JP6921296B2 - 電子制御装置 - Google Patents

Description

本発明は、自動車に適用可能な電子制御装置に関する。

近年の自動車を取り巻く環境のさらなる電子化に伴い、市場からの運転性、燃費性および快適性等々の要求に従って制御が複雑化および高度化し、自動車に内在する故障および不具合のリスクが高まっている。特に、燃費性については、ＯＢＤ（Ｏｎ−Ｂｏａｒｄ Ｄｉａｇｎｏｓｔｉｃｓ）法規の改正等の影響もあって、車両を構成するデバイス数を増加させ、異常な状態か正常な状態かをより詳細に検知できるようシステムを構成する各デバイスの診断結果を細分化する動きがある。

デバイス診断制御は、車速センサや油圧センサ等のハードウェアからの入力によって、ドライビングサイクル中のデバイスの状態が正常か異常かを判断するものが大半である。
ここで、診断対象とするデバイスのセンサがコントローラユニットに既に搭載されている前提では、制御ソフトウェアの開発のみで診断制御の実装が可能となる。このため、診断方法の細分化はソフトウェアの変更のみで対応可能で、制御開発期間の短縮化も比較的困難ではない。

しかし、診断方法の細分化は、法規対応ということもあり、診断対象デバイスのセンサが搭載されたシステムに必ず限定されるものではない。仮に、診断対象デバイスのセンサが搭載されていない場合には、コントローラユニットのソフトウェアの変更に加え、ハードウェア構成の変更も必要となる。このため、ハードウェア面では、搭載するセンサ等の選定や評価試験等に膨大な開発工数を取られることがある。また、ソフトウェア面では、診断制御のロジックを新規に設計検討する必要があり、制御開発期間の短縮化が非常に困難になることがある。

一方で、自動車用電子制御装置には、任意のタイミングやセルフシャットダウン中に、学習値や故障情報などの情報を電気的に記録内容の消去および書込みが可能な不揮発性メモリに書き込むメモリバックアップ機能が実装されている。
しかし、メモリバックアップは、例えば、メモリ素子の異常やバッテリ電圧の低下などによって正常に行われない場合がある。

特許文献１には、書込み開始印や書込み完了印という管理情報を記憶させることで、バッテリ電圧低下を要因としたメモリバックアップ異常を検知しつつ、正常なメモリ領域を可能な限り有効活用する自動車用電子制御装置が開示されている。

特開２０１５−１７６１７７号公報

しかしながら、特許文献１に開示された技術では、バッテリ電圧異常の観点から見ると、異常の検知対象範囲がドライビングサイクル終了時のセルフシャットダウン中のみとなる。このため、仮にドライビングサイクル中にバッテリの電圧低下や断線等が発生すると、異常を正しく検知できない恐れがある。
また、異常検知の入力情報が、書込み管理情報である書込み開始印と完了印の１種類の管理情報のみである。このため、仮に管理情報の記憶領域内でメモリ素子（メモリセル）が故障し、メモリ素子異常が発生すると、誤検知を引き起こす可能性がある。

本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、その目的は、バッテリ電圧センサが搭載されていない場合においても、ドライビングサイクル中またはセルフシャットダウン中にバッテリ異常を検出することが可能な電子制御装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、第１の観点に係る電子制御装置は、複数の記憶領域を含む不揮発性メモリを備える電子制御装置であって、前記記憶領域は、情報を記憶する情報記憶領域と、前記記憶領域への情報の書込み状態を示す管理情報を記憶する管理情報記憶領域とを備え、前記不揮発性メモリは、前記管理情報へのアクセスの有無を示すアクセス情報を記憶する管理情報アクセスフラグ記憶領域を前記記憶領域とは別個に備える。

本発明によれば、バッテリ電圧センサが搭載されていない場合においても、ドライビングサイクル中またはセルフシャットダウン中にバッテリ異常を検出することができる。

図１は、実施形態に係る電子制御装置のハードウェア構成を示すブロック図である。 図２は、図１のフラッシュメモリのデータ構造を示す図である。 図３は、図２の第１記憶領域用管理情報記憶領域、第２記憶領域用管理情報記憶領域および管理情報アクセスフラグ記憶領域の構成を示す図である。 図４は、実施形態に係る電子制御装置のバッテリ断線異常が発生しない時の故障情報書込み処理を示す図である。 図５は、実施形態に係る電子制御装置のドライビングサイクル中にバッテリ断線異常が発生した時の故障情報書込み処理を示す図である。 図６は、実施形態に係る電子制御装置のシャットダウン中にバッテリ断線異常が発生した時の故障情報書込み処理を示す図である。 図７は、実施形態に係る電子制御装置のドライビングサイクル中の制御処理を示すフローチャートである。 図８は、実施形態に係る故障情報の書込み開始印書込み処理を示すフローチャートである。 図９は、実施形態に係る故障情報の書込み完了印書込み処理を示すフローチャートである。 図１０は、実施形態に係る電子制御装置のバッテリ断線異常判定処理を示すフローチャートである。 図１１は、実施形態に係る電子制御装置における管理情報判定処理の異常検知パターンを示す図である。 図１２は、実施形態に係る電子制御装置のドライビングサイクル中にバッテリ断線異常が連続で発生した時の故障情報書込み処理を示す図である。

実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下に説明する実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている諸要素およびその組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

