JP6932650B2 - 回転コネクタ装置 - Google Patents
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Description
また、無酸素銅(99.999wt%Cu)に、0.3wt%以下のSnと0.3wt%以下のIn或いはMgを添加した銅合金、又は、無酸素銅(99.999wt%Cu)に、10wt%以下のAgを添加した銅合金を母材とし、その表面にSnをめっきした平板状の導体に熱処理を行い、引張り強さ350MPa以上、伸び5%以上、導電率70%IACS以上である平角導体が提案されている(特許文献3)。
更に、特許文献3の技術では、伸び5%以上を必須とし、伸びがその範囲外であると剛性が強く、折り曲げが困難であること、また、折り曲げ時に導体を座屈させてしまう虞があることが開示されているものの、伸び5%以上であっても導体の屈曲特性が不十分であることが分かってきた。特に近年、自動車の高性能化・高機能化が進められると共に、信頼性、安全性等の向上の観点から自動車に搭載される各種装置、機器の耐久性の向上が要求されており、回転コネクタ装置におけるフラットケーブルの屈曲特性の更なる向上が求められている。
ここで、十分な弾発性とは、適度に変形しやすく、その変形からの復元性が良いことをいう。例えば、100万回の屈曲を行っても0.2%耐力が80%未満とならないことを、十分な弾発性があるとする。
[1]固定部材と、前記固定部材に回転可能に取り付けられた回転部材と、前記固定部材と前記回転部材との間の環状空間に収容されたフラットケーブルとを備え、
前記フラットケーブルの一端が、前記固定部材に固定される固定側コネクタに接続され、前記フラットケーブルの他端が、前記回転部材に固定される回転側コネクタに接続され、且つ前記フラットケーブルの長手方向の中間部分に、湾曲して折り返された折り返し部が形成され、
前記フラットケーブルは、銅合金からなる所定数の導体を有し、前記折り返し部にて屈曲を維持した状態で巻き締め又は巻き戻しされ、屈曲半径が4mm〜8mmの範囲で屈曲半径をX、0.2%耐力をYとしたとき、Y≧14.175X2 − 249.35X + 1406.9を満たし、且つ導電率が50%IACS以上である、
ことを特徴とする、回転コネクタ装置。
[2]前記導体は、0.1〜0.8質量%のスズ、0.05〜0.8質量%のマグネシウム、0.01〜0.5質量%のクロム、0.1〜5.0質量%の亜鉛、0.02〜0.3質量%のチタン、0.01〜0.2質量%のジルコニウム、0.01〜3.0質量%の鉄、0.001〜0.2質量%のリン、0.01〜0.3質量%のシリコン、0.01〜0.3質量%の銀、及び0.1〜1.0質量%のニッケルのうちの1種又は2種以上を含有し、残部が銅及び不可避不純物からなることを特徴とする、上記[1]記載の回転コネクタ装置。
[3]前記導体の伸びが5%未満であることを特徴とする、上記[1]記載の回転コネクタ装置。
[4]前記導体は、幅0.3mm〜15mm、厚さ0.02mm〜0.05mmであることを特徴とする、上記[1]記載の回転コネクタ装置。
[5]前記導体は、0.06〜0.14質量%のマグネシウム、及び0.225〜0.3質量%のクロムを含有し、残部が銅及び不可避不純物からなり、
前記フラットケーブルは、0.2%耐力が600MPa以上、導電率が70%IACS以上であることを特徴とする、上記[1]記載の回転コネクタ装置。
[6]前記導体は、幅0.3mm〜0.5mm、厚さ0.030mm〜0.039mmであり、
前記フラットケーブルの屈曲半径が4mm〜5mmであることを特徴とする、上記[5]記載の回転コネクタ装置。
[7]上記[1]〜[6]のいずれかに記載の回転コネクタ装置のフラットケーブルを構成する導体の製造方法であって、
溶解及び鋳造工程、熱間加工工程、冷間加工工程、熱処理工程及び仕上加工工程をこの順に有し、
前記熱処理工程は、加熱温度250〜600℃、加熱時間10分間〜5時間で行うことを特徴とする、フラットケーブルを構成する導体の製造方法。
[8]前記熱処理工程は、加熱温度400〜550℃、加熱時間1時間〜6時間で行う時効熱処理工程であり、
前記仕上加工工程は、圧下率が50〜97%以下であることを特徴とする、上記[7]記載のフラットケーブルを構成する導体の製造方法。
図1は、本発明の実施形態に係る回転コネクタ装置の構成を概略的に示す斜視図である。
同図に示すように、回転コネクタ装置1は、ステータ11(固定部材)と、ステータ11に軸線x周りに回転可能に取り付けられたロテータ12(回転部材)と、ステータ11とロテータ12との間の環状空間S1に収容されたフラットケーブル13とを備えている。車両において、ステータ11は車両の車体に固定されており、ロテータ12はステアリングホイールに取り付けられている。
本実施形態のフラットケーブル13は、図3に示すように、例えば銅合金からなる所定数の導体21−1,21−2,21−3,21−4,21−5,21−6と、該複数の導体を挟み込むように配置された一対の絶縁フィルム22,23と、前記一対の絶縁フィルム間に設けられた接着剤層24とを有する。本実施形態のフラットケーブル1は、例えばフレキシブルフラットケーブル(FFC)である。
導体21−1〜21−6は、圧延面の面内方向がほぼ同一となるように並べて配置されており、これら導体の一方の圧延面側に絶縁フィルム22が設けられ、他方の圧延面側に絶縁フィルム23が設けられている。導体21−1〜21−6は、幅0.1mm〜15mm、好ましくは幅0.3mm〜15mm、更に好ましくは幅0.3mm〜0.5mmであり、厚さ0.02mm〜0.05mm、好ましくは厚さ0.030mm〜0.039mmである。導体21−1〜21−6の各々の幅方向断面積は、0.75mm2以下、好ましくは0.02mm2以下である。
導体は、0.1〜0.8質量%のスズ(Sn)、0.05〜0.8質量%のマグネシウム(Mg)、0.01〜0.5質量%のクロム(Cr)、0.1〜5.0質量%の亜鉛(Zn)、0.02〜0.3質量%のチタン(Ti)、0.01〜0.2質量%のジルコニウム(Zr)、0.01〜3.0質量%の鉄(Fe)、0.001〜0.2質量%のリン(P)、0.01〜0.3質量%のシリコン(Si)、0.01〜0.3質量%の銀(Ag)、0.1〜1.0質量%のニッケル(Ni)のうちの1種又は2種以上を含有し、残部が銅(Cu)及び不可避不純物からなる。
また、導体は、好ましくは0.06〜0.14質量%のマグネシウム、及び0.225〜0.3質量%のクロムを含有し、残部が銅及び不可避不純物からなる。
スズは、銅に添加することで固溶し高強度化する作用を有する元素である。スズの含有量が0.1質量%未満であると、その効果は不十分であり、0.8質量%を超えると、導電率を50%以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、スズの含有量を0.1〜0.8質量%とする。
マグネシウムは、銅に添加することで固溶し高強度化する作用を有する元素である。マグネシウムの含有量が0.05質量%未満であると、その効果は不十分であり、0.8質量%を超えると、導電率を50%以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、マグネシウムの含有量を0.05〜0.8質量%とする。
また、マグネシウムの含有量は、0.06〜0.14質量%であるのが好ましい。マグネシウムの含有量が0.06〜0.14質量%の範囲内であると、高い導電率を維持しながら高屈曲性をもたらす固溶強化能を高めることができる。
クロムは、銅に添加、固溶させ、その後微細析出させることで高強度化する作用を有する元素である。クロムの含有量が0.01質量%未満であると、析出硬化は望めず耐力が不十分であり、0.5質量%を超えると、晶出物や粗大析出物が現れ疲労特性劣化の原因となり不適である。したがって本実施形態では、クロムの含有量を0.01〜0.5質量%とする。
また、クロムの含有量は、0.225〜0.3質量%であるのが好ましい。クロムの含有量が0.225〜0.3質量%の範囲内であると、高屈曲性をもたらす析出強化能を高めることができ、かつ、鋳造や熱間圧延時に形成されて屈曲性に悪影響を及ぼす晶出物や粗大析出物を、極力低減させることができる。
亜鉛は、銅に添加することで固溶し高強度化する作用を有する元素である。亜鉛の含有量が0.1質量%未満であると、固溶硬化は望めず耐力が不十分であり、5.0質量%を超えると、導電率を50%以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、亜鉛の含有量を0.1〜5.0質量%とする。
チタンは、銅に添加、固溶させ、その後微細析出させることで高強度化する作用を有する元素である。チタンの含有量が0.02質量%未満であると、析出硬化は望めず耐力が不十分であり、0.3質量%を超えると、導電率を50%IACS以上に保つことが困難であり、また粗大晶出物や析出物が現れ疲労特性劣化の原因となり不適であり、製造性も著しく悪くなるためである。したがって本実施形態では、チタンの含有量を0.02〜0.3質量%とする。
ジルコニウムは、銅に添加、固溶させ、その後微細析出させることで高強度化する作用を有する元素である。ジルコニウムの含有量が0.01質量%未満であると、析出硬化は望めず耐力が不十分であり、0.2質量%を超えると、粗大晶出物や析出物が現れ疲労特性劣化の原因となり不適であり、製造性も著しく悪くなるためである。したがって本実施形態では、ジルコニウムの含有量を0.01〜0.2質量%とする。
鉄は、銅に添加、固溶させ、その後微細析出させることで高強度化する作用を有する元素である。鉄の含有量が0.01質量%未満であると、析出硬化は望めず耐力が不十分であり、3.0質量%を超えると、導電率を50%IACS以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、鉄の含有量を0.01〜3.0質量%とする。
リンは、脱酸する作用を有する元素であり、特性面ではなく製造性を向上する元素である。リンの含有量が0.001質量%未満であると、製造上の改善効果が不十分であり、0.2質量%を超えると、導電率を50%IACS以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、リンの含有量を0.001〜0.2質量%とする。
シリコンは、クロムやニッケル等の添加元素と化合物を形成し、析出強化する作用を有する元素である。シリコンの含有量が0.01質量%未満であると、効果が不十分であり、0.3質量%を超えると、導電率を50%IACS以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、シリコンの含有量を0.01〜0.3質量%とする。
銀は、銅に添加、固溶させ、その後微細析出させることで高強度化する作用を有する元素である。銀の含有量が0.01質量%未満であると、析出硬化は望めず耐力が不十分であり、0.3質量%を超えると、効果が飽和するだけでなく、コスト増の要因となる。したがって本実施形態では、銀の含有量を0.01〜0.3質量%とする。
ニッケルは、銅に添加、固溶させ、その後微細析出させることで高強度化する作用を有する元素である。ニッケルの含有量が0.1質量%未満であると、析出硬化は望めず耐力が不十分であり、1.0質量%を超えると、導電率を50%IACS以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、ニッケルの含有量を0.1〜1.0質量%とする。
上述した成分以外の残部は銅及び不可避不純物である。ここでいう不可避不純物は、製造工程上、不可避的に含まれうる含有レベルの不純物を意味する。不可避不純物は、含有量によっては導電率を低下させる要因にもなりうるため、導電率の低下を加味して不可避不純物の含有量をある程度抑制することが好ましい。
上述の導体の製造方法では、[1]溶解及び鋳造、[2]熱間加工、[3]冷間加工、[4]熱処理、[5]仕上加工、の各工程を経て導体を製造する。例えば、スリット製法では、[1−1]溶解及び鋳造、[2−1]熱間圧延、[3−1]冷間圧延、[4−1]熱処理、[5−1]仕上圧延、の各工程を経て導体を製造し、これが条の製造工程であれば所望の幅にスリットを行い、好ましくは断面積が0.75mm2以下、好ましくは0.02mm2以下である導体を複数個準備する。尚、後述する実施例のプロセスA、B及びDでは、[1−1]溶解及び鋳造、及び[2−1]熱間圧延の2工程を共通条件とし、その後の[3−1]冷間圧延、[4−1]熱処理及び[5−1]仕上圧延の3工程を異なる条件で設定している。
溶解及び鋳造は、上述した同合金組成になるように各成分の分量を調整して溶製し、厚さ150mm〜180mmの鋳塊を製造する。
