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JP7434685B2 - Printed circuit board and its manufacturing method - Google Patents
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Description

本発明は、プリント回路基板(printed circuit board)及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a printed circuit board and a method for manufacturing the same.

携帯電話を始めとしてIT分野の電子機器が軽薄短小化されることにより、これに対する技術的要求に応えるために、IC、能動素子または受動素子等の電子部品を基板内に挿入する技術が要求されており、最近様々な方式により基板内に部品を内蔵する技術が開発されている。 As electronic devices in the IT field, including mobile phones, become lighter, thinner, and smaller, technology to insert electronic components such as ICs, active elements, or passive elements into substrates is required to meet the technical demands. Recently, various techniques have been developed to embed components within a board.

基板内に様々な部品を挿入するために、様々なキャビティ構造を形成している。これにより、様々な加工技術が要求されている。また、加工による回路の損傷を防止するための技術も要求されている。 Various cavity structures are formed to insert various components into the substrate. As a result, various processing techniques are required. There is also a need for technology to prevent damage to circuits due to processing.

米国特許第7886433号明細書US Patent No. 7,886,433

本発明は、電子素子が挿入されるキャビティ構造の形成過程においての回路に損傷を与えずにキャビティ構造を精密に加工できるプリント回路基板及びその製造方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a printed circuit board that can precisely process a cavity structure without damaging circuitry during the process of forming the cavity structure into which an electronic element is inserted, and a method for manufacturing the same.

本発明の一実施例に係るプリント回路基板は、第1絶縁層と、第1絶縁層に形成され、第1絶縁層の一面に露出した回路パターンと、第1絶縁層の一面に積層され、回路パターンを露出させる、貫通されたキャビティ領域が形成されている第2絶縁層と、一方側が第1絶縁層と第2絶縁層との間に介在され、他方側がキャビティ領域の底面から突出し、キャビティ領域の境界に沿って形成される絶縁体パターンと、を含む。 A printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes a first insulating layer, a circuit pattern formed on the first insulating layer and exposed on one side of the first insulating layer, and laminated on one side of the first insulating layer, a second insulating layer having a through-hole cavity region formed therein exposing a circuit pattern; one side interposed between the first insulating layer and the second insulating layer and the other side protruding from the bottom of the cavity region; an insulator pattern formed along the boundary of the region.

また本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、第1絶縁層の一面に回路パターンを形成する段階と、第1絶縁層上にキャビティ領域の境界を設定し、境界に沿って絶縁体パターンを形成する段階と、キャビティ領域を覆う保護層を形成する段階と、第1絶縁層の一面に第2絶縁層を形成する段階と、絶縁体パターンに沿って第2絶縁層を除去してキャビティ領域を形成する段階と、保護層を除去して回路パターンを露出させる段階と、を含む。 Further, a method for manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes the steps of forming a circuit pattern on one surface of a first insulating layer, setting a boundary of a cavity region on the first insulating layer, and forming a circuit pattern along the boundary. forming an insulating pattern; forming a protective layer covering the cavity region; forming a second insulating layer on one side of the first insulating layer; and removing the second insulating layer along the insulating pattern. forming a cavity region; and removing the protective layer to expose the circuit pattern.

本発明の一実施例に係るプリント回路基板を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板のキャビティ領域を拡大した図である。FIG. 2 is an enlarged view of a cavity area of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板のキャビティ領域を拡大した図である。FIG. 2 is an enlarged view of a cavity area of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. 本発明の他の実施例に係るプリント回路基板を説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining a printed circuit board according to another embodiment of the present invention.

本発明に係るプリント回路基板、電子素子パッケージ及びその製造方法の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。 Embodiments of the printed circuit board, electronic device package, and manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Drawing numerals are given and duplicate explanations thereof will be omitted.

また、以下で使用する「第1」、「第2」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第1、第2等の用語により限定されることはない。 In addition, terms such as "first" and "second" used below are merely identification symbols for distinguishing between the same or corresponding components, and the same or corresponding components are the first, second, etc. is not limited by the terms.

また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に、構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。 Furthermore, in the contact relationship between each component, "coupling" does not mean only when each component is in direct physical contact, but when another structure is interposed between each component, It is used as a concept that covers cases where each component is in contact with another configuration.

<プリント回路基板及び電子素子パッケージ>
図1は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板を説明するための図であり、図2及び図3は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板のキャビティ領域を拡大した図である。
<Printed circuit boards and electronic device packages>
FIG. 1 is a diagram for explaining a printed circuit board according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are enlarged views of a cavity area of the printed circuit board according to an embodiment of the present invention. be.

図1及び図2を参照すると、本発明の一実施例に係るプリント回路基板は、第1絶縁層10と、回路パターン15と、第2絶縁層20と、絶縁体パターン40と、を含む。 Referring to FIGS. 1 and 2, a printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes a first insulating layer 10, a circuit pattern 15, a second insulating layer 20, and an insulator pattern 40.

第1絶縁層10は、内部または外層に形成される回路パターン15を電気的に絶縁する。 第1絶縁層10は、樹脂材であることができる。第1絶縁層10は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリイミド(PI)等の熱可塑性樹脂を含むことができ、プリプレグ(PPG)やビルドアップフィルム(build-up film)で形成することができる。 The first insulating layer 10 electrically insulates the circuit pattern 15 formed on the inner or outer layer. The first insulating layer 10 may be made of a resin material. The first insulating layer 10 may include a thermosetting resin such as an epoxy resin or a thermoplastic resin such as polyimide (PI), and may be formed of prepreg (PPG) or a build-up film. can.

