JP6629368B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイや次世代の照明への応用が検討
されている。
とにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物を含む層
(EL層とも呼ぶ)中の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基
底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励
起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている
。
る。また、EL層を形成するEL材料は低分子系(モノマー系)材料と高分子系(ポリマ
ー系)材料に大別され、低分子系材料は、蒸着装置を用いて成膜される。
に直交するように設けられた2種類のストライプ状電極の間にEL層を形成する方式(単
純マトリクス方式)、又はTFTに接続されマトリクス状に配列された画素電極と対向電
極との間にEL層を形成する方式(アクティブマトリクス方式)の2種類がある。しかし
、画素密度が増えた場合には、画素(又は1ドット)毎にスイッチが設けられているアク
ティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利であると考えられている。
易に酸化もしくは吸湿して劣化するため、発光素子における発光輝度の低下や寿命が短く
なる問題がある。そこで、発光素子に封止缶を被せて内部にドライエアを封入し、さらに
乾燥剤を貼り付けることによって、発光素子への酸素の到達、もしくは水分の到達を防止
している。
文献1に開示されている。
として形成され、陽極上に有機化合物を含む層が形成され、有機化合物を含む層上に陰極
が形成される発光素子を有し、有機化合物を含む層において生じた光を透明電極である陽
極からTFTの方へ取り出すという構造(以下、下面射出構造と呼ぶ)であった。
び配線等の配置により開口率が制限されるという問題が生じていた。
上に有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層上に透明電極である陰極を形成す
るという構造(以下、上面射出構造とよぶ)の発光素子を有するアクティブマトリクス型
の発光装置を作製する。
る材料層を少なくでき、屈折率の異なる材料層間での迷光を抑えることができる。
光素子を配置して中空構造とすると、一対の基板間に接着剤などの樹脂を充填する構造に
比べて隣接する画素への光漏れが生じやすくなる。特に、一対の基板の間隔が大きくなれ
ば、なるほど隣接する画素への光漏れが生じる。
接する画素への光漏れが生じやすくなり、表示における色のにじみ、色ずれなどによって
発光装置の表示品質が低下する恐れがある。
題の一つとする。
m以上、さらには3μm以上でも一対の基板の間隔を一定に保つ構造を提供することも課
題の一つとする。
光性を有するスペーサによって一対の基板の間隔を一定に保つ構造とする。
接続する第1の電極と、該第1の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層
上に第2の電極と、第1の電極の周縁を覆う隔壁と、該隔壁上に遮光性を有するスペーサ
と、第1の基板に固定された第2の基板と、該第2の基板に接するブラックマトリクス及
び着色層と、を有し、ブラックマトリクスは、遮光性を有するスペーサ上の第2の電極と
重なり、着色層は、第1の電極と重なる発光装置である。
クマトリクスと重なる位置に位置合わせを行って一対の基板の貼り合わせが行われる。3
色の着色層を用いて、赤色用画素、青色用画素、緑色用画素の3つを用いて、フルカラー
表示を構成する。発光素子から射出される光は白色光であり、3色の着色層のいずれか一
を通過し、さらに第2の基板を通過して所望の色の光を得る。また、遮光性を有するスペ
ーサの上面形状は、線状、網の目状、格子状、または分岐した突出部を有する線状とする
。
黒色の有機樹脂を用いることができ、感光性又は非感光性のポリイミドなどの樹脂材料に
、顔料系の黒色樹脂やカーボンブラック、チタンブラック等を混合させて形成すればよい
。黒色樹脂を用いる場合、膜厚は1μm以上5μm以下とし、電気抵抗率が1×105Ω
cmよりも高い材料とする。遮光性を有するスペーサは、発光素子から基板平面に対して
斜めに射出する白色光を吸収し、隣接する画素の着色層を通過してしまうといった光漏れ
を防止することができる。従って、遮光性を有するスペーサは、光漏れによる色度の減衰
を抑制することができる。
は、遮光性を有するスペーサの側面は、基板平面に対する角度θが、90°または90°
よりも大きくなるようにする。このような断面形状とすることで、遮光性を有するスペー
サの側面に形成される有機化合物を含む層の膜厚を発光領域(第1の電極と重なる領域)
における有機化合物を含む層の膜厚よりも薄くして抵抗を高め、隣接する画素へ電流が流
れることを抑制する。特に有機化合物を含む層の一層として導電性の高い層を設ける場合
に、遮光性を有するスペーサの側面で部分的に薄いと、隣接する画素に電流が流れにくく
なるため有効である。なお、有機化合物を含む層は、遮光性を有するスペーサの側面に薄
く存在することに限定されず、遮光性を有するスペーサの側面で有機化合物を含む層が分
断されている箇所があってもよい。分断されている場合には、有機化合物を含む層を電流
経路として、隣接する画素に電流が流れることを防止できる。
。そして、遮光性を有するスペーサ上の第2の電極と接するようにブラックマトリクスが
重なって位置合わせされて一対の基板が固定されている。
防止するために、ブラックマトリクス及び着色層を、酸化シリコンなどの無機材料からな
る保護層で覆う構成としてもよい。この場合には、第2の電極は、ブラックマトリクスと
接することなく、第2の電極とブラックマトリクスの間に保護層が設けられた構成となる
。
基板間に充填する不活性ガスは、水分をほとんど含まない窒素ガスを用いることで発光素
子の信頼性を向上させることができる。
、フリットガラスと呼ばれる低融点ガラス、またはシール材を用いて固定する。フリット
ガラスを用いる場合は、一方のガラス基板の縁に沿ってフリットガラスからなる閉曲線を
成すパターンを形成後、約450℃の焼成を行い、他方のガラス基板にパターンを押し付
け、レーザー溶接によりパターンと他方のガラス基板とを溶着させ、高い密閉性を有する
ガラス封止体を形成する。なお、第2の基板にフリットガラスのパターンを形成する場合
、ブラックマトリクスや着色層を形成した後にフリットガラスの焼成を行うため、パター
ンを形成する領域のみをレーザやランプなどを用いて局所的に加熱を行う。
数のトランジスタを有している。
、有機材料を主成分とする半導体膜、或いは金属酸化物を主成分とする半導体膜を用いる
ことができる。珪素を主成分とする半導体膜としては、非晶質半導体膜、結晶構造を含む
半導体膜、非晶質構造を含む化合物半導体膜などを用いることができ、具体的にはアモル
ファスシリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどを用いることが
できる。また、金属酸化物を主成分とする半導体膜としては、酸化亜鉛(ZnO)や、亜
鉛とガリウムとインジウムの酸化物(In−Ga−Zn−O)や、亜鉛と錫とインジウム
の酸化物(In−Sn−Zn−O)等を用いることができる。
ジスタも用いることができる。
って、一対の基板間隔が2μm以上、さらには3μm以上でも一対の基板の間隔を一定に
保つパネル構造を実現できる。また、発光素子を用いた表示装置において、隣接する画素
への光漏れを低減したパネル構造を提供することができる。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図1(A)及び図1(B)を用いて説
明する。なお、図1(B)は発光装置を示す平面図であり、図1(A)は図1(B)を鎖
線A−A’で切断した断面図である。
れた画素部802と、駆動回路部(ソース線駆動回路)803と、駆動回路部(ゲート線
駆動回路)804とを有する。画素部802、駆動回路部803、及び駆動回路部804
は、固定部805とガラス基板801とガラス基板806とで形成された空間に封止され
ている。また、ガラス基板806には画素部802と重なる領域以外の領域に凹部(ザグ
リとも呼ばれる)が形成され、その凹部に乾燥剤823を設けて発光素子の信頼性を確保
している。
ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、またはリセット信号等)や電位を伝達する外
