JP7236830B2 - 単量体、フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 - Google Patents
単量体、フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7236830B2 JP7236830B2 JP2018171550A JP2018171550A JP7236830B2 JP 7236830 B2 JP7236830 B2 JP 7236830B2 JP 2018171550 A JP2018171550 A JP 2018171550A JP 2018171550 A JP2018171550 A JP 2018171550A JP 7236830 B2 JP7236830 B2 JP 7236830B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- ring
- halogen atom
- alkyl group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
- C07D307/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
- C07D307/26—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
- C07D307/30—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D307/32—Oxygen atoms
- C07D307/33—Oxygen atoms in position 2, the oxygen atom being in its keto or unsubstituted enol form
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
- C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
- C07D307/93—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems condensed with a ring other than six-membered
- C07D307/935—Not further condensed cyclopenta [b] furans or hydrogenated cyclopenta [b] furans
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
- C08F20/10—Esters
- C08F20/22—Esters containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
- C08F20/10—Esters
- C08F20/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
- C08F20/10—Esters
- C08F20/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F20/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
- C08F220/1807—C7-(meth)acrylate, e.g. heptyl (meth)acrylate or benzyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
- C08F220/1818—C13or longer chain (meth)acrylate, e.g. stearyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
- C08F220/283—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing one or more carboxylic moiety in the chain, e.g. acetoacetoxyethyl(meth)acrylate
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Furan Compounds (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
(式中、RXは、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。A1は単結合又は連結基を示す。A1が連結基を示す場合、A1とRX1は互いに結合して環を形成していてもよい。RX1は、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。nは0~5の整数を示す。nが2以上の場合、RX1は同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。mは1~4の整数を示す。)
で表される重合単位を含む樹脂を提供する。
(式中、RXは、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。RX2は、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。nは0~5の整数を示す。nが2以上の場合、RX2は同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。)
で表される重合単位、及び式(Y2)
(式中、RXは、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。RX3及びRX4は、同一又は異なって、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。RX3及びRX4は、互いに結合して環を形成していてもよい。)
で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位を含むことが好ましい。
(式中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。R2~R4は同一又は異なって、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。なお、R2及びR3は互いに結合して環を形成していてもよい。R5、R6は同一又は異なって、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。R7は-COORc基を示し、前記Rcは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。nは1~3の整数を示す。Raは環Z1に結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシ基を示す。pは0~3の整数を示す。環Z1は炭素数3~20の脂環式炭化水素環を示す。)
で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位を含むことが好ましい。
(式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。Xは非結合、メチレン基、エチレン基、酸素原子、又は硫黄原子を示す。Yはメチレン基、又はカルボニル基を示す。Zは、2価の有機基を示す。V1~V3は、同一又は異なって、-CH2-、[-C(=O)-]、又は[-C(=O)-O-]を示す。ただし、V1~V3のうち少なくとも1つは[-C(=O)-O-]である。R8~R14は、同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシ基、又はシアノ基を示す。)
で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位(ただし、式(Y)で表される重合単位に該当するものを除く)を含むことが好ましい。
(式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。Aは単結合又は連結基を示す。Rbは保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシ基、又はシアノ基を示す。qは1~5の整数を示す。環Z2は炭素数6~20の脂環式炭化水素環を示す。)
で表される重合単位を含むことが好ましい。
(式中、RXは、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。A1は単結合又は連結基を示す。A1が連結基を示す場合、A1とRX1は互いに結合して環を形成していてもよい。RX1は、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。nは0~5の整数を示す。nが2以上の場合、RX1は同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。mは1~4の整数を示す。)
で表される単量体を提供する。
(式中、RXは、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。RX2は、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。nは0~5の整数を示す。nが2以上の場合、RX2は同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。)
で表される単量体、又は式(X2)
(式中、RXは、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。RX3及びRX4は、同一又は異なって、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。RX3及びRX4は、互いに結合して環を形成していてもよい。)
で表される単量体であることが好ましい。
本発明の樹脂の製造方法は特に限定されないが、例えば、滴下重合法が挙げられる。滴下重合法としては、例えば、重合開始剤の存在下、単量体又は単量体を含む溶液を滴下して単量体を重合させる方法が挙げられる。具体的には、[1]重合開始剤及び単量体を含む溶液を滴下する工程、[2]単量体又は単量体を含む溶液を、重合開始剤を含む溶液に対して滴下する工程等が挙げられる。また、重合開始剤に加え、連鎖移動剤の存在下で滴下重合法を実施してもよい。単量体としては、例えば、本発明の単量体と、前記モノマー単位a、前記モノマー単位b、前記モノマー単位cに対応する単量体とを挙げることができる。
本発明の樹脂組成物は、本発明の樹脂と、感放射線性酸発生剤を少なくとも含有する。
本発明の樹脂組成物を基材又は基板上に塗布し、乾燥した後、所定のマスクを介して、塗膜(レジスト膜)に露光して(又は、さらに露光後ベークを行い)潜像パターンを形成し、次いでアルカリ溶解することにより、耐膨潤性に優れ且つ微細なパターンを高い精度で形成することができる。
J. Chem. Soc. Perkin Trans.1(1999),(23),p.3469に記載の方法に従い、3-ヒドロキシヘキサヒドロ-2H-シクロペンタ[b]フラン-2-オンを得た。
得られた14.8gの3-ヒドロキシヘキサヒドロ-2H-シクロペンタ[b]フラン-2-オンを148gのTHFに溶解させ、1.27gのDMAP(N,N-ジメチル-4-アミノピリジン)、14.0gの2-フルオロアクリル酸ナトリウム、及び7.0mgのメトキノンを加えた。その溶液を40℃に加温後、39.9gのEDCI・HCl(1-エチル-3-(3-ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩)を5回に分けて添加し、40℃で30分撹拌した。79.8gの10%塩酸を滴下後、148gの酢酸エチルと148gの水を加えた。有機相を分液後、148gの水で3回洗浄、乾燥、濃縮(40℃、30Torr)することで粗生成物を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することで、下記式で表される単量体Aを10.9g得た。収率は49%であった。また、以下に1H-NMRのスペクトルデータを示す。
1H-NMR(DMSO-d6)δ5.88(d、1H)、5.84(d、1H)、5.75(m、1H)、5.05(t、1H)、3.15(m、1H)、1.88(m、2H)、1.62(m、4H)
3-ヒドロキシヘキサヒドロ-2H-シクロペンタ[b]フラン-2-オンをα-ヒドロキシ-γ-ブチロラクトン(東京化成工業品)に変更したこと以外は実施例1と同様の方法で、下記式で表される単量体Bを10.0g得た。収率は55%であった。また、以下に1H-NMRのスペクトルデータを示す。
1H-NMR(DMSO-d6)δ5.88(d、1H)、5.84(d、1H)、5.47(m、1H)、4.30(m、2H)、2.34(m、2H)
2-フルオロアクリル酸ナトリウムを2-(トリフルオロメチル)アクリル酸(東京化成工業品)に変更したこと以外は実施例1と同様の方法で、下記式で表される単量体Cを11.0g得た。収率は40%であった。また、以下に1H-NMRのスペクトルデータを示す。
1H-NMR(DMSO-d6)δ6.93(s、1H)、6.64(s、1H)、5.75(m、1H)、5.04(t、1H)、3.15(m、1H)、1.85(m、2H)、1.60(m、4H)
還流管、撹拌子、3方コックを備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート113.33g、メチルエチルケトン113.33gを入れて温度を80℃に保ち、撹拌しながら、単量体A22.5g(0.11mol)、メタクリル酸1-(アダマンタン-1-イル)-1-メチルエチル(単量体D)27.5g(0.11mol)、ジメチル-2,2'-アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V-601」]3.1g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート28.33g、メチルエチルケトン28.33gを混合した溶液を5時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、反応溶液の撹拌をさらに2時間続けた。
重合反応終了後、該反応溶液の10倍量のヘプタンと酢酸エチル9:1(重量比)の混合液(25℃)中に撹拌しながら滴下した。生じた沈殿物を濾別、減圧乾燥することにより、所望のポリマー42.2gを得た。回収したポリマーをGPC分析したところ、Mw(重量平均分子量)が10500、分子量分布(Mw/Mn)が1.80であった。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート113.33g、メチルエチルケトン113.33gを入れて温度を80℃に保ち、撹拌しながら、単量体B18.9g(0.11mol)、メタクリル酸3-ヒドロキシアダマンタン-1-イル(単量体E)6.4g(0.03mol)、メタクリル酸1-エチルシクロペンタン-1-イル(単量体F)24.7g(0.14mol)、ジメチル-2,2'-アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V-601」]5.9g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート28.33g、メチルエチルケトン28.33gを混合した溶液を5時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、反応溶液の撹拌をさらに2時間続けた。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート113.33g、メチルエチルケトン113.33gを入れて温度を80℃に保ち、撹拌しながら、単量体C25.1g(0.10mol)、メタクリル酸1-(アダマンタン-1-イル)-1-メチルエチル(単量体D)24.9g(0.10mol)、ジメチル-2,2'-アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V-601」]3.1g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート28.33g、メチルエチルケトン28.33gを混合した溶液を5時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、反応溶液の撹拌をさらに2時間続けた。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート113.33g、メチルエチルケトン113.33gを入れて温度を80℃に保ち、撹拌しながら、メタクリル酸2-オキサビシクロ[3.3.0]オクタン-3-オン-4-イル(単量体G)22.2g(0.11mol)、メタクリル酸1-(アダマンタン-1-イル)-1-メチルエチル(単量体D)27.8g(0.11mol)、ジメチル-2,2'-アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V-601」]2.1g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート28.33g、メチルエチルケトン28.33gを混合した溶液を5時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、反応溶液の撹拌をさらに2時間続けた。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート113.33g、メチルエチルケトン113.33gを入れて温度を80℃に保ち、撹拌しながら、メタクリル酸2-オキソテトラヒドロフラン-3-イル(単量体H)18.6g(0.11mol)、メタクリル酸3-ヒドロキシアダマンタン-1-イル(単量体E)6.5g(0.03mol)、メタクリル酸1-エチルシクロペンタン-1-イル(単量体F)24.9g(0.14mol)、ジメチル-2,2'-アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V-601」]4.1g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート28.33g、メチルエチルケトン28.33gを混合した溶液を5時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、反応溶液の撹拌をさらに2時間続けた。
実施例4~6、比較例1及び2で得た樹脂A~Eを、固形分濃度10%となる様にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し、樹脂溶液を作成した。前記樹脂溶液をスピンコーティング法により10cmのシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレートで100℃、60秒間プリベークしてレジスト樹脂膜を形成させた。前記シリコンウエハーの半分を2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(以下、アルカリ現像液)に120秒間浸漬させたのち、浸漬部と非浸漬部の膜厚を原子間力顕微鏡(AFM)により測定した。
浸漬部の膜厚を「X(nm)」、非浸漬部の膜厚を「Y(nm)」とし、下記式によりアルカリ現像液浸漬前後の膜厚増加率「Z(%)」を以下の式より求めた。
Z(%)=(Y-X)×100/X
Claims (11)
- 下記式(Y3)
(式中、RXは、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。RX5及びRX6は、同一又は異なって、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。また、RX5及びRX6は、互いに結合して環を形成していてもよい。RX5及びRX6が互いに結合して環を形成していない場合、RXはハロゲン原子である。)
で表される重合単位、下記式(Y4)
(式中、RXは、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。RX7及びRX8は、同一又は異なって、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。)
で表される重合単位、及び下記式(Y2)
(式中、RXは、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。RX3及びRX4は、同一又は異なって、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。RX3及びRX4は、互いに結合して環を形成していてもよい。)
で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位を含むフォトレジスト用樹脂。 - さらに、下記式(a1)~(a4)
[式中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。R2~R4は同一又は異なって、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。なお、R2及びR3は互いに結合して環を形成していてもよい。R5、R6は同一又は異なって、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。R7は-COORc基を示し、前記Rcは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。nは1~3の整数を示す。Raは環Z1に結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシ基を示す。pは0~3の整数を示す。環Z1は炭素数3~20の脂環式炭化水素環を示す。]
で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載のフォトレジスト用樹脂。 - さらに、下記式(b1)~(b5)
[式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。Xは非結合、メチレン基、エチレン基、酸素原子、又は硫黄原子を示す。Yはメチレン基、又はカルボニル基を示す。Zは、2価の有機基を示す。V1~V3は、同一又は異なって、-CH2-、[-C(=O)-]、又は[-C(=O)-O-]を示す。ただし、V1~V3のうち少なくとも1つは[-C(=O)-O-]である。R8~R14は、同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシ基、又はシアノ基を示す。]
で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位(ただし、下記式(Y)
(式中、R X は、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。A 1 は単結合又は連結基を示す。A 1 が連結基を示す場合、A 1 とR X1 は互いに結合して環を形成していてもよい。R X1 は、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。nは0~5の整数を示す。nが2以上の場合、R X1 は同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。mは1~4の整数を示す。)
で表される重合単位に該当するものを除く)を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載のフォトレジスト用樹脂。 - 請求項1~6のいずれか1項に記載のフォトレジスト用樹脂と、感放射線性酸発生剤とを少なくとも含有するフォトレジスト用樹脂組成物。
- 請求項7に記載のフォトレジスト用樹脂組成物を基板に塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を露光し、次いでアルカリ溶解する工程を少なくとも含むパターン形成方法。
- 下記式(X3)
(式中、RXは、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。RX5及びRX6は、同一又は異なって、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。また、RX5及びRX6は、互いに結合して環を形成していてもよい。RX5及びRX6が互いに結合して環を形成していない場合、RXはハロゲン原子である。)
で表される単量体、下記式(X4)
(式中、RXは、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。RX7及びRX8は、同一又は異なって、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。)
で表される単量体、又は下記式(X2)
(式中、RXは、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換された炭素数1~6のアルキル基を示す。RX3及びRX4は、同一又は異なって、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数2~6のアルケニル基を示す。RX3及びRX4は、互いに結合して環を形成していてもよい。)
で表される単量体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018171550A JP7236830B2 (ja) | 2018-09-13 | 2018-09-13 | 単量体、フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 |
| KR1020190111297A KR102745678B1 (ko) | 2018-09-13 | 2019-09-09 | 단량체, 포토레지스트용 수지, 포토레지스트용 수지 조성물 및 패턴 형성 방법 |
| TW108132558A TWI862512B (zh) | 2018-09-13 | 2019-09-10 | 單體、光阻用樹脂、光阻用樹脂組成物、及圖案形成方法 |
| US16/569,305 US20200089115A1 (en) | 2018-09-13 | 2019-09-12 | Monomers, photoresist resins, photoresist resin compositions, and pattern forming method |
| CN201910862591.6A CN110895383B (zh) | 2018-09-13 | 2019-09-12 | 单体、光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂组合物以及图案形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018171550A JP7236830B2 (ja) | 2018-09-13 | 2018-09-13 | 単量体、フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020041102A JP2020041102A (ja) | 2020-03-19 |
| JP7236830B2 true JP7236830B2 (ja) | 2023-03-10 |
Family
ID=69773948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018171550A Active JP7236830B2 (ja) | 2018-09-13 | 2018-09-13 | 単量体、フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200089115A1 (ja) |
| JP (1) | JP7236830B2 (ja) |
| KR (1) | KR102745678B1 (ja) |
| CN (1) | CN110895383B (ja) |
| TW (1) | TWI862512B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102810176B1 (ko) * | 2023-05-23 | 2025-05-23 | 인하대학교 산학협력단 | 주쇄 절단형 고불소화 고분자 포토레지스트, 이의 제조방법 및 이의 용도 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003082030A (ja) | 2001-06-25 | 2003-03-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2003226689A (ja) | 2001-06-25 | 2003-08-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規なエステル化合物 |
| JP2005029520A (ja) | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Daicel Chem Ind Ltd | 重合性アダマンタン誘導体、高分子化合物、フォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法 |
| JP2005275041A (ja) | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線、euv光又はx線用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2010101917A (ja) | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| WO2010114176A1 (en) | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and resist film and pattern forming method using the composition |
| JP2015214634A (ja) | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 信越化学工業株式会社 | 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3546679B2 (ja) | 1997-01-29 | 2004-07-28 | 住友化学工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| JP3042618B2 (ja) | 1998-07-03 | 2000-05-15 | 日本電気株式会社 | ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法 |
| TWI245043B (en) * | 2001-06-25 | 2005-12-11 | Shinetsu Chemical Co | Novel ester compounds |
| JP2005008757A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Daicel Chem Ind Ltd | 重合性単量体、高分子化合物、フォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法 |
| WO2007094473A1 (ja) | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Kuraray Co., Ltd. | 第3級アルコール誘導体、高分子化合物およびフォトレジスト組成物 |
| JP6297269B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2018-03-20 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | ポリマー組成物、このポリマー組成物を含むフォトレジスト、およびこのフォトレジストを含むコーティングされた物品 |
-
2018
- 2018-09-13 JP JP2018171550A patent/JP7236830B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-09 KR KR1020190111297A patent/KR102745678B1/ko active Active
- 2019-09-10 TW TW108132558A patent/TWI862512B/zh active
- 2019-09-12 US US16/569,305 patent/US20200089115A1/en active Pending
- 2019-09-12 CN CN201910862591.6A patent/CN110895383B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003082030A (ja) | 2001-06-25 | 2003-03-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2003226689A (ja) | 2001-06-25 | 2003-08-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規なエステル化合物 |
| JP2005029520A (ja) | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Daicel Chem Ind Ltd | 重合性アダマンタン誘導体、高分子化合物、フォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法 |
| JP2005275041A (ja) | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線、euv光又はx線用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2010101917A (ja) | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| WO2010114176A1 (en) | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and resist film and pattern forming method using the composition |
| JP2015214634A (ja) | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 信越化学工業株式会社 | 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110895383B (zh) | 2025-06-13 |
| JP2020041102A (ja) | 2020-03-19 |
| TW202019892A (zh) | 2020-06-01 |
| KR102745678B1 (ko) | 2024-12-23 |
| CN110895383A (zh) | 2020-03-20 |
| TWI862512B (zh) | 2024-11-21 |
| KR20200031046A (ko) | 2020-03-23 |
| US20200089115A1 (en) | 2020-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101764443B1 (ko) | ArF 액침 노광용 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 | |
| JP2017008068A (ja) | 塩基反応性光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト | |
| JP4651283B2 (ja) | 不飽和カルボン酸ヘミアセタールエステル、高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物 | |
| JP2004323704A (ja) | フォトレジスト用重合体合成用(メタ)アクリル酸エステルとその製造法 | |
| JP5030474B2 (ja) | 半導体リソグラフィー用樹脂組成物 | |
| JP2008050422A (ja) | 半導体レジストの保護膜用樹脂及び半導体の製造方法 | |
| JP5042699B2 (ja) | フッ素原子含有ヘミアセタールエステル構造を有する重合性単量体、及び高分子化合物 | |
| JP7650797B2 (ja) | フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂の製造方法、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 | |
| JP7236830B2 (ja) | 単量体、フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 | |
| JP2005060638A (ja) | 重合体、製造方法、レジスト組成物およびパターン形成法 | |
| JP7219260B2 (ja) | フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂の製造方法、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 | |
| JP7110461B2 (ja) | フォトレジスト樹脂の製造方法 | |
| JP5329211B2 (ja) | ラクトン骨格を含む高分子化合物及びフォトレジスト組成物 | |
| JP2007284381A (ja) | フォトレジスト用(メタ)アクリル系単量体、その高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物 | |
| JP2018044034A (ja) | 含フッ素単量体およびその含フッ素重合体、それを用いたレジストおよびパターン形成方法 | |
| JP2005029520A (ja) | 重合性アダマンタン誘導体、高分子化合物、フォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法 | |
| JP4744113B2 (ja) | 液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物の製造法 | |
| JP5553488B2 (ja) | リソグラフィー用重合体並びにその製造方法 | |
| JP5586898B2 (ja) | 不飽和カルボン酸ヘミアセタールエステル、高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物 | |
| JP5562651B2 (ja) | 化学増幅型フォトレジスト用樹脂及びその製造方法 | |
| JP4530829B2 (ja) | 液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物及び半導体の製造法 | |
| JP4295052B2 (ja) | フッ素原子含有重合性不飽和単量体、フッ素原子含有高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物 | |
| JP2006169147A (ja) | 重合性不飽和カルボン酸エステル、高分子化合物、フォトレジスト用樹脂組成物及び半導体の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210715 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220422 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220510 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220707 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220830 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221027 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221129 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230123 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230207 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230228 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7236830 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |