JP6702438B2 - 弾性波装置 - Google Patents

Description

本発明は、弾性波装置に関する。

従来、弾性波装置が携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、支持基板上に高音速膜、低音速膜及び圧電膜が積層された積層体が設けられた弾性波装置が開示されている。さらに、この弾性波装置においては、平面視において、上記積層体を囲むように、支持基板上に絶縁層が設けられており、外部に電気的に接続されるアンダーバンプメタル層は、全て絶縁層上に設けられている。

下記の特許文献２には、支持基板上に高音速膜、低音速膜及び圧電膜が積層された積層体が設けられた弾性波装置が開示されている。この弾性波装置においては、支持基板上に直接設けられた配線に、アンダーバンプメタル層が接続されている。

国際公開第２０１５／０９８６７８号 国際公開第２０１５／０９８６７９号

弾性波装置の実装時や使用時などにおいて、圧電膜が加熱または冷却されると、焦電効果により電荷が発生する。ここで、特許文献１に記載の弾性波装置においては、アンダーバンプメタル層が絶縁層上に設けられている。よって、発生した電荷は圧電膜からグラウンド電極に逃がすことができるが、グラウンド電極と接続していない支持基板に移動した電荷については逃がすことができず、支持基板は帯電する。このため、支持基板と圧電膜との間に電位差が生じ、静電容量が生じる。この静電容量の影響により、弾性波装置において、比帯域やＱ値などの特性の劣化が生じることがあった。

この点、特許文献２に記載の弾性波装置においては、アンダーバンプメタル層が支持基板上に直接設けられた配線に接続されているが、一方で、支持基板とアンダーバンプメタル層との間の電気抵抗が低い。そのため、弾性波装置が、アンダーバンプメタル層及びバンプを介して他の電子部品に接続された場合、該電子部品と支持基板との間の電気抵抗は低い。従って、弾性波装置からのリーク電流が上記電子部品に漏洩することにより、上記電子部品において動作不良が生じるおそれがあった。

本発明の目的は、支持基板と圧電膜との間の静電容量を抑制することができ、特性の劣化を抑制することができ、かつ他の電子部品に接続された場合に該電子部品の動作不良が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。

本発明に係る弾性波装置は、支持基板と、前記支持基板上に設けられている圧電膜とを有する積層体と、前記支持基板上に設けられており、アンテナに接続されるアンテナ端子と、前記支持基板上に設けられており、グラウンド電位に接続されるグラウンド端子と、前記支持基板上に設けられており、信号電位に接続される信号端子と、前記圧電膜上に設けられているＩＤＴ電極と、前記支持基板と前記信号端子との間に設けられた第１の絶縁膜とを備え、前記積層体が、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高い高音速材料からなる層と、相対的に音響インピーダンスが低い、低音響インピーダンス層及び相対的に音響インピーダンスが高い、高音響インピーダンス層を有する音響反射層とのうちの一方を有する。

本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記支持基板と前記アンテナ端子との間に設けられている第２の絶縁膜がさらに備えられている。この場合には、アンテナ端子と支持基板との間の電気抵抗を高くすることができる。従って、アンテナ端子から支持基板を介して信号端子に漏洩するリーク電流が生じ難い。

本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記支持基板上に直接前記アンテナ端子が設けられている。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記積層体が、前記高音速材料からなる層と、前記支持基板と前記圧電膜との間に設けられており、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低い低音速材料からなる低音速膜とを有する。この場合には、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。

本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記高音速材料からなる層が前記支持基板である。

本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記高音速材料からなる層が前記支持基板上に直接設けられている。

本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記支持基板がＳｉからなる。

本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、開口部を有し、前記開口部により前記ＩＤＴ電極を囲むように、前記支持基板上に設けられている支持部材と、前記支持部材上に、前記開口部を覆うように設けられているカバー部材と、前記カバー部材及び前記支持部材を貫通しており、かつ前記アンテナ端子、前記信号端子及び前記グラウンド端子にそれぞれ接続されている複数のアンダーバンプメタル層と、前記複数のアンダーバンプメタル層にそれぞれ接合されている複数のバンプとがさらに備えられている。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、開口部を有し、前記開口部により、前記ＩＤＴ電極を囲むように、前記支持基板上に設けられている支持部材と、前記支持部材上に、前記開口部を覆うように設けられているカバー部材と、前記アンテナ端子、前記信号端子及び前記グラウンド端子にそれぞれ接続されており、かつ前記支持部材の側面を経て前記カバー部材に至っている、複数の配線電極とがさらに備えられている。