部入力端子を接続するための引き回し配線807が設けられる。ここでは、外部入力端子
としてFPC808を設ける例を示している。なお、ここではFPCしか図示されていな
いが、このFPCにはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていてもよい。本明細
書における発光装置は、発光装置本体だけでなく、発光装置本体にFPCまたはPWBが
取り付けられた状態のものも範疇に含むものとする。
する。なお、ガラス基板801上には駆動回路部803及び駆動回路部804及び画素部
802が形成されているが、図1(A)においては、ソース線駆動回路である駆動回路部
803と、画素部802を示している。
10とを組み合わせたCMOS回路を有する例を示している。なお、駆動回路部を形成す
る回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路、またはNMOS回路で形成することがで
きる。また、本実施の形態では、画素部が形成された基板上に駆動回路が形成されたドラ
イバー一体型を示すが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、画素部が形成され
た基板とは別の基板に駆動回路を形成することもできる。
と、電流制御用トランジスタ812の配線(ソース電極またはドレイン電極)に電気的に
接続された陽極813とを含む複数の画素により形成されている。また、陽極813の端
部を覆って隔壁814が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用い
ることにより形成する。なお、スイッチング用のトランジスタや電流制御用のトランジス
タ812といったトランジスタの構造はトップゲート型のトランジスタを示したが、特に
限定されない。例えば、逆スタガ型などのボトムゲート型のトランジスタでもよい。
知の方法によって形成すればよい。ここでは公知の手段(スパッタ法、LPCVD法、ま
たはプラズマCVD法等)によりアモルファスシリコン膜を形成した後、公知の結晶化処
理(レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等)
によって結晶化を行った結晶構造を有する半導体膜を用いる。これらの複数の半導体層は
、後に形成されるトランジスタの活性層となる。駆動回路の高速駆動を実現するために、
トランジスタの活性層は、結晶構造を有する半導体膜を用いることが好ましい。
6によって構成されている。発光素子の構造、材料等については先に示した通りである。
なお、また、ここでは図示しないが、陰極816は外部入力端子であるFPC808に電
気的に接続されている。
そして、隔壁814の上層に形成される陰極816の被覆性を良好なものとするため、隔
壁814の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい
。例えば、隔壁814の上端部または下端部に曲率半径(0.2μm〜3μm)を有する
曲面を持たせるのが好ましい。また、隔壁814の材料としては、感光性の光によってエ
ッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性樹脂、或いは光によってエッチャントに溶解
性となるポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無
機化合物を用いることができる。
するスペーサ819は、光を吸収し、遮光性を有する材料を用いる。例えば、黒色の有機
樹脂を用いる。遮光性を有するスペーサ819は、発光素子817から基板平面に対して
斜めに射出する光を吸収し、隣接する画素の着色層を通過してしまうといった光漏れを防
止することができる。
係を示す上面図の一例を示す。なお、図2(A)において異なる2種類の上面形状を有す
る遮光性を有するスペーサ819を示しており、遮光性を有するスペーサ819は画素間
に設ける。線幅が5μm〜10μmである線状形状であり、且つ、遮光性を有するスペー
サ819と、分岐して突出した部分を有する遮光性を有するスペーサ819が図示されて
いる。遮光性を有するスペーサ819において、分岐して突出した部分は、線幅が5μm
程度の細長いスペーサを支える機能を有する。
線状の遮光性を有するスペーサ819を配置してもよい。また、図3に示すように網目状
に繋げた一つの遮光性を有するスペーサ819を配置してもよい。ただし、図3において
は、陰極816の抵抗が高くなることにより、電圧降下が大幅に生じる恐れがあるため、
図2(A)や図2(B)に示したように画素の隅に遮光性を有するスペーサ819を形成
しない領域を形成することが好ましい。
下辺が短い台形とする。具体的には、遮光性を有するスペーサ819の側面は、ガラス基
板801の平面に対する角度θが、90°または90°よりも大きくなるようにする。こ
のような断面形状とすることで、遮光性を有するスペーサ819の側面に形成される有機
化合物を含む層815の膜厚を発光領域(陽極813と重なる領域)における有機化合物
を含む層815の膜厚よりも薄くして抵抗を高め、隣接する画素へ電流が流れることを抑
制することができる。遮光性を有するスペーサ819の側面や、隣り合うスペーサの隙間
に抵抗が高い領域を形成することができるため、陰極と陽極とが何らかの原因により短絡
した場合、発熱して隣り合う画素の短絡を引き起こし、被害が拡大することを防ぐことが
できる。
が形成される。そして、遮光性を有するスペーサ819上の陰極816と接するようにブ
ラックマトリクス822が重なって位置合わせされて一対の基板が固定部805によって
固定されている。固定部805は、紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂などのシール材を用いて
形成してもよいし、フリットガラスを用いてレーザー溶接させて形成してもよい。
、シールパターンを第2の基板に形成した後、減圧下で貼り合わせを行い、紫外線照射や
熱処理を行って、シール材を硬化させて固定部805を形成する。このシール材は閉ルー
プとなって画素部802を囲んでいる。なお、シール材には、フィラー(直径1μm〜5
μm)を含み、且つ、粘度40〜400Pa・sのものを用いる。
802においては、複数の発光素子がマトリクス状に配置されている。例えば、画素部8
02に複数の白色の発光素子を設け、それぞれに重なる3種類の着色層821(R、G、
B)が重なるように配置することによってフルカラー表示可能な発光装置とする。また、
当該発光装置は、トップエミッション方式と呼ばれ、発光素子817からの発光は、図1
(A)中の矢印820の方向に射出される。
囲まれた閉空間818に設けられている。閉空間818には、水分が十分低減された不活
性ガスが充填されている。
とができる。このような発光装置は、長寿命である特徴を有する。
本実施の形態では、実施の形態1に示した有機化合物を含む層815の具体的な積層例を
図4を用いて説明する。
43と、第2発光ユニット144と、中間層145と、第3発光ユニット146と、電子
注入層147と、第2の電極層107とが順次積層されている。第1の電極層103は、
元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(
Cs)等のアルカリ金属、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土
類金属、及びマグネシウム(Mg)が挙げられる。また、アルカリ金属、アルカリ土類金
属、またはマグネシウムを含む合金(例えばMgAg、AlLi)を用いることもできる
。また、ユウロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)などの希土類金属、または希土
類金属を含む合金を用いることもできる。また、Al、Ag、ITOなどの様々な導電性
材料を第1の電極層103に用いることもできる。第2の電極層107は、金属、合金、
導電性化合物、またはこれらの混合物などが好ましく、具体的には、酸化インジウム−酸
化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含
有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステンと酸化
亜鉛を含む酸化インジウム等が挙げられる。また、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル
(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コ
バルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属材料の窒化物(例えば、
窒化チタン)等を第2の電極層107に用いることもできる。
なくとも発光物質を含む発光層を備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造で
あっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高
い物質、正孔輸送性に乏しい(ブロッキングする)物質、電子輸送性の高い物質、電子注
入性の高い物質、並びにバイポーラ性(電子及び正孔の輸送性の高い)の物質等を含む層
が挙げられる。発光物質としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光す
る燐光性化合物を用いることができる。赤(R)緑(G)青(B)のすべての発光に燐光
性化合物を用いると、高い発光効率を得ることができる。
46が3つ積層された構成を有する積層型素子を示している。積層型素子の場合において
、第1発光ユニット142から得られる発光の発光色と、第2発光ユニット144から得
られる発光の発光色と、第3発光ユニット146から得られる発光の発光色と、を補色の
関係にすることによって、白色発光を外部に取り出すことができる。なお、第1発光ユニ
ット142、第2発光ユニット144、及び第3発光ユニット146のそれぞれが補色の
関係にある複数の発光層を有する構成としても、白色発光が得られる。補色の関係として
は、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。
ては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン
酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン(略称:H2
Pc)や銅フタロシアニン(略称:CuPc)等のフタロシアニン系の化合物を用いる。
た複合材料を用いることが好ましい。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアク
セプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。本実施の形態では、正孔
注入層141としてモリブデン酸化物と芳香族アミン化合物の複合材料を用いる。
く、電荷発生領域以外の層と積層された構成であってもよい。電荷発生領域は、同一膜中
に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の
高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。なお、電荷
発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、0.1以上4.0以下の比
率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。電荷発生領域に用いるアクセプター
性物質としては、遷移金属酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが
特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。また、
電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾー
ル誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)な
ど、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、10−6cm2/Vs以上の
正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物
質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
ては、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、カルシウム(Ca)、フッ化リチウム(L
iF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)等のアルカリ金属、
アルカリ土類金属、またはこれらの化合物が挙げられる。また、電子輸送性を有する物質
中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属、マグネシウム(Mg)、又はそれらの化合物を
含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等を用いるこ
ともできる。本実施の形態では、第2の電極層107の形成時に受けるスパッタダメージ
を抑えるため、電子注入層147としてモリブデン酸化物と芳香族アミン化合物の複合材
料を用いる。
流密度を低く保ったまま、高輝度でありながら長寿命な素子とできる。また、電極材料の
抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。
815からの上面発光と、第1の電極層103で反射した下面発光とが干渉して特定の波
長の光が強めあうように、第1の電極層103上に光路長調整膜を形成してもよい。当該
光路長調整膜は透光性を有し、有機化合物を含む層815へのキャリアの注入に影響しな
い膜を用いることが好ましい。
の上の遮光性を有するスペーサ819を設けることが重要である。遮光性を有するスペー
サ819がない場合、中間層143及び中間層145は画素間に設けられている隔壁上に
も形成されており、画素の間隔にもよるが、隣接する画素にも電流が流れ、意図しない画
素も発光してしまう恐れがある。
または90°よりも大きくなるようにする。このような断面形状とすることで側面に形成
される有機化合物を含む層815の膜厚を薄くすることによって、導電性の高い中間層1
43及び中間層145の膜厚を薄くして抵抗を高くすることができる。
。側面の基板平面に対する角度θが、約100°であるスペーサ上に有機化合物を含む層
が成膜された様子を撮影した断面TEM写真を図5(A)に示す。
膜厚は約210nmである。また、第1の電極は、膜厚50nmのTi膜と膜厚200n
mのAl膜と膜厚3nmのTi膜の積層であり、第2の電極であるITO膜の膜厚は、約
70nmである。
C)である。図5(B)及び図5(C)に示すように隔壁201上のスペーサ202の側
面にも薄く有機化合物を含む層203が成膜されており、スペーサ上の膜厚約210nm
に比べて約5分の1の膜厚程度の約40nmにまで薄くなっていることが確認できる。ま
た、スペーサ202の側面において、第2の電極204であるITO膜も薄くなっている
。
面に形成される有機化合物を含む層203の膜厚を薄くすることによって、導電性の高い
中間層143及び中間層145の膜厚を薄くして抵抗を高くすることができ、隣接する画
素が発光することを防止することができる。なお、図5(A)、図5(B)のスペーサは
アクリル樹脂を用いており、遮光性を有していないが、光を透過しないもしくは吸収する
材料を分散させて遮光性を持たせたスペーサとすることで、隣接する画素への光漏れも抑
えることができる。遮光性を有するスペーサの材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、アクリルエポキシ樹脂、シロキサンポリマ系樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂に、光を
透過しないもしくは吸収する材料を分散させたものが使用可能である。また、樹脂に分散
させる材料としては、カーボンブラック、酸化チタン、チタン酸窒化物等を使用すること
が可能である。また、遮光性を有するスペーサは電気抵抗が高いほうが好ましく、具体的
には、電気抵抗率が1×105Ωcmよりも高い材料とする。図4に示した積層構造にお
いて、正孔注入層141として用いたモリブデン酸化物と芳香族アミン化合物の複合材料
の電気抵抗率が1×105Ωcmであるため、それよりも電気抵抗率が高い材料を用いて
遮光性を有するスペーサを形成すればよい。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した発光装置を用いて作製される電子機器の
具体例について、図6を用いて説明する。
ジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデ
オカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響
再生装置、遊技機(パチンコ機、スロットマシン等)、ゲーム筐体が挙げられる。これら
の電子機器の具体例を図6に示す。
筐体9001に表示部9003が組み込まれている。本発明の一態様を用いて作製される
発光装置は、表示部9003に用いることが可能であり、表示部9003により映像を表
示することが可能である。なお、4本の脚部9002により筐体9001を支持した構成
を示している。また、電力供給のための電源コード9005を筐体9001に有している
。
に表示された表示ボタン9004を指などで触れることで、画面操作や、情報を入力する
ことができる。また、筐体9001に設けられたヒンジによって、表示部9003の画面
を床に対して垂直に立てることもでき、テレビジョン装置としても利用できる。狭い部屋
においては、大きな画面のテレビジョン装置は設置すると自由な空間が狭くなってしまう
が、テーブルに表示部が内蔵されていれば、部屋の空間を有効に利用することができる。
における色のにじみ、色ずれなどが生じにくいため、当該発光装置を表示部9003に用
いることで、従来に比べて表示品質の高い表示部9003とすることができる。また、遮
光性を有するスペーサによって一対の基板が保持されているため、衝撃や歪みなどの外力
に極めて強いため、図6(A)に示すテーブルとして好適に用いることができる。
、筐体9101に表示部9103が組み込まれている。本発明の一態様を用いて作製され
る発光装置は、表示部9103に用いることが可能であり、表示部9103により映像を
表示することが可能である。なお、ここではスタンド9105により筐体9101を支持
した構成を示している。
モコン操作機9110により行うことができる。リモコン操作機9110が備える操作キ
ー9109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9103に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機9110に、当該リモコン操作
機9110から出力する情報を表示する表示部9107を設ける構成としてもよい。
レビジョン装置9100は、受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さ
らにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方
向(送信者から受信者)または双方向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)
の情報通信を行うことも可能である。
における色のにじみ、色ずれなどが生じにくいため、当該発光装置をテレビジョン装置の
表示部9103に用いることで、従来に比べて表示品質の高いテレビジョン装置とするこ
とができる。
ーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む
。コンピュータは、本発明の一態様を用いて作製される発光装置をその表示部9203に
用いることにより作製される。
、表示における色のにじみ、色ずれなどが生じにくいため、当該発光装置をコンピュータ
の表示部9203に用いることで、従来に比べて表示品質の高い表示部とすることが可能
となる。
に組み込まれた表示部9502の他、操作ボタン9503、外部接続ポート9504、ス
ピーカ9505、マイク9506などを備えている。携帯電話機9500は、本発明の一
態様を用いて作製される発光装置を表示部9502に用いることにより作製される。
報を入力する、電話を掛ける、またはメールを作成するなどの操作を行うことができる。
る表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は
表示モードと入力モードの2つのモードが混合したものである。
を主とする入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、
表示部9502の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ま
しい。
を有する検出装置を設けることで、携帯電話機9500の向き(縦向きか横向きか)を判
断して、表示部9502の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン9503の操作により行われる。また、表示部9502に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
示部9502のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
示部9502に掌や指を触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことがで
きる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
における色のにじみ、色ずれなどが生じにくいため、当該発光装置を携帯電話機の表示部
9502に用いることで、従来に比べて表示品質の高い携帯電話機とすることが可能とな
る。また、遮光性を有するスペーサによって一対の基板が保持されているため、衝撃や歪
みなどの外力に極めて強いため、図6(D)に示す携帯電話機として好適に用いることが
できる。
宜組み合わせて用いることができる。
107 電極層
141 正孔注入層
142 発光ユニット
143 中間層
144 発光ユニット
145 中間層
146 発光ユニット
147 電子注入層
201 隔壁
202 スペーサ
203 有機化合物を含む層
204 第2の電極
801 ガラス基板
802 画素部
803 駆動回路部
804 駆動回路部(ゲート線駆動回路)
805 固定部
806 ガラス基板
807 配線
808 FPC
809 nチャネル型トランジスタ
810 pチャネル型トランジスタ
812 電流制御用トランジスタ
813 陽極
814 隔壁
815 有機化合物を含む層
816 陰極
817 発光素子
818 閉空間
819 スペーサ
820 矢印
821 着色層
822 ブラックマトリクス
823 乾燥剤
9000 テーブル
9001 筐体
9002 脚部
9003 表示部
9004 表示ボタン
9005 電源コード
9100 テレビジョン装置
9101 筐体
9103 表示部
9105 スタンド
9107 表示部
9109 操作キー
9110 リモコン操作機
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9500 携帯電話機
9501 筐体
9502 表示部
9503 操作ボタン
9504 外部接続ポート
9505 スピーカ
9506 マイク
Claims (1)
- 第1の基板上のトランジスタと、
前記トランジスタに接続する画素電極と、
前記画素電極上のEL層と、
前記EL層上の対向電極と、
前記画素電極の周縁を覆う第1の樹脂層と、
前記第1の樹脂層上の遮光性を有する第2の樹脂層と、を有し、
前記第2の樹脂層は、前記第1の基板に設けられ、
前記第2の樹脂層の上面に、前記EL層の一部と、前記対向電極の一部とを有し、
前記第2の樹脂層の断面形状は、上辺よりも下辺が短い台形であり、
前記下辺は、前記上辺よりも前記第1の基板に近く、
隣接画素間の前記第1の樹脂層上において前記第2の樹脂層が設けられていない領域を有することを特徴とする発光装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011099992 | 2011-04-27 | ||
| JP2011099992 | 2011-04-27 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016169726A Division JP6543233B2 (ja) | 2011-04-27 | 2016-08-31 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018092946A JP2018092946A (ja) | 2018-06-14 |
| JP6629368B2 true JP6629368B2 (ja) | 2020-01-15 |
Family
ID=47067229
