JP6744904B2

JP6744904B2 - 複数のｄｒａｍチップのリフレッシュ周波数を決定する周波数調整回路、電子メモリおよび方法

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Publication number: JP6744904B2
Application number: JP2018229748A
Authority: JP
Inventors: チュアン−ジェンチャン; ウェン−ミンリー
Original assignee: Nanya Technology Corp
Current assignee: Nanya Technology Corp
Priority date: 2018-05-14
Filing date: 2018-12-07
Publication date: 2020-08-19
Anticipated expiration: 2038-12-07
Also published as: TWI687926B; US10497423B1; CN110491428A; US20190348108A1; CN110491428B; EP3570285B1; TW201947592A; JP2019200832A; EP3570285A1

Description

本開示は、リフレッシュ周波数を決定するための回路、メモリおよび方法に関し、より詳細には、複数のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）チップのリフレッシュ周波数を決定するための周波数調整回路、電子メモリおよび方法に関する。

従来の電子メモリは、８個のＤＲＡＭチップと、コントローラとを含む。コントローラがＤＲＡＭチップの温度を読み取ってＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するとき、ＤＲＡＭチップの読み取り温度が互いに異なっているため、制御システムが誤って停止することがある。

システムシャットダウンの課題を解決する従来の手法は、全てのＤＲＡＭチップの温度を事前設定温度に保つことである。

しかし、ＤＲＡＭチップの温度が事前設定温度に維持される場合、ＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数も固定される。その結果、ＤＲＡＭチップの温度が低下すると、固定リフレッシュ周波数が消費電力の課題につながる。したがって、電力消費の課題に対する解決策を見出す必要がある。

この「背景技術の説明」の項は、背景情報のみのためのものである。背景技術のこの考察における記述は、この項に開示された主題が本開示の先行技術を構成することを認めるものではなく、この項の一部は、背景技術のこの考察の項を含む本出願の任意の部分が本開示の先行技術を構成することを認めるものとして使用することができない。

本開示の一態様は、周波数調整回路を提供する。周波数調整回路は、温度検出モジュールおよび演算モジュールを含む。温度検出モジュールは、複数のＤＲＡＭチップの温度を測定するように構成される。演算モジュールは、温度検出モジュールに結合され、複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するように構成される。いくつかの実施形態では、演算モジュールは、温度検出モジュールによって測定された複数のＤＲＡＭチップの温度を比較して第１の温度を決定し、複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を比較して第２の温度を決定し、第１の温度および第２の温度に基づいてリフレッシュ周波数を決定するように構成される。

いくつかの実施形態では、演算モジュールは、温度検出モジュールに結合され、複数のＤＲＡＭチップの温度を比較して、複数のＤＲＡＭチップの温度のうちの最も高い第１の温度を得るように構成された第１の比較部を含む。

いくつかの実施形態では、演算モジュールは、複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を比較して、複数のＤＲＡＭチップの以前の温度のうちの最も高い第２の温度を得るように構成された第２の比較部をさらに含む。

いくつかの実施形態では、演算モジュールは、第１の演算部、第３の比較部および選択部をさらに含む。いくつかの実施形態では、第１の演算部は、第１の比較部および第２の比較部に結合され、第１の温度および第２の温度に基づいて第１の温度差を得るように構成される。いくつかの実施形態では、第３の比較部は、第１の演算部に結合され、第１の温度差を第１の事前設定温度差と比較するように構成される。いくつかの実施形態では、選択部は、第１の比較部、第２の比較部および第３の比較部に結合され、第１の温度差と第１の事前設定温度差との比較の結果に基づいて第３の温度を得るように構成される。

いくつかの実施形態では、演算モジュールは、選択部および第２の記憶部に結合された第２の演算部をさらに含み、第２の演算部は、リフレッシュ周波数を決定するために第３の温度を事前設定温度セットと比較するように構成される。

いくつかの実施形態では、事前設定温度セットは、第１の温度範囲および第２の温度範囲を定義する少なくとも１つの事前設定温度を含む。いくつかの実施形態では、第２の演算部は、第３の温度が第１の温度範囲内に入る場合、第１の事前設定周波数を出力し、第３の温度が第２の温度範囲内に入る場合、第２の事前設定周波数を出力するように構成される。

いくつかの実施形態では、事前設定温度セットは、第２の事前設定温度差をさらに含み、第２の温度差は、第３の温度と少なくとも１つの事前設定温度との間の差として定義される。いくつかの実施形態では、第３の温度が上昇し、第２の温度範囲内に入るとき、第２の演算部は、第２の温度差が第２の事前設定温度差未満である場合、第１の事前設定周波数を出力するように構成され、第２の温度差が第２の事前設定温度差以上である場合、第２の事前設定周波数を出力するように構成される。

いくつかの実施形態では、事前設定温度セットは、第２の事前設定温度差をさらに含み、第２の温度差は、第３の温度と少なくとも１つの事前設定温度との間の差として定義される。いくつかの実施形態では、第３の温度が低下し、第１の温度範囲内に入るとき、第２の演算部は、第２の温度差が第２の事前設定温度差未満である場合、第２の事前設定周波数を出力するように構成され、第２の温度差が第２の事前設定温度差以上である場合、第１の事前設定周波数を出力するように構成される。

本開示の別の態様は、電子メモリを提供する。電子メモリは、複数のＤＲＡＭチップと、複数のＤＲＡＭチップに結合され、複数のＤＲＡＭチップの温度を測定して複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するように構成された周波数調整回路とを備える。いくつかの実施形態では、周波数調整回路は、温度検出モジュールおよび演算モジュールを含む。いくつかの実施形態では、温度検出モジュールは、複数のＤＲＡＭチップの温度を測定するように構成される。いくつかの実施形態では、演算モジュールは、温度検出モジュールと複数のＤＲＡＭチップとの間に結合され、複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するように構成される。いくつかの実施形態では、演算モジュールは、温度検出モジュールによって測定された複数のＤＲＡＭチップの温度を比較して第１の温度を決定し、複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を比較して第２の温度を決定し、第１の温度および第２の温度に基づいてリフレッシュ周波数を決定するように構成される。

いくつかの実施形態では、演算モジュールは、選択部に結合された第２の演算部をさらに含み、第２の演算部は、リフレッシュ周波数を決定するために第３の温度を事前設定温度セットと比較するように構成される。

いくつかの実施形態では、事前設定温度セットは、第２の事前設定温度差をさらに含み、第２の温度差は、第３の温度と少なくとも１つの事前設定温度との間の差として定義される。いくつかの実施形態では、第３の温度が上昇し、第２の温度範囲内に入るとき、第２の演算部は、第２の温度差が第２の事前設定温度差未満である場合、第１の事前設定周波数を出力し、第２の温度差が第２の事前設定温度差以上である場合、第２の事前設定周波数を出力するように構成される。

いくつかの実施形態では、事前設定温度セットは、第２の事前設定温度差をさらに含み、第２の温度差は、第３の温度と少なくとも１つの事前設定温度との間の差として定義される。いくつかの実施形態では、第３の温度が低下し、第１の温度範囲内に入るとき、第２の演算部は、第２の温度差が第２の事前設定温度差未満である場合、第２の事前設定周波数を出力し、第２の温度差が第２の事前設定温度差以上である場合、第１の事前設定周波数を出力するように構成される。

本発明の他の態様は、複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定する。この方法は、以下のステップを含む。最初に、第１の温度を決定する。次に、第２の温度を決定する。続いて、第１の温度を第２の温度と比較して、第１の温度差を得る。次に、第１の温度差を第１の事前設定温度差と比較して第３の温度を得る。最後に、第３温度に基づいて複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定する。

いくつかの実施形態では、第１の温度を決定するステップは、以下のサブステップを含む。まず、複数のＤＲＡＭチップの温度を測定する。次に、複数のＤＲＡＭチップの温度を比較する。最後に、複数のＤＲＡＭチップのうちの最も高い温度が第１の温度として選択される。いくつかの実施形態では、第２の温度を決定するステップは、以下のサブステップを含む。最初に、複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を読み取る。次に、複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を比較する。最後に、複数のＤＲＡＭチップの以前の温度のうちの最も高い温度を第２の温度として選択する。

いくつかの実施形態では、第１の温度差が第１の事前設定温度差未満である場合、第３の温度は、第２の温度と同じであると判定され、第１の温度差が第１の事前設定温度差以上である場合、第３の温度は、第１の温度と同じであると判定される。

いくつかの実施形態では、第３の温度に基づいて複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するステップは、以下のサブステップを含む。第３の温度は、事前設定温度セットと比較される。そして、第３の温度と事前設定温度セットとの温度比較結果に基づいて、複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定する。

本周波数調整回路の上記構成により、消費電力の課題を生じることなく、システムシャットダウンの課題を解決するために、複数のＤＲＡＭチップの代表温度を決定することができ、複数のＤＲＡＭチップの代表温度に基づいて、複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定することができる。その結果、従来の電子メモリの欠点を軽減することができる。

上記は、以下の開示の詳細な説明がよりよく理解され得るように、本開示の特徴および技術的利点をかなり広く概説した。本開示のさらなる特徴および技術的利点は、以下に記載され、本開示の特許請求の範囲の主題を形成する。開示される概念および特定の実施形態は、本開示の目的を実行するために、他の構造またはプロセスを修正または設計するための基礎として利用され得ることが、当業者によって理解されるべきである。また、当業者は、そのような等価な構成が添付の特許請求の範囲に記載された本開示の精神または範囲から逸脱しないことを理解されたい。

本開示のより完全な理解は、詳細な説明および特許請求の範囲を参照することによって導き出され得る。本開示はまた、図面の参照番号に結合されるものと理解されるべきであり、図面の参照番号は、説明の全体にわたって同様の要素を指す。

図１は、本開示のいくつかの実施形態による電子メモリの概略図である。図２は、本開示のいくつかの実施形態によるＤＲＡＭチップを示すブロック図である。図３は、本開示のいくつかの実施形態による周波数調整回路のブロック図である。図４は、本開示のいくつかの実施形態による周波数調整回路の演算モジュールのブロック図である。図５は、本開示のいくつかの実施形態による周波数調整回路の演算モジュールの第２の演算部のブロック図である。図６は、本開示のいくつかの実施形態による周波数調整回路の別の演算モジュールのブロック図である。図７は、本開示のいくつかの実施形態による周波数調整回路の別の演算モジュールの別の第２の演算部のブロック図である。図８は、本開示のいくつかの実施形態による複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するための方法を示すフローチャートである。図９は、本開示の実施形態による、複数のＤＲＡＭチップの代表温度と複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数との関係を示す概略プロットである。図１０は、本開示の実施形態による、複数のＤＲＡＭチップの代表温度と複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数との関係を示す別の概略プロットである。図１１は、本開示の実施形態による複数のＤＲＡＭチップの代表温度と複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数との関係を示す別の概略プロットである。

図面に示される本開示の実施形態または実施例は、特定の文言を使用して説明される。本開示の範囲の限定は、ここに意図されないことが理解されるべきである。説明される実施形態の任意の変更または修正、および本明細書で説明される原理の任意のさらなる適用は、本開示が関係する当業者に通常起こるものとみなされるべきである。参照番号は、実施形態全体にわたって繰り返されてもよいが、これはたとえそれらが同じ参照番号を共有しても、１つの実施形態の特徴（複数可）が別の実施形態に適用されることを必ずしも意味しない。

本明細書では、第１、第２、第３などの用語は様々な要素、成分、領域、層、または区域を説明するために使用することができるが、これらの要素、成分、領域、層、または区域はこれらの用語によって限定されないことを理解されたい。むしろ、これらの用語は単に、１つの要素、成分、領域、層、または区域を別の領域、層、または区域から区別するために使用される。したがって、以下で論じる第１の要素、構成成分、領域、層、または区域は、本発明の概念の教示から逸脱することなく、第２の成分、構成成分、領域、層、または区域と呼ぶことができる。

本明細書で使用される用語は、特定の例示的な実施形態を説明するためのものに過ぎず、本発明の概念に限定されることを意図しない。本明細書で使用されるように、単数形「ａ」、「ａｎ」および「ｔｈｅ」は文脈が明らかにそわないことを示さない限り、複数形も含むことを意図する。さらに、本明細書で使用される場合、用語「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」および「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は述べられた特徴、整数、ステップ、動作、要素、または構成要素の存在を指摘するが、１つまたは複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、またはそれらのグループの存在または追加を排除しないことを理解されたい。

図１は、本発明のいくつかの実施形態による電子メモリ１００の概略図である。図１を参照すると、いくつかの実施形態では、電子メモリ１００は、複数のＤＲＡＭチップ９を含む。いくつかの実施形態では、電子メモリ１００は、８個のＤＲＡＭチップ９を含むが、他の実施形態では、電子メモリ１００に含まれる複数のＤＲＡＭチップ９の量を変更することができる。

図２は、本開示のいくつかの実施形態による電子メモリ１００のＤＲＡＭチップ９を示すブロック図である。図２を参照すると、いくつかの実施形態では、複数のＤＲＡＭチップ９の各々は、メモリアレイ９１と、メモリアレイ９１に結合されたローデコーダ９２と、ローデコーダ９２に結合されたアドレスバッファ９３と、メモリアレイ９１に結合された複数の検出増幅器９４と、検出増幅器９４に結合されたＩ／Ｏバッファ９５と、検出増幅器９４に結合されたカラムデコーダ９６と、アドレスバッファ９３、カラムデコーダ９６、検出増幅器９４およびＩ／Ｏバッファ９５に結合されたコマンドデコーダ９７と、メモリアレイ９１を通って延びる複数のワード線９８と、メモリアレイ９１を通って延び、複数のワード線９８と交差する複数のビット線９９とを含む。

図３は、本開示のいくつかの実施形態による周波数調整回路１０のブロック図である。いくつかの実施形態では、周波数調整回路１０は、複数のＤＲＡＭチップ９のコマンドデコーダ９７に結合される。図３を参照すると、周波数調整回路１０は、温度検出モジュール１１と、演算モジュール１２と、記憶モジュール１３とを備える。いくつかの実施形態では、温度検出モジュール１１は、複数のＤＲＡＭチップ９の温度を測定するように構成される。いくつかの実施形態では、演算モジュール１２は、温度検出モジュール１１と複数のＤＲＡＭチップ９との間に結合され、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を決定するように構成される。いくつかの実施形態では、記憶モジュール１３は、温度検出モジュール１１と演算モジュール１２との間に結合され、複数のＤＲＡＭチップ９の温度を記憶するように構成される。

図４は、本開示のいくつかの実施形態による周波数調整回路１０の演算モジュール１２のブロック図である。図４を参照すると、いくつかの実施形態では、演算モジュール１２は、第１の比較部１２１、第２の比較部１２２、第３の比較部１２４、第１の演算部１２３、第２の演算部１２７および選択部１２６を含む。

いくつかの実施形態では、第１の比較部１２１は、温度検出モジュール１１に結合され、複数のＤＲＡＭチップ９の温度を比較して、複数のＤＲＡＭチップ９の最高温度である第１の温度（Ｔ１）を得るように構成される。

いくつかの実施形態では、第２の比較部１２２は、記憶モジュール１３に結合され、複数のＤＲＡＭチップ９の以前の温度を比較して、複数のＤＲＡＭチップ９の以前の温度のうちの最も高い第２の温度（Ｔ２）を得るように構成され、複数のＤＲＡＭチップ９の前の温度は、記憶モジュール１３に記憶される。

いくつかの実施形態では、第１の演算部１２３は、第１の比較部１２１および第２の比較部１２２に結合され、第１の温度差（Ｔｄ１）を得るために第１の温度（Ｔ１）および第２の温度（Ｔ２）を計算するように構成される。

いくつかの実施形態では、第３の比較部１２４は、第１の演算部１２３および第１の記憶部１２５に結合され、第１の温度差（Ｔｄ１）を第１の事前設定温度差（Ｔｐｄ１）と比較するように構成され、ここで、第１の事前設定温度差（Ｔｐｄ１）は、所与の数値である。

いくつかの実施形態では、選択部１２６は、第１の比較部１２１、第２の比較部１２２、および第３の比較部１２４に結合されたマルチプレクサーであり、第１の温度差（Ｔｄ１）と第１の事前設定温度差（Ｔｐｄ１）との比較の結果に基づいて第３の温度（Ｔ３）を得るように構成される。いくつかの実施形態では、第３の温度（Ｔ３）は、ＤＲＡＭチップ９の代表温度として定義される。

いくつかの実施形態では、第１の温度差（Ｔｄ１）が第１の事前設定温度差（Ｔｐｄ１）未満である場合、選択部１２６は、第３の温度（Ｔ３）として第２の温度（Ｔ２）を選択し、リフレッシュ周波数（Ｆ）は変化しないままであり、あるいは、第１の温度差（Ｔｄ１）が第１の事前設定温度差（Ｔｐｄ１）以上である場合、選択部１２６は、第３の温度（Ｔ３）として第１の温度（Ｔ１）を選択し、リフレッシュ周波数（Ｆ）が変化する。いくつかの実施形態では、この設計は、電子メモリ１００が複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を頻繁に変更することを防止することができ、それにより、第３の温度（Ｔ３）を頻繁に更新するときに電子メモリ１００がシャットダウンする課題を軽減する。

いくつかの実施形態では、第２の演算部１２７は、選択部１２６および複数のＤＲＡＭチップ９に結合され、第３の温度（Ｔ３）に基づいてリフレッシュ周波数（Ｆ）を決定するように構成される。いくつかの実施形態では、第２の演算部１２７は、第３の温度（Ｔ３）を事前設定温度セット（Ｔｐｓ）と比較してリフレッシュ周波数（Ｆ）を決定し、事前設定温度セット（Ｔｐｓ）は、第１の事前設定温度（Ｔａ）、第２の事前設定温度（Ｔｂ）および第３の事前設定温度（Ｔｃ）を含む。他の実施形態では、事前設定温度セット（Ｔｐｓ）に含まれる事前設定温度の量を変化させてもよい。

図５は、本開示のいくつかの実施形態による周波数調整回路１０の演算モジュール１２の第２の演算部１２７のブロック図である。図５を参照すると、いくつかの実施形態では、第２の演算部１２７は、第１の比較ブロック１２７１および処理ブロック１２７２を含む。第１の比較ブロック１２７１は、選択部１２６および第２の記憶部１２８に結合され、第３の温度（Ｔ３）を第１の事前設定温度（Ｔａ）、第２の事前設定温度（Ｔｂ）および第３の事前設定温度（Ｔｃ）と比較するように構成される。処理ブロック１２７２は、第１の比較ブロック１２７１および複数のＤＲＡＭチップ９に結合され、第１の比較ブロック１２７１からの比較情報に基づいて、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を決定する。

図６は、本開示のいくつかの実施形態による周波数調整回路１０の別の演算モジュール１２’のブロック図である。図６を参照すると、いくつかの実施形態では、演算モジュール１２’は、第２の演算部１２７’の細部を除いて、演算モジュール１２と実質的に同様である。

いくつかの実施形態では、第２の演算部１２７’は、選択部１２６および複数のＤＲＡＭチップ９に結合され、第３の温度（Ｔ３）に基づいてリフレッシュ周波数（Ｆ）を決定するように構成される。いくつかの実施形態では、第２の演算部１２７’は、第３の温度（Ｔ３）を事前設定温度セット（Ｔｐｓ）と比較してリフレッシュ周波数（Ｆ）を決定し、事前設定温度セット（Ｔｐｓ）は、第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）および第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）をさらに含む。一部の他の実施形態では、事前設定温度セット（Ｔｐｓ）に含まれる事前設定温度の量を変化させてもよい。

図７は、本開示のいくつかの実施形態による周波数調整回路１０の演算モジュール１２’の第２の演算部１２７’のブロック図である。図７を参照すると、いくつかの実施形態では、第２の演算部１２７’は、第１の比較ブロック１２７１’と、選択ブロック１２７２’と、第１の演算ブロック１２７３’と、第２の比較ブロック１２７４’と、処理ブロック１２７５’とを含む。

いくつかの実施形態では、第１の比較ブロック１２７１’は、選択部１２６および第２の記憶部１２８に結合され、第１の比較ブロック１２７１’は、第３の温度（Ｔ３）を第１の事前設定温度（Ｔａ）、第２の事前設定温度（Ｔｂ）および第３の事前設定温度（Ｔｃ）と比較するように構成される。

いくつかの実施形態では、選択ブロック１２７２’は、第１の比較ブロック１２７１’および第２の記憶部１２８に結合され、選択ブロック１２７２’は、第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）および第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）のうちの１つを、第１の比較ブロック１２７１’からの比較情報に基づいて出力するように構成される。

いくつかの実施形態では、第１の演算ブロック１２７３’は、選択部１２６、第２の記憶部１２８および第１の比較ブロック１２７１’に結合され、第１の演算ブロック１２７３’は、第１の比較ブロック１２７１’からの比較情報に基づいて、第３の温度（Ｔ３）、第１の事前設定温度（Ｔａ）および第２の事前設定温度（Ｔｂ）からの第２の温度差（Ｔｄ２）および第３の温度差（Ｔｄ３）のうちの１つを生成するように構成される。いくつかの実施形態では、第２の温度差（Ｔｄ２）は、第３の温度（Ｔ３）と第１の事前設定温度（Ｔａ）との間の差として定義され、第３の温度差（Ｔｄ３）は、第３の温度（Ｔ３）と第２の事前設定温度（Ｔｂ）との間の差として定義される。

いくつかの実施形態では、ＤＲＡＭチップ９の代表温度が上昇し、第１の事前設定温度（Ｔａ）と第２の事前設定温度（Ｔｂ）との間である場合、第１の演算ブロック１２７３’は、第２の温度差（Ｔｐ２）を生成し、選択ブロック１２７２’は、第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）を出力する。

いくつかの実施形態では、ＤＲＡＭチップ９の代表温度が上昇し、第２の事前設定温度（Ｔｂ）と第３の事前設定温度（Ｔｃ）との間であるとき、第１の演算ブロック１２７３’は、第３の温度差（Ｔｐ３）を生成し、選択ブロック１２７２’は、第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）を出力する。

いくつかの実施形態では、ＤＲＡＭチップ９の代表温度が低下し、第１の事前設定温度（Ｔａ）未満であるとき、第１の演算ブロック１２７３’は、第２の温度差（Ｔｐ２）を生成し、選択ブロック１２７２’は、第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）を出力する。

いくつかの実施形態では、ＤＲＡＭチップ９の代表温度が低下し、第１の事前設定温度（Ｔａ）と第２の事前設定温度（Ｔｂ）との間であるとき、第１の演算ブロック１２７３’は、第３の温度差（Ｔｐ３）を生成し、選択ブロック１２７２’は、第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）を出力する。

いくつかの実施形態では、第２の比較ブロック１２７４’は、第１の演算ブロック１２７３’および選択ブロック１２７２’に結合され、第２の比較ブロック１２７４’は、第２の温度差（Ｔｄ２）および第３の温度差（Ｔｄ３）のうちの１つを、第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）および第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）のうちの対応する１つと比較するように構成される。

いくつかの実施形態では、処理ブロック１２７５’は、第１の比較ブロック１２７１’、第２の比較ブロック１２７４’および複数のＤＲＡＭチップ９に結合され、処理ブロック１２７５’は、第１の比較ブロック１２７１’および第２の比較ブロック１２７４’からの比較情報に基づいて、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を決定するように構成される。

いくつかの実施形態では、第１の事前設定温度（Ｔａ）、第２の事前設定温度（Ｔｂ）、第３の事前設定温度（Ｔｃ）、第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）および第３の事前設定温度差分（Ｔｐｄ３）は、所与の数値である。

図８は、本開示の実施形態による、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を決定するための方法２を示すフローチャートである。図３、図４、図５および図８を参照すると、いくつかの実施形態では、方法２は、第１の温度（Ｔ１）を決定するステップ２１と、第２の温度（Ｔ２）を決定するステップ２２と、第１の温度（Ｔ１）を第２の温度（Ｔ２）と比較して第１の温度差（Ｔｄ１）を得るステップ２３と、第１の温度差（Ｔｄ１）を第１の事前設定温度差（Ｔｐｄ１）と比較して第３の温度（Ｔ３）を得るステップ２４と、第３の温度（Ｔ３）に基づいてリフレッシュ周波数（Ｆ）をＤＲＡＭチップ９に対して決定するステップ２５とを含む。

いくつかの実施形態では、第１の温度（Ｔ１）を決定するステップは、以下のサブステップを含む。まず、複数のＤＲＡＭチップ９の温度を測定する。次に、複数のＤＲＡＭチップ９の温度は、演算モジュール１２に送られる。次に、複数のＤＲＡＭチップ９の温度を記憶モジュール１３に同時に記憶する。次に、複数のＤＲＡＭチップ９の温度を比較する。最後に、複数のＤＲＡＭチップ９のうちの最も高い温度を第１の温度（Ｔ１）として選択する。

いくつかの実施形態では、第２の温度（Ｔ２）を決定するステップは、以下のサブステップを含む。まず、複数のＤＲＡＭチップ９の以前の温度を記憶モジュール１３から読み出す。次に、複数のＤＲＡＭチップ９の前回の温度を比較する。最後に、複数のＤＲＡＭチップ９のうちの最も高い温度が第２温度Ｔ２として選択される。

いくつかの実施形態では、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を決定するステップは、以下のサブステップを含む。まず、第３気温（Ｔ３）と事前設定温度セット（Ｔｐｓ）とを比較する。次に、第３の温度（Ｔ３）と事前設定温度セット（Ｔｐｓ）との温度比較結果に基づいて、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を決定する。

図６、図７および図８を参照すると、いくつかの実施形態では、第３の温度（Ｔ３）と事前設定温度セット（Ｔｐｓ）との間の温度比較の結果に基づいて、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を決定するサブステップは、以下のサブステップを含む。まず、第３気温（Ｔ３）がどの事前設定温度範囲に入っているかを確認する。次に、第２の温度差（Ｔｄ２）を第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）と比較する。最後に、対応する周波数をリフレッシュ周波数（Ｆ）として選択する。

いくつかの実施形態では、リフレッシュ周波数決定処理中に、第３の温度（Ｔ３）は、最初に、第１、第２、および第３の事前設定温度（Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｃ）と比較されて、第３の温度がどの事前設定温度レンジ内に入るかが確認される。次に、対応する頻度をリフレッシュ周波数（Ｆ）として選択する。続いて、複数のＤＲＡＭチップ９に対してリフレッシュ周波数情報を出力する。

いくつかの実施形態では、リフレッシュ周波数を決定する処理中に、第３の温度が低下する事前設定温度範囲が確認された後、第２の温度差（Ｔｄ２）および第３の温度差（Ｔｄ３）の一方が得られる。続いて、第２の温度差（Ｔｄ２）および第３の温度差（Ｔｄ３）のうちの１つは、第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）および第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）のうちの対応する１つと比較される。最後に、対応する周波数がリフレッシュ周波数（Ｆ）として選択される。いくつかの実施形態では、リフレッシュ周波数（Ｆ）を決定した後、複数のＤＲＡＭチップ９にリフレッシュ周波数情報を出力する。

いくつかの実施形態では、ＤＲＡＭチップ９の代表温度が上昇し、第１の事前設定温度（Ｔａ）と第２の事前設定温度（Ｔｂ）との間にあるとき、第２の温度差（Ｔｄ２）は、第２の事前設定の温度差（Ｔｐｄ２）と比較される。

いくつかの実施形態では、ＤＲＡＭチップ９の代表的な温度が上昇し、第２の事前設定温度（Ｔｂ）と第３の事前設定温度（Ｔｃ）との間にあるとき、第３の温度差（Ｔｄ３）は、第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）と比較される。

いくつかの実施形態では、ＤＲＡＭチップ９の代表温度が低下し、第１の事前設定温度（Ｔａ）未満であるとき、第２の温度差（Ｔｄ２）は、第２の事前設定の温度差（Ｔｐｄ２）と比較される。

いくつかの実施形態では、ＤＲＡＭチップ９の代表温度が低下し、第１の事前設定温度（Ｔａ）と第２の事前設定温度（Ｔｂ）との間にあるとき、第３の温度差（Ｔｄ３）は、第３の事前設定の温度差（Ｔｐｄ３）と比較される。

図９は、本開示の実施形態に係る複数のＤＲＡＭチップ９の代表温度とリフレッシュ周波数（Ｆ）との関係を示す概略プロットである。いくつかの実施形態では、事前設定温度セットは、第１の温度範囲および第２の温度範囲を定義する少なくとも１つの事前設定温度を含み、例えば、第１の事前設定温度（Ｔａ）は、第１の温度範囲（ＲＴ１）および第２の温度範囲（ＲＴ２）を定義する。図９を参照すると、いくつかの実施形態では、事前設定温度セット（Ｔｐｓ）は、複数の事前設定温度範囲を定義する。いくつかの実施形態では、第１の事前設定温度（Ｔａ）および摂氏０度は、第１の温度範囲（ＲＴ１）を定義し、第１および第２の事前設定温度（Ｔａ、Ｔｂ）は、第２の温度範囲（ＲＴ２）を定義し、第２および第３の事前設定温度（Ｔｂ、Ｔｃ）は、第３の温度範囲（ＲＴ３）を定義する。

図９を参照すると、いくつかの実施形態では、複数のＤＲＡＭチップ９に対するリフレッシュ周波数（Ｆ）は、第３の温度（Ｔ３）が第１の温度範囲（ＲＴ１）内にある場合、第１の事前設定周波数（Ｆａ）、第３の温度（Ｔ３）が第２の温度範囲（ＲＴ２）内にある場合、第２の事前設定周波数（Ｆｂ）、または第３の温度（Ｔ３）が第３の温度範囲（ＲＴ３）内にある場合、第３の事前設定周波数（Ｆｃ）であると判定される。いくつかの実施形態では、第１の事前設定周波数（Ｆａ）は、第２の事前設定周波数（Ｆｂ）未満であり、第２の事前設定周波数（Ｆｂ）は、第３の事前設定周波数（Ｆｃ）未満である。

図１０は、本開示のいくつかの実施形態による複数のＤＲＡＭチップ９の代表温度と複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）との関係を示す概略プロットである。図１０を参照して、いくつかの実施形態では、複数のＤＲＡＭチップ９の代表温度が上昇し、第２の温度差（Ｔｄ２）が第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）未満であるとき、第３の温度（Ｔ３）は、第２の温度範囲（ＲＴ２）内に入っても、ＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）は、第１の事前設定周波数（Ｆａ）であると判定される。いくつかの実施形態では、第２の温度差（Ｔｄ２）が第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）より小さいとき、すなわち、現在の測定と以前の測定との間の温度変化が十分に小さい（Ｔｐｄ２より小さい）とき、リフレッシュ周波数（Ｆ）を変更する必要はなく、したがって、電子メモリ１００の動作負担を軽減するために、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）は、第１の事前設定周波数（Ｆａ）に維持される。

図１０を参照して、いくつかの実施形態では、複数のＤＲＡＭチップ９の代表温度が上昇し、第３の温度（Ｔ３）が第２の温度範囲（ＲＴ２）内に入り、第２の温度差（Ｔｄ２）が第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）以上であるとき、ＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）は、第２の事前設定周波数（Ｆｂ）と判定される。いくつかの実施形態では、第２の温度差（Ｔｄ２）が第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）以上であるとき、すなわち、現在の測定と以前の測定との間の温度変動が十分に大きい（Ｔｐｄ２以上）とき、リフレッシュ周波数（Ｆ）を変更する必要があるため、データロスを防止するためには複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を第２の事前設定周波数（Ｆｂ）まで大きくする必要がある。

図１０を参照して、いくつかの実施形態にでは、複数のＤＲＡＭチップ９の代表温度が上昇しており、第３の温度差（Ｔｄ３）が第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）未満である場合、第３の温度（Ｔ３）は、第３の温度範囲（ＲＴ３）内に入っていても、ＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）は、第２の事前設定周波数（Ｆｂ）であると判定される。いくつかの実施形態では、第３の温度差（Ｔｄ３）が第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）より小さいとき、すなわち、現在の測定と以前の測定との間の温度変化が十分に小さい（Ｔｐｄ３より小さい）とき、リフレッシュ周波数（Ｆ）を変更する必要はなく、したがって、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）は、電子メモリ１００の動作負荷を軽減するために第２の事前設定周波数（Ｆｂ）に維持される。

図１０を参照して、いくつかの実施形態にでは、複数のＤＲＡＭチップ９の代表温度が上昇し、第３の温度（Ｔ３）が第３の温度範囲（ＲＴ３）内に入り、第３の温度差（Ｔｄ３）が第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）以上であるとき、ＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）は、第３の事前設定周波数（Ｆｃ）であると判定される。いくつかの実施形態では、第３の温度差（Ｔｄ３）が第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）以上であるとき、すなわち、現在の測定と以前の測定との間の温度変化が十分に大きい（Ｔｐｄ３以上）とき、リフレッシュ周波数（Ｆ）を変更する必要があるため、データロスを防止するために、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を第３の事前設定周波数（Ｆｃ）まで増加させる必要がある。

図１１は、本開示のいくつかの実施形態による複数のＤＲＡＭチップ９の代表温度と複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）との関係を示す別の概略プロットである。図１１を参照して、いくつかの実施形態では、複数のＤＲＡＭチップ９の代表温度が低下し、第３の温度差（Ｔｄ３）が第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）未満であるとき、第３の温度（Ｔ３）が第２の温度範囲（ＲＴ２）内に入っても、ＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）は、第３の事前設定周波数（Ｆｃ）であると判定される。いくつかの実施形態では、第３の温度差（Ｔｄ３）が第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）より小さいとき、すなわち、現在の測定と以前の測定との間の温度変化が十分に小さい（Ｔｐｄ３より小さい場合）とき、リフレッシュ周波数（Ｆ）を変更する必要はなく、したがって、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）は、電子メモリ１００の動作負荷を軽減するために、第３の事前設定周波数（Ｆｃ）に維持される。

図１１を参照して、いくつかの実施形態では、複数のＤＲＡＭチップ９の代表温度が低下し、第３の温度（Ｔ３）が第２の温度範囲（ＲＴ２）内に入り、第３の温度差（Ｔｄ３）が第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）以上であるとき、ＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）は、第２の事前設定周波数（Ｆｂ）と判定される。いくつかの実施形態では、第３の温度差（Ｔｄ３）が第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）以上であるとき、すなわち、今回の測定と以前の測定との間の温度変動が十分に大きい（Ｔｐｄ３以上）場合、リフレッシュ周波数（Ｆ）を変更する必要があるため、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を第２の事前設定周波数（Ｆｂ）まで低下させて、消費電力の不具合を防止する必要がある。

図１１を参照して、いくつかの実施形態では、複数のＤＲＡＭチップ９の代表温度が低下し、第２の温度差（Ｔｄ２）が第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）未満であるとき、第３の温度（Ｔ３）が第１の温度範囲（ＲＴ１）内に入っても、ＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）は、第２の事前設定周波数（Ｆｂ）であると判定される。いくつかの実施形態では、第２の温度差（Ｔｄ２）が第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）より小さいとき、すなわち、今回の測定と前回の測定との間の温度変動が十分に小さい（Ｔｐｄ２より小さい）とき、リフレッシュ周波数（Ｆ）を変更する必要がないため、電子メモリ１００の動作負担を軽減するために、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を第２の事前設定周波数（Ｆｂ）に維持する。

図１１を参照して、いくつかの実施形態では、複数のＤＲＡＭチップ９の代表温度が低下し、第３の温度（Ｔ３）が第１の温度範囲（ＲＴ１）内にあり、第２の温度差（Ｔｄ２）が第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）以上であるとき、ＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）は、第１の事前設定周波数（Ｆａ）と判定される。いくつかの実施形態では、第２の温度差（Ｔｄ２）が第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）以上であるとき、すなわち、今回の測定と前回の測定との間の温度変動が十分に大きいとき（Ｔｐｄ２以上）には、リフレッシュ周波数（Ｆ）を変更する必要があるため、複数のＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を第１の事前設定周波数（Ｆａ）まで減少させて、消費電力の課題を防止する必要がある。

いくつかの実施形態では、第３の温度（Ｔ３）が複数のＤＲＡＭチップ９の温度のうちの最も高い温度であるため、代表温度が低下し、第３の温度（Ｔ３）と第２の事前設定温度（Ｔｂ）との間の第３の温度差（Ｔｄ３）が第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）以上であるとき、複数のＤＲＡＭチップ９のそれぞれの温度と第２の事前設定温度（Ｔｂ）との間の第３の温度差（Ｔｄ３）は、第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）以上であると判定される。

同様に、いくつかの実施形態では、代表温度が低下し、第３の温度（Ｔ３）と第１の事前設定温度（Ｔａ）との第２の温度差（Ｔｄ２）が第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）以上であるとき、複数のＤＲＡＭチップ９のそれぞれの温度と第１の事前設定温度（Ｔａ）との第２の温度差（Ｔｄ２）は、第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）以上であると判定される。

同様に、いくつかの実施形態では、代表温度が上昇し、第３の温度（Ｔ３）と第１の事前設定温度（Ｔａ）との間の第２の温度差（Ｔｄ２）が第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）以上であるとき、複数のＤＲＡＭチップ９のそれぞれの温度と第１の事前設定温度（Ｔａ）との間の第２の温度差（Ｔｄ２）は、第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）以上であると判定される。

同様に、いくつかの実施形態では、代表温度が上昇し、第３の温度（Ｔ３）と第２の事前設定温度（Ｔｂ）との間の第３の温度差（Ｔｄ３）が第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）以上である場合、複数のＤＲＡＭチップ９のそれぞれの温度と第２の事前設定温度（Ｔｂ）との間の第３の温度差（Ｔｄ３）は、第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）以上であると判定される。

いくつかの実施形態では、第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）が第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）と同一であるが、一部の他の実施形態では、第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）は、第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）とは異なり得る。

いくつかの実施形態では、代表温度が上昇しているときに設定される第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）は、代表温度が低下しているときに設定される第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）と同一である。一部の他の実施形態では、代表温度が上昇しているときに設定される第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）は、代表温度が低下しているときに設定される第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）とは異なり得る。

いくつかの実施形態では、代表温度が上昇しているときに設定される第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）は、代表温度が低下しているときに設定される第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）と同一である。いくつかの他の実施形態では、代表温度が上昇しているときに設定される第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）は、代表温度が低下しているときに設定される第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）とは異なり得る。

いくつかの実施形態では、記憶モジュール１３、第１の記憶部１２５および第２の記憶部１２８は、レジスタとして構成される。一部の他の実施形態では、記憶モジュール１３、第１の記憶部１２５および第２の記憶部１２８の構成を変更することができる。

いくつかの実施形態では、第１の記憶部１２５は、第１の事前設定温度差（Ｔｐｄ１）を第３の比較部１２４に提供する。いくつかの実施形態では、第２の記憶部１２８は、事前設定温度セットを第２の演算部１２７に提供する。一部の他の実施形態では、第１および第２の記憶部１２５および１２８の配置は、変更されてもよい。

いくつかの実施形態では、第１の事前設定温度（Ｔａ）は摂氏４５度であり、第２の事前設定温度（Ｔｂ）は摂氏８５度であり、第３の事前設定温度（Ｔｃ）は摂氏９５度であり、第１、第２および第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ１、Ｔｐｄ２、Ｔｐｄ３）は摂氏５度である。一部の他の実施形態では、第１の事前設定温度（Ｔａ）、第２の事前設定温度（Ｔｂ）、第３の事前設定温度（Ｔｃ）、第１の事前設定温度差（Ｔｐｄ１）、第２の事前設定温度差（Ｔｐｄ２）および第３の事前設定温度差（Ｔｐｄ３）の値を変化させることができる。

以上のように、周波数調整回路１０の構成により、システムシャットダウンの課題を招くことなく、ＤＲＡＭチップ９の代表温度を求めることができ、ＤＲＡＭチップ９の代表温度に基づいて、ＤＲＡＭチップ９のリフレッシュ周波数（Ｆ）を求めることができる。その結果、本開示の目的が達成される。

本発明の一態様は、周波数調整回路を提供する。周波数調整回路は、温度検出モジュールおよび演算モジュールを含む。温度検出モジュールは、複数のＤＲＡＭチップの温度を測定するように構成される。演算モジュールは、温度検出モジュールに結合され、複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するように構成される。いくつかの実施形態では、演算モジュールが温度検出モジュールによって測定された複数のＤＲＡＭチップの温度を比較して第１の温度を決定し、複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を比較して第２の温度を決定し、第１の温度および第２の温度に基づいてリフレッシュ周波数を決定するように構成される。

本発明の一態様は、電子メモリを提供する。電子メモリは、複数のＤＲＡＭチップと、複数のＤＲＡＭチップに結合され、複数のＤＲＡＭチップの温度を測定して複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するように構成された周波数調整回路とを備える。いくつかの実施形態では、周波数調整回路は、温度検出モジュールおよび演算モジュールを含む。いくつかの実施形態では、温度検出モジュールは、複数のＤＲＡＭチップの温度を測定するように構成される。いくつかの実施形態では、演算モジュールは、温度検出モジュールと複数のＤＲＡＭチップとの間に結合され、複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するように構成される。いくつかの実施形態では、演算モジュールは、温度検出モジュールによって測定された複数のＤＲＡＭチップの温度を比較して、第１の温度を決定し、複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を比較して、第２の温度を決定し、第１の温度および第２の温度に基づいてリフレッシュ周波数を決定するように構成される。

本開示の一態様は、複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定する方法を提供する。この方法は、以下のステップを含む。最初に、第１の温度を決定する。次に、第２の温度を決定する。続いて、第１の温度を第２の温度と比較して、第１の温度差を得る。次に、第１の温度差を第１の事前設定温度差と比較して第３の温度を得る。最後に、第３の温度に基づいて複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定する。

本開示およびその利点を詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲によって定義される本開示の精神および範囲から逸脱することなく、様々な変更、置換および変更を本明細書で行うことができることを理解されたい。例えば、上記で論じたプロセスの多くは、異なる方法論で実施することができ、他のプロセス、またはそれらの組合せによって置き換えることができる。

さらに、本出願の範囲は、本明細書で説明されるプロセス、機械、製造、および物質の組成、手段、方法、およびステップの特定の実施形態に限定されることを意図していない。当業者は、本開示から容易に理解するように、本明細書に記載される対応する実施形態と実質的に同じ機能を実行するか、または実質的に同じ結果を達成する、現在存在するかまたは後に開発されるべき、プロセス、機械、製造、物質、手段、方法またはステップが、本開示に従って利用され得る。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法またはステップをそれらの範囲内に含むことが意図される。

Claims

複数のＤＲＡＭチップの温度を測定するように構成された温度検知モジュールと、
温度検知モジュールに接続され、複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するように構成された演算モジュールと、を備え、
前記演算モジュールは、前記温度検知モジュールによって測定された前記複数のＤＲＡＭチップの温度を比較して第１の温度を決定し、前記複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を比較して第２の温度を決定し、前記第１の温度および前記第２の温度に基づいて第１の温度差を得て、前記第１の温度差と第１の事前設定温度差との比較に基づいて前記リフレッシュ周波数を決定するように構成される、
周波数調整回路。
前記演算モジュールは、前記温度検知モジュールに結合され、前記複数のＤＲＡＭチップの温度を比較して、前記複数のＤＲＡＭチップの温度のうちの最高の温度である前記第１の温度を得るように構成された第１の比較部を含む、請求項１に記載の周波数調整回路。
前記演算モジュールは、前記複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を比較して、前記複数のＤＲＡＭチップの以前の温度のうちの最も高い温度である前記第２の温度を得るように構成された第２の比較部をさらに含む、請求項２に記載の周波数調整回路。
前記演算モジュールは、
前記第１の比較部および前記第２の比較部に結合され、前記第１の温度および前記第２の温度に基づいて前記第１の温度差を得るように構成される第１の演算部と、
前記第１の演算部に結合され、前記第１の温度差を前記第１の事前設定温度差と比較するように構成される第３の比較部と、
前記第１の比較部、前記第２の比較部および前記第３の比較部に結合され、前記第１の温度差と前記第１の事前設定温度差との比較の結果に基づいて第３の温度を得るように構成される選択部と、
をさらに含む、請求項３に記載の周波数調整回路。
前記演算モジュールは、前記選択部に結合され、前記リフレッシュ周波数を決定するために、前記第３の温度を事前設定温度セットと比較するように構成された第２の演算部をさらに含む、請求項４に記載の周波数調整回路。
前記事前設定温度セットは、第１の温度範囲および第２の温度範囲を定義する少なくとも１つの事前設定温度を含み、
前記第２の演算部は、前記第３の温度が前記第１の温度範囲内に入る場合、第１の事前設定周波数を出力するように構成され、
前記第２の演算部は、前記第３の温度が前記第２の温度範囲内に入る場合、第２の事前設定周波数を出力するように構成される、
請求項５に記載の周波数調整回路。
前記事前設定温度セットは、第２の事前設定温度差をさらに含み、第２の温度差は、前記第３の温度と前記少なくとも１つの事前設定温度との間の差として定義され、
第３の温度が上昇し、第２の温度範囲内に入るとき、
前記第２の演算部は、前記第２の温度差が前記第２の事前設定温度差未満である場合、前記第１の事前設定周波数を出力するように構成され、
前記第２の演算部は、前記第２の温度差が前記第２の事前設定温度差以上である場合、前記第２の事前設定周波数を出力するように構成される、
請求項６に記載の周波数調整回路。
前記事前設定温度セットは、第２の事前設定温度差をさらに含み、第２の温度差は、前記第３の温度と前記少なくとも１つの事前設定温度との間の差として定義され、
前記第３の温度が低下し、前記第１の温度範囲内に入るとき、
前記第２の演算部は、前記第２の温度差が前記第２の事前設定温度差未満である場合、前記第２の事前設定周波数を出力するように構成され、
前記第２の演算部は、前記第２の温度差が前記第２の事前設定温度差以上である場合、前記第１の事前設定周波数を出力するように構成される、
請求項６に記載の周波数調整回路。
複数のＤＲＡＭチップと、
前記複数のＤＲＡＭチップに結合され、前記複数のＤＲＡＭチップの温度を測定して、前記複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するように構成された周波数調整回路と、を備え、
前記周波数調整回路は、
前記複数のＤＲＡＭチップの温度を測定するように構成された温度検知モジュールと、
前記温度検知モジュールと前記複数のＤＲＡＭチップとの間に結合され、前記複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するように構成された演算モジュールと、
を含み、
前記演算モジュールは、前記温度検知モジュールによって測定された前記複数のＤＲＡＭチップの温度を比較して第１の温度を決定し、前記複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を比較して第２の温度を決定し、前記第１の温度および前記第２の温度に基づいて第１の温度差を得て、前記第１の温度差と第１の事前設定温度差との比較に基づいて前記リフレッシュ周波数を決定するように構成される、
電子メモリ。
前記演算モジュールは、前記温度検知モジュールに結合され、前記複数のＤＲＡＭチップの温度を比較して、前記複数のＤＲＡＭチップの温度のうちの最も高い前記第１の温度を得るように構成された第１の比較部を含む、請求項９に記載の電子メモリ。
前記演算モジュールは、前記複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を比較して、前記複数のＤＲＡＭチップの以前の温度のうちの最も高い前記第２の温度を得るように構成された第２の比較部をさらに含む、請求項１０に記載の電子メモリ。
前記演算モジュールは、
前記第１の比較部および前記第２の比較部に結合され、前記第１の温度および前記第２の温度に基づいて前記第１の温度差を取得するように構成される第１の演算部と、
前記第１の演算部に結合され、前記第１の温度差を前記第１の事前設定温度差と比較するように構成される第３の比較部と、
前記第１の比較部、前記第２の比較部および前記第３の比較部に結合され、前記第１の温度差と前記第１の事前設定温度差との比較の結果に基づいて第３の温度を得るように構成される選択部と、をさらに含む、
請求項１１に記載の電子メモリ。
前記演算モジュールは、前記選択部に結合され、前記リフレッシュ周波数を決定するために前記第３の温度を事前設定温度セットと比較するように構成された第２の演算部をさらに含む、請求項１２に記載の電子メモリ。
前記事前設定温度セットは、第１の温度範囲および第２の温度範囲を定義する少なくとも１つの事前設定温度を含み、
前記第２の演算部は、前記第３の温度が前記第１の温度範囲内に入る場合、第１の事前設定周波数を出力するように構成され、
前記第２の演算部は、前記第３の温度が前記第２の温度範囲内に入る場合、第２の事前設定周波数を出力するように構成される、
請求項１３に記載の電子メモリ。
前記事前設定温度セットは、第２の事前設定温度差をさらに含み、第２の温度差は、第３の温度と少なくとも１つの事前設定温度との間の差として定義され、
前記第３の温度が上昇し、前記第２の温度範囲内に入るとき、
前記第２の演算部は、前記第２の温度差が前記第２の事前設定温度差未満である場合、前記第１の事前設定周波数を出力するように構成され、
前記第２の演算部は、前記第２の温度差が前記第２の事前設定温度差以上である場合、前記第２の事前設定周波数を出力するように構成される、
請求項１４に記載の電子メモリ。
前記事前設定温度セットは、第２の事前設定温度差をさらに含み、第２の温度差は、前記第３の温度と前記少なくとも１つの事前設定温度との間の差として定義され、
前記第３の温度が低下し、前記第１の温度範囲内に入るとき、
前記第２の演算部は、前記第２の温度差が前記第２の事前設定温度差未満である場合、前記第２の事前設定周波数を出力するように構成され、
前記第２の演算部は、前記第２の温度差が前記第２の事前設定温度差以上である場合、前記第１の事前設定周波数を出力するように構成される、
請求項１４に記載の電子メモリ。
第１の温度を決定するステップと、
第２の温度を決定するステップと、
前記第１の温度を前記第２の温度と比較して、第１の温度差を得るステップと、
前記第１の温度差を第１の事前設定温度差と比較して第３の温度を得るステップと、
前記第３の温度に基づいて複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するステップと、
を備える方法。
前記第１の温度を決定するステップは、
複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を測定し、
複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を比較し、
複数のＤＲＡＭチップの以前の温度のうちの最高の温度を第２の温度として選択することを含み、
前記第２の温度を決定するステップは、
前記複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を読み取り、
前記複数のＤＲＡＭチップの以前の温度を比較し、前記複数のＤＲＡＭチップの以前の温度のうちの最も高い温度を第２の温度として選択することを含む、
請求項１７に記載の方法。
前記第１の温度差が前記第１の事前設定温度差未満であるとき、前記第３の温度は、前記第２の温度と同一であると判定され、前記第１の温度差が前記第１の事前設定温度差以上であるとき、前記第３の温度は、前記第１の温度と同一であると判定される、請求項１７に記載の方法。
前記第３の温度に基づいて前記複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定するステップは、
前記第３の温度を事前設定温度セットと比較し、
前記第３の温度と前記事前設定温度セットとの温度比較の結果に基づいて、前記複数のＤＲＡＭチップのリフレッシュ周波数を決定することを含む、
請求項１７に記載の方法。