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JP7315648B2 - SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE CLEANING METHOD AND ROLL SPONGE FOR SUBSTRATE CLEANING APPARATUS - Google Patents
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JP7315648B2 - SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE CLEANING METHOD AND ROLL SPONGE FOR SUBSTRATE CLEANING APPARATUS - Google Patents

SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE CLEANING METHOD AND ROLL SPONGE FOR SUBSTRATE CLEANING APPARATUS Download PDF

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Description

本開示は、基板洗浄装置および基板洗浄方法ならびに基板洗浄装置用のロールスポンジに関する。 The present disclosure relates to a substrate cleaning apparatus, a substrate cleaning method, and a roll sponge for the substrate cleaning apparatus.

基板研磨装置は、まず基板を研磨し、その後に基板を洗浄する。基板洗浄には、例えばロールスポンジが用いられる。従来の基板研磨装置が有する基板洗浄装置は必ずしも効果的に基板を洗浄できているとは限らない。 A substrate polishing apparatus first polishes a substrate and then cleans the substrate. A roll sponge, for example, is used for substrate cleaning. A substrate cleaning device included in a conventional substrate polishing device cannot necessarily clean the substrate effectively.

特開2009-246190号公報JP 2009-246190 A 特開2009-267368号公報JP 2009-267368 A

このような問題点に鑑み、効果的に基板を洗浄できる基板洗浄装置および基板洗浄方法ならびに基板洗浄装置用のロールスポンジを提供する。 In view of such problems, a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method capable of effectively cleaning a substrate, and a roll sponge for the substrate cleaning apparatus are provided.

本開示の一態様によれば、基板を保持する基板保持部と、保持された前記基板に対して5度以上30度未満の照射角度で洗浄液を供給するノズル洗浄液供給部と、を備える基板洗浄装置が提供される。
適切な照射角度で洗浄液を基板に供給することで、効果的に基板を洗浄できる。
According to one aspect of the present disclosure, there is provided a substrate cleaning apparatus including a substrate holding section that holds a substrate, and a nozzle cleaning liquid supply section that supplies cleaning liquid to the held substrate at an irradiation angle of 5 degrees or more and less than 30 degrees.
The substrate can be effectively cleaned by supplying the cleaning liquid to the substrate at an appropriate irradiation angle.

本開示の別の態様によれば、基板を保持する基板保持部と、保持された前記基板に対して洗浄液を供給するノズルと、を備え、洗浄液供給時に前記洗浄液が前記基板に与える力の、前記基板と平行な方向の力成分Fxと、前記基板と直交する方向の力成分Fyとの比Fy/Fxは、0.0875以上0.577未満である、基板洗浄装置が提供される。
適切な照射角度で洗浄液を基板に供給することで、効果的に基板を洗浄できる。
According to another aspect of the present disclosure, there is provided a substrate cleaning apparatus that includes a substrate holding part that holds a substrate and a nozzle that supplies cleaning liquid to the held substrate, wherein the ratio Fy/Fx of the force component Fx in the direction parallel to the substrate and the force component Fy in the direction perpendicular to the substrate of the force applied to the substrate by the cleaning liquid when supplying the cleaning liquid is 0.0875 or more and less than 0.577.
The substrate can be effectively cleaned by supplying the cleaning liquid to the substrate at an appropriate irradiation angle.

本開示の別の態様によれば、基板を保持する基板保持部と、保持された前記基板の少なくとも中心部分に接触して該基板を洗浄する洗浄部と、保持された前記基板の一部に洗浄液を供給する1または複数のノズルと、を備え、前記洗浄部が前記基板に接触して前記基板の洗浄が行われる際には、少なくとも1つの前記ノズルが、前記基板上の前記洗浄部とは異なる位置に洗浄液を供給し、前記洗浄部が前記基板に接触せずに前記基板のリンスが行われる際には、少なくとも1つの前記ノズルが前記基板の少なくとも中心部分に洗浄液を供給する、基板洗浄装置が提供される。
これにより、基板の中心部分も効果的に洗浄できる。
According to another aspect of the present disclosure, a substrate holding part that holds a substrate, a cleaning part that is in contact with at least a central portion of the held substrate and cleans the substrate, and one or more nozzles that supply a cleaning liquid to a part of the held substrate are provided. When the cleaning part is in contact with the substrate and the substrate is cleaned, the at least one nozzle supplies the cleaning liquid to a position different from the cleaning part on the substrate, and the substrate is rinsed without the cleaning part coming into contact with the substrate. A substrate cleaning apparatus is provided wherein at least one said nozzle supplies cleaning liquid to at least a central portion of said substrate.
As a result, even the central portion of the substrate can be effectively cleaned.

少なくとも1つの前記ノズルによる洗浄液の供給位置を調整するノズル制御部を備えるのが望ましい。
これにより、洗浄時に基板上の洗浄部とは異なる位置に、リンス時には基板上の中心部分に洗浄液を供給できる。
It is desirable to provide a nozzle control unit for adjusting the supply position of the cleaning liquid by at least one of the nozzles.
As a result, the cleaning liquid can be supplied to a position different from the cleaning portion on the substrate during cleaning, and to the central portion of the substrate during rinsing.

前記ノズル制御部は、前記洗浄部が前記基板に接触せずに前記基板のリンスが行われる
際に、前記洗浄液の供給位置を前記基板の中心部分から外周へと移動させるのが望ましい。
これにより、洗浄液を効率よく基板の外に排出できる。
It is preferable that the nozzle control unit moves the supply position of the cleaning liquid from the central portion of the substrate to the outer periphery when the substrate is rinsed without the cleaning unit contacting the substrate.
As a result, the cleaning liquid can be efficiently discharged to the outside of the substrate.

本開示の別の態様によれば、基板を保持する基板保持部と、保持された前記基板に洗浄液を供給する第1ノズルと、保持された前記基板に洗浄液を供給する第2ノズルと、を備え、前記第1ノズルおよび前記第2ノズルは、同時には前記基板に洗浄液を供給しない、基板洗浄装置が提供される。
これにより、第1ノズルからの洗浄液と第2ノズルからの洗浄液とが混ざることが抑えられ、効果的に基板Wを洗浄できる。
According to another aspect of the present disclosure, there is provided a substrate cleaning apparatus that includes a substrate holding portion that holds a substrate, a first nozzle that supplies cleaning liquid to the held substrate, and a second nozzle that supplies cleaning liquid to the held substrate, wherein the first nozzle and the second nozzle do not supply cleaning liquid to the substrate at the same time.
As a result, the cleaning liquid from the first nozzle and the cleaning liquid from the second nozzle are prevented from being mixed, and the substrate W can be cleaned effectively.

保持された前記基板の少なくとも中心部分に接触して該基板を洗浄する洗浄部を備え、前記第1ノズルは、前記基板上の少なくとも中心部分に洗浄液を供給し、前記第2ノズルは、前記基板上の前記洗浄部とは異なる位置に洗浄液を供給するのが望ましい。
これにより、基板の中心部分も効果的に洗浄できる。
It is preferable that a cleaning unit that comes into contact with at least a central portion of the held substrate and cleans the substrate is provided, wherein the first nozzle supplies cleaning liquid to at least the central portion of the substrate, and the second nozzle supplies cleaning liquid to a position on the substrate different from that of the cleaning unit.
As a result, even the central portion of the substrate can be effectively cleaned.

本開示の別の態様によれば、基板を保持する基板保持部と、保持された前記基板に非定常的に洗浄液を供給するノズルと、を備える基板洗浄装置が提供される。
非定常的に洗浄液を供給することで基板に圧力変動を与えることができ、基板を効果的に洗浄できる。
According to another aspect of the present disclosure, a substrate cleaning apparatus is provided that includes a substrate holding part that holds a substrate, and a nozzle that unsteadily supplies cleaning liquid to the held substrate.
By unsteadily supplying the cleaning liquid, pressure fluctuations can be applied to the substrate, and the substrate can be effectively cleaned.

前記ノズルは、間欠的に洗浄液を供給してもよいし、洗浄液の供給量を変動させてもよい。 The nozzle may intermittently supply the cleaning liquid, or may vary the supply amount of the cleaning liquid.

本開示の別の態様によれば、基板の少なくとも中心部分に洗浄部を接触させる工程と、前記基板上の前記洗浄部とは異なる位置に洗浄液を供給しつつ、前記洗浄部が前記基板を洗浄する工程と、前記洗浄部を前記基板から離間させる工程と、前記基板上の少なくとも中心部分に洗浄液を供給する工程と、を備える基板洗浄方法が提供される。
これにより、基板の中心部分も効果的に洗浄できる。
According to another aspect of the present disclosure, there is provided a substrate cleaning method comprising: bringing a cleaning unit into contact with at least a central portion of a substrate; cleaning the substrate with the cleaning unit while supplying cleaning liquid to a position on the substrate different from that of the cleaning unit; separating the cleaning unit from the substrate; and supplying the cleaning liquid to at least a central portion of the substrate.
As a result, even the central portion of the substrate can be effectively cleaned.

本開示の別の態様によれば、円筒状のロール本体と、その外周面から外側に円柱状に突出した複数のノジュール部と、を備え、前記複数のノジュール部の表面の少なくとも一部はスキン層が欠如している、基板洗浄装置用のロールスポンジが提供される。
スキン層の特性を活かし、効果的に基板を洗浄できる。
According to another aspect of the present disclosure, there is provided a roll sponge for a substrate cleaning apparatus, comprising a cylindrical roll body and a plurality of nodule portions projecting cylindrically outward from the outer peripheral surface thereof, wherein at least a portion of the surface of the plurality of nodule portions lacks a skin layer.
Utilizing the characteristics of the skin layer, the substrate can be effectively cleaned.