図１は、実施形態に係る電子制御装置のハードウェア構成を示すブロック図である。
図１において、電子制御装置１００には、プロセッサ１１０、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２０およびフラッシュメモリ１３０が設けられている。
プロセッサ１１０、ＲＡＭ１２０およびフラッシュメモリ１３０は、バス１４０を介して相互に接続されている。電子制御装置１００には、バッテリ１５０から電源が供給される。

電子制御装置１００は、例えば、エンジン、自動変速機および燃料ポンプなどを電子制御するデバイスである。プロセッサ１１０は、電子制御装置１００全体の動作制御を司るハードウェアであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）などを用いてもよい。ＲＡＭ１２０は、揮発性メモリであり、プロセッサ１１０がプログラムを実行するためのワークエリアを設けることができる。フラッシュメモリ１３０は、フラッシュＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）など、電源供給を遮断してもデータが消えない不揮発性半導体メモリである。フラッシュメモリ１３０は、例えば、各種の制御プログラム、学習値、ＯＢＤ機能による故障情報などを記憶する。電子制御装置１００は、車速センサや油圧センサ等のハードウェアからの入力によって故障情報を収集することができる。

図２は、図１のフラッシュメモリのデータ構造を示す図である。
図２において、フラッシュメモリ１３０には、学習値や故障情報などの情報（以下、故障情報と言う）を記憶する複数の記憶領域として、第１記憶領域３１および第２記憶領域３２が設けられている。この記憶領域は、フラッシュメモリ１３０の消去単位で設けることができる。フラッシュメモリ１３０がＮＡＮＤフラッシュメモリの場合、この記憶領域はブロック単位で設けることができる。なお、図２では、故障情報を記憶する複数の記憶領域が２個設けられている場合を示したが、故障情報を記憶する複数の記憶領域は３個以上あってもよい。

第１記憶領域３１には、故障情報記憶領域１３１および第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３が設けられている。第２記憶領域３２には、故障情報記憶領域１３２および第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４が設けられている。故障情報記憶領域１３１および故障情報記憶領域１３２は故障情報を記憶する。第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３は、第２記憶領域３２への故障情報の書込み状態を示す管理情報を記憶する。第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４は、第１記憶領域３１への故障情報の書込み状態を示す管理情報を記憶する。この時、第１記憶領域３１は、第２記憶領域３２に保持される故障情報に対する管理情報を記憶し、第２記憶領域３２は、第１記憶領域３１に保持される故障情報に対する管理情報を記憶する。すなわち、第１記憶領域３１および第２記憶領域３２は互いに相手側の管理情報を保持する。

ここで、第１記憶領域３１のデータが一部でも消去される時は、第１記憶領域３１に記憶されているデータ全体が一括して消去される。同様に、第２記憶領域３２のデータが一部でも消去される時は、第２記憶領域３２に記憶されているデータ全体が一括して消去される。このため、第１記憶領域３１および第２記憶領域３２が互いに相手側の管理情報を保持することにより、第１記憶領域３１および第２記憶領域３２のいずれか一方の記憶領域のデータが消去された場合においても、消去された側の記憶領域の管理情報を相手の記憶領域に残すことができる。

さらに、フラッシュメモリ１３０には、第１記憶領域３１の管理情報および第２記憶領域３２の管理情報へのアクセスの有無を示すアクセス情報を記憶する管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５が設けられている。管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５は、第１記憶領域３１および第２記憶領域３２とは別個に設けられる。管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５は、管理情報へのアクセスがあったにもかかわらず、管理情報が正常に書き込まれないフラッシュメモリ素子異常時のバッテリ断線を検知するために用いることができる。

図３は、図２の第１記憶領域用管理情報記憶領域、第２記憶領域用管理情報記憶領域および管理情報アクセスフラグ記憶領域の構成を示す図である。
図３において、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３は、第２記憶領域３２の管理情報として、第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａおよび第２記憶領域用書込み完了印１３３Ｂを保持する。第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａは、第２記憶領域３２への故障情報の書込み開始を示す。第２記憶領域用書込み完了印１３３Ｂは、第２記憶領域３２への故障情報の書込み完了を示す。第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａは、ｎ（ｎは正の整数）個の第２記憶領域用書込み開始印ＭＡ１〜ＭＡｎを設けることができる。第２記憶領域用書込み完了印１３３Ｂは、ｎ個の第２記憶領域用書込み完了印ＭＢ１〜ＭＢｎを設けることができる。

第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４は、第１記憶領域３１の管理情報として、第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａおよび第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂを保持する。第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａは、第１記憶領域３１への故障情報の書込み開始を示す。第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂは、第１記憶領域３１への故障情報の書込み完了を示す。第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａは、ｎ個の第１記憶領域用書込み開始印ＫＡ１〜ＫＡｎを設けることができる。第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂは、ｎ個の第１記憶領域用書込み完了印ＫＢ１〜ＫＢｎを設けることができる。

管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５は、管理情報へのアクセス情報として、書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａおよび書込み完了用アクセスフラグ１３５Ｂを保持する。書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａは、第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａの登録アドレスまたは第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａの登録アドレスへのアクセスの有無を示す。書込み完了用アクセスフラグ１３５Ｂは、第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂの登録アドレスまたは第２記憶領域用書込み完了印１３３Ｂの登録アドレスへのアクセスの有無を示す。書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａは、ｎ個の書込み開始印用アクセスフラグＦＡ１〜ＦＡｎを設けることができる。書込み完了印用アクセスフラグ１３５Ｂは、ｎ個の書込み完了用アクセスフラグＦＢ１〜ＦＢｎを設けることができる。