回路パターン15は、第1絶縁層10に形成され、電気的信号を伝達できる銅等の金属で形成される。回路パターン15は、第1絶縁層10の一面、他面または内部にも形成されることができる。例えば、回路パターン15は、第1絶縁層10を貫通して第1絶縁層10の一面と他面とを接続するビアと、第1絶縁層10の一面または他面に形成され、ビアに接続するパッドと、を含むことができる。 The circuit pattern 15 is formed on the first insulating layer 10 and is made of a metal such as copper that can transmit electrical signals. The circuit pattern 15 may be formed on one side, the other side, or inside the first insulating layer 10. For example, the circuit pattern 15 includes a via that penetrates the first insulating layer 10 and connects one surface of the first insulating layer 10 to the other surface, and a via that is formed on one surface or the other surface of the first insulating layer 10 and connected to the via. The pad may include:

図1及び図2を参照すると、本実施例において第1絶縁層10の一面には、第1絶縁層10の内部に埋め込まれた構造の回路パターン16が形成される。例えば、埋め込まれた回路パターン16は、微細な回路が基板に埋め込まれるエンベデッドトレース基板(embedded trace substrate)の回路構造を有することができる。埋め込まれた回路パターン16の上面は、第1絶縁層10の一面と略同じ面をなすことになるので、第1絶縁層10の一面を介して、埋め込まれた回路パターン16の上面が露出する構造となり得る。エンベデッドトレース構造の微細な回路パターン16は、キャビティ領域Cに挿入する電子素子の微細なパッドにも対応可能である。 Referring to FIGS. 1 and 2, in this embodiment, a circuit pattern 16 having a structure embedded inside the first insulating layer 10 is formed on one surface of the first insulating layer 10. For example, the embedded circuit pattern 16 may have a circuit structure of an embedded trace substrate in which minute circuits are embedded in the substrate. Since the upper surface of the embedded circuit pattern 16 is substantially the same as one surface of the first insulating layer 10, the upper surface of the embedded circuit pattern 16 is exposed through one surface of the first insulating layer 10. It can be a structure. The fine circuit pattern 16 of the embedded trace structure can also correspond to a fine pad of an electronic element inserted into the cavity region C.

第2絶縁層20は、第1絶縁層10の一面に積層されて回路パターン15を電気的に絶縁することになり、キャビティ領域Cを形成できるように一部が貫通された構造を有する。 The second insulating layer 20 is stacked on one surface of the first insulating layer 10 to electrically insulate the circuit pattern 15, and has a structure in which a portion thereof is penetrated to form a cavity region C.

第2絶縁層20は、第1絶縁層10と類似の材質により、プリプレグ(PPG)やビルドアップフィルム(build-up film)等の形態に形成してもよく、第1絶縁層10とは異なる材質または異なる方法により形成してもよい。 The second insulating layer 20 may be formed of a material similar to that of the first insulating layer 10 in the form of prepreg (PPG), a build-up film, etc., and may be different from the first insulating layer 10. It may be formed using a different material or a different method.

第2絶縁層20には、埋め込まれた回路パターン16を露出する貫通ホール22が形成される。貫通ホール22により形成されたキャビティ領域Cには電子素子が挿入され、挿入された電子素子は、埋め込まれた回路パターン16と接続することができる。 A through hole 22 is formed in the second insulating layer 20 to expose the embedded circuit pattern 16 . An electronic element is inserted into the cavity region C formed by the through hole 22, and the inserted electronic element can be connected to the embedded circuit pattern 16.

図1及び図2を参照すると、第1絶縁層10の一面に、貫通ホール22が形成されている第2絶縁層20を積層し、第1絶縁層10の一面が底となり、第2絶縁層20の貫通ホール22の壁面が側壁となるキャビティ領域Cを形成することができる。 Referring to FIGS. 1 and 2, a second insulating layer 20 in which a through hole 22 is formed is laminated on one surface of the first insulating layer 10, one surface of the first insulating layer 10 serves as a bottom, and the second insulating layer A cavity region C can be formed in which the wall surfaces of the 20 through holes 22 serve as side walls.

また、第2絶縁層20上に第3絶縁層30を形成し、第2絶縁層20及び第3絶縁層30を連続して貫通する貫通ホール22、32を形成して、キャビティ領域Cを深く形成することもできる。 Further, a third insulating layer 30 is formed on the second insulating layer 20, and through holes 22 and 32 that continuously penetrate the second insulating layer 20 and the third insulating layer 30 are formed to deeply deepen the cavity region C. It can also be formed.

このとき、第2絶縁層20及び第3絶縁層30を貫通して回路パターン15と接続する導電性ポスト35をさらに含むことができる。例えば、銅材質のポスト35が回路パターン15のパッド17に結合することができる。導電性ポスト35を用いると、POP(package on the package)構造のパッケージにおいて他の基板と容易に電気的に接続することができる。 At this time, a conductive post 35 penetrating the second insulating layer 20 and the third insulating layer 30 and connecting to the circuit pattern 15 may be further included. For example, posts 35 made of copper may be coupled to pads 17 of circuit pattern 15 . By using the conductive posts 35, it is possible to easily electrically connect to other substrates in a package with a POP (package on the package) structure.