本実施形態に係る基板洗浄装置を備える基板処理装置の概略平面図。1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus provided with a substrate cleaning apparatus according to this embodiment; FIG. 第1の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す斜視図。1 is a perspective view schematically showing a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment; FIG. 基板Wとその表面上に付着した異物Pとを模式的に示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a substrate W and foreign matter P adhering to its surface; 照射角度θと除去率との関係を模式的に示すグラフ。The graph which shows typically the relationship between irradiation angle (theta) and a removal rate. 第2の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the substrate cleaning apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 洗浄工程における洗浄液供給を模式的に示す斜視図。FIG. 4 is a perspective view schematically showing supply of a cleaning liquid in a cleaning process; リンス工程における洗浄液供給を模式的に示す斜視図。FIG. 4 is a perspective view schematically showing supply of cleaning liquid in a rinsing process; 第3の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図。The schematic perspective view of the substrate cleaning apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図。The schematic perspective view of the substrate cleaning apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第5の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図。The schematic perspective view of the substrate cleaning apparatus which concerns on 5th Embodiment. 第6の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図。The schematic perspective view of the substrate cleaning apparatus which concerns on 6th Embodiment. 第7の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the substrate cleaning apparatus which concerns on 7th Embodiment. ノズル32a,32bによる洗浄液供給タイミングを示す図。FIG. 4 is a diagram showing cleaning liquid supply timing by nozzles 32a and 32b; 第8の実施形態の一例に係る洗浄液の供給流量を模式的に示す図。FIG. 12 is a diagram schematically showing the supply flow rate of cleaning liquid according to an example of the eighth embodiment; 第8の実施形態の別の例に係る洗浄液の供給流量を模式的に示す図。FIG. 12 is a diagram schematically showing the supply flow rate of the cleaning liquid according to another example of the eighth embodiment; ロールスポンジ33の第1例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a first example of a roll sponge 33; ロールスポンジ33の第2例を示す図。FIG. 8 shows a second example of the roll sponge 33; ロールスポンジ33の第3例を示す図。FIG. 8 shows a third example of the roll sponge 33; ロールスポンジ33の第4例を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a fourth example of the roll sponge 33; ペンシルスポンジ38の第1例を示す図。FIG. 4 shows a first example of a pencil sponge 38; ペンシルスポンジ38の第2例を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a second example of a pencil sponge 38; ペンシルスポンジ38の第3例を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a third example of a pencil sponge 38; ペンシルスポンジ38の第4例を示す図。FIG. 10 is a diagram showing a fourth example of a pencil sponge 38; ペンシルスポンジ38の第5例を示す図。The figure which shows the 5th example of the pencil sponge 38. FIG. 別の洗浄部391を示す図。The figure which shows another washing|cleaning part 391. FIG. また別の洗浄部392を示す図。FIG. 11 is a diagram showing another cleaning unit 392; また別の洗浄部393を示す図。FIG. 11 is a diagram showing another cleaning unit 393; また別の洗浄部394を示す図。FIG. 10 is a diagram showing another cleaning unit 394; また別の洗浄部395を示す図。FIG. 10 is a diagram showing another cleaning unit 395;

以下、実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。 Hereinafter, embodiments will be specifically described with reference to the drawings.

図1は、本実施形態に係る基板洗浄装置を備える基板処理装置の概略平面図である。図1に示すように、この基板処理装置は、略矩形状のハウジング1を備えており、ハウジング1の内部は隔壁1a,1bによってロード/アンロード部2と研磨部3と洗浄部4とに区画されている。これらのロード/アンロード部2、研磨部3、および洗浄部4は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。研磨部3では基板の研磨が行われる。洗浄部4では研磨された基板の洗浄および乾燥が行われる。また、基板処理装置は基板処理動作を制御する制御部5を有している。 FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus provided with a substrate cleaning apparatus according to this embodiment. As shown in FIG. 1, this substrate processing apparatus has a substantially rectangular housing 1. The interior of the housing 1 is partitioned into a loading/unloading section 2, a polishing section 3, and a cleaning section 4 by partition walls 1a and 1b. These loading/unloading section 2, polishing section 3, and cleaning section 4 are independently assembled and independently exhausted. The polishing unit 3 polishes the substrate. The cleaning section 4 cleans and dries the polished substrate. The substrate processing apparatus also has a control unit 5 for controlling substrate processing operations.

ロード/アンロード部2は、多数の基板(例えば半導体ウエハ)をストックする基板カセットが載置される2つ以上(本実施形態では4つ)のフロントロード部20を備えている。これらのフロントロード部20はハウジング1に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向(長手方向と垂直な方向)に沿って配列されている。 The loading/unloading section 2 includes two or more (four in this embodiment) front loading sections 20 on which substrate cassettes stocking a large number of substrates (eg, semiconductor wafers) are placed. These front load sections 20 are arranged adjacent to the housing 1 and arranged along the width direction (perpendicular to the longitudinal direction) of the substrate processing apparatus.

また、ロード/アンロード部2には、フロントロード部20の並びに沿って走行機構21が敷設されており、この走行機構21上に基板カセットの配列方向に沿って移動可能な2台の搬送ロボット(ローダー)22が設置されている。搬送ロボット22は走行機構21上を移動することによってフロントロード部20に搭載された基板カセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット22は上下に2つのハンドを備えている。そして、処理された基板を基板カセットに戻すときに上側のハンドを使用し、処理前の基板を基板カセットから取り出すときに下側のハンドを使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット22の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、基板を反転させることができるように構成されている。 In the loading/unloading section 2, a traveling mechanism 21 is laid along the line of the front loading section 20. On the traveling mechanism 21, two transfer robots (loaders) 22 that can move along the arrangement direction of the substrate cassettes are installed. The transfer robot 22 can access the substrate cassette mounted on the front loading section 20 by moving on the travel mechanism 21 . Each transfer robot 22 has two upper and lower hands. The upper hand is used when the processed substrate is returned to the substrate cassette, and the lower hand is used when the substrate before processing is taken out of the substrate cassette, so that the upper and lower hands can be used properly. Furthermore, the lower hand of the transport robot 22 is configured to be able to turn over the substrate by rotating around its axis.

研磨部3は、基板の研磨(平坦化)が行われる領域であり、例えばロード/アンロード部2側から順に並んだ4つの基板研磨装置3A~3Dを備える。 The polishing section 3 is an area where substrate polishing (flattening) is performed, and includes, for example, four substrate polishing apparatuses 3A to 3D arranged in order from the load/unload section 2 side.

洗浄部4は、基板の洗浄および乾燥が行われる領域であり、ロード/アンロード部2とは反対側から順に洗浄室190と、搬送室191と、洗浄室192と、搬送室193と、乾燥室194とに区画されている。 The cleaning unit 4 is an area where substrates are cleaned and dried, and is divided into a cleaning chamber 190, a transfer chamber 191, a cleaning chamber 192, a transfer chamber 193, and a drying chamber 194 in order from the opposite side of the loading/unloading unit 2.

洗浄室190内には、垂直方向に沿って配列された2つの基板洗浄装置201(図1に
は1つのみ図示される)が配置されている。同様に、洗浄室192内には、垂直方向に沿って配列された2つの基板洗浄装置202(図1には1つのみ図示される)が配置されている。基板洗浄装置201,202は、洗浄液を用いて基板を洗浄する洗浄機である。これらの基板洗浄装置201,202は垂直方向に沿って配列されているので、フットプリント面積が小さいという利点が得られる。
Two substrate cleaning apparatuses 201 (only one is shown in FIG. 1) are arranged in the cleaning chamber 190 along the vertical direction. Similarly, disposed within the cleaning chamber 192 are two vertically arranged substrate cleaning apparatuses 202 (only one is shown in FIG. 1). The substrate cleaning apparatuses 201 and 202 are cleaning machines that clean substrates using a cleaning liquid. Since these substrate cleaning apparatuses 201 and 202 are arranged along the vertical direction, they have the advantage of a small footprint area.

乾燥室194内には、縦方向に沿って配列された2つの基板乾燥装置203(図1には1つのみ図示される)が配置されている。これら2つの基板乾燥装置203は互いに隔離されている。基板乾燥装置203の上部には、清浄な空気を基板乾燥装置203内にそれぞれ供給するフィルタファンユニットが設けられている。 Two substrate drying devices 203 (only one is shown in FIG. 1) are arranged in the drying chamber 194 along the longitudinal direction. These two substrate drying devices 203 are isolated from each other. Filter fan units for supplying clean air into the substrate drying device 203 are provided above the substrate drying device 203 .

なお、基板処理装置が制御部5を備えて基板洗浄装置201,202などを制御してもよいし、基板洗浄装置201,202のそれぞれが制御部(制御装置)を備えていてもよい。 The substrate processing apparatus may include the controller 5 to control the substrate cleaning apparatuses 201 and 202, or each of the substrate cleaning apparatuses 201 and 202 may include a controller (control device).

次に、基板を搬送するための搬送機構について説明する。図1に示すように、基板研磨装置3A,3Bに隣接して、リニアトランスポータ6が配置されている。このリニアトランスポータ6は、これら基板研磨装置3A,3Bが配列する方向に沿った4つの搬送位置(ロード/アンロード部2側から順に搬送位置TP1~TP4とする)の間で基板を搬送する。 Next, a transport mechanism for transporting the substrate will be described. As shown in FIG. 1, a linear transporter 6 is arranged adjacent to the substrate polishing apparatuses 3A and 3B. The linear transporter 6 transports substrates between four transport positions (transport positions TP1 to TP4 in order from the load/unload section 2 side) along the direction in which the substrate polishing apparatuses 3A and 3B are arranged.

