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JP6594124B2 - ウェーハ研磨装置 - Google Patents
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Description

本発明は、ウェーハ研磨装置に関し、特に、化学的機械的研磨法(CMP:Chemical Mechanical Polishing)を用いてウェーハを研磨するウェーハ研磨装置に関する。
ウェーハ研磨装置としては、ウェーハの表面に形成された酸化膜等を研磨するCMP研磨装置が知られている。CMPによる研磨は、研磨定盤に貼付された研磨パッドとウェーハとを回転させながら、ウェーハを研磨パッドに所定の圧力で押し付け、研磨パッドとウェーハとの間に研磨材(スラリー)を供給することによって行われる。
このようなCMP研磨装置として、特許文献1記載のウェーハ研磨装置が知られている。このウェーハ研磨装置では、研磨定盤の回転中心から偏心した位置に観測孔が設けられており、この観測孔内にウェーハの膜厚を測定する照射・受光光学系等の測定手段が設置されている。測定手段は、光源から出射した白色光をウェーハに向けて照射し、ウェーハの研磨面で反射した反射光を受光する。このような構成により、ウェーハの研磨量が制御され、所望の研磨量に達した研磨終点を測定する。
特許第3804064号公報
しかしながら、上述したようなウェーハ研磨装置では、測定手段は研磨パッドが1回転する度にウェーハに白色光を照射し反射光を受光してウェーハの膜厚を測定するため、ウェーハの膜厚及び研磨終点を演算するための測定データの取得間隔が長くなり、研磨中のウェーハと測定データに基づく演算結果とが同期しない虞があった。
また、研磨パッドとウェーハとの間に介在するスラリーは、研磨パッドの回転による遠心力で研磨パッド上を中央から外周に向かって流れるため、測定手段とウェーハとの間を往復する光の光路が安定しないという問題があった。
そこで、研磨中のウェーハの膜厚をリアルタイムで且つ正確に測定するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は、この課題を解決することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1記載の発明は、研磨定盤上に取り付けられた研磨パッドにウェーハを押し付けて、該ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置であって、前記研磨定盤及び前記研磨パッドの中央に形成された観測孔と、該観測孔内に収容されて、前記ウェーハ研磨中に前記ウェーハに常時対向して前記ウェーハの膜厚を測定する光学式測定手段と、前記ウェーハの膜厚に基づいて前記ウェーハの研磨終点を演算する研磨終点検出手段と、前記研磨定盤を水平方向に移動させるトラバース機構と、前記光学式測定手段の反射光の信号強度と予め記憶された反射光の正常な信号強度とを比較して、前記研磨定盤の回転軸と前記ウェーハを保持するチャックテーブルの回転軸とが平行であるか否かを判定する制御装置と、を備えているウェーハ研磨装置を提供する。
この構成によれば、光学式測定手段が研磨定盤及び研磨パッドの中央に配置されていることにより、ウェーハの膜厚をウェーハの膜厚をリアルタイムに測定することができる。また、光学式測定手段の直上のスラリーや純水等の液体には、研磨定盤の回転に起因した遠心力が作用せず、光学式測定手段とウェーハとの間に安定した光路が形成されるため、ウェーハの膜厚を正確に測定することができる。また、研磨定盤の回転軸とウェーハの回転軸とが平行でない場合に、反射光の信号強度が正常範囲から外れることにより、予め記憶した正常な信号強度と反射光の信号強度とを比較することで、研磨定盤の回転軸とウェーハの回転軸とが平行か否かを判定することができる。
請求項2記載の発明は、請求項1記載のウェーハ研磨研削装置の構成に加えて、前記観測孔内は、液体で満たされているウェーハ研磨装置を提供する。
この構成によれば、光学式測定手段とウェーハとの間に安定した光路が確保されるため、ウェーハの膜厚を精度良く測定することができる。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2記載のウェーハ研磨装置の構成に加えて、前記研磨パッドの表面には、外周に連通した排水溝が形成されているウェーハ研磨装置を提供する。
この構成によれば、研磨パッド上の余剰のスラリーが排水溝を介して外部に排水されることにより、光学式測定手段とウェーハとの間で余剰のスラリーに起因した光の屈折が抑制されるため、ウェーハの膜厚を精度良く測定することができる。
本発明は、光学式測定手段が研磨定盤及び研磨パッドの中央に配置されていることにより、ウェーハの膜厚をウェーハの膜厚をリアルタイムに測定することができる。また、光学式測定手段の直上のスラリーや純水等の液体には、研磨定盤の回転に起因した遠心力が作用せず、光学式測定手段とウェーハとの間に安定した光路が形成されるため、ウェーハの膜厚を正確に測定することができる。
本発明の一実施例に係るウェーハ研磨装置を示す一部断面模式図。 図1に示すウェーハ研磨装置の研磨ステージを示す縦断面図。 図2のA部拡大図。 変形例に係るウェーハ研磨装置に用いられる研磨ステージの要部拡大図。 光学式測定手段をウェーハチャックの径方向に水平移動させる様子を示す模式図。
本発明に係るウェーハ研磨装置は、研磨中のウェーハの膜厚をリアルタイムで且つ正確に測定するという目的を達成するために、研磨定盤上に取り付けられた研磨パッドにウェーハを押し付けて、ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置であって、研磨定盤及び研磨パッドの中央に形成された観測孔と、観測孔内に収容されて、ウェーハ研磨中にウェーハに常時対向してウェーハの膜厚を測定する光学式測定手段と、ウェーハの膜厚に基づいてウェーハの研磨終点を演算する研磨終点検出手段と、前記研磨定盤を水平方向に移動させるトラバース機構と、前記光学式測定手段の反射光の信号強度と予め記憶された反射光の正常な信号強度とを比較して、前記研磨定盤の回転軸と前記ウェーハを保持するチャックテーブルの回転軸とが平行であるか否かを判定する制御装置と、を備えていることにより実現する。
以下、本発明の一実施例に係るウェーハ研磨装置1について、図面に基づいて説明する。なお、以下の実施例において、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。
また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。
また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。
図1は、ウェーハ研磨装置1を示す一部断面模式図である。ウェーハ研磨装置1は、化学的機械的研磨(CMP)装置である。
ウェーハ研磨装置1は、ウェーハチャック2と、ウェーハチャック2を支持するフレーム3と、を備えている。
ウェーハチャック2は、図示しない真空源に接続されていて、表面に載置されるウェーハを被研磨面を下方に向けた状態で真空吸着する。ウェーハチャック2は、回転軸2a回りに回動可能である。ウェーハチャック2は、昇降機構2bによって上下方向Hに昇降可能になっている。
ウェーハチャック2の下方には、ウェーハの被研磨面を研磨する研磨定盤10が配置されている。
研磨定盤10の表面には、研磨パッド20が貼着されている。研磨定盤10及び研磨パッド20は円盤状に形成されており、それらの外径はウェーハの外径より大きく設定されている。また、研磨定盤10及び研磨パッド20の半径は、ウェーハの外径より小さく設定されている。したがって、ウェーハの少なくとも一部は、研磨定盤10及び研磨パッド20の中心上に常に存在する。研磨定盤10は、図示しない回転モーターによって回転軸10a回りに回動可能である。
研磨定盤10は、研磨定盤10を水平方向Hに移動させるトラバース機構30に一体に取り付けられている。トラバース機構30は、ボールねじである定盤走行軸31と、定盤走行軸31の先端側に取り付けられて研磨定盤10を載置する定盤取付ベース32と、定盤走行軸31の基端側に配置された定盤走行用モーター33と、を備えている。トラバース機構30は、定盤走行用モーター33が駆動することで定盤取付ベース32及び研磨定盤10が定盤走行軸31に沿って水平移動する。
研磨定盤10の上方には、インデックス固定機構4が配置されている。インデックス固定機構4は、ウェーハチャック2のピン受入部2cに嵌合するインデックス固定ピン4aを出入させることにより、チャックテーブル2を研磨定盤10の上方に位置決めする。符号5は、研磨パッド20の表面を目立てるドレッサーヘッドである。
ウェーハ研磨装置1の制御は、制御装置6によって行われる。制御装置6は、例えばCPUやメモリ等を有する装置制御部と、データの入出力を制御する入出力部と、データを記憶する記憶部と、を備えている。なお、制御装置6の機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても、ハードウェアを用いて動作することにより実現されても良い。制御装置6は、研磨終点計測手段として機能する。
次に、研磨定盤10及び研磨パッド20の具体的形態について説明する。図2は、研磨定盤10の縦断面図である。図3は、図2のA部拡大図である。
研磨定盤10及び研磨パッド20の中央には、観測孔40が形成されている。観察孔40には、透明なブラケット50と、透明な観察窓60と、が設けられている。ブラケット50は、例えば、ステンレス製である。なお、ブラケット50は、透明なものに限定されるものではなく、不透明であっても構わない。観察窓60は、例えば、アクリル製である。また、観測窓60の周囲には、研磨パッド20の表面20aに開口する通水孔21が配置されている。通水孔21には、図示しない液体供給源が接続されており、表面20aに純水やスラリー等が供給される。観察窓60は、Oリング61を介して観察孔40内に配置されて観察孔40を封止しており、通水孔21から表面20a上に供給される液体が観察孔40に滴下することを抑制している。
研磨パッド20の表面20aには、図示しない排水溝が刻設されている。排水溝は、研磨パッド20の外周に連通しており、研磨パッド20上の余剰のスラリーが排水溝を介して外部に排水される。なお、研磨パッド20は、排水溝を備えたものに限定されるものではなく、例えば、連続的な発泡体が内部に形成されたウレタンパッド、表面に凹凸が形成されたスウェードパッド、又は不織布パッド等でも構わない。
観察窓60の直下には、光学式測定手段70が配置されている。光学式測定手段70は、例えば、多数の光ファイバーを結束したものであり、下端が二手に分岐され、分岐された一方は光源ユニット71に接続され、他方は分光器72に接続されている。光学式測定手段70の上端は、光源ユニット71から出射された照射光及びウェーハの研磨面で反射した反射光を受光する。光学式測定手段70が受光した反射光は、分光器72に導かれる。
次に、ウェーハ研磨装置1を用いたウェーハの研磨加工について説明する。
ウェーハ研磨装置1は、研磨定盤10とチャックテーブル2とが互いに逆向きに回転し、ウェーハの被研磨面を研磨する。この際、通水孔21から研磨パッド20の表面20aにスラリーが供給される。
研磨加工の際には、光学式測定手段70がウェーハの膜厚を測定する。具体的には、研磨定盤10及び研磨パッド20の中央に配置された光学式測定手段70の上端は、常にウェーハの被研磨面に照射光を出射すると共に反射光を受光するため、リアルタイムで膜厚を測定することができる。また、光学式測定手段70の上端が研磨定盤10の回転軸10a上に配置されていることにより、光学式測定手段70の直上のスラリーには遠心力が作用しないため、安定した光路が確保でき、光の散乱を抑制することができる。制御装置6は、リアルタイムで送られるウェーハの膜厚の測定値と予め記憶された研磨終点に応じた膜厚の設定値とを比較する。ウェーハの膜厚の測定値が設定値に達すると、制御装置6は、研磨定盤10及びチャックテーブル2を停止させ、研磨が終了する。
なお、図4に示す変形例のように、研磨定盤10は、観察窓を備えていないものであっても構わない。このような研磨定盤10では、1次研磨の際にブラケット50内の凹部51にスラリーが貯留される。上述した観察窓60が省略されることにより、ブラケット50と観察窓60とを接着する接着剤及び観察窓60を通過する際の光の外乱が回避されるため、更に安定した光路を確保することができる。
次に、トラバース機構30の作用について説明する。図5(a)〜(c)は、光学式測定手段70がウェーハWを径方向に水平移動する様子を示す図である。トラバース機構30が研磨定盤10を水平方向Hに移動させて、光学式測定手段70がウェーハWの径方向に走査されることにより、ウェーハWのプロフィールを測定できると共に、研磨定盤10の回転軸10aとチャックテーブル2の回転軸2aとが互いに平行であるか否かを測定することができる。具体的には、研磨定盤10の回転軸10aとチャックテーブル2の回転軸2aとが平行でない場合、光学式測定手段70の反射光の信号強度が正常な範囲から外れる。したがって、制御装置9は、予め記憶しておいた正常な信号強度と研磨定盤10を水平移動させた際の反射光の信号強度とを比較することにより、研磨定盤10の回転軸10aとチャックテーブル2の回転軸2aとが平行か否かを判定することができる。
このようにして、上述した本実施例に係るウェーハ研磨装置1は、光学式測定手段70が研磨定盤10及び研磨パッド20の中央に配置されていることにより、ウェーハの膜厚をリアルタイムに測定することができる。また、光学式測定手段70の直上のスラリーや純水等の液体には、研磨定盤10の回転に起因した遠心力が作用せず、光学式測定手段70とウェーハとの間に安定した光路が形成されるため、ウェーハの膜厚を正確に測定することができる。
なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変をなすことができ、そして、本発明が該改変されたものにも及ぶことは当然である。
1 ・・・ ウェーハ研磨装置
2 ・・・ チャックテーブル
2a・・・ (チャックテーブルの)回転軸
2b・・・ 昇降機構
2c・・・ ピン受入部
3 ・・・ フレーム
4 ・・・ インデックス固定機構
4a・・・ インデックス固定ピン
5 ・・・ ドレッサーヘッド
6 ・・・ 制御装置
10 ・・・ 研磨定盤
20 ・・・ 研磨パッド
20a・・・ (研磨パッドの)表面
21 ・・・ 通水孔
30 ・・・ トラバース機構
40 ・・・ 観察孔
50 ・・・ ブラケット
60 ・・・ 観察窓
61 ・・・ Oリング
70 ・・・ 光学式測定手段
71 ・・・ 光源ユニット
72 ・・・ 分光器

Claims (3)

  1. 研磨定盤上に取り付けられた研磨パッドにウェーハを押し付けて、該ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置であって、
    前記研磨定盤及び前記研磨パッドの中央に形成された観測孔と、
    該観測孔内に収容されて、前記ウェーハ研磨中に前記ウェーハに常時対向して前記ウェーハの膜厚を測定する光学式測定手段と、
    前記ウェーハの膜厚に基づいて前記ウェーハの研磨終点を演算する研磨終点検出手段と、
    前記研磨定盤を水平方向に移動させるトラバース機構と、
    前記光学式測定手段の反射光の信号強度と予め記憶された反射光の正常な信号強度とを比較して、前記研磨定盤の回転軸と前記ウェーハを保持するチャックテーブルの回転軸とが平行であるか否かを判定する制御装置と、
    を備えていることを特徴とするウェーハ研磨装置。
  2. 前記観測孔内は、液体で満たされていることを特徴とする請求項1記載のウェーハ研磨装置。
  3. 前記研磨パッドの表面には、外周に連通した排水溝が形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のウェーハ研磨装置。
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