JP7090743B2 - アモルファス炭素材料、製造方法及び使用 - Google Patents
アモルファス炭素材料、製造方法及び使用 Download PDFInfo
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Description
(1)真密度ρ及び粉末X線回折分析法により得られた層間隔d002は、関係式:100×ρ×d002≧70 式(I)を満たし、
(2)粉末X線回折分析法により得られた層間隔d002、La及びLcは、関係式:Lc×d002≦0.58 式(II)、及び
100×(Lc/La 2)×d002 3≦0.425 式(III)を満たすことを特徴とするアモルファス炭素材料を提供する。
上記式中、ρの単位はg/cm3、d002、Lc及びLaの単位はすべてnmである。
(1)炭素元素含有量>70%の炭素含有材料粉末を提供するステップと、
(2)前記炭素含有材料粉末と界面活性剤を含有する水溶液とを混合し、次に相分離を行い、得た固体を乾燥させ、乾燥粉末を得るステップと、
(3)真空又は不活性雰囲気下、前記乾燥粉末を炭化するステップと、を含む、前記アモルファス炭素材料の製造方法を提供する。
(1)真密度ρ及び粉末X線回折分析法により得られた層間隔d002は、関係式:100×ρ×d002≧70 式(I)を満たし、
(2)粉末X線回折分析法により得られた層間隔d002、La及びLcは、関係式:Lc×d002≦0.58 式(II)、及び
100×(Lc/La 2)×d002 3≦0.425 式(III)を満たすことを特徴とする、アモルファス炭素材料を提供する。
上記式中、ρの単位はg/cm3、d002、Lc及びLaの単位はすべてnmである。
(1)炭素元素含有量>70%の炭素含有材料粉末を提供するステップと、
(2)前記炭素含有材料粉末と界面活性剤を含有する水溶液とを混合し、次に相分離を行い、得た固体を乾燥させ、乾燥粉末を得るステップと、
(3)真空又は不活性雰囲気下、前記乾燥粉末を炭化するステップと、を含む前記アモルファス炭素材料の製造方法を提供する。
1、設備
1)小型超微粉砕機は、温州頂歴医療器械有限公司から購入され、型番WF18である。
2)全方向遊星型ボールミルは、長沙米淇儀器設備有限公司から購入され、型番QM-QXである。
3)焼成(予備焼成、炭化を含む)は、合肥科晶材料技術有限公司から購入されるOTF-1200X-80-III-F3LVシステムの管状炉部分にて行われる。
2、試薬
アラビアガムは、国薬集団化学試薬北京有限公司から購入され、製品番号:69012495、規格:Aladdin A108975、CAS番号:9000-01-5である。
カルボキシメチルセルロースナトリウムは、国薬集団化学試薬北京有限公司から購入され、製品番号:30036328、規格CP300-800(滬試)、CAS番号:9004-32-4である。
フェノール樹脂は、国薬集団化学試薬北京有限公司から購入され、製品番号30265876、規格A010024、炭素含有量69重量%である。
3、テスト
1)軟化点
ASTM D 3104-99 硬ピッチ軟化点の標準試験方法(Standard Test Method for Softening Point of Pitches)に準じて測定する。
2)真密度
真密度は、米国のマイクロメリティクス社(Micromeritics Instrument Corp.)の真密度計AccuPyc(登録商標) II 1340を用いて25℃で測定する。
3)粉末XRD分析
ドイツのブルカーAXS社(Bruker AXS GmbH)製のD8 Advance型回折計を用いてテストし、管電圧40kV、管電流40mA、X線放射線源Cu Kα(λ=1.54184Å)、収集ステップサイズ0.02°、収集2θ範囲10~60°とする。Scherrer式Lc=Kλ/B002cosθによりLcを計算し、ここで、KはScherrer係数、λはX線波長、Bは回折ピークの半値幅、θは回折角である。
