Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP6916910B2 - マイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP6916910B2 - マイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法 - Google Patents

マイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6916910B2
JP6916910B2 JP2019565004A JP2019565004A JP6916910B2 JP 6916910 B2 JP6916910 B2 JP 6916910B2 JP 2019565004 A JP2019565004 A JP 2019565004A JP 2019565004 A JP2019565004 A JP 2019565004A JP 6916910 B2 JP6916910 B2 JP 6916910B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
micro light
emitting diode
layer
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019565004A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020521180A (ja
Inventor
馬才 盧
馬才 盧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Publication of JP2020521180A publication Critical patent/JP2020521180A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6916910B2 publication Critical patent/JP6916910B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/20—Assemblies of multiple devices comprising at least one light-emitting semiconductor device covered by group H10H20/00
    • H10H29/24—Assemblies of multiple devices comprising at least one light-emitting semiconductor device covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8312—Electrodes characterised by their shape extending at least partially through the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8314—Electrodes characterised by their shape extending at least partially onto an outer side surface of the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/01—Manufacture or treatment
    • H10H29/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H29/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/80—Constructional details
    • H10H29/85—Packages
    • H10H29/857—Interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/23—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/27—Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/032—Manufacture or treatment of electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/034—Manufacture or treatment of coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0446—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7412—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H10P72/7414—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7428—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7434—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/744—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or a wafer
    • H10P72/7442—Separation by peeling

