Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP7130524B2 - 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP7130524B2 - 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法 - Google Patents

基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7130524B2
JP7130524B2 JP2018201548A JP2018201548A JP7130524B2 JP 7130524 B2 JP7130524 B2 JP 7130524B2 JP 2018201548 A JP2018201548 A JP 2018201548A JP 2018201548 A JP2018201548 A JP 2018201548A JP 7130524 B2 JP7130524 B2 JP 7130524B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
substrate
unit
liquid
processing conditions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018201548A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020068344A (ja
Inventor
純 野中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2018201548A priority Critical patent/JP7130524B2/ja
Priority to TW108136810A priority patent/TWI820233B/zh
Priority to KR1020190129413A priority patent/KR102720787B1/ko
Priority to US16/658,428 priority patent/US11282727B2/en
Priority to CN201911004885.1A priority patent/CN111106035A/zh
Publication of JP2020068344A publication Critical patent/JP2020068344A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7130524B2 publication Critical patent/JP7130524B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/65—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials
    • H10P14/6502—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed before formation of the materials
    • H10P14/6508—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed before formation of the materials by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H10P72/0411—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H10P72/0414—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
    • H10P72/0604—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H10P72/0422—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H10P72/0424—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
    • H10P72/0602—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
    • H10P72/0606—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
    • H10P72/0612—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/20—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
    • H10P74/203—Structural properties, e.g. testing or measuring thicknesses, line widths, warpage, bond strengths or physical defects
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/23—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/90—Thermal treatments, e.g. annealing or sintering
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Program-control systems
    • G05B19/02—Program-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G05B2219/32177—Computer assisted quality surveyance, caq
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G05B2219/32368—Quality control
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Multi-Process Working Machines And Systems (AREA)

Description

開示の実施形態は、基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法に関する。
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板を処理液などで処理する技術が知られている（特許文献１参照）。
特開２０１５－２１１２０１号公報
本開示は、実際の処理条件が基準の処理条件からずれた場合でも、所望の通りに基板を処理することができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置の制御装置は、読出部と、推定部と、比較部と、補正部と、を備える。読出部は、基板を処理する基準の処理条件を読み出す。推定部は、前記基板が処理される際の実際の処理条件を推定する。比較部は、前記基準の処理条件と前記実際の処理条件とを比較する。補正部は、前記比較部での比較結果に基づいて前記基板の処理条件を補正する。
本開示によれば、実際の処理条件が基準の処理条件からずれた場合でも、所望の通りに基板を処理することができる。
図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す模式図である。 図２は、処理ユニットの具体的な構成例を示す模式図である。 図３は、実施形態に係る基板処理システムの配管構成を示す模式図である。 図４は、実施形態に係る制御装置の概略構成を示すブロック図である。 図５は、実施形態に係る制御処理の具体例を説明するための図である。 図６は、実施形態に係る制御処理の別の具体例を説明するための図である。 図７は、実施形態に係る制御処理の別の具体例の詳細を説明するための図（１）である。 図８は、実施形態に係る制御処理の別の具体例の詳細を説明するための図（２）である。 図９は、実施形態に係る制御処理の別の具体例の詳細を説明するための図（３）である。 図１０は、実施形態の変形例に係る基板処理システムの配管構成を示す模式図である。 図１１は、実施形態の変形例に係る制御装置の概略構成を示すブロック図である。 図１２は、実施形態の変形例に係る制御処理の具体例を説明するための図である。 図１３は、実施形態の変形例に係る制御処理の別の具体例を説明するための図である。 図１４は、実施形態に係る基板処理システムの制御装置が実行する制御処理の手順を示すフローチャートである。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板を処理液などで処理する技術が知られている。かかる基板処理では、基板処理装置の装置レイアウトなどに起因して、所望する基準の処理条件から実際の処理条件がずれてしまう場合がある。これにより、基板を所望の通りに処理することが困難な場合があった。
そこで、実際の処理条件が基準の処理条件からずれた場合でも、所望の通りに基板を処理することができることが期待されている。
＜基板処理システムの概要＞
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。なお、基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。制御装置４の詳細については後述する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
＜処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、処理ユニット１６の具体的な構成例を示す模式図である。図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板処理部３０と、液供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
チャンバ２０は、基板処理部３０と、液供給部４０と、回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
基板処理部３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備え、載置されたウェハＷに液処理を施す。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。
かかる基板処理部３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
基板処理部３０が備える保持部３１の上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１１が設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１１によって保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。なお、ウェハＷは、基板処理が行われる表面を上方に向けた状態で保持部３１に保持される。
液供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。液供給部４０は、ノズル４１と、かかるノズル４１を水平に支持するアーム４２と、アーム４２を旋回および昇降させる旋回昇降機構４３とを備える。
ノズル４１は、吐出ライン１３０に接続される。ノズル４１からは、吐出ライン１３０を介して供給される各種の処理液が吐出される。かかる吐出ライン１３０を含めた基板処理システム１の配管構成については後述する。
なお、実施形態の処理ユニット１６では、ノズルが１つ設けられる例について示したが、処理ユニット１６に設けられるノズルの数は１つに限られない。また、実施形態の処理ユニット１６では、ノズル４１がウェハＷの上方（表面側）に配置された例について示したが、ノズル４１がウェハＷの下方（裏面側）に配置されていてもよい。
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
＜基板処理システムの配管構成＞
次に処理ユニット１６に接続される基板処理システム１の配管構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る基板処理システム１の配管構成を示す模式図である。
図３の例では、処理ユニット１６が３つ（処理ユニット１６ａ、１６ｂ、１６ｃ）配置された場合について示している。そして、３つの処理ユニット１６ａ～１６ｃに対して、処理液供給部１００から処理液が供給され、ＤＩＷ供給部１１０からＤＩＷ（DeIonized Water：脱イオン水）が供給される。
処理液供給部１００は、酸性薬液やアルカリ性薬液、有機溶剤などの各種処理液を処理ユニット１６ａ～１６ｃに供給する。処理液供給部１００は、処理液供給源１０１と、供給ライン１０２と、ヒータ１０３とを有する。そして、処理液供給源１０１から供給ライン１０２に供給された処理液は、ヒータ１０３で所望の温度に昇温されて、供給ライン１０２の下流側に流される。
供給ライン１０２は、上流側から順に分岐部１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃを有する。そして、分岐部１０４ａからは分岐ライン１０５ａが分岐され、分岐部１０４ｂからは分岐ライン１０５ｂが分岐され、分岐部１０４ｃからは分岐ライン１０５ｃが分岐される。
また、分岐ライン１０５ａは合流部１２０ａに接続され、分岐ライン１０５ｂは合流部１２０ｂに接続され、分岐ライン１０５ｃは合流部１２０ｃに接続される。そして、分岐ライン１０５ａには流量調整器１０６ａが設けられ、分岐ライン１０５ｂには流量調整器１０６ｂが設けられ、分岐ライン１０５ｃには流量調整器１０６ｃが設けられる。
ＤＩＷ供給部１１０は、ＤＩＷを処理ユニット１６ａ～１６ｃに供給する。ＤＩＷ供給部１１０は、ＤＩＷ供給源１１１と、供給ライン１１２と、ヒータ１１３とを有する。そして、ＤＩＷ供給源１１１から供給ライン１１２に供給されたＤＩＷは、ヒータ１１３で所望の温度に昇温されて、供給ライン１１２の下流側に流される。
供給ライン１１２は、上流側から順に分岐部１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを有する。そして、分岐部１１４ａから分岐ライン１１５ａが分岐され、分岐部１１４ｂから分岐ライン１１５ｂが分岐され、分岐部１１４ｃから分岐ライン１１５ｃが分岐される。
