JP6925377B2

JP6925377B2 - Substrate processing equipment, semiconductor equipment manufacturing methods and programs

Info

Publication number: JP6925377B2
Application number: JP2019044479A
Authority: JP
Inventors: 和宏梅本; 拓郎喜多
Original assignee: Kokusai Electric Corp
Current assignee: Kokusai Electric Corp
Priority date: 2019-03-12
Filing date: 2019-03-12
Publication date: 2021-08-25
Anticipated expiration: 2039-03-12
Also published as: JP2020150045A

Description

本開示は、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a method for manufacturing a substrate processing apparatus and a semiconductor apparatus.

近年、環境変動や気候変動等の問題により、半導体製造工場においても環境負荷の低減が求められており、省エネルギ対策が進められている。このため、例えば、特許文献１では、水素含有ガスと酸素含有ガスを燃焼させる燃料電池により電力を発電すると共に、燃料電池で生じた水および排熱（水蒸気）を利用してガスタービンや蒸気タービンにより発電を行い、省エネルギ化を図ることが考えられている。また、特許文献２では、反応容器からの排熱を利用して蒸気タービンにより発電を行い、省エネルギ化を図ることが考えられている。 In recent years, due to problems such as environmental change and climate change, reduction of environmental load is required even in semiconductor manufacturing factories, and energy saving measures are being promoted. Therefore, for example, in Patent Document 1, a fuel cell that burns a hydrogen-containing gas and an oxygen-containing gas generates electric power, and water and waste heat (steam) generated by the fuel cell are used to generate a gas turbine or a steam turbine. It is considered to generate electricity by means of fuel to save energy. Further, in Patent Document 2, it is considered to generate electricity by a steam turbine by utilizing the exhaust heat from the reaction vessel to save energy.

特開２０１２−２５３３１４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-253314 特開２０１４−５５５５８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-55558

半導体製造装置など加熱機構がある基板処理装置において、排熱を利用する補助発電システムを用いる場合、排熱が無い状態では電力を供給することができない。また、上記電力を蓄積するバッテリーがある場合においても、起動時や充電量が不十分な状態では安定的に電力を供給することができない。 When an auxiliary power generation system that utilizes exhaust heat is used in a substrate processing apparatus having a heating mechanism such as a semiconductor manufacturing apparatus, electric power cannot be supplied without exhaust heat. Further, even when there is a battery that stores the above-mentioned electric power, it is not possible to stably supply the electric power at the time of starting up or in a state where the amount of charge is insufficient.

本開示の課題は、省エネルギ化と電力の安定供給を同時に実現可能な構成を提供することにある。 An object of the present disclosure is to provide a configuration capable of simultaneously realizing energy saving and stable power supply.

本開示の一態様によれば、
工場設備から電力が供給される第１電力供給ラインと、
一側面に排熱部が接触するよう取り付けられ、反対側面に冷却装置が設置されるように構成されている補助発電システムで発生された電力が供給される第２電力供給ラインと、
前記第１電力供給ラインと前記第２電力供給ラインを切り替える切替制御部と、を有する構成が提供される。 According to one aspect of the present disclosure
The first power supply line, where power is supplied from factory equipment,
A second power supply line to which the power generated by the auxiliary power generation system, which is configured so that the heat exhaust part is in contact with one side and the cooling device is installed on the other side, is supplied.
A configuration including a switching control unit for switching between the first power supply line and the second power supply line is provided.

本開示によれば、省エネルギ化と電力の安定供給を同時に実現することができる。 According to the present disclosure, energy saving and stable power supply can be realized at the same time.

本開示の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態に係る熱電発電ユニット部の構成図である。It is a block diagram of the thermoelectric power generation unit part which concerns on embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態に係る電源切替制御部のブロック図である。It is a block diagram of the power supply switching control unit which concerns on embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態に係る電源切替制御のフローチャートである。It is a flowchart of power-source switching control which concerns on embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態に係る冷却システムの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the cooling system which concerns on embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態に係る冷却システムのブロック図である。It is a block diagram of the cooling system which concerns on embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態に係る冷却システムのフローチャートである。It is a flowchart of the cooling system which concerns on embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態の変形例に係る冷却システムの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the cooling system which concerns on the modification of embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態に係る基板処理装置の処理炉の縦断面図である。It is a vertical sectional view of the processing furnace of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this disclosure.

以下、本開示の実施形態および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。 Hereinafter, embodiments and modifications of the present disclosure will be described with reference to the drawings. However, in the following description, the same components may be designated by the same reference numerals and repeated description may be omitted.

（基板処理装置）
本開示の実施形態に係る基板処理装置の構成について図１を用いて説明する。 (Board processing equipment)
The configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIG.

図１に示すように、実施形態に係る基板処理装置１００は、基板を加熱して処理する処理炉２０２と、処理炉２０２の廃熱を利用するための排熱部３１０と、供給される電力を切り替える切替制御部３３０と、交流電力を直流に変換して切替制御部３３０に直流電力を供給する電源ユニット３４０と、切替制御部３３０から直流電力が供給される電装品を格納する格納ボックス３５０と、を備える。基板処理装置１００は、さらに、格納ボックス３５０を冷却する冷却ユニット３６０が設けられている。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 according to the embodiment includes a processing furnace 202 that heats and processes the substrate, a heat exhaust unit 310 for utilizing the waste heat of the processing furnace 202, and electric power supplied. Switching control unit 330 that switches between, a power supply unit 340 that converts AC power to DC and supplies DC power to the switching control unit 330, and a storage box 350 that stores electrical components to which DC power is supplied from the switching control unit 330. And. The substrate processing apparatus 100 is further provided with a cooling unit 360 for cooling the storage box 350.