本発明によれば、支持基板と圧電膜との間の静電容量を抑制することができ、特性の劣化を抑制することができ、かつ他の電子部品に接続された場合に該電子部品の動作不良が生じ難い、弾性波装置を提供ことができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構成を説明するための略図的平面断面図である。 図３は、図２中のＩ−Ｉ線に沿う略図的断面図である。 図４は、図２中のＩＩ−ＩＩ線に沿う略図的断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態における最も信号端子側に位置する直列腕共振子付近を示す模式的平面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の、アンテナ端子、信号端子、グラウンド端子及び浮き電極が設けられていない部分における、支持部材付近を示す略図的部分拡大正面断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。 図９は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。 図１０は、本発明に係る弾性波装置で用いられる積層体の変形例を説明するための断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。

本実施形態の弾性波装置１は、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４、直列腕共振子Ｓ５、直列腕共振子Ｓ６、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４を有するラダー型フィルタである。弾性波装置１は、アンテナに接続されるアンテナ端子２及び信号電位に接続される信号端子３を有する。

図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構成を説明するための略図的平面断面図である。図３は、図２中のＩ−Ｉ線に沿う略図的断面図である。なお、図２及び図３においては、直列腕共振子及び並列腕共振子を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。図３においては、配線が直列腕共振子及び並列腕共振子のバスバーに接続されている部分を含めて、直列腕共振子及び並列腕共振子として模式的に示している。後述する図４においても同様である。

図２に示すように、弾性波装置１は、グラウンド電位に接続される複数のグラウンド端子４Ａを有する。並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４は、それぞれグラウンド端子４Ａに接続されている。弾性波装置１は、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４、直列腕共振子Ｓ５、直列腕共振子Ｓ６、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４に接続されておらず、かつグラウンド電位に接続される浮き電極４Ｂを有する。なお、弾性波装置１は浮き電極４Ｂを有しなくともよい。

図３に示すように、弾性波装置１は、支持基板５、低音速膜６及び圧電膜７が積層されている積層体８を有する。支持基板５は、本実施形態では、高音速材料からなる層である。ここで、高音速材料とは、圧電膜７を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高い材料である。支持基板５を構成する高音速材料はＳｉである。なお、支持基板５を構成する材料は上記に限定されない。

低音速膜６は、圧電膜７を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低い低音速材料からなる膜である。本実施形態では、低音速膜６を構成する低音速材料はＳｉＯ_２である。なお、低音速膜６を構成する低音速材料は、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタルまたは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料などであっていてもよい。

圧電膜７は、ＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３などの圧電単結晶や、適宜の圧電セラミックスからなる。圧電膜７上において、直列腕共振子Ｓ１を含む複数の直列腕共振子及び並列腕共振子Ｐ１を含む複数の並列腕共振子が構成されている。

支持基板５は、外周縁側において、低音速膜６及び圧電膜７から露出した部分を有する。上記グラウンド端子４Ａは、支持基板５上において上記のように露出した部分に設けられている。図３に示すグラウンド端子４Ａ以外の複数のグラウンド端子及び浮き電極も同様に、支持基板５上に直接設けられている。

他方、支持基板５上における、平面視において信号端子３に重なる部分には、第１の絶縁膜９Ａが直接設けられている。第１の絶縁膜９Ａは、支持基板５上から圧電膜７上に至るように設けられている。本実施形態では、第１の絶縁膜９Ａはポリイミドからなる。なお、第１の絶縁膜９Ａはポリイミド以外の有機絶縁膜であってもよく、無機絶縁膜であってもよい。第１の絶縁膜９Ａは圧電膜７上に至っていなくともよい。

図４は、図２中のＩＩ−ＩＩ線に沿う略図的断面図である。

支持基板５とアンテナ端子２との間に、第２の絶縁膜９Ｂが設けられている。第２の絶縁膜９Ｂは第１の絶縁膜と同様の材料からなる。このように、アンテナ端子２及び信号端子は、それぞれ第２の絶縁膜９Ｂ及び第１の絶縁膜を介して支持基板５上に間接的に設けられており、かつ複数のグラウンド端子４Ａは支持基板５上に直接設けられている。なお、アンテナ端子２は、支持基板５上に直接設けられていてもよい。

図２に示すように、支持基板５上には、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４、直列腕共振子Ｓ５、直列腕共振子Ｓ６、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４を囲む開口部１６ａを有する、支持部材１６が設けられている。支持部材１６は、アンテナ端子２、信号端子３、浮き電極４Ｂ及び複数のグラウンド端子４Ａを覆っている。支持部材１６は適宜の樹脂からなる。

図３に示すように、支持部材１６上には、開口部１６ａを覆うようにカバー部材１７が設けられている。支持基板５、支持部材１６及びカバー部材１７により囲まれた中空空間Ａ内に、直列腕共振子Ｓ１を含む複数の直列腕共振子及び並列腕共振子Ｐ１を含む複数の並列腕共振子が設けられている。

カバー部材１７及び支持部材１６を貫通するように、複数のアンダーバンプメタル層１８が設けられている。各アンダーバンプメタル層１８はアンテナ端子、信号端子３、複数のグラウンド端子４Ａ及び浮き電極にそれぞれ接続されている。複数のアンダーバンプメタル層１８におけるカバー部材１７から露出している部分には、複数のバンプ１９がそれぞれ接合されている。直列腕共振子Ｓ１を含む複数の直列腕共振子及び並列腕共振子Ｐ１を含む複数の並列腕共振子は、アンテナ端子、信号端子３またはグラウンド端子４Ａ並びにアンダーバンプメタル層１８及びバンプ１９を介して外部に電気的に接続される。本実施形態の弾性波装置１はＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）構造である。

ところで、直列腕共振子Ｓ１を含む複数の直列腕共振子及び並列腕共振子Ｐ１を含む複数の並列腕共振子は、弾性波共振子である。この構成を以下において説明する。

図５は、第１の実施形態における最も信号端子側に位置する直列腕共振子付近を示す模式的平面図である。なお、図５においては、直列腕共振子に接続された配線は省略している。

直列腕共振子Ｓ１は、圧電膜７上に設けられているＩＤＴ電極１２を有する。ＩＤＴ電極１２は、互いに対向し合う第１のバスバー１３ａ及び第２のバスバー１３ｂを有する。ＩＤＴ電極１２は、第１のバスバー１３ａに一端が接続されている複数の第１の電極指１４ａを有する。さらに、ＩＤＴ電極１２は、第２のバスバー１３ｂに一端が接続されている複数の第２の電極指１４ｂを有する。複数の第１の電極指１４ａと複数の第２の電極指１４ｂとは互いに間挿し合っている。

ＩＤＴ電極１２に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。ＩＤＴ電極１２の弾性波伝搬方向両側には、反射器１５ａ及び反射器１５ｂが配置されている。ＩＤＴ電極１２、反射器１５ａ及び反射器１５ｂは、複数の金属層が積層された積層金属膜からなっていてもよく、あるいは、単層の金属膜からなっていてもよい。

直列腕共振子Ｓ１は、ＩＤＴ電極１２、反射器１５ａ及び反射器１５ｂを有する弾性波共振子である。他の複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子も同様に、それぞれＩＤＴ電極及び反射器を有する弾性波共振子である。

図３に示すように、弾性波装置１は、高音速材料からなる支持基板５、低音速膜６及び圧電膜７が積層された積層体８を有するため、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。なお、積層体８は低音速膜６を有しなくともよい。この場合においても、弾性波のエネルギーを閉じ込めることができる。

ここで、弾性波装置１の回路構成を説明する。図１に示すように、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４、直列腕共振子Ｓ５及び直列腕共振子Ｓ６は、信号端子３とアンテナ端子２との間に互いに直列に接続されている。信号端子３と直列腕共振子Ｓ１との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２と直列腕共振子Ｓ３との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ３と直列腕共振子Ｓ４との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ４と直列腕共振子Ｓ５との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。並列腕共振子Ｐ２及び並列腕共振子Ｐ３はグラウンド電位に共通接続されている。

なお、弾性波装置１の回路構成は上記に限定されない。弾性波装置１は、ラダー型フィルタには限定されず、例えば、縦結合共振子型弾性波フィルタを含むフィルタ装置などであってもよい。

本実施形態の特徴は、図３に示すように、信号端子３が第１の絶縁膜９Ａを介して支持基板５上に間接的に設けられており、かつ複数のグラウンド端子４Ａ及び浮き電極が支持基板５上に直接設けられていることにある。それによって、支持基板５と圧電膜７との間の静電容量を抑制することができ、特性の劣化を抑制することができ、かつ他の電子部品に接続された場合に該電子部品の動作不良が生じ難い。これを以下において説明する。

弾性波装置１の使用時に圧電膜７が加熱されることなどにより、圧電膜７が温度変化すると、焦電効果によって電荷が発生する。電荷が支持基板５に移動し、支持基板５が帯電した場合には、上述したように、支持基板５と圧電膜７との間の静電容量が生じ、該静電容量の影響により特性が劣化し易い。

これに対して、本実施形態においては、支持基板５上に複数のグラウンド端子４Ａが直接設けられている。これにより、支持基板５に移動した電荷は、速やかに外部に移動することとなる。よって、支持基板５と圧電膜７との間における静電容量を抑制することができ、挿入損失などの特性の劣化が生じ難い。

さらに、支持基板５上には、並列腕共振子Ｐ１を含む複数の並列腕共振子に接続されていない浮き電極が直接設けられており、浮き電極はグラウンド電位に接続される。よって、焦電効果により生じた電荷を浮き電極を介して外部に、より一層移動させ易い。

加えて、本実施形態においては、信号端子３は第１の絶縁膜９Ａを介して間接的に支持基板５上に設けられている。これにより、支持基板５と、外部に接続される信号端子３との間の電気抵抗は高い。そのため、弾性波装置１が信号端子３、アンダーバンプメタル層１８及びバンプ１９を介して他の電子部品に接続された場合において、第１の絶縁膜９Ａにより、該電子部品と支持基板５との間の電気抵抗を高くすることができる。よって、弾性波装置１に他の電子部品が接続された場合においても、弾性波装置１からのリーク電流が該電子部品に漏洩し難い。従って、該電子部品の動作不良が生じ難い。

なお、本実施形態のように支持基板５がＳｉなどの半導体からなる場合、支持基板５の電気抵抗は低いため、リーク電流が生じ易い。そのため、弾性波装置１からのリーク電流が上記電子部品に特に漏洩し易い傾向がある。よって、支持基板５がＳｉなどの半導体からなる場合に本発明は特に好適である。

図３に示すように、本実施形態では、第１の絶縁膜９Ａ上に信号端子３が直接設けられており、信号端子３に連なるように接続配線１０Ａが設けられている。接続配線１０Ａは直列腕共振子Ｓ１に接続されており、かつ第１の絶縁膜９Ａ上から圧電膜７上に至るように設けられている。第１の絶縁膜９Ａが圧電膜７上に至っているため、接続配線１０Ａが設けられる部分の段差を小さくすることができ、接続配線１０Ａの断線が生じ難い。加えて、第１の絶縁膜９Ａの接続配線１０Ａに接している面は、支持部材１６側から圧電膜７側に、圧電膜７の厚み方向に対して傾斜して延びている。それによって、接続配線１０Ａの屈曲を緩和することができるため、接続配線１０Ａの断線がより一層生じ難い。図４に示す、アンテナ端子２に接続されている接続配線１０Ｂ及び第２の絶縁膜９Ｂにおいても同様である。

図２に示すように、支持基板５上には、支持部材１６の開口部１６ａ内に位置する部分に、複数の壁部材１６Ａが設けられている。より具体的には、複数の壁部材１６Ａのうち１つは、直列腕共振子Ｓ２と直列腕共振子Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ２とを仕切るように設けられている。複数の壁部材１６Ａのうち他の１つは、直列腕共振子Ｓ４と並列腕共振子Ｐ３とを仕切るように設けられている。複数の壁部材１６Ａのうちさらに他の１つは、直列腕共振子Ｓ５と並列腕共振子Ｐ４とを仕切るように設けられている。複数の壁部材１６Ａは、支持部材１６と同様の材料からなる。

複数の壁部材１６Ａはカバー部材に接合されており、カバー部材を支持している。よって、カバー部材に外力が加えられた場合において上記中空空間が潰れ難く、弾性波装置１の強度を高めることができる。

図６は、第１の実施形態に係る弾性波装置の、アンテナ端子、信号端子、グラウンド端子及び浮き電極が設けられていない部分における、支持部材付近を示す略図的部分拡大正面断面図である。

本実施形態においては、支持部材１６は、グラウンド端子及び浮き電極が設けられている部分以外の部分においては、絶縁膜９を介して支持基板５上に間接的に設けられている。絶縁膜９は、アンテナ端子及び信号端子が設けられている部分以外に設けられた絶縁膜である。絶縁膜９は、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜と同様の材料からなる。絶縁膜９は、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜に連なるように設けられている。これにより、支持基板５とカバー部材１７との距離の均一性を高めることができる。よって、支持部材１６とカバー部材１７との密着性及び接合力を高めることができ、上記中空空間Ａの密閉性をより一層確実に高めることができる。なお、絶縁膜９は設けられていなくともよい。

