JP7369989B2 - 糖鎖の製造方法、糖鎖合成用のビルディングブロックおよび化合物 - Google Patents

Description

本発明は、糖鎖の製造方法、糖鎖合成用のビルディングブロックおよび化合物に関する。

栄養補助食品（サプリメント）、医薬および農薬等に関する分野において、オリゴ糖（２～十数個の単糖がグリコシド結合によって結合した糖類）の機能性が注目されている。例えば、栄養補助食品の分野では、オリゴ糖の整腸作用（腸内菌叢改善作用）、ミネラル吸収促進作用、抗う蝕作用、抗アレルギー作用および免疫賦活作用等の生理活性作用の利用が期待されている。また、医薬および農薬の分野では、オリゴ糖は、有効成分そのもの、あるいは創薬におけるリード化合物として期待されている。このような機能性化合物としてオリゴ糖を利用する際には、オリゴ糖合成における立体選択の制御、つまり、所望の部位でグリコシド結合を形成することが重要である。立体選択の制御が可能になれば、異性体の分離および精製が不要となるかあるいは簡略化できる。

一方、オリゴ糖の合成法は、固相法と液相法に大きく分けられるところ、液相法には、スケールアップが容易であること、および、担体からの切り出しが不要であること等、工業的な利点が多い。

そこで、オリゴ糖の合成において、液相法による立体選択性の高い合成方法が望まれている。

例えば、特許文献１、非特許文献１および非特許文献２には、電解液中で、電気化学的に糖供与体を酸化してグリコシル化反応を行うことを含む、オリゴ糖の製造方法が記載されている。具体的には、これらの文献に記載の方法は、テトラブチルアンモニウムトリフラート（Ｂｕ_４ＮＯＴｆ）の存在下で、糖供与体を低温電解酸化することにより、グリコシル化反応の重要な中間体としてグリコシルトリフラートを生成および蓄積すること、その後、その中間体と糖受容体をグリコシル化すること、および、グリコシル化して得たオリゴ糖の前駆体を脱保護することを含む。そして、このような方法によれば、高い立体選択性で効率よくオリゴ糖を製造でき、さらに、自動合成にも有用である旨記載されている。

特開２０１７－１６５７２５号公報

Toshiki Nokami, et al., Organic Letters, 2015, Vol. 17, No. 6, pp. 1525-1528 Toshiki Nokami, et al., Organic Letters, 2013, Vol. 15, No. 17, pp. 4520-4523

特許文献１、非特許文献１および非特許文献２に記載の方法により、液相法によるオリゴ糖の合成において、立体選択されたオリゴ糖の収率が向上した。そして、さらなる収率の向上が望まれている。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、立体選択された糖鎖の収率に優れた糖鎖の製造方法の提供を目的とする。

また、本発明は、上記製造方法に使用される糖鎖合成用のビルディングブロックの提供を目的とする。さらに、本発明は、新規な化合物の提供を目的とする。

上記課題は、糖供与体および糖受容体内のグリコシド結合における電子密度を調整して副反応を抑制することにより、解決できた。具体的には、以下の＜１＞の手段により、好ましくは＜２＞以降の手段により、上記課題は解決された。
＜１＞
下記式（１）で表されるビルディングブロック、および、下記式（１）で表されるビルディングブロック由来の糖残基と下記式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基とを含むビルディングブロックのうち、少なくとも１種のビルディングブロックであるビルディングブロックＡを、電解質を含む非プロトン性有機溶媒中で電解酸化し、
下記式（２）で表されるビルディングブロック、および、下記式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基を複数含むビルディングブロックのうち、少なくとも１種のビルディングブロックであるビルディングブロックＢと、電解酸化したビルディングブロックＡとをグリコシル化することを含む、糖鎖の製造方法；
式（１）

式（１）において、
Ａ^１は、炭素数４～８の環構造を表し、
Ｚ^１～Ｚ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は電子求引性基であり、Ｚ^１～Ｚ^５それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
Ｌ^１は、単結合または２価の連結基を表し、
Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して１価の有機基を表し、
ｍ個のＲ^１およびｎ個のＲ^２は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｍは０以上の整数を表し、ｎは１以上の整数を表し、
ｍ＋ｎは、環構造Ａ^１の炭素数以下であり、
波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す；
式（２）

式（２）において、
Ａ^２は、炭素数４～８の環構造を表し、
Ｚ^６～Ｚ^１０は、それぞれ独立して、水素原子又は電子求引性基であり、Ｚ^６～Ｚ^１０それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
Ｌ^２は、単結合または２価の連結基を表し、
Ｒ^３は、１価の有機基を表し、
Ｒ^４は、水素原子または１価の有機基を表し、ｑ個のＲ^４のうち少なくとも１つは水素原子であり、
ｐ個のＲ^３およびｑ個のＲ^４は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｐは０以上の整数を表し、ｑは１以上の整数を表し、
ｐ＋ｑは、環構造Ａ^２の炭素数以下であり、
波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す。
＜２＞
Ｚ^１～Ｚ^５それぞれのハメットのσ値の合計が０．２以上であり、かつ、Ｚ^６～Ｚ^１０それぞれのハメットのσ値の合計が０．２以上である、
＜１＞に記載の製造方法。
＜３＞
Ｚ^１～Ｚ^５それぞれのハメットのσ値の合計が１．５以下であり、かつ、Ｚ^６～Ｚ^１０それぞれのハメットのσ値の合計が１．５以下である、
＜１＞または＜２＞に記載の製造方法。
＜４＞
Ｚ^１～Ｚ^１０のうち少なくとも１つがハロゲン原子である、
＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の製造方法。
＜５＞
Ｚ^１～Ｚ^５のうち少なくとも１つがハロゲン原子であり、Ｚ^６～Ｚ^１０のうち少なくとも１つがハロゲン原子である、
＜４＞に記載の製造方法。
＜６＞
Ｚ^１～Ｚ^５のうち、２つがハロゲン原子であって、それ以外が水素原子であり、
Ｚ^６～Ｚ^１０のうち、２つがハロゲン原子であって、それ以外が水素原子である、
＜５＞に記載の製造方法。
＜７＞
Ｚ^１～Ｚ^５のうち、１つがハロゲン原子であって、それ以外が水素原子であり、
Ｚ^６～Ｚ^１０のうち、１つがハロゲン原子であって、それ以外が水素原子である、
＜５＞に記載の製造方法。
＜８＞
ハロゲン原子が、塩素原子および臭素原子の少なくとも１種である、
＜４＞～＜７＞のいずれか１つに記載の製造方法。
＜９＞
式（１）で表されるビルディングブロックとして、下記式（１－２）で表されるビルディングブロックが使用される、
＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の製造方法；
式（１－２）

式（１－２）において、
Ｌ^１は、それぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、
Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立して１価の有機基を表し、
Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｔは、０～４の整数を表し、
ｒは、それぞれ独立して０または１を表し、
波線は、それぞれ独立に、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す。
＜１０＞
ｔが０または１である＜９＞に記載の製造方法。
＜１１＞
式（２）で表されるビルディングブロックとして、下記式（２－２）で表されるビルディングブロックが使用される、
＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の製造方法；
式（２－２）

式（２－２）において、
Ｒ^７は、１価の有機基を表し、
Ｒ^８は、それぞれ独立して水素原子または１価の有機基を表し、
Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｕは、０～４の整数を表し、
ｒは、それぞれ独立して０または１を表し、
Ｒ^８（Ｏ）_ｒのうち少なくとも１つは水酸基であり、
波線は、それぞれ独立に、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す。
＜１２＞
ｕが０または１である＜１１＞に記載の製造方法。
＜１３＞
ビルディングブロックＡおよびビルディングブロックＢのうち少なくとも１種が二糖類であり、成果物として三糖類以上の多糖類を得る、
＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の製造方法。
＜１４＞
下記式（１）で表される、または、下記式（１）で表されるビルディングブロック由来の糖残基を含む、糖鎖合成におけるビルディングブロック；
式（１）

式（１）において、
Ａ^１は、炭素数４～８の環構造を表し、
Ｚ^１～Ｚ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は電子求引性基であり、Ｚ^１～Ｚ^５それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
Ｌ^１は、単結合または２価の連結基を表し、
Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して１価の有機基を表し、
ｍ個のＲ^１およびｎ個のＲ^２は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｍは０以上の整数を表し、ｎは１以上の整数を表し、
ｍ＋ｎは、環構造Ａ^１の炭素数以下であり、
波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す。
＜１５＞
下記式（２）で表される、または、下記式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基を含む、糖鎖合成におけるビルディングブロック；
式（２）

式（２）において、
Ａ^２は、炭素数４～８の環構造を表し、
Ｚ^６～Ｚ^１０は、それぞれ独立して、水素原子又は電子求引性基であり、Ｚ^６～Ｚ^１０それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
Ｌ^２は、単結合または２価の連結基を表し、
Ｒ^３は、１価の有機基を表し、
Ｒ^４は、水素原子または１価の有機基を表し、ｑ個のＲ^４のうち少なくとも１つは水素原子であり、
ｐ個のＲ^３およびｑ個のＲ^４は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｐは０以上の整数を表し、ｑは１以上の整数を表し、
ｐ＋ｑは、環構造Ａ^２の炭素数以下であり、
波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す。
＜１６＞
下記式（３）で表される化合物；
式（３）

式（３）において、
Ａ^１は、炭素数４～８の環構造を表し、
Ｚ^１～Ｚ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は電子求引性基であり、Ｚ^１～Ｚ^５それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
Ｌ^１は、単結合または２価の連結基を表し、
Ｒ^１は、フタルイミド基、アジド基、アミド基、アルキル基、－［Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ］_ｊ－ＯＣ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、ｊは０～５の整数を表し、ｋは１～１０の整数を表す。）、－［Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ］_ｊ－ＯＣ_ｋＨ_２ｋ－１（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、ｊは０～５の整数を表し、ｋは２～１０の整数を表す。）、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｋは１～１０の整数を表す。）、－Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒ（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒ（ここで、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）またはアルキルシロキシ基を表し、
Ｒ^２は、アルキル基、－［（ＣＨ_２）_ｉＯ］_ｊ－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、ｊは１～５の整数を表し、ｋは１～１０の整数を表す。）、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｋは１～１０の整数を表す。）、－（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒ（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）、－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒ（ここで、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）を表し、
ｍ個のＲ^１およびｎ個のＲ^２は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｍは０以上の整数を表し、ｎは１以上の整数を表し、
ｍ＋ｎは、環構造Ａ^１の炭素数以下であり、
波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表し、
Ａ^１およびＳの間の結合は、エクアトリアル配置である。
＜１７＞
下記式（４）で表される化合物；
式（４）

式（４）において、
Ａ^２は、炭素数４～８の環構造を表し、
Ｚ^６～Ｚ^１０は、それぞれ独立して、水素原子又は電子求引性基であり、Ｚ^６～Ｚ^１０それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
Ｌ^２は、単結合または２価の連結基を表し、
Ｒ^３は、フタルイミド基、アジド基、アミド基、アルキル基、－［Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ］_ｊ－ＯＣ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、ｊは０～５の整数を表し、ｋは１～１０の整数を表す。）、－［Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ］_ｊ－ＯＣ_ｋＨ_２ｋ－１（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、ｊは０～５の整数を表し、ｋは２～１０の整数を表す。）、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｋは１～１０の整数を表す。）、－Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒ（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒ（ここで、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）またはアルキルシロキシ基を表し、
Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、－［（ＣＨ_２）_ｉＯ］_ｊ－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、ｊは１～５の整数を表し、ｋは１～１０の整数を表す。）、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｋは１～１０の整数を表す。）、－（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒ（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）、－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒ（ここで、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）を表し、ｑ個のＲ^４のうち少なくとも１つは水素原子であり、
ｐ個のＲ^３およびｑ個のＲ^４は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｐは０以上の整数を表し、ｑは１以上の整数を表し、
ｐ＋ｑは、環構造Ａ^２の炭素数以下であり、
波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表し、
Ａ^２およびＳの間の結合は、エクアトリアル配置である。
＜１８＞
下記式（５）で表される化合物；
式（５）

式（５）において、
Ｌ^３１およびＬ^３２は、それぞれ独立して、単結合、メチレン基またはエチレン基を表し、
Ｒ^９は、それぞれ独立して、フタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基、ベンジルオキシ基またはベンゾイルオキシ基を表し、
Ｒ^１０は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、ベンジル基またはベンゾイル基を表し、
ｘは、０～１０の整数を表し、
ｙ１およびｙ２は、それぞれ独立して、０～２の整数を表し、
ｚ１は、それぞれ独立して、２または３の整数を表し、
ｚ２は、２～４の整数を表し、
ｙ１＋ｚ１＝３、かつ、ｙ２＋ｚ２＝４であり、
波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す。

本発明の糖鎖の製造方法により、液相法によるオリゴ糖の合成において、従来法よりも、立体選択された糖鎖の収率が向上する。本発明のビルディングブロックにより、本発明の上記製造方法が実施できる。さらに、本発明の化合物により、新規材料が提供される。

本発明の実施例における合成シーケンスの一部を示すグラフである。

以下、本発明の主要な実施形態について説明する。しかしながら、本発明は、明示した実施形態に限られるものではない。

本明細書において「～」という記号を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ下限値および上限値として含む範囲を意味する。

本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、その工程の所期の作用が達成できる限りにおいて、他の工程と明確に区別できない工程も含む意味である。

本明細書における基（原子団）の表記について、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有しないものと共に、置換基を有するものをも包含する意味である。例えば、単に「アルキル基」と記載した場合には、これは、置換基を有しないアルキル基（無置換アルキル基）、および、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）の両方を包含する意味である。また、単に「アルキル基」と記載した場合には、これは、鎖状でも環状でもよく、鎖状の場合には、直鎖でも分岐でもよい意味である。これらのことは、「アルケニル基」、「アルキレン基」および「アルケニレン基」についても同義とする。

本明細書において、Ａｒはアリール基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｈはフェニル基を、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、ＴｆＯまたはＯＴｆはトリフラート基を、Ｂｎはベンジル基を、Ａｃはアセチル基を、Ｐｈｔｈはフタロイル基を、ＭＯＭはメトキシメチル基をそれぞれ示している。

本明細書において、「Ｃ_１～１０」等の記載における数値範囲は、炭化水素鎖中の炭素数が取りうる数を表す。例えば、「Ｃ_１～１０アルキル基」との記載は、炭素数が１～１０のアルキル基を意味する。他の炭化水素基についても同様である。

＜糖鎖の製造方法＞
本発明の糖鎖の製造方法は、
下記式（１）で表されるビルディングブロック、および、下記式（１）で表されるビルディングブロック由来の糖残基と下記式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基とを含むビルディングブロックのうち、少なくとも１種のビルディングブロックであるビルディングブロックＡを、電解質を含む非プロトン性有機溶媒中で電解酸化し、
下記式（２）で表されるビルディングブロック、および、下記式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基を複数含むビルディングブロックのうち、少なくとも１種のビルディングブロックであるビルディングブロックＢと、電解酸化したビルディングブロックＡとをグリコシル化することを含む。

式（１）

式（１）において、
Ａ^１は、炭素数４～８の環構造を表し、
Ｚ^１～Ｚ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は電子求引性基であり、Ｚ^１～Ｚ^５それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
Ｌ^１は、単結合または２価の連結基を表し、
Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して１価の有機基を表し、
ｍ個のＲ^１およびｎ個のＲ^２は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｍは０以上の整数を表し、ｎは１以上の整数を表し、
ｍ＋ｎは、環構造Ａ^１の炭素数以下であり、
波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す。なお、環構造Ａ^１の構成原子の結合手のうち、環を形成せずかつ硫黄原子Ｓ、Ｒ^１およびＬ^１のいずれにも結合してない結合手には、水素原子が結合しているものとする。

式（２）

式（２）において、
Ａ^２は、炭素数４～８の環構造を表し、
Ｚ^６～Ｚ^１０は、それぞれ独立して、水素原子又は電子求引性基であり、Ｚ^６～Ｚ^１０それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
Ｌ^２は、単結合または２価の連結基を表し、
Ｒ^３は、１価の有機基を表し、
Ｒ^４は、水素原子または１価の有機基を表し、ｑ個のＲ^４のうち少なくとも１つは水素原子であり、
ｐ個のＲ^３およびｑ個のＲ^４は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｐは０以上の整数を表し、ｑは１以上の整数を表し、
ｐ＋ｑは、環構造Ａ^２の炭素数以下であり、
波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す。なお、環構造Ａ^２の構成原子の結合手のうち、環を形成せずかつ硫黄原子Ｓ、Ｒ^３およびＬ^２のいずれにも結合してない結合手には、水素原子が結合しているものとする。

本発明に係る糖鎖は、本発明に係るビルディングブロックＡおよびビルディングブロックＢをグリコシル化することにより得られる。なお、本明細書において、便宜上、ビルディングブロックＡを糖鎖合成における「糖供与体」とも称し、ビルディングブロックＢを糖鎖合成における「糖受容体」とも称する。本明細書において、「糖鎖」は、水酸基の数については広義の意味に解する。つまり、本明細書において、「糖鎖」は、２つ以上の水酸基（－ＯＨ）を含む糖の鎖状化合物の他、脱保護処理により、そのような糖の鎖状化合物となり得る化合物も含む意味である。したがって、本発明の製造方法で直接的に得られる鎖状化合物自体は、下記に示す化合物のように水酸基を有していなくてもよい。水酸基を有していない鎖状化合物は、別途、脱保護処理が実施されて、２つ以上の水酸基（－ＯＨ）を含む糖の鎖状化合物となる。脱保護反応の条件は、保護基の種類に応じて適宜決められ、公知の方法を採用することができる。

本発明では、グリコシド末端の硫黄原子Ｓに、従来よりも強い電子求引性をもつ官能基が存在することにより、液相法によるオリゴ糖の合成において、従来法よりも、立体選択された糖鎖の収率が向上する。これは、次のとおりと推定される。

グリコシドを使用した液相法によるオリゴ糖の合成においては、下記反応式（Ｓ１）で表される活性化した状態のグリコシド（例えば、反応式（Ｓ１）中のグリコシルトリフラート）が、重要な反応中間体として認識されている。例えば、トリフラートアニオンＣＦ_３ＳＯ_３ ^－の存在下で、糖供与体１ｔを低温電解酸化した場合には、まず、グリコシル化反応の中間体としてグリコシルトリフラートが生成および蓄積される。その後、その中間体の活性部位（例えば、トリフラート部位）と糖受容体２ｔの水酸基とが反応して、糖供与体および糖受容体がグリコシル化することで、立体選択的に糖鎖３ｔが得られる。以下、反応式（Ｓ１）の反応を主反応ともいう。

反応式（Ｓ１）：

しかしながら、従来の液相法によるオリゴ糖の合成においては、上記主反応以外の副反応の発生も比較的多く、結果的に、主反応の効率を下げる要因となっていることが、今回見出された。そのような副反応は、主として下記反応式（Ｓ２）で表される反応であると推定される。具体的には、反応中間体の生成後、中間体の活性部位（例えばトリフラート部位）と糖受容体２ｔの硫黄原子とが反応して、反応中間体が、見かけ上糖供与体１ｔに戻ることで、糖供与体１ｔと糖受容体２ｔのグリコシル化が阻害されていると推定される。

反応式（Ｓ２）：

そこで、本発明のビルディングブロックでは、硫黄原子に、従来よりも強い電子求引性をもつ官能基を連結している。これにより、硫黄原子の電子密度が相対的に減少し、硫黄原子の反応性が低下することで、副反応が抑制されると考えられる。そして、主反応の効率が向上し、立体選択性の高い（つまり、所望の部位でグリコシド結合を形成している）糖鎖の収率が向上する。

＜＜ビルディングブロックＡ＞＞
ビルディングブロックＡは、式（１）で表されるビルディングブロック単体でもよく、式（１）で表されるビルディングブロック由来の糖残基と式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基とを含むビルディングブロックでもよく、これらの混合物でもよい。なお、式（２）で表されるビルディングブロックの詳細な説明については、ビルディングブロックＢの説明とともに行う。

式（１）において、環構造Ａ^１の構成は、生成する目的の糖鎖の構成に応じて適宜設計され、本発明の製造方法を実施する上で、特段制限はない。環構造Ａ^１中の炭素数は、７以下であることが好ましく、６以下であることがより好ましい。環構造Ａ^１において、環構造に含まれる酸素原子の数は、特に制限されないが、通常は１である。環構造Ａ^１は、ビルディングブロックＡを糖鎖合成に使用する場合には、環構造中の酸素原子は１つのみであることが有用である。さらに、環構造Ａ^１は、５つの炭素原子と１つの酸素原子を頂点として六員環を構成しているピラノース環、または、４つの炭素原子と１つの酸素原子を頂点として五員環を構成しているフラノース環を有することが好ましい。

Ｒ^１について、１価の有機基は、グリコシル化反応が可能である範囲で、特に制限されない。この１価の有機基の構成原子数は、グリコシル化反応において、所望の特定の部位でグリコシド結合を形成させる観点から、３０以下であることが好ましく、２０以下であることがより好ましく、１５以下であることが更に好ましい。構成原子数が３０以下であることにより、隣接するビルディングブロックとのグリコシル化反応が阻害されにくくなる。また、所望の部位でグリコシド結合を形成する観点から、上記構成原子数は、３以上であることが好ましく、４以上であることがより好ましく、５以上であることが更に好ましい。構成原子数が３以上であることにより、グリコシド結合の結合形式をβ結合に制限しやすくなる。また、所望の部位でグリコシド結合を形成する観点から、Ｒ^１は、アノマー（Ｃ１）位に隣接するＣ２位に結合していることが好ましい。

Ｒ^１は、例えば、フタルイミド基、アジド基、アミド基、アルキル基、－［Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ］_ｊ－ＯＣ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、ｊは０～５の整数を表し、ｋは１～１０の整数を表す。）、－［Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ］_ｊ－ＯＣ_ｋＨ_２ｋ－１（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、ｊは０～５の整数を表し、ｋは２～１０の整数を表す。）、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｋは１～１０の整数を表す。）、－Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒ（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒ（ここで、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）またはアルキルシロキシ基であることが好ましい。

Ｒ^１がアミド基であるとき、アミド基は、置換基として、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基またはアリール基を有することができる。置換基としてのアルキル基の炭素数は、１～１０であることが好ましく、１～６であることがより好ましく、１～３であることが更に好ましい。置換基としてのアリール基の炭素数は、６～１０であることが好ましい。置換基を有する場合、具体的には、アミド基は、例えば、メチルアミド基（アセチルアミノ基）、エチルアミド基、ｎ－プロピルアミド基、イソプロピルアミド基、ｎ－ブチルアミド基もしくはｔ－ブチルアミド基、または、フェニルアミド基（ベンゾイルアミノ基）もしくはナフチルアミド基であることが好ましく、アセチルアミノ基、エチルアミド基またはベンゾイルアミノ基であることがより好ましく、アセチルアミノ基またはベンゾイルアミノ基であることが更に好ましい。

アルキル基は、直鎖、分岐もしくは環状の構造を有することができ、炭素数は、１～１０であることが好ましく、１～６であることがより好ましく、１～３であることが更に好ましい。アルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基またはｔ－ブチル基であることが好ましく、メチル基またはエチル基であることが好ましく、メチル基であることが更に好ましい。

－［Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ］_ｊ－ＯＣ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、ｊは０～５の整数を表し、ｋは１～１０の整数を表す。）は、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル部位Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１を有し、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル部位（ＣＨ_２）_ｉを有することができる。これらのアルキル部位における整数ｉおよびｋは、それぞれ１～６であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１または２であることが更に好ましい。整数ｊは、３以下であることが好ましく、２以下であることがより好ましく、１以下であることが更に好ましく、０でもよい。つまり、この基は、－ＯＣ_ｋＨ_２ｋ＋１（ｋは１または２の整数を表す。）または－Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ－ＯＣ_ｋＨ_２ｋ＋１（ｉは１または２の整数を表し、ｋは１または２の整数を表す。）であることが特に好ましい。具体的には、この基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロピルオキシ基、－ＯＣＨ_２ＯＣＨ_３（メトキシメチルオキシ基）、－ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３、－ＯＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_５、－ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣ_２Ｈ_５、－（ＯＣＨ_２）_２ＯＣＨ_３または－（ＯＣＨ_２）_２ＯＣ_２Ｈ_５であることが好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロピルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、－ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３、－ＯＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_５または－ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣ_２Ｈ_５であることがより好ましく、メトキシ基またはメトキシメチルオキシ基であることが更に好ましい。

－Ｏ－［（ＣＨ_２）_ｉ］_ｊ－ＯＣ_ｋＨ_２ｋ－１（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、ｊは０～５の整数を表し、ｋは２～１０の整数を表す。）は、直鎖、分岐もしくは環状のアルケニル部位Ｃ_ｋＨ_２ｋ－１を有し、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル部位（ＣＨ_２）_ｉを有することができる。アルケニル部位における整数ｋは、３～８であることが好ましく、３～６であることがより好ましく、３または４であることが更に好ましい。アルキル部位における整数ｉは、１～６であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１または２であることが更に好ましい。整数ｊは、３以下であることが好ましく、２以下であることがより好ましく、１以下であることが更に好ましく、０でもよい。つまり、この基は、－ＯＣ_３Ｈ_５または－Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ－ＯＣ_３Ｈ_５（整数ｉは１または２を表す。）であることが特に好ましい。具体的には、この基は、例えば、エテニルオキシ基、２－プロペニルオキシ基、３－ブテニルオキシ基、－ＯＣＨ_２ＯＣＨ＝ＣＨ_２、－ＯＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、－ＯＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨ_２、－ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ＝ＣＨ_２、－ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２または－ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２であることが好ましく、２－プロペニルオキシ基、３－ブテニルオキシ基、－ＯＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２または－ＯＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨ_２であることがより好ましく、２－プロペニルオキシ基または－ＯＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２であることが更に好ましい。

－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｋは１～１０の整数を表す。）は、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル部位を有し、アルキル部位における整数ｋは、１～６であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１または２であることが更に好ましい。具体的には、この基は、例えば、メチルカルボニルオキシ基（アセチルオキシ基）、エチルカルボニルオキシ基またはｎ－プロピルカルボニルオキシ基であることが好ましく、アセチルオキシ基であることがより好ましい。

－Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒ（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）は、フェニル基またはナフチル基を有することができ、フェニル基を有することが好ましい。また、この基は、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル部位（ＣＨ_２）_ｉを有する。アルキル部位における整数ｉは、１～６であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１または２であることが更に好ましい。具体的には、この基は、例えば、－ＯＣＨ_２－Ｐｈ（ベンジルオキシ基）、－ＯＣ_２Ｈ_４－Ｐｈまたは－ＯＣ_３Ｈ_６－Ｐｈであることが好ましく、ベンジルオキシ基であることがより好ましい。

さらに、この－Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒは、アリール部位に、炭素数１～１０のアルキル基または炭素数１～１０アルキルオキシ基を置換基として有することも好ましい。これらの置換基の炭素数は、１～６であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１または２であることが更に好ましい。具体的には、この置換基は、メチル基、エチル基、メトキシ基またはエトキシ基であることが好ましく、メチル基またはメトキシ基であることがより好ましい。置換基の数は、２つまたは１つであることが好ましく、１つであることがより好ましい。置換基の位置は、オルト（ｏ）位、メタ（ｍ）位およびパラ（ｐ）位のいずれでもよいが、パラ位であることが好ましい。したがって、置換基を有する場合、－Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒは、ｏ－、ｍ－もしくはｐ－メチルベンジルオキシ基またはｏ－、ｍ－もしくはｐ－メトキシベンジルオキシ基であることが好ましく、ｐ－メチルベンジルオキシ基またはｐ－メトキシベンジルオキシ基であることがより好ましい。

－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒ（ここで、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）は、フェニル基またはナフチル基を有することができ、フェニル基を有することが好ましい。つまり、この基は、フェニルカルボニルオキシ基（ベンゾイルオキシ基）であることが好ましい。

さらに、この－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒは、アリール部位に、炭素数１～１０のアルキル基または炭素数１～１０のアルキルオキシ基を置換基として有することも好ましい。これらの置換基の炭素数は、１～６であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１または２であることが更に好ましい。具体的には、この置換基は、メチル基、エチル基、メトキシ基またはエトキシ基であることが好ましく、メチル基またはメトキシ基であることがより好ましい。置換基の数は、２つまたは１つであることが好ましく、１つであることがより好ましい。置換基の位置は、オルト（ｏ）位、メタ（ｍ）位およびパラ（ｐ）位のいずれでもよいが、パラ位であることが好ましい。したがって、置換基を有する場合、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒは、ｏ－、ｍ－もしくはｐ－メチルベンゾイルオキシ基またはｏ－、ｍ－もしくはｐ－メトキシベンゾイルオキシ基であることが好ましく、ｐ－メチルベンゾイルオキシ基またはｐ－メトキシベンゾイルオキシ基であることがより好ましい。

アルキルシロキシ基は、モノアルキルシロキシ基、ジアルキルシロキシ基またはトリアルキルシロキシ基のいずれであってもよく、トリアルキルシロキシ基であることが好ましい。アルキルシロキシ基中のアルキル基は、直鎖、分岐もしくは環状の構造をとることができ、直鎖構造であることが好ましい。このアルキル基の炭素数は、１～６であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１または２であることが更に好ましい。具体的には、アルキルシロキシ基は、例えば、トリメチルシロキシ基、ジメチルシロキシ基、エチルジメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基、プロピルジメチルシロキシ基またはｔ－ブチルジメチルシロキシ基であり、トリメチルシロキシ基であることがより好ましい。

本発明において、Ｒ^１の有機基は、上記で説明した置換基以外にも、置換基を有することができる。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭化水素基、複素環基、－ＯＲｔ^１、－ＣＯＲｔ^１、－ＣＯＯＲｔ^１、－ＯＣＯＲｔ^１、－ＮＲｔ^１Ｒｔ^２、－ＮＨＣＯＲｔ^１、－ＣＯＮＲｔ^１Ｒｔ^２、－ＮＨＣＯＮＲｔ^１Ｒｔ^２、－ＮＨＣＯＯＲｔ^１、－ＳＲｔ^１、－ＳＯ_２Ｒｔ^１、－ＳＯ_２ＯＲｔ^１、－ＮＨＳＯ_２Ｒｔ^１または－ＳＯ_２ＮＲｔ^１Ｒｔ^２が挙げられる。Ｒｔ^１およびＲｔ^２は、それぞれ独立して水素原子、炭化水素基または複素環基を表す。Ｒｔ^１とＲｔ^２が炭化水素基である場合には、これらが互いに結合して環を形成してもよい。

置換基について、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基が挙げられる。アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましく、１～２がさらに好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよく、直鎖または分岐が好ましく、分岐がより好ましい。アルケニル基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～５がより好ましく、２または３が特に好ましい。アルケニル基は直鎖、分岐、環状のいずれでもよく、直鎖または分岐が好ましい。アルキニル基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～５がより好ましい。アルキニル基は直鎖および分岐のいずれでもよく、直鎖または分岐が好ましい。アリール基の炭素数は、６～１０が好ましく、６～８がより好ましく、６～７がさらに好ましい。複素環基は、単環であってもよく、縮合環であってもよい。複素環基は、単環または縮合数が２～４の縮合環が好ましい。複素環基の環を構成するヘテロ原子の数は１～３が好ましい。複素環基の環を構成するヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましい。複素環基の環を構成する炭素原子の数は３～１０が好ましく、３～８がより好ましく、３～５がより好ましい。

炭化水素基および複素環基は、さらに置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。ここでの置換基としては、上述した置換基が挙げられる。

Ｒ^１は、所望の部位でのグリコシド結合形成やコストの観点から、置換基を有しないことが好ましく、特に、フタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基、ベンジルオキシ基、ｐ－メチルベンジルオキシ基、ｐ－メトキシベンジルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ－メチルベンゾイルオキシ基、ｐ－メトキシベベンゾイルオキシ基、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、メトキシメチルオキシ基またはトリメチルシロキシ基であることが好ましく、フタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基、ベンジルオキシ基またはベンゾイルオキシ基であることがより好ましく、フタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基またはベンジルオキシ基であることが更に好ましい。ｍは、所望の部位でのグリコシド結合を形成する観点から、１～３であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが更に好ましい。ｍ個のＲ^１は、それぞれ独立に上記有機基になることができ、ｍが２以上である場合には、互いに同種の有機基になってもよく、異種の有機基になってもよい。

Ｒ^２は、水酸基の保護基であることが好ましく、糖化合物の水酸基の保護基として一般的に使用されるものであれば、本発明の製造方法において充分に水酸基を保護できるため、特に制限されない。Ｒ^２は、例えばProtective Group in Organic Synthesis, Chapter 2, pp. 10-142, Theodora W. Greene and Peter G. M. Wuts, 2nded.に記載される水酸基の保護基等であることが好ましい。より具体的には、Ｒ^２は、例えば、それぞれ独立に、アルキル基、－［（ＣＨ_２）_ｉＯ］_ｊ－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、ｊは１～５の整数を表し、ｋは１～１０の整数を表す。）、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｋは１～１０の整数を表す。）、－（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒ（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）、－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒ（ここで、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）であることが好ましい。

アルキル基は、直鎖、分岐もしくは環状の構造を有することができ、炭素数は、１～１０であることが好ましく、１～６であることがより好ましく、１～３であることが更に好ましい。アルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基またはｔ－ブチル基であることが好ましく、メチル基またはエチル基であることが好ましく、メチル基であることが更に好ましい。

－［（ＣＨ_２）_ｉＯ］_ｊ－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、ｊは０～５の整数を表し、ｋは１～１０の整数を表す。）は、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル部位Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１を有し、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル部位（ＣＨ_２）_ｉを有することができる。これらのアルキル部位における整数ｉおよびｋは、それぞれ１～６であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１または２であることが更に好ましい。整数ｊは、３以下であることが好ましく、２以下であることがより好ましく、１以下であることが更に好ましく、０でもよい。つまり、この基は、－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ｋは１または２の整数を表す。）または－（ＣＨ_２）_ｉ－ＯＣ_ｋＨ_２ｋ＋１（ｉは１または２の整数を表し、ｋは１または２の整数を表す。）であることが特に好ましい。具体的には、この基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、－ＣＨ_２ＯＣＨ_３（メトキシメチル基ＭＯＭ）、－Ｃ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３、－ＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_５、－Ｃ_２Ｈ_４ＯＣ_２Ｈ_５、－（ＣＨ_２Ｏ）_２ＣＨ_３または－（ＣＨ_２Ｏ）_２Ｃ_２Ｈ_５であることが好ましく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、メトキシメチル基、－Ｃ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３、－ＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_５または－Ｃ_２Ｈ_４ＯＣ_２Ｈ_５であることがより好ましく、メチル基またはメトキシメチル基であることが更に好ましい。

－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ_ｋＨ_２ｋ＋１（ここで、ｋは１～１０の整数を表す。）は、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル部位を有し、アルキル部位における整数ｋは、１～６であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１または２であることが更に好ましい。具体的には、この基は、例えば、メチルカルボニル基（アセチル基）、エチルカルボニル基またはｎ－プロピルカルボニル基であることが好ましく、アセチル基であることがより好ましい。

－（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒ（ここで、ｉは１～１０の整数を表し、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）は、フェニル基またはナフチル基を有することができ、フェニル基を有することが好ましい。また、この基は、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル部位（ＣＨ_２）_ｉを有する。アルキル部位における整数ｉは、１～６であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１または２であることが更に好ましい。具体的には、この基は、例えば、－ＣＨ_２－Ｐｈ（ベンジル基）、－Ｃ_２Ｈ_４－Ｐｈまたは－Ｃ_３Ｈ_６－Ｐｈであることが好ましく、ベンジル基であることがより好ましい。

さらに、この－（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒは、アリール部位に、炭素数１～１０のアルキル基または炭素数１～１０アルキルオキシ基を置換基として有することも好ましい。好ましい置換基の内容は、Ｒ^１の－Ｏ（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒの場合と同様である。したがって、置換基を有する場合、－（ＣＨ_２）_ｉ－Ａｒは、ｏ－、ｍ－もしくはｐ－メチルベンジル基またはｏ－、ｍ－もしくはｐ－メトキシベンジル基であることが好ましく、ｐ－メチルベンジル基またはｐ－メトキシベンジル基であることがより好ましい。

－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒ（ここで、Ａｒは炭素数６～１０のアリール基を表す。）は、フェニル基またはナフチル基を有することができ、フェニル基を有することが好ましい。つまり、この基は、フェニルカルボニル基（ベンゾイル基）であることが好ましい。

さらに、この－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒは、アリール部位に、炭素数１～１０のアルキル基または炭素数１～１０のアルキルオキシ基を置換基として有することも好ましい。好ましい置換基の内容は、Ｒ^１の－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒの場合と同様である。したがって、置換基を有する場合、－Ｃ（＝Ｏ）－Ａｒは、ｏ－、ｍ－もしくはｐ－メチルベンゾイル基またはｏ－、ｍ－もしくはｐ－メトキシベンゾイル基であることが好ましく、ｐ－メチルベンゾイル基またはｐ－メトキシベンゾイル基であることがより好ましい。

アルキルシリル基は、モノアルキルシリル基、ジアルキルシリル基またはトリアルキルシリル基のいずれであってもよく、トリアルキルシリル基であることが好ましい。アルキルシリル基中のアルキル基は、直鎖、分岐もしくは環状の構造をとることができ、直鎖構造であることが好ましい。このアルキル基の炭素数は、１～６であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１または２であることが更に好ましい。具体的には、アルキルシリル基は、例えば、トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、トリエチルシリル基、プロピルジメチルシリル基またはｔ－ブチルジメチルシリル基であり、トリメチルシリル基であることがより好ましい。

Ｒ^２は、所望の部位でのグリコシド結合形成やコストの観点から、置換基を有しないことが好ましく、特に、メチル基、エチル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、ベンジル基、ｐ－メチルベンジル基、ｐ－メトキシベンジル基、ベンゾイル基、ｐ－メチルベンゾイル基、ｐ－メトキシベンゾイル基、トリメチルシリル基またはｔ－ブチルジメチルシリル基であることが好ましく、アセチル基、トリメチルアセチル基、アセチルアミド基、ベンジル基またはベンゾイル基であることが更に好ましい。

本発明において、Ｒ^２の有機基は、上記で説明した置換基以外にも、置換基を有することができる。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭化水素基、複素環基、－ＯＲｔ^１、－ＣＯＲｔ^１、－ＣＯＯＲｔ^１、－ＯＣＯＲｔ^１、－ＮＲｔ^１Ｒｔ^２、－ＮＨＣＯＲｔ^１、－ＣＯＮＲｔ^１Ｒｔ^２、－ＮＨＣＯＮＲｔ^１Ｒｔ^２、－ＮＨＣＯＯＲｔ^１、－ＳＲｔ^１、－ＳＯ_２Ｒｔ^１、－ＳＯ_２ＯＲｔ^１、－ＮＨＳＯ_２Ｒｔ^１または－ＳＯ_２ＮＲｔ^１Ｒｔ^２が挙げられる。Ｒｔ^１およびＲｔ^２は、それぞれ独立して水素原子、炭化水素基または複素環基を表す。Ｒｔ^１とＲｔ^２が炭化水素基である場合には、これらが互いに結合して環を形成してもよい。その他の内容は、Ｒ^１の置換基の場合と同様である。

Ｌ^１において、２価の連結基は、置換基を有してもよい直鎖または分岐のアルキレン基、置換基を有してもよい直鎖または分岐のアルケニレン基、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－ＮＲ－および－Ｓ－から選択される１種または２種以上の組み合わせからなる基であることが好ましい。ここで、Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基については、上述したとおりであり、Ｒは水素原子であることが好ましい。置換基を有してもよいアルキレン基の炭素数は１～５であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、置換基を有してもよいアルキレン基は、メチレン基またはエチレン基であることがさらに好ましい。置換基を有してもよいアルケニレン基の炭素数は２～５であることが好ましく、２または３であることがより好ましく、置換基を有してもよいアルケニレン基は、ビニル基またはプロぺニル基であることがさらに好ましい。特に、Ｌ^１は、単結合、または、置換基を有してもよいＣ_１～５アルキレン基であることが好ましく、単結合、メチレン基またはエチレン基であることがより好ましい。

ｎは、ｍ＋ｎが環構造Ａ^１の炭素数以下である範囲で、適宜設定される。ｎの数によって、糖鎖あるいは脱保護処理後の糖鎖における水酸基の数を調整できる。ｎは、２から「環構造Ａ^１の炭素数－２」までの整数であることが好ましく、２または３であることがより好ましい。ｎ個のＲ^２Ｏ－Ｌ^１は、それぞれ独立に上記有機基になることができ、ｎが２以上である場合には、同種の有機基になってもよく、異種の有機基になってもよい。

本発明では、特に、式（１）において、Ａ^１が、ピラノース環またはフラノース環であり、Ｒ^１が、それぞれ独立して、置換基を有しない、フタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基、ベンジルオキシ基、ｐ－メチルベンジルオキシ基、ｐ－メトキシベンジルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ－メチルベンゾイルオキシ基、ｐ－メトキシベベンゾイルオキシ基、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、メトキシメチルオキシ基またはトリメチルシロキシ基であり、Ｒ^２が、それぞれ独立して、置換基を有しない、メチル基、エチル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、ベンジル基、ｐ－メチルベンジル基、ｐ－メトキシベンジル基、ベンゾイル基、ｐ－メチルベンゾイル基、ｐ－メトキシベンゾイル基、トリメチルシリル基またはｔ－ブチルジメチルシリル基であり、Ｌ^１が、それぞれ独立して、単結合または置換基を有しないメチレン基もしくはエチレン基であることが好ましい。そして、式（１）において、より好ましくは、Ａ^１が、フラノース環であり、Ｒ^１が、それぞれ独立して、置換基を有しない、フタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基、ベンジルオキシ基、ベンゾイルオキシ基であり、Ｒ^２が、それぞれ独立して、置換基を有しない、メチル基、アセチル基、ベンジル基、ベンゾイル基であり、Ｌ^１が、それぞれ独立して、単結合または置換基を有しないメチレン基である。

式（１）で表されるビルディングブロックとしては、さらに、下記式（１－２）で表されるビルディングブロックが使用されることが好ましい。

式（１－２）

式（１－２）において、
Ｌ^１は、それぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、
Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立して１価の有機基を表し、
Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｔは、０～４の整数を表し、
ｒは、それぞれ独立して０または１を表し、
波線は、それぞれ独立に、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す。

式（１－２）中のＲ^５、Ｒ^６およびＬ^１は、それぞれ式（１）中のＲ^１、Ｒ^２およびＬ^１と同義である。式（１－２）において、ｔ＝０または１、つまり環構造Ａ^１はフラノース環またはピラノース環であることが好ましい。また、ｒは、すべて１であることが好ましい。酸素原子に隣接するＣ５位の炭素に結合するＬ^１は、メチレン基であり、他のＬ^１は単結合であることが好ましい。

式（１）または式（１－２）で表されるビルディングブロックの分子量は、３５０～９００であることが好ましく、４００～８００であることがより好ましく、４５０～７５０であることが更に好ましく、５００～７００であることが特に好ましい。

式（１）の環構造Ａ^１およびその周囲の好ましい態様は、例えば下記のとおりである。

硫黄原子Ｓは、環構造Ａ^１のどの部位に結合していてもよく、酸素原子に隣接する炭素（いわゆるアノマー位）に結合していることが好ましい。また、硫黄原子は、環構造Ａ^１に対して、エクアトリアルおよびアキシアルのどちらの立体配置にあってもよく、エクアトリアル配置であることがより好ましい。

Ｚ^１～Ｚ^５における電子求引性基の種類および数は、それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であれば、特に限定されない。本明細書において、「電子求引性基」は、Ｘ原子に対するフェニル基上のオルト位、メタ位およびパラ位の位置ごとに、ハメットの置換基定数σが正の値をとる置換基を意味し、ハメットの「σ値」は、ハメットの置換基定数σを意味する。また、ハメットの置換基定数σは、安息香酸およびその誘導体の２５℃の水溶液中における解離反応に基づく値とする。なお、ハメットの置換基定数σが負の値をとることは、その置換基が電子供与性を有することを示している。

メタ位およびパラ位のσ値は、多くの置換基について、Chem. Rev. 1991, vol. 91, pp. 165-195に記載されており、この文献に記載されているσ値については、その値を採用する。一方、σ値が未知の置換基については、上記文献に記載されている方法で算出することができる。オルト位のσ値は、一般に、パラ位のσ値に類似しているため、パラ位のσ値を代用する。

電子求引性基は、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アジド基、ハロゲン化アルキル基およびアシル基の少なくとも１つであることが好ましく、ハロゲン原子の少なくとも１つであることがより好ましく、塩素原子および臭素原子の少なくとも１つであることが更に好ましい。

代表的な置換基のσ値を下記表１に示す。

Ｚ^１～Ｚ^５それぞれのハメットのσ値の合計は、０．１５以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましく、０．２２以上であることが更に好ましい。σ値の合計が大きいほど、硫黄原子の電子密度を減少させ、反応性を低下させることができる。また、このσ値の合計は、２以下であることが好ましい。このσ値の合計が２以下である場合には、電解酸化工程において、糖供与体の活性化（反応中間体の生成）が容易となる。そして、このσ値の合計は、１．５以下であることがより好ましく、１．０以下であることが更に好ましい。

Ｚ^１～Ｚ^５の好ましい組み合わせは、下記のとおりである。

式（１）で表されるビルディングブロックの好ましい具体例は、下記のとおりである。表中、「Ｓａ」は、式（１）における環構造Ａ^１側の部分構造（硫黄原子を含む。）を表し、「Ｓｂ」は、式（１）におけるフェニル基側の部分構造（硫黄原子を含まない。）を表す。また、「Ｓａ」の欄に記載の記号は、環構造Ａ^１およびその周囲の好ましい態様として示した具体例の各記号を示し、「Ｓｂ」の欄に記載の記号は、Ｚ^１～Ｚ^５の好ましい組み合わせとして示した具体例の各記号を示す。表中の化合物はそれぞれ、「Ｓａ」欄に記載の部分構造と、「Ｓｂ」欄に記載の部分構造とが、アスタリスク「*」の部分において結合した構造を有する。

式（１）

ビルディングブロックＡが、式（１）で表されるビルディングブロック由来の糖残基と、式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基とを含むビルディングブロックである場合には、例えば、下記のような態様が考えられる。このようなビルディングブロックＡは、例えば、式（１）で表されるビルディングブロックと、式（２）で表されるビルディングブロックとをグリコシル化することで得られる。さらに、そのようなグリコシル化を複数回行えば、三糖類や四糖類のビルディングブロックＡも調製可能である。また、糖鎖の結合は、β結合（硫黄原子がエクアトリアル配置にある結合）でもよく、α結合（硫黄原子がアキシアル配置にある結合）でもよく、Ｃ１－Ｃ３結合、Ｃ１－Ｃ４結合、Ｃ１－Ｃ５結合およびＣ１－Ｃ６結合のいずれの結合でもよい。

式（１）で表されるビルディングブロック由来の糖残基の好ましい態様は、例えば下記のとおりである。

ビルディングブロックＡが、式（１）で表されるビルディングブロック由来の糖残基と、式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基とを含むビルディングブロックの好ましい具体例は、下記のとおりである。表中、「Ｓｆ」は、式（１）で表されるビルディングブロック由来の糖残基を表し、「Ｓｇ」は、式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基を表す。また、「Ｓｆ」の欄に記載の記号は、式（１）で表されるビルディングブロック由来の糖残基の好ましい態様として示した具体例の各記号を示し、「Ｓｇ」の欄に記載の記号は、式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基の好ましい態様として下記で別途説明する具体例の各記号を示す。表中の化合物はそれぞれ、「Ｓｆ」欄に記載の部分構造と、「Ｓｇ」欄に記載の部分構造と、硫黄原子（*－Ｓ－*）と、「Ｓｂ」欄に記載の部分構造とが、順番にアスタリスク「*」の部分において結合した構造「Ｓｆ－Ｓｇ－Ｓ－Ｓｂ」を有する。なお、「Ｓｇ」欄に記載の部分構造と「Ｓｂ」欄に記載の部分構造との間には、上記のとおり、硫黄原子を補うものとする。

＜＜ビルディングブロックＢ＞＞
ビルディングブロックＢは、式（２）で表されるビルディングブロック単体でもよく、式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基を複数含むビルディングブロックでもよく、これらの混合物でもよい。

式（２）において、環構造Ａ^２の構成は、生成する目的の糖鎖の構成に応じて適宜設計され、本発明の製造方法を実施する上で、特段制限はない。環構造Ａ^２中の炭素数は、７以下であることが好ましく、６以下であることがより好ましい。環構造Ａ^２において、式（１）で表されるビルディングブロックと同様に、環構造に含まれる酸素原子の数も、特に制限されない。酸素原子は１つのみ頂点に含まれることが好ましい。さらに、環構造Ａ^２は、用途の観点から、環構造中の酸素原子は１つのみであることが有用であり、５つの炭素原子と１つの酸素原子を頂点として六員環を構成しているピラノース環、または、４つの炭素原子と１つの酸素原子を頂点として五員環を構成しているフラノース環を有することが好ましい。

Ｒ^３について、１価の有機基は、式（１）中のＲ^１と同様に、グリコシル化反応が可能である範囲で、特に制限されない。この１価の有機基の構成原子数は、グリコシル化反応において所望の部位でグリコシド結合を形成する観点から、３０以下であることが好ましく、２０以下であることがより好ましく、１５以下であることが更に好ましい。構成原子数が３０以下であることにより、隣接するビルディングブロックとのグリコシル化反応が阻害されにくくなる。また、所望の部位でグリコシド結合を形成する観点から、上記構成原子数は、３以上であることが好ましく、４以上であることがより好ましく、５以上であることが更に好ましい。構成原子数が３以上であることにより、グリコシド結合の結合形式をβ結合に制限しやすくなる。

Ｒ^３は、式（１）中のＲ^１と同様に、例えば、フタルイミド基、アジド基、（Ｃ_１～１０アルキルオキシ）_ｎ基（ｎは１～５の整数である。）、Ｃ_１～１０アルキルカルボニル基、Ｃ_１～１０アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ_１～１０アルキルアミド基またはトリＣ_１～５アルキルシロキシ基であることが好ましい。これらの有機基は、置換基を有することができ、具体的な態様については、式（１）中のＲ^１と同様である。Ｒ^３は、所望の部位でグリコシド結合を形成する観点から、置換基を有しないことが好ましく、特に、無置換のフタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基、ベンジルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、メトキシ基、エトキシ基、メトキシメチルオキシ基またはトリメチルシロキシ基であることが好ましく、無置換のフタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基、ベンジルオキシ基またはベンゾイルオキシ基であることがより好ましく、無置換のフタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基またはベンジルオキシ基であることが更に好ましい。ｐは、所望の部位でグリコシド結合を形成する観点から、１～３であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが更に好ましい。ｐ個のＲ^３は、それぞれ独立に上記有機基になることができ、ｐが２以上である場合には、互いに同種の有機基になってもよく、異種の有機基になってもよい。

