JP6617982B2 - 非水電解質蓄電素子の劣化ディテクター、蓄電装置、非水電解質蓄電素子の劣化検知システム、及び非水電解質蓄電素子の劣化検知方法 - Google Patents
非水電解質蓄電素子の劣化ディテクター、蓄電装置、非水電解質蓄電素子の劣化検知システム、及び非水電解質蓄電素子の劣化検知方法 Download PDFInfo
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Description
制御部を備え、
前記制御部は、
非水電解質蓄電素子を第一の時間にわたり計測することで得られた直流抵抗値の増加率である第一の増加率、及び、前記非水電解質蓄電素子を前記第一の時間より長い第二の時間にわたり計測することで得られた直流抵抗値の増加率である第二の増加率、に基づいて、前記非水電解質蓄電素子の劣化を検知する。
非水電解質蓄電素子を充電する充電部と、
充電中の前記非水電解質蓄電素子の直流抵抗値を計測する計測部と、
前記計測部によって第一の計測時間にわたり計測することで得られた直流抵抗値の増加率である第一の増加率、及び、前記計測部によって前記第一の計測時間より長い第二の計測時間にわたり計測することで得られた直流抵抗値の増加率である第二の増加率、に基づいて、前記電極体の劣化を検知する検知部(劣化ディテクター)と、を備える。
非水電解質蓄電素子は、二相共存反応型の活物質を有する電極体を備えることが好ましい。
前記第二の増加率としては、前記第一の直流抵抗値が得られたときに前記計測部によって前記第二の計測時間計測することで得られた第三の直流抵抗値に対する、前記第二の直流抵抗値が得られたときに前記計測部によって前記第二の計測時間計測することで得られた第四の直流抵抗値の増加率を採用してもよい。
前記検知部は、前記第一の増加率と前記第二の増加率との比と、所定の閾値と、の比較に基づいて前記劣化を検知してもよい。
前記検知部は、前記第一の増加率と前記第二の増加率との差と、所定の閾値と、の比較に基づいて前記劣化を検知してもよい。
前記検知部は、SOCが50%以上且つ100%以下の範囲になるまで前記蓄電素子が充電されたときであって、SOCの値が同じときに、前記計測部による計測が開始されて得られた前記第一〜第四の直流抵抗値に基づいて前記劣化を検知することが好ましい。
前記充電部は、前記検知部が前記劣化を検知したときに、前記非水電解質蓄電素子をSOC100%まで充電してもよい。
非水電解質蓄電素子を充電することと、
充電中の前記非水電解質蓄電素子の直流抵抗値を計測することと、
前記計測において第一の計測時間にわたり計測することで得られた直流抵抗値の増加率であって前記非水電解質蓄電素子の使用の前後における直流抵抗値の増加率である第一の増加率、及び、前記計測において前記第一の計測時間より長い第二の計測時間にわたり計測することで得られた直流抵抗値の増加率であって前記使用の前後における直流抵抗値の増加率である第二の増加率に基づいて、前記電極体の劣化の検知することと、を備える。
前記第二の増加率としては、前記第一の直流抵抗値が得られたときに前記計測において前記第二の計測時間にわたり計測することで得られた第三の直流抵抗値に対する、前記第二の直流抵抗値が得られたときに前記計測において前記第二の計測時間にわたり計測することで得られた第四の直流抵抗値の増加率を採用してもよい。
前記第二及び第四の直流抵抗値は、前記第一及び第三の直流抵抗値が得られてから前記使用によって前記非水電解質蓄電素子の充放電が複数回数行われた後に計測されてもよい。
前記検知において前記非水電解質蓄電素子の劣化が検知されたときに、前記非水電解質蓄電素子をSOC100%まで充電することを備えてもよい。
検知部73は、制御部として、中央処理装置(CPU)と、所要の動作プログラムを記憶したメモリと、を備えてもよい。
以下では、正極活物質として鉄系材料を用いた蓄電素子において起こり得る一過性の劣化と、その一過性の劣化の回復とについて図6及び図7を参照しつつ詳細に説明する。
次に、本実施形態に係る蓄電素子の劣化検知方法の実施例を以下に示す。本実施例で使用した蓄電素子は、正極活物質にLiFePO4を用い、負極活物質に黒鉛系活物質を用いた電極体を備える非水電解質蓄電素子である。
代替的に、1日〜3日間に一回、例えば家庭用コンセントでプラグイン充電(0.2〜1CA、数時間)する際に、電池モジュール20は図5に示した劣化検知方法を実行してもよい。
Claims (17)
- 制御部を備え、
前記制御部は、
非水電解質蓄電素子を第一の時間にわたり計測することで得られた直流抵抗値の増加率である第一の増加率、及び、前記非水電解質蓄電素子を前記第一の時間より長い第二の時間にわたり計測することで得られた直流抵抗値の増加率である第二の増加率、に基づいて、前記非水電解質蓄電素子の劣化を検知する、非水電解質蓄電素子の劣化ディテクター。 - 前記第一の増加率は、前記非水電解質蓄電素子を前記第一の時間にわたり計測することで得られた第一の直流抵抗値に対する、前記第一の直流抵抗値が得られたときより後に前記非水電解質蓄電素子を前記第一の時間にわたり計測することで得られた第二の直流抵抗値の増加率であり、
前記第二の増加率は、前記第一の直流抵抗値が得られたときに前記非水電解質蓄電素子を前記第二の時間にわたり計測することで得られた第三の直流抵抗値に対する、前記第二の直流抵抗値が得られたときに前記非水電解質蓄電素子を前記第二の時間にわたり計測することで得られた第四の直流抵抗値の増加率である、請求項1に記載の劣化ディテクター。 - 前記制御部は、前記第一の増加率と前記第二の増加率との比と、所定の閾値と、の比較に基づいて前記劣化を検知する、請求項2に記載の非水電解質蓄電素子の劣化ディテクター。
- 前記制御部は、前記第一の増加率と前記第二の増加率との差と、所定の閾値と、の比較に基づいて前記劣化を検知する、請求項2に記載の非水電解質蓄電素子の劣化ディテクター。
- 前記制御部は、SOCが50%以上且つ100%以下の範囲になるまで前記非水電解質蓄電素子が充電されたときであって、SOCの値が同じときに、前記非水電解質蓄電素子の計測を開始して得られた前記第一〜第四の直流抵抗値に基づいて前記劣化を検知する、請求項2〜4のいずれか1項に記載の非水電解質蓄電素子の劣化ディテクター。
- 前記劣化を検知したときに、前記制御部は、前記非水電解質蓄電素子をSOC100%まで充電する信号を出力する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の非水電解質蓄電素子の劣化ディテクター。
- 前記制御部は、前記非水電解質蓄電素子をSOC100%まで充電した後、前記充電を所定時間継続する信号を出力する、請求項6に記載の非水電解質蓄電素子の劣化ディテクター。
- 非水電解質蓄電素子と、
前記非水電解質蓄電素子の直流抵抗値を計測する計測部と、
請求項1〜7のいずれか1項に記載の劣化ディテクターと、を備える、蓄電装置。 - 前記非水電解質蓄電素子は、二相共存反応型の活物質を有する電極体を備える、請求項8に記載の蓄電装置。
- 前記計測部は、充電中の前記非水電解質蓄電素子の直流抵抗値を計測する、請求項8または9に記載の蓄電装置。
- 前記非水電解質蓄電素子を充電する充電部と、
請求項8〜10のいずれかに記載の蓄電装置と、を備える、非水電解質蓄電素子の劣化検知システム。 - 非水電解質蓄電素子を充電することと、
前記非水電解質蓄電素子の直流抵抗値を計測することと、
前記計測において第一の時間にわたり計測することで得られた直流抵抗値の増加率であって前記非水電解質蓄電素子の使用の前後における直流抵抗値の増加率である第一の増加率、及び、前記計測において前記第一の時間より長い第二の時間にわたり計測することで得られた直流抵抗値の増加率であって前記使用の前後における直流抵抗値の増加率である第二の増加率に基づいて、前記非水電解質蓄電素子の劣化の検知することと、を備える、非水電解質蓄電素子の劣化検知方法。 - 前記充電は、二相共存反応型の活物質を有する電極体を備える非水電解質蓄電素子を充電する、請求項12に記載の非水電解質蓄電素子の劣化検知方法。
- 前記計測は、充電中の前記非水電解質蓄電素子の直流抵抗値を計測する、請求項12または13に記載の非水電解質蓄電素子の劣化検知方法。
- 前記第一の増加率は、前記計測において前記第一の時間にわたり計測することで得られた第一の直流抵抗値に対する、前記第一の直流抵抗値が得られたときより後に前記計測において前記第一の時間にわたり計測することで得られた第二の直流抵抗値の増加率であり、
前記第二の増加率は、前記第一の直流抵抗値が得られたときに前記計測において前記第二の時間にわたり計測することで得られた第三の直流抵抗値に対する、前記第二の直流抵抗値が得られたときに前記計測において前記第二の時間にわたり計測することで得られた第四の直流抵抗値の増加率である、請求項12〜14のいずれか1項に記載の非水電解質蓄電素子の劣化検知方法。 - 前記第二及び第四の直流抵抗値は、前記第一及び第三の直流抵抗値が得られてから前記使用によって前記非水電解質蓄電素子の充放電が複数回数行われた後に計測される、請求項15に記載の非水電解質蓄電素子の劣化検知方法。
- 前記検知において前記非水電解質蓄電素子の劣化が検知されたときに、前記非水電解質蓄電素子をSOC100%まで充電することを備える、請求項12〜16のいずれか1項に記載の非水電解質蓄電素子の劣化検知方法。
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