図７は、第１の実施形態の変形例に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。

本変形例においては、アンテナ端子２が支持基板５上に直接設けられている。本変形例においても、第１の実施形態と同様に、信号端子は第１の絶縁膜を介して支持基板５上に間接的に設けられており、かつ複数のグラウンド端子４Ａは支持基板５上に直接設けられている。それによって、支持基板５と圧電膜７との間の静電容量を抑制することができ、特性の劣化を抑制することができ、かつ他の電子部品に接続された場合に該電子部品の動作不良が生じ難い。

本変形例においては、平面視において、接続配線１０Ｂの一部と重なるように、第３の絶縁膜１０９Ｂが設けられている。第３の絶縁膜１０９Ｂは、支持基板５上から圧電膜７上に至っている。接続配線１０Ｂの一部と、支持基板５及び圧電膜７との間に、第３の絶縁膜１０９Ｂが位置している。第３の絶縁膜１０９Ｂが接続配線１０Ｂに接している面は、支持基板５側から圧電膜７側に、圧電膜７の厚み方向に対して傾斜して延びている。これにより、接続配線１０Ｂにおける支持基板５上から圧電膜７上に至る部分における屈曲を緩和させることができる。よって、接続配線１０Ｂが断線し難い。なお、第３の絶縁膜１０９Ｂは、グラウンド端子に接続されている接続配線と、支持基板５及び圧電膜７との間に設けられていてもよい。

図８は、第２の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。

本実施形態は、積層体２８における高音速材料からなる層が、支持基板５と低音速膜６との間に設けられている高音速膜２５である点において、第１の実施形態と異なる。上記以外の点においては、第２の実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。本実施形態においては、支持基板５は高音速材料以外の材料からなっていてもよい。

本実施形態においても、信号端子３が第１の絶縁膜９Ａを介して支持基板５上に間接的に設けられており、かつ複数のグラウンド端子４Ａ及び浮き電極が支持基板５上に直接設けられている。よって、支持基板５と圧電膜７との間の静電容量を抑制することができ、特性の劣化を抑制することができ、かつ他の電子部品に接続された場合に該電子部品の動作不良が生じ難い。

図９は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。

第３の実施形態の弾性波装置１Ａでは、支持基板５上に、低音速膜６、及び圧電膜７からなる積層体８が設けられている。第１の実施形態の弾性波装置１と同様に、支持基板５上に、第１の絶縁膜９Ａが設けられている。そして、第１の絶縁膜９Ａ上に至るよう接続配線１０Ａが設けられている。また、図９に示す断面では、図３に示す断面と同様に、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１が設けられている部分が図示されている。

弾性波装置１Ａが、弾性波装置１と異なる点は、アンダーバンプメタル層１８及びバンプ１９に代えて、配線電極１８Ａが設けられていることにある。配線電極１８Ａは、信号端子３に電気的に接続されている。支持基板５上には、支持層３１が設けられている。支持層３１は、ＩＤＴ電極が設けられている部分を囲むように設けられている。従って、本実施形態においても、中空空間Ａが形成されている。

支持層３１の外側側面上に配線電極１８Ａが至っている。また、弾性波装置１Ａでは、第１のカバー層３２及び第２のカバー層３３を有するカバー部材３４が設けられている。第１のカバー層３２は、支持層３１上に積層されている。そして、第１のカバー層３２の外側側面は、支持層３１の外側側面よりも内側に位置している。

上記配線電極１８Ａは、カバー部材３４に至っている。すなわち、配線電極１８Ａは、第１のカバー層３２の側面を経て、第１のカバー層３２の上面に至っている。第２のカバー層３３は、上記第１のカバー層３２を覆うように、かつ配線電極１８Ａの外側も覆うように、支持基板５上に積層されている。

なお、図９において、グラウンド端子４Ａ側にも、配線電極１８Ｂが設けられている。配線電極１８Ｂは支持層３１の外側側面を経て、第１のカバー層３２の側面から上面に至っている。なお、第１のカバー層３２の上面においては、配線電極１８Ａ，１８Ｂを含む複数の配線電極が設けられている。

図９では、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１が構成されている部分の断面を示したが、残りの断面においても、上記のように、支持層３１の外側側面を経て第１のカバー層３２上に至る配線電極が設けられている。このように、本発明は、支持部材を貫通するアンダーバンプメタル層、及びバンプを有するものに限らず様々な形態のパッケージ構造を有する弾性波装置に適用することができる。

図１０は、本発明に係る弾性波装置で用いられる積層体の変形例を説明するための断面図である。図１０に示すように、支持基板５と圧電膜７との間に音響反射層４３が積層されている積層体を用いてもよい。音響反射層４３は、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層４４ａ〜４４ｄと、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層４５ａ〜４５ｃとを有する。低音響インピーダンス層４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄと、高音響インピーダンス層４５ａ，４５ｂ，４５ｃは積層方向において交互に配置されている。本発明における弾性波装置の積層体としては、このような音響反射層４３を有する構造を用いてもよい。その場合においても、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。

１，１Ａ…弾性波装置
２…アンテナ端子
３…信号端子
４Ａ…グラウンド端子
４Ｂ…浮き電極
５…支持基板
６…低音速膜
７…圧電膜
８…積層体
９…絶縁膜
９Ａ，９Ｂ…第１，第２の絶縁膜
１０Ａ，１０Ｂ…接続配線
１２…ＩＤＴ電極
１３ａ，１３ｂ…第１，第２のバスバー
１４ａ，１４ｂ…第１，第２の電極指
１５ａ，１５ｂ…反射器
１６…支持部材
１６Ａ…壁部材
１６ａ…開口部
１７…カバー部材
１８…アンダーバンプメタル層
１８Ａ，１８Ｂ…配線電極
１９…バンプ
２５…高音速膜
２８…積層体
３１…支持層
３２，３３…第１，第２のカバー層
３４…カバー部材
４３…音響反射層
４４ａ〜４４ｄ…低音響インピーダンス層
４５ａ〜４５ｃ…高音響インピーダンス層
１０９Ｂ…第３の絶縁膜
Ｐ１〜Ｐ４…並列腕共振子
Ｓ１〜Ｓ６…直列腕共振子

Claims (9)

1. 支持基板と、前記支持基板上に設けられている圧電膜と、を有する積層体と、
   前記支持基板上に設けられており、アンテナに接続されるアンテナ端子と、
   前記支持基板上に直接設けられており、グラウンド電位に接続されるグラウンド端子と、
   前記支持基板上に設けられており、信号電位に接続される信号端子と、
   前記圧電膜上に設けられているＩＤＴ電極と、
   前記支持基板と前記信号端子との間に設けられた第１の絶縁膜と、
   を備え、
   前記積層体が、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高い高音速材料からなる層と、相対的に音響インピーダンスが低い、低音響インピーダンス層及び相対的に音響インピーダンスが高い、高音響インピーダンス層を有する音響反射層とのうちの一方を有する、弾性波装置。
2. 前記支持基板と前記アンテナ端子との間に設けられている第２の絶縁膜をさらに備える、請求項１に記載の弾性波装置。
3. 前記支持基板上に直接前記アンテナ端子が設けられている、請求項１に記載の弾性波装置。
4. 前記積層体が、前記高音速材料からなる層と、前記支持基板と前記圧電膜との間に設けられており、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低い低音速材料からなる低音速膜とを有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
5. 前記高音速材料からなる層が前記支持基板である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
6. 前記高音速材料からなる層が前記支持基板上に直接設けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
7. 前記支持基板がＳｉからなる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
8. 開口部を有し、前記開口部により前記ＩＤＴ電極を囲むように、前記支持基板上に設けられている支持部材と、
   前記支持部材上に、前記開口部を覆うように設けられているカバー部材と、
   前記カバー部材及び前記支持部材を貫通しており、かつ前記アンテナ端子、前記信号端子及び前記グラウンド端子にそれぞれ接続されている複数のアンダーバンプメタル層と、
   前記複数のアンダーバンプメタル層にそれぞれ接合されている複数のバンプと、
   をさらに備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
9. 開口部を有し、前記開口部により、前記ＩＤＴ電極を囲むように、前記支持基板上に設けられている支持部材と、
   前記支持部材上に、前記開口部を覆うように設けられているカバー部材と、
   前記アンテナ端子、前記信号端子及び前記グラウンド端子にそれぞれ接続されており、かつ前記支持部材の側面を経て前記カバー部材に至っている、複数の配線電極と、
   をさらに備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。

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