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

本発明は、表示技術分野に関し、特にマイクロ発光ダイオード表示パネル及びその製造方法に関する。
平面表示装置は、高画質、省電力、薄型、及び適用範囲が広いなどの利点を有するため、携帯電話、テレビ、携帯情報端末、デジタルカメラ、ノートパソコン、デスクトップコンピュータなどのさまざまな家庭用電化製品に広く適用され、表示装置の主流となっている。
マイクロ発光ダイオード（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）ディスプレイは、１つの基板上に集積された高密度の微少サイズのＬＥＤアレイを表示画素として画像表示を実現するディスプレイであり、大型の屋外ＬＥＤディスプレイ画面と同様に、各画素が駆動可能で、個別に点灯駆動され、屋外ＬＥＤディスプレイ画面の縮小版と見なすことができ、画素間距離をミリメートルレベルからマイクロメートルレベルに低減し、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤディスプレイは、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）ディスプレイと同様に、自発光ディスプレイに属するが、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤディスプレイは、ＯＬＥＤディスプレイよりも材料安定性がより高く、寿命がより長く、画像焼付がないなどの利点を有し、ＯＬＥＤディスプレイの最大の競争相手と考えられている。
マイクロ発光ダイオード表示パネルの製造プロセスにおいて、サファイア基板などの出発基板上に分子線エピタキシー法によりマイクロ発光ダイオードを成長させて表示パネルを製造するとともに、マイクロ発光ダイオードデバイスを出発基板から、表示パネルを形成するための受け取り基板に移送して表示アレイを形成しなければならず、具体的には、出発基板上にマイクロ発光ダイオードを形成し、次にレーザーリフトオフ法（Ｌａｓｅｒ ｌｉｆｔ−ｏｆｆ，ＬＬＯ）などの方法により、出発基板からマイクロ発光ダイオードを剥離するとともに、ポリジメチルシロキサン（Ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ，ＰＤＭＳ）などの材料で製造された転写ヘッドを用いて、マイクロ発光ダイオードを出発基板から受け取り基板における予め設定された位置に吸着させる。
現在、マイクロ発光ダイオードが受け取り基板に転写された後に、さらにトップ電極を形成して、始めて、マイクロ発光ダイオードと受け取り基板とのボンディングが正常であるか否かを判断することができるが、この場合に、製造工程が基本的に完了しているため、マイクロ発光ダイオードと受け取り基板とのボンディング不良が発見されても、修復するのが困難となり、したがって、転写後に直接マイクロ発光ダイオードの動作状況を検出することができ、製品の検出及び修復の難度を低減し、製品の歩留まりを向上させることができる新規なマイクロ発光ダイオード表示パネル及びその製造方法を提供することが求められている。
本発明は、製品の検出及び修復の難度を低減し、製品の歩留まりを向上させることができるマイクロ発光ダイオード表示パネルを提供することを目的とする。
本発明はさらに、製品の検出及び修復の難度を低減し、製品の歩留まりを向上させることができるマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記の目的を達成するために、ベース基板と、前記ベース基板上に設けられてアレイ状に並べられる複数のサブ画素領域と、サブ画素領域のそれぞれに設けられた、間隔をおいて配列される第１電極パッド及び第２電極パッドと、サブ画素領域のそれぞれにおける第１電極パッド及び第２電極パッドに設けられたマイクロ発光ダイオードと、を含むマイクロ発光ダイオード表示パネルを提供している。
前記マイクロ発光ダイオードは、前記第１電極パッドに接触する下部電極と、前記下部電極の上方に設けられて前記下部電極に接触するＬＥＤ半導体層と、前記ＬＥＤ半導体層の上方に設けられて前記ＬＥＤ半導体層に接触する上部電極と、前記ＬＥＤ半導体層を取り囲む絶縁保護層と、前記絶縁保護層上に設けられて、前記上部電極と第２電極パッドとを接続する接続電極とを含む。
前記ベース基板と第１電極パッド及び第２電極パッドとの間に設けられたＴＦＴ層をさらに含み、
前記ＴＦＴ層は、前記ベース基板に設けられた活性層と、前記活性層と前記ベース基板とを覆うゲート絶縁層と、前記活性層の上方のゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極及びゲート絶縁層を覆う層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に設けられて前記活性層の両端に接触するソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極、ドレイン電極及び層間絶縁層を覆うパッシベーション層とを含み、前記第２電極パッドが前記ソース電極に接触している。
パッシベーション層上に設けられてマイクロ発光ダイオードの周囲に位置する画素定義層と、前記パッシベーション層、第１電極パッド、第２電極パッド、マイクロ発光ダイオード及び画素定義層を覆う保護層とをさらに含む。
本発明は、次のステップを含むマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法をさらに提供しており、
ステップ１：間隔をおいて配列された複数のマイクロ発光ダイオードの半製品が形成された出発基板を提供するステップであって、
マイクロ発光ダイオードのそれぞれの半製品は、前記出発基板上に設けられたＬＥＤ半導体層と、前記ＬＥＤ半導体層及び出発基板を覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられて、前記ＬＥＤ半導体層に接触する下部電極と、前記第１絶縁層上に設けられて、出発基板に接触する接続電極と、を含むステップ、
ステップ２：移載基板を提供し、前記移載基板表面と、マイクロ発光ダイオードのそれぞれの半製品の下部電極及び接続電極とを接着し、前記出発基板を剥離し、全てのマイクロ発光ダイオードの半製品を移載基板上に移送して、前記ＬＥＤ半導体層の出発基板と接触する側の表面を露出させるステップ、
ステップ３：前記露出したＬＥＤ半導体層及び第１絶縁層上に、第２絶縁層及び第２絶縁層に設けられた上部電極を順次形成して、間隔をおいて配列された複数のマイクロ発光ダイオードを得るステップであって、前記上部電極が前記ＬＥＤ半導体層及び接続電極と接触するステップ、
ステップ４：転写ヘッド及び受け取り基板を提供し、前記受け取り基板は、ベース基板と、前記ベース基板に設けられてアレイ状に並べられる複数のサブ画素領域と、サブ画素領域のそれぞれに設けられた、間隔をおいて配列された第１電極パッド及び第２電極パッドと、を含むステップ、
ステップ５：前記転写ヘッドによって移載基板におけるマイクロ発光ダイオードを受け取り基板に転写し、サブ画素領域のそれぞれが１つのマイクロ発光ダイオードに対応し、各サブ画素領域のマイクロ発光ダイオードの下部電極及び接続電極が、該サブ画素領域の第１電極パッド及び第２電極パッドにそれぞれボンディングするステップ、
ステップ６：前記第１電極パッド及び第２電極パッドにテスト電圧を供給して、受け取り基板におけるマイクロ発光ダイオードのそれぞれが正常に点灯できるか否かをテストし、前記受け取り基板における全てのマイクロ発光ダイオードが正常に点灯できる場合に、前記マイクロ発光ダイオード、第１電極パッド及び第２電極パッド上に保護層を引き続き形成し、前記受け取り基板におけるマイクロ発光ダイオードが正常に点灯できない場合に、正常に点灯できないマイクロ発光ダイオードを新たなマイクロ発光ダイオードに交換するとともに、受け取り基板における全てのマイクロ発光ダイオードが正常に点灯できるまで、再度テストするステップ。
前記ステップ１は、具体的に、ステップ１１〜ステップ１６を含み、