排熱部３１０は、処理炉２０２に導入されるガスを加熱して熱を吸収する供給配管や処理炉２０２内の処理済みのガス等を排出する排気配管等で構成されている。排熱部３１０は処理炉２０２内に導入するガスを加熱する加熱部の熱を排出する高温部でもよいし、処理炉２０２内の処理済みのガス等を排出する排気配管を加熱する加熱部の熱を排出する高温部でもよい。排熱部３１０には補助発電システムである熱電発電ユニット３２０が接触するように設けられている。 The heat exhaust unit 310 includes a supply pipe that heats the gas introduced into the processing furnace 202 to absorb heat, an exhaust pipe that discharges the treated gas and the like in the processing furnace 202, and the like. The heat exhaust unit 310 may be a high temperature unit that discharges the heat of the heating unit that heats the gas introduced into the processing furnace 202, or the heating unit that heats the exhaust pipe that discharges the processed gas or the like in the processing furnace 202. It may be a high temperature part that discharges heat. The heat exhaust unit 310 is provided so as to come into contact with the thermoelectric power generation unit 320, which is an auxiliary power generation system.

熱電発電ユニット３２０で発生された直流電力(図ではＤＣ電源の記載)は第２電力供給ライン３８２を介して切替制御部３３０に供給される。また、例えば、半導体製造工場の設備電源４００から供給される交流電力(図ではＡＣ電源の記載)は第１電力供給ライン３７１を介して切替制御部３３０に供給される。第１電力供給ライン３８１では基板処理装置１００内の電源ユニット３４０でＡＣ電源をＤＣ電源に変換される。切替制御部３３０はＤＣ電源を電装品３５１および冷却ユニット３６０に供給する。 The DC power generated by the thermoelectric power generation unit 320 (the DC power supply is described in the figure) is supplied to the switching control unit 330 via the second power supply line 382. Further, for example, the AC power supplied from the equipment power supply 400 of the semiconductor manufacturing factory (the AC power supply is described in the figure) is supplied to the switching control unit 330 via the first power supply line 371. In the first power supply line 381, the AC power supply is converted into the DC power supply by the power supply unit 340 in the substrate processing device 100. The switching control unit 330 supplies DC power to the electrical components 351 and the cooling unit 360.

格納ボックス３５０はステンレス等のパネルで構成した直方体形状であり、一面には扉が設けられ、後述する基板処理装置用コントローラ２４０（図５参照）を構成する電子部品やＰＬＣ（programmable logic controller）が格納されるコントローラボックス、後述する圧力センサを含む各種センサ等が格納されるガスボックスや排気ボックス等を含む。そして、それぞれの格納ボックス３５０内に設けられるＰＬＣ等の複数の電装品３５１を格納する。また、格納ボックス３５０は必要に応じて吸気口３６３および排気ファン３６６を有する冷却ユニット３６０により冷却される。 The storage box 350 has a rectangular shape composed of panels made of stainless steel or the like, has a door on one side, and contains electronic components and a PLC (programmable logic controller) constituting the substrate processing device controller 240 (see FIG. 5) described later. It includes a controller box to be stored, a gas box to store various sensors including a pressure sensor described later, an exhaust box, and the like. Then, a plurality of electrical components 351 such as PLCs provided in each storage box 350 are stored. Further, the storage box 350 is cooled by a cooling unit 360 having an intake port 363 and an exhaust fan 366 as needed.

（熱電発電ユニット）
図２に示すように、熱電発電ユニット３２０は、その一側面を排熱部３１０の配管等の高温部に接触するように設けられ、複数接続される熱電発電モジュール３２１と、熱電発電モジュール３２１の反対側面に接触するように設けられる冷却装置３２２と、を備える。熱電発電モジュール３２１は物質の一端と他端に温度差を与えることで起電力が発生するゼーベック効果を利用した熱電発電素子で構成される。冷却装置３２２は、例えばラジエータ用冷却水を循環させるヒートシンク、熱電発電ユニット３２０で発電した電力を用いたファン、圧縮による液化・放熱、及び気化・吸熱を繰り返して冷却する冷媒である。このように、熱電発電ユニット３２０は、熱電発電モジュール３２１の両側面間の温度勾配を大きくし、熱電発電モジュール３２１の発電量を大きくすることが可能である。 (Thermoelectric power generation unit)
As shown in FIG. 2, the thermoelectric power generation unit 320 is provided so that one side surface thereof contacts a high temperature part such as a pipe of the heat exhaust part 310, and a plurality of thermoelectric power generation modules 321 and thermoelectric power generation modules 321 are connected. A cooling device 322 provided so as to come into contact with the opposite side surface is provided. The thermoelectric power generation module 321 is composed of a thermoelectric power generation element utilizing the Seebeck effect in which an electromotive force is generated by giving a temperature difference between one end and the other end of a substance. The cooling device 322 is, for example, a heat sink that circulates cooling water for a radiator, a fan that uses the power generated by the thermoelectric power generation unit 320, and a refrigerant that repeatedly cools by liquefying / radiating by compression and vaporizing / endothermic. In this way, the thermoelectric power generation unit 320 can increase the temperature gradient between both side surfaces of the thermoelectric power generation module 321 and increase the amount of power generated by the thermoelectric power generation module 321.

（切替制御部）
切替制御部の構成および動作について図３、４を用いて説明する。 (Switching control unit)
The configuration and operation of the switching control unit will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

図３に示すように、切替制御部３３０は電源切替モジュール３３１と昇圧器３３２と制御部３３３とを備える。昇圧器３３２は熱電発電ユニット３２０の出力電圧を電装品３５１の使用電圧まで昇圧する。昇圧器３３２で昇圧されたＤＣ電源（ＤＣ電源１）及び電源ユニット３４０で変換されたＤＣ電源（ＤＣ電源２）は電源切替モジュール３３１に入力される。昇圧器３３２の前段に熱電発電ユニット３２０で発生された電力を充電するバッテリーを組み込んでもよい。ここで、電源切替モジュール３３１はＭＯＳＦＥＴリレー等で構成され、ＤＣ電源１とＤＣ電源２を選択的にＤＣ電源３に導通させる。なおＭＯＳＦＥＴの特性上、ＤＣ電源１やＤＣ電源２の電位がＤＣ電源３よりも高いときは、導通しうる。 As shown in FIG. 3, the switching control unit 330 includes a power supply switching module 331, a booster 332, and a control unit 333. The booster 332 boosts the output voltage of the thermoelectric power generation unit 320 to the working voltage of the electrical component 351. The DC power supply (DC power supply 1) boosted by the booster 332 and the DC power supply (DC power supply 2) converted by the power supply unit 340 are input to the power supply switching module 331. A battery for charging the electric power generated by the thermoelectric power generation unit 320 may be incorporated in front of the booster 332. Here, the power supply switching module 331 is composed of a MOSFET relay or the like, and selectively conducts the DC power supply 1 and the DC power supply 2 to the DC power supply 3. Due to the characteristics of the MOSFET, when the potential of the DC power supply 1 or the DC power supply 2 is higher than that of the DC power supply 3, conduction is possible.