Ｒ^４が１価の有機基である場合には、Ｒ^４は、水酸基の保護基であることが好ましく、糖化合物の水酸基の保護基として一般的に使用されるものであれば特に制限されない。水酸基の保護基については、式（１）におけるＲ^２と同様である。Ｒ^４中の水素原子の数は、所望の部位でのグリコシド結合形成の観点から、３つ以下であることが好ましく、２つ以下であることがより好ましく、１つであることが更に好ましい。Ｒ^４は、所望の部位でグリコシド結合を形成する観点から、置換基を有しないことが好ましく、特に、メチル基、エチル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、ベンジル基（例えば、ｐ－メトキシベンジル基、ｐ－メチルベンジル基）、ベンゾイル基、トリメチルシリル基またはｔ－ブチルジメチルシリル基であることが好ましく、アセチル基、トリメチルアセチル基、アセチルアミド基、ベンジル基またはベンゾイル基であることが更に好ましい。

Ｌ^２において、２価の連結基は、置換基を有してもよいＣ_１～５アルキレン基、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－ＮＲ－および－Ｓ－から選択される１種または２種以上の組み合わせからなる基であることが好ましい。置換基を有してもよいアルキレン基の炭素数は１～３であることが好ましく、置換基を有してもよいアルキレン基は、メチレン基またはエチレン基であることがより好ましい。ここで、Ｒは置換基を表す。置換基については、上述したとおりである。特に、Ｌ^２は、単結合、または、置換基を有してもよいＣ_１～５アルキレン基であることが好ましく、単結合、メチレン基またはエチレン基であることがより好ましい。

ｑは、ｐ＋ｑが環構造Ａ^２の炭素数以下である範囲で、適宜設定される。ｑの数によって、糖鎖あるいは脱保護処理後の糖鎖における水酸基の数を調整できる。ｑは、２から「環構造Ａ^２の炭素数－２」までの整数であることが好ましく、２または３であることがより好ましい。ｑ個のＲ^４Ｏ－Ｌ^２は、それぞれ独立に上記有機基になることができ、ｑが２以上である場合には、同種の有機基になってもよく、異種の有機基になってもよい。

式（２）で表されるビルディングブロックとしては、さらに、下記式（２－２）で表されるビルディングブロックが使用されることが好ましい。

式（２－２）

式（２－２）において、
Ｒ^７は、１価の有機基を表し、
Ｒ^８は、それぞれ独立して水素原子または１価の有機基を表し、
Ｒ^７およびＲ^８は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｕは、０～４の整数を表し、
ｒは、それぞれ独立して０または１を表し、
Ｒ^８（Ｏ）_ｒのうち少なくとも１つは水酸基であり、
波線は、それぞれ独立に、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す。

式（２－２）中のＲ^７、Ｒ^８およびＬ^２は、それぞれ式（２）中のＲ^３、Ｒ^４およびＬ^２と同義である。式（２－２）において、ｕ＝０または１、つまり環構造Ａ^１はフラノース環またはピラノース環であることが好ましい。また、ｒは、すべて１であることが好ましい。

式（２）または式（２－２）で表されるビルディングブロックの分子量は、２００～６００であることが好ましく、２５０～５５０であることがより好ましく、３００～５００であることが更に好ましい。

式（２）の環構造Ａ^２およびその周囲の好ましい態様は、例えば下記のとおりである。

硫黄原子は、環構造Ａ^２のどの部位に結合していてもよく、酸素原子に隣接する炭素（いわゆるアノマー位）に結合していることが好ましい。また、硫黄原子は、環構造Ａ^２に対して、エクアトリアルおよびアキシアルのどちらの立体配置にあってもよく、エクアトリアル配置であることがより好ましい。

Ｚ^６～Ｚ^１０における電子求引性基の種類および数は、それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であれば、特に限定されない。ハメットのσ値の合計は、式（１）のＺ^１～Ｚ^５の場合と同様の方法により算出する。式（１）のＺ^１～Ｚ^５の組み合わせと、式（２）のＺ^６～Ｚ^１０の組み合わせは、同じであっても異なっていてもよい。

Ｚ^６～Ｚ^１０それぞれのハメットのσ値の合計は、０．１５以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましく、０．２２以上であることが更に好ましい。σ値の合計が大きいほど、硫黄原子の電子密度を減少させ、反応性を低下させることができる。また、このσ値の合計は、２以下であることが好ましい。このσ値の合計が２以下である場合には、電解酸化工程において、糖供与体の活性化（反応中間体の生成）が容易となる。そして、このσ値の合計は、１．５以下であることがより好ましく、１．０以下であることが更に好ましい。式（１）のＺ^１～Ｚ^５についてのσ値の合計と、式（２）のＺ^６～Ｚ^１０についてのσ値の合計は、同じであっても異なっていてもよい。

Ｚ^６～Ｚ^１０の好ましい組み合わせは、例えばＺ^１～Ｚ^５について例示した組み合わせと同様である。特に、Ｚ^１～Ｚ^１０のうち少なくとも１つがハロゲン原子であることが好ましい。さらに、Ｚ^１～Ｚ^５のうち少なくとも１つがハロゲン原子であり、Ｚ^６～Ｚ^１０のうち少なくとも１つがハロゲン原子であることがより好ましく、例えば、Ｚ^１～Ｚ^５のうち、２つがハロゲン原子であって、それ以外が水素原子であり、Ｚ^６～Ｚ^１０のうち、２つがハロゲン原子であって、それ以外が水素原子である態様、あるいは、Ｚ^１～Ｚ^５のうち、１つがハロゲン原子であって、それ以外が水素原子であり、Ｚ^６～Ｚ^１０のうち、１つがハロゲン原子であって、それ以外が水素原子である態様が考えられる。

式（２）で表されるビルディングブロックの好ましい具体例は、下記のとおりである。表中、「Ｓｃ」は、式（２）における環構造Ａ^２側の部分構造（硫黄原子を含む。）を表す。また、「Ｓｃ」の欄に記載の記号は、環構造Ａ^２およびその周囲の好ましい態様として示した具体例を示す。「Ｓｂ」は、式（１）の場合と同様に、フェニル基側の部分構造（硫黄原子を含まない。）を表す。表中の化合物はそれぞれ、「Ｓｃ」欄に記載の部分構造と、「Ｓｂ」欄に記載の部分構造とが、アスタリスク「*」の部分において結合した構造を有する。

式（２）

ビルディングブロックＢが、式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基を複数含むビルディングブロックである場合には、例えば、下記のような態様が考えられる。このようなビルディングブロックＢは、例えば、式（２）で表されるビルディングブロック同士をグリコシル化することで得られる。さらに、そのようなグリコシル化を複数回行えば、三糖類や四糖類のビルディングブロックＢも調製可能である。また、このようなビルディングブロックＢは、ビルディングブロックＡとして生成した糖鎖を部分的に脱保護することでも調製可能である。糖鎖の結合は、β結合でもよく、α結合でもよく、Ｃ１－Ｃ３結合、Ｃ１－Ｃ４結合、Ｃ１－Ｃ５結合およびＣ１－Ｃ６結合のいずれの結合でもよい。

式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基の好ましい態様は、例えば下記のとおりである。

ビルディングブロックＢが、式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基を複数含むビルディングブロックの好ましい具体例は、下記のとおりである。表中、「Ｓｇ^１」は、式（２）で表されるビルディングブロック由来の１つ目の糖残基を表し、「Ｓｇ^２」は、式（２）で表されるビルディングブロック由来の２つ目の糖残基を表す。また、「Ｓｇ^１」および「Ｓｇ^２」の欄に記載の記号は、式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基の好ましい態様として示した具体例を示す。表中の化合物はそれぞれ、「Ｓｇ^１」欄に記載の部分構造と、「Ｓｇ^２」欄に記載の部分構造と、硫黄原子（*－Ｓ－*）と、「Ｓｂ」欄に記載の部分構造とが、順番にアスタリスク「*」の部分において結合した構造「Ｓｇ^１－Ｓｇ^２－Ｓ－Ｓｂ」を有する。なお、「Ｓｇ^１」欄に記載の部分構造において、結合に関与しないアスタリスクは水素原子に置き換え、「Ｓｇ^２」欄に記載の部分構造と「Ｓｂ」欄に記載の部分構造との間には、上記のとおり、硫黄原子を補うものとする。

＜＜電解質＞＞
本発明の製造方法において使用する電解質は、ビルディングブロックＡを反応中間体として活性化させることができれば、特に限定されないが、硫黄系アニオン（硫黄原子を含むアニオンを意味する。以下同じ。）、リン系アニオン、ホウ素系アニオンおよび塩素酸化物系アニオンの少なくとも１種を含む電解質であることが好ましく、硫黄系アニオンまたは塩素酸化物系アニオンを含む電解質であることがより好ましく、硫黄系アニオンを含む電解質であることがさらに好ましい。硫黄系アニオンは、例えば、スルファート系アニオン（ＸＳＯ_４ ^－：Ｘは任意の基）、スルホナート系アニオン（ＸＳＯ_３ ^－）およびフルオロスルホン酸系アニオン（フッ素を含有する硫黄酸化物のアニオン）などである。リン系アニオンは、例えば、ホスファート系アニオン（ＸＰＯ_４ ^－）、ホスホナート系アニオン（ＸＰＯ_３ ^－）、ホスフィナート系アニオン（ＸＰＯ_２ ^－）およびフルオロリン酸系アニオン（フッ素を含有するリン酸化物のアニオン）などである。ホウ素系アニオンは、例えば、ホウ酸系アニオン（ＸＢＯ_３ ^－）、ボロン酸系アニオン（ＸＢＯ_２ ^－）およびフルオロホウ酸系アニオン（フッ素を含有するホウ素酸化物のアニオン）などである。また、塩素酸化物系アニオンは、例えば、過塩素酸アニオン（パークロレートアニオン）（ＣｌＯ_４ ^－）、塩素酸アニオン（ＣｌＯ_３ ^－）および亜塩素酸アニオン（ＣｌＯ_２ ^－）などである。

上記電解質が硫黄系アニオンまたはリン系アニオンを含む電解質である場合には、これらのアニオンは、硫黄原子またはリン原子に結合するアルキル基（直鎖、分岐もしくは環状のいずれの構造でもよい。）、アリール基、フッ素原子または塩素原子を有することが好ましく、硫黄原子またはリン原子に結合する直鎖もしくは分岐のアルキル基またはフッ素原子を有することがより好ましい。上記アルキル基は、フッ素化されていることも好ましい。また、上記アルキル基の炭素数は、１～６であることが好ましく、１～４であることがより好ましく、１または２であることがさらに好ましい。

特に、上記電解質は、下記式（Ｅ１）で表されるアニオンを含むことが好ましい。
式（Ｅ１）
Ｘ^１Ｓ（＝Ｏ）_２（－Ｏ）^－

式（Ｅ１）において、Ｘ^１は、フッ素原子、塩素原子または直鎖もしくは分岐のアルキル基を表し、フッ素原子または直鎖もしくは分岐のフッ化アルキル基であることが好ましい。ここで、上記アルキル基の炭素数は、１～４であることが好ましく、１または２であることがより好ましく、１であることがさらに好ましく、上記フッ化アルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。特に、Ｘ^１は、フッ素原子、または、直鎖で炭素数１～４のパーフルオロアルキル基であることがより好ましく、フッ素原子またはトリフルオロメチル基であることがさらに好ましく、トリフルオロメチル基であることが特に好ましい。

式（Ｅ１）で表されるアニオンは、具体的には、トリフラートアニオン（ＣＦ_３ＳＯ_３ ^－）、フルオロスルホネートアニオン（ＦＳＯ^３－）およびノナフラートアニオン（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_３ ^－）などであり、トリフラートアニオンまたはフルオロスルホネートアニオンであることが好ましく、トリフラートアニオンであることがより好ましい。

一方、式（Ｅ１）で表されるアニオン以外のアニオンとしては、例えば、パークロレートアニオン（ＣｌＯ_４ ^－）、テトラフルオロボレートアニオン（ＢＦ_４ ^－）、および、テトラフェニル（Ｐｈ）ボレートアニオン（ＢＰｈ_４ ^－）などであり、パークロレートアニオン（ＣｌＯ_４ ^－）が好ましい。

また、本発明の製造方法において使用する電解質は、例えば、アンモニウム系、イミダゾリウム系、ピリジニウム系、ホスホニウム系などのカチオンを含むことができ、アンモニウム系またはホスホニウム系のカチオンを含むことが好ましく、特に、下記式（Ｅ２）で表される４級アンモニウム系または４級ホスホニウム系のカチオンを含むことが好ましい。
式（Ｅ２）
（Ｒ^Ｅ）_４（Ｘ^２）^＋

式（Ｅ２）において、Ｘ^２は、窒素原子またはリン原子であり、窒素原子であることが好ましい。

Ｒ^Ｅは、それぞれ独立して、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。Ｒ^Ｅは、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよく、すべて同一であることが好ましい。各Ｒ^Ｅは、互いに結合して環を形成してもよい。さらに、Ｒ^Ｅは、Ｃ_１～１０の炭化水素基またはＣ_１～１０のパーフルオロ炭化水素基であることが好ましい。