また、基板研磨装置3C,3Dに隣接して、リニアトランスポータ7が配置されている。このリニアトランスポータ7は、これら基板研磨装置3C,3Dが配列する方向に沿った3つの搬送位置(ロード/アンロード部2側から順に搬送位置TP5~TP7とする)の間で基板を搬送する。 A linear transporter 7 is arranged adjacent to the substrate polishing apparatuses 3C and 3D. The linear transporter 7 transports substrates between three transport positions (transport positions TP5 to TP7 in order from the load/unload section 2 side) along the direction in which the substrate polishing apparatuses 3C and 3D are arranged.

基板は、リニアトランスポータ6によって基板研磨装置3A,3Bに搬送される。基板研磨装置3Aへの基板の受け渡しは搬送位置TP2で行われる。研磨装置3Bへの基板の受け渡しは搬送位置TP3で行われる。基板研磨装置3Cへの基板の受け渡しは搬送位置TP6で行われる。基板研磨装置3Dへの基板の受け渡しは第7搬送位置TP7で行われる。 The substrate is transported to the substrate polishing apparatuses 3A and 3B by the linear transporter 6. As shown in FIG. Transfer of the substrate to the substrate polishing apparatus 3A is performed at the transfer position TP2. Transfer of the substrate to the polishing apparatus 3B is performed at the transfer position TP3. Transfer of the substrate to the substrate polishing apparatus 3C is performed at the transfer position TP6. Transfer of the substrate to the substrate polishing apparatus 3D is performed at the seventh transfer position TP7.

搬送位置TP1には、搬送ロボット22から基板を受け取るためのリフタ11が配置されている。基板はこのリフタ11を介して搬送ロボット22からリニアトランスポータ6に渡される。リフタ11と搬送ロボット22との間に位置して、シャッタ(図示せず)が隔壁1aに設けられており、基板の搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット22からリフタ11に基板が渡されるようになっている。 A lifter 11 for receiving the substrate from the transport robot 22 is arranged at the transport position TP1. The substrate is transferred from the transfer robot 22 to the linear transporter 6 via this lifter 11 . A shutter (not shown) is provided on the partition wall 1a between the lifter 11 and the transport robot 22, and when the substrate is transported, the shutter is opened and the substrate is passed from the transport robot 22 to the lifter 11.

また、リニアトランスポータ6,7と、洗浄部4との間にはスイングトランスポータ12が配置されている。このスイングトランスポータ12は、搬送位置TP4,TP5との間を移動可能なハンドを有しており、リニアトランスポータ6からリニアトランスポータ7への基板の受け渡しは、スイングトランスポータ12によって行われる。 A swing transporter 12 is arranged between the linear transporters 6 and 7 and the cleaning section 4 . The swing transporter 12 has a hand that can move between transport positions TP4 and TP5.

基板は、リニアトランスポータ7によって基板研磨装置3Cおよび/または基板研磨装置3Dに搬送される。また、研磨部3で研磨された基板はスイングトランスポータ12を経由して洗浄部4に搬送される。スイングトランスポータ12の側方には、図示しないフレームに設置された基板の仮置き台180が配置されている。この仮置き台180は、図1に示すように、リニアトランスポータ6に隣接して配置されており、リニアトランスポータ6と洗浄部4との間に位置している。 The substrate is transported by the linear transporter 7 to the substrate polishing apparatus 3C and/or the substrate polishing apparatus 3D. Also, the substrate polished by the polishing section 3 is transported to the cleaning section 4 via the swing transporter 12 . On the side of the swing transporter 12, a substrate temporary placement table 180 installed on a frame (not shown) is arranged. The temporary placing table 180 is arranged adjacent to the linear transporter 6 and positioned between the linear transporter 6 and the cleaning section 4, as shown in FIG.

(第1の実施形態)
第1の実施形態は、基板洗浄装置において、洗浄対象基板に対する洗浄液の好ましい照射角度に関する。
(First embodiment)
The first embodiment relates to a preferable irradiation angle of cleaning liquid to a substrate to be cleaned in a substrate cleaning apparatus.

図2は、第1の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す斜視図である。基板洗浄装置は、洗浄対象の基板Wをほぼ水平に保持して回転させる基板保持部31と、保持された基板Wに対して洗浄液を供給するノズル32とを備えている。ノズル32は、例えば直径1mmの単管ノズルであり、基板W上の狭い範囲に洗浄液を照射する。洗浄液は純水や薬液などである。本明細書では、基板面と、ノズル32から照射される洗浄液とがなす角を照射角度θと定義する。 FIG. 2 is a perspective view schematically showing the substrate cleaning apparatus according to the first embodiment. The substrate cleaning apparatus includes a substrate holding part 31 that holds and rotates a substrate W to be cleaned substantially horizontally, and a nozzle 32 that supplies cleaning liquid to the held substrate W. As shown in FIG. The nozzle 32 is, for example, a single tube nozzle with a diameter of 1 mm, and irradiates a narrow range on the substrate W with the cleaning liquid. The cleaning liquid is pure water, chemical liquid, or the like. In this specification, the angle formed by the substrate surface and the cleaning liquid irradiated from the nozzle 32 is defined as an irradiation angle θ.

まずは、簡略化したモデルを用いて適切な照射角度θを理論的に導く。
図3は、基板Wとその表面上に付着した異物Pとを模式的に示す断面図である。ここでは、異物Pを半径aの球体と仮定し、照射角度θで洗浄液が供給されたとする。この場合、洗浄液に起因する力Fが異物Pのノズル32側の半球に作用すると考えることができる。そして、基板Wと異物Pとの接点Aを軸とするモーメントMが大きいほど、異物Pを除去できる。このモーメントMは次のようにして導出できる。
First, an appropriate irradiation angle θ is theoretically derived using a simplified model.
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the substrate W and foreign matter P adhering to its surface. Here, it is assumed that the foreign matter P is a sphere with a radius of a and that the cleaning liquid is supplied at an irradiation angle θ. In this case, it can be considered that the force F caused by the cleaning liquid acts on the hemisphere of the foreign matter P on the nozzle 32 side. The larger the moment M about the point of contact A between the substrate W and the foreign matter P, the more the foreign matter P can be removed. This moment M can be derived as follows.

途中、Fx=Fcosθ,Fy=Fsinθであることを考慮した。この結果、モーメントMはcosθに比例する。すなわち、照射角度θが小さいほど、異物Pを除去できることが分かった。 On the way, we considered that Fx=Fcos θ and Fy=Fsin θ. As a result, the moment M is proportional to cos θ. That is, it was found that the smaller the irradiation angle θ, the more the foreign matter P could be removed.

次に、適切な照射角度θを実験的に考察する。基板Wを汚染させ、種々の照射角度θで基板Wの中心に洗浄液を供給して異物の除去率を計測する実験を行った。 Next, an appropriate illumination angle θ is considered experimentally. An experiment was conducted in which the substrate W was contaminated, the cleaning liquid was supplied to the center of the substrate W at various irradiation angles θ, and the foreign matter removal rate was measured.

図4は、照射角度θと除去率との関係を模式的に示すグラフである。図示のように、θ=15~40度の範囲では、照射角度θが大きくなるほど除去率が低下する。このことは図3を用いて導かれた結果と一致する。照射角度θが40度を超えると除去率はほぼ一定となるが、これは洗浄液の流体力が一定になるためと考えられる。いずれにしても、照射角度θが大きいと洗浄力は低く好ましくない。 FIG. 4 is a graph schematically showing the relationship between the irradiation angle θ and the removal rate. As shown, in the range of θ=15 to 40 degrees, the larger the irradiation angle θ, the lower the removal rate. This agrees with the results derived using FIG. When the irradiation angle .theta. exceeds 40 degrees, the removal rate becomes almost constant, presumably because the fluid force of the cleaning liquid becomes constant. In any case, when the irradiation angle .theta.

一方、照射角度θが10度以下の範囲では、照射角度θが小さくなるほど除去率が低下し、特に5度未満の場合に除去率は低くなる。これは、照射角度θが小さすぎる場合、供
給された洗浄液が基板W上で分岐し(いわゆる液糸)、異物まで到達する洗浄液の量が減るためと考えられる。また、ノズル32の機構的な制約上、照射角度θをあまり小さくするのは困難である。
On the other hand, when the irradiation angle .theta. is 10 degrees or less, the removal rate decreases as the irradiation angle .theta. decreases. This is probably because when the irradiation angle θ is too small, the supplied cleaning liquid branches (so-called liquid threads) on the substrate W, and the amount of the cleaning liquid reaching the foreign matter is reduced. In addition, due to mechanical restrictions of the nozzle 32, it is difficult to make the irradiation angle θ too small.

以上から、照射角度θは5度以上40度未満とするのが好ましく、5度以上30度未満とするのがさらに好ましい。 From the above, the irradiation angle θ is preferably 5 degrees or more and less than 40 degrees, more preferably 5 degrees or more and less than 30 degrees.

ここで、洗浄液が基板Wに与える水平方向(正確には、基板Wと平行な方向)の力成分Fxおよび同鉛直方向(正確には、基板Wと直交する方向)の力成分Fyと、照射角度θは次の関係を満たす。
tanθ=Fy/Fx
Here, the force component Fx in the horizontal direction (precisely, the direction parallel to the substrate W) and the force component Fy in the same vertical direction (precisely, the direction perpendicular to the substrate W) applied by the cleaning liquid to the substrate W, and the irradiation angle θ satisfy the following relationship.
tan θ=Fy/Fx

よって、上記の好ましい照射角度θを言い換えると、水平方向の力Fxに対する鉛直方向の力Fyの比Fy/Fxの範囲が0.0875(=tan5)以上0.839(=tan40)未満とするのが好ましく、0.0875(=tan5)以上0.577(=tan30)未満とするのがさらに好ましい。 Therefore, in other words, the preferable irradiation angle θ described above, the range of the ratio Fy/Fx of the vertical force Fy to the horizontal force Fx is preferably 0.0875 (=tan5) or more and less than 0.839 (=tan40), and more preferably 0.0875 (=tan5) or more and less than 0.577 (=tan30).

以上説明したように、第1の実施形態では洗浄液の照射角度θを適切な値とするため、基板Wを効果的に洗浄できる。なお、本実施形態の考え方は基板洗浄装置の具体的な構成に関わらず適用可能であり、例えば基板Wを鉛直方向に保持するものであってもよい。また、ノズル32は基板Wの上面でなく下面に洗浄液を供給するものであってもよい。 As described above, in the first embodiment, since the irradiation angle θ of the cleaning liquid is set to an appropriate value, the substrate W can be cleaned effectively. The concept of the present embodiment can be applied regardless of the specific configuration of the substrate cleaning apparatus, and for example, the substrate W may be held vertically. Also, the nozzle 32 may supply the cleaning liquid to the lower surface of the substrate W instead of the upper surface.

(第2の実施形態)
次に説明する第2の実施形態は、ロールスポンジなどの洗浄部を用いて基板洗浄を行う基板洗浄装置におけるノズル32による洗浄液の供給位置に関する。
(Second embodiment)
A second embodiment to be described next relates to the position at which the cleaning liquid is supplied by the nozzle 32 in a substrate cleaning apparatus that cleans the substrate using a cleaning unit such as a roll sponge.

図5は、第2の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す斜視図である。基板洗浄装置は、基板保持部31および1または複数のノズル32に加え、洗浄部であるロールスポンジ33を備えている。ロールスポンジ33は水平方向に延びており、保持された基板W上面の少なくとも中心部に接触して基板Wを洗浄する。 FIG. 5 is a perspective view schematically showing a substrate cleaning apparatus according to the second embodiment. The substrate cleaning apparatus includes a substrate holding portion 31 and one or more nozzles 32, as well as a roll sponge 33 as a cleaning portion. The roll sponge 33 extends horizontally and contacts at least the central portion of the upper surface of the held substrate W to clean the substrate W. As shown in FIG.

基板洗浄装置は、まずロールスポンジ33を基板Wに接触させ、この状態でノズル32から基板Wの上面に洗浄液を供給して基板Wを洗浄する(以下、洗浄工程という)。次いで、基板洗浄装置はロールスポンジ33を基板Wから離間させ、この状態でノズル32から洗浄液を供給して基板Wをリンスする(以下、リンス工程という)。 The substrate cleaning apparatus first brings the roll sponge 33 into contact with the substrate W, and in this state, supplies cleaning liquid from the nozzle 32 to the upper surface of the substrate W to clean the substrate W (hereinafter referred to as a cleaning process). Next, the substrate cleaning apparatus separates the roll sponge 33 from the substrate W, and rinses the substrate W by supplying cleaning liquid from the nozzle 32 in this state (hereinafter referred to as a rinsing step).

ここで、洗浄工程では、ロールスポンジ33が基板Wの中心に接触している。そのため、洗浄液がロールスポンジ33と衝突しないよう、ノズル32は基板Wの中心からずれた位置に洗浄液を供給する。つまり、洗浄工程では、基板Wの中心には洗浄液があまり供給されない。 Here, the roll sponge 33 is in contact with the center of the substrate W in the cleaning process. Therefore, the nozzle 32 supplies the cleaning liquid to a position shifted from the center of the substrate W so that the cleaning liquid does not collide with the roll sponge 33 . That is, the cleaning liquid is not supplied to the center of the substrate W much in the cleaning process.

仮に、その後のリンス工程においてもノズル32が基板Wの中心からずれた位置に洗浄液を供給すると、基板Wの中心の洗浄が不十分となる。 If the nozzle 32 were to supply the cleaning liquid to a position deviated from the center of the substrate W in the subsequent rinsing process as well, cleaning of the center of the substrate W would be insufficient.

そこで本実施形態では、洗浄工程では、基板Wの中心からずれた位置、すなわち、ロールスポンジ33とは異なる位置にノズル32が洗浄液を供給する(図6参照)。そして、ロールスポンジ33を基板Wから離間させた上で、リンス工程では、基板Wの中心部分を含む位置にノズル32が洗浄液を供給する(図7参照)。これにより、基板Wの中心部分も効果的に洗浄できる。 Therefore, in this embodiment, in the cleaning process, the nozzle 32 supplies the cleaning liquid to a position shifted from the center of the substrate W, that is, a position different from the roll sponge 33 (see FIG. 6). After the roll sponge 33 is separated from the substrate W, the nozzle 32 supplies the cleaning liquid to a position including the central portion of the substrate W in the rinse step (see FIG. 7). As a result, the central portion of the substrate W can also be cleaned effectively.

なお、洗浄液の供給位置の具体的な切替法は種々考えられる。例えば、1つのノズル32を設け、そのノズル32による洗浄液の供給位置を調整してもよい。その具体的な手法は第3~第6の実施形態で説明する。 Various methods for switching the supply position of the cleaning liquid are conceivable. For example, one nozzle 32 may be provided and the position at which the cleaning liquid is supplied by the nozzle 32 may be adjusted. A specific method thereof will be described in third to sixth embodiments.

別の例として、2以上のノズル32(例えば、単管ノズルと、スプレー状に洗浄液を噴霧する扇形ノズル)を設け、洗浄工程において1つのノズル32が基板Wの中心からずれた位置に洗浄液を供給し、リンス工程において他のノズル32が基板Wの中心を含む位置に洗浄液を供給してもよい。 As another example, two or more nozzles 32 (for example, a single tube nozzle and a fan-shaped nozzle that sprays the cleaning liquid in a spray form) may be provided, one nozzle 32 may supply the cleaning liquid to a position shifted from the center of the substrate W in the cleaning process, and another nozzle 32 may supply the cleaning liquid to a position including the center of the substrate W in the rinsing process.

また、2以上のノズル32を設け、そのうちの1以上のノズル32による洗浄液の供給位置を調整してもよい。 Alternatively, two or more nozzles 32 may be provided, and the position at which the cleaning liquid is supplied by one or more of the nozzles 32 may be adjusted.

このように、第2の実施形態では、ロールスポンジ33を用いた洗浄工程ではロールスポンジ33とは異なる位置に、ロールスポンジ33を用いないリンス工程では基板Wの中心部分に洗浄液を供給する。そのため、基板Wの中心部分も効果的に洗浄できる。 Thus, in the second embodiment, the cleaning liquid is supplied to a different position from the roll sponge 33 in the cleaning process using the roll sponge 33, and to the central portion of the substrate W in the rinsing process not using the roll sponge 33. Therefore, the central portion of the substrate W can also be effectively cleaned.

なお、ノズル32からの照射角度θの好ましい範囲は第1の実施形態で述べた通りである。また、本実施形態の考え方は基板洗浄装置の具体的な構成に関わらず適用可能であり、例えば基板Wの下面を洗浄するロールスポンジおよび基板Wの下面に洗浄液を供給するノズルが設けられてもよい。また、基板Wを鉛直方向に保持するものであってもよい。 The preferred range of the irradiation angle θ from the nozzle 32 is as described in the first embodiment. The concept of the present embodiment can be applied regardless of the specific configuration of the substrate cleaning apparatus. For example, a roll sponge for cleaning the bottom surface of the substrate W and a nozzle for supplying cleaning liquid to the bottom surface of the substrate W may be provided. Alternatively, the substrate W may be held vertically.

(第3の実施形態)
第2の実施形態において、ノズル32による洗浄液の供給位置を調整してもよいと述べた。以下に説明する第3~6の実施形態では、洗浄液の供給位置を調整する具体的な構成例を示す。
(Third Embodiment)
In the second embodiment, it has been stated that the nozzle 32 supply position of the cleaning liquid may be adjusted. Third to sixth embodiments described below show specific configuration examples for adjusting the supply position of the cleaning liquid.

図8は、第3の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図である。基板洗浄装置は、4つの基板保持部31と、ノズル32と、基板Wの上下面にそれぞれ接触するロールスポンジ33a,33bと、これらのロールスポンジ33a,33bをそれぞれ回転させる回転機構34a,34bと、ガイドレール35と、昇降機構36と、ノズル32による洗浄液供給位置(供給方向)を調整するノズル制御部60とを備えている。なお、基板保持部31に保持された基板Wの上面に洗浄液を供給するノズル32と、対応するノズル制御部60のみを描いているが、基板Wの下面に洗浄液を供給するノズルと、対応するノズル制御部をさらに設けてもよい。 FIG. 8 is a schematic perspective view of a substrate cleaning apparatus according to the third embodiment. The substrate cleaning apparatus includes four substrate holders 31, nozzles 32, roll sponges 33a and 33b that contact the upper and lower surfaces of the substrate W, rotation mechanisms 34a and 34b that rotate the roll sponges 33a and 33b, guide rails 35, an elevating mechanism 36, and a nozzle control unit 60 that adjusts the position (supply direction) of the cleaning liquid supplied by the nozzles 32. Although only the nozzle 32 that supplies the cleaning liquid to the upper surface of the substrate W held by the substrate holding section 31 and the corresponding nozzle control section 60 are illustrated, the nozzle that supplies the cleaning liquid to the lower surface of the substrate W and the corresponding nozzle control section may be further provided.

基板保持部31は例えばローラであり、保持部311および肩部(支持部)312の2段構成となっている。肩部312の直径は保持部311の直径よりも大きく、肩部312上に保持部311が形成されている。4つの基板保持部31のうちの少なくとも一部(例えば隣接する2つ)が駆動機構(例えばエアシリンダ)によって、互いに近接および離間する方向に移動可能となっている。 The substrate holding portion 31 is, for example, a roller, and has a two-stage structure of a holding portion 311 and a shoulder portion (support portion) 312 . The diameter of the shoulder 312 is larger than the diameter of the retainer 311 and the retainer 311 is formed on the shoulder 312 . At least some of the four substrate holders 31 (for example, two adjacent ones) are movable in directions of approaching and separating from each other by a drive mechanism (for example, an air cylinder).

回転機構34aは上側のロールスポンジ33aを回転させるものである。回転機構34aは、その上下方向の動きをガイドするガイドレール35に取り付けられており、かつ、昇降機構36に支持されている。そして、回転機構34aおよび上側のロールスポンジ33aは昇降機構36によって上下方向に移動されるようになっている。 The rotating mechanism 34a rotates the upper roll sponge 33a. The rotating mechanism 34 a is attached to a guide rail 35 that guides its vertical movement, and is supported by a lifting mechanism 36 . The rotating mechanism 34a and the upper roll sponge 33a are vertically moved by an elevating mechanism 36. As shown in FIG.

図示しないが、下側のロールスポンジ33bを回転させる回転機構34bもガイドレールに取り付けられており、不図示の昇降機構によって回転機構34bおよび下側のロールスポンジ33bが上下方向に移動されるようになっている。
なお、昇降機構36としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエアシ
リンダが使用される。
Although not shown, a rotating mechanism 34b for rotating the lower roll sponge 33b is also attached to the guide rail, and the rotating mechanism 34b and the lower roll sponge 33b are moved vertically by an elevating mechanism (not shown).
As the elevating mechanism 36, for example, a motor drive mechanism using a ball screw or an air cylinder is used.

昇降機構36によってロールスポンジ33a,33bは次のように移動する。
基板Wの搬入搬出時には、ロールスポンジ33a,33bは互いに離間した位置にある。つまり、ロールスポンジ33aは上昇した状態であり、ロールスポンジ33bは下降した状態である。
The lift mechanism 36 moves the roll sponges 33a and 33b as follows.
When the substrate W is carried in and out, the roll sponges 33a and 33b are separated from each other. That is, the roll sponge 33a is in an elevated state, and the roll sponge 33b is in a lowered state.

洗浄工程においては、ロールスポンジ33aが下降し、かつ、ロールスポンジ33bが上昇する。これにより、ロールスポンジ33aは基板Wの上面に接触し、ロールスポンジ33bは基板Wの下面に接触する。 In the cleaning step, the roll sponge 33a descends and the roll sponge 33b ascends. Thereby, the roll sponge 33a contacts the upper surface of the substrate W, and the roll sponge 33b contacts the lower surface of the substrate W. As shown in FIG.

リンス工程においては、ロールスポンジ33aが上昇し、かつ、ロールスポンジ33bが下降する。これにより、ロールスポンジ33a,33bは基板Wから離れる。 In the rinsing step, the roll sponge 33a is raised and the roll sponge 33b is lowered. As a result, the roll sponges 33a and 33b are separated from the substrate W. As shown in FIG.

ノズル制御部60はノズル32が基板W上のどこに洗浄液を供給するかを制御する。具体的には、洗浄工程において、ノズル制御部60は、ロールスポンジ33aとは異なる位置(基板Wの中心からずれた位置)に洗浄液が供給されるよう、ノズル32を制御する。また、リンス工程において、ノズル制御部60は、ノズル32から基板Wの中心部分に洗浄液が供給されるよう、ノズル32を制御する。ノズル制御部60はノズル32による洗浄液の照射方向を制御するとも言える。 The nozzle control unit 60 controls where on the substrate W the nozzle 32 supplies the cleaning liquid. Specifically, in the cleaning process, the nozzle control unit 60 controls the nozzle 32 so that the cleaning liquid is supplied to a position different from the roll sponge 33a (a position shifted from the center of the substrate W). In the rinsing process, the nozzle control unit 60 controls the nozzle 32 so that the cleaning liquid is supplied from the nozzle 32 to the central portion of the substrate W. FIG. It can also be said that the nozzle control unit 60 controls the irradiation direction of the cleaning liquid by the nozzle 32 .

具体的には、ノズル制御部60は、チューブ61と、円板62と、モータ63と、シャフト64と、ガイド65と、固定具66とを有する。 Specifically, the nozzle control section 60 has a tube 61 , a disc 62 , a motor 63 , a shaft 64 , a guide 65 and a fixture 66 .

チューブ61はノズル32と連通しており、洗浄液をノズル32に導く。シャフト64の一端はモータ63によって回転される円板62の終端部に固定され、他端はノズル32の末端側に固定される。ガイド65には縦長の開口が形成されており、この開口にノズル32の末端が嵌まっている。固定具66には開口が形成されており、この開口にノズル32が貫通している。 The tube 61 communicates with the nozzle 32 and guides the cleaning liquid to the nozzle 32 . One end of the shaft 64 is fixed to the terminal end of the disk 62 rotated by the motor 63 and the other end is fixed to the distal end of the nozzle 32 . The guide 65 has an elongated opening into which the distal end of the nozzle 32 fits. An opening is formed in the fixture 66, and the nozzle 32 passes through this opening.

モータ63が円板62を回転させることで、シャフト64が移動する。シャフト64に固定されたノズル32はガイド65の開口に沿って上下に動き、その結果、固定具66を軸としてノズル32の角度が変化する。これにより、洗浄液の照射方向が制御される。 As the motor 63 rotates the disk 62, the shaft 64 moves. The nozzle 32 fixed to the shaft 64 moves up and down along the opening of the guide 65, and as a result, the angle of the nozzle 32 changes with the fixture 66 as the axis. Thereby, the irradiation direction of the cleaning liquid is controlled.

(第4の実施形態)
次に説明する第4の実施形態は、ノズル制御部の構成が第3の実施形態とは異なる。以下、ノズル制御部について説明する。
(Fourth embodiment)
A fourth embodiment described below differs from the third embodiment in the configuration of the nozzle control section. The nozzle control section will be described below.

図9は、第4の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図である。同図のノズル制御部70は、カム71と、モータ72と、シャフト73と、ローラ74と、ガイド75と、固定具76とを有する。 FIG. 9 is a schematic perspective view of a substrate cleaning apparatus according to a fourth embodiment. The nozzle control section 70 shown in the figure has a cam 71 , a motor 72 , a shaft 73 , a roller 74 , a guide 75 and a fixture 76 .

シャフト73の一端は、モータ72によって回転されるカム71とローラ74を介して接続され、他端はノズル32の末端側に固定されている。ガイド75には縦長の開口が形成されており、この開口にノズル32の末端が嵌まっている。固定具76には開口が形成されており、この開口にノズル32が貫通している。 One end of shaft 73 is connected to cam 71 rotated by motor 72 via roller 74 , and the other end is fixed to the distal end of nozzle 32 . The guide 75 has an elongated opening into which the distal end of the nozzle 32 fits. The fixture 76 has an opening through which the nozzle 32 passes.

モータ72がカム71を回転させることで、カム71の形状に沿ってローラ74が動く。これにより、シャフト73が上下に移動し、シャフト73に固定されたノズル32はガイド75の開口に沿って上下に動く。その結果、固定具76を軸としてノズル32の角度
が変化する。これにより、洗浄液の照射方向が制御される。
As the motor 72 rotates the cam 71 , the roller 74 moves along the shape of the cam 71 . As a result, the shaft 73 moves up and down, and the nozzle 32 fixed to the shaft 73 moves up and down along the opening of the guide 75 . As a result, the angle of the nozzle 32 changes with the fixture 76 as the axis. Thereby, the irradiation direction of the cleaning liquid is controlled.

(第5の実施形態)
次に説明する第5の実施形態は、ノズル制御部の構成が第3の実施形態とは異なる。以下、ノズル制御部について説明する。
(Fifth embodiment)
A fifth embodiment described below differs from the third embodiment in the configuration of the nozzle control section. The nozzle control section will be described below.

図10は、第5の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図である。同図のノズル制御部80は、円板81と、モータ82と、シャフト83とを有する。なお、円板81に代えてカムを用いてもよい。 FIG. 10 is a schematic perspective view of a substrate cleaning apparatus according to the fifth embodiment. A nozzle control unit 80 shown in the figure has a disc 81 , a motor 82 and a shaft 83 . It should be noted that a cam may be used instead of the disc 81 .

シャフト83の一端は、モータ82によって回転される円板81と接続され、他端はノズル32の先端側に固定されている。モータ82が円板81を回転させることで、ノズル32の先端に接続されたシャフト83の位置が変化する。これにより、洗浄液の照射方向が制御される。 One end of the shaft 83 is connected to the disk 81 rotated by the motor 82 and the other end is fixed to the tip side of the nozzle 32 . Rotation of the disk 81 by the motor 82 changes the position of the shaft 83 connected to the tip of the nozzle 32 . Thereby, the irradiation direction of the cleaning liquid is controlled.

(第6の実施形態)
次に説明する第6の実施形態は、ノズル制御部の構成が第3の実施形態とは異なる。以下、ノズル制御部について説明する。
(Sixth embodiment)
A sixth embodiment described below differs from the third embodiment in the configuration of the nozzle control section. The nozzle control section will be described below.

図11は、第6の実施形態に係る基板洗浄装置の概略斜視図である。同図のノズル制御部90は、ロボットアーム91と、保持具92とを有する。 FIG. 11 is a schematic perspective view of a substrate cleaning apparatus according to the sixth embodiment. A nozzle control unit 90 in the figure has a robot arm 91 and a holder 92 .

ロボットアーム91は回転軸911を中心として回動可能であり、その先端に保持具92が取り付けられている。保持具92はノズル32を保持している。ロボットアーム91が回動することで保持具92に保持されたノズル32の方向が変化する。これにより、洗浄液の照射方向が制御される。 The robot arm 91 is rotatable around a rotating shaft 911 and has a holder 92 attached to its tip. A holder 92 holds the nozzle 32 . Rotation of the robot arm 91 changes the direction of the nozzle 32 held by the holder 92 . Thereby, the irradiation direction of the cleaning liquid is controlled.

以上、いくつがのノズル制御部を例示したが、種々の変形例を想到できるのは言うまでもない。例えば、ノズル制御部がノズル32(またはノズル32を支持する部材)を昇降させる昇降機構を含み、ノズル32を上下方向に動かせるようにしてもよい。あるいは、ノズル制御部がノズル32(またはノズル32を支持する部材)を水平面内で搖動させる揺動機構を含んでいてもよい。その場合、リンス工程において、洗浄液の供給位置を基板Wの中心部から外周部へと移動させることで、洗浄液の排出効果を高めてもよい。
いずれにしても、ノズル制御部は、基板Wの中心部分にも、その他の位置にも洗浄液を供給できる構成であるのが望ましい。
Although several nozzle control units have been exemplified above, it goes without saying that various modifications can be conceived. For example, the nozzle control unit may include an elevating mechanism that elevates the nozzle 32 (or a member that supports the nozzle 32) so that the nozzle 32 can be moved vertically. Alternatively, the nozzle control section may include a swinging mechanism for swinging the nozzle 32 (or a member supporting the nozzle 32) in the horizontal plane. In this case, in the rinsing process, the cleaning liquid may be discharged more effectively by moving the cleaning liquid supply position from the central portion of the substrate W to the outer peripheral portion thereof.
In any case, it is desirable that the nozzle control section be configured so as to be able to supply the cleaning liquid not only to the central portion of the substrate W but also to other positions.

その他の構成例として、支柱にアームを取り付け、アームに1または複数のノズルを設置してもよい。アームにペン洗浄機構が設けられていてもよい。また、ノズルは、単管ノズル、扇形ノズル、2流体ジェットノズル、3流体ジェットノズルなどであってよく、その任意の組み合わせも可能である。さらに、ノズルは、ノズル制御部によって水平面内で平行移動可能でもよいし、支柱の動作によって鉛直方向に移動可能でもよいし、支柱を中心に回転することで基板の中心を通る(あるいは中心からずれた)軌道で移動可能であってもよい。複数のノズルを設ける場合、そのうちの1つのみが中心を通る軌道で移動し、他は中心からずれた軌道で移動してもよい。また、ノズルからの洗浄液照射角度を調整できてもよく、その適切な角度は第1の実施形態で説明した通りである。 As another configuration example, an arm may be attached to a post and one or more nozzles may be mounted on the arm. A pen cleaning mechanism may be provided on the arm. Further, the nozzle may be a single tube nozzle, a fan-shaped nozzle, a two-fluid jet nozzle, a three-fluid jet nozzle, or the like, and any combination thereof is also possible. Further, the nozzle may be translatable in the horizontal plane by the nozzle control, vertically by the action of the strut, or may be moved in a trajectory through the center (or off-center) of the substrate by rotating about the strut. If multiple nozzles are provided, only one of them may move on a center trajectory and the others on off-center trajectories. Also, the cleaning liquid irradiation angle from the nozzle may be adjustable, and the appropriate angle is as described in the first embodiment.

複数のノズルが同一の薬液を供給してもよいし、異なる薬液を供給してもよい。薬液は、アルカリ性、酸性または中性のものでもよいし、純水、ガスを混入させた純水、機能水、微量の薬液を混入させた純水であってもよい。 A plurality of nozzles may supply the same chemical liquid, or may supply different chemical liquids. The chemical may be alkaline, acidic, or neutral, and may be pure water, pure water mixed with gas, functional water, or pure water mixed with a small amount of chemical.

(第7の実施形態)
次に説明する第7の実施形態は、複数のノズル32を備える基板洗浄装置において、各ノズル32による洗浄液の供給タイミングに関する。以下、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
(Seventh embodiment)
A seventh embodiment described below relates to the supply timing of the cleaning liquid by each nozzle 32 in a substrate cleaning apparatus having a plurality of nozzles 32 . The following description focuses on differences from the first embodiment.

図12は、第7の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す斜視図である。基板洗浄装置は、基板保持部31および2つのノズル32a,32bを備えている。一例として、ノズル32aは単管ノズルであり、ノズル32bは扇形ノズルである。その他、ノズル32a,32bは複数の流体を噴射するノズルでもよい。また、一方のノズル32aが基板Wの中心部分に洗浄液を供給し、他方のノズル32bが基板Wの中心部以外(例えば外周部分)に洗浄液を供給してもよい。ノズル32aからの洗浄液は、ノズル32bからの洗浄液と同じでもよいし、異なっていてもよい。 FIG. 12 is a perspective view schematically showing a substrate cleaning apparatus according to the seventh embodiment. The substrate cleaning apparatus has a substrate holder 31 and two nozzles 32a and 32b. As an example, the nozzle 32a is a single tube nozzle and the nozzle 32b is a fan nozzle. Alternatively, the nozzles 32a and 32b may be nozzles that eject multiple fluids. Alternatively, one nozzle 32a may supply the cleaning liquid to the central portion of the substrate W, and the other nozzle 32b may supply the cleaning liquid to the substrate W other than the central portion (for example, the peripheral portion). The cleaning liquid from nozzle 32a may be the same as or different from the cleaning liquid from nozzle 32b.

2つのノズル32a,32bから洗浄液を同時に供給すると、ノズル32aからの洗浄液と、ノズル32bからの洗浄液とが基板W上で混ざる領域では洗浄効果が低くなる可能性がある。 If the cleaning liquid is supplied from the two nozzles 32a and 32b at the same time, the cleaning effect may be reduced in the area on the substrate W where the cleaning liquid from the nozzle 32a and the cleaning liquid from the nozzle 32b are mixed.

そこで、本実施形態では、図13に示すようにノズル32a,32bが同時に洗浄液を基板Wに供給しないようにする。より具体的には、まずノズル32aが基板Wに洗浄液を供給する。そして、ノズル32aからの洗浄液供給を停止した後に、ノズル32bが基板Wに洗浄液を供給する。その後、ノズル32bからの洗浄液供給を停止した後に、ノズル32aが基板Wに洗浄液を供給する。もちろん、ノズル32a,32bの両方が洗浄液を供給しない期間があってもよい。 Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 13, the nozzles 32a and 32b are prevented from supplying the cleaning liquid to the substrate W at the same time. More specifically, the nozzle 32a supplies the cleaning liquid to the substrate W first. After stopping the supply of the cleaning liquid from the nozzle 32a, the nozzle 32b supplies the substrate W with the cleaning liquid. Thereafter, after stopping the supply of the cleaning liquid from the nozzle 32b, the nozzle 32a supplies the substrate W with the cleaning liquid. Of course, there may be a period during which both nozzles 32a and 32b do not supply cleaning liquid.

このように、第7の実施形態では、ノズル32a,32bが排他的に基板Wに洗浄液を供給するため、効果的に基板Wを洗浄できる。なお、3以上のノズルが設けられる場合であっても、これらが排他的に基板Wに洗浄液を供給すればよい。 Thus, in the seventh embodiment, the nozzles 32a and 32b exclusively supply the cleaning liquid to the substrate W, so the substrate W can be cleaned effectively. Even if three or more nozzles are provided, it is sufficient that these nozzles supply the cleaning liquid to the substrate W exclusively.

(第8の実施形態)
次に説明する第8の実施形態は、ノズル32から非定常的に洗浄液を供給するものである。基板洗浄装置の構成は図2に示すものと同様である。
(Eighth embodiment)
An eighth embodiment, which will be described next, unsteadily supplies cleaning liquid from the nozzle 32 . The configuration of the substrate cleaning apparatus is the same as that shown in FIG.

図14は、第8の実施形態の一例に係る洗浄液の供給流量を模式的に示す図である。本例では、ノズル32は間欠的に洗浄液を供給する。例えば、ノズル32は期間T1,T3,T5において洗浄液を供給し、その間の期間T2,T4において洗浄液を供給しない。つまり、洗浄液を供給する期間と供給しない期間とが交互に繰り返される。 FIG. 14 is a diagram schematically showing the supply flow rate of cleaning liquid according to an example of the eighth embodiment. In this example, the nozzle 32 intermittently supplies cleaning liquid. For example, the nozzle 32 supplies cleaning liquid during periods T1, T3, and T5, and does not supply cleaning liquid during periods T2 and T4 therebetween. That is, the period of supplying the cleaning liquid and the period of not supplying the cleaning liquid are alternately repeated.

