JP7384012B2 - インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法 - Google Patents

Description

本開示は、インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法に関する。

半導体デバイス等の量産向けリソグラフィー技術の１つとして、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細凹凸パターンを備えた型部材（モールド）を用い、当該微細凹凸パターンを被成形樹脂に等倍転写するパターン形成技術である。インプリント方法においては、被転写基板の表面に供給されたインプリント樹脂に、微細凹凸パターンを有するモールドを接触させることでモールドと被転写基板との間にインプリント樹脂を展開させ、この状態で硬化させたインプリント樹脂からモールドを引き離すことにより、モールドの微細凹凸パターンを反転させた凹凸構造を有するパターン構造体が形成される。また、このパターン構造体をエッチングマスクとして被転写基板をエッチングすることもある。

モールドを用いたインプリントにおいて、モールドの微細凹凸パターンと同一面に形成されているアライメントマークを用いて、モールドと被転写基板との位置合わせが行われる。この位置合わせは、被転写基板の表面に供給されたインプリント樹脂にモールドを接触させ、モールドと被転写基板との間にインプリント樹脂を展開させながら行われるが、モールドの材質がインプリント樹脂の屈折率と近い場合、凹凸構造により構成されるアライメントマークにインプリント樹脂が充填されてしまうと、アライメントマークのコントラストが極めて小さくなってしまい、両者の位置合わせが困難になる。モールドと被転写基板との位置合わせを容易に行うために、アライメントマーク領域にインプリント樹脂が充填されないようにすることも考えられるが、硬化したインプリント樹脂をエッチングマスクとした被転写基板のエッチングを実施する場合には、被転写基板上においてインプリント樹脂でマスクされていないアライメントマーク領域が意図せずエッチングされてしまうこととなる。

アライメントマークにインプリント樹脂を充填させるとともにアライメントマークを容易に検出可能とすることを目的として、従来、微細凹凸パターンへのインプリント樹脂の充填速度よりもアライメントマークへのインプリント樹脂の充填速度が遅くなるように、凹凸パターンの凹部の寸法よりもアライメントマークの凹部の寸法が大きい、または微細凹凸パターンの凹部の深さよりもアライメントマークの凹部の深さが深いインプリントモールドが提案されている（特許文献１参照）。また、アライメントマークのコントラストを上げ、アライメントマークの検出を容易にすることを目的として、複数の凹凸構造を備えるアライメントマークの凹部に高コントラスト膜が形成されているインプリントモールドが提案されている（特許文献２参照）。

特開２０１１－１７６１３２号公報 特表２０１３－５１９２３６号公報

モールドがインプリント樹脂に接触した際にインプリント樹脂の各液滴が濡れ広がる領域だけではなく、当該領域に各液滴が濡れ広がる速度（モールドの微細凹凸パターンやアライメントマークへのインプリント樹脂の充填速度）等を考慮して、被転写基板上におけるインプリント樹脂の各液滴の配置を決定するのが望ましい。当該領域への各液滴の濡れ広がる速度が不均一になることにより、被転写基板上に形成されるパターン構造体（モールドの微細凹凸パターンが転写されたインプリント樹脂の硬化物）の残膜の厚さが面内で不均一となったり、インプリント樹脂の充填不良が生じたりすることにより、パターン寸法が不均一となったり、パターン欠陥が生じるおそれがある。

凹凸構造により構成されるアライメントマークの凹部に高コントラスト膜を形成することで、アライメントマークの凹部にインプリント樹脂が完全に充填されたとしても、モールドと被転写基板との位置合わせを容易に行うことができる。ここで、凹凸パターンにおけるインプリント樹脂の充填速度とアライメントマークにおけるインプリント樹脂の充填速度とを同一にするためには、アライメントマークの凹部の寸法を微細凹凸パターンの凹部の寸法と同一にすればよいのだが、微細凹凸パターンの寸法、すなわち微細凹凸パターンの凹部幅が小さくなるにつれ、高コントラスト膜を充分な厚みに形成することが困難となり、モールドと被転写基板との位置合わせが困難となるおそれがある。アライメントマーク部に形成する高コントラスト膜の膜厚を考慮し、アライメントマークの凹部の寸法を大きくすると、モールドの面内におけるインプリント樹脂の充填速度が不均一となってしまうおそれがある。

本開示は、上述のような実情を鑑みてなされたものであり、インプリント樹脂の充填性を改善することができ、かつ高コントラスト性を満たすことのできるアライメントマークを有するインプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法を提供することを一目的とする。

このような目的を達成するために、本開示の一実施形態として、第１面及び前記第１面に対向する第２面を有する基部と、前記基部の前記第１面に設定されるパターン領域に形成されているメイン凹凸構造と、前記基部の前記第１面に設定されるアライメント領域に形成されているアライメント用凹凸構造とを備え、被転写基板上に供給されたインプリント樹脂に前記メイン凹凸構造を転写するために用いられるインプリントモールドであって、前記アライメント用凹凸構造は、凹部及び凸部を含む第１アライメント用構造と、単一の凹部を含む第２アライメント用構造とを含み、前記基部に対する前記第２アライメント用構造の前記凹部のコントラストは、前記基部に対する前記第１アライメント用構造の前記凹部のコントラストよりも高く、前記第１アライメント用構造と前記被転写基板上に供給された前記インプリント樹脂とを接触させたときにおける前記第１アライメント用構造への前記インプリント樹脂の充填速度は、前記第２アライメント用構造と前記被転写基板上に供給された前記インプリント樹脂とを接触させたときにおける前記第２アライメント用構造への前記インプリント樹脂の充填速度よりも速く、前記第１アライメント用構造と、前記第２アライメント用構造とが互いに隣接するインプリントモールドが提供される。

少なくとも前記第２アライメント用構造の前記凹部には、前記基部を構成する材料と異なる材料により構成され、前記基部の光学特性と異なる光学特性を有する高コントラスト膜が設けられていてもよく、前記第１アライメント用構造の前記凹部に、前記高コントラスト膜を構成する材料と同一の材料が存在してもよく、前記高コントラスト膜の膜厚は、前記第２アライメント用構造の前記凹部の深さ以下であってもよく、前記高コントラスト膜の膜厚は、１ｎｍ～５０ｎｍであってもよく、少なくとも前記第２アライメント用構造の前記凹部には、前記基部の光学特性と異なる光学特性を有するイオン注入層が設けられていてもよい。

前記第１アライメント用構造は、少なくとも１つの前記凸部と、前記凸部に隣接する少なくとも１つの前記凹部とを含み、前記第２アライメント用構造は、単一の前記凹部を含んでいてもよい。

前記アライメント領域は、複数の第１アライメント領域を含み、前記第１アライメント領域には、前記第１アライメント用構造が形成されており、前記複数の第１アライメント領域のそれぞれの大きさは、互いに同一でもよいし、異なっていてもよく、前記アライメント領域は、複数の第２アライメント領域を含み、前記第２アライメント領域には、前記第２アライメント用構造が形成されており、前記複数の第２アライメント領域のそれぞれの大きさは、互いに同一でもよいし、異なっていてもよい。

前記第１アライメント用構造の寸法は、前記メイン凹凸構造の寸法と同一であってもよく、前記第２アライメント用構造の前記凹部の深さは、前記第１アライメント用構造の前記凹部の深さよりも深くてもよい。

本開示の一実施形態として、第１面及び前記第１面に対向する第２面を有する基部を準備する基部準備工程と、前記基部の前記第１面に設定されるパターン領域に凹部及び凸部を含むメイン凹凸構造を形成するとともに、前記基部の前記第１面に設定されるアライメント領域に凹部及び凸部を含む第１アライメント用構造と単一の凹部を含む第２アライメント用構造とを含むアライメント用凹凸構造を形成する凹凸構造形成工程と、前記基部に対する前記第１アライメント用構造の前記凹部のコントラストよりも前記基部に対する前記第２アライメント用構造の前記凹部のコントラストが高くなるようにコントラストを付与するコントラスト付与工程とを有し、前記第１アライメント用構造の寸法は、前記メイン凹凸構造の寸法と実質的に同一であって、前記第２アライメント用構造の寸法よりも小さく、前記凹凸構造形成工程において、前記第１アライメント用構造と前記第２アライメント用構造とが互いに隣接するように前記アライメント用凹凸構造を形成するインプリントモールドの製造方法が提供される。