制御部３３３は熱電発電ユニット３２０の出力電圧を監視し、図４に示すように、監視電圧に基づいて電装品３５１に供給する電源を切り替えるよう電源切替モジュール３３１を制御する。なお、制御部３３３は昇圧器３３２の出力電圧を監視してもよい。
具体的には、基板処理装置１００が起動され（ステップＳ１１）、電源ユニット３４０からＤＣ電源が供給される（ステップＳ１２）。制御部３３３は熱電発電ユニット３２０の出力電圧の監視を開始し（ステップＳ１３）、監視電圧が閾値以上かどうかを判断する（ステップＳ１４）。監視電圧が閾値以上の場合（Ｙ）、電源切替モジュール３３１は熱電発電ユニット３２０からのＤＣ電源を昇圧したＤＣ電源１をＤＣ電源３として出力する。監視電圧が閾値未満の場合（Ｎ）、電源切替モジュール３３１は電源ユニット３４０からのＤＣ電源２をＤＣ電源３として出力する。
このように本実施形態によれば、廃熱を基板処理装置１００内で有効活用することができるだけでなく、廃熱が無いあるいは少ない状態でも各種電装品３５１に安定してＤＣ電源３を供給することができる。 The control unit 333 monitors the output voltage of the thermoelectric power generation unit 320, and controls the power supply switching module 331 so as to switch the power supply to the electrical component 351 based on the monitoring voltage, as shown in FIG. The control unit 333 may monitor the output voltage of the booster 332.
Specifically, the substrate processing apparatus 100 is started (step S11), and DC power is supplied from the power supply unit 340 (step S12). The control unit 333 starts monitoring the output voltage of the thermoelectric power generation unit 320 (step S13), and determines whether the monitoring voltage is equal to or higher than the threshold value (step S14). When the monitoring voltage is equal to or higher than the threshold value (Y), the power supply switching module 331 outputs the DC power supply 1 that boosts the DC power supply from the thermoelectric power generation unit 320 as the DC power supply 3. When the monitoring voltage is less than the threshold value (N), the power supply switching module 331 outputs the DC power supply 2 from the power supply unit 340 as the DC power supply 3.
As described above, according to the present embodiment, not only the waste heat can be effectively utilized in the substrate processing apparatus 100, but also the DC power supply 3 is stably supplied to the various electrical components 351 even when there is no or little waste heat. be able to.

（冷却システム）
冷却システムの構成について図５、６を用いて説明する。 (Cooling system)
The configuration of the cooling system will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

図５に示すように、基板処理装置完成後でも設置できるよう格納ボックス３５０の外部（図５では格納ボックス３５０の上）に冷却ユニット３６０が設けられる。冷却ユニット３６０はステンレス等のパネルで構成した直方体形状であり、パネル３６２側にダクト３７１，３７２の一端がそれぞれ接続される。格納ボックス３５０のパネル３５２側にダクト３７１，３７２の他端がそれぞれ接続される。冷却ユニット３６０、ダクト３７１，３７２および格納ボックス３５０により冷却システムが構成される。このように、冷却ユニット３６０を格納ボックス３５０本体と分離型とすることで、組み立て後に格納ボックス３５０内の温度が問題になった場合でも、あとから冷却ユニット３６０を取り付けて格納ボックス３５０内の温度を下げ、電装品３５１の寿命を延ばすことができる。 As shown in FIG. 5, a cooling unit 360 is provided outside the storage box 350 (above the storage box 350 in FIG. 5) so that it can be installed even after the substrate processing apparatus is completed. The cooling unit 360 has a rectangular parallelepiped shape composed of a panel made of stainless steel or the like, and one ends of ducts 371 and 372 are connected to the panel 362 side, respectively. The other ends of the ducts 371 and 372 are connected to the panel 352 side of the storage box 350, respectively. A cooling system is composed of a cooling unit 360, ducts 371 and 372, and a storage box 350. In this way, by separating the cooling unit 360 from the main body of the storage box 350, even if the temperature inside the storage box 350 becomes a problem after assembly, the cooling unit 360 is attached later to the temperature inside the storage box 350. Can be lowered to extend the life of the electrical component 351.

図６に示すように、格納ボックス３５０のパネル３５２には吸気口（給気口）３５３および排気口３５４が設けられ、吸気口３５３および排気口３５４にはそれぞれダクト３７１，３７２が接続される。格納ボックス３５０には格納ボックス内の温度を検知する温度センサ３５７が設けられている。
冷却ユニット３６０のパネル３６１には吸気口３６３および排気口３６４が設置され、パネル３６２には開口３６５ａ，３６５ｂが設けられる。冷却ユニット３６０は、排気口３６４に設置される排気ファン３６６と、吸気口３６３から供給された空気を開口３６５ａに導く冷却エリア部３６７と、冷却エリア部を冷却する冷却装置３６８と、冷却装置３６８および排気ファン３６６を制御する制御部３６９と、を備える。冷却エリア部３６７の開口３６５ａ側はダクト３７１に接続され、排気ファン３６６の開口３６５ｂ側はダクト３７２に接続される。 As shown in FIG. 6, the panel 352 of the storage box 350 is provided with an intake port (air supply port) 353 and an exhaust port 354, and ducts 371 and 372 are connected to the intake port 353 and the exhaust port 354, respectively. The storage box 350 is provided with a temperature sensor 357 that detects the temperature inside the storage box.
The panel 361 of the cooling unit 360 is provided with an intake port 363 and an exhaust port 364, and the panel 362 is provided with openings 365a and 365b. The cooling unit 360 includes an exhaust fan 366 installed at the exhaust port 364, a cooling area portion 367 that guides the air supplied from the intake port 363 to the opening 365a, a cooling device 368 that cools the cooling area portion, and a cooling device 368. And a control unit 369 for controlling the exhaust fan 366. The opening 365a side of the cooling area portion 367 is connected to the duct 371, and the opening 365b side of the exhaust fan 366 is connected to the duct 372.

排気ファン３６６は制御部３６９により制御され、ダクト３７２を介して強制的に格納ボックス３５０内の空気を格納ボックス３５０の外部に排出する。
冷却エリア部３６７は、例えば吸気口３６３とダクト３７１とに接続されるパイプであり、冷却装置３６８は冷却エリア部３６７の少なくとも一部を覆っている。冷却装置３６８は制御部３６９により制御され、例えばペルチェ素子を備え、格納ボックス３５０に導入する空気を冷却エリア部３６７であらかじめ冷却する。冷却装置３６８は冷却装置３２２と同様なものであってもよい。
なお、格納ボックス３５０の吸気口３５３側のダクト３７１は冷却ユニット３６０ではなく、格納ボックス３５０内部より温度の低い雰囲気部に設置し、温度の低い空気を導入できる構成でもよい。 The exhaust fan 366 is controlled by the control unit 369, and forcibly discharges the air in the storage box 350 to the outside of the storage box 350 through the duct 372.
The cooling area portion 367 is, for example, a pipe connected to the intake port 363 and the duct 371, and the cooling device 368 covers at least a part of the cooling area portion 367. The cooling device 368 is controlled by the control unit 369, and includes, for example, a Perche element, and the air introduced into the storage box 350 is pre-cooled by the cooling area unit 367. The cooling device 368 may be similar to the cooling device 322.
The duct 371 on the intake port 353 side of the storage box 350 may be installed not in the cooling unit 360 but in an atmosphere portion having a lower temperature than the inside of the storage box 350 so that air having a lower temperature can be introduced.

格納ボックス３５０の吸気口３５３および排気口３５４の内側に風向調整板３５５，３５６を取り付けてもよい。例えば、風向調整板３５５，３５６を手動で動かすことにより、格納ボックス３５０の内部の気流を調整することが可能であり、熱の滞留を低減すること可能である。 Wind direction adjusting plates 355 and 356 may be attached to the inside of the intake port 353 and the exhaust port 354 of the storage box 350. For example, by manually moving the wind direction adjusting plates 355 and 356, it is possible to adjust the air flow inside the storage box 350, and it is possible to reduce heat retention.

なお、冷却ユニット３６０に設けるファンは排気ファンではなく給気ファンでもよいし、排気ファンおよび給気ファン両方を設けてもよい。給気ファンは冷却装置の代わりに設けてもよいし、冷却装置と共に設けてもよい。 The fan provided in the cooling unit 360 may be an air supply fan instead of an exhaust fan, or both an exhaust fan and an air supply fan may be provided. The air supply fan may be provided in place of the cooling device or may be provided together with the cooling device.

冷却システムの動作について図７を用いて説明する。
格納ボックス３５０内に温度センサ３５７を設置し、格納ボックス３５０内の温度を監視し、図７に示すように監視温度によって排気ファン３６６及び冷却装置３６８を制御する。
具体的には、基板処理装置１００が起動され（ステップＳ２１）、制御部３６９は温度センサ３５７によって格納ボックス３５０内の温度の監視を開始する（ステップＳ２２。制御部３６９は監視温度が第一閾値以上かどうかを判断し（ステップＳ２３）、監視温度が第一閾値以上の場合（Ｙ）、制御部３６９は排気ファン３６６の動作を開始して温度センサ３５７の検知結果に基づいて例えば排気ファン３６６の回転数を制御する（ステップＳ２４）。ステップＳ２３において、監視温度が第一閾値未満の場合（Ｎ）、制御部３６９は排気ファン３６６を停止状態にする（ステップＳ２５）。
ステップＳ２４の後、制御部３６９は監視温度が第二閾値以上かどうかを判断し（ステップＳ２６）、監視温度が第二閾値以上の場合（Ｙ）、制御部３６９は冷却装置３６８の動作を開始して温度センサ３５７の検知結果に基づいて例えばペルチェ素子に供給する電流量を制御する（ステップＳ２７）。ステップＳ２６において、監視温度が第二閾値未満の場合（Ｎ）、制御部３６９は冷却装置３６８を停止状態にする（ステップＳ２５）。
また、格納ボックス３５０内温度を監視して排気ファン３６６、冷却装置３６８を制御することで、格納ボックス３５０内温度が低い状態では制御を停止させ、消費電力を抑えることができる。 The operation of the cooling system will be described with reference to FIG.
A temperature sensor 357 is installed in the storage box 350, the temperature inside the storage box 350 is monitored, and the exhaust fan 366 and the cooling device 368 are controlled by the monitored temperature as shown in FIG.
Specifically, the substrate processing device 100 is activated (step S21), and the control unit 369 starts monitoring the temperature inside the storage box 350 by the temperature sensor 357 (step S22. The monitoring temperature of the control unit 369 is the first threshold value. When it is determined whether or not it is the above (step S23) and the monitoring temperature is equal to or higher than the first threshold value (Y), the control unit 369 starts the operation of the exhaust fan 366, and based on the detection result of the temperature sensor 357, for example, the exhaust fan 366. (Step S24). In step S23, when the monitoring temperature is less than the first threshold value (N), the control unit 369 stops the exhaust fan 366 (step S25).
After step S24, the control unit 369 determines whether the monitoring temperature is equal to or higher than the second threshold value (step S26), and if the monitoring temperature is equal to or higher than the second threshold value (Y), the control unit 369 starts the operation of the cooling device 368. Then, based on the detection result of the temperature sensor 357, for example, the amount of current supplied to the Pelche element is controlled (step S27). In step S26, when the monitoring temperature is less than the second threshold value (N), the control unit 369 puts the cooling device 368 in the stopped state (step S25).
Further, by monitoring the temperature inside the storage box 350 and controlling the exhaust fan 366 and the cooling device 368, the control can be stopped when the temperature inside the storage box 350 is low, and the power consumption can be suppressed.

