JP7271094B2

JP7271094B2 - 半導体記憶装置

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Inventors: 建吾熊谷; 大吾田沼; 仁博水野
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Description

本発明の実施形態は、半導体記憶装置に関する。

基板と、半導体メモリ部品と、コンデンサとを備えた半導体記憶装置が知られている。

特開２００３－２４３８１４号公報

本発明が解決しようとする課題は、コンデンサの位置ずれの抑制を図ることができる半導体記憶装置を提供することである。

実施形態の半導体記憶装置は、基板と、半導体メモリ部品と、コンデンサとを備えている。前記基板は、第１パッドと、第２パッドとを有する。前記半導体メモリ部品は、前記基板に実装されている。前記コンデンサは、前記第１パッドに半田で固定された第１電極と、前記第２パッドに半田で固定された第２電極とを有する。前記第１パッドは、第１領域と、前記第１領域に対して前記第２パッド側に位置した第２領域とを有する。前記第１パッドから前記第２パッドに向かう方向を第１方向、前記第１方向とは交差した方向を第２方向とした場合に、前記第１領域の前記第２方向の幅は、前記第１電極の前記第２方向の幅よりも大きく、前記第２領域の前記第２方向の幅は、前記第１電極の前記第２方向の幅と略同じであり、前記第１領域の前記第１方向の幅は、前記第１電極の前記第１方向の幅よりも小さい。前記第１電極は、前記第１領域の少なくとも一部と前記第２領域の少なくとも一部とに亘って配置されている。前記第１領域の前記第２方向側の縁と、前記第２領域の前記第２方向側の縁とは、前記第２方向の位置が略同じである。

第１の実施形態の半導体記憶装置を示す平面図。第１の実施形態の第１コンデンサの裏面を示す下面図。第１の実施形態の第２コンデンサの裏面を示す下面図。第１の実施形態の基板に設けられたパッドを示す平面図。第１の実施形態のパッドと第１コンデンサとの関係を示す断面図。図５中に示された半導体記憶装置のＦ６－Ｆ６線に沿う断面図。第１の実施形態のパッドと第２コンデンサとの関係を示す断面図。第２の実施形態のパッドと第１コンデンサとの関係を示す断面図。第２の実施形態のパッドと第２コンデンサとの関係を示す断面図。第３の実施形態のパッドと第１コンデンサとの関係を示す断面図。第３の実施形態のパッドと第２コンデンサとの関係を示す断面図。第３の実施形態の変形例のパッドと第１コンデンサとの関係を示す断面図。

以下、実施形態の半導体記憶装置を、図面を参照して説明する。なお以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。本明細書では「下面」および「裏面」といった表現を用いる場合がある。ただしこれらは、説明の便宜のため用いられるものであり、半導体記憶装置の重力方向を特定するものではない。また本明細書において「重なる」とは、２つの対象物の仮想的な投影像同士が重なることを意味し、２つの対象物が互いに直接的に接しない場合も含む。また「重なる」とは、少なくとも部分的に重なる場合も含む。また本明細書において「幅」とは、２つの縁（または境界）の間の開きを意味し、「短手方向の幅」の意味では用いられていない。このため「幅」は、「寸法」と読み替えられてもよい。本明細書において「表面」とは、ヒョウメン（surface）を意味し、オモテメン（front face）を意味するものではない。

また先に、＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向、および－Ｚ方向について定義する。＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、および－Ｙ方向は、後述する基板１１の第１面１１ａに沿う方向である。＋Ｘ方向は、基板１１に設けられた第１パッド５１から第２パッド５２に向かう方向である（図４参照）。＋Ｘ方向は、「第１方向」の一例である。－Ｘ方向は、＋Ｘ方向とは反対方向である。＋Ｘ方向と－Ｘ方向とを区別しない場合は、単に「Ｘ方向」と称する。＋Ｙ方向および－Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば略直交する）方向である。＋Ｙ方向は、「第２方向」の一例である。＋Ｙ方向は、パッド５１の第３縁５１ｃから第４縁５１ｄに向かう方向である（図４参照）。－Ｙ方向は、＋Ｙ方向とは反対方向である。＋Ｙ方向と－Ｙ方向とを区別しない場合は、単に「Ｙ方向」と称する。＋Ｚ方向および－Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向とは交差する（例えば略直交する）方向であり、例えば基板１１の厚さ方向である。＋Ｚ方向は、基板１１の第２面１１ｂから第１面１１ａに向かう方向である（図６参照）。－Ｚ方向は、＋Ｚ方向とは反対方向である。＋Ｚ方向と－Ｚ方向とを区別しない場合は、単に「Ｚ方向」と称する。

（第１の実施形態）
図１から図７を参照し、第１の実施形態の半導体記憶装置１について説明する。半導体記憶装置１は、例えばＳＳＤ（Solid State Drive）のような記憶装置である。半導体記憶装置１は、例えば、サーバ装置やパーソナルコンピュータなどの情報処理装置に取り付けられ、情報処理装置の記憶領域として利用される。以下では、半導体記憶装置１が取り付けられる情報処理装置を「ホスト装置」と称する。

図１は、半導体記憶装置１を示す平面図である。半導体記憶装置１は、例えば、基板１１、端子部（コネクタ）１２、コントローラ１３、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）１４、複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５（以下、「ＮＡＮＤ１５」と称する）、および複数のコンデンサ１６を有する。ただし、半導体記憶装置１は、上記例に限定されない。半導体記憶装置１は、種々の半導体記憶装置が広く該当し、図示する以外のサイズや形状の基板を有してもよく、またＤＲＡＭを搭載しなくてもよい。

基板（配線基板、プリント基板）１１は、絶縁体と、絶縁体に設けられた導体パターンとを有する。導体パターンは、後述する複数のパッド５１，５２（図４参照）を含む。また、基板１１は、第１面１１ａと、第１面１１ａとは反対側に位置した第２面１１ｂ（図６参照）とを有する。

端子部１２は、例えば複数の金属端子（不図示）を有し、ホスト装置のスロットに接続される。半導体記憶装置１は、端子部１２を介してホスト装置から電力供給を受ける。半導体記憶装置１は、端子部１２を介してホスト装置から各種コマンドを受信し、受信したコマンドに基づき、データの書き込みや読み出し、消去などを行う。

コントローラ１３は、例えば基板１１の第１面１１ａに実装されている。コントローラ１３は、半導体記憶装置１の全体を統括的に制御する。例えば、コントローラ１３は、ホスト装置に対するホストインターフェース回路、ＤＲＡＭ１４を制御する制御回路、および複数のＮＡＮＤ１５を制御する制御回路などが１つの半導体チップに集積されたＳｏＣ（System on a Chip）として構成されている。

ＤＲＡＭ１４は、例えば基板１１の第１面１１ａに実装されている。ＤＲＡＭ１４は、揮発性の半導体メモリチップの一例である。ＤＲＡＭ１４は、ホスト装置から受信した書き込み対象データ、およびＮＡＮＤ１５から読み出された読み出し対象データが一時的に格納されるデータバッファとして機能する。

複数のＮＡＮＤ１５は、基板１１の第１面１１ａおよび第２面１１ｂの少なくとも一方に実装されている。ＮＡＮＤ１５は、不揮発性の半導体メモリチップの一例であり、「半導体メモリ部品」の一例である。なお、「半導体メモリ部品」は、上記例に限定されず、磁気抵抗メモリ（Magnetoresistive Random Access Memory：ＭＲＡＭ）や、抵抗変化型メモリ（Resistive Random Access Memory：ＲｅＲＡＭ）などでもよい。

ここで、半導体記憶装置１におけるデータの書き込み動作について説明する。半導体記憶装置１にデータを記憶させる場合、コントローラ１３は、ホスト装置から受信した書き込み対象データを、ＤＲＡＭ１４に一時的に格納する。その後、コントローラ１３は、ＤＲＡＭ１４に格納されている書き込み対象データをＤＲＡＭ１４からＮＡＮＤ１５へ転送することで、書き込み対象データをＮＡＮＤ１５に記憶させる。半導体記憶装置１は、上記動作によって書き込み速度の向上が図られている。

複数のコンデンサ１６は、基板１１の第１面１１ａおよび第２面１１ｂのうち少なくとも一方に実装されている。コンデンサ１６は、例えば、ＰＬＰ（Power Loss Protection）用のコンデンサであり、予期せぬ電源遮断時のデータ保護を目的とする電源バックアップ機能を担う。例えば、複数のコンデンサ１６は、ホスト装置からの電力供給が予期せず遮断された場合、ＤＲＡＭ１４に一時的に格納された書き込み対象データがＤＲＡＭ１４から読み出され、その書き込み対象データのＮＡＮＤ１５への転送が完了するまでの間、コントローラ１３、ＤＲＡＭ１４、およびＮＡＮＤ１５などに電力を供給する。

本実施形態では、複数のコンデンサ１６が電気的に並列に接続されることで、上記電源バックアップ機能に必要な静電容量が確保されている。コンデンサ１６の一例としては、導電性高分子アルミ電解コンデンサ、または導電性高分子タンタル固体電解コンデンサなどが採用される。複数のコンデンサ１６は、Ｙ方向に並べて配置されている。

ここで本実施形態では、複数種類（例えば２種類）のコンデンサのなかから選択された１種類以上のコンデンサが、上記コンデンサ１６として基板１１に実装される。複数種類のコンデンサは、例えば、電極の位置、形状、大きさのうち少なくとも１つ以上が互いに異なる。以下、この内容について詳しく説明する。

図２は、第１コンデンサ１６Ａの裏面を示す下面図である。第１コンデンサ１６Ａは、上記複数種類のコンデンサに含まれるコンデンサの１つである。図２では、第１コンデンサ１６Ａが基板１１に実装された状態を基準に各種方向（Ｘ方向、Ｙ方向など）を定義している。第１コンデンサ１６Ａは、例えば、外装体３０、正極電極３１、および負極電極３２を有する。「正極電極３１」および「負極電極３２」は、「第１電極」および「第２電極」のそれぞれ一例である。

外装体３０は、第１コンデンサ１６Ａを構成する機能材を収容するとともに、第１コンデンサ１６Ａの外郭を形成している。外装体３０は、例えば、樹脂またはセラミックスのような絶縁材料で形成されている。外装体３０は、例えば略直方体状に形成されている。外装体３０は、外装体３０の長方方向（Ｘ方向）の端部として、第１端部３０ａと、第２端部３０ｂとを有する。外装体３０は、Ｘ方向の幅として、幅Ｗ３０ｘを有する。外装体３０は、Ｙ方向の幅として、幅Ｗ３０ｙを有する。

正極電極３１は、外装体３０の表面に設けられている。正極電極３１の少なくとも一部は、外装体３０の第１端部３０ａに設けられている。図２では、正極電極３１の形状を模式的に四角形状で示している。ただし、正極電極３１の形状は、四角形状に限定されず、凸部または凹部が設けられた四角形状や、その他の多角形状でもよい。また、正極電極３１の外形の少なくとも一部は、曲線状に形成されてもよい。これら変形例は、第１コンデンサ１６Ａの負極電極３２および第２コンデンサ１６Ｂの正極電極４１および負極電極４２でも同様である。

正極電極３１は、第１から第４の縁（電極縁）３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを有する。第１および第２の縁３１ａ，３１ｂは、互いにＸ方向に離間するとともに、それぞれＹ方向に延びている。第１縁３１ａは、正極電極３１のなかで最も＋Ｘ方向側に位置した縁である。第２縁３１ｂは、正極電極３１のなかで最も－Ｘ方向側に位置した縁である。第１および第２の縁３１ａ，３１ｂは、例えばＹ方向に直線状に延びている。本明細書でいう「直線」とは、巨視的に見て直線状に延びている状態を意味し、製造上またはその他の理由で生じた微視的な凸凹、段差、または曲部を伴ってもよい。図２に示す例では、第１および第２の縁３１ａ，３１ｂは、外装体３０のＹ方向の略全幅に亘って設けられていないが、外装体３０のＹ方向の略全幅に亘って設けられてもよい。また、第１および第２の縁３１ａ，３１ｂは、正極電極３１のＹ方向の略全幅に亘って設けられる必要はないが、正極電極３１のＹ方向の略全幅に亘って設けられてもよい。

第３および第４の縁３１ｃ，３１ｄは、互いにＹ方向に離間するとともに、それぞれＸ方向に延びている。第３縁３１ｃは、正極電極３１のなかで最も－Ｙ方向側に位置した縁である。第４縁３１ｄは、正極電極３１のなかで最も＋Ｙ方向側に位置した縁である。第３および第４の縁３１ｃ，３１ｄは、例えばＸ方向に直線状に延びている。なお、第３および第４の縁３１ｃ，３１ｄは、正極電極３１のＸ方向の略全幅に亘って設けられる必要はないが、正極電極３１のＸ方向の略全幅に亘って設けられてもよい。

ここで、正極電極３１に関する各種寸法を定義する。正極電極３１は、Ｘ方向の幅として、幅Ｗ３１ｘを有する。幅Ｗ３１ｘは、第１縁３１ａと第２縁３１ｂとの間の距離である。正極電極３１は、Ｙ方向の幅として、幅Ｗ３１ｙを有する。幅Ｗ３１ｙは、第３縁３１ｃと第４縁３１ｄとの間の距離である。

同様に、負極電極３２は、外装体３０の表面に設けられている。負極電極３２の少なくとも一部は、外装体３０の第２端部３０ｂに設けられている。

負極電極３２は、第１から第４の縁（電極縁）３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄを有する。第１および第２の縁３２ａ，３２ｂは、互いにＸ方向に離間するとともに、それぞれＹ方向に延びている。第１縁３２ａは、負極電極３２のなかで最も－Ｘ方向側に位置した縁である。第２縁３２ｂは、負極電極３２のなかで最も＋Ｘ方向側に位置した縁である。第１および第２の縁３２ａ，３２ｂは、例えばＹ方向に直線状に延びている。なお、図２に示す例では、第１および第２の縁３２ａ，３２ｂは、外装体３０のＹ方向の略全幅に亘って設けられていないが、外装体３０のＹ方向の略全幅に亘って設けられてもよい。第１および第２の縁３２ａ，３２ｂは、負極電極３２のＹ方向の略全幅に亘って設けられる必要はないが、負極電極３２のＹ方向の略全幅に亘って設けられてもよい。

第３および第４の縁３２ｃ，３２ｄは、互いにＹ方向に離間するとともに、それぞれＸ方向に延びている。第３縁３２ｃは、負極電極３２のなかで最も－Ｙ方向側に位置した縁である。第４縁３２ｄは、負極電極３２のなかで最も＋Ｙ方向側に位置した縁である。第３および第４の縁３２ｃ，３２ｄは、例えばＸ方向に直線状に延びている。なお、第３および第４の縁３２ｃ，３２ｄは、負極電極３２のＸ方向の略全幅に亘って設けられる必要はないが、負極電極３２のＸ方向の略全幅に亘って設けられてもよい。

ここで、負極電極３２に関する各種寸法を定義する。負極電極３２は、Ｘ方向の幅として、幅Ｗ３２ｘを有する。幅Ｗ３２ｘは、第１縁３２ａと第２縁３２ｂとの間の距離である。負極電極３２は、Ｙ方向の幅として、幅Ｗ３２ｙを有する。幅Ｗ３２ｙは、第３縁３２ｃと第４縁３２ｄとの間の距離である。本実施形態では、正極電極３１と負極電極３２は、例えば略同じサイズである。すなわち、負極電極３２のＸ方向の幅Ｗ３２ｘは、正極電極３１のＸ方向の幅Ｗ３１ｘと略同じである。負極電極３２のＹ方向の幅Ｗ３２ｙは、正極電極３１のＹ方向の幅Ｗ３１ｙと略同じである。なお、本明細書でサイズまたは幅が「略同じ」とは、例えば、２つの比較対象のサイズまたは幅の差異が、いずれか一方のサイズまたは幅の１／１０以下であることを意味する。

図３は、第２コンデンサ１６Ｂの裏面を示す下面図である。第２コンデンサ１６Ｂは、上記複数種類のコンデンサに含まれるコンデンサの別の１つである。図３では、第２コンデンサ１６Ｂが基板１１に実装された状態を基準に各種方向（Ｘ方向、Ｙ方向など）を定義している。第２コンデンサ１６Ｂは、例えば、外装体４０、正極電極４１、および負極電極４２を有する。ある観点では、「正極電極４１」および「負極電極４２」は、「第３電極」および「第４電極」のそれぞれ一例である。また別の観点では、「正極電極４１」および「負極電極４２」は、「第１電極」および「第２電極」のそれぞれ一例である。

外装体４０は、第２コンデンサ１６Ｂを構成する機能材を収容するとともに、第２コンデンサ１６Ｂの外郭を形成している。外装体４０は、例えば、樹脂またはセラミックスのような絶縁材料で形成されている。外装体４０は、例えば略直方体状に形成されている。外装体４０は、外装体４０の長方方向（Ｘ方向）の端部として、第１端部４０ａと、第２端部４０ｂとを有する。外装体４０は、Ｘ方向の幅として、幅Ｗ４０ｘを有する。外装体４０は、Ｙ方向の幅として、幅Ｗ４０ｙを有する。

正極電極４１は、外装体４０の表面に設けられている。正極電極４１の少なくとも一部は、外装体４０の第１端部４０ａに設けられている。

正極電極４１は、第１から第４の縁（電極縁）４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄを有する。第１および第２の縁４１ａ，４１ｂは、互いにＸ方向に離間するとともに、それぞれＹ方向に延びている。第１縁４１ａは、正極電極４１のなかで最も＋Ｘ方向側に位置した縁である。第２縁４１ｂは、正極電極４１のなかで最も－Ｘ方向側に位置した縁である。第１および第２の縁４１ａ，４１ｂは、例えばＹ方向に直線状に延びている。なお、図３に示す例では、第１および第２の縁４１ａ，４１ｂは、外装体４０のＹ方向の略全幅に亘って設けられていないが、外装体４０のＹ方向の略全幅に亘って設けられてもよい。また、第１および第２の縁４１ａ，４１ｂは、正極電極４１のＹ方向の略全幅に亘って設けられる必要はないが、正極電極４１のＹ方向の略全幅に亘って設けられてもよい。

第３および第４の縁４１ｃ，４１ｄは、互いにＹ方向に離間するとともに、それぞれＸ方向に延びている。第３縁４１ｃは、正極電極４１のなかで最も－Ｙ方向側に位置した縁である。第４縁４１ｄは、正極電極４１のなかで最も＋Ｙ方向側に位置した縁である。第３および第４の縁４１ｃ，４１ｄは、例えばＸ方向に直線状に延びている。なお、第３および第４の縁４１ｃ，４１ｄは、正極電極４１のＸ方向の略全幅に亘って設けられる必要はないが、正極電極４１のＸ方向の略全幅に亘って設けられてもよい。

ここで、正極電極４１に関する各種寸法を定義する。正極電極４１は、Ｘ方向の幅として、幅Ｗ４１ｘを有する。幅Ｗ４１ｘは、第１縁４１ａと第２縁４１ｂとの間の距離である。正極電極４１は、Ｙ方向の幅として、幅Ｗ４１ｙを有する。幅Ｗ４１ｙは、第３縁４１ｃと第４縁４１ｄとの間の距離である。

同様に、負極電極４２は、外装体４０の表面に設けられている。負極電極４２の少なくとも一部は、外装体４０の第２端部４０ｂに設けられている。

負極電極４２は、第１から第４の縁（電極縁）４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄを有する。第１および第２の縁４２ａ，４２ｂは、互いにＸ方向に離間するとともに、それぞれＹ方向に延びている。第１縁４２ａは、負極電極４２のなかで最も－Ｘ方向側に位置した縁である。第２縁４２ｂは、負極電極４２のなかで最も＋Ｘ方向側に位置した縁である。第１および第２の縁４２ａ，４２ｂは、例えばＹ方向に直線状に延びている。なお、図３に示す例では、第１および第２の縁４２ａ，４２ｂは、外装体４０のＹ方向の略全幅に亘って設けられていないが、外装体４０のＹ方向の略全幅に亘って設けられてもよい。また、第１および第２の縁４２ａ，４２ｂは、負極電極４２のＹ方向の略全幅に亘って設けられる必要はないが、負極電極４２のＹ方向の略全幅に亘って設けられてもよい。

第３および第４の縁４２ｃ，４２ｄは、互いにＹ方向に離間するとともに、それぞれＸ方向に延びている。第３縁４２ｃは、負極電極４２のなかで最も－Ｙ方向側に位置した縁である。第４縁４２ｄは、負極電極４２のなかで最も＋Ｙ方向側に位置した縁である。第３および第４の縁４２ｃ，４２ｄは、例えばＸ方向に直線状に延びている。なお、第３および第４の縁４２ｃ，４２ｄは、負極電極４２のＸ方向の略全幅に亘って設けられる必要はないが、負極電極４２のＸ方向の略全幅に亘って設けられてもよい。

ここで、負極電極４２に関する各種寸法を定義する。負極電極４２は、Ｘ方向の幅として、幅Ｗ４２ｘを有する。幅Ｗ４２ｘは、第１縁４２ａと第２縁４２ｂとの間の距離である。負極電極４２は、Ｙ方向の幅として、幅Ｗ４２ｙを有する。幅Ｗ４２ｙは、第３縁４２ｃと第４縁４２ｄとの間の距離である。本実施形態では、負極電極４２は、正極電極４１よりもサイズが大きい。例えば、負極電極４２のＸ方向の幅Ｗ４２ｘは、正極電極４１のＸ方向の幅Ｗ４１ｘよりも大きい。なお本実施形態では、負極電極４２のＹ方向の幅Ｗ４２ｙは、正極電極４１のＹ方向の幅Ｗ４１ｙと略同じである。

次に、第１コンデンサ１６Ａと第２コンデンサ１６Ｂとの各種寸法を比較して説明する。本実施形態では、第１コンデンサ１６Ａと第２コンデンサ１６Ｂとは、例えば略同じサイズである。すなわち、第２コンデンサ１６Ｂの外装体４０のＸ方向の幅Ｗ４０ｘは、第１コンデンサ１６Ａの外装体３０のＸ方向の幅Ｗ３０ｘと略同じである。第２コンデンサ１６Ｂの外装体４０のＹ方向の幅Ｗ４０ｙは、第１コンデンサ１６Ａの外装体３０のＹ方向の幅Ｗ３０ｙと略同じである。

第２コンデンサ１６Ｂの正極電極４１は、第１コンデンサ１６Ａの正極電極３１よりもサイズが大きい。例えば、第２コンデンサ１６Ｂの正極電極４１のＸ方向の幅Ｗ４１ｘは、第１コンデンサ１６Ａの正極電極３１のＸ方向の幅Ｗ３１ｘよりも大きい。第２コンデンサ１６Ｂの正極電極４１のＹ方向の幅Ｗ４１ｙは、第１コンデンサ１６Ａの正極電極３１のＹ方向の幅Ｗ３１ｙよりも大きい。

第２コンデンサ１６Ｂの負極電極４２は、第１コンデンサ１６Ａの負極電極３２よりもサイズが大きい。例えば、第２コンデンサ１６Ｂの負極電極４２のＸ方向の幅Ｗ４２ｘは、第１コンデンサ１６Ａの負極電極３２のＸ方向の幅Ｗ３２ｘよりも大きい。第２コンデンサ１６Ｂの負極電極４２のＹ方向の幅Ｗ４２ｙは、第１コンデンサ１６Ａの負極電極３２のＹ方向の幅Ｗ３２ｙよりも大きい。

次に、基板１１の表面に設けられたパッド５１，５２（共用パッド）について説明する。パッド５１，５２は、第１コンデンサ１６Ａおよび第２コンデンサ１６Ｂの両方に対応可能な形状を有する。以下の説明では、第１コンデンサ１６Ａと第２コンデンサ１６Ｂとを区別しない場合には、コンデンサ１６と称する。また、第１コンデンサ１６Ａの正極電極３１と第２コンデンサ１６Ｂの正極電極４１とを区別しない場合には、正極電極２１と称する。第１コンデンサ１６Ａの負極電極３２と第２コンデンサ１６Ｂの負極電極４２とを区別しない場合には、負極電極２２と称する。

図４は、基板１１に設けられた一対のパッド５１，５２（第１パッド５１、第パッド５２）を示す平面図である。一対のパッド５１，５２は、各コンデンサ１６に対して設けられている。基板１１の表面は、パッド５１，５２とは異なる位置に絶縁部５３を有する。絶縁部５３は、パッド５１，５２をそれぞれ取り囲んでいる。

一対のパッド５１，５２は、Ｘ方向に互いに離れて配置されている。第１パッド５１は、基板１１の表面のなかでコンデンサ１６の正極電極２１に対応して配置され、正極電極２１が半田Ｓ（図６参照）で固定される。一方で、第２パッド５２は、基板１１の表面のなかでコンデンサ１６の負極電極２２に対応して配置され、負極電極２２が半田Ｓで固定される。

まず、第１パッド５１について説明する。第１パッド５１は、第１から第６の縁（パッド縁）５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅ，５１ｆを含む。第１および第２の縁５１ａ，５１ｂは、互いにＸ方向に離間するとともに、それぞれＹ方向に延びている。第１縁５１ａは、第１パッド５１のなかで最も＋Ｘ方向側に位置した縁である。第２縁５１ｂは、第１パッド５１のなかで最も－Ｘ方向側に位置した縁である。第１および第２の縁５１ａ，５１ｂは、例えばＹ方向に直線状に延びている。

第３および第４の縁５１ｃ，５１ｄは、互いにＹ方向に離間するとともに、それぞれＸ方向に延びている。第３および第４の縁５１ｃ，５１ｄは、例えばＸ方向に直線状に延びている。第３および第４の縁５１ｃ，５１ｄは、第２縁５１ｂに接続されている。第３縁５１ｃは、第１パッド５１のなかで最も－Ｙ方向側に位置した縁である。第４縁５１ｄは、第１パッド５１のなかで最も＋Ｙ方向側に位置した縁である。

第５および第６の縁５１ｅ，５１ｆは、第３および第４の縁５１ｃ，５１ｄに対して＋Ｘ方向側に位置する。第５および第６の縁５１ｅ，５１ｆは、互いにＹ方向に離間するとともに、それぞれＸ方向に延びている。第５および第６の縁５１ｅ，５１ｆは、例えばＸ方向に直線状に延びている。第５および第６の縁５１ｅ，５１ｆは、第１縁５１ａに接続されている。第５縁５１ｅは、第１パッド５１のなかで－Ｙ方向側に位置した縁である。第６縁５１ｆは、第１パッド５１のなかで＋Ｙ方向側に位置した縁である。

本実施形態では、第１パッド５１は、第２パッド５２に向いた凸形に形成されている。詳しく述べると、第１パッド５１は、第１領域６１と、第１領域６１に対して第２パッド５２側に位置した第２領域６２とを有する。第１領域６１は、第３縁５１ｃと第４縁５１ｄとの間に規定された領域である。第２領域６２は、第５縁５１ｅと第６縁５１ｆとの間に規定された領域である。第２領域６２のＹ方向の幅Ｗ６２ｙ（すなわち第５縁５１ｅと第６縁５１ｆとの間の距離）は、第１領域６１のＹ方向の幅Ｗ６１ｙ（すなわち第３縁５１ｃと第４縁５１ｄとの間の距離）よりも小さい。一方で、第２領域６２のＸ方向の幅Ｗ６２ｘは、第１領域６１のＸ方向の幅Ｗ６１ｘよりも大きい。

次に、第２パッド５２について説明する。第２パッド５２は、第１から第６の縁（パッド縁）５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ，５２ｅ，５２ｆを含む。第１および第２の縁５２ａ，５２ｂは、互いにＸ方向に離間するとともに、それぞれＹ方向に延びている。第１縁５２ａは、第２パッド５２のなかで最も－Ｘ方向側に位置した縁である。第２縁５２ｂは、第２パッド５２のなかで最も＋Ｘ方向側に位置した縁である。第１および第２の縁５２ａ，５２ｂは、例えばＹ方向に直線状に延びている。

第３および第４の縁５２ｃ，５２ｄは、互いにＹ方向に離間するとともに、それぞれＸ方向に延びている。第３および第４の縁５２ｃ，５２ｄは、例えばＸ方向に直線状に延びている。第３および第４の縁５２ｃ，５２ｄは、第２縁５２ｂに接続されている。第３縁５２ｃは、第２パッド５２のなかで最も－Ｙ方向側に位置した縁である。第４縁５２ｄは、第２パッド５２のなかで最も＋Ｙ方向側に位置した縁である。

第５および第６の縁５２ｅ，５２ｆは、第３および第４の縁５２ｃ，５２ｄに対して－Ｘ方向側に位置する。第５および第６の縁５２ｅ，５２ｆは、互いにＹ方向に離間するとともに、それぞれＸ方向に延びている。第５および第６の縁５２ｅ，５２ｆは、例えばＸ方向に直線状に延びている。第５および第６の縁５２ｅ，５２ｆは、第１縁５２ａに接続されている。第５縁５２ｅは、第２パッド５２のなかで－Ｙ方向側に位置した縁である。第６縁５２ｆは、第２パッド５２のなかで＋Ｙ方向側に位置した縁である。

本実施形態では、第２パッド５２は、第１パッド５１に向いた凸形に形成されている。詳しく述べると、第２パッド５２は、第３領域６３と、第３領域６３に対して第１パッド５１側に位置した第４領域６４とを有する。第３領域６３は、第３縁５２ｃと第４縁５２ｄとの間に規定された領域である。第４領域６４は、第５縁５２ｅと第６縁５２ｆとの間に規定された領域である。そして、第４領域６４のＹ方向の幅Ｗ６４ｙ（すなわち第５縁５２ｅと第６縁５２ｆとの間の距離）は、第３領域６３のＹ方向の幅Ｗ６３ｙ（すなわち第３縁５２ｃと第４縁５２ｄとの間の距離）よりも小さい。一方で、第４領域６４のＸ方向の幅Ｗ６４ｘは、第３領域６３のＸ方向の幅Ｗ６３ｘよりも大きい。

次に、パッド５１，５２と第１コンデンサ１６Ａとの関係について説明する。図５は、パッド５１，５２と第１コンデンサ１６Ａとの関係を示す断面図である。なお図５では、第１コンデンサ１６Ａについて正極電極３１および負極電極３２を抜き出して示している。また図５では、半田Ｓの図示を省略している。これら図示方法は、図７、図８、図９から図１２でも同様である。

まず、第１パッド５１と第１コンデンサ１６Ａの正極電極３１との関係を説明する。
第１パッド５１の第１領域６１のＹ方向の幅Ｗ６１ｙは、正極電極３１のＹ方向の幅Ｗ３１ｙよりも大きい。一方で、第１パッド５１の第２領域６２のＹ方向の幅Ｗ６２ｙは、正極電極３１のＹ方向の幅Ｗ３１ｙと略同じである。例えば、第１パッド５１の第５および第６の縁５１ｅ，５１ｆのそれぞれ一部は、正極電極３１の第３および第４の縁３１ｃ，３１ｄの近傍に位置し、正極電極３１の第３および第４の縁３１ｃ，３１ｄと略平行に延びている。

本実施形態では、第１領域６１のＸ方向の幅Ｗ６１ｘは、正極電極３１のＸ方向の幅Ｗ３１ｘよりも小さい。正極電極３１は、第１領域６１の少なくとも一部と第２領域６２の少なくとも一部とに亘って配置されている。すなわち、正極電極３１は、半田Ｓによって第１領域６１の少なくとも一部と第２領域６２の少なくとも一部とに固定されている。例えば、第１領域６１のＸ方向の幅Ｗ６１ｘは、正極電極３１のＸ方向の幅Ｗ３１ｘの略１／２である。

より詳しく説明すると、正極電極３１は、基板１１の厚さ方向で第１領域６１と重なる第１部分７１と、基板１１の厚さ方向で第２領域６２と重なる第２部分７２とを有する。本実施形態では、第２部分７２のＸ方向の幅Ｗ７２ｘは、第１部分７１のＸ方向の幅Ｗ７１ｘよりも大きい。言い換えると、正極電極３１の第３および第４の縁３１ｃ，３１ｄのそれぞれ１／２以上が第１パッド５１の第５および第６の縁５１ｅ，５１ｆに沿う。

次に、第２パッド５２と第１コンデンサ１６Ａの負極電極３２との関係を説明する。
第２パッド５２の第３領域６３のＹ方向の幅Ｗ６３ｙは、負極電極３２のＹ方向の幅Ｗ３２ｙよりも大きい。一方で、第２パッド５２の第４領域６４のＹ方向の幅Ｗ６４ｙは、負極電極３２のＹ方向の幅Ｗ３２ｙと略同じである。例えば、第２パッド５２の第５および第６の縁５２ｅ，５２ｆのそれぞれ一部は、負極電極３２の第３および第４の縁３２ｃ，３２ｄの近傍に位置し、負極電極３２の第３および第４の縁３２ｃ，３２ｄと略平行に延びている。

本実施形態では、第３領域６３のＸ方向の幅Ｗ６３ｘは、負極電極３２のＸ方向の幅Ｗ３２ｘよりも小さい。負極電極３２は、第３領域６３の少なくとも一部と第４領域６４の少なくとも一部とに亘って配置されている。すなわち、負極電極３２は、半田Ｓによって第３領域６３の少なくとも一部と第４領域６４の少なくとも一部とに固定されている。例えば、第３領域６３のＸ方向の幅Ｗ６３ｘは、負極電極３２のＸ方向の幅Ｗ３２ｘの略１／２である。

より詳しく説明すると、負極電極３２は、基板１１の厚さ方向で第３領域６３と重なる第３部分７３と、基板１１の厚さ方向で第４領域６４と重なる第４部分７４とを有する。本実施形態では、第４部分７４のＸ方向の幅Ｗ７４ｘは、第３部分７３のＸ方向の幅Ｗ７３ｘよりも大きい。言い換えると、負極電極３２の第３および第４の縁３２ｃ，３２ｄのそれぞれ１／２以上が第２パッド５２の第５および第６の縁５２ｅ，５２ｆに沿う。

図６は、図５に示された半導体記憶装置１のＦ６－Ｆ６線に沿う断面図である。本実施形態では、第１パッド５１の第１領域６１には、半田Ｓの第１フィレットＳａが形成されている。第１フィレットＳａは、第１領域６１において正極電極３１よりも－Ｘ方向側の領域に形成され、第１コンデンサ１６Ａの－Ｘ方向側の側面に接する。一方で、第２パッド５２の第３領域６３には、半田Ｓの第２フィレットＳｂが形成されている。第２フィレットＳｂは、第３領域６３において負極電極３２よりも＋Ｘ方向側の領域に形成され、第１コンデンサ１６Ａの＋Ｘ方向側の側面に接する。

次に、パッド５１，５２と第２コンデンサ１６Ｂとの関係について説明する。図７は、パッド５１，５２と第２コンデンサ１６Ｂとの関係を示す断面図である。

まず、第１パッド５１と第２コンデンサ１６Ｂの正極電極４１との関係を説明する。
第１パッド５１の第１領域６１のＹ方向の幅Ｗ６１ｙは、正極電極４１のＹ方向の幅Ｗ４１ｙと略同じである。例えば、第１パッド５１の第３および第４の縁５１ｃ，５１ｄのそれぞれ一部は、正極電極４１の第３および第４の縁４１ｃ，４１ｄの近傍に位置し、正極電極４１の第３および第４の縁４１ｃ，４１ｄと略平行に延びている。

本実施形態では、第２領域６２のＸ方向の幅Ｗ６２ｘは、正極電極４１のＸ方向の幅Ｗ４１ｘよりも小さい。正極電極４１は、第１領域６１の少なくとも一部と第２領域６２の少なくとも一部とに亘って配置されている。すなわち、正極電極４１は、半田Ｓによって第１領域６１の少なくとも一部と第２領域６２の少なくとも一部とに固定されている。

一方で、第１パッド５１の第２領域６２のＹ方向の幅Ｗ６２ｙは、正極電極４１のＹ方向の幅Ｗ４１ｙよりも小さい。このため、正極電極４１の一部は、平面視において第１パッド５１の外側にはみ出す。すなわち、正極電極４１は、基板１１の厚さ方向で第１パッド５１と重なる接合部８１と、基板１１の厚さ方向で絶縁部５３と重なる非接合部８２とを有する。

また本実施形態では、第１パッド５１の第１縁５１ａは、正極電極４１の第１縁４１ａの近傍に位置し、正極電極４１の第１縁４１ａと略平行に延びている。別の観点で見ると、第１パッド５１の第１縁５１ａと正極電極４１の第１縁４１ａとの間のＸ方向の距離は、第１パッド５１の第２縁５１ｂと正極電極４１の第２縁４１ｂとの間のＸ方向の距離よりも小さい。

次に、第２パッド５２と第２コンデンサ１６Ｂの負極電極４２との関係を説明する。
第２パッド５２の第３領域６３のＹ方向の幅Ｗ６３ｙは、負極電極４２のＹ方向の幅Ｗ４２ｙと略同じである。例えば、第２パッド５２の第３および第４の縁５２ｃ，５２ｄのそれぞれ一部は、負極電極４２の第３および第４の縁４２ｃ，４２ｄの近傍に位置し、負極電極４２の第３および第４の縁４２ｃ，４４ｄと略平行に延びている。

本実施形態では、第４領域６４のＸ方向の幅Ｗ６４ｘは、負極電極４２のＸ方向の幅Ｗ４２ｘよりも小さい。負極電極４２は、第３領域６３の少なくとも一部と第４領域６４の少なくとも一部とに亘って配置されている。すなわち、負極電極４２は、半田Ｓによって第３領域６３の少なくとも一部と第４領域６４の少なくとも一部とに固定されている。