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012099418A Expired - Fee Related JP6000619B2 (ja) | 2011-04-27 | 2012-04-25 | 発光装置およびその作製方法 |
| JP2016169726A Expired - Fee Related JP6543233B2 (ja) | 2011-04-27 | 2016-08-31 | 発光装置 |
| JP2018034699A Expired - Fee Related JP6629368B2 (ja) | 2011-04-27 | 2018-02-28 | 発光装置 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012099418A Expired - Fee Related JP6000619B2 (ja) | 2011-04-27 | 2012-04-25 | 発光装置およびその作製方法 |
| JP2016169726A Expired - Fee Related JP6543233B2 (ja) | 2011-04-27 | 2016-08-31 | 発光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9356255B2 (ja) |
| JP (3) | JP6000619B2 (ja) |
| KR (1) | KR101920374B1 (ja) |
Families Citing this family (75)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102105287B1 (ko) | 2012-08-01 | 2020-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| US9577221B2 (en) | 2012-09-26 | 2017-02-21 | Universal Display Corporation | Three stack hybrid white OLED for enhanced efficiency and lifetime |
| JP6204012B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP6076683B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| DE102012112530A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
| JP6155020B2 (ja) | 2012-12-21 | 2017-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP6216125B2 (ja) | 2013-02-12 | 2017-10-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP6104649B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2017-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP6331275B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2018-05-30 | 大日本印刷株式会社 | カラーフィルタ形成基板および有機el表示装置 |
| CN103456765B (zh) * | 2013-09-10 | 2015-09-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有源式有机电致发光器件背板及其制作方法 |
| TWI667782B (zh) * | 2013-09-27 | 2019-08-01 | 群創光電股份有限公司 | 有機發光二極體顯示面板及包含其之有機發光二極體顯示裝置 |
| KR102255809B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2021-05-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
| JP6200340B2 (ja) | 2014-02-04 | 2017-09-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置およびその製造方法 |
| TWI790965B (zh) | 2014-05-30 | 2023-01-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 觸控面板 |
| CN104821329A (zh) * | 2015-05-04 | 2015-08-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示装置 |
| WO2017037560A1 (en) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| CN105428389B (zh) * | 2015-11-30 | 2018-12-18 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示装置及制造方法 |
| CN106547138B (zh) * | 2016-12-08 | 2019-11-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示器及其显示面板 |
| CN109427846B (zh) * | 2017-08-28 | 2021-07-27 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| US10636845B2 (en) | 2017-12-25 | 2020-04-28 | Sakai Display Products Corporation | Organic electroluminescent display apparatus |
| JP6636580B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-29 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置 |
| CN109659299B (zh) * | 2019-02-21 | 2024-03-26 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 | 一种防止漏光的区域消光背光源结构及其制作方法 |
| CN110610972B (zh) * | 2019-09-19 | 2022-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
| KR102913146B1 (ko) | 2020-02-21 | 2026-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN111755622B (zh) * | 2020-06-17 | 2021-12-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| TWI776244B (zh) * | 2020-09-28 | 2022-09-01 | 曜凌光電股份有限公司 | 發光二極體結構 |
| TW202224224A (zh) * | 2020-11-17 | 2022-06-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示面板、資訊處理裝置、顯示面板的製造方法 |
| TW202240886A (zh) | 2020-12-04 | 2022-10-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示面板、資料處理裝置及用於製造顯示面板之方法 |
| KR20230110579A (ko) | 2020-12-04 | 2023-07-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 표시 모듈, 및 표시 장치의 제작 방법 |
| KR20230112706A (ko) | 2020-12-06 | 2023-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 표시 보정 시스템 |
| WO2022123382A1 (ja) | 2020-12-07 | 2022-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器 |
| JP7797414B2 (ja) | 2020-12-07 | 2026-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| WO2022137013A1 (ja) | 2020-12-25 | 2022-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、電子機器、及び表示装置の作製方法 |
| WO2022144661A1 (ja) | 2020-12-29 | 2022-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、情報処理装置、表示パネルの製造方法 |
| CN116670743A (zh) | 2020-12-29 | 2023-08-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的制造方法 |
| DE102021134032A1 (de) | 2020-12-29 | 2022-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Licht emittierende Vorrichtung, Licht emittierende Einrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung |
| JPWO2022153150A1 (ja) | 2021-01-14 | 2022-07-21 | ||
| KR20230129184A (ko) | 2021-01-14 | 2023-09-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 제작 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및전자 기기 |
| TW202232796A (zh) | 2021-01-14 | 2022-08-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| JP7824892B2 (ja) | 2021-01-14 | 2026-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2022115080A (ja) | 2021-01-27 | 2022-08-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US12527167B2 (en) | 2021-01-28 | 2026-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US12532606B2 (en) | 2021-01-28 | 2026-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device, display device, display module, and electronic device |
| JPWO2022175789A1 (ja) | 2021-02-19 | 2022-08-25 | ||
| WO2022180480A1 (ja) | 2021-02-25 | 2022-09-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
| DE112022001242T5 (de) | 2021-02-26 | 2023-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung und elektronisches Gerät |
| US12349538B2 (en) | 2021-03-25 | 2025-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device |
| US12601045B2 (en) | 2021-03-25 | 2026-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing equipment for light-emitting device |
| US12477918B2 (en) | 2021-03-31 | 2025-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus, display module, electronic device, and method for manufacturing display apparatus |
| US12245485B2 (en) | 2021-04-08 | 2025-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus including light-emitting device and light-receiving device |
| JP7851915B2 (ja) | 2021-04-22 | 2026-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| CN117178314A (zh) | 2021-04-22 | 2023-12-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及显示装置的制造方法 |
| US11815689B2 (en) | 2021-04-30 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
| US11699391B2 (en) | 2021-05-13 | 2023-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display apparatus, and electronic device |
| US12527192B2 (en) | 2021-05-13 | 2026-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus, display module, electronic device, and method for manufacturing display apparatus |
| US12426474B2 (en) | 2021-05-27 | 2025-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus, method for manufacturing display apparatus, display module, and electronic device |
| US12506126B2 (en) | 2021-06-17 | 2025-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR20230000968A (ko) | 2021-06-25 | 2023-01-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 디바이스, 표시 장치, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| TW202306210A (zh) | 2021-06-25 | 2023-02-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 受光器件、受發光裝置 |
| KR102835962B1 (ko) * | 2021-06-29 | 2025-07-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR20230004278A (ko) | 2021-06-30 | 2023-01-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 디바이스 및 발광 장치 |
| US12262623B2 (en) | 2021-06-30 | 2025-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of display device |