ステップ１１：ＬＥＤ半導体薄膜が形成された出発基板を提供し、前記ＬＥＤ半導体薄膜上にパターニングされた第１フォトレジスト層を形成するステップ、
ステップ１２：前記第１フォトレジスト層をマスクとして、前記ＬＥＤ半導体薄膜をエッチングして、複数の間隔をおいて配列されたＬＥＤ半導体層を形成するステップ、
ステップ１３：前記ＬＥＤ半導体層及び出発基板に第１絶縁層を覆い、前記第１絶縁層にパターニングされた第２フォトレジスト層を形成するステップ、
ステップ１４：第２フォトレジスト層をマスクとして、前記第１絶縁層をエッチングし、前記第１絶縁層を貫通する第１スルーホール及び第２スルーホールを形成し、前記第１スルーホール及び第２スルーホールが前記ＬＥＤ半導体層の一部及び出発基板の一部をそれぞれ露出するステップ、
ステップ１５：前記第１絶縁層、ＬＥＤ半導体層、及び出発基板上に第１金属薄膜を形成し、前記第１金属薄膜上にパターニングされた第３フォトレジスト層を形成するステップ、
ステップ１６：第３フォトレジスト層をマスクとして、前記第１金属薄膜をエッチングし、第１スルーホールを介してＬＥＤ半導体層に接触する下部電極と、第２スルーホールを介して出発基板に接触する接続電極とを形成するステップ。
前記ステップ２における移載基板は、表面に接着層が設けられた硬質基板である。
前記ステップ３は、具体的に、ステップ３１〜ステップ３３を含み、
ステップ３１：前記ＬＥＤ半導体層及び第１絶縁層に第２絶縁層を形成し、前記第２絶縁層にパターニングされた第４フォトレジスト層を形成するステップ、
ステップ３２：前記第４フォトレジスト層をマスクとして、前記第２絶縁層をエッチングし、前記第２絶縁層を貫通する第３スルーホール及び第４スルーホールを形成し、前記第３スルーホール及び第４スルーホールが前記ＬＥＤ半導体層の一部及び接続電極の一部をそれぞれ露出するステップ、
ステップ３３：前記第２絶縁層に導電フィルムを堆積してパターニングして、上部電極を形成し、前記上部電極が前記第３スルーホール及び第４スルーホールを介してそれぞれ前記ＬＥＤ半導体層及び接続電極に接触するステップ。
前記ステップ４に係る受け取り基板は、ＴＦＴ層と、画素定義膜とをさらに含み、
前記ＴＦＴ層が前記ベース基板と第１電極パッド及び第２電極パッドとの間に設けられ、前記ベース基板に設けられた活性層と、前記活性層と前記ベース基板とを覆うゲート絶縁層と、前記活性層の上方のゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極及びゲート絶縁層を覆う層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に設けられて前記活性層の両端に接触するソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極、ドレイン電極及び層間絶縁層を覆うパッシベーション層とを含み、前記第２電極パッドが前記ソース電極に接触し、前記画素定義層がパッシベーション層に設けられて、マイクロ発光ダイオードの周囲に位置する。
前記第１電極パッド及び第２電極パッドには、少なくとも２つのボンディング位置が予め設定されており、前記ステップ６で正常に点灯できないマイクロ発光ダイオードを新たなマイクロ発光ダイオードに交換する際に、交換後のマイクロ発光ダイオードが交換前のマイクロ発光ダイオードとは異なるボンディング位置に位置する。
前記ステップ２においてレーザーリフトオフ法により出発基板を剥離する。
本発明は、次のステップを含むマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法をさらに提供しており、
ステップ１：間隔をおいて配列された複数のマイクロ発光ダイオードの半製品が形成された出発基板を提供するステップであって、
マイクロ発光ダイオードのそれぞれの半製品は、前記出発基板上に設けられたＬＥＤ半導体層と、前記ＬＥＤ半導体層及び出発基板を覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられて、前記ＬＥＤ半導体層に接触する下部電極と、前記第１絶縁層上に設けられて、出発基板に接触する接続電極と、を含むステップ、
ステップ２：移載基板を提供し、前記移載基板表面と、マイクロ発光ダイオードのそれぞれの半製品の下部電極及び接続電極とを接着し、前記出発基板を剥離し、全てのマイクロ発光ダイオードの半製品を移載基板上に移送して、前記ＬＥＤ半導体層の出発基板と接触する側の表面を露出させるステップ、
ステップ３：前記露出したＬＥＤ半導体層及び第１絶縁層上に、第２絶縁層及び第２絶縁層に設けられた上部電極を順次形成して、間隔をおいて配列された複数のマイクロ発光ダイオードを得るステップであって、前記上部電極が前記ＬＥＤ半導体層及び接続電極と接触するステップ、
ステップ４：転写ヘッド及び受け取り基板を提供し、前記受け取り基板は、ベース基板と、前記ベース基板に設けられてアレイ状に並べられる複数のサブ画素領域と、サブ画素領域のそれぞれに設けられた、間隔をおいて配列された第１電極パッド及び第２電極パッドと、を含むステップ、
ステップ５：前記転写ヘッドによって移載基板におけるマイクロ発光ダイオードを受け取り基板に転写し、サブ画素領域のそれぞれが１つのマイクロ発光ダイオードに対応し、各サブ画素領域のマイクロ発光ダイオードの下部電極及び接続電極が、該サブ画素領域の第１電極パッド及び第２電極パッドにそれぞれボンディングするステップ、
ステップ６：前記第１電極パッド及び第２電極パッドにテスト電圧を供給して、受け取り基板におけるマイクロ発光ダイオードのそれぞれが正常に点灯できるか否かをテストし、前記受け取り基板における全てのマイクロ発光ダイオードが正常に点灯できる場合に、前記マイクロ発光ダイオード、第１電極パッド及び第２電極パッド上に保護層を引き続き形成し、前記受け取り基板におけるマイクロ発光ダイオードが正常に点灯できない場合に、正常に点灯できないマイクロ発光ダイオードを新たなマイクロ発光ダイオードに交換するとともに、受け取り基板における全てのマイクロ発光ダイオードが正常に点灯できるまで、再度テストするステップ、
前記ステップ１は具体的には、ステップ１１〜ステップ１６を含み、
ステップ１１：ＬＥＤ半導体薄膜が形成された出発基板を提供し、前記ＬＥＤ半導体薄膜上にパターニングされた第１フォトレジスト層を形成するステップ、
ステップ１２：前記第１フォトレジスト層をマスクとして、前記ＬＥＤ半導体薄膜をエッチングして、複数の間隔をおいて配列されたＬＥＤ半導体層を形成するステップ、
ステップ１３：前記ＬＥＤ半導体層及び出発基板に第１絶縁層を覆い、前記第１絶縁層にパターニングされた第２フォトレジスト層を形成するステップ、
ステップ１４：第２フォトレジスト層をマスクとして、前記第１絶縁層をエッチングし、前記第１絶縁層を貫通する第１スルーホール及び第２スルーホールを形成し、前記第１スルーホール及び第２スルーホールが前記ＬＥＤ半導体層の一部及び出発基板の一部をそれぞれ露出するステップ、
ステップ１５：前記第１絶縁層、ＬＥＤ半導体層、及び出発基板上に第１金属薄膜を形成し、前記第１金属薄膜上にパターニングされた第３フォトレジスト層を形成するステップ、
ステップ１６：第３フォトレジスト層をマスクとして、前記第１金属薄膜をエッチングし、第１スルーホールを介してＬＥＤ半導体層に接触する下部電極と、第２スルーホールを介して出発基板に接触する接続電極とを形成するステップ、
前記ステップ２における移載基板は、表面に接着層が設けられた硬質基板である。
本発明の有益な効果は以下のとおりであり、本発明に係るマイクロ発光ダイオード表示パネルは、該表示パネルのベース基板上に、間隔をおいて配列された第１電極パッドと第２電極パッドとが設けられ、前記第１電極パッドと第２電極パッドとが、マイクロ発光ダイオードの下部電極と接続電極とにそれぞれ接触し、前記接続電極が、マイクロ発光ダイオードの上部電極にも接触して、マイクロ発光ダイオードの転写後に直接マイクロ発光ダイオードの検出を行うことができ、製品の検出及び修復の難度を低減し、製品の歩留まりを向上させることができる。本発明は、マイクロ発光ダイオードの転写後に直接マイクロ発光ダイオードの検出を行うことができ、製品の検出及び修復の難度を低減し、製品の歩留まりを向上させることができるマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法をさらに提供する。
本発明の特徴及び技術的内容をより一層明らかにするために、以下の本発明に関する詳細な説明及び添付図面を参照するが、添付図面は、参照及び説明のためのものに過ぎず、本発明を限定するものではない。図面において、
図１〜図８は本発明のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法のステップ１を示す概略図である。
図９は本発明のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法のステップ２を示す概略図である。
図１０〜図１２は本発明のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法のステップ３を示す概略図である。
図１３及び図１４は本発明のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法のステップ４及びステップ５を示す概略図である。
図１５は本発明のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法のステップ６を示す概略図及び本発明のマイクロ発光ダイオード表示パネルの構造概略図である。
図１６は本発明のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法のステップ６を示す上面視概略図である。
図１７は本発明のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
以下、本発明に用いられた技術的手段及びその効果をより明らかにするために、本発明の好ましい実施形態及びその添付図面を参照して詳細に説明する。
図１５を参照して、本発明に係るマイクロ発光ダイオード表示パネルは、ベース基板４１と、前記ベース基板４１上にアレイ状に並べられる複数のサブ画素領域１５と、サブ画素領域１５のそれぞれに設けられた、間隔をおいて配列される第１電極パッド４３及び第２電極パッド４４と、サブ画素領域１５のそれぞれにおける第１電極パッド４３及び第２電極パッド４４に設けられたマイクロ発光ダイオード２００と、を含み、
前記マイクロ発光ダイオード２００は、前記第１電極パッド４３に接触する下部電極６と、前記下部電極６の上方に設けられて前記下部電極６に接触するＬＥＤ半導体層２と、前記ＬＥＤ半導体層２の上方に設けられて前記ＬＥＤ半導体層２に接触する上部電極１３と、前記ＬＥＤ半導体層２を取り囲む絶縁保護層１４と、前記絶縁保護層１４上に設けられて、前記上部電極１３と第２電極パッド４４とを接続する接続電極７とを含む。
具体的には、前記マイクロ発光ダイオード表示パネルは、前記ベース基板４１と第１電極パッド４３及び第２電極パッド４４との間に設けられたＴＦＴ層４２をさらに含み、前記ＴＦＴ層４２は、前記ベース基板４１に設けられた活性層４２１と、前記活性層４２１と前記ベース基板４１とを覆うゲート絶縁層４２２と、前記活性層４２１の上方のゲート絶縁層４２２上に設けられたゲート電極４２３と、前記ゲート電極４２３及びゲート絶縁層４２２を覆う層間絶縁層４２４と、前記層間絶縁層４２４上に設けられて前記活性層４２１の両端に接触するソース電極４２５及びドレイン電極４２６と、前記ソース電極４２５、ドレイン電極４２６及び層間絶縁層４２４を覆うパッシベーション層４２７とを含み、前記第２電極パッド４４が前記ソース電極４２５に接触する。
具体的には、前記マイクロ発光ダイオード表示パネルは、パッシベーション層４２７上に設けられて、マイクロ発光ダイオード２００の周囲に位置する画素定義層４５と、前記パッシベーション層４２７、第１電極パッド４３、第２電極パッド４４、マイクロ発光ダイオード２００及び画素定義層４５を覆う保護層１６とをさらに含む。
具体的には、前記保護層１６は、マイクロ発光ダイオード２００の光取り出しを向上させる機能を有し、熱伝導性に優れている。
具体的には、前記ＬＥＤ半導体層２は、Ｎ＋層と、Ｐ＋層と、Ｎ＋層及びＰ＋層に接触する多重量子井戸層とを含む。前記下部電極６及び接続電極７の材料は、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、及びチタン（Ｔｉ）などの金属の１つ又は複数種の組み合わせであっても良い。前記上部電極１３は透明電極であり、材料が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、又はポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）であり、前記絶縁保護層１４の材料が酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などである。
なお、本発明のマイクロ発光ダイオード表示パネルは、接続電極７を介して上部電極１３と第２電極パッド４４とを接続し、マイクロ発光ダイオード２００の転写前に直接上部電極１３を形成でき、マイクロ発光ダイオード２００の転写後に直接マイクロ発光ダイオード２００の点灯テストを行うことができ、マイクロ発光ダイオード２００が正常に発光したことを確認した後に保護層１６などの他の構造を引続き製造して、製品の検出及び修復の難度を低減し、製品の歩留まりを向上させることができる。
図１７を参照して、本発明は、マイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法をさらに提供しており、ステップ１〜ステップ６を含み、
ステップ１：間隔をおいて配列された複数のマイクロ発光ダイオードの半製品１００が形成された出発基板１を提供するステップであって、
マイクロ発光ダイオードのそれぞれの半製品１００は、前記出発基板１上に設けられたＬＥＤ半導体層２と、前記ＬＥＤ半導体層２及び出発基板１を覆う第１絶縁層３と、前記第１絶縁層３上に設けられて、前記ＬＥＤ半導体層２に接触する下部電極６と、前記第１絶縁層３上に設けられて、出発基板１に接触する接続電極７と、を含むステップ。
具体的には、前記ステップ１は、ステップ１１〜ステップ１６を含み、
ステップ１１：図１を参照して、ＬＥＤ半導体薄膜２’が形成された出発基板１を提供し、前記ＬＥＤ半導体薄膜２’上にパターニングされた第１フォトレジスト層１０を形成するステップ、
ステップ１２：図２を参照して、前記第１フォトレジスト層１０をマスクとして、前記ＬＥＤ半導体薄膜２’をエッチングして、複数の間隔をおいて配列されたＬＥＤ半導体層２を形成するステップ、
ステップ１３：図３及び図４を参照して、前記ＬＥＤ半導体層２及び出発基板１に第１絶縁層３を覆い、前記第１絶縁層３にパターニングされた第２フォトレジスト層２０を形成するステップ、
ステップ１４：図５を参照して、第２フォトレジスト層２０をマスクとして、前記第１絶縁層３をエッチングし、前記第１絶縁層３を貫通する第１スルーホール４及び第２スルーホール５を形成し、前記第１スルーホール４及び第２スルーホール５が前記ＬＥＤ半導体層２の一部及び出発基板１の一部をそれぞれ露出するステップ、
ステップ１５：図６及び図７を参照して、前記第１絶縁層３、ＬＥＤ半導体層２、及び出発基板１上に第１金属薄膜６’を形成し、前記第１金属薄膜６’上にパターニングされた第３フォトレジスト層３０を形成するステップ、
ステップ１６：図８を参照して、第３フォトレジスト層３０をマスクとして、前記第１金属薄膜６’をエッチングし、第１スルーホール４を介してＬＥＤ半導体層２に接触する下部電極６と、第２スルーホール５を介して出発基板１に接触する接続電極７とを形成するステップ、
具体的には、前記出発基板１がサファイア基板（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン基板（Ｓｉ）、炭化珪素基板（ＳｉＣ）、又は窒化ガリウム基板（ＧａＮ）などであり、前記ＬＥＤ半導体層２は、Ｎ＋層と、Ｐ＋層と、Ｎ＋層及びＰ＋層に接触する多重量子井戸層とを含む。前記下部電極６及び接続電極７の材料は、ニッケル、モリブデン、アルミニウム、金、白金、及びチタンなどの金属の１つ又は複数種の組み合わせであっても良い。前記第１絶縁層３の材料が、酸化シリコン、窒化シリコン、又は酸化アルミニウムなどである。
ステップ２：図９を参照して、移載基板８を提供し、前記移載基板８表面と、マイクロ発光ダイオードのそれぞれの半製品１００の下部電極６及び接続電極７とを接着し、前記出発基板１を剥離し、全てのマイクロ発光ダイオードの半製品１００を移載基板８上に移送して、前記ＬＥＤ半導体層２の出発基板１と接触する側の表面を露出させるステップ、
具体的には、前記ステップ２における移載基板８は、表面に接着層が設けられた硬質基板であり、前記硬質基板表面の接着層を介して前記下部電極６及び接続電極７を接着することで、前記マイクロ発光ダイオードの半製品１００を移載基板８に接着し、レーザーリフトオフ法によって出発基板１を除去し、マイクロ発光ダイオードの半製品１００を移載基板８に移送し、ＬＥＤ半導体層２の出発基板１に接触する側の表面を露出させる。
具体的には、前記ステップ２は、ＬＥＤ半導体層２が露出している側を上に向けて、後続製造プロセスの実施を容易にするために、移載基板８と、その上におけるマイクロ発光ダイオードの半製品１００とを上下反転させることをさらに含む。
ステップ３：前記露出したＬＥＤ半導体層２及び第１絶縁層３上に、第２絶縁層９及び第２絶縁層９に設けられた上部電極１３を順次形成して、間隔をおいて配列された複数のマイクロ発光ダイオード２００を得るステップであって、前記上部電極１３が前記ＬＥＤ半導体層２及び接続電極７と接触するステップ。
具体的には、前記第１絶縁層３及び第２絶縁層９は、共にＬＥＤ半導体層２を取り囲む絶縁保護層１４を構成する。
具体的には、前記ステップ３は、図１０を参照して、前記ＬＥＤ半導体層２及び第１絶縁層３に第２絶縁層９を形成し、前記第２絶縁層９にパターニングされた第４フォトレジスト層４０を形成するステップ３１を含み、
ステップ３２：図１１を参照して、前記第４フォトレジスト層４０をマスクとして、前記第２絶縁層９をエッチングし、前記第２絶縁層９を貫通する第３スルーホール１１及び第４スルーホール１２を形成し、前記第３スルーホール１１及び第４スルーホール１２が前記ＬＥＤ半導体層２の一部及び接続電極７の一部をそれぞれ露出するステップ、
ステップ３３：図１２を参照して、前記第２絶縁層９に導電フィルムを堆積してパターニングして、上部電極１３を形成し、前記上部電極１３が前記第３スルーホール１１及び第４スルーホール１２を介してそれぞれ前記ＬＥＤ半導体層２及び接続電極７に接触するステップ。
具体的には、前記第２絶縁層９の材料が、酸化シリコン、窒化シリコン、又は酸化アルミニウムなどであり、前記上部電極１３は透明電極であり、材料がＩＴＯ、ＩＺＯ、又はＰＥＤＯＴ：ＰＳＳである。
ステップ４：図１３及び図１４を参照して、転写ヘッド３００及び受け取り基板４００を提供し、前記受け取り基板４００は、ベース基板４１と、前記ベース基板４１に設けられてアレイ状に並べられる複数のサブ画素領域１５と、サブ画素領域１５のそれぞれに設けられた、間隔をおいて配列された第１電極パッド４３及び第２電極パッド４４と、を含むステップ、
具体的には、前記ステップ４に係る受け取り基板４００はＴＦＴ層４２及び画素定義層４５をさらに含み、前記ＴＦＴ層４２が前記ベース基板４１と第１電極パッド４３及び第２電極パッド４４との間に設けられ、前記ベース基板４１に設けられた活性層４２１と、前記活性層４２１と前記ベース基板４１とを覆うゲート絶縁層４２２と、前記活性層４２１の上方のゲート絶縁層４２２上に設けられたゲート電極４２３と、前記ゲート電極４２３及びゲート絶縁層４２２を覆う層間絶縁層４２４と、前記層間絶縁層４２４上に設けられて前記活性層４２１の両端に接触するソース電極４２５及びドレイン電極４２６と、前記ソース電極４２５、ドレイン電極４２６及び層間絶縁層４２４を覆うパッシベーション層４２７とを含み、前記第２電極パッド４４が前記ソース電極４２５に接触し、前記画素定義層４５がパッシベーション層４２７に設けられて、マイクロ発光ダイオード２００の周囲に位置する。
ステップ５：図１４を参照して、前記転写ヘッド３００によって移載基板８におけるマイクロ発光ダイオード２００を受け取り基板４００に転写し、サブ画素領域１５のそれぞれが１つのマイクロ発光ダイオード２００に対応し、各サブ画素領域１５内のマイクロ発光ダイオード２００の下部電極６及び接続電極７が、該サブ画素領域１５内の第１電極パッド４３及び第２電極パッド４４にそれぞれボンディングする（Ｂｏｎｄｉｎｇ）ステップ、
ステップ６：図１５及び図１６を参照して、前記第１電極パッド４３及び第２電極パッド４４にテスト電圧を供給して、受け取り基板４００におけるマイクロ発光ダイオード２００のそれぞれが正常に点灯できるか否かをテストし、前記受け取り基板４００における全てのマイクロ発光ダイオード２００が正常に点灯できる場合に、前記マイクロ発光ダイオード２００、パッシベーション層４２７、画素定義層４５、第１電極パッド４３、及び第２電極パッド４４上に保護層１６を引き続き形成し、前記受け取り基板４００におけるマイクロ発光ダイオード２００が正常に点灯できない場合に、正常に点灯できないマイクロ発光ダイオード２００を新たなマイクロ発光ダイオード２００に交換するとともに、受け取り基板４００における全てのマイクロ発光ダイオード２００が正常に点灯できるまで、再度テストするステップ、
具体的には、前記保護層１６は、マイクロ発光ダイオード２００の光取り出しを向上させる機能を有し、熱伝導性に優れている。
さらに、図１６を参照して、前記第１電極パッド４３及び第２電極パッド４４には、少なくとも２つのボンディング位置５００が予め設定されており、前記ステップ６で正常に点灯できないマイクロ発光ダイオード２００を新たなマイクロ発光ダイオード２００に交換する際に、交換後のマイクロ発光ダイオード２００が交換前のマイクロ発光ダイオード２００とは異なるボンディング位置５００に位置する。
なお、本発明のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法は、まず、出発基板１に下部電極６、ＬＥＤ半導体層２、及び接続電極７を含むマイクロ発光ダイオードの半製品１００を製造し、次にマイクロ発光ダイオードの半製品１００を移載基板８に移送して上下反転させ、次いで、ＬＥＤ半導体層２と接続電極７とに接続された上部電極１３を形成して、完成品のマイクロ発光ダイオード２００を得、最後に、マイクロ発光ダイオード２００を受け取り基板４００に転写し、下部電極６及び接続電極７が第１電極パッド４３及び第２電極パッド４４にそれぞれボンディング接触することにより、マイクロ発光ダイオード２００の転写後に何らかのプロセスを経ることなく、マイクロ発光ダイオード２００の点灯テストを直接行うことができ、マイクロ発光ダイオード２００が正常に発光したことを確認した後に保護層１６などの他の構造を引続き製造して、製品の検出及び修復の難度を低減し、製品の歩留まりを向上させることができる。
以上のようにして、本発明に係るマイクロ発光ダイオード表示パネルは、該表示パネルのベース基板上に、間隔をおいて配列された第１電極パッドと第２電極パッドとが設けられ、前記第１電極パッドと第２電極パッドとが、マイクロ発光ダイオードの下部電極と接続電極とにそれぞれ接触し、前記接続電極が、マイクロ発光ダイオードの上部電極にも接触して、マイクロ発光ダイオードの転写後に直接マイクロ発光ダイオードの検出を行うことができ、製品の検出及び修復の難度を低減し、製品の歩留まりを向上させることができる。本発明は、マイクロ発光ダイオードの転写後に直接マイクロ発光ダイオードの検出を行うことができ、製品の検出及び修復の難度を低減し、製品の歩留まりを向上させることができるマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法をさらに提供する。
上記の内容は、当業者にとっては、本発明の技術的手段及び技術的思想に基づいて他の様々な変更及び変形を行うことができるが、これらの変更及び変形も全て本発明の特許請求の保護範囲に属するものと理解されるべきである。

Claims (7)

  1. ステップ１：間隔をおいて配列された複数のマイクロ発光ダイオードの半製品が形成された出発基板を提供するステップであって、
    マイクロ発光ダイオードのそれぞれの半製品は、前記出発基板上に設けられたＬＥＤ半導体層と、前記ＬＥＤ半導体層及び出発基板を覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられて、前記ＬＥＤ半導体層に接触する下部電極と、前記第１絶縁層上に設けられて、出発基板に接触する接続電極と、を含むステップと、
    ステップ２：移載基板を提供し、前記移載基板表面と、マイクロ発光ダイオードのそれぞれの半製品の下部電極及び接続電極とを接着し、前記出発基板を剥離し、全てのマイクロ発光ダイオードの半製品を移載基板上に移送して、前記ＬＥＤ半導体層の出発基板と接触する側の表面を露出させるステップと、
    ステップ３：前記露出したＬＥＤ半導体層及び第１絶縁層上に、第２絶縁層及び第２絶縁層に設けられた上部電極を順次形成して、間隔をおいて配列された複数のマイクロ発光ダイオードを得るステップであって、前記上部電極が前記ＬＥＤ半導体層及び接続電極と接触するステップと、
    ステップ４：転写ヘッド及び受け取り基板を提供し、前記受け取り基板は、ベース基板と、前記ベース基板に設けられてアレイ状に並べられる複数のサブ画素領域と、サブ画素領域のそれぞれに設けられた、間隔をおいて配列された第１電極パッド及び第２電極パッドと、を含むステップと、
    ステップ５：前記転写ヘッドによって移載基板におけるマイクロ発光ダイオードを受け取り基板に転写し、サブ画素領域のそれぞれが１つのマイクロ発光ダイオードに対応し、各サブ画素領域のマイクロ発光ダイオードの下部電極及び接続電極が、該サブ画素領域の第１電極パッド及び第２電極パッドにそれぞれボンディングするステップと、
    ステップ６：前記第１電極パッド及び第２電極パッドにテスト電圧を供給して、受け取り基板におけるマイクロ発光ダイオードのそれぞれが正常に点灯できるか否かをテストし、前記受け取り基板における全てのマイクロ発光ダイオードが正常に点灯できる場合に、前記マイクロ発光ダイオード、第１電極パッド及び第２電極パッド上に保護層を引き続き形成し、前記受け取り基板におけるマイクロ発光ダイオードが正常に点灯できない場合に、正常に点灯できないマイクロ発光ダイオードを新たなマイクロ発光ダイオードに交換するとともに、受け取り基板における全てのマイクロ発光ダイオードが正常に点灯できるまで、再度テストするステップと、を含むマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法。
  2. 前記ステップ１は具体的に、
    ステップ１１：ＬＥＤ半導体薄膜が形成された出発基板を提供し、前記ＬＥＤ半導体薄膜上にパターニングされた第１フォトレジスト層を形成するステップと、
    ステップ１２：前記第１フォトレジスト層をマスクとして、前記ＬＥＤ半導体薄膜をエッチングして、複数の間隔をおいて配列されたＬＥＤ半導体層を形成するステップと、
    ステップ１３：前記ＬＥＤ半導体層及び出発基板に第１絶縁層を覆い、前記第１絶縁層にパターニングされた第２フォトレジスト層を形成するステップと、
    ステップ１４：第２フォトレジスト層をマスクとして、前記第１絶縁層をエッチングし、前記第１絶縁層を貫通する第１スルーホール及び第２スルーホールを形成し、前記第１スルーホール及び第２スルーホールが前記ＬＥＤ半導体層の一部及び出発基板の一部をそれぞれ露出するステップと、
    ステップ１５：前記第１絶縁層、ＬＥＤ半導体層、及び出発基板上に第１金属薄膜を形成し、前記第１金属薄膜上にパターニングされた第３フォトレジスト層を形成するステップと、
    ステップ１６：第３フォトレジスト層をマスクとして、前記第１金属薄膜をエッチングし、第１スルーホールを介してＬＥＤ半導体層に接触する下部電極と、第２スルーホールを介して出発基板に接触する接続電極とを形成するステップと、を含む請求項１に記載のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法。
  3. 前記ステップ２における移載基板は、表面に接着層が設けられた硬質基板である請求項１または２に記載のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法。
  4. 前記ステップ３は具体的に、
    ステップ３１：前記ＬＥＤ半導体層及び第１絶縁層に第２絶縁層を形成し、前記第２絶縁層にパターニングされた第４フォトレジスト層を形成するステップと、
    ステップ３２：前記第４フォトレジスト層をマスクとして、前記第２絶縁層をエッチングし、前記第２絶縁層を貫通する第３スルーホール及び第４スルーホールを形成し、前記第３スルーホール及び第４スルーホールが前記ＬＥＤ半導体層の一部及び接続電極の一部をそれぞれ露出するステップと、
    ステップ３３：前記第２絶縁層に導電フィルムを堆積してパターニングして、上部電極を形成し、前記上部電極が前記第３スルーホール及び第４スルーホールを介してそれぞれ前記ＬＥＤ半導体層及び接続電極に接触するステップと、を含む請求項１〜３のいずれか一項に記載のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法。
  5. 前記ステップ４に係る受け取り基板はＴＦＴ層及び画素定義層をさらに含み、
    前記ＴＦＴ層が前記ベース基板と第１電極パッド及び第２電極パッドとの間に設けられ、前記ベース基板に設けられた活性層と、前記活性層と前記ベース基板とを覆うゲート絶縁層と、前記活性層の上方のゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極及びゲート絶縁層を覆う層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に設けられて前記活性層の両端に接触するソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極、ドレイン電極及び層間絶縁層を覆うパッシベーション層とを含み、前記第２電極パッドが前記ソース電極に接触し、
    前記画素定義層がパッシベーション層に設けられて前記マイクロ発光ダイオードの周囲に位置する請求項１〜４のいずれか一項に記載のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法。
  6. 前記第１電極パッド及び第２電極パッドには、少なくとも２つのボンディング位置が予め設定されており、前記ステップ６で正常に点灯できないマイクロ発光ダイオードを新たなマイクロ発光ダイオードに交換する際に、交換後のマイクロ発光ダイオードが交換前のマイクロ発光ダイオードとは異なるボンディング位置に位置する請求項１〜５のいずれか一項に記載のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法。
  7. 前記ステップ２においてレーザーリフトオフ法により出発基板を剥離する請求項１〜６のいずれか一項に記載のマイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法。
JP2019565004A 2017-05-23 2017-06-20 マイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法 Active JP6916910B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710370730.4A CN107170773B (zh) 2017-05-23 2017-05-23 微发光二极管显示面板及其制作方法
CN201710370730.4 2017-05-23
PCT/CN2017/089250 WO2018214199A1 (zh) 2017-05-23 2017-06-20 微发光二极管显示面板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020521180A JP2020521180A (ja) 2020-07-16
JP6916910B2 true JP6916910B2 (ja) 2021-08-11

Family

ID=59821774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019565004A Active JP6916910B2 (ja) 2017-05-23 2017-06-20 マイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10269779B2 (ja)
EP (1) EP3640990A4 (ja)
JP (1) JP6916910B2 (ja)
KR (1) KR102341625B1 (ja)
CN (1) CN107170773B (ja)
WO (1) WO2018214199A1 (ja)

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12464822B2 (en) * 2016-11-25 2025-11-04 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
US20240266330A1 (en) * 2016-11-25 2024-08-08 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
CN107680960B (zh) * 2017-09-26 2019-07-16 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN107633777A (zh) * 2017-10-12 2018-01-26 深圳市创显光电有限公司 一种led显示装置及其制造方法
CN109786307B (zh) * 2017-11-15 2021-02-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型led显示面板的制备方法
TWI694430B (zh) * 2017-11-23 2020-05-21 超微晶科技(深圳)有限公司 微型led顯示面板
US12446363B2 (en) 2017-12-11 2025-10-14 Hubei San'an Optoelectronics Co., Ltd. Light-emitting structure and light-emitting device including the same
CN108231968B (zh) * 2017-12-11 2020-02-11 厦门市三安光电科技有限公司 微发光二极管及其转移方法
TWI679762B (zh) * 2018-03-06 2019-12-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
KR20190114334A (ko) * 2018-03-29 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 검사 및 리페어 방법
CN208014703U (zh) 2018-03-29 2018-10-26 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 驱动背板、微发光二极管显示面板及显示器
WO2019220246A1 (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法
TWI721435B (zh) * 2018-05-28 2021-03-11 鴻海精密工業股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
CN110544661A (zh) * 2018-05-29 2019-12-06 普因特工程有限公司 微led转印头及利用其的微led转印系统
CN110689818B (zh) * 2018-07-06 2021-10-08 群创光电股份有限公司 电子装置及电子装置的修复方法
TWI721308B (zh) * 2018-08-17 2021-03-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示裝置
US11282984B2 (en) * 2018-10-05 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
US10796938B2 (en) 2018-10-17 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US10573544B1 (en) * 2018-10-17 2020-02-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with selective component removal
JP7083736B2 (ja) * 2018-10-26 2022-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN111244246B (zh) * 2018-11-29 2021-08-17 成都辰显光电有限公司 发光微元件及其转移系统、显示装置
CN109616499A (zh) * 2018-12-04 2019-04-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
TWI683465B (zh) 2018-12-11 2020-01-21 友達光電股份有限公司 發光裝置的製造方法
KR102526352B1 (ko) * 2018-12-20 2023-04-28 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 표시패널
US11302248B2 (en) 2019-01-29 2022-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh U-led, u-led device, display and method for the same
CN109801925B (zh) * 2019-01-17 2021-08-24 京东方科技集团股份有限公司 一种微led显示面板及其制备方法
US11271143B2 (en) 2019-01-29 2022-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
US11610868B2 (en) 2019-01-29 2023-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
WO2020229576A2 (de) 2019-05-14 2020-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinheit, verfahren zur herstellung einer beleuchtungseinheit, konverterelement für ein opto-elektronisches bauelement, strahlungsquelle mit einer led und einem konverterelement, auskoppelstruktur, und optoelektronische vorrichtung
CN121583214A (zh) 2019-01-29 2026-02-27 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 视频墙、驱动器电路、控制系统及其方法
US11156759B2 (en) 2019-01-29 2021-10-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
KR20210120106A (ko) 2019-02-11 2021-10-06 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 부품, 광전자 조립체 및 방법
KR102686364B1 (ko) * 2019-02-20 2024-07-19 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN109904174B (zh) 2019-02-28 2021-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的电路背板及其制备方法和显示面板
CN109873007B (zh) * 2019-04-02 2021-02-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有源矩阵微发光二极管显示面板
US11538852B2 (en) 2019-04-23 2022-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
JP7604394B2 (ja) * 2019-04-23 2024-12-23 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄディスプレイモジュール、および当該モジュールを製造する方法
CN110047866B (zh) * 2019-04-30 2021-04-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及微型led的转移方法
KR102791403B1 (ko) * 2019-05-08 2025-04-08 삼성전자주식회사 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이의 제조 방법
KR102947058B1 (ko) 2019-05-13 2026-04-01 에이엠에스-오스람 인터내셔널 게엠베하 다중 칩 캐리어 구조체
CN110190068B (zh) 2019-05-21 2020-12-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示面板的制造方法
WO2020233873A1 (de) 2019-05-23 2020-11-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsanordnung, lichtführungsanordnung und verfahren
CN112018143A (zh) * 2019-05-28 2020-12-01 云谷（固安）科技有限公司 微发光二极管显示基板、显示面板及其制作方法、显示装置
CN112054105A (zh) * 2019-06-06 2020-12-08 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示器的制造方法
CN110189628B (zh) * 2019-06-28 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 一种背光模组及显示装置
KR102642331B1 (ko) * 2019-07-03 2024-03-04 삼성전자주식회사 마이크로 led 디스플레이 모듈 및 이를 제조하는 방법
KR102800734B1 (ko) * 2019-07-04 2025-04-29 삼성전자주식회사 마이크로 led 디스플레이 모듈 및 이를 제조하는 방법
CN110349989B (zh) * 2019-07-17 2022-05-03 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管、显示基板和转移方法
CN110459475A (zh) * 2019-07-23 2019-11-15 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种薄膜晶体管及其制造方法
CN118748197A (zh) * 2019-07-24 2024-10-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法
CN114730824A (zh) 2019-09-20 2022-07-08 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 光电组件、半导体结构和方法
CN112649711B (zh) * 2019-10-12 2022-04-15 成都辰显光电有限公司 微发光二极管的检测装置及方法
CN110739377B (zh) * 2019-10-28 2023-07-25 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管装置
CN110911436B (zh) * 2019-12-03 2022-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动背板、发光二极管的转移装置及转移方法
CN111128942B (zh) * 2019-12-04 2021-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种微发光二极管显示基板及其制备方法
KR102817835B1 (ko) 2019-12-18 2025-06-11 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
CN111081160B (zh) 2019-12-31 2022-01-04 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN113284428A (zh) * 2020-02-19 2021-08-20 群创光电股份有限公司 显示装置
US11699690B2 (en) * 2020-02-19 2023-07-11 Innolux Corporation Display device and manufacturing method thereof
WO2021168615A1 (zh) * 2020-02-24 2021-09-02 重庆康佳光电技术研究院有限公司 发光二极管的巨量转移方法、以及显示背板组件
US12142717B2 (en) 2020-04-09 2024-11-12 Raysolve Optoelectronics (Suzhou) Company Limited Light emitting diode structure and method for manufacturing the same
CN111463230A (zh) * 2020-04-13 2020-07-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro LED阵列基板的修补装置以及micro LED阵列基板的修补方法
CN111211213B (zh) * 2020-04-21 2020-09-04 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种显示背板及其制造方法
CN111398773B (zh) * 2020-04-30 2025-05-09 厦门乾照半导体科技有限公司 可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法
KR20230029780A (ko) * 2020-06-15 2023-03-03 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR102800686B1 (ko) 2020-06-28 2025-04-24 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 장치 및 그 제조 방법
US11915985B2 (en) * 2020-11-11 2024-02-27 Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co., Ltd. Detection structure and detection method
CN112447787B (zh) * 2020-11-30 2024-05-31 厦门乾照半导体科技有限公司 可拾取及测试的微器件及制作、测试、转移方法及显示器
CN112599552B (zh) * 2020-12-14 2024-02-20 苏州芯聚半导体有限公司 微发光二极管显示面板及制备方法
KR20220115674A (ko) * 2021-02-09 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220128534A (ko) * 2021-03-11 2022-09-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI765631B (zh) * 2021-03-31 2022-05-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光元件結構及顯示裝置
KR102927915B1 (ko) * 2021-03-31 2026-02-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치
CN113078249A (zh) * 2021-03-31 2021-07-06 錼创显示科技股份有限公司 微型发光元件结构及显示装置
TWI773279B (zh) * 2021-04-27 2022-08-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
TWI837634B (zh) 2021-07-20 2024-04-01 群創光電股份有限公司 電子裝置
CN113764326B (zh) * 2021-09-09 2024-01-19 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 微发光二极管及其转移装置和转移方法
US12490549B2 (en) 2021-09-30 2025-12-02 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device
CN113990996B (zh) * 2021-10-26 2024-10-29 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示设备
TWI802059B (zh) 2021-10-26 2023-05-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示裝置
CN116190408A (zh) * 2021-11-29 2023-05-30 成都辰显光电有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
JP7502658B2 (ja) 2021-12-10 2024-06-19 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
CN114335063B (zh) * 2021-12-30 2024-07-26 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板、装置及微发光二极管的转移装置、方法
KR20240141201A (ko) * 2022-01-31 2024-09-25 제이드 버드 디스플레이(상하이) 리미티드 마이크로 led 구조 및 마이크로 디스플레이 패널
JP2025504034A (ja) * 2022-01-31 2025-02-06 ジェイド バード ディスプレイ（シャンハイ） リミテッド マイクロｌｅｄ構造体及びマイクロディスプレイパネル
WO2023163433A1 (ko) * 2022-02-24 2023-08-31 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈의 리페어 방법
CN114725082B (zh) * 2022-03-29 2024-07-26 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板、显示装置及发光二极管的转移装置
KR102787169B1 (ko) * 2022-09-06 2025-03-26 삼성전자주식회사 마이크로 반도체 칩의 대량 전사 방법 및 대량 전사 장치
KR102868328B1 (ko) * 2022-12-22 2025-10-14 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 디스플레이 장치
CN116705639B (zh) * 2023-06-27 2024-08-16 惠科股份有限公司 微发光二极管组件的检测方法及微显示基板