一方で、第２パッド５２の第４領域６４のＹ方向の幅Ｗ６４ｙは、負極電極４２のＹ方向の幅Ｗ４２ｙよりも小さい。このため、負極電極４２の一部は、平面視において第２パッド５２の外側にはみ出す。すなわち、負極電極４２は、基板１１の厚さ方向で第２パッド５２と重なる接合部８３と、基板１１の厚さ方向で絶縁部５３と重なる非接合部８４とを有する。

また本実施形態では、第２パッド５２の第１縁５２ａは、負極電極４２の第１縁４２ａの近傍に位置し、負極電極４２の第１縁４２ａと略平行に延びている。別の観点で見ると、第２パッド５２の第１縁５２ａと負極電極４２の第１縁４２ａとの間のＸ方向の距離は、第２パッド５２の第２縁５２ｂと負極電極４２の第２縁４２ｂとの間のＸ方向の距離よりも小さい。

また第２コンデンサ１６Ｂが実装された場合も、第１パッド５１の第１領域６１には、半田Ｓの第１フィレットＳａが形成される。第１フィレットＳａは、第１領域６１において正極電極４１よりも－Ｘ方向側の領域に形成され、第２コンデンサ１６Ｂの－Ｘ方向側の側面に接する。一方で、第２パッド５２の第３領域６３には、半田Ｓの第２フィレットＳｂが形成される。第２フィレットＳｂは、第３領域６３において負極電極４２よりも＋Ｘ方向側の領域に形成され、第２コンデンサ１６Ｂの＋Ｘ方向側の側面に接する。

このような構成によれば、第１コンデンサ１６Ａおよび第２コンデンサ１６Ｂの両方の位置ずれの抑制を図ることができる半導体記憶装置１を提供することができる。すなわち、本実施形態では、第１パッド５１は、Ｙ方向の幅が互いに異なる第１領域６１と第２領域６２とを有する。第２領域６２のＹ方向の幅Ｗ６２ｙは、第１コンデンサ１６Ａの正極電極３１のＹ方向の幅Ｗ３１ｙに対応する。このため、第１コンデンサ１６Ａが基板１１に実装される場合には、第２領域６２によってセルフアライメント効果が生じ、第１コンデンサ１６Ａの実装時の回転（傾きの位置ずれ）を抑制することができる。一方で、第１領域６１のＹ方向の幅Ｗ６１ｙは、第２コンデンサ１６Ｂの正極電極４１のＹ方向の幅Ｗ４１ｙに対応する。このため、第２コンデンサ１６Ｂが基板１１に実装される場合には、第１領域６１によってセルフアライメント効果が生じ、第２コンデンサ１６Ｂの実装時の回転（傾きの位置ずれ）を抑制することができる。これにより、異なる電極形状を有した複数種類のコンデンサを、位置ずれを抑制して基板１１に実装することができる。

ところで、第１および第２のコンデンサ１６Ａ，１６Ｂが上述した電極形状を有する場合、これまで説明したパッド５１の形状に代えて、Ｙ方向の幅が広い第１領域６１をコンデンサ１６の中心側に配置し、Ｙ方向の幅が狭い第２領域６２をコンデンサ１６の中心から見て外側に配置することも考えられる。しかしながら本実施形態では、敢えて、第２領域６２をコンデンサ１６の中心側に配置し、第１領域６１をコンデンサ１６の中心から見て外側に配置している。そして本実施形態では、第１領域６１のＸ方向の幅Ｗ６１ｘは、第１コンデンサ１６Ａの正極電極３１のＸ方向の幅Ｗ３１ｘよりも小さく設定されている。このような構成によれば、第１コンデンサ１６Ａの端部３０ａに近い位置にセルフアライメント効果による規制力を作用させることができるとともに、第２コンデンサ１６Ｂの端部４０ａに近い位置にセルフアライメント効果による規制力を作用させることができ、第１および第２のコンデンサ１６Ａ，１６Ｂが回転しようとする場合に比較的大きな対抗トルク（モーメントによる規制力）を作用させることができる。これにより、第１および第２のコンデンサ１６Ａ，１６Ｂの位置ずれをより確実に抑制することができる。

本実施形態では、第１コンデンサ１６Ａの正極電極３１は、第１パッド５１の第１領域６１と重なる第１部分７１と、第１パッド５１の第２領域６２と重なる第２部分７２とを含む。そして、第２部分７２のＸ方向の幅Ｗ７２ｘは、第１部分７１のＸ方向の幅Ｗ７１ｘよりも大きい。このような構成によれば、第１コンデンサ１６Ａに対して第１パッド５１から生じるセルフアライメント効果を増加させることができ、第１コンデンサ１６Ａの位置ずれをより確実に抑制することができる。

また本実施形態では、第１パッド５１は、Ｘ方向で第２パッド５２側に位置した第１縁５１ａを有する。第２コンデンサ１６Ｂの正極電極４１は、Ｘ方向で負極電極４２側に位置した第１縁４１ａを有する。そして、第１パッド５１の第１縁５１ａは、正極電極４１の第１縁４１ａの近傍に位置する。このような構成によれば、第２コンデンサ１６Ｂについては、第１パッド５１の第１縁５１ａにおいてもセルフアライメント効果を生じさせることができる。これにより、第２コンデンサ１６Ｂの位置ずれをより確実に抑制することができる。これにより、例えば第１コンデンサ１６Ａの第２部分７２のＸ方向の幅Ｗ７２ｘが第１部分７１のＸ方向の幅Ｗ７１ｘよりも大きくなる（図５参照）ように、第１パッド５１の第１領域６１のＸ方向の幅Ｗ６１ｘが比較的小さく設定された場合でも、第２コンデンサ１６Ｂの位置ずれをより確実に抑制することができる。これにより、第１および第２のコンデンサ１６Ａ，１６Ｂの両方の位置ずれをより確実に抑制することができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、第１パッド５１および第２パッド５２がＸ方向に沿う仮想的な中心線に対して非対称に形成された点で、第１の実施形態とは異なる。なお以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態と同様である。

図８は、本実施形態のパッド５１，５２と第１コンデンサ１６Ａとの関係を示す断面図である。本実施形態では、第１パッド５１の第４縁５１ｄおよび第６縁５１ｆのＹ方向の位置が略同じである。例えば、第４縁５１ｄおよび第６縁５１ｆは、Ｘ方向において、互いに略直線状に連続して延びている。このため、第１領域６１は、第２領域６２に対して－Ｙ方向側のみに突出している。この場合、第１コンデンサ１６Ａの正極電極３１の一部は、第１パッド５１の第４縁５１ｄにも沿って配置される。また本実施形態では、第２パッド５２の第３縁５２ｃおよび第５縁５２ｅのＹ方向の位置が略同じである。例えば、第３縁５２ｃおよび第５縁５２ｅは、Ｘ方向において、互いに略直線状に連続して延びている。このため、第３領域６３は、第４領域６４に対して＋Ｙ方向側のみに突出している。この場合、第１コンデンサ１６Ａの負極電極３２の一部は、第２パッド５２の第３縁５２ｃにも沿って配置される。本実施形態において第１コンデンサ１６Ａが実装される場合の作用は、第１の実施形態と同様である。

図９は、本実施形態のパッド５１，５２と第２コンデンサ１６Ｂとの関係を示す断面図である。上述したように、第１パッド５１の第４縁５１ｄおよび第６縁５１ｆのＹ方向の位置が略同じである。このため、第２コンデンサ１６Ｂが実装される場合、第４縁５１ｄは、第２コンデンサ１６Ｂの正極電極４１の第４縁４１ｄの近傍には位置しない。一方で、第１パッド５１の第３縁５１ｃは、第２コンデンサ１６Ｂの正極電極４１の第３縁４１ｃの近傍には位置し、セルフアライメント効果を生じさせる。

同様に、上述したように、第２パッド５２の第３縁５２ｃおよび第５縁５２ｅのＹ方向の位置が略同じである。このため、第２コンデンサ１６Ｂが実装される場合、第２パッド５２の第３縁５２ｃは、第２コンデンサ１６Ｂの負極電極４２の第３縁４２ｃの近傍には位置しない。一方で、第２パッド５２の第４縁５２ｄは、第２コンデンサ１６Ｂの負極電極４２の第４縁４２ｄの近傍には位置し、セルフアライメント効果を生じさせる。

このような構成でも、第１コンデンサ１６Ａおよび第２コンデンサ１６Ｂのいずれが実装された場合でもセルフアライメント効果を生じさせることができ、異なる電極形状を有した複数種類のコンデンサを、位置ずれを抑制して基板１１に実装することができる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。本実施形態は、第２領域６２が第１領域６１に対して第２パッド５２とは反対側に配置された点、および第４領域６４が第３領域６３に対して第１パッド５１とは反対側に配置された点で、第１の実施形態とは異なる。なお以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態と同様である。

まず、本実施形態のパッド５１，５２と第１コンデンサ１６Ａとの関係について説明する。図１０は、パッド５１，５２と第１コンデンサ１６Ａとの関係を示す断面図である。

第１パッド５１は、第１領域６１と、第２領域６２とを有する。第２領域６２は、第１領域６１に対して、第２パッド５２とは反対側に位置する。第３および第４の縁５１ｃ，５１ｄは、第１縁５１ａに接続されている。第５および第６の縁５１ｅ，５１ｆは、第３および第４の縁５１ｃ，５１ｄに対して－Ｘ方向側に位置する。第５および第６の縁５１ｅ，５１ｆは、第２縁５１ｂに接続されている。第２領域６２のＹ方向の幅Ｗ６２ｙ（すなわち第５縁５１ｅと第６縁５１ｆとの間の距離）は、第１領域６１のＹ方向の幅Ｗ６１ｙ（すなわち第３縁５１ｃと第４縁５１ｄとの間の距離）よりも小さい。

第１パッド５１の第１領域６１のＹ方向の幅Ｗ６１ｙは、正極電極３１のＹ方向の幅Ｗ３１ｙよりも大きい。一方で、第１パッド５１の第２領域６２のＹ方向の幅Ｗ６２ｙは、正極電極３１のＹ方向の幅Ｗ３１ｙと略同じである。例えば、第１パッド５１の第５および第６の縁５１ｅ，５１ｆは、正極電極３１の第３および第４の縁３１ｃ，３１ｄの近傍にそれぞれ位置し、正極電極３１の第３および第４の縁３１ｃ，３１ｄと略平行に延びている。

第２パッド５２は、第３領域６３と、第４領域６４とを有する。第４領域６４は、第３領域６３に対して、第１パッド５１とは反対側に位置する。第３および第４の縁５２ｃ，５２ｄは、第１縁５２ａに接続されている。第５および第６の縁５２ｅ，５２ｆは、第３および第４の縁５２ｃ，５２ｄに対して＋Ｘ方向側に位置する。第５および第６の縁５２ｅ，５２ｆは、第２縁５２ｂに接続されている。第４領域６４のＹ方向の幅Ｗ６４ｙ（すなわち第５縁５２ｅと第６縁５２ｆとの間の距離）は、第３領域６３のＹ方向の幅Ｗ６３ｙ（すなわち第３縁５２ｃと第４縁５２ｄとの間の距離）よりも小さい。

第２パッド５２の第３領域６３のＹ方向の幅Ｗ６３ｙは、負極電極３２のＹ方向の幅Ｗ３２ｙよりも大きい。一方で、第２パッド５２の第４領域６４のＹ方向の幅Ｗ６４ｙは、負極電極３２のＹ方向の幅Ｗ３２ｙと略同じである。例えば、第２パッド５２の第５および第６の縁５２ｅ，５２ｆは、負極電極３２の第３および第４の縁３２ｃ，３２ｄの近傍にそれぞれ位置し、負極電極３２の第３および第４の縁３２ｃ，３２ｄと略平行に延びている。

次に、本実施形態のパッド５１，５２と第２コンデンサ１６Ｂとの関係について説明する。図１１は、パッド５１，５２と第２コンデンサ１６Ｂとの関係を示す断面図である。

第１パッド５１の第１領域６１のＹ方向の幅Ｗ６１ｙは、正極電極４１のＹ方向の幅Ｗ４１ｙと略同じである。例えば、第１パッド５１の第３および第４の縁５１ｃ，５１ｄは、正極電極４１の第３および第４の縁４１ｃ，４１ｄの近傍にそれぞれ位置し、正極電極４１の第３および第４の縁４１ｃ，４１ｄと略平行に延びている。

本実施形態では、第１領域６１のＸ方向の幅Ｗ６１ｘは、正極電極４１のＸ方向の幅Ｗ４１ｘよりも小さい。正極電極４１は、第１領域６１の少なくとも一部と第２領域６２の少なくとも一部とに亘って配置されている。すなわち、正極電極４１は、半田Ｓによって第１領域６１の少なくとも一部と第２領域６２の少なくとも一部とに固定されている。

次に、第２パッド５２と第２コンデンサ１６Ｂの負極電極４２との関係を説明する。
第２パッド５２の第３領域６３のＹ方向の幅Ｗ６３ｙは、負極電極４２のＹ方向の幅Ｗ４２ｙと略同じである。例えば、第２パッド５２の第３および第４の縁５２ｃ，５２ｄは、負極電極４２の第３および第４の縁４２ｃ，４２ｄの近傍にそれぞれ位置し、負極電極４２の第３および第４の縁４２ｃ，４４ｄと略平行に延びている。

本実施形態では、第１領域６１のＸ方向の幅Ｗ６１ｘは、負極電極４２のＸ方向の幅Ｗ４２ｘよりも小さい。負極電極４２は、第３領域６３の少なくとも一部と第４領域６４の少なくとも一部とに亘って配置されている。すなわち、負極電極４２は、半田Ｓによって第３領域６３の少なくとも一部と第４領域６４の少なくとも一部とに固定されている。

このような構成によれば、第１コンデンサ１６Ａおよび第２コンデンサ１６Ｂの両方の位置ずれの抑制を図ることができる半導体記憶装置１を提供することができる。本実施形態では、第１パッド５１は、Ｙ方向の幅が互いに異なる第１領域６１と第２領域６２とを有する。第２領域６２のＹ方向の幅Ｗ６２ｙは、第１コンデンサ１６Ａの正極電極３１のＹ方向の幅Ｗ３１ｙに対応する。このため、第１コンデンサ１６Ａが基板１１に実装される場合には、第２領域６２によってセルフアライメント効果が生じ、第１コンデンサ１６Ａの実装時の回転を抑制することができる。一方で、第１領域６１のＹ方向の幅Ｗ６１ｙは、第２コンデンサ１６Ｂの正極電極４１のＹ方向の幅Ｗ４１ｙに対応する。このため、第２コンデンサ１６Ｂが基板１１に実装される場合には、第１領域６１によってセルフアライメント効果が生じ、第２コンデンサ１６Ｂの実装時の回転を抑制することができる。これにより、異なる電極形状を有した複数種類のコンデンサを、位置ずれを抑制して基板１１に実装することができる。

本実施形態では、第１領域６１をコンデンサ１６の中心側に配置し、第２領域６２をコンデンサ１６の中心から見て外側に配置している。これにより、第１コンデンサ１６Ａの端部３０ａに近い位置にセルフアライメント効果による規制力を作用させることができ、第１のコンデンサ１６Ａが回転しようとする場合に比較的大きな対抗トルクを作用させることができる。これにより、第１のコンデンサ１６Ａの位置ずれをより確実に抑制することができる。

また本実施形態では、第１パッド５１の第１縁５１ａは、正極電極４１の第１縁４１ａの近傍に位置する。このような構成によれば、第２コンデンサ１６Ｂについては、第１パッド５１の第１縁５１ａにおいてもセルフアライメント効果を生じさせることができる。これにより、第２コンデンサ１６Ｂの位置ずれも抑制することができる。これにより、第１コンデンサ１６Ａおよび第２コンデンサ１６Ｂの両方の位置ずれの抑制を効果的に図ることができる。

（第３の実施形態の変形例）
次に、第３の実施形態の変形例について説明する。なお以下に説明する以外の構成は、上述した第３の実施形態と同様である。図１２は、第１変形例のパッド５１，５２と第１コンデンサ１６Ａとの関係を示す断面図である。本変形例では、第１パッド５１の第２領域６２のＸ方向の幅Ｗ６２ｘは、正極電極３１のＸ方向の幅Ｗ３１ｘよりも小さい。正極電極３１は、第１領域６１の少なくとも一部と第２領域６２の少なくとも一部とに亘って配置されている。すなわち、正極電極３１は、半田Ｓによって第１領域６１の少なくとも一部と第２領域６２の少なくとも一部とに固定されている。

本変形例では、正極電極３１は、基板１１の厚さ方向で第１領域６１と重なる第１部分７１と、基板１１の厚さ方向で第２領域６２と重なる第２部分７２とを有する。例えば、第２部分７２のＸ方向の幅Ｗ７２ｘは、第１部分７１のＸ方向の幅Ｗ７１ｘよりも大きい。言い換えると、正極電極３１の第３および第４の縁３１ｃ，３１ｄのそれぞれ１／２以上が第１パッド５１の第５および第６の縁５１ｅ，５１ｆに沿う。

また本変形例では、第４領域６４のＸ方向の幅Ｗ６４ｘは、負極電極３２のＸ方向の幅Ｗ３２ｘよりも小さい。負極電極３２は、第３領域６３の少なくとも一部と第４領域６４の少なくとも一部とに亘って配置されている。すなわち、負極電極３２は、半田Ｓによって第３領域６３の少なくとも一部と第４領域６４の少なくとも一部とに固定されている。

本変形例では、負極電極３２は、基板１１の厚さ方向で第３領域６３と重なる第３部分７３と、基板１１の厚さ方向で第４領域６４と重なる第４部分７４とを有する。例えば、第４部分７４のＸ方向の幅Ｗ７４ｘは、第３部分７３のＸ方向の幅Ｗ７３ｘよりも大きい。言い換えると、負極電極３２の第３および第４の縁３２ｃ，３２ｄのそれぞれ１／２以上が第２パッド５２の第５および第６の縁５２ｅ，５２ｆに沿う。

このような構成によれば、第２コンデンサ１６Ｂの端部４０ａに近い位置にもセルフアライメント効果による規制力を作用させることができ、第２コンデンサ１６Ｂが回転しようとする場合に比較的大きな対抗トルクを作用させることができる。これにより、第２コンデンサ１６Ｂの位置ずれをより確実に抑制することができる。また本変形例では、第１電極３１に関して、第２部分７２のＸ方向の幅Ｗ７２ｘは、第１部分７１のＸ方向の幅Ｗ７１ｘよりも大きい。このような構成によれば、第１コンデンサ１６Ａに対してのセルフアライメント効果も比較的大きく確保することができ、第１コンデンサ１６Ａの位置ずれもより確実に抑制することができる。

なお、変形例の構成は、上記例に限定されない。例えば、正極電極３１に関して、第２部分７２のＸ方向の幅Ｗ７２ｘは、第１部分７１のＸ方向の幅Ｗ７１ｘよりも小さくてもよい。また、負極電極３２に関して、第４部分７４のＸ方向の幅Ｗ７４ｘは、第３部分７３のＸ方向の幅Ｗ７３ｘよりも小さくてもよい。

また、第３の実施形態の構成は、第２の実施形態と組み合わせて実現されてもよい。すなわち、第３の実施形態の構成において、第１および第２のパッド５１，５２は、第２の実施形態と同様に、Ｘ方向に沿う仮想的な中心線に対して非対称に形成されてもよい。

以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、互いに幅が異なる第１領域と第２領域とを有したパッドを基板が備えることで、コンデンサの位置ずれの抑制を図ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１…半導体記憶装置、１１…基板、１６…コンデンサ、１６Ａ…第１コンデンサ、１６Ｂ…第２コンデンサ、２１，３１，４１…正極電極、２２，３２，４２…負極電極、５１…第１パッド、５２…第２パッド、６１…第１領域、６２…第２領域、６３…第３領域、６４…第４領域、７１…第１部分、７２…第２部分、７３…第３部分、７４…第４部分、８１…接合部、８２…非接合部、Ｓ…半田。

Claims

第１パッドと、第２パッドとを有した基板と、
前記基板に実装された半導体メモリ部品と、
前記第１パッドに半田で固定された第１電極と、前記第２パッドに半田で固定された第２電極とを有した第１コンデンサと、
を備え、
前記第１パッドは、第１領域と、前記第１領域に対して前記第２パッド側に位置した第２領域とを有し、
前記第１パッドから前記第２パッドに向かう方向を第１方向、前記第１方向とは交差した方向を第２方向とした場合に、
前記第１領域の前記第２方向の幅は、前記第１電極の前記第２方向の幅よりも大きく、
前記第２領域の前記第２方向の幅は、前記第１電極の前記第２方向の幅と略同じであり、
前記第１領域の前記第１方向の幅は、前記第１電極の前記第１方向の幅よりも小さく、
前記第１電極は、前記第１領域の少なくとも一部と前記第２領域の少なくとも一部とに亘って配置されており、
前記第１領域の前記第２方向側の縁と、前記第２領域の前記第２方向側の縁とは、前記第２方向の位置が略同じである、
半導体記憶装置。
前記第１電極は、前記基板の厚さ方向で前記第１領域と重なる第１部分と、前記基板の厚さ方向で前記第２領域と重なる第２部分とを含み、
前記第２部分の前記第１方向の幅は、前記第１部分の前記第１方向の幅よりも大きい、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
前記第２パッドは、第３領域と、前記第３領域に対して前記第１パッド側に位置した第４領域とを有し、
前記第３領域の前記第２方向の幅は、前記第２電極の前記第２方向の幅よりも大きく、
前記第４領域の前記第２方向の幅は、前記第２電極の前記第２方向の幅と略同じであり、
前記第３領域の前記第１方向の幅は、前記第２電極の前記第１方向の幅よりも小さく、
前記第２電極は、前記第３領域の少なくとも一部と前記第４領域の少なくとも一部とに亘って配置されている、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
前記第２電極は、前記基板の厚さ方向で前記第３領域と重なる第３部分と、前記基板の厚さ方向で前記第４領域と重なる第４部分とを含み、
前記第４部分の前記第１方向の幅は、前記第３部分の前記第１方向の幅よりも大きい、
請求項３に記載の半導体記憶装置。
前記基板は、前記第１コンデンサに代えて、第２コンデンサが実装可能であり、
前記第２コンデンサは、前記第１パッドに半田で固定される第３電極と、前記第２パッドに半田で固定される第４電極とを有し、
前記第１領域の前記第２方向の幅は、前記第３電極の前記第２方向の幅よりも小さく、
前記第１コンデンサに代えて前記第２コンデンサが前記基板に実装された場合、前記第３電極は、前記第１領域の少なくとも一部と前記第２領域の少なくとも一部とに亘って配置される、
請求項１に記載の半導体記憶装置。