Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP6504641B2 - アミン系化合物およびこれを含む有機発光素子 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP6504641B2 - アミン系化合物およびこれを含む有機発光素子 - Google Patents

アミン系化合物およびこれを含む有機発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP6504641B2
JP6504641B2 JP2018512176A JP2018512176A JP6504641B2 JP 6504641 B2 JP6504641 B2 JP 6504641B2 JP 2018512176 A JP2018512176 A JP 2018512176A JP 2018512176 A JP2018512176 A JP 2018512176A JP 6504641 B2 JP6504641 B2 JP 6504641B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
chemical formula
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018512176A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018535924A (ja
Inventor
チャ、ヨンブム
キル ホン、スン
キル ホン、スン
キム、ジュンブム
ジョー キム、ジン
ジョー キム、ジン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chem Ltd filed Critical LG Chem Ltd
Publication of JP2018535924A publication Critical patent/JP2018535924A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6504641B2 publication Critical patent/JP6504641B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C07D209/86—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/54—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to two or three six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C07D209/88—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/06—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H10K50/181—Electron blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)

Description

本出願は、２０１５年９月２５日付で韓国特許庁に出願された韓国特許出願第１０−２０１５−０１３７１２４号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。
本明細書は、アミン系化合物およびこれを含む有機発光素子に関する。
一般的に、有機発光現象とは、有機物質を用いて電気エネルギーを光エネルギーに変換させる現象をいう。有機発光現象を利用する有機発光素子は、通常、陽極および陰極と、それらの間に有機物層とを含む構造を有する。ここで、有機物層は、有機発光素子の効率と安定性を高めるために、それぞれ異なる物質で構成された多層の構造からなる場合が多く、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などからなる。このような有機発光素子の構造において、２つの電極の間に電圧をかけると、陽極からは正孔が、陰極からは電子が有機物層に注入され、注入された正孔と電子が接した時、エキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が形成され、このエキシトンが再び基底状態に落ちる時に光を発する。
前記のような有機発光素子のための新たな材料の開発が要求され続けている。
本明細書には、アミン系化合物およびこれを含む有機発光素子が記載される。
本明細書の一実施態様は、下記化学式１で表される化合物を提供する：
［化学式１］
前記化学式１において、
であり、
Ｙは、
であり、
Ｚは、
であり、
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のアリール基であり、
Ｌは、直接結合；または置換もしくは非置換のアリーレン基であり、
Ｒ１は、水素；重水素；または置換もしくは非置換のアルキル基であり、
Ｒ２およびＲ３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；または置換もしくは非置換のアリール基であり、
ａは、０〜５の整数であり、
ｂは、０〜７の整数であり、
ｃは、０〜１１の整数であり、ａが２以上の場合に、Ｒ１は、互いに同一または異なり、
ｂが２以上の場合に、Ｒ２は、互いに同一または異なり、
ｃが２以上の場合に、Ｒ３は、互いに同一または異なる。
また、本明細書の一実施態様は、第１電極と、前記第１電極に対向して備えられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられた１層以上の有機物層とを含む有機発光素子であって、前記有機物層のうちの１層以上は、前記化学式１の化合物を含むものである有機発光素子を提供する。
本明細書に記載の化合物は、有機発光素子の有機物層の材料として使用できる。少なくとも１つの実施態様に係る化合物は、有機発光素子において効率の向上、低い駆動電圧および／または寿命特性を向上させることができる。特に、本明細書に記載の化合物は、正孔注入、正孔輸送、正孔注入と正孔輸送、電子阻止、発光、正孔抑制、電子輸送、または電子注入材料として使用できる。
基板１、陽極２、発光層３、および陰極４からなる有機発光素子の例を示すものである。 基板１、陽極２、正孔注入層５、正孔輸送層６、発光層３、電子輸送層７、および陰極４からなる有機発光素子の例を示すものである。
以下、本明細書についてより詳細に説明する。
本明細書の一実施態様は、前記化学式１で表される化合物を提供する。本明細書において、
は、他の置換基に連結される部分を意味する。
前記置換基の例示は以下に説明するが、これに限定されるものではない。
本明細書において、「置換もしくは非置換の」という用語は、重水素；ハロゲン基；ニトリル基；ニトロ基；ヒドロキシ基；カルボニル基；エステル基；イミド基；アミノ基；ホスフィンオキシド基；アルコキシ基；アリールオキシ基；アルキルチオキシ基；アリールチオキシ基；アルキルスルホキシ基；アリールスルホキシ基；シリル基；ホウ素基；ゲルマニウム基；アルキル基；シクロアルキル基；アルケニル基；アリール基；アラルキル基；アラルケニル基；アルキルアリール基；アルキルアミン基；アラルキルアミン基；ヘテロアリールアミン基；アリールアミン基；アリールホスフィン基；およびヘテロ環基からなる群より選択された１個以上の置換基で置換もしくは非置換であるか、前記例示された置換基のうちの２以上の置換基が連結された置換もしくは非置換であることを意味する。例えば、「２以上の置換基が連結された置換基」は、ビフェニル基であってもよい。すなわち、ビフェニル基は、アリール基であってもよく、２個のフェニル基が連結された置換基と解釈されてもよい。
本明細書において、ハロゲン基の例としては、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素がある。
本明細書において、カルボニル基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１〜４０であることが好ましい。具体的には、下記のような構造の化合物になってもよいが、これに限定されるものではない。
本明細書において、エステル基は、エステル基の酸素が炭素数１〜４０の直鎖、分枝鎖もしくは環鎖アルキル基、または炭素数６〜３０のアリール基で置換されていてもよい。具体的には、下記構造式の化合物になってもよいが、これに限定されるものではない。
本明細書において、イミド基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１〜２５であることが好ましい。具体的には、下記のような構造の化合物になってもよいが、これに限定されるものではない。
本明細書において、シリル基は、−ＳｉＲａＲｂＲｃの化学式で表されてもよく、前記Ｒａ、ＲｂおよびＲｃはそれぞれ、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；または置換もしくは非置換のアリール基であってもよい。前記シリル基は、具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基などがあるが、これらに限定されない。
本明細書において、ホウ素基は、−ＢＲａＲｂの化学式で表されてもよく、前記ＲａおよびＲｂはそれぞれ、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；または置換もしくは非置換のアリール基であってもよい。前記ホウ素基は、具体的には、トリメチルホウ素基、トリエチルホウ素基、ｔ−ブチルジメチルホウ素基、トリフェニルホウ素基、フェニルホウ素基などがあるが、これらに限定されない。
本明細書において、前記アルキル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、１〜４０であることが好ましい。一実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜２０である。もう一つの実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜１０である。もう一つの実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜６である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−メチル−ブチル基、１−エチル−ブチル基、ペンチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、ヘプチル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、オクチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、１−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、２−プロピルペンチル基、ｎ−ノニル基、２，２−ジメチルヘプチル基、１−エチル−プロピル基、１，１−ジメチル−プロピル基、イソヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基などがあるが、これらに限定されない。
本明細書において、前記アルコキシ基は、直鎖、分枝鎖もしくは環鎖であってもよい。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１〜４０であることが好ましい。具体的には、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｉ−プロピルオキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ネオペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、３，３−ジメチルブチルオキシ、２−エチルブチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、ｎ−ノニルオキシ、ｎ−デシルオキシ、ベンジルオキシ、ｐ−メチルベンジルオキシなどになってもよいが、これらに限定されるものではない。
本明細書に記載のアルキル基、アルコキシ基、およびその他のアルキル基部分を含む置換体は、直鎖もしくは分鎖形態をすべて含む。