前記コントラスト付与工程において、前記第２アライメント用構造の前記凹部の底面に、前記基部を構成する材料と異なる材料により構成され、前記基部と異なる光学特性を有する高コントラスト膜を形成してもよく、前記アライメント領域を露出させる開口部を有するマスクパターンが形成された前記基部の前記第１面に前記高コントラスト膜を構成する材料を堆積させることで、前記第２アライメント用構造の前記凹部の底面に前記高コントラスト膜を形成してもよく、前記第２アライメント用構造の前記凹部の底面にイオンを注入することで、前記第２アライメント用構造の前記凹部に、前記基部の光学特性と異なる光学特性を有するイオン注入層を形成してもよい。

前記第１アライメント用構造は、少なくとも１つの前記凸部と、前記凸部に隣接する少なくとも１つの前記凹部とを含み、前記第２アライメント用構造は、単一の前記凹部を含んでいてもよく、前記アライメント領域は、複数の第１アライメント領域を含み、前記凹凸構造形成工程において、前記第１アライメント領域に、前記第１アライメント用構造を形成し、前記複数の第１アライメント領域のそれぞれの大きさは、互いに同一でもよいし、異なっていてもよく、前記アライメント領域は、複数の第２アライメント領域を含み、前記凹凸構造形成工程において、前記第２アライメント領域に、前記第２アライメント用構造を形成し、前記複数の第２アライメント領域のそれぞれの大きさは、互いに同一でもよいし、異なっていてもよく、前記第１アライメント用構造は、前記メイン凹凸構造と同一の寸法で形成されてもよい。

前記凹凸構造形成工程は、前記基部の前記第１面にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの側壁に、前記メイン凹凸構造の凸部及び前記第１アライメント用構造の凸部に対応する側壁パターンを形成する工程と、前記側壁パターンをマスクとして前記基部をエッチングする工程とを含んでいてもよい。

本開示の一実施形態として、上記インプリントモールドを用いてインプリントする方法であって、前記被転写基板に前記インプリント樹脂の液滴を供給する工程と、前記被転写基板及び前記インプリントモールドを近接させて、前記インプリントモールド及び前記被転写基板の間に前記インプリント樹脂を展開させてインプリント樹脂層を形成するとともに、前記インプリントモールドの前記アライメント用凹凸構造を用いて、前記インプリントモールド及び前記被転写基板の位置合わせをする工程と、前記インプリント樹脂層を硬化させて前記メイン凹凸構造及び前記アライメント用凹凸構造が転写された被転写樹脂層を形成する工程と、前記被転写樹脂層から前記インプリントモールドを引き離す工程とを有するインプリント方法が提供される。

本開示によれば、インプリント樹脂の充填性を改善することができ、かつ高コントラスト性を満たすことのできるアライメントマークを有するインプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法を提供することができる。

図１は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの凹凸構造領域を概略的に示す平面図である。 図２は、図１に示すインプリントモールドのパターン領域の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図３は、図１に示すアライメント用凹凸構造の一態様を示す部分拡大切断端面図である。 図４Ａは、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の一態様を示す平面図である。 図４Ｂは、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す平面図である。 図４Ｃは、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す平面図である。 図４Ｄは、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す平面図である。 図４Ｅは、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す平面図である。 図４Ｆは、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す平面図である。 図４Ｇは、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す平面図である。 図４Ｈは、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す平面図である。 図５は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。 図６は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。 図７は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。 図８は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。 図９は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。 図１０は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。 図１１は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドのアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。 図１２Ａは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の一工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１２Ｂは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の一工程であって、図１２Ａに示す工程に続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１２Ｃは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の一工程であって、図１２Ｂに示す工程に続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１２Ｄは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の一工程であって、図１２Ｃに示す工程に続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１２Ｅは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の一工程であって、図１２Ｄに示す工程に続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１２Ｆは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の一工程であって、図１２Ｅに示す工程に続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１２Ｇは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の一工程であって、図１２Ｆに示す工程に続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１２Ｈは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の一工程であって、図１２Ｇに示す工程に続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１２Ｉは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の一工程であって、図１２Ｈに示す工程に続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１３Ａは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の他の態様の一工程であって、図１２Ｆに対応する工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１３Ｂは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の他の態様の一工程であって、図１２Ｉに対応する工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１４Ａは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の他の態様の一工程であって、図１２Ｆに続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１４Ｂは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の他の態様の一工程であって、図１４Ａに続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１４Ｃは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の他の態様の一工程であって、図１４Ｂに続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１５Ａは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の他の態様の一工程であって、図１２Ｆに続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１５Ｂは、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の他の態様の一工程であって、図１５Ａに続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１６Ａは、本開示の一実施形態におけるインプリント方法の一工程を概略的に示す切断端面図である。 図１６Ｂは、本開示の一実施形態におけるインプリント方法の一工程であって、図１２Ａに示す工程に続く工程を概略的に示す切断端面図である。 図１６Ｃは、本開示の一実施形態におけるインプリント方法の一工程であって、図１２Ｂに示す工程に続く工程を概略的に示す切断端面図である。 図１６Ｄは、本開示の一実施形態におけるインプリント方法の一工程であって、図１２Ｃに示す工程に続く工程を概略的に示す切断端面図である。

〔インプリントモールド〕
以下、本開示の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
当該図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりして示している場合がある。本明細書等において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。

図１は、本実施形態に係るインプリントモールドの凹凸構造領域を概略的に示す平面図であり、図２は、図１に示すインプリントモールドのパターン領域の凹凸構造の概略構成を示す部分拡大切断端面図であり、図３は、図１に示すアライメント領域のアライメント用凹凸構造の一態様を示す部分拡大切断端面図である。

図１及び図２、並びに図３に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド１は、第１面２ａ及び第１面２ａに対向する第２面２ｂを有する基部２を備える。基部２の第１面２ａには、凹凸構造領域Ａが設定されている。凹凸構造領域Ａは、パターン領域３と、アライメント領域４とを含む。パターン領域３には、インプリントモールド１を用いたインプリントによりパターン構造体を形成するためのメイン凹凸構造が形成されている。アライメント領域４には、アライメント用凹凸構造が形成されている。インプリントモールド１は、被転写基板上に供給されたインプリント樹脂にメイン凹凸構造を転写するために用いられる。

基部２は、インプリントモールド１の基材として一般的に用いられるものであればよく、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、少なくとも一部分に金属がドープされた上記基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等であればよい。なお、本実施形態において「透明」とは、インプリント樹脂を硬化させ得る波長の光を透過可能であることを意味し、波長１５０ｎｍ～４００ｎｍの光線の透過率が６０％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９５％以上である。

基部２の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状等が挙げられる。基部２が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板からなるものである場合、通常、基部２の平面視形状は略矩形状である。

基部２の大きさ（平面視における大きさ）も特に限定されるものではないが、基部２が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、基部２の大きさは１５２ｍｍ×１５２ｍｍ程度である。また、基部２の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ～１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。

本実施形態に係るインプリントモールド１は、基部２の第１面２ａから突出する凸構造部（図示省略）を有していてもよい。この場合において、凸構造部は、平面視において基部２の略中央に設けられていればよい。凸構造部の平面視における形状は、略矩形状であればよく、凸構造部の大きさは、インプリントモールド１を用いたインプリントを経て製造される製品等に応じて適宜設定されるものであり、例えば、２５ｍｍ×３０ｍｍ程度に設定される。本実施形態に係るインプリントモールド１が凸構造部を有する場合、メイン凹凸構造及びアライメント用凹凸構造はともに凸構造部の上面に形成されていればよい。