| US12604662B2 (en) | 2021-07-16 | 2026-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and light-emitting apparatus |
| KR20240044438A (ko) * | 2021-08-05 | 2024-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| KR20230024461A (ko) * | 2021-08-11 | 2023-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 포함하는 센싱 시스템 |
| JPWO2023031718A1 (ja) | 2021-08-31 | 2023-03-09 | ||
| CN113921577B (zh) * | 2021-09-30 | 2022-07-08 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板 |
| KR20240093546A (ko) | 2021-10-27 | 2024-06-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| CN118355431A (zh) | 2021-12-08 | 2024-07-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子设备 |
| TWI807529B (zh) * | 2021-12-10 | 2023-07-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製造方法 |
| US12604650B2 (en) | 2021-12-20 | 2026-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting element and light-emitting device using photolithography technique |
| KR20230101185A (ko) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| CN118661127A (zh) | 2022-02-09 | 2024-09-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子设备 |
| US12598869B2 (en) | 2022-03-25 | 2026-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device, display apparatus, and method for manufacturing display apparatus |
| CN117456566A (zh) * | 2023-01-31 | 2024-01-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
Family Cites Families (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6592933B2 (en) | 1997-10-15 | 2003-07-15 | Toray Industries, Inc. | Process for manufacturing organic electroluminescent device |
| JPH11339958A (ja) | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子の製造方法 |
| JP4364957B2 (ja) | 1998-10-22 | 2009-11-18 | 北陸電気工業株式会社 | 蒸着マスク |
| US6469439B2 (en) | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an organic electroluminescent device |
| US6833668B1 (en) | 1999-09-29 | 2004-12-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display device having a desiccant |
| JP3809758B2 (ja) | 1999-10-28 | 2006-08-16 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| EP1096568A3 (en) | 1999-10-28 | 2007-10-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
| JP2001148291A (ja) | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| JP4132528B2 (ja) | 2000-01-14 | 2008-08-13 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2002289347A (ja) | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置、その製造方法、被着マスク及びその製造方法 |
| JP4262902B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2009-05-13 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2003059671A (ja) | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示素子及びその製造方法 |
| JP2003243171A (ja) | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| US7179512B2 (en) * | 2002-05-14 | 2007-02-20 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display and manufacturing method of same |
| KR100478759B1 (ko) * | 2002-08-20 | 2005-03-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| CN100593244C (zh) * | 2004-03-19 | 2010-03-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 形成图案的方法、薄膜晶体管、显示设备及其制造方法 |
| KR101187399B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2012-10-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자 및 발광장치 |
| JP4877872B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2012-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びアクティブマトリクス型表示装置 |
| JP4879541B2 (ja) | 2004-09-29 | 2012-02-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| US7753751B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the display device |
| JP2006100186A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
| JP2006172940A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| US20060215105A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-09-28 | Innolux Display Corp. | Liquid crystal display device with photo spacers |
| JP4974568B2 (ja) | 2005-04-06 | 2012-07-11 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 電界発光表示装置 |
| WO2006123791A1 (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 液晶表示素子および液晶表示素子の製造方法 |
| JP2007122033A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
| US7528529B2 (en) | 2005-10-17 | 2009-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Micro electro mechanical system, semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| JP2007157404A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 表示装置および電子機器 |
| JP4990801B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-08-01 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | El装置 |
| KR20080057584A (ko) * | 2006-12-20 | 2008-06-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US7973316B2 (en) | 2007-03-26 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US7825998B2 (en) * | 2007-04-06 | 2010-11-02 | Hannstar Display Corp. | Input display having particular photo sensor, color filter, and light-shielding element arrangement |
| KR101374888B1 (ko) * | 2007-07-20 | 2014-03-13 | 한양대학교 산학협력단 | 접착조성물, 접착조성물의 제조방법, 표시장치 및표시장치의 제조방법 |
| JP4937935B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2012-05-23 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの製造方法 |
| KR101246769B1 (ko) * | 2008-03-31 | 2013-03-26 | 샤프 가부시키가이샤 | 면 발광 표시장치 |
| EP2120275A3 (en) * | 2008-05-16 | 2012-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Light-emitting element, lighting apparatus, light-emitting device, electronic appliance, and display |
| KR20100004221A (ko) * | 2008-07-03 | 2010-01-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부 발광방식 유기전계발광소자 |
| KR101209128B1 (ko) * | 2008-07-10 | 2012-12-06 | 샤프 가부시키가이샤 | 유기 el 디스플레이 및 그 제조방법 |
| KR101281748B1 (ko) * | 2008-10-23 | 2013-07-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부 발광방식 유기전계발광소자 |
| KR101301180B1 (ko) * | 2008-11-21 | 2013-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자 및 그 합착 방법 |
| JP5577613B2 (ja) | 2009-03-31 | 2014-08-27 | 大日本印刷株式会社 | カラーフィルタ、その製造方法及び有機elディスプレイ |
| KR101582157B1 (ko) * | 2009-08-05 | 2016-01-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정표시패널 및 이의 제조방법 |
| JP2011076760A (ja) | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el装置およびその製造方法 |
| WO2011061789A1 (ja) * | 2009-11-17 | 2011-05-26 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機elディスプレイ |
-
2012
- 2012-04-19 KR KR1020120040861A patent/KR101920374B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-24 US US13/454,248 patent/US9356255B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-25 JP JP2012099418A patent/JP6000619B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-05-24 US US15/162,806 patent/US9871088B2/en active Active
- 2016-08-31 JP JP2016169726A patent/JP6543233B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-02-28 JP JP2018034699A patent/JP6629368B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9871088B2 (en) | 2018-01-16 |
| US20120273804A1 (en) | 2012-11-01 |
| US9356255B2 (en) | 2016-05-31 |
| JP2018092946A (ja) | 2018-06-14 |
| KR101920374B1 (ko) | 2018-11-20 |
| KR20120121839A (ko) | 2012-11-06 |
| JP6000619B2 (ja) | 2016-09-28 |
| US20160268363A1 (en) | 2016-09-15 |
| JP2012238587A (ja) | 2012-12-06 |
| JP2016197612A (ja) | 2016-11-24 |
| JP6543233B2 (ja) | 2019-07-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180323 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190122 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190320 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191105 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191204 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6629368 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |