JP6820766B2 - Gas introduction mechanism and heat treatment equipment - Google Patents
Gas introduction mechanism and heat treatment equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP6820766B2 JP6820766B2 JP2017039197A JP2017039197A JP6820766B2 JP 6820766 B2 JP6820766 B2 JP 6820766B2 JP 2017039197 A JP2017039197 A JP 2017039197A JP 2017039197 A JP2017039197 A JP 2017039197A JP 6820766 B2 JP6820766 B2 JP 6820766B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- injector
- gas introduction
- introduction mechanism
- processing container
- mechanism according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明は、ガス導入機構及び熱処理装置に関する。 The present invention relates to a gas introduction mechanism and a heat treatment apparatus.
従来から、処理容器の下端を支持するマニホールドに直管形状のインジェクタを取り付け、インジェクタを介して処理容器内にガスを供給する基板処理装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, there has been known a substrate processing apparatus in which a straight pipe-shaped injector is attached to a manifold that supports the lower end of the processing container, and gas is supplied into the processing container via the injector (see, for example, Patent Document 1).
ところで、直管形状のインジェクタを有する基板処理装置では、マニホールドに対し、容易にインジェクタを取り付け可能とするために、マニホールドとインジェクタとの接続部分に、僅かな隙間が設けられている場合がある。この場合、インジェクタを介して処理容器内にガスを導入する際、上記の隙間から処理容器内にガスが漏れる虞がある。 By the way, in a substrate processing apparatus having a straight tube-shaped injector, a slight gap may be provided at a connection portion between the manifold and the injector so that the injector can be easily attached to the manifold. In this case, when the gas is introduced into the processing container via the injector, the gas may leak into the processing container through the above gap.
そこで、本発明の一態様では、マニホールドとインジェクタとの接続部分でのガス漏れを防止することが可能なガス導入機構を提供することを目的とする。 Therefore, one aspect of the present invention is to provide a gas introduction mechanism capable of preventing gas leakage at a connecting portion between a manifold and an injector.
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るガス導入機構は、縦長の処理容器と、前記処理容器の内周壁の長手方向に沿って、少なくとも前記処理容器の下部において前記内周壁と間隔を有して設けられたインジェクタと、前記インジェクタを下方から支持するマニホールドと、前記インジェクタの下部において、前記インジェクタに対し、下方から上方に向かう押圧力を加える押圧力発生部材と、前記インジェクタが上方へ移動するのを規制する規制部材と、を有し、前記インジェクタは、下端部に形成された挿入部と、前記挿入部の上方において外周面から半径方向の外方に延びて形成され、前記規制部材に当接可能な鍔部と、を有し、前記マニホールドは、前記挿入部を外嵌支持可能な凹部を有し、前記凹部は、前記挿入部が挿入される小径部と、前記小径部よりも上方に設けられ、前記小径部よりも開口径が大きい大径部と、前記小径部と前記大径部とを接続する段部とを有する。
In order to achieve the above object, the gas introduction mechanism according to one aspect of the present invention is spaced from the vertically long processing container and the inner peripheral wall at least in the lower portion of the processing container along the longitudinal direction of the inner peripheral wall of the processing container. An injector provided with the above, a manifold that supports the injector from below, a pressing force generating member that applies a pressing force downward to upward to the injector at the lower part of the injector, and the injector being upward. have a, a regulating member for regulating the movement of the said injector includes an insertion portion formed in a lower end portion, is formed extending radially outwardly from the outer peripheral surface at the upper side of the insertion portion, wherein The manifold has a flange portion capable of contacting the regulating member, the manifold has a recess capable of externally supporting the insertion portion, and the recess has a small diameter portion into which the insertion portion is inserted and the small diameter portion. It has a large-diameter portion that is provided above the portion and has an opening diameter larger than that of the small-diameter portion, and a step portion that connects the small-diameter portion and the large-diameter portion .
開示のガス導入機構によれば、マニホールドとインジェクタとの接続部分でのガス漏れを防止することができる。 According to the disclosed gas introduction mechanism, it is possible to prevent gas leakage at the connection portion between the manifold and the injector.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification and the drawings, substantially the same configuration is designated by the same reference numerals to omit duplicate explanations.
〔第1実施形態〕
第1実施形態に係るガス導入機構及び熱処理装置について説明する。図1は、第1実施形態に係るガス導入機構及び熱処理装置の一例の概略図である。
[First Embodiment]
The gas introduction mechanism and the heat treatment apparatus according to the first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic view of an example of a gas introduction mechanism and a heat treatment apparatus according to the first embodiment.
第1実施形態に係るガス導入機構は、処理対象、処理内容は特に限定されず、ガスを処理容器内に供給して処理を行う種々の基板処理装置に適用可能であるが、第1実施形態では、基板に熱処理を行う熱処理装置に適用した場合を例に挙げて説明する。 The gas introduction mechanism according to the first embodiment is not particularly limited in the processing target and the processing content, and can be applied to various substrate processing devices that supply gas into the processing container for processing. Then, a case where it is applied to a heat treatment apparatus which heat-treats a substrate will be described as an example.
図1に示されるように、熱処理装置は、半導体ウエハ(以下単に「ウエハW」という。)を収容する縦長の処理容器10を有している。
As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus has a vertically
処理容器10は、耐熱性の高い石英により略円筒体状に成形され、天井に排気口11を有する。処理容器10は、鉛直方向(上下方向)に延びる縦型の形状に構成されている。処理容器10の直径は、例えば処理されるウエハWの直径が300mmの場合には、350〜450mm程度の範囲に設定される。処理容器10の天井部の排気口11には、ガス排気ポート20が接続される。
The
ガス排気ポート20は、例えば排気口11から延びて直角に横方向へL字状に屈曲された石英管により形成される。ガス排気ポート20には、処理容器10内の雰囲気を排気する真空排気系30が接続される。
The
真空排気系30は、ガス排気ポート20に連結されるガス排気管31を有している。ガス排気管31は、例えばステンレス鋼等の金属により形成される。ガス排気管31の途中には、開閉弁32、バタフライバルブ等の圧力調整弁33、及び真空ポンプ34が順次介設されており、処理容器10内の圧力を調整しながら真空に排気できるようになっている。なお、ガス排気ポート20の内径は、ガス排気管31の内径と同じに設定されている。
The
加熱手段40は、処理容器10の外周に、処理容器10を取り囲むようにして設けられている。加熱手段40は、処理容器10内に位置するウエハWを加熱し得るようになっている。加熱手段40の外周には断熱材50が設けられており、熱的安定性を確保するようになっている。
The heating means 40 is provided on the outer periphery of the
蓋体60は、処理容器10の下端部の開口を開閉可能に設けられている。蓋体60を移動させて開口を開くことで、ウエハWを搬入出できるようになっている。
The
昇降機構70は、例えばボートエレベータであり、先端に回転軸72が取り付けられたアーム71を支持する。昇降機構70は、蓋体60、ウエハボート80等を一体的に昇降させる。
The
ウエハボート80は、上下方向に複数枚のウエハWを離間した状態で保持する。ウエハボート80が保持するウエハの枚数は特に限定されないが、例えば50〜150枚とすることができる。ウエハボート80は、石英により形成された保温筒75を介してテーブル74上に載置されている。テーブル74は、処理容器10の下端開口部を開閉する蓋体60を貫通する回転軸72の上端部に支持される。回転軸72の貫通部には、例えば磁性流体シール73が介設され、回転軸72を気密にシールした状態で回転可能に支持している。また、蓋体60の周辺部と処理容器10の下端部には、例えばO−リング等のシール部材61が介設されており、処理容器10内のシール性を保持している。なお、テーブル74を、蓋体60側へ固定して設け、ウエハボート80を回転させることなくウエハWの処理を行うようにしてもよい。
The
マニホールド90は、処理容器10の下端部に設けられ、処理容器10の内周壁に沿って延びる部分と、半径方向の外方に向けて延びるフランジ状の部分とを有する。マニホールド90は、処理容器10とは別部品で構成されるが、処理容器10の側壁と一体的に設けられ、処理容器10の側壁の一部を構成するように設けられる。マニホールド90は、インジェクタ100を支持する。
The
インジェクタ100は、処理容器10内にガスを供給するためのガス供給手段であり、石英により形成される。即ち、インジェクタ100は、石英管とすることができる。インジェクタ100は、処理容器10の内周壁の長手方向に沿って、少なくとも処理容器10の下部において内周壁と間隔を有して設けられている。インジェクタ100には、その長さ方向に沿って複数の吐出孔102が所定の間隔を有して形成されており、各々の吐出孔102から水平方向に向けて略均一にガスを吐出できるようになっている。
The
ガス供給系110は、インジェクタ100へガスを供給する。ガス供給系110は、インジェクタ100へ連通されるガス配管111を有している。ガス配管111は、例えばステンレス鋼等の金属により形成される。ガス配管111の途中には、マスフローコントローラ等の流量制御器113、及び開閉弁112が順次介設されて、処理ガスの流量を制御しながら供給できるようになっている。熱処理に必要な他の処理ガスも、同様のガス供給系110及びマニホールド90を介して供給される。
The
ベースプレート120は、処理容器10の下端部のマニホールド90の周辺部を支持する部材であり、例えばステンレス鋼により形成される。ベースプレート120は、処理容器10の荷重を支持する。ベースプレート120の下方は、図示しないウエハ移載機構を有するウエハ移載室となっており、略大気圧の窒素ガス雰囲気になっている。また、ベースプレート120の上方は、通常のクリーンルームの清浄な空気の雰囲気となっている。
The
規制部材130は、マニホールド90により支持されたインジェクタ100が上方へ移動するのを規制する部材である。規制部材130の詳細については後述する。
The regulating
次に、第1実施形態に係る熱処理装置におけるガス導入機構について詳細に説明する。図2から図4は、第1実施形態に係るガス導入機構の一例の概略図である。図2はガス導入機構の概略斜視図であり、図3は図2における規制部材を取り付ける前のガス導入機構の概略斜視図であり、図4は図3のガス導入機構を矢印Aの方向から見たときの概略斜視図である。 Next, the gas introduction mechanism in the heat treatment apparatus according to the first embodiment will be described in detail. 2 to 4 are schematic views of an example of the gas introduction mechanism according to the first embodiment. FIG. 2 is a schematic perspective view of the gas introduction mechanism, FIG. 3 is a schematic perspective view of the gas introduction mechanism before mounting the regulating member in FIG. 2, and FIG. 4 shows the gas introduction mechanism of FIG. 3 from the direction of arrow A. It is a schematic perspective view when viewed.
図2から図4に示されるように、ガス導入機構は、マニホールド90と、インジェクタ100と、規制部材130と、溶接ベローズ140とを有する。
As shown in FIGS. 2 to 4, the gas introduction mechanism includes a manifold 90, an
マニホールド90は、インジェクタ支持部91と、ガス導入部98とを有する。インジェクタ支持部91は、処理容器10の内周壁に沿って上下方向に延びる部分であり、インジェクタ100の下端部を外嵌支持可能な凹部92を有する。凹部92は、インジェクタ100の下端部が挿入されたときに、インジェクタ100を鉛直に立たせた状態で支持できる高さを有する。凹部92にインジェクタ100の下端部である挿入部103が挿入されることで、インジェクタ100が支持される。凹部92は、小径部93と、小径部93よりも開口径が大きい大径部94と、小径部93と大径部94とを接続する段部95とを有する。大径部94は、小径部93の上方に形成されている。ガス導入部98は、インジェクタ支持部91から半径方向の外方に延び、処理容器10の外側に露出する部分であり、ガス導入路99を有する。
The manifold 90 has an
インジェクタ100は、直管部101と、吐出孔102と、挿入部103と、鍔部104と、開口部105と、を有する。直管部101は、処理容器10の内周壁の長手方向に沿って設けられている。吐出孔102は、直管部101の長さ方向に沿って所定の間隔を有して複数形成されており、各々の吐出孔102から水平方向に向けて略均一にガスを吐出できるようになっている(図1参照)。挿入部103は、インジェクタ100の下端部に形成されており、小径部93に挿入される部分である。挿入部103の外径は、小径部93の開口径と同一又は僅かに小さくなるように形成されている。これにより、挿入部103が小径部93に挿入可能となっている。挿入部103の長さは、小径部93の高さよりも長く、大径部94と小径部93の合計の高さよりも小さくなるように形成されている。そのため、挿入部103の外周面と大径部94の内周面との間には隙間が形成されている。鍔部104は、直管部101と挿入部103との間において、外周面から半径方向の外方に延びて形成された部分である。鍔部104の下面と段部95との間には、大径部94の内周面、段部95、挿入部103の外周面、及び鍔部104の下面によって囲まれた空間Sが形成されている。鍔部104は、空間Sに配置される溶接ベローズ140を介して段部95と係合可能となっている。鍔部104の外径は、小径部93の開口径よりも大きく、大径部94の開口径よりも僅かに小さくなるように形成されている。これにより、インジェクタ100を凹部92に挿入した際、鍔部104の外周面と大径部94の内周面との間には隙間Dが形成される。また、鍔部104の上面は、溶接ベローズ140の弾性力によって規制部材130の下面に当接可能になっている。開口部105は、挿入部103の側面に形成されており、ガス導入路99と連通する。ガス供給系110から供給されるガスは、ガス導入路99、開口部105、及び吐出孔102を通って、処理容器10内に供給される。
The
規制部材130は、凹部92に挿入されたインジェクタ100が凹部92から抜けるのを規制する部材である。規制部材130は、内径が直管部101の外径よりも大きく、鍔部104の外径よりも小さい挿通孔131を有する。規制部材130は、インジェクタ100を凹部92に挿入した後、インジェクタ支持部91の上面に固定ネジ等を用いて取り付けられる。これにより、インジェクタ100が凹部92から上方に抜ける方向の力が加わった場合、鍔部104の上面が規制部材130の下面に当接し、インジェクタ100が凹部92から抜けるのが規制される。また、鍔部104と規制部材130との位置合わせやズレ防止の観点から、鍔部104の上面及び規制部材130の下面に凹凸等の係合部を形成することが好ましい。
The regulating
溶接ベローズ140は、凹部92内に設けられ、インジェクタ100に対し、凹部92から抜ける方向の押圧力を加えてインジェクタ100を規制部材130に当接させる押圧力発生部材である。溶接ベローズ140は、空間Sに設けられ、一端(下端)が段部95に固定され、他端(上端)が鍔部104の下面に固定されている。これにより、空間Sは、溶接ベローズ140を挟んで挿入部103側の空間S1と凹部92の側面側の空間S2とに分離される。これにより、ガス導入路99と開口部105との連通部分から凹部92内の空間S1にガスが漏れた場合であっても、空間S1が溶接ベローズ140によって封止されているので、空間S1から空間S2へガスが漏れるのを防止できる。また、溶接ベローズ140の弾性力により、鍔部104に押圧力が加えられ、鍔部104の上面が規制部材130の下面に当接している。このように、溶接ベローズ140の弾性変形により生じる力によって、鍔部104は規制部材130の下面に常時押し当てられているので、マニホールド90に対するインジェクタ100のガタツキを抑制することができる。
The weld bellows 140 is a pressing force generating member provided in the
以上に説明したように、第1実施形態に係るガス導入機構では、凹部92内の空間Sにおいて、一端が段部95に固定され、他端が鍔部104の下面に固定された溶接ベローズ140を有する。これにより、マニホールド90のガス導入路99とインジェクタ100の開口部105との連通部分から空間S1にガスが漏れた場合であっても、空間S1が溶接ベローズ140によって封止されているので、空間S1から空間S2へガスが漏れるのを防止できる。即ち、マニホールド90とインジェクタ100との接続部分でのガス漏れを防止することができる。
As described above, in the gas introduction mechanism according to the first embodiment, in the space S in the
また、マニホールド90とインジェクタ100の接続部分から処理容器10内へのガスの漏れを防止できるので、処理容器10内のウエハWには、インジェクタ100の吐出孔102のみからガスが吐出される。そのため、ウエハWに成膜される膜の面内均一性及び面間均一性が向上する。これに対し、マニホールド90とインジェクタ100の接続部分から処理容器10内へのガスの漏れがある場合、処理容器10内のウエハWには、インジェクタ100の吐出孔102からだけでなく、処理容器10の下方からもガスが吐出される。そのため、処理容器10内の下方に位置するウエハWでは、中心部よりも周辺部の膜厚が厚くなる等、面内均一性が悪化する場合がある。また、処理容器10の上方に位置するウエハWに吐出されるガスの量と、下方に位置するウエハWに吐出されるガスの量とのバランスが崩れるため、面間均一性が悪化する場合がある。
Further, since it is possible to prevent gas from leaking into the
また、第1実施形態に係るガス導入機構では、溶接ベローズ140の弾性力により、鍔部104に押圧力が加えられ、鍔部104の上面が規制部材130の下面に当接している。このように、溶接ベローズ140の弾性変形により生じる力によって、鍔部104は規制部材130の下面に常時押し当てられているので、マニホールド90に対するインジェクタ100のガタツキを抑制することができる。特に、インジェクタ100に大流量のガスを供給した場合に、インジェクタ100が浮き上がる等、上下方向に移動することを防止することができる。
Further, in the gas introduction mechanism according to the first embodiment, a pressing force is applied to the
〔第2実施形態〕
第2実施形態に係るガス導入機構及び熱処理装置について説明する。図5から図8は、第2実施形態に係るガス導入機構の一例の概略図である。図5はガス導入機構を分解したとき概略斜視図であり、図6はガス導入機構の概略上面図であり、図7は図6における一点鎖線A−Aにおいて切断した断面図であり、図8は図6における一点鎖線B−Bにおいて切断した断面図である。
[Second Embodiment]
The gas introduction mechanism and the heat treatment apparatus according to the second embodiment will be described. 5 to 8 are schematic views of an example of the gas introduction mechanism according to the second embodiment. FIG. 5 is a schematic perspective view when the gas introduction mechanism is disassembled, FIG. 6 is a schematic top view of the gas introduction mechanism, and FIG. 7 is a cross-sectional view cut along the alternate long and short dash line AA in FIG. Is a cross-sectional view taken along the alternate long and short dash line BB in FIG.
第2実施形態に係るガス導入機構及び熱処理装置は、マニホールド90と一体として形成された規制部材である規制部96を有している点で、第1実施形態と異なっている。その他の構成については、第1実施形態に係るガス導入機構及び熱処理装置と同様であるので、対応する構成要素には同一の参照符号を付してその説明を省略する。
The gas introduction mechanism and the heat treatment apparatus according to the second embodiment are different from the first embodiment in that they have a
図5から図8に示されるように、ガス導入機構は、マニホールド90と一体として形成され、嵌合孔97を有する規制部96と、嵌合孔97に嵌合する鍔部104を有するインジェクタ100とを有する。
As shown in FIGS. 5 to 8, the gas introduction mechanism is formed integrally with the manifold 90, and the
規制部96は、マニホールド90に形成された凹部92(大径部94)の上方に形成されている。規制部96は、マニホールド90により支持されたインジェクタ100が凹部92から抜けるのを規制する部分である。規制部96には、上下方向に貫通する嵌合孔97が形成されている。嵌合孔97は、挿入部103及び鍔部104を挿通可能に構成されている。嵌合孔97は、例えば図5及び図6に示されるように、孔の形状が二面カット形状に形成された二面カット孔であってよい。また、嵌合孔97は、孔の形状がD字形状に形成されたDカット孔であってもよい。
The regulating
鍔部104は、嵌合孔97に嵌合し、溶接ベローズ140の弾性力が加わることで規制部96に当接するように構成されている。例えば嵌合孔97が二面カット孔である場合、鍔部104は二面カット孔に対応して外周形状が二面カット形状に加工された二面カット部とすることができる。そして、嵌合孔97にインジェクタ100の挿入部103及び鍔部104を挿入し、90°回転させることで、溶接ベローズ140の弾性力によって規制部96の下面に鍔部104の上面が当接する。また、例えば嵌合孔97がDカット孔である場合、鍔部104はDカット孔に対応して外周形状がD字形状に加工されたDカット部とすることができる。そして、嵌合孔97にインジェクタ100の挿入部103及び鍔部104を挿入し、90°回転させることで、溶接ベローズ140の弾性力によって規制部96の下面に鍔部104の上面が当接する。また、鍔部104と規制部96との位置合わせやズレ防止の観点から、鍔部104の上面及び規制部96の下面に凹凸等の係合部を形成することが好ましい。
The
以上に説明したように、第2実施形態に係るガス導入機構では、第1実施形態と同様、凹部92内の空間Sにおいて、一端が段部95に固定され、他端が鍔部104の下面に固定された溶接ベローズ140を有する。これにより、マニホールド90のガス導入路99とインジェクタ100の開口部105との連通部分から空間S1にガスが漏れた場合であっても、空間S1が溶接ベローズ140によって封止されているので、空間S1から空間S2へガスが漏れるのを防止できる。即ち、マニホールド90とインジェクタ100との接続部分でのガス漏れを防止することができる。
As described above, in the gas introduction mechanism according to the second embodiment, one end is fixed to the
また、マニホールド90とインジェクタ100の接続部分から処理容器10内へのガスの漏れを防止できるので、処理容器10内のウエハWには、インジェクタ100の吐出孔102のみからガスが吐出される。そのため、ウエハWに成膜される膜の面内均一性及び面間均一性が向上する。これに対し、マニホールド90とインジェクタ100の接続部分から処理容器10内へのガスの漏れがある場合、処理容器10内のウエハWには、インジェクタ100の吐出孔102からだけでなく、処理容器10の下方からもガスが吐出される。そのため、処理容器10内の下方に位置するウエハWでは、中心部よりも周辺部の膜厚が厚くなる等、面内均一性が悪化する場合がある。また、処理容器10の上方に位置するウエハWに吐出されるガスの量と、下方に位置するウエハWに吐出されるガスの量とのバランスが崩れるため、面間均一性が悪化する場合がある。
Further, since it is possible to prevent gas from leaking into the
また、第2実施形態に係るガス導入機構では、溶接ベローズ140の弾性力により、鍔部104に押圧力が加えられ、鍔部104の上面が規制部96の下面に当接している。このように、溶接ベローズ140の弾性変形により生じる力によって、鍔部104は規制部96の下面に常時押し当てられているので、マニホールド90に対するインジェクタ100のガタツキを抑制することができる。特に、インジェクタ100に大流量のガスを供給した場合に、インジェクタ100が浮き上がる等、上下方向に移動することを防止することができる。
Further, in the gas introduction mechanism according to the second embodiment, a pressing force is applied to the
特に、第2実施形態では、規制部96の嵌合孔97にインジェクタ100の挿入部103及び鍔部104を挿通させた後、インジェクタ100を90°回転させることで、インジェクタ100をマニホールド90に取り付けることができる。即ち、ワンタッチでインジェクタ100の脱着が可能である。そのため、インジェクタ100の取り付けに要する工数を削減することができる。また、部材点数を削減できるので、コスト低減を図ることができる。
In particular, in the second embodiment, the
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。 Although the embodiment for carrying out the present invention has been described above, the above contents do not limit the contents of the invention, and various modifications and improvements can be made within the scope of the present invention.
上記の各実施形態では、押圧力発生部材が溶接ベローズ140である場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。押圧力発生部材は、凹部92内に設けられ、インジェクタ100に凹部92から抜ける方向の押圧力を加えてインジェクタ100を規制部材130(又は規制部96)に当接させることが可能であればよく、例えば他の弾性部材であってもよい。他の弾性部材を使用した場合であっても、凹部92内に設けられる押圧力発生部材の弾性力により、インジェクタ100に押圧力が加えられ、インジェクタ100の鍔部104の上面が規制部材130(又は規制部96)の下面に当接する。そのため、ガス導入路99と開口部105との連通部分から空間Sにガスが漏れた場合であっても、鍔部104の上面と規制部材130(規制部96)の下面との間に隙間がないので、空間Sから外部へガスが漏れるのを防止することができる。
In each of the above embodiments, the case where the pressing force generating member is the weld bellows 140 has been described as an example, but the present invention is not limited to this. The pressing force generating member may be provided in the
10 処理容器
40 加熱手段
90 マニホールド
92 凹部
93 小径部
94 大径部
95 段部
96 規制部
97 嵌合孔
100 インジェクタ
103 挿入部
104 鍔部
130 規制部材
140 溶接ベローズ
10
Claims (9)
前記処理容器の内周壁の長手方向に沿って、少なくとも前記処理容器の下部において前記内周壁と間隔を有して設けられたインジェクタと、
前記インジェクタを下方から支持するマニホールドと、
前記インジェクタの下部において、前記インジェクタに対し、下方から上方に向かう押圧力を加える押圧力発生部材と、
前記インジェクタが上方へ移動するのを規制する規制部材と、
を有し、
前記インジェクタは、下端部に形成された挿入部と、前記挿入部の上方において外周面から半径方向の外方に延びて形成され、前記規制部材に当接可能な鍔部と、を有し、
前記マニホールドは、前記挿入部を外嵌支持可能な凹部を有し、
前記凹部は、
前記挿入部が挿入される小径部と、
前記小径部よりも上方に設けられ、前記小径部よりも開口径が大きい大径部と、
前記小径部と前記大径部とを接続する段部とを有する、
ガス導入機構。 With a vertically long processing container
An injector provided along the longitudinal direction of the inner peripheral wall of the processing container at least at the lower part of the processing container at a distance from the inner peripheral wall.
A manifold that supports the injector from below,
At the lower part of the injector, a pressing force generating member that applies a pressing force from the lower side to the upper side with respect to the injector.
A regulatory member that regulates the movement of the injector upwards,
Have a,
The injector has an insertion portion formed at the lower end portion, and a collar portion formed above the insertion portion so as to extend outward in the radial direction from the outer peripheral surface and can come into contact with the regulation member.
The manifold has a recess that can externally support the insertion portion.
The recess is
The small diameter part into which the insertion part is inserted and
A large diameter portion provided above the small diameter portion and having a larger opening diameter than the small diameter portion,
It has a step portion that connects the small diameter portion and the large diameter portion.
Gas introduction mechanism.
請求項1に記載のガス導入機構。 The outer diameter of the collar portion is larger than the opening diameter of the small diameter portion and smaller than the opening diameter of the large diameter portion.
The gas introduction mechanism according to claim 1 .
請求項1又は2に記載のガス導入機構。 The pressing force generating member is an elastic member having one end fixed to the step portion and the other end fixed to the lower surface of the flange portion.
The gas introduction mechanism according to claim 1 or 2 .
請求項3に記載のガス導入機構。 The elastic member is a welded bellows.
The gas introduction mechanism according to claim 3 .
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のガス導入機構。 The regulating member is fixedly provided on the upper surface of the manifold.
The gas introduction mechanism according to any one of claims 1 to 4 .
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のガス導入機構。 The regulating member is formed integrally with the manifold above the large diameter portion, and has a fitting hole through which the insertion portion and the collar portion can be inserted.
The gas introduction mechanism according to any one of claims 1 to 4 .
前記鍔部は、前記嵌合孔に対応して外周形状が二面カット形状に加工された二面カット部である、
請求項6に記載のガス導入機構。 The fitting hole is a two-sided cut hole formed in a two-sided cut shape.
The collar portion is a two-sided cut portion whose outer peripheral shape is processed into a two-sided cut shape corresponding to the fitting hole.
The gas introduction mechanism according to claim 6 .
前記鍔部は、前記嵌合孔に対応して外周形状がDカット形状に加工されたDカット部である、
請求項6に記載のガス導入機構。 The fitting hole is a D-cut hole formed in a D-cut shape.
The collar portion is a D-cut portion whose outer peripheral shape is processed into a D-cut shape corresponding to the fitting hole.
The gas introduction mechanism according to claim 6 .
前記処理容器を外側から加熱する加熱手段と、
を備える熱処理装置。 The gas introduction mechanism according to any one of claims 1 to 8 .
A heating means for heating the processing container from the outside and
A heat treatment device equipped with.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017039197A JP6820766B2 (en) | 2017-03-02 | 2017-03-02 | Gas introduction mechanism and heat treatment equipment |
| CN201810158626.3A CN108538748B (en) | 2017-03-02 | 2018-02-26 | Gas introduction mechanism and heat treatment device |
| KR1020180022985A KR102274966B1 (en) | 2017-03-02 | 2018-02-26 | Gas introduction mechanism and heat treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017039197A JP6820766B2 (en) | 2017-03-02 | 2017-03-02 | Gas introduction mechanism and heat treatment equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018145460A JP2018145460A (en) | 2018-09-20 |
| JP6820766B2 true JP6820766B2 (en) | 2021-01-27 |
Family
ID=63485906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017039197A Active JP6820766B2 (en) | 2017-03-02 | 2017-03-02 | Gas introduction mechanism and heat treatment equipment |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6820766B2 (en) |
| KR (1) | KR102274966B1 (en) |
| CN (1) | CN108538748B (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112530826B (en) * | 2020-11-27 | 2024-05-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Carrier device of semiconductor heat treatment equipment and semiconductor heat treatment equipment |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3436955B2 (en) * | 1993-10-18 | 2003-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment equipment |
| JP2001035187A (en) * | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and redundancy repair method therefor |
| JP2001351871A (en) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Asm Japan Kk | Semiconductor manufacturing equipment |
| JP3538737B2 (en) * | 2002-03-20 | 2004-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Pipe fittings |
| JP5237133B2 (en) * | 2008-02-20 | 2013-07-17 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing equipment |
| JP4924676B2 (en) * | 2009-08-13 | 2012-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Gas port structure and processing apparatus |
| JP2012004408A (en) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Tokyo Electron Ltd | Support structure and processing unit |
| JP5545061B2 (en) * | 2010-06-18 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing apparatus and film forming method |
| JP6176732B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-08-09 | 株式会社日立国際電気 | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method |
| JP2016176584A (en) * | 2015-03-23 | 2016-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Gas introduction piping connection structure and substrate processing apparatus using the same |
| JP6824162B2 (en) * | 2015-05-29 | 2021-02-03 | 株式会社フジキン | Pipe fitting method, parts for pipe joints, pipe joints provided with the parts, fluid controllers, fluid control devices, and semiconductor manufacturing devices. |
-
2017
- 2017-03-02 JP JP2017039197A patent/JP6820766B2/en active Active
-
2018
- 2018-02-26 KR KR1020180022985A patent/KR102274966B1/en active Active
- 2018-02-26 CN CN201810158626.3A patent/CN108538748B/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180101199A (en) | 2018-09-12 |
| KR102274966B1 (en) | 2021-07-07 |
| CN108538748A (en) | 2018-09-14 |
| JP2018145460A (en) | 2018-09-20 |
| CN108538748B (en) | 2023-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107868946B (en) | Gas introduction mechanism and processing device | |
| KR102100540B1 (en) | Quartz tube holding structure and heat treatment apparatus using the same | |
| KR101656333B1 (en) | Hydrophobicizing apparatus, hydrophobicizing method and storage medium | |
| US20160276206A1 (en) | Substrate Processing Apparatus | |
| JP6706901B2 (en) | Processor | |
| CN100440425C (en) | Mounting structure of the mounting table device, method of preventing discharge between the processing device and the feeder | |
| KR102205381B1 (en) | Substrate treatment apparatus | |
| JP6145279B2 (en) | Gas introduction pipe connection structure and heat treatment apparatus using the same | |
| US12148637B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP6820766B2 (en) | Gas introduction mechanism and heat treatment equipment | |
| KR20210089578A (en) | Gas supply structure and substrate processing apparatus | |
| KR102518959B1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate loading method, and substrate processing method | |
| KR102709166B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| KR102247946B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US11542602B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2020057704A (en) | Injector, substrate processing apparatus using the same, and substrate processing method | |
| KR20220133781A (en) | Flange structure and vacuum exhaust system using with that | |
| JP6817911B2 (en) | Cleaning method for wafer boat support, heat treatment equipment and heat treatment equipment | |
| JP5743120B2 (en) | Plasma processing apparatus and method | |
| WO2024024544A1 (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
| KR20060128473A (en) | Flange Leak Check Cap |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190808 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200601 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200630 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200811 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201208 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210105 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6820766 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |