JP7243765B2 - Imaging element and imaging device - Google Patents
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Description
本発明は、撮像素子及び撮像装置に関する。 The present invention relates to an imaging device and an imaging device.
特許文献1に記載の撮像装置は、1フレーム期間内で複数回画素部から読み出した撮像信号をNチャンネル並列に出力する。フレームメモリはこの撮像信号を複数フレーム分蓄積する。フレーム加算回路はフレームメモリから読み出した複数フレームの信号を加算して、規格の1フレーム分の信号を作成する。
The imaging apparatus described in
しかしながら、デジタル値に変換された画素データにより加算する方法においては、画像信号をA/D変換する際に発生する変換誤差をそのまま含んで加算が行われることになる。 However, in the method of adding pixel data converted into digital values, the addition is performed including the conversion error generated when the image signal is A/D converted.
本発明の撮像素子は、複数の画素と、前記複数の画素のうち第1画素からの第1画素信号を保持する第1保持部と、前記複数の画素のうち、前記第1画素から列方向側の位置に配置される第2画素からの第2画素信号を保持する第2保持部とを有する第1保持回路と、前記第1保持回路から出力された第1出力信号をデジタル信号に変換するために用いられる第1コンパレータと、前記第1保持回路と前記第1コンパレータとの間を電気的に接続する第1接続部と、を備える。
また、本発明の撮像素子は、複数の画素と、前記複数の画素のうち第1画素からの第1画素信号を保持する第1保持部と、前記複数の画素のうち、前記第1画素から列方向側の位置に配置される第2画素からの第2画素信号を保持する第2保持部とを有する第1保持回路と、前記第1保持回路から出力された第1出力信号を増幅するために用いられる第1増幅部と、前記第1保持回路と前記第1増幅部との間を電気的に接続する第1接続部と、を備える。
The imaging device of the present invention comprises: a plurality of pixels; a first holding unit that holds a first pixel signal from a first pixel among the plurality of pixels; a first holding circuit having a second holding unit for holding a second pixel signal from a second pixel arranged at a position on the side of the pixel; and converting a first output signal output from the first holding circuit into a digital signal. and a first connecting portion electrically connecting between the first holding circuit and the first comparator.
Further, the imaging device of the present invention includes: a plurality of pixels; a first holding unit that holds a first pixel signal from a first pixel of the plurality of pixels; a first holding circuit having a second holding section for holding a second pixel signal from a second pixel arranged at a position on the column direction side; and amplifying a first output signal output from the first holding circuit. and a first connecting portion electrically connecting the first holding circuit and the first amplifying portion.
また、本発明の撮像装置は、上述した撮像素子のうちのいずれかを備える。 Further, an imaging apparatus of the present invention includes any one of the imaging elements described above.
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
[第1の実施形態]
(画素回路についての説明)
最初に、CMOS型固体撮像装置内の画素部を構成する画素PXについて簡単に説明する。図10は、画素回路の構成を示す図であり、1つの画素PX、垂直信号線VL、及び定電流源TDを示す回路図である。
図10に示す画素回路は、光電変換部としてのフォトダイオードPDと、電荷を受け取って電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部としてのフローティングディフュージョンFDと、フローティングディフュージョンFDの電位をリセットするリセットトランジスタRSTと、フローティングディフュージョンFDの電位に応じた信号を垂直信号線VLに供給する選択トランジスタSELと、フォトダイオードPDからフローティングディフュージョンFDに電荷を転送する電荷転送部としての転送トランジスタTXと、フローティングディフュージョンFDの電位に応じた信号を出力する増幅部としての増幅トランジスタSFとを有している。
[First embodiment]
(Description of the pixel circuit)
First, the pixel PX forming the pixel portion in the CMOS solid-state imaging device will be briefly described. FIG. 10 is a diagram showing the configuration of a pixel circuit, and is a circuit diagram showing one pixel PX, vertical signal line VL, and constant current source TD.
The pixel circuit shown in FIG. 10 includes a photodiode PD as a photoelectric conversion unit, a floating diffusion FD as a charge-voltage conversion unit that receives charge and converts the charge into voltage, and a reset transistor RST that resets the potential of the floating diffusion FD. , a selection transistor SEL that supplies a signal corresponding to the potential of the floating diffusion FD to the vertical signal line VL, a transfer transistor TX as a charge transfer unit that transfers charges from the photodiode PD to the floating diffusion FD, and the floating diffusion FD. and an amplification transistor SF as an amplification section that outputs a signal corresponding to the potential.
図10において、VDDは電源電位である。なお、画素PXのトランジスタSF,TX,RST,SELは、全てnMOSトランジスタである。転送トランジスタTXのゲートは行毎に共通に接続され、そこには、転送トランジスタTXを制御する制御信号φTXが垂直走査回路3から供給される。リセットトランジスタRSTのゲートは行毎に共通に接続され、そこには、リセットトランジスタRSTを制御する制御信号φRSTが垂直走査回路3(図9を参照)から供給される。選択トランジスタSELのゲートは行毎に共通に接続され、そこには、選択トランジスタSELを制御する制御信号φSELが垂直走査回路3から供給される。
In FIG. 10, VDD is the power supply potential. Note that the transistors SF, TX, RST, and SEL of the pixel PX are all nMOS transistors. Gates of the transfer transistors TX are connected in common for each row, and a control signal φTX for controlling the transfer transistors TX is supplied from the
各画素PXのフォトダイオードPDは、入射光の光量(被写体光)に応じて信号電荷を生成する。各画素PXの転送トランジスタTXは、制御信号φTXのハイレベル期間にオンし、フォトダイオードPDの電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する。
リセットトランジスタRSTは、制御信号φRSTのハイレベル期間(電源電位VDDの期間)にオンし、フローティングディフュージョンFDをリセットする。
The photodiode PD of each pixel PX generates signal charges according to the amount of incident light (object light). The transfer transistor TX of each pixel PX turns on during the high level period of the control signal φTX to transfer the charge of the photodiode PD to the floating diffusion FD.
The reset transistor RST is turned on during the high level period of the control signal φRST (during the power supply potential VDD) to reset the floating diffusion FD.
増幅トランジスタSFは、そのドレインが電源電位VDDに接続され、そのゲートがフローティングディフュージョンFDに接続され、そのソースが選択トランジスタSELのドレインに接続されている。選択トランジスタSELのソースは、垂直信号線VLに接続されている。定電流源TDは、垂直信号線VLに対応する画素PXの選択トランジスタSELがオンされたときに、当該垂直信号線VLに電流を流す。 The amplification transistor SF has a drain connected to the power supply potential VDD, a gate connected to the floating diffusion FD, and a source connected to the drain of the selection transistor SEL. The source of the select transistor SEL is connected to the vertical signal line VL. The constant current source TD allows current to flow through the vertical signal line VL when the selection transistor SEL of the pixel PX corresponding to the vertical signal line VL is turned on.
各画素PXの増幅トランジスタSFは、フローティングディフュージョンFDの電圧値に応じて、選択トランジスタSELを介して垂直信号線VLに電圧を出力する。選択トランジスタSELは、制御信号φSELのハイレベル期間にオンし、増幅トランジスタSFのソースを垂直信号線VLに接続する。 The amplification transistor SF of each pixel PX outputs a voltage to the vertical signal line VL via the selection transistor SEL according to the voltage value of the floating diffusion FD. The selection transistor SEL is turned on during the high level period of the control signal φSEL, and connects the source of the amplification transistor SF to the vertical signal line VL.
(第1実施形態のA/D変換回路の概要の説明)
最初に、第1実施形態のA/D変換回路(ADC12)の概要について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係わるA/D変換回路の構成を示す図である。この図1に示す回路は、PGA11の後段に積分型のADC12Cが接続されて構成されており、このPGA11とADC12とは、図9に示す固体撮像装置1において、各列の垂直信号線VLごとに設けられるものである。
(Description of the overview of the A/D conversion circuit of the first embodiment)
First, the outline of the A/D conversion circuit (ADC12) of the first embodiment will be described.
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an A/D conversion circuit according to an embodiment of the invention. The circuit shown in FIG. 1 is configured by connecting an integrating
このPGA11およびADC12は、制御部21によりその動作が制御される。この制御部21は、PGA11およびADC12内の各スイッチのオン/オフ(接続/開放)(すなわち、導通状態と非導通状態との切り替え)を制御し、また、ADC12内で使用される各信号(VRT,VRB,VRAMP等)を供給する。また、制御部21では、ADC12内で行われるコース変換の処理動作を制御するコース変換制御部22と、ファイン変換の処理動作を制御するファイン変換制御部23を備えている。
The operations of the PGA 11 and ADC 12 are controlled by the
また、制御部21は、コース変換やファイン変換処理を行う際に使用されるカウンタ24と、A/D変換結果のデジタルデータを保持するレジズタ等を備えている。なお、カウンタ24は、画素信号を14ビットの分解能でデジタル値に変換する際に、コース変換で使用する上位3ビットの値を計数するための3ビットカウンタ24Aと、ファイン変換で使用する下位12ビットの値を計数するための12ビットカウンタ24Bとを備えている(コース変換およびファイン変換については後述する)。
The
この図1に示すADC12は、図11に示す通常のADC12Cと比較して、コンデンサC1~C4に対してスイッチS9、S10,S11,S12,S13を新たに追加した点が構成上異なる。また、ノードVcmにスイッチS13を追加し、ノードVcmとノードVcm’とを選択的に接続可能にした点が、構成上異なる。他の構成は、図11に示すADC12Cと同様である。このため、対応する構成には同一の符号を付している。
なお、図1に示すADC12において、スイッチS9、S10,S11,S12,S13の全てを定常的にオン(接続)にした状態においては、図1に示すADC12と、図11に示す通常のADC12Cとは、結果的に同様の構成(重み付け加算なしのADCの構成)となり、また、動作についても同様となる。
The
In the
上記スイッチS9は、画素信号Sig1をコンデンサC1に保持するためのスイッチであり、スイッチS10およびS11は、画素信号Sig2をコンデンサC2およびC3に保持するためのスイッチであり、スイッチS12は、画素信号Sig3をコンデンサC4に保持するためのスイッチである。例えば、画素信号Sig1がノードVcmに入力された状態において、スイッチS9をオンにすると(ただしスイッチS10,S11,S12,S13はオフ(開放)状態)、このスイッチS9を通して、画素信号Sig1によりコンデンサC1に電荷が充電され、このコンデンサC1に画素信号Sig1が保持される。 The switch S9 is a switch for holding the pixel signal Sig1 in the capacitor C1, the switches S10 and S11 are switches for holding the pixel signal Sig2 in the capacitors C2 and C3, and the switch S12 is a switch for holding the pixel signal Sig3. to the capacitor C4. For example, when the pixel signal Sig1 is input to the node Vcm and the switch S9 is turned on (switches S10, S11, S12, and S13 are in the off (open) state), the pixel signal Sig1 passes through the switch S9 to the capacitor C1. is charged, and the pixel signal Sig1 is held in this capacitor C1.
そして、このコンデンサC1,C2,C3,C4を信号Sig1,Sig2,Sig3によりそれぞれ順に充電した後に、スイッチS9~S12を同時にオンし(ただしスイッチS13はオフ)、ノードVcm上に電位を発生させることにより、信号Sig1,Sig2,Sig3の重み付け加算を行う。このときの重み付けの割合は、コンデンサC1、コンデンサC2+C3、コンデンサC4の静電容量比で決まる。 After the capacitors C1, C2, C3 and C4 are charged in order by the signals Sig1, Sig2 and Sig3 respectively, the switches S9 to S12 are simultaneously turned on (but the switch S13 is off) to generate a potential on the node Vcm. weighted addition of the signals Sig1, Sig2 and Sig3 is performed. The weighting ratio at this time is determined by the capacitance ratio of capacitor C1, capacitor C2+C3, and capacitor C4.
ここで、コンデンサC1,C2,C3,C4の静電容量をC1,C2,C3,C4とし、信号Sig1,Sig2,Sig3の電圧レベルをSig1,Sig2,Sig3とする。そうすると、この例では、信号Sig1に対して、コンデンサC1に保持される電荷Q1は、
Q1=C1×Sig1、となる。
信号Sig2に対して、コンデンサC2およびC3に保持される電荷Q2は、コンデンサC2およびC3が並列接続されているため、
Q2=(C2+C3)×Sig2、となる。
信号Sig3に対して、コンデンサC4に保持される電荷Q3は、
Q3=C4×Sig2、となる。
Here, the capacitances of the capacitors C1, C2, C3 and C4 are C1, C2, C3 and C4, and the voltage levels of the signals Sig1, Sig2 and Sig3 are Sig1, Sig2 and Sig3. Then, in this example, the charge Q1 held in the capacitor C1 with respect to the signal Sig1 is
Q1=C1×Sig1.
With respect to the signal Sig2, the charge Q2 held in the capacitors C2 and C3 is
Q2=(C2+C3)*Sig2.
For signal Sig3, the charge Q3 held in capacitor C4 is
Q3=C4*Sig2.
従って、コンデンサC1,C2,C3,C4に保持されている電荷の合計Qtotalは、
Qtotal=C1×Sig1+(C2+C3)×Sig2+C4×Sig3、
となる。
また、コンデンサC1,C2,C3,C4の合計容量Ctotalは、コンデンサC1,C2,C3,C4が並列接続されているため、
Ctotal=C1+(C2+C3)+C4、となる。
Therefore, the total charge Qtotal held in the capacitors C1, C2, C3, C4 is
Qtotal=C1*Sig1+(C2+C3)*Sig2+C4*Sig3,
becomes.
Also, the total capacitance Ctotal of the capacitors C1, C2, C3 and C4 is as follows because the capacitors C1, C2, C3 and C4 are connected in parallel
Ctotal=C1+(C2+C3)+C4.
従って、スイッチS9,S10,S11、およびS12を同時にオンにし、スイッチS13をオフにした場合のノードVcmの電位をVcmで表すと、
Vcm=Qtotal/(C1+C2+C3+C4)、となる。
Therefore, when the switches S9, S10, S11, and S12 are simultaneously turned on and the switch S13 is turned off, the potential of the node Vcm is represented by Vcm.
Vcm=Qtotal/(C1+C2+C3+C4).
ここで、C1=C2=C3=C4=Cとすると、
Qtotal=C×Sig1+2×C×Sig2+C×Sig3、となる。
従って、Vcm=Qtotal/Ctotal、であるので、
Vcm={C×Sig1+2×C×Sig2+C×Sig3}/(4×C)、
Here, if C1=C2=C3=C4=C,
Qtotal=C*Sig1+2*C*Sig2+C*Sig3.
Therefore, since Vcm=Qtotal/Ctotal,
Vcm={C×Sig1+2×C×Sig2+C×Sig3}/(4×C),
従って、Vcm={Sig1+2×Sig2+Sig3}/4、となる。
このようにして、信号Sig1と、Sig2と、Sig3に対して、「1:2:1」の重み付け加算を行うことができる。
Therefore, Vcm={Sig1+2*Sig2+Sig3}/4.
In this manner, weighted addition of "1:2:1" can be performed on the signals Sig1, Sig2, and Sig3.
上記に説明したように、図1に示すADC12では、PGA11から出力される画素信号を、アナログ信号のままで重み付け加算してノードVcmに電位を発生させ、このノードVcmに発生した電位に対してA/D変換を行う。このため、PGA11から出力される画素信号に対して重み付け加算を行う際に、ADC12における変換誤差(例えば、ノイズの影響による誤差や量子化誤差)が発生することなく、アナログにより重み付け加算を行うことができる。
また、ADC12内に設けられているコース変換用のコンデンサC1~C4を利用して重み付け加算を行うため、レイアウト面積を増やすことなく、アナログによる重み付け加算を行うことができる。
As described above, in the
Further, since the weighted addition is performed using the capacitors C1 to C4 for coarse conversion provided in the
なお、上述した例では、3つの画素信号Sig1,Sig2,Sig3のそれぞれに対して、1個のコンデンサC1と、2個のコンデンサC2,C3と、1個のコンデンサC4とを割り当てることにより、重み付け加算の割合を「1:2:1」とする例を示したが、これに限定されない。例えば、「1:3:1」や、「1:5:1」や、「2:3:3」など所望の割合に設定することができる(但し、コース変換用に用意されたコンデンサC1~C8の個数による制限がある)。さらには、重み付けの割合を「1:1:1」とすることにより、3つの画素信号Sig1,Sig2,Sig3の平均化を行うことも可能である。
また、重み付け加算する画素信号の数は、3つに限定されず、5つの画素信号や、7つの画素信号(基本的には奇数個号)に対して重み付け加算を行うこともできる(但し、コース変換用に用意されたコンデンサC1~C8の個数による制限がある)。
In the above example, weighting is performed by assigning one capacitor C1, two capacitors C2 and C3, and one capacitor C4 to each of the three pixel signals Sig1, Sig2, and Sig3. An example in which the ratio of addition is "1:2:1" has been shown, but it is not limited to this. For example, it can be set to a desired ratio such as "1:3:1", "1:5:1", or "2:3:3" (however, the capacitors C1 to There is a limit due to the number of C8). Furthermore, by setting the weighting ratio to "1:1:1", it is possible to average the three pixel signals Sig1, Sig2 and Sig3.
Further, the number of pixel signals to be subjected to weighted addition is not limited to three, and weighted addition can be performed to five pixel signals or seven pixel signals (basically an odd number) (however, There is a limit due to the number of capacitors C1 to C8 prepared for course conversion).
(重み付け加算機能を備えるADC12の構成の説明)
次に、図1に示すADC12の構成について詳細に説明する。このADC12は、重み付け加算機能を備える積分型のA/D変換回路であり、このADC12は、固体撮像素子の垂直信号線VLから出力される画素信号をPGA11を介して読み込み、この画素信号に対してA/D変換を行うものである。
(Explanation of configuration of
Next, the configuration of
PGA11は、差動増幅器(AM1)と、スイッチPGA_AZと、コンデンサC11と、可変コンデンサC12とを含む。差動増幅器AM1の正(+)入力にはリファレンス電圧VREFが接続され、負(-)入力にはコンデンサC11を介して画素信号入力が接続される。差動増幅器AM1の出力は、負帰還用の可変コンデンサC12およびスイッチPGA_AZに接続されると共に、ADC12内のスイッチSPLに接続される。また、可変コンデンサC12によってPGA11のゲインを変更可能である。なお、PGA11から出力される信号の最大値は、例えば、+1Vである。
PGA11 includes a differential amplifier (AM1), switch PGA_AZ, capacitor C11, and variable capacitor C12. The reference voltage VREF is connected to the positive (+) input of the differential amplifier AM1, and the pixel signal input is connected to the negative (-) input through the capacitor C11. The output of the differential amplifier AM1 is connected to the negative feedback variable capacitor C12 and the switch PGA_AZ, as well as to the switch SPL in the ADC12. Also, the gain of the
ADC12は、スイッチSPL,TSWを備える。また、ADC12は、コンデンサC1~C8、スイッチS1a,S1b~S8a,S8b,S9~S13,SXと、コンパレータCP1とを含む。なお、スイッチSPL,TSWや、スイッチS1a,S1b~S8a,S8b,S9~S13,SXについては、接点式のスイッチの記号で示しているが、実際には、たとえば、MOSトランジスや半導体スイッチで構成されるものである。
コンパレータCP1の正(+)入力には、PGA11から出力される増幅された画素信号がスイッチSPLおよびスイッチS13を介して接続される。また、コンパレータCP1の負(-)入力にはコンパレータCP1の出力がスイッチADC_AZを介して接続されると共に、画素の暗状態の情報(ダーク電位Vdark)を保持するコンデンサC10が接続される。
The amplified pixel signal output from PGA11 is connected to the positive (+) input of comparator CP1 via switch SPL and switch S13. The output of the comparator CP1 is connected to the negative (-) input of the comparator CP1 via a switch ADC_AZ, and a capacitor C10 for holding pixel dark state information (dark potential Vdark) is connected.
コンデンサC1~C8は等しい静電容量のコンデンサである。このコンデンサC1~C8は、ノードVcmまたはノードVcm’と容量結合されている。そして、後述するコース変換において、これらのコンデンサに接続されるスイッチS1a,S1b~S8a,S8bを順次切替えることにより(例えば、スイッチS1aをオフにし、スイッチS1bをオンにする)、コンデンサC1~C8の対極の電圧を信号VRTとVRBの間で切替え、ノードVcmの電位が8つのレンジのどこに属するかを判定する。なお、信号VRTは、例えば、+2Vの信号であり、信号VRTは、例えば、+1Vの信号である(なお、信号VRTの電圧を同じ符号VRTで示し、信号VRBの電圧を同じ符号VRBで示すことがある)。そして、この信号VRTとVRBにより、後述するように振幅1Vの信号(VRT-VRB)を生成する(PGA11の出力電圧1Vに対応する)。なお、前述の電位Vdarkは、ほぼ0Vである。 Capacitors C1-C8 are equal capacitance capacitors. The capacitors C1-C8 are capacitively coupled with node Vcm or node Vcm'. Then, in the coarse conversion described later, by sequentially switching the switches S1a, S1b to S8a, S8b connected to these capacitors (for example, the switch S1a is turned off and the switch S1b is turned on), the capacitors C1 to C8 The voltage of the counter electrode is switched between signals VRT and VRB to determine where the potential of node Vcm falls within eight ranges. Note that the signal VRT is, for example, a +2 V signal, and the signal VRT is, for example, a +1 V signal (note that the voltage of the signal VRT is denoted by the same symbol VRT, and the voltage of the signal VRB is denoted by the same symbol VRB). there is). Based on the signals VRT and VRB, a signal (VRT-VRB) with an amplitude of 1 V is generated as described later (corresponding to the output voltage of 1 V from the PGA 11). Note that the aforementioned potential Vdark is approximately 0V.
そして、図1に示すように、コンデンサC1の一端はスイッチS9を介してノードVcm(ノードVcmの電位を同じ符号Vcmで示すことがある)に接続される。また、コンデンサC1の他端はスイッチS1aを介して信号線VRT(信号VRTの信号線)に接続されるとともに、コンデンサC1の他端はスイッチS1bを介して信号線VRB(信号VRBの信号線)に接続される。
また、コンデンサC2の一端はスイッチS10を介してノードVcmに接続され、コンデンサC2の他端はスイッチS2aを介して信号線VRTに接続されるとともに、スイッチS2bを介して信号線VRBに接続される。
Then, as shown in FIG. 1, one end of the capacitor C1 is connected to the node Vcm (the potential of the node Vcm may be denoted by the same symbol Vcm) via the switch S9. The other end of the capacitor C1 is connected to the signal line VRT (the signal line for the signal VRT) through the switch S1a, and the other end of the capacitor C1 is connected to the signal line VRB (the signal line for the signal VRB) through the switch S1b. connected to
One end of capacitor C2 is connected to node Vcm through switch S10, and the other end of capacitor C2 is connected to signal line VRT through switch S2a and to signal line VRB through switch S2b. .
また、コンデンサC3の一端はスイッチS11を介してノードVcmに接続され、コンデンサC3の他端はスイッチS3aを介して信号線VRTに接続されるとともに、スイッチS3bを介して信号線VRBに接続される。なお、スイッチS11とスイッチS10は、両方が同時にオン、または、同時にオフするスイッチである。
また、コンデンサC4の一端はスイッチS12を介してノードVcmに接続され、コンデンサC4の他端はスイッチS4aを介して信号線VRTに接続されるとともに、スイッチS4bを介して信号線VRBに接続される。
One end of the capacitor C3 is connected to the node Vcm via the switch S11, and the other end of the capacitor C3 is connected to the signal line VRT via the switch S3a and to the signal line VRB via the switch S3b. . Note that the switch S11 and the switch S10 are switches that are both turned on or turned off at the same time.
One end of capacitor C4 is connected to node Vcm through switch S12, and the other end of capacitor C4 is connected to signal line VRT through switch S4a and to signal line VRB through switch S4b. .
また、コンデンサC5の一端はノードVcm’に接続され、コンデンサC5の他端はスイッチS5aを介して信号線VRTに接続されるとともに、スイッチS5bを介して信号線VRBに接続される。
また、コンデンサC6の一端はノードVcm’に接続され、コンデンサC6の他端はスイッチS6aを介して信号線VRTに接続されるとともに、スイッチS6bを介して信号線VRBに接続される。
また、コンデンサC7の一端はノードVcm’に接続され、コンデンサC7の他端はスイッチS7aを介して信号線VRTに接続されるとともに、スイッチS7bを介して信号線VRBに接続される。
また、コンデンサC8の一端はノードVcm’に接続され、コンデンサC8の他端はスイッチS8aを介して信号線VRTに接続されるとともに、スイッチS8bを介して信号線VRBに接続される。さらに、コンデンサC8の他端はスイッチSXを介して信号線VRAMPに接続される。
そして、ノードVcmとノードVcm’とはスイッチS13により接続されており、このステップS13を介して、ノードVcmとノードVcm’とは選択的に接続状態または開放(切断)状態になる。
One end of the capacitor C5 is connected to the node Vcm', and the other end of the capacitor C5 is connected to the signal line VRT through the switch S5a and to the signal line VRB through the switch S5b.
One end of capacitor C6 is connected to node Vcm', and the other end of capacitor C6 is connected to signal line VRT through switch S6a and to signal line VRB through switch S6b.
One end of the capacitor C7 is connected to the node Vcm', and the other end of the capacitor C7 is connected to the signal line VRT through the switch S7a and to the signal line VRB through the switch S7b.
One end of the capacitor C8 is connected to the node Vcm', and the other end of the capacitor C8 is connected to the signal line VRT through the switch S8a and to the signal line VRB through the switch S8b. Furthermore, the other end of the capacitor C8 is connected to the signal line VRAMP through the switch SX.
The node Vcm and the node Vcm' are connected by the switch S13, and the node Vcm and the node Vcm' are selectively brought into a connected state or an open (disconnected) state through this step S13.
そして、図1に示すADC12は、スイッチS9~S13を定常的にオン状態のままにすることで、通常のA/D変換回路(図11に示す重み付け加算しないADC13C)として動作し、スイッチS9~S13のオン/オフを制御することにより、重み付け加算機能を備えるA/D変換回路として動作するものである。
The
(重み付け加算なしの場合のADC12の動作説明)
最初に、図1に示すADC12において、スイッチS9~S13を定常的にオン状態にままとすることにより、ADC12を通常のA/D変換回路(重み付け加算しないA/D変換回路)として動作させる場合の例について説明する。
(Explanation of operation of
First, in the case where the
図2は、重み付け加算を行わない場合のADC12の動作を説明するためのタイムチャートである。なお、この図2に示す処理は、通常の積分型のA/D変換処理(特許文献1に記載の固体撮像装置において行われるA/D変換処理)と同じ処理である。以下、図2に示すタイムチャートを参照して、その処理の流れについて簡単に説明する(詳細については、特許文献1に記載の撮像装置を参照)。
FIG. 2 is a time chart for explaining the operation of
このADC12におけるA/D変換動作は、コース変換およびファイン変換の2段階のA/D変換動作により行われる。また、このA/D変換処理の動作中において、スイッチS9~S13はオンのままである。また、コンデンサC1~C8に繋がるスイッチS1~S8は、最初は、スイッチS1a~S8aがオン状態であり、スイッチS1b~S8bがオフ状態である。
The A/D conversion operation in this
そして、制御部21からの制御指令により、ADC12におけるA/D変換処理が開始されると、時刻T1においてダーク取込が開始され、PGAオートゼロ信号のスイッチPGA_AZ、オートゼロ信号のスイッチADC_AZ、およびサンプリング信号のスイッチSPLがオンになる。これにより、コンパレータCP1は、コンデンサC10の正極電位に画素の暗状態の情報を電位(ダーク電位Vdark)として保持する。そして、この時刻T1から開始されるダーク取込が完了すると、スイッチPGA_AZ、スイッチADC_AZ、およびスイッチSPLがオフになる。
その後、時刻T2において、シグナル取込(画素信号の読み込み)が開始され、再度スイッチSPLがオンになると、PGA11から出力される画素信号がノードVcmに電位Vcmとして保持される。そして、このダーク取込が完了すると、スイッチSPLがオフになる。
Then, when the A/D conversion process in the
After that, at time T2, signal acquisition (reading of pixel signals) is started, and when the switch SPL is turned on again, the pixel signal output from the
そして、制御部21内のコース変換制御部22により、時刻T3からコース変換が開始される。この時刻T3において、コンデンサC8に繋がるスイッチS8aがオフになり、同じくコンデンサC8に繋がるスイッチS8bがオンになる。これにより、ノードVcm’(より正確には、スイッチS13がオンのためノードVcmおよびノードVcm’)と容量結合されたコンデンサC8の対極の電圧がVRT(2.0V)からVRB(1.0V)に変化する。このとき、ノードVcmの電位が「(VRT-VRB)/8」だけ下降する。また、コース変換用の3ビットカウンタ24Aの値が“001”となる。
Then, the course
また、時刻T4において、コンデンサC1に繋がるスイッチS1aがオフになり、同じくコンデンサC1に繋がるスイッチS1bがオンになる。これにより、ノードVcmと容量結合されたコンデンサC1の対極がVRT(2.0V)からVRB(1.0V)に変化する。このとき、ノードVcmの電位がさらに「(VRT-VRB)/8」だけ下降する。また、3ビットカウンタ24Aの値が“010”となる。 Also, at time T4, the switch S1a connected to the capacitor C1 is turned off, and the switch S1b similarly connected to the capacitor C1 is turned on. As a result, the counter electrode of the capacitor C1 capacitively coupled with the node Vcm changes from VRT (2.0V) to VRB (1.0V). At this time, the potential of the node Vcm further drops by "(VRT-VRB)/8". Also, the value of the 3-bit counter 24A becomes "010".
時刻T5~T9において同様の動作が行なわれ、時刻T10においてノードVcmの電位がさらに「(VRT-VRB)/8」だけ下降したときに、ノードVcmの電位が電位Vdark(ほぼ0V)よりも低くなり、このとき、3ビットカウンタ24Aのカウント値(この例では、“111”)により、画素信号のA/D変換後のデジタル値の上位3ビットが決定される。
Similar operations are performed at times T5 to T9, and when the potential at node Vcm further drops by "(VRT-VRB)/8" at time T10, the potential at node Vcm falls below potential Vdark (approximately 0 V). At this time, the count value ("111" in this example) of the 3-bit counter 24A determines the high-
上記コース変換が終了すると、時刻T11以降において、ファイン変換制御部23により、ファイン変換が開始され、下位12ビットの判定が開始される。このため、時刻T11において、スイッチSXをオン状態にすると共に、コンデンサC8の対極電位である信号VRAMPを、VRTに相当するレベルまで引き上げる。また、ノードVcmの電位を、コース変換終了時点よりも、1タイミング前に相当するレベルまで引き上げる。すなわち、「(VRT-VRB)/8」だけ引き上げる(詳細については、特許文献1を参照)。
When the coarse conversion ends, fine conversion is started by the fine
そして、時刻T11以降、信号VRAMPをスロープ状に変化(低下)させることにより、ノードVcmの電位をスロープ状に下降させ、ノードVcmの電位がダーク電位Vdark(ほぼ0V)の電位よりも低くなる点までの時間をクロック信号(図示せず)により計数する。また、このクロック信号の計数は12ビットカウンタ24Bにより行われ、この12ビットカウンタ24Bの計数値により、画素信号の下位12ビットのデジタル値が決定される。 After time T11, the potential of the node Vcm is lowered in a slope by changing (decreasing) the signal VRAMP in a slope, and the potential of the node Vcm becomes lower than the dark potential Vdark (approximately 0 V). is counted by a clock signal (not shown). The clock signal is counted by a 12-bit counter 24B, and the lower 12-bit digital value of the pixel signal is determined by the count value of the 12-bit counter 24B.
このように、ADC12では、コース変換において画素情報の上位ビット(上位3ビット)を決定し、ファイン変換において画素情報の下位ビット(下位12ビット)を決定するので、画素信号のA/D変換処理を高速に行なうことができる。
In this manner, the
(重み付け加算を行う場合のADC12の動作説明)
次に、図3のタイムチャートを参照して、図1に示すADC12が、重み付け加算ありのA/D変換回路として動作する場合の例について説明する。
(Explanation of operation of
Next, an example in which the
この図3に示すフローチャートは、図2に示すタイムチャートと比較して、時刻T2aから開始される信号Sig1の取り込みと、時刻T2bから開始される信号Sig2の取り込みと、時刻T2cから開始される信号Sig3の取り込みと、時刻T2dから開始される信号Sig1,Sig2,Sig3の重み付け加算との、それぞれの処理期間を新たに追加した点が異なる。また、図2の時刻T2に開始されるシグナル取込を、図3の時刻T2eに開始される重み付け信号取込に変更した点が異なる。その他については、図2に示すタイムチャートと同様である。 Compared to the time chart shown in FIG. 2, the flowchart shown in FIG. 3 is different from the time chart shown in FIG. The difference is that a new processing period is added for each of the acquisition of Sig3 and the weighted addition of signals Sig1, Sig2, and Sig3 starting at time T2d. Another difference is that signal acquisition started at time T2 in FIG. 2 is changed to weighted signal acquisition started at time T2e in FIG. Others are the same as the time chart shown in FIG.
この図3のタイムチャートに示すように、時刻T1において開始されるダーク取り込みが終了し、時刻T2aに至るとスイッチS9がオンになり、PGA11を介して入力される信号Sig1がコンデンサC1に取り込まれる(コンデンサC1が充電される)。また、時刻T2bに至るとスイッチS10およびS11がオンになり、PGA11を通して入力される信号Sig2がコンデンサC2およびC3に取り込まれる(コンデンサC2,C3が充電される)。また、時刻T2cに至るとスイッチS12がオンになり、PGA11を通して入力される信号Sig3がコンデンサC4に取り込まれる(コンデンサC4が充電される)。これにより、重み付け加算の対象となる信号Sig1,Sig2,Sig3のADC12内への取り込みが完了する。
As shown in the time chart of FIG. 3, the dark capturing that starts at time T1 ends, and at time T2a, the switch S9 is turned on, and the signal Sig1 input via the
その後、時刻T2dに至ると、4つのスイッチS9,S10,S11,S12を一斉にオンにし、コンデンサC1,C2,C3,C4に蓄積された電荷をノードVcmに放出することにより、ノードVcm上に、信号Sig1,Sig2,Sig3が重み付け加算された電圧の信号が生成される。なお、信号Sig1,Sig2,Sig3に対する重み付けの比は、それぞれの信号が保持されるコンデンサ個数から「1:2:1」となる。 After that, at time T2d, the four switches S9, S10, S11, and S12 are turned on all at once, and the charges accumulated in the capacitors C1, C2, C3, and C4 are released to the node Vcm. , signals Sig1, Sig2, and Sig3 are weighted and added to generate a voltage signal. The weighting ratio for the signals Sig1, Sig2, and Sig3 is "1:2:1" from the number of capacitors that hold the respective signals.
そして、上記時刻T2dにおいて、信号Sig1,Sig2,Sig3が重み付け加算された電圧信号がノードVcmに生成されると、さらに、時刻T2eにおいて、スイッチS13をオンにし、ノードVcmとノードVcm’とを接続し、ノードVcm’上に重み付け加算された信号を取り込む。
そして、時刻T2e以降の波形Vcmは、ノードVcm’(コンデンサC5からC8が接続されるノードVcm’)の電圧波形を示している。但し、時刻T2eから時刻T2fまでは、スイッチS13がオンになることにより、コンデンサC1,C2,C3の充電電荷がコンデンサC1~C8の間で再分配されることを説明するために、スイッチS13がオンする前のコンデンサC1,C2,C3の充電電位(電圧レベルL1)を模式的に示している。
すなわち、時刻T2eから時刻T2fの間に、スイッチS13をオンにしてノードVcmとノードVcm’とを接続する際に、ノードVcmの電位(電圧レベルL1)は、コンデンサC1,C2,C3の充電電荷がコンデンサC1~C8の間で再分配されることにより、時刻T2fにおいて電圧レベルL2に低下する。
Then, at time T2d, when a voltage signal obtained by weighted addition of signals Sig1, Sig2, and Sig3 is generated at node Vcm, at time T2e, switch S13 is turned on to connect node Vcm and node Vcm'. and take in the weighted-and-added signal on the node Vcm'.
A waveform Vcm after time T2e indicates a voltage waveform at node Vcm' (node Vcm' to which capacitors C5 to C8 are connected). However, from time T2e to time T2f, the switch S13 is turned on to explain that the charges in the capacitors C1, C2, and C3 are redistributed among the capacitors C1 to C8. It schematically shows the charging potential (voltage level L1) of the capacitors C1, C2, and C3 before they are turned on.
That is, between the time T2e and the time T2f, when the switch S13 is turned on to connect the node Vcm and the node Vcm', the potential of the node Vcm (voltage level L1) changes from the charges charged in the capacitors C1, C2 and C3 to is redistributed between capacitors C1-C8, thereby dropping to voltage level L2 at time T2f.
その後、時刻T3においてコース変換が開始され、時刻T11においてファイン変換が開始される。このコース変換およびファイン変換については、図2に示したタイムチャートと基本的に同じである。
ただし、図3に示すタイムチャートでは、コース変換動作をスイッチS5,S6,S7,S8の4つのスイッチを用いて行う点が、図2に示すタイムチャートと異なる、すなわち、図2に示すタイムチャートでは、コース変換動作をスイッチS1~S8の8つのスイッチを用いて8段階で行うことにより、A/D変換値の上位ビットを決定するのに対して、図3に示すタイムチャートでは、コース変換動作をスイッチS5~S8の4つのスイッチを用いて4段階で行うことにより、A/D変換値の上位ビットを決定する。
これは、時刻T3以降のコース変換動作時において、スイッチS13がオフとなり、コンデンサC1,C2,C3,C4がノードVcm’から切り離されており、このコンデンサC1~C4のそれぞれに繋がるスイッチS1~S4をコース変換用に使用できないためである。
なお、時刻T2d以降、スイッチS9~S13をオンのままとすることにより、コース変換動作をスイッチS1~S8の8つのスイッチを用いて8段階で行うことも可能である。
After that, coarse conversion starts at time T3, and fine conversion starts at time T11. This coarse conversion and fine conversion are basically the same as the time chart shown in FIG.
However, the time chart shown in FIG. 3 differs from the time chart shown in FIG. 2 in that the four switches S5, S6, S7, and S8 are used for the course conversion operation. In contrast, the high-order bits of the A/D conversion value are determined by performing the coarse conversion operation in eight steps using the eight switches S1 to S8, whereas the time chart shown in FIG. The high-order bits of the A/D conversion value are determined by performing the operation in four stages using four switches S5 to S8.
This is because, during the coarse conversion operation after time T3, the switch S13 is turned off, the capacitors C1, C2, C3, and C4 are disconnected from the node Vcm′, and the switches S1 to S4 connected to the capacitors C1 to C4, respectively. cannot be used for course conversion.
After the time T2d, by keeping the switches S9 to S13 ON, it is also possible to perform the course conversion operation in eight stages using the eight switches S1 to S8.
このように、本実施形態のA/D変換回路(ADC12)においては、垂直方向の画素信号の重み付け加算を、A/D変換を行う前のアナログ信号の段階で行うことにより、A/D変換を行う際に発生するノイズ成分や量子化誤差の影響を受けることなく、画素信号の重み付け加算を行うことができる。 As described above, in the A/D conversion circuit (ADC 12) of the present embodiment, weighted addition of pixel signals in the vertical direction is performed at the analog signal stage before A/D conversion. Weighted addition of pixel signals can be performed without being affected by noise components and quantization errors that occur when performing.
[第2の実施形態]
上述した第1の実施形態のADC12においては、コース変換処理により画素信号のデジタル値の上位ビットを決定し、ファイン変換処理により画素信号のデジタル値の下位ビットを決定するようにして、A/D変換の高速化を図っている。しかしながら、その分、回路構成が複雑になる。本発明のA/D変換回路においては、コース変換処理を行うことは必ずしも必要ではなく、コース変換処理を行うことなく、ファイン変換処理のみを行う構成にすることもできる。これにより、A/D変換回路の回路構成を簡単化できる。本発明の第2の実施形態として、A/D変換回路において、ファイン変換のみを行う場合の例について説明する。
[Second embodiment]
In the
図4は、本発明の第2の実施形態に係わるA/D変換回路の構成を示す図である。この図4に示すA/D変換回路(ADC12A)は、図1に示すA/D変換回路(ADC12)と比較して、図1に示すADC12におけるコース変換処理に関係する構成を削除した点が異なる。すなわち、図1に示すADC12において、コンデンサC5~C7を削除し、またスイッチS1a,S1b~S8a,S8b及びSXを削除した点が異なる。他の構成は、図1に示すADC12と同様である。このため、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of an A/D conversion circuit according to the second embodiment of the present invention. The A/D conversion circuit (
図5は、図4に示すADC12Aの動作を説明するためのタイムチャートである。図5に示すタイムチャートは、図3に示す重み付け加算ありのタイムチャートと比較して、時刻T1において開始されるダーク取込から、時刻T2eにおいて開始される重み付け信号のノードVcm’への取込動作までは同じであり、時刻T3からファイン変換処理が開始される点が異なる(図3のタイムチャートでは、時刻T3からコース変換処理が開始される)。
FIG. 5 is a time chart for explaining the operation of
このように、コンデンサC1,C2,C3,C4を用いて、信号Sig1,Sig2,Sig3の重み付け加算を行った後、コース変換処理を省略し、直ちに、ファイン変換を開始することができる。このため、ビット数(分解能)の低いA/D変換回路においては、アナログ信号による重み付け加算が行えるとともに、回路構成を簡単化できる。 Thus, after the weighted addition of the signals Sig1, Sig2 and Sig3 is performed using the capacitors C1, C2, C3 and C4, the coarse conversion process can be omitted and the fine conversion can be started immediately. Therefore, in an A/D conversion circuit with a low number of bits (resolution), weighted addition using analog signals can be performed, and the circuit configuration can be simplified.
なお、図6は、図5に示すADC12Aにおいて、重み付け加算を行わない場合の動作を示すタイムチャートである。このADC12Aにおいて、重み付け加算を行わない場合は、スイッチS9からS13を全てオンのままとし、時刻T1から開始されるダーク取込と、時刻T2から開始されるシグナル取込とが完了した後に、時刻T3からファイン変換処理を開始する。
FIG. 6 is a time chart showing the operation of the
[第3の実施形態]
上記第1および第2実施形態では、ノードVcmに接続されるコンデンサC1~C8の全てを同じ静電容量のコンデンサとし、画素信号Sig1,Sig2,Sig3の重み付けに応じて、それぞれの信号を保持するコンデンサの個数を割り当てている。例えば、図1に示す例では、画素信号Sig1に1個のコンデンサC1を割り当て、画素信号Sig2に2個のコンデンサC2,C3を割り当て、画素信号Sig3に1個のコンデンサC4を割り当てている。
これに対して、本発明の第3の実施形態では、画素信号Sig1,Sig2,Sig3のそれぞれに対して1個のコンデンサを割り当て、それぞれのコンデンサの静電容量を変更することにより重み付けを行う。
[Third embodiment]
In the first and second embodiments, all the capacitors C1 to C8 connected to the node Vcm have the same capacitance, and each signal is held according to the weighting of the pixel signals Sig1, Sig2, and Sig3. Allocates the number of capacitors. For example, in the example shown in FIG. 1, one capacitor C1 is assigned to the pixel signal Sig1, two capacitors C2 and C3 are assigned to the pixel signal Sig2, and one capacitor C4 is assigned to the pixel signal Sig3.
In contrast, in the third embodiment of the present invention, one capacitor is assigned to each of the pixel signals Sig1, Sig2, and Sig3, and weighting is performed by changing the capacitance of each capacitor.
図7は、本発明の第3の実施形態に係わるA/D変換回路の構成を示す図である。この図7に示すADC12Bは、図1に示すADC12と比較して、信号Sig2を保持するコンデンサを、1つのコンデンサC2のみとした点(図1のADC12では、信号Sig2を2つのコンデンサC2,C3で保持)が異なる。また、信号Sig1,Sig2,Sig3のそれぞれに対する重み付けの大きさに応じて、コンデンサC1,C2,C3のそれぞれの静電容量の大きさを変化させる(すなわち、それぞれの静電容量の大きさをそれぞれ設定する、または、それぞれの静電容量の大きさを異なるようにする)点が異なる。
例えば、コンデンサC1,C2,C3の静電容量の比率を「1:2:1」などとする。その他の構成は、図1に示すADC12と同様である。このため、同一の構成には同一の符号を付している。
FIG. 7 is a diagram showing the configuration of an A/D conversion circuit according to the third embodiment of the invention.
For example, the capacitance ratio of the capacitors C1, C2, and C3 is set to "1:2:1". Other configurations are the same as those of the
この図7に示す例では、信号Sig1,Sig2,Sig3に対する重み付けに応じて、コンデンサC1,C2,C3のそれぞれの静電容量の大きさを変化させる。このため、コンデンサC1,C2,C3の静電容量と、コンデンサC4~C8の静電容量とが異なることになる。すなわち、コンデンサC1~C8において、静電容量が異なるコンデンサが存在することになる(図1に示すADC12では、コンデンサC1~C8の静電容量は全て同じである)。
In the example shown in FIG. 7, the capacitances of the capacitors C1, C2 and C3 are changed according to the weighting of the signals Sig1, Sig2 and Sig3. Therefore, the capacitances of the capacitors C1, C2, and C3 are different from the capacitances of the capacitors C4 to C8. That is, the capacitors C1 to C8 have different capacitances (the capacitors C1 to C8 all have the same capacitance in the
このため、コンデンサC1,C2,C3は、信号Sig1,Sig2,Sig3の重み付け加算を行う場合にだけ使用され、重み付け加算を行った後は、スイッチS9,S10,S11はオフ状態のままとし、コンデンサC1,C2,C3をADC12Bで行われるコース変換には使用しないようにする。すなわち、ADC12Bでは、5つのコンデンサC4,C5,C6,C7,C8を用いてコース変換処理を行うことになる。
Therefore, the capacitors C1, C2 and C3 are used only when performing the weighted addition of the signals Sig1, Sig2 and Sig3. After performing the weighted addition, the switches S9, S10 and S11 remain off and the capacitor C1, C2 and C3 are not used for the coarse conversion performed by
図8は、図7に示すADC12Bの動作を説明するためのタイムチャートであり、重み付け加算ありの場合の動作を示すタイムチャートである。この図8に示すタイムチャートは、図3に示す第1の実施形態のADC12におけるタイムチャートと比較して、時刻T1から開始されるダーク取込と、時刻T2aから開始される信号Sig1の取込までは同じである。そして、図8に示す時刻T2bに至るとスイッチS10がオンになり、PGA11を通して入力される信号Sig2がコンデンサC2に取り込まれる(コンデンサC2が充電される)。また、また、時刻T2cに至るとスイッチS11がオンになり、PGA11を通して入力される信号Sig3がコンデンサC3に取り込まれる(コンデンサC3が充電される)。これにより、重み付け加算の対象となる信号Sig1,Sig2,Sig3のADC12Bへの取り込みが完了する。
FIG. 8 is a time chart for explaining the operation of the
その後、時刻T2dに至ると、3つのスイッチS9,S10,S11を一斉にオンにし、コンデンサC1,C2,C3に蓄積された電荷をノードVcmに放出する。そして、上記時刻T2dにおいて、信号Sig1,Sig2,Sig3が重み付け加算された電圧信号がノードVcmに生成されると、さらに、時刻T2eにおいて、スイッチS13をオンにし、ノードVcmとノードVcm’とを接続し、ノードVcm’上に重み付け加算された信号を取り込む。これにより、信号Sig1,Sig2,Sig3を重み付け加算した電圧信号が、ノードVcm’に生成される。 After that, at time T2d, the three switches S9, S10 and S11 are turned on all at once to discharge the charges accumulated in the capacitors C1, C2 and C3 to the node Vcm. Then, at time T2d, when a voltage signal obtained by weighted addition of signals Sig1, Sig2, and Sig3 is generated at node Vcm, at time T2e, switch S13 is turned on to connect node Vcm and node Vcm'. and take in the weighted-and-added signal on the node Vcm'. As a result, a voltage signal obtained by weighting and adding the signals Sig1, Sig2, and Sig3 is generated at the node Vcm'.
そして、時刻T3においてコース変換が開始される。この図8に示すタイムチャートでは、コース変換動作をスイッチS4,S5,S6,S7,S8の5つのスイッチを用いて行い、A/D変換値の上位ビットを決定する点が、図3に示すタイムチャートと異なる。
すなわち、図3に示すタイムチャートでは、コース変換動作をスイッチS5~S8の4つのスイッチを用いて4段階で行うことにより、A/D変換値の上位ビットを決定するのに対し、図8に示すタイムチャートでは、コース変換動作をスイッチS4~S8の5つのスイッチを用いて5段階で行うことにより、A/D変換値の上位ビットを決定する。
これは、時刻T3以降のコース変換動作時において、スイッチS13がオフとなり、コンデンサC1,C2,C3がノードVcm’から切り離されており、このコンデンサC1,C2,C3に繋がるスイッチS1,S2,S3をコース変換動作用に使用できず、残りのスイッチS4~S8を用いてコース変換を行うためである。
このコース変換が終了すると、時刻T9においてファイン変換処理が開始されるが、このファイン変換処理は、図2および図3に示す場合と同様である。
Then, course conversion is started at time T3. In the time chart shown in FIG. 8, five switches S4, S5, S6, S7, and S8 are used to perform the coarse conversion operation, and the upper bits of the A/D conversion value are determined as shown in FIG. Different from the time chart.
That is, in the time chart shown in FIG. 3, the coarse conversion operation is performed in four stages using four switches S5 to S8 to determine the upper bits of the A/D conversion value, whereas in FIG. In the time chart shown, the high-order bits of the A/D conversion value are determined by performing the coarse conversion operation in five stages using five switches S4 to S8.
This is because during the course conversion operation after time T3, the switch S13 is turned off, the capacitors C1, C2, and C3 are disconnected from the node Vcm′, and the switches S1, S2, and S3 connected to the capacitors C1, C2, and C3 are switched off. can not be used for the course conversion operation, and the remaining switches S4 to S8 are used for course conversion.
When this coarse conversion is completed, fine conversion processing is started at time T9, and this fine conversion processing is the same as the cases shown in FIGS.
このように、第3の実施形態においては、コンデンサC1,C2,C3の容量を変化させることにより、信号Sig1,Sig2,Sig3に対する重み付けを細かく設定することができる。 Thus, in the third embodiment, by changing the capacities of the capacitors C1, C2 and C3, the weighting of the signals Sig1, Sig2 and Sig3 can be finely set.
以上、本発明の実施形態について説明したが、ここで本発明と上記実施形態とにおける対応関係について補足して説明する。
本発明における固体撮像装置は、図9に示す固体撮像装置1が対応し、本発明におけるA/D変換回路は、図1に示すADC12等が対応する。また、本発明における画素信号は、図9に示す画素PXで生成され垂直信号線VLを介してADC(A/D変換回路)に入力される画素信号(例えば、信号Sig1,Sig2,Sig3)対応する。また、本発明におけるノードは、ノードVcm(ノードVcmとノードVcm’の両方を含む場合がある)が対応する。また、本発明における所定電位は、暗状態の画素信号の電位(Vdark)であり、より正確には、コンパレータCP1に繋がるコンデンサC10に保持され電圧(ダーク電位Vdark)である。
また、本発明における制御手段は、制御部21が対応し、本発明におけるコース変換手段は、コース変換制御部22が対応し、本発明におけるファイン変換手段は、ファイン変換制御部23が対応する。また、本発明における第1群のコンデンサは、コンデンサC1~C4が対応し、本発明における第2群のコンデンサは、コンデンサC5~C8が対応し、本発明における第1群のスイッチは、スイッチS9~S12が対応し、本発明における第2群のスイッチは、スイッチS13が対応する。
The embodiments of the present invention have been described above, and the corresponding relationships between the present invention and the above-described embodiments will be additionally described here.
The solid-state imaging device according to the present invention corresponds to the solid-
The
(1)そして、上記実施形態において、ADC12は、固体撮像装置の垂直信号線VLを介して画素信号Sig1,Sig2,Sig3が入力されるノードVcmに容量結合される複数のコンデンサC1~C8と、垂直信号線VLを介して入力される複数の画素信号Sig1,Sig2,Sig3のそれぞれを、複数のコンデンサC1~C8中の一部のコンデンサC1~C4を使用して予め保持する画素信号保持手段(コンデンサC1~C4とスイッチS9~S11)と、一部のコンデンサC1~C4に保持されたそれぞれの画素信号を合成してノードVcmの電位を生成するノード電位生成手段(コンデンサC1~C4とスイッチS9~S11)と、複数のコンデンサC1~C8の対極の電圧を変化させることにより、ノードVcmの電位を変化させ、ノードVcmの電位と所定電位(ダーク電位Vdark)とを比較することにより画素信号のデジタル値を生成する制御手段(制御部21)と、を備える。
(1) In the above embodiment, the
このような構成のADC12では、固体撮像装置の垂直信号線VLを介して入力される複数の画素信号Sig1,Sig2,Sig3のそれぞれを、ADC12内の複数のコンデンサC1~C8中の一部のコンデンサC1~C4を使用して予め保持する。そして、コンデンサC1~C4に保持されたそれぞれの画素信号Sig1,Sig2,Sig3を合成してノードVcmの電位を生成する。その後、コンデンサC1~C8の対極の電圧を変化させることにより、ノードVcmの電位を変化させ、ノードVcmの電位と所定電位(ダーク電位Vdark)とを比較することにより画素信号のデジタル値を生成する。
これにより、本実施形態のADC12では、垂直方向の画素信号Sig1,Sig2,Sig3の重み付け加算をアナログ信号の段階で行うことにより、A/D変換の際に重畳されるノイズ成分による誤差や量子化誤差を含むことなく、重み付け加算を行うことができる。また、重み付け加算をADC12内のコンデンサC1~C4を利用して行うため、固体撮像装置(チップ)のレイアウト面積を増大させることがない。
In the
As a result, in the
(2)また、上記実施形態において、ADC12は、複数のコンデンサC1~C8はそれぞれが同一の静電容量であり、画素信号Sig1,Sig2,Sig3の重み付け加算を行う場合に、制御部21は、それぞれの画素信号をコンデンサC1~C4に保持する際に、それぞれの画素信号の重み付けに応じて、複数のコンデンサC1~C8の中から1または複数個のコンデンサを割り当て、この割り当てられたコンデンサに充電を行うことにより当該画素信号を保持し、重み付け加算を行う画素信号の全ての入力が完了した後に、コンデンサC1~C4に保持された充電電荷を加算することにより画素信号Sig1,Sig2,Sig3を重み付け加算し、この重み付け加算された画素信号によりノードVcmに電位を生成させる。
これにより、ADC12中のコンデンサC1~C4を利用して、画素信号Sig1,Sig2,Sig3をアナログ信号の段階において容易に重み付けして加算することができる。また、重み付け加算をADC12内のコンデンサC1~C4を利用して行うため、レイアウト面積を増大させることがない。
(2) In the above embodiment, the
As a result, the pixel signals Sig1, Sig2, and Sig3 can be easily weighted and added at the analog signal stage by using the capacitors C1 to C4 in the
(3)また、上記実施形態において、制御部21は、複数のコンデンサC1~C8の対極の電圧を順次に切替えることによりノードVcmの電位を階段状に変化させ、ノードVcmの電位と所定電位(ダーク電位Vdark)とを比較して、デジタル値の所定のビット数の上位ビットを決定するコース変換制御部22と、コース変換の終了後に、コンデンサC1~C8内の所定のコンデンサC8の対極の電圧VRAMPをスロープ状に変化させることにより、ノードVcmの電位をスロープ上に変化させ、ノードVcmの電位と所定電位(ダーク電位Vdark)とを比較してデジタル値の下位ビットを決定するファイン変換制御部23と、を備える。
これにより、A/D変換の際に重畳されるノイズ成分による誤差や量子化誤差を含むことなく、重み付け加算を行うことができるという効果に加えて、重み付け加算された画素信号をデジタル値に変換する際のA/D変換速度を速くすることができる。
(3) In the above embodiment, the
As a result, weighted addition can be performed without including errors due to noise components superimposed during A/D conversion and quantization errors. A/D conversion speed can be increased.
(4)また、上記実施形態において、制御部21は、コンデンサC1~C8内の所定のコンデンサC8の対極の電圧VRAMPをスロープ状に変化させることにより、ノードVcmの電位をスロープ上に変化させ、ノードVcmの電位と所定電位(Vdark)とを比較してデジタル値を生成するファイン変換制御部23を、を備える。
これにより、コース変換処理を行うことなく、ファイン変換処理のみを行う構成にすることもできる。これにより、A/D変換回路の回路構成を簡単化できる。
(4) In the above embodiment, the
Thereby, it is also possible to adopt a configuration in which only the fine conversion process is performed without performing the coarse conversion process. Thereby, the circuit configuration of the A/D conversion circuit can be simplified.
(5)また、上記実施形態において、複数のコンデンサC1~C8の個数がn個(n=8)であり、画素信号を予め保持する第1群のコンデンサC1~C4の個数がm個(m=4)であり、第1群の4個のそれぞれのコンデンサC1~C4とノードVcmとの間を選択的に接続するm個の第1群のスイッチS9~S12と、複数のコンデンサC1~C8中の第1群のコンデンサを除く(n-m)個(4個)の第2群のコンデンサC5~C8とノードVcmとの間を一括して選択的に接続する1個の第2群のスイッチS13と、を備え、制御部21は、重み付け加算を行う画素信号の数と、それぞれの画素信号の重み付けとに応じて、入力されるそれぞれの画素信号に対して第1群のスイッチS9~S12の中から1または複数のスイッチを予め割り当て、垂直信号線VLを介して順次に入力される画素信号を重み付けして加算する際に、最初に、第1群のスイッチS9~S12と第2群のスイッチS13とをオフにし、画素信号が入力されるごとに、第1群のスイッチS9~S12中の当該画素信号に割り当てられたスイッチをオンにし、当該スイッチに繋がるコンデンサを充電することにより当該画素信号を保持した後に、当該スイッチをオフにし、重み付け加算を行う画素信号Sig1,Sig2,Sig3の全ての入力が完了した後に、第1群のスイッチS9~S12を一括してオンにし、当該第1群のスイッチS9~S12に繋がるコンデンサC1~C4に保持された充電電荷を加算することにより画素信号を重み付け加算するとともに、この重み付け加算された画素信号によりノードVcmに電位を生成させる。
これにより、画素信号Sig1,Sig2,Sig3をアナログ信号の段階で重み付け加算することができるとともに、ADC12内のコンデンサC1~C4を利用して重み付け加算を行うことができる。
(5) In the above embodiment, the number of the plurality of capacitors C1 to C8 is n (n=8), and the number of capacitors C1 to C4 in the first group for holding pixel signals in advance is m (m =4), a first group of m switches S9-S12 selectively connecting between the respective capacitors C1-C4 of the first group and the node Vcm, and a plurality of capacitors C1-C8. (n−m) (four) second group capacitors C5 to C8 excluding the first group capacitors in the second group selectively connecting together and the node Vcm The
As a result, the pixel signals Sig1, Sig2, and Sig3 can be weighted and added in the analog signal stage, and the weighted addition can be performed using the capacitors C1 to C4 in the
(6)また、上記実施形態において、制御部21は、第1群のスイッチS9~S12と第2群のスイッチS13とを常時オンに制御することにより、入力される画素信号に対して重み付け加算なしのA/D変換を行う。
これにより、重み付け加算ありのA/D変換と、重み付け加算なしのA/D変換とを選択して実行することができる。
(6) In the above embodiment, the
As a result, A/D conversion with weighted addition and A/D conversion without weighted addition can be selected and executed.
(7)また、上記実施形態において、固体撮像装置1は、上記のADC12を備える固体撮像装置1であって、光信号を電気信号に変換する光電変換素子を含む画素PXが複数行列状に配置され、各画素PXを行ごとに順次走査しながら選択行の各画素PXの信号を列ごとに配線された複数の垂直信号線VLを介して出力する撮像手段(画素部2)を備え、ADC12は、複数の垂直信号線VLそれぞれに対応して設けられ、当該垂直信号線VLから出力される画素信号(例えば、信号Sig1,Sig2,Sig3)をアナログ信号からデジタル値に変換する。
これにより、本発明の固体撮像装置1では、垂直信号線VLから出力される画素信(例えば、信号Sig1,Sig2,Sig3)を重み付け加算してデジタル値(デジタルデータ)として出力する際に、この画素信号の重み付け加算をアナログ信号の段階で行うことができる。このため、画素信号をA/D変換する際に重畳されるノイズ成分等による誤差を含むことなく、重み付け加算されたデジタルデータを出力することができる。また、重み付け加算をADC12内のコンデンサC1~C4を利用して行うため、レイアウト面積を増大させることがない。
(7) In the above-described embodiment, the solid-
As a result, in the solid-
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明のA/D変換回路は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the A/D conversion circuit of the present invention is not limited to the above illustrated examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Of course you can get it.
1 固体撮像装置
2 画素部
3 垂直走査回路
4 水平走査回路
11 PGA
12 ADC(A/D変換回路)
21 制御部
22 コース変換制御部
23 ファイン変換制御部
24 カウンタ
C1~C8 コンデンサ
C10,C11,C12 コンデンサ
CP1 コンパレータ
PX 画素
S1a,S4b~S8a,S8b,SX スイッチ
S9,S10,S11,S12,S13 スイッチ
Sig1,Sig2,Sig3 画素信号
Vcm ノード
1 solid-
12 ADC (A/D conversion circuit)
21
Claims (45)
前記複数の画素のうち第1画素からの第1画素信号を保持する第1保持部と、前記複数の画素のうち、前記第1画素から列方向側の位置に配置される第2画素からの第2画素信号を保持する第2保持部とを有する第1保持回路と、
前記第1保持回路から出力された第1出力信号をデジタル信号に変換するために用いられる第1コンパレータと、
前記第1保持回路と前記第1コンパレータとの間を電気的に接続する第1接続部と、
を備える撮像素子。 a plurality of pixels;
a first holding unit that holds a first pixel signal from a first pixel among the plurality of pixels; a first holding circuit having a second holding unit that holds a second pixel signal;
a first comparator used to convert the first output signal output from the first holding circuit into a digital signal;
a first connecting portion electrically connecting between the first holding circuit and the first comparator;
An image sensor.
前記第1保持回路は、前記第1画素と前記第1保持部とを電気的に接続する第1スイッチと、前記第2画素と前記第2保持部とを電気的に接続する第2スイッチとを有する撮像素子。 In the imaging device according to claim 1,
The first holding circuit includes a first switch that electrically connects the first pixel and the first holding section, and a second switch that electrically connects the second pixel and the second holding section. An image sensor having
前記第2保持部は、前記第1保持部に前記第1画素信号が保持されているときに、前記第2画素信号を保持する撮像素子。 In the imaging device according to claim 1 or claim 2,
The second holding unit is an imaging device that holds the second pixel signal when the first pixel signal is held in the first holding unit.
前記第1画素を制御するための第1制御信号が出力される第1制御線と、
前記第2画素を制御するための第2制御信号が出力される第2制御線と、
を備える撮像素子。 In the imaging device according to any one of claims 1 to 3,
a first control line outputting a first control signal for controlling the first pixel;
a second control line outputting a second control signal for controlling the second pixel;
An image sensor.
前記第1画素は、光を電荷に変換する第1光電変換部と、前記第1制御線に接続され、前記第1光電変換部の電荷を転送する第1転送部とを有し、
前記第2画素は、光を電荷に変換する第2光電変換部と、前記第2制御線に接続され、前記第2光電変換部の電荷を転送する第2転送部とを有する撮像素子。 In the imaging device according to claim 4,
The first pixel includes a first photoelectric conversion unit that converts light into electric charge, and a first transfer unit that is connected to the first control line and transfers the electric charge of the first photoelectric conversion unit,
The second pixel is an imaging device having a second photoelectric conversion section that converts light into electric charge, and a second transfer section that is connected to the second control line and transfers the electric charge of the second photoelectric conversion section.
前記第2制御信号は、前記第1制御信号が前記第1制御線に出力されるタイミングとは異なるタイミングで前記第2制御線に出力される撮像素子。 In the imaging device according to claim 4 or claim 5,
The imaging device in which the second control signal is output to the second control line at a timing different from the timing at which the first control signal is output to the first control line.
前記第1保持部は、前記第1画素信号を保持する容量素子を有し、
前記第2保持部は、前記第2画素信号を保持する容量素子を有する撮像素子。 In the imaging device according to any one of claims 1 to 6,
The first holding unit has a capacitive element that holds the first pixel signal ,
The second holding unit is an imaging device having a capacitive element that holds the second pixel signal .
前記第2保持部が有する容量素子は、前記第1保持部が有する容量素子とは異なる容量を有する撮像素子。 In the imaging device according to claim 7,
A capacitive element included in the second holding section has a capacity different from that of the capacitive element included in the first holding section.
前記第1出力信号を増幅するために用いられる第1増幅部を備える撮像素子。 In the imaging device according to any one of claims 1 to 8,
An imaging device comprising a first amplification section used to amplify the first output signal.
前記第1コンパレータは、前記第1増幅部を用いて増幅された前記第1出力信号をデジタル信号に変換するために用いられる撮像素子。 In the imaging device according to claim 9,
A said 1st comparator is an image pick-up element used in order to convert the said 1st output signal amplified using a said 1st amplifier into a digital signal.
前記第1出力信号は、第1保持部に保持された前記第1画素信号と、前記第2保持部に保持された前記第2画素信号とを用いて生成される撮像素子。 The image pickup device, wherein the first output signal is generated using the first pixel signal held in the first holding section and the second pixel signal held in the second holding section.
前記複数の画素のうち第3画素からの第3画素信号を保持する第3保持部と、前記複数の画素のうち、前記第3画素から前記列方向側の位置に配置される第4画素からの第4画素信号を保持する第4保持部とを有する第2保持回路と、a third holding unit holding a third pixel signal from a third pixel among the plurality of pixels; and a fourth pixel arranged at a position on the column direction side from the third pixel among the plurality of pixels; a second holding circuit having a fourth holding unit that holds the fourth pixel signal of
前記第2保持回路から出力された第2出力信号をデジタル信号に変換するために用いられる第2コンパレータと、a second comparator used to convert the second output signal output from the second holding circuit into a digital signal;
前記第2保持回路と前記第2コンパレータとの間を電気的に接続する第2接続部と、a second connection portion electrically connecting the second holding circuit and the second comparator;
を備える撮像素子。An image sensor.
前記第1保持回路は、前記第1画素と前記第1保持部とを電気的に接続する第1スイッチと、前記第2画素と前記第2保持部とを電気的に接続する第2スイッチとを有し、The first holding circuit includes a first switch that electrically connects the first pixel and the first holding section, and a second switch that electrically connects the second pixel and the second holding section. has
前記第2保持回路は、前記第3画素と前記第3保持部とを電気的に接続する第3スイッチと、前記第4画素と前記第4保持部とを電気的に接続する第4スイッチとを有する撮像素子。The second holding circuit includes a third switch that electrically connects the third pixel and the third holding section, and a fourth switch that electrically connects the fourth pixel and the fourth holding section. An image sensor having
前記第2保持部は、前記第1保持部に前記第1画素信号が保持されているときに、前記第2画素信号を保持し、the second holding unit holds the second pixel signal when the first pixel signal is held in the first holding unit;
前記第4保持部は、前記第3保持部に前記第3画素信号が保持されているときに、前記第4画素信号を保持する撮像素子。The fourth holding unit is an imaging device that holds the fourth pixel signal when the third holding unit holds the third pixel signal.
前記第1画素を制御するための第1制御信号が出力される第1制御線と、a first control line outputting a first control signal for controlling the first pixel;
前記第2画素を制御するための第2制御信号が出力される第2制御線と、a second control line outputting a second control signal for controlling the second pixel;
前記第3画素を制御するための第3制御信号が出力される第3制御線と、a third control line outputting a third control signal for controlling the third pixel;
前記第4画素を制御するための第4制御信号が出力される第4制御線と、a fourth control line outputting a fourth control signal for controlling the fourth pixel;
を備える撮像素子。An image sensor.
前記第1画素は、光を電荷に変換する第1光電変換部と、前記第1制御線に接続され、前記第1光電変換部の電荷を転送する第1転送部とを有し、The first pixel includes a first photoelectric conversion unit that converts light into electric charge, and a first transfer unit that is connected to the first control line and transfers the electric charge of the first photoelectric conversion unit,
前記第2画素は、光を電荷に変換する第2光電変換部と、前記第2制御線に接続され、前記第2光電変換部の電荷を転送する第2転送部とを有し、the second pixel includes a second photoelectric conversion unit that converts light into an electric charge, and a second transfer unit that is connected to the second control line and transfers the electric charge of the second photoelectric conversion unit;
前記第3画素は、光を電荷に変換する第3光電変換部と、前記第3制御線に接続され、前記第3光電変換部の電荷を転送する第3転送部とを有し、the third pixel includes a third photoelectric conversion unit that converts light into an electric charge, and a third transfer unit that is connected to the third control line and transfers the electric charge of the third photoelectric conversion unit;
前記第4画素は、光を電荷に変換する第4光電変換部と、前記第4制御線に接続され、前記第4光電変換部の電荷を転送する第4転送部とを有する撮像素子。The fourth pixel is an imaging device having a fourth photoelectric conversion section that converts light into electric charge, and a fourth transfer section that is connected to the fourth control line and transfers the electric charge of the fourth photoelectric conversion section.
前記第2制御信号は、前記第1制御信号が前記第1制御線に出力されるタイミングとは異なるタイミングで前記第2制御線に出力され、the second control signal is output to the second control line at a timing different from the timing at which the first control signal is output to the first control line;
前記第4制御信号は、前記第3制御信号が前記第3制御線に出力されるタイミングとは異なるタイミングで前記第4制御線に出力される撮像素子。The fourth control signal is output to the fourth control line at a timing different from the timing at which the third control signal is output to the third control line.
前記第1画素と前記第3画素とを制御するための第1制御信号が出力される第1制御線と、a first control line outputting a first control signal for controlling the first pixel and the third pixel;
前記第2画素と前記第4画素とを制御するための第2制御信号が出力される第2制御線と、a second control line outputting a second control signal for controlling the second pixel and the fourth pixel;
を備える撮像素子。An image sensor.
前記第1画素は、光を電荷に変換する第1光電変換部と、前記第1制御線に接続され、前記第1光電変換部の電荷を転送する第1転送部とを有し、The first pixel includes a first photoelectric conversion unit that converts light into electric charge, and a first transfer unit that is connected to the first control line and transfers the electric charge of the first photoelectric conversion unit,
前記第2画素は、光を電荷に変換する第2光電変換部と、前記第2制御線に接続され、前記第2光電変換部の電荷を転送する第2転送部とを有し、the second pixel includes a second photoelectric conversion unit that converts light into an electric charge, and a second transfer unit that is connected to the second control line and transfers the electric charge of the second photoelectric conversion unit;
前記第3画素は、光を電荷に変換する第3光電変換部と、前記第1制御線に接続され、前記第3光電変換部の電荷を転送する第3転送部とを有し、the third pixel includes a third photoelectric conversion unit that converts light into an electric charge, and a third transfer unit that is connected to the first control line and transfers the electric charge of the third photoelectric conversion unit;
前記第4画素は、光を電荷に変換する第4光電変換部と、前記第2制御線に接続され、前記第4光電変換部の電荷を転送する第4転送部とを有する撮像素子。The fourth pixel is an imaging device having a fourth photoelectric conversion section that converts light into electric charge, and a fourth transfer section that is connected to the second control line and transfers the electric charge of the fourth photoelectric conversion section.
前記第2制御信号は、前記第1制御信号が前記第1制御線に出力されるタイミングとは異なるタイミングで前記第2制御線に出力される撮像素子。The imaging device in which the second control signal is output to the second control line at a timing different from the timing at which the first control signal is output to the first control line.
前記第1保持部は、前記第1画素信号を保持する容量素子を有し、The first holding unit has a capacitive element that holds the first pixel signal,
前記第2保持部は、前記第2画素信号を保持する容量素子を有し、The second holding unit has a capacitive element that holds the second pixel signal,
前記第3保持部は、前記第3画素信号を保持する容量素子を有し、The third holding unit has a capacitive element that holds the third pixel signal,
前記第4保持部は、前記第4画素信号を保持する容量素子を有する撮像素子。The fourth holding unit is an imaging device having a capacitive element that holds the fourth pixel signal.
前記第2保持部が有する容量素子は、前記第1保持部が有する容量素子とは異なる容量を有し、the capacitive element of the second holding unit has a capacitance different from that of the capacitive element of the first holding unit;
前記第4保持部が有する容量素子は、前記第3保持部が有する容量素子とは異なる容量を有する撮像素子。A capacitive element included in the fourth holding section has a capacity different from that of the capacitive element included in the third holding section.
前記第1出力信号は、第1保持部に保持された前記第1画素信号と、前記第2保持部に保持された前記第2画素信号とを用いて生成され、the first output signal is generated using the first pixel signal held in the first holding unit and the second pixel signal held in the second holding unit;
前記第2出力信号は、第3保持部に保持された前記第3画素信号と、前記第4保持部に保持された前記第4画素信号とを用いて生成される撮像素子。The image pickup device, wherein the second output signal is generated using the third pixel signal held in the third holding section and the fourth pixel signal held in the fourth holding section.
前記複数の画素のうち第1画素からの第1画素信号を保持する第1保持部と、前記複数の画素のうち、前記第1画素から列方向側の位置に配置される第2画素からの第2画素信号を保持する第2保持部とを有する第1保持回路と、
前記第1保持回路から出力された第1出力信号を増幅するために用いられる第1増幅部と、
前記第1保持回路と前記第1増幅部との間を電気的に接続する第1接続部と、
を備える撮像素子。 a plurality of pixels;
a first holding unit that holds a first pixel signal from a first pixel among the plurality of pixels; a first holding circuit having a second holding unit that holds a second pixel signal;
a first amplifier used to amplify the first output signal output from the first holding circuit ;
a first connecting portion electrically connecting the first holding circuit and the first amplifying portion;
An image sensor.
前記第1保持回路は、前記第1画素と前記第1保持部とを電気的に接続する第1スイッチと、前記第2画素と前記第2保持部とを電気的に接続する第2スイッチとを有する撮像素子。 25. The imaging device according to claim 24 ,
The first holding circuit includes a first switch that electrically connects the first pixel and the first holding section, and a second switch that electrically connects the second pixel and the second holding section. An image sensor having
前記第2保持部は、前記第1保持部に前記第1画素信号が保持されているときに、前記第2画素信号を保持する撮像素子。 In the imaging device according to claim 24 or 25 ,
The second holding unit is an imaging device that holds the second pixel signal when the first pixel signal is held in the first holding unit.
前記第1画素を制御するための第1制御信号が出力される第1制御線と、
前記第2画素を制御するための第2制御信号が出力される第2制御線と、
を備える撮像素子。 In the imaging device according to any one of claims 24 to 26 ,
a first control line outputting a first control signal for controlling the first pixel;
a second control line outputting a second control signal for controlling the second pixel;
An image sensor.
前記第1画素は、光を電荷に変換する第1光電変換部と、前記第1制御線に接続され、前記第1光電変換部の電荷を転送する第1転送部とを有し、
前記第2画素は、光を電荷に変換する第2光電変換部と、前記第2制御線に接続され、前記第2光電変換部の電荷を転送する第2転送部とを有する撮像素子。 28. The imaging device according to claim 27 ,
The first pixel includes a first photoelectric conversion unit that converts light into electric charge, and a first transfer unit that is connected to the first control line and transfers the electric charge of the first photoelectric conversion unit,
The second pixel is an imaging device having a second photoelectric conversion section that converts light into electric charge, and a second transfer section that is connected to the second control line and transfers the electric charge of the second photoelectric conversion section.
前記第2制御信号は、前記第1制御信号が前記第1制御線に出力されるタイミングとは異なるタイミングで前記第2制御線に出力される撮像素子。 In the imaging device according to claim 27 or claim 28 ,
The imaging device in which the second control signal is output to the second control line at a timing different from the timing at which the first control signal is output to the first control line.
前記第1保持部は、前記第1画素信号を保持する容量素子を有し、
前記第2保持部は、前記第2画素信号を保持する容量素子を有する撮像素子。 In the imaging device according to any one of claims 24 to 29 ,
The first holding unit has a capacitive element that holds the first pixel signal ,
The second holding unit is an imaging device having a capacitive element that holds the second pixel signal .
前記第2保持部が有する容量素子は、前記第1保持部が有する容量素子とは異なる容量を有する撮像素子。 In the imaging device according to claim 30 ,
A capacitive element included in the second holding section has a capacity different from that of the capacitive element included in the first holding section.
前記第1出力信号は、第1保持部に保持された前記第1画素信号と、前記第2保持部に保持された前記第2画素信号とを用いて生成される撮像素子。The image pickup device, wherein the first output signal is generated using the first pixel signal held in the first holding section and the second pixel signal held in the second holding section.
前記複数の画素のうち第3画素からの第3画素信号を保持する第3保持部と、前記複数の画素のうち、前記第3画素から前記列方向側の位置に配置される第4画素からの第4画素信号を保持する第4保持部とを有する第2保持回路と、a third holding unit holding a third pixel signal from a third pixel among the plurality of pixels; and a fourth pixel arranged at a position on the column direction side from the third pixel among the plurality of pixels; a second holding circuit having a fourth holding unit that holds the fourth pixel signal of
前記第2保持回路から出力された第2出力信号を増幅するために用いられる第2増幅部と、a second amplifier used to amplify the second output signal output from the second holding circuit;
前記第2保持回路と前記第2増幅部との間を電気的に接続する第2接続部と、a second connecting portion electrically connecting the second holding circuit and the second amplifying portion;
を備える撮像素子。An image sensor.
前記第1保持回路は、前記第1画素と前記第1保持部とを電気的に接続する第1スイッチと、前記第2画素と前記第2保持部とを電気的に接続する第2スイッチとを有し、The first holding circuit includes a first switch that electrically connects the first pixel and the first holding section, and a second switch that electrically connects the second pixel and the second holding section. has
前記第2保持回路は、前記第3画素と前記第3保持部とを電気的に接続する第3スイッチと、前記第4画素と前記第4保持部とを電気的に接続する第4スイッチとを有する撮像素子。The second holding circuit includes a third switch that electrically connects the third pixel and the third holding section, and a fourth switch that electrically connects the fourth pixel and the fourth holding section. An image sensor having
前記第2保持部は、前記第1保持部に前記第1画素信号が保持されているときに、前記第2画素信号を保持し、the second holding unit holds the second pixel signal when the first pixel signal is held in the first holding unit;
前記第4保持部は、前記第3保持部に前記第3画素信号が保持されているときに、前記第4画素信号を保持する撮像素子。The fourth holding unit is an imaging device that holds the fourth pixel signal when the third holding unit holds the third pixel signal.
前記第1画素を制御するための第1制御信号が出力される第1制御線と、a first control line outputting a first control signal for controlling the first pixel;
前記第2画素を制御するための第2制御信号が出力される第2制御線と、a second control line outputting a second control signal for controlling the second pixel;
前記第3画素を制御するための第3制御信号が出力される第3制御線と、a third control line outputting a third control signal for controlling the third pixel;
前記第4画素を制御するための第4制御信号が出力される第4制御線と、a fourth control line outputting a fourth control signal for controlling the fourth pixel;
を備える撮像素子。An image sensor.
前記第1画素は、光を電荷に変換する第1光電変換部と、前記第1制御線に接続され、前記第1光電変換部の電荷を転送する第1転送部とを有し、The first pixel includes a first photoelectric conversion unit that converts light into electric charge, and a first transfer unit that is connected to the first control line and transfers the electric charge of the first photoelectric conversion unit,
前記第2画素は、光を電荷に変換する第2光電変換部と、前記第2制御線に接続され、前記第2光電変換部の電荷を転送する第2転送部とを有し、the second pixel includes a second photoelectric conversion unit that converts light into an electric charge, and a second transfer unit that is connected to the second control line and transfers the electric charge of the second photoelectric conversion unit;
前記第3画素は、光を電荷に変換する第3光電変換部と、前記第3制御線に接続され、前記第3光電変換部の電荷を転送する第3転送部とを有し、the third pixel includes a third photoelectric conversion unit that converts light into an electric charge, and a third transfer unit that is connected to the third control line and transfers the electric charge of the third photoelectric conversion unit;
前記第4画素は、光を電荷に変換する第4光電変換部と、前記第4制御線に接続され、前記第4光電変換部の電荷を転送する第4転送部とを有する撮像素子。The fourth pixel is an imaging device having a fourth photoelectric conversion section that converts light into electric charge, and a fourth transfer section that is connected to the fourth control line and transfers the electric charge of the fourth photoelectric conversion section.
前記第2制御信号は、前記第1制御信号が前記第1制御線に出力されるタイミングとは異なるタイミングで前記第2制御線に出力され、the second control signal is output to the second control line at a timing different from the timing at which the first control signal is output to the first control line;
前記第4制御信号は、前記第3制御信号が前記第3制御線に出力されるタイミングとは異なるタイミングで前記第4制御線に出力される撮像素子。The fourth control signal is output to the fourth control line at a timing different from the timing at which the third control signal is output to the third control line.
前記第1画素と前記第3画素とを制御するための第1制御信号が出力される第1制御線と、a first control line outputting a first control signal for controlling the first pixel and the third pixel;
前記第2画素と前記第4画素とを制御するための第2制御信号が出力される第2制御線と、a second control line outputting a second control signal for controlling the second pixel and the fourth pixel;
を備える撮像素子。An image sensor.
前記第1画素は、光を電荷に変換する第1光電変換部と、前記第1制御線に接続され、前記第1光電変換部の電荷を転送する第1転送部とを有し、the first pixel includes a first photoelectric conversion unit that converts light into electric charge, and a first transfer unit that is connected to the first control line and transfers the electric charge of the first photoelectric conversion unit;
前記第2画素は、光を電荷に変換する第2光電変換部と、前記第2制御線に接続され、前記第2光電変換部の電荷を転送する第2転送部とを有し、the second pixel includes a second photoelectric conversion unit that converts light into an electric charge, and a second transfer unit that is connected to the second control line and transfers the electric charge of the second photoelectric conversion unit;
前記第3画素は、光を電荷に変換する第3光電変換部と、前記第1制御線に接続され、前記第3光電変換部の電荷を転送する第3転送部とを有し、the third pixel includes a third photoelectric conversion unit that converts light into an electric charge, and a third transfer unit that is connected to the first control line and transfers the electric charge of the third photoelectric conversion unit;
前記第4画素は、光を電荷に変換する第4光電変換部と、前記第2制御線に接続され、前記第4光電変換部の電荷を転送する第4転送部とを有する撮像素子。The fourth pixel is an imaging device having a fourth photoelectric conversion section that converts light into electric charge, and a fourth transfer section that is connected to the second control line and transfers the electric charge of the fourth photoelectric conversion section.
前記第2制御信号は、前記第1制御信号が前記第1制御線に出力されるタイミングとは異なるタイミングで前記第2制御線に出力される撮像素子。The imaging device in which the second control signal is output to the second control line at a timing different from the timing at which the first control signal is output to the first control line.
前記第1保持部は、前記第1画素信号を保持する容量素子を有し、 The first holding unit has a capacitive element that holds the first pixel signal,
前記第2保持部は、前記第2画素信号を保持する容量素子を有し、The second holding unit has a capacitive element that holds the second pixel signal,
前記第3保持部は、前記第3画素信号を保持する容量素子を有し、 The third holding unit has a capacitive element that holds the third pixel signal,
前記第4保持部は、前記第4画素信号を保持する容量素子を有する撮像素子。The fourth holding unit is an imaging device having a capacitive element that holds the fourth pixel signal.
前記第2保持部が有する容量素子は、前記第1保持部が有する容量素子とは異なる容量を有し、the capacitive element of the second holding unit has a capacitance different from that of the capacitive element of the first holding unit;
前記第4保持部が有する容量素子は、前記第3保持部が有する容量素子とは異なる容量を有する撮像素子。A capacitive element included in the fourth holding section has a capacity different from that of the capacitive element included in the third holding section.
前記第1出力信号は、第1保持部に保持された前記第1画素信号と、前記第2保持部に保持された前記第2画素信号とを用いて生成され、the first output signal is generated using the first pixel signal held in the first holding unit and the second pixel signal held in the second holding unit;
前記第2出力信号は、第3保持部に保持された前記第3画素信号と、前記第4保持部に保持された前記第4画素信号とを用いて生成される撮像素子。The image pickup device, wherein the second output signal is generated using the third pixel signal held in the third holding section and the fourth pixel signal held in the fourth holding section.
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