JP7202990B2 - DRAM diagnosis method - Google Patents
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Description
本願は、DRAMの診断方法に関するものである。 The present application relates to a method for diagnosing a DRAM.
半導体メモリの1種であるDRAM(Dynamic Random Access Memory)は、コンピュータなどの電子機器の主記憶装置に用いられている。DRAMに記憶されたデータには、DRAMの故障、製造上の障害、または宇宙線等により意図しないエラーが発生する可能性がある。DRAMに記憶されたデータにエラーがなく正常であることを定期的に確認するために、診断する必要がある。DRAMにおけるエラーの有無を診断する方法としては、システム起動時にマイクロプロセッサがDRAMの全領域に対してメモリの診断プログラムを実行する方法がある。また、起動後のオンライン動作中にメモリの診断プログラムを実行する場合もあるが、通常のリード/ライト動作またはリフレッシュ動作に加えてDRAM診断動作を行うことにより、通常のリード/ライト動作のアクセス性能は低下することになる。 2. Description of the Related Art A DRAM (Dynamic Random Access Memory), which is one type of semiconductor memory, is used as a main memory device of electronic equipment such as a computer. Data stored in the DRAM may have unintended errors due to DRAM failure, manufacturing failure, cosmic rays, or the like. Diagnostics are required to periodically verify that the data stored in the DRAM is error-free and normal. As a method of diagnosing the presence or absence of errors in a DRAM, there is a method in which a microprocessor executes a memory diagnostic program for all areas of the DRAM when the system is started. In some cases, the diagnostic program for the memory is executed during online operation after startup. will decline.
DRAMのアクセス性能低下を防ぐ手段としては、リフレッシュ動作とDRAM診断動作を同時に行う方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。しかしながら、DRAMのリフレッシュ手段であるメモリリードアクセスでDRAMのリフレッシュ及びメモリ診断が同時に行われている場合でも、他のデバイスからのDRAMへのアクセスの要求を待たせるため、DRAMへのアクセス性能を低下させるという課題があった。 As means for preventing the deterioration of DRAM access performance, a method of simultaneously performing a refresh operation and a DRAM diagnostic operation has been disclosed (see, for example, Patent Document 1). However, even when DRAM refresh and memory diagnosis are performed simultaneously by memory read access, which is a DRAM refresh means, access performance to the DRAM is lowered because access requests to the DRAM from other devices are made to wait. I had a problem to make it work.
この課題を解決するために、DRAMを複数のバンクに分け、各バンクにアクセスの要求があった場合、当該バンクのメモリ制御部はメモリバスからのアクセスを行い、リフレッシュ制御部はこのアクセスをトリガにして、アクセス中でない各バンクのDRAMリフレッシュの優先順位が最も高いバンクにリフレッシュ手段であるリードアクセスを行うことによってリフレッシュを行い、さらにリードアクセスで読み出されたデータを使用してデータ診断も行うことにより、DRAMへのアクセス性能が低下することを防止することが開示されている(例えば、特許文献2参照)。 In order to solve this problem, the DRAM is divided into a plurality of banks, and when an access request is received for each bank, the memory control section of the bank performs access from the memory bus, and the refresh control section triggers this access. Then, refresh is performed by performing read access, which is a refresh means, to the bank having the highest DRAM refresh priority among the banks that are not being accessed, and data diagnosis is also performed using the data read by the read access. Thus, it is disclosed that the access performance to the DRAM is prevented from deteriorating (see, for example, Patent Document 2).
上記特許文献2においては、上記特許文献1の課題を解決するために、DRAMを複数のバンクに分け、DRAMへのアクセスがあった場合にアクセスのあったバンク以外の最もリフレッシュ要求の高いバンクに対してリフレッシュ要求を出すことを可能としている。しかしながら、アクセスされたバンク自身のリフレッシュ要求が高かった場合には、結局アクセスが待たされてしまうという課題があった。
In
本願は上述のような課題を解決するためになされたものであり、DRAMのいかなる領域に対するアクセスが発生した場合においても、DRAMへのアクセス性能を低下させることなく、DRAM診断動作を行う方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and provides a method of performing a diagnostic operation of a DRAM without degrading access performance to the DRAM, even when any area of the DRAM is accessed. intended to
本願に開示されるDRAM診断方法は、マイクロプロセッサからDRAMへのアクセスを制御するメモリコントローラにより実行されるDRAM診断方法であって、DRAM診断動作およびリード動作において、DRAMから読み出されたDRAMアドレスおよびDRAMアドレスに格納されたデータをメモリコントローラの診断データバッファに格納し、マイクロプロセッサからDRAMにリード動作のアクセスが要求された際に、診断データバッファに格納されたDRAMアドレスとリード動作で要求されたアドレスとが一致したときは診断データバッファに格納されたデータをマイクロプロセッサに出力するものである。 The DRAM diagnostic method disclosed in the present application is a DRAM diagnostic method executed by a memory controller that controls access from a microprocessor to a DRAM. The data stored in the DRAM address is stored in the diagnostic data buffer of the memory controller, and when the microprocessor requests access for read operation to the DRAM, the DRAM address stored in the diagnostic data buffer and the requested read operation are read. When the addresses match, the data stored in the diagnostic data buffer is output to the microprocessor.
本願に開示されるDRAM診断方法によれば、DRAMへのアクセス性能を低下させることなく、DRAM診断動作を行うことができる。 According to the DRAM diagnostic method disclosed in the present application, the DRAM diagnostic operation can be performed without lowering the access performance to the DRAM.
以下、実施の形態のDRAM診断方法を図に基づいて説明するが、各図において同一、または相当する部材、部位については同一符号を付して説明する。 Hereinafter, the DRAM diagnostic method of the embodiment will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same or corresponding members and portions are denoted by the same reference numerals.
実施の形態1.
図1は、実施の形態1に係るマイクロプロセッサ1とメモリ装置100の構成図である。メモリ装置100は、マイクロプロセッサ1からDRAM2へのアクセスを制御するメモリコントローラ3(図1において破線で囲まれた部位)と、DRAM2とで構成される。DRAM診断方法を実行するメモリコントローラ3は、タイミング制御部4、エラー訂正および検出部(以下、エラー訂正・検出部5とする)、診断データバッファ6、リフレッシュカウンタ7、アドレスセレクタ8、およびデータセレクタ9から構成される。図1において、各構成要素は1本の線もしくは分岐した線で接続されているが、各線を流れる信号毎に分けて各線は設けられている。
FIG. 1 is a configuration diagram of a
マイクロプロセッサ1とメモリ装置100の基本動作について説明する。マイクロプロセッサ1は、リード動作またはライト動作について、DRAM2にアクセスを要求する。リード動作において、マイクロプロセッサアドレス信号11とマイクロプロセッサ制御信号12は、マイクロプロセッサ1からタイミング制御部4に入力される。信号の入力後、タイミング制御部4はアドレスセレクタ8、データセレクタ9、およびDRAM2に対して、アドレスセレクタ選択信号16、データセレクタ選択信号17およびDRAM制御信号22を出力するタイミング制御を行う。またライト動作において、マイクロプロセッサデータ信号13はマイクロプロセッサ1からデータセレクタ9に入力される。
Basic operations of the
図2は特定のアドレスに対するDRAM診断動作の周期を示す図である。メモリコントローラ3は、DRAM2のリフレッシュ動作およびDRAM診断動作を定期的に行う。DRAM診断動作は、リフレッシュカウンタ7が生成する診断アドレス信号14に基づいてリフレッシュ動作の周期(以下、リフレッシュサイクルとする)で行われる。即ち、図2において、A点、B点、C点にて診断は行われる。なお、DRAM2のリフレッシュ動作はリード動作によっても行われる。
FIG. 2 is a diagram showing the period of the DRAM diagnostic operation for a specific address. The
DRAM診断動作について説明する。まず、診断を行うDRAMアドレス(診断アドレス)がDRAM2へ出力される経路を説明する。図3はリフレッシュカウンタ7が生成する診断アドレスを示した図である。リフレッシュカウンタ7により生成された診断アドレス信号14は、アドレスセレクタ8とタイミング制御部4に入力される。入力された診断アドレス信号14を元に、アドレスセレクタ8は診断アドレスを選択する。選択された診断アドレスのDRAMアドレス信号21がDRAM2に入力される。タイミング制御部4からDRAM制御信号22がDRAM2に入力され、DRAMアドレス信号21に基づく診断アドレスに格納されたデータが、DRAM制御信号22に基づくタイミングによってエラー訂正・検出部5にDRAMアドレスとともに読み出される。
A DRAM diagnosis operation will be described. First, the path through which the DRAM address (diagnostic address) to be diagnosed is output to the
リード動作にはエラー訂正・検出部5においての診断に係る動作が含まれており、DRAM診断動作およびリード動作において、エラー訂正・検出部5は読み出されたデータのエラー(DRAMエラー)の有無を検出する。エラーの検出およびエラーの訂正を行うための検査用データとして、データから生成されたECC(Error checkin and correction、誤り検出訂正)コードをデータに付加することにより、DRAMエラーの検出および訂正が行われる。例えば、32ビットデータに対して7ビットのECCコードを付加することで、1ビットのエラー訂正および2ビットのエラー検出を行うことができる。ECCコードはハミング符号に基づいてデータから生成され、データとECCコードを用いてエラー訂正とエラー検出が行われる。検出されたDRAMエラーは、タイミング制御部4およびマイクロプロセッサ制御信号12を介してマイクロプロセッサ1に通知される。エラー訂正・検出部5は、DRAM2から読み出されたDRAMアドレスおよびそのDRAMアドレスに格納されたデータを、DRAMデータ信号23として診断データバッファ6に格納する。診断データバッファ6に格納されるデータは、訂正後のデータである。なお、検出したDRAMエラーについてエラーが訂正された場合、メモリ装置100の動作の継続に問題はないが、マイクロプロセッサ1はエラーの訂正回数およびエラーの頻度を確認することで今後発生するおそれのあるDRAM故障に対する予防保全を行うことができる。エラーが訂正されなかった場合、メモリ装置100の動作が継続できない可能性があるため、マイクロプロセッサ1はエラーの検出をログとして保存した後、フェールセーフのため動作を停止するか、またはエラー状態をリセットするためメモリ装置100を再起動して状態の復帰を図る。
The read operation includes an operation related to diagnosis in the error correction/
図4は、マイクロプロセッサ1からDRAM2へのリード動作とDRAM診断動作に係る処理フロー図である。図4により、リード動作とDRAM診断動作の処理フローについて説明する。マイクロプロセッサ1からDRAM2へのリード動作またはライト動作についてのアクセスの要求が発生した際(ステップS11)、タイミング制御部4はDRAM診断動作が要求されていないかを判断し(ステップS12)、DRAM診断動作が要求されていなければマイクロプロセッサ1からDRAM2へのリード動作またはライト動作についてのアクセスを実行する(ステップS13)。
FIG. 4 is a processing flow chart of the read operation from the
DRAM診断動作が要求されている場合、マイクロプロセッサ1からDRAM2へのアクセスの要求がリード動作のアクセスであるかを判断し(ステップS14)、リード動作でなければDRAM診断動作を継続し(ステップS15)、その後ライト動作を実行する(ステップS16)。
If the DRAM diagnostic operation is requested, it is determined whether the access request from the
マイクロプロセッサ1からDRAM2へのアクセスの要求がリード動作であった場合、DRAM診断動作で生成されたDRAMアドレス(診断アドレス)とマイクロプロセッサ1からDRAM2にリード動作を要求するアドレスとが一致するかを判断し(ステップS17)、一致しなければDRAM診断動作を継続し(ステップS18)、その後リード動作を実行する(ステップS19)。
If the access request from the
DRAM診断動作で生成されたDRAMアドレス(診断アドレス)とマイクロプロセッサ1からDRAM2にリード動作を要求するアドレスとが一致した場合、リード動作を実行する(ステップS20)。リード動作にはエラー訂正・検出部5においての診断に係る動作が含まれているため、DRAM診断動作を別途実行することなく、ステップS20で処理フローは終了する。
If the DRAM address (diagnostic address) generated by the DRAM diagnostic operation matches the address at which the
診断データバッファ6を設けたことによって、リード動作の実行時にDRAM2への診断動作のアクセス性能の低下が抑制されることを以下に詳述する。マイクロプロセッサ1からDRAM2に対してリード動作が要求されたときの動作について説明する。図5は、マイクロプロセッサ1からDRAM2へのリード動作の要求が発生した場合の処理フロー図である。リード動作のアクセスの要求(ステップS21)において、リード動作で要求されたアドレスがマイクロプロセッサ1からマイクロプロセッサアドレス信号11として出力される。マイクロプロセッサアドレス信号11は、診断データバッファ6に入力される。診断データバッファ6に格納されているデータのDRAMアドレスとリード動作で要求されたアドレスとが一致するかを、診断データバッファ6は照合する(ステップS22)。照合した結果、DRAMアドレスとリード動作で要求されたアドレスとが一致した場合、診断データバッファ6はタイミング制御部4に診断データバッファ格納通知信号18を出力する。また診断データバッファ6は、DRAMアドレスとリード動作で要求されたアドレスとが一致したデータを診断データ信号15としてデータセレクタ9に出力する。データセレクタ9は、診断データ信号15をマイクロプロセッサデータ信号13としてマイクロプロセッサ1に出力する(ステップS23)。このようにDRAMアドレスとリード動作で要求されたアドレスとが一致した場合は、タイミング制御部4はDRAM2のリード動作を行わない。そのため、定期的に実行されるDRAM2への診断動作のアクセス性能の低下は抑制される。DRAMアドレスとリード動作で要求されたアドレスとが一致しなかった場合は、タイミング制御部4はDRAM2へのリード動作を実行する(ステップS24)。
The fact that the provision of the
なお、診断データバッファ6に格納されているデータはマイクロプロセッサ1からDRAM2に対して書き込み(ライト動作)が行われたときに破棄される。
The data stored in the
以上のように、このDRAM診断方法では、DRAM2から読み出されたDRAMアドレスおよびそのDRAMアドレスに格納されたデータは診断データバッファ6に格納され、その後、リード動作で診断データバッファ6から格納されたデータが読み出されるため、DRAM2へリード動作が行われない。そのためDRAM2への診断動作のアクセス性能を低下させることなく、DRAM2のDRAM診断動作を行うことができる。また、メモリコントローラ3がDRAM診断動作で生成するDRAMアドレスとマイクロプロセッサ1からDRAM2にリード動作のアクセスを要求するアドレスとが一致した際はマイクロプロセッサ1からDRAM2へのリード動作のアクセスを実行し、リード動作ではエラー訂正・検出部5においての診断に係る動作も実行されるため、DRAM2へのアクセス性能を低下させることなく、DRAM2の診断を行うことができる。
As described above, in this DRAM diagnostic method, the DRAM address read from the
実施の形態2.
実施の形態2におけるDRAM診断方法について説明する。図6は、リフレッシュカウンタ7が生成する診断アドレスを示した図である。実施の形態1ではリフレッシュカウンタ7が生成する診断アドレスは図6の右側に示すように列アドレスは固定されリフレッシュ動作に利用する行アドレスのみで構成されていたが、実施の形態2では診断アドレスは図6の左側に示すように行アドレスと列アドレスから構成されるものである。なお、他の構成については、実施の形態1の記載と同様であるため同一の符号を付して説明を省略する。
A DRAM diagnostic method according to the second embodiment will be described. FIG. 6 is a diagram showing diagnostic addresses generated by the
診断アドレスは、図6の左側に示すように、行アドレスと列アドレスの双方から構成され、DRAM2へのアクセスは行アドレスと列アドレスを時分割で指定することによって行われる。図6では、行アドレスは12ビット(10進数で0~4095)で、列アドレスは8ビット(10進数で0~255)で構成されているがこれに限るものではなく、異なるビット数で構成しても構わない。
The diagnostic address consists of both a row address and a column address, as shown on the left side of FIG. 6, and access to the
次に、図6に示した診断アドレスによるDRAM2のDRAM診断動作について説明する。通常のリフレッシュ動作では、予め定められた時間内に全ての行アドレスのリフレッシュが行われる。従来の方法の診断アドレスは、図6の右側に示すように、列アドレスは固定され、行アドレスのみをインクリメントして全ての行アドレスが生成されるように構成されている。一方、実施の形態2では図6の左側に示すように、診断アドレスは行アドレスをインクリメントするだけでなく、列アドレスも変動可能にして全てのアドレスが生成されている。DRAM診断動作における行アドレスと列アドレスの扱いは、まず列アドレスを固定して行アドレスを順次インクリメントする。行アドレスが一巡した後、列アドレスをインクリメントし、さらに行アドレスをインクリメントして一巡させる。これらを順次行うことにより、重複することなくDRAM2の全てのアドレスに対して診断動作を行うことができる。
Next, the DRAM diagnostic operation of the
以上のように、このDRAM診断方法ではDRAM診断動作で生成する診断アドレスにはリフレッシュ動作に必要な行アドレスに加えて列アドレスが含まれるため、DRAM2の全てのアドレスに対してDRAMへのアクセス性能を低下させることなく診断動作を行うことができる。また、行アドレスに加えて列アドレスの不良も検出することができる。 As described above, in this DRAM diagnostic method, the diagnostic address generated by the DRAM diagnostic operation includes the column address in addition to the row address required for the refresh operation. diagnostic operation can be performed without degrading the In addition to row address defects, column address defects can also be detected.
実施の形態3.
実施の形態3におけるDRAM診断方法について説明する。図7は、特定のアドレスに対するDRAM診断動作の周期を示す図である。実施の形態1ではDRAM診断動作の周期はリフレッシュサイクルと同じ周期で実行されていたが、実施の形態3ではDRAM診断動作の周期をリフレッシュサイクルの半分の周期で実行し、マイクロプロセッサ1からDRAM2へのアクセスの要求とDRAM診断動作とが同一アドレスに対して競合したときはDRAM診断動作をスキップするものである。なお、他の構成については、実施の形態1の記載と同様であるため同一の符号を付して説明を省略する。
A DRAM diagnostic method according to the third embodiment will be described. FIG. 7 is a diagram showing the period of the DRAM diagnostic operation for a specific address. In the first embodiment, the period of the DRAM diagnostic operation is the same as that of the refresh cycle, but in the third embodiment, the period of the DRAM diagnostic operation is half the refresh cycle. When the access request and the DRAM diagnostic operation conflict with the same address, the DRAM diagnostic operation is skipped. Other configurations are the same as those described in the first embodiment, so the same reference numerals are given and descriptions thereof are omitted.
図7は横方向にDRAM診断動作の周期を示す図で、上段が実施の形態1におけるリフレッシュサイクル毎の診断の周期を示し、下段が本実施の形態におけるリフレッシュサイクルの半分の周期での診断の実行を示している。上段の場合にはA点、C点、E点にて診断は行われ、下段の場合にはA点、B点、C点、D点、E点にて診断は行われる。マイクロプロセッサ1からDRAM2へのアクセスの要求とDRAM診断動作とが同一アドレスに対して競合しない通常時は、A点、B点、C点、D点、E点の周期にて診断は行われる。
FIG. 7 is a diagram showing the cycle of the DRAM diagnostic operation in the horizontal direction. showing execution. Diagnosis is performed at points A, C, and E in the upper stage, and diagnosis is performed at points A, B, C, D, and E in the lower stage. In the normal case where the access request from the
次に、マイクロプロセッサ1からDRAM2へのアクセスの要求とDRAM診断動作とが同一アドレスに対して競合したときの動作について説明する。競合した際、マイクロプロセッサ1からのアクセスの要求を優先して実行し、DRAM診断動作をスキップする。図3のC点に示すように、DRAM診断動作をスキップしたときは診断スキップフラグをセットする。診断スキップフラグは、DRAM診断をスキップしたことを示すものである。診断スキップフラグがセットされている場合、次の診断の周期においてはDRAM診断をスキップせずに診断動作を実行する。ここでは次の診断周期であるD点において診断スキップフラグがセットされているため、D点においてはDRAM診断をスキップすることなくDRAM2の診断動作は実行される。DRAM診断動作を実行したので、セットした診断スキップフラグは解除される。
Next, the operation when the access request from the
以上のように、このDRAM診断方法ではDRAM診断動作の周期をリフレッシュサイクルの半分の周期で実行するため、マイクロプロセッサ1からDRAM2へのアクセスとDRAM診断動作とが競合したときにDRAM診断動作をスキップしても次の周期においてDRAM診断動作を実行することで、DRAM2へのアクセス性能を低下させることなく、DRAM2に必要な通常のリフレッシュサイクル以内でDRAM診断動作を実行することができる。
As described above, in this DRAM diagnosis method, since the period of the DRAM diagnosis operation is half the period of the refresh cycle, the DRAM diagnosis operation is skipped when the access from the
実施の形態4.
実施の形態4におけるDRAM診断方法について説明する。図8は、マイクロプロセッサ1からDRAM2へのリード動作とDRAM診断動作に係る処理フロー図である。実施の形態1ではリード動作のアクセスの要求とDRAM診断動作とが競合し双方のアドレスが一致した際の処理はリード動作を実行するものであったが、実施の形態4ではリード動作のアクセスの要求とDRAM診断動作とが競合し双方のアドレスが一致した際の処理は、DRAM診断動作の実行および読み出されたデータのマイクロプロセッサ1への出力とするものである。なお、他の構成については、実施の形態1の記載と同様であるため同一の符号を付して説明を省略する。
A DRAM diagnostic method according to the fourth embodiment will be described. FIG. 8 is a processing flow chart of the read operation from the
マイクロプロセッサ1からDRAM2へのリード動作のアクセスの要求とDRAM診断動作とが競合した際の動作について説明する。図8において、ステップS41からステップS49までの処理は、図4におけるステップS11からステップS19までの処理と同一なため説明を省略する。ステップS47においてDRAM診断動作で生成されたDRAMアドレス(診断アドレス)とマイクロプロセッサ1からDRAM2にリード動作を要求するアドレスとが一致した場合、DRAM診断動作を継続し、DRAM診断動作で読み出されたデータをマイクロプロセッサ1に出力する(ステップS50)。DRAM診断動作で読み出されたデータをリード動作で読み出されたデータとみなすため、リード動作を別途実行することなく、ステップS50で処理フローは終了する。
The operation when a read access request from the
以上のように、このDRAM診断方法ではメモリコントローラ3がDRAM診断動作で生成するDRAMアドレスとマイクロプロセッサ1からDRAM2にリード動作のアクセスを要求するアドレスとが一致した際はDRAM診断動作を継続し、DRAM診断動作で読み出されたデータをマイクロプロセッサ1に出力してDRAM診断動作で読み出されたデータをリード動作で読み出されたデータとみなすため、DRAM2へのアクセス性能を低下させることなく、DRAM2の診断動作を行うことができる。
As described above, in this DRAM diagnostic method, when the DRAM address generated by the
本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、1つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
While this application describes various exemplary embodiments and examples, various features, aspects, and functions described in one or more embodiments may not apply to particular embodiments. can be applied to the embodiments singly or in various combinations.
Accordingly, numerous variations not illustrated are envisioned within the scope of the technology disclosed herein. For example, modification, addition or omission of at least one component, extraction of at least one component, and combination with components of other embodiments shall be included.
1 マイクロプロセッサ、2 DRAM、3 メモリコントローラ、4 タイミング制御部、5 エラー訂正・検出部、6 診断データバッファ、7 リフレッシュカウンタ、8 アドレスセレクタ、9 データセレクタ、11 マイクロプロセッサアドレス信号、12 マイクロプロセッサ制御信号、13 マイクロプロセッサデータ信号、14 診断アドレス信号、15 診断データ信号、16 アドレスセレクタ選択信号、17 データセレクタ選択信号、18 診断データバッファ格納通知信号、21 DRAMアドレス信号、22 DRAM制御信号、23 DRAMデータ信号、100 メモリ装置
1 microprocessor, 2 DRAM, 3 memory controller, 4 timing control section, 5 error correction/detection section, 6 diagnostic data buffer, 7 refresh counter, 8 address selector, 9 data selector, 11 microprocessor address signal, 12
Claims (5)
DRAM診断動作およびリード動作において、前記DRAMから読み出されたDRAMアドレスおよび前記DRAMアドレスに格納されたデータを前記メモリコントローラの診断データバッファに格納し、
前記マイクロプロセッサから前記DRAMにリード動作のアクセスが要求された際に、
前記診断データバッファに格納された前記DRAMアドレスと前記リード動作で要求されたアドレスとが一致したときは前記診断データバッファに格納された前記データを前記マイクロプロセッサに出力することを特徴とするDRAM診断方法。 A DRAM diagnostic method performed by a memory controller controlling access to a DRAM from a microprocessor, comprising:
storing a DRAM address read from the DRAM and data stored at the DRAM address in a diagnostic data buffer of the memory controller in a DRAM diagnostic operation and a read operation;
When the microprocessor requests to access the DRAM for a read operation,
DRAM diagnosis, wherein the data stored in the diagnostic data buffer is output to the microprocessor when the DRAM address stored in the diagnostic data buffer and the address requested in the read operation match. Method.
前記DRAMの全てのアドレスを診断することを特徴とする請求項1に記載のDRAM診断方法。 The DRAM address generated by the memory controller in the DRAM diagnostic operation includes a column address in addition to a row address used for refresh operation,
2. The method of diagnosing a DRAM as claimed in claim 1, wherein all addresses of said DRAM are diagnosed.
前記マイクロプロセッサから前記DRAMへのアクセスの要求と前記DRAM診断動作とが競合した際、
前記DRAM診断動作をスキップすることを特徴とする請求項1に記載のDRAM診断方法。 executing the DRAM diagnostic operation at a period shorter than the periodic refresh operation period of the DRAM;
When a request for access to the DRAM from the microprocessor conflicts with the DRAM diagnostic operation,
2. The DRAM diagnostic method of claim 1, wherein the DRAM diagnostic operation is skipped.
前記マイクロプロセッサから前記DRAMへのリード動作のアクセスを実行することを特徴とする請求項1に記載のDRAM診断方法。 When the DRAM address generated by the memory controller in the DRAM diagnostic operation matches the address requested by the microprocessor to access the DRAM for read operation,
2. The method of diagnosing a DRAM as claimed in claim 1, wherein access of a read operation from said microprocessor to said DRAM is executed.
前記DRAM診断動作を実行し、前記DRAM診断動作で読み出されたデータを前記マイクロプロセッサに出力することを特徴とする請求項1に記載のDRAM診断方法。 When the DRAM address generated by the memory controller in the DRAM diagnostic operation matches the address requested by the microprocessor to access the DRAM for read operation,
2. The DRAM diagnostic method according to claim 1, wherein said DRAM diagnostic operation is executed, and data read by said DRAM diagnostic operation is output to said microprocessor.
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