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JP6724503B2 - Display device substrate, manufacturing method thereof, display panel, and display device - Google Patents
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Display device substrate, manufacturing method thereof, display panel, and display device Download PDF

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Description

本発明は、共通電極と信号配線との短絡位置を特定することができる、表示装置用基板およびその製造方法ならびに表示装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a display device substrate, a method for manufacturing the same, a display device, and a method for manufacturing the same, which can identify a short circuit position between a common electrode and a signal wiring.

近年、表示装置の一例として液晶表示装置が多く用いられている。特に、視野角特性の改善がなされ、高品位な表示特性を有するFFS(Fringe Field Switching)方式の液晶表示装置が多くなってきている。 In recent years, a liquid crystal display device has been widely used as an example of a display device. In particular, the number of FFS (Fringe Field Switching) type liquid crystal display devices, which have improved viewing angle characteristics and have high-quality display characteristics, has been increasing.

FFS方式の液晶表示装置は、一対の透明絶縁性基板の間に液晶層を挟持し、一方の透明絶縁性基板の液晶層側に、絶縁膜を間に挟んでマトリックス状に配設された複数の、走査配線および信号配線と、走査配線と信号配線の交差部に設けられた薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下「TFT」という)と、信号配線およびTFTを介して映像信号が与えられる画素電極と、層間絶縁膜を間に挟んで画素電極と対向し、画素電極との間にフリンジ電界を発生させる共通電極を有するTFTアレイ基板を備えている。 The FFS type liquid crystal display device has a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent insulating substrates, and a plurality of transparent insulating substrates arranged in a matrix on the liquid crystal layer side of one transparent insulating substrate with an insulating film sandwiched therebetween. A scanning line and a signal line, a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) provided at an intersection of the scanning line and the signal line, and a pixel electrode to which a video signal is applied via the signal line and the TFT. A TFT array substrate is provided which has a common electrode facing the pixel electrode with an interlayer insulating film interposed therebetween and generating a fringe electric field between the pixel electrode and the pixel electrode.

液晶表示装置においては、小型化や高精密度化が進む一方で、製造工程での不良発生の低減要求も高まっている。様々な不良要因があるが、その一つとして、製造工程での異物混入などにより絶縁不良を起こし、信号配線が共通電極と短絡するソース―コモン間短絡不良が挙げられる。ソース―コモン間短絡不良が生じると、当該短絡箇所のソース信号配線の表示信号が共通電極電位の影響を受けて、表示画面上で線欠陥表示不良となることが多い。 In liquid crystal display devices, while miniaturization and higher precision are progressing, demands for reducing the occurrence of defects in the manufacturing process are also increasing. There are various failure factors, and one of them is a source-common short-circuit failure in which a signal wiring is short-circuited with a common electrode due to insulation failure due to foreign matter mixing in the manufacturing process. When a source-common short-circuit defect occurs, the display signal of the source signal wiring at the short-circuited portion is often affected by the common electrode potential, resulting in a line defect display defect on the display screen.

特に、FFS方式のTFTアレイ基板においては、共通電極は、表示領域全体を覆う構造であるため、IPS(In−Plane Switching:登録商標)方式やTN(Twisted Nematic)方式のTFTアレイ基板にくらべて、共通電極が、信号配線を覆っている面積が格段に広く、信号配線が共通電極と短絡するソース―コモン間短絡不良が発生する確率が非常に大きい。 Particularly, in the FFS type TFT array substrate, the common electrode has a structure that covers the entire display area, and therefore, compared with the IPS (In-Plane Switching: registered trademark) type or TN (Twisted Nematic) type TFT array substrate. The area where the common electrode covers the signal wiring is remarkably large, and the probability of a source-common short circuit failure in which the signal wiring short-circuits with the common electrode occurs is very high.

TFTアレイ基板の完成後には、このような不良を検出するアレイ検査を行っている。ソース―コモン間短絡不良に関しては、信号配線、走査配線の各々の電極端子に電気検査用のプローブを当て、電圧を印加して電気的な検査を行い、短絡している信号配線を特定することができる。 After the completion of the TFT array substrate, an array inspection is performed to detect such defects. For source-common short circuit failure, apply a probe for electrical inspection to each electrode terminal of the signal wiring and scanning wiring, apply a voltage and perform electrical inspection to identify the shorted signal wiring. You can

しかし、このような信号配線と共通電極との間の短絡は、例えば、層間絶縁膜に異物やピンホールなどが存在して絶縁不良となるものであり、不良原因の痕跡が小さいことが多く、短絡している信号配線を特定できても、短絡位置(画素アドレス)が当該信号配線のどこであるかを特定するのは困難である。 However, such a short circuit between the signal wiring and the common electrode is, for example, a foreign substance or a pinhole is present in the interlayer insulating film, which causes insulation failure, and the trace of the cause of the failure is often small. Even if the short-circuited signal wiring can be specified, it is difficult to specify where the short-circuited position (pixel address) is on the signal wiring.

一方では、例えば、特許文献1には、液晶パネルの、信号配線と共通電極の間の短絡不良に対して、共通電極配線にそれぞれ電極パッドを設け、さらに、配線接続用のスイッチング素子を介して各共通電極配線と、共通電極電位を供給する給電配線とを接続して、共通電極配線と信号配線との短絡位置を特定する技術が開示されている。 On the other hand, for example, in Patent Document 1, for a short circuit defect between a signal wire and a common electrode of a liquid crystal panel, an electrode pad is provided on each common electrode wire, and a switching element for wire connection is provided. A technique is disclosed in which each common electrode wiring is connected to a power supply wiring that supplies a common electrode potential to identify a short-circuit position between the common electrode wiring and the signal wiring.

特開平11−15020号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-15020

しかし、上記のような、配線接続用のスイッチング素子を介して各共通電極配線と、共通電極電位を供給する給電配線とを接続する表示装置用基板においては、配線接続用のスイッチング素子を別途設ける必要があるので構造が複雑になって、設計上の制約が生じて、生産性が低下するという問題があった。 However, in the display device substrate in which each common electrode wiring is connected to the power supply wiring for supplying the common electrode potential through the wiring connection switching element as described above, a wiring connection switching element is separately provided. Since it is necessary, there is a problem that the structure becomes complicated, design restrictions occur, and productivity decreases.

本発明は上記のような問題を解決するためになされたものであり、簡易な構造で共通電極と信号配線との短絡位置を特定することができる、表示装置用基板およびその製造方法、表示パネルならびに表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and is capable of identifying a short circuit position between a common electrode and a signal wiring with a simple structure, a display device substrate, a method for manufacturing the same, and a display panel. Another object is to provide a display device.

本発明に係る表示装置用基板、表示パネルおよび表示装置は、透明な絶縁性の基板の上に形成された、マトリクス状に配設された複数の走査配線および信号配線と、走査配線および信号配線の交差部に設けられた薄膜トランジスタと、走査配線に接続された、薄膜トランジスタのゲート電極と、信号配線に接続された、薄膜トランジスタのソース電極と、薄膜トランジスタのドレイン電極と、ドレイン電極に接続された画素電極と、層間絶縁膜を間に挟んで画素電極と対向し、画素電極との間でフリンジ電界を発生させる共通電極と、共通電極に接続され、共通電極に共通電極電位を供給する共通電極共通電極電位供給端子と、を有する表示装置用基板であって、走査配線の長さ方向の画素電極が形成されている表示領域の両端部の外側に、走査配線1ライン毎に、通電極に接続された検査端子を有するものである。
A display device substrate, a display panel, and a display device according to the present invention are provided with a plurality of scanning wirings and signal wirings arranged in a matrix on a transparent insulating substrate, and scanning wirings and signal wirings. , A thin film transistor provided at the intersection of, a gate electrode of the thin film transistor connected to the scanning wiring, a source electrode of the thin film transistor connected to the signal wiring, a drain electrode of the thin film transistor, and a pixel electrode connected to the drain electrode And a common electrode facing the pixel electrode with an interlayer insulating film interposed therebetween and generating a fringe electric field between the pixel electrode and the common electrode, and a common electrode connected to the common electrode and supplying a common electrode potential to the common electrode. a display device substrate having a potential supply terminal, and on the outside of both ends of the display area where the length direction of the pixel electrode of the scanning lines are formed, the scan lines for each line, connected to the common electrode It has the inspection terminal which was done.

また、本発明に係る表示装置用基板の製造方法は、透明な絶縁性の基板の上に形成された、マトリクス状に配設された複数の走査配線および信号配線と、走査配線および信号配線の交差部に設けられた薄膜トランジスタと、走査配線に接続された、薄膜トランジスタのゲート電極と、信号配線に接続された、薄膜トランジスタのソース電極と、薄膜トランジスタのドレイン電極と、ドレイン電極に接続された画素電極と、層間絶縁膜を間に挟んで画素電極と対向し、画素電極との間でフリンジ電界を発生させる共通電極と、共通電極に接続され、共通電極に共通電極電位を供給する共通電極電位供給端子と、を有し、走査配線の長さ方向の画素電極が形成されている表示領域の両端部の外側に、走査配線1ライン毎に、通電極に接続された検査端子を有する表示装置用基板の製造方法であって、信号配線の信号配線端子と検査端子との間の電気抵抗を測定する工程と、電気抵抗が最も小さくなる検査端子と信号配線端子との組合せから、信号配線と共通電極との間の短絡部の位置を特定する工程と、を含むものである。
In addition, the method for manufacturing a display device substrate according to the present invention includes a plurality of scanning wirings and signal wirings arranged in a matrix and formed on a transparent insulating substrate, and the scanning wirings and the signal wirings. A thin film transistor provided at the intersection, a gate electrode of the thin film transistor connected to the scanning wiring, a source electrode of the thin film transistor connected to the signal wiring, a drain electrode of the thin film transistor, and a pixel electrode connected to the drain electrode. , A common electrode facing the pixel electrode with an interlayer insulating film sandwiched therebetween and generating a fringe electric field with the pixel electrode, and a common electrode potential supply terminal connected to the common electrode and supplying a common electrode potential to the common electrode If, having, on the outside of both ends of the display area where the length direction of the pixel electrode of the scanning lines are formed, the scan lines for each line, for a display device having a test terminal which is connected to the common electrode A method of manufacturing a substrate, which is common to signal wiring, from the step of measuring the electric resistance between the signal wiring terminal of the signal wiring and the inspection terminal and the combination of the inspection terminal and the signal wiring terminal with the smallest electric resistance. And a step of specifying the position of the short-circuited portion between the electrode and the electrode.

本発明に係る、表示装置用基板、表示パネルおよび表示装置によれば、共通電極と信号配線との短絡が発生した場合でも、簡易な構造で共通電極と信号配線との短絡位置を特定することができる。 According to the display device substrate, the display panel, and the display device of the present invention, even if a short circuit occurs between the common electrode and the signal wiring, the short circuit position between the common electrode and the signal wiring can be identified with a simple structure. You can

また、本発明に係る、表示装置用基板の製造方法によれば、共通電極と信号配線との短絡が発生した場合でも、簡易な構造で共通電極と信号配線との短絡位置を特定することができる表示装置用基板を提供することができる。 Further, according to the method for manufacturing a display device substrate according to the present invention, even if a short circuit occurs between the common electrode and the signal wiring, it is possible to identify the short circuit position between the common electrode and the signal wiring with a simple structure. It is possible to provide a display device substrate.

本発明の実施の形態1のTFTアレイ基板を示す上面図である。FIG. 3 is a top view showing the TFT array substrate according to the first embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態1のTFTアレイ基板を示す上面図である。FIG. 3 is a top view showing the TFT array substrate according to the first embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態1のTFTアレイ基板を示す上面図である。FIG. 3 is a top view showing the TFT array substrate according to the first embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態1の図3におけるA−A部の断面図である。It is sectional drawing of the AA part in FIG. 3 of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1の図3におけるB−B部の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a BB portion in FIG. 3 of the first embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態1のTFTアレイ基板を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the TFT array substrate according to the first embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態1のTFTアレイ基板を示す上面図である。FIG. 3 is a top view showing the TFT array substrate according to the first embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態2のTFTアレイ基板を示す上面図である。It is a top view which shows the TFT array substrate of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2のTFTアレイ基板を示す上面図である。It is a top view which shows the TFT array substrate of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2のTFTアレイ基板を示す上面図である。It is a top view which shows the TFT array substrate of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2のTFTアレイ基板を示す上面図である。It is a top view which shows the TFT array substrate of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態3のTFTアレイ基板を示す上面図である。It is a top view which shows the TFT array substrate of Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3のTFTアレイ基板を示す上面図である。It is a top view which shows the TFT array substrate of Embodiment 3 of this invention.

実施の形態1.
第1に、本発明の実施の形態1の表示装置用基板であるTFTアレイ基板100の構成を説明する。図1および図2は、本発明の実施の形態1のTFTアレイ基板100を示す上面図である。図1は、TFTアレイ基板100の概略を示した図である。図2は、図1を詳細に表した図である。
Embodiment 1.
First, the structure of the TFT array substrate 100, which is the display device substrate according to the first embodiment of the present invention, will be described. 1 and 2 are top views showing a TFT array substrate 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a diagram showing an outline of the TFT array substrate 100. FIG. 2 is a diagram showing FIG. 1 in detail.

図1および図2において、TFTアレイ基板100には、複数の走査配線2bおよび信号配線5bが、それぞれマトリックス状に配設されている。走査配線2bおよび信号配線5bの交差部に、TFT13が設けられ、TFT13は、走査配線2bに接続されたゲート電極2cと、信号配線5bに接続されたソース電極5cと、ドレイン電極6を有している。 1 and 2, the TFT array substrate 100 has a plurality of scanning wirings 2b and signal wirings 5b arranged in a matrix. A TFT 13 is provided at the intersection of the scanning wiring 2b and the signal wiring 5b, and the TFT 13 has a gate electrode 2c connected to the scanning wiring 2b, a source electrode 5c connected to the signal wiring 5b, and a drain electrode 6. ing.

また、TFTアレイ基板100は、走査配線2bに走査信号を供給するための走査配線端子2aと、信号配線5bに映像信号を供給するための信号配線端子5aを有している。 Further, the TFT array substrate 100 has a scanning wiring terminal 2a for supplying a scanning signal to the scanning wiring 2b and a signal wiring terminal 5a for supplying a video signal to the signal wiring 5b.

さらに、ドレイン電極6に接続された画素電極7と、層間絶縁膜8を間に挟んで画素電極7と対向し、画素電極7との間でフリンジ電界を発生させる共通電極9と、共通電極9に接続され、共通電極9に共通電極電位を供給する共通電極電位供給端子10を有している。 Further, the pixel electrode 7 connected to the drain electrode 6 and the common electrode 9 facing the pixel electrode 7 with the interlayer insulating film 8 interposed therebetween and generating a fringe electric field with the pixel electrode 7, and the common electrode 9 And a common electrode potential supply terminal 10 for supplying a common electrode potential to the common electrode 9.

さらに、走査配線2bの長さ方向の表示領域の両端部の外側に、走査配線2bの1ライン毎に、共通電極9に接続された検査端子11を有している。また、共通電極9は、信号配線5bの長さ方向の表示領域の部の外側に、信号配線5bの1ライン毎に、共通電極9に接続された検査端子11を有している。尚、本発明の明細書において、表示領域とは、画素が形成されている領域を指す。
Further, the inspection terminals 11 connected to the common electrode 9 are provided outside the both ends of the display area in the lengthwise direction of the scanning wiring 2b for each line of the scanning wiring 2b. Further, the common electrode 9 has an inspection terminal 11 connected to the common electrode 9 for each line of the signal wiring 5b outside the end of the display area in the length direction of the signal wiring 5b. In the specification of the present invention, the display area refers to an area where pixels are formed.

図1および図2に示すように、共通電極9は、各画素内において共通電極スリット部16を除いて、表示領域全体を覆っている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the common electrode 9 covers the entire display area in each pixel except the common electrode slit portion 16.

図3は、本発明の実施の形態1のTFTアレイ基板100を示す上面図である。図3は、図2の右下部分の拡大図である。また、図4は、本発明の実施の形態1の図3における画素のA−A部の断面図である。図5は、本発明の実施の形態1の図3における検査端子11のB−B部の断面図である。 FIG. 3 is a top view showing the TFT array substrate 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is an enlarged view of the lower right portion of FIG. Further, FIG. 4 is a cross-sectional view of the portion AA of the pixel in FIG. 3 of Embodiment 1 of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view of the BB portion of the inspection terminal 11 in FIG. 3 of the first embodiment of the present invention.

図4において、透明な絶縁性のガラス基板1の上に、ゲート電極2c、ゲート絶縁膜3、a-Si(i)層4a、a-Si(n)層4b、信号配線5b、ソース電極5c、ドレイン電極6、画素電極7、層間絶縁膜8および共通電極9が形成されている。 In FIG. 4, a gate electrode 2c, a gate insulating film 3, an a-Si(i) layer 4a, an a-Si(n) layer 4b, a signal wiring 5b, and a source electrode 5c are provided on a transparent insulating glass substrate 1. A drain electrode 6, a pixel electrode 7, an interlayer insulating film 8 and a common electrode 9 are formed.

また、図5において、ガラス基板1の上に、ゲート電極2cと同時に形成された検査端子下層電11aと、コンタクトホール12を介して、共通電極9と同時に形成された検査端子上層電極11bと、が形成されている。 Further, in FIG. 5, an inspection terminal lower layer electrode 11a formed simultaneously with the gate electrode 2c on the glass substrate 1, and an inspection terminal upper layer electrode 11b formed simultaneously with the common electrode 9 through the contact hole 12, Are formed.

第2に、本発明の実施の形態1のTFTアレイ基板100がソース―コモン間短絡部15を有する場合の構成を説明する。図6は、本発明の実施の形態1のTFTアレイ基板101を示す断面図である。図6は、図4のTFTアレイ基板100が、ソース―コモン間短絡部15を有する状態に対応している。 Secondly, a configuration in which the TFT array substrate 100 according to the first embodiment of the present invention has the source-common short-circuit portion 15 will be described. FIG. 6 is a sectional view showing the TFT array substrate 101 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 6 corresponds to a state in which the TFT array substrate 100 of FIG. 4 has the source-common short-circuit portion 15.

図6において、異物14が信号配線5bの上に存在し、信号配線5bとその上部の共通電極9とが異物14により短絡している。その他の構成は、図4に示す、ソース―コモン間短絡を有しない場合の構成と同様であるため、説明を省略する。 In FIG. 6, the foreign material 14 exists on the signal wiring 5b, and the signal wiring 5b and the common electrode 9 above it are short-circuited by the foreign material 14. The other configurations are the same as the configurations shown in FIG. 4 in the case where the source-common short circuit is not provided, and thus the description thereof is omitted.

ここで、ソース―コモン間短絡が生じるメカニズムの一例を説明する。基板面上などに異物14が混入した場合、断線や短絡、また絶縁不良など様々な欠陥が生じる。写真製版工程をはじめとするアレイ製造工程は、異物14をできる限り排除した、いわゆる「クリーンルーム」において製造されている。 Here, an example of a mechanism that causes a short circuit between the source and the common will be described. When the foreign matter 14 is mixed on the surface of the substrate, various defects such as disconnection, short circuit, and poor insulation occur. The array manufacturing process including the photolithography process is manufactured in a so-called "clean room" in which the foreign matter 14 is removed as much as possible.

しかし、例えば、製造装置から発生する微小な異物14が基板面上などに混入することがある。信号配線5b形成時または形成後に、異物14が信号配線5bの上に混入した場合、信号配線5bとその上部の共通電極9とが異物14により短絡する場合が多い。 However, for example, minute foreign matter 14 generated from the manufacturing apparatus may be mixed on the substrate surface or the like. When the foreign matter 14 is mixed on the signal wiring 5b during or after the formation of the signal wiring 5b, the foreign matter 14 often short-circuits the signal wiring 5b and the common electrode 9 above it.

第3に、本発明の実施の形態1の液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図7は、本発明の実施の形態1のTFTアレイ基板101を示す上面図である。図7は、図1のTFTアレイ基板100が、ソース―コモン間短絡部15を有する状態に対応している。 Thirdly, a method of manufacturing the liquid crystal display device substrate according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a top view showing the TFT array substrate 101 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 7 corresponds to the state where the TFT array substrate 100 of FIG. 1 has the source-common short-circuit portion 15.

まず、TFTアレイ基板101において、信号配線5bの信号配線端子5aと検査端子11との間の電気抵抗を測定する工程を実施する。具体的には、図7において、検査端子11の1つ、例えばGR1(11)と、各信号配線端子5aのそれぞれに検査プローブを接触させて、順次電圧を印加して、電気抵抗を測定する。その結果、ソース―コモン間短絡部15を有する場合は、ソース―コモン間短絡欠陥のある信号配線Sdの信号配線端子STdのみが、導通レベルの電気抵抗値となる。 First, in the TFT array substrate 101, a step of measuring the electric resistance between the signal wiring terminal 5a of the signal wiring 5b and the inspection terminal 11 is carried out. Specifically, in FIG. 7, an inspection probe is brought into contact with one of the inspection terminals 11, for example, GR1 (11) and each of the signal wiring terminals 5a, and a voltage is sequentially applied to measure the electric resistance. .. As a result, when the source-common short-circuit portion 15 is provided, only the signal wiring terminal STd of the signal wiring Sd having the source-common short-circuit defect has the electrical resistance value of the conduction level.

さらに、図7において、ソース―コモン間短絡欠陥のある信号配線Sdの信号配線端子STdと、検査端子GR1(11)、GR2(11)、・・・、GRm−1(11)、GRm(11)、S1(11)、・・・、Sn(11)、GLm(11)、GLm−1(11)、・・・、GL2(11)、GL1(11)のそれぞれに検査プローブを接触させて、順次電圧を印加して、電気抵抗を測定する。 Further, in FIG. 7, the signal wiring terminal STd of the signal wiring Sd having the source-common short circuit defect and the inspection terminals GR1(11), GR2(11),..., GRm-1(11), GRm(11 ), S1(11),..., Sn(11), GLm(11), GLm-1(11),.., GL2(11), GL1(11) by contacting each with a test probe. Then, the voltage is sequentially applied to measure the electric resistance.

ここで、導体の電気抵抗率をρ、導体の長さ(距離)をL、導体の断面積をAとすると、電気抵抗Rは、R=ρ×L/Aで示される。ρ/A=kとすると、kはほぼ一定と考えられるので、R=kLとなり、電気抵抗Rは導体の長さ(距離)Lに比例する。尚、説明を簡略化するため、本説明においては、検査装置と各端子間の接触抵抗、ソース―コモン間短絡部15の抵抗、信号配線抵抗等は省いて説明した。 Here, assuming that the electrical resistivity of the conductor is ρ, the length (distance) of the conductor is L, and the cross-sectional area of the conductor is A, the electrical resistance R is represented by R=ρ×L/A. When ρ/A=k, k is considered to be almost constant, so R=kL, and the electric resistance R is proportional to the length (distance) L of the conductor. In order to simplify the description, the contact resistance between the inspection device and each terminal, the resistance of the source-common short-circuit portion 15, the signal wiring resistance and the like are omitted in this description.

このようにして測定した、ソース―コモン間短絡欠陥のある信号配線Sdの信号配線端子STdと、各検査端子11との間の電気抵抗は、ソース―コモン間短絡部15と各検査端子11との間の導体の長さ(距離)に応じて電気抵抗の値が変化する。 The electrical resistance between the signal wiring terminal STd of the signal wiring Sd having the source-common short-circuit defect and each of the inspection terminals 11 measured in this manner is as follows. The value of the electric resistance changes according to the length (distance) of the conductor between them.

次に、電気抵抗が最も小さくなる検査端子11と信号配線端子STdとの組合せから、信号配線5bと共通電極9との間の短絡部の位置を特定する工程を実施する。具体的には、図7に示す例においては、ソース―コモン間短絡部15と検査端子GR2(11)との間の距離が最も短く、電気抵抗が最も小さい値となる。 Next, the step of specifying the position of the short-circuited portion between the signal wiring 5b and the common electrode 9 is carried out from the combination of the inspection terminal 11 and the signal wiring terminal STd having the smallest electric resistance. Specifically, in the example shown in FIG. 7, the distance between the source-common short-circuit portion 15 and the inspection terminal GR2 (11) is the shortest and the electric resistance is the smallest.

このことから検査端子GR2(11)と信号配線端子STdとの交点の画素またはその近傍にソース―コモン間短絡部15があることが特定される。 From this, it is specified that the source-common short-circuit portion 15 is present at or near the pixel at the intersection of the inspection terminal GR2 (11) and the signal wiring terminal STd.

この後、修復リペアされ、各部材と組み合わされて液晶表示パネル、さらに各部材と組み合わされて液晶表示装置となる。 After that, repair repair is performed, and the liquid crystal display panel is combined with each member, and further the liquid crystal display device is combined with each member.

本発明の実施の形態1の表示装置用基板、表示パネルおよび表示装置では、ガラス基板1の上に形成された、層間絶縁膜8を間に挟んで画素電極7と対向し、画素電極7との間でフリンジ電界を発生させる共通電極9を有する表示装置用基板であって、走査配線2bの長さ方向の表示領域の両端部の外側に、走査配線2bの1ライン毎に、少なくとも1つの共通電極9に接続された検査端子11を有するので、共通電極9と信号配線5bとの短絡が発生した場合でも、簡易な構造で共通電極9と信号配線5bとの短絡位置を特定することができる。 In the display device substrate, the display panel, and the display device according to the first embodiment of the present invention, the pixel electrode 7 is formed on the glass substrate 1 so as to face the pixel electrode 7 with the interlayer insulating film 8 interposed therebetween. A substrate for a display device having a common electrode 9 for generating a fringe electric field between the scanning lines 2b, and at least one for each line of the scanning lines 2b outside the both ends of the display region in the length direction of the scanning lines 2b. Since the inspection terminal 11 connected to the common electrode 9 is provided, even if a short circuit occurs between the common electrode 9 and the signal wiring 5b, the short-circuit position between the common electrode 9 and the signal wiring 5b can be specified with a simple structure. it can.

本発明の実施の形態1の表示装置用基板、表示パネルおよび表示装置では、共通電極9は、信号配線5bの長さ方向の表示領域の部の外側に、信号配線5bの1ライン毎に、少なくとも1つの共通電極9に接続された検査端子11を有するので、共通電極9と信号配線5bとの短絡が発生した場合でも、簡易な構造で共通電極9と信号配線5bとの短絡位置を特定することができる。 In the display device substrate, the display panel, and the display device according to the first embodiment of the present invention, the common electrode 9 is provided outside the end portion of the display region in the lengthwise direction of the signal wiring 5b and for each line of the signal wiring 5b. Since the inspection terminal 11 connected to at least one common electrode 9 is provided, even if a short circuit occurs between the common electrode 9 and the signal wiring 5b, the short-circuit position between the common electrode 9 and the signal wiring 5b can be achieved with a simple structure. Can be specified.

さらに、走査配線2bの1ライン毎に、共通電極9に接続された検査端子11と、信号配線5bの1ライン毎に、共通電極9に接続された検査端子11を有するので、ソース―コモン間短絡部15と検査端子11との距離に比例する電気抵抗の情報がより多く得られ、共通電極9と信号配線5bとの短絡位置をより正確に特定することができる。 Further, since each line of the scanning wiring 2b has an inspection terminal 11 connected to the common electrode 9 and each line of the signal wiring 5b has an inspection terminal 11 connected to the common electrode 9, a source-common connection is provided. More information on the electric resistance proportional to the distance between the short-circuit portion 15 and the inspection terminal 11 is obtained, and the short-circuit position between the common electrode 9 and the signal wiring 5b can be specified more accurately.

本発明の実施の形態1の表示装置用基板の製造方法は、ガラス基板1の上に形成された、層間絶縁膜8を間に挟んで画素電極7と対向し、画素電極7との間でフリンジ電界を発生させる共通電極9を有し、走査配線2bの長さ方向の表示領域の両端部の外側に、走査配線2bの1ライン毎に、少なくとも1つの共通電極9に接続された検査端子11を有する表示装置用基板の製造方法であって、信号配線5bの信号配線端子5aと検査端子11との間の電気抵抗を測定する工程と、電気抵抗が最も小さくなる検査端子11と信号配線端子5aとの組合せから、信号配線5bと共通電極9との間の短絡部の位置を特定する工程とを含むので、共通電極9と信号配線5bとの短絡が発生した場合でも、簡易な構造で共通電極9と信号配線5bとの短絡位置を特定することができる。 The method for manufacturing the display device substrate according to the first embodiment of the present invention is configured to face the pixel electrode 7 formed on the glass substrate 1 with the interlayer insulating film 8 interposed therebetween and to be provided between the pixel electrode 7 and the pixel electrode 7. An inspection terminal having a common electrode 9 for generating a fringe electric field and connected to at least one common electrode 9 for each line of the scanning wiring 2b outside the both ends of the display area in the longitudinal direction of the scanning wiring 2b. 1. A method of manufacturing a display device substrate having 11, a step of measuring an electric resistance between a signal wiring terminal 5a of a signal wiring 5b and an inspection terminal 11, and an inspection terminal 11 and a signal wiring having the smallest electric resistance. The step of specifying the position of the short-circuited portion between the signal wiring 5b and the common electrode 9 based on the combination with the terminal 5a is included. Therefore, even if a short circuit occurs between the common electrode 9 and the signal wiring 5b, a simple structure is provided. The position of the short circuit between the common electrode 9 and the signal wiring 5b can be specified by.

尚、本発明の実施の形態1においては、共通電極9は、信号配線5bの長さ方向の表示領域の、信号配線端子5aと反対側の端部の外側で、信号配線5bの1ライン毎に、共通電極9に接続された検査端子11を有する例を示したが、信号配線端子5aと同じ側であってもよく、さらに、信号配線5bの長さ方向の表示領域の両端部の外側に検査端子11を有してもよく、同様の効果を有する。 In the first embodiment of the present invention, the common electrode 9 is provided for each line of the signal wiring 5b outside the end of the display area in the length direction of the signal wiring 5b opposite to the signal wiring terminal 5a. Although the example in which the inspection terminal 11 connected to the common electrode 9 is provided is shown in FIG. 7, it may be on the same side as the signal wiring terminal 5a, and further outside the both ends of the display area in the length direction of the signal wiring 5b. The inspection terminal 11 may be provided in the above, and the same effect is obtained.

実施の形態2.
本発明の実施の形態2のTFTアレイ基板200は、共通電極9の形状および検査端子11の配置が、本発明の実施の形態1と異なる。
Embodiment 2.
The TFT array substrate 200 according to the second embodiment of the present invention differs from the first embodiment of the present invention in the shape of the common electrode 9 and the arrangement of the inspection terminals 11.

第1に、本発明の実施の形態2の表示装置用基板であるTFTアレイ基板200の構成を説明する。図8および図9は、本発明の実施の形態2のTFTアレイ基板200を示す上面図である。図8は、TFTアレイ基板200の概略を示した図である。図9は、図8を詳細に表した図である。 First, the configuration of the TFT array substrate 200 that is the display device substrate according to the second embodiment of the present invention will be described. 8 and 9 are top views showing a TFT array substrate 200 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 8 is a diagram showing an outline of the TFT array substrate 200. FIG. 9 is a diagram showing FIG. 8 in detail.

図8は、図1に対応し、図9は図2に対応する図である。図8および図9において、図1および図2と同一または相当する部分には同一符号を付し、説明を省略する。 FIG. 8 corresponds to FIG. 1 and FIG. 9 corresponds to FIG. 8 and 9, parts that are the same as or correspond to those in FIGS. 1 and 2 are given the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted.

図8および図9に示すように、TFTアレイ基板200は、走査配線2bの長さ方向の表示領域の両端部の外側に、走査配線2bの1ライン毎に、共通電極9に接続された検査端子11を有している。 As shown in FIGS. 8 and 9, the TFT array substrate 200 is connected to the common electrode 9 for each line of the scanning wiring 2b outside the both ends of the display area in the length direction of the scanning wiring 2b. It has a terminal 11.

また、共通電極9は、走査配線2bの長さ方向の表示領域の一方の端部および、他方の端部において、走査配線2bの1ライン毎に交互に折り返して連続したパターンとなっている。 Further, the common electrode 9 has a pattern in which one end and the other end of the display region in the lengthwise direction of the scanning wiring 2b are alternately folded back for each line of the scanning wiring 2b and have a continuous pattern.

図10は、本発明の実施の形態2のTFTアレイ基板200を示す上面図である。図10は、図9の右下部分の拡大図である。また、図10は、図3に対応する図である。図10において、図3と同一または相当する部分には同一符号を付し、説明を省略する。 FIG. 10 is a top view showing a TFT array substrate 200 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 10 is an enlarged view of the lower right portion of FIG. Further, FIG. 10 is a diagram corresponding to FIG. 3. 10, parts that are the same as or correspond to those in FIG. 3 are given the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted.

第2に、本発明の実施の形態2の液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図11は、本発明の実施の形態2のTFTアレイ基板201を示す上面図である。図11は、図8のTFTアレイ基板200が、ソース―コモン間短絡部15を有する状態に対応している。 Secondly, a method of manufacturing the substrate for liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 11 is a top view showing a TFT array substrate 201 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 11 corresponds to the state where the TFT array substrate 200 of FIG. 8 has the source-common short-circuit portion 15.

まず、TFTアレイ基板201において、信号配線5bの信号配線端子5aと検査端子11との間の電気抵抗を測定する工程を実施する。具体的には、図11において、検査端子11の1つ、例えばC1(11)と、各信号配線端子5aのそれぞれに検査プローブを接触させて、順次電圧を印加して、電気抵抗を測定する。その結果、ソース―コモン間短絡部15を有する場合は、ソース―コモン間短絡欠陥のある信号配線Sdの信号配線端子STdのみが、導通レベルの電気抵抗値となる。 First, in the TFT array substrate 201, a step of measuring the electrical resistance between the signal wiring terminal 5a of the signal wiring 5b and the inspection terminal 11 is performed. Specifically, in FIG. 11, an inspection probe is brought into contact with one of the inspection terminals 11, for example, C1 (11) and each of the signal wiring terminals 5a, and a voltage is sequentially applied to measure the electric resistance. .. As a result, when the source-common short-circuit portion 15 is provided, only the signal wiring terminal STd of the signal wiring Sd having the source-common short-circuit defect has the electrical resistance value of the conduction level.

その後、図11において、ソース―コモン間短絡欠陥のある信号配線Sdの信号配線端子STdと、検査端子C1(11)、C2(11)、C3(11)、・・・、Cp−1(11)、Cp(11)に順次検査プローブを接触させて電圧を印加し、電気抵抗を測定する。電気抵抗の値は、ソース―コモン間短絡部15と各検査端子11との間の、導体の長さ(距離)に比例する。 Thereafter, in FIG. 11, the signal wiring terminal STd of the signal wiring Sd having the source-common short circuit defect and the inspection terminals C1(11), C2(11), C3(11),..., Cp-1(11 ) And Cp (11) are sequentially brought into contact with an inspection probe to apply a voltage, and the electric resistance is measured. The value of the electric resistance is proportional to the length (distance) of the conductor between the source-common short-circuit portion 15 and each inspection terminal 11.

このようにして測定した、ソース―コモン間短絡欠陥のある信号配線Sdの信号配線端子STdと、各検査端子11との間の電気抵抗の値は、ソース―コモン間短絡部15と各検査端子11との間の距離に応じて電気抵抗の値が変化する。 The value of the electric resistance between the signal wiring terminal STd of the signal wiring Sd having the source-common short-circuit defect and each of the inspection terminals 11 measured in this way is the source-common short-circuit portion 15 and each of the inspection terminals. The value of the electric resistance changes according to the distance between the electric field and the electric field.

次に、電気抵抗が最も小さくなる検査端子11と信号配線端子STdとの組合せから、信号配線5bと共通電極9との間の短絡部の位置を特定する工程を実施する。具体的には、図11に示す例においては、電気抵抗の値は、検査端子C2(11)で最も小さい値を示す。 Next, the step of specifying the position of the short-circuited portion between the signal wiring 5b and the common electrode 9 is carried out from the combination of the inspection terminal 11 and the signal wiring terminal STd having the smallest electric resistance. Specifically, in the example shown in FIG. 11, the value of the electric resistance shows the smallest value at the inspection terminal C2(11).

このことから、欠陥のある信号配線端子STdと、電気抵抗の値が最も小さくなる検査端子C2(11)との交点部近傍の2つの画素のいずれかにソース―コモン間短絡部15があることがわかり、欠陥部位が特定される。 From this, the source-common short-circuit portion 15 is present in either of the two pixels near the intersection of the defective signal wiring terminal STd and the inspection terminal C2 (11) having the smallest electric resistance value. And the defective portion is identified.

この後、修復リペアされ、各部材と組み合わされて液晶表示パネル、さらに各部材と組み合わされて液晶表示装置となる。 After that, repair repair is performed, and the liquid crystal display panel is combined with each member, and further the liquid crystal display device is combined with each member.

本発明の実施の形態2の表示装置用基板、表示パネルおよび表示装置では、共通電極9は、走査配線2bの長さ方向の表示領域の一方の端部および、他方の端部において、走査配線2bの1ライン毎に交互に折り返して連続したパターンであるので、共通電極9と信号配線5bとの短絡が発生した場合でも、簡易な構造で共通電極9と信号配線5bとの短絡位置を特定することができる。 In the display device substrate, the display panel, and the display device according to the second embodiment of the present invention, the common electrode 9 has the scanning wiring at one end and the other end of the display area in the length direction of the scanning wiring 2b. Since it is a continuous pattern that is alternately folded back for each line 2b, even if a short circuit occurs between the common electrode 9 and the signal wiring 5b, the short-circuit position between the common electrode 9 and the signal wiring 5b can be specified with a simple structure. can do.

本発明の実施の形態2の表示装置用基板、表示パネルおよび表示装置では、共通電極9は、走査配線2bの長さ方向の表示領域の一方の端部および、他方の端部において、走査配線2bの1ライン毎に交互に折り返して連続したパターンであるので、隣接した1ライン毎の各検査端子11間において、ソース―コモン間短絡部15と各検査端子11との間の距離が、本発明の実施の形態1にくらべて長くなるので、各検査端子11における電気抵抗の値の差が大きくなって、共通電極9と信号配線5bとの短絡位置を、より正確に特定することができる。 In the display device substrate, the display panel, and the display device according to the second embodiment of the present invention, the common electrode 9 has the scanning wiring at one end and the other end of the display area in the length direction of the scanning wiring 2b. Since it is a pattern in which each line of 2b is alternately folded back and is continuous, the distance between the source-common short-circuit portion 15 and each test terminal 11 is the same between adjacent test terminals 11 for each line. Since the length is longer than that in the first embodiment of the invention, the difference in electric resistance value between the inspection terminals 11 becomes large, and the short-circuit position between the common electrode 9 and the signal wiring 5b can be specified more accurately. ..

実施の形態3.
本発明の実施の形態3のTFTアレイ基板300は、共通電極9の形状および検査端子11の配置が、本発明の実施の形態1と異なる。
Embodiment 3.
The TFT array substrate 300 according to the third embodiment of the present invention differs from the first embodiment of the present invention in the shape of the common electrode 9 and the arrangement of the inspection terminals 11.

第1に、本発明の実施の形態3の表示装置用基板であるTFTアレイ基板300の構成を説明する。図12は、本発明の実施の形態3のTFTアレイ基板300を示す上面図である。図12は、TFTアレイ基板300の概略を示した図である。 First, the configuration of the TFT array substrate 300 which is the display device substrate according to the third embodiment of the present invention will be described. FIG. 12 is a top view showing a TFT array substrate 300 according to the third embodiment of the present invention. FIG. 12 is a diagram showing an outline of the TFT array substrate 300.

図12は、図1に対応する図である。図12において、図1と同一または相当する部分には同一符号を付し、説明を省略する。 FIG. 12 is a diagram corresponding to FIG. 1. 12, parts that are the same as or correspond to those in FIG. 1 are given the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted.

図12に示すように、TFTアレイ基板300は、走査配線2bの長さ方向の表示領域の両端部の外側に、走査配線2bの1ライン毎に、共通電極9に接続された検査端子11を有している。 As shown in FIG. 12, the TFT array substrate 300 has inspection terminals 11 connected to the common electrode 9 for each line of the scanning wiring 2b outside the both ends of the display area in the length direction of the scanning wiring 2b. Have

また、共通電極9は、表示領域において走査配線2bの1ライン毎に独立したパターンとなっている。尚、図12では図示を省略しているが、共通電極9は、各画素電極7との重なり部に共通電極スリット部16を有している。 Further, the common electrode 9 has an independent pattern for each line of the scanning wiring 2b in the display area. Although not shown in FIG. 12, the common electrode 9 has a common electrode slit portion 16 in the overlapping portion with each pixel electrode 7.

第2に、本発明の実施の形態3の液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図13は、本発明の実施の形態3のTFTアレイ基板301を示す上面図である。図13は、図12のTFTアレイ基板300が、ソース―コモン間短絡部15を有する状態に対応している。 Secondly, a method of manufacturing the liquid crystal display device substrate according to the third embodiment of the present invention will be described. FIG. 13 is a top view showing a TFT array substrate 301 according to the third embodiment of the present invention. FIG. 13 corresponds to the state where the TFT array substrate 300 of FIG. 12 has the source-common short-circuit portion 15.

まず、TFTアレイ基板301において、信号配線5bの信号配線端子5aと検査端子11との間の電気抵抗を測定する工程を実施する。具体的には、図13において、全検査端子G1(11)、G2(11)、・・・、Gm−1(11)、Gm(11)に同時に検査プローブを接触させて、すべての検査端子11を導通状態にする。その後、すべての検査端子11を導通状態にしたままで、検査端子11と、各信号配線端子5aに検査プローブを順次接触させて、電圧を印加して、検査端子11と各信号配線端子5aの間の電気抵抗を測定する。その結果、ソース―コモン間短絡部15を有する場合は、ソース―コモン間短絡欠陥のある信号配線Sdの信号配線端子STdのみが、導通レベルの電気抵抗値となる。 First, in the TFT array substrate 301, a step of measuring the electric resistance between the signal wiring terminal 5a of the signal wiring 5b and the inspection terminal 11 is performed. Specifically, in FIG. 13, all the inspection terminals G1(11), G2(11),..., Gm-1(11), Gm(11) are brought into contact with the inspection probes at the same time so that all the inspection terminals are inspected. 11 is made conductive. After that, with all the inspection terminals 11 kept in the conductive state, the inspection terminals 11 and the signal wiring terminals 5a are sequentially brought into contact with the inspection probes, and a voltage is applied to the inspection terminals 11 and the signal wiring terminals 5a. Measure the electrical resistance between them. As a result, when the source-common short-circuit portion 15 is provided, only the signal wiring terminal STd of the signal wiring Sd having the source-common short-circuit defect has the electrical resistance value of the conduction level.

その後、図13において、検査端子11の導通状態を解除した後、ソース―コモン間短絡欠陥のある信号配線Sdの信号配線端子STdと、検査端子G1(11)、G2(11)、・・・、Gm−1(11)、Gm(11)に検査プローブを順次接触させて、電圧を印加して、電気抵抗を測定する。 Then, in FIG. 13, after the conductive state of the inspection terminal 11 is released, the signal wiring terminal STd of the signal wiring Sd having the source-common short circuit defect and the inspection terminals G1(11), G2(11),. , Gm-1(11), Gm(11) are sequentially brought into contact with each other, and a voltage is applied to measure the electric resistance.

次に、電気抵抗が最も小さくなる検査端子11と信号配線端子STdとの組合せから、信号配線5bと共通電極9との間の短絡部の位置を特定する工程を実施する。具体的には、図13に示す例においては、ソース―コモン間短絡欠陥のある信号配線Sdの信号配線端子STdと、各検査端子11との間の電気抵抗の値は、ソース―コモン間短絡部15を有する検査端子G3(11)のみが導通レベルの抵抗値を示す。 Next, the step of specifying the position of the short-circuited portion between the signal wiring 5b and the common electrode 9 is carried out from the combination of the inspection terminal 11 and the signal wiring terminal STd having the smallest electric resistance. Specifically, in the example shown in FIG. 13, the value of the electric resistance between the signal wiring terminal STd of the signal wiring Sd having the source-common short circuit defect and each inspection terminal 11 is the source-common short circuit. Only the test terminal G3 (11) having the portion 15 shows the resistance value of the conduction level.

このことから、検査端子G3(11)と信号配線端子STdとの交点の画素にソース―コモン間短絡部15があることがわかり、欠陥部位が特定される。 From this, it is understood that the pixel at the intersection of the inspection terminal G3 (11) and the signal wiring terminal STd has the source-common short-circuit portion 15, and the defective portion is specified.

この後、修復リペアされる。また、各検査端子11をすべて電気的に導通させる工程をおこない、共通電極9に共通電極電位供給端子10からの共通電極電位が供給されるようにする。その後、各部材と組み合わされて液晶表示パネル、さらに各部材と組み合わされて液晶表示装置となる。 After this, repair repair is performed. Further, a step of electrically connecting all the inspection terminals 11 is performed so that the common electrode potential is supplied from the common electrode potential supply terminal 10 to the common electrode 9. After that, the liquid crystal display panel is combined with each member, and the liquid crystal display device is further combined with each member.

本発明の実施の形態3の表示装置用基板、表示パネルおよび表示装置では、共通電極9は、表示領域において走査配線2bの1ライン毎に独立して形成されているので、共通電極9と信号配線5bとの短絡が発生した場合でも、簡易な構造で共通電極9と信号配線5bとの短絡位置を特定することができる。 In the display device substrate, the display panel, and the display device according to the third embodiment of the present invention, the common electrode 9 is formed independently for each line of the scanning wiring 2b in the display region, so that the common electrode 9 and the signal are Even if a short circuit with the wiring 5b occurs, it is possible to specify the short circuit position between the common electrode 9 and the signal wiring 5b with a simple structure.

本発明の実施の形態3の表示装置用基板、表示パネルおよび表示装置では、共通電極9は、表示領域において走査配線2bの1ライン毎に独立して形成されているので、共通電極9と信号配線5bとの短絡が発生した場合でも、本発明の実施の形態1および本発明の実施の形態2の表示装置用基板、表示パネルおよび表示装置にくらべて、共通電極9と信号配線5bとの短絡位置を、より正確に特定することができる。 In the display device substrate, the display panel, and the display device according to the third embodiment of the present invention, the common electrode 9 is formed independently for each line of the scanning wiring 2b in the display region, so that the common electrode 9 and the signal are Even when a short circuit with the wiring 5b occurs, the common electrode 9 and the signal wiring 5b are different from those of the display device substrate, the display panel, and the display device according to the first and second embodiments of the present invention. The short-circuit position can be specified more accurately.

本発明の実施の形態3において、共通電極9は、表示領域において走査配線2bの1ライン毎に独立して形成されている例を示したが、走査配線2bの複数ライン毎に独立して形成してもよく、共通電極9と信号配線5bとの短絡位置は、複数ライン毎での特定とはなるが、検査時間が短縮される。例えば、共通電極9を走査配線2bの2、4、6、8および10ライン毎に独立して形成すれば、検査時間が短縮され、より好適である。 In the third embodiment of the present invention, the common electrode 9 is formed independently for each line of the scanning wiring 2b in the display area, but is independently formed for each plural lines of the scanning wiring 2b. The position of the short circuit between the common electrode 9 and the signal wiring 5b may be specified for each of a plurality of lines, but the inspection time is shortened. For example, if the common electrode 9 is formed independently for every 2, 4, 6, 8 and 10 lines of the scanning wiring 2b, the inspection time is shortened, which is more preferable.

本発明の実施の形態1から3における表示装置用基板、表示パネルおよび表示装置によれば、IPS(登録商標)方式やTN方式のTFTアレイ基板にくらべて、信号配線5bが共通電極9と短絡するソース―コモン間短絡不良が発生する確率が非常に大きいFFS方式のTFTアレイ基板において、共通電極9と信号配線5bとの短絡が発生した場合でも、簡易な構造で共通電極9と信号配線5bとの短絡位置を特定することができる。 According to the display device substrate, the display panel, and the display device in the first to third embodiments of the present invention, the signal wiring 5b is short-circuited to the common electrode 9 as compared with the IPS (registered trademark) type or TN type TFT array substrate. In a TFT array substrate of the FFS system, which has a very high probability of occurrence of a source-common short circuit failure, even if a short circuit occurs between the common electrode 9 and the signal wiring 5b, the common electrode 9 and the signal wiring 5b have a simple structure. It is possible to specify the short-circuited position with.

本発明の実施の形態1から3における表示装置用基板の製造方法によれば、IPS(登録商標)方式やTN方式のTFTアレイ基板にくらべて、信号配線5bが共通電極9と短絡するソース―コモン間短絡不良が発生する確率が非常に大きいFFS方式のTFTアレイ基板において、共通電極9と信号配線5bとの短絡が発生した場合でも、簡易な構造で共通電極9と信号配線5bとの短絡位置を特定することができる。 According to the manufacturing method of the display device substrate in the first to third embodiments of the present invention, the signal wiring 5b is short-circuited to the common electrode 9 compared to the IPS (registered trademark) type or TN type TFT array substrate. In a TFT array substrate of the FFS system, which has a very high probability of occurrence of a short circuit between commons, even if a short circuit occurs between the common electrode 9 and the signal wiring 5b, a short circuit will occur between the common electrode 9 and the signal wiring 5b with a simple structure. The position can be specified.

本発明の実施の形態1から3における説明では、共通電極電位供給端子10を1つまたは、2つの例で説明したが、共通電極9に安定した共通電極電位を供給するために3つ以上設けてもよい。 In the description of Embodiments 1 to 3 of the present invention, one or two common electrode potential supply terminals 10 are described, but three or more common electrode potential supply terminals 10 are provided in order to supply a stable common electrode potential to the common electrode 9. May be.

本発明の実施の形態1から3における説明では、各検査端子11の電気抵抗の測定の順番は1つずつ順番に測定する例を示したが、この限りではなく、各検査端子毎の電気抵抗が計測できるようになっていれば、全端子、または、ある程度のブロック毎に検査プローブを同時に接触させて、電圧を印加して、電気抵抗を測定してもよく、検査時間が短縮できて、より好適である。 In the description of the first to third embodiments of the present invention, an example is shown in which the electrical resistances of the inspection terminals 11 are measured one by one, but the invention is not limited to this. If you can measure, all the terminals, or contact the inspection probe at the same time for each block to some extent, you can apply a voltage and measure the electrical resistance, you can shorten the inspection time, It is more suitable.

本発明の実施の形態1から3における説明では、各検査端子11の電気抵抗の測定は全端子を測定する例を示したが、この限りではなく、例えば、まず、測定端子の間隔を間引いて測定することにより、それらの電気抵抗の測定結果から、短絡位置は、電気抵抗の小さい値の測定端子近傍であることが推測できるので、再度、その検査端子11の周囲の検査端子11の電気抵抗の測定をして、これを繰り返して短絡位置を追い込むように測定してもよく、検査時間が短縮できて、より好適である。 In the description of the first to third embodiments of the present invention, an example in which the electrical resistance of each inspection terminal 11 is measured is shown as an example, but the present invention is not limited to this. For example, first, the intervals between the measurement terminals are thinned out. By measuring, it can be inferred from the measurement results of those electric resistances that the short-circuited position is in the vicinity of the measurement terminal having a small electric resistance. Therefore, the electric resistances of the inspection terminals 11 around the inspection terminal 11 are again measured. The measurement may be repeated and the measurement may be repeated so as to drive the short-circuited position, which is more preferable because the inspection time can be shortened.

本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。 In the present invention, the respective embodiments can be freely combined, or the respective embodiments can be appropriately modified or omitted within the scope of the invention.

100、101、200、201、300、301 TFTアレイ基板
1 ガラス基板
2a 走査配線端子
2b 走査配線
2c ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4a a-Si(i)層
4b a-Si(n)層
5a 信号配線端子
5b 信号配線
5c ソース電極
6 ドレイン電極
7 画素電極
8 層間絶縁膜
9 共通電極
10 共通電極電位供給端子
11 検査端子
11a 検査端子下層電極
11b 検査端子上層電極
12 コンタクトホール
13 TFT
14 異物
15 ソース―コモン間短絡部
16 共通電極スリット部
Sd 欠陥のある信号配線
STd 欠陥のある信号配線の信号配線端子
100, 101, 200, 201, 300, 301 TFT array substrate 1 glass substrate 2a scanning wiring terminal 2b scanning wiring 2c gate electrode 3 gate insulating film 4a a-Si(i) layer 4b a-Si(n) layer 5a signal wiring Terminal 5b signal wiring 5c source electrode 6 drain electrode 7 pixel electrode 8 interlayer insulating film 9 common electrode 10 common electrode potential supply terminal 11 inspection terminal 11a inspection terminal lower layer electrode 11b inspection terminal upper layer electrode 12 contact hole 13 TFT
14 foreign material 15 source-common short-circuited portion 16 common electrode slit portion Sd defective signal wiring STd defective signal wiring signal wiring terminal

Claims (6)

透明な絶縁性の基板の上に形成された、
マトリクス状に配設された複数の走査配線および信号配線と、
前記走査配線および前記信号配線の交差部に設けられた薄膜トランジスタと、
前記走査配線に接続された、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、
前記信号配線に接続された、前記薄膜トランジスタのソース電極と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極と、
前記ドレイン電極に接続された画素電極と、
層間絶縁膜を間に挟んで前記画素電極と対向し、前記画素電極との間でフリンジ電界を発生させる共通電極と、
前記共通電極に接続され、前記共通電極に共通電極電位を供給する共通電極電位供給端子と、を有する表示装置用基板であって、
前記走査配線の長さ方向の前記画素電極が形成されている表示領域の両端部の外側に、
前記走査配線1ライン毎に、記共通電極に接続された検査端子を有することを特徴とする表示装置用基板。
Formed on a transparent insulating substrate,
A plurality of scanning wirings and signal wirings arranged in a matrix,
A thin film transistor provided at the intersection of the scanning wiring and the signal wiring,
A gate electrode of the thin film transistor connected to the scan line,
A source electrode of the thin film transistor connected to the signal line,
A drain electrode of the thin film transistor,
A pixel electrode connected to the drain electrode,
A common electrode facing the pixel electrode with an interlayer insulating film interposed therebetween and generating a fringe electric field between the pixel electrode and the common electrode;
A display device substrate having a common electrode potential supply terminal connected to the common electrode and supplying a common electrode potential to the common electrode,
Outside the both ends of the display area in which the pixel electrodes in the length direction of the scanning wiring are formed ,
A substrate for a display device, characterized in that the scanning lines every line has a test terminal which is connected before Symbol common electrode.
前記共通電極は、前記信号配線の長さ方向の前記表示領域の部の外側に、前記信号配線1ライン毎に、記共通電極に接続された前記検査端子を有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置用基板。 Wherein the common electrode is on the outer edge of the display area in the longitudinal direction of the signal lines, which to the signal line for each line, and having a pre-Symbol connected the test terminal to the common electrode Item 2. A display device substrate according to item 1. 透明な絶縁性の基板の上に形成された、
マトリクス状に配設された複数の走査配線および信号配線と、
前記走査配線および前記信号配線の交差部に設けられた薄膜トランジスタと、
前記走査配線に接続された、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、
前記信号配線に接続された、前記薄膜トランジスタのソース電極と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極と、
前記ドレイン電極に接続された画素電極と、
層間絶縁膜を間に挟んで前記画素電極と対向し、前記画素電極との間でフリンジ電界を発生させる共通電極と、
前記共通電極に接続され、前記共通電極に共通電極電位を供給する共通電極電位供給端子と、を有する表示装置用基板であって、
前記走査配線の長さ方向の前記画素電極が形成されている表示領域の両端部の外側に、前記共通電極に接続された検査端子を有し、
前記共通電極は、前記走査配線の長さ方向の前記表示領域の一方の端部および、他方の端部において、前記走査配線1ライン毎に交互に折り返して連続したパターンであることを特徴とする示装置用基板。
Formed on a transparent insulating substrate,
A plurality of scanning wirings and signal wirings arranged in a matrix,
A thin film transistor provided at the intersection of the scanning wiring and the signal wiring,
A gate electrode of the thin film transistor connected to the scan line,
A source electrode of the thin film transistor connected to the signal line,
A drain electrode of the thin film transistor,
A pixel electrode connected to the drain electrode,
A common electrode facing the pixel electrode with an interlayer insulating film interposed therebetween and generating a fringe electric field between the pixel electrode and the common electrode;
A display device substrate having a common electrode potential supply terminal connected to the common electrode and supplying a common electrode potential to the common electrode,
Outside the both ends of the display region in which the pixel electrode is formed in the length direction of the scanning wiring, there is an inspection terminal connected to the common electrode,
The common electrode is a pattern in which one end and the other end of the display area in the length direction of the scanning wiring are alternately folded back and continuous for each line of the scanning wiring. Viewing device substrate.
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の表示装置用基板を備えた表示パネル A display panel comprising the display device substrate according to any one of claims 1 to 3 . 請求項4に記載の表示パネルを備えた表示装置 A display device comprising the display panel according to claim 4 . 透明な絶縁性の基板の上に形成された、
マトリクス状に配設された複数の走査配線および信号配線と、
前記走査配線および前記信号配線の交差部に設けられた薄膜トランジスタと、
前記走査配線に接続された、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、
前記信号配線に接続された、前記薄膜トランジスタのソース電極と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極と、
前記ドレイン電極に接続された画素電極と、
層間絶縁膜を間に挟んで前記画素電極と対向し、前記画素電極との間でフリンジ電界を発生させる共通電極と、
前記共通電極に接続され、前記共通電極に共通電極電位を供給する共通電極電位供給端子と、を有し、
前記走査配線の長さ方向の前記画素電極が形成されている表示領域の両端部の外側に、前記走査配線1ライン毎に、前記共通電極に接続された検査端子を有する表示装置用基板の製造方法であって、
前記信号配線の信号配線端子と前記検査端子との間の電気抵抗を測定する工程と、
前記電気抵抗が最も小さくなる前記検査端子と前記信号配線端子との組合せから、前記信号配線と前記共通電極との間の短絡部の位置を特定する工程と、を含むことを特徴とする表示装置用基板の製造方法
Formed on a transparent insulating substrate,
A plurality of scanning wirings and signal wirings arranged in a matrix,
A thin film transistor provided at the intersection of the scanning wiring and the signal wiring,
A gate electrode of the thin film transistor connected to the scan line,
A source electrode of the thin film transistor connected to the signal line,
A drain electrode of the thin film transistor,
A pixel electrode connected to the drain electrode,
A common electrode facing the pixel electrode with an interlayer insulating film interposed therebetween and generating a fringe electric field between the pixel electrode and the common electrode;
A common electrode potential supply terminal connected to the common electrode and supplying a common electrode potential to the common electrode;
Manufacturing of a substrate for a display device, which has an inspection terminal connected to the common electrode for each line of the scanning wiring outside the both ends of the display area where the pixel electrode is formed in the length direction of the scanning wiring. Method,
Measuring the electrical resistance between the signal wiring terminal of the signal wiring and the inspection terminal,
A step of specifying a position of a short circuit portion between the signal wiring and the common electrode from a combination of the inspection terminal and the signal wiring terminal having the smallest electric resistance. Substrate manufacturing method .
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