JP6489973B2 - 研削装置 - Google Patents
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Description
ウエーハWの研削量 :15μm
スピンドル70の回転数 :1000rpm
保持テーブル30の回転数 :300rpm
研削送り手段5の研削送り速度 :0.3μm/秒
超音波発振部901の振動周波数 :500kHz
比較例1では、ウエーハWの研削中に、研削装置1に備えるON/OFF手段16を作動させずに、例えば、研削ホイール74により複数枚のウエーハWを研削した後、超音波発振部901から超音波の発振を開始し、その後も超音波発振部901から超音波を間断なく洗浄水Lに伝播し続けて、さらに複数枚のウエーハWを継続して研削した。
比較例2では、ウエーハWの研削中に、研削装置1に備えるON/OFF手段16を作動させず、超音波発振部901からの超音波の発振を行わないこととした。まず、比較例1における場合と同様に、研削ホイール74により複数枚のウエーハWを研削した後、超音波発振部901から超音波の発振を開始し、その後も超音波発振部901から超音波を間断なく洗浄水Lに伝播し続けて、さらにウエーハWの研削を複数枚継続して行う。
実施例1では、ウエーハWの研削中に研削装置1に備えるON/OFF手段16を作動させて研削を行う場合について説明する。
16:ON/OFF手段
30:保持テーブル 300:吸着部 300a:保持面 301:枠体
31:回転手段
5:研削送り手段 50:ボールネジ 51:ガイドレール 52:モータ
53:昇降板 54:ホルダ
7:研削手段 70:スピンドル 70a:流路 70b:流路
72:スピンドルモータ 73:マウント
74:研削ホイール 740:研削砥石 740a:研削面 741:ホイール基台
8:研削水供給手段 80:研削水供給源 81:配管
9:超音波洗浄水供給手段
90:超音波ノズル 900:噴射口 901:超音波発振部
91:高周波電源 910:導電線 92:洗浄水供給源 920:配管
W:ウエーハ Wa:ウエーハの表面 Wb:ウエーハの裏面 T:保護テープ
A:着脱領域 B:研削領域
Claims (1)
- ウエーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持されるウエーハを研削する研削砥石を環状に配設した研削ホイールを回転可能に装着するスピンドルを回転させるスピンドルモータを有する研削手段と、該研削砥石とウエーハとに研削水を供給する研削水供給手段と、を備える研削装置であって、
該研削水供給手段とは別に該研削砥石のウエーハに接触する研削面に超音波を伝播する洗浄水を噴射する超音波洗浄水供給手段と、該スピンドルモータの電流値を測定する電流値測定部と、該電流値測定部が測定する該スピンドルモータの電流値に応じて超音波の発振のONとOFFとを切換えるON/OFF手段と、を含み、
該超音波洗浄水供給手段は、該洗浄水を該研削面に噴射する噴射口と超音波を発振する超音波発振部とを備える超音波ノズルと、該超音波発振部に高周波電力を供給する高周波電源と、を備え、
該ON/OFF手段は、該研削手段による研削中に変化し該電流値測定部が測定する該スピンドルモータの該電流値の上限値と下限値とを設定し、
該高周波電源から高周波電力を供給し超音波を伝播する洗浄水を該研削面に噴射しながら研削しているときに該電流値測定部が測定する該電流値が該上限値まで上がったら該高周波電源からの高周波電力の供給を停止し超音波を伝播しない洗浄水を該研削面に供給し、
該高周波電源からの高周波電力の供給が停止され超音波を伝播しない洗浄水を該研削面に噴射しながら研削しているときに該電流値測定部が測定する該電流値が該下限値まで下がったら該高周波電源から高周波電力を供給して超音波を伝播する洗浄水を該研削面に供給し、
該電流値測定部が測定する該スピンドルモータの該電流値の該上限値と該下限値との間で該高周波電源からの高周波電力の供給をON/OFF手段で切換えて研削する研削装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015150535A JP6489973B2 (ja) | 2015-07-30 | 2015-07-30 | 研削装置 |
| TW105119571A TWI694896B (zh) | 2015-07-30 | 2016-06-22 | 研磨裝置 |
| KR1020160087998A KR102343159B1 (ko) | 2015-07-30 | 2016-07-12 | 연삭 장치 |
| CN201610603424.6A CN106392886B (zh) | 2015-07-30 | 2016-07-28 | 磨削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015150535A JP6489973B2 (ja) | 2015-07-30 | 2015-07-30 | 研削装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017030071A JP2017030071A (ja) | 2017-02-09 |
| JP6489973B2 true JP6489973B2 (ja) | 2019-03-27 |
Family
ID=57985696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015150535A Active JP6489973B2 (ja) | 2015-07-30 | 2015-07-30 | 研削装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6489973B2 (ja) |
| KR (1) | KR102343159B1 (ja) |
| CN (1) | CN106392886B (ja) |
| TW (1) | TWI694896B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7012454B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2022-01-28 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 静電吸着チャックの製造方法並びに半導体装置の製造方法 |
| JP6506797B2 (ja) * | 2017-06-09 | 2019-04-24 | Towa株式会社 | 研削装置および研削方法 |
| JP7045212B2 (ja) * | 2018-02-08 | 2022-03-31 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| JP7032217B2 (ja) * | 2018-04-05 | 2022-03-08 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| JP7299773B2 (ja) * | 2019-07-09 | 2023-06-28 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| JP2021176661A (ja) * | 2020-05-07 | 2021-11-11 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| TWI882625B (zh) * | 2024-01-02 | 2025-05-01 | 環球晶圓股份有限公司 | 研磨/切削機台的操作方法 |
