JP7041594B2 - 熱処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置に関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。

キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。

このようなフラッシュランプアニールは、極短時間の加熱が必要とされる処理、例えば典型的には半導体ウェハーに注入された不純物の活性化に利用される。イオン注入法によって不純物が注入された半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射すれば、当該半導体ウェハーの表面を極短時間だけ活性化温度にまで昇温することができ、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。

特許文献１には、チャンバーの下方に配置されたハロゲンランプによって半導体ウェハーを予備加熱した後、チャンバーの上方に配置されたフラッシュランプから半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプアニール装置が開示されている。また、特許文献１のフラッシュランプアニール装置においては、ウェハー間の温度履歴を均一にするために、ロットの最初の半導体ウェハーの処理を開始する前にハロゲンランプからの光照射によって半導体ウェハーを保持する石英のサセプタを予熱している。

また、特許文献２には、サセプタにウェハーを保持させた状態で予熱を行うことが開示されている。このようにすれば、ウェハーからの熱伝導によってもサセプタが加熱されるため、サセプタを効率良く昇温することができる。

特開２０１７－９２１０２号公報 米国特許出願公開第２０１７／０１９４２２０号明細書

特許文献１，２に開示の技術においては、サセプタの予熱を行うために、放射温度計によって非接触でサセプタの温度を測定している。しかし、特許文献２に開示されるように、サセプタにウェハーを保持させた状態で予熱を行うと、サセプタの加熱効率は向上するものの、サセプタの温度測定が困難になるという問題が生じる。すなわち、放射温度計は、測定対象物から放射された赤外光を受光し、その強度から測定対象物の温度を測定するものであるところ、サセプタにウェハーが保持されていると、放射温度計はサセプタから放射された赤外光に加えてウェハーから放射されてサセプタを透過した赤外光をも受光することとなり、サセプタの温度を正確に測定することが困難となるのである。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、サセプタに基板を保持しているか否かにかかわらず、サセプタの温度を正確に測定することができる熱処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて前記基板を載置して保持する石英のサセプタと、前記サセプタに保持された前記基板に光を照射する光照射部と、前記サセプタの温度を測定する第１放射温度計と、前記サセプタに保持された前記基板の温度を測定する第２放射温度計と、前記光照射部からの光照射を制御する制御部と、を備え、前記第１放射温度計は、４μｍよりも長い波長の赤外光を受光して前記サセプタの温度を測定し、前記サセプタにダミー基板を保持させた状態で前記光照射部から光照射を行って前記サセプタを加熱するときに、前記制御部は、前記第１放射温度計が測定した前記サセプタの温度に基づいて、前記光照射部の出力を制御し、前記制御部は、前記第２放射温度計が測定した前記ダミー基板の温度に基づいて前記光照射部の出力を制御した後、前記第１放射温度計が測定した前記サセプタの温度に基づいて前記光照射部の出力を制御することを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記サセプタと前記第１放射温度計との間に設けられた偏光素子をさらに備え、前記第１放射温度計は、前記サセプタの表面にブリュースター角で入射した光の反射光の進行方向に沿った位置に設けられ、前記偏光素子は、ｐ偏光のみを通過させることを特徴とする。

請求項１および請求項２の発明によれば、第１放射温度計は、石英を透過しない４μｍよりも長い波長の赤外光を受光して石英のサセプタの温度を測定するため、基板から放射された赤外光はサセプタによって遮光され、サセプタに基板を保持しているか否かにかかわらず、サセプタの温度を正確に測定することができる。また、制御部は、先行して昇温するダミー基板の温度に基づいて光照射部の出力を制御した後、サセプタの温度に基づいて光照射部の出力を制御するため、光照射部の出力を適正に制御することができる。

特に、請求項２の発明によれば、サセプタの表面にブリュースター角で入射した光の反射光の進行方向に沿った位置に第１放射温度計が設けられ、サセプタと第１放射温度計との間にｐ偏光のみを通過させる偏光素子が設けられるため、当該反射光を遮光してサセプタ自体から放射された赤外光のみを放射温度計に受光させることができ、反射光の影響を排除してサセプタの温度をより正確に測定することができる。

本発明に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。 保持部の全体外観を示す斜視図である。 サセプタの平面図である。 サセプタの断面図である。 移載機構の平面図である。 移載機構の側面図である。 複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。 サセプタの予熱の手順を示すフローチャートである。 サセプタの予熱を模式的に示す図である。 放射温度計によるサセプタの温度測定を模式的に示す図である。 角度調整機構による偏光素子の角度調整を示す図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである（本実施形態ではφ３００ｍｍ）。熱処理装置１に搬入される前の半導体ウェハーＷには不純物が注入されており、熱処理装置１による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。

チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。

また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。

チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。

また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。

また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、例えば窒素（Ｎ_２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ_２）、アンモニア（ＮＨ_３）等の反応性ガス、或いはそれらを混合した混合ガスを用いることができる（本実施形態では窒素ガス）。

一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。

また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気部１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介してチャンバー６内の気体が排気される。

排気部１９０としては、真空ポンプや熱処理装置１が設置される工場の排気ユーティリティを用いることができる。排気部１９０として真空ポンプを採用し、バルブ８４を閉止してガス供給孔８１から何らのガス供給を行うことなく密閉空間である熱処理空間６５の雰囲気を排気すると、チャンバー６内を真空雰囲気にまで減圧することができる。また、排気部１９０として真空ポンプを用いていない場合であっても、ガス供給孔８１からガス供給を行うことなく排気を行うことにより、チャンバー６内を大気圧未満の気圧に減圧することができる。

図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。

基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。

サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。

保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。

保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ～φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。

図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。

チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。

また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。

また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計１２０（図１参照）が半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計１２０が開口部７８を介して半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光し、別置のディテクタによってその半導体ウェハーＷの温度が測定される。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。

図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英にて形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。

また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。

図１に示すように、熱処理装置１は３つの放射温度計１２０，１３０，１４０を有する。上述した通り、放射温度計１２０は、サセプタ７４に設けられた開口部７８を介して半導体ウェハーＷの温度を測定する。放射温度計１３０は、石英のサセプタ７４から放射された赤外光を検知してサセプタ７４の温度を測定する。一方、放射温度計１４０は、下側チャンバー窓６４から放射された赤外光を検知して下側チャンバー窓６４の温度を測定する。放射温度計１２０，１３０，１４０は、それぞれ測定対象物である半導体ウェハーＷ、サセプタ７４および下側チャンバー窓６４の斜め下方に設けられている。すなわち、放射温度計１２０，１３０，１４０のそれぞれの光軸と測定対象物とのなす角度は９０°よりも小さい。これは、放射温度計１２０，１３０，１４０がハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬからの光照射を遮光しないようにするためである。

チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。

複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。

キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。

また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。

チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する光照射部である。

図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。

また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。

また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。

ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。

また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。

制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。

上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。

次に、熱処理装置１における処理動作について説明する。まず、処理対象となる半導体ウェハーＷに対する熱処理の手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法により不純物（イオン）が添加された半導体基板である。その不純物の活性化が熱処理装置１によるフラッシュ光照射加熱処理（アニール）により実行される。以下に説明する半導体ウェハーＷの処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。

まず、給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用のバルブ８９，１９２が開放されてチャンバー６内に対する給排気が開始される。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。

また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からもチャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間６５に継続的に供給されており、その供給量は処理工程に応じて適宜変更される。

続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して処理対象となる半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。このときには、半導体ウェハーＷの搬入にともなって装置外部の雰囲気を巻き込むおそれがあるが、チャンバー６には窒素ガスが供給され続けているため、搬送開口部６６から窒素ガスが流出して、そのような外部雰囲気の巻き込みを最小限に抑制することができる。

搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。

半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、パターン形成がなされて不純物が注入された表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。

半導体ウェハーＷが石英にて形成された保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。

ハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーＷの温度が放射温度計１２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を放射温度計１２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計１２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。予備加熱温度Ｔ１は、半導体ウェハーＷに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、２００℃ないし８００℃程度、好ましくは３５０℃ないし６００℃程度とされる（本実施の形態では６００℃）。

半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、放射温度計１２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。

半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時点にてフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬがサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。

フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃以上の処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに注入された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置１では、半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに注入された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。

フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計１２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計１２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する。

ところで、典型的には、半導体ウェハーＷの処理はロット単位で行われる。ロットとは、同一条件にて同一内容の処理を行う対象となる１組の半導体ウェハーＷである。本実施形態の熱処理装置１においても、ロットを構成する複数枚（例えば、２５枚）の半導体ウェハーＷが１枚ずつ順次にチャンバー６に搬入されて加熱処理が行われる。

ここで、しばらく処理を行っていなかった熱処理装置１にてロットの処理を開始する場合、概ね室温のチャンバー６にロットの最初の半導体ウェハーＷが搬入されてフラッシュ加熱処理が行われることとなる。このような場合は、例えばメンテナンス後に熱処理装置１が起動されてから最初のロットを処理する場合や先のロットを処理した後に長時間が経過した場合などである。加熱処理時には、昇温した半導体ウェハーＷからサセプタ７４等のチャンバー内構造物に熱伝導が生じるため、初期には室温であったサセプタ７４が半導体ウェハーＷの処理枚数が増えるにつれて徐々に蓄熱により昇温することとなる。また、ハロゲンランプＨＬから出射された赤外光の一部は下側チャンバー窓６４に吸収されるため、半導体ウェハーＷの処理枚数が増えるにつれて下側チャンバー窓６４の温度も徐々に昇温することとなる。

そして、約１０枚の半導体ウェハーＷの加熱処理が行われたときにサセプタ７４および下側チャンバー窓６４の温度が一定の安定温度に到達する。安定温度に到達したサセプタ７４では、半導体ウェハーＷからサセプタ７４への伝熱量とサセプタ７４からの放熱量とが均衡する。サセプタ７４の温度が安定温度に到達するまでは、半導体ウェハーＷからの伝熱量がサセプタ７４からの放熱量よりも多いため、半導体ウェハーＷの処理枚数が増えるにつれてサセプタ７４の温度が徐々に蓄熱により上昇する。これに対して、サセプタ７４の温度が安定温度に到達した後は、半導体ウェハーＷからの伝熱量とサセプタ７４からの放熱量とが均衡するため、サセプタ７４の温度は一定の安定温度に維持されることとなる。また、下側チャンバー窓６４の温度が安定温度に到達した後は、下側チャンバー窓６４がハロゲンランプＨＬの照射光から吸収する熱量と下側チャンバー窓６４から放出される熱量とが均衡するため、下側チャンバー窓６４の温度も一定の安定温度に維持されることとなる。

このように室温のチャンバー６にて処理を開始すると、ロットの初期の半導体ウェハーＷと途中からの半導体ウェハーＷとでチャンバー６の構造物の温度が異なることに起因して温度履歴が不均一になるという問題があった。また、初期の半導体ウェハーＷについては低温のサセプタ７４に支持されてフラッシュ加熱処理が行われるためにウェハー反りが生じることもあった。このため、従来では、ロットの処理を開始する前に、処理対象ではないダミーウェハーをチャンバー６内に搬入して処理対象の半導体ウェハーＷと同様の予備加熱およびフラッシュ加熱処理を行ってサセプタ７４および下側チャンバー窓６４等のチャンバー内構造物を安定温度に昇温するダミーランニングが実施されていた。このようなダミーランニングは、処理とは無関係なダミーウェハーを消費するだけでなく、１０枚程度のダミーウェハーにフラッシュ加熱処理を行うのに相当の時間を要するため、熱処理装置１の効率的な運用が妨げられる。

そこで、第１実施形態においては、ロットの最初の半導体ウェハーＷをチャンバー６に搬入する前に、サセプタ７４等のチャンバー６内の構造物の予熱を行う。図８は、サセプタ７４の予熱の手順を示すフローチャートである。図９は、サセプタ７４の予熱を模式的に示す図である。

まず、チャンバー６内にダミーウェハーＤＷを搬入してサセプタ７４に載置する（ステップＳ１）。ダミーウェハーＤＷは、処理対象となる半導体ウェハーＷと同様の円板形状のシリコンウェハーであり、半導体ウェハーＷと同様のサイズおよび形状を有する。但し、ダミーウェハーＤＷには、パターン形成やイオン注入はなされていない。ダミーウェハーＤＷのチャンバー６への搬入手順は、上述した半導体ウェハーＷの搬入手順と同じである。すなわち、装置外部の搬送ロボットによってダミーウェハーＤＷがチャンバー６内に搬入され、移載機構１０のリフトピン１２がダミーウェハーＤＷを受け取る。そして、リフトピン１２が下降することにより、ダミーウェハーＤＷがサセプタ７４に載置されて保持される。

ダミーウェハーＤＷがサセプタ７４に保持された後、ハロゲン加熱部４のハロゲンランプＨＬが点灯する（ステップＳ２）。ハロゲンランプＨＬから出射された光の一部は石英の下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４によって吸収されるものの、大部分はダミーウェハーＤＷに吸収される。従って、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって、サセプタ７４よりも先行してダミーウェハーＤＷが昇温する。そして、ダミーウェハーＤＷからの熱伝導によってサセプタ７４が予熱される。仮に、ダミーウェハーＤＷが存在していなければ、ハロゲンランプＨＬから照射される光の吸収のみによって石英のサセプタ７４が加熱されることとなるため、昇温速度は著しく遅くなる。すなわち、サセプタ７４にダミーウェハーＤＷを保持させた状態でハロゲンランプＨＬから光照射を行うことにより、先行して昇温するダミーウェハーＤＷからの熱伝導によって石英のサセプタ７４を効率良く迅速に予熱することができるのである。

ダミーウェハーＤＷを保持したサセプタ７４の予熱を行うときには、放射温度計１２０によってダミーウェハーＤＷの温度が測定されている。また、放射温度計１３０によってサセプタ７４の温度が測定されるとともに、放射温度計１４０によって下側チャンバー窓６４の温度が測定される。

ハロゲンランプＨＬが点灯してから暫く、つまりサセプタ７４の予熱の初期段階では、ダミーウェハーＤＷの測定温度に基づいて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を制御している（ステップＳ３）。ステップＳ３ではサセプタ７４に保持されたダミーウェハーＤＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を放射温度計１２０が受光してダミーウェハーＤＷの温度を測定する。測定されたダミーウェハーＤＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ダミーウェハーＤＷの温度が所定の設定温度に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計１２０によって測定されたダミーウェハーＤＷの温度に基づいてハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。

ダミーウェハーＤＷの温度が所定の設定温度に到達した後、サセプタ７４の測定温度に基づいて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を制御する（ステップＳ４）。ステップＳ４では予熱中のサセプタ７４から放射された赤外光を放射温度計１３０が受光してサセプタ７４の温度を測定する。放射温度計１３０は、４μｍよりも長い波長の赤外光を受光してサセプタ７４の温度を測定する。具体的には、例えば、波長４μｍ以下の光を遮光するフィルターを放射温度計１３０に設けるようにすれば良い。或いは、検出波長域が４μｍよりも長い検出素子を放射温度計１３０に備えるようにしても良い。

石英は、４μｍ以下の波長域では高い透過率を有する一方で、４μｍよりも長い波長域では透過率が顕著に低くなる性質を有する。つまり、石英は、４μｍ以下の波長域では透明であるものの、４μｍよりも長い波長域では不透明となるのである。従って、４μｍ以下の波長域で石英のサセプタ７４の温度測定を行うと、放射温度計はサセプタ７４から放射された赤外光に加えてダミーウェハーＤＷから放射されてサセプタ７４を透過した赤外光をも受光することとなり、サセプタ７４の温度を正確に測定することができない。第１実施形態では、放射温度計１３０は、４μｍよりも長い波長の赤外光を受光してサセプタ７４の温度を測定している。石英は４μｍよりも長い波長域では不透明であるため、ダミーウェハーＤＷから放射された４μｍよりも長い波長の赤外光はサセプタ７４によって遮光される。その結果、放射温度計１３０は、サセプタ７４から放射された赤外光のみを受光することができ、サセプタ７４の温度を正確に測定することができる。

放射温度計１３０によって測定されたサセプタ７４の温度は制御部３に伝達される。制御部３は、サセプタ７４の温度が安定温度に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計１３０によって取得されたサセプタ７４の測定温度に基づいて、サセプタ７４の温度が安定温度となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。安定温度とは、サセプタ７４を予熱することなく、チャンバー６内にてロットの複数の半導体ウェハーＷに連続して光照射加熱を行うことによりサセプタ７４の温度が上昇して一定となったときの当該サセプタ７４の温度である。

サセプタ７４が安定温度に到達した後、チャンバー６からダミーウェハーＤＷを搬出し、ロットの最初の処理対象となる半導体ウェハーＷをチャンバー６に搬入して上述の熱処理を実行する。ロットの最初の処理対象となる半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されたときには、サセプタ７４等が安定温度に加熱されているため、ロットを構成する全ての半導体ウェハーＷにわたって温度履歴を均一にすることができる。また、ロットの初期の半導体ウェハーＷについても、安定温度に昇温したサセプタ７４によって保持されるため、サセプタ７４と半導体ウェハーＷとの温度差に起因したウェハー反りを防止することができる。

第１実施形態においては、放射温度計１３０は、４μｍよりも長い波長の赤外光を受光して石英のサセプタ７４の温度を測定する。４μｍよりも長い波長域では石英が不透明となるため、サセプタ７４にウェハーを保持しているか否かにかかわらず、放射温度計１３０は、サセプタ７４から放射された赤外光のみを受光してサセプタ７４の温度を正確に測定することができる。

また、第１実施形態においては、制御部３は、サセプタ７４の予熱の初期段階では放射温度計１２０が測定したダミーウェハーＤＷの温度に基づいてハロゲンランプＨＬの出力を制御し、その後放射温度計１３０が測定したサセプタ７４の温度に基づいてハロゲンランプＨＬの出力を制御している。予熱の初期段階ではダミーウェハーＤＷが先行して昇温し、サセプタ７４はほとんど昇温しないため、サセプタ７４の測定温度に基づいて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を制御すると、その出力が過度に強くなりすぎるおそれがある。このため、サセプタ７４の予熱の初期段階では、ダミーウェハーＤＷの測定温度に基づいて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を制御するのが好ましい。

その一方、制御部３がダミーウェハーＤＷの測定温度に基づいてハロゲンランプＨＬの出力を制御するのみでは、サセプタ７４を正確に安定温度に昇温するのは困難である。このため、先行して昇温するダミーウェハーＤＷからの熱伝導によってサセプタ７４の温度がある程度昇温した後は、サセプタ７４の測定温度に基づいて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を制御するのが好ましい。すなわち、第１実施形態のようにすることによって、ハロゲンランプＨＬの出力を適正に制御することができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の熱処理装置１の構成および半導体ウェハーＷの処理手順は第１実施形態と概ね同様である。第１実施形態では、予熱時のハロゲンランプＨＬの出力を制御するために放射温度計１３０によってサセプタ７４の温度を測定していた。また、半導体ウェハーＷの熱処理のハロゲンランプＨＬの出力を制御するために放射温度計１２０によって半導体ウェハーＷの温度を測定していた。さらに、放射温度計１４０によって下側チャンバー窓６４の温度も測定される。

放射温度計１２０，１３０，１４０は、それぞれ半導体ウェハーＷ、サセプタ７４および下側チャンバー窓６４から放射された赤外光を受光し、その強度から測定対象物の温度を測定する。ところが、半導体ウェハーＷの主面や石英部材の表面は鏡面とされているため、周辺から放射された赤外光を反射し、その反射光は放射温度計１２０，１３０，１４０に到達する。すなわち、放射温度計１２０，１３０，１４０は、測定対象物から放射される赤外光に加えて、測定対象物で反射された反射光をも受光することとなるため、測定誤差が生じるのである。例えば、放射温度計１３０は、サセプタ７４から放射される赤外光に加えて、チャンバー６の内壁面等から放射されてサセプタ７４の表面で反射された赤外光をも受光することとなるため、サセプタ７４の正確な温度測定に支障が生じるのである。

このため、第２実施形態では、以下のようにして放射温度計による温度測定を行っている。図１０は、放射温度計１３０によるサセプタ７４の温度測定を模式的に示す図である。放射温度計１３０は、石英のサセプタ７４の斜め下方に設けられている。より正確には、放射温度計１３０は、サセプタ７４の表面にブリュースター角θ_Ｂで入射した光の反射光の進行方向に沿った位置に設けられている。ブリュースター角θ_Ｂは、屈折率の異なる物質の界面においてｐ偏光の反射率が０となる入射角である。入射角と反射角とは等しいため、ブリュースター角θ_Ｂで入射した光の反射角もブリュースター角θ_Ｂとなる。換言すれば、放射温度計１３０の光軸とサセプタ７４の法線とのなす角度がブリュースター角θ_Ｂとなるように放射温度計１３０は設置されている。

また、サセプタ７４と放射温度計１３０との間には偏光素子１３５が設けられている。偏光素子１３５は、特定の方向に偏光した光のみを通過させる素子である。偏光素子１３５としては、例えば多数のアルミニウムワイヤーを平行に配列したワイヤーグリッド偏光素子を用いることができる。偏光素子１３５は、選択的にｐ偏光の光のみを透過し、ｓ偏光の光を反射する。なお、ｐ偏光は入射面内で電界が振動する偏光であり、ｓ偏光は入射面と垂直に電界が振動する偏光である。

さらに、サセプタ７４の表面にブリュースター角θ_Ｂで入射して放射温度計１３０に向かう反射光の光軸に対する偏光素子１３５の回転角度を調整する角度調整機構１３７が設けられている。図１１は、角度調整機構１３７による偏光素子１３５の角度調整を示す図である。図１１において、サセプタ７４の表面にブリュースター角θ_Ｂで入射した光の反射光の光軸は紙面に垂直である。熱処理装置１のオペレータは、角度調整機構１３７を用いて図１１の矢印ＡＲ１１に示す方向に偏光素子１３５の回転角度を調整する。このような偏光素子１３５の角度調整は、機差を是正するための微調整として行う。

図１０に戻り、サセプタ７４の表面にブリュースター角θ_Ｂで入射した光の反射光（図１０にてサセプタ７４から放射温度計１３０に向かう直線で示す光）にはｐ偏光が含まれていない。一方、サセプタ７４自体から放射された赤外光（図１０にて波線で示す光）はｐ偏光とｓ偏光との合成光として捉えることができる。すなわち、サセプタ７４から放射された赤外光には、ｐ偏光とｓ偏光とが混在している。

サセプタ７４と放射温度計１３０との間には、ｐ偏光のみを選択的に通過させる偏光素子１３５が設けられている。サセプタ７４の表面にブリュースター角θ_Ｂで入射した光の反射光およびサセプタ７４自体から放射された赤外光は、ともに偏光素子１３５に入射する。このとき、サセプタ７４の表面にブリュースター角θ_Ｂで入射した光の反射光にはｐ偏光が含まれていないため、当該反射光はｐ偏光のみを通過させる偏光素子１３５を通過することはできない。つまり、サセプタ７４からの反射光は偏光素子１３５によって遮光されるのである。一方、サセプタ７４自体から放射された赤外光にはｐ偏光とｓ偏光とが混在しているため、そのｐ偏光は偏光素子１３５を通過して放射温度計１３０に到達することができる。すなわち、放射温度計１３０は、サセプタ７４自体から放射されて偏光素子１３５を通過した赤外光を受光することができるのである。

このように、サセプタ７４の表面にブリュースター角θ_Ｂで入射した光の反射光の進行方向に沿った位置に放射温度計１３０を設けるとともに、サセプタ７４と放射温度計１３０との間にｐ偏光のみを通過させる偏光素子１３５を設けることにより、当該反射光をカットしてサセプタ７４自体から放射された赤外光のみを放射温度計１３０に受光させることができる。その結果、放射温度計１３０は、反射光の影響を排除して測定対象物であるサセプタ７４の温度をより正確に測定することができる。

以上は、放射温度計１３０によるサセプタ７４の温度測定についての説明であったが、放射温度計１２０，１４０による温度測定も同様である。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの主面にブリュースター角θ_Ｂで入射した光の反射光の進行方向に沿った位置に放射温度計１２０を設けるとともに、半導体ウェハーＷと放射温度計１２０との間にｐ偏光のみを通過させる偏光素子を設けることにより、当該反射光をカットして半導体ウェハーＷ自体から放射された赤外光のみを放射温度計１２０に受光させることができる。これにより、放射温度計１２０は、反射光の影響を排除して測定対象物である半導体ウェハーＷの温度を正確に測定することができる。

また、石英窓である下側チャンバー窓６４の表面にブリュースター角θ_Ｂで入射した光の反射光の進行方向に沿った位置に放射温度計１４０を設けるとともに、下側チャンバー窓６４と放射温度計１４０との間にｐ偏光のみを通過させる偏光素子を設けることにより、当該反射光をカットして下側チャンバー窓６４自体から放射された赤外光のみを放射温度計１４０に受光させることができる。これにより、放射温度計１４０は、反射光の影響を排除して測定対象物である下側チャンバー窓６４の温度を正確に測定することができる。

＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第１実施形態において、制御部３は、ダミーウェハーＤＷの温度に基づいてハロゲンランプＨＬの出力を制御した後、放射温度計１４０が測定した下側チャンバー窓６４の温度に基づいてハロゲンランプＨＬの出力を制御するようにしても良い。さらにその後、制御部３は、放射温度計１３０が測定したサセプタ７４の温度に基づいてハロゲンランプＨＬの出力を制御するようにしても良い。

また、上側チャンバー窓６３等のサセプタ７４および下側チャンバー窓６４以外のチャンバー６に設けられた構造物の温度を放射温度計によって測定し、その測定結果に基づいて制御部３がサセプタ７４の予熱時のハロゲンランプＨＬの出力を制御するようにしても良い。この場合も、石英窓である上側チャンバー窓６３の表面にブリュースター角θ_Ｂで入射した光の反射光の進行方向に沿った位置に放射温度計を設けるとともに、上側チャンバー窓６３と放射温度計との間にｐ偏光のみを通過させる偏光素子を設けることにより、当該反射光をカットして上側チャンバー窓６３自体から放射された赤外光のみを放射温度計に受光させることができる。これにより、放射温度計は、反射光の影響を排除して測定対象物の温度を正確に測定することができる。

また、上記実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。

また、上記実施形態においては、１秒以上連続して発光する連続点灯ランプとしてフィラメント方式のハロゲンランプＨＬを用いて半導体ウェハーＷの予備加熱を行っていたが、これに限定されるものではなく、ハロゲンランプＨＬに代えて放電型のアークランプ（例えば、キセノンアークランプ）を連続点灯ランプとして用いて予備加熱を行うようにしても良い。この場合、アークランプからの光照射によってサセプタ７４が予熱されることとなる。

また、熱処理装置１によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。この場合、本発明に係る技術を用いてガラス基板等の温度を放射温度計によって測定するようにしても良い。また、熱処理装置１では、高誘電率ゲート絶縁膜（High-k膜）の熱処理、金属とシリコンとの接合、或いはポリシリコンの結晶化を行うようにしても良い。

１ 熱処理装置
３ 制御部
４ ハロゲン加熱部
５ フラッシュ加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
６３ 上側チャンバー窓
６４ 下側チャンバー窓
６５ 熱処理空間
７４ サセプタ
７５ 保持プレート
７７ 基板支持ピン
１２０，１３０，１４０ 放射温度計
１３５ 偏光素子
１３７ 角度調整機構
ＦＬ フラッシュランプ
ＨＬ ハロゲンランプ
Ｗ 半導体ウェハー

Claims (2)

1. 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
   基板を収容するチャンバーと、
   前記チャンバー内にて前記基板を載置して保持する石英のサセプタと、
   前記サセプタに保持された前記基板に光を照射する光照射部と、
   前記サセプタの温度を測定する第１放射温度計と、
   前記サセプタに保持された前記基板の温度を測定する第２放射温度計と、
   前記光照射部からの光照射を制御する制御部と、
   を備え、
   前記第１放射温度計は、４μｍよりも長い波長の赤外光を受光して前記サセプタの温度を測定し、
   前記サセプタにダミー基板を保持させた状態で前記光照射部から光照射を行って前記サセプタを加熱するときに、前記制御部は、前記第１放射温度計が測定した前記サセプタの温度に基づいて、前記光照射部の出力を制御し、
   前記制御部は、前記第２放射温度計が測定した前記ダミー基板の温度に基づいて前記光照射部の出力を制御した後、前記第１放射温度計が測定した前記サセプタの温度に基づいて前記光照射部の出力を制御することを特徴とする熱処理装置。
2. 請求項１記載の熱処理装置において、
   前記サセプタと前記第１放射温度計との間に設けられた偏光素子をさらに備え、
   前記第１放射温度計は、前記サセプタの表面にブリュースター角で入射した光の反射光の進行方向に沿った位置に設けられ、
   前記偏光素子は、ｐ偏光のみを通過させることを特徴とする熱処理装置。

Images