4)ラマン分光法
フランスのHoriba jobin yvon社製のLabRam HR-800型ラマン分光計を用いて、レーザー波長532.06nm、スリット幅100μm、走査範囲700~2100cm-1でテストする。得られたIGとIDの値をラマン分光法により分析し、式La=4.4IG/IDによりLaを算出する。
5)粒度(D50)
イギリスのマルバーンインスツルメンツ社(Malvern Instruments Ltd.)製のMalvern Mastersizer 2000レーザー粒度分布計を用いてテストする。
6)熱拡散係数
ドイツのネッチ社(NETZSCH Group)製のLFA 447レーザー熱伝導率計を用いて、レーザー散乱法によりテストする。
7)電池容量
電池容量は、武漢市藍電電子股分有限公司(Wuhan LAND Electronic Co.Ltd.)製の電池テストシステムCT2001A電池テスターを用いてテストする。それぞれ以下の実施例及び比較例における炭素材料(炭素負極材料として)を用いて製造された負極を備えるボタン電池について、初回充放電容量テストを行い、ここで、電池を0.2C(1C=370mAh/g)で3.0Vに定電流充電し、次に、0.2Cで0Vまで定電流放電し、電池について測定し、平均値を測定値とした。
ボタン電池の製造過程は以下のとおりである。以下の実施例又は比較例で製造される炭素材料(負極材料として)と導電性カーボンブラックSuper Pと粘着剤としてのポリフッ化ビニリデン(PVDF)とを92:3:5の質量比で均一に混合し、溶媒であるN-メチルピロリドン(NMP)を固形分が48%となるまで加え、撹拌して均一な負極スラリーとし、ドクターブレードで該負極スラリーを銅箔に均一に塗布した後、80℃のオーブンに入れて24時間真空乾燥させて溶媒を除去する。得られた負極片を打ち抜き機で直径12mmのシートに打ち抜き、このシートを80℃で24時間乾燥させ、MBraun2000グローブボックス(Ar雰囲気、H2OとO2濃度0.1×10-6体積%未満)に入れて、金属リチウムシートを参照電極として組み立て、ボタン電池とした。
軟化点300℃のメソフェーズピッチ(炭素含有量98重量%、メソフェーズ含有量80%)を小型超微粉砕機で粉砕し、D50=50μmの粉末を得て、この粉末を全方向遊星式ボールミルにより300rpmでボールミリングし、D50=20μmの粉末を得た。
アラビアガムを水に加え、80℃水浴の条件で、濃度3重量%の溶液を調製した。粉末と溶液との質量比が20:100となるように前述ボールミリングした粉末を該溶液に加え、85℃で8時間撹拌し、その後、常温で静置して、上層の液体を除去し、得た固体を120℃で12時間真空乾燥させた。乾燥させた粉末をOTF-1200X-80-III-F3LVシステムの管状炉部分に投入し、真空下(真空度-80kPa)、400℃で12時間予備焼成し、次に、1400℃に昇温して焼成し、この温度で10時間焼成して、D50=21μmのアモルファス炭素材料を得た。
軟化点120℃の石炭ピッチ(炭素含有量93重量%)を小型超微粉砕機で粉砕し、D50=12μmの粉末を得た。
アラビアガムを水に加え、80℃水浴の条件で、濃度0.5重量%の溶液を調製した。粉末と溶液との質量比が20:100となるように上記粉末を前記溶液に加え、60℃で30時間撹拌し、その後、常温で静置して、上層の液体を除去し、得た固体を120℃で12時間真空乾燥させた。乾燥させた製品を全方向遊星式ボールミルにより280rpmでボールミリングし、D50=9μmの粉末を得た。次に、ボールミリングした粉末をOTF-1200X-80-III-F3LVシステムの管状炉部分に投入し、真空下(真空度-90kPa)、800℃で1時間予備焼成し、次に、1000℃に昇温し、この温度で8時間焼成して、D50=10μmのアモルファス炭素材料を得た。
