JP7347262B2 - 光モジュール - Google Patents
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Description
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。本開示に係る光モジュールは、光を形成するように構成される光形成部と、光形成部を支持する支持板と、を備える。光形成部は、半導体発光素子と、半導体発光素子を搭載するベース部と、半導体発光素子の温度を調整する電子冷却モジュールと、電子冷却モジュールとベース部とを接着する第1接着剤と、支持板と電子冷却モジュールとを接着する第2接着剤と、を含む。ベース部、電子冷却モジュールおよび支持板のうちの少なくともいずれか一つには、第1接着剤および第2接着剤のうちの少なくともいずれか一つを保持する接着剤保持部が形成されている。接着剤保持部は、支持板の厚さ方向に突出する凸部および支持板の厚さ方向に凹む凹部のうちの少なくともいずれか一つを含む。
次に、本開示の一実施形態に係る光モジュールを、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明は繰り返さない。
本開示に係る光モジュールの一実施の形態である実施の形態1を、図1~図5を参照しつつ説明する。図1は、本開示の一実施形態に係る光モジュールの構造を示す外観斜視図である。図2は、図1に示す光モジュールのキャップを取り外した状態を示す外観斜視図である。図3は、図2に示すキャップを取り外した状態における光モジュールを支持板の厚さ方向に見た図である。図4は、図2に示すキャップを取り外した状態における光モジュールの一部を示す概略断面図である。図5は、図2に示すキャップを取り外した状態における光モジュールの分解斜視図である。なお、図3において、光軸を一点鎖線で示している。また、図4を除き、図1~図5において、第1接着剤および第2接着剤の図示を省略している。
次に、他の実施の形態である実施の形態2について説明する。図10は、実施の形態2における光モジュール1Bにおいて、キャップを取り外した状態における光モジュール1Bを支持板11Bの厚さ方向に見た図である。実施の形態2の光モジュール1Bは、支持板11Bの厚さ方向に見て、支持板11Bに形成された第1の凹部81Bの大きさ(面積)が異なる点において実施の形態1の場合とは異なっている。
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態3について説明する。図11は、実施の形態3における光モジュール1Cにおいて、キャップを取り外した状態における光モジュール1Cを支持板11Cの厚さ方向に見た図である。実施の形態3の光モジュール1Cは、支持板11Cに形成された第1の凹部81Cの外形形状が、長方形である点において実施の形態1の場合とは異なっている。なお、長方形の形状については、幾何学的に厳密な長方形を有するのではなく、たとえば対向する辺が厳密に平行でなくともよく、辺と辺とが曲線で接続されていてもよい。
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態4について説明する。図12は、実施の形態4における光モジュール1Dにおいて、キャップを取り外した状態における光モジュール1Dを支持板11Dの厚さ方向に見た図である。図13は、図12に示すキャップを取り外した状態における光モジュール1Dの一部を示す概略断面図である。図14は、実施の形態4における光モジュール1Dに含まれる支持板11Dを示す概略斜視図である。実施の形態4の光モジュール1Dは、支持板11Dの厚さ方向に見て、支持板11Dに形成された第1の凹部、ベース板20Dに形成された第2の凹部の形状および数が異なる点において実施の形態1の場合とは異なっている。
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態5について説明する。図15は、実施の形態5における光モジュール1Eに含まれる支持板11Eを示す概略斜視図である。図16は、キャップを取り外した状態における光モジュール1Eの一部を示す概略断面図である。図16に示す断面は、後述する第1の凹部85E,85F,85G,85Hの中心を通りX-Z平面に平行な断面で切断した場合の断面である。実施の形態5の光モジュール1Eは、支持板11Eの厚さ方向に見て、支持板11Eに形成された第1の凹部、ベース板20Eに形成された第2の凹部の形状および数が異なる点において実施の形態1の場合とは異なっている。
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態6について説明する。図17は、実施の形態6における光モジュールに含まれる支持板11Fを示す概略斜視図である。実施の形態6の光モジュールは、支持板11Fの厚さ方向に見て、支持板11Fに形成された第1の凹部の形状が異なる点において実施の形態5の場合とは異なっている。
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態7について説明する。図18は、実施の形態7における光モジュールに含まれる支持板11Gを示す概略斜視図である。実施の形態7の光モジュールは、支持板11Gの厚さ方向に見て、支持板11Gに形成された第1の凹部の形状および数が異なる点において実施の形態6の場合とは異なっている。
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態8について説明する。図19は、実施の形態8における光モジュール1Hにおいて、キャップを取り外した状態における光モジュール1Hの一部を示す概略断面図である。実施の形態8の光モジュール1Hは、支持板11Aに形成された第1の凹部81Aの代わりに、支持板の厚さ方向に突出する第1の凸部が面12Aに形成されている点およびベース板20Aに形成されている第2の凹部91Aの代わりに、支持板の厚さ方向に突出する突出する第2の凸部が面21Bに形成されている点において実施の形態1の場合とは異なっている。
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態9について説明する。図20は、実施の形態9における光モジュール1J含まれる支持板11Jの一部を示す概略斜視図である。図21は、図20に示すキャップを取り外した状態における光モジュール1Jの一部を示す概略断面図である。実施の形態9の光モジュール1Jは、実施の形態4における第1の凹部84A,84B,84C,84Dの代わりに第1の凸部102A,102B,102C,102Dが形成されている点および実施の形態4における第2の凹部94A~94Dの代わりに第2の凸部112A~112Dが形成されている点において実施の形態4の場合とは異なっている。
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態10について説明する。図22は、実施の形態10における光モジュール1Kに含まれる支持板11Kを示す概略斜視図である。図23は、キャップを取り外した状態における光モジュール1Kの一部を示す概略断面図である。図23に示す断面は、後述する第1の凸部103E,103F,103G,103Hの中心を通りX-Z平面に平行な断面で切断した場合の断面である。実施の形態10の光モジュール1Kは、実施の形態5における第1の凹部85A~85Lの代わりに第1の凸部103A,103B,103C,103D,103E,103F,103G,103H,103I,103J,103K,103Lが形成されている点および実施の形態5における第2の凹部95A~95Lの代わりに第2の凸部113A~113Lが形成されている点において実施の形態5の場合とは異なっている。
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態11について説明する。図24は、実施の形態11における光モジュールに含まれる支持板11Lを示す概略斜視図である。実施の形態11の光モジュールは、実施の形態6における第1の凹部86A~86Lの代わりに支持板11Lの厚さ方向に突出する12個の第1の凸部104A,104B,104C,104D,104E,104F,104G,104H,104I,104J,104K,104Lが形成されている点において実施の形態6の場合とは異なっている。
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態12について説明する。図25は、実施の形態12における光モジュールに含まれる支持板11Mを示す概略斜視図である。実施の形態12の光モジュールは、実施の形態7における第1の凹部87A~87Dの代わりに支持板11Mの厚さ方向に突出する4つの第1の凸部105A,105B,105C,105Dが形成されている点において実施の形態7の場合とは異なっている。
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態13について説明する。図26は、実施の形態13における光モジュールに含まれるTEC120を示す概略斜視図である。実施の形態13の光モジュールは、実施の形態1におけるTEC70に含まれる吸熱板71の代わりに、支持板の厚さ方向に凹む凹部が吸熱板71に形成されている点において実施の形態1の場合とは異なっている。
11A,11B,11C,11D,11E,11F,11G,11H,11J,11K,11L,11M 支持板
12A,12B,21A,21B,122 面
13 光形成部
14 キャップ
15 出射窓
16 リードピン
17 サーミスタ
18 第1接着剤
19 第2接着剤
20A,20B,20C,20D,20E,20H,20H,20J,20K ベース板
22 ベース領域
23 チップ搭載領域
24A,24B,24C,25A,25B,25C,26A,26B,26C,27 領域
31 第1サブマウント
32 第2サブマウント
33 第3サブマウント
41 赤色レーザダイオード
42 緑色レーザダイオード
43 青色レーザダイオード
51 第1レンズ
52 第2レンズ