特に、Ｒ^Ｅは、アルキル基（直鎖、分枝もしくは環状のいずれの構造でもよい。）、フェニル基、ベンジル基、または、独立したアルキル鎖の数が１以上のアルキレンオキシ基であることが好ましい。上記アルキル基は、直鎖もしくは分枝のアルキル基であることが好ましく、上記アルキル基の炭素数は、１～８であることが好ましく、１～６であることがより好ましく、１～４であることがさらに好ましい。また、上記アルキレンオキシ基について、「独立したアルキル鎖」は、酸素原子によって隔てられた個々のアルキル鎖を意味し、例えば「ＣＨ_３ＯＣＨ_２」の場合には、独立したアルキル鎖の数は２である。独立したアルキル鎖の数は、１～１０であることが好ましく、２～８であることがより好ましい。個々のアルキル鎖の炭素数は、１～５であることが好ましく、２または３であることがより好ましい。Ｒ^Ｅは、上記炭化水素基のパーフルオロ化した基であることや、繰り返し数が２以上のポリアルキレングリコール基であることも好ましい。

Ｒ^Ｅは、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、メトキシメチル基、２－メトキシエトキシメチル基またはノナフルオロブチル基であることが好ましく、ブチル基であることがより好ましい。

式（Ｅ２）で表されるカチオンは、具体的には、テトラメチルアンモニウムカチオン（（ＣＨ_３）_４Ｎ^＋）、テトラブチルアンモニウムカチオン（（Ｃ_４Ｈ_９）_４Ｎ^＋）、ジメチル（ジメトキシメチル）アンモニウムカチオン（（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_３ＯＣＨ_２）_２Ｎ^＋）、テトラメチルホスホニウムカチオン（（ＣＨ_３）_４Ｐ^＋）、テトラブチルホスホニウムカチオン（（Ｃ_４Ｈ_９）_４Ｐ^＋）、および、テトラフェニルホスホニウムカチオン（Ｐｈ_４Ｐ^＋）などであり、テトラメチルアンモニウムカチオンまたはテトラブチルアンモニウムカチオンであることが好ましく、テトラブチルアンモニウムカチオンであることが特に好ましい。

そして、本発明の製造方法において使用する電解質は、好ましい態様としてそれぞれ例示した上記アニオンおよび上記カチオンを含むことが好ましい。上記アニオンおよび上記カチオンの好ましい組み合わせは、例えば、トリフラートアニオンおよびテトラブチルアンモニウムカチオンの組み合わせ、フルオロスルホネートアニオンおよびテトラブチルアンモニウムカチオンの組み合わせ、ならびに、パークロレートアニオンおよびテトラブチルアンモニウムカチオンの組み合わせなどであり、トリフラートアニオンおよびテトラブチルアンモニウムカチオンの組み合わせが好ましい。上記電解質は、１種単独でまたは２種以上の組み合わせでアニオンを含むことができ、１種単独でまたは２種以上の組み合わせでカチオンを含むこともできる。

本発明では、反応系において、糖供与体に対する糖受容体のモル比率は、１～３の範囲内であることが好ましく、１～１．２の範囲内であることがより好ましい。また、製造に際し反応液中に投与する、糖供与体に対する電解質のモル比率は、１．１～１０の範囲内であることが好ましく、２～５であることがより好ましい。

＜＜非プロトン性有機溶媒＞＞
非プロトン性有機溶媒は、プロトン（Ｈ^＋）を供与しにくく、電解質を溶解できる有機溶媒であれば、特段制限されないが、水酸基（－ＯＨ）、アミノ基（－ＮＨ_２、－ＮＨＲ。ここで、Ｒは有機基である。）およびニトロ基（－ＮＯ_２）を有しないことが好ましい。非プロトン性有機溶媒は、極性が比較的小さい非極性溶媒でも、極性が比較的大きい極性溶媒でもよい。非プロトン性有機溶媒のうち、非極性溶媒としては、例えば、ヘキサン、ベンゼンおよびトルエンのような炭化水素、対称性の高い構造を有するエーテル類（例えば、点対称構造を有するジエチルエーテルなど）、クロロホルムおよび塩化メチレンなどを使用でき、極性溶媒としては、例えば、アセトン、Ｎ-メチルピロリドン、酢酸エチル、アセトニトリル、上記以外のエーテル類（例えば、テトラヒドロフランなど）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などを使用できる。非プロトン性有機溶媒は、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、塩化メチレンおよびアセトニトリルの少なくとも１種を含むことが好ましく、塩化メチレンを含むことがより好ましい。非プロトン性有機溶媒は、１種単独で使用してもよく、２種以上の組み合わせで使用してもよい。

なお、非プロトン性有機溶媒は、反応液のｐＨや電解酸化時の電流密度の調整等を目的として、非プロトン性有機溶媒以外の溶媒を含んでもよい。このような溶媒としては、例えばプロトン性有機溶媒が挙げられる。プロトン性有機溶媒としては、アルコールおよびニトロメタンなどを使用でき、アルコールを使用することが好ましい。アルコールは、ヘキサフルオロイソプロパノールおよびトリフルオロエタノールの少なくとも１つであることが好ましい。非プロトン性有機溶媒以外の溶媒の含有量は、全溶媒量に対し０～５０質量％であることが好ましく、０～３０質量％であることがより好ましく、０～１０質量％であることがさらに好ましい。

＜＜電解酸化とグリコシル化＞＞
電解酸化とグリコシル化を実施する工程は、ビルディングブロックＡと電解液と非プロトン性有機溶媒を含む組成物（以下、「反応液」ともいう。）への通電工程ａ、ビルディングブロックＢと非プロトン性有機溶媒を含む組成物（以下、「添加液」ともいう。）の添加工程ｂ、および、これらビルディングブロックのグリコシル化の促進工程ｃを含み、これらの３工程を含むシーケンスを１サイクルとして、これを複数回実施することで、糖鎖をスケールアップすることができる。サイクルシーケンスの繰り返し回数は、特に限定されず、目的とする糖鎖の長さに応じて適宜決められる。例えば、単糖のビルディングブロックＡおよびＢを原料にして、三糖類の糖鎖を製造する場合には、サイクルを２回繰り返し、四糖類の糖鎖を製造する場合にはサイクルを３回繰り返せばよい。また、サイクルを繰り返す際に、添加するビルディングブロックＢの種類を変更してもよい。例えば、水酸基の保護基の種類を変更したり、水酸基が結合する炭素位置を変更したりできる。水酸基が結合する炭素位置の変更は、糖鎖の途中で結合方式を変更したい場合有用である。糖鎖の収率が向上する本発明の製造方法の有用性は、糖鎖伸長する際に顕著に表れ、成果物として三糖類以上の多糖類を得る場合であっても、従来に比して顕著に優れた収率を確保できる。

本発明において、糖鎖を伸長する際にはサイクルシーケンスを繰り返すという簡易的な操作で済むため、目的の糖鎖を構成する糖残基の個数は、特に限定されない。収率の低下や用途の観点からいえば、糖鎖を構成する糖残基の個数は、１０以下であることが好ましく、８以下であることがより好ましく、６以下であることが更に好ましく、５以下であることが特に好ましい。

さらに、これらの工程は、時間的に分離するように実施してもよく、一部重複するように実施してもよい。例えば、必要に応じて、反応液に通電しながらビルディングブロックＢを添加してもよく、ビルディングブロックＢを添加しながら昇温してもよい。収率向上の観点から、これらの工程は、時間的に分離して実施することが好ましい。

通電工程ａでは、糖供与体であるビルディングブロックＡが電解酸化により活性化し、反応中間体が生成しおよび蓄積される。通電強度は、特に限定されないが、概ね１～１００ｍＡであることが好ましく、２～２０ｍＡであることがより好ましく、４～１２ｍＡであることが更に好ましい。電気量は、原料のモル数や酸化電位等に応じて適宜決められるが、概ね、下限は０．７Ｆ／ｍｏｌ以上であることが好ましく、１．０Ｆ／ｍｏｌ以上であることがより好ましく、上限は３．０Ｆ／ｍｏｌ以下であることが好ましく、１．５Ｆ／ｍｏｌ以下であることがより好ましい。通電を行う際の反応液の温度は、－５０℃以下であることが好ましく、－６０℃以下であることがより好ましく、－７０℃以下であることが更に好ましい。この温度の下限は、例えば－１００℃以上であることが好ましく、－９０℃以上でもよい。

添加工程ｂでは、糖受容体であるビルディングブロックＢが反応液に添加される。反応液中のビルディングブロックＢの濃度は、０．１～２．０ｍｏｌ／Ｌであることが好ましく、０．２～０．５ｍｏｌ／Ｌであることがより好ましい。糖受容体の添加は、反応の均一性の観点から、所定の時間をかけてゆっくりと添加することが好ましい。添加液の添加速度は、例えば、０．１～２．０ｍＬ／ｍｉｎであることが好ましく、０．５～１．０ｍＬ／ｍｉｎであることがより好ましい。有機溶媒は、反応液に使用できる非プロトン性有機溶媒を使用することができ、反応液に実際に使用している溶媒と同種であることが好ましい。

促進工程ｃでは、反応液の温度が上げられた状態で一定時間保持することにより、電解酸化により活性化したビルディングブロックＡの活性部位とビルディングブロックＢの水酸基とが反応してグリコシル化が進行する。反応液を高温保持する際の温度は、例えば、－７０～－４０℃であることが好ましく、－６５～－４５℃であることがより好ましい。昇温速度および降温速度の大きさは、特に限定されないが、０．５～５℃／ｍｉｎであることが好ましく、１～３℃／ｍｉｎであることがより好ましい。

＜＜本発明の製造方法を実施するシステム等＞＞

本発明の製造方法は、電気化学的にグリコシル化反応を行うことから、作業時の安全性が確保される、金属酸化剤残渣等の有害廃棄物の発生がほとんどないなどの安全面・環境面で好ましい方法である。また、これと同時に、本発明の製造方法は、工業的生産方法として重要視されるコスト面においても有利な方法である。そして、本発明の製造方法は、液相電解自動合成システムを用いた立体選択的な糖鎖のワンポット合成に最適である。なお、糖鎖伸長における各段階で、生成物を単離したり精製したりするなどの一部の工程を、手動により実行することを妨げるものではない。また、糖鎖合成におけるすべての工程を手動で実行することも可能である。液相電解自動合成システムを用いて、糖鎖合成を実施する際には、事前に、ビルディングブロックＡと電解液と非プロトン性有機溶媒を含む組成物と、ビルディングブロックＢと非プロトン性有機溶媒を含む組成物とをキットとして、準備しておくことで、速やかに合成作業に取り掛かれる。

＜化合物＞
本発明の第１の化合物は、下記式（３）で表される化合物である。
式（３）

式（３）において、
Ａ^１は、炭素数４～８の環構造を表し、
Ｚ^１～Ｚ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は電子求引性基であり、Ｚ^１～Ｚ^５それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
Ｌ^１は、単結合または２価の連結基を表し、
Ｒ^１は、フタルイミド基、アジド基、（Ｃ_１～１０アルキルオキシ）_ｎ基（ｎは１～５の整数である。）、Ｃ_１～１０アルキルカルボニル基、Ｃ_１～１０アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ_１～１０アルキルアミド基またはトリＣ_１～５アルキルシロキシ基を表し、
Ｒ^２は、Ｃ_１～１０アルキル基、Ｃ_１～１０アルキルカルボニル基、（Ｃ_１～１０アルキルオキシ）_ｎ－Ｃ_１～１０アルキル基（ｎは１～４の整数である。）またはトリＣ_１～５アルキルシリル基を表し、
ｍ個のＲ^１およびｎ個のＲ^２は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｍは０以上の整数を表し、ｎは１以上の整数を表し、
ｍ＋ｎは、環構造Ａ^１の炭素数以下であり、
波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表し、
Ａ^１および硫黄原子の間の結合は、エクアトリアル配置である。

本発明の第２の化合物は、下記式（４）で表される化合物である。
式（４）

式（４）において、
Ａ^２は、炭素数４～８の環構造を表し、
Ｚ^６～Ｚ^１０は、それぞれ独立して、水素原子又は電子求引性基であり、Ｚ^６～Ｚ^１０それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
Ｌ^２は、単結合または２価の連結基を表し、
Ｒ^３は、フタルイミド基、アジド基、（Ｃ_１～１０アルキルオキシ）_ｎ基（ｎは１～５の整数である。）、Ｃ_１～１０アルキルカルボニル基、Ｃ_１～１０アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ_１～１０アルキルアミド基またはトリＣ_１～５アルキルシロキシ基を表し、
Ｒ^４は、水素原子、Ｃ_１～１０アルキル基、Ｃ_１～１０アルキルカルボニル基、（Ｃ_１～１０アルキルオキシ）_ｎ－Ｃ_１～１０アルキル基（ｎは１～４の整数である。）またはトリＣ_１～５アルキルシリル基を表し、ｑ個のＲ^４のうち少なくとも１つは水素原子であり、
ｐ個のＲ^３およびｑ個のＲ^４は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
ｐは０以上の整数を表し、ｑは１以上の整数を表し、
ｐ＋ｑは、環構造Ａ^２の炭素数以下であり、
波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表し、
Ａ^２および硫黄原子の間の結合は、エクアトリアル配置である。

式（３）において、環構造Ａ^１は、所望の部位でのグリコシド結合形成や用途等の観点から、環構造中の酸素原子は１つのみであることが有用であり、５つの炭素原子と１つの酸素原子を頂点として六員環を構成しているピラノース環、または、４つの炭素原子と１つの酸素原子を頂点として五員環を構成しているフラノース環を有することが好ましい。Ｒ^１について、好ましい態様については、式（１）におけるＲ^１と同様である。Ｒ^１は、置換基を有しないことが好ましく、特に、フタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基、ベンジルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、メトキシ基、エトキシ基、メトキシメチルオキシ基またはトリメチルシロキシ基であることが好ましい。

Ｌ^１は、単結合、または、置換基を有してもよいＣ_１～５アルキレン基であることが好ましく、単結合、メチレン基またはエチレン基であることがより好ましい。ｍは、１～３であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが更に好ましい。ｍ個のＲ^１は、それぞれ独立に上記有機基になることができ、ｍが２以上である場合には、互いに同種の有機基になってもよく、異種の有機基になってもよい。Ｒ^２は、式（１）におけるＲ^２と同様に、置換基を有しないことが好ましく、特に、メチル基、エチル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、ベンジル基（例えば、ｐ－メトキシベンジル基、ｐ－メチルベンジル基）、ベンゾイル基、トリメチルシリル基またはｔ－ブチルジメチルシリル基であることが好ましい。ｎは、２から「環構造Ａ^１の炭素数－２」までの整数であることが好ましく、２または３であることがより好ましい。ｎ個のＲ^２Ｏ－Ｌ^１は、それぞれ独立に上記有機基になることができ、ｎが２以上である場合には、同種の有機基になってもよく、異種の有機基になってもよい。

Ｚ^１～Ｚ^５の好ましい組み合わせは、例えば、式（１）におけるＺ^１～Ｚ^５と同様に、上記Ｓｂ－１～Ｓｂ－１８に表されている。また、式（３）で表されるビルディングブロックの好ましい具体例も、式（１）で表されるビルディングブロックの好ましい具体例（化合物Ｎｏ．Ｃａ－１～Ｃａ－８０）と同様であり、上記表に示されている。

式（４）において、環構造Ａ^２は、所望の部位でのグリコシド結合形成や用途等の観点から、環構造中の酸素原子は１つのみであることが有用であり、５つの炭素原子と１つの酸素原子を頂点として六員環を構成しているピラノース環、または、４つの炭素原子と１つの酸素原子を頂点として五員環を構成しているフラノース環を有することが好ましい。Ｒ^３について、好ましい態様については、式（１）におけるＲ^１と同様である。Ｒ^３は、置換基を有しないことが好ましく、特に、フタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基、ベンジルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、メトキシ基、エトキシ基、メトキシメチルオキシ基またはトリメチルシロキシ基であることが好ましい。

Ｌ^２は、単結合、または、置換基を有してもよいＣ_１～５アルキレン基であることが好ましく、単結合、メチレン基またはエチレン基であることがより好ましい。ｐは、１～３であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが更に好ましい。ｐ個のＲ^３は、それぞれ独立に上記有機基になることができ、ｐが２以上である場合には、互いに同種の有機基になってもよく、異種の有機基になってもよい。Ｒ^４は、式（１）におけるＲ^２と同様に、置換基を有しないことが好ましく、特に、メチル基、エチル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、ベンジル基（例えば、ｐ－メトキシベンジル基、ｐ－メチルベンジル基）、ベンゾイル基、トリメチルシリル基またはｔ－ブチルジメチルシリル基であることが好ましい。ｑは、２から「環構造Ａ^２の炭素数－２」までの整数であることが好ましく、２または３であることがより好ましい。ｑ個のＲ^４Ｏ－Ｌ^２は、それぞれ独立に上記有機基になることができ、ｑが２以上である場合には、同種の有機基になってもよく、異種の有機基になってもよい。

Ｚ^６～Ｚ^１０の好ましい組み合わせは、例えば、式（１）におけるＺ^１～Ｚ^５と同様に、上記Ｓｂ－１～Ｓｂ－１８に表されている。また、式（４）で表されるビルディングブロックの好ましい具体例も、式（２）で表されるビルディングブロックの好ましい具体例（化合物Ｎｏ．Ｃｂ－１～Ｃｂ－８０）と同様であり、上記表に示されている。

本発明の第３の化合物は、下記式（５）で表される化合物である。

式（５）

式（５）において、
Ｌ^３１およびＬ^３２は、それぞれ独立して、単結合、メチレン基またはエチレン基を表し、
Ｒ^９は、それぞれ独立して、フタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基、ベンジルオキシ基またはベンゾイルオキシ基を表し、
Ｒ^１０は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、ベンジル基またはベンゾイル基を表し、
ｘは、０～１０の整数を表し、
ｙ１およびｙ２は、それぞれ独立して、０～２の整数を表し、
ｚ１は、それぞれ独立して、２または３の整数を表し、
ｚ２は、２～４の整数を表し、
ｙ１＋ｚ１＝３、かつ、ｙ２＋ｚ２＝４であり、
波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す。

本発明の第３の化合物は、本発明の第１の化合物と第２の化合物をグリコシド反応させることにより生成できる。ｘは、上記したように、ビルディングブロックのグリコシル化の回数を増減することにより調整できる。オリゴ糖を生成する場合には、ｘは、概ね０～１０であり、０～７にすることもでき、さらに下限を１以上または２以上にすることもでき、上限を５以下、４以下または３以下にすることもできる。

Ｒ^９は、式（１）におけるＲ^１などと同様に、置換基を有しないことが好ましく、特に、フタルイミド基、アジド基、アセチルオキシ基、アセトアミド基、ベンジルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、メトキシ基、エトキシ基、メトキシメチルオキシ基またはトリメチルシロキシ基であることが好ましい。ｙ１およびｙ２はそれぞれ、１～３であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが更に好ましい。Ｒ^９は、それぞれ独立に上記有機基になることができ、ｙ１およびｙ２がそれぞれ２以上である場合には、互いに同種の有機基になってもよく、異種の有機基になってもよい。Ｒ^１０は、式（１）におけるＲ^２などと同様に、置換基を有しないことが好ましく、特に、メチル基、エチル基、アセチル基、トリメチルアセチル基、ベンジル基（例えば、ｐ－メトキシベンジル基、ｐ－メチルベンジル基）、ベンゾイル基、トリメチルシリル基またはｔ－ブチルジメチルシリル基であることが好ましい。ｚ１は、２または３までの整数であることが好ましく、２であることがより好ましい。ｚ２は、２～４までの整数であることが好ましく、３～４であることがより好ましく、３であることが更に好ましい。Ｒ^１０Ｏ－Ｌ^３１は、それぞれ独立に上記有機基になることができ、ｚ１およびｚ２がそれぞれ２以上である場合には、同種の有機基になってもよく、異種の有機基になってもよい。

硫黄原子および炭素原子の間の結合は、エクアトリアル配置であることが好ましい。

＜＜化合物の合成方法＞＞
本発明の第１の化合物は、「１位炭素－硫黄」の結合を有するチオグリコシドであり、例えば、グルコース等の所望の環構造を有する単糖と、所望のフェニル基を有するチオフェノールとを使用して、チオール基が単糖の１位炭素と結合するよう反応させることにより合成できる。このような単糖とチオフェノールは、所望の環構造と所望のフェニル基をそれぞれ有する化合物であれば、特段限定されず、そのような単糖とチオフェノールとしては市販の化合物をそれぞれ使用できる。単糖とチオフェノールとの反応は、単糖の水酸基をアセチル基等の保護基で保護してから、実施することが好ましい。あるいは、予め水酸基が保護された市販の単糖（例えば、ペンタ－Ｏ－アセチル－β－Ｄ－グルコピラノース、東京化成工業社製）を使用してもよい。本発明において、単糖とチオフェノールとを反応させる具体的な方法は、特段限定されず、公知の方法から適宜選択される。このような方法としては、例えば、非プロトン性有機溶媒中、トリフルオロボランエーテル錯体等のルイス酸の存在下で、単糖およびチオフェノールを反応させる方法がある。この反応の際の温度は、特段限定されないが、例えば、０～５０度に設定することが好ましい。このような方法により、１位炭素にチオフェノール残基が結合し、かつ水酸基のすべてまたはその一部が保護された単糖が得られる。また、このようにして得られた単糖のα体（硫黄原子がアキシアル配置にあるもの）とβ体（硫黄原子がエクアトリアル配置にあるもの）の分離方法も、特段限定されず、公知の方法から適宜選択される。

そして、本発明の第２の化合物は、上述した本発明の第１の化合物を出発原料として使用し、全てまたは選択的に一部の水酸基を脱保護することにより得られる。

本発明の第１の化合物および第２の化合物において、水酸基を保護する方法および脱保護する方法は、特段制限されず、脱水縮合反応、加水分解反応、酸化反応および還元反応等を利用した公知の方法（例えば、プロテクティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセシス第４版に記載されている方法）またはこれに準ずる方法から適宜選択することができる。特に、選択的に一部の水酸基を保護する方法および脱保護する方法は、かさ高い保護基を利用したり、異なる酸／塩基条件で付加または脱離する保護基の組み合わせを利用したり、ジオール等の多価の保護基で複数の水酸基を保護した後、一部のみ脱保護したりする方法等によって実施できる。選択的保護および脱保護の具体的な方法は、糖や保護基の種類に応じて異なるが、公知の方法から適宜選択すればよい。

以下に、単糖としてグルコピラノースを使用して合成された上記第１の化合物から、上記本発明の第２の化合物を得る場合について、選択的な無保護化処理の一例を説明する。まず、グルコピラノースの保護基を脱保護する。脱保護処理は、保護基の種類に応じて、公知の方法の中から適宜選択できる。例えば、保護基がアセチル基である場合には、適当な有機溶媒（例えば、メタノールなど）中において、酸性条件でのエステルの加水分解反応により、アセチル基を脱保護することができる。次いで、有機溶媒を留去した後、脱保護した単糖のアセトニトリル溶液を調製し、アセトニトリル溶液にベンズアルデヒドジメチルアセタールを室温（２３℃）で撹拌しながら添加する。これにより、単糖の４位と６位の水酸基がベンジリデンアセタール基により選択的に保護される。そして、アセトニトリルを留去して上記単糖の固形物を得て、塩化メチレンおよびピリジンの混合溶媒に上記固形物を溶かし、さらに、この溶液に、無水酢酸とＤＭＡＰ（４－ジメチルアミノピリジン）を添加し、これを室温で充分に撹拌する。これにより、３位の水酸基に保護基としてアセチル基が導入される。その後、上記溶液に、シアノ化ホウ素ナトリウム存在下にて、塩化水素を添加することにより、４，６－Ｏ－ベンジリデンアセタールが選択的に開環して、６位の水酸基が無保護の本発明の第２の化合物が得られる。

＜＜化合物の用途＞＞
本発明の上記化合物は、前述したように、糖鎖合成のビルディングブロックとして使用することができる。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。「部」および「％」は、特に述べない限り、質量基準である。
また、

＜実施例１＞
＜＜糖鎖合成の原料＞＞
使用した原料は下記のとおりである。

・糖供与体：下記に示すビルディングブロック１ａ（σ値の合計は０．２３である。）

・糖受容体：下記に示すビルディングブロック２ａ（σ値の合計は０．２３である。）

・電解質：テトラブチルアンモニウムトリフラート（Ｂｕ_４ＮＯＴｆ）
・非プロトン性有機溶媒：塩化メチレン（ＣＨ_２Ｃｌ_２）

＜＜各ビルディングブロックの合成＞＞
実施例に係るビルディングブロック１ａおよび２ａそれぞれの合成方法を、下記反応式（Ｓ３）を用いながら説明する。
３，４，６－トリ－Ｏ－アセチル－２－デオキシ－２－フタルイミド－β－Ｄ－グルコピラノシド（２３．９ｇ）と、４－クロロチオフェノール(８．７ｇ)と、トリフルオロボランエーテル錯体（１０．６ｇ）とを塩化メチレン（７４ｍＬ）に導入し、この反応溶液を５０℃に維持しながら４８時間撹拌することで、上記グルコピラノシドおよび上記チオフェノールを反応させた。その反応終了後、塩基（本実施例では飽和重曹水を使用した。）にて反応溶液を中和し、固体をセライトろ過にて除去し、酢酸エチルを用いた分液抽出を行うことにより、粗生成物を得た。その後、酢酸エチルを用いて単糖を再結晶させることで、ビルディングブロック１ａを無色の結晶として得た（反応式（Ｓ３）の第１段階、収率９８％、収量２７．５ｇ）。

次いで、このビルディングブロック１ａを出発原料として使用し、下記反応式（Ｓ３）に示した第２～第４段階を経て、ビルディングブロック２ａを合成した。まず、ビルディングブロック１ａ（２２．４ｇ）をメタノール（１３０ｍＬ）に溶かし、このメタノール溶液に、２．０Ｍ塩化水素ジエチルエーテル溶液（４０ｍＬ）を加え、室温にて１８時間撹拌した。この溶液から溶媒を減圧留去した後、残留物に対して真空乾燥処理を実施した。得られた白色固体をアセトニトリル溶媒（２１５ｍＬ）に加え、さらに、ベンズアルデヒドジメチルアセタール（２２ｍＬ）をこのアセトニトリル溶液に加え、これを室温にて４日間撹拌した。その後、溶媒留去後の固体をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 ヘキサン：酢酸エチル＝２：１）にて精製し、中間体１（１８．６ｇ）を得た（第２段階、収率８９％）。次に、中間体１（５２．９ｇ）を塩化メチレンおよびピリジンの混合溶媒（４５０ｍＬ、体積比で塩化メチレン：ピリジン＝３：１）に溶かし、これに無水酢酸（Ａｃ_２Ｏ、６１ｍＬ）とＤＭＡＰ（１．３ｇ）を添加して、３位の水酸基をアセチル化した。その後、酢酸エチルを用いて単糖を再結晶させることで、中間体２（５２．３ｇ、収率９１％）を得た（第３段階）。得られた中間体２（３．０ｇ）を、トリメチルシリルトリフラート（１．４ｍＬ）とボラン－ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）錯体（１４ｍＬ）の混合溶媒に加え、氷浴中にて混合溶媒を７時間撹拌した。その後、メタノールとトリエチルアミンを適量加えて反応を停止させ、固体をセライトろ過にて除去し、酢酸エチルを用いた分液抽出を行うことにより、粗生成物を得た。そして、シリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒は、体積比でヘキサン：酢酸エチル＝２：１の混合溶媒である。）にて精製することにより、ビルディングブロック２ａを得た（第４段階、収率６４％、収量１．９ｇ）。

反応式（Ｓ３）：

＜＜電解酸化とグリコシル化＞＞
図１は、実施例１における合成シーケンスの一部を示すグラフである。まず、Ｈ型ガラス分離膜付電解セル（片側１６ｍＬ）を加熱し、減圧乾燥し、その後、電解セル内をアルゴンで置換した。次いで、陽極と陰極にテトラブチルアンモニウムトリフラート（１．６ｍｍｏｌ、６２６ｍｇ）と塩化メチレン（１６ｍＬ）を電解セル内にそれぞれ加えた。そして、陽極にビルディングブロック１ａ（０．４０ｍｍｏｌ、２２５ｍｇ）を、陰極にトリフルオロメタンスルホン酸（０．８０ｍｍｏｌ、１２０ｍｇ）を加え、－８０℃に設定した低温バスを用いて電解セルを冷却し、反応液を撹拌した。

その約１０分後、電解セル内の通電（６．０ｍＡ）を開始し、電気量が１．０Ｆ／ｍｏｌとなるように１時間４７分の間通電を行った（図１の工程ａ）。通電終了後、シリンジポンプを用いて、ビルディングブロック２ａ（０．４０ｍｍｏｌ、２２７ｍｇ）の塩化メチレン溶液（１．０ｍＬ）の全量を１．０ｍＬ／ｍｉｎの速さで反応液に添加した（図１の工程ｂ）。添加作業が終了した後、低温バスの温度を２℃／ｍｉｎの速さで－５０℃へと昇温し、－５０℃を３０分間保持した後、２℃／ｍｉｎの速さで再度－８０℃へと降温した（図１の工程ｃ）。

そして、上記工程ａ～ｃを１サイクルとするシーケンスをもう１度繰り返した。サイクルシーケンスの終了後、トリエチルアミン（０．２０ｍＬ）を反応液に加えて反応を停止させ、約１０分間はそのままの温度で反応液を撹拌した。次いで、低温バスから電解セルを引き上げ、室温に戻ったことを確認した上で、両極の反応液をナスフラスコに移し、エバポレータと真空ポンプで反応液中の溶媒を留去した。そして、溶媒を用いてその留去後の残留物をシリカゲルカラムに通して１回目の精製を行った。このときの溶媒は、ヘキサン（Ｈｅｘａｎｅ）／酢酸エチル（ＥｔＯＡｃ）の混合物であり、これらの体積比は、初めに２：１であり、目的物の溶出が確認できたタイミングで途中から１：１に切り替えた。１回目の精製の後、エバポレータで溶液中の溶媒を留去し、真空乾燥を実施することで、粗生成物４５０ｍｇが得られた。さらに、再度、溶媒を用いてその粗生成物をシリカゲルカラムに通して２回目の精製を行った。このときの溶媒も、ヘキサン（Ｈｅｘａｎｅ）／酢酸エチル（ＥｔＯＡｃ）の混合物であり、これらの体積比は終始１：１とした。２回目の精製の後、エバポレータで溶液中の溶媒を留去し、真空乾燥を実施することで、目的の三糖（下記に示す化合物３ａ、０．２８ｍｍｏｌ、３９０ｍｇ）が得られた。このときの三糖３ａの収率は６９％であった。上記の反応を反応式（Ｓ４）に示した。

反応式（Ｓ４）：

以下に、上記三糖３ａについて実施したＮＭＲ測定の結果を示す。

＜比較例１＞
糖供与体および糖受容体として下記のビルディングブロックを使用した点以外は、実施例１と同様のシーケンスにより糖鎖合成を行った。その結果、下記に示す三糖３ｒ（０．０９４ｍｍｏｌ、１３１ｍｇ）が得られた。このときの三糖３ｒの収率は２４％であった。なお、ビルディングブロック１ｒおよび２ｒの合成は、４－クロロチオフェノールに替えて、４－フルオロチオフェノールを使用することにより、実施例１と同様の手順で実施した。

・糖供与体：下記に示すビルディングブロック１ｒ（σ値の合計は０．０６である。）

・糖受容体：下記に示すビルディングブロック２ｒ（σ値の合計は０．０６である。）

上記のとおり、本発明の糖鎖の製造方法により、液相法によるオリゴ糖の合成において、従来法よりも、立体選択された糖鎖の収率が向上することがわかる。特に、糖鎖合成においては、糖の付加するグリコシル化を繰り返すことで長い糖鎖が合成されるため、１サイクル当たりの収率は、糖鎖のスケールアップを図る際の収率に大きく影響する。したがって、本発明は、そのようなスケールアップを図る際に特に有用である。

Claims (14)

1. 下記式（１）で表されるビルディングブロック、および、下記式（１）で表されるビルディングブロック由来の糖残基と下記式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基とを含むビルディングブロックのうち、少なくとも１種のビルディングブロックであるビルディングブロックＡを、電解質を含む非プロトン性有機溶媒中で電解酸化し、
   下記式（２）で表されるビルディングブロック、および、下記式（２）で表されるビルディングブロック由来の糖残基を複数含むビルディングブロックのうち、少なくとも１種のビルディングブロックであるビルディングブロックＢと、電解酸化した前記ビルディングブロックＡとをグリコシル化することを含み、
   さらに電解酸化とグリコシル化のシーケンスを繰り返し、
   三糖類以上の直鎖の糖鎖を得る、糖鎖の製造方法；
   式（１）
   

   

   式（１）において、
   Ａ¹は、炭素数４～８の環構造を表し、
   Ｚ¹～Ｚ⁵は、それぞれ独立して、水素原子又は電子求引性基であり、Ｚ¹～Ｚ⁵それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
   Ｌ¹は、単結合または２価の連結基を表し、
   Ｒ¹およびＲ²は、それぞれ独立して１価の有機基を表し、
   ｍ個のＲ¹およびｎ個のＲ²は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
   ｍは０以上の整数を表し、ｎは１以上の整数を表し、
   ｍ＋ｎは、環構造Ａ¹の炭素数以下であり、
   波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表す；
   式（２）
   

   

   式（２）において、
   Ａ²は、炭素数４～８の環構造を表し、
   Ｚ⁶～Ｚ¹⁰は、それぞれ独立して、水素原子又は電子求引性基であり、Ｚ⁶～Ｚ¹⁰それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
   Ｌ²は、単結合または２価の連結基を表し、
   Ｒ³は、１価の有機基を表し、
   Ｒ⁴は、水素原子または１価の有機基を表し、ｑ個のＲ⁴のうち少なくとも１つは水素原子であり、
   ｐ個のＲ³およびｑ個のＲ⁴は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
   ｐは０以上の整数を表し、ｑは１以上の整数を表し、
   ｐ＋ｑは、環構造Ａ²の炭素数以下であり、
   波線は、それぞれ独立して、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表し、
   Ｚ¹～Ｚ⁵のうち少なくとも１つが塩素原子を表し、
   Ｚ⁶～Ｚ¹⁰のうち少なくとも１つが塩素原子を表す。
2. Ｚ¹～Ｚ⁵それぞれのハメットのσ値の合計が０．２以上であり、かつ、Ｚ⁶～Ｚ¹⁰それぞれのハメットのσ値の合計が０．２以上である、
   請求項１に記載の製造方法。
3. Ｚ¹～Ｚ⁵それぞれのハメットのσ値の合計が１．５以下であり、かつ、Ｚ⁶～Ｚ¹⁰それぞれのハメットのσ値の合計が１．５以下である、
   請求項１または２に記載の製造方法。
4. Ｚ¹～Ｚ⁵のうち、２つが塩素原子であって、それ以外が水素原子であり、
   Ｚ⁶～Ｚ¹⁰のうち、２つが塩素原子であって、それ以外が水素原子である、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の製造方法。
5. Ｚ¹～Ｚ⁵のうち、１つが塩素原子であって、それ以外が水素原子であり、
   Ｚ⁶～Ｚ¹⁰のうち、１つが塩素原子であって、それ以外が水素原子である、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の製造方法。
6. 式（１）で表されるビルディングブロックとして、下記式（１－２）で表されるビルディングブロックが使用される、
   請求項１～５のいずれか１項に記載の製造方法；
   式（１－２）
   

   

   式（１－２）において、
   Ｚ¹～Ｚ⁵は、それぞれ独立してハロゲン原子または１価の電子求引性基を表し、Ｚ¹～Ｚ⁵それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
   Ｌ¹は、それぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、
   Ｒ⁵およびＲ⁶は、それぞれ独立して１価の有機基を表し、
   Ｒ⁵およびＲ⁶は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
   ｔは、０～４の整数を表し、
   ｒは、それぞれ独立して０または１を表し、
   波線は、それぞれ独立に、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表し、
   Ｚ¹～Ｚ⁵のうち少なくとも１つが塩素原子を表し、
   Ｚ⁶～Ｚ¹⁰のうち少なくとも１つが塩素原子を表す。
7. ｔが０または１である請求項６に記載の製造方法。
8. 式（２）で表されるビルディングブロックとして、下記式（２－２）で表されるビルディングブロックが使用される、
   請求項１～７のいずれか１項に記載の製造方法；
   式（２－２）
   

   

   式（２－２）において、
   Ｚ⁶～Ｚ¹⁰は、それぞれ独立して水素原子または１価の電子求引性基を表し、Ｚ⁶～Ｚ¹⁰それぞれのハメットのσ値の合計が０．１２超であり、
   Ｒ⁷は、１価の有機基を表し、
   Ｒ⁸は、それぞれ独立して水素原子または１価の有機基を表し、
   Ｒ⁷およびＲ⁸は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよく、
   ｕは、０～４の整数を表し、
   ｒは、それぞれ独立して０または１を表し、
   Ｒ⁸（Ｏ）_rのうち少なくとも１つは水酸基であり、
   波線は、それぞれ独立に、エクアトリアルまたはアキシアルの立体配置にある結合を表し、
   Ｚ¹～Ｚ⁵のうち少なくとも１つが塩素原子を表し、
   Ｚ⁶～Ｚ¹⁰のうち少なくとも１つが塩素原子を表す。
9. ｕが０または１である請求項８に記載の製造方法。
10. Ｒ²が一価の水酸基の保護基であり、水素原子以外のＲ⁴がＲ²と同じ保護基である、
    請求項１～９のいずれか１項に記載の製造方法。
11. Ｚ³およびＺ⁸が塩素原子である、
    請求項１～１０のいずれか１項に記載の製造方法。
12. ビルディングブロックＡおよびＢが単糖である、
    請求項１～１１のいずれか１項に記載の製造方法。
13. Ｚ¹～Ｚ⁵のうち、１つが塩素原子であって、それ以外が水素原子であり、
    Ｚ⁶～Ｚ¹⁰のうち、１つが塩素原子であって、それ以外が水素原子であり、
    Ｚ³およびＺ⁸が塩素原子である、
    請求項１～１２のいずれか１項に記載の製造方法。
14. 前記電解酸化とグリコシル化のシーケンスを繰り返しは、電解酸化とグリコシル化を含む同じシーケンスを複数回繰り返すことである、請求項１～１３のいずれか１項に記載の製造方法。

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