なお、フラッシュメモリ１３０に３個以上の記憶領域が確保されている場合には、全ての記憶領域の管理情報を持つように、各記憶領域の管理情報記憶領域に他の記憶領域の管理情報が格納されていればよい。

以上のように構成された電子制御装置１００において、プロセッサ１１０は、ＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）制御機能およびＡＰＰＬＩ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）制御機能を実現する制御プログラムに従って、故障情報書込み処理および故障情報読込処理をそれぞれ実行することができる。

図４は、実施形態に係る電子制御装置のバッテリ断線異常が発生しない時の故障情報書込み処理を示す図である。
図４において、イグニッションスイッチがＯＦＦからＯＮになった時に、故障情報記憶領域１３１、１３２、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４および管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５がブランク状態にあったものとする。そして、故障情報記憶領域１３１および第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３が書込み可能領域として選択されたものとする。

そして、イグニッションスイッチがＯＦＦからＯＮになったことをトリガとしてドライビングサイクルが開始する。ここで、ドライビングサイクル中およびセルフシャットダウン中にバッテリ断線の異常が発生せず、メモリバックアップ制御が正常に実施されたものとする。

この時、ドライビングサイクル中において、プロセッサ１１０は、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４に第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａを書込む。さらに、その第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４にアクセスがあったとして、プロセッサ１１０は、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５に書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａを書込む。そして、車両制御に必要なソレノイド制御やＣＡＮ（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）通信制御等を逐次実行する。

次に、ドライビングサイクル中にイグニッションスイッチがＯＮからＯＦＦになると、プロセッサ１１０は、セルフシャットダウンを実行する。セルフシャットダウン中において、今回のドライビングサイクルを終了するため、故障情報記憶領域１３１に故障情報を書込む準備として、プロセッサ１１０は、第１記憶領域３１を消去する。第１記憶領域３１の消去では、第１記憶領域３１全体が消去されるため、故障情報記憶領域１３１だけでなく第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３も消去される。

第１記憶領域３１の消去が完了すると、プロセッサ１１０は、ＲＡＭ１２０に記憶されている故障情報を故障情報記憶領域１３１に書込む。故障情報の書込みが正常に完了すると、プロセッサ１１０は、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４に第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂを書込む。さらに、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４にアクセスがあったとして、プロセッサ１１０は、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５に書込み完了印用アクセスフラグ１３５Ｂを書込む。

この時、第１記憶領域３１において、故障情報記憶領域１３１はドライビングサイクル中の故障情報を記憶し、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３は、故障情報の書込み前に消去されているため、ブランク状態となる。第２記憶領域３２において、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４は、第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａおよび第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂを記憶している。従って、管理情報の記憶状態は、第１記憶領域３１の管理情報としては第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａおよび第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂが記憶され、第２記憶領域３２の管理情報としては第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａおよび第２記憶領域用書込み完了印１３３Ｂがブランクとなる。

管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５において、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５は書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａおよび書込み完了印用アクセスフラグ１３５Ｂを記憶している。このため、第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａおよび第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂを第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４に書込むために、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４にアクセスが有ったことが示される。

再度、イグニッションスイッチがＯＦＦからＯＮになったことをトリガとして次回のドライビングサイクルが開始すると、プロセッサ１１０は、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４および管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５の記録パターンから、前回のドライビングサイクルの故障情報の書込みが正常に実行され、ドライビングサイクル中およびセルフシャットダウン中のいずれにおいても、バッテリ断線異常が発生しなかったと判断することができる。

一方、バッテリ断線異常が発生した場合のフラッシュメモリ１３０の第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４および管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５の記録パターンは、バッテリ断線異常が発生しなかった場合のフラッシュメモリ１３０の第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４および管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５の記録パターンと異なる。
以下、ドライビングサイクル中にバッテリ断線異常が発生した場合と、セルフシャットダウン中にバッテリ断線異常が発生した場合のそれぞれの故障情報書込み処理について説明する。

図５は、実施形態に係る電子制御装置のドライビングサイクル中にバッテリ断線異常が発生した時の故障情報書込み処理を示す図である。図５では、第１記憶領域３１の故障情報の書込みが正常に完了し、その後、第２記憶領域３２の故障情報の書込みが失敗した場合を例にとる。
図５において、イグニッションスイッチがＯＦＦからＯＮになった時に、故障情報記憶領域１３１が故障情報を記憶し、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４が第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａおよび第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂを記憶しているものとする。さらに、故障情報記憶領域１３２、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３および管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５がブランク状態にあったものとする。そして、故障情報記憶領域１３２および第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４が書込み可能領域として選択されたものとする。

そして、イグニッションスイッチがＯＦＦからＯＮになったことをトリガとしてドライビングサイクルが開始する。ドライビングサイクル中において、プロセッサ１１０は、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３に第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａを書込む。
さらに、その第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３にアクセスがあったとして、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５に書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａを書込む。そして、車両制御に必要なソレノイド制御やＣＡＮ通信制御等を逐次実行する。

ここで、電子制御装置１００への電源供給源となっているバッテリ１５０が断線状態になると、今回のドライビングサイクルは、セルフシャットダウン処理を経由しないで終了する。このため、故障情報記憶領域１３２への故障情報の書込みと、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３への第２記憶領域用書込み完了印１３３Ｂの書込みと、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５への書込み完了印用アクセスフラグ１３５Ｂの書込みが実施されなくなる。

さらに、第２記憶領域３２についてはセルフシャットダウン処理を経由していないため、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４は外部からアクセスされることがない。このため、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４は、前回のドライビングサイクルでのメモリバックアップ時の管理情報の設定のままとなる。

従って、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４および管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５の記録パターンは、図４のバッテリ断線異常が発生していない場合と異なり、第１記憶領域３１には、第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａのみが記憶がされ、第２記憶領域３２には、第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａおよび第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂとが記憶される。

そのため、再度、イグニッションスイッチがＯＦＦからＯＮになったことをトリガとして次回のドライビングサイクルが開始すると、プロセッサ１１０は、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４および管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５の記録パターンから、前回のドライビングサイクルの故障情報の書込みに異常が発生し、ドライビングサイクル中にバッテリ断線異常が発生したと判断することができる。

図６は、実施形態に係る電子制御装置のシャットダウン中にバッテリ断線異常が発生した時の故障情報書込み処理を示す図である。図６では、第１記憶領域３１の故障情報の書込みが正常に完了し、その後、第２記憶領域３２の故障情報の書込みが失敗した場合を例にとる。
図６において、イグニッションスイッチがＯＦＦからＯＮになった時に、故障情報記憶領域１３１が故障情報を記憶し、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４が第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａおよび第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂを記憶しているものとする。さらに、故障情報記憶領域１３２、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３および管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５がブランク状態にあったものとする。そして、故障情報記憶領域１３２および第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４が書込み可能領域として選択されたものとする。

そして、イグニッションスイッチがＯＦＦからＯＮになったことをトリガとしてドライビングサイクルが開始する。ドライビングサイクル中において、プロセッサ１１０は、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３に第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａを書込む。
さらに、その第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３にアクセスがあったとして、プロセッサ１１０は、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５に書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａを書込む。そして、車両制御に必要なソレノイド制御やＣＡＮ通信制御等を逐次実行する。

次に、ドライビングサイクル中にイグニッションスイッチがＯＮからＯＦＦになると、プロセッサ１１０は、セルフシャットダウンを実行する。セルフシャットダウン中において、今回のドライビングサイクルを終了するため、故障情報記憶領域１３２に故障情報を書込む準備として、プロセッサ１１０は、第２記憶領域３２を消去する。第２記憶領域３２の消去では、第２記憶領域３２全体が消去されるため、故障情報記憶領域１３２だけでなく第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４も消去される。

ここで、電子制御装置１００への電源供給源となっているバッテリ１５０が断線状態になると、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３への第２記憶領域用書込み完了印１３３Ｂの書込みと、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５への書込み完了印用アクセスフラグ１３５Ｂの書込みが実施されなくなる。さらに、第２記憶領域３２については、メモリ消去処理によって第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４がアクセスされ、メモリ消去途中でバッテリ断線が発生したことによって、記憶データが不定なデータとなることがある。

従って、セルフシャットダウン中にバッテリ断線異常が発生した時の第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４および管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５の記録パターンは、図５のドライビングサイクル中にバッテリ断線異常が発生した場合と異なり、第２記憶領域３２には、ブランク設定、第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａおよび第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂのいずれでもない不定なデータが記憶される。

そのため、再度、イグニッションスイッチがＯＦＦからＯＮになったことをトリガとして次回のドライビングサイクルが開始すると、プロセッサ１１０は、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４および管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５の記録パターンから、前回のドライビングサイクルの故障情報の書込みに異常が発生し、セルフシャットダウン中にバッテリ断線異常が発生したと判断することができる。

ここで、図５および図６に示すように、バッテリ断線異常がドライビングサイクル中およびセルフシャットダウン中のいずれで発生した場合においても、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５の記憶内容は、書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａが有、書込み完了用アクセスフラグ１３５Ｂが無となる。このため、第１記憶領域３１および第２記憶領域３２に管理情報が正常に書き込まれない素子異常が発生した場合においても、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５の記憶内容を参照することでドライビングサイクル中またはセルフシャットダウン中にバッテリ断線異常が発生したかどうかを判定することができる。このため、バッテリ電圧センサが搭載されていない場合においても、ハードウェア構成を変更することなく、さらにはソフトウェア開発に膨大な工数をとられることなく、ドライビングサイクル中またはセルフシャットダウン中のバッテリ異常を検出することが可能となる。

以下、図１の電子制御装置１００の詳細な処理について図７〜図１０のフローを参照しながら説明する。この処理では、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３および第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４への開始印書込みと完了印書込み、さらに管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５へのそれぞれの管理情報アクセスフラグの書込みをドライビングサイクル中に行う。そして、これら３種の管理情報を次回のドライビングサイクルに切り替わったタイミングで診断することにより、バッテリ電圧低下やバッテリ断線によってバッテリ１５０から電子制御装置１００へ必要な電源が供給されない時のメモリバックアップ異常を正しく検知することが可能となる。

図７は、実施形態に係る電子制御装置のドライビングサイクル中の制御処理を示すフローチャートである。ドライビングサイクル中の制御処理としては、開始印書込みと、完了印書込みと、それぞれの管理情報アクセスフラグの書込みがある。開始印および完了印は、所定の定数設定とすることができる。この処理は、ドライビングサイクル開始直後のＲＥＳＥＴ処理以降、最も早い規定周期で繰り返される。
図７において、ステップＳ１にて電子制御装置１００に供給される供給電圧を監視し、供給電圧の状態によってドライビングサイクル中の制御処理およびセルフシャットダウン中の制御処理を切り替える。

すなわち、ステップＳ１にて供給電圧がシャットダウン閾値以下かどうかを判断する。
そして、供給電圧がシャットダウン閾値以下でない場合、ドライビングサイクル中の制御処理に進む。ドライビングサイクル中の制御処理として、供給電圧がクランキング閾値以上かどうかを判断する。そして、供給電圧がクランキング閾値以上の場合、エンジン始動時のクランキングによる電圧降下が発生しておらず、電子制御装置１００への供給電圧が安定した状態、つまりはドライビングサイクル中であると判断し、ステップＳ４に進む。
ステップＳ４では、開始印書込みが未完了かどうかを判断する。そして、開始印書込みが未完了の場合、ステップＳ５にて開始印および開始印側の管理情報アクセスフラグの書込み処理を実行する。次に、ステップＳ６において、予め規定周期の割り込みでスケジューリングされた自動変速機制御などの通常制御を開始する。

一方、供給電圧がシャットダウン閾値以下の場合、セルフシャットダウン中の制御処理に進む。セルフシャットダウン中の制御処理として、ステップＳ２にてセルフシャットダウン用のディレータイマを更新する。そして、供給電圧がクランキング閾値以上でない場合、ステップＳ７において、ステップＳ２にて更新されたディレータイマの値が規定値未満かどうかを判断する。そして、ディレータイマの値が規定値未満の場合、ステップＳ６に進み、通常制御を開始する。ディレータイマの値が規定値以上の場合、イグニッションスイッチがＯＦＦされ、セルフシャットダウン中の制御処理として、ステップＳ８において、ドライビングサイクル中に実施していた通常制御を停止する。次に、ステップＳ９において、ドラビングサイクル中に更新された故障情報のバックアップを行う。そして、ステップＳ１０において、完了印および完了印側の管理情報アクセスフラグの書込み処理を実行し、ステップＳ１１において、自動変速機制御時に動作させていたＡ／Ｄ変換機等のハードウェアの停止を行う。

図８は、実施形態に係る図７ステップＳ５の故障情報の書込み開始印書込み処理を示すフローチャートである。
図８において、開始印と管理情報アクセスフラグの書込みを開始した後のサイクルで再度、ステップＳ２４〜Ｓ２９で開始印の書込み指示を行わないようにするために、ステップＳ２１にて、開始印と管理情報アクセスフラグの処理ステータス情報が書込み中でないことを確認する。処理ステータス情報が書込み中の場合、ステップＳ２４〜Ｓ２９をスキップし、ステップＳ３０に進む。

処理ステータス情報が書込み中でない場合、ステップＳ２２にて開始印と管理情報アクセスフラグの処理ステータス情報を書込み中に設定する。次に、ステップＳ２３では、ＲＥＳＥＴ時のメモリバックアップ読込み制御によって生成される、今回ドライビングサイクル中での故障情報の読込み可能な記憶領域が第１記憶領域３１か第２記憶領域３２かを判定する。読込み可能な記憶領域が第１記憶領域３１の場合、第２記憶領域３２への故障情報の書込みの準備として、ステップＳ２４にて第１記憶領域３１内の第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３の空エリアを検索する。そして、ステップＳ２５にて空きエリアに対して第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａの書込みを開始する。

次に、ステップＳ２６において、第１記憶領域３１内の第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３に記録されている第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａの領域にアクセスがあったとして、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５への書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａの書込み指示を行う。

一方、ステップＳ２３にて読込み可能な記憶領域が第２記憶領域３２と判定された場合、第１記憶領域３１への故障情報の書込みの準備として、ステップＳ２７にて第２記憶領域３２内の第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４の空エリアを検索する。そして、ステップＳ２８にて空きエリアに対して第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａの書込みを開始する。

次に、ステップＳ２９において、第２記憶領域３２内の第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４に記録されている第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａの領域にアクセスがあったとして、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５への書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａの書込み指示を行う。

ここで、読込み可能領域側の管理情報に開始印を書き込む理由は、書込み可能領域側の管理情報に開始印を記録しても、セルフシャットダウン中の故障情報書込みの際に、管理情報が消去され、次回ドライビングサイクル開始時に管理情報の判定が不可となるのを防止するためである。

以上の工程で開始印と、開始印側の管理情報アクセスフラグの書込み指示が完了すると、ステップＳ３０にてフラッシュメモリ１３０への書込みが完了したかを確認する。書込みが正常に完了されれば、ステップＳ３１にて開始印と管理情報アクセスフラグの処理ステータス情報の更新を行う。

書込み完了印書込み処理については、メモリバックアップが正常に完了したことを示す情報として、セルフシャットダウン中の故障情報の書込み制御後に実行する。この時、現在のドライビングサイクル中の故障情報の読込み可能な記憶領域によって、完了印を書き込むエリアを決定する。

図９は、実施形態に係る図７ステップＳ１０の故障情報の書込み完了印書込み処理を示すフローチャートである。
図９において、ステップＳ４１にて現在の第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａまたは第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａと、書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａの処理ステータス情報を読み出し、第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａまたは第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａと、書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａの書込み完了かどうかを判断する。書込み完了でない場合、ステップＳ４２〜Ｓ４８をスキップし、処理を終了する。

書込み完了の場合、ステップＳ４２において、現在のドライビングサイクル中の故障情報の読込み可能な記憶領域が第１記憶領域３１か第２記憶領域３２かを判定する。読込み可能な記憶領域が第１記憶領域３１の場合、故障情報の書込みを実施した記憶領域は第２記憶領域３２である。このため、ステップＳ４３において、第１記憶領域３１内に確保されている第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３の空きエリアを検索する。そして、ステップＳ４４にて空きエリアに第２記憶領域用書込み完了印１３３Ｂの書込みを行う。

次に、ステップＳ４５において、第１記憶領域３１内の第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３に記録された第２記憶領域用書込み完了印１３３Ｂの領域にアクセスがあったとして、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５への書込み完了印用アクセスフラグ１３５Ｂの書込み指示を行う。

一方、ステップＳ４２にて読込み可能な記憶領域が第１記憶領域３１と判定された場合、故障情報の書込みを実施した記憶領域は第１記憶領域３１である。このため、ステップＳ４６において、第２記憶領域３２内に確保されている第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４の空きエリアを検索する。そして、ステップＳ４７にて空きエリアに第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂの書込みを行う。

次に、ステップＳ４８において、第２記憶領域３２内の第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４に記録された第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂの領域にアクセスがあったとして、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５への書込み完了印用アクセスフラグ１３５Ｂの書込み指示を行う。

図１０は、実施形態に係る電子制御装置のバッテリ断線異常判定処理を示すフローチャートである。バッテリ断線異常判定処理は、ドライビングサイクルが切り替わったタイミングで実行され、次回のドライビングサイクル開始時点における開始印と完了印と管理情報アクセスフラグの記憶パターンに基づいて、前回のドライビングサイクルのメモリバックアップ制御時にバッテリ断線異常がなかったかを診断する。

図１０において、ステップＳ５１で今回のドライビングサイクルにおける故障情報の読込み可能な記憶領域が第１記憶領域３１か第２記憶領域３２かを判定する。読込み可能な記憶領域が第１記憶領域３１の場合、ステップＳ５２において、読み込み可能ブロック側として第１記憶領域３１内に確保されている第２記憶領域３２用の管理情報である第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａおよび第２記憶領域用書込み完了印１３３Ｂを検索しかつ、書き込み可能ブロック側として第２記憶領域３２内に確保されている第１記憶領域３１用の管理情報である第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａおよび第２記憶領域用書込み完了印１３４Ｂを検索するとともに、読み込み可能ブロック側の書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａおよび書込み完了印用アクセスフラグ１３５Ｂを検索する。

一方、ステップＳ５１にて読込み可能な記憶領域が第２記憶領域３２と判定された場合、ステップＳ５３において、読み込み可能ブロック側として第２記憶領域３２内に確保されている第１記憶領域３１用の管理情報である第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａおよび第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂを検索しかつ、書き込み可能ブロック側として第１記憶領域３１内に確保されている第２記憶領域３２用の管理情報である第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａおよび第２記憶領域用書込み完了印１３３Ｂを検索するとともに、読み込み可能ブロック側の書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａおよび書込み完了印用アクセスフラグ１３５Ｂを検索する。

ステップＳ５２またはステップＳ５３にて開始印および完了印と、管理情報アクセスフラグの検索が完了すると、ステップＳ５４にて、開始印および完了印と、管理情報アクセスフラグで示される異常検知パターンをチェックする。

図１１は、実施形態に係る電子制御装置における管理情報判定処理の異常検知パターンを示す図である。
図１１において、故障情報の読込み可能領域の管理情報と、故障情報の書込み可能領域の管理情報と、管理情報アクセスフラグの合計３つの要素から、異常検知パターンを以下の６種類に分類する。この時、メモリバックアップ制御を利用したバッテリ断線の異常の検出内容を以下のように設定することができる。

パターン１、２では、管理情報アクセスフラグの開始印側がアクセス有、管理情報アクセスフラグの完了印側がアクセス無という結果から、セルフシャットダウン処理を経由せず、メモリバックアップ制御が実行されなかったことが想定される。従って、現在のドライビングサイクル時において、故障情報の読込み可能領域は前回のドライビングサイクルから切り替わっていないことになる。この結果、故障情報の読込み可能領域の管理情報の記憶パターンから、バッテリ断線異常によるメモリバックアップ異常と、読込み可能な記憶領域側でのメモリ素子異常が疑われる。さらに、この異常状態は、故障情報の書込み可能領域側の管理情報を確認することで、以下のように、さらに細分化することが可能である。

仮に、ドライビングサイクル中にバッテリ断線が発生した場合、故障情報の書込み可能領域側の管理情報は、外部からアクセスされることはない。つまり、想定される異常検知パターンとしては、初期状態のブランク設定、または、前回のドライビングサイクル時にメモリバックアップ制御が正常に完了した際の管理情報が記憶されている状態（開始印または完了印）が考えられる。
一方、セルフシャットダウン中にバッテリ断線が発生した場合は、故障情報の書込み可能領域側の管理情報は、メモリバックアップ時のメモリ消去過程でアクセスされる。つまり、想定される異常検知パターンとしては、メモリ消去中にバッテリが断線するため、ドライビングサイクル中の異常検知パターンとは異なり、不定な設定（ブランク、開始印および完了印でない値）が記憶されていると考えることができる。

そのため、パターン１では、ドライビングサイクル中のバッテリ断線とメモリ素子異常が同時に発生したことを検知することができる。パターン２では、セルフシャットダウン中のバッテリ断線とメモリ素子異常が同時に発生したことを検知することができる。