洗浄液が供給されない期間T2,T4によって基板W上に洗浄液の膜がなくなる。そのような状態で急激に洗浄液を供給して(期間T3,T5)基板Wにショック(圧力変動)を与えることで、洗浄効果が向上する。 The film of the cleaning liquid disappears from the substrate W during the periods T2 and T4 in which the cleaning liquid is not supplied. In such a state, the cleaning effect is improved by rapidly supplying the cleaning liquid (periods T3 and T5) to give a shock (pressure fluctuation) to the substrate W. FIG.

このような制御は、例えばノズル32の根元にある電磁弁を開閉することによって実現される。 Such control is realized, for example, by opening and closing an electromagnetic valve at the root of the nozzle 32 .

図15は、第8の実施形態の別の例に係る洗浄液の供給流量を模式的に示す図である。本例では、ノズル32は洗浄液の供給量を変動させる。例えば、ノズル32は、期間T11において洗浄液の供給量を徐々に減らし、その後の期間T12において供給量を急激に増やし、その後の期間T13では供給量をほぼ一定に保ち、その後の期間T14において供給量を急激に減らす。つまり、洗浄液の供給量は、徐々に減少/増加したり、急激に減少/増加したり、ほぼ一定だったりする。 FIG. 15 is a diagram schematically showing the supply flow rate of cleaning liquid according to another example of the eighth embodiment. In this example, the nozzle 32 varies the amount of cleaning liquid supplied. For example, the nozzle 32 gradually reduces the supply amount of the cleaning liquid in the period T11, sharply increases the supply amount in the subsequent period T12, keeps the supply amount substantially constant in the subsequent period T13, and sharply reduces the supply amount in the subsequent period T14. In other words, the supply amount of the cleaning liquid may gradually decrease/increase, rapidly decrease/increase, or be substantially constant.

このような態様によっても、特に洗浄液の供給量を急激に増やす期間において基板Wにショックを与えることができ、洗浄効果が向上する。 Also in such a mode, a shock can be given to the substrate W particularly during a period in which the supply amount of the cleaning liquid is rapidly increased, and the cleaning effect is improved.

このような制御は、例えばノズル32の根元にある供給タンクに加える圧力をレギュレータを用いて調整することによって実現される。 Such control is realized, for example, by adjusting the pressure applied to the supply tank located at the base of the nozzle 32 using a regulator.

このように、第8の実施形態では、1つの基板Wに対してノズルから非定常的に洗浄液を供給するため、洗浄力が向上する。 As described above, in the eighth embodiment, since the cleaning liquid is unsteadily supplied from the nozzle to one substrate W, the cleaning power is improved.

(第9の実施形態)
次に説明する第9の実施形態は、ロールスポンジ33の表面材質に関する。
(Ninth embodiment)
A ninth embodiment described below relates to the surface material of the roll sponge 33 .

ロールスポンジ33がポリビニルアルコール(PVA)などの樹脂を成型して製造される場合、成型時に型と接している表層部(以下、スキン層という)と、その内部の下層部とが形成される。スキン層がなく下層部が露出していることをスキン層が欠如しているともいう。 When the roll sponge 33 is manufactured by molding a resin such as polyvinyl alcohol (PVA), a surface layer portion (hereinafter referred to as a skin layer) that is in contact with the mold during molding and an inner lower layer portion are formed. The fact that there is no skin layer and the lower layer is exposed is also called lack of skin layer.

スキン層は、厚さが1~10μm程度、気孔径が数μm~数10μmと小さく、固い層である。そのため、洗浄液を保持しやすいが、洗浄時に基板の表面を傷つけるおそれがある。 The skin layer is a hard layer having a thickness of about 1 to 10 μm and a small pore diameter of several μm to several tens of μm. Therefore, although it is easy to retain the cleaning liquid, the surface of the substrate may be damaged during cleaning.

一方、スキン層がない下層部は気孔径が10μm~数百μmと大きく、柔らかい層である。そのため、基板の表面にフィットしやすく、かつ、基板の表面を傷つけにくい。また、洗浄液が出入りしやすく、流出しやすい。 On the other hand, the lower layer without the skin layer has large pore diameters of 10 μm to several hundred μm and is a soft layer. Therefore, it is easy to fit on the surface of the substrate, and the surface of the substrate is less likely to be damaged. In addition, the cleaning liquid can easily enter and exit, and can easily flow out.

以上の特徴を考慮し、ロールスポンジ33のどの部分をスキン層とし、どの部分においてスキン層を欠如させるかを設計するのが望ましい。具体的な態様は種々考えられる。 In consideration of the above characteristics, it is desirable to design which part of the roll sponge 33 is to be the skin layer and which part is to have no skin layer. Various specific modes are conceivable.

図16は、ロールスポンジ33の第1例を示す図である。同図(a)はロールスポンジ33aの長手方向の側面図であり、同図(b)は同図(a)を側方から見た図である。図16以降の図では、スポットを付した部分はスキン層が欠如していることを示している。ロールスポンジ33は、円筒状のロール本体331と、その外周面から外側に円柱状に突出した複数のノジュール部332とを有するものとする。図示のように、ロール本体331の両側面のみスキン層が欠如していてもよい。すなわち、ロール本体331の両側面以外はスキン層に覆われていてもよい。 FIG. 16 is a diagram showing a first example of the roll sponge 33. FIG. 1(a) is a longitudinal side view of the roll sponge 33a, and FIG. 1(b) is a side view of FIG. 1(a). In Figure 16 and subsequent figures, the spotted areas indicate the absence of the skin layer. The roll sponge 33 has a cylindrical roll body 331 and a plurality of nodule portions 332 projecting outward from the outer peripheral surface of the roll body 331 in a cylindrical shape. As shown, only both sides of the roll body 331 may lack skin layers. That is, the roll body 331 may be covered with the skin layer except for both side surfaces.

図17は、ロールスポンジ33の第2例を示す図である。図示のように、ロール本体331の表面と、ノジュール部332の側面のみスキン層が欠如していてもよい。すなわち、ロール本体331の側面およびノジュール部332の先端はスキン層に覆われていてもよい。 FIG. 17 is a diagram showing a second example of the roll sponge 33. As shown in FIG. As illustrated, only the surface of the roll body 331 and the side surface of the nodule portion 332 may lack the skin layer. That is, the side surface of the roll body 331 and the tip of the nodule portion 332 may be covered with the skin layer.

図18は、ロールスポンジ33の第3例を示す図である。図示のように、ノジュール部332の先端のみスキン層が欠如していてもよい。すなわち、ロール本体331およびノジュール部332の側面はスキン層に覆われていてもよい。 FIG. 18 is a diagram showing a third example of the roll sponge 33. As shown in FIG. As shown, only the tip of the nodule portion 332 may lack the skin layer. That is, the side surfaces of the roll body 331 and the nodule portion 332 may be covered with a skin layer.

図19は、ロールスポンジ33の第4例を示す図である。図示のように、一部のノジュール部332の先端のみスキン層が欠如していてもよい。すなわち、これらのノジュール部332の先端以外、他のノジュール部332およびロール本体331はスキン層で覆われていてもよい。 FIG. 19 is a diagram showing a fourth example of the roll sponge 33. As shown in FIG. As shown, only the tips of some nodule portions 332 may lack the skin layer. That is, the nodule portions 332 and the roll main body 331 other than the tips of these nodule portions 332 may be covered with a skin layer.

その他、ロールスポンジ33のすべての面がスキン層で覆われていてもよいし、すべての面でスキン層が欠如していてもよい。また、例示したロールスポンジ33のうちの任意の2以上の態様を組み合わせてもよく、ロール本体331の表面、同側面、ノジュール部332の側面および/または同先端の一部または全体においてスキン層が欠如していてもよいし、スキン層で覆われていてもよい。 In addition, all surfaces of the roll sponge 33 may be covered with the skin layer, or all surfaces may lack the skin layer. In addition, any two or more aspects of the exemplified roll sponge 33 may be combined, and the skin layer may be absent or covered with a skin layer on the surface, the side surface of the roll body 331, the side surface of the nodule portion 332 and/or the tip of the nodule portion 332 partially or entirely.

(第10の実施形態)
次に説明する第10の実施形態は、ロールスポンジ33以外の形状の洗浄部に関する。まずは、洗浄部が基板Wの中心を含む部分に接触して回転しながら洗浄を行うペンシルスポンジである場合について説明する。
(Tenth embodiment)
A tenth embodiment to be described next relates to a cleaning portion having a shape other than the roll sponge 33. FIG. First, the case where the cleaning unit is a pencil sponge that cleans while contacting and rotating a portion including the center of the substrate W will be described.

図20は、ペンシルスポンジ38の第1例を示す図である。同図のペンシルスポンジ38は円筒状であり、その下面が洗浄面である。図示のように、側面のみスキン層が欠如してもよい。すなわち、上面および下面はスキン層で覆われていてもよい。 FIG. 20 shows a first example of the pencil sponge 38. FIG. The pencil sponge 38 in the figure is cylindrical, and its lower surface is the cleaning surface. As shown, only the sides may lack skin layers. That is, the top and bottom surfaces may be covered with skin layers.

図21は、ペンシルスポンジ38の第2例を示す図である。図示のように、側面および下面のみスキン層が欠如してもよい。すなわち、上面はスキン層で覆われていてもよい。 FIG. 21 shows a second example of the pencil sponge 38. As shown in FIG. As shown, only the side and bottom surfaces may lack skin layers. That is, the top surface may be covered with a skin layer.

図22は、ペンシルスポンジ38の第3例を示す図である。図示のように、上面のみスキン層が欠如してもよい。すなわち、側面および下面はスキン層で覆われていてもよい。 FIG. 22 shows a third example of the pencil sponge 38. FIG. As shown, only the top surface may lack the skin layer. That is, the side and bottom surfaces may be covered with a skin layer.

図23は、ペンシルスポンジ38の第4例を示す図である。図示のように、下面のみスキン層が欠如してもよい。すなわち、側面および上面はスキン層で覆われていてもよい。 FIG. 23 shows a fourth example of the pencil sponge 38. FIG. As shown, only the bottom surface may lack the skin layer. That is, the sides and top may be covered with a skin layer.

図24は、ペンシルスポンジ38の第5例を示す図である。同図のペンシルスポンジ38は下面から円柱状に突出した複数のノジュール部381を有する。ノジュール部381の下面のみがスキン層で覆われていてもよいし、ノジュール部381の全面においてスキン層が欠如していてもよいし、ノジュール部381の側面のみスキン層が欠如していてもよいし、ノジュール部381の先端のみスキン層が欠如していてもよいし、一部のノジュール部381の先端のみスキン層が欠如していてもよい。その他、上述したノジュール部381のいずれかを、図20~図23にそれぞれ示すペンシルスポンジ38に付加してもよい。 FIG. 24 shows a fifth example of the pencil sponge 38. FIG. The pencil sponge 38 shown in FIG. Only the lower surface of the nodule portion 381 may be covered with the skin layer, the entire surface of the nodule portion 381 may lack the skin layer, only the side surface of the nodule portion 381 may lack the skin layer, only the tip of the nodule portion 381 may lack the skin layer, or only the tip of some of the nodule portions 381 may lack the skin layer. Alternatively, any of the nodule portions 381 described above may be added to the pencil sponge 38 shown in FIGS. 20-23, respectively.

その他、全面がスキン層で覆われていてもよいし、全面においてスキン層が欠如していてもよい。 In addition, the entire surface may be covered with the skin layer, or the entire surface may lack the skin layer.

図25は、別の洗浄部391を示す図である。この洗浄部391は、ベース部391aのほぼ中央に取り付けられた円形のブラシ391bと、等間隔に配置されて径方向に沿って延びる4つのブラシ391cとを有し、これらの下面が洗浄面である。ベース部391a、ブラシ391bおよび/またはブラシ391cの一部または全体においてスキン層が欠如していてもよいし、両洗浄面がスキン層で覆われていてもよい。 FIG. 25 is a diagram showing another cleaning unit 391. As shown in FIG. The cleaning portion 391 has a circular brush 391b attached substantially in the center of a base portion 391a, and four brushes 391c arranged at equal intervals and extending along the radial direction, and the lower surfaces of these brushes are cleaning surfaces. Part or all of the base portion 391a, brushes 391b and/or brushes 391c may be devoid of skin layers, or both cleaning surfaces may be covered with skin layers.

図26は、また別の洗浄部392を示す図である。この洗浄部392は、ベース部392aに取り付けられた十字型のブラシ392bを有し、その下面が洗浄面である。ブラシ392bの中央部は開口しており、この開口から洗浄液が供給されてもよい。ベース部392aおよび/またはブラシ392bの一部または全体においてスキン層が欠如していてもよいし、スキン層で覆われていてもよい。 FIG. 26 is a diagram showing another cleaning section 392. As shown in FIG. The cleaning section 392 has a cross-shaped brush 392b attached to a base section 392a, and its lower surface is a cleaning surface. The central portion of the brush 392b is open, and cleaning liquid may be supplied through this opening. Part or all of the base portion 392a and/or the brush 392b may lack the skin layer or may be covered with the skin layer.

図27は、また別の洗浄部393を示す図である。この洗浄部393は、スクラブ部材
393aの一部にスポンジ部393bおよびブラシ部393cが形成されている。スクラブ部材393a、スポンジ部393bおよび/またはブラシ部393cの一部または全部においてスキン層が欠如していてもよいし、スキン層で覆われていてもよい。
FIG. 27 is a diagram showing another cleaning unit 393. As shown in FIG. The cleaning portion 393 has a sponge portion 393b and a brush portion 393c formed in a part of a scrubbing member 393a. Some or all of the scrubbing member 393a, the sponge portion 393b and/or the brush portion 393c may lack the skin layer or may be covered with the skin layer.

図28は、また別の洗浄部394を示す図である。この洗浄部394は、シート394a上に形成された突起394b,394cを有する。突起394bはシート394aの中心近傍から外周まで畝状に延びており、突起394cは突起394bより外周側からシート394aの外周まで畝状に延びている。突起394bおよび/または突起394cの一部または全部においてスキン層が欠如していてもよいし、スキン層で覆われていてもよい。 FIG. 28 is a diagram showing another cleaning section 394. As shown in FIG. This cleaning portion 394 has protrusions 394b and 394c formed on a sheet 394a. The protrusion 394b extends in a ridge form from the vicinity of the center of the sheet 394a to the outer periphery, and the protrusion 394c extends in a ridge form from the outer peripheral side of the protrusion 394b to the outer periphery of the sheet 394a. Some or all of the protrusions 394b and/or protrusions 394c may lack the skin layer or may be covered with the skin layer.

図29は、また別の洗浄部395を示す図である。この洗浄部395は、台座395aと、その下面に取り付けられたブラシ395bとを有する。ブラシ395bの一部または全部においてスキン層が欠如していてもよいし、スキン層で覆われていてもよい。 FIG. 29 is a diagram showing another cleaning unit 395. As shown in FIG. The cleaning section 395 has a base 395a and a brush 395b attached to the lower surface thereof. Some or all of the brush 395b may lack the skin layer, or may be covered with the skin layer.

上述した各実施形態を任意に組み合わせてもよい。また、説明した基板洗浄装置は、図1に示す基板処理装置の他、基板のベベルを研磨するベベル研磨装置、裏面を研磨する裏面研磨装置、部分的な研磨を行う部分研磨装置にも適用可能であり、さらには露光装置の洗浄装置にも応用可能である。 You may combine each embodiment mentioned above arbitrarily. In addition to the substrate processing apparatus shown in FIG. 1, the substrate cleaning apparatus described above can also be applied to a bevel polishing apparatus that polishes the bevel of a substrate, a back surface polishing apparatus that polishes the back surface, a partial polishing apparatus that performs partial polishing, and can also be applied to a cleaning apparatus for an exposure apparatus.

各実施形態における動作は以下のソフト/システムを用いて行うことも可能である。ソフト/システムは、例えば、CPU、メモリ、記録媒体およびソフトウェアを持っているメインコントローラと、ユニットコントローラと、動作を実行するユニットとで構成されている。各実施形態の例において、ユニットとして基板洗浄装置を取り上げると、複数のノズルによる流体(洗浄液)噴射の量・角度・時間・位置移動等の制御およびロールの位置・回転速度等をユニットコントローラが行う。この制御の監視と動作指示をメインコントローラが行う。制御に必要なセンサは、ノズルへの洗浄液供給の圧力センサ、エンコーダ等の位置センサ、タイマ、および、ロールの位置センサ、摩擦力測定のロードセル、回転速度センサ等を用いることができる。また、ソフトウェアは初期のソフトウェアから更新することで後からインストール可能である。 The operations in each embodiment can also be performed using the following software/system. The software/system consists of, for example, a main controller having a CPU, memory, recording medium and software, unit controllers, and units that execute operations. In the examples of each embodiment, taking the substrate cleaning apparatus as a unit, the unit controller controls the amount, angle, time, positional movement, etc. of the fluid (cleaning liquid) jetted from the multiple nozzles, and the position, rotational speed, etc. of the roll. The main controller monitors this control and instructs the operation. Sensors necessary for control include a pressure sensor for supplying cleaning liquid to nozzles, a position sensor such as an encoder, a timer, a roll position sensor, a load cell for measuring frictional force, a rotation speed sensor, and the like. Also, the software can be installed later by updating the initial software.

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。 The above-described embodiments are described for the purpose of enabling a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs to implement the present invention. Various modifications of the above-described embodiments can be naturally made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can also be applied to other embodiments. Therefore, the present invention should not be limited to the described embodiments, but should have the broadest scope in accordance with the spirit defined by the claims.

31 基板保持部
32,32a,32b ノズル
33,33a,33b ロールスポンジ
331 ロール本体
332 ノジュール部
60 ノズル制御部
31 substrate holding parts 32, 32a, 32b nozzles 33, 33a, 33b roll sponge 331 roll body 332 nodule part 60 nozzle control part

Claims (4)

円筒状のロール本体と、
その外周面から外側に円柱状に突出した複数のノジュール部と、を備え、
前記ロール本体の側面はスキン層に覆われ、
前記複数のノジュール部の表面の少なくとも一部はスキン層が欠如している、基板洗浄装置用のロールスポンジ。
a cylindrical roll body;
a plurality of nodule portions protruding cylindrically outward from the outer peripheral surface,
The side surface of the roll body is covered with a skin layer,
A roll sponge for a substrate cleaning apparatus, wherein at least part of the surface of the plurality of nodule portions lacks a skin layer.
前記ロール本体の表面のスキン層と、前記ノジュール部の側面のスキン層と、が欠如している、請求項1に記載の基板洗浄装置用のロールスポンジ。 2. The roll sponge for a substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the skin layer on the surface of said roll main body and the skin layer on the side surface of said nodule portion are absent. 全ての前記ノジュール部の先端のスキン層が欠如している、請求項1に記載の基板洗浄装置用のロールスポンジ。 2. The roll sponge for a substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the skin layer at the tips of all the nodule portions is absent. 前記複数のノジュール部のうち一部のみのノジュール部の先端のスキン層が欠如している、請求項1に記載の基板洗浄装置用のロールスポンジ。 2. The roll sponge for a substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the skin layer at the tips of only some of the plurality of nodule portions is lacking.
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