| CN121083522A (zh) * | 2025-05-26 | 2025-12-09 | 华海清科(北京)科技有限公司 | 磨轮自锐性增强方法、装置及晶圆减薄设备 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025653A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-08 | Hitachi Ltd | 研削砥石のドレツシング方法 |
| JPH0577161A (ja) * | 1991-03-13 | 1993-03-30 | Mitsubishi Materials Corp | 研削盤のドレツシング装置 |
| JP3305732B2 (ja) * | 1991-05-28 | 2002-07-24 | 日立ビアメカニクス株式会社 | 平面研削盤の制御方法 |
| JPH0557610A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-03-09 | Toshiba Mach Co Ltd | 研削加工方法 |
| EP0576937B1 (en) * | 1992-06-19 | 1996-11-20 | Rikagaku Kenkyusho | Apparatus for mirror surface grinding |
| JP2000117630A (ja) * | 1998-10-12 | 2000-04-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り装置のドレッシング工具及びそのドレッシング工具を用いたウェーハ面取り装置のドレッシング機構 |
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| JP2001113455A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-24 | Sony Corp | 化学的機械研磨装置及び方法 |
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| TW200734120A (en) * | 2005-12-06 | 2007-09-16 | Disco Corp | Polishing grindstone and method for producing same |
| JP5254539B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2013-08-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハ研削装置 |
| JP2009094326A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研削方法 |
| JP5165458B2 (ja) | 2008-05-23 | 2013-03-21 | オリンパス株式会社 | 芯取加工方法および芯取加工装置 |
| WO2010140595A1 (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-09 | 旭硝子株式会社 | 板状体の研磨方法 |
| JP5550940B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2014-07-16 | 株式会社ディスコ | 搬送機構 |
| JP2011189456A (ja) | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Disco Corp | 研削装置及び研削方法 |
| US8920214B2 (en) * | 2011-07-12 | 2014-12-30 | Chien-Min Sung | Dual dressing system for CMP pads and associated methods |
| JP5856433B2 (ja) * | 2011-10-21 | 2016-02-09 | 株式会社ディスコ | サファイア基板の研削方法 |
| JP2013123792A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び研削装置 |
| JP6239354B2 (ja) * | 2012-12-04 | 2017-11-29 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
| JP6166974B2 (ja) * | 2013-07-22 | 2017-07-19 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| CN103921213B (zh) * | 2014-03-14 | 2017-01-04 | 河南理工大学 | 多点超声波振动cbn砂轮修整装置 |
| CN104440559A (zh) * | 2014-11-24 | 2015-03-25 | 河南理工大学 | 一种超硬磨料砂轮超声激光复合修整装置 |
-
2015
- 2015-07-30 JP JP2015150535A patent/JP6489973B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-22 TW TW105119571A patent/TWI694896B/zh active
- 2016-07-12 KR KR1020160087998A patent/KR102343159B1/ko active Active
- 2016-07-28 CN CN201610603424.6A patent/CN106392886B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170015150A (ko) | 2017-02-08 |
| KR102343159B1 (ko) | 2021-12-23 |
| TWI694896B (zh) | 2020-06-01 |
| CN106392886A (zh) | 2017-02-15 |
| CN106392886B (zh) | 2020-03-17 |
| JP2017030071A (ja) | 2017-02-09 |
| TW201713460A (zh) | 2017-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180515 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190131 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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