軟化点50℃の石油ピッチ(炭素含有量88重量%)を小型超微粉砕機で粉砕し、D50=35μmの粉末を得て、この粉末を全方向遊星式ボールミルにより300rpmでボールミリングし、D50=28μmの粉末を得た。
アラビアガムを水に加え、80℃水浴の条件で、濃度10重量%の溶液を調製した。粉末と溶液との質量比が20:100となるように上記ボールミリングした粉末をこの溶液に加え、室温で1時間撹拌し、その後、常温で静置して、上層の液体を除去し、得た固体を真空乾燥箱にて120℃で12時間真空乾燥させた。乾燥させた粉末をOTF-1200X-80-III-F3LVシステムの管状炉部分に投入し、真空(真空度-101.325kPa)下、1600℃で1時間焼成して、D50=30μmのアモルファス炭素材料を得た。
軟化点100℃の石炭ピッチ(炭素含有量92重量%)を小型超微粉砕機で粉砕し、D50=25μmの粉末を得た。
セチルトリメチルアンモニウムクロリド(C19H42ClN)を水に加え、80℃水浴の条件で、濃度0.2重量%の溶液を調製した。粉末と溶液との質量比が20:100となるように粉砕して得た前述粉末をこの溶液に加え、50℃で10時間撹拌し、その後、常温で静置して、上層の液体を除去し、得た固体を120℃で12時間真空乾燥させた。乾燥させた粉末をOTF-1200X-80-III-F3LVシステムの管状炉部分に投入し、真空(真空度-80kPa)下、450℃で10時間予備焼成した。焼成生成物を全方向遊星式ボールミルにより300rpmでボールミリングし、D50=20μmの粉末を得た。該粉末をOTF-1200X-80-III-F3LVシステムの管状炉部分に投入し、真空(真空度-40kPa)下、900℃で20時間焼成して、D50=22μmのアモルファス炭素材料を得た。
軟化点330℃のメソフェーズピッチ(炭素含有量99重量%、メソフェーズ含有量95%)を小型超微粉砕機で粉砕し、D50=50μmの粉末を得て、この粉末を全方向遊星式ボールミルにより300rpmでボールミリングし、D50=14μmの粉末を得た。
ドデシルジメチルベンジルアンモニウムクロリド(C21H38ClN)を水に加え、80℃水浴の条件で、濃度0.01重量%の溶液を調製した。粉末と溶液との質量比が20:100となるように上記ボールミリングした粉末をこの溶液に加え、90℃で2時間撹拌し、その後、常温で静置して、上層の液体を除去し、得た固体を120℃で12時間真空乾燥させた。乾燥させた粉末をOTF-1200X-80-III-F3LVシステムの管状炉部分に投入し、真空(真空度-60kPa)下、800℃で1時間予備焼成し、次に、1000℃に昇温し、この温度で6時間焼成して、D50=15μmのアモルファス炭素材料を得た。
石炭(炭素含有量88重量%)を小型超微粉砕機で粉砕し、D50=30μmの粉末を得て、この粉末を全方向遊星式ボールミルにより300rpmでボールミリングし、D50=5μmの粉末を得た。
アラビアガムを水に加え、85℃水浴の条件で、濃度5重量%の溶液を調製した。粉末と溶液との質量比が20:100となるように上記ボールミリングした粉末をこの溶液に加え、1℃で30時間撹拌し、その後、常温で静置して、上層の液体を除去し、得た固体を120℃で12時間真空乾燥させた。乾燥させた粉末をOTF-1200X-80-III-F3LVシステムの管状炉部分に投入し、真空(真空度-50kPa)下、700℃で2時間予備焼成し、次に、1000℃に昇温し、この温度で5時間焼成して、D50=7μmのアモルファス炭素材料を得た。
石炭(炭素含有量86重量%)と軟化点250℃のメソフェーズピッチ(炭素含有量97重量%、メソフェーズ含有量40%)を、1:1の質量比で混合し、得た混合物を小型超微粉砕機で粉砕し、D50=25μmの粉末を得た。該粉末を全方向遊星式ボールミルにより250rpmでボールミリングし、D50=12μmの粉末を得た。
カルボキシメチルセルロースナトリウムを水に加え、80℃水浴の条件で、濃度0.1重量%の溶液を調製した。粉末と溶液との質量比が20:100となるように上記ボールミリングした粉末をこの溶液に加え、80℃で2時間撹拌し、その後、常温で静置して、上層の液体を除去し、得た固体を120℃で12時間真空乾燥させた。乾燥させた粉末をOTF-1200X-80-III-F3LVシステムの管状炉部分に投入し、真空(真空度-70kPa)下、1200℃で3時間焼成して、D50=11μmのアモルファス炭素材料を得た。
コークス(炭素含有量80重量%)と石炭(炭素含有量86重量%)を、1:1の質量比で混合し、得た混合物を小型超微粉砕機で粉砕し、D50=25μmの粉末を得た。該粉末を全方向遊星式ボールミルにより300rpmでボールミリングし、D50=5μmの粉末を得た。
カルボキシメチルセルロースナトリウムを水に加え、80℃水浴の条件で、濃度2重量%の溶液を調製した。粉末と溶液との質量比が20:100となるようにボールミリングした粉末をこの溶液に加え、80℃で2時間撹拌し、その後、常温で静置して、上層の液体を除去し、得た固体を120℃で12時間真空乾燥させた。乾燥させた粉末をOTF-1200X-80-III-F3LVシステムの管状炉部分に投入し、真空(真空度-85kPa)下、1500℃で7時間焼成して、D50=9μmのアモルファス炭素材料を得た。
軟化点300℃のメソフェーズピッチ(炭素含有量98重量%、メソフェーズ含有量80%)を小型超微粉砕機で粉砕し、D50=50μmの粉末を得て、この粉末を全方向遊星式ボールミルにより300rpmでボールミリングし、D50=20μmの粉末を得た。ボールミリングした粉末をOTF-1200X-80-III-F3LVシステムの管状炉部分に投入し、真空(真空度-80kPa)下、400℃で12時間予備焼成し、次に、1400℃に昇温し、この温度で10時間焼成して、D50=22μmの炭素材料を得た。
フェノール樹脂を小型超微粉砕機で粉砕し、D50=50μmの粉末を得た。該粉末を全方向遊星式ボールミルにより300rpmでボールミリングし、D50=20μmの粉末を得た。
アラビアガムを水に加え、80℃水浴の条件で、濃度3重量%の溶液を調製した。粉末と溶液との質量比が20:100となるようにボールミリングした粉末をこの溶液に加え、85℃で8時間撹拌し、その後、常温で静置して、上層の液体を除去し、得た固体を120℃で12時間真空乾燥させた。乾燥させた粉末をOTF-1200X-80-III-F3LVシステムの管状炉部分に投入し、真空下(真空度-80kPa)、400℃で12時間予備焼成し、次に、1400℃に昇温し、この温度で10時間焼成して、D50=21μmの炭素材料を得た。
Claims (27)
- (1)真密度ρ及び粉末X線回折分析法により得られた層間隔d002は、関係式:120≧100×ρ×d002≧70 式(I)を満たし、
(2)粉末X線回折分析法により得られた層間隔d002、La及びLcは、関係式:0.1≦Lc×d002≦0.58 式(II)、及び
0.1≦100×(Lc/La 2)×d002 3≦0.425 式(III)を満たす、ことを特徴とし、
上記式中、ρの単位はg/cm3、d002、Lc及びLaの単位はすべてnmである、アモルファス炭素材料。 - 100×ρ×d002≦100である、請求項1に記載のアモルファス炭素材料。
- 100×ρ×d 002 ≦86である、請求項2に記載のアモルファス炭素材料。
- L c×d002≧0.3である、請求項1~3のいずれか1項に記載のアモルファス炭素材料。
- L c ×d 002 ≧0.4である、請求項4に記載のアモルファス炭素材料。
- 100×(Lc/La 2)×d002 3≧0.2である、請求項1~5のいずれか1項に記載のアモルファス炭素材料。