次いで、上記で製造された鋳塊を600〜1000℃で熱間圧延して、厚さ10mm〜20mmの板材を作製する。
更に、熱間圧延処理後の板材を冷間圧延して、厚さ0.02mm〜1.2mmの導体を作製する。本冷間圧延工程後、後述する熱処理前に、任意の熱処理を行うことができる。
次に、熱処理条件250〜600℃、10分〜5時間で、導体に熱処理を施す。この熱処理は組成によってその目的は異なり、固溶型合金であれば再結晶熱処理であり、析出型合金であれば所定化合物を析出させるために行う時効熱処理である。
銅合金が0.06〜0.14質量%のマグネシウム及び0.225〜0.3質量%のクロムを含有し、残部が銅及び不可避不純物からなるCu−Cr−Mg系合金である場合、上記熱処理工程は、加熱温度400〜550℃、加熱時間1時間〜6時間で行う時効熱処理工程であるのが好ましい。加熱温度が400〜550℃の範囲内であると、好ましい析出分布状態を得ることができ、加熱時間が1時間〜6時間の範囲内であると、短時間化による析出不足を招くことなく、かつ長時間化による量産性低下を防止することができる。
その後、上記熱処理後の導体を仕上圧延して、幅0.1mm〜15mm、厚さ0.02mm〜0.05mmの導体を作製する。仕上圧延の圧下率(厚み減少率)は、20〜97%である。
銅合金が、0.06〜0.14質量%のマグネシウム及び0.225〜0.3質量%のクロムを含有し、残部が銅及び不可避不純物からなるCu−Cr−Mg系合金である場合、仕上圧延の圧下率(厚み減少率)は、50〜97%であるのが好ましい。仕上圧延の圧下率が50〜97%の範囲内であると、上記成分を有するCu−Cr−Mg系合金において、0.2%耐力600MPa以上、且つ導電率70%IACS以上を達成することができる。
上記のスリット製法以外の他の製法でも、上述の導体を製造することができる。例えば、丸線圧延製法であれば、上記[1−1]〜[5−1]の工程中の熱間圧延が熱間伸線に、冷間圧延が冷間伸線にそれぞれ変わり、[1−2]溶解及び鋳造、[2−2]熱間伸線、[3−2]冷間伸線、[4−2]熱処理、[5−2]仕上圧延、の各工程を経て導体を製造し、最終のスリットは不要となる。また、冷間伸線と熱処理の間に冷間圧延を追加し、[1−3]溶解及び鋳造、[2−3]熱間伸線、[3−3]冷間伸線、冷間圧延、[4−3]熱処理、[5−3]仕上圧延の各工程を経て導体を作製することもできる。また、上記他の製法において、固溶型合金であれば任意の複数回の熱処理を施すことができる。このように、導体の特性等が本発明の範囲を満たしていれば、導体の製法に限定はない。
本実施形態に係るフラットケーブルの製造方法では、先ず、上記方法で製造された幅方向断面積が0.75mm2以下、好ましくは0.02mm2以下である導体を所要数準備する。そして、所要数の導体の主面の両側に絶縁フィルムを配置し、これら所要数の導体全体に所定張力を付与しながら、上記所要数の導体を接着剤を介して一対の絶縁フィルムで挟み込む。そして、所要数の導体、接着剤及び一対の絶縁フィルムからなる積層体をプレスしてラミネート処理する。
本実施形態のフラットケーブルにおいて、導体は、付与される屈曲半径が4mm〜8mmの範囲で、屈曲半径をX(mm)、0.2%耐力をY(MPa)としたとき、Y≧ 14.175X2 − 249.35X + 1406.9を満たし、且つ導電率が50%IACS以上である。例えば、屈曲半径8mmであるとき、導体の0.2%耐力は、319.3MPa以上を満たす。0.2%耐力及び導電率をそれぞれ上記範囲内の値とすることにより、従来と同等の導電性を製品に影響の出ないレベルで維持すると共に、弾発性を向上することができ、良好な屈曲特性を得ることができる。また、好ましくは、導体の伸びが5%未満である。伸びを上記範囲とすることにより、屈曲特性を改善し、より小半径でも寿命を延ばすことができる。
また、プロセスBでは、表3に示すように、処理温度400℃、425℃、450、500℃のいずれか、処理時間30分間又は2時間で、板材に時効熱処理を施した後、圧下率90%或いは77%で圧延処理を施し、厚さ0.035mmの導体を得た。プロセスA及びBにおいて、最終製品である導体の厚さは同じとした。
更に、比較としてのプロセスCでは、表4に示すように、熱間圧延後の厚さ20mmの板材に冷間圧延を施して厚さ0.035mmの導体を得て、その後処理温度200℃、350℃、375℃、400℃、450℃、700℃、750℃、800℃、900℃のいずれか、処理温度15秒間、30分間、2時間のいずれかで、導体に時効熱処理を施した。
試験条件は、JIS Z 2241に準拠し、圧延方向を長手方向として引張試験を行った。
電気抵抗(又は電気伝導度)の基準として、国際的に採択された20℃における焼鈍標準軟銅(体積抵抗率: 1.7241×10−2μΩ・m)の導電率を、100%IACSとして規定している。各材料の導電率は一般的に知られたものであり、純銅(タフピッチ銅、無酸素銅)はEC=100%IACS、Cu−0.15Sn、Cu−0.3Crでは、EC=85%IACS程度である。ここでECは、「Electrical Conductivity」の略称であり、IACSは、「International Annealed Copper Standard」を示す。
試験条件は、JIS Z 2241に準拠し、導体の長手方向にて引張試験を行い、突合せ伸びを測定した。測定結果の伸びが5%未満の場合には寿命を延ばすことが出来、例えば設計範囲を広げることも可能となることから、測定値を明記した。なお、導電率を多少犠牲にして従来よりも多少低い値になることがあっても、伸びの特性をより良好とすることで、屈曲特性を更に向上することが可能となり、その性能バランスに因っては回転コネクタ装置に用いるフラットケーブルに適した導体となる。
幅と厚さの2方向断面について、試験サンプルを樹脂埋め及び研磨にて鏡面を出し、クロム酸などのエッチング液で粒界腐食させ、光学顕微鏡や電子顕微鏡で観察した際に結晶粒径が十分判断できる状態にしてから、JIS H 0501の切断法に準拠し、結晶粒径の測定を実施した。測定数は30から100とし、1結晶粒当たりの直径の平均値を求めた。
FPC屈曲試験機(上島製作所社製、装置名「FT−2130」)を用い、試料固定板および可動板に、導体 を100mmの長さに切断した後、2本を通電可能な架橋を施して、一端を可動板側に貼り付け、他端を鉛直方向に所望の径で屈曲させ、更にその他端を固定板側に固定し、両自由端を測定器につなげることで屈曲寿命を判定した。2本のうち1本が断線した場合に電圧は測定不能となることから、その時点を寿命と判断した。試験条件は、試験温度:20〜85℃、屈曲半径X:半径4mm〜8mm(7.5mm、6.3m、5.5mm、4.7mm)、ストローク:±13mm、回転速度:180rpmとした。電圧が測定不能となったときの屈曲回数が30万回以上である場合を、回転コネクタが要求される疲労特性を満足するとして良好「〇」、30万回未満である場合を不良「×」とした。上記の方法にて測定、評価した結果を表2〜4に示す。
X=(249.35-(249.352-4×14.175×(1406.9-Y))0.5)/(2×14.175) ・・・(1)
ここで、Xは限界屈曲半径(単位:mm)、Yは0.2%耐力(単位:MPa)である。
この実験結果と限界屈曲半径の算出値との相関関係によれば、上記(1)式を用いて算出される限界屈曲半径は、フラットケーブルの屈曲寿命が十分となることが分かる指標であることが確認できる。よって、屈曲半径4mm〜8mmの範囲内でより厳しい屈曲半径を要求される場合、上記(1)式を用いて0.2%耐力から限界屈曲半径を算出し、算出された限界屈曲半径に基づいて適切な合金およびプロセスを選定することが可能となる。また、上記(1)式から得られる算出値以上の屈曲半径であれば、フラットケーブルの屈曲寿命がより良好になる。
Y=14.175X2−249.35X+1406.9 ・・・(2)
すなわち、仕様等に応じた指定の屈曲半径に基づいて想定される最小の屈曲半径の値が分かれば、上記(2)式を用い、当該最小の屈曲半径を限界屈曲半径とし、その限界屈曲半径において十分な疲労特性(屈曲寿命)が得られる0.2%耐力の値を決定することができる。また、上記(2)式から得られる算出値以上の0.2%耐力を有するフラットケーブルであれば、より良好な屈曲寿命が得られる。
表2に示すプロセスAと同様の製法にて、合金No.1〜No.20の銅合金からなる導体をそれぞれ作製し、各導体をPET樹脂及び接着剤の複合材(リケンテクノス社製、エアバッグ用フレキシブルフラットケーブル(絶縁フィルム)、樹脂厚25μm、接着剤厚20μm)で挟み込み、両面からプレスしてラミネート処理を施し、フラットケーブルを作製した。ラミネート処理条件は、プレス温度165℃、プレス時間3分間、プレス圧力0.5MPaとした。作製されたフラットケーブルの屈曲半径が4mm〜8mm(7.5mm、6.3m、5.5mm、4.7mm)となるように、図1に示すような回転コネクタ装置を組み立てた。そして各装置について、回転耐久試験機(古河AS社製、摺動屈曲試験機)を用い、85℃で、100万回の回転試験を行った。
11 ステータ
11−1 ステータ本体
11−2 ステータ側コネクタ収容部
12 ロテータ
12−1 ロテータ本体
12−1a 天板部
12−1b 円筒部
12−2 ロテータ側コネクタ収容部
12−2a 回転側端子挿入孔
13 フラットケーブル
13a 折り返し部
21−1,21−2,21−3 導体
21−4,21−5,21−6 導体
22,23 一対の絶縁フィルム
24 接着剤層
S1 環状空間
S2 ステータ側コネクタ収容空間
S3 ロテータ側コネクタ収容空間
x 軸線
Claims (7)
- 固定部材と、前記固定部材に回転可能に取り付けられた回転部材と、前記固定部材と前記回転部材との間の環状空間に収容されたフラットケーブルとを備え、
前記フラットケーブルの一端が、前記固定部材に固定される固定側コネクタに接続され、前記フラットケーブルの他端が、前記回転部材に固定される回転側コネクタに接続され、且つ前記フラットケーブルの長手方向の中間部分に、湾曲して折り返された折り返し部が設けられ、
前記フラットケーブルは、銅合金からなる所定数の導体を有し、前記折り返し部にて屈曲を維持した状態で巻き締め又は巻き戻しされ、前記環状空間に収容された前記フラットケーブルの前記折り返し部の屈曲半径が4.0mm〜6.5mmの範囲で、屈曲半径をX、0.2%耐力をYとしたとき、Y≧14.175X2 − 249.35X +1406.9を満たし、且つ導電率が50%IACS以上であり、
前記導体は、0.06〜0.14質量%のマグネシウム、及び0.225〜0.3質量%のクロムを含有し、残部が銅及び不可避不純物からなり、
前記フラットケーブルは、0.2%耐力が600MPa以上、導電率が70%IACS以上である
ことを特徴とする、回転コネクタ装置。 - 前記導体は、0.1〜0.8質量%のスズ、及び0.05〜0.8質量%のマグネシウム、0.01〜0.5質量%のクロム、0.1〜5.0質量%の亜鉛、0.02〜0.3質量%のチタン、0.01〜0.2質量%のジルコニウム、0.01〜3.0質量%の鉄、0.001〜0.2質量%のリン、0.01〜0.3質量%のシリコン、0.01〜0.3質量%の銀、及び0.1〜1.0質量%のニッケルのうちの1種又は2種以上を含有し、残部が銅及び不可避不純物からなることを特徴とする、請求項1記載の回転コネクタ装置。
- 前記導体の伸びが5%未満であることを特徴とする、請求項1記載の回転コネクタ装置。
- 前記導体は、幅0.1mm〜15mm、厚さ0.02mm〜0.05mmであることを特徴とする、請求項1記載の回転コネクタ装置。
- 前記導体は、幅0.3mm〜0.5mm、厚さ0.030mm〜0.039mmであり、
前記フラットケーブルの屈曲半径が4mm〜5mmであることを特徴とする、請求項1記載の回転コネクタ装置。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の回転コネクタ装置のフラットケーブルを構成する導体の製造方法であって、
溶解及び鋳造工程、熱間加工工程、冷間加工工程、熱処理工程及び仕上加工工程をこの順に有し、
前記熱処理工程は、加熱温度250〜600℃、加熱時間10分間〜5時間で行うことを特徴とする、フラットケーブルを構成する導体の製造方法。 - 前記熱処理工程は、加熱温度400〜550℃、加熱時間1時間〜6時間で行う時効熱処理工程であり、
前記仕上加工工程は、圧下率が50〜97%以下であることを特徴とする、請求項6記載のフラットケーブルを構成する導体の製造方法。
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