JP7184510B2 - 調光フィルム用光透過性導電フィルム及び調光フィルム - Google Patents
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Description
基材フィルムは、高い光透過性を有することが好ましい。基材フィルムの材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリオレフィン、ポリエーテルサルフォン、ポリスルホン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、及びセルロースナノファイバー等が挙げられる。基材フィルムの材料は、樹脂であることが好ましい。光透過性を効果的に高くすることができるので、基材フィルムの材料は、ポリエチレンテレフタレートであることが好ましい。基材フィルムの材料は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
導電層は、光透過性を有する導電性材料により形成されている。上記導電性材料としては、特に限定されないが、例えば、IZO(インジウム亜鉛酸化物)や、ITO(インジウムスズ酸化物)などのIn系酸化物、SnO2、FTO(フッ素ドープ酸化スズ)などのSn系酸化物、AZO(アルミニウム亜鉛酸化物)、GZO(ガリウム亜鉛酸化物)などのZn系酸化物、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、マグネシウム-銀混合物、マグネシウム-インジウム混合物、アルミニウム-リチウム合金、Al/Al2O3混合物、Al/LiF混合物、金等の金属、CuI、Agナノワイヤー(AgNW)、カーボンナノチューブ(CNT)及び導電性透明ポリマーなどが挙げられる。上記導電性材料は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
厚み125μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムの一方側の表面上に、以下のようにして、導電層を形成し、光透過性導電フィルムを得た。
成膜時間を長くし、ITO層の平均厚みを表1に示すように変更したこと以外は参考例1と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
成膜時のチャンバー圧力を0.33Paになるように混合ガスの流量を変更したこと、並びにこの流量の変更に伴ってITO層の平均厚みを表1に示すように変更したこと以外は参考例1と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
成膜時のチャンバー圧力を0.33Paになるように混合ガスの流量を変更したこと、並びにこの流量の変更に伴ってITO層の平均厚みを表1に示すように変更したこと以外は参考例2と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
厚み125μmのPETフィルム上に、Si純度99.9%の多結晶Siの焼結体材料をターゲット材として用いて、ACマグネトロンスパッタリング法により、SiO2膜を形成したこと以外は参考例1と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。具体的には、チャンバー内を5×10-4Pa以下となるまで真空排気した後に、チャンバー内にArガス:95%及び酸素ガス:5%の混合ガスを導入し、厚さ23nmのSiO2膜を堆積させ、このSiO2層の上に表1に示す平均厚みのITO層を成膜した。
成膜時間を長くし、ITO層の平均厚みを表1に示すように変更したこと以外は参考例5と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
基材フィルムを厚み50μmのシクロオレフィンコポリマー(COP)フィルムに変更したこと以外は参考例1と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。参考例7では、平均厚み15.5nmのITO層が形成された。
酸化亜鉛:97重量%及びアルミナ:3重量%の焼結体材料をターゲット材として用いて、SiO2層の上にAZO層を成膜したこと以外は参考例5と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。参考例8では、平均厚み30.1nmのAZO層が形成された。
成膜時間を長くし、AZO層の平均厚みを表1に示すように変更したこと以外は参考例8と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
成膜時間を短くし、ITO層の平均厚みを表1に示すように変更したこと以外は参考例1と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
成膜時間を長くし、ITO層の平均厚みを表1に示すように変更したこと以外は参考例1と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
厚み125μmのPETフィルム上にSi純度99.9%の多結晶Siの焼結体材料をターゲット材として用いて、ACマグネトロンスパッタリング法により、SiO2膜を形成した。具体的には、チャンバー内を5×10-4Pa以下となるまで真空排気した後に、チャンバー内にArガスを導入し、厚さ1nm相当のSiO2膜を堆積させた。このSiO2膜の上に表1に示す平均厚みのITO層を成膜したこと以外は参考例1と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
(1)導電層の平均厚み、及び、導電層の厚みの標準偏差
導電層の厚み(光学膜厚)は、正反射率を測定し、測定値から光学シミュレーションすることで算出した。具体的に、反射率測定に関しては、分光光度計(日立製作所社製「U4100」、又はその同等品)に付属の5°正反射ユニットを取り付け、正反射モードを用いて、入射角を5°として波長:200~800nm(測定範囲)における反射スペクトルを測定した。
表面抵抗は、表面抵抗計(MITSUBISHI CHEMICAL ANALYTECH社製「Loresta-EP」)を用いて、4端子法により測定した。導電層の基材フィルム側とは反対の表面の表面抵抗を10箇所で測定した。10箇所の測定結果の平均値を、導電層の表面抵抗とした。また、導電層の表面抵抗の10箇所の測定結果の最大値と最小値との差の絶対値を求めた。
上記全光線透過率は、ヘーズメーター(日本電色工業社製「NDH 2000」)を用いて、JIS K7105に基づいて、測定した。光透過性導電フィルムの波長550nmにおける全光線透過率を求めた。
上記ヘイズ値は、ヘーズメーター(日本電色工業社製「NDH 2000」)を用いて、JIS K7136に基づいて、測定した。
11…基材フィルム
11a…第1の表面
11b…第2の表面
12…導電層
21…調光フィルム
31…調光層
Claims (9)
- 調光フィルムに用いられ、光透過性を有しかつ導電性を有するフィルムであって、
光透過性を有する基材フィルムと、
前記基材フィルムの第1の表面側に配置されており、かつ光透過性を有する導電層と、
前記基材フィルムと前記導電層との間に配置されたアンダーコート層とを備え、
前記導電層の厚みを、それぞれの測定箇所が10mm以上はなれた10箇所で測定し、前記導電層の表面抵抗を、それぞれの測定箇所が10mm以上はなれた10箇所で測定したときに、
前記導電層の10箇所での厚みを平均した平均厚みが30.3nm以上、35nm以下であり、
前記導電層の10箇所での厚みの標準偏差が1.0nm未満であり、
前記導電層の10箇所での表面抵抗の最大値と最小値との差の絶対値が、3Ω/□以下である、調光フィルム用光透過性導電フィルム。 - 前記導電層の10箇所での厚みの標準偏差が0.42nm以下である、請求項1に記載の調光フィルム用光透過性導電フィルム。
- 前記導電層が、単層の導電層である、請求項1又は2に記載の調光フィルム用光透過性導電フィルム。
- 前記導電層の前記基材フィルム側とは反対の表面の表面粗さが7nm以上20nm以下である調光フィルム用光透過性導電フィルムを除く、請求項1~3のいずれか1項に記載の調光フィルム用光透過性導電フィルム。
- 前記導電層の10箇所での表面抵抗を平均した値が180Ω/□以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の調光フィルム用光透過性導電フィルム。
- 波長550nmにおける全光線透過率が86%以上である、請求項1~5のいずれか1項に記載の調光フィルム用光透過性導電フィルム。
- ヘイズ値が1.3%以下である、請求項1~6のいずれか1項に記載の調光フィルム用光透過性導電フィルム。
- 前記アンダーコート層が、SiO2層である、請求項1~7のいずれか1項に記載の調光フィルム用光透過性導電フィルム。
- 2つの光透過性導電フィルムと、調光層とを備え、
2つの前記光透過性導電フィルムが、請求項1~8のいずれか1項に記載の調光フィルム用光透過性導電フィルムであり、
2つの前記光透過性導電フィルムの前記導電層側の間に、前記調光層が配置されている、調光フィルム。
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