一方、キャビティ領域Cは、第1絶縁層10で近くなるほど狭くなる形状を有することができる。レーザーまたはドリリングにより第2絶縁層20または第3絶縁層30に貫通ホール22、32を形成する場合は、図2に示すように、キャビティ領域Cの境界Bが略直角に近い構造に形成される。すなわち、キャビティ領域Cの内壁は、垂直の壁状に形成されることができる。 Meanwhile, the cavity region C may have a shape that becomes narrower as it approaches the first insulating layer 10 . When the through holes 22 and 32 are formed in the second insulating layer 20 or the third insulating layer 30 by laser or drilling, the boundary B of the cavity region C is formed in a structure close to a right angle, as shown in FIG. . That is, the inner wall of the cavity region C may be formed into a vertical wall shape.

これに対して、サンドブラスト加工により第2絶縁層20または第3絶縁層30に貫通ホール22′、32′を形成する場合は、図3に示すように、キャビティ領域Cの境界Bが傾いて形成される。すなわち、キャビティ領域Cの内壁が下方に行くほど狭くなる構造に形成され得る。 On the other hand, when forming the through holes 22', 32' in the second insulating layer 20 or the third insulating layer 30 by sandblasting, the boundary B of the cavity region C is inclined as shown in FIG. be done. That is, the inner wall of the cavity region C may be formed so as to become narrower as it goes downward.

また、図1を参照すると、第1絶縁層10の他面または第3絶縁層30の一面は、プリント回路基板の外層となり、ここにソルダーレジスト層50、60をさらに形成することができる。ソルダーレジスト層50、60のオープニングを介して導電性ポスト35または回路パターン15の一部が露出し、外部と電気的に接続することができる。 Also, referring to FIG. 1, the other surface of the first insulating layer 10 or one surface of the third insulating layer 30 serves as an outer layer of the printed circuit board, and solder resist layers 50 and 60 may be further formed thereon. A part of the conductive post 35 or the circuit pattern 15 is exposed through the opening of the solder resist layers 50 and 60, and can be electrically connected to the outside.

絶縁体パターン40は、一方側が第1絶縁層10と第2絶縁層20との間に介在され、他方側がキャビティ領域Cの内部に延長してキャビティ領域Cの底面から突出する構造を有する。絶縁体パターン40は、第1絶縁層10の一面上に形成され、キャビティ領域Cの内部に延長するので、キャビティ領域Cの底面から突出する形状を有する。 The insulator pattern 40 has a structure in which one side is interposed between the first insulating layer 10 and the second insulating layer 20, and the other side extends into the cavity region C and protrudes from the bottom surface of the cavity region C. The insulator pattern 40 is formed on one surface of the first insulating layer 10 and extends into the cavity region C, so that it has a shape protruding from the bottom surface of the cavity region C.

図2及び図3を参照すると、絶縁体パターン40の一方側端部は、第1絶縁層10と第2絶縁層20との間に位置し、他方側端部はキャビティ領域Cの底面の上に位置することができる。 絶縁体パターン40は、キャビティ領域Cの境界Bに沿って第1絶縁層10の一面上に形成されることができる。具体的に、キャビティ領域Cの境界B(キャビティの内壁である貫通ホール22、32の壁面を延長した仮想の面)と第1絶縁層10の一面とが交わる位置に絶縁体パターン40を配置することができる。キャビティ領域Cの境界Bに沿って形成された絶縁体パターン40は、閉ルーフ構造を有し、内側から第1絶縁層10の一部及び回路パターン15が露出することができる。例えば、キャビティ領域Cが六面体状に形成される場合、絶縁体パターン40が四角フレーム状に第1絶縁層10上に形成され、四角フレームの内側から、キャビティ領域Cの底となる第1絶縁層10の一面及び埋め込まれた回路パターン16が露出することになる。 Referring to FIGS. 2 and 3, one end of the insulator pattern 40 is located between the first insulating layer 10 and the second insulating layer 20, and the other end is located above the bottom surface of the cavity region C. can be located in The insulator pattern 40 may be formed on one surface of the first insulating layer 10 along the boundary B of the cavity region C. Specifically, the insulator pattern 40 is arranged at a position where the boundary B of the cavity region C (a virtual plane extending the wall surfaces of the through holes 22 and 32, which are the inner walls of the cavity) intersects with one surface of the first insulating layer 10. be able to. The insulator pattern 40 formed along the boundary B of the cavity region C has a closed roof structure, and a portion of the first insulating layer 10 and the circuit pattern 15 may be exposed from the inside. For example, when the cavity region C is formed in the shape of a hexahedron, the insulator pattern 40 is formed in the shape of a square frame on the first insulating layer 10, and from inside the square frame, the first insulating layer serving as the bottom of the cavity region C is formed. 10 and the embedded circuit pattern 16 will be exposed.

一方、図12を参照すると、絶縁体パターン40′は、回路パターン15の少なくとも一部を覆う形態に形成されることもできる。例えば、絶縁体パターン40′の一部が、埋め込まれた回路パターン16の上面と接触する構造を有することができる。 Meanwhile, referring to FIG. 12, the insulator pattern 40' may be formed to cover at least a portion of the circuit pattern 15. For example, a portion of the insulator pattern 40' may have a structure in which it contacts the upper surface of the embedded circuit pattern 16.