本明細書において、前記アルケニル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、２〜４０であることが好ましい。一実施態様によれば、前記アルケニル基の炭素数は２〜２０である。もう一つの実施態様によれば、前記アルケニル基の炭素数は２〜１０である。もう一つの実施態様によれば、前記アルケニル基の炭素数は２〜６である。具体例としては、ビニル、１−プロペニル、イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、３−メチル−１−ブテニル、１，３−ブタジエニル、アリル、１−フェニルビニル−１−イル、２−フェニルビニル−１−イル、２，２−ジフェニルビニル−１−イル、２−フェニル−２−（ナフチル−１−イル）ビニル−１−イル、２，２−ビス（ジフェニル−１−イル）ビニル−１−イル、スチルベニル基、スチレニル基などがあるが、これらに限定されない。
本明細書において、シクロアルキル基は特に限定されないが、炭素数３〜６０であることが好ましく、一実施態様によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜４０である。もう一つの実施態様によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜２０である。もう一つの実施態様によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜６である。具体的には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、３−メチルシクロペンチル、２，３−ジメチルシクロペンチル、シクロヘキシル、３−メチルシクロヘキシル、４−メチルシクロヘキシル、２，３−ジメチルシクロヘキシル、３，４，５−トリメチルシクロヘキシル、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなどがあるが、これらに限定されない。
本明細書において、アルキルアミン基は、炭素数は特に限定されないが、１〜４０であることが好ましい。アルキルアミン基の具体例としては、メチルアミン基、ジメチルアミン基、エチルアミン基、ジエチルアミン基、フェニルアミン基、ナフチルアミン基、ビフェニルアミン基、アントラセニルアミン基、９−メチル−アントラセニルアミン基、ジフェニルアミン基、フェニルナフチルアミン基、ジトリルアミン基、フェニルトリルアミン基、トリフェニルアミン基などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
本明細書において、アリールアミン基の例としては、置換もしくは非置換のモノアリールアミン基、置換もしくは非置換のジアリールアミン基、または置換もしくは非置換のトリアリールアミン基がある。前記アリールアミン基中のアリール基は、単環式アリール基であってもよく、多環式アリール基であってもよい。前記２以上のアリール基を含むアリールアミン基は、単環式アリール基、多環式アリール基、または単環式アリール基と多環式アリール基を同時に含んでもよい。
アリールアミン基の具体例としては、フェニルアミン、ナフチルアミン、ビフェニルアミン、アントラセニルアミン、３−メチル−フェニルアミン、４−メチル−ナフチルアミン、２−メチル−ビフェニルアミン、９−メチル−アントラセニルアミン、ジフェニルアミン基、フェニルナフチルアミン基、ジトリルアミン基、フェニルトリルアミン基、カルバゾール、およびトリフェニルアミン基などがあるが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、ヘテロアリールアミン基の例としては、置換もしくは非置換のモノヘテロアリールアミン基、置換もしくは非置換のジヘテロアリールアミン基、または置換もしくは非置換のトリヘテロアリールアミン基がある。前記ヘテロアリールアミン基中のヘテロアリール基は、単環式ヘテロ環基であってもよく、多環式ヘテロ環基であってもよい。前記２以上のヘテロ環基を含むヘテロアリールアミン基は、単環式ヘテロ環基、多環式ヘテロ環基、または単環式ヘテロ環基と多環式ヘテロ環基を同時に含んでもよい。
本明細書において、アリールホスフィン基の例としては、置換もしくは非置換のモノアリールホスフィン基、置換もしくは非置換のジアリールホスフィン基、または置換もしくは非置換のトリアリールホスフィン基がある。前記アリールホスフィン基中のアリール基は、単環式アリール基であってもよく、多環式アリール基であってもよい。前記アリール基が２以上を含むアリールホスフィン基は、単環式アリール基、多環式アリール基、または単環式アリール基と多環式アリール基を同時に含んでもよい。
本明細書において、アリール基は特に限定されないが、炭素数６〜６０であることが好ましく、単環式アリール基または多環式アリール基であってもよい。一実施態様によれば、前記アリール基の炭素数は６〜３０である。一実施態様によれば、前記アリール基の炭素数は６〜２０である。前記アリール基が、単環式アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。前記多環式アリール基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基、トリフェニル基、クリセニル基、フルオレニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、フルオレニル基は置換されていてもよく、置換基２個が互いに結合してスピロ構造を形成してもよい。
前記フルオレニル基が置換される場合、
などの置換されたフルオレニル基になってもよい。ただし、これに限定されるものではない。
本明細書において、ヘテロ環基は、異種原子としてＮ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｓｉ、およびＳｅのうちの１個以上を含むヘテロ環基であって、炭素数は特に限定されないが、炭素数１〜６０であることが好ましい。一実施態様によれば、前記ヘテロ環基の炭素数は１〜３０である。ヘテロ環基の例としては、ピリジル基、ピロール基、ピリミジル基、ピリダジニル基、フラニル基、チオフェニル基、イミダゾール基、ピラゾール基、オキサゾール基、イソオキサゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、トリアゾール基、オキサジアゾール基、チアジアゾール基、ジチアゾール基、テトラゾール基、ピラニル基、チオピラニル基、ピラジニル基、オキサジニル基、チアジニル基、ジオキシニル基、トリアジニル基、テトラジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、キノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ナフチリジニル基、アクリジル基、キサンテニル基、フェナントリジニル基、ジアザナフタレニル基、トリアザインデニル基、インドール基、インドリニル基、インドリジニル基、フタラジニル基、ピリドピリミジニル基、ピリドピラジニル基、ピラジノピラジニル基、ベンゾチアゾール基、ベンズオキサゾール基、ベンズイミダゾール基、ベンゾチオフェン基、ベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾール基、ベンゾカルバゾール基、ジベンゾカルバゾール基、インドロカルバゾール基、インデノカルバゾール基、フェナジニル基、イミダゾピリジン基、フェノキサジニル基、フェナントリジン基、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）基、フェノチアジン（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）基、イミダゾピリジン基、イミダゾフェナントリジン基、ベンゾイミダゾキナゾリン基、またはベンゾイミダゾフェナントリジン基などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
本明細書において、ヘテロアリール基は、芳香族であることを除けば、前述のヘテロ環基に関する説明が適用可能である。
本明細書において、アリールオキシ基、アリールチオキシ基、アリールスルホキシ基、アリールホスフィン基、アラルキル基、アラルキルアミン基、アラルケニル基、アルキルアリール基、アリールアミン基、アリールヘテロアリールアミン基中のアリール基は、前述のアリール基に関する説明が適用可能である。
本明細書において、アルキルチオキシ基、アルキルスルホキシ基、アラルキル基、アラルキルアミン基、アルキルアリール基、アルキルアミン基中のアルキル基は、前述のアルキル基に関する説明が適用可能である。
本明細書において、ヘテロアリール基、ヘテロアリールアミン基、アリールヘテロアリールアミン基中のヘテロアリール基は、前述のヘテロ環基に関する説明が適用可能である。
本明細書において、ゲルマニウム基は、−ＧｅＲａＲｂＲｃの化学式で表されてもよく、前記Ｒａ、ＲｂおよびＲｃはそれぞれ、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；または置換もしくは非置換のアリール基であってもよい。前記ゲルマニウム基は、具体的には、トリメチルゲルマニウム基、トリエチルゲルマニウム基、ｔ−ブチルジメチルゲルマニウム基などがあるが、これらに限定されない。
本明細書において、アラルケニル基中のアルケニル基は、前述のアルケニル基に関する説明が適用可能である。
本明細書において、アリーレンは、２価の基であることを除けば、前述のアリール基に関する説明が適用可能である。
本明細書において、ヘテロアリーレンは、２価の基であることを除けば、前述のヘテロアリール基に関する説明が適用可能である。
本明細書において、隣接する基と互いに結合して環を形成するという意味は、隣接する基と互いに結合して置換もしくは非置換の脂肪族炭化水素環；置換もしくは非置換の芳香族炭化水素環；置換もしくは非置換の脂肪族ヘテロ環；置換もしくは非置換の芳香族ヘテロ環；またはこれらの縮合環を形成することを意味する。
本明細書において、脂肪族炭化水素環とは、芳香族でない環であって、炭素と水素原子のみからなる環を意味する。具体的には、脂肪族炭化水素環の例としては、シクロプロパン、シクロブタン、シクロブテン、シクロペンタン、シクロペンテン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、１，４−シクロヘキサジエン、シクロヘプタン、シクロヘプテン、シクロオクタン、シクロオクテンなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
本明細書において、芳香族炭化水素環とは、炭素と水素原子のみからなる芳香族の環を意味する。具体的には、芳香族炭化水素環の例としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ペリレン、フルオランテン、トリフェニレン、フェナレン、ピレン、テトラセン、クリセン、ペンタセン、フルオレン、インデン、アセナフチレン、ベンゾフルオレン、スピロフルオレンなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
本明細書において、脂肪族ヘテロ環とは、ヘテロ原子のうちの１個以上を含む脂肪族環を意味する。具体的には、脂肪族ヘテロ環の例としては、オキシラン（ｏｘｉｒａｎｅ）、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン（１，４−ｄｉｏｘａｎｅ）、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン（ｍｏｒｐｈｏｌｉｎｅ）、オキセパン、アゾカン、チオカンなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
本明細書において、芳香族ヘテロ環とは、ヘテロ原子のうちの１個以上を含む芳香族環を意味する。具体的には、芳香族ヘテロ環の例としては、ピリジン、ピロール、ピリミジン、ピリダジン、フラン、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、ジチアゾール、テトラゾール、ピラン、チオピラン、ジアジン、オキサジン、チアジン、ジオキシン、トリアジン、テトラジン、イソキノリン、キノリン、キノール、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、アクリジン、フェナントリジン、ジアザナフタレン、トリアザインデン、インドール、インドリジン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ジベンゾカルバゾール、フェナジン、イミダゾピリジン、フェノキサジン、フェナントリジン、インドロカルバゾール、インデノカルバゾールなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
本明細書において、前記脂肪族炭化水素環、芳香族炭化水素環、脂肪族ヘテロ環、および芳香族ヘテロ環は、単環もしくは多環であってもよい。
本明細書の一実施態様によれば、前記化学式１で表される化合物は、下記化学式２または化学式３で表されてもよい。
［化学式２］
［化学式３］
前記化学式２および化学式３において、Ａｒ１、Ｌ、Ｒ１、Ｒ３、ａおよびｃの定義はそれぞれ、化学式１におけるのと同じである。
本明細書の一実施態様によれば、前記化学式１で表される化合物は、下記化学式４または化学式５で表されてもよい。
［化学式４］
［化学式５］
前記化学式４および化学式５において、Ａｒ１、Ｌ、Ｒ１およびａの定義はそれぞれ、化学式１におけるのと同じである。
本発明の一実施態様において、前記Ａｒ１は、炭素数６〜３０の単環式もしくは多環式の置換もしくは非置換のアリール基である。
本発明の一実施態様において、前記Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル基；置換もしくは非置換のビフェニル基；置換もしくは非置換のターフェニル基；置換もしくは非置換のナフチル基；置換もしくは非置換のアントラセニル基；置換もしくは非置換のフェナントリル基；置換もしくは非置換のピレニル基；置換もしくは非置換のペリレニル基；置換もしくは非置換のクリセニル基；または置換もしくは非置換のフルオレニル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル基；置換もしくは非置換のビフェニル基；置換もしくは非置換のターフェニル基；置換もしくは非置換のナフチル基；置換もしくは非置換のフルオレニル基；置換もしくは非置換のフェナントレニル基；または置換もしくは非置換のトリフェニレニル基である。
本明細書の一実施態様によれば、前記Ａｒ１は、下記構造から選択されたいずれか１つであってもよく、下記構造は追加的に置換されていてもよい。
具体的には、前記構造は、重水素；ハロゲン基；ニトリル基；ニトロ基；ヒドロキシ基；カルボニル基；エステル基；イミド基；アミン基；ホスフィンオキシド基；アルコキシ基；アリールオキシ基；アルキルチオキシ基；アリールチオキシ基；アルキルスルホキシ基；アリールスルホキシ基；シリル基；ホウ素基；アルキル基；シクロアルキル基；アルケニル基；アリール基；アラルキル基；アラルケニル基；アルキルアリール基；アルキルアミン基；アラルキルアミン基；ヘテロアリールアミン基；アリールアミン基；アリールヘテロアリールアミン基；アリールホスフィン基；およびヘテロ環基からなる群より選択された１個以上の置換基で置換もしくは非置換であってもよい。さらに具体的には、重水素；アルキル基；またはアリール基で置換もしくは非置換であってもよい。
本発明の一実施態様において、前記Ｌは、直接結合；または炭素数６〜３０の単環式もしくは多環式の置換もしくは非置換のアリーレン基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｌは、直接結合；置換もしくは非置換のフェニレン基；置換もしくは非置換のビフェニリレン基；置換もしくは非置換のターフェニリレン基；置換もしくは非置換のナフチレン基；置換もしくは非置換のアントラセニレン基；置換もしくは非置換のフルオレニレン基；置換もしくは非置換のフェナントレニレン基；または置換もしくは非置換のトリフェニレニレン基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｌは、直接結合；または置換もしくは非置換のフェニレン基である。
本明細書の一実施態様によれば、前記Ｌは、直接結合；または下記構造から選択されたいずれか１つであってもよく、下記構造は追加的に置換されていてもよい。
具体的には、前記構造は、重水素；ハロゲン基；ニトリル基；ニトロ基；ヒドロキシ基；カルボニル基；エステル基；イミド基；アミン基；ホスフィンオキシド基；アルコキシ基；アリールオキシ基；アルキルチオキシ基；アリールチオキシ基；アルキルスルホキシ基；アリールスルホキシ基；シリル基；ホウ素基；アルキル基；シクロアルキル基；アルケニル基；アリール基；アラルキル基；アラルケニル基；アルキルアリール基；アルキルアミン基；アラルキルアミン基；ヘテロアリールアミン基；アリールアミン基；アリールヘテロアリールアミン基；アリールホスフィン基；およびヘテロ環基からなる群より選択された１個以上の置換基で置換もしくは非置換であってもよい。さらに具体的には、重水素；アルキル基；またはアリール基で置換もしくは非置換であってもよい。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１は、水素；重水素；または置換もしくは非置換の炭素数１〜４０のアルキル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１は、水素；重水素；置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のエチル基；置換もしくは非置換のプロピル基；置換もしくは非置換のｎ−プロピル基；置換もしくは非置換のイソプロピル基；置換もしくは非置換のブチル基；置換もしくは非置換のｎ−ブチル基；置換もしくは非置換のイソブチル基；置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−ブチル基；置換もしくは非置換のｓｅｃ−ブチル基；置換もしくは非置換の１−メチル−ブチル基；置換もしくは非置換の１−エチル−ブチル基；置換もしくは非置換のペンチル基；置換もしくは非置換のｎ−ペンチル基；置換もしくは非置換のイソペンチル基；置換もしくは非置換のネオペンチル基；置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−ペンチル基；置換もしくは非置換のヘキシル基；置換もしくは非置換のｎ−ヘキシル基；置換もしくは非置換の１−メチルペンチル基；置換もしくは非置換の２−メチルペンチル基；置換もしくは非置換の４−メチル−２−ペンチル基；置換もしくは非置換の３，３−ジメチルブチル基；置換もしくは非置換の２−エチルブチル基；置換もしくは非置換のヘプチル基；置換もしくは非置換のｎ−ヘプチル基；置換もしくは非置換の１−メチルヘキシル基；置換もしくは非置換のシクロペンチルメチル基；置換もしくは非置換のシクロヘキシルメチル基；置換もしくは非置換のオクチル基；置換もしくは非置換のｎ−オクチル基；置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−オクチル基；置換もしくは非置換の１−メチルヘプチル基；置換もしくは非置換の２−エチルヘキシル基；置換もしくは非置換の２−プロピルペンチル基；置換もしくは非置換のｎ−ノニル基；置換もしくは非置換の２，２−ジメチルヘプチル基；置換もしくは非置換の１−エチル−プロピル基；置換もしくは非置換の１，１−ジメチル−プロピル基；置換もしくは非置換のイソヘキシル基；置換もしくは非置換の４−メチルヘキシル基；または置換もしくは非置換の５−メチルヘキシル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１は、水素；重水素；置換もしくは非置換のメチル基；または置換もしくは非置換のｔ−ブチル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１は、水素；重水素；メチル基；またはｔ−ブチル基である。
本発明の一実施態様において、前記化学式１の化合物は、下記化合物の中から選択されたいずれか１つであってもよい。
前記化学式１の化合物は、以下のような一般的な反応式によって合成することができ、ただし、これに限定されるものではない。
＜反応式Ａ＞中間体Ａの合成
＜反応式Ｂ＞中間体Ｂの合成
また、前記反応式ＡまたはＢにおいて、中間体ＡまたはＢの代わりに下記Ｃ〜Ｊを中間体として用いて前記化学式１の化合物を合成することができる。
化合物のコンジュゲーション長とエネルギーバンドギャップとは密接な関係がある。具体的には、化合物のコンジュゲーション長が長いほどエネルギーバンドギャップが小さくなる。
本発明では、前記のようなコア構造のＡｒ１およびＲ１の位置に多様な置換基を導入することにより、多様なエネルギーバンドギャップを有する化合物を合成することができる。通常、エネルギーバンドギャップが大きいコア構造に置換基を導入してエネルギーバンドギャップを調節することは容易であるが、コア構造のエネルギーバンドギャップが小さい場合には、置換基を導入してエネルギーバンドギャップを大きく調節することが困難である。また、本発明では、前記のような構造のコア構造のＡｒ１およびＲ１の位置に多様な置換基を導入することにより、化合物のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギー準位も調節することができる。
また、前記のような構造のコア構造に多様な置換基を導入することにより、導入された置換基固有の特性を有する化合物を合成することができる。例えば、有機発光素子の製造時に使用される正孔注入層物質、正孔輸送用物質、発光層物質、および電子輸送層物質に主に使用される置換基を前記コア構造に導入することにより、各有機物層で要求する条件を満たす物質を合成することができる。
さらに、本発明に係る有機発光素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に配置された１層以上の有機物層とを含む有機発光素子であって、前記有機物層のうちの１層以上は、前記化合物を含むことを特徴とする。
本発明の有機発光素子は、前述の化合物を用いて１層以上の有機物層を形成することを除けば、通常の有機発光素子の製造方法および材料により製造できる。
前記化合物は、有機発光素子の製造時、真空蒸着法だけでなく、溶液塗布法によって有機物層に形成される。ここで、溶液塗布法とは、スピンコーティング、ディップコーティング、インクジェットプリンティング、スクリーンプリンティング、スプレー法、ロールコーティングなどを意味するが、これらにのみ限定されるものではない。
本発明の有機発光素子の有機物層は、単層構造からなってもよいが、２層以上の有機物層が積層された多層構造からなってもよい。例えば、本発明の有機発光素子は、有機物層として、正孔注入層、電子阻止層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む構造を有することができる。しかし、有機発光素子の構造はこれに限定されず、より少数の有機物層を含んでもよい。
したがって、本発明の有機発光素子において、前記有機物層は、正孔注入層、電子阻止層、正孔輸送層、並びに正孔注入および正孔輸送を同時に行う層のうちの１層以上を含むことができ、前記層のうちの１層以上が前記化学式１で表される化合物を含むことができる。
一実施態様において、前記有機物層は、電子阻止層を含み、前記電子阻止層が前記化学式１で表される化合物を含む。
もう一つの実施態様において、前記有機物層は、正孔輸送層を含み、前記正孔輸送層が前記化学式１で表される化合物を含む。
もう一つの実施態様において、前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層が前記化学式１で表される化合物を含む。一つの例として、前記化学式１で表される化合物は、発光層のホストとして含まれてもよい。もう一つの例として、前記化学式１で表される化合物は、発光層の燐光ホストとして含まれてもよい。
もう一つの例として、前記化学式１で表される化合物を含む有機物層は、前記化学式１で表される化合物をホストとして含み、他の有機化合物、金属または金属化合物をドーパントとして含むことができる。
もう一つの例として、前記化学式１で表される化合物を含む有機物層は、前記化学式１で表される化合物をホストとして含み、イリジウム系（Ｉｒ）ドーパントと共に使用することができる。
また、前記有機物層は、電子輸送層、電子注入層、並びに電子輸送および電子注入を同時に行う層のうちの１層以上を含むことができ、前記層のうちの１層以上が前記化合物を含むことができる。
もう一つの実施態様において、前記有機電子素子の有機物層は、正孔輸送層を含み、前記正孔輸送層が前記化学式１で表される化合物を含む。
このような多層構造の有機物層において、前記化合物は、発光層、正孔注入／正孔輸送と発光を同時に行う層、正孔輸送と発光を同時に行う層、または電子輸送と発光を同時に行う層などに含まれてもよい。
本明細書の一実施態様において、前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、下記化学式６で表される化合物を含む。
［化学式６］