53 第3レンズ
61 第1フィルタ
62 第2フィルタ
63 第3フィルタ
70,120 TEC
71,121 吸熱板
72 放熱板
73 半導体柱
80A,80B,80C,80D,80E,80F,80G,80H,80J,80K,80L,80M,80N 接着剤保持部
81A,81B,81C,84A,84B,84C,84D,85A,85B,85C,85D,85E,85F,85G,85H,85I,85J,85K,85L,86A,86B,86C,86D,86E,86F,86G,86H,86I,86J,86K,86L,87A,87B,87C,87D,91A,94A,94B,94C,94D,95E,95F,95G,95H,123 凹部
82A,92A 底壁面
83A,93A,101C,111C 側壁面
84E,85M,94E,95M,102E,103M,112E,113M 隙間
101A,102A,102B,102C,102D,103A,103B,103C,103D,103E,103F,103G,103H,103I,103J,103K,103L,104A,104B,104C,104D,104E,104F,104G,104H,104I,104J,104K,104L,105A,105B,105C,105D,111A,112A,112B,113E,113F,113G,113H 凸部
101B,111B 頂面
D1,D2 深さ
Claims (10)
- 光を形成するように構成される光形成部と、
前記光形成部を支持する支持板と、を備え、
前記光形成部は、
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を搭載するベース部と、
前記半導体発光素子の温度を調整する電子冷却モジュールと、
前記前記電子冷却モジュールと前記ベース部とを接着する第1接着剤と、
前記支持板と前記電子冷却モジュールとを接着する第2接着剤と、を含み、
前記ベース部、前記電子冷却モジュールおよび前記支持板のうちの少なくともいずれか一つには、前記第1接着剤および前記第2接着剤のうちの少なくともいずれか一つを保持する接着剤保持部が形成されており、
前記接着剤保持部は、前記支持板の厚さ方向に突出する凸部および前記支持板の厚さ方向に凹む凹部のうちの少なくともいずれか一つであり、
前記接着剤保持部が前記凸部である場合には、前記第1接着剤または前記第2接着剤は、前記凸部の頂面上に保持され、保持された前記第1接着剤が前記電子冷却モジュールと前記ベース部とに接触し、または保持された前記第2接着剤が前記支持板と前記電子冷却モジュールとに接触し、
前記接着剤保持部が凹部である場合には、前記第1接着剤または前記第2接着剤は、前記支持板の厚さ方向の一部が前記凹部に収容されるとともに、前記支持板の厚さ方向に見て形状が前記凹部の形状に規制され、前記第1接着剤のうち、前記凹部から前記支持板の厚さ方向に露出した部分が前記電子冷却モジュールまたは前記ベース部と接触する、または前記第2接着剤のうち前記凹部から前記支持板の厚さ方向に露出した部分が前記支持板または前記電子冷却モジュールと接触する、光モジュール。 - 前記支持板の厚さ方向に見て、前記接着剤保持部の外形形状は、長方形である、請求項1に記載の光モジュール。
- 前記支持板の厚さ方向に見て、前記接着剤保持部の外形形状は、長方形の角部が丸められた形状である、請求項1に記載の光モジュール。
- 前記支持板の厚さ方向に見て、前記接着剤保持部の外形形状は、円または楕円である、請求項1に記載の光モジュール。
- 前記接着剤保持部は、それぞれ間隔をあけて複数形成されている、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の光モジュール。
- 前記支持板の厚さ方向において、前記接着剤保持部によって保持される前記第1接着剤および前記第2接着剤のうちの少なくともいずれか一つの厚さは、50μm以上である、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光モジュール。
- 前記接着剤保持部によって保持される前記第1接着剤および前記第2接着剤のうちの少なくともいずれか一つの前記支持板の厚さは、100μm以上である、請求項6に記載の光モジュール。
- 前記光形成部は、前記半導体発光素子から出射される光のスポットサイズを変換するレンズをさらに含む、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光モジュール。
- 前記光形成部は、
複数の前記半導体発光素子と、
複数の前記半導体発光素子から出射される光を合波するフィルタをさらに含む、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の光モジュール。 - 前記光形成部を覆うキャップをさらに備える、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の光モジュール。
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