- 100×(L c /L a 2 )×d 002 3 ≧0.25である、請求項6に記載のアモルファス炭素材料。
- 熱拡散係数が≧0.09mm2・s-1 である、請求項1~7のいずれか1項に記載のアモルファス炭素材料。
- 熱拡散係数が≧0.1mm 2 ・s -1 である、請求項8に記載のアモルファス炭素材料。
- 粒子径D50が2~50μmである粉末の形態である、請求項1に記載のアモルファス炭素材料。
- 粒子径D 50 が5~30μmである粉末の形態である、請求項10に記載のアモルファス炭素材料。
- 請求項1~11のいずれか1項に記載のアモルファス炭素材料の製造方法であって、
(1)炭素元素含有量>70%の炭素含有材料粉末を提供するステップと、
(2)前記炭素含有材料粉末と界面活性剤を含有する水溶液とを混合し、次に相分離を行い、得た固体を乾燥させ、乾燥粉末を得るステップと、
(3)真空又は不活性雰囲気下、前記乾燥粉末を炭化するステップと、を含む、ことを特徴とする製造方法。 - 前記炭素含有材料粉末の平均粒子径D50は、1~100μmである、請求項12に記載の方法。
- 前記炭素含有材料粉末の平均粒子径D 50 は、3~50μmである、請求項13に記載の方法。
- 炭素含有材料はピッチ、石炭及びコークスのうちの少なくとも1種である、請求項12に記載の方法。
- 前記界面活性剤を含有する水溶液の濃度が0.001~50重量%である、請求項12に記載の方法。
- 前記界面活性剤を含有する水溶液の濃度が0.01~10重量%である、請求項16に記載の方法。
- 前記炭素含有材料粉末100重量部に対して、前記界面活性剤の使用量は0.005~250重量部である、請求項16に記載の方法。
- 前記炭素含有材料粉末100重量部に対して、前記界面活性剤の使用量は0.05~50重量部である、請求項18に記載の方法。
- 前記界面活性剤は、アニオン性界面活性剤及び/又はカチオン性界面活性剤である、請求項12~19のいずれか1項に記載の方法。
- 前記アニオン性界面活性剤は、アラビアガム、カルボキシメチルセルロースナトリウム、C 8 ~C 12 脂肪酸塩、C 12 ~C 20 アルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩及びC 12 ~C 18 脂肪アルコール硫酸塩から選ばれる少なくとも1種である、請求項20に記載の方法。
- 前記カチオン性界面活性剤は、C 10 ~C 22 アルキルトリメチルアンモニウム型カチオン界面活性剤、ジ(C 10 ~C 22 )アルキルジメチルアンモニウム型カチオン界面活性剤及びC 10 ~C 22 アルキルジメチルベンジルアンモニウム型カチオン界面活性剤から選ばれる少なくとも1種である、請求項20に記載の方法。
- 前記界面活性剤は、アラビアガム、カルボキシメチルセルロースナトリウム、ドデシルジメチルベンジルアンモニウムクロリド及びセチルトリメチルアンモニウムクロリドから選ばれる少なくとも1種である、請求項20に記載の方法。
- ステップ(3)では、前記炭化は、温度が900~1600℃、時間が1~20時間であり、
あるいは、ステップ(3)の炭化処理を行う前に、前記乾燥粉末を真空又は不活性雰囲気下、400~800℃の温度で1~12時間予備焼成するステップをさらに含む、請求項12~23のいずれか1項に記載の方法。 - ステップ(1)とステップ(3)の間の任意の段階でボールミリングを行い、炭化処理用の粉末の平均粒子径D50を1~50μmにするステップをさらに含む、請求項12~24のいずれか1項に記載の方法。
- 炭化処理用の粉末の平均粒子径D 50 を2~30μmにする、請求項25に記載の方法。
- 請求項1~11のいずれか1項に記載のアモルファス炭素材料の機械部品材料、電池電極材料又は熱伝導材料としての使用。
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