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JP6520127B2 - Substrate inspection apparatus, substrate inspection method, and substrate inspection jig - Google Patents
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JP6520127B2 - Substrate inspection apparatus, substrate inspection method, and substrate inspection jig - Google Patents

Substrate inspection apparatus, substrate inspection method, and substrate inspection jig Download PDF

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  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)

Description

本発明は、基板に形成される配線の良否を判断するための基板検査装置、基板検査方法及び基板検査用治具に関し、より詳しくは、基板に形成される配線の良否をTDR(Time Domain Reflectometry:時間領域反射率測定)測定方法を用いて、効率良く基板の配線の良否を判断する基板検査装置、基板検査方法及び基板検査用治具に関する。   The present invention relates to a substrate inspection apparatus, a substrate inspection method, and a substrate inspection jig for determining the quality of a wiring formed on a substrate, and more specifically, the quality of the wiring formed on the substrate is TDR (Time Domain Reflectometry) The present invention relates to a substrate inspection apparatus, a substrate inspection method, and a substrate inspection jig for efficiently determining the quality of wiring of a substrate using a time domain reflectance measurement method.

従来、基板上に形成される配線は、この基板に載置されるICや半導体部品又はその他の電子部品に電気信号を送受信するために用いられる。このような配線は、近年の電子部品の微細化に伴って、より微細に且つ複雑に形成されるようになるとともにより低抵抗に形成されている。   Conventionally, a wire formed on a substrate is used to transmit and receive electrical signals to and from an IC, a semiconductor component or other electronic component mounted on the substrate. Such interconnections are formed finer and more complicated and formed with lower resistance with the recent miniaturization of electronic parts.

このように基板上に設けられる配線には、クロック信号を入出力するための信号配線が設けられる場合があり、このような信号配線の良否を判断する場合には、TDR測定方法を用いて行われる場合がある。   As described above, the wiring provided on the substrate may be provided with a signal wiring for inputting / outputting a clock signal. When judging the quality of such a signal wiring, the TDR measurement method is used to determine the line. May be

TDR測定方法について簡単に説明する。TDR測定方法を用いた検査方法では、検査対象となる配線の一方端から検査信号のパルス波を入力するとともに、この配線の一方端から出力信号を検出する。そして、この検出された検出信号を基に、配線の良否を判断するように行われる。一般的には、良好な状態に形成される基板を準備しておき、この基板の配線におけるTDR測定方法を行った際の出力信号の出力値や出力波形を測定する。この測定された出力値や出力波形を基準として、検査対象の配線の測定値や測定波形と比較することで、この検査対象の配線の良否を判断する。   The TDR measurement method will be briefly described. In the inspection method using the TDR measurement method, the pulse wave of the inspection signal is input from one end of the wiring to be inspected, and the output signal is detected from one end of the wiring. Then, based on the detected detection signal, the quality of the wiring is judged. Generally, a substrate to be formed in a good condition is prepared, and an output value and an output waveform of an output signal at the time of performing a TDR measurement method in the wiring of the substrate are measured. The quality of the wiring to be inspected is judged by comparing the measured output value and output waveform with the measured value and measurement waveform of the wiring to be inspected.

ここで、例えば特許文献1に開示されるプリント基板検査装置では、TDRを用いてプリント基板内の検査部位の良否判定を精度良く容易に行うことを目的としており、プリント基板の基準波形と乖離幅が十分では無く良否判定が困難な場合に、短絡/開放等検査部位の状態に応じて測定波形と基準波形との乖離幅が大きくなるように出力インピーダンスを設定することで問題点を解決している。   Here, for example, in the printed circuit board inspection device disclosed in Patent Document 1, the purpose is to easily and accurately determine the quality of the inspection portion in the printed circuit board using TDR, and the reference waveform and deviation width of the printed circuit board Solves the problem by setting the output impedance so that the divergence between the measured waveform and the reference waveform increases according to the state of the test site, such as short circuit or open, etc. There is.

また、特許文献2に開示される回路モジュールでは、TDRによる非破壊検査において、近接した故障部位であってもオープン又はショートの故障個所を精度良く区別することができる技術が開示されている。この回路モジュール技術では、通常の信号伝送路とこの信号伝送路よりも信号伝送路が長い故障解析用の信号伝送とを選択可能に構成されている。   Further, in the circuit module disclosed in Patent Document 2, there is disclosed a technique capable of accurately identifying an open or short failure site even in a close failure site in nondestructive inspection by TDR. In this circuit module technology, it is possible to select a normal signal transmission line and a signal transmission for failure analysis which has a longer signal transmission line than the signal transmission line.

なお、このTDR測定方法を用いて検査する被検査対象物として基板を例示するが、特段限定されるものではなく、プリント配線基板、フレキシブル基板、セラミック多層配線基板、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ用の電極板、及び半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリアなど種々の基板や、半導体ウェハや半導体チップやCSP(Chip size package)などの半導体装置を対象とすることができる。   Although a substrate is exemplified as an inspection object to be inspected using this TDR measurement method, it is not particularly limited, and a printed wiring board, a flexible board, a ceramic multilayer wiring board, an electrode for liquid crystal display or plasma display The present invention can be applied to various substrates such as a plate, a package substrate for a semiconductor package, a film carrier, and a semiconductor device such as a semiconductor wafer, a semiconductor chip, or a CSP (Chip size package).