パターン３、４では、パターン１、２の時と同様、管理情報アクセスフラグの開始印側がアクセス有、管理情報アクセスフラグの完了印側がアクセス無という結果から、セルフシャットダウン処理を経由せず、メモリバックアップ制御が実行されなかったことが想定される。従って、現在のドライビングサイクル時において、故障情報の読込み可能領域は、前回のドライビングサイクルから切り替わっていないことになる。この時、故障情報の読込み可能領域の管理情報の記憶パターンは、パターン３、４とパターン１、２とで異なっている。この結果、故障情報の読込み可能領域の管理情報の記憶パターンから、バッテリ断線異常を原因としたメモリバックアップ異常が疑われる。さらに、故障情報の書込み可能領域側の管理情報を確認することで、ドライビングサイクル中のバッテリ断線異常か、または、セルフシャットダウン中のバッテリ断線異常かの細分化が可能となる。

パターン５では、管理情報アクセスフラグの開始印側がアクセス有、管理情報アクセスフラグの完了印側がアクセス有という結果から、セルフシャットダウン処理が完了し、メモリバックアップ制御が実行されたことが想定される。この時、現在のドライビングサイクル時において、故障情報の読込み可能領域は、故障情報の記憶が更新されたため、前回のドライビングサイクルから切り替わっている。この結果、読込み可能な記憶領域内に確保されている管理情報は、メモリバックアップ制御の過程で消去され、ブランク設定となり、書込み可能領域内の管理情報は、管理情報アクセスフラグの内容に合わせて、開始印と完了印の設定となるべきであるが、管理情報の記憶パターンから、書込み可能な記憶領域側でのメモリ素子異常が疑われる。しかし、メモリ素子異常についてはバッテリ断線の観点でなく、メモリバックアップ異常の観点での異常のため、ここではメモリ素子異常検知を実施しない。

パターン６では、パターン５と同様、読込み可能な記憶領域内に記録されている管理情報はブランク設定である。書込み可能な記憶領域内に記録されている管理情報は、管理情報アクセスフラグの内容に合わせて開始印と完了印とが正常に記録されている。このため、３種の管理情報の記録パターンから、メモリバックアップ制御が正常に完了したと考えることができ、ドライビングサイクル中でのバッテリ断線は発生しなかったとみなすことができる。

図１０において、ステップＳ５４にて異常検知パターンのチェックが完了したら、ステップＳ５５にて異常検知パターンがパターン１〜６のいずれに対応するかを判断する。異常検知パターンがパターン１、２の場合、ステップＳ５６に進み、異常検知パターンがパターン３、４の場合、ステップＳ５７に進み、異常検知パターンがパターン５の場合、ステップＳ５８に進み、異常検知パターンがパターン６の場合、ステップＳ５９に進む。そして、ステップＳ５６〜ステップＳ５８にて異常検知パターンに合わせてそれぞれの異常カウンタの更新を行う。

ステップＳ５９では、ステップＳ５４にて、第１記憶領域３１および第２記憶領域３２の妥当性が確認され、メモリバックアップが正常に完了していることから、次回のドライビングサイクル時のバッテリ断線異常診断用に管理情報のアクセスフラグの消去を実施する。

ここで、ステップＳ５４にてチェックされた異常検知パターンのうち、パターン１〜５については、メモリバックアップ制御が異常終了したとして、次回のドライビングサイクル時に、故障情報の読込み可能領域の切り替えが実施されない。このため、図１２に示すように、第１記憶領域３１の管理情報と、第２記憶領域３２の管理情報と、管理情報アクセスフラグには、異常なパターンの開始印、完了印の組み合わせと、管理情報アクセスフラグの有無が累積される。この時の累積値が規定値以上になれば、前回のドライビングサイクルにおいて、どのようなバッテリ断線異常が発生したかを確定することが可能となる。

図１２は、実施形態に係る電子制御装置のドライビングサイクル中にバッテリ断線異常が連続で発生した時の故障情報書込み処理を示す図である。
図１２において、前回のドライビングサイクル中にバッテリ断線異常が発生したものとする。そして、今回のドライビングサイクルでイグニッションスイッチがＯＦＦからＯＮになった時に、故障情報記憶領域１３１が故障情報を記憶し、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３が第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａを記憶し、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４が第１記憶領域用書込み開始印１３４Ａおよび第１記憶領域用書込み完了印１３４Ｂを記憶し、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５が書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａを記憶しているものとする。そして、故障情報記憶領域１３２および第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４が書込み可能領域として選択されたものとする。

そして、イグニッションスイッチがＯＦＦからＯＮになったことをトリガとして今回のドライビングサイクルが開始する。今回のドライビングサイクル中において、プロセッサ１１０は、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３に２つ目の第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａを書込む。さらに、その第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３にアクセスがあったとして、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５に２つ目の書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａを書込む。そして、車両制御に必要なソレノイド制御やＣＡＮ通信制御等を逐次実行する。

ここで、電子制御装置１００への電源供給源となっているバッテリ１５０が再度断線状態になると、今回のドライビングサイクルは、セルフシャットダウン処理を経由しないで終了する。このため、故障情報記憶領域１３２への故障情報の書込みと、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３への第２記憶領域用書込み完了印１３３Ｂの書込みと、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５への書込み完了印用アクセスフラグ１３５Ｂの書込みが実施されなくなる。

さらに、第２記憶領域３２についてはセルフシャットダウン処理を経由していないため、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４は外部からアクセスされることがない。このため、第１記憶領域用管理情報記憶領域１３４は、前回のドライビングサイクルでのメモリバックアップ時の管理情報の設定のままとなる。

従って、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３および管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５の記録パターンは、図５の１回目のバッテリ断線異常が発生した場合と異なり、第２記憶領域用管理情報記憶領域１３３には、２つの第２記憶領域用書込み開始印１３３Ａが記憶され、管理情報アクセスフラグ記憶領域１３５には、２つの書込み開始印用アクセスフラグ１３５Ａが記憶される。

このため、図１０のステップＳ６０において、ステップＳ５６〜Ｓ５８にて更新された異常カウンタ回数を、予め設定されている規定値と比較する。異常カウンタ回数が規定値未満の場合、処理を終了する。異常カウンタ回数が規定値以上に達した場合、異常検知パターンがパターン１〜６のいずれに対応するかを判断する。異常検知パターンがパターン１、３の場合、該当の異常フラグ（バッテリ断線タイミングがドライビングサイクル中）を設定する。異常検知パターンがパターン２、４の場合、該当の異常フラグ（バッテリ断線タイミングがシャットダウン中）を設定する。異常検知パターンがその他のパターンの場合、処理を終了する。

１００…自動車用電子制御装置、１１０…ＣＰＵ、１２０…ＲＡＭ、１３０…フラッシュメモリ、１３１、１３２…故障情報記憶領域、１３３…第２記憶領域用管理情報記憶領域、１３４…第１記憶領域用管理情報記憶領域、１３５…管理情報アクセスフラグ記憶領域、１４０…バス

Claims (10)

1. 複数の記憶領域を含む不揮発性メモリを備える電子制御装置であって、
   前記記憶領域は、
   情報を記憶する情報記憶領域と、
   前記記憶領域への情報の書込み状態を示す管理情報を記憶する管理情報記憶領域とを備え、
   前記不揮発性メモリは、
   前記管理情報へのアクセスの有無を示すアクセス情報を記憶する管理情報アクセスフラグ記憶領域を前記記憶領域とは別個に備える電子制御装置。
2. ドライビングサイクル中において、
   前記管理情報記憶領域は、前記情報の書込み開始を示す開始印を保持し、
   前記管理情報アクセスフラグ記憶領域は、前記開始印の登録アドレスへのアクセスの有無を示す開始印用アクセスフラグを保持し、
   セルフシャットダウン中において、
   前記管理情報記憶領域は、前記情報の書込み完了を示す完了印を保持し、
   前記管理情報アクセスフラグ記憶領域は、前記完了印の登録アドレスへのアクセス有無を示す完了印用アクセスフラグを保持する請求項１に記載の電子制御装置。
3. 不揮発性メモリにアクセス可能なプロセッサを備え、
   前記プロセッサは、今回のドライビングサイクル開始時に、前記管理情報および前記アクセス情報に基づいて、前回のドライビングサイクルまたはセルフシャットダウンにおけるバッテリ断線またはバッテリ電圧低下異常を診断する請求項１に記載の電子制御装置。
4. 前記記憶領域は、他の前記記憶領域に保持される情報に対する前記管理情報を記憶する請求項１に記載の電子制御装置。
5. 前記プロセッサは、前記管理情報および前記アクセス情報の記録パターンに応じて前記バッテリ断線または前記バッテリ電圧低下異常を診断する請求項３に記載の電子制御装置。
6. 前記開始印および前記完了印は、所定の定数設定である請求項２に記載の電子制御装置。
7. 前記記憶領域は、第１記憶領域と第２記憶領域を備え、
   前記第１記憶領域は、
   第１情報を記憶する第１情報記憶領域と、
   前記第２記憶領域に格納される第２情報の管理情報を記憶する第２記憶領域用管理情報記憶領域を備え、
   前記第２記憶領域は、
   第２情報を記憶する第２情報記憶領域と、
   前記第１記憶領域に格納される第１情報の管理情報を記憶する第１記憶領域用管理情報記憶領域を備える請求項１に記載の電子制御装置。
8. ドライビングサイクル中において、前記第２記憶領域が読込み可能領域である時に、
   前記第１記憶領域用管理情報記憶領域は、前記情報の書込み開始を示す開始印を保持し、
   前記管理情報アクセスフラグ記憶領域は、前記開始印の登録アドレスへのアクセスの有無を示す開始印用アクセスフラグを保持し、
   セルフシャットダウン中において、前記第２記憶領域が読込み可能領域である時に、
   前記第１記憶領域用管理情報記憶領域は、前記情報の書込み完了を示す完了印を保持し、
   前記管理情報アクセスフラグ記憶領域は、前記完了印の登録アドレスへのアクセスの有無を示す完了印用アクセスフラグを保持する請求項８に記載の電子制御装置。
9. 前記情報を記憶する揮発性メモリと、
   前記不揮発性メモリおよび前記揮発性メモリにアクセス可能なプロセッサを備え、
   前記プロセッサは、
   前記セルフシャットダウン中において、
   前記第１記憶領域に記憶されているデータを消去し、
   前記揮発性メモリに記憶されている情報を前記第１情報記憶領域に退避させる請求項８に記載の電子制御装置。
10. 前記プロセッサは、前記第１記憶領域用管理情報記憶領域と、前記第２記憶領域用管理情報記憶領域と、前記管理情報アクセスフラグ記憶領域の記憶パターンに基づいて、バッテリ断線異常によるメモリバックアップ異常および読込み可能領域側でのメモリ素子異常を診断する請求項９に記載の電子制御装置。

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