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JP6958320B2 - Wireless communication device - Google Patents
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JP6958320B2 - Wireless communication device - Google Patents

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Description

本発明は、無線通信装置に関する。 The present invention relates to a wireless communication device.

従来より、電圧制御発振回路を有し、搬送波の信号を生成するPLL回路と、送信データに基づいて、前記電圧制御発振回路の変調用制御電圧信号入力ノードに対して、変調用制御電圧信号を出力する変調用制御電圧生成回路と、前記電圧制御発振回路の出力信号を増幅するパワーアンプとを含む、送信回路がある。前記変調用制御電圧生成回路は、送信データ出力期間の前の擬似信号出力期間に、擬似制御電圧信号を前記変調用制御電圧信号として出力することを特徴とする(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, a PLL circuit having a voltage control oscillation circuit and generating a carrier signal, and a modulation control voltage signal to a modulation control voltage signal input node of the voltage control oscillation circuit based on transmission data. There is a transmission circuit including a control voltage generation circuit for modulation that outputs and a power amplifier that amplifies the output signal of the voltage control oscillation circuit. The modulation control voltage generation circuit is characterized in that a pseudo control voltage signal is output as the modulation control voltage signal in a pseudo signal output period before the transmission data output period (see, for example, Patent Document 1).

特開2011−109162号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-109162

ところで、特許文献1は、アイドリング電流のドリフト特性を有する半導体製のトランジスタで実現される増幅器のゲートに高周波の信号(RF(Radio Frequency)信号)が入力され、RF信号による所定以上のストレスがトランジスタにかかると、アイドリング電流がドリフト(変動)することを開示していない。 By the way, in Patent Document 1, a high frequency signal (RF (Radio Frequency) signal) is input to the gate of an amplifier realized by a transistor made of a semiconductor having an idling current drift characteristic, and the transistor is stressed by a predetermined value or more due to the RF signal. It does not disclose that the idling current drifts (fluctuations) when it is applied.

ここで、アイドリング電流のドリフト特性を有する半導体製のトランジスタでは、ゲートにDC(Direct Current)電圧に加えて、出力が比較的小さいRF信号が入力されている状態では、アイドリング電流のドリフト特性は生じない。 Here, in a semiconductor transistor having an idling current drift characteristic, an idling current drift characteristic occurs when an RF signal having a relatively small output is input to the gate in addition to a DC (Direct Current) voltage. No.

一方、ゲートにDC電圧に加えて入力されるRF信号の出力が比較的大きくなり、トランジスタにRF信号による所定以上のストレスがかかっている状態では、ドレイン電流の中心値は、トランジスタにRF信号による所定以上のストレスがかかっていない状態におけるドレイン電流の中心値に比べて低下する。これがアイドリング電流のドリフト現象である。 On the other hand, when the output of the RF signal input to the gate in addition to the DC voltage is relatively large and the transistor is under stress of a predetermined value or more due to the RF signal, the center value of the drain current depends on the RF signal to the transistor. It is lower than the center value of the drain current when no stress more than a predetermined value is applied. This is the idling current drift phenomenon.

このようにアイドリング電流が変動すると、増幅器の利得(ゲイン)が変動するため、例えば、携帯電話の基地局のように、増幅器と歪補償回路とを組み合わせて利用する装置において、歪補償の性能劣化や演算の複雑化というような問題点が生じる。 When the idling current fluctuates in this way, the gain of the amplifier fluctuates. Therefore, in a device such as a base station of a mobile phone that uses an amplifier and a distortion compensation circuit in combination, the performance of distortion compensation deteriorates. And problems such as complicated calculation occur.

そこで、高周波電力の送信時におけるアイドリング電流の変動の影響を低減した無線通信装置を提供することを目的とする。 Therefore, it is an object of the present invention to provide a wireless communication device that reduces the influence of fluctuations in idling current during transmission of high-frequency power.

本発明の実施の形態の無線通信装置は、所定期間おきに繰り返し設けられる送信期間に高周波の送信信号を送信するアンテナと、高周波の入力信号に対するアイドリング電流のドリフト特性を有するトランジスタで実現され、前記送信信号を増幅する増幅器と、前記アンテナ及び前記増幅器を接続する第1状態と、前記アンテナ及び前記増幅器を接続しない第2状態とを切り替えるスイッチであって、前記送信期間に前記第1状態になり、前記送信期間以外の期間に前記第2状態になるスイッチと、前記増幅器に前記送信信号を入力する送信信号処理部と、前記増幅器と前記送信信号処理部との間、又は、前記増幅器と前記スイッチとの間に設けられ、前記増幅器の増幅特性の非線形性を補償する歪補償回路と、前記送信期間における前記トランジスタのアイドリング電流の変動量が所定量以下になるように、前記送信期間と、前記送信期間以外の期間のうちの少なくとも一部の第1期間とにおいて、前記送信信号処理部に前記送信信号を前記増幅器に入力させる制御部とを含む。
The wireless communication device according to the embodiment of the present invention is realized by an antenna that transmits a high-frequency transmission signal during a transmission period that is repeatedly provided at predetermined intervals and a transistor that has an idling current drift characteristic with respect to the high-frequency input signal. A switch that switches between an amplifier that amplifies a transmission signal, a first state in which the antenna and the amplifier are connected, and a second state in which the antenna and the amplifier are not connected, and is in the first state during the transmission period. A switch that enters the second state during a period other than the transmission period, a transmission signal processing unit that inputs the transmission signal to the amplifier, and between the amplifier and the transmission signal processing unit, or between the amplifier and the amplifier. A distortion compensation circuit provided between the switch and compensating for the non-linearity of the amplification characteristics of the amplifier, and the transmission period and the transmission period so that the fluctuation amount of the idling current of the transistor during the transmission period is equal to or less than a predetermined amount. In the first period of at least a part of the period other than the transmission period, the transmission signal processing unit includes a control unit that causes the transmission signal to be input to the amplifier.

高周波電力の送信時におけるアイドリング電流の変動の影響を低減した無線通信装置を提供することができる。 It is possible to provide a wireless communication device that reduces the influence of fluctuations in idling current during transmission of high-frequency power.

実施の形態の無線通信装置100の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the wireless communication apparatus 100 of an embodiment. 増幅器110として用いるトランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship of the drain current with respect to the gate voltage of the transistor used as an amplifier 110. 増幅器110のRF信号の出力の有無と、増幅器110のアイドリング電流の特性との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the presence / absence of the output of the RF signal of the amplifier 110, and the characteristic of the idling current of the amplifier 110. 増幅器110のRF信号の出力の有無と、アイドリング電流Idqの時間変化特性を示す。The presence / absence of the output of the RF signal of the amplifier 110 and the time change characteristic of the idling current Idq are shown. 第1実施例におけるデータ送信のオン/オフ、スイッチ130の接続状態、RF信号の出力の有無、及びアイドリング電流Idqの時間変化を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows on / off of data transmission in 1st Example, the connection state of a switch 130, presence / absence of output of an RF signal, and time change of an idling current Idq. 第2実施例におけるデータ送信のオン/オフ、スイッチ130の接続状態、RF信号の出力の有無、及びアイドリング電流Idqの時間変化を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows on / off of data transmission in 2nd Example, the connection state of a switch 130, presence / absence of output of an RF signal, and time change of an idling current Idq. 第3実施例の増幅器110のアイドリング電流Idqの特性を示す図である。It is a figure which shows the characteristic of the idling current Idq of the amplifier 110 of 3rd Example. 第3実施例におけるデータ送信のオン/オフ、スイッチ130の接続状態、RF信号の出力の有無、及びアイドリング電流Idqの時間変化を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows on / off of data transmission in 3rd Example, the connection state of a switch 130, presence / absence of output of an RF signal, and time change of an idling current Idq. 第4実施例におけるデータ送信のオン/オフ、スイッチ130の接続状態、RF信号の出力の有無、及びアイドリング電流Idqの時間変化を示すタイミングチャートである。6 is a timing chart showing on / off of data transmission, connection state of switch 130, presence / absence of output of RF signal, and time change of idling current Idq in the fourth embodiment. 実施例5の無線通信装置100M1を示す図である。It is a figure which shows the wireless communication apparatus 100M1 of Example 5. 実施例6の無線通信装置100M2を示す図である。It is a figure which shows the wireless communication apparatus 100M2 of Example 6. 第6実施例による制御回路140によるスイッチ130の切り替え方法と、ゲート電圧制御部190の駆動方法を示すタイミングチャートである。6 is a timing chart showing a method of switching the switch 130 by the control circuit 140 according to the sixth embodiment and a method of driving the gate voltage control unit 190.

以下、本発明の無線通信装置を適用した実施の形態について説明する。 Hereinafter, embodiments to which the wireless communication device of the present invention is applied will be described.

<実施の形態>
図1は、実施の形態の無線通信装置100の構成を示す図である。無線通信装置100は、送信用の増幅器110(以下、増幅器110)、歪補償回路115、受信用の増幅器120(以下、増幅器120)、スイッチ130、制御回路140、BPF(Band Pass Filter)150、アンテナ160、送信信号処理部170、及び受信信号処理部180を含む。
<Embodiment>
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a wireless communication device 100 according to an embodiment. The wireless communication device 100 includes a transmission amplifier 110 (hereinafter, amplifier 110), a distortion compensation circuit 115, a reception amplifier 120 (hereinafter, amplifier 120), a switch 130, a control circuit 140, and a BPF (Band Pass Filter) 150. It includes an antenna 160, a transmission signal processing unit 170, and a reception signal processing unit 180.

無線通信装置100は、一例として、携帯電話等の通信網に含まれる基地局として用いられる無線通信装置であり、TDD(Time Division Duplex:時分割複信/時分割双方向伝送)方式で切り替えて用いられる増幅器110及び120を含む。 The wireless communication device 100 is, for example, a wireless communication device used as a base station included in a communication network such as a mobile phone, and is switched by a TDD (Time Division Duplex) system. Includes amplifiers 110 and 120 used.

増幅器110は、送信用の増幅器であり、アイドリング電流のドリフト特性を有する半導体製のトランジスタで実現される増幅器である。増幅器110は、第1増幅器の一例である。増幅器110は、入力端子111と出力端子112を有する。増幅器110の外部では、入力端子111は、歪補償回路115を介して送信信号処理部170に接続され、出力端子112は、スイッチ130の端子131に接続される。 The amplifier 110 is a transmission amplifier, and is an amplifier realized by a semiconductor transistor having an idling current drift characteristic. The amplifier 110 is an example of the first amplifier. The amplifier 110 has an input terminal 111 and an output terminal 112. Outside the amplifier 110, the input terminal 111 is connected to the transmission signal processing unit 170 via the distortion compensation circuit 115, and the output terminal 112 is connected to the terminal 131 of the switch 130.

増幅器110は、一例として、GaN(窒化ガリウム)製の半導体素子であり、より具体的には、GaN−HEMT(High Electron Mobility Transistor:高電子移動度トランジスタ)である。増幅器110の内部では、入力端子111は、GaN−HEMTのゲートに接続され、出力端子112は、GaN−HEMTのドレインに接続される。 The amplifier 110 is, for example, a semiconductor element made of GaN (gallium nitride), and more specifically, a GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistor). Inside the amplifier 110, the input terminal 111 is connected to the gate of the GaN-HEMT, and the output terminal 112 is connected to the drain of the GaN-HEMT.

増幅器110として用いられるGaN−HEMTのゲート及びドレインには、所定のDC(Direct Current)電圧(固定値)が常に印加される。ゲート電圧は、ゲートにRF信号が入力していない状態におけるアイドリング電流が所定の電流値(例えば、600mA)になるような所定電圧値に設定される。なお、GaN−HEMTのソースは接地されている。 A predetermined DC (Direct Current) voltage (fixed value) is always applied to the gate and drain of the GaN-HEMT used as the amplifier 110. The gate voltage is set to a predetermined voltage value such that the idling current in a state where no RF signal is input to the gate becomes a predetermined current value (for example, 600 mA). The source of GaN-HEMT is grounded.

増幅器110は、送信信号処理部170から歪補償回路115を経て送信信号が入力されると、増幅して出力する。送信信号は、スイッチ130及びBPF150を経てアンテナ160から送信(放射)される。送信信号は、送信データを含む信号である。送信信号は、高周波の信号(RF(Radio Frequency)信号)である。なお、RF信号の周波数は、一例として、3.5GHz以上である。 When a transmission signal is input from the transmission signal processing unit 170 via the distortion compensation circuit 115, the amplifier 110 amplifies and outputs the transmission signal. The transmission signal is transmitted (radiated) from the antenna 160 via the switch 130 and the BPF 150. The transmission signal is a signal including transmission data. The transmission signal is a high frequency signal (RF (Radio Frequency) signal). The frequency of the RF signal is, for example, 3.5 GHz or more.

歪補償回路115は、送信信号処理部170と増幅器110との間に設けられ、増幅器110の増幅特性の非線形性を補償するために設けられている。増幅器110の増幅特性の非線形性は、増幅後の送信信号に歪みをもたらす。歪補償回路115は、増幅器110の出力信号が歪補償回路115の入力信号に対して線形な特性になるように、増幅器110の出力に基づくフィードバック制御を行うことにより、増幅器110の入力信号に予め非線形性を与えるプリディストーション方式の補償回路である。 The distortion compensation circuit 115 is provided between the transmission signal processing unit 170 and the amplifier 110, and is provided to compensate for the non-linearity of the amplification characteristics of the amplifier 110. The non-linearity of the amplification characteristics of the amplifier 110 causes distortion in the transmitted signal after amplification. The distortion compensation circuit 115 performs feedback control based on the output of the amplifier 110 so that the output signal of the amplifier 110 has a linear characteristic with respect to the input signal of the distortion compensation circuit 115, so that the input signal of the amplifier 110 is preliminarily used. It is a predistortion type compensation circuit that gives non-linearity.

歪補償回路115が入力信号に与える非線形性は、増幅器110が入力信号に与える非線形性を相殺する関係にあるため、増幅器110の出力信号は、歪補償回路115の入力信号に対して線形な特性を有する。すなわち、増幅器110で増幅されて出力される送信信号は、送信信号処理部170から出力される送信信号に対して線形な特性を有する。 Since the non-linearity given to the input signal by the distortion compensation circuit 115 cancels out the non-linearity given to the input signal by the amplifier 110, the output signal of the amplifier 110 has a linear characteristic with respect to the input signal of the distortion compensation circuit 115. Has. That is, the transmission signal amplified and output by the amplifier 110 has a linear characteristic with respect to the transmission signal output from the transmission signal processing unit 170.

増幅器120は、受信用の増幅器であり、入力端子121と出力端子122を有する。入力端子121は、スイッチ130の端子132に接続され、出力端子122は、受信信号処理部180に接続される。増幅器120は、第2増幅器の一例である。 The amplifier 120 is a reception amplifier and has an input terminal 121 and an output terminal 122. The input terminal 121 is connected to the terminal 132 of the switch 130, and the output terminal 122 is connected to the received signal processing unit 180. The amplifier 120 is an example of a second amplifier.

増幅器120は、アイドリング電流のドリフト特性を有さない半導体製のトランジスタであればよく、例えば、シリコン系の半導体素子によって実現される。入力端子121は、半導体素子のゲートに接続され、出力端子122は、半導体素子のドレインに接続され、ソースは接地される。増幅器120は、アンテナ160で受信され、BPF150及びスイッチ130を経て入力される受信信号を増幅して受信信号処理部180に出力する。受信信号は、受信データを含む信号である。 The amplifier 120 may be a transistor made of a semiconductor that does not have an idling current drift characteristic, and is realized by, for example, a silicon-based semiconductor element. The input terminal 121 is connected to the gate of the semiconductor element, the output terminal 122 is connected to the drain of the semiconductor element, and the source is grounded. The amplifier 120 amplifies the received signal received by the antenna 160 and input via the BPF 150 and the switch 130, and outputs the received signal to the received signal processing unit 180. The received signal is a signal including received data.

スイッチ130は、3端子型の切替スイッチであり、端子131、132、133を有する。端子131は、増幅器110の出力端子112に接続されており、端子132は増幅器120の入力端子121に接続されており、端子133はBPF150の端子151に接続されている。 The switch 130 is a three-terminal type changeover switch and has terminals 131, 132, and 133. The terminal 131 is connected to the output terminal 112 of the amplifier 110, the terminal 132 is connected to the input terminal 121 of the amplifier 120, and the terminal 133 is connected to the terminal 151 of the BPF 150.

スイッチ130は、端子133の接続先を端子131及び端子132のいずれか一方に切り替える。このようなスイッチ130としては、SPDT(Single-Pole Double-Throw)スイッチを用いることができる。スイッチ130の切り替えは、制御回路140によって行われる。端子131と端子133を接続した状態は、第1状態の一例であり、端子132と端子133を接続した状態は、第2状態の一例である。 The switch 130 switches the connection destination of the terminal 133 to either the terminal 131 or the terminal 132. As such a switch 130, a SPDT (Single-Pole Double-Throw) switch can be used. The switching of the switch 130 is performed by the control circuit 140. The state in which the terminal 131 and the terminal 133 are connected is an example of the first state, and the state in which the terminal 132 and the terminal 133 are connected is an example of the second state.

制御回路140は、無線通信装置100で利用する各種タイミングを計り、指令等を出力する制御部である。制御回路140は、1又は複数のコンピュータを含むコンピュータシステムによって実現される。制御回路140は、制御部の一例である。 The control circuit 140 is a control unit that measures various timings used by the wireless communication device 100 and outputs commands and the like. The control circuit 140 is realized by a computer system including one or more computers. The control circuit 140 is an example of a control unit.

制御回路140は、スイッチ130の切り替えのタイミングを計り、時分割方式でスイッチ130の端子133の接続先を端子131及び132のいずれか一方に切り替え、増幅器110及び120のいずれか一方をBPF150及びアンテナ160に接続する。 The control circuit 140 measures the switching timing of the switch 130, switches the connection destination of the terminal 133 of the switch 130 to one of the terminals 131 and 132 by a time division method, and switches one of the amplifiers 110 and 120 to the BPF 150 and the antenna. Connect to 160.

また、制御回路140は、送信信号処理部170に送信信号を出力させ、受信期間には受信信号処理部180に受信信号を処理させる。制御回路140によるスイッチ130の切り替えのタイミングと、制御回路140が送信信号処理部170に送信信号を出力させる期間とについては、図5、6、8、9、12のタイミングチャートを用いて説明する。 Further, the control circuit 140 causes the transmission signal processing unit 170 to output the transmission signal, and causes the reception signal processing unit 180 to process the reception signal during the reception period. The timing of switching the switch 130 by the control circuit 140 and the period during which the control circuit 140 causes the transmission signal processing unit 170 to output the transmission signal will be described with reference to the timing charts of FIGS. 5, 6, 8, 9, and 12. ..

BPF150は、無線通信装置100の送信信号及び受信信号に応じた所定の通過帯域を有する濾波器である。BPF150は、端子151及び152を有する。端子151は、スイッチ130の端子133に接続されており、端子152は、アンテナ160に接続されている。 The BPF 150 is a filter having a predetermined pass band according to the transmission signal and the reception signal of the wireless communication device 100. The BPF 150 has terminals 151 and 152. The terminal 151 is connected to the terminal 133 of the switch 130, and the terminal 152 is connected to the antenna 160.

アンテナ160は、基地局として用いられる無線通信装置100が通信する帯域に合わせた形式のアンテナである。無線通信装置100は、上り(送信)と下り(受信)で同一の周波数を利用するため、アンテナ160は、送信及び受信で利用する周波数に対応した形式のアンテナであればよい。 The antenna 160 is an antenna of a type suitable for the band in which the wireless communication device 100 used as a base station communicates. Since the wireless communication device 100 uses the same frequency for uplink (transmission) and downlink (reception), the antenna 160 may be an antenna of a type corresponding to the frequencies used for transmission and reception.

送信信号処理部170は、制御回路140から送信信号出力指令が入力されると、送信信号を出力する。送信信号はRF信号であり、データが含まれているときは、振幅が変調された信号であり、データが含まれていないときは振幅が一定の信号である。送信信号処理部170は、ベースバンド処理を行う機能を有する。 The transmission signal processing unit 170 outputs a transmission signal when a transmission signal output command is input from the control circuit 140. The transmitted signal is an RF signal, which is a signal whose amplitude is modulated when data is included, and which is a signal whose amplitude is constant when no data is included. The transmission signal processing unit 170 has a function of performing baseband processing.

受信信号処理部180は、受信期間に制御回路140から処理指令が入力されると、増幅器120が増幅した受信信号を処理する。受信信号処理部180は、ベースバンド処理を行う機能を有する。 When a processing command is input from the control circuit 140 during the reception period, the reception signal processing unit 180 processes the received signal amplified by the amplifier 120. The received signal processing unit 180 has a function of performing baseband processing.

図2は、増幅器110として用いるトランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流の関係を示す図である。増幅器110として用いるGaN−HEMTは、ゲートに所定電圧(DC電圧)に加えてRF信号が入力され、RF信号による所定以上のストレスがかかると、ゲート電圧に対するドレイン電流の関係が変化する。 FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the drain current and the gate voltage of the transistor used as the amplifier 110. In the GaN-HEMT used as the amplifier 110, when an RF signal is input to the gate in addition to a predetermined voltage (DC voltage) and a stress of a predetermined value or more is applied by the RF signal, the relationship of the drain current with respect to the gate voltage changes.

増幅器110として用いるGaN−HEMTのゲート電圧に対するドレイン電流の特性は、ゲートにDC電圧に加えて、出力が比較的小さいRF信号が入力されている状態では、実線で示す特性になる。ゲート電圧がVg0のときのドレイン電流Idq0は、GaN−HEMTにRF信号による所定以上のストレスがかかっていない状態におけるアイドリング電流である。 The characteristics of the drain current with respect to the gate voltage of the GaN-HEMT used as the amplifier 110 are the characteristics shown by the solid line when an RF signal having a relatively small output is input to the gate in addition to the DC voltage. The drain current Idq0 when the gate voltage is Vg0 is an idling current in a state where the GaN-HEMT is not stressed more than a predetermined value by the RF signal.

また、増幅器110として用いるGaN−HEMTのゲート電圧に対するドレイン電流の特性は、ゲートにDC電圧に加えて入力されるRF信号の出力が比較的大きくなり、トランジスタにRF信号による所定以上のストレスがかかっている状態では、破線で示す特性になる。ゲート電圧がVg0のときのドレイン電流IdqLは、GaN−HEMTにRF信号による所定以上のストレスがかかっていない状態のアイドリング電流Idq0よりも低下する。これがアイドリング電流Idqのドリフト現象である。 Further, the characteristic of the drain current with respect to the gate voltage of the GaN-HEMT used as the amplifier 110 is that the output of the RF signal input to the gate in addition to the DC voltage becomes relatively large, and the transistor is stressed by the RF signal more than a predetermined value. In this state, the characteristics shown by the broken line are obtained. The drain current IdqL when the gate voltage is Vg0 is lower than the idling current Idq0 in the state where the GaN-HEMT is not stressed more than a predetermined value by the RF signal. This is the drift phenomenon of the idling current Idq.

このようなアイドリング電流のドリフト現象は、ゲート電極直下に位置する半導体層のトラップ準位に電子が捕獲される等のGaN−HEMTの内部での変化に起因すると考えられている。 It is considered that such an idling current drift phenomenon is caused by a change inside the GaN-HEMT such that electrons are trapped at the trap level of the semiconductor layer located directly under the gate electrode.

アイドリング電流のドリフト現象が生じていない場合に、ゲートに入力信号を印加すると、ドレイン電流(出力電流)の利得は、実線で示すように大きくなる。一方、アイドリング電流のドリフト現象が生じていなる場合に、ゲートに入力信号を印加すると、ドレイン電流(出力電流)の利得は、破線で示すように小さくなる。 When an input signal is applied to the gate when the idling current drift phenomenon does not occur, the gain of the drain current (output current) becomes large as shown by the solid line. On the other hand, when an input signal is applied to the gate when the idling current drift phenomenon occurs, the gain of the drain current (output current) becomes small as shown by the broken line.

このように、アイドリング電流のドリフト現象が生じると、出力電流の利得が大きく変換するため、無線通信装置100がRF信号を送信する際の動作に大きな影響が生じうる。 When the idling current drift phenomenon occurs in this way, the gain of the output current is greatly converted, which may greatly affect the operation when the wireless communication device 100 transmits the RF signal.

そこで、実施の形態では、RF信号の送信時におけるアイドリング電流の変動の影響を低減した無線通信装置100を提供する。 Therefore, in the embodiment, the wireless communication device 100 is provided in which the influence of the fluctuation of the idling current at the time of transmitting the RF signal is reduced.

無線通信装置100では、取り扱うRF信号の出力が比較的大きいため、増幅器110として用いるGaN−HEMTのゲートにRF信号が入力される際には、アイドリング電流がドリフト現象によって低下しない場合は考えず、ドリフト現象によって低下するものとして考える。 Since the output of the RF signal handled by the wireless communication device 100 is relatively large, when the RF signal is input to the gate of the GaN-HEMT used as the amplifier 110, it is not considered that the idling current does not decrease due to the drift phenomenon. It is considered to decrease due to the drift phenomenon.

このため、以下では、増幅器110にRF信号が入力され、増幅器110が増幅したRF信号を出力している場合(RF信号の出力が有る場合)と、増幅器110にRF信号が入力されておらず、増幅器110がRF信号を出力していない場合(RF信号の出力が無い場合)とについて説明する。 Therefore, in the following, when the RF signal is input to the amplifier 110 and the amplifier 110 outputs the amplified RF signal (when there is an RF signal output), the RF signal is not input to the amplifier 110. A case where the amplifier 110 does not output an RF signal (when there is no output of an RF signal) will be described.

図3は、増幅器110のRF信号の出力の有無と、増幅器110のアイドリング電流の特性との関係を示す図である。 FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the presence / absence of an RF signal output of the amplifier 110 and the characteristics of the idling current of the amplifier 110.

増幅器110は、送信信号処理部170から送信信号(RF信号)が入力されると、増幅したRF信号を出力する。増幅器110のゲートにRF信号が入力されることは、増幅器110にRF帯の送信信号が入力されることである。 When the transmission signal (RF signal) is input from the transmission signal processing unit 170, the amplifier 110 outputs the amplified RF signal. The input of the RF signal to the gate of the amplifier 110 means that the transmission signal of the RF band is input to the amplifier 110.

時刻t1でRF信号の出力が有りになる前の無しの状態では、アイドリング電流Idqの値は、Idq0である。時刻t1においてRF信号の出力が有りになると、アイドリング電流Idqは、Idq0よりも低下する。このときのアイドリング電流Idqの下がり方は、最初に急激に下がり、徐々に下がり方が緩やかになる非線形的な下がり方である。アイドリング電流Idqは、下がりきると、IdqLになる。例えば、アイドリング電流Idqが600mAの場合に、アイドリング電流IdqLは、200mA程度である。 The value of the idling current Idq is Idq0 in the state without the output of the RF signal at time t1. When the RF signal is output at time t1, the idling current Idq is lower than that of Idq0. At this time, the idling current Idq decreases sharply at first, and then gradually decreases gradually, which is a non-linear decrease. When the idling current Idq is completely lowered, it becomes IdqL. For example, when the idling current Idq is 600 mA, the idling current IdqL is about 200 mA.

また、時刻t2でRF信号の出力が無しになっても、アイドリング電流Idqは、すぐにはIdq0のレベルには回復せず、緩やかに非線形的に増大する。ここでは、このようなRF信号の入力に伴うアイドリング電流Idqの低下及び回復の遅れ等の現象をアイドリング電流Idqのドリフト(ドリフト現象)と称す。RF信号の出力が無くなってから、アイドリング電流IdqがIdq0まで回復するには、1分以上掛かることもある。なお、一例として、時刻t1から時刻t2までの時間は、5ms(ミリ秒)である。また、電流が回復する時定数は、一例として、1msである。 Further, even if the output of the RF signal disappears at time t2, the idling current Idq does not immediately recover to the level of Idq0, but gradually increases non-linearly. Here, a phenomenon such as a decrease in the idling current Idq and a delay in recovery due to the input of the RF signal is referred to as a drift (drift phenomenon) of the idling current Idq. It may take one minute or more for the idling current Idq to recover to Idq0 after the output of the RF signal is lost. As an example, the time from time t1 to time t2 is 5 ms (milliseconds). The time constant for recovering the current is, for example, 1 ms.

図4は、増幅器110のRF信号の出力の有無と、アイドリング電流Idqの時間変化特性を示す。図4には、約5周期にわたって増幅器110へのRF信号の出力の有無を切り替える場合のアイドリング電流Idqを示す。図4に示すように、RF信号の出力の有無を繰り返し行うと、アイドリング電流Idqのドリフト現象が繰り返し発生する。 FIG. 4 shows the presence / absence of an RF signal output of the amplifier 110 and the time-varying characteristics of the idling current Idq. FIG. 4 shows the idling current Idq when switching the presence / absence of the output of the RF signal to the amplifier 110 over about 5 cycles. As shown in FIG. 4, when the presence / absence of the output of the RF signal is repeated, the drift phenomenon of the idling current Idq occurs repeatedly.

ところで、受信期間から送信期間に切り替わる際に、アイドリング電流Idqがドリフトすると、歪補償回路115による増幅器110の出力電流の歪みの補償が適切に行われなくなる。 By the way, if the idling current Idq drifts when switching from the reception period to the transmission period, the distortion compensation circuit 115 does not properly compensate for the distortion of the output current of the amplifier 110.

すなわち、図4に示すように増幅器110のRF信号の出力の有無が切り替わる場合には、受信期間から送信期間に切り替わった直後のグレーで示す期間において、歪補償回路115による増幅器110の出力電流の歪みの補償が適切に行われなくなる。 That is, when the presence / absence of the output of the RF signal of the amplifier 110 is switched as shown in FIG. 4, the output current of the amplifier 110 by the distortion compensation circuit 115 is measured in the period shown in gray immediately after the switching from the reception period to the transmission period. Distortion compensation will not be performed properly.

実施の形態の無線通信装置100は、このようなアイドリング電流Idqのドリフトによる影響を抑制するために、RF信号の送信時におけるアイドリング電流の変動を低減する。 The wireless communication device 100 of the embodiment reduces the fluctuation of the idling current at the time of transmitting the RF signal in order to suppress the influence of the drift of the idling current Idq.

なお、受信用の増幅器120は、アイドリング電流Idqのドリフト現象が生じず、また、受信系の回路には歪補償回路115は含まれないため、上述のような問題は生じない。 Since the receiving amplifier 120 does not cause the idling current Idq drift phenomenon and the receiving system circuit does not include the distortion compensation circuit 115, the above-mentioned problems do not occur.

以下、RF信号の送信時におけるアイドリング電流の変動の影響を低減するための制御回路140によるスイッチ130の切り替え方法について説明する。 Hereinafter, a method of switching the switch 130 by the control circuit 140 for reducing the influence of the fluctuation of the idling current at the time of transmitting the RF signal will be described.

図5は、第1実施例におけるデータ送信のオン/オフ、スイッチ130の接続状態、RF信号の出力の有無、及びアイドリング電流Idqの時間変化を示すタイミングチャートである。 FIG. 5 is a timing chart showing on / off of data transmission, the connection state of the switch 130, the presence / absence of the output of the RF signal, and the time change of the idling current Idq in the first embodiment.

データ送信のオン/オフは、無線通信装置100が送信信号を送信する送信期間であるかどうかを表す。データ送信がオンであることは、送信期間であることを表す。データ送信がオフであることは、送信期間ではないことを表す。なお、送信期間ではない期間は、受信期間及びデッドタイムである。受信期間及びデッドタイムは、所定期間の一例である。送信期間は、所定期間毎に繰り返される。 The on / off of data transmission indicates whether or not the wireless communication device 100 is in the transmission period for transmitting the transmission signal. When data transmission is on, it means that it is a transmission period. When data transmission is off, it means that it is not a transmission period. The period other than the transmission period is the reception period and the dead time. The reception period and dead time are examples of predetermined periods. The transmission period is repeated at predetermined periods.

スイッチ130の接続状態は、送信状態と受信状態のいずれであるかを表す。スイッチ130が送信状態であることは、制御回路140によって、スイッチ130の端子133が端子131に接続されていることを表す。すなわち、増幅器110がスイッチ130及びBPF150を介してアンテナ160に接続されていることを表す。 The connection state of the switch 130 indicates whether it is a transmission state or a reception state. The fact that the switch 130 is in the transmission state means that the terminal 133 of the switch 130 is connected to the terminal 131 by the control circuit 140. That is, it means that the amplifier 110 is connected to the antenna 160 via the switch 130 and the BPF 150.

スイッチ130が受信状態であることは、制御回路140によって、スイッチ130の端子133が端子132に接続されていることを表す。すなわち、増幅器120がスイッチ130及びBPF150を介してアンテナ160に接続されていることを表す。換言すれば、増幅器110は、アンテナ160に接続されていないことを表す。 The fact that the switch 130 is in the receiving state means that the terminal 133 of the switch 130 is connected to the terminal 132 by the control circuit 140. That is, it means that the amplifier 120 is connected to the antenna 160 via the switch 130 and the BPF 150. In other words, the amplifier 110 is not connected to the antenna 160.

RF信号の出力が有ることは、増幅器110のGaN−HEMTのゲートにRF信号が入力されていることを表す。RF信号の出力が無いことは、増幅器110のGaN−HEMTのゲートにRF信号が入力されていないことを表す。 The presence of the RF signal output indicates that the RF signal is input to the gate of the GaN-HEMT of the amplifier 110. The absence of an RF signal output indicates that no RF signal has been input to the GaN-HEMT gate of the amplifier 110.

図5に示すように、データ送信がオンのときは、スイッチ130の接続状態が送信状態にされ、データ送信がオフのときは、スイッチ130の接続状態が受信状態にされる。なお、データ送信がオフのときは、送信期間ではない期間であり、厳密には受信期間の他にデッドタイムがあるが、デッドタイムは受信期間に比べて非常に短いため、ここでは、データ送信がオン/オフと、スイッチ130の接続状態の送信状態/受信状態とが同期しているものとして説明する。 As shown in FIG. 5, when the data transmission is on, the connection state of the switch 130 is set to the transmission state, and when the data transmission is off, the connection state of the switch 130 is set to the reception state. When data transmission is off, it is a period that is not the transmission period. Strictly speaking, there is a dead time in addition to the reception period, but since the dead time is very short compared to the reception period, data transmission is performed here. Will be described as assuming that the on / off state and the transmission state / reception state of the connection state of the switch 130 are synchronized.

第1実施例では、時刻t11で最初にデータ送信をオンにする際に、RF信号の出力が有りになり、その後、有りの状態に保持する。RF信号の出力は、無線通信装置100が送信信号の送信処理を終えるまで(例えば、無線通信装置100の電源がオフにされるまで)有りの状態に保持される。 In the first embodiment, when the data transmission is first turned on at time t11, the RF signal is output and then held in the present state. The output of the RF signal is held in the existing state until the wireless communication device 100 finishes the transmission processing of the transmission signal (for example, until the power of the wireless communication device 100 is turned off).

このように、RF信号の出力を有りの状態に保持すれば、アイドリング電流Idqは、時刻t12でIdqLに下がりきった後は、IdqLで一定値になる。 In this way, if the output of the RF signal is held in a certain state, the idling current Idq becomes a constant value at IdqL after falling to IdqL at time t12.

このように、アイドリング電流Idqを一定値に保持できるため、歪補償回路115による増幅器110の出力電流の歪みの補償を適切に行うことができる。 In this way, since the idling current Idq can be held at a constant value, the distortion compensation circuit 115 can appropriately compensate for the distortion of the output current of the amplifier 110.

従って、RF信号の送信時におけるアイドリング電流の変動の影響を低減した無線通信装置100を提供することができる。なお、時刻t11でRF信号の出力を有りにしてからアイドリング電流Idqが時刻t12でIdqLに下がりきるまでに要する時間を時間T1とする。 Therefore, it is possible to provide the wireless communication device 100 in which the influence of the fluctuation of the idling current at the time of transmitting the RF signal is reduced. The time required from when the RF signal is output at time t11 until the idling current Idq drops to IdqL at time t12 is defined as time T1.

図6は、第2実施例におけるデータ送信のオン/オフ、スイッチ130の接続状態、RF信号の出力の有無、及びアイドリング電流Idqの時間変化を示すタイミングチャートである。図6には、図5と同様に、データ送信のオン/オフ、スイッチ130の接続状態(送信状態又は受信状態)、RF信号の出力の有無、及びアイドリング電流Idqの時間変化を示す。 FIG. 6 is a timing chart showing on / off of data transmission, the connection state of the switch 130, the presence / absence of the output of the RF signal, and the time change of the idling current Idq in the second embodiment. FIG. 6 shows the on / off of data transmission, the connection state of the switch 130 (transmission state or reception state), the presence / absence of RF signal output, and the time change of the idling current Idq, as in FIG.

図6に示すように、データ送信がオンのときは、スイッチ130の接続状態が送信状態にされ、データ送信がオフのときは、スイッチ130の接続状態が受信状態にされる。これは、図5と同様である。 As shown in FIG. 6, when the data transmission is on, the connection state of the switch 130 is set to the transmission state, and when the data transmission is off, the connection state of the switch 130 is set to the reception state. This is the same as in FIG.

より具体的には、時刻t21、t23、t25、t27、t29でデータ送信がオンにされるとともに、スイッチ130の接続状態が送信状態にされる。また、時刻t22、t24、t26、t28、t30でデータ送信がオフにされるとともに、スイッチ130の接続状態が受信状態にされる。 More specifically, data transmission is turned on at time t21, t23, t25, t27, and t29, and the connection state of the switch 130 is set to the transmission state. Further, data transmission is turned off at time t22, t24, t26, t28, and t30, and the connection state of the switch 130 is set to the reception state.

第2実施例では、RF信号の出力については、時刻t21で最初にデータ送信をオンにするときに、RF信号の出力を有りにし、時刻t22でデータ送信をオフにするときに、RF信号の出力を無しにする。 In the second embodiment, regarding the output of the RF signal, when the data transmission is first turned on at time t21, the RF signal output is turned on, and when the data transmission is turned off at time t22, the RF signal is output. Turn off the output.

また、時刻t23で2回目にデータ送信をオンにする前の時刻t22AにおいてRF信号の出力を有りにし、その後、時刻t24まで有りの状態に保持する。時刻t24において、RF信号の出力を無しにする。 Further, the RF signal is output at time t22A before the second data transmission is turned on at time t23, and then the RF signal is held in the present state until time t24. At time t24, the output of the RF signal is turned off.

次に、時刻t25でデータ送信をオンにする前の時刻t24AにおいてRF信号の出力を有りにし、その後、時刻t26まで有りの状態に保持する。時刻t26において、RF信号の出力を無しにする。 Next, the output of the RF signal is turned on at time t24A before the data transmission is turned on at time t25, and then the output of the RF signal is held until time t26. At time t26, the RF signal output is turned off.

以降も同様にRF信号の出力の有無を切り替え、時刻t29でデータ送信をオンにする前の時刻t28AにおいてRF信号の出力を有りにし、その後、時刻t30まで有りの状態に保持する。時刻t30において、RF信号の出力を無しにする。 After that, the presence / absence of the RF signal output is similarly switched, the RF signal output is made available at the time t28A before the data transmission is turned on at the time t29, and then the RF signal output is held in the present state until the time t30. At time t30, the output of the RF signal is turned off.

送信信号処理部170は、制御回路140から入力される送信信号出力指令に基づいて、上述のようなRF信号の出力の有無の切り替え処理を無線通信装置100が送信信号の送信処理を終えるまで(例えば、無線通信装置100の電源がオフにされるまで)繰り返し実行する。 Based on the transmission signal output command input from the control circuit 140, the transmission signal processing unit 170 performs the above-described RF signal output switching processing until the wireless communication device 100 completes the transmission signal transmission processing ( (For example, until the power of the wireless communication device 100 is turned off), the execution is repeated.

このように、実施例2では、データ送信をオンにする前の所定のタイミング(時刻t22A、t24A、t26A、t28A)でRF信号の出力を予め有りにしておき、データ送信をオフにするときまで有りの状態に保持する。データ送信をオンにする前の所定のタイミングは、データ送信をオンにするタイミング(時刻t23、t25、t27、t29)よりも、時間T1(図5参照)だけ早いタイミングである。 As described above, in the second embodiment, the RF signal output is set in advance at a predetermined timing (time t22A, t24A, t26A, t28A) before the data transmission is turned on, and the data transmission is turned off. Hold in the presence state. The predetermined timing before turning on the data transmission is a timing earlier than the timing for turning on the data transmission (time t23, t25, t27, t29) by time T1 (see FIG. 5).

このため、データ送信を2回目以降にオンにするタイミング(時刻t23、t25、t27、t29)では、アイドリング電流Idqは、IdqLに下がりきっている。従って、データ送信を2回目以降にオンにするタイミング(時刻t23、t25、t27、t29)から、データ送信を2回目以降にオフにするタイミング(時刻t24、t26、t28、t30)までの各送信期間では、アイドリング電流Idqは、IdqLで一定値になる。 Therefore, at the timing (time t23, t25, t27, t29) when the data transmission is turned on after the second time, the idling current Idq has dropped to IdqL. Therefore, each transmission from the timing of turning on the data transmission after the second time (time t23, t25, t27, t29) to the timing of turning off the data transmission after the second time (time t24, t26, t28, t30). During the period, the idling current Idq becomes a constant value at IdqL.

このように、各送信期間においてアイドリング電流Idqを一定値に保持できるため、歪補償回路115による増幅器110の出力電流の歪みの補償を適切に行うことができる。 As described above, since the idling current Idq can be maintained at a constant value in each transmission period, the distortion compensation circuit 115 can appropriately compensate for the distortion of the output current of the amplifier 110.

従って、RF信号の送信時におけるアイドリング電流の変動の影響を低減した無線通信装置100を提供することができる。 Therefore, it is possible to provide the wireless communication device 100 in which the influence of the fluctuation of the idling current at the time of transmitting the RF signal is reduced.

なお、受信期間において、時刻t22A、t24A、t26A、t28Aからそれぞれ時刻t23、t25、t27、t29までの間にRF信号の出力を有りにする期間は、第1期間の一例である。 In the reception period, the period during which the RF signal is output between the times t22A, t24A, t26A, and t28A and the times t23, t25, t27, and t29, respectively, is an example of the first period.

図7は、第3実施例の増幅器110のアイドリング電流Idqの特性を示す図である。図7に示すアイドリング電流Idqは、時刻t2でRF信号の出力が無しにされた後におけるアイドリング電流Idqの回復が図3に示す特性よりも緩やかである。図3に示す時刻t2以降に回復しているアイドリング電流Idqの時定数が1msであるのに対して、時定数が約5msの場合には、実施例3のスイッチ130の切り替え方法を適用することが有効的である。 FIG. 7 is a diagram showing the characteristics of the idling current Idq of the amplifier 110 of the third embodiment. Regarding the idling current Idq shown in FIG. 7, the recovery of the idling current Idq after the output of the RF signal is turned off at time t2 is slower than the characteristic shown in FIG. When the time constant of the idling current Idq recovered after the time t2 shown in FIG. 3 is 1 ms, whereas the time constant is about 5 ms, the switching method of the switch 130 of the third embodiment is applied. Is effective.

図8は、第3実施例におけるデータ送信のオン/オフ、スイッチ130の接続状態、RF信号の出力の有無、及びアイドリング電流Idqの時間変化を示すタイミングチャートである。図8には、図5と同様に、データ送信のオン/オフ、スイッチ130の接続状態(送信状態又は受信状態)、RF信号の出力の有無、及びアイドリング電流Idqの時間変化を示す。 FIG. 8 is a timing chart showing on / off of data transmission, the connection state of the switch 130, the presence / absence of the output of the RF signal, and the time change of the idling current Idq in the third embodiment. FIG. 8 shows the on / off of data transmission, the connection state of the switch 130 (transmission state or reception state), the presence / absence of RF signal output, and the time change of the idling current Idq, as in FIG.

図8に示すように、データ送信がオンのときは、スイッチ130の接続状態が送信状態にされ、データ送信がオフのときは、スイッチ130の接続状態が受信状態にされる。これは、図5と同様である。 As shown in FIG. 8, when the data transmission is on, the connection state of the switch 130 is set to the transmission state, and when the data transmission is off, the connection state of the switch 130 is set to the reception state. This is the same as in FIG.

より具体的には、時刻t31、t33、t35、t37、t39でデータ送信がオンにされるとともに、スイッチ130の接続状態が送信状態にされる。また、時刻t32、t34、t36、t38、t40でデータ送信がオフにされるとともに、スイッチ130の接続状態が受信状態にされる。 More specifically, data transmission is turned on at time t31, t33, t35, t37, and t39, and the connection state of the switch 130 is set to the transmission state. Further, data transmission is turned off at time t32, t34, t36, t38, and t40, and the connection state of the switch 130 is set to the reception state.

第3実施例では、RF信号の出力については、データ送信をオンにするときに、RF信号の出力を有りにし、データ送信をオフにするときに、RF信号の出力を無しにせず、第1所定時間が経過した時点でオフにする。第1所定時間は、受信期間の約半分である。 In the third embodiment, regarding the output of the RF signal, when the data transmission is turned on, the RF signal output is enabled, and when the data transmission is turned off, the RF signal output is not turned off. Turns off when the specified time has passed. The first predetermined time is about half of the reception period.

このため、RF信号の出力は、時刻t31、t33、t35、t37、t39でオンにされ、時刻t32A、t34A、t36A、t38A、t40Aにおいてオフにされる。時刻t32A、t34A、t36A、t38A、t40Aは、それぞれ、時刻t32、t34、t36、t38、t40よりも上述した第1所定時間だけ後の時刻である。 Therefore, the output of the RF signal is turned on at times t31, t33, t35, t37, t39 and turned off at times t32A, t34A, t36A, t38A, t40A. The times t32A, t34A, t36A, t38A, and t40A are times after the above-mentioned first predetermined time, respectively, after the times t32, t34, t36, t38, and t40.

このように、データ送信をオフにした後の第1所定時間の間も引き続きRF信号の出力を有りに保持すれば、時刻t32A、t34A、t36A、t38A、t40AでRF信号の出力が無しにされた後に、次にRF信号の出力が有りにされるまでの間にアイドリング電流Idqが回復する割合が少ない状態にできる。 In this way, if the RF signal output is kept present even during the first predetermined time after the data transmission is turned off, the RF signal output is eliminated at the times t32A, t34A, t36A, t38A, and t40A. After that, the rate at which the idling current Idq recovers is small until the next output of the RF signal is made available.

このため、2回目以降にRF信号の出力を有りにする際には、アイドリング電流Idqの値は非常に小さく、RF信号の出力を有りにすることによって、直ちにアイドリング電流Idqを略IdqLにすることができる。 Therefore, when the output of the RF signal is made available from the second time onward, the value of the idling current Idq is very small, and by making the output of the RF signal available, the idling current Idq is immediately set to approximately IdqL. Can be done.

すなわち、制御回路140がこのような制御を繰り返すことにより、アイドリング電流Idqは、変動幅が非常に小さい状態になり、IdqLに近い値に保持される。このときに、アイドリング電流Idqの変動幅がアイドリング電流Idqの10%以下に収まるように、データ送信をオフにした後の第1所定時間を設定することが好ましい。 That is, when the control circuit 140 repeats such control, the idling current Idq becomes a state in which the fluctuation range becomes very small and is maintained at a value close to IdqL. At this time, it is preferable to set the first predetermined time after turning off the data transmission so that the fluctuation range of the idling current Idq is within 10% or less of the idling current Idq.

以上のように、2回目以降の送信期間では、アイドリング電流Idqの変動幅をアイドリング電流Idqの10%以下に収まる程度に低減し、略一定の値に保持できるため、歪補償回路115による増幅器110の出力電流の歪みの補償を適切に行うことができる。 As described above, in the second and subsequent transmission periods, the fluctuation range of the idling current Idq is reduced to within 10% or less of the idling current Idq and can be maintained at a substantially constant value. Therefore, the amplifier 110 by the distortion compensation circuit 115 It is possible to appropriately compensate for the distortion of the output current of.

従って、RF信号の送信時におけるアイドリング電流の変動の影響を低減した無線通信装置100を提供することができる。 Therefore, it is possible to provide the wireless communication device 100 in which the influence of the fluctuation of the idling current at the time of transmitting the RF signal is reduced.

なお、受信期間において、時刻t32、t34、t36、t38、t40からそれぞれ時刻t32A、t34A、t36A、t38A、t40Aまでの間にRF信号の出力を有りにする期間は、第1期間の一例である。 In the reception period, the period during which the RF signal is output between the times t32, t34, t36, t38, and t40 and the times t32A, t34A, t36A, t38A, and t40A, respectively, is an example of the first period. ..

図9は、第4実施例におけるデータ送信のオン/オフ、スイッチ130の接続状態、RF信号の出力の有無、及びアイドリング電流Idqの時間変化を示すタイミングチャートである。図9には、図5と同様に、データ送信のオン/オフ、スイッチ130の接続状態(送信状態又は受信状態)、RF信号の出力の有無、及びアイドリング電流Idqの時間変化を示す。 FIG. 9 is a timing chart showing the on / off of data transmission, the connection state of the switch 130, the presence / absence of the output of the RF signal, and the time change of the idling current Idq in the fourth embodiment. FIG. 9 shows the on / off of data transmission, the connection state of the switch 130 (transmission state or reception state), the presence / absence of RF signal output, and the time change of the idling current Idq, as in FIG.

図9に示すように、データ送信がオンのときは、スイッチ130の接続状態が送信状態にされ、データ送信がオフのときは、スイッチ130の接続状態が受信状態にされる。これは、図5と同様である。 As shown in FIG. 9, when the data transmission is on, the connection state of the switch 130 is set to the transmission state, and when the data transmission is off, the connection state of the switch 130 is set to the reception state. This is the same as in FIG.

より具体的には、時刻t41、t43、t45、t47、t49でデータ送信がオンにされるとともに、スイッチ130の接続状態が送信状態にされる。また、時刻t42、t44、t46、t48、t50でデータ送信がオフにされるとともに、スイッチ130の接続状態が受信状態にされる。 More specifically, data transmission is turned on at times t41, t43, t45, t47, and t49, and the connection state of the switch 130 is set to the transmission state. Further, data transmission is turned off at time t42, t44, t46, t48, and t50, and the connection state of the switch 130 is set to the reception state.

第4実施例では、RF信号の出力については、送信期間に加えて、受信期間の中央において第2所定時間だけ有りにされる。 In the fourth embodiment, the output of the RF signal is provided for a second predetermined time at the center of the reception period in addition to the transmission period.

このため、RF信号の出力は、送信期間においては、時刻t41、t43、t45、t47、t49で有りにされ、時刻t42、t44、t46、t48、t50において無しにされる。 Therefore, the output of the RF signal is enabled at times t41, t43, t45, t47, and t49 during the transmission period, and is eliminated at times t42, t44, t46, t48, and t50.

また、受信期間においては、RF信号の出力は、時刻t42A、t44A、t46A、t48A、t50Aで有りにされ、時刻t42B、t44B、t46B、t48B、t50Bにおいて無しにされる。 Further, during the reception period, the output of the RF signal is enabled at times t42A, t44A, t46A, t48A, and t50A, and is disabled at times t42B, t44B, t46B, t48B, and t50B.

受信期間が5msである場合に、一例として、時刻t42A、t44A、t46A、t48A、t50Aは、それぞれ、t42、t44、t46、t48、t50よりも2ms後の時刻である。 When the reception period is 5 ms, as an example, the times t42A, t44A, t46A, t48A, and t50A are times 2 ms after t42, t44, t46, t48, and t50, respectively.

また、時刻t42B、t44B、t46B、t48B、t50Bは、それぞれ、時刻t42A、t44A、t46A、t48A、t50Aよりも1ms後の時刻である。また、時刻t42B、t44B、t46B、t48B、t50Bよりも後の受信期間は、それぞれ、2msである。 Further, the times t42B, t44B, t46B, t48B, and t50B are times 1 ms later than the times t42A, t44A, t46A, t48A, and t50A, respectively. The reception period after the times t42B, t44B, t46B, t48B, and t50B is 2 ms, respectively.

時刻t42A、t44A、t46A、t48A、t50Aから、それぞれ、時刻t42B、t44B、t46B、t48B、t50Bまでの1msの時間は、上述した第2所定時間である。 The 1 ms time from the time t42A, t44A, t46A, t48A, t50A to the time t42B, t44B, t46B, t48B, t50B, respectively, is the second predetermined time described above.

このように、送信期間の終わりのタイミングでRF信号の出力を無しにした後の受信期間の中央において、第2所定時間だけRF信号の出力を有りにすれば、時刻t42、t44、t46、t48、t50でRF信号の出力が無しにされた後に、時刻t42A、t44A、t46A、t48A、t50AでRF信号の出力が有りにされるまでの間にアイドリング電流Idqが回復する割合が少ない状態にできる。 In this way, if the RF signal is output for the second predetermined time at the center of the reception period after the RF signal output is turned off at the end of the transmission period, the time t42, t44, t46, t48 , After the RF signal output is turned off at t50, the idling current Idq can be reduced to a small rate before the RF signal output is turned on at times t42A, t44A, t46A, t48A, and t50A. ..

そして、時刻t42A、t44A、t46A、t48A、t50AでRF信号の出力が有りにされた1ms後の時刻t42B、t44B、t46B、t48B、t50BにRF信号の出力を再び無しにする。 Then, the RF signal output is turned off again at the times t42B, t44B, t46B, t48B, and t50B 1 ms after the RF signal output is made available at the times t42A, t44A, t46A, t48A, and t50A.

このため、受信期間が始まってアイドリング電流Idqの回復量が少ない間に、第2所定時間だけRF信号の出力を再び有りにすることによって、受信期間の中央においてアイドリング電流Idqを低減し、略IdqLまで低下させることができる。 Therefore, while the reception period starts and the amount of recovery of the idling current Idq is small, the output of the RF signal is made available again for the second predetermined time to reduce the idling current Idq in the center of the reception period, and the idling current Idq is approximately IdqL. Can be reduced to.

このようにして、受信期間におけるアイドリング電流Idqの変動を小さく抑えることができ、時刻t43で2回目以降の送信期間にRF信号の出力を有りにする際には、アイドリング電流Idqの値が非常に小さい状態にすることができる。 In this way, the fluctuation of the idling current Idq during the reception period can be suppressed to a small value, and when the RF signal is output during the second and subsequent transmission periods at time t43, the value of the idling current Idq becomes very high. It can be made smaller.

すなわち、制御回路140がこのような制御を繰り返すことにより、アイドリング電流Idqは、変動幅が非常に小さい状態になり、IdqLに近い値に保持される。このときに、アイドリング電流Idqの変動幅がアイドリング電流Idqの10%以下に収まるように、データ送信をオフにした後の第2所定時間を設定することが好ましい。 That is, when the control circuit 140 repeats such control, the idling current Idq becomes a state in which the fluctuation range becomes very small and is maintained at a value close to IdqL. At this time, it is preferable to set a second predetermined time after turning off the data transmission so that the fluctuation range of the idling current Idq is within 10% or less of the idling current Idq.

以上のように、2回目以降の送信期間では、アイドリング電流Idqの変動幅をアイドリング電流Idqの10%以下に収まる程度に低減し、略一定の値に保持できるため、歪補償回路115による増幅器110の出力電流の歪みの補償を適切に行うことができる。 As described above, in the second and subsequent transmission periods, the fluctuation range of the idling current Idq is reduced to within 10% or less of the idling current Idq and can be maintained at a substantially constant value. Therefore, the amplifier 110 by the distortion compensation circuit 115 It is possible to appropriately compensate for the distortion of the output current of.

従って、RF信号の送信時におけるアイドリング電流の変動の影響を低減した無線通信装置100を提供することができる。 Therefore, it is possible to provide the wireless communication device 100 in which the influence of the fluctuation of the idling current at the time of transmitting the RF signal is reduced.

なお、受信期間において、時刻t42A、t44A、t46A、t48A、t50Aからそれぞれ時刻t42B、t44B、t46B、t48B、t50Bまでの間にRF信号の出力を有りにする期間は、第1期間の一例である。 In the reception period, the period in which the RF signal is output between the times t42A, t44A, t46A, t48A, and t50A and the times t42B, t44B, t46B, t48B, and t50B, respectively, is an example of the first period. ..

図10は、実施例5の無線通信装置100M1を示す図である。図10(A)には無線通信装置100M1を示し、図10(B)には低消費電力回路195の内部構成を示す。 FIG. 10 is a diagram showing the wireless communication device 100M1 of the fifth embodiment. FIG. 10A shows the wireless communication device 100M1, and FIG. 10B shows the internal configuration of the low power consumption circuit 195.

無線通信装置100M1は、図1に示す無線通信装置100の増幅器110とスイッチ130との間にスイッチ130M1を設け、制御回路140の代わりに制御回路140M1を含み、スイッチ130M1に接続される低消費電力回路195を追加した構成を有する。その他の構成は、図1に示す無線通信装置100と同様であり、RF信号の出力を有りにする期間は、実施例1と同様である(図5参照)。 The wireless communication device 100M1 is provided with a switch 130M1 between the amplifier 110 and the switch 130 of the wireless communication device 100 shown in FIG. 1, includes a control circuit 140M1 instead of the control circuit 140, and has low power consumption connected to the switch 130M1. It has a configuration in which circuit 195 is added. Other configurations are the same as those of the wireless communication device 100 shown in FIG. 1, and the period for which the RF signal is output is the same as that of the first embodiment (see FIG. 5).

スイッチ130M1は、端子131M1、132M1、133M1を有する。端子131M1は、増幅器110の出力端子112に接続され、端子132M1は、低消費電力回路195に接続され、端子133M1は、スイッチ130の端子131に接続される。スイッチ130M1は、端子131M1の接続先を端子132M1又は端子133M1に切り替える。スイッチ130M1の切り替えは、制御回路140M1によって行われる。 The switch 130M1 has terminals 131M1, 132M1, 133M1. The terminal 131M1 is connected to the output terminal 112 of the amplifier 110, the terminal 132M1 is connected to the low power consumption circuit 195, and the terminal 133M1 is connected to the terminal 131 of the switch 130. The switch 130M1 switches the connection destination of the terminal 131M1 to the terminal 132M1 or the terminal 133M1. The switching of the switch 130M1 is performed by the control circuit 140M1.

制御回路140M1は、スイッチ130M1の切り替えの処理が追加された点が図1に示す制御回路140と異なる。その他は同様である。制御回路140M1は、送信期間には端子131M1を端子133M1に接続する。すなわち、増幅器110がスイッチ130、BPF150を介してアンテナ160に接続される。 The control circuit 140M1 is different from the control circuit 140 shown in FIG. 1 in that the switching process of the switch 130M1 is added. Others are the same. The control circuit 140M1 connects the terminal 131M1 to the terminal 133M1 during the transmission period. That is, the amplifier 110 is connected to the antenna 160 via the switch 130 and the BPF 150.

また、制御回路140M1は、受信期間には端子131M1を端子132M1に接続する。すなわち、増幅器110が低消費電力回路195に接続される。 Further, the control circuit 140M1 connects the terminal 131M1 to the terminal 132M1 during the reception period. That is, the amplifier 110 is connected to the low power consumption circuit 195.

低消費電力回路195は、図1の無線通信装置100の受信期間において増幅器110がBPF150及びアンテナ160から切り離された状態よりも、電力消費が少なくなるように、インピーダンスを調整した回路である。 The low power consumption circuit 195 is a circuit whose impedance is adjusted so that the power consumption is smaller than that in the state where the amplifier 110 is separated from the BPF 150 and the antenna 160 during the reception period of the wireless communication device 100 of FIG.

低消費電力回路195は、一例として、図10(B)に示すように、端子132M1に接続されるL字型の線路195Aの途中から分岐するスタブ195Bを有する。このような低消費電力回路195は、例えば、銅製の金属パターンで作製することができる。 As an example, the low power consumption circuit 195 has a stub 195B that branches from the middle of the L-shaped line 195A connected to the terminal 132M1. Such a low power consumption circuit 195 can be manufactured, for example, with a metal pattern made of copper.

L字型の線路195Aは、端部195A1と端部195A2との間でL字型の形状を有する導電線路であり、端部195A1は、スイッチ130M1の端子132M1に接続される。端部195A1と端部195A2の長さは、RF信号の共振が生じないような長さ(電気長)に設定されている。 The L-shaped line 195A is a conductive line having an L-shaped shape between the end 195A1 and the end 195A2, and the end 195A1 is connected to the terminal 132M1 of the switch 130M1. The length of the end portion 195A1 and the end portion 195A2 is set to a length (electrical length) so that resonance of the RF signal does not occur.

また、線路195Aの途中から分岐するスタブ195Bは、線路195Aを伝送されるRF信号に反射を生じさせることにより、電力が減衰するようにしている。なお、端部195A1からスタブ195Bの先端までの長さ、及び、端部195A2からスタブ195Bの先端までの長さは、ともにRF信号の共振が生じないような長さ(電気長)に設定されている。 Further, the stub 195B branching from the middle of the line 195A causes the RF signal transmitted on the line 195A to be reflected so that the electric power is attenuated. The length from the end 195A1 to the tip of the stub 195B and the length from the end 195A2 to the tip of the stub 195B are both set to a length (electrical length) that does not cause resonance of the RF signal. ing.

無線通信装置100は、受信期間にも送信信号処理部170からRF信号が出力される。低消費電力回路195は、受信期間に送信信号処理部170から出力されて増幅器110によって増幅されたRF信号を減衰させることにより、図1の無線通信装置100の受信期間において増幅器110がBPF150及びアンテナ160から切り離された状態(ハイインピーダンス(Hi−Z)の状態)よりも、電力消費が少なくなるようにする。 The wireless communication device 100 outputs an RF signal from the transmission signal processing unit 170 even during the reception period. The low power consumption circuit 195 attenuates the RF signal output from the transmission signal processing unit 170 and amplified by the amplifier 110 during the reception period, so that the amplifier 110 has the BPF 150 and the antenna during the reception period of the wireless communication device 100 of FIG. The power consumption is reduced as compared with the state of being disconnected from the 160 (the state of high impedance (Hi-Z)).

このような低消費電力回路195を用いることにより、受信期間における送信信号処理部170の電力消費を低減することができる。なお、RF信号の出力を有りにする期間は、実施例1に限らず、実施例2乃至4のいずれの手法によるものであってもよい。 By using such a low power consumption circuit 195, it is possible to reduce the power consumption of the transmission signal processing unit 170 during the reception period. The period during which the RF signal is output is not limited to the first embodiment, and may be any of the methods of the second to fourth embodiments.

図11は、実施例6の無線通信装置100M2を示す図である。図11において、図1に示す無線通信装置100と同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。 FIG. 11 is a diagram showing the wireless communication device 100M2 of the sixth embodiment. In FIG. 11, the same components as those of the wireless communication device 100 shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

無線通信装置100M2は、増幅器110M2、歪補償回路115、増幅器120、スイッチ130、制御回路140M2、BPF150、アンテナ160、送信信号処理部170、受信信号処理部180、及びゲート電圧制御部190を含む。無線通信装置100M2は、図1に示す無線通信装置100の増幅器110及び制御回路140の代わりに増幅器110M2及び制御回路140M2をそれぞれ含み、ゲート電圧制御部190を追加した構成を有する。 The wireless communication device 100M2 includes an amplifier 110M2, a distortion compensation circuit 115, an amplifier 120, a switch 130, a control circuit 140M2, a BPF 150, an antenna 160, a transmission signal processing unit 170, a reception signal processing unit 180, and a gate voltage control unit 190. The wireless communication device 100M2 includes an amplifier 110M2 and a control circuit 140M2 in place of the amplifier 110 and the control circuit 140 of the wireless communication device 100 shown in FIG. 1, and has a configuration in which a gate voltage control unit 190 is added.

増幅器110M2は、ゲート電圧を調整できる増幅器である点が増幅器110(図4参照)と異なる。ゲート電圧は、ゲート電圧制御部190によって切り替えられる。その他は、増幅器110と同様である。 The amplifier 110M2 differs from the amplifier 110 (see FIG. 4) in that it is an amplifier capable of adjusting the gate voltage. The gate voltage is switched by the gate voltage control unit 190. Others are the same as the amplifier 110.

制御回路140M2は、スイッチ130の端子133の接続先を端子131及び132のいずれか一方に切り替える処理と、送信信号処理部170に送信信号を出力させ、受信期間には受信信号処理部180に受信信号を処理させるとに加えて、ゲート電圧制御部190を駆動するタイミングを制御する処理を行う。 The control circuit 140M2 performs a process of switching the connection destination of the terminal 133 of the switch 130 to either one of the terminals 131 and 132, causes the transmission signal processing unit 170 to output a transmission signal, and receives the reception signal processing unit 180 during the reception period. In addition to processing the signal, processing is performed to control the timing of driving the gate voltage control unit 190.

ゲート電圧制御部190は、増幅器110のGaN−HEMTのゲート電圧を制御する。ゲート電圧制御部190は、制御回路140M2から切り替え指令が入力されると、増幅器110のゲート電圧をVg1からVg2へ、又は、Vg2からVg1へと切り替える処理を行う。 The gate voltage control unit 190 controls the gate voltage of the GaN-HEMT of the amplifier 110. When a switching command is input from the control circuit 140M2, the gate voltage control unit 190 performs a process of switching the gate voltage of the amplifier 110 from Vg1 to Vg2 or from Vg2 to Vg1.

ゲート電圧Vg1は、アイドリング電流がIdq0になるゲート電圧であり、ゲート電圧Vg2よりも大きい。換言すれば、ゲート電圧Vg2は、ゲート電圧Vg1よりも小さい。ゲート電圧Vg2は、ゲート電圧がVg1のときのアイドリング電流Idq0よりも低いアイドリング電流IdqL1を一定値に保持できるゲート電圧である。なお、具体的には、図12に示すタイミングチャートの通りに切り替えられる。 The gate voltage Vg1 is a gate voltage at which the idling current becomes Idq0, and is larger than the gate voltage Vg2. In other words, the gate voltage Vg2 is smaller than the gate voltage Vg1. The gate voltage Vg2 is a gate voltage capable of holding an idling current IdqL1 lower than the idling current Idq0 when the gate voltage is Vg1 at a constant value. Specifically, the switching is performed according to the timing chart shown in FIG.

図12は、第6実施例による制御回路140によるスイッチ130の切り替え方法と、ゲート電圧制御部190の駆動方法を示すタイミングチャートである。図12には、データ送信のオン/オフ、スイッチ130の接続状態(送信状態又は受信状態)、RF信号の出力の有無、ゲート電圧、及びアイドリング電流Idqの時間変化を示す。 FIG. 12 is a timing chart showing a method of switching the switch 130 by the control circuit 140 according to the sixth embodiment and a method of driving the gate voltage control unit 190. FIG. 12 shows the on / off of data transmission, the connection state (transmission state or reception state) of the switch 130, the presence / absence of the output of the RF signal, the gate voltage, and the time change of the idling current Idq.

ゲート電圧は、ゲート電圧制御部190が増幅器110として用いるGaN−HEMTのゲートに出力する電圧を示す。 The gate voltage indicates a voltage output to the gate of the GaN-HEMT used by the gate voltage control unit 190 as the amplifier 110.

図12に示すように、データ送信がオンのときは、スイッチ130の接続状態が送信状態にされ、データ送信がオフのときは、スイッチ130の接続状態が受信状態にされる。これは、図5と同様である。 As shown in FIG. 12, when the data transmission is on, the connection state of the switch 130 is set to the transmission state, and when the data transmission is off, the connection state of the switch 130 is set to the reception state. This is the same as in FIG.

より具体的には、時刻t61、t63、t65、t67、t69でデータ送信がオンにされるとともに、スイッチ130の接続状態が送信状態にされる。また、時刻t62、t64、t66、t68、t70でデータ送信がオフにされるとともに、スイッチ130の接続状態が受信状態にされる。 More specifically, data transmission is turned on at time t61, t63, t65, t67, and t69, and the connection state of the switch 130 is set to the transmission state. Further, data transmission is turned off at time t62, t64, t66, t68, and t70, and the connection state of the switch 130 is set to the reception state.

第6実施例では、RF信号の出力については、第1実施例と同様に、時刻t61で最初に有りにした後は、有りの状態に保持する。RF信号の出力は、無線通信装置100が送信信号の送信処理を終えるまで(例えば、無線通信装置100の電源がオフにされるまで)有りに保持される。 In the sixth embodiment, the output of the RF signal is held in the present state after being first present at time t61, as in the first embodiment. The output of the RF signal is held until the wireless communication device 100 finishes the transmission processing of the transmission signal (for example, until the power of the wireless communication device 100 is turned off).

また、ゲート電圧制御部190は、制御回路140M2から入力される切り替え指令に応じて、増幅器110として用いるGaN−HEMTのゲート電圧を制御する。より具体的には、ゲート電圧制御部190は、送信期間にはゲート電圧をVg1に設定し、受信期間にはゲート電圧をVg2に設定する。ゲート電圧Vg2は、ゲート電圧Vg1よりも小さい。 Further, the gate voltage control unit 190 controls the gate voltage of the GaN-HEMT used as the amplifier 110 in response to a switching command input from the control circuit 140M2. More specifically, the gate voltage control unit 190 sets the gate voltage to Vg1 during the transmission period and sets the gate voltage to Vg2 during the reception period. The gate voltage Vg2 is smaller than the gate voltage Vg1.

このように、ゲート電圧を制御すると、アイドリング電流Idqは、送信期間ではIdq0になり、受信期間ではIdqL1になり、送信期間において一定値になる。 When the gate voltage is controlled in this way, the idling current Idq becomes Idq0 in the transmission period, IdqL1 in the reception period, and becomes a constant value in the transmission period.

このように、アイドリング電流Idqを一定値に保持できるため、歪補償回路115による増幅器110の出力電流の歪みの補償を適切に行うことができる。 In this way, since the idling current Idq can be held at a constant value, the distortion compensation circuit 115 can appropriately compensate for the distortion of the output current of the amplifier 110.

従って、RF信号の送信時におけるアイドリング電流の変動の影響を低減した無線通信装置100を提供することができる。 Therefore, it is possible to provide the wireless communication device 100 in which the influence of the fluctuation of the idling current at the time of transmitting the RF signal is reduced.

なお、実施例6では、時刻t61でRF信号の出力を有りにした後は、有りの状態に保持する形態について説明したが、実施例2乃至5におけるRF信号の出力のように、受信期間のうちの第1期間においてのみRF信号の出力を有りにしてもよい。 In Example 6, after the RF signal is output at time t61, it is held in the present state. However, as in the RF signal output in Examples 2 to 5, the reception period The RF signal may be output only during the first period of the period.

また、以上では、アイドリング電流のドリフト特性を有する半導体製のトランジスタで実現される増幅器110がGaN−HEMTによって実現される形態について説明したが、アイドリング電流のドリフト特性を有するのであれば、GaN−HEMT以外であってもよい。 Further, in the above, the form in which the amplifier 110 realized by the semiconductor transistor having the idling current drift characteristic is realized by GaN-HEMT has been described, but if it has the idling current drift characteristic, it is GaN-HEMT. It may be other than.

例えば、酸化ガリウム(Ga)又はインジウムアルミナイト(InAlN)製のトランジスタであってもよい。 For example, it may be a transistor made of gallium oxide (Ga 2 O 3 ) or indium aluminite (InAlN).

また、以上では、歪補償回路115が増幅器110とスイッチ130との間に設けられる形態について説明したが、歪補償回路115は、増幅器110と送信信号処理部170との間に設けられてもよい。 Further, although the mode in which the distortion compensation circuit 115 is provided between the amplifier 110 and the switch 130 has been described above, the distortion compensation circuit 115 may be provided between the amplifier 110 and the transmission signal processing unit 170. ..

以上、本発明の例示的な実施の形態の無線通信装置について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。 Although the wireless communication device according to the exemplary embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the specifically disclosed embodiments and does not deviate from the scope of claims. , Various modifications and changes are possible.

以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
(付記1)
所定期間おきに繰り返し設けられる送信期間に高周波の送信信号を送信するアンテナと、
高周波の入力信号に対するアイドリング電流のドリフト特性を有するトランジスタで実現され、前記送信信号を増幅する増幅器と、
前記アンテナ及び前記増幅器を接続する第1状態と、前記アンテナ及び前記増幅器を接続しない第2状態とを切り替えるスイッチであって、前記送信期間に前記第1状態になり、前記送信期間以外の期間に前記第2状態になるスイッチと、
前記増幅器に前記送信信号を入力する送信信号処理部と、
前記送信期間における前記トランジスタのアイドリング電流の変動量が所定量以下になるように、前記送信期間と、前記送信期間以外の期間のうちの少なくとも一部の第1期間とにおいて、前記送信信号処理部に前記送信信号を前記増幅器に入力させる制御部と
を含む、無線通信装置。
(付記2)
前記第1期間は、前記所定期間に等しい、付記1記載の無線通信装置。
(付記3)
前記第1期間は、当該第1期間を含む所定期間の直前にある送信期間に連続する期間、又は、当該第1期間を含む所定期間の直後にある送信期間に連続する期間である、付記1記載の無線通信装置。
(付記4)
当該第1期間を含む所定期間の直前にある送信期間と、当該第1期間を含む所定期間の直後にある送信期間との間に所定の間隔をおいた期間である、付記1記載の無線通信装置。
(付記5)
前記増幅器のトランジスタのゲート電圧を制御するゲート電圧制御部をさらに含み、
前記ゲート電圧制御部は、
前記送信期間に、前記ゲート電圧を第1ゲート電圧に設定して前記増幅器のトランジスタのアイドリング電流を第1アイドリング電流に設定し、
前記送信期間以外の期間に、前記ゲート電圧を前記第1ゲート電圧よりも低い第2ゲート電圧に設定して前記増幅器のトランジスタのアイドリング電流を前記第1アイドリング電流よりも低い第2アイドリング電流に設定する、付記1乃至4のいずれか一項記載の無線通信装置。
(付記6)
受信信号を処理する受信信号処理回路をさらに含み、
前記アンテナは、前記所定期間に含まれる受信期間に受信信号を受信するアンテナであり、
前記スイッチの前記第2状態は、前記アンテナと前記受信信号処理回路とを接続する状態である、付記1乃至5のいずれか一項記載の無線通信装置。
(付記7)
前記増幅器と前記送信信号処理部との間、又は、前記増幅器と前記スイッチとの間に設けられる、歪補償回路をさらに含む、付記1乃至6のいずれか一項記載の無線通信装置。
(付記8)
前記制御部は、前記送信期間に前記スイッチを前記第1状態に切り替え、前記送信期間以外の期間に前記スイッチを前記第2状態に切り替える、付記1乃至7のいずれか一項記載の無線通信装置。
The following additional notes will be further disclosed with respect to the above embodiments.
(Appendix 1)
An antenna that transmits a high-frequency transmission signal during a transmission period that is repeatedly provided at regular intervals,
An amplifier realized by a transistor having an idling current drift characteristic with respect to a high-frequency input signal and amplifying the transmission signal,
A switch that switches between a first state in which the antenna and the amplifier are connected and a second state in which the antenna and the amplifier are not connected. The switch in the second state and
A transmission signal processing unit that inputs the transmission signal to the amplifier, and
The transmission signal processing unit is used in the transmission period and at least a part of the first period other than the transmission period so that the fluctuation amount of the idling current of the transistor in the transmission period is equal to or less than a predetermined amount. A wireless communication device including a control unit for inputting the transmission signal to the amplifier.
(Appendix 2)
The wireless communication device according to Appendix 1, wherein the first period is equal to the predetermined period.
(Appendix 3)
The first period is a period continuous with the transmission period immediately before the predetermined period including the first period, or a period continuous with the transmission period immediately after the predetermined period including the first period. The wireless communication device described.
(Appendix 4)
The wireless communication according to Appendix 1, which is a period in which a predetermined interval is provided between a transmission period immediately before the predetermined period including the first period and a transmission period immediately after the predetermined period including the first period. Device.
(Appendix 5)
It further includes a gate voltage control unit that controls the gate voltage of the transistor of the amplifier.
The gate voltage control unit
During the transmission period, the gate voltage is set to the first gate voltage, and the idling current of the transistor of the amplifier is set to the first idling current.
During a period other than the transmission period, the gate voltage is set to a second gate voltage lower than the first gate voltage, and the idling current of the transistor of the amplifier is set to a second idling current lower than the first idling current. The wireless communication device according to any one of Supplementary note 1 to 4.
(Appendix 6)
It further includes a received signal processing circuit that processes the received signal.
The antenna is an antenna that receives a received signal during a reception period included in the predetermined period.
The wireless communication device according to any one of Supplementary note 1 to 5, wherein the second state of the switch is a state of connecting the antenna and the received signal processing circuit.
(Appendix 7)
The wireless communication device according to any one of Supplementary note 1 to 6, further comprising a distortion compensation circuit provided between the amplifier and the transmission signal processing unit or between the amplifier and the switch.
(Appendix 8)
The wireless communication device according to any one of Supplementary note 1 to 7, wherein the control unit switches the switch to the first state during the transmission period and switches the switch to the second state during a period other than the transmission period. ..

100、100M1、100M2 無線通信装置
110、110M2 増幅器
115 歪補償回路
120 受信用の増幅器
130、130M1 スイッチ
140、140M1、140M2 制御回路
150 BPF
160 アンテナ
170 送信信号処理部
180 受信信号処理部
190 ゲート電圧制御部
195 低消費電力回路
100, 100M1, 100M2 wireless communication device 110, 110M2 amplifier 115 distortion compensation circuit 120 amplifier for reception 130, 130M1 switch 140, 140M1, 140M2 control circuit 150 BPF
160 Antenna 170 Transmit signal processing unit 180 Received signal processing unit 190 Gate voltage control unit 195 Low power consumption circuit

Claims (6)

所定期間おきに繰り返し設けられる送信期間に高周波の送信信号を送信するアンテナと、
高周波の入力信号に対するアイドリング電流のドリフト特性を有するトランジスタで実現され、前記送信信号を増幅する増幅器と、
前記アンテナ及び前記増幅器を接続する第1状態と、前記アンテナ及び前記増幅器を接続しない第2状態とを切り替えるスイッチであって、前記送信期間に前記第1状態になり、前記送信期間以外の期間に前記第2状態になるスイッチと、
前記増幅器に前記送信信号を入力する送信信号処理部と、
前記増幅器と前記送信信号処理部との間、又は、前記増幅器と前記スイッチとの間に設けられ、前記増幅器の増幅特性の非線形性を補償する歪補償回路と、
前記送信期間における前記トランジスタのアイドリング電流の変動量が所定量以下になるように、前記送信期間と、前記送信期間以外の期間のうちの少なくとも一部の第1期間とにおいて、前記送信信号処理部に前記送信信号を前記増幅器に入力させる制御部と
を含む、無線通信装置。
An antenna that transmits a high-frequency transmission signal during a transmission period that is repeatedly provided at regular intervals,
An amplifier realized by a transistor having an idling current drift characteristic with respect to a high-frequency input signal and amplifying the transmission signal,
A switch that switches between a first state in which the antenna and the amplifier are connected and a second state in which the antenna and the amplifier are not connected. The switch in the second state and
A transmission signal processing unit that inputs the transmission signal to the amplifier, and
A distortion compensation circuit provided between the amplifier and the transmission signal processing unit or between the amplifier and the switch to compensate for the non-linearity of the amplification characteristics of the amplifier.
The transmission signal processing unit is used in the transmission period and at least a part of the first period other than the transmission period so that the fluctuation amount of the idling current of the transistor in the transmission period is equal to or less than a predetermined amount. A wireless communication device including a control unit for inputting the transmission signal to the amplifier.
前記第1期間は、前記所定期間に等しい、請求項1記載の無線通信装置。 The wireless communication device according to claim 1, wherein the first period is equal to the predetermined period. 前記第1期間は、当該第1期間を含む所定期間の直前にある送信期間に連続する期間、又は、当該第1期間を含む所定期間の直後にある送信期間に連続する期間である、請求項1記載の無線通信装置。 The first period is a period continuous with a transmission period immediately before the predetermined period including the first period, or a period continuous with a transmission period immediately after the predetermined period including the first period. 1. The wireless communication device according to 1. 前記第1期間は、当該第1期間を含む所定期間の直前にある送信期間と、当該第1期間を含む所定期間の直後にある送信期間との間に所定の間隔をおいた期間である、請求項1記載の無線通信装置。 The first period is a period in which a predetermined interval is provided between the transmission period immediately before the predetermined period including the first period and the transmission period immediately after the predetermined period including the first period. The wireless communication device according to claim 1. 前記増幅器のトランジスタのゲート電圧を制御するゲート電圧制御部をさらに含み、
前記ゲート電圧制御部は、
前記送信期間に、前記ゲート電圧を第1ゲート電圧に設定して前記増幅器のトランジスタのアイドリング電流を第1アイドリング電流に設定し、
前記送信期間以外の期間に、前記ゲート電圧を前記第1ゲート電圧よりも低い第2ゲート電圧に設定して前記増幅器のトランジスタのアイドリング電流を前記第1アイドリング電流よりも低い第2アイドリング電流に設定する、請求項1乃至4のいずれか一項記載の無線通信装置。
It further includes a gate voltage control unit that controls the gate voltage of the transistor of the amplifier.
The gate voltage control unit
During the transmission period, the gate voltage is set to the first gate voltage, and the idling current of the transistor of the amplifier is set to the first idling current.
During a period other than the transmission period, the gate voltage is set to a second gate voltage lower than the first gate voltage, and the idling current of the transistor of the amplifier is set to a second idling current lower than the first idling current. The wireless communication device according to any one of claims 1 to 4.
受信信号を処理する受信信号処理回路をさらに含み、
前記アンテナは、前記所定期間に含まれる受信期間に受信信号を受信するアンテナであり、
前記スイッチの前記第2状態は、前記アンテナと前記受信信号処理回路とを接続する状態である、請求項1乃至5のいずれか一項記載の無線通信装置。
It further includes a received signal processing circuit that processes the received signal.
The antenna is an antenna that receives a received signal during a reception period included in the predetermined period.
The wireless communication device according to any one of claims 1 to 5, wherein the second state of the switch is a state of connecting the antenna and the received signal processing circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005295537A (en) * 2004-03-12 2005-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Transmitter and transceiver
JP2010074694A (en) * 2008-09-22 2010-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc Power amplifier
JP6097961B2 (en) * 2011-06-24 2017-03-22 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 Amplifier circuit and nitride semiconductor device
JP2013077980A (en) * 2011-09-30 2013-04-25 Sumitomo Electric Device Innovations Inc Electronic circuit and control method thereof
JP5282831B2 (en) * 2012-01-30 2013-09-04 富士通株式会社 Wireless communication apparatus and power amplifier control method
JP2014204372A (en) * 2013-04-08 2014-10-27 パナソニック株式会社 Communication device, communication base station and control method
JP6589700B2 (en) * 2016-03-09 2019-10-16 富士通株式会社 Power amplification device and control method of power amplification device
JP2017212478A (en) * 2016-05-23 2017-11-30 富士通株式会社 Wireless device

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