前記化学式６において、
Ａｒ２は、置換もしくは非置換の１価以上のベンゾフルオレン基；置換もしくは非置換の１価以上のフルオランテン基；置換もしくは非置換の１価以上のピレン基；または置換もしくは非置換の１価以上のクリセン基であり、
Ｌ１は、直接結合；置換もしくは非置換のアリーレン基；または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基であり、
Ａｒ３およびＡｒ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアラルキル基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であるか、互いに結合して置換もしくは非置換の環を形成してもよく、
ｒは、１以上の整数であり、
ｒが２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
本明細書の一実施態様によれば、前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、前記化学式６で表される化合物を発光層のドーパントとして含む。
本明細書の一実施態様において、前記Ｌ１は、直接結合である。
本明細書の一実施態様によれば、前記ｒは、２である。
本明細書の一実施態様において、前記Ａｒ２は、置換もしくは非置換の２価のピレン基である。
もう一つの実施態様において、前記Ａｒ２は、メチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、またはイソプロピル基で置換もしくは非置換の２価のピレン基である。
もう一つの実施態様において、前記Ａｒ２は、２価のピレン基である。
本明細書の一実施態様において、前記Ａｒ３およびＡｒ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキル基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリール基である。
本明細書の一実施態様によれば、前記Ａｒ３およびＡｒ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基である。
本明細書の一実施態様において、前記Ａｒ３およびＡｒ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、アルキル基で置換されたゲルマニウム基で置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基である。
本明細書の一実施態様において、トリメチルゲルマニウム基で置換もしくは非置換のフェニル基である。
本明細書の一実施態様によれば、前記化学式６は、下記化合物で表されてもよい。
本明細書の一実施態様において、前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、下記化学式７で表される化合物を含む。
［化学式７］
前記化学式７において、
Ｘ１は、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、または下記化学式
であり、
Ｘ３は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニリル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４'−メチルビフェニリル基、４"−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、または３−フルオランテニル基であり、
Ｘ２およびＸ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
ｐ２は、１〜５の整数であり、
ｐ１およびｐ３はそれぞれ、１〜４の整数であり、
前記ｐ１〜ｐ３がそれぞれ２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
本明細書の一実施態様によれば、前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、前記化学式７で表される化合物を発光層のホストとして含む。
本明細書の一実施態様において、前記Ｘ１は、１−ナフチル基である。
本明細書の一実施態様において、前記Ｘ３は、２−ナフチル基であり、ｐ２は、１である。
本明細書の一実施態様において、前記Ｘ２およびＸ４は、水素である。
本明細書の一実施態様において、前記化学式７は、下記化合物で表されてもよい。
例えば、本発明の有機発光素子の構造は、図１および図２に示しているような構造を有することができるが、これにのみ限定されるものではない。
図１には、基板１上に、陽極２、発光層３、および陰極４が順次に積層された有機発光素子の構造が例示されている。このような構造において、前記化合物は、前記発光層３に含まれてもよい。
図２には、基板１上に、陽極２、正孔注入層５、正孔輸送層６、発光層３、電子輸送層７、および陰極４が順次に積層された有機発光素子の構造が例示されている。このような構造において、前記化合物は、前記正孔注入層５、正孔輸送層６、発光層３、または電子輸送層７に含まれてもよい。
例えば、本発明に係る有機発光素子は、スッパタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）や電子ビーム蒸発（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のようなＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用して、基板上に金属または導電性を有する金属酸化物またはこれらの合金を蒸着させて陽極を形成し、その上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層を含む有機物層を形成した後、その上に陰極として使用可能な物質を蒸着させることにより製造できる。このような方法以外にも、基板上に、陰極物質から有機物層、陽極物質を順に蒸着させて有機発光素子を作ってもよい。
前記有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層などを含む多層構造であってもよいが、これに限定されず、単層構造であってもよい。また、前記有機物層は、多様な高分子素材を用いて、蒸着法でない溶媒工程（ｓｏｌｖｅｎｔ ｐｒｏｃｅｓｓ）、例えば、スピンコーティング、ディップコーティング、ドクターブレーディング、スクリーンプリンティング、インクジェットプリンティング、または熱転写法などの方法によってより少数の層に製造することができる。
前記陽極物質としては、通常、有機物層に正孔注入が円滑となるように仕事関数の大きい物質が好ましい。本発明で使用可能な陽極物質の具体例としては、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属またはこれらの合金；亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物；ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ２：Ｓｂのような金属と酸化物との組み合わせ；ポリ（３−メチル化合物の）、ポリ［３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）化合物の］（ＰＥＤＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンのような導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記陰極物質としては、通常、有機物層に電子注入が容易となるように仕事関数の小さい物質であることが好ましい。陰極物質の具体例としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズ、および鉛のような金属またはこれらの合金；ＬｉＦ／ＡｌまたはＬｉＯ２／Ａｌのような多層構造の物質などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記正孔注入物質としては、低い電圧で陽極から正孔がよく受けられる物質であって、正孔注入物質のＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）が陽極物質の仕事関数と周辺有機物層のＨＯＭＯとの間であることが好ましい。正孔注入物質の具体例としては、金属ポルフィリン（ｐｏｒｐｈｙｒｉｎｅ）、オリゴチオフェン、アリールアミン系の有機物、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン系の有機物、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）系の有機物、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）系の有機物、アントラキノンおよびポリアニリンとポリ化合物系の導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記正孔輸送物質としては、陽極や正孔注入層から正孔を受けて発光層に移し得る物質で、正孔に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、アリールアミン系の有機物、導電性高分子、および共役部分と非共役部分が共にあるブロック共重合体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記発光物質としては、正孔輸送層と電子輸送層から正孔と電子をそれぞれ受けて結合させることにより、可視光線領域の光を発し得る物質であって、蛍光や燐光に対する量子効率の良い物質が好ましい。具体例としては、８−ヒドロキシ−キノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）；カルバゾール系化合物；二量体化スチリル（ｄｉｍｅｒｉｚｅｄ ｓｔｙｒｙｌ）化合物；ＢＡｌｑ；１０−ヒドロキシベンゾキノリン−金属化合物；ベンゾキサゾール、ベンズチアゾールおよびベンズイミダゾール系の化合物；ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）系の高分子；スピロ（ｓｐｉｒｏ）化合物；ポリフルオレン、ルブレンなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記化学式１で表される化合物を含む有機物層は、前記化学式１で表される化合物をホストとして含み、イリジウム系（Ｉｒ）ドーパントと共に使用することができる。
ドーパントとして使用されるイリジウム系錯体は、下記の通りである。
前記電子輸送物質としては、陰極から電子がよく注入されて発光層に移し得る物質であって、電子に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体；Ａｌｑ３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン−金属錯体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
本発明に係る有機発光素子は、使用される材料によって、前面発光型、後面発光型、または両面発光型であってもよい。
本発明に係る化合物は、有機太陽電池、有機感光体、有機トランジスタなどをはじめとする有機電子素子においても、有機発光素子に適用されるのと類似の原理で作用することができる。
前記化学式１の化合物の製造方法およびこれらを用いた有機発光素子の製造は、以下の実施例で具体的に説明する。しかし、下記の実施例は本発明を例示するためのものであり、本発明の範囲がこれらによって限定されるものではない。
＜製造例１＞化合物１の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ａ（１２．０ｇ、３７．６２ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（２−ｂｒｏｍｏ−９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１０．９８ｇ、３４．２１ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２４０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．２７ｇ、４４．４６ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１７ｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を入れた後、２時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン：ヘキサン＝１：１２でカラムして、前記化合物１（１６．５４ｇ、収率：７８％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝５６１
＜製造例２＞化合物３の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ａ（１２．０ｇ、３７．６２ｍｍｏｌ）、９−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−２−ブロモ−９Ｈ−カルバゾール（９−（［１，１'−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４−ｙｌ）−２−ｂｒｏｍｏ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１３．５８ｇ、３４．２１ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２８０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．２７ｇ、４４．４６ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１７ｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、エチルアセテート３００ｍｌで再結晶して、前記化合物３（２１．３３ｇ、収率：８９％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝６３７
＜製造例３＞化合物９の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ａ（１２．０ｇ、３７．６２ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−９−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９Ｈ−カルバゾール（２−ｂｒｏｍｏ−９−（９，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−２−ｙｌ）−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１４．９５ｇ、３４．２１ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２４０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．２７ｇ、４４．４６ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１７ｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を入れた後、２時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン：ヘキサン＝１：１６でカラムして、前記化合物９（１９．７７ｇ、収率：７７％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝６７７
＜製造例４＞化合物５の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ａ（１２．０ｇ、３７．６２ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−９−（ナフタレン−２−イル）−９Ｈ−カルバゾール（２−ｂｒｏｍｏ−９−（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ｙｌ）−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１２．６９ｇ、３４．２１ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）１８０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．２７ｇ、４４．４６ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１７ｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を入れた後、２時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン：ヘキサン＝１：１６でカラムして、前記化合物５（１６．９２ｇ、収率：７４％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝６１１
＜製造例５＞化合物１０の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ａ（１２．０ｇ、３７．６２ｍｍｏｌ）、９−（［１，１'−ビフェニル］−２−イル）−２−ブロモ−９Ｈ−カルバゾール（９−（［１，１'−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−２−ｙｌ）−２−ｂｒｏｍｏ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１３．５８ｇ、３４．２１ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２８０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．２７ｇ、４４．４６ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１７ｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、エチルアセテート２２０ｍｌで再結晶して、前記化合物１０（１７．０７ｇ、収率：７１％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝６３７
＜製造例６＞化合物８９の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ａ（１２．０ｇ、３７．６２ｍｍｏｌ）、９−（［１，１'：４'，１''−ターフェニル］−４−イル）−２−ブロモ−９Ｈ−カルバゾール（９−（［１，１'：４'，１''−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ］−４−ｙｌ）−２−ｂｒｏｍｏ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１６．１８ｇ、３４．２１ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２４０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．２７ｇ、４４．４６ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１７ｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を入れた後、２時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン：ヘキサン＝１：１２でカラムして、前記化合物８９（２３．０８ｇ、収率：８６％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝７１３
＜製造例７＞化合物７の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ａ（１２．０ｇ、３７．６２ｍｍｏｌ）、９−（［１，１'−ビフェニル］−３−イル）−２−ブロモ−９Ｈ−カルバゾール（９−（［１，１'−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−３−ｙｌ）−２−ｂｒｏｍｏ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１３．５８ｇ、３４．２１ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２８０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．２７ｇ、４４．４６ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１７ｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、エチルアセテート２６０ｍｌで再結晶して、前記化合物７（１５．３６ｇ、収率：６４％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝６３７
＜製造例８＞化合物９０の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ａ（１２．０ｇ、３７．６２ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−９−（フェニル−ｄ５）−９Ｈ−カルバゾール（２−ｂｒｏｍｏ−９−（ｐｈｅｎｙｌ−ｄ５）−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１０．９８ｇ、３４．２１ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２４０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．２７ｇ、４４．４６ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１７ｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を入れた後、２時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン：ヘキサン＝１：１２でカラムして、前記化合物９０（１７．３５ｇ、収率：８２％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝５６１
＜製造例９＞化合物１７の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ａ（１２．０ｇ、３７．６２ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−９−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール（２−ｂｒｏｍｏ−９−（９，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−３−ｙｌ）−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１４．９５ｇ、３４．２１ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２４０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．２７ｇ、４４．４６ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１７ｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を入れた後、２時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン：ヘキサン＝１：１５でカラムして、前記化合物１７（１７．７８、収率：６９％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝６７７
＜製造例１０＞化合物２３の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ａ（１２．０ｇ、３７．６２ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−９−（４−（ナフタレン−２−イル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール（２−ｂｒｏｍｏ−９−（４−（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１６．１８ｇ、３４．２１ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２４０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．２７ｇ、４４．４６ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１７ｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を入れた後、２時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン：ヘキサン＝１：１２でカラムして、前記化合物２３（２１．１６ｇ、収率：８２％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝６８７
＜製造例１１＞化合物６１、６３〜６７、７１および９１〜９４の合成
製造例１〜１０における出発物質として前記化合物Ａの代わりに前記化合物Ｂを用いたことを除けば、同様の方法で下記化合物を製造した。
＜製造例１２＞化合物２９の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ｃ（１２．０ｇ、３６．０４ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（２−ｂｒｏｍｏ−９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１０．５２ｇ、３２．７６ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２３０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．０９ｇ、４２．５９ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１６ｇ、０．３３ｍｍｏｌ）を入れた後、２時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン：ヘキサン＝１：１２でカラムして、前記化合物２９（１３．９２ｇ、収率：６７％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝５７５
＜製造例１３＞化合物３７の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ｄ（１２．０ｇ、３２．０ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（２−ｂｒｏｍｏ−９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（９．３４ｇ、２９．０９ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２４０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（３．６３ｇ、３７．８２ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１５ｇ、０．２９ｍｍｏｌ）を入れた後、５時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、エチルアセテート２４０ｍｌで再結晶して、前記化合物３７（１５．０１ｇ、収率：７６％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝６１７
＜製造例１４＞化合物５５の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ｆ（１２．０ｇ、３５．４０ｍｍｏｌ）、９−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−２−ブロモ−９Ｈ−カルバゾール（９−（［１，１'−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４−ｙｌ）−２−ｂｒｏｍｏ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１０．３３ｇ、３２．１８ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２８０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．０２ｇ、４１．８３ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１６ｇ、０．３２ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、エチルアセテート２１０ｍｌで再結晶して、前記化合物５５（１８．８５ｇ、収率：８３％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝６４２
＜製造例１５＞化合物９４の合成
窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物Ｊ（１２．０ｇ、３５．４０ｍｍｏｌ）、９−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−２−ブロモ−９Ｈ−カルバゾール（９−（［１，１'−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４−ｙｌ）−２−ｂｒｏｍｏ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（１０．３３ｇ、３２．１８ｍｍｏｌ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）２８０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）（４．０２ｇ、４１．８３ｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｂｉｓ（ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））（０．１６ｇ、０．３２ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて濾過して塩を除去した後、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を減圧濃縮させ、エチルアセテート２１０ｍｌで再結晶して、前記化合物９４（１８．８５ｇ、収率：８３％）を製造した。
ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］＋＝６４２
＜実験例＞
＜実験例１−１＞
ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１，０００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れて超音波洗浄した。この時、洗剤としてはフィッシャー社（Ｆｉｓｃｈｅｒ Ｃｏ．）製品を使用し、蒸留水としてはミリポア社（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｃｏ．）製品のフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）で２次濾過した蒸留水を使用した。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返し超音波洗浄を１０分間進行させた。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールの溶剤で超音波洗浄をし乾燥させた後、プラズマ洗浄機に輸送させた。また、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を輸送させた。
こうして用意されたＩＴＯ透明電極上に、下記化学式のヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン（ｈｅｘａａｚａｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ；ＨＡＴ）を５００Åの厚さに熱真空蒸着して、正孔注入層を形成した。
前記正孔注入層上に、正孔を輸送する物質である下記化合物ＨＴＬ１（Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−９，９−ジメチル−Ｎ−（４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−Ｈ−フルオレン−２−アミン（Ｎ−（［１，１'−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４−ｙｌ）−９，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−Ｎ−（４−（９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌ−３−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）−Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−２−ａｍｉｎｅ））（３００Å）を真空蒸着して、正孔輸送層を形成した。
次に、前記正孔輸送層上に、膜厚さ１００Åとして下記化合物１を真空蒸着して、電子阻止層を形成した。
次に、前記電子阻止層上に、膜厚さ３００Åとして以下のようなＢＨとＢＤを２５：１の重量比で真空蒸着して、発光層を形成した。
前記発光層上に、前記化合物ＥＴ１と前記化合物ＬｉＱ（Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）を１：１の重量比で真空蒸着して、３００Åの厚さに電子注入および輸送層を形成した。前記電子注入および輸送層上に、順次に、１２Åの厚さにリチウムフルオライド（ＬｉＦ）と、２，０００Åの厚さにアルミニウムを蒸着して、陰極を形成した。
前記有機物の蒸着速度は０．４〜０．７Å／ｓｅｃを維持し、陰極のリチウムフルオライドは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は２×１０−７〜５×１０−６ｔｏｒｒを維持して、有機発光素子を作製した。
＜実験例１−２＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物３を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−３＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物９を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−４＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物５を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−５＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物１０を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−６＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物８９を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−７＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物９０を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−８＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物６４を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−９＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物６１を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−１０＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物９１を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−１１＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物９２を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−１２＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物２９を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−１３＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物３７を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−１４＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物５５を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜実験例１−１５＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物９４を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜比較例１−１＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりにＥＢ１を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜比較例１−２＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりにＥＢ２を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜比較例１−３＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりにＥＢ３を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜比較例１−４＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりにＥＢ４を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜比較例１−５＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりにＥＢ５を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。
実験例１−１〜１−１５、比較例１−１〜１−５により作製された有機発光素子に電流を印加した時、表１の結果を得た。
前記表１に示されるように、実験例１−１〜１−１５の化合物は、有機発光素子において、比較例１−１〜１−５より、低電圧、高効率の特性を示すことが分かる。
比較例１−１または比較例１−２のように、Ｎ原子がそれぞれカルバゾール基の３番または４番に連結された場合、電圧が相対的に高くて効率も低かった。カルバゾール基の代わりに、フルオレニル基またはジベンゾチオフェン基の場合（比較例１−３、比較例１−４）と、カルバゾール基がアリーレン基の連結基を介してＮ原子に連結された場合（比較例１−５）も、類似の特性を示している。
カルバゾールの２番位置に連結基なしにＮ原子に連結された本発明に係る化合物は、電子抑制能力に優れて低電圧および高効率の特性を示し、有機発光素子に適用可能であることを確認することができた。
＜実験例２＞
＜実験例２−１＞〜＜実験例２−１５＞
前記実験例１において、電子阻止層としてＥＢ１（ＴＣＴＡ）を用い、正孔輸送層としてＨＴＬ１の代わりに実験例１−１〜１−１５の化合物を用いたことを除けば、同様に実験した。
＜比較例２−１＞
前記実験例２−１において、化合物１の代わりにＨＴ１を用いたことを除けば、同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜比較例２−２＞
前記実験例２−１において、化合物１の代わりにＨＴ２を用いたことを除けば、同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜比較例２−３＞
前記実験例２−１において、化合物１の代わりにＨＴ３を用いたことを除けば、同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜比較例２−４＞
前記実験例２−１において、化合物１の代わりにＨＴ４を用いたことを除けば、同様の方法で有機発光素子を作製した。
＜比較例２−５＞
前記実験例２−１において、化合物１の代わりにＨＴ５を用いたことを除けば、同様の方法で有機発光素子を作製した。
実験例２−１〜２−１５、比較例２−１〜２−５により作製された有機発光素子に電流を印加した時、表２の結果を得た。
前記表２に示されるように、実験例２−１〜２−１５の化合物を有機発光素子に用いた場合に、比較例２−１〜２−５より、低電圧、高効率の特性を示すことが分かる。
比較例２−１または比較例２−２のようにＮ原子がそれぞれカルバゾール基の３番または４番位置に連結された場合には、有機発光素子の駆動電圧が相対的に高くて効率も低かった。カルバゾール基の代わりに、フルオレニル基またはジベンゾチオフェン基の場合（比較例２−３、比較例２−４）と、カルバゾール基がアリーレン基の連結基を介してＮ原子に連結された場合（比較例２−５）にも、類似の特性を示している。カルバゾールの２番位置に連結基なしにＮ原子に連結された、本発明に係る化合物は、正孔輸送能力にも優れて低電圧および高効率の特性を示し、有機発光素子に適用可能であることを確認することができた。
以上、本発明の好ましい実験例（電子阻止層、正孔輸送層）について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも発明の範疇に属する。
１：基板
２：陽極
３：発光層
４：陰極
５：正孔注入層
６：正孔輸送層
７：電子輸送層

Claims (16)

  1. 下記化学式１で表される化合物：
    ［化学式１］
    前記化学式１において、
    Ｘは、
    であり、
    Ｙは、
    であり、
    Ｚは、
    であり、
    Ａｒ１は、置換もしくは非置換のアリール基であり、
    Ｌは、直接結合；または置換もしくは非置換のアリーレン基であり、
    Ｒ１は、水素；重水素；または置換もしくは非置換のアルキル基であり、
    Ｒ２およびＲ３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；または置換もしくは非置換のアリール基であり、
    ａは、０〜５の整数であり、
    ｂは、０〜７の整数であり、
    ｃは、０〜１１の整数であり、ａが２以上の場合に、Ｒ１は、互いに同一または異なり、
    ｂが２以上の場合に、Ｒ２は、互いに同一または異なり、
    ｃが２以上の場合に、Ｒ３は、互いに同一または異なる。
  2. 前記化学式１は、下記化学式２または３で表されるものである、
    請求項１に記載の化合物：
    ［化学式２］
    ［化学式３］
    前記化学式２および化学式３において、Ａｒ１、Ｌ、Ｒ１、Ｒ３、ａおよびｃの定義はそれぞれ、化学式１におけるのと同じである。
  3. 前記化学式１は、下記化学式４または５で表されるものである、
    請求項１に記載の化合物：
    ［化学式４］
    ［化学式５］
    前記化学式４および化学式５において、Ａｒ１、Ｌ、Ｒ１およびａの定義はそれぞれ、化学式１におけるのと同じである。
  4. 前記Ａｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル基；置換もしくは非置換のビフェニル基；置換もしくは非置換のターフェニル基；置換もしくは非置換のナフチル基；置換もしくは非置換のフルオレニル基；置換もしくは非置換のフェナントレニル基；または置換もしくは非置換のトリフェニレニル基である、
    請求項１から３のいずれか１項に記載の化合物。
  5. 前記Ａｒ１は、下記構造の中から選択されたいずれか１つである、
    請求項１から３のいずれか１項に記載の化合物：
    前記構造は、重水素；アルキル基；またはアリール基で置換もしくは非置換である。
  6. 前記化学式１の化合物は、下記構造式の中から選択されたいずれか１つである、
    請求項１に記載の化合物：
  7. 第１電極と、
    第２電極と、
    前記第１電極と前記第２電極との間に配置された１層以上の有機物層とを含む有機発光素子であって、
    前記有機物層のうちの１層以上は、請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物を含む
    有機発光素子。
  8. 前記有機物層は、電子輸送層、電子注入層、並びに電子輸送および電子注入を同時に行う層のうちの１層以上を含み、
    前記層のうちの１層以上が前記化合物を含む、
    請求項７に記載の有機発光素子。
  9. 前記有機物層は、発光層を含み、
    前記発光層が前記化合物を前記発光層のホストとして含むものである、
    請求項７または８に記載の有機発光素子。
  10. 前記有機物層は、正孔注入層、電子阻止層、正孔輸送層、並びに正孔注入および正孔輸送を同時に行う層のうちの１層以上を含み、
    前記層のうちの１層以上が前記化合物を含む、
    請求項７から９のいずれか１項に記載の有機発光素子。
  11. 前記有機物層は、前記化合物をホストとして含み、
    他の有機化合物、金属または金属化合物をドーパントとして含むものである、
    請求項７から１０のいずれか１項に記載の有機発光素子。
  12. 前記有機物層は、発光層を含み、
    前記発光層は、下記化学式６で表される化合物を含むものである、
    請求項７から１１のいずれか１項に記載の有機発光素子：
    ［化学式６］
    前記化学式６において、
    Ａｒ２は、置換もしくは非置換の１価以上のベンゾフルオレン基；置換もしくは非置換の１価以上のフルオランテン基；置換もしくは非置換の１価以上のピレン基；または置換もしくは非置換の１価以上のクリセン基であり、
    Ｌ１は、直接結合；置換もしくは非置換のアリーレン基；または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基であり、
    Ａｒ３およびＡｒ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアラルキル基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であるか、互いに結合して置換もしくは非置換の環を形成してもよく、
    ｒは、１以上の整数であり、
    ｒが２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
  13. 前記Ｌ１は、直接結合であり、
    Ａｒ２は、置換もしくは非置換の２価のピレン基であり、
    Ａｒ３およびＡ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、アルキル基で置換されたゲルマニウム基で置換もしくは非置換のアリール基であり、
    ｒは、２である、
    請求項１２に記載の有機発光素子。
  14. 前記有機物層は、発光層を含み、
    前記発光層は、下記化学式７で表される化合物を含むものである、
    請求項７から１１のいずれか１項に記載の有機発光素子：
    ［化学式７］
    前記化学式７において、
    Ｘ１は、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、または下記化学式
    であり、
    Ｘ３は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニリル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４'−メチルビフェニリル基、４"−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、または３−フルオランテニル基であり、
    Ｘ２およびＸ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
    ｐ２は、１〜５の整数であり、
    ｐ１およびｐ３はそれぞれ、１〜４の整数であり、
    前記ｐ１〜ｐ３がそれぞれ２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
  15. 前記Ｘ１は、１−ナフチル基であり、
    前記Ｘ３は、２−ナフチル基である、
    請求項１４に記載の有機発光素子。
  16. 前記発光層は、下記化学式７で表される化合物を含むものである、
    請求項１２または１３に記載の有機発光素子：
    ［化学式７］
    前記化学式７において、
    Ｘ１は、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、または下記化学式
    であり、
    Ｘ３は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニリル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４'−メチルビフェニリル基、４"−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、または３−フルオランテニル基であり、
    Ｘ２およびＸ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
    ｐ２は、１〜５の整数であり、
    ｐ１およびｐ３はそれぞれ、１〜４の整数であり、
    前記ｐ１〜ｐ３がそれぞれ２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
JP2018512176A 2015-09-25 2016-09-13 アミン系化合物およびこれを含む有機発光素子 Active JP6504641B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20150137124 2015-09-25
KR10-2015-0137124 2015-09-25
PCT/KR2016/010351 WO2017052138A2 (ko) 2015-09-25 2016-09-13 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018535924A JP2018535924A (ja) 2018-12-06
JP6504641B2 true JP6504641B2 (ja) 2019-04-24

Family

ID=58386174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018512176A Active JP6504641B2 (ja) 2015-09-25 2016-09-13 アミン系化合物およびこれを含む有機発光素子

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10862045B2 (ja)
EP (1) EP3336077B1 (ja)
JP (1) JP6504641B2 (ja)
KR (1) KR101888248B1 (ja)
CN (1) CN108137499B (ja)
TW (1) TWI636118B (ja)
WO (1) WO2017052138A2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7066979B2 (ja) * 2016-06-02 2022-05-16 東ソー株式会社 ジ置換ベンゼンを有するカルバゾール化合物及びその用途
JP7009877B2 (ja) * 2016-10-13 2022-01-26 東ソー株式会社 新規なカルバゾール化合物及びその用途
JP7465062B2 (ja) 2018-01-26 2024-04-10 三星ディスプレイ株式會社 有機電界発光素子及び有機電界発光素子用モノアミン化合物
US20200235297A1 (en) * 2018-01-26 2020-07-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and monoamine compound for organic electroluminescence device
US11871656B2 (en) * 2018-01-26 2024-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and monoamine compound for organic electroluminescence device
KR102319226B1 (ko) 2018-06-15 2021-10-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102867205B1 (ko) 2019-03-20 2025-10-01 삼성디스플레이 주식회사 아민계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
JP2022553670A (ja) * 2019-10-17 2022-12-26 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセントデバイス用の材料
KR20220047464A (ko) * 2020-10-08 2022-04-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 아민 화합물

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100430549B1 (ko) 1999-01-27 2004-05-10 주식회사 엘지화학 신규한 착물 및 그의 제조 방법과 이를 이용한 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP2008195841A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Toray Ind Inc 発光素子材料および発光素子
KR101443755B1 (ko) * 2010-09-20 2014-10-07 제일모직 주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
US8946695B2 (en) * 2010-12-29 2015-02-03 Lg Chem, Ltd. Compound, and organic light-emitting device using same
JP2015155378A (ja) * 2012-04-18 2015-08-27 保土谷化学工業株式会社 トリフェニレン環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101550429B1 (ko) * 2013-04-30 2015-09-08 (주)피엔에이치테크 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
KR20150010016A (ko) * 2013-07-17 2015-01-28 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 소자
US10062850B2 (en) * 2013-12-12 2018-08-28 Samsung Display Co., Ltd. Amine-based compounds and organic light-emitting devices comprising the same
JP2015122369A (ja) * 2013-12-20 2015-07-02 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2015122356A (ja) 2013-12-20 2015-07-02 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Also Published As

Publication number Publication date
US10862045B2 (en) 2020-12-08
KR20170037522A (ko) 2017-04-04
KR101888248B1 (ko) 2018-08-13
WO2017052138A2 (ko) 2017-03-30
JP2018535924A (ja) 2018-12-06
CN108137499B (zh) 2021-07-09
TWI636118B (zh) 2018-09-21
EP3336077A2 (en) 2018-06-20
WO2017052138A3 (ko) 2017-05-11
EP3336077A4 (en) 2018-08-08
EP3336077B1 (en) 2019-09-11
CN108137499A (zh) 2018-06-08
TW201726888A (zh) 2017-08-01
US20180269401A1 (en) 2018-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102076884B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP6504641B2 (ja) アミン系化合物およびこれを含む有機発光素子
JP6512418B2 (ja) ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
JP6497790B2 (ja) スピロ型化合物およびこれを含む有機発光素子
JP6504631B2 (ja) スピロ型化合物及びこれを含む有機発光素子｛ｓｐｉｒｏ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ａｎｄ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ ｓａｍｅ｝
JP6575921B2 (ja) ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
JP2019508410A (ja) 含窒素化合物およびこれを含む有機発光素子
JP6614520B2 (ja) 化合物およびこれを含む有機電子素子
KR102010893B1 (ko) 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP6679092B2 (ja) スピロ型化合物およびこれを含む有機電子素子
JP6547840B2 (ja) スピロ型化合物及びこれを含む有機発光素子｛ｓｐｉｒｏ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ａｎｄ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ ｓａｍｅ｝
JP6628066B2 (ja) ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
JP6547850B2 (ja) 二重スピロ型有機化合物およびこれを含む有機電子素子
KR102120520B1 (ko) 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP6699873B2 (ja) アミン系化合物およびこれを含む有機発光素子
JP6547851B2 (ja) 多環化合物およびこれを含む有機発光素子
JP2018505133A (ja) アミン化合物およびこれを含む有機発光素子
JP2018521002A (ja) 化合物およびこれを含む有機電子素子
JP6504629B2 (ja) 二重スピロ型化合物およびこれを含む有機発光素子
JP6638924B2 (ja) ヘテロ環化合物およびこれを用いた有機発光素子
KR101985650B1 (ko) 이중 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180410

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190226

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190320

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6504641

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250