このとき、絶縁体パターン40を第1絶縁層10の一面に選択的に容易に形成できるように、絶縁体パターン40は、感光性樹脂で形成されることができる。例えば、第1絶縁層10の一面にキャビティ領域Cの境界Bに沿って感光性樹脂を選択的に塗布し、硬化して絶縁体パターン40を容易に形成することができる。 At this time, the insulator pattern 40 may be formed of photosensitive resin so that the insulator pattern 40 can be selectively and easily formed on one surface of the first insulating layer 10 . For example, the photosensitive resin can be selectively applied to one surface of the first insulating layer 10 along the boundary B of the cavity region C, and then cured to easily form the insulating pattern 40.

また、絶縁体パターン40は、第2絶縁層20とは異なる材質で形成することができる。例えば、絶縁体パターン40は、貫通ホール22、32が形成される第2絶縁層20または第3絶縁層30よりも耐磨耗性または靱性(toughness)の高い材質で形成することができる。これにより、第2絶縁層20または第3絶縁層30にサンドブラスト工程により貫通ホール22、32を形成するとき、絶縁体パターン40が加工においてのストッパの役割をすることができる。サンドブラスト及びストッパ機能に関する具体的な内容は、後述する。 Furthermore, the insulator pattern 40 may be formed of a different material from that of the second insulating layer 20. For example, the insulating pattern 40 may be formed of a material having higher wear resistance or toughness than the second insulating layer 20 or the third insulating layer 30 in which the through holes 22 and 32 are formed. Accordingly, when the through holes 22 and 32 are formed in the second insulating layer 20 or the third insulating layer 30 by a sandblasting process, the insulating pattern 40 can serve as a stopper during processing. Specific details regarding the sandblasting and stopper functions will be described later.

<プリント回路基板の製造方法>
図4から図11は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
<Manufacturing method of printed circuit board>
4 to 11 are diagrams for explaining a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、第1絶縁層10に回路パターン15を形成する段階と、絶縁体パターン40を形成する段階と、保護層45を形成する段階と、第2絶縁層20を形成する段階と、キャビティ領域Cを形成する段階と、保護層45を除去する段階と、を含む。 A method for manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes forming a circuit pattern 15 on a first insulating layer 10, forming an insulating pattern 40, and forming a protective layer 45. The method includes forming a second insulating layer 20, forming a cavity region C, and removing a protective layer 45.

第1絶縁層10に回路パターン15を形成する段階では、第1絶縁層10の一面に回路パターン15を形成する。回路パターン15は、第1絶縁層10の他面または内部にも形成されることができる。回路パターン15は、埋め込まれた回路パターン16を含み、埋め込まれた回路パターン16は、微細な回路が基板に埋め込まれるエンベデッドトレース基板の回路構造を有することができる。エンベデッドトレース構造の微細な回路は、電子素子の微細なパッドにも対応可能である。 In the step of forming the circuit pattern 15 on the first insulating layer 10 , the circuit pattern 15 is formed on one surface of the first insulating layer 10 . The circuit pattern 15 may be formed on the other surface or inside the first insulating layer 10. The circuit pattern 15 includes an embedded circuit pattern 16, and the embedded circuit pattern 16 may have a circuit structure of an embedded trace substrate in which a fine circuit is embedded in the substrate. The embedded trace structure's fine circuitry can also be applied to the fine pads of electronic devices.

図4を参照すると、離型層を有するキャリア基板5の両面に第1絶縁層10及び回路パターン15を形成することができる。例えば、メッキにより金属層を形成し、選択的エッチングによりパターニング工程を行うことができる。また、キャリア基板5の離型層上に導電性の金属物質を塗布した後にパターニング工程等を行って回路パターン15を形成することができる。 パターニング工程には、テンティング法(Tenting)、MSAP法(Modified Semi-Additive Process)、またはSAP法(Semi-Additive Process)等を用いることができる。 Referring to FIG. 4, a first insulating layer 10 and a circuit pattern 15 may be formed on both sides of a carrier substrate 5 having a release layer. For example, a metal layer can be formed by plating and a patterning process can be performed by selective etching. Further, the circuit pattern 15 can be formed by applying a conductive metal material onto the release layer of the carrier substrate 5 and then performing a patterning process. For the patterning process, a tenting method, an MSAP method (Modified Semi-Additive Process), an SAP method (Semi-Additive Process), or the like can be used.

キャリア基板5に回路パターン15を形成した後には、キャリア基板5に第1絶縁層10を圧着して積層することにより、第1絶縁層10に回路パターン15を埋め込むことができる。このとき、第1絶縁層10は、半硬化状態のプリプレグ(Prepreg)であってもよい。または、絶縁性樹脂をキャリア基板5に塗布して、回路パターン15が埋め込まれた第1絶縁層10を形成することができる。 After the circuit pattern 15 is formed on the carrier substrate 5, the first insulating layer 10 is pressure-bonded and laminated on the carrier substrate 5, so that the circuit pattern 15 can be embedded in the first insulating layer 10. At this time, the first insulating layer 10 may be a semi-cured prepreg. Alternatively, the first insulating layer 10 in which the circuit pattern 15 is embedded can be formed by applying an insulating resin to the carrier substrate 5.

一方、キャリア基板5に積層された第1絶縁層10の内部または他面にも回路パターン15を追加に形成することができる。このとき、キャリア基板5に位置した回路パターン15は、第1絶縁層10により覆われて、埋め込まれた構造を有することができる。 Meanwhile, the circuit pattern 15 may be additionally formed inside or on the other surface of the first insulating layer 10 stacked on the carrier substrate 5. At this time, the circuit pattern 15 located on the carrier substrate 5 may have a buried structure covered by the first insulating layer 10.

図5を参照すると、キャリア基板5から回路パターン15の形成された第1絶縁層10を分離すると、回路パターン15が第1絶縁層10の一面に露出する、埋め込まれた回路パターン16を有することができる。キャリア基板5において、第1絶縁層10の一面にシード層が形成された場合は、エッチングによりシード層を除去することで、第1絶縁層10の一面に埋め込まれた回路パターン16を露出することができる。 Referring to FIG. 5, when the first insulating layer 10 on which the circuit pattern 15 is formed is separated from the carrier substrate 5, the circuit pattern 15 has an embedded circuit pattern 16 exposed on one surface of the first insulating layer 10. Can be done. When a seed layer is formed on one surface of the first insulating layer 10 in the carrier substrate 5, the circuit pattern 16 embedded in one surface of the first insulating layer 10 can be exposed by removing the seed layer by etching. Can be done.

絶縁体パターン40を形成する段階では、第1絶縁層10上にキャビティ領域Cの境界Bを設定し、境界Bに沿って絶縁体パターン40を形成する。このとき、絶縁体パターン40は、第2絶縁層20とは異なる材質で形成することができる。例えば、絶縁体パターン40は、以後に積層される第2絶縁層20または第3絶縁層30よりも耐磨耗性または靭性の高い材質で形成することができる。これにより、第2絶縁層20または第3絶縁層30にサンドブラスト工程により貫通ホール22、32を形成するとき、絶縁体パターン40が加工においてのストッパの役割をすることができる。 In the step of forming the insulating pattern 40, a boundary B of the cavity region C is set on the first insulating layer 10, and the insulating pattern 40 is formed along the boundary B. At this time, the insulating pattern 40 may be formed of a material different from that of the second insulating layer 20. For example, the insulating pattern 40 may be formed of a material with higher wear resistance or toughness than the second insulating layer 20 or the third insulating layer 30 that will be laminated later. Accordingly, when the through holes 22 and 32 are formed in the second insulating layer 20 or the third insulating layer 30 by a sandblasting process, the insulating pattern 40 can serve as a stopper during processing.

図6を参照すると、絶縁体パターン40は、第1絶縁層10の一面において、キャビティ領域Cの境界B上に形成することができる。具体的に、キャビティ領域Cの境界B(キャビティ内壁が形成される仮想の面)が設定され、境界Bと第1絶縁層10の一面とが交わる位置に絶縁体パターン40が配置されることができる。キャビティ領域Cの境界Bに沿って形成された絶縁体パターン40は、閉ルーフ構造を有し、内側から第1絶縁層10の一部及び回路パターン15が露出することができる。例えば、キャビティ領域Cが六面体状に形成される場合、四角フレーム状の絶縁体パターン40が第1絶縁層10上に形成され、四角フレームの内側からキャビティ領域Cの底となる第1絶縁層10の一面及び回路パターン15が露出することになる。 Referring to FIG. 6, the insulator pattern 40 may be formed on the boundary B of the cavity region C on one surface of the first insulating layer 10. Specifically, a boundary B (a virtual surface on which the cavity inner wall is formed) of the cavity region C is set, and the insulator pattern 40 is arranged at a position where the boundary B and one surface of the first insulating layer 10 intersect. can. The insulator pattern 40 formed along the boundary B of the cavity region C has a closed roof structure, and a portion of the first insulating layer 10 and the circuit pattern 15 may be exposed from the inside. For example, when the cavity region C is formed in a hexahedral shape, a square frame-shaped insulator pattern 40 is formed on the first insulating layer 10, and the first insulating layer 10 serving as the bottom of the cavity region C is formed from inside the square frame. One side of the circuit pattern 15 and the circuit pattern 15 are exposed.

このとき、絶縁体パターン40を第1絶縁層10の一面に選択的に容易に形成するために、絶縁体パターン40は感光性樹脂で形成されることができる。例えば、第1絶縁層10の一面にキャビティ領域Cの境界Bに沿って感光性樹脂を選択的に塗布し、硬化して絶縁体パターン40を容易に形成することができる。 At this time, in order to selectively and easily form the insulating pattern 40 on one surface of the first insulating layer 10, the insulating pattern 40 may be formed of photosensitive resin. For example, the insulator pattern 40 can be easily formed by selectively coating a photosensitive resin on one surface of the first insulating layer 10 along the boundary B of the cavity region C and curing it.

保護層45を形成する段階では、以後のキャビティ領域Cを加工する工程においてキャビティ領域Cの底を保護する臨時の保護層45を形成する。例えば、保護層45は、キャビティ領域Cの底を覆い、埋め込まれた回路パターン16を保護することができる。保護層45は、回路パターン15と異種の物質で形成することができる。 In the step of forming the protective layer 45, a temporary protective layer 45 is formed to protect the bottom of the cavity region C in a subsequent process of processing the cavity region C. For example, the protective layer 45 can cover the bottom of the cavity region C and protect the embedded circuit pattern 16. The protective layer 45 may be formed of a material different from that of the circuit pattern 15 .

図7を参照すると、第1絶縁層10の一面に、キャビティ領域Cの底を覆う絶縁物質の保護層45を付着することができる。このとき、保護層45は、キャビティ領域Cの境界Bに形成された絶縁体パターン40とオーバーラップされ、キャビティ領域Cの底を隙間なく覆うことが好ましい。保護層45は、後述するキャビティ領域Cの加工工程において、埋め込まれている回路パターン16の損傷を効果的に防止することができる。特に、エンベデッドトレース構造の微細な回路パターン16は、その厚さや幅が非常に小さいため、加工時の小さい誤差でも大きな損傷を受けることになる。よって、保護層45によりキャビティ領域Cの回路パターン15をカバーすると、プリント回路基板の製造時の信頼性や効率性を向上できる。 Referring to FIG. 7, a protective layer 45 of an insulating material may be deposited on one side of the first insulating layer 10 to cover the bottom of the cavity region C. Referring to FIG. At this time, it is preferable that the protective layer 45 overlaps the insulating pattern 40 formed at the boundary B of the cavity region C, and covers the bottom of the cavity region C without any gap. The protective layer 45 can effectively prevent damage to the embedded circuit pattern 16 in the process of processing the cavity region C, which will be described later. In particular, since the fine circuit pattern 16 of the embedded trace structure has a very small thickness and width, even a small error during processing can cause significant damage. Therefore, by covering the circuit pattern 15 in the cavity region C with the protective layer 45, reliability and efficiency during manufacturing of the printed circuit board can be improved.

第2絶縁層20を形成する段階では、第2絶縁層20を第1絶縁層10の一面に形成する。 第2絶縁層20は、第1絶縁層10と類似の材質により、プリプレグ(PPG)やビルドアップフィルム(build-up film)等の形態に形成してもよく、第1絶縁層10とは異なる材質または異なる方法により形成してもよい。 In the step of forming the second insulating layer 20, the second insulating layer 20 is formed on one surface of the first insulating layer 10. The second insulating layer 20 may be formed of a material similar to that of the first insulating layer 10 in the form of prepreg (PPG), a build-up film, etc., and may be different from the first insulating layer 10. It may be formed using a different material or a different method.

図8を参照すると、第1絶縁層10の一面に、絶縁体パターン40及び保護層45を埋め込む第2絶縁層20を積層することができる。そして、第2絶縁層20上には第3絶縁層30をさらに積層することができる。このとき、第2絶縁層20及び第3絶縁層30を貫通して回路パターン15と接続する導電性ポスト35をさらに形成してもよい。例えば、銅材質のポスト35が回路パターン15のパッドと結合することができる。 Referring to FIG. 8 , a second insulating layer 20 in which an insulating pattern 40 and a protective layer 45 are embedded may be stacked on one surface of the first insulating layer 10 . Then, a third insulating layer 30 can be further stacked on the second insulating layer 20. At this time, conductive posts 35 may be further formed to penetrate through the second insulating layer 20 and the third insulating layer 30 and connect to the circuit pattern 15. For example, the posts 35 made of copper may be coupled to the pads of the circuit pattern 15.

キャビティ領域Cを形成する段階では、絶縁体パターン40に沿って第2絶縁層20を除去してキャビティ領域Cを形成する。つまり、設定されたキャビティ領域Cの境界Bに沿って第2絶縁層20を除去する。 In the step of forming the cavity region C, the second insulating layer 20 is removed along the insulator pattern 40 to form the cavity region C. That is, the second insulating layer 20 is removed along the boundary B of the set cavity region C.

具体的に、第2絶縁層20に貫通ホール22を形成することで、電子素子等が内部に挿入され配置され得る凹状の溝構造のキャビティ領域Cを形成する。第2絶縁層20に第3絶縁層30が形成された場合は、第2絶縁層20及び第3絶縁層30を連続して貫通する貫通ホール22、32を形成することができる。貫通ホール22、32を介して保護層45が露出することにより、後述する保護層45の除去段階の後に、露出した埋め込まれている回路パターン16と電子素子とを電気的に接続することができる。 Specifically, by forming the through hole 22 in the second insulating layer 20, a cavity region C having a concave groove structure into which an electronic device or the like can be inserted and arranged is formed. When the third insulating layer 30 is formed on the second insulating layer 20, the through holes 22 and 32 can be formed to continuously penetrate the second insulating layer 20 and the third insulating layer 30. By exposing the protective layer 45 through the through holes 22 and 32, it is possible to electrically connect the exposed buried circuit pattern 16 and the electronic element after the protective layer 45 is removed, which will be described later. .

このとき、キャビティ領域Cの加工は、第2絶縁層20を選択的に除去するサンドブラスト加工により実施できる。 At this time, the cavity region C can be processed by sandblasting to selectively remove the second insulating layer 20.

図9を参照すると、キャビティ領域Cを加工するとき、絶縁体パターン40は加工の深さを制限するストッパの役割をすることができる。例えば、キャビティ領域Cの加工がサンドブラスト工程により実施され、サンドブラスト加工でのストッパの役割をする絶縁体パターン40は、第2絶縁層20または第3絶縁層30よりも耐磨耗性または靭性の高い材質で形成されることができる。 Referring to FIG. 9, when processing the cavity region C, the insulator pattern 40 may serve as a stopper to limit the depth of processing. For example, the cavity region C is processed by a sandblasting process, and the insulator pattern 40 that serves as a stopper in the sandblasting process has higher wear resistance or toughness than the second insulating layer 20 or the third insulating layer 30. It can be made of any material.

サンドブラスト加工は、ノズルから研磨材を噴射して素材の表面を整えたり切削したりする加工方法である。過去には砂を研削材として噴射したためサンドブラストと名付けたが、現在は、アルミナ(酸化アルミニウム)または炭化ケイ素等のセラミック粉末、ガラスビーズ、プラスチックパウダー等の様々な粒子を研削材として用いることができる。サンドブラストの種類には、研磨材と水とを混合した後にノズルを介して噴射して加工する湿式サンドブラスト(Wet blast)と、エアを用いて研磨材のみをノズルを介して噴射して加工する乾式サンドブラスト(Air blast)がある。 Sandblasting is a processing method that prepares or cuts the surface of a material by spraying an abrasive material from a nozzle. In the past, sand was injected as an abrasive, hence the name sandblasting, but now various particles can be used as an abrasive, such as ceramic powders such as alumina (aluminum oxide) or silicon carbide, glass beads, and plastic powders. . There are two types of sandblasting: wet sandblasting, in which abrasives and water are mixed and then sprayed through a nozzle; and dry sandblasting, in which only the abrasive is sprayed through a nozzle using air. There is sandblasting (air blast).

本実施例では、第3絶縁層30の加工しない領域を選択的にカバーする加工防止層70を形成し、サンドブラスト加工により第2絶縁層20及び第3絶縁層30を加工して絶縁体パターン40及び保護層45の上部を露出させる。このとき、絶縁体パターン40は、耐磨耗性が高いか靭性が高い材質から形成されるので、第2絶縁層20及び第3絶縁層30に比べてサンドブラスト加工による摩耗または切削が少ない。これにより、キャビティ領域Cの中心部分から保護層45が露出するまでサンドブラスト加工が充分に行われても、キャビティ領域Cの境界B部分が損傷することを防止することができる。 In this embodiment, a processing prevention layer 70 is formed to selectively cover the unprocessed region of the third insulating layer 30, and the second insulating layer 20 and the third insulating layer 30 are processed by sandblasting to form the insulating pattern 40. and expose the upper part of the protective layer 45. At this time, since the insulating pattern 40 is made of a material with high wear resistance or high toughness, the insulating pattern 40 is less likely to be abraded or cut by sandblasting compared to the second insulating layer 20 and the third insulating layer 30. Thereby, even if the sandblasting process is sufficiently performed until the protective layer 45 is exposed from the central portion of the cavity region C, the boundary B portion of the cavity region C can be prevented from being damaged.

保護層45を除去する段階では、保護層45を除去し、埋め込まれた回路パターン16を露出させる。保護層45は、その材質に応じて、化学的または物理的方法のうち容易な方法により除去することができる。 In the step of removing the protective layer 45, the protective layer 45 is removed to expose the embedded circuit pattern 16. The protective layer 45 can be removed by an easy chemical or physical method depending on the material.

図10を参照すると、絶縁物質で形成された保護層45を第1絶縁層10から取り外して除去することができる。 Referring to FIG. 10, the protective layer 45 made of an insulating material may be removed from the first insulating layer 10. Referring to FIG.

図11を参照すると、第1絶縁層10の他面または第3絶縁層30の一面は、プリント回路基板の外層となり、ここにソルダーレジスト層50、60をさらに形成することができる。 ソルダーレジスト層50、60のオープニングを介して導電性ポスト35または回路パターン15の一部が露出し、外部と電気的に接続することができる。 Referring to FIG. 11, the other surface of the first insulating layer 10 or one surface of the third insulating layer 30 serves as an outer layer of the printed circuit board, and solder resist layers 50 and 60 may be further formed thereon. A part of the conductive post 35 or the circuit pattern 15 is exposed through the opening of the solder resist layers 50 and 60, and can be electrically connected to the outside.

以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加などにより本発明を様々に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。 Although one embodiment of the present invention has been described above, a person having ordinary knowledge in the technical field will be able to add or change constituent elements without departing from the idea of the present invention described in the claims. The present invention can be modified and changed in various ways by adding, deleting, adding, etc., and these are also within the scope of the rights of the present invention.

C キャビティ領域
10 第1絶縁層
15 回路パターン
16 埋め込まれた回路パターン
20 第2絶縁層
22、32 貫通ホール
30 第3絶縁層
40 絶縁体パターン
45 保護層
50、60 ソルダーレジスト層
C Cavity region 10 First insulating layer 15 Circuit pattern 16 Embedded circuit pattern 20 Second insulating layer 22, 32 Through hole 30 Third insulating layer 40 Insulator pattern 45 Protective layer 50, 60 Solder resist layer

Claims (12)

第1絶縁層と、
前記第1絶縁層に埋め込まれて形成され、前記第1絶縁層の上面において上面が露出し、側面が前記第1絶縁層によってカバーされる回路パターンと、
前記第1絶縁層の一面に積層され、前記回路パターンを露出させる、貫通されたキャビティ領域が形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に形成され、前記キャビティ領域が形成された第3絶縁層と、
一方側が前記第1絶縁層と前記第2絶縁層との間に介在され、他方側が前記キャビティ領域の底面から突出し、前記キャビティ領域の境界に沿って形成される絶縁体パターンと、
を含み、
前記絶縁体パターンはフレーム状に前記第1絶縁層上に形成され、フレーム状の前記絶縁体パターンの内側から、前記キャビティ領域の底となる前記第1絶縁層の前記一面、および、埋め込まれた前記回路パターンが露出し、
前記第2絶縁層および前記第3絶縁層の前記キャビティ領域側の側面は傾いて形成されており、これにより、前記キャビティ領域は、前記第1絶縁層に近くなるほど狭くなる構造を有する、
プリント回路基板。
a first insulating layer;
a circuit pattern embedded in the first insulating layer, the top surface of which is exposed on the top surface of the first insulating layer, and the side surfaces covered by the first insulating layer;
a second insulating layer laminated on one surface of the first insulating layer and having a penetrated cavity region that exposes the circuit pattern;
a third insulating layer formed on the second insulating layer and having the cavity region formed therein;
an insulator pattern, one side of which is interposed between the first insulating layer and the second insulating layer, the other side of which protrudes from the bottom surface of the cavity region, and is formed along the boundary of the cavity region;
including;
The insulating pattern is formed in a frame shape on the first insulating layer, and from the inside of the frame-shaped insulating pattern, the one surface of the first insulating layer that becomes the bottom of the cavity region, and the embedded pattern are formed on the first insulating layer. the circuit pattern is exposed ;
Side surfaces of the second insulating layer and the third insulating layer on the side of the cavity region are formed to be inclined, so that the cavity region has a structure that becomes narrower as it approaches the first insulating layer.
printed circuit board.
前記絶縁体パターンで取り囲まれた領域に、前記第1絶縁層の一部及び前記回路パターンが露出する請求項1に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to claim 1, wherein a portion of the first insulating layer and the circuit pattern are exposed in a region surrounded by the insulating pattern. 前記絶縁体パターンは、
前記第2絶縁層とは異なる材質で形成された請求項1または2に記載のプリント回路基板。
The insulator pattern is
The printed circuit board according to claim 1 or 2, wherein the second insulating layer is made of a different material.
前記絶縁体パターンは、
前記第2絶縁層よりも耐磨耗性または靭性(toughness)の高い材質で形成された請求項3に記載のプリント回路基板。
The insulator pattern is
The printed circuit board according to claim 3, wherein the printed circuit board is made of a material having higher wear resistance or toughness than the second insulating layer.
前記絶縁体パターンは、感光性樹脂で形成された請求項3に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to claim 3, wherein the insulator pattern is formed of photosensitive resin. 前記第2絶縁層及び前記第3絶縁層を貫通して形成され、前記回路パターンに接続する導電性ポストさらに含む請求項1からのいずれか一項に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to any one of claims 1 to 5 , further comprising a conductive post formed to penetrate the second insulating layer and the third insulating layer and connected to the circuit pattern. 前記絶縁体パターンは、前記回路パターンの少なくとも一部を覆う請求項1からのいずれか一項に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to any one of claims 1 to 6 , wherein the insulator pattern covers at least a portion of the circuit pattern. 第1絶縁層の一面に回路パターンを形成する段階と、
前記第1絶縁層上に、キャビティ領域の境界を設定し、前記境界に沿って絶縁体パターンを形成する段階と、
前記キャビティ領域を覆う保護層を形成する段階と、
前記第1絶縁層の一面に第2絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁体パターンに沿って前記第2絶縁層を除去し、前記キャビティ領域を形成する段階と、
前記保護層を除去して前記回路パターンを露出させる段階と、
を含むプリント回路基板の製造方法。
forming a circuit pattern on one surface of the first insulating layer;
setting a boundary of a cavity region on the first insulating layer and forming an insulator pattern along the boundary;
forming a protective layer covering the cavity area;
forming a second insulating layer on one surface of the first insulating layer;
removing the second insulating layer along the insulating pattern to form the cavity region;
removing the protective layer to expose the circuit pattern;
A method of manufacturing a printed circuit board, including:
前記絶縁体パターンを形成する段階では、
前記絶縁体パターンが前記キャビティ領域の境界上に配置される請求項に記載のプリント回路基板の製造方法。
In the step of forming the insulator pattern,
9. The method of manufacturing a printed circuit board according to claim 8 , wherein the insulator pattern is arranged on a boundary of the cavity region.
前記絶縁体パターンを形成する段階は、
前記キャビティ領域の境界上に、感光性樹脂を選択的に塗布して硬化する段階を含む請求項に記載のプリント回路基板の製造方法。
Forming the insulator pattern includes:
10. The method of manufacturing a printed circuit board according to claim 9 , further comprising selectively applying and curing a photosensitive resin on the boundary of the cavity region.
前記キャビティ領域を形成する段階は、
サンドブラスト(Sand blast)加工により前記第2絶縁層を選択的に除去する段階を含む請求項8から10のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
Forming the cavity region includes:
The method of manufacturing a printed circuit board according to any one of claims 8 to 10 , including the step of selectively removing the second insulating layer by sand blasting.
前記サンドブラスト加工段階は、
前記第2絶縁層において加工しない領域を選択的にカバーする加工防止層を形成する段階をさらに含む請求項11に記載のプリント回路基板の製造方法。
The sandblasting step includes:
12. The method of manufacturing a printed circuit board according to claim 11 , further comprising forming a processing prevention layer that selectively covers an unprocessed region of the second insulating layer.
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