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194775A (ja) * 1984-10-17 1986-05-13 Oki Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄプリンタの製造方法
JP3760411B2 (ja) * 2003-05-21 2006-03-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション アクティブマトリックスパネルの検査装置、検査方法、およびアクティブマトリックスｏｌｅｄパネルの製造方法
KR100603836B1 (ko) * 2004-11-30 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
WO2007088909A1 (ja) * 2006-01-31 2007-08-09 Kyocera Corporation 発光装置および発光モジュール
WO2008093880A1 (ja) * 2007-02-02 2008-08-07 Sanyo Electric Co., Ltd. 半導体装置及びその製造方法
DE102007011123A1 (de) * 2007-03-07 2008-09-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Modul und Herstellungsverfahren für ein Licht emittierendes Modul
KR101592201B1 (ko) * 2008-11-06 2016-02-05 삼성전자 주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
JP4930548B2 (ja) * 2009-06-08 2012-05-16 サンケン電気株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2011125311A1 (ja) * 2010-04-01 2011-10-13 パナソニック株式会社 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置
JP5652252B2 (ja) * 2011-02-24 2015-01-14 ソニー株式会社 発光装置、照明装置および表示装置
US9666764B2 (en) * 2012-04-09 2017-05-30 Cree, Inc. Wafer level packaging of multiple light emitting diodes (LEDs) on a single carrier die
JP5843859B2 (ja) * 2011-07-01 2016-01-13 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光素子の製造方法
US8952402B2 (en) * 2011-08-26 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Solid-state radiation transducer devices having flip-chip mounted solid-state radiation transducers and associated systems and methods
US9548332B2 (en) * 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
WO2014018844A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Schlumberger Canada Limited Object detection system and methodology
US8933433B2 (en) * 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US9159700B2 (en) * 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
US9178123B2 (en) * 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US9105714B2 (en) * 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
JP6254674B2 (ja) * 2013-03-15 2017-12-27 アップル インコーポレイテッド 冗長性スキームを備えた発光ダイオードディスプレイパネル
US8791474B1 (en) * 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US9252375B2 (en) * 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US8987765B2 (en) * 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US20170271548A1 (en) * 2013-06-26 2017-09-21 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
CN103390613B (zh) * 2013-08-14 2016-08-10 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 高发光均匀性的密排列led面阵器件及制备方法
TWI534993B (zh) * 2013-09-25 2016-05-21 友達光電股份有限公司 無機發光二極體之畫素結構
TWI467528B (zh) * 2013-10-30 2015-01-01 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示面板及其製作方法
JP6328497B2 (ja) * 2014-06-17 2018-05-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体発光素子、パッケージ素子、および発光パネル装置
CN104269427B (zh) * 2014-09-05 2017-03-29 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置
KR101649657B1 (ko) * 2014-10-07 2016-08-30 엘지전자 주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
US9825202B2 (en) * 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
US10269776B2 (en) * 2014-12-16 2019-04-23 PlayNitride Inc. Light emitting device
KR102422246B1 (ko) * 2015-07-30 2022-07-19 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102402999B1 (ko) * 2015-08-31 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
GB2541970B (en) * 2015-09-02 2020-08-19 Facebook Tech Llc Display manufacture
US10032757B2 (en) * 2015-09-04 2018-07-24 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Projection display system
US10170455B2 (en) * 2015-09-04 2019-01-01 PlayNitride Inc. Light emitting device with buffer pads
US10177127B2 (en) * 2015-09-04 2019-01-08 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same
US10304811B2 (en) * 2015-09-04 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Light-emitting diode display panel with micro lens array
CN108475712B (zh) * 2015-12-01 2021-11-09 夏普株式会社 图像形成元件
TWI657563B (zh) * 2015-12-15 2019-04-21 優顯科技股份有限公司 光電裝置及其製造方法
CN106887488B (zh) * 2015-12-15 2019-06-11 群创光电股份有限公司 发光二极管及使用此发光二极管所制得的显示装置
KR102442612B1 (ko) * 2016-02-19 2022-09-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 트랜스퍼 방법
KR102651054B1 (ko) * 2016-02-22 2024-03-26 삼성디스플레이 주식회사 전사 장치, 이를 이용한 전사 방법 및 표시 장치
US10153257B2 (en) * 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
TWI588984B (zh) * 2016-03-14 2017-06-21 群創光電股份有限公司 顯示裝置
KR102537440B1 (ko) * 2016-03-18 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US10223962B2 (en) * 2016-03-21 2019-03-05 X-Celeprint Limited Display with fused LEDs
KR102536254B1 (ko) * 2016-03-22 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 Led 칩 실장 장치 및 상기 led 칩 실장 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법
US10103069B2 (en) * 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
KR102631260B1 (ko) * 2016-04-08 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치 제조방법
KR102550698B1 (ko) * 2016-04-11 2023-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 조명 장치
KR102661474B1 (ko) * 2016-04-11 2024-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102559840B1 (ko) * 2016-04-20 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN105826435B (zh) * 2016-04-28 2018-05-01 歌尔股份有限公司 红光微发光二极管的形成方法、制造方法、背板及电子设备
US10490534B2 (en) * 2016-05-20 2019-11-26 Innolux Corporation Display device with LED pixels
US10361179B2 (en) * 2016-05-20 2019-07-23 Innolux Corporation Display device
CN107437551B (zh) * 2016-05-25 2020-03-24 群创光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
US10217678B2 (en) * 2016-06-14 2019-02-26 Innolux Corporation Display device and method of manufacturing the display device
US10121710B2 (en) * 2016-06-14 2018-11-06 Innolux Corporation Methods for manufacturing a display device
KR102699567B1 (ko) * 2016-07-11 2024-08-29 삼성디스플레이 주식회사 초소형 발광 소자를 포함하는 픽셀 구조체, 표시장치 및 그 제조방법
KR102608419B1 (ko) * 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
CN106229326B (zh) * 2016-07-22 2019-03-12 深圳市华星光电技术有限公司 转印微发光二极管的方法及显示面板的制作方法
TWI611599B (zh) * 2016-10-27 2018-01-11 友達光電股份有限公司 過渡載板裝置、顯示面板以及兩者的製造方法、微型發光件的檢測方法
CN106601657B (zh) * 2016-12-12 2019-12-17 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移系统、转移方法、制造方法、装置和电子设备
US11225066B2 (en) * 2017-03-29 2022-01-18 Xerox Corporation In-line detection and correction of underperforming light emitting diodes in a curing station of a three dimensional object printer
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
CN106941108B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
WO2019147738A1 (en) * 2018-01-23 2019-08-01 Light Share, LLC Full-color monolithic micro-led pixels

Also Published As

Publication number Publication date
US10424569B2 (en) 2019-09-24
JP2020521180A (ja) 2020-07-16
EP3640990A4 (en) 2021-03-10
WO2018214199A1 (zh) 2018-11-29
KR102341625B1 (ko) 2021-12-22
CN107170773B (zh) 2019-09-17
EP3640990A1 (en) 2020-04-22
CN107170773A (zh) 2017-09-15
US20180342492A1 (en) 2018-11-29
US10269779B2 (en) 2019-04-23
US20190189604A1 (en) 2019-06-20
KR20200011964A (ko) 2020-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6916910B2 (ja) マイクロ発光ダイオード表示パネルの製造方法
JP6838247B2 (ja) マイクロ発光ダイオードディスプレイパネル及びその製造方法
US11088296B2 (en) Light-emitting diode substrate and manufacturing method thereof, and display device
US11322670B2 (en) Pixel array substrate including flux structure layer for improving LED contact and method of manufacturing thereof
US10923529B2 (en) Display substrate, method for manufacturing display substrate, and display device
US11908841B2 (en) Back emission display
US12148873B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
CN101635305B (zh) 有机发光显示装置
US20230317736A1 (en) Electronic device
WO2018171268A1 (zh) 基板及其制备方法、显示面板和显示装置
US20210384176A1 (en) Micro light-emitting diode display device and method for fabricating same
CN104022137A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN111492485B (zh) 制造微发光二极管阵列基板的方法、微发光二极管阵列基板、微发光二极管显示设备
CN104538433A (zh) 有源矩阵有机发光显示器基板及其制造方法
US20250031504A1 (en) Method of manufacturing display device and display device
WO2019134057A1 (zh) 一种显示器件结构
KR20250096981A (ko) 발광 소자 검사 방법, 표시 장치의 제조 방법 및 발광 소자 검사 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210322

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210629

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210716

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6916910

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250