次に、実施形態の変形例に係る冷却システムについて図８を用いて説明する。
図８に示すように、冷却ユニット３６０は、格納ボックス３５０のパネル３５２に直接設置するパネル一体型としてもよい。この場合、ダクト３７１，３７２は不要となる。 Next, the cooling system according to the modified example of the embodiment will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 8, the cooling unit 360 may be a panel-integrated type installed directly on the panel 352 of the storage box 350. In this case, the ducts 371 and 372 are unnecessary.

（処理炉の構成）
本実施形態にかかる処理炉２０２の構成について、図９を用いて説明する。 (Composition of processing furnace)
The configuration of the processing furnace 202 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

図９に示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備えている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備えている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ_２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１はボート２１７を収容可能なように構成されている。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。アウターチューブ２０５は、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。 As shown in FIG. 9, the processing furnace 202 includes a process tube 203 as a reaction tube. The process tube 203 includes an inner tube 204 as an internal reaction tube and an outer tube 205 as an external reaction tube provided on the outside thereof. The inner tube 204 is made _{of a heat-resistant material such as quartz (SiO 2} ) or silicon carbide (SiC), and is formed in a cylindrical shape with open upper and lower ends. A processing chamber 201 for processing the wafer 200 as a substrate is formed in the hollow portion of the inner tube 204. The processing chamber 201 is configured to accommodate the boat 217. The outer tube 205 is provided concentrically with the inner tube 204. The outer tube 205 has an inner diameter larger than the outer diameter of the inner tube 204, and is formed in a cylindrical shape in which the upper end is closed and the lower end is open. The outer tube 205 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide.

プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。 A heater 206 as a heating mechanism is provided on the outside of the process tube 203 so as to surround the side wall surface of the process tube 203. The heater 206 has a cylindrical shape and is vertically installed by being supported by a heater base 251 as a holding plate.

アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状になるように、マニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。 Below the outer tube 205, a manifold 209 is arranged so as to be concentric with the outer tube 205. The manifold 209 is made of, for example, stainless steel, and is formed in a cylindrical shape with open upper and lower ends. The manifold 209 is engaged with the lower end of the inner tube 204 and the lower end of the outer tube 205, respectively, and is provided to support them. An O-ring 220a as a sealing member is provided between the manifold 209 and the outer tube 205. The process tube 203 is vertically installed because the manifold 209 is supported by the heater base 251. A reaction vessel is formed by the process tube 203 and the manifold 209.

シールキャップ２１９には、ガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１に連通するように接続されている。ノズル２３０の上流端には、ガス供給管２３２の下流端が接続されている。ガス供給管２３２の上流側（ノズル２３０との接続側と反対側）には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して、図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源等が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、処理室２０１に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１を制御するように構成されている。 A nozzle 230 as a gas introduction portion is connected to the seal cap 219 so as to communicate with the processing chamber 201. The downstream end of the gas supply pipe 232 is connected to the upstream end of the nozzle 230. On the upstream side of the gas supply pipe 232 (the side opposite to the connection side with the nozzle 230), a processing gas supply source, an inert gas supply source, etc. (not shown) are used via an MFC (mass flow controller) 241 as a gas flow controller. Is connected. A gas flow rate control unit 235 is electrically connected to the MFC 241. The gas flow rate control unit 235 is configured to control the MFC 241 so that the flow rate of the gas supplied to the processing chamber 201 becomes a desired flow rate at a desired timing.

マニホールド２０９には、処理室２０１の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１の下流側（マニホールド２０９との接続側と反対側）には、圧力検出器としての圧力センサ２４５、例えばＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）として構成された圧力調整装置２４２、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が上流側から順に接続されている。圧力調整装置２４２及び圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検出された圧力値に基づいて、処理室２０１の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力調整装置２４２を制御するように構成されている。 The manifold 209 is provided with an exhaust pipe 231 for exhausting the atmosphere of the processing chamber 201. The exhaust pipe 231 is arranged at the lower end of the tubular space 250 formed by the gap between the inner tube 204 and the outer tube 205, and communicates with the tubular space 250. On the downstream side of the exhaust pipe 231 (the side opposite to the connection side with the manifold 209), a pressure sensor 245 as a pressure detector, for example, a pressure regulator 242 configured as an APC (Auto Pressure Controller), a vacuum of a vacuum pump, etc. The exhaust device 246 is connected in order from the upstream side. A pressure control unit 236 is electrically connected to the pressure adjusting device 242 and the pressure sensor 245. The pressure control unit 236 is configured to control the pressure adjusting device 242 so that the pressure in the processing chamber 201 becomes a desired pressure at a desired timing based on the pressure value detected by the pressure sensor 245. There is.

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９の中心部付近であって処理室２０１の反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させることが可能なように構成されている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２１９を昇降させることにより、ボート２１７を処理室２０１内外へ搬送することが可能なように構成されている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、メカ制御部２３８が電気的に接続されている。メカ制御部２３８は、回転機構２５４及びボートエレベータ１１５が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するように構成されている。 Below the manifold 209, a seal cap 219 is provided as a furnace palate body capable of airtightly closing the lower end opening of the manifold 209. The seal cap 219 is in contact with the lower end of the manifold 209 from the lower side in the vertical direction. The seal cap 219 is made of a metal such as stainless steel and is formed in a disk shape. An O-ring 220b as a sealing member that comes into contact with the lower end of the manifold 209 is provided on the upper surface of the seal cap 219. A rotation mechanism 254 for rotating the boat is installed near the center of the seal cap 219 and on the opposite side of the processing chamber 201. The rotating shaft 255 of the rotating mechanism 254 penetrates the seal cap 219 and supports the boat 217 from below. The rotation mechanism 254 is configured so that the wafer 200 can be rotated by rotating the boat 217. The seal cap 219 is configured to be vertically lifted and lowered by a boat elevator 115 as a lifting mechanism vertically installed outside the process tube 203. By raising and lowering the seal cap 219, the boat 217 can be transported inside and outside the processing chamber 201. A mechanical control unit 238 is electrically connected to the rotation mechanism 254 and the boat elevator 115. The mechanical control unit 238 is configured to control the rotation mechanism 254 and the boat elevator 115 so as to perform a desired operation at a desired timing.