凸構造部の突出高さ（基部２の第１面２ａと凸構造部の上面との間の基部２の厚み方向に沿った長さ）は、本実施形態に係るインプリントモールド１が凸構造部を備える目的を果たし得る限り、特に制限されるものではなく、例えば、１０μｍ～１００μｍ程度に設定され得る。

基部２の第２面２ｂには、所定の大きさの窪み部が形成されていてもよい。窪み部が形成されていることで、本実施形態に係るインプリントモールド１を用いたインプリント時、特にインプリント樹脂との接触時やインプリントモールド１の剥離時に、基部２の第２面２ｂが吸着チャック等で保持された状態で窪み部に圧力を印加することにより、窪み部により形成された基部２における厚みの薄い部分（薄板部）のみを湾曲させることができる。その結果、凸構造部の上面とインプリント樹脂とを接触させるときに、凸構造部の上面に形成されているメイン凹凸構造とインプリント樹脂との間に気体が挟みこまれてしまうのを抑制することができ、また、インプリント樹脂にメイン凹凸構造が転写されて形成されるパターン構造体からインプリントモールド１を容易に剥離することができる。

窪み部の平面視形状は、略円形状であることが好ましい。略円形状であることで、インプリント時、特に凸構造部の上面とインプリント樹脂とを接触させるときやインプリント樹脂からインプリントモールド１を剥離するときに、インプリントモールド１の薄板部や、凸構造部の上面を、その面内において実質的に均一に湾曲させることができる。

窪み部の平面視における大きさは、窪み部を基部２の第１面２ａ側に投影した投影領域内に、凹凸構造領域Ａが包摂され得る程度の大きさである限り、特に制限されるものではない。当該投影領域が凹凸構造領域Ａを包摂不可能な大きさであると、凹凸構造領域Ａ全面を効果的に湾曲させることができないおそれがある。なお、インプリントモールド１が凸構造部を有する場合には、当該投影領域が当該凸構造部を包摂不可能な大きさとすればよい。

メイン凹凸構造の形状、寸法等は、本実施形態に係るインプリントモールド１を用いて製造される製品等にて要求される形状、寸法等に応じて適宜設定され得る。例えば、メイン凹凸構造の形状としては、ラインアンドスペース状、ピラー状、ホール状、格子状等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種であればよい。また、メイン凹凸構造の寸法は、特に制限されるものではないが、例えば、１０ｎｍ～２００ｎｍ程度に設定され得る。なお、メイン凹凸構造の寸法とは、メイン凹凸構造の形状がラインアンドスペース状である場合、ライン状の凸部及びスペース状の凹部のそれぞれの短手方向における長さを意味する。メイン凹凸構造の形状がピラー状又はホール状であって、ピラー状の凸部又はホール状の凹部の平面視における形状が略円形状である場合、メイン凹凸構造の寸法とは、当該略円形状の直径を意味し、平面視における形状が略正方形状である場合、当該略正方形状の一辺の長さを意味し、平面視における形状が略長方形状である場合、当該略長方形状の短辺の長さを意味する。また、メイン凹凸構造の凹部の寸法と凸部の寸法とは、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。

図３に示すように、アライメント領域４に形成されているアライメント用凹凸構造は、凹部７及び凸部８を含む第１アライメント用構造と、単一の凹部９を含む第２アライメント用構造とを備える。第１アライメント用構造は、アライメント領域４に含まれる第１アライメント領域５に形成されており、第２アライメント用構造は、第２アライメント領域６に形成されている。また、第１アライメント領域５と第２アライメント領域６とは隣接しているのが好ましい。

アライメント領域４の外郭形状は、特に限定されるものではなく、例えば、略方形状、略十字形状等であってもよい。アライメント領域４の外郭形状が略方形状である場合、アライメント領域４は、略方形状の第１アライメント領域５とその周囲を取り囲む第２アライメント領域６とを有していてもよいし（図４Ａ参照）、第１アライメント領域５と第２アライメント領域６とを交互に一方向に並列させた構成を有していてもよい。アライメント領域４の外郭形状が略十字形状である場合、アライメント領域４は、略長方形状の第１アライメント領域５と略長方形状の第２アライメント領域６とを交互に配列させた構成を有していてもよい（図４Ｂ、図４Ｃ参照）。図４Ｂ及び図４Ｃでは、第１アライメント領域５及び第２アライメント領域６を含むアライメント領域４が全体として十字形状を有するが、図４Ｄ及び図４Ｅに示すように、第１アライメント領域５は、さらに、その外周部（図４Ｄ及び図４Ｅにおける破線部で示されたアライメント領域４内の白地部分）に位置していてもよい。また、アライメント領域４は、長手方向における長さ及び短手方向における長さがすべて同一である略長方形状の第１アライメント領域５と略長方形状の第２アライメント領域６とをそれらの長手方向及び短手方向のそれぞれに沿って交互に並列させた構成を有していてもよいし（図４Ｆ、図４Ｇ参照）、略長方形状の第１アライメント領域５と略長方形状の第２アライメント領域６との短手方向に沿って見たときに、当該短手方向に沿って交互に並列する第１アライメント領域５及び第２アライメント領域６の短手方向の長さが同一であるが、第１アライメント領域５及び第２アライメント領域６の長手方向に沿って見たときに、当該長手方向に沿って並列する第１アライメント領域５及び第２アライメント領域６の短手方向における長さが異なるものでもよい（図４Ｈ参照）。

第１アライメント用構造の凹部７及び凸部８、並びに第２アライメント用構造の凹部９の形状は、特に限定されるものではない。例えば、第１アライメント用構造の凹部７及び凸部８は、第１アライメント領域５の任意の一方向に沿って伸びる複数の凹部７が当該一方向に交差する他方向に沿って隣接する凹部７間に凸部８を挟むようにして並列配置された形状を有していてもよいし、第１アライメント領域５の任意の一方向及びそれに交差する他方向のそれぞれに沿って凹部７及び凸部８が交互に並列配置された形状を有していてもよい。また、第２アライメント用構造の凹部９の形状は、第２アライメント領域６の形状に依存する。

第１アライメント用構造を構成する凹部７の寸法は、第２アライメント用構造の凹部９の寸法よりも小さい。これにより、第１アライメント用構造と被転写基板上に供給されたインプリント樹脂とを接触させたときにおける第１アライメント用構造の凹部７へのインプリント樹脂の充填速度を、第２アライメント用構造と転写基板上に供給されたインプリント樹脂とを接触させたときにおける第２アライメント用構造の凹部９へのインプリント樹脂の充填速度よりも速くすることができる。その結果として、インプリントモールド１の面内におけるインプリント樹脂の充填速度の不均一性を改善することができる。そして、第１アライメント用構造の凹部７の寸法と、第２アライメント用構造の凹部９の寸法とは、メイン凹凸構造と被転写基板上に供給されたインプリント樹脂とを接触させたときにおけるメイン凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度と、アライメント用凹凸構造と被転写基板上に供給されたインプリント樹脂とを接触させたときにおけるアライメント用凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度とが実質的に同一となるように設定されていればよい。第１アライメント用構造の凹部７の寸法と、第２アライメント用構造の凹部９の寸法とが上記のように設定されることで、凹凸構造領域Ａの全体におけるインプリント樹脂の充填速度を実質的に均一にすることができるため、インプリントモールド１を用いたインプリントにおいてパターン欠陥が発生するのを抑制することができる。なお、例えば、メイン凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度に対するアライメント用凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度の比が１：０.９～１.１程度であれば、両者の充填速度が実質的に同一であるということができる。

本実施形態において、第１アライメント領域５と第２アライメント領域６とが隣接しているのが好ましい。これにより、第２アライメント用構造と被転写基板上に供給されたインプリント樹脂とを接触させたときにおける第２アライメント用構造へのインプリント樹脂の充填が、隣接する第１アライメント用構造へのインプリント樹脂の充填によって促進され、第２アライメント用構造への充填速度をより速くすることができる。すなわち、インプリントモールドの面内におけるインプリント樹脂の充填速度の不均一を改善することができるとともに、インプリントのスループット向上を図ることができる。

第１アライメント用構造を構成する凹部７の寸法は、例えば、メイン凹凸構造の寸法程度であればよく、１０ｎｍ～２００ｎｍ程度であればよい。第２アライメント用構造を構成する凹部９の寸法は、例えば、２０ｎｍ～４００ｎｍ程度であればよく、好ましくは３０ｎｍ～２００ｎｍ程度であればよい。第２アライメント用構造の凹部９の寸法が３０ｎｍ未満であると、凹部９の底面に高コントラスト膜１０やイオン注入層１１が形成されていたとしても、インプリントモールド１と被転写基板との位置合わせ時にアライメント用凹凸構造を検出するのが困難となるおそれがある。

第１アライメント用構造を構成する凸部８の寸法は、例えば、メイン凹凸構造の寸法程度あればよく、１０ｎｍ～２００ｎｍ程度であればよい。なお、本実施形態においては、第１アライメント用構造の凹部７の寸法は、メイン凹凸構造の凹部の寸法と実質的に同一であってもよいし、異なっていてもよく、第１アライメント用構造の凸部８の寸法は、メイン凹凸構造の凸部の寸法と実質的に同一であってもよいし、異なっていてもよい。好ましくは、第１アライメント用構造の凹部７の寸法とメイン凹凸構造の凹部の寸法とが実質的に同一であるか、第１アライメント用構造の凸部８の寸法とメイン凹凸構造の凸部の寸法とが実質的に同一であればよい。特に好ましくは、第１アライメント用構造の凹部７の寸法とメイン凹凸構造の凹部の寸法とが実質的に同一であり、かつ第１アライメント用構造の凸部８の寸法とメイン凹凸構造の凸部の寸法とが実質的に同一であればよい。なお、凹部や凸部の寸法が実質的に同一であるとは、例えば製造誤差等により、対比する２つの凹部や凸部の寸法が異なっていることを許容する趣旨であり、例えば、対比する２つの凹部や凸部の寸法差が±５ｎｍの範囲内であればよい。

本実施形態において、基部２に対する第２アライメント用構造の凹部９のコントラストは、基部２に対する第１アライメント用構造の凹部７のコントラストに対して高い。例えば、少なくとも第２アライメント用構造の凹部９の底面には、基部２を構成する材料と異なる材料により構成され、基部２の光学特性（透過率や反射率）と異なる光学特性を有する高コントラスト膜１０が設けられていてもよい（図３参照）。本実施形態においては、メイン凹凸構造とアライメント用凹凸構造とにおけるインプリント樹脂の充填性（充填速度）が実質的に同一となるため、インプリントモールド１と被転写基板との位置合わせが完了する前にアライメント用凹凸構造にインプリント樹脂が完全に充填されてしまうおそれがあるが、第２アライメント用構造の凹部９の底面に高コントラスト膜１０が設けられていることで、アライメント用凹凸構造にインプリント樹脂が完全に充填されてしまったとしても、インプリントモールド１と被転写基板との位置合わせを容易に行うことができる。なお、基部２に対する第１アライメント用構造の凹部７のコントラストとは、第１アライメント用構造の凹部７の光学特性（透過率や反射率）が基部２の光学特性（透過率や反射率）と異なる場合における当該光学特性の差異のみならず、両者の光学特性（透過率や反射率）が同一の場合における当該光学特性の差異（透過率や反射率の差異がゼロ）も含む概念である。両者の光学特性が同一とは、アライメント装置の光学系で凹部７を検出困難又は検出不可能な程度に両者の光学特性が異なっている場合も含むものとする。

高コントラスト膜１０を構成する材料（高コントラスト材料）は、特に限定されるものではないが、基部２を構成する材料と異なっていればよく、基部２に対して異なる透過率や反射率等の光学特性を有する高コントラスト膜１０を形成可能な材料であればよい。高コントラスト材料は、好ましくは、基部２に対する高コントラスト膜１０のコントラストが基部２に対する第１アライメント用構造の凹部７のコントラストよりも高くなる材料であればよい。例えば、金属材料及びその酸化物、窒化物、酸窒化物等を１種以上含むものを挙げることができる。金属材料の具体例としては、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）等が挙げられる。高コントラスト膜１０の膜厚は、第２アライメント用構造の凹部９の深さ以下であればよく、十分なコントラストを得ることのできる程度であり、かつ第２アライメント用構造の凹部９に充填されたインプリント樹脂を硬化させ得る程度に光（ＵＶ）を透過可能な程度であればよい。例えば、高コントラスト膜１０の膜厚は、１ｎｍ以上、好ましくは３ｎｍ～５０ｎｍ程度であればよい。高コントラスト膜１０の膜厚が１ｎｍ未満であると、ピンホールが形成されてしまったり、インプリントモールド１と被転写基板との位置合わせ時に当該高コントラスト膜１０（アライメント用凹凸構造）を認識（検出）することが困難となったりするおそれがあり、５０ｎｍを超えると、第２アライメント用構造の凹部９に充填されたインプリント樹脂を硬化させ難くなるおそれがある。なお、凹部９の「深さ」とは、当該凹部９に隣接する第１アライメント用構造の凸部８の上面 から第２アライメント用構造の凹部９の底面までの長さ（基部２の厚さ方向における長さ）のことを意味する。

図５は、アライメント領域４に形成されているアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。図５に示す態様においては、第１アライメント用構造の凹部７の底面に、高コントラスト膜１０を構成する高コントラスト材料と同一の材料が存在していてもよい。この場合において、第１アライメント用構造の凹部７の底面に、当該高コントラスト材料が部分的に材料が存在又は点在していてもよいし、当該高コントラスト材料からなる薄膜１０´が存在していてもよい。第１アライメント用構造の凹部７の底面に形成されている薄膜１０´の膜厚は、高コントラスト膜１０の膜厚よりも薄くてもよいし、両者の膜厚が実質的に同一であってもよい。薄膜１０´の膜厚が高コントラスト膜１０の膜厚よりも薄い場合において、当該薄膜１０´の膜厚は、インプリントモールド１と被転写基板との位置合わせ時に当該薄膜１０´を検出可能な程度の膜厚（例えば１ｎｍ以上）であってもよいし、検出困難な程度の膜厚（例えば１ｎｍ未満）であってもよい。なお、膜厚が実質的に同一であるとは、両者（高コントラスト膜１０及び薄膜１０´）の膜厚の差分が、高コントラスト膜１０の膜厚に対して±２０％以内であることを意味する。

図６は、アライメント領域４に形成されているアライメント用凹凸構造の他の様態を示す部分拡大切断端面図である。図６に示すように、少なくとも第２アライメント用構造の凹部９の底面には、イオン注入により基部２の光学特性（透過率や反射率）と異なる光学特性を有するイオン注入層１１が設けられていてもよい。本実施形態においては、メイン凹凸構造とアライメント用凹凸構造とにおけるインプリント樹脂の充填性（充填速度）が実質的に同一となるため、インプリントモールド１と被転写基板との位置合わせが完了する前にアライメント用凹凸構造にインプリント樹脂が完全に充填されてしまうおそれがあるが、第２アライメント用構造の凹部９の底面に基部２の光学特性と異なる光学特性を有するイオン注入層１１が設けられていることで、アライメント用凹凸構造がインプリント樹脂に完全に充填されてしまったとしても、インプリントモールド１と被転写基板との位置合わせを容易に行うことができる。

基部２の透過率や反射率等の光学特性と異なる光学特性を有するイオン注入層１１は、第２アライメント用構造の凹部９の底面にイオンを注入することにより形成される層である。注入されるイオンとしては、特に限定されるものではなく、例えば、リン（Ｐ）イオン、アンチモン（Ｓｂ）イオン、窒 素（Ｎ）イオン、ホウ素（Ｂ）イオン、アルミニウム（Ａｌ）イオン、ガリウム（Ｇａ）イオン、インジウム（Ｉｎ ）イオン、ケイ素（Ｓｉ）イオン、鉛（Ｐｂ）イオン、アルゴン（Ａｒ）イオン、キセノン（Ｘｅ）イオン、クロム（Ｃｒ）イオン、モリブデン（Ｍｏ）イオン、タンタル（Ｔａ）イオン、タングステン（Ｗ）イオン等が挙げられる。凹部９の底面へのイオンの注入量は、第２アライメント用構造の凹部９が第１アライメント用構造の凹部７に対して十分なコントラストを得ることのできる程度であり、かつ第２アライメント用構造の凹部９に充填されたインプリント樹脂を硬化させ得る程度に光（ＵＶ）を透過可能な程度であればよい。注入されるイオンがリンイオン（Ｐ）ある場合、単位面積（１cｍ^２）当たりのイオン注入量は、例えば５×１０^１０～１×１０^１８ｉｏｎｓ／cｍ^２程度であればよい。５×１０^１０ｉｏｎｓ／cｍ^２未満では、エッチング速度向上の効果が小さくなるおそれがあり、１×１０^１８ｉｏｎｓ／cｍ^２を超えると、基部２の透過率低下のおそれが生じるおそれがある。

なお、第１アライメント用構造の凹部７の底面にもイオンが注入されていてもよいが、基部２に対する第２アライメント用構造の凹部９のコントラストは、基部２に対する第１アライメント用構造の凹部７のコントラストに対して高いコントラストを有していればよい。本実施形態において、第１アライメント用構造の凹部７の大きさ（幅）よりも第２アライメント用構造の凹部９の大きさ（幅）の方が大きいため、凹部９にはイオンが注入されやすいが、それに対して凹部７にはイオンが注入され難いと推察される。そのため、第１アライメント用構造の凹部７と第２アライメント用構造の凹部９との間に十分なコントラストが付与されると考えられる。なお、第１アライメント用構造の凹部７と第２アライメント用構造の凹部９との間のコントラストは、一般的なインプリント装置に付随するアライメント装置の光学系により判別可能な程度であればよい。

図７は、アライメント領域４に形成されているアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。図３に示す態様において、第１アライメント領域５に形成されている第１アライメント用構造は、複数の凸部８を有するとともに、隣接する凸部８の間に位置する凹部７を複数有しているが、図７に示すように、第１アライメント用構造は、２つの凸部８との間に位置する１つの凹部７を含んでいてもよく、第２アライメント領域６に形成されている第２アライメント用構造は、単一の凹部９を含む。

図８は、アライメント領域４に形成されているアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。図８に示すように、第１アライメント領域５は、互いに大きさ（幅）の異なる複数の第１アライメント領域５ａ，５ｂ，５ｃを含んでいてもよい。各第１アライメント領域５ａ，５ｂ，５ｃには、第１アライメント用構造が形成されており、各第１アライメント領域５ａ，５ｂ，５ｃに形成されている第１アライメント用構造へのインプリント樹脂の充填速度は、第２アライメント領域６に形成されている第２アライメント用構造へのインプリント樹脂の充填速度よりも速く、アライメント用凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度は、メイン凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度と実質的に同一である。

図９は、アライメント領域４に形成されているアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。図９に示すように、第２アライメント領域６は、互いに大きさ（幅）の異なる複数の第２アライメント領域６ａ，６ｂ，６ｃを含んでいてもよい。各第２アライメント領域６ａ，６ｂ，６ｃには、第２アライメント用構造が形成されており、各第２アライメント領域６ａ，６ｂ，６ｃに形成されている第２アライメント用構造へのインプリント樹脂の充填速度は、第１アライメント領域５に形成されている第１アライメント用構造へのインプリント樹脂の充填速度よりも遅く、アライメント用凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度は、メイン凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度と実質的に同一である。各第２アライメント領域６ａ，６ｂ，６ｃに形成されている第２アライメント用構造の凹部９の底面には、高コントラスト膜１０が形成されていればよい。なお、第２アライメント用構造の凹部９の底面には、高コントラスト膜１０に代えてイオン注入層１１（図６参照）が設けられていてもよい。

図１０は、アライメント領域４に形成されているアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。図１０に示す態様において、第１アライメント領域５は、互いに大きさ（幅）の異なる複数の第１アライメント領域５ｄ，５ｅ，５ｆを含んでいてもよく、第２アライメント領域６は、互いに大きさ（幅）の異なる複数の第２アライメント領域６ｄ，６ｅ，６ｆを含んでいてもよい。各第１アライメント領域５ｄ，５ｅ，５ｆには、第１アライメント用構造が形成されており、各第２アライメント領域６ｄ，６ｅ，６ｆには、第２アライメント用構造が形成されている。各第２アライメント領域６ｄ，６ｅ，６ｆに形成されている第２アライメント用構造へのインプリント樹脂の充填速度は、各第１アライメント領域５ｄ，５ｅ，５ｆに形成されている第１アライメント用構造へのインプリント樹脂の充填速度よりも遅く、アライメント用凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度は、メイン凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度と実質的に同一である。各第２アライメント領域６ｄ，６ｅ，６ｆに形成されている第２アライメント用構造の凹部９の底面には、高コントラスト膜１０が形成されていればよい。なお、第２アライメント用構造の凹部９の底面には、上記高コントラスト膜１０に代えてイオン注入層１１（図６参照）が設けられていてもよい。

図１１は、アライメント領域４に形成されているアライメント用凹凸構造の他の態様を示す部分拡大切断端面図である。図１１に示す態様において、第２アライメント用構造の凹部９の深さは、第１アライメント用構造の凹部７の深さよりも深い。なお、凹部７の「深さ」とは、第１アライメント用構造の凸部８の上面から凹部７の底面までの長さ（基部２の厚さ方向における長さ）のことを意味する。凹部９の深さを凹部７の深さよりも深くすることで、たとえ、第１アライメント用構造の凹部７の深さが、アライメントを行うにあたり充分なコントラストを得るために必要な高コントラスト膜厚に満たない場合であっても、第２アライメント用構造の凹部９に高コントラストを得るために必要な厚さの高コントラスト膜を形成することができる。

〔インプリントモールドの製造方法〕
本実施形態におけるインプリントモールドの製造方法は、基材準備工程、凹凸構造形成工程、コントラスト付与工程を有している。本実施形態におけるインプリントモールドの製造方法を、図３Ａに示すインプリントモールド１を製造する場合を例として、図１２Ａ～図１２Ｉを参照しながら説明する。

［基材準備工程］
基材準備工程では、第１面２ａ´及び第１面２ａ´に対向する第２面２ｂ´を有する基材２´を準備する。基材２´は、インプリントモールド１の基材として一般的に用いられるものであればよく、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、少なくとも一部分に金属がドープされた上記基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等であればよい。

［凹凸構造形成工程］
次に、基材２´の第１面２ａ´上に設定されるパターン領域３に、凹部及び凸部を含むメイン凹凸構造に対応するレジストパターン（図示省略）を形成するとともに、基材２´の第１面２ａ´に設定されるアライメント領域４に、凹部及び凸部を含むアライメント用凹凸構造に対応するレジストパターン２１を形成する（図１２Ａ参照）。レジストパターン２１は、例えば、モールドを用いたインプリントリソグラフィー、電子線描画装置を用いた電子線リソグラフィー、所定の開口部及び遮光部を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー等により形成され得る。レジストパターン２１は、後述する側壁パターン２４を形成するための芯材２２としての役割を果たすものである。

側壁パターン２４は、後述する工程（図１２Ｆ参照）において基材２´をエッチングするためのエッチングマスクとしての役割を果たす。そのため、側壁パターン２４の高さ（厚さ）は、側壁パターン２４及び基材２´のそれぞれを構成する材料のエッチング選択比等に応じ、基材２´のエッチング処理中に側壁パターン２４が消失しない程度の高さ（厚さ）であることが要求される。

一方で、芯材２２は、レジストパターン２１をエッチング処理に付することでスリミングして形成されるため、芯材２２の高さ（厚さ）は、レジストパターン２１の高さ（厚さ）よりも低く（薄く）なる。したがって、レジストパターン２１の高さ（厚さ）は、後述する芯材形成工程におけるスリミング量等を考慮して、側壁パターン２４に要求される高さ（厚さ）よりも高く（厚く）しておく必要がある。

次に、基材２´の第１面２ａ´上に形成されたレジストパターン２１に対しスリミング処理を施して、当該レジストパターン２１を細らせた芯材２２を形成する（図１２Ｂ参照）。レジストパターン２１のスリミング処理は、例えば、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、それらの組み合わせ等により実施することができる。

レジストパターン２１のスリミング量は、特に限定されるものではないが、インプリントモールド１のメイン凹凸構造の凹部の寸法や第１アライメント用構造の凹部７の寸法がレジストパターン２１のスリミング処理により形成される芯材２２の寸法に依存するため、当該メイン凹凸構造の凹部や第１アライメント用構造の凹部７の寸法に応じてレジストパターン２１のスリミング量を設定すればよい。通常、芯材２２の寸法がレジストパターン２１の約半分となるように、スリミング量が設定される。

続いて、芯材２２を含む基材２´の第１面２ａ´の全面に、側壁パターン２４を形成するための側壁材料膜２３を形成し（図１２Ｃ参照）、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等の異方性エッチングによりエッチバックして、芯材２２（レジストパターン２１）の側壁に側壁パターン２４を形成する（図１２Ｄ参照）。

側壁材料膜２３は、例えば、シリコン系材料（シリコン酸化物等）の側壁材料をＡＬＤ法（Atomic Layer Deposition）、ＣＶＤ法、スパッタリング法等の従来公知の成膜法により堆積させることで形成され得る。本実施形態においては、芯材２２の構成材料としてレジスト材料（インプリント樹脂、電子線レジスト、フォトレジスト等）が用いられるため、より低温で成膜可能であり、かつ原子層レベルで膜厚コントロールが可能なＡＬＤ法により側壁材料膜２３を形成するのが望ましい。

側壁材料膜２３のエッチバックにより形成される側壁パターン２４は、基材２´のエッチングマスクとして用いられるものであるため、側壁パターン２４の高さは、基材２´を構成する材料に対応したエッチング選択比等を考慮して適宜設定される。

その後、側壁パターン２４が形成された芯材２２をアッシング（酸素含有ガスを用いたプラズマアッシング等）により除去する（図１２Ｅ参照）。これにより、芯材２２のみが除去され、基材２´の第１面２ａ´上に側壁パターン２４を残存させることができる。なお、側壁パターン２４は、基材２´の第１面２ａ´に形成されたＣｒ等により構成されるハードマスク層（図示省略）上に形成されてもよい。この場合において、側壁パターン２４の高さは、ハードマスク層を構成する材料に対応したエッチング選択比等を考慮して適宜設定されればよい。

続いて、側壁パターン２４をマスクとして基材２´をエッチングする（図１２Ｆ参照）。これにより、メイン凹凸構造とアライメント用凹凸構造（凹部７、凸部８及び凹部９）とが同時に形成される。なお、図１２Ｆに示す例においては、第１アライメント用構造の凹部７の深さと第２アライメント用構造の凹部９の深さとは同一であるが、凹部７の寸法が微細（例えば１０ｎｍ～３０ｎｍ程度）であり、かつ凹部７と凹部９との寸法差が大きい（例えば２０ｎｍ程度以上）ことで、エッチング条件を適宜選択し積極的にマイクロローディング効果を利用することにより、第２アライメント用構造の凹部９の深さが第１アライメント用構造の凹部７の深さよりも大きくすることができる（図１３Ａ参照）。

［コントラスト付与工程］
次いで、第２アライメント用構造の凹部９を露出させるような開口部を有するレジストパターン２５を基材２´の第１面２ａ´に形成し（図１２Ｇ参照）、高コントラスト膜１０を構成する高コントラスト材料１０１を堆積させ、当該レジストパターン２５の開口部から露出する凹部９の底面に高コントラスト膜１０を形成する(図１２Ｈ参照)。高コントラスト膜１０を形成する方法としては、従来公知の成膜法（例えば、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、スパッタリング法 等）を採用すればよい。

最後に、レジストパターン２５を除去する（図１２Ｉ、図１３Ｂ参照）。これにより、本実施形態に係るインプリントモールド１（図３等を参照）が製造され得る。なお、凹部９の底面に高コントラスト膜１０を形成する際に、レジストパターン２５は少なくともメイン凹凸構造を被覆していればよく、凹部７を被覆していなくてもよい。この場合において、高コントラスト膜１０を構成する高コントラスト材料１０１が凹部７の底面にも堆積し得る。

コントラスト付与工程では、第２アライメント用構造の凹部９を露出させるような開口部を有するレジストパターン２５を基材２´の第１面２ａ´に形成し、高コントラスト膜１０を構成する材料１０１を堆積させ、当該レジストパターン２５の開口部から露出する凹部９の底面に高コントラスト膜１０を形成する様態を主に例示して説明したが、この様態に限定されるものではない。例えば、高コントラスト膜１０の堆積条件を最適化することで、凹部７の底面には高コントラスト膜１０１を堆積させずに、凹部９の底面にのみ高コントラスト膜１０を形成し(図１４Ａ参照)、レジストパターン２５を基材２´の第１面２ａ´に形成し(図１４Ｂ参照)、第１アライメント領域５の凸部８の上面が現れるまで凹部８上のレジストパターン２５及び高コントラスト膜１０１を除去し（図示せず）、その後、第２アライメント領域６に残存するレジストパターン２５を除去してもよい（図１４Ｃ参照）。なお、凹部９の底面に高コントラスト膜１０を形成する際に、高コントラスト膜１０を構成する高コントラスト材料１０１が凹部７にも堆積させてもよい。この場合、凹部７の底面に堆積する高コントラスト膜１０を構成する高コントラスト材料１０１の堆積量よりも凹部９の底面の高コントラスト膜１０の膜厚の方が大きいことが好ましい。

コントラスト付与工程において、第２アライメント用構造の凹部９の底面に高コントラスト膜１０を形成する様態を例に挙げて説明したが、この様態に限定されるものではなく、第２アライメント用構造の凹部９の底面に、基部２の光学特性と異なる光学特性を有するイオン注入層１１を形成してもよい。第２アライメント用構造の凹部９のみが開口しているステンシルマスク２６を用いることで、第２アライメント用構造の凹部９の底面にのみ選択的にイオン１１１を注入し（図１５Ａ参照）、ステンシルマスク２６を除去することで、第２アライメント用構造の凹部９にのみイオン注入層１１が形成され得る（図１５Ｂ）。図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、ステンシルマスク２６を用いることで第２アライメント用構造の凹部９にのみ選択的にイオン注入層１１を形成することができ、第２アライメント用構造の凹部９の底面に高コントラスト膜１０を形成するよりも製造工程を簡略化でき、また、異物の発生を低減し得る。

〔インプリント方法〕
本実施形態におけるインプリント方法を図１に示すインプリントモールド１を用いる場合を例として説明する。図１６Ａ～図１６Ｄは、本実施形態におけるインプリント方法の各工程を概略的に示す切断端面図である。