特開2009−294101号公報JP, 2009-294101, A 特開2013−197999号公報JP, 2013-197999, A

しかしながら、これらの特許文献に開示される技術は、検査精度を向上されることはできても、検査時間の短縮を図ることはできなかった。特に、大量生産される基板を検査する場合には、検査時間を短縮して如何に大量の基板の検査を実施するかが極めて重要であり、検査効率の向上が求められている。現状では、長い検査時間が必要なTDR検査は、抜き取り検査でしか実施されておらず、量産される基板の検査には不適当であった。また、TDR測定に用いられる部材や機器は、極めて高精度な仕様を要求されるものが多く、特に、微細な配線の測定を行う検査装置(又は測定装置)を製造する場合には、入出力信号を送受信するために信号切り替えを行うための精度の高い電子部品(例えば、マルチプレクサ等)を用いる必要があり、多数の配線を検査する場合には、測定対象となる配線に夫々に電子部品が必要であり、多数の配線が検査対象となる場合には極めて高価な装置となる問題を有していた。   However, although the techniques disclosed in these patent documents can improve the inspection accuracy, they can not shorten the inspection time. In particular, in the case of inspecting a mass-produced substrate, it is extremely important how to inspect a large number of substrates by shortening the inspection time, and an improvement in inspection efficiency is required. At present, TDR inspection, which requires a long inspection time, has been conducted only for sampling inspection and is unsuitable for inspection of mass-produced substrates. Moreover, many members and devices used for TDR measurement are required to have extremely high-precision specifications, and in particular, when manufacturing an inspection apparatus (or measurement apparatus) for performing measurement of fine wiring, input and output It is necessary to use high-precision electronic components (for example, a multiplexer etc.) for signal switching in order to transmit and receive signals, and in the case of testing a large number of wires, the electronic components must be separately connected to the wires to be measured. It is necessary and has a problem that it becomes an extremely expensive device when a large number of wires are to be inspected.

本発明は、このような実情に鑑みてなされたもので、大量生産される基板の配線に対して、TDR測定による検査を実施する場合に、検査効率の良い基板検査方法及び基板検査装置を提供する。   The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a substrate inspection method and a substrate inspection apparatus with high inspection efficiency when performing inspection by TDR measurement on wiring of a substrate that is mass-produced. Do.

請求項1記載の発明は、基板に形成された配線の良否を検査する基板検査装置であって、前記検査を実施するために、TDR測定用の検査信号を供給する電源手段と、前記検査信号の反射された反射信号を測定する測定手段と、前記測定手段で測定された反射信号を基に、前記検査対象部の良否を判定する判定手段と、前記検査が実施される際に、検査対象となる複数の配線を直列接続させるとともに該直列接続された配線の一端と、前記電源手段及び前記測定手段とを接続する接続手段とを有することを特徴とする基板検査装置を提供する。
請求項2記載の発明は、前記測定手段が測定する反射信号を時間情報とともに格納する記憶手段を備え、前記判定手段は、前記反射信号の異常を検出した際に、該異常と前記記憶手段に格納される時間情報を特定し、該時間情報から検査対象の複数の配線から一の配線を特定することを特徴とする請求項1の基板検査装置を提供する。
請求項3記載の発明は、基板に形成された配線の良否を検査する方法であって、検査対象となる複数の配線を直列接続し、前記直列接続された配線の一端から、TDR測定を実施するための検査信号を入力し、前記配線の一端から前記検査信号の反射信号を検出し、前記反射信号を基に、前記直列接続された配線の良否を判定する基板検査方法を提供する。
請求項4記載の発明は、基板に形成された配線の良否を検査する基板検査装置と基板を電気的に接続する治具であって、前記検査を実施するためのTDR測定用の検査信号を前記基板の配線の一端へ供給する第一接続部と、前記配線の一端と他の配線の一端を導通接続する第二接続部を有することを特徴とする基板検査用治具を提供する。
The invention according to claim 1 is a substrate inspection apparatus for inspecting the quality of wiring formed on a substrate, and power source means for supplying an inspection signal for TDR measurement to carry out the inspection; and the inspection signal The inspection object to be inspected when the inspection is carried out, the judgment means for judging the quality of the inspection object part on the basis of the measurement means for measuring the reflection signal reflected by the object, and the reflection signal measured by the measurement means; According to the present invention, there is provided a substrate inspection apparatus comprising: a plurality of wirings which are connected in series; and a connecting unit which connects one end of the serially connected wirings and the power supply unit and the measurement unit.
The invention according to claim 2 includes storage means for storing the reflection signal measured by the measurement means together with time information, and the determination means detects the abnormality in the reflection signal when the abnormality is detected. The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the stored time information is specified, and one wiring is specified from a plurality of wirings to be inspected from the time information.
The invention according to claim 3 is a method of inspecting the quality of a wiring formed on a substrate, in which a plurality of wirings to be inspected are connected in series, and TDR measurement is performed from one end of the serially connected wirings. A substrate inspection method is provided, which receives an inspection signal to be input, detects a reflection signal of the inspection signal from one end of the wiring, and determines the quality of the serially connected wirings based on the reflection signal.
The invention according to claim 4 is a jig for electrically connecting a substrate inspection apparatus for inspecting the quality of the wiring formed on the substrate and the substrate, wherein an inspection signal for TDR measurement for performing the inspection is used. There is provided a jig for inspecting a substrate, comprising: a first connection portion supplied to one end of the wiring of the substrate; and a second connection portion electrically connecting one end of the wiring and one end of the other wiring.

請求項1及び3に記載の発明によれば、検査対象となる複数の配線を直列接続し、その一端からTDR測定検査を実施するための検査信号を入力し、該一端から反射される反射信号を受信する。この反射信号を基に直列接続された複数の配線の良否を検査することできる。このため、TDR測定検査の検査対象となる複数の配線を直列接続することで、一度に検査することができ、検査時間の短縮を図ることができる。また、複数の配線を検査する場合であっても、配線に対して検査信号を供給する端子は一つで実施することができるため、高価な電子部品を数多く備える必要が無くなる。   According to the invention described in claims 1 and 3, a plurality of wires to be inspected are connected in series, an inspection signal for performing a TDR measurement inspection is input from one end, and a reflection signal reflected from the one end Receive The quality of the plurality of wires connected in series can be inspected based on the reflected signal. Therefore, by connecting a plurality of wires to be inspected in the TDR measurement inspection in series, the inspection can be performed at one time, and the inspection time can be shortened. In addition, even in the case of inspecting a plurality of wires, one terminal can be used to supply an inspection signal to the wires, which eliminates the need for many expensive electronic components.

また更に、基板に設けられる配線を直列接続することで、大量の基板の検査を実施する場合であっても、上記の如き検査時間の短縮を図り且つ基板毎の複数の配線に対して一度にTDR測定検査を実施することが可能となるため、抜き取り検査では無く、全ての基板に対してTDR測定検査を実施することができる。   Furthermore, by connecting the wirings provided on the substrate in series, even when a large number of substrates are inspected, the inspection time as described above can be shortened and a plurality of wirings for each substrate can be made at one time. Since TDR measurement inspection can be performed, TDR measurement inspection can be performed on all substrates, not sampling inspection.

請求項2記載の発明によれば、記憶手段に反射信号を時間情報とともに格納し、判定手段がこれらを基に良否の判定を実施することができるため、異常を検出した場合の時間情報を特定することでき、この時間情報を基に直列接続された配線の不良個所を特定することができる。   According to the second aspect of the invention, since the reflected signal can be stored together with the time information in the storage means, and the judging means can carry out the judgment of the quality based on them, the time information when abnormality is detected is specified It is possible to identify defective portions of the serially connected wires based on the time information.

請求項4記載の発明によれば、TDR測定を行う基板検査装置と検査対象となる基板を電気的に接続することができるとともに、このTDR測定検査を効率良く実施することができる。   According to the fourth aspect of the present invention, the substrate inspection apparatus for performing TDR measurement can be electrically connected to the substrate to be inspected, and the TDR measurement inspection can be performed efficiently.

本発明に関する基板検査装置の概略を示す一実施形態である。1 is an embodiment showing an outline of a substrate inspection apparatus according to the present invention. 本発明に関する基板検査装置が基板の検査を実施する場合の一実施形態を示す概略図である。It is a schematic diagram showing one embodiment in case a substrate inspection device concerning the present invention inspects a substrate. 本発明の基板検査装置の測定手段が受信する反射信号から得られる抵抗値を時間軸で示したグラフである。(a)は基板の配線の基準(良好な場合)を示し、(b)と(c)は夫々配線に異常がある場合を示している。It is the graph which showed the resistance value obtained from the reflected signal which the measurement means of the board | substrate test | inspection apparatus of this invention receives with a time-axis. (A) shows the standard of the wiring of the substrate (in the good case), and (b) and (c) show the case where the wiring is abnormal.

本発明を実施するための最良の形態を説明する。
図1は、本発明に係る基板検査装置の一実施形態を示す概略図である。本発明に係る基板検査装置1は、電源手段2、測定手段3、判定手段4、記憶手段5、接続手段6、制御手段7を少なくとも備えている。本発明の基板検査装置1は、上記の如く、基板に設けられる配線の良否を判定するために用いられるが、基板の配線に限定されず、TDR測定方法を用いて導通状態の良否を判定することができる検査対象物に適用することができる。
The best mode for carrying out the present invention will be described.
FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of a substrate inspection apparatus according to the present invention. The substrate inspection apparatus 1 according to the present invention at least includes a power supply unit 2, a measurement unit 3, a determination unit 4, a storage unit 5, a connection unit 6, and a control unit 7. Although the substrate inspection apparatus 1 of the present invention is used to determine the quality of the wiring provided on the substrate as described above, it is not limited to the wiring of the substrate, and the quality of the conduction state is determined using the TDR measurement method. Can be applied to the inspection object.

電源手段2は、検査を実施するために、TDR測定用の検査信号を供給する。この基板検査装置1が行う検査とは、配線の導通又は短絡異常を検出するための検査である。この電源手段2は、例えば、パルス発生器を用いることができ、このパルス発生器により発生するパルス波を検査信号として用いることができる。この電源手段2のTDR測定用の検査信号は、例えば、50GHzのパルス波を用いることができるが特に限定されるものではなく、検査対象の基板の配線に応じて調整される。   The power supply means 2 supplies a test signal for TDR measurement in order to carry out the test. The inspection performed by the substrate inspection apparatus 1 is an inspection for detecting conduction or short circuit abnormality of the wiring. For example, a pulse generator can be used as the power supply means 2, and a pulse wave generated by the pulse generator can be used as a test signal. The inspection signal for TDR measurement of the power supply means 2 may use, for example, a pulse wave of 50 GHz, but is not particularly limited, and is adjusted according to the wiring of the substrate to be inspected.

測定手段3は、電源手段2から供給される検査信号の反射された反射信号を測定する。この測定手段3は、電源手段2の検査信号が検査対象となる配線へ供給され、その検査対象の配線の終端にて反射された反射波を反射信号として測定する。この測定手段3には、反射信号を受信することができる機器が採用されることになるが、反射信号を基に抵抗値情報を算出したり、この抵抗値情報を後述する時間情報と合わせて表示したりすることのできるオシロスコープを採用することができる。   The measuring means 3 measures the reflected reflection signal of the inspection signal supplied from the power source means 2. The measuring means 3 supplies the inspection signal of the power supply means 2 to the wiring to be inspected, and measures the reflected wave reflected at the end of the wiring to be inspected as a reflection signal. An apparatus capable of receiving a reflection signal is adopted as the measurement means 3. However, resistance value information is calculated based on the reflection signal, and this resistance value information is combined with time information to be described later. An oscilloscope that can be displayed can be employed.

この測定手段3は、この反射信号を時間情報とともに測定する。測定手段3が反射信号と時間情報を合わせて測定することにより、反射信号の時間的変化を測定することができるようになる。本発明は、この時間的変化を利用して検査時間を短縮して検査を行う。なお、測定手段3が行う測定結果は、後述する判定手段4や記憶手段5へ送信される。   The measuring means 3 measures this reflection signal together with time information. By measuring the reflected signal and the time information together, the measuring means 3 can measure the temporal change of the reflected signal. The present invention utilizes this temporal change to shorten the inspection time for inspection. In addition, the measurement result which the measurement means 3 performs is transmitted to the determination means 4 and the memory means 5 which are mentioned later.

判定手段4は、測定された反射信号を基に、検査対象部の良否を判定する。この判定手段4は、測定手段3にて測定された反射信号とともに時間情報を受信し、反射信号の時間的な変化を検出して、検査対象の配線の良否を判定する。この判定手段4が行う具体的な判定方法には、予め設定される基準値と測定された反射信号とを比較して実施することができる。なお、この判定手段4が行う判定は、測定手段3からの反射信号を受信するとともに行うこともできるし、後述する記憶手段5に測定手段3からの反射信号等の情報を格納しておき、この記憶手段5に格納された情報を再度読み込み実施することもできる。   The judging means 4 judges the quality of the inspection object based on the measured reflection signal. The determination means 4 receives time information together with the reflection signal measured by the measurement means 3, detects a temporal change of the reflection signal, and determines the quality of the wiring to be inspected. A specific determination method performed by the determination means 4 can be implemented by comparing a preset reference value with the measured reflection signal. The determination performed by the determination unit 4 can be performed while receiving the reflection signal from the measurement unit 3 or information such as the reflection signal from the measurement unit 3 is stored in the storage unit 5 described later, The information stored in the storage means 5 can be read again and implemented.

判定手段4は、基準値と測定された反射信号を比較し、この反射信号が基準値と同じ又は基準値に対して所定幅の中にあることを確認した場合には、検査対象が良好(良好状態)である旨判定する。これに対し、判定手段4は、基準値と反射信号を比較し、反射信号が基準値と大きく異なる個所又は基準値の所定幅から外側に位置する箇所を検出すると、検査対象の配線に異常(不良状態)ありと判定することになる。このように判定手段4は、配線の良好・異常状態(良否)の判定を行う。   The determination means 4 compares the measured reference signal with the measured reflected signal, and if it is confirmed that the reflected signal is within the predetermined width with respect to the reference value or the same reference value, the inspection object is good It is determined that the condition is good). On the other hand, when the determination means 4 compares the reference value with the reflection signal and detects a place where the reflection signal is greatly different from the reference value or a position located outside from the predetermined width of the reference value, the wiring to be inspected is abnormal ( It is determined that there is a defect state). As described above, the determination unit 4 determines the good / abnormal state (good or bad) of the wiring.

この判定手段4の判定のための基準値の設定方法は特に限定されるものでは無いが、例えば、良好に形成される配線が作成される基板を準備し、実際にこの基板の配線を測定して得られた測定値を基準値として設定する方法もある。また、基板の配線を作成するための設計データを基に、良好状態の配線から得られる理論値を基に基準値を設定することもできる。   Although the method of setting the reference value for the determination of the determination means 4 is not particularly limited, for example, a substrate on which a well-formed wiring is prepared is prepared, and the wiring of this substrate is actually measured. There is also a method of setting the measured value obtained by the measurement as a reference value. Also, based on the design data for creating the wiring of the substrate, it is possible to set the reference value based on the theoretical value obtained from the wiring in a good state.

記憶手段5は、電源手段2が供給する検査信号に関する情報や測定手段3が測定する反射信号の情報や時間情報を格納する。この記憶手段5は、反射信号情報や時間情報を関連付けて格納しておくことで、判定手段4が、反射信号の異常を検出した際に、該異常と前記記憶手段に格納される時間情報を特定し、この時間情報から検査対象の配線(複数の配線)のから異常個所を特定することができる。   The storage unit 5 stores information on the inspection signal supplied by the power supply unit 2 and information on the reflection signal measured by the measurement unit 3 and time information. The storage unit 5 stores reflection signal information and time information in association with each other, and when the determination unit 4 detects an abnormality in the reflection signal, the abnormality and the time information stored in the storage unit are stored. From this time information, it is possible to identify an abnormal part from the wiring (a plurality of wirings) to be inspected.

接続手段6は、検査対象となる複数の配線を直列接続させるとともに、直列接続された配線の一端と、電源手段2及び測定手段3とを接続する。この接続手段6は、検査対象物(直列接続された複数の配線)の一端と、電源手段2と測定手段3とを接続する第一接続部61を有している。この第一接続部61は、検査対象の配線の一端と接続されるプローブと、このプローブと電源手段2と測定手段3とを接続するためのケーブルを有している。これらのプローブとケーブルは、例えばインピーダンスが一定となるように形成され、TDR測定ができるものが採用される。   The connecting means 6 connects a plurality of wires to be inspected in series, and connects one end of the wires connected in series to the power supply means 2 and the measuring means 3. The connection means 6 has a first connection portion 61 connecting one end of the inspection object (a plurality of wires connected in series) and the power supply means 2 and the measurement means 3. The first connection portion 61 includes a probe connected to one end of the wiring to be inspected, and a cable for connecting the probe, the power supply unit 2 and the measurement unit 3. These probes and cables are formed, for example, so that the impedance is constant, and those which can perform TDR measurement are employed.

この接続手段6は、検査対象となる複数の配線を直列接続する第二接続部62を有している。この第二接続部62は、検査対象となる複数の配線を、夫々が直列接続されるように接続する。この第二接続部62は、一の配線の一端と他の一の配線の一端とを電気的に接続し、また、他の一の配線の他端と更に他の一の配線の一端とを接続する。このように夫々の配線の端部同士を接続することで直列接続を行う。なお、第一接続部61が一端に接続される配線では、その配線の他端に第二接続部62が接続されることになる。   The connection means 6 has a second connection portion 62 which connects a plurality of wires to be inspected in series. The second connection portion 62 connects a plurality of wires to be inspected so as to be connected in series. The second connection portion 62 electrically connects one end of one wiring to one end of the other wiring, and also connects the other end of the other wiring to the one end of the other wiring. Connecting. By connecting the ends of the respective wires in this manner, serial connection is performed. In the wiring in which the first connection portion 61 is connected to one end, the second connection portion 62 is connected to the other end of the wiring.

第二接続部62は、所定の二つの配線の端部同士を接続することで二つの配線を直列接続することで、検査対象である複数の配線を直列接続された一つの検査対象とする。この第二接続部62には、例えばインピーダンスが一定となる同軸ケーブルを用いることができる。   The second connection portion 62 connects two ends of predetermined two lines in series by connecting two lines in series, thereby setting a plurality of lines to be inspected as one test target connected in series. For the second connection portion 62, for example, a coaxial cable having a constant impedance can be used.

第一接続部61と第二接続部62は、夫々インピーダンスが一定である必要があるが、第一接続部61と第二接続部62が同じインピーダンスにて設定されることが好ましい。検査対象となる複数の配線をTDR測定した場合に、第一接続部61と第二接続部62の影響が同じ結果となり、判定手段4が反射信号を基に判定を行う場合の処理を簡便にすることができる。なお、第一接続部61と第二接続部62には、例えば、50Ω同軸ケーブルを用いて利用することができる。   The impedance of each of the first connection portion 61 and the second connection portion 62 needs to be constant, but it is preferable that the first connection portion 61 and the second connection portion 62 be set to the same impedance. When TDR measurement is performed on a plurality of wires to be inspected, the effects of the first connection portion 61 and the second connection portion 62 become the same result, and the processing in the case where the determination unit 4 makes the determination based on the reflection signal is simplified. can do. The first connection portion 61 and the second connection portion 62 can be used, for example, using a 50 Ω coaxial cable.

図1では、第一接続部61と第二接続部62を備える接続手段6として、検査対象の基板と、電源手段2、測定手段3、判定手段4や記憶手段5等を有するテスタ部8を接続する治具8が設けられている。接続手段6をこの治具8にて設けることにより、検査対象の基板が変更された場合であっても、この治具8を変更された基板に応じて設計(基板の配線の位置に応じて、第一接続部61と第二接続部62の位置を設計)することで、簡便に対応することができる。   In FIG. 1, a tester unit 8 having a substrate to be inspected, a power supply unit 2, a measurement unit 3, a determination unit 4, a storage unit 5 and the like as the connection unit 6 including the first connection unit 61 and the second connection unit 62. A jig 8 to connect is provided. By providing the connection means 6 with the jig 8, even if the substrate to be inspected is changed, the jig 8 is designed according to the changed substrate (according to the position of the wiring of the substrate By designing the positions of the first connection portion 61 and the second connection portion 62, it is possible to easily cope with the problem.

上記の治具8には、第一接続部61と第二接続部62が設けられていることを説明したが、他の電気的な検査(導通・絶縁検査)を行うために、配線上に設定される検査点に対して導通接触するための接触子を備えることもできる。   It has been described that the first connecting portion 61 and the second connecting portion 62 are provided in the jig 8 described above, but in order to conduct another electrical inspection (conduction / insulation inspection), It is also possible to provide a contact for conducting contact with the set inspection point.

制御手段7は、電源手段2、測定手段3、判定手段4と記憶手段5の動作を促し制御する。この制御手段7が各手段の動作を促し制御を行うことで、検査対象となる配線のTDR測定検査を実施することになる。この制御手段7が行う具体的な動作は、電源手段2に対してTDR測定のための検査信号の供給を行うよう命令を出したり、測定手段3に対して測定する反射信号を受信して測定するよう命令を出したりする。   The control means 7 prompts and controls the operations of the power source means 2, the measuring means 3, the determination means 4 and the storage means 5. The control means 7 urges and controls the operation of each means to carry out TDR measurement inspection of the wiring to be inspected. The specific operation performed by the control unit 7 is to command the power supply unit 2 to supply a test signal for TDR measurement, or to receive and measure the reflection signal to be measured to the measurement unit 3 Issue an instruction to

また、この制御手段7は、判定手段4に対して、反射信号を基に検査対象の配線の良否を判定するよう命令を出す。この場合、判定手段4が基準値と反射信号を比較して良否判定する場合には、制御手段7は、判定手段4に対して、反射信号と基準値を比較し、大きく異なる個所を検出するよう命令を行う。なお、判定手段4はこの判定結果を記憶手段5へ送信し、記憶手段5はこの判定結果や反射信号を受信し記憶する。制御手段7は、記憶手段5に格納される検査情報を基に検査を実施するように、各手段を動作させたり、この記憶手段5へ判定結果や検査結果を格納させたりするよう促す。
以上が本発明に係る基板検査装置の概略構成の説明である。
Further, the control means 7 instructs the determination means 4 to determine the quality of the wiring to be inspected based on the reflection signal. In this case, when the determination means 4 compares the reference value with the reflection signal to determine the quality, the control means 7 compares the reflection signal with the reference value with respect to the determination means 4 to detect a largely different part. Make an order. The determination means 4 transmits the determination result to the storage means 5, and the storage means 5 receives and stores the determination result and the reflection signal. The control means 7 urges each means to operate so as to carry out an examination based on the examination information stored in the storage means 5 or to store the determination result and the examination result in the storage means 5.
The above is the description of the schematic configuration of the substrate inspection apparatus according to the present invention.

次に、本基板検査装置1が行うTDR測定検査の方法について説明する。図2は、検査対象の基板CBが本基板検査装置1に準備された状態を示す模式図である。図2で示される基板CBには、TDR測定検査の対象となる3本の配線W1、配線W2と配線W3が示されている。なお、図2では、基板CBには3本の配線しか描かれていないが、実際の基板CBには他の複数の配線が形成される。   Next, a method of TDR measurement inspection performed by the substrate inspection apparatus 1 will be described. FIG. 2 is a schematic view showing a state in which the substrate CB to be inspected is prepared in the substrate inspection apparatus 1. In the substrate CB shown in FIG. 2, three wires W1, W2 and W3 to be subjected to TDR measurement inspection are shown. Although only three wires are drawn on the substrate CB in FIG. 2, a plurality of other wires are formed on the actual substrate CB.

図2で示される実施形態では、配線W1の一端W11が第一接続部61により電源手段2と測定手段3と導通接続されている。また、配線W1の他端W12と配線W2の一端W21が第二接続部62にて導通接続されている。また、配線W2の他端W22と配線W3の一端W31とが第二接続部62にて導通接続されている。つまり、この実施形態の検査対象の配線は、配線W1、配線W2と配線W3が夫々第二接続部62により直列接続されている。この実施形態では、第一接続部61と第二接続部62(第二接続部62aと第二接続部62b)を有する接続手段6が、上記の如き基板CBと接続が可能なように治具8が設計されている。   In the embodiment shown in FIG. 2, one end W 11 of the wiring W 1 is conductively connected to the power supply means 2 and the measuring means 3 by the first connection portion 61. Further, the other end W12 of the wiring W1 and the one end W21 of the wiring W2 are electrically connected by the second connection portion 62. Further, the other end W22 of the wiring W2 and one end W31 of the wiring W3 are electrically connected by the second connection portion 62. That is, in the wiring to be inspected in this embodiment, the wiring W1, the wiring W2, and the wiring W3 are connected in series by the second connection portion 62, respectively. In this embodiment, the connection means 6 having the first connection portion 61 and the second connection portion 62 (the second connection portion 62a and the second connection portion 62b) is a jig so as to be able to connect to the substrate CB as described above. Eight are designed.

実際の検査が実施される場合には、基板CBの検査が実施される基板載置台(図示せず)に基板CBが載置される。次に、載置された基板CBに対して、この基板CBの検査に対応する治具8が接続されることになる。基板CBに治具8が接続されると検査が実施されることになる。また、実際の検査が実施される前には、この基板CBに設けられる3本の配線の良好な状態での基準値が記憶手段5には予め格納される。   When an actual inspection is performed, the substrate CB is mounted on a substrate mounting table (not shown) on which the inspection of the substrate CB is performed. Next, the jig 8 corresponding to the inspection of the substrate CB is connected to the mounted substrate CB. When the jig 8 is connected to the substrate CB, the inspection is performed. In addition, before the actual inspection is performed, the reference value in the good state of the three wirings provided on the substrate CB is stored in the storage unit 5 in advance.

次に、基板CBに治具8が接続されると、制御手段7はこの基板CBの検査を実施するよう電源手段2に命令を行う。電源手段2は、制御手段7からのこの命令を受け取ると、TDR測定用の検査信号を接続手段6の第一接続部61へ供給する。第一接続部61へ検査信号が供給されると、この検査信号は、基板CBの配線W1の一端W11から配線W1へ供給され、配線W1の他端W12を通り、第二接続部62aを介して、配線W2の一端W21から配線W2へ供給され、更には、この配線W2の他端W22を通り、第二接続部62bを介して、配線W3の一端W31から配線W3へ供給され、配線W3の他端W32にて検査信号が反射されることになる。この反射された検査信号は、反射信号として、上記の順序と逆に第一接続部61へ戻り、後述する測定手段3へ至ることになる。   Next, when the jig 8 is connected to the substrate CB, the control means 7 instructs the power supply means 2 to carry out the inspection of the substrate CB. When the power supply unit 2 receives this command from the control unit 7, it supplies a test signal for TDR measurement to the first connection portion 61 of the connection unit 6. When the inspection signal is supplied to the first connection portion 61, the inspection signal is supplied from the one end W11 of the wiring W1 of the substrate CB to the wiring W1, passes through the other end W12 of the wiring W1, and passes through the second connection portion 62a. , Supplied from the one end W21 of the wiring W2 to the wiring W2, and further supplied to the wiring W3 from the one end W31 of the wiring W3 via the second connection portion 62b through the other end W22 of the wiring W2 The inspection signal is reflected at the other end W32. The reflected inspection signal is returned to the first connection portion 61 in the reverse order to the above as a reflected signal, and reaches the measuring means 3 described later.

制御手段7は、電源手段2が供給する検査信号の反射信号を受信するよう測定手段3に命令を行う。測定手段3は、制御手段7からの命令を受け取ると、反射信号を受信する。測定手段3は、この反射信号を受信するととともに、この反射信号に付随する時間情報も取得する。測定手段3は、反射信号及び時間情報を記憶手段5へ送信する。記憶手段5は、測定手段3から送信されたこれらの情報を格納する。   The control means 7 commands the measuring means 3 to receive a reflection of the test signal supplied by the power supply means 2. When the measuring means 3 receives the command from the control means 7, it receives the reflected signal. The measuring means 3 receives the reflected signal and acquires time information associated with the reflected signal. The measuring means 3 sends the reflected signal and the time information to the storage means 5. The storage unit 5 stores the information transmitted from the measurement unit 3.

制御手段7は、記憶手段5に格納される反射信号及び時間情報を基に、検査対象の配線(配線W1・配線W2と配線W3)の良否判定を実施するよう判定手段4へ命令を行う。判定手段4は、記憶手段5に格納される反射信号と基準値を比較して、検査対象の良否判定を実施する。   The control unit 7 instructs the determination unit 4 to determine whether the wiring to be inspected (the wiring W1, the wiring W2, and the wiring W3) is good or bad based on the reflection signal and the time information stored in the storage unit 5. The judging means 4 compares the reflection signal stored in the memory means 5 with the reference value to carry out the pass / fail judgment of the inspection object.

この判定手段4が行う判定について具体的に説明する。図3は、時間情報を基に反射信号を表示したグラフである。この図3では、(a)には判定手段4が比較対象とする基準値(良好状態)が示されている。図3(b)には配線W3に不良が存在する場合を示している。図3(c)には配線W2に不良が存在する場合を示している。この図3で示されるグラフでは、縦軸に抵抗値、横軸に時間を設定している。   The determination performed by the determination means 4 will be specifically described. FIG. 3 is a graph showing a reflected signal based on time information. In FIG. 3, (a) shows a reference value (good state) to be compared by the determination means 4. FIG. 3B shows the case where a defect exists in the wiring W3. FIG. 3C shows the case where a defect exists in the wiring W2. In the graph shown in FIG. 3, the ordinate represents the resistance value, and the abscissa represents the time.

図3(a)で示される良好な場合では、検査開始後、第一接続部61の抵抗値Z1が表示され、次に、配線W1の抵抗値Z2が表示され、その後、第二接続部62aの抵抗値Z3が表示され、次いで、配線W2の抵抗値Z4が表示される。また更に、配線W2と配線W3を接続する第二接続部62bの抵抗値Z5が表示され、次に、配線W3の抵抗値Z6が表示されることになる。この場合、第一接続部61と第二接続部62が同じインピーダンス値を取るように設定しておくことで、時間情報を基に反射信号を時系列に整理(表示)した際に、検査対象物(配線W1、配線W2と配線W3)を容易に検出して、良否の判定を行うことができる。なお、この場合、配線W1の基準値として抵抗値Z2、配線W2の基準値として抵抗値Z4、配線W3の基準値として抵抗値Z6を設定したり、これらの抵抗値Z2・Z4・Z6の±15%を許容範囲として設定したりすることができる。   In the good case shown in FIG. 3A, the resistance value Z1 of the first connection portion 61 is displayed after the start of the test, and then the resistance value Z2 of the wiring W1 is displayed, and then the second connection portion 62a is displayed. The resistance Z3 of the wiring W2 is displayed, and then the resistance Z4 of the wiring W2 is displayed. Furthermore, the resistance value Z5 of the second connection portion 62b connecting the wiring W2 and the wiring W3 is displayed, and then the resistance value Z6 of the wiring W3 is displayed. In this case, by setting the first connection unit 61 and the second connection unit 62 to have the same impedance value, the inspection object can be inspected when the reflected signals are arranged (displayed) in time series based on time information. It is possible to easily detect an object (the wiring W1, the wiring W2 and the wiring W3) and determine the quality. In this case, resistance value Z2 is set as the reference value of wiring W1, resistance value Z4 as the reference value of wiring W2, resistance value Z6 as the reference value of wiring W3, or ± of these resistance values Z2, Z4, and Z6. 15% can be set as an allowable range.

実際に基板CBの検査を実施した場合に、この図3(a)で示されるグラフと同じ又は略同じ軌跡又は、図3(a)で示されるグラフの許容範囲(例えば、±15%)として設定される範囲内に、測定手段3が受信した反射信号が存在する場合には、判定手段4は、検査対象物(配線W1、配線W2と配線W3)が良好状態であると判定することになる。   When the inspection of the substrate CB is actually carried out, the same or substantially the same locus as the graph shown in FIG. 3A or the tolerance (for example, ± 15%) of the graph shown in FIG. When the reflection signal received by the measuring means 3 is present in the set range, the judging means 4 judges that the inspection object (the wiring W1, the wiring W2 and the wiring W3) is in the good state. Become.

図3(b)に示される場合では、配線W3の抵抗値Z6が表示される箇所において、図3(a)で示される配線W3の抵抗値Z6とは異なる挙動を示している。これは、この配線W3の一部に導通不良や短絡不良等の異常が存在していることを示している。このため、判定手段4は、基準値と比較して、この配線W3の抵抗値Z6が大きく異なる状態であることを検出することになる。なお、この判定手段4が行う判定は、配線毎に良否判定を行う方法を採用することもできるし、検査対象物の異常を検出した場合に、異常の箇所の特定を行う方法を採用することもできる。   In the case shown in FIG. 3B, the behavior different from the resistance value Z6 of the wiring W3 shown in FIG. 3A is shown at the place where the resistance value Z6 of the wiring W3 is displayed. This indicates that an abnormality such as a conduction failure or a short circuit failure exists in a part of the wiring W3. Therefore, the determination means 4 detects that the resistance value Z6 of the wiring W3 is largely different from the reference value. Note that the determination performed by the determination means 4 may adopt a method of performing quality determination for each wiring, or adopt a method of specifying the location of an abnormality when an abnormality of the inspection object is detected. You can also.

図3(c)に示される場合では、配線W2の抵抗値Z4が表示される箇所において、図3(a)で示される配線W2の抵抗値Z4とは異なる挙動を示している。この図3(c)で示される場合には、この配線W2以降の第二接続部62bや配線W3の抵抗値が算出されていないことから、この配線W2が断線(導通異常)を有している可能が高い。このように配線W3の抵抗値が測定されていない場合であっても、配線W2に異常を有していることから基板CBとしては不良基板であることを判定することができる。この場合も、判定手段4は、上記の如く、検査対象物の異常の有無を検出した後に箇所(場所)を特定する方法を採用することもできるし、各配線の良否を判定して検査対象物の良否を判定することもできる。   In the case shown in FIG. 3C, the behavior different from the resistance value Z4 of the wiring W2 shown in FIG. 3A is shown at the place where the resistance value Z4 of the wiring W2 is displayed. In the case shown in FIG. 3C, since the resistance values of the second connection portion 62b after the wire W2 and the wire W3 are not calculated, the wire W2 has a disconnection (conduction abnormality). There is a high possibility. Thus, even if the resistance value of the wiring W3 is not measured, it is possible to determine that the substrate CB is a defective substrate because the wiring W2 has an abnormality. Also in this case, as described above, the determination means 4 can adopt a method of specifying a place (place) after detecting the presence or absence of an abnormality of the inspection object, or determines the quality of each wiring to judge the inspection object. It is also possible to determine the quality of the object.

1・・・・・基板検査装置
2・・・・・電源手段
3・・・・・測定手段
4・・・・・判定手段
5・・・・・記憶手段
6・・・・・接続手段
61・・・・第一接続部
62・・・・第二接続部
7・・・・・制御手段
8・・・・・治具
CB・・・・基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ..... Board inspection apparatus 2 ... power source means 3 ..... measurement means 4 ... determination means 5 ... storage means 6 ... connection means 61 ... first connection portion 62 ... second connection portion 7 ... control means 8 ... jig CB ... substrate

Claims (4)

基板に形成された配線の良否を検査する基板検査装置であって、
前記検査を実施するために、TDR測定用の検査信号を供給する電源手段と、
前記検査信号の反射された反射信号を測定する測定手段と、
前記測定手段で測定された反射信号を基に、検査対象の配線の良否を判定する判定手段と、
前記検査が実施される際に、検査対象となる複数の配線を直列接続させるとともに該直列接続された配線の一端と、前記電源手段及び前記測定手段とを接続する接続手段と
前記測定手段が測定する反射信号を時間情報とともに格納する記憶手段とを備え、
前記判定手段は、前記反射信号の異常を検出した際に、該異常と前記記憶手段に格納される時間情報を特定し、該時間情報から検査対象の複数の配線から一の配線を特定することを特徴とする基板検査装置。
A substrate inspection apparatus for inspecting the quality of wiring formed on a substrate, comprising:
Power supply means for supplying a test signal for TDR measurement to perform said test;
Measuring means for measuring the reflected signal reflected from the inspection signal;
Based on the reflected signal measured in said measuring means, determination means for determining quality of wiring inspection object,
A connecting means for connecting a plurality of wires to be tested in series and connecting one end of the wires connected in series to the power supply means and the measuring means when the test is performed ;
Storage means for storing the reflection signal measured by the measurement means together with time information;
When the judging means detects an abnormality of the reflection signal, the abnormality and the time information stored in the storage means are specified, and one wiring is specified from a plurality of wires to be inspected from the time information. A substrate inspection apparatus characterized by
基板に形成された配線の良否を検査する方法であって、
検査対象となる複数の配線を直列接続し、
前記直列接続された配線の一端から、TDR測定を実施するための検査信号を入力し、
前記配線の一端から前記検査信号の反射信号を検出し、
前記反射信号を基に、前記直列接続された配線の良否を判定し、
前記反射信号を時間情報とともに記憶手段に格納し、
前記判定において前記反射信号の異常を検出した際に、該異常と前記記憶手段に格納される時間情報を特定し、該時間情報から検査対象の複数の配線から一の配線を特定する基板検査方法。
A method of inspecting the quality of wiring formed on a substrate, comprising
Connect multiple wires to be tested in series,
A test signal for performing TDR measurement is input from one end of the series connected wiring,
Detecting a reflection signal of the inspection signal from one end of the wiring;
Judging the quality of the series connected wiring based on the reflected signal ;
Storing the reflected signal together with time information in storage means;
When an abnormality of the reflection signal is detected in the determination, the abnormality and time information stored in the storage means are specified, and a substrate inspection method of specifying one wiring from a plurality of wirings to be inspected from the time information .
基板に形成された配線の良否を検査する基板検査装置であって、
前記検査を実施するために、TDR測定用の検査信号を供給する電源手段と、
前記検査信号の反射された反射信号を測定する測定手段と、
前記測定手段で測定された反射信号を基に、検査対象の配線の良否を判定する判定手段と、
前記検査が実施される際に、検査対象となる複数の配線を直列接続させるとともに該直列接続された配線の一端と、前記電源手段及び前記測定手段とを接続する接続手段とを有し、
前記接続手段は、
前記直列接続された配線の一端と前記電源手段及び前記測定手段とを接続する第一接続部と、
前記検査対象となる複数の配線を直列接続する第二接続部とを有し、
前記第一接続部と前記第二接続部とは、夫々インピーダンスが一定であることを特徴とする基板検査装置。
A substrate inspection apparatus for inspecting the quality of wiring formed on a substrate, comprising:
Power supply means for supplying a test signal for TDR measurement to perform said test;
Measuring means for measuring the reflected signal reflected from the inspection signal;
Based on the reflected signal measured in said measuring means, determination means for determining quality of wiring inspection object,
When the test is performed, it possesses one end of the series-connected wiring causes serially connected a plurality of wires to be inspected, and a connecting means for connecting the power supply means and the measuring means,
The connection means is
A first connection portion for connecting one end of the serially connected wires to the power supply means and the measurement means;
And a second connection portion connecting in series the plurality of wires to be inspected.
The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the impedances of the first connection portion and the second connection portion are constant .
基板に形成された配線の良否を検査する基板検査装置と基板を電気的に接続する治具であって、
前記検査を実施するためのTDR測定用の検査信号を前記基板の配線の一端へ供給する第一接続部と、
前記配線の端と他の配線の一端を導通接続することにより複数の配線を直列接続する第二接続部を有し、
前記第一接続部と前記第二接続部とは、夫々インピーダンスが一定であることを特徴とする基板検査用治具。
A jig for electrically connecting a substrate inspection apparatus for inspecting the quality of wiring formed on the substrate and the substrate,
A first connection portion for supplying an inspection signal for TDR measurement to conduct the inspection to one end of the wiring of the substrate;
It possesses a second connecting portion to be connected in series a plurality of wiring by conductive connecting another end to one end of another wire of the wiring,
A jig for inspecting a substrate , wherein an impedance of each of the first connection portion and the second connection portion is constant .
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