上述したように、基板保持具としてのボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるように構成されている。 As described above, the boat 217 as a substrate holder is configured to align a plurality of wafers 200 in a horizontal posture and in a state of being centered on each other and hold them in multiple stages. The boat 217 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide. At the bottom of the boat 217, a plurality of heat insulating plates 216 as disk-shaped heat insulating members made of heat-resistant materials such as quartz and silicon carbide are arranged in a horizontal position in multiple stages, and heat from the heater 206 is generated. It is configured so that it is difficult to transmit to the manifold 209 side.

プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３とには、電気的に温度制御部２３７が接続されている。温度制御部２３７は、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいて、処理室２０１の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、ヒータ２０６への通電具合を調整するように構成されている。 A temperature sensor 263 as a temperature detector is installed in the process tube 203. A temperature control unit 237 is electrically connected to the heater 206 and the temperature sensor 263. Based on the temperature information detected by the temperature sensor 263, the temperature control unit 237 adjusts the energization condition of the heater 206 so that the temperature of the processing chamber 201 has a desired temperature distribution at a desired timing. It is configured.

ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、メカ制御部２３８、温度制御部２３７は、基板処理装置全体を制御する主制御部としての表示装置制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、メカ制御部２３８、温度制御部２３７、及び主制御部としての表示装置制御部２３９は、基板処理装置用コントローラ２４０として構成されている。 The gas flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the mechanical control unit 238, and the temperature control unit 237 are electrically connected to the display device control unit 239 as the main control unit that controls the entire substrate processing device. The gas flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the mechanical control unit 238, the temperature control unit 237, and the display device control unit 239 as the main control unit are configured as the controller 240 for the substrate processing device.

（処理炉の動作）
続いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、上記構成に係る処理炉２０２を用いてＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について、図５を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は基板処理装置用コントローラ２４０により制御される。 (Operation of processing furnace)
Subsequently, as one step of the semiconductor device manufacturing process, a method of forming a thin film on the wafer 200 by the CVD method using the processing furnace 202 according to the above configuration will be described with reference to FIG. In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus 100 is controlled by the substrate processing apparatus controller 240.

［基板搬入工程］
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図５に示すように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。 [Board loading process]
When a plurality of wafers 200 are loaded (wafer charged) into the boat 217, the boat 217 holding the plurality of wafers 200 is lifted by the boat elevator 115 and carried into the processing chamber 201 (as shown in FIG. 5). Boat loading). In this state, the seal cap 219 seals the lower end of the manifold 209 via the O-ring 220b.

［圧力・温度調整工程］
処理室２０１が所望の圧力（真空度）となるように、真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、圧力センサ２４５が測定した圧力値に基づき、圧力調整装置２４２（の弁の開度）がフィードバック制御される。また、処理室２０１が所望の温度となるように、ヒータ２０６によって加熱される。この際、温度センサ２６３が検出した温度値に基づき、ヒータ２０６への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７及びウエハ２００が回転させられる。 [Pressure / temperature adjustment process]
The processing chamber 201 is evacuated by the vacuum exhaust device 246 so as to have a desired pressure (vacuum degree). At this time, the pressure adjusting device 242 (opening degree of the valve) is feedback-controlled based on the pressure value measured by the pressure sensor 245. Further, the processing chamber 201 is heated by the heater 206 so as to have a desired temperature. At this time, the amount of electricity supplied to the heater 206 is feedback-controlled based on the temperature value detected by the temperature sensor 263. Subsequently, the rotation mechanism 254 rotates the boat 217 and the wafer 200.

［成膜工程］
次いで、処理ガス供給源から供給されてＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２内を流通してノズル２３０から処理室２０１に導入される。導入されたガスは処理室２０１を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０内に流出して排気管２３１から排気される。ガスは、処理室２０１を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。 [Film formation process]
Next, the gas supplied from the processing gas supply source and controlled by the MFC 241 to a desired flow rate flows through the gas supply pipe 232 and is introduced from the nozzle 230 into the processing chamber 201. The introduced gas rises in the processing chamber 201, flows out from the upper end opening of the inner tube 204 into the tubular space 250, and is exhausted from the exhaust pipe 231. When the gas passes through the processing chamber 201, it comes into contact with the surface of the wafer 200, and at this time, a thin film is deposited (deposited) on the surface of the wafer 200 by a thermal CVD reaction.

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１の圧力が常圧に復帰される。 When the preset treatment time elapses, the inert gas is supplied from the inert gas supply source, the treatment chamber 201 is replaced with the inert gas, and the pressure in the treatment chamber 201 is restored to the normal pressure.

その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されてマニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００を保持するボート２１７がマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部へと搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出され、ポッド（不図示）内へ格納される（ウエハディスチャージ）。 After that, the seal cap 219 is lowered by the boat elevator 115 to open the lower end of the manifold 209, and the boat 217 holding the processed wafer 200 is carried out from the lower end of the manifold 209 to the outside of the process tube 203 (boat un). Loading). After that, the processed wafer 200 is taken out from the boat 217 and stored in a pod (not shown) (wafer discharge).

本実施形態によれば、熱処理炉、導入ガス加熱部、排気ガス加熱部の排熱を利用して発電し、発電した電力を基板処理装置内部で再利用することが可能である。また、排熱が無いまたは少ない状態でも、電源の切替制御により、電装品に安定して電源を供給することが可能である。
本実施形態によれば、冷却ユニットを装置本体と分離型とすることで、装置完成後に装置内部の温度が想定より高いことが判明し問題になった場合であっても、後から冷却ユニットを設置することで、電装品を格納する格納ボックス内温度を下げることができ、電装品の寿命を延ばすことができる。また、格納ボックス内温度を監視して排気ファンや冷却装置を制御することで、格納ボックス内温度が低い状態では冷却ユニットの動作を停止させ、消費電力を抑えることができる。 According to this embodiment, it is possible to generate electricity by utilizing the exhaust heat of the heat treatment furnace, the introduced gas heating unit, and the exhaust gas heating unit, and to reuse the generated electric power inside the substrate processing apparatus. Further, even in a state where there is no or little exhaust heat, it is possible to stably supply power to the electrical components by controlling the switching of the power supply.
According to this embodiment, by separating the cooling unit from the main body of the device, even if it is found that the temperature inside the device is higher than expected after the completion of the device and a problem occurs, the cooling unit can be used later. By installing it, the temperature inside the storage box for storing the electrical components can be lowered, and the life of the electrical components can be extended. Further, by monitoring the temperature inside the storage box and controlling the exhaust fan and the cooling device, the operation of the cooling unit can be stopped when the temperature inside the storage box is low, and the power consumption can be suppressed.

上述の実施形態では、ウエハ上に膜を堆積させる例について説明した。しかしながら、本開示は、このような態様に限定されない。例えば、ウエハやウエハ上に形成された膜等に対して、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理を行う場合にも、好適に適用可能である。 In the above-described embodiment, an example of depositing a film on a wafer has been described. However, the present disclosure is not limited to such aspects. For example, it can be suitably applied to a wafer, a film formed on the wafer, or the like, which is subjected to a treatment such as an oxidation treatment, a diffusion treatment, an annealing treatment, or an etching treatment.

本開示は、半導体製造装置だけでなくＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。 The present disclosure is applicable not only to semiconductor manufacturing equipment but also to equipment for processing glass substrates such as LCD equipment.

以上、本件開示者らによってなされた開示を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。 The disclosure made by the Disclosers has been specifically described above based on the embodiments and modifications, but the disclosure is not limited to the above embodiments and modifications, and various modifications can be made. Needless to say.

＜本開示の好ましい態様＞
以下、本開示の好ましい態様について付記する。 <Preferable aspect of the present disclosure>
Hereinafter, preferred embodiments of the present disclosure will be described.

（付記１）
本開示の一態様によれば、
工場設備から電力が供給される第１電力供給ラインと、
一側面に排熱部（高温側）が接触するように取り付けられ、反対側面に冷却装置（ヒートシンク、冷媒等）が設置されるように構成されている補助発電システム（熱電発電ユニット）で発生された電力が供給される第２電力供給ラインと、
前記第１電力供給ラインと前記第２電力供給ラインを切り替える切替制御部と、を備え、
前記補助発電システム（熱電発電ユニット）の基板処理装置が提供される。 (Appendix 1)
According to one aspect of the present disclosure
The first power supply line, where power is supplied from factory equipment,
It is generated by an auxiliary power generation system (thermoelectric power generation unit) that is installed so that the heat exhaust part (high temperature side) is in contact with one side surface and a cooling device (heat sink, refrigerant, etc.) is installed on the opposite side surface. The second power supply line to which the power is supplied and
A switching control unit for switching between the first power supply line and the second power supply line is provided.
A substrate processing device for the auxiliary power generation system (thermoelectric power generation unit) is provided.

（付記２）
付記１の基板処理装置において、好ましくは、
更に、電装品を格納する格納ボックスの内部を冷却する冷却ユニットを備え、
前記冷却ユニットは、前記格納ボックス内の雰囲気を排気する排気口と、前記格納ボックス内に冷媒を供給する吸気口と、を有し、前記排気口にはファンが設けられる。 (Appendix 2)
In the substrate processing apparatus of Appendix 1, preferably
In addition, it is equipped with a cooling unit that cools the inside of the storage box that stores electrical components.
The cooling unit has an exhaust port for exhausting the atmosphere in the storage box and an intake port for supplying a refrigerant into the storage box, and a fan is provided in the exhaust port.

（付記３）
付記１の基板処理装置において、好ましくは、
更に、前記補助発電システムから得られた電圧を昇圧する回路を設け、
昇圧した電力を前記格納ボックス内の電装品に供給するよう構成されている。 (Appendix 3)
In the substrate processing apparatus of Appendix 1, preferably
Further, a circuit for boosting the voltage obtained from the auxiliary power generation system is provided.
It is configured to supply the boosted power to the electrical components in the storage box.

（付記４）
付記１の基板処理装置において、好ましくは、
前記切替制御部は、前記補助発電システムから得られた電圧を監視し、電圧によって各種電装品に供給する電源を切り替えるよう構成されている。 (Appendix 4)
In the substrate processing apparatus of Appendix 1, preferably
The switching control unit is configured to monitor the voltage obtained from the auxiliary power generation system and switch the power supply to various electrical components according to the voltage.

（付記５）
付記１の基板処理装置において、好ましくは、
前記第１電力供給ラインは、交流電力を直流電力に変換する電源ユニットを有する。 (Appendix 5)
In the substrate processing apparatus of Appendix 1, preferably
The first power supply line has a power supply unit that converts AC power into DC power.

（付記６）
付記２の基板処理装置において、好ましくは、
前記冷却ユニットには、ペルチェ素子を用いた冷却装置が設けられ、格納ボックスに導入される空気を冷却するように構成されている。 (Appendix 6)
In the substrate processing apparatus of Appendix 2, preferably
The cooling unit is provided with a cooling device using a Perche element, and is configured to cool the air introduced into the storage box.

（付記７）
付記２の基板処理装置において、好ましくは、
更に、前記格納ボックスに温度センサが設けられ、前記格納ボックス内の温度を監視し、該温度によってファンの制御を行うように構成されている。 (Appendix 7)
In the substrate processing apparatus of Appendix 2, preferably
Further, a temperature sensor is provided in the storage box, and the temperature inside the storage box is monitored, and the fan is controlled by the temperature.

（付記８）
付記２の基板処理装置において、好ましくは、
更に、前記格納ボックスに温度センサが設けられ、前記格納ボックス内の温度を監視し、該温度によって前記ペルチェ素子の制御を行うように構成されている。 (Appendix 8)
In the substrate processing apparatus of Appendix 2, preferably
Further, a temperature sensor is provided in the storage box, and the temperature inside the storage box is monitored, and the perche element is controlled by the temperature.

（付記９）
付記２の基板処理装置において、好ましくは、
更に、前記格納ボックスの前記排気口、及び前記吸気口のボックスの内側に風向調整板が設けられる。 (Appendix 9)
In the substrate processing apparatus of Appendix 2, preferably
Further, a wind direction adjusting plate is provided inside the exhaust port and the intake port box of the storage box.

１００・・・基板処理装置
３１０・・・排熱部
３２０・・・熱電発電ユニット（補助発電システム）
３２２・・・冷却装置
３３０・・・切替制御部
３８１・・・第１電力供給ライン
３８２・・・第２電力供給ライン 100 ... Substrate processing device 310 ... Heat exhaust unit 320 ... Thermoelectric power generation unit (auxiliary power generation system)
322 ・・・ Cooling device 330 ・・・ Switching control unit 381 ・・・ First power supply line 382 ・・・ Second power supply line

Claims

The first power supply line, where power is supplied from factory equipment,
A second power supply line to which the power generated by the auxiliary power generation system, which is configured so that the heat exhaust part is in contact with one side and the cooling device is installed on the other side, is supplied.
A switching control unit that switches between the first power supply line and the second power supply line,
Possess a cooling unit for cooling the interior of the storage box for storing the electrical equipment, the,
The cooling unit includes an exhaust port for exhausting the atmosphere in the storage box, said storage has an intake port for supplying the refrigerant to the box in the box, a substrate processing apparatus in which the fan is provided on the exhaust port.

Further, a heat exhaust unit provided with the auxiliary power generation system is provided.
The heat exhaust unit is in a supply pipe or a processing furnace that heats the gas introduced into the processing furnace and absorbs heat. Exhaust piping that discharges processed gas, exhausts heat from the heating part that heats the gas introduced into the processing furnace Exhaust the heat of the heating part that heats the high temperature part and the exhaust pipe that discharges the processed gas in the processing furnace. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising any one or more of the high temperature portions to be output.

The switching control unit further provides a circuit for boosting the voltage obtained from the auxiliary power generation system. Claim 1 is configured to supply boosted power to the electrical components in the storage box. The substrate processing apparatus described.

The switching control unit monitors the voltage obtained from the auxiliary power generation system and uses the voltage. The substrate processing apparatus according to claim 1, which is configured to switch the power supply to the electrical components. ..

The cooling unit is provided with a cooling device using a Perche element, and the storage box. The substrate processing apparatus according to claim 1, which is configured to cool the air introduced into the device.

A temperature sensor is provided in the storage box to monitor the temperature inside the storage box, and the temperature is monitored. The substrate processing apparatus according to claim 1, which is configured to control the fan according to the degree.

A temperature sensor is provided in the storage box to monitor the temperature inside the storage box, and the temperature is monitored. The substrate treatment according to claim 5, which is configured to control the Perche element according to the degree. Device.

A wind direction adjusting plate is provided inside the exhaust port and the intake port box of the storage box. The substrate processing apparatus according to claim 1.

The first power supply line has a power supply unit that converts AC power into DC power. Item 1. The substrate processing apparatus according to Item 1.

The switching control unit supplies the DC power to the electrical components and the cooling unit. The substrate processing apparatus according to claim 9.

The storage box stores electronic components and PLCs that make up the controller for the board processing device. Controller box, gas box and exhaust box where various sensors are stored The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising at least one.

The electrical components include electronic components or pressure sensors that make up the controller for the board processing device. The substrate processing apparatus according to claim 1, which includes various sensors including the above.

The auxiliary power generation system is installed so that one side surface thereof contacts the high temperature portion of the piping of the exhaust heat portion. Equipped with a thermoelectric generation module that can be kicked
The thermoelectric power generation module generates an electromotive force by giving a temperature difference between one end and the other end of a substance. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an element utilizing the Seebeck effect.

The cooling device is provided so as to be in contact with the opposite side surface of the thermoelectric generation module. Item 13. The substrate processing apparatus according to Item 13.

The cooling device is a heat sink that circulates cooling water for a radiator, or the auxiliary power generation. The substrate processing apparatus according to claim 13, which is a fan using electric power generated by the system.

The switching control unit further advances the output voltage of the power supply switching module and the auxiliary power generation system. Equipped with a booster and control unit that boosts the working voltage of electrical components
The control unit monitors the output voltage of the auxiliary power generation system, and the control unit monitors the output voltage based on the output voltage. The power switching module can be controlled to switch the power supplied to the electrical components. The substrate processing apparatus according to claim 1.

The substrate processing device according to claim 1, wherein the storage box and the cooling unit are separated. Place.

It was generated by the first power supply line, which is supplied with power from factory equipment, and the auxiliary power generation system, which is configured so that the exhaust heat unit is in contact with one side and the cooling device is installed on the other side. a second power supply line to which power is supplied, and the switch control unit and the first power supply line to switch the second power supply line, a cooling unit for cooling the interior of the storage box for storing the electrical equipment, the Yes, and the cooling unit, an exhaust port for exhaust the atmosphere in the storage box has a an intake port for supplying the refrigerant in the storage box, a substrate processing fan is provided on the exhaust port The process of bringing the wafer into the processing chamber of the equipment and
A method for manufacturing a semiconductor device including a step of processing the wafer.

The heat exhaust part should be in contact with the first power supply line, which is supplied with power from the factory equipment, on one side. Auxiliary power generation system that is installed and configured to have a cooling system on the opposite side The second power supply line to which the power generated in the above is supplied, the first power supply line, and the first power supply line. 2 Cool the inside of the switching control unit that switches the power supply line and the storage box that stores the electrical components. It has a cooling unit to be rejected, and the cooling unit exhausts the atmosphere in the storage box. It has an exhaust port to be ventilated and an intake port for supplying a refrigerant into the storage box, and the exhaust port has an air intake port. Is the procedure for bringing the wafer into the processing chamber of the substrate processing equipment where the fan is installed, and
A computer causes the substrate processing apparatus to execute the procedure for processing the wafer. Rogram.