波伝送装置の構成を示す概略断面図である。実施の形態２における高周波伝送装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。実施の形態２における高周波伝送装置の製造方法の第２工程を示すとともに、実施の形態２における高周波伝送装置の構成を示す概略断面図である。実施の形態３における高周波伝送装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。実施の形態３における高周波伝送装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。実施の形態３における高周波伝送装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。実施の形態３における高周波伝送装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。実施の形態３における高周波伝送装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。実施の形態３における高周波伝送装置の製造方法の第６工程を示すとともに、実施の形態３における高周波伝送装置の構成を示す概略断面図である。実施の形態４における高周波伝送装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。実施の形態４における高周波伝送装置の製造方法の第２工程を示すとともに、実施の形態４における高周波伝送装置の構成を示す概略断面図である。実施の形態５における高周波伝送装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。実施の形態５における高周波伝送装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。実施の形態５における高周波伝送装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。実施の形態５における高周波伝送装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。実施の形態５における高周波伝送装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。実施の形態５における高周波伝送装置の製造方法の第６工程を示すとともに、実施の形態５における高周波伝送装置の構成を示す概略断面図である。実施の形態６における高周波伝送装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。実施の形態６における高周波伝送装置の製造方法の第２工程を示すとともに、実施の形態６における高周波伝送装置の構成を示す概略断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
まず本実施の形態の高周波伝送装置の構成について、図１を用いて説明する。

図１を参照して、本実施の形態の高周波伝送装置９００は、絶縁基板１と、伝送路２とを有している。絶縁基板１は、一方の主表面１ａおよびこれに対向する他方の主表面１ｂを有するたとえば矩形の平板形状を有している。伝送路２は、絶縁基板１のたとえば一方の主表面１ａ上の少なくとも一部の領域に配置されており、高周波信号を伝送する。具体的には伝送路２は、図１の紙面奥行き方向に延びる長尺形状を有する、マイクロストリップ線路などである。

伝送路２は、中心導体３（導体）と、低抵抗金属膜４とを有している。中心導体３は伝送路２全体の中心をなす、導体材料からなる部材である。ここでは中心導体３の最上部の表面を中心導体上面３ａ（導体の上面）とし、中心導体３の図１の左右両側の最表面を中心導体側面３ｂ（導体の側面）とする。低抵抗金属膜４は、中心導体上面３ａ上および中心導体側面３ｂ上に形成されており、中心導体３の近く（周囲）の領域における絶縁基板１の一方の主表面１ａ上をも覆うように形成されている。また絶縁基板１のたとえば他方の主表面１ｂ上には、裏面電極５が形成されている。

中心導体側面３ｂ上の（図１において中心導体側面３ｂを覆う）低抵抗金属膜４は、中心導体上面３ａ上の（図１において中心導体上面３ａを覆う）低抵抗金属膜４よりも厚くなっている。つまり中心導体側面３ｂ上の低抵抗金属膜４（の図の上下方向の厚み）は、中心導体上面３ａ上の低抵抗金属膜４（の図の左右方向の厚み）よりも厚くなっている。

伝送路２のうち中心導体３は、たとえば銀からなっている。低抵抗金属膜４は、中心導体３よりも電気抵抗が小さく高周波信号の伝送損失の小さい金属膜である。具体的には、低抵抗金属膜４はたとえば金、銀または銅からなる群から選択されるいずれかのめっき膜である。

なお図１においては示されないが、後述するように、伝送路２においては、中心導体３と低抵抗金属膜４との間に（中心導体上面３ａおよび中心導体側面３ｂを覆うように）薄いめっき膜が形成されていることが好ましい。

以上の図１の高周波伝送装置９００は、以下に述べる各実施の形態における高周波伝送装置に共通の構成部分を示している。以下、図２〜図１０を用いて、本実施の形態の高周波伝送装置の製造方法について説明する。

図２を参照して、まず図１の絶縁基板１としての絶縁基板１Ｃが準備される。絶縁基板１Ｃは、たとえばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）を９０質量％以上含み、１４００℃以上１６００℃以下で焼成されたセラミック基板である。なお絶縁基板１Ｃに用いるセラミック材料としては、上記のアルミナの他に、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる群から選択されるいずれかが用いられてもよい。

図３を参照して、絶縁基板１Ｃの一方の主表面１ａ上の一部の領域に中心導体３が形成される。中心導体３は、たとえば一般公知のスクリーン印刷法により形成された銀のペーストが、たとえば７００℃以上８００℃以下で焼成されることにより固化された部材であり、たとえば図３の紙面奥行き方向に延びている。なお中心導体３は、上記の銀の他に、たとえばタングステン、モリブデン、ニッケルからなる群から選択されるいずれかにより形成されてもよい。

図４を参照して、絶縁基板１Ｃの他方の主表面１ｂ上に、一般公知の適した材料および形成方法により、裏面電極５が形成される。なお図４においては他方の主表面１ｂ上のほぼ全面に裏面電極５が形成されているが、他方の主表面１ｂ上の一部のみに裏面電極５が形成されてもよい。また図３の中心導体３と裏面電極５との形成される順序は任意である。

図５を参照して、中心導体３の中心導体上面３ａおよび中心導体側面３ｂを覆うように、たとえば無電解めっきにより、無電解ニッケルリンめっき膜６が形成される。無電解ニッケルリンめっき膜６は、２μｍ以上６μｍ以下の厚みを有することが好ましい。この無電解ニッケルリンめっき膜６がニッケルを含むことにより、たとえば完成後の高周波伝送装置の表面にチップ部品などの機能部品または配線などをはんだ付けする際の当該はんだとの反応のためのニッケルを供給することができる。

なお図示されないが、無電解ニッケルリンめっき膜６の表面を覆うように、さらに無電解パラジウムリンめっき膜または無電解パラジウムめっき膜が形成されてもよい。このときの当該無電解パラジウムリンめっき膜または無電解パラジウムめっき膜は、厚みが０．１μｍ以上０．６μｍ以下であることが好ましい。

次に、中心導体上面３ａおよび中心導体側面３ｂ上の無電解ニッケルリンめっき膜６（または上記の無電解パラジウムリンめっき膜など）を覆うように、無電解めっきにより、たとえば金からなる低抵抗金属膜４が形成される。これにより、低抵抗金属膜４は、中心導体上面３ａの上および中心導体側面３ｂの上の双方に形成される。低抵抗金属膜４は、無電解ニッケルリンめっき膜６のほぼ全面を覆うように形成されており、たとえば厚みが０．０５μｍ程度であることが好ましい。

図６を参照して、上記の低抵抗金属膜４を覆うように、絶縁基板１Ｃの一方の主表面１ａ上に感光性材料８が塗布により供給される。ここでの感光性材料８は、通常の写真製版技術（露光および現像）に用いられる感光剤としてドライフィルムレジストであることが好ましい。ここではネガ型の感光性材料８が用いられた例を示すが、使用される感光性材料８はこれに限らず、たとえばポジ型の感光性材料８が用いられてもよい。感光性材料８は、一般公知のスピンコート法、ディップコート法、塗装法などの各方法により、一方の主表面１ａ上および低抵抗金属膜４上のほぼ全面に供給されることが好ましい。

図７を参照して、たとえばガラスにより形成され、絶縁基板１Ｃとほぼ同一の（矩形状の）平面形状およびサイズを有するマスク９が準備される。このマスク９は、主表面に沿って透光部９ａと遮光部９ｂとのパターンがある規則に従い、当該マスクの平面視における全面において交互に繰り返された構成を有している。なお透光部９ａまたは遮光部９ｂのパターンは、一般公知のクロムなどの金属材料により形成されている。ここでは透光部９ａは後述する光源を透過する部分であり、遮光部９ｂは当該光源を遮光する部分であるとする。

このマスク９を用いて、絶縁基板１Ｃ上の感光性材料８に対して通常の写真製版技術を用いた処理（露光処理および現像処理）がなされる。具体的には、まずたとえば一般公知のコンタクト露光、プロキシミティ露光または投影露光などができる露光機を用いて、感光性材料８の最上面との間にやや間隔を隔てて感光性材料８と互いに重畳するようにマスク９がセットされる。ただし感光性材料８上に接触するようにマスク９が重畳してもよい。そしてマスク９の上方から下方に向けて、光源１０が照射される。これにより、特に透光部９ａの真下の感光性材料８が露光されるが、遮光部９ｂの真下の感光性材料８は露光されない。

ここでは形成された中心導体３および低抵抗金属膜４の真上の部分にほぼ一致するように透光部９ａが形成され、それ以外の領域に遮光部９ｂが形成されたマスク９が用いられる。これにより、中心導体３および低抵抗金属膜４の真上の部分において感光性材料８が照射される。

また光源１０としては、波長がブロードな紫外光ランプ、ｇ線、ｉ線、フッ化クリプトンエキシマレーザからなる群から選択されるいずれかが用いられることが好ましい。

適正な露光量で露光処理が行われた後、現像処理がなされる。現像処理には、炭酸カルシウムまたは苛性ソーダなどのアルカリ性の現像液が用いられる。これにより感光性材料８は、透光部９ａの真下であり光源１０により照射された領域が残存部１１ａとして残存し、遮光部９ｂの真下であり光源１０により照射されなかった領域が非残存部１１ｂとして少なくとも部分的に除去される。このようにして感光性材料８は、残存部１１ａと非残存部１１ｂとを有する露光後ペースト１１となる。

図８を参照して、写真製版技術の処理が終わった後、純水を用いて露光後ペースト１１を含む絶縁基板１Ｃに対してリンス処理がなされる。これにより非残存部１１ｂが完全に除去され、残存部１１ａが中心導体３および低抵抗金属膜４を上方から覆う保護パターン１２として形成される。そして保護パターン１２を含む全体に対して乾燥工程がなされる。

図９を参照して、図５の工程で形成された低抵抗金属膜４のうち、中心導体側面３ｂ上の部分である側方低抵抗金属膜４ｂ（第１の低抵抗金属膜）の最も外側の表面を覆うように、これの上に、無電解めっきにより、たとえば金からなる追加低抵抗金属膜４ｃ（第２の低抵抗金属膜）が追加で形成される。一方、図５の工程で形成された低抵抗金属膜４のうち、中心導体上面３ａ上の部分である上方低抵抗金属膜４ａ上は保護パターン１２に覆われているため、追加低抵抗金属膜４ｃは形成されない。

ここでは説明の便宜上、上方低抵抗金属膜４ａと側方低抵抗金属膜４ｂとが区別されているが、これらは同時に一体として形成されている。

なお追加低抵抗金属膜４ｃは側方低抵抗金属膜４ｂの上面上に直接形成されるため、これらの間には他の層は形成されない。したがって側方低抵抗金属膜４ｂと追加低抵抗金属膜４ｃとがともに同一材料（たとえば金）からなり同一方法（たとえば無電解めっき）により形成されれば、最終的に側方低抵抗金属膜４ｂと追加低抵抗金属膜４ｃとは一体の厚い金属膜となる。

このようにして、先に図５の工程においてたとえば無電解めっきにより形成された、第１の低抵抗金属膜としての側方低抵抗金属膜４ｂの上に（側方低抵抗金属膜４ｂを覆うように）、第２の低抵抗金属膜としての追加低抵抗金属膜４ｃが追加で形成される。上方低抵抗金属膜４ａ、側方低抵抗金属膜４ｂおよび追加低抵抗金属膜４ｃを合わせて、低抵抗金属膜４として形成される。

なお追加低抵抗金属膜４ｃの（図９の左右方向に関する）厚みと、側方低抵抗金属膜４ｂの（図９の左右方向に関する）厚みとの和は、少なくとも０．２μｍ以上とすることが好ましい。このようにすれば、伝送路２の信号流通方向に関する長さ１ｍｍ当たりの通過損失の絶対値を小さく（０．０３５ｄＢ以下に）することができる。また以下の表１に示すように、側方低抵抗金属膜４ｂと追加低抵抗金属膜４ｃとの合計の厚みは０．４μｍ以上、さらには５μｍ以上とすることがより好ましく、このようにすれば、伝送路２の信号流通方向に関する長さ１ｍｍ当たりの通過損失の絶対値をより小さくすることができる。

以上により、中心導体３と、無電解ニッケルリンめっき膜６と、低抵抗金属膜４とを有する伝送路２が形成される。

図１０を参照して、一般公知のプラズマアッシング法を用いて、または一般公知のＮＭＰシンナー、アセトンもしくはトルエンなどの溶剤を用いて、保護パターン１２が除去される。これにより、図１の高周波伝送装置９００と同様に（高周波伝送装置９００に対応するように）、絶縁基板１Ｃの一方の主表面１ａ上に、中心導体３と低抵抗金属膜４と（無電解ニッケルリンめっき膜６と）を有する高周波信号の伝送路２が形成された、高周波伝送装置１００が形成される。

低抵抗金属膜４を構成する上方低抵抗金属膜４ａ、側方低抵抗金属膜４ｂおよび追加低抵抗金属膜４ｃはすべて無電解めっきにより形成されていることが好ましい。しかしたとえば図５の工程にて形成される上方低抵抗金属膜４ａおよび側方低抵抗金属膜４ｂが電解めっきにより形成され、図９の工程にて形成される追加低抵抗金属膜４ｃのみが無電解めっきにより形成されていてもよい。いずれにせよ、本実施の形態においては、低抵抗金属膜４の少なくとも一部は、無電解めっきにより形成されためっき膜である。

上記においては低抵抗金属膜４はを構成する上方低抵抗金属膜４ａ、側方低抵抗金属膜４ｂおよび追加低抵抗金属膜４ｃはすべて一例として金のめっき膜としているが、金の代わりにたとえば銀または銅のめっき膜が形成されてもよい。

次に、比較例の課題等を説明しながら、本実施の形態の作用効果について説明する。
基本的に高周波伝送装置においては、表皮効果を抑制するために、マイクロストリップ線路などの伝送路の表面には伝送損失の小さい金または銀などの導体めっきがなされる。

ここで、絶縁基板上に伝送路が形成された構成においては、伝送路の絶縁基板に接する下面側の領域と、伝送路の左右双方の側面側の領域とにおいて、他の領域に比べて電流密度が高くなることが知られている。このため、伝送路の中心導体の側面上のたとえば金めっき膜を伝送路の中心導体の上面上のたとえば金めっき膜よりも厚く形成することにより、伝送損失を小さくし、伝送特性を向上させることができると考えられる。これは伝送路の最外縁部に集中しがちな高周波信号の電流を、より厚く形成された金めっき膜の厚み分の広い領域内に（つまり中心導体の中心側に寄る領域も含むように）分散させることができ、伝送路の最外縁部の電流密度を低減させることができるためである。このようにして電流密度が高くなりやすい伝送路の側面側における伝送路の最外縁部の電流密度を低減させることができれば、伝送路の最外縁部に電流が流れることに起因する伝送損失を低減させることができる。

ところが本実施の形態のようにマイクロストリップ線路などの伝送路を構成する中心導体の中心導体上面および中心導体側面の双方に同時にめっき膜を形成する場合、中心導体上面上と中心導体側面上とのめっき膜の厚みはほぼ等しくなる。これは一般的にはめっき膜は当方的に沿面成長するためである。

したがって中心導体の側面上に厚い金めっき膜を形成しようとすれば、必然的に中心導体の上面上にも厚い金めっき膜が形成されてしまう。ところが金や銀などの貴金属は高価であるため、中心導体の上面上にも厚い金めっき膜が形成されれば、その製造コストが高騰する可能性がある。

その他にも、中心導体の上面上にも厚い金めっき膜などが形成されれば、たとえばその上にはんだ部品を実装する場合に、はんだ内に当該金が溶け込むことによりはんだ付けの接着度が低下するなどの不具合が起こり得る。また中心導体の上面上の金めっき膜が過剰に厚くなれば、その周囲に微細パターンを形成する際の中心導体（を含む伝送路）との配線間隔が制限されるなどの不都合も生じ得る。

そこで本実施の形態においては、伝送路２が、まず中心導体上面３ａおよび中心導体側面３ｂの双方を同時に覆うように形成される上方低抵抗金属膜４ａおよび側方低抵抗金属膜４ｂと、その後追加で側方低抵抗金属膜４ｂを覆うように形成される追加低抵抗金属膜４ｃとを有する構成となっている。上記のように上方低抵抗金属膜４ａと側方低抵抗金属膜４ｂとの厚みはほぼ等しいため、追加低抵抗金属膜４ｃの厚み分だけ、中心導体側面３ｂを覆う低抵抗金属膜４の方が中心導体上面３ａを覆う低抵抗金属膜４よりも厚くなっている。

つまり中心導体３の上面上においては、当初形成される上方低抵抗金属膜４ａが形成されるのみであり、それが形成された後は保護パターン１２に覆われることにより追加のめっき膜が形成されることはない。中心導体３の上面上には０．０５μｍ程度の、たとえばフラッシュめっきにより形成された場合に比べて非常に薄い上方低抵抗金属膜４ａが形成されるのみである。したがって、中心導体３の上面上の低抵抗金属膜４を過剰に厚く形成した場合に想定される上記の不具合等の発生を抑制し、かつ中心導体３の側面上の厚い低抵抗金属膜４により、伝送損失を低減させることができる。

本実施の形態においては、通常の中心導体上面３ａおよび中心導体側面３ｂを第１の低抵抗金属膜を形成する工程の後に、追加で第２の低抵抗金属膜を形成するだけで、簡単に中心導体３の側面上の低抵抗金属膜４が形成できる。つまりたとえば第１の比較例として考えられるような、中心導体側面側において他の領域よりも厚み（高さ）方向に突起したような複雑な形状を有する伝送路を形成する必要がない。またたとえば第２の比較例として考えられる中心導体３の側面上にたとえば誘電体層と導体層との双方を積層させた構成などを形成する場合と比較しても、本実施の形態の第２の低抵抗金属膜を追加形成するのみとする製造方法は簡易である。このため、工程の過剰な増加をさせずに容易に、上記の伝送損失を低減させることが可能な高周波伝送装置１００を提供することができる。

その他、本実施の形態においては低抵抗金属膜４が無電解めっきにより形成されることにより、絶縁基板１Ｃに形成された（図示されない）端子電極と導通が取れている箇所以外の箇所でも低抵抗金属膜４を形成することができる。このため無電解めっきにより、任意の箇所に低抵抗金属膜４を形成することができる。

またセラミック基板である絶縁基板１Ｃを用いることにより、強度が強く、誘電損失が小さい絶縁基板１Ｃを用いることができる。

ところで上記のように、中心導体３はたとえば銀からなるのに対し、その側面上などに形成される低抵抗金属膜４が銀のめっき膜で形成される場合もある。ただし中心導体３を構成する銀のペーストは、純粋な銀ではなく絶縁基板１を構成する誘電体材料などの混合物を多く含み、かつポーラスを多数含んでいる。このため中心導体３の電気的特性は、純粋な銀の結晶のような電気的特性とは異なる。一方、銀のめっき膜で形成された低抵抗金属膜４は、純粋な銀の結晶と同様の電気的特性を示す。つまりたとえ中心導体３と低抵抗金属膜４との双方が銀からなっていても、それらの間で電気的特性に大きな差があり、低抵抗金属膜４は中心導体３よりも電気抵抗が小さくなり高周波信号の伝送損失が小さくなる。このため銀の中心導体３の側面上などに銀の低抵抗金属膜４を形成することには実益があるといえる。

（実施の形態２）
本実施の形態においては、追加低抵抗金属膜の形成方法において実施の形態１と若干の相違があるが、それ以外の各点については基本的に実施の形態１と同様である。このため、実施の形態１と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。以下、図１１〜図１２を用いて、本実施の形態の高周波伝送装置の製造方法について説明する。

図１１を参照して、実施の形態１の図２〜図８の工程と同様の処理がなされた後、図５の工程で形成された低抵抗金属膜４のうち、中心導体側面３ｂを覆う部分である側方低抵抗金属膜４ｂ（第１の低抵抗金属膜）の最も外側の表面の上に、これを覆うように、電解めっきにより、たとえば金からなる追加低抵抗金属膜４ｄ（第２の低抵抗金属膜）が追加で形成される。追加低抵抗金属膜４ｄは、無電解めっきの代わりに電解めっきにより形成される点を除き、基本的に実施の形態１の追加低抵抗金属膜４ｃと同様である。すなわち上方低抵抗金属膜４ａ、側方低抵抗金属膜４ｂおよび追加低抵抗金属膜４ｄを合わせて、低抵抗金属膜４として形成される。

図１２を参照して、図１０の工程と同様に、保護パターン１２が除去される。これにより、図１の高周波伝送装置９００と同様に（高周波伝送装置９００に対応するように）、絶縁基板１Ｃの一方の主表面１ａ上に、中心導体３と低抵抗金属膜４と（無電解ニッケルリンめっき膜６と）を有する伝送路２が形成された、高周波伝送装置２００が形成される。

なお上方低抵抗金属膜４ａおよび側方低抵抗金属膜４ｂは、無電解めっきにより形成されてもよいし、電解めっきにより形成されてもよい。いずれにせよ、本実施の形態においては少なくとも追加低抵抗金属膜４ｄが電解めっきにより形成されるため、低抵抗金属膜４の少なくとも一部は、電解めっきにより形成されためっき膜である。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。ただし本実施の形態の作用効果は、基本的に実施の形態１の作用効果と同様であるため、同様の作用効果についてはその説明を省略する。

本実施の形態においては、追加低抵抗金属膜４ｄが電解めっきにより形成される。このため無電解めっきに比べて高速で成膜することができる。

なお実施の形態１のように無電解めっきにより形成された追加低抵抗金属膜４ｃと、本実施の形態のように電解めっきにより形成された追加低抵抗金属膜４ｄとは、以下のように分析等により判別することができる。まず電解めっきは無電解めっきに比べて結晶粒のサイズが大きいという特徴がある。また電解めっきによりめっき膜を形成する場合には当該めっき膜を形成する領域に電極端子を接触する必要があるため、電極端子を接触させた痕跡の有無により電解めっきによるめっき膜か否かを判断することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態においては、絶縁基板の材質において実施の形態１と若干の相違があるが、それ以外の各点については基本的に実施の形態１と同様である。このため、実施の形態１と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。以下、図１３〜図１８を用いて、本実施の形態の高周波伝送装置の製造方法について説明する。

図１３〜図１８を参照して、これらは基本的に実施の形態１の図５〜図１０の工程と同様の処理であるため、詳細な説明は繰り返さない。ただしここでは絶縁基板１として、実施の形態１の絶縁基板１Ｃの代わりに絶縁基板１Ｌが用いられる。

絶縁基板１Ｌは、絶縁基板１Ｃと同様に、一方の主表面１ａおよび他方の主表面１ｂを有している。絶縁基板１Ｌは、アルミナと、約５０質量％以上のガラスとを含んでいる。ここでのガラスとはたとえば硼酸ガラスまたはケイ酸ガラスである。これらの材質を含んだものが、絶縁基板１Ｃよりも低温の７００℃以上９００℃以下で焼成されることにより、いわゆる低温焼成セラミック基板としての絶縁基板１Ｌが形成される。

本実施の形態は実施の形態１と基本的に同様の構成であるため、低抵抗金属膜４は、上方低抵抗金属膜４ａと側方低抵抗金属膜４ｂと、無電解めっきにより形成される追加低抵抗金属膜４ｃとからなるように形成される。

以上により、図１の高周波伝送装置９００と同様に（高周波伝送装置９００に対応するように）、絶縁基板１Ｌの一方の主表面１ａ上に、中心導体３と低抵抗金属膜４と（無電解ニッケルリンめっき膜６と）を有する伝送路２が形成された、高周波伝送装置３００が形成される。

次に、本実施の作用効果について説明する。ただし本実施の形態の作用効果は、基本的に実施の形態１の作用効果と同様であるため、同様の作用効果についてはその説明を省略する。

本実施の形態においては、絶縁基板１として低温焼成セラミック基板としての絶縁基板１Ｌが用いられる。これにより、当該絶縁基板１Ｌの内部にたとえば導電用のビアホールなどが形成される場合に、当該ビアホール内の導電層を金、銀、銅などの電気抵抗が小さく導体損失が小さい導体により形成することができる。つまり上記の場合にビアホール内の導電層をタングステン、モリブデン、ニッケルなどの比較的電気抵抗が高くかつ比較的導体損失が大きい導体を用いて形成する必要がある実施の形態１の絶縁基板１Ｃを用いた場合に比べて、ビアホール内の導電層の選択幅を広げ、そこでの導体損失を減少させることができる。

（実施の形態４）
図１９〜図２０の本実施の形態の製造方法を参照して、本実施の形態においては、無電解めっきにより追加低抵抗金属膜４ｃが形成される代わりに、実施の形態２と同様に電解めっきにより追加低抵抗金属膜４ｄが形成される点においてのみ実施の形態３と異なっている。しかしそれ以外の各点については基本的に実施の形態３とまったく同様である。このため、実施の形態３と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

図２０を参照して、本実施の形態においても、図１の高周波伝送装置９００と同様に（高周波伝送装置９００に対応するように）、絶縁基板１Ｌの一方の主表面１ａ上に、中心導体３と低抵抗金属膜４と（無電解ニッケルリンめっき膜６と）を有する伝送路２が形成された、高周波伝送装置４００が形成される。

本実施の形態のように、絶縁基板１Ｌと追加低抵抗金属膜４ｄとの組み合わせを有する高周波伝送装置４００が用いられてもよく、実施の形態１〜３と同様の作用効果を奏することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態においては、絶縁基板の材質において実施の形態１と若干の相違があるが、それ以外の各点については基本的に実施の形態１と同様である。このため、実施の形態１と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。以下、図２１〜図２６を用いて、本実施の形態の高周波伝送装置の製造方法について説明する。

図２１〜図２６を参照して、これらは基本的に実施の形態１の図５〜図１０の工程と同様の処理であるため、詳細な説明は繰り返さない。ただしここでは絶縁基板１として、実施の形態１の絶縁基板１Ｃの代わりに絶縁基板１Ｆが用いられる。

絶縁基板１Ｆは、絶縁基板１Ｃと同様に、一方の主表面１ａおよび他方の主表面１ｂを有している。絶縁基板１Ｆは、たとえば１３００℃以上１８００℃以下で焼成されたフェライトからなる基板である。

以上により、図１の高周波伝送装置９００と同様に（高周波伝送装置９００に対応するように）、絶縁基板１Ｆの一方の主表面１ａ上に、中心導体３と低抵抗金属膜４と（無電解ニッケルリンめっき膜６と）を有する伝送路２が形成された、高周波伝送装置５００が形成される。

本実施の形態においては、絶縁基板１としてフェライトからなる絶縁基板１Ｆが用いられる。フェライトは磁性体であるため、これを用いることにより、伝送損失を極めて小さくしつつ、伝送路２を流れる高周波信号の伝搬方向を変更することができる。

（実施の形態６）
図２７〜図２８の本実施の形態の製造方法を参照して、本実施の形態においては、無電解めっきにより追加低抵抗金属膜４ｃが形成される代わりに、実施の形態２と同様に電解めっきにより追加低抵抗金属膜４ｄが形成される点においてのみ実施の形態５と異なっている。しかしそれ以外の各点については基本的に実施の形態５とまったく同様である。このため、実施の形態５と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

図２８を参照して、本実施の形態においても、図１の高周波伝送装置９００と同様に（高周波伝送装置９００に対応するように）、絶縁基板１Ｆの一方の主表面１ａ上に、中心導体３と低抵抗金属膜４と（無電解ニッケルリンめっき膜６と）を有する伝送路２が形成された、高周波伝送装置６００が形成される。

本実施の形態のように、絶縁基板１Ｆと追加低抵抗金属膜４ｄとの組み合わせを有する高周波伝送装置６００が用いられてもよく、実施の形態１〜５と同様の作用効果を奏することができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１，１Ｃ，１Ｆ，１Ｌ絶縁基板、１ａ一方の主表面、１ｂ他方の主表面、２伝送路、３中心導体、３ａ中心導体上面、３ｂ中心導体側面、４低抵抗金属膜、４ａ上方低抵抗金属膜、４ｂ側方低抵抗金属膜、４ｃ，４ｄ追加低抵抗金属膜、５裏面電極、６無電解ニッケルリンめっき膜、８感光性材料、９マスク、９ａ透光部、９ｂ遮光部、１０光源、１１露光後ペースト、１１ａ残存部、１１ｂ非残存部、１２保護パターン、１００，２００，３００，４００，５００，６００，９００高周波伝送装置。

Claims

絶縁基板と、
前記絶縁基板の一方の主表面上に配置される、高周波信号の伝送路とを備え、
前記伝送路は、
導体と、
前記導体の側面上および上面上に配置される低抵抗金属膜とを有し、
前記導体の側面上の前記低抵抗金属膜は、前記導体の上面上の前記低抵抗金属膜よりも厚い、高周波伝送装置。
前記導体の側面上の前記低抵抗金属膜の少なくとも一部は、無電解めっきにより形成されためっき膜である、請求項１に記載の高周波伝送装置。
前記導体の側面上の前記低抵抗金属膜の少なくとも一部は、電解めっきにより形成されためっき膜である、請求項１に記載の高周波伝送装置。
前記絶縁基板はセラミック基板である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波伝送装置。
絶縁基板を準備する工程と、
前記絶縁基板の一方の主表面上に高周波信号の伝送路を形成する工程とを備え、
前記伝送路を形成する工程は、
導体を形成する工程と、
前記導体の側面上および上面上に第１の低抵抗金属膜を形成する工程と、
前記第１の低抵抗金属膜を形成する工程の後に、前記導体の側面上の前記第１の低抵抗金属膜の上に第２の低抵抗金属膜を追加で形成する工程とを備える、高周波伝送装置の製造方法。
前記追加で形成する工程において形成される前記第２の低抵抗金属膜は、無電解めっきにより形成されためっき膜である、請求項５に記載の高周波伝送装置の製造方法。
前記追加で形成する工程において形成される前記第２の低抵抗金属膜は、電解めっきにより形成されためっき膜である、請求項５に記載の高周波伝送装置の製造方法。