本実施形態におけるインプリント方法は、本実施形態に係るインプリントモールド１（図１～１１参照）を用いて、被転写基板上に供給されたインプリント樹脂にメイン凹凸構造を転写する方法であって、樹脂供給工程、位置合わせ工程、硬化工程及び離型工程を有する。

［樹脂供給工程］
樹脂供給工程では、被転写基板３１上の所望の領域に、インクジェットヘッド（図示せず）からインプリント樹脂の液滴４１を離散的に吐出して供給する（図１６Ａ参照）。

被転写基板３１としては、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、少なくとも一部分に金属がドープされた上記基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等、シリコン基板、ガリウム砒素基板、窒化カリウム基板等の半導体基板、金属基板、上記基板を構成する材料の任意の組み合わせからなる複合材料基板等が挙げられる。また、被転写基板３１は、例えば、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニックス結晶構造、光道波路、ホログラフィのような光学的構造等の所望のパターン構造物が形成されたものであってもよい。図１６Ａにおいては、凸構造部３２を有する被転写基板３１を例に挙げているが、被転写基板３１は凸構造部３２を有していなくてもよい。

インプリント樹脂は、インクジェットヘッドからの吐出が可能な流動性を有するものであれば適宜選択することができる。例えば、インプリント樹脂は、主剤、開始剤及び架橋剤を含有し、必要に応じてモールドとの付着を抑制する離型剤や、被転写基板３１との密着性を向上させるための密着剤等を含有していてもよい。そして、本実施形態におけるインプリント方法により被転写基板３１上に形成されるパターン構造体の用途、特性、物性等に応じて、使用するインプリント樹脂を適宜選択してもよい。例えば、パターン構造体の用途がリソグラフィー用途（被転写基板３１をエッチングするためのエッチングマスクとしての用途）であれば、高エッチング耐性、低粘度であり、かつ残膜の厚みの小さいパターン構造体を作製可能なインプリント樹脂を使用するのが望ましい。ただし、インプリント樹脂は、インクジェットヘッドへの適合性を満たす特性を具備していることが要求される。インクジェットヘッドの構造や材質によって当該インクジェットヘッドに適合する液体の粘度や表面張力が異なるため、インクジェットヘッドの構造や材質等に応じて、使用するインプリント樹脂の特性を適宜調整してもよいし、使用するインプリント樹脂の特性に適合するインクジェットヘッドを使用してもよい。

また、被転写基板３１上に離散的に供給されるインプリント樹脂の液滴４１の個数、液滴４１の滴下位置等は、液滴４１の滴下量、必要とされるインプリント樹脂の総量、被転写基板３１上に形成されるパターン構造体の残膜の厚み等に応じて適宜設定され得る。

［位置合わせ工程］
次に、インプリントモールド１と被転写基板３１を近接させて、インプリントモールド１と被転写基板３１との間にインプリント樹脂を展開させてインプリント樹脂層４２を形成するとともに、インプリントモールド１のアライメント用凹凸構造を用いて、インプリントモールド１及び被転写基板３１の位置合わせを行う（図１６Ｂ参照）。インプリントモールド１と被転写基板３１との位置合わせは、インプリントモールド１のアライメント用凹凸構造と被転写基板３１に形成されているアライメントマーク３３とを重ね合せて、インプリント装置のアライメント機構５１を用いて光学的に検出することにより行われる。なお、本実施形態においては、被転写基板３１のアライメントマーク３３の凹部の底面に高コントラスト膜３４を形成しているが、この態様に限定されるものではなく、被転写基板３１がシリコン基板等のアライメントマークを認識させる光学系に対して不透明な基板である場合には、高コントラスト膜３４を有していなくてもよい。

高コントラスト膜３４の材料や膜厚等は、高コントラスト膜１０と同様であればよい。また、高コントラスト膜３４は、高コントラスト膜１０と同様にアライメントマーク３３の凹部の底面に高コントラスト材料が部分的に存在又は点在してなるものでもよい。なお、アライメントマーク３３の凹部の底面には、高コントラスト膜３４に代えて、被転写基版３１の光学特性と異なる光学特性を有するイオン注入層が設けられていてもよい。アライメントマーク３３の凹部の底面に設けられるイオン注入層は、図６に示すイオン注入層１１と同様の構成を有していてもよい。

本実施形態においては、インプリントモールド１のメイン凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度とアライメント用凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度とが実質的に同一であるため、液滴４１が被転写基板３１上を濡れ広がったときに、隣接する液滴４１の境界部に空隙が形成され欠陥となることを防止し、かつ、被転写基板３１上に形成されるパターン構造体の残膜の厚みを均一にすることができる。その一方で、第２アライメント用構造の凹部９の底面に高コントラスト膜１０が形成されているため、当該凹部９にインプリント樹脂が完全に充填された状態であっても、上記アライメント機構５１によりアライメント用凹凸構造を容易に検出することができる。よって、高い精度でインプリントモールド１と被転写基板３１とを位置合わせすることができる。

［硬化工程］
次に、インプリントモールド１の基部２の第２面２ｂ側からインプリント樹脂層４２にＵＶ光６１を照射し、インプリント樹脂層４２を硬化させて、インプリントモールド１のメイン凹凸構造及びアライメント用凹凸構造が転写された被転写樹脂層４３を形成する（図１６Ｃ参照）。なお、被転写基板３１が光透過性を有する材料により構成される場合、被転写基板３１側からインプリント樹脂層４２にＵＶ光６１を照射してもよいし、インプリントモールド１の基部２の第２面２Ｂ側及び被転写基板３１側の双方からインプリント樹脂層４２にＵＶ光６１を照射してもよい。

［離型工程］
最後に、転写樹脂層４３とインプリントモールド１とを引き離すことで、パターン構造体４４を被転写基板３１上に形成する（図１６Ｄ参照）。本実施形態においては、インプリントモールド１のメイン凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度とアライメント用凹凸構造へのインプリント樹脂の充填速度とが実質的に同一であるため、インプリント樹脂の充填不良等が発生するのを抑制することができる。そのため、パターン構造体４４を高精度に形成することができる。その一方で、アライメント用凹凸構造の凹部９の底面に高コントラスト膜１０が形成されていることで、インプリントモールド１と被転写基板３１との位置合わせを高精度に、かつ容易に行うことができる。

上記インプリント方法において、インプリントモールド１と被転写基板３１との位置合わせを高精度に、かつ容易に検出できる構成として、第２アライメント用構造の凹部９の底面に高コントラスト膜１０が形成されている様態を主に例示して説明したが、この様態に限定されるものではなく、第２アライメント用構造の凹部９の底面に、基部２の光学特性と異なる光学特性を有するイオン注入層１１（図６参照）が形成されていてもよい。

また、上記インプリント方法における被転写基板３１へのインプリント樹脂の供給方法はインクジェットによりインプリント樹脂を供給しているが、この様態に限定されるものではなく、被転写基版３１にインプリント樹脂を塗布して供給してもよい。

以上説明した実施形態は、本開示の理解を容易にするために記載されたものであって、本開示を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本開示の技術的範囲に属するすべての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

上記実施形態において、インプリントモールド１を製造する際に、メイン凹凸構造とアライメント用凹凸構造とを同時にエッチングにより形成する態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではなく、例えば、メイン凹凸構造とアライメント用凹凸構造とを別個にエッチングにより形成してもよい。

上記実施形態において、側壁パターン２４をマスクとして基材２´をエッチングすることにより、インプリントモールド１を製造する態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、レジストパターン２１をマスクとして基材２´をエッチングすることによりインプリントモールド１を製造してもよい。

上記実施形態において、インプリントモールド１を製造する際に、ＡＬＤ法により側壁材料膜２３を形成し、側壁パターン２４を形成しているが、この様態に限定されるものではなく、例えば、基材２´の第１面２ａ´に直接ハードマスクパターンを形成してもよい。

１…インプリントモールド
２…基部
２ａ…第１面
２ｂ…第２面
３…パターン領域
４…アライメント領域
５、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ…第１アライメント領域
６，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ…第２アライメント領域
７…凹部
８…凸部
９…凹部
１０…高コントラスト膜
１１…イオン注入層

Claims (21)

1. 第１面及び前記第１面に対向する第２面を有する基部と、前記基部の前記第１面に設定されるパターン領域に形成されているメイン凹凸構造と、前記基部の前記第１面に設定されるアライメント領域に形成されているアライメント用凹凸構造とを備え、被転写基板上に供給されたインプリント樹脂に前記メイン凹凸構造を転写するために用いられるインプリントモールドであって、
   前記アライメント用凹凸構造は、凹部及び凸部を含む第１アライメント用構造と、単一の凹部を含む第２アライメント用構造とを含み、
   前記基部に対する前記第２アライメント用構造の前記凹部のコントラストは、前記基部に対する前記第１アライメント用構造の前記凹部のコントラストよりも高く、
   前記第１アライメント用構造と前記被転写基板上に供給された前記インプリント樹脂とを接触させたときにおける前記第１アライメント用構造への前記インプリント樹脂の充填速度は、前記第２アライメント用構造と前記被転写基板上に供給された前記インプリント樹脂とを接触させたときにおける前記第２アライメント用構造への前記インプリント樹脂の充填速度よりも速く、
   前記第１アライメント用構造と、前記第２アライメント用構造とが互いに隣接する
   インプリントモールド。
2. 少なくとも前記第２アライメント用構造の前記凹部には、前記基部を構成する材料と異なる材料により構成され、前記基部の光学特性と異なる光学特性を有する高コントラスト膜が設けられている
   請求項１に記載のインプリントモールド。
3. 前記第１アライメント用構造の前記凹部に、前記高コントラスト膜を構成する材料と同一の材料が存在する
   請求項２に記載のインプリントモールド。
4. 前記高コントラスト膜の膜厚は、前記第２アライメント用構造の前記凹部の深さ以下である請求項２又は３に記載のインプリントモールド。
5. 前記高コントラスト膜の膜厚は、１ｎｍ～５０ｎｍである
   請求項２～４のいずれかに記載のインプリントモールド。
6. 少なくとも前記第２アライメント用構造の前記凹部には、前記基部の光学特性と異なる光学特性を有するイオン注入層が設けられている
   請求項１に記載のインプリントモールド。
7. 前記第１アライメント用構造は、少なくとも１つの前記凸部と、前記凸部に隣接する少なくとも１つの前記凹部とを含み、
   前記第２アライメント用構造は、単一の前記凹部を含む
   請求項１～６のいずれかに記載のインプリントモールド。
8. 前記アライメント領域は、複数の第１アライメント領域を含み、
   前記第１アライメント領域には、前記第１アライメント用構造が形成されており、
   前記複数の第１アライメント領域のそれぞれの大きさは、互いに同一又は異なる
   請求項１～７のいずれかに記載のインプリントモールド。
9. 前記アライメント領域は、複数の第２アライメント領域を含み、
   前記第２アライメント領域には、前記第２アライメント用構造が形成されており、
   前記複数の第２アライメント領域のそれぞれの大きさは、互いに同一又は異なる
   請求項１～８のいずれかに記載のインプリントモールド。
10. 前記第１アライメント用構造の寸法は、前記メイン凹凸構造の寸法と同一である
    請求項１～９のいずれかに記載のインプリントモールド。
11. 前記第２アライメント用構造の前記凹部の深さは、前記第１アライメント用構造の前記凹部の深さよりも深い
    請求項１～１０のいずれかに記載のインプリントモールド。
12. 第１面及び前記第１面に対向する第２面を有する基部を準備する基部準備工程と、
    前記基部の前記第１面に設定されるパターン領域に凹部及び凸部を含むメイン凹凸構造を形成するとともに、前記基部の前記第１面に設定されるアライメント領域に凹部及び凸部を含む第１アライメント用構造と単一の凹部を含む第２アライメント用構造とを含むアライメント用凹凸構造を形成する凹凸構造形成工程と、
    前記基部に対する前記第１アライメント用構造の前記凹部のコントラストよりも前記基部に対する前記第２アライメント用構造の前記凹部のコントラストが高くなるようにコントラストを付与するコントラスト付与工程と
    を有し、
    前記第１アライメント用構造の寸法は、前記メイン凹凸構造の寸法と実質的に同一であって、前記第２アライメント用構造の寸法よりも小さく、
    前記凹凸構造形成工程において、前記第１アライメント用構造と前記第２アライメント用構造とが互いに隣接するように前記アライメント用凹凸構造を形成する
    インプリントモールドの製造方法。
13. 前記コントラスト付与工程において、前記第２アライメント用構造の前記凹部の底面に、前記基部を構成する材料と異なる材料により構成され、前記基部と異なる光学特性を有する高コントラスト膜を形成する
    請求項１２に記載のインプリントモールドの製造方法。
14. 前記コントラスト付与工程において、前記アライメント領域を露出させる開口部を有するマスクパターンが形成された前記基部の前記第１面に前記高コントラスト膜を構成する材料を堆積させることで、前記第２アライメント用構造の前記凹部の前記底面に前記高コントラスト膜を形成する
    請求項１３に記載のインプリントモールドの製造方法。
15. 前記コントラスト付与工程において、前記第２アライメント用構造の前記凹部の底面にイオンを注入することで、前記第２アライメント用構造の前記凹部に、前記基部の光学特性と異なる光学特性を有するイオン注入層を形成する
    請求項１２に記載のインプリントモールドの製造方法。
16. 前記第１アライメント用構造は、少なくとも１つの前記凸部と、前記凸部に隣接する少なくとも１つの前記凹部とを含み、
    前記第２アライメント用構造は、単一の前記凹部を含む
    請求項１２～１５のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
17. 前記アライメント領域は、複数の第１アライメント領域を含み、
    前記凹凸構造形成工程において、前記第１アライメント領域に、前記第１アライメント用構造を形成し、
    前記複数の第１アライメント領域のそれぞれの大きさは、互いに同一又は異なる
    請求項１２～１６のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
18. 前記アライメント領域は、複数の第２アライメント領域を含み、
    前記凹凸構造形成工程において、前記第２アライメント領域に、前記第２アライメント用構造を形成し、
    前記複数の第２アライメント領域のそれぞれの大きさは、互いに同一又は異なる
    請求項１２～１７のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
19. 前記第１アライメント用構造は、前記メイン凹凸構造と同一の寸法で形成される
    請求項１２～１８のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
20. 前記凹凸構造形成工程は、前記基部の前記第１面にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの側壁に、前記メイン凹凸構造の凸部及び前記第１アライメント用構造の凸部に対応する側壁パターンを形成する工程と、前記側壁パターンをマスクとして前記基部をエッチングする工程とを含む
    請求項１２～１９のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
21. 請求項１～１１のいずれかに記載のインプリントモールドを用いてインプリントする方法であって、
    前記被転写基板に前記インプリント樹脂の液滴を供給する工程と、
    前記被転写基板及び前記インプリントモールドを近接させて、前記インプリントモールド及び前記被転写基板の間に前記インプリント樹脂を展開させてインプリント樹脂層を形成するとともに、前記インプリントモールドの前記アライメント用凹凸構造を用いて、前記インプリントモールド及び前記被転写基板の位置合わせをする工程と、
    前記インプリント樹脂層を硬化させて前記メイン凹凸構造及び前記アライメント用凹凸構造が転写された被転写樹脂層を形成する工程と、
    前記被転写樹脂層から前記インプリントモールドを引き離す工程と
    を有するインプリント方法。

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