また、分岐ライン１１５ａは合流部１２０ａに接続され、分岐ライン１１５ｂは合流部１２０ｂに接続され、分岐ライン１１５ｃは合流部１２０ｃに接続される。そして、分岐ライン１１５ａには流量調整器１１６ａが設けられ、分岐ライン１１５ｂには流量調整器１１６ｂが設けられ、分岐ライン１１５ｃには流量調整器１１６ｃが設けられる。
合流部１２０ａでＤＩＷと合流した処理液は、流量調整器１０６ａ、１１６ａを用いることにより所望の濃度に調整され、吐出ライン１３０ａに供給される。なお、合流部１２０ａで処理液の流れを止めることにより、吐出ライン１３０ａにＤＩＷのみを供給することもでき、合流部１２０ａでＤＩＷの流れを止めることにより、吐出ライン１３０ａに処理液のみを供給することもできる。
そして、吐出ライン１３０ａに設けられたバルブ１３１ａが所定時間開放されることによって、処理ユニット１６ａに配置されたウェハＷ（図２参照）に対して処理液が吐出される。また、吐出ライン１３０ａには温度センサ１３２ａが設けられ、吐出ライン１３０ａを流れる処理液の温度を測定することができる。
合流部１２０ｂでＤＩＷと合流した処理液は、流量調整器１０６ｂ、１１６ｂを用いることにより所望の濃度に調整され、吐出ライン１３０ｂに供給される。なお、合流部１２０ｂで処理液の流れを止めることにより、吐出ライン１３０ｂにＤＩＷのみを供給することもでき、合流部１２０ｂでＤＩＷの流量を流れを止めることにより、吐出ライン１３０ｂに処理液のみを供給することもできる。
そして、吐出ライン１３０ｂに設けられたバルブ１３１ｂが所定時間開放されることによって、処理ユニット１６ｂに配置されたウェハＷに対して処理液が吐出される。また、吐出ライン１３０ｂには温度センサ１３２ｂが設けられ、吐出ライン１３０ｂを流れる処理液の温度を測定することができる。
合流部１２０ｃでＤＩＷと合流した処理液は、流量調整器１０６ｃ、１１６ｃを用いることにより所望の濃度に調整され、吐出ライン１３０ｃに供給される。なお、合流部１２０ｃで処理液の流れを止めることにより、吐出ライン１３０ｃにＤＩＷのみを供給することもでき、合流部１２０ｃでＤＩＷの流れを止めることにより、吐出ライン１３０ｃに処理液のみを供給することもできる。
そして、吐出ライン１３０ｃに設けられたバルブ１３１ｃが所定時間開放されることによって、処理ユニット１６ｃに配置されたウェハＷに対して処理液が吐出される。また、吐出ライン１３０ｃには温度センサ１３２ｃが設けられ、吐出ライン１３０ｃを流れる処理液の温度を測定することができる。
＜制御装置の詳細＞
次に、基板処理システム１を制御する制御装置４の詳細について、図４を参照しながら説明する。図４は、実施形態に係る制御装置４の概略構成を示すブロック図である。上述したように、制御装置４は、制御部１８と記憶部１９とを備える。
記憶部１９は、たとえば、ＲＡＭ（Random Access Memory)、フラッシュメモリ（Flash Memory）等の半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。図４に示すように、記憶部１９は、レイアウト情報記憶部１９ａと、補正データベース１９ｂとを有する。
レイアウト情報記憶部１９ａは、基板処理システム１の装置レイアウトに関する各種情報を記憶する。レイアウト情報記憶部１９ａには、たとえば、図３に示した基板処理システム１の配管構成、処理ユニット１６の数や設置位置などの情報が記憶されている。
補正データベース１９ｂには、ウェハＷの処理条件に含まれる様々なパラメータのうち、１つのパラメータの値が基準の値からずれた場合に、ずれたパラメータとは異なるパラメータをどう補正すれば所望の処理を継続して実施できるかについての情報が記憶される。なお、ウェハＷの処理条件に含まれる様々なパラメータとは、たとえば、処理液の温度や流量、濃度、処理時間などである。
補正データベース１９ｂには、たとえば、処理液の温度が基準の値からずれた場合に、温度とは異なるパラメータである処理液の流量や濃度、処理時間などをそれぞれどの程度の値で補正すれば所望の処理を継続して実施できるかについての情報が記憶されている。
具体的には、補正データベース１９ｂには、ウェハＷの処理条件に含まれる複数のパラメータの間の相関関係を示す情報（たとえば、相関式）が記憶されている。補正データベース１９ｂに含まれる情報は、基板処理システム１を用いた実験などであらかじめ求めておくことができる。
制御部１８は、たとえば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＭＰＵ（Micro Processing Unit）などによって、記憶部１９に記憶されている各種プログラムがＲＡＭを作業領域として実行されることにより実現される。また、制御部１８は、たとえば、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）やＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等の集積回路により実現される。
図４に示すように、制御部１８は、読出部１８ａと、推定部１８ｂと、比較部１８ｃと、補正部１８ｄとを備え、以下に説明する制御処理の機能や作用を実現または実行する。なお、制御部１８の内部構成は、図４に示した構成に限られず、後述する制御処理を行う構成であれば他の構成であってもよい。
読出部１８ａは、ウェハＷを処理する基準の処理条件を読み出す。読出部１８ａは、たとえば、所望の通りにウェハＷを処理するために、作業者が設定したレシピに含まれる処理条件を基準の処理条件として読み出す。かかる基準の処理条件には、処理液の温度や流量、濃度、処理時間などの様々なパラメータが含まれる。
推定部１８ｂは、ウェハＷが処理される際の実際の処理条件を推定する。たとえば、推定部１８ｂは、レイアウト情報記憶部１９ａに記憶された基板処理システム１の装置レイアウトに基づいて、実際の処理条件を推定する。また、推定部１８ｂは、基板処理システム１に設置されたセンサ（たとえば、温度センサ１３２ａ～１３２ｃ）からの情報に基づいて、実際の処理条件を推定してもよい。
比較部１８ｃは、読出部１８ａで読み出されたウェハＷを処理する基準の処理条件と、推定部１８ｂで推定されたウェハＷが処理される際の実際の処理条件とを比較する。これにより、比較部１８ｃは、基準の処理条件に含まれるパラメータのうち、実際の処理条件において値がずれたパラメータについての情報を得ることができる。
補正部１８ｄは、比較部１８ｃでの比較結果に基づいて、ウェハＷの処理条件を補正する。具体的には、補正部１８ｄは、比較部１８ｃで得られた実際の処理条件において値がずれたパラメータについての情報と、補正データベース１９ｂに記憶された情報とに基づいて、ウェハＷの処理条件を補正する。
そして、補正部１８ｄは、基準の処理条件に含まれる複数のパラメータのうち、実際の処理条件からずれているパラメータとは異なるパラメータを補正する。
＜制御処理の具体例＞
次に、ここまで説明した制御処理の具体例について、図５～図９を参照しながら説明する。図５は、実施形態に係る制御処理の具体例を説明するための図である。ここでは、複数の処理ユニット１６ａ～１６ｃにおいて、それぞれウェハＷが処理液で処理される場合について説明する。
まず、読出部１８ａは、所望の通りにウェハＷを処理するために、作業者が設定したレシピに含まれる処理条件を基準の処理条件として読み出す。次に、図５に示すように、推定部１８ｂは、処理ユニット１６ｃにおいてウェハＷに吐出される処理液の温度の低下を推定する（ステップＳ１）。
なぜなら、処理ユニット１６ｃは処理ユニット１６ａ、１６ｂに比べて処理液供給部１００およびＤＩＷ供給部１１０の下流側に接続されていることから、処理ユニット１６ａ、１６ｂに比べて処理液の温度が低下してしまう場合があるからである。
かかる処理ユニット１６ｃにおける処理液の温度低下は、たとえば、レイアウト情報記憶部１９ａに含まれる基板処理システム１の装置レイアウト情報に基づいて推定することができる。かかる基板処理システム１の装置レイアウト情報は、たとえば、処理ユニット１６ｃが処理液供給部１００やＤＩＷ供給部１１０、その他の処理ユニット１６ａ、１６ｂなどに対してどの位置に設置されているかを示す処理ユニット１６ｃの設置位置情報である。また、処理ユニット１６ｃにおける処理液の温度低下は、吐出ライン１３０ｃに設けられる温度センサ１３２ｃからの情報に基づいて推定してもよい。
次に、比較部１８ｃは、読出部１８ａで読み出された基準の処理条件と、推定部１８ｂで推定された実際の処理条件とを比較する。これにより、比較部１８ｃは、処理ユニット１６ｃにおいて、実際の処理液の温度が基準の処理液の温度より低下することについての情報を得ることができる。
次に、補正部１８ｄは、処理ユニット１６ｃにおける処理液の温度低下についての情報に基づいて、バルブ１３１ｃを制御することにより処理液の処理時間を補正する（ステップＳ２ａ）。たとえば、処理液がエッチング液である場合には、処理液の温度が低下するとエッチングレートが低下することから、処理時間が基準の値より長くなるように補正することにより、所望のエッチング量を得ることができる。
また、補正部１８ｄは、処理ユニット１６ｃにおける処理液の温度低下についての情報に基づいて、流量調整器１０６ｃ、１１６ｃを制御することにより処理液の濃度を補正してもよい（ステップＳ２ｂ）。たとえば、処理液がエッチング液である場合には、処理液の濃度が基準の値より高くなるように補正することにより、所望のエッチング量を得ることができる。
なお、上述の処理時間の補正処理（ステップＳ２ａ）と濃度の補正処理（ステップＳ２ｂ）とは、いずれか一つだけを選んで実施してもよいし、両方の処理をともに実施してもよい。
ここまで説明したように、実施形態では、処理条件に含まれるパラメータが基準の値からずれたことを推定し、かかる推定に基づいて実際の処理条件を補正する。これにより、実際の処理条件が基準の処理条件からずれた場合でも、所望の通りにウェハＷを処理することができる。
また、実施形態では、基板処理システム１の装置レイアウトに基づいて実際の処理条件を推定することにより、作業者などが基準の値からパラメータがずれたことを認識できないような場合でも、基準の値からのずれを推定することができる。
また、実施形態では、基板処理システム１に設置されたセンサ（ここでは、温度センサ１３２ｃ）からの情報に基づいて実際の処理条件を推定することにより、さらに正確に基準の値からのずれを推定することができる。
また、実施形態では、実際の処理条件からずれているパラメータとは異なるパラメータを補正することにより、装置構成によっては補正できないパラメータが基準の値からずれた場合でも、所望の通りにウェハＷを処理することができる。
なお、上述の実施形態では、処理液がエッチング液である場合について示したが、処理液はエッチング液に限られず、どのような種類の処理液であってもよい。また、基準の値より処理液の温度が低下した場合について示したが、基準の値より処理液の温度が上昇した場合に上記実施形態を適用してもよい。
たとえば、高温の処理液でウェハＷを連続的に処理した場合に、処理ユニット１６ｃの温度が蓄熱により上昇することから、かかる処理ユニット１６ｃの温度上昇に伴って処理液の温度が上昇する場合がある。
この場合にも、上述した処理時間の補正処理（ステップＳ２ａ）および濃度の補正処理（ステップＳ２ｂ）の少なくとも一方を実施することにより、所望の通りにウェハＷを処理することができる。
たとえば、処理液であるエッチング液の温度が上昇するとエッチングレートが増加することから、処理時間が基準の値より短くなるように補正する、または処理液の濃度が基準の値より低くなるように補正することにより、所望のエッチング量を得ることができる。
図６は、実施形態に係る制御処理の別の具体例を説明するための図である。たとえば、ウェハＷの裏面を洗浄処理する場合に、洗浄液である処理液とＤＩＷとを同じ裏面ノズルで吐出して処理するほうが処理液による裏面ノズルの汚染リスクを抑制することができる。
かかるウェハＷ裏面の洗浄処理では、まず分岐ライン１０５ａ側の合流部１２０ａを開けて処理液を処理ユニット１６ａに供給し、次に分岐ライン１１５ａ側の合流部１２０ａを開けてＤＩＷを処理ユニット１６ａに供給する。
しかしながら、処理液を供給するために分岐ライン１０５ａ側の合流部１２０ａを開けても、吐出ライン１３０ａの合流部１２０ａより下流側には前回のリンス処理で用いたＤＩＷが残った状態となる。そのため、分岐ライン１０５ａ側の合流部１２０ａを開けて処理液を供給する際には、合流部１２０ａより下流側に残ったＤＩＷがまず裏面ノズルから吐出される。したがって、実際の処理液の処理時間は、設定された処理液の処理時間より短くなる。
なお、処理液を供給した後に分岐ライン１０５ａ側の合流部１２０ａを閉めると、合流部１２０ａより下流側には処理液が残った状態となるため、次にＤＩＷを吐出する際には残った処理液がまず裏面ノズルから吐出される。したがって、ＤＩＷと処理液との吐出流量が同じ場合には、実質的な処理時間は変わらない。
一方で、ＤＩＷの吐出流量が処理液の吐出流量より大きい場合、処理液による液処理のほうがＤＩＷによるリンス処理より早く終わるため、かかる処理液による液処理の実際の処理時間は基準の処理時間より短くなる。
そこで、図６の例では、推定部１８ｂが、この処理時間の違いを基板処理システム１の装置レイアウト情報に基づいて推定する（ステップＳ１１）。かかる基板処理システム１の装置レイアウト情報は、たとえば、処理ユニット１６の配管情報であり、具体的には、処理ユニット１６内のウェハＷに供給される処理液およびＤＩＷが同一ノズルで吐出されるかどうかを示すノズルアサイン情報である。そして、かかる処理時間の違いに基づいて、補正部１８ｄは、流量調整器１０６ａまたは流量調整器１１６ａを制御することにより処理液またはＤＩＷの流量を補正する（ステップＳ１２）。
ここで、かかる図６の例における処理の具体例について、図７～図９を参照しながら説明する。図７～図９は、実施形態に係る制御処理の別の具体例の詳細を説明するための図（１）～（３）である。
図７では、ウェハＷに供給される処理液およびＤＩＷを別ノズルで吐出する例について示す。すなわち、図７の（ａ）に示すように、処理液が吐出ライン１３０ａの先端に設けられる裏面ノズル４１ａからウェハＷの裏面に吐出され、ＤＩＷが別途設けられる吐出ライン１３５の先端に設けられる裏面ノズル４１ｂからウェハＷの裏面に吐出される。
なお、図示はしていないが、吐出ライン１３５はＤＩＷ供給部１１０に接続される。そして、かかる吐出ライン１３５に設けられるバルブ１３６を制御することにより、裏面ノズル４１ｂからＤＩＷを吐出することができる。
また、図７～図９においては、理解の容易のため、配管内において処理液で満たされている部位には斜線のハッチングを付し、ＤＩＷで満たされている部位にはドットのハッチングを付する。
まず、図７の（ｂ）に示すように、合流部１２０ａなどを制御することにより、裏面ノズル４１ａに処理液を供給する液処理が実施される。なお、かかる液処理では、あらかじめユーザなどにより設定されることによって、処理液が１０００ｍＬ／ｍｉｎの流量で裏面ノズル４１ａから吐出され、３秒吐出されるとする。
次に、図７の（ｃ）に示すように、バルブ１３６などを制御することにより、裏面ノズル４１ｂにＤＩＷを供給するリンス処理が実施される。なお、かかるリンス処理では、あらかじめユーザなどにより設定されることによって、ＤＩＷが１５００ｍＬ／ｍｉｎの流量で吐出され、所定の時間吐出されるとする。
図７に示すように、液処理とリンス処理を別ノズルで実施した場合、液処理およびリンス処理の設定された処理時間と実際の処理時間とが一致する。そして、図７のように、液処理およびリンス処理の設定された処理時間と実際の処理時間とが一致するハード構成で実施した場合の処理時間を、基準の処理時間とする。
そして、図７のような別ノズルで実施される処理を、同一ノズルである裏面ノズル４１ａにより同一の設定条件で行った場合について図８に示す。なお、図８の（ａ）に示すように、前回の処理でＤＩＷによるリンス処理が行われていることから、液処理の開始前には、吐出ライン１３０ａがＤＩＷで満たされている。
まず、図８の（ｂ）に示すように、合流部１２０ａなどを制御することにより、裏面ノズル４１ａに処理液を供給する液処理が実施される。なお、かかる液処理では、図７の例と同様に、あらかじめユーザなどにより設定されることによって、処理液が１０００ｍＬ／ｍｉｎの流量で吐出され、３秒吐出されるとする。
しかしながら、かかる液処理の開始前には吐出ライン１３０ａがＤＩＷで満たされていることから、図８の（ｂ）に示すように、液処理では当初、裏面ノズル４１ａからＤＩＷが吐出される。そして、図８の（ｃ）に示すように、吐出ライン１３０ａが処理液で満たされた後に、裏面ノズル４１ａから処理液が吐出される。
次に、図８の（ｄ）に示すように、合流部１２０ａなどを制御することにより、裏面ノズル４１ａにＤＩＷを供給するリンス処理が実施される。なお、かかるリンス処理では、図７の例と同様に、あらかじめユーザなどにより設定されることによって、ＤＩＷが１５００ｍＬ／ｍｉｎの流量で吐出され、所定の時間吐出されるとする。
しかしながら、かかるリンス処理の開始前には吐出ライン１３０ａが処理液で満たされていることから、図８の（ｄ）に示すように、リンス処理では当初、裏面ノズル４１ａから処理液が吐出される。そして、図８の（ｅ）に示すように、吐出ライン１３０ａがＤＩＷで満たされた後に、裏面ノズル４１ａからＤＩＷが吐出される。
そして、リンス処理では当初、裏面ノズル４１ａから処理液が吐出されるが、かかるリンス処理は流量１５００ｍＬ／ｍｉｎで実施されている。このため、吐出ライン１３０ａに残留する処理液が吐出される時間は、流量１０００ｍＬ／ｍｉｎで吐出される時間よりも短くなる。
したがって、液処理の後半部分およびリンス処理の前半部分で吐出される処理液の吐出時間は合計で２秒となり、図７の例に示した基準の処理時間３秒より短くなる。すなわち、処理液を３秒吐出して液処理を実施したいにもかかわらず、設定された処理時間よりも短い時間である２秒しか処理液が吐出されないことから、所望の液処理が実施できない恐れがある。
そこで、実施形態では、処理ユニット１６内のウェハＷに供給される処理液およびＤＩＷが同一ノズルで吐出されるかどうかを示すノズルアサイン情報に基づいて、処理時間の違いを推定し、流量を補正することにより所望の液処理が行われるようにした。かかる補正処理の具体例を図９に示す。
図９の（ａ）に示すように、前回の処理でＤＩＷによるリンス処理が行われていることから、液処理の開始前には、吐出ライン１３０ａがＤＩＷで満たされている。
まず、図９の（ｂ）に示すように、合流部１２０ａなどを制御することにより、裏面ノズル４１ａに処理液を供給する液処理が実施される。なお、かかる液処理では、図７の例と同様に、あらかじめユーザなどにより設定されることによって、処理液が１０００ｍＬ／ｍｉｎの流量で吐出され、３秒吐出されるとする。
しかしながら、かかる液処理の開始前には吐出ライン１３０ａがＤＩＷで満たされていることから、図９の（ｂ）に示すように、液処理では当初、裏面ノズル４１ａからＤＩＷが吐出される。そして、図９の（ｃ）に示すように、吐出ライン１３０ａが処理液で満たされた後に、裏面ノズル４１ａから処理液が吐出される。
次に、図９の（ｄ）および図９の（ｅ）に示すように、合流部１２０ａなどを制御することにより、裏面ノズル４１ａにＤＩＷを供給するリンス処理が実施される。
ここで、実施形態では、図９の（ｄ）に示すように、補正部１８ｄが、かかるリンス処理において、処理液が吐出ライン１３０ａから無くなるまでの間、流量を液処理と同じ条件である１０００ｍＬ／ｍｉｎに補正する。そして、図９の（ｅ）に示すように、補正部１８ｄが、処理液が吐出ライン１３０ａから無くなった後に、流量を所望の流量である１５００ｍＬ／ｍｉｎに戻す。
これにより、液処理の後半部分およびリンス処理の前半部分で吐出される処理液の吐出時間を合計で３秒とすることができ、図７の例に示した基準の処理時間３秒と揃えることができる。
ここまで説明したように、処理液とＤＩＷとを同一ノズルである裏面ノズル４１ａで吐出して処理する場合に、処理液またはＤＩＷの処理時間が基準の値と異なっていても、所望の通りにウェハＷを処理することができる。
＜変形例＞
つづいて、実施形態の変形例に係る基板処理システム１の配管構成について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、実施形態の変形例に係る基板処理システム１の配管構成を示す模式図である。
図１０に示すように、変形例に係る基板処理システム１は、処理ユニット１６ａ～１６ｃで使用した処理液を回収ライン１６０を介してタンク１４３に回収し、処理液を再利用する点が実施形態と異なる。そこで、実施形態と同様の部位については同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。
変形例に係る基板処理システム１は、各種の処理液がＤＩＷで所定の濃度に調製された処理液を処理ユニット１６ａ～１６ｃに供給する供給部１４０を備える。かかる供給部１４０は、処理液供給部１４１と、ＤＩＷ供給部１４２と、タンク１４３と、循環ライン１４４とを有する。
処理液供給部１４１は、各種の処理液をタンク１４３に供給する。かかる処理液供給部１４１は、処理液供給源１４１ａと、バルブ１４１ｂと、流量調整器１４１ｃとを有する。ＤＩＷ供給部１４２は、ＤＩＷをタンク１４３に供給する。かかるＤＩＷ供給部１４２は、ＤＩＷ供給源１４２ａと、バルブ１４２ｂと、流量調整器１４２ｃとを有する。
タンク１４３は、処理液供給部１４１とＤＩＷ供給部１４２とを用いることにより、各種の処理液がＤＩＷで所定の濃度に調製された処理液を貯留する。また、タンク１４３は、バルブ１４３ａを介してドレン部に接続される。これにより、制御部１８は、タンク１４３内の処理液を交換する際などに、バルブ１４３ａを制御して、タンク１４３内の処理液をドレン部に排出することができる。
循環ライン１４４は、タンク１４３から出て、かかるタンク１４３に戻る循環ラインである。かかる循環ライン１４４には、タンク１４３を基準として、上流側から順にポンプ１４５と、フィルタ１４６と、流量調整器１４７と、濃度センサ１４８と、分岐部１４９ａ～１４９ｃとが設けられる。
ポンプ１４５は、タンク１４３から出て、循環ライン１４４を通り、タンク１４３に戻る処理液の循環流を形成する。フィルタ１４６は、循環ライン１４４内を循環する処理液に含まれるパーティクルなどの汚染物質を除去する。流量調整器１４７は、循環ライン１４４を通る処理液の循環流の流量を調整する。濃度センサ１４８は、循環ライン１４４を通る処理液の濃度を測定する。
分岐部１４９ａからは吐出ライン１３０ａが分岐され、分岐部１４９ｂからは吐出ライン１３０ｂが分岐され、分岐部１４９ｃからは吐出ライン１３０ｃが分岐される。吐出ライン１３０ａにはバルブ１３１ａと、流量センサ１３３ａと、ヒータ１３４ａとが設けられる。吐出ライン１３０ｂにはバルブ１３１ｂと、流量センサ１３３ｂと、ヒータ１３４ｂとが設けられる。吐出ライン１３０ｃにはバルブ１３１ｃと、流量センサ１３３ｃと、ヒータ１３４ｃとが設けられる。
また、処理ユニット１６ａ～１６ｃの排液口５１（図２参照）は、共通の回収ライン１６０を介してタンク１４３に接続される。
図１１は、実施形態の変形例に係る制御装置４の概略構成を示すブロック図である。変形例に係る制御装置４の内部構成は、図４に示した実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
一方で、図１１に示す変形例では、推定部１８ｂが流量センサ１３３ａ～１３３ｃからの情報と、濃度センサ１４８からの情報とを受け取る。また、変形例では、補正部１８ｄがバルブ１３１ａ～１３１ｃと、ヒータ１３４ａ～１３４ｃとを制御する。
次に、変形例に係る制御処理の具体例について、図１２および図１３を参照しながら説明する。図１２は、実施形態の変形例に係る制御処理の具体例を説明するための図である。
変形例に係る基板処理システム１のように、処理ユニット１６ａ～１６ｃに供給した処理液を回収ライン１６０で回収して再利用する装置レイアウトでは、ウェハＷを処理するにしたがい循環ライン１４４から供給される処理液の濃度が徐々に上昇する場合がある。
そこで、図１２の例では、推定部１８ｂが、循環ライン１４４を流れる処理液の濃度の上昇を推定する（ステップＳ２１）。かかる循環ライン１４４を流れる処理液の濃度上昇は、たとえば、循環ライン１４４に設けられる濃度センサ１４８からの情報に基づいて推定することができる。
また、循環ライン１４４を流れる処理液の濃度上昇は、レイアウト情報記憶部１９ａに含まれる基板処理システム１の装置レイアウト情報に基づいて推定してもよい。
そして、循環ライン１４４を流れる処理液の濃度上昇についての情報に基づいて、補正部１８ｄは、ヒータ１３４ａを制御することにより処理液の温度を補正する（ステップＳ２２ａ）。たとえば、処理液がエッチング液である場合には、処理液の濃度が上昇するとエッチングレートが増加することから、処理液の温度が基準の値より低くなるように補正することにより、所望のエッチング量を得ることができる。
また、補正部１８ｄは、循環ライン１４４を流れる処理液の濃度上昇についての情報に基づいて、バルブ１３１ａを制御することにより処理液の処理時間を補正してもよい（ステップＳ２２ｂ）。たとえば、処理液がエッチング液である場合には、処理液の処理時間が基準の値より短くなるように補正することにより、所望のエッチング量を得ることができる。
図１３は、実施形態の変形例に係る制御処理の別の具体例を説明するための図である。図１３に示すように、推定部１８ｂは、処理ユニット１６ｃにおいてウェハＷに吐出される処理液の流量の低下を推定する（ステップＳ３１）。
なぜなら、処理ユニット１６ｃは処理ユニット１６ａ、１６ｂに比べて循環ライン１４４の下流側に接続されていることから、処理ユニット１６ａ、１６ｂと同時に処理液を使用する場合には、処理液の供給圧力が低下してしまう場合があるからである。
かかる処理ユニット１６ｃにおける処理液の流量低下は、たとえば、レイアウト情報記憶部１９ａに含まれる基板処理システム１の装置レイアウト情報に基づいて推定することができる。また、処理ユニット１６ｃにおける処理液の流量低下は、吐出ライン１３０ｃに設けられる流量センサ１３３ｃからの情報に基づいて推定してもよい。
そして、処理ユニット１６ｃにおける処理液の流量低下についての情報に基づいて、補正部１８ｄは、ヒータ１３４ｃを制御することにより処理液の温度を補正する（ステップＳ３２ａ）。たとえば、処理液がエッチング液である場合には、処理液の流量が低下するとエッチングレートが低下することから、処理液の温度が基準の値より高くなるように補正することにより、所望のエッチング量を得ることができる。
また、補正部１８ｄは、処理ユニット１６ｃにおける処理液の流量低下についての情報に基づいて、バルブ１３１ｃを制御することにより処理液の処理時間を補正してもよい（ステップＳ３２ｂ）。たとえば、処理液がエッチング液である場合には、処理液の処理時間が基準の値より長くなるように補正することにより、所望のエッチング量を得ることができる。
ここまで説明したように、変形例では、実施形態と同様に、処理条件に含まれるパラメータが基準の値からずれたことを推定し、かかる推定に基づいて実際の処理条件を補正する。これにより、実際の処理条件が基準の処理条件からずれた場合でも、所望の通りにウェハＷを処理することができる。
なお、上述の温度の補正処理（ステップＳ２２ａ、Ｓ３２ａ）と処理時間の補正処理（ステップＳ２２ｂ、Ｓ３２ｂ）とは、いずれか一つだけを選んで実施してもよいし、両方の処理をともに実施してもよい。また、図１２の例では、処理ユニット１６ｂ、１６ｃに供給される処理液の濃度も上昇していると推定できることから、上述した処理ユニット１６ａにおける処理と同様の処理を実施することができる。
実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）の制御装置４は、読出部１８ａと、推定部１８ｂと、比較部１８ｃと、補正部１８ｄとを備える。読出部１８ａは、基板（ウェハＷ）を処理する基準の処理条件を読み出す。推定部１８ｂは、基板（ウェハＷ）が処理される際の実際の処理条件を推定する。比較部１８ｃは、基準の処理条件と実際の処理条件とを比較する。補正部１８ｄは、比較部１８ｃでの比較結果に基づいて基板（ウェハＷ）の処理条件を補正する。これにより、実際の処理条件が基準の処理条件からずれた場合でも、所望の通りに基板を処理することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）の制御装置４において、推定部１８ｂは、基板処理装置（基板処理システム１）の装置レイアウトに基づいて実際の処理条件を推定する。これにより、作業者などが基準の値からパラメータがずれたことを認識できないような場合でも、基準の値からのずれを推定することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）の制御装置４において、推定部１８ｂは、基板処理装置（基板処理システム１）に設置されたセンサからの情報に基づいて実際の処理条件を推定する。これにより、さらに正確に基準の値からのずれを推定することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）の制御装置４において、補正部１８ｄは、基準の処理条件に含まれる複数のパラメータのうち、実際の処理条件からずれているパラメータとは異なるパラメータを補正する。これにより、装置構成によっては補正できないパラメータが基準の値からずれた場合でも、所望の通りにウェハＷを処理することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）の制御装置４において、補正部１８ｄは、基準の処理条件に含まれる複数のパラメータのうち、実際の処理条件から処理液の処理時間がずれている場合に、処理液の温度または濃度を補正する。これにより、処理液の処理時間が基準の値からずれた場合でも、所望の通りに基板を処理することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）の制御装置４において、補正部１８ｄは、基準の処理条件に含まれる複数のパラメータのうち、実際の処理条件から処理液の温度がずれている場合に、処理液の濃度または処理時間を補正する。これにより、処理液の温度が基準の値からずれた場合でも、所望の通りに基板を処理することができる。
＜制御処理の手順＞
つづいて、実施形態に係る制御処理の手順について、図１４を参照しながら説明する。図１４は、実施形態に係る基板処理システム１の制御装置４が実行する制御処理の手順を示すフローチャートである。
最初に、読出部１８ａは、ウェハＷを処理する基準の処理条件を読み出す（ステップＳ１０１）。読出部１８ａは、たとえば、所望の通りにウェハＷを処理するために、作業者が設定したレシピに含まれる処理条件を基準の処理条件として読み出す。
次に、推定部１８ｂは、ウェハＷが処理される際の実際の処理条件を推定する（ステップＳ１０２）。たとえば、推定部１８ｂは、レイアウト情報記憶部１９ａに記憶された基板処理システム１の装置レイアウトに基づいて、実際の処理条件を推定する。また、推定部１８ｂは、基板処理システム１に設置されたセンサからの情報に基づいて、実際の処理条件を推定してもよい。
次に、比較部１８ｃは、読出部１８ａで読み出されたウェハＷを処理する基準の処理条件と、推定部１８ｂで推定されたウェハＷが処理される際の実際の処理条件とを比較する（ステップＳ１０３）。これにより、比較部１８ｃは、基準の処理条件に含まれるパラメータのうち、実際の処理条件において値がずれたパラメータについての情報を得ることができる。
次に、補正部１８ｄは、比較部１８ｃでの比較結果に基づいて、ウェハＷの処理条件を補正する（ステップＳ１０４）。具体的には、補正部１８ｄは、比較部１８ｃで得られた実際の処理条件において値がずれたパラメータについての情報と、補正データベース１９ｂに記憶された情報とに基づいて、ウェハＷの処理条件を補正する。かかるステップＳ１０４が終了すると、一連の処理が完了する。
実施形態に係る基板処理装置の制御方法は、読出工程（ステップＳ１０１）と、推定工程（ステップＳ１０２）と、比較工程（ステップＳ１０３）と、補正工程（ステップＳ１０４）と、を含む。読出工程（ステップＳ１０１）は、基板（ウェハＷ）を処理する基準の処理条件を読み出す。推定工程（ステップＳ１０２）は、基板（ウェハＷ）が処理される際の実際の処理条件を推定する。比較工程（ステップＳ１０３）は、基準の処理条件と実際の処理条件とを比較する。補正工程（ステップＳ１０４）は、比較工程（ステップＳ１０３）での比較結果に基づいて基板（ウェハＷ）の処理条件を補正する。これにより、実際の処理条件が基準の処理条件からずれた場合でも、所望の通りに基板を処理することができる。
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、ウェハＷを液処理する基板処理システム１に本開示を適用した例について示したが、本開示の適用はウェハＷを液処理する装置に限られず、液処理以外の処理を実施する装置に本開示を適用してもよい。
また、上述してきた「部（section、module、unit）」は、「工程」や「手順」、「回路」などに読み替えることができる。たとえば、補正部は、補正工程や補正手順、補正回路に読み替えることができる。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
１８ａ 読出部
１８ｂ 推定部
１８ｃ 比較部
１８ｄ 補正部
１９ 記憶部
１９ａ レイアウト情報記憶部
１９ｂ 補正データベース
１０６ａ～１０６ｃ、１１６ａ～１１６ｃ 流量調整器
１３１ａ～１３１ｃ バルブ
１３２ａ～１３２ｃ 温度センサ
１３３ａ～１３３ｃ 流量センサ
１３４ａ～１３４ｃ ヒータ
１４８ 濃度センサ

Claims (2)

  1. 基板を処理する基準の処理条件を読み出す読出部と、
    前記基板が処理される際の実際の処理条件を推定する推定部と、
    前記基準の処理条件と前記実際の処理条件とを比較する比較部と、
    前記比較部での比較結果に基づいて前記基板の処理条件を補正する補正部と、
    を備え、
    前記推定部は、
    基板処理装置の装置レイアウトおよび前記基板処理装置に設置されたセンサからの情報に基づいて前記実際の処理条件を推定し、
    前記補正部は、
    前記基準の処理条件に含まれる複数のパラメータのうち、前記実際の処理条件から処理液の処理時間がずれている場合に、前記処理液の温度または濃度を補正する
    基板処理装置の制御装置。
  2. 基板を処理する基準の処理条件を読み出す読出工程と、
    前記基板が処理される際の実際の処理条件を推定する推定工程と、
    前記基準の処理条件と前記実際の処理条件とを比較する比較工程と、
    前記比較工程での比較結果に基づいて前記基板の処理条件を補正する補正工程と、
    を含み、
    前記推定工程は、
    基板処理装置の装置レイアウトおよび前記基板処理装置に設置されたセンサからの情報に基づいて前記実際の処理条件を推定し、
    前記補正工程は、
    前記基準の処理条件に含まれる複数のパラメータのうち、前記実際の処理条件から処理液の処理時間がずれている場合に、前記処理液の温度または濃度を補正する
    基板処理装置の制御方法。
JP2018201548A 2018-10-26 2018-10-26 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法 Active JP7130524B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018201548A JP7130524B2 (ja) 2018-10-26 2018-10-26 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法
TW108136810A TWI820233B (zh) 2018-10-26 2019-10-14 基板處理裝置之控制裝置及基板處理裝置之控制方法
KR1020190129413A KR102720787B1 (ko) 2018-10-26 2019-10-17 기판 처리 장치의 제어 장치 및 기판 처리 장치의 제어 방법
US16/658,428 US11282727B2 (en) 2018-10-26 2019-10-21 Control device of substrate processing apparatus and control method of substrate processing apparatus
CN201911004885.1A CN111106035A (zh) 2018-10-26 2019-10-22 基片处理装置的控制装置和基片处理装置的控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018201548A JP7130524B2 (ja) 2018-10-26 2018-10-26 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020068344A JP2020068344A (ja) 2020-04-30
JP7130524B2 true JP7130524B2 (ja) 2022-09-05

Family

ID=70325620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018201548A Active JP7130524B2 (ja) 2018-10-26 2018-10-26 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11282727B2 (ja)
JP (1) JP7130524B2 (ja)
KR (1) KR102720787B1 (ja)
CN (1) CN111106035A (ja)
TW (1) TWI820233B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022151639A (ja) * 2021-03-25 2022-10-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR102726218B1 (ko) * 2021-10-21 2024-11-07 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20250094214A (ko) * 2023-12-18 2025-06-25 주식회사 테스 기판처리장치 및 기판처리방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001205158A (ja) 2000-01-28 2001-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板浸漬処理装置
JP2004031671A (ja) 2002-06-26 2004-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP2006114590A (ja) 2004-10-13 2006-04-27 Toshiba Corp 半導体基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2017011260A (ja) 2015-06-16 2017-01-12 東京エレクトロン株式会社 処理装置、処理方法および記憶媒体

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3027019B2 (ja) * 1991-03-26 2000-03-27 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JPH11251208A (ja) * 1998-02-26 1999-09-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7047095B2 (en) * 2002-12-06 2006-05-16 Tokyo Electron Limited Process control system and process control method
US7795153B2 (en) * 2003-05-16 2010-09-14 Applied Materials, Inc. Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of selected chamber parameters
JP3872776B2 (ja) * 2003-07-16 2007-01-24 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
US20050244047A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-03 International Business Machines Corporation Stop motion imaging detection system and method
JP4718274B2 (ja) * 2005-08-25 2011-07-06 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置，半導体製造装置の流量補正方法，プログラム
WO2007086511A1 (ja) * 2006-01-30 2007-08-02 Nikon Corporation 処理条件決定方法及び装置、表示方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、基板処理システム、並びにプログラム及び情報記録媒体
US20080110569A1 (en) * 2006-11-09 2008-05-15 Go Miya Plasma etching apparatus and plasma etching method
JP2008218898A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2009033110A (ja) * 2007-06-25 2009-02-12 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法
JP5688227B2 (ja) * 2010-02-26 2015-03-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ エッチング装置、制御シミュレータ、及び半導体装置製造方法
JP6091193B2 (ja) * 2011-12-27 2017-03-08 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置及び処理方法
JP5833046B2 (ja) * 2013-03-12 2015-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置および気流異常検出方法
JP6074338B2 (ja) * 2013-08-27 2017-02-01 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、濃度補正方法及び記憶媒体
TWI630652B (zh) * 2014-03-17 2018-07-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
JP2015211201A (ja) 2014-04-30 2015-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6352133B2 (ja) * 2014-09-26 2018-07-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 位置検出装置、基板処理装置、位置検出方法および基板処理方法
US10261521B2 (en) * 2015-06-16 2019-04-16 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing method, and storage medium
JP6999392B2 (ja) * 2017-02-15 2022-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
CN110326089B (zh) * 2018-01-31 2023-07-04 株式会社日立高新技术 等离子处理方法以及等离子处理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001205158A (ja) 2000-01-28 2001-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板浸漬処理装置
JP2004031671A (ja) 2002-06-26 2004-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP2006114590A (ja) 2004-10-13 2006-04-27 Toshiba Corp 半導体基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2017011260A (ja) 2015-06-16 2017-01-12 東京エレクトロン株式会社 処理装置、処理方法および記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020068344A (ja) 2020-04-30
TWI820233B (zh) 2023-11-01
US20200135515A1 (en) 2020-04-30
TW202029317A (zh) 2020-08-01
CN111106035A (zh) 2020-05-05
KR20200047351A (ko) 2020-05-07
KR102720787B1 (ko) 2024-10-22
US11282727B2 (en) 2022-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI791037B (zh) 液處理裝置及液處理方法
JP7520119B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP7130524B2 (ja) 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法
US8372299B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP7499622B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
US20200261948A1 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium having substrate liquid processing program stored thereon
US11569086B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7681754B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体製造方法
JP7195095B2 (ja) 基板処理装置
TW200537616A (en) Liquid treatment device and liquid treatment method
CN112002654A (zh) 基片处理方法和基片处理装置
JP7126927B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US12044973B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN110349882A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
JP6632453B2 (ja) 液処理装置、液処理装置の制御方法および記憶媒体
JP7203975B2 (ja) 基板処理システム及び処理液調製方法
US20240307821A1 (en) Substrate processing system and substrate processing method
US12420307B2 (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP7229394B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20250246449A1 (en) Liquid supply system, liquid processing apparatus, and liquid supply method
JP2024170984A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2025110732A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2022108088A (ja) 処理液供給システムおよび基板処理装置
CN117497448A (zh) 基板处理装置、供给系统、基板处理方法以及供给方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210810

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220502

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220517

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220707

